Sunteți pe pagina 1din 48

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT819.

Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu
impuriti.
Pentru fabricarea tranzistorului KT819, care este de tip n-p-n, se folosete metoda
epitaxial-planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare
sunt caracterizate cu aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a
plachetei, deaceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Epitaxia reprezint procesul de cretere a straturilor monocristaline pe plachet cu
pstrarea orientrii cristalografice.
Epitaxia ocup locul intermediar ntre procesele de baz i cele ajuttoare. n
principiu ea poate garanta formarea neregularitilor locale, totodat aceast
orientare este slab prelucrat i n timpul de fa epitaxia de obicei se folosete ca
mijloc de a primi plachete n forma straturilor foarte subiri depuse pe plachete
groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu const n felul urmtor. Placheta monocristalin
de siliciu se afl n fluxul de hidrogen, coninnd vapori de compui ale siliciului
cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200C i mai sus) la suprafaa
plachetei se petrece reacia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
n rezultatul creia la suprafaa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de
HCl sunt evacuai odat cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu
monocristalin are aceeai orintaie cristalografic ca i placheta.
Dac la vaporii de SiCl4 adugm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea
nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dup
care n timpul reaciei chimice n siliciu se ntroduc atomii acceptori de bor sau
atomii donori de fosfor. Grania ntre stratul epitaxial i plachet nu este ideal,

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 9 -5/4/20155/4/2015

deoarece n procesul de epitaxie are loc difuzia ntre atomii de la suprafa a


plachetei i atomii din stratul epitaxial. .

2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.


Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n
circuit dup unul din montajele fundamentale, prezentate n fig.1; montajele
fundamentale sunt denumite i conexiuni fundamentale.

Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul npn.


aconexiunea emitor comun (EC); bconexiunea baz comun (BC);

n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit


de intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n
care se obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din
ambele circuite i se ia ca electrod de referin; acest electrod (terminal) este
denumit i electrod comun. Lund n consideraie care dintre cele trei borne ale
tranzistorului este considerat electrod comun se disting trei conexiuni
fundamentale i anume: conexiunea baz comun (BC); conexiunea emitor comun
(EC); conexiunea colector comun (CC).Cele mai folosite snt primele dou
caracteristici statice.
Caracteristicile statice da relaia dintre dou mrimi de la bornele tranzistorului
cnd a treia este meninut constant.

2.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 10 -5/4/20155/4/2015

Cuplarea tranzistorului n schem baz comun, adic electrodul comun este


baza. n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare prezint dependena
dintre curentul la intrare care prezint curentul emitorului I E, cnd tensiunea
aplicat la jonciunea emitorului este meninut constant, iar tensiunea la colector
se schimb.
Dup formele sale, caracteristicile statice snt apropiate de caracteristicile voltamper ale diodei. Diferena dintre caracteristicile de intrare primite, pentru diferite
tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa de cele
ale diodei.
n caracteristicile volt-amper n conexiunea baz comun la intrare este
prezentat dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena
IC=f(UCB), cnd IE=const..
Conform figurei 5, n care avem prezentate caracteristicile de intrare, observm
o zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea
tranzistorului. n general ramurile au form exponenial i se descrie bine de
expresia:
IE=A(eU -1)A eU ;
EB

EB

(1).

n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290K 40 v-1), iar semnul


tensiunilor de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii
emitoruluimrimile s fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei.
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de
tensiunea aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectai n serie cu jonciunea emitorului.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 11 -5/4/20155/4/2015

Figura 1. Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun


i caracteristica de intrare corespunztoare.
A

I ES
;
( 1 inv )

(2).

unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

inv coeficientul de trnsfer dup curent al tranzistorului, n curent continuu


la conectarea indirect.
Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete, adic
faza tensiunii la amplificare nu se inverseaz. Trebuie de spus c schema cu BC
are distorsiuni mai mici dect etajul pe schema cu EC.
Caracteristicile de ieire reprezint dependena dintre curentul colectorului IC i
tensiunea UBC aplicat la jonciunea baz-colector.
n caracteristici destingem trei zone:
- Zona (1) n care caracteristicile au o form liniar i snt nclinate sub un
unghi mic fa de axa absciselor se numete activ normal. Unghiul mic de
nclinare ne arat dependena mic ntre curentul colectorului i tensiunea la
colector. Aici jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colectorbaz este polarizat indirect.
-Zona (2) este regiunea de blocare (sau tiere), n care ambele jonciuni snt
polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul
colectorului poate fi mai mic dect ICB0, conform relaiei IC=IE+ICB0.
-Zona (3) este regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni snt polarizate
direct. Se observ c rezistena dinamic de ieire UCB/IC cnd IE=const. are
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 12 -5/4/20155/4/2015

valori mult mai mici dect n zona (1), nclinarea zonelor fiind mult diferit de
orizontal. Aceasta este explicabil, ntruct la ieire se simte rezistena dinamic a
jonciunii colector-baz, care acum este direct polarizat .
-Zona (4) este zona n care are loc strpungerea tranzistorului.
n fine, mai exist o zon activ invers, care nu este vizibil pe grafic.
n conexiunea baz comun, n regiunea activ normal zona de cretere a
curentului colectorului este aproximativ egal cu cea a emitorului i caracteristicile
snt practic identice pentru toate tipurile de tranzistoare.

Figura 2. Caracteristica de ieire


pentru tranzistorul cuplat n baz comun.

Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de


transfer dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii
variabile care acioneaz la intrare i la ieire unui amplificator. Intrarea
amplificatorului prezint circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul
circuit, adic baz colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor , i anume rezistena la
intrare este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. Deaceia n
tranzistor la conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena
sarcinii i este egal cu:
Iie=-h21BIint;
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal
mic n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 13 -5/4/20155/4/2015

Coeficientul h21B este o caracteristica a trnsferului unui semnal slab.


Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin KI i se
I

C
numete coeficientul de transfer dup curent: K I I <1.
E

2.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.


Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a
caracteristicilor statice este prezentat n figura 6.
Considernd tranzistorul un nod, aplicnd teorema lui Khirchhoff vom avea:
IE=IC+IB;
iar relaia fundamental este dat de formula:
IC=IE+ICB0;
Eliminnd din relaiile (1) i (2) IEvom obine:
IC=( IC+IB)+ ICB0;
de unde:
IC

1
IB
I CB 0
1
1

Se observ c:
I C I CB 0
I I
I

C CB 0 C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B

Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de ampligicare n curent n


conexiunea emitor comun. Acest factor se noteaz prin sau cu h21E.
Rezult c:

IC=IB+(+1)ICB0;
Produsul (+1)ICB0 se noteaz cu ICE0 i este curentul rezidual dintre emitor i
colector, cn dbaza este conectat n gol.
Trebuie s observm c numeric factorul static de amplificare este de ordinul
sutelor, iar ICE0 este circa de dou ordine mai mare dect ICB0

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 14 -5/4/20155/4/2015

n asemenea conectare a tranzistorului pentru caracteristica de intrare curentul


bazei este funcie de tensiunea aplicat la baz-emitor, adic IB=f(UBE) cnd UCE=
const., iar pentru caracteristica de ieire avem IC=f(UCE) cnd IB= const.
n figura 7 este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n
conexiune emitor comun.

Figura 3.Circuitul de polarizare.

Figura 4. Caracteristica de intrare ale


tranzistorului bipolar n conexiunea EC.

Pe aceast caracteristic observm c caracteristica (I) se afl mai la stnga dect


cea de-a doua, deoarece ele snt caracteristicile unei diode, formate de dou
jonciuni. Caracteristica a II-a determin curentul de intrare, care este de baz, iar
caracteristica I-a arat curentul de intrare egal cu suma curenilor printre dou
jonciuni paralele deplasate n sens direct.
Caracteristicile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei
este numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 15 -5/4/20155/4/2015

const n aceia c la o anumit tensiune i mai mare ca ea jonciunea colectorului


este deplasat n sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat
direct.
n figura 8. este prezentat caracteristica de ieire pentru tranzistorul de tipul
n-p-n. Aici parametrul caracteristicilor este curentul bazei i nu dl emitorului.

Figura 5. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului


bipolar n conexiunea EC.

Ele se deosebesc mult de cele n baz comun . n primul rnd prin aceia c
ICE0 este de 50-100 ori mai mare, dect curentul ICB0, iar n al doilea rnd nclinaia
caracteristicilor este mai mare fa de cea n baz comun. n al terilea rnd, la
aceiai cretere a curentului bazei este diferit de cea a colectorului. i n fine
caracteristicile nu ajung la axa ordonatelor.
La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului
colectorului cu micorarea tensiunii la emitor-colector i independena curentului
colectorului de cel al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim
de saturie, aceasta explic la tensiuni mici ale colector-emitor ambele jonciuni
p-n att a emitorului ct i a colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este
destul de mic.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 16 -5/4/20155/4/2015

3.Scheme

echivalente

tranzistorului

bipolar

la

diferite frecvene de funcionare.


3.1. Frecven joas.
Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are
diferite comportri. n acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven
joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite
capaciti datorate de existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii.
Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens direct n capacitatea total a
acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de
barier Ccb. Dei la o jonciune p-n valoarea capacitii de difuzie, n curent
alternativ efectul capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face simit
pentru frecvene care nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a
tranzistorului lucrnd la frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie
s fie completat prin luarea n consideraie a acestor capaciti i n special prin
considerarea capacitii colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului CBE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se
astfel ralul ei este secundar fa de cel al capacitii de barier a colectorului CBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La
rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul
n care snt distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n
toate cazurile ns, capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 17 -5/4/20155/4/2015

tensiunea aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare)


obinute prin aliere

1
U

1
2

pe cnd la jonciunile obinute prin cretere

1
3

Pentru tensiuni UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin
aliere, este aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o
tensiune UC0=5 (V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 6. Schema echivalent a tranzistorului


la frecven joas(la conectarea n emitor comun)

3.2 Frecvene medii.


O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven
joas i medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Figura 7. Schema echivalent a tranzistorului


la frecven medie(la conectarea n emitor comun).

3.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 18 -5/4/20155/4/2015

Figura 8. Circuitul echivalent Giacoletto.


(conexiune baz comun).

n figura 4. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor


montat n conexiunea BC.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de
cteva sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF (capacitate
de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu
ajutorul generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k),
ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena
rBB este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se
nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea
CBC de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de
curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete
ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea
infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind
constante.
Aadar:

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 19 -5/4/20155/4/2015

gm

I C
e
I C
U BE kT

i se poate demonstra c:
g m r BE h 21 B

n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite
dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea
sunt de ordinul a 1- 4 pF. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie mic,
ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul de
funcionare static (de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).

4. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare.


n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ
la intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2
i curentul I2.

Figura 9. Reprezentarea tranzistorului ca un cuadripol.

Dup cum se tie din teoria circuitelor, legtura dintre tensiune i curent poate fin
prezentat cu o funcie ce depinde de dou necunoscute iar argumente pot fi oricare
dou din: U1, I1, U2, I2. Se utilizeaz doar cele patru de mai jos:
I1=f1(U1;U2)
I2=f2(U1;U2)
U1=1(I1;U2)
U2=2(I1;U2)
Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 20 -5/4/20155/4/2015

Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai
comozi pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i
curent cu parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2

(3)

Menionm c relaia (3) s-a obinut din relaia (2).


Sensul fizic al parametrilor h este urmtorul:

h 11

h 12

dU 1
dI 2

dU 2 0

dU 1
dU 2

dI 1 0

(4)-rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit.

(5)-coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem


mers n gol

h 21

dI 2
dI 1

dU 2 0

(6)-coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm


regim de scurtcircuit.

h 22

dI 2
dU 2

dI 2 0

(7)-conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 21 -5/4/20155/4/2015

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent


continuu, iar parametrii h se msoar dup curent alternativ la valori ale
semnalului reduse. Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile statice.
Din punct de vedere numeric, domeniile uzuale pentru parametrii hibrizi h ai
unui tranzistor bipolar aliat de frecven joas sunt urmtoare:
h11 sute .....k ;
h12 10-4........10-3;
h21 zeci.........sute;
h22 zeci S ;

Figura 10. Schema echivalent de conectare n baz comun.

Baz comun:
h 11B r E r B ( 1 )
h 21B
h12B

rB
rC

h 22B

1
rC

Emitor comun:
h11E r B r E ( 1)
h 21E 1 *

h12E *

rE
rC

h 22E

*
rC

Avantajul principal al descrierii tranzistorului cu paremetrii h l constituie faptul


c acetea se msoar comod. Inconvenentul lor const n faptul c nu se pot
utiliza dect la frecven joas, din urmtorul motiv: doi din aceti parametri (h12 i

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 22 -5/4/20155/4/2015

h22) se msoar cu condiia de gol la intrare; acesta se realizeaz corect la frecvene


joase, lsnd bornele respective neconectate, dar la frecvene nalte intervine
reactana capacitii dintre borne, care altereaz condiia de gol.

5. Ridicarea parametrilor de baz a tranzistorului


Dup cum a mai fost menionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu dou
jonciuni p-n ce intreacioneaz ntre ele avnd trei sau mai multe borne de ieire,
fenomenele de amplificare ale crora sunt determinate de fenomenele de inijecie
i extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 11 sunt prezentate ilustrarea
schematic (a) i grafic (b) a tranzistorului de tip p-n-p distribuia concentraiei
purttorilor de sarcin minoritari de-a lungul structurii n stare de echilbru (c).

p
a)

n,p

C
B

x
c)
Fig.11
b)
111
Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i
colector (C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea
emitorului,

iar

cea

de

la

frontiera

C-B

jonciunea

colectorului.
Coala

Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 23 -5/4/20155/4/2015

Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou


tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge
prin baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n
de electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat
direct, iar a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre
ele (adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci
purttorii, injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n
regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
emitorului prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii
colectorului cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului const anume n
interaciunea acestor dou jonciuni.
n fig. 2 este prezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului
bipolar (a), repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor
de sarcin neechilibrai n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.
IE

I Ep
p

I Ep I En
n

I Cp

IC

IC 0 p

a)
E EB

ECB

b)
p

x
c)
Mod Coal N Document

Semn.

Data

Fig. 12

Coala

- 24 -5/4/20155/4/2015

La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii


colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest
curent este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 .
Curentul invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului)
prezint n sine curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd
circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii
emitorului i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de
difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul
electronilor i golurilor:
I E I En I Ep .

Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari


(electroni), iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de
sarcin majoritari (goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca
cea a electronilor:

I Ep I En .

Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip


la crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se
compenseaz cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior.
Acest lucru determin mrimea i direcia componentei electronilor din curentul
emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei.
Relaia:

I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99

este numit eficacitatea emitorului.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 25 -5/4/20155/4/2015

Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor


din emitor n baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s
egaleze concentraia pe ntreg volumul bazei, se deplasseaz n direcia
colectorului. Din cauz c cmpul electric n baz este relativ mic, se poate
considera, c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv din contul
difuziei. La injectarea necontenit ( I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie
corespunztoare a concentraiei golurilor, ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea colectorului, polarizat indirect, golurile, fiind
purttori de sarcin minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul
colectorului. Deoarece trecerea golurilor din baz n colector este fr obstacole,
concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci
concentraia golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte
egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de
difuzie al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin
cu electronii de conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni,
parvenii n baz din circuitul exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului
golurilor n dou componente:
I Ep I E .rec . I Cp ,

unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide


dup direcie cu I En ;

I Cp

- componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul

colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n
purttori de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva
ori mai mare dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .

Mrimea raportului:

I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 26 -5/4/20155/4/2015

se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori


mrimea , la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea

:
I Cp I E

I Cp I Ep
I Ep I E

0 ,95...0 ,99 ,

se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de


asemenea este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din
curentul emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B

unde

I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .

Utiliznd relaia (7), obinem:


I C I E I CB 0 .

Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului


bazei :

I Cp
I En I E .rec .

I C I CB 0
.
I B I CB 0

S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n


baz comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i
ieire ale tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare
cu caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea
jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n
stnga. Aceasta ne indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura
apare din cauza rezistenei bazei.
n schema BC rezistena bazei este comun pentru circuitele de intrare i
ieire. Fie c U EB const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz
curentul jonciunii:
1
U EB
U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB 0 .

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 27 -5/4/20155/4/2015

La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar


de aceasta se micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului
semicoreaz limea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB ,
aplicat la emitor, la mrimea U CB la fel se mrete. Acest fapt explic creterea
IC

IE

IEn

UCB1
I

UCB0

a)

1E

IE0

UEB

b)

Fig. 13

UCB

curentului emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a


tranzistorului cuplat n BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const .
Dei tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n
coordonate pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei
semiconductoare polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica
se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se
mrete cu valoarea

I Cp I E I E .

Curentul

I Cp

poate fi modelat ca un curent

suplimentar al jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde


I 0 I Cp ,

putem afirma, c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n

BC prezint caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj

I Cp ,

adic:

I p n I 0 exp eU kT 1 .

Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar


n schema emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire
pentru tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin
punctul x 0 i

y0

i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin


Coala

Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 28 -5/4/20155/4/2015

mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin
jonciune ( I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la dreapta
IB

I Bn

IC

U CE 0

I B1
IB 0

U CE 1
U BE

a)

Fig. 14

b)

U CE

i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe


jonciunea emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia
golurilor n apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii
bazei, adic micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din
aceast cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus.
Findc electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas,
fiindc la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu
jonciunea emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste
considerente n regiunea bazei procesul generrii termice este mai rapid dect
prcesul de recombinare. Electronii generai n baz pleac din ea prin borna bazei,
iar aceasta nseamn, c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer,
al curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n
schema cu emitor comun 1 .

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 29 -5/4/20155/4/2015

6. Parametrii de baz ai tranzistorului KT819.


Tranzistor bipolar, planar de tip n-p-n, de putere mic frecven
joas. Se folosete n circuite de generare i amplificare din aparatajul
radioelectronic.
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun UCB=5V
IE=0.5A:

h21E =40

2. Tensiunea colector-baz: UCB=5V


3. Intensitatea curentului colectorului: IC=5 A
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=15 A
5. Capacitatea jonciunii colectorului: CC=1000 pF
6. Capacitatea jonciunii emitorului: CE=2000 pF
7. Frecvena de tiere: ft=30 MHz
8. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 =0,05 mA
9. Puterea maxim: Pmax=2 W
10. Temperatura de funcionare: T=-40....100oC

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 30 -5/4/20155/4/2015

7. Tranzistoarele bipolare de generatie nou IGBT


7.1 Parametri de baz a tranzistoarelor IGBT
Tranzistoarele bipolare i MOSFET au, fiecare n parte, o serie de performane
foarte

avantajoase pentru aplicaii, dar i unele dezavantaje care limiteaz

dimensiunea aplicaiei.
Astfel tranzistorul bipolar n raport are avantajele:
capacitate mai mare n curent i tensiune;
cdere mic de tensiune in conducie, VCEON.
Pe de alt parte dezavantajele mai importante sunt:
timpi relativ mari de comutaie;
curent i putere de comand mare;
prezena saturaiei;
pericolul de distrugere prin cea de a doua strpungere.
Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele:

timpi mici de comutaie;


comand n tensiune;
inexistena saturaiei i a celei de a doua strpungeri ;
capacitate relativ mic n tensiune i curent.

mbinarea avantajelor celor dou tipuri de tiristoare s-a regsit ntr-un nou
dispozitiv semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu gril izolat
IGBT.

7.2 Structura. Polarizare


Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 31 -5/4/20155/4/2015

O structur vertical printr-un IGBT cu canal n este prezentat n Fig.2. , iar n


Fig.1. simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
stratul colectorului de tip p+, nalt dopat, 1019/cm3;
-

stratul de srcire de tip n , slab dopat, 1014/cm3;


corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
stratul emitorului n2+, nalt dopat, 1019/cm3.
Suplimentar la unele tranzistoare se mai gsete i stratul tampon n 1+, nalt dopat
1019/cm3 . Dac tranzistorul nu are stratul tampon se numete IGBT simetric, n
caz contrar asimetric. Emitorul tranzistorului se conecteaz la stratul n 2+ prin
intermediul metalizrii 1, din aluminiu. Metalizarea porii G este separat de
corpul p prin stratul de oxid de siliciu, 2. Pentru analiza polarizrii se consider
poarta izolat. Polarizarea direct const n aplicarea polaritii plus pe colectorul
C al tranzistorului. Este polarizat invers doar jonciunea J 2, bariera de potenial
extinzndu-se n toat grosimea stratului n-, IGBT-ul putnd susine tensiuni de
pn la 1500 2500V. n cazul polarizrii inverse, minusul pe colector,
existdiferene ntre tranzistorul simetric i asimetric. Astfel pentru tranzistorul
asimetric, Fig. 1., sunt polarizate invers jonciunile J1 i J3. Fiind jonciuni de
tip n+ p, respectiv n+p+, barierele de potenial sunt reduse, iar capacitatea n
tensiune invers de ordinul zecilor de voli. n cazul tranzistorului simetric, lipsind
stratul n1+, jonciunea J1 este format din straturile n- p+, bariera de potenial fiind
de acelai ordin de mrime ca la polarizarea direct. Aadar tranzistorul simetric
poate funciona alimentat att n c.c. ct i n c.a., n timp ce tranzistorul asimetric
poate funciona alimentat numai alimentat cu tensiune continu i polarizare
direct. Se realizeaz foarte rar IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind
asemntoare, tipul straturilor i polarizarea inversate.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 32 -5/4/20155/4/2015

7.3 Functionare. Caracteristica Statica


Stare de conducie a unui IGBT se realizeaz dac este polarizat ca n Fig. 3.
Productori de IGBT-uri furnizeaz mai multe tipuri de scheme echivalente
funcionale, care permit descrierea conduciei n tranzistor. O astfel de schem
echivalent simplificat este prezentat n Fig. 4., unde IGBT-ul este nlocuit
printr-un tranzistor MOSFET cu canal n i un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul
Rn-1 materializeaz rezistena stratului n-. Tranzistorul MOSFET reprezint partea
de comand a IGBT-ului care este similar cu cea a tranzistorului MOSFET, n
sensul c n corpul p se creeaz, prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest
canal electronii injectai din surs, polarizat negativ, se regsesc n dren, iar prin
stratul n- n baza tranzistorului pnp, comandnd intrarea rapid n conducie a
acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea conduciei MOSFETului. n felul acesta se realizeaz comanda n tensiune, deci de putere mic, i timpi
de comutaie redui. Se evit de asemenea fenomenul saturaiei, comanda pe
poart IGBT-ului fiind n cmp electric. Pe de alt parte prezena ntre colector i
emitor a tranzistorului pnp asigur o cdere de tensiune VCEON comparabil cu
cea de la tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice, ic=f(VCE), au forma din
Fig. 5 i se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer ic = f(VGE) din Fig. 6.
n familia de caracteristici statice se definesc zonele:

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 33 -5/4/20155/4/2015

dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori
mai mari dect VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai
caracteristici ca la tranzistoarele bipolare;
zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
zona ohmic;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.

Stabilirea punctului de funcionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, n sensul


ndeplinirii condiiilor:
s asigure la curent maxim, tensiune VCEON minim, punctul de funcionare
plasndu-se pe curba de separaie ntre zonele activ i ohmic;

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 34 -5/4/20155/4/2015

punctul de funcionare s se gseasc n interiorul ariei de funcionare sigur,


SOA, de formasemntoare cu cea de la MOSFET.
Tensiunea VCEON, care caracterizeaz IGBT-ul, are valori ntre 1,9 2,9V. Calculul
regimului termic urmeaz aceeai metodologie de la tranzistorului MOSFET.

8. Utilizarea tranzisorului KT819 n schemele


electronice
,
"" .
,
. ,
- "" -

- ,
- " ",
. . 1
( ,

),

.
DA1 -
,

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 35 -5/4/20155/4/2015

,
.



,
.
VT1, VT2,
"" .

R1, R2
.
VT1 VT2
VT3 VT4, .
R6 R7,
.
- "" .
4
1. , ""
!
1 ""
1 , ,
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 36 -5/4/20155/4/2015

.
, .
,
,

,
"" - .

R3, R4, R4
"".

.
(
),
.
.1.
(VT1-VT4),
(VT5, VT7) (VT8-VT13).
(
VD1, VD2).
.
VD3-VD5,
VT12, VT13 . LI, R35, R36,
C11, R20, 7
.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 37 -5/4/20155/4/2015

Puc.1.
VD3 - VD5 .
L1 10 . -2 0,8,
R35 (-2).
,
. ( ) ,
, .
R29
50 ... 70 .
. 819
818.
4 .

.
.
.
, .
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 38 -5/4/20155/4/2015

:
....... 55
.......... 0,07%
.......... 20... 50 000
-...............89
........... 36
.......... 100

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 39 -5/4/20155/4/2015

9. Rezolvarea Problemelor
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
a) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor
i tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
b) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin PR~
i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Se d:
EC=40 V; RS=1 k ; IB=0,225 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:

Ec 40
40mA
1
Ic= Rs
0.63 0.58
0.025V
2
I
I C min 31 17
I Cm C max

7 mA
2
2
m
U BE
0.025

0.33
Rint= I
0.075 *10 3
m
B

UBE=

U 8 320
U 0.025
I 7 93.33
K=
I 0.075
C
m

KU=

BE

C
m
B

KP=KI*KM=93.33*320=29865.6
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 40 -5/4/20155/4/2015


P= I

m 2

* Rs

49
24.5 * 10 3 W
2

PC=IC*UCE=24*10-3*15=0.340W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni neliniare.
9.2. Problema 2
Conform caracteristicilor curent-tensiune ale tranzistorului bipolar i parametrilor
lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru etajul de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc circuitul echivelent al
dispozitivului activ analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecven nalt.
IB=0.2*0.0.225=0.045
UC=100*15=3
Determinm parametrii hibrizi h:
h11 E

U BE
I B

h21E

U CE const

I C

I B

h22 E

0,6125 0.6
277.7 ;
0.045 10 3 U CE cons

1.25
27.77;
0.045 U CE 10V

2.5
10

U CE const

I
U CE
I
C

I B const

0,25 mSm ;
I B const

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Tranzistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:


f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului la
frecvene nalte:
rB

C
600 ps
3
3 40 120 ;
CC
15 pF

CC1

CC 15 pF

5 pF ;

C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;

rB rB

I C
1
120
24.24 ;
IC
24
Coala

Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 41 -5/4/20155/4/2015

rCE

1
4 k ;
h22

S j 20 I C 20 24 10 3 480 mSm ;
'
rBE
h11E rB
1
rBE
277.7 24.24 253.46 ;
Sj
480 10 3
75
C E
C BE
78.82 pF ;
125.6 *10 6
lim

Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

9.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=7 (V)
Rcupl

I Bcupl

U rest
7

212.12 ;
I Ccupl 33 10 3

*E
K

R *K
S

4 * 40
1.714 mA ;
3
1 * 93.33 *10

S
I
Pint U BEcupl I Bcupl 0.6 * 0.045 0.027 mW

PCcupl U rest I Ccupl 7 * 33 10 3 0.231W

9.4. Problema 4.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 42 -5/4/20155/4/2015

Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru


tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice pentru
etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine dac
pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine rezistena
de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze volorile
numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune kU i
putere kP.
Date iniiale:
ED=-20 (V);
UGS0=14 (V);
UGsm=4 (V);
RS=0.5(kOhm).
Trasarea caracteristicilor statice ale VT cu efect de camp o vom ilustra pentru VT
KT302B. Conform manualelor de VT avem urmatoarele caracteristici de transfer si de
iesire. Trasarea dreptei de sarcina o vom face ca la problema 1.

m
D

=I

I
K=
I
I

m
D
m
G

min

ID
D
2

7 mA

24.5 *10 3

12.25
2 10 6

KP=KI*KU=12.25*1.75=21.43
9.5. Problema 5.
Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor
lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven
joas);
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 43 -5/4/20155/4/2015

b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven


nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului
analizat la frecvena de 100 MHz.
Date iniiale:
ID0=8 mA; UD0=14(V);
Rezolvare:

ID0=2*0.2 =0.4 (mA);


UDS0=0,2*8.5=1.7 (V);
S

I D
8.5 10 3

4.25 mSm ;
U DS
0.2

RI

U D
1.7

4.25 k ;
I D
30.4

Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

9.6. Problema 6.
Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s se
efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientul de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.
Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp (dup
rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);

Determinm valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:


R~ 1 0 ;
2
2.94 k ;
9.68 * 10 3
4
R ~ 3
1.47 k ;
2.72 * 10 3
6
R~ 4
0.98 k ;
6.12 10 3
8
R~ 5
0.73 ;
10.88 10 3

R~ 2

Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS).


Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 44 -5/4/20155/4/2015

EC

Amplificarea maxim a regulatorului : k P max

RD
10 6

684.93 .
2 R~ min
2 0.73

10.Conform sarcinii primite de la profesor s se proiecteze un etaj de


amplificare dup putere n baza tranzistorului bipolar n dou variante:cu i fr
transformator.

10.1. Etaj de amplificare fr transformator


Uintr. C1

Uies.
IC
RC

R1

C2

VT

I
R

R2

RE

CE

IE

Schema principiala a etajului de amplificare fr transformator

Cunoscut:
C=12 V; Uiesire max..=3,5 V; RH=560 ; fH=230 Hz; MH=1,1.
Reiesind din parametrii dati alegem tranzistorul 201 cu urmatorii parametri:
ICmax = 20 mA; UCEmax = 16 V; PK max = 150 mW; min = 20; max = 60.
Construim dreapta de sarcina pentru a determina punctu de functionare i regimul
de lucru.
Obtinem pe axa absciselor EC=12 V, iar pe ordonata un punct:

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 45 -5/4/20155/4/2015

2Iiesire m.

2Uiesire m.

Fig. 33. Caracteristica de iesire a tranzistorului 201.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 46 -5/4/20155/4/2015

2Iintrare max.

2Uintrare .

Fig. 34. Caracteristica de intrare a tranzistorului 201.

Determinam rezistenta divizorilor de tensiune R1 R2:

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 47 -5/4/20155/4/2015

Uiesire

10.2. Etajul de amplificare cu transformator.


R

EC
T
R1

IB
C1

VT

Uintrare
U
R2

RE

CE

Schema principiala a etajului de amplificare cu transformator

Cunoscut:
=24 V; Pies.=1,5 W; RH=19 ; FH=110 Hz; MH=1,12.
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 48 -5/4/20155/4/2015

Reiesind din parametri dati alegem tranzistorul 803 cu urmatorii parametri:


IKmax = 10 A; Umax = 60 V; PK max = 60 W; min = 10.
:

2Iiesire m.

Caracteristica de iesire a tranzistorului 803.


2Uiesire m.
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 49 -5/4/20155/4/2015

ncercm daca regimul ales e eficient pentru puterea obtinut:

2Iintrare .

Caracteristica de intrare a tranzistorului 803.


2Uintrare .

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 50 -5/4/20155/4/2015

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 51 -5/4/20155/4/2015

11. Plachetele imprimate pentru 2 etaje de amplificare proiectate


35

25

Placa imprimanta pentru amplificatorul fara transformator.


Numarul de gauri: x25
Diametrul de gauri: 0,8 mm

Lista elementelor.
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 52 -5/4/20155/4/2015

Denumirea

Nominalul

Cantitatea

R1

7 k

R2

1 k

Re

180

Rk

740

Rh

560

Cp1

10 F

Cp2

2,2 F

Ce

6 F

VT1

KT201A

Observatii

35

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 53 -5/4/20155/4/2015

50

Placa imprimanta pentru amplificatorul fara transformator.


Numarul de gauri: x25
Diametrul de gauri: 0,8 mm

Lista elementelor.

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 54 -5/4/20155/4/2015

Denumirea

Nominalul

Cantitate

R1

2,2 k

R2

300

Re

Rh

19

Cp1

10 F

Ce

220 F

VT1

KT803A

T1

30 mH

Observatii

12. Bibliografie.
Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 55 -5/4/20155/4/2015

1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.


2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.
6.

http://www.scribd.com/doc/32594919/Dispozitive-Electronice-siOptoelectronice

7.

http://electronic.vladbazar.com/index.php?do=search&story=%CA
%D2361&subaction=search

8.

http://www.chipinfo.ru/dsheets/transistors/1361.html

Coala
Mod Coal N Document

Semn.

Data

- 56 -5/4/20155/4/2015