Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Analizarea acestei scheme energetice este util n vederea nelegerii condiiilor n care
semiconductorii pot deveni materiale conductoare de curent electric. n situaii normale,
electronii ocup n jurul nucleelor atomilor materialului respectiv, diferite nivelele energetice
denumite i straturi sau benzi energetice. Aceste nivele energetice accesibile pentru electroni,
sunt separate de benzi energetice interzise, reprezentnd adevrate bariere energetice pentru
electroni. Nivelul energetic cel mai ridicat dintre cele ocupate de electroni, este denumit i band
energetic de valen, sau mai simplu band de valen. Urmtorul nivel energetic accesibil
electronilor, dar neocupat de acetia, este denumit band energetic de conduie, sau mai simplu
band de conducie. Este evident c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de
valen i ale benzii de conducie sunt diferite. Diferena de potenial energetic E, dintre banda
de conducie i banda de valen, reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre cele dou
straturi, este diferena dintre nivelurile energetice Ec al benzii de conducie i Ev al benzii de
valen E=Ec-Ev. n cazul siliciului monocristalin, valoarea acestei bariere energetice este
E1eV, iar n cazul siliciului amorf poate s ajung la E1,7eV. Aceste valori ale barierei
energetice, reprezint cuante de energie care trebuie s fie transmise electronilor de pe stratul de
valen pentru ca acetia s devin liberi, adic pentru a putea trece pe banda de conducie. Prin
supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la radiaia solar, fotonii, sau cuantele
de lumin cum mai sunt numii acetia, sunt capabili s transmit electronilor de pe banda de
valen, energia necesar pentru a depi bariera energetic i a trece pe banda de conducie.
Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice. n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice, Si
este impurificat (dopat) cu diferite elemente chimice, pentru obinerea unui surplus de sarcini
electrice negative (electroni) sau pozitive (goluri). Se obin astfel straturi de siliciu
semiconductoare de tip n, respectiv de tip p, n funcie de tipul sarcinilor electrice care
predomin. Prin alturarea a dou asemenea straturi de material semiconductor, caracterizate prin
predominana diferit a sarcinilor electrice, n zona de contact, se obine o aa numit jonciune
de tip p-n de tipul celei reprezentate schematic n figura 2.2.
Amploarea migraiei sarcinilor electrice ntre cele dou straturi ale jonciunii p-n este
limitat de nivelul energetic al purttorilor celor dou tipuri de sarcini electrice. Astfel, cu toate
c nu se va realiza o reechilibrare la nivelul sarcinilor electrice n toat profunzimea celor dou
straturi, o zon superficial din stratul p va fi ocupat de sarcini electrice negative (electroni), iar
o zon superficial din stratul n, va fi ocupat de sarcini electrice pozitive (goluri). Ca efect, se
va produce o redistribuire a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei reprezentate
n figura 2.4.
liberi ci perechi de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri). Sub aciunea
diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, golurile care se
formeaz n stratul p sunt respinse spre periferia stratului p al jonciunii, iar golurile care se
formeaz n stratul n, sunt atrase spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni n
stratul p, sunt respini spre suprafaa acestui strat.
n urma deplasrii sarcinilor electrice n cele dou straturi i n zona jonciunii p-n,
conform mecanismului prezentat, se produce o polarizare electric la nivelul suprafeelor
exterioare ale jonciunii p-n, aa cum se observ n figura 2.5.
Dac suprafeele exterioare ale jonciunii p-n sunt acoperite cu cte un strat metalic,
reprezentnd fiecare cte un electrod, ntre acetia se va manifesta o diferen de potenial, care
ntr-un circuit nchis va produce manifestarea unui curent electric.
Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta tip ct
se manifest radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare va produce i
variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului electric aa cumse va
arta ulterior. Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau
o celul elctric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura 2.6.
Grosimea total a unei celule fotovoltaice este ce cca. 0,3mm, iar grosimea stratului n,
este de cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice, se amplaseaza
un strat antireflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei
electrice solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie transferat electronilor de
valen din cele dou straturi semiconductoare. Celulele fotovoltaice au dimensiuni uzulale de
10x10cm i mai recent de 15x15cm.
Primele celule fotovoltaice, au fost utilizate n 1958, pe satelitul Vanguard I, prezentat n
figura 2.7. Eficiena de conversie a energiei radiaiei solare n electricitate era de 10%, iar
puterea total a acelor celule fotovoltaice a fost de cca. 0,1W. Pn n 2005, puterea total
instalat pe planet a panourilor fotovoltaice, depea 1.000.000.000W=1GW.