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EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA


EN INGENIERA ELECTRNICA

Direccin General Adjunta de los EGEL


NOVIEMBRE 2014

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EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA


EN INGENIERA ELECTRNICA

Direccin General Adjunta de los EGEL


NOVIEMBRE 2014

Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarn el Examen General


para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO) y est
vigente a partir de noviembre de 2014.
El Formulario para el sustentante es un documento cuyo contenido est sujeto a
revisiones peridicas. Las posibles modificaciones atienden a los aportes y crticas que
hagan los miembros de las comunidades acadmicas de instituciones de educacin
superior de nuestro pas, los usuarios y, fundamentalmente, las orientaciones del
Consejo Tcnico del examen.
El Ceneval y el Consejo Tcnico del EGEL-IELECTRO agradecern todos los
comentarios que puedan enriquecer este material. Srvase dirigirlos a:
Direccin General Adjunta de los EGEL
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior, A. C.
Av. Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 37
Col. San ngel, Del. lvaro Obregn,
C.P. 01000, Mxico, D.F.
Tel: 01 (55) 5322-9200,ext. 5103
http://www.ceneval.edu.mx
Email: eloin.alarcon@ceneval.edu.mx

D. R. 2014
Centro Nacional de Evaluacin
para la Educacin Superior, A. C. (Ceneval)
Sexta edicin

[EGEL-IINDU]

Directorio

Direccin General
Dr. en Qum. Rafael Lpez Castaares
Direccin General Adjunta de los Exmenes
Generales para el Egreso de la Licenciatura (EGEL)
Lic. Catalina Betancourt Correa
Direccin del rea de Diseo, Ingenieras y Arquitectura
Mtra. Luz Mara Sols Segura
Coordinacin del Examen General para el Egreso
de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Ing. Elon Alarcn Maldonado

Consejo Tcnico
Representantes de instituciones educativas
M. en C. Rodolfo Fernando Porras
Snchez
Benemrita Universidad Autnoma
de Puebla

Dr. Jorge de la Torre y Ramos


Universidad Autnoma de Zacatecas

M. en C. Arturo Javier Escoto Mndez


Centro de Enseanza Tcnica y
Superior

Dr. Jos Antonio Ruz Hernndez


Universidad Autnoma del Carmen

M. en I. Carlos Roberto Gonzlez


Escarpeta
Instituto Tecnolgico de Veracruz

Dr. Omar Jacobo Santos Snchez


Universidad Autnoma del Estado de
Hidalgo

Dr. Edgar Omar Lpez Caudana


Instituto Tecnolgico y de Estudios
Superiores de Monterrey

M. en C. Jos Luis lvarez Flores


Universidad de Colima

M. en C. Gabriel Domnguez Snchez


Universidad Autnoma de
Aguascalientes

M. en C. Juan Carlos Aldaz Rosas


Universidad de Guadalajara

M. en C. Marco Antonio Flix Lozano


Universidad Autnoma de Baja
California

Ing. Perla Artemisa Escalante Crespo


Universidad de la Salle Bajo

M. en C. David Garca Chaparro


Universidad Autnoma de Ciudad
Jurez

M. en C. Mauricio Alberto Ortega Ruiz


Universidad del Valle de Mxico

Dr. Jos Luis Tecpanecatl Xihuitl


Universidad Autnoma de San Luis
Potos

M. en C. Vctor Enrique Gmez del Villar


Universidad Politcnica de
Aguascalientes

Dr. Gerardo Romero Galvn


Universidad Autnoma de
Tamaulipas

Dr. Ricardo Oscar Magos Prez


Universidad Tecnolgica de Mxico

Dr. Miguel ngel Carrasco Aguilar


Universidad Autnoma de Tlaxcala
Representantes del Sector empleador
Ing. Juan Carlos Altamirano Cano
Comisin Federal de Electricidad

Contenido
Administracin de sistemas electrnicos ......................................................... 11
Operacin y mantenimiento de sistemas electrnicos .................................... 11
Inversin inicial ...............................................................................................................11
Tasa mnima aceptable de rendimiento ..........................................................................11
Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta ................................................................11
Valor presente neto (con TMAR) ....................................................................................12
Valor presente neto (con anualidad e inters) ................................................................12
Tasa interna de retorno ..................................................................................................12
Periodo de recuperacin de la inversin ........................................................................13
Punto de equilibrio en ventas .........................................................................................13
Costo beneficio ...............................................................................................................13
Ingeniera econmica .....................................................................................................14
Inters simple ........................................................................................................................... 14
Inters compuesto .................................................................................................................... 14
Valor futuro pago nico............................................................................................................. 14
Valor presente pago nico ........................................................................................................ 14
Cantidad compuesta serie uniforme ......................................................................................... 14
Fondo de amortizacin ............................................................................................................. 15
Recuperacin del capital de una serie uniforme ...................................................................... 15
Valor presente de una serie uniforme ...................................................................................... 15
Series de gradiente................................................................................................................... 15
Tasa efectiva de inters anual .................................................................................................. 15
Capitalizacin continua ............................................................................................................. 15
Definicin de e........................................................................................................................ 16
Pagos continuos ....................................................................................................................... 16
Tasa mixta ................................................................................................................................ 16

Mtodos de anlisis de inversiones ................................................................................17


Valor presente .......................................................................................................................... 17
Valor futuro ............................................................................................................................... 17
Costo anual uniforme equivalente (CAUE)............................................................................... 17
Serie uniforme equivalente ....................................................................................................... 17
Recuperacin de capital ........................................................................................................... 17
Retiro y reemplazo.................................................................................................................... 17
Tasa interna de retorno ............................................................................................................ 17
Periodo de recuperacin........................................................................................................... 17
Razn costo-beneficio .............................................................................................................. 18

Diseo e integracin de sistemas electrnicos................................................ 19


Construccin e implementacin de sistemas electrnicos............................. 19
Comunicaciones .............................................................................................................19
Radiofrecuencia ........................................................................................................................ 19
Parmetros de dispersin ......................................................................................................... 24

Lneas de transmisin.....................................................................................................25
Impedancia caracterstica ......................................................................................................... 25
Lnea de transmisin de tipo microcinta ................................................................................... 26
Impedancia caracterstica de lneas de microcinta paralelas ................................................... 26
Constante de propagacin ....................................................................................................... 27
Velocidad de propagacin ........................................................................................................ 27
Tiempo de retardo .................................................................................................................... 27
Ondas estacionarias ................................................................................................................. 27
Coeficiente de reflexin ............................................................................................................ 27
Relacin de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexin ( ) ................................... 28
Impedancia de entrada (Zin) ..................................................................................................... 28
Tabla de parmetros distribuidos ............................................................................................. 29

Antenas...........................................................................................................................30
Ganancia directiva .................................................................................................................... 30
Resistencia de radiacin........................................................................................................... 30
Ancho de banda de la antena ................................................................................................... 30
Longitud efectiva....................................................................................................................... 30
rea efectiva ............................................................................................................................. 30
Densidad de potencia radiada .................................................................................................. 30
Impedancia caracterstica del medio ........................................................................................ 30
Potencia total radiada ............................................................................................................... 30
Directividad ............................................................................................................................... 31
Lbulo ....................................................................................................................................... 31
Ancho del haz principal............................................................................................................. 31
Intensidad del campo................................................................................................................ 31

Conectores .....................................................................................................................32
RJ45.......................................................................................................................................... 32
RJ11.......................................................................................................................................... 33
VGA .......................................................................................................................................... 34
USB........................................................................................................................................... 35
DB9 ........................................................................................................................................... 35
DB-25 ........................................................................................................................................ 36
IEEE.488 ................................................................................................................................... 37
RS-232 DB9 .............................................................................................................................. 38
RS 422/485 DB 9 ................................................................................................................ 39

Formulario general .............................................................................................. 40


Matemticas ...................................................................................................................40
lgebra...................................................................................................................................... 40
lgebra lineal ............................................................................................................................ 46
Clculo diferencial .................................................................................................................... 48
Clculo integral ......................................................................................................................... 53
Geometra ................................................................................................................................. 63
Geometra analtica plana......................................................................................................... 65
Geometra analtica del espacio ............................................................................................... 67
Trigonometra ........................................................................................................................... 71
Nmeros complejos .................................................................................................................. 76
Anlisis vectorial ....................................................................................................................... 78
Fracciones racionales ............................................................................................................... 85
Series de Fourier ...................................................................................................................... 86
Transformada de Fourier .......................................................................................................... 90
Transformada de Laplace ......................................................................................................... 94

Probabilidad y estadstica ......................................................................................................... 99

Fsica ............................................................................................................................105
Mecnica ................................................................................................................................ 105
Electricidad y magnetismo ...................................................................................................... 115

Qumica ........................................................................................................................120
Anlisis de circuitos elctricos ......................................................................................122
Ley de Ohm con fasores......................................................................................................... 122
Voltaje y corriente en elementos reactivos(con condiciones iniciales iguales a cero) ........... 122
Divisor de corriente ................................................................................................................. 123
Divisor de voltaje .................................................................................................................... 123
Leyes de Kirchhoff .................................................................................................................. 124
Potencia .................................................................................................................................. 125
Resonancia RLC serie ............................................................................................................ 126
Resonancia RLC paralelo ....................................................................................................... 127
Circuitos excitados con seales senoidales de diferentes frecuencias ................................. 128
Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales............................................. 129
Teoremas de redes................................................................................................................. 130
Parmetros de dos puertos .................................................................................................... 132
Respuesta transitoria .............................................................................................................. 134
Funcin de transferencia ........................................................................................................ 140
Diagramas de Bode asintticos .............................................................................................. 141
Sistemas acoplados................................................................................................................ 142
Sistemas trifsicos .................................................................................................................. 143
Potencia trifsica .................................................................................................................... 145

Electrnica analgica....................................................................................................146
Diodo de propsito general .................................................................................................... 146
Diodo Zener ............................................................................................................................ 146
Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentacin) ........................... 147
Transistor de unin bipolar (BJT) ........................................................................................... 150
Transistor de efecto de campo (FET) ..................................................................................... 159
Transistor MOSFET ................................................................................................................ 166
Amplificadores operacionales ................................................................................................. 167
Filtros activos .......................................................................................................................... 173
Filtros pasivos ......................................................................................................................... 177
Convertidores ......................................................................................................................... 178
Amplificadores de corriente .................................................................................................... 180

Electrnica digital..........................................................................................................184
Algebra de Boole .................................................................................................................... 184
Mapa de Karnaugh ................................................................................................................. 185
Conversin de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3 ..................................... 186
Circuitos digitales bsicos ...................................................................................................... 186
Flip-flops ................................................................................................................................. 188

Electrnica de potencia ................................................................................................190


Frmulas bsicas.................................................................................................................... 190
Dispositivos ............................................................................................................................. 192

Teora de control...........................................................................................................202
Terminologa de la ingeniera de control ................................................................................ 202
Modelos de control ................................................................................................................. 202
Tipos de respuesta ................................................................................................................. 203

Regla de Mason...................................................................................................................... 207


Controladores ......................................................................................................................... 208

Comunicaciones ...........................................................................................................211
Osciladores ............................................................................................................................. 211
Modulacin y demodulacin AM-FM ...................................................................................... 216
Decibel .................................................................................................................................... 217
Oscilador de relajacin UJT ................................................................................................... 218
Oscilador de relajacin PUT ................................................................................................... 219

Instrumentacin ............................................................................................................221
Valor promedio ....................................................................................................................... 221
El valor rms ............................................................................................................................. 221
Errores en medicin................................................................................................................ 221
Puentes de Wheatstone ......................................................................................................... 222
Puente de Kelvin..................................................................................................................... 223
Ruido trmico o ruido de Jhonson .......................................................................................... 223
Termopar ................................................................................................................................ 223
Termistor ................................................................................................................................. 225
Sensores ................................................................................................................................. 226
Transformada Z ...................................................................................................................... 231

Tablas adicionales de datos prcticos ..........................................................................232

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Administracin de sistemas electrnicos


Operacin y mantenimiento de sistemas electrnicos
Inversin inicial

II = CO + CP + CA
donde:
II =Inversin inicial
CO = Costos de operacin
CP = Costos de produccin
CA = Costos de administracin y ventas
Tasa mnima aceptable de rendimiento
TMAR = ( * i )

donde:
TMAR = Tasa mnima aceptable de rendimiento
= Monto
i = Tasa de inters
n = Nmero de periodos a considerar
Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta

TMARmixta = [I1 + PR1 + %I1 + %PR1 ] + [I2 + PR2 + %I2 + %PR2 ] + + [In + PRn + %In + %PRn ]
donde:
TMARmixta = Tasa mnima aceptable de rendimiento mixta
In = Inflacin
PRn= Premio al riesgo
%In = Inflacin 100
%PRn = Premio al riesgo 100

11

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Valor presente neto (con TMAR)


n

St

t =1

(1 + i )t

VPN = S0 +
donde:
VPN =Valor presente neto
SO = Inversin inicial
St = Flujo de efectivo neto del periodo t
N = Nmero de periodos de la vida del proyecto
I = Tasa de recuperacin mnima atractiva
Valor presente neto (con anualidad e inters)

(1 + i )n 1
+ VS
VPN = P + A
i (1 + i )n

donde:
VPN = Valor presente neto
P = Inversin inicial
A = Anualidad
i = Tasa de inters
VS = Valor de salvamento al final del periodo n
n = Nmero de periodos

Tasa interna de retorno


n

TIR =
1

FNEn
n

(1 + i )

VS
(1 + i )n

donde:
TIR = Tasa interna de retorno
FNE = Flujo neto de efectivo del periodo n, o beneficio neto despus de impuesto ms depreciacin
VS = Valor de salvamento al final del periodo n
i = Tasa de inters
n = Nmero de periodos

12

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Periodo de recuperacin de la inversin

ROI =

UN
I

donde:
ROI = Periodo de recuperacin de la inversin
UN =Utilidad neta
I =Inversin

Punto de equilibrio en ventas


PE =

CF
CV
1
VT

donde:
PE = Punto de equilibrio
CF = Costos fijos
CV = Costos variables
VT = Ventas totales

Costo beneficio

B BD
=
C
C
donde:
B = Beneficios asociados al proyecto
C = Costo neto del proyecto
D = Valor de las desventajas

13

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ingeniera econmica
Glosario de trminos para ingeniera econmica
I:
n:
i:
P:
F:
A:
G:
Ief:
R:
m:

Inversin
Periodo
Tasa de inters
Valor presente
Valor futuro
Serie uniforme
Gradiente
Tasa efectiva
Tasa de inters divisible
Periodo de intervalo

A :
RC:
Vs:
:
Pr:
B:
C:
D:
e:

Factor de pago continuo


Factor de recuperacin de capital
Valor de salvamento
Tasa mixta
Periodo de recuperacin
Beneficio
Costo
Desventaja
Base de logaritmos neperianos

Inters simple

I = niP
Inters compuesto
i=n

F
1
I

Valor futuro pago nico


F = P (1 + i )

Valor presente pago nico

P =F

(1 + i )n

Cantidad compuesta serie uniforme


(1 + i )n 1

F = A
i

14

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fondo de amortizacin

A=F
(1 + i )n 1

Recuperacin del capital de una serie uniforme


i (1 + i )n

A =P
(1 + i )n 1

Valor presente de una serie uniforme


1 (1 + I ) n
P = A

Series de gradiente

A =G
i n

(1 + i )n 1

Tasa efectiva de inters anual


m

ief

= 1 + 1
m

Capitalizacin continua
m

i = lim 1 + 1 = e r 1
m
m

15

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Definicin de e
m

F
= em
P

)
)

(
(

)
)

er 1
A
=
P
1 em

P
= e m
F

(
(

(
(

er 1
A
=
F
em 1

i = lim 1 + = e
m
m

1 em
P
=
A
er 1

)
)

e 1
F
=
A
er 1

A 1
=
G 1 e m

n
m

e 1

Pagos continuos
em 1
F
=
r
A

em 1
P
=
A
re m

A
r
=
m
F
e 1

A
re m
= m
P e 1

Tasa mixta

(i )
(1 )

16

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Mtodos de anlisis de inversiones


Valor presente
n

Vp = Flujo(P / F , i , j )
j =0

Valor futuro
n

Vp = Flujo(F / P, i , j )
j =0

Costo anual uniforme equivalente (CAUE)

Vp = Flujo(P / F , i , j ) * ( A / P, i , j )
j =0

Serie uniforme equivalente

SAUE = CAUE
Recuperacin de capital

CAUE = SAUE = RC

( P Vs )

A
+ iVs
P, i , n

Retiro y reemplazo
CAUE ( j ) = RC ( j ) + A ( j )

Tasa interna de retorno

Vp = Flujo inicial + Flujo(P / F , i , j )


j =1

Periodo de recuperacin
Pr =

ABS(flujo )
ingreso por periodo

17

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Razn costo-beneficio

B
D
=B
C
C
Nota: El ROI no se maneja en este contexto ya que es un indicador financiero.

18

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Diseo e integracin de sistemas electrnicos


Construccin e implementacin de sistemas electrnicos
Comunicaciones
Radiofrecuencia
Criterio de estabilidad de Linville

C=

YrYt
2g1g0 Re (YrYt )

Si C < 1 el transistor es incondicionalmente estable


Si C > 1 el transistor es potencialmente inestable

Factor de estabilidad de Stern

K=

2 ( g1 + Gs )( g0 + GL )
YrYt + Re (YrYt )

Ganancia mxima disponible en el transistor (MAG)


MAG =

Yr

4g1g 0

donde:
Yr = La admitancia de transferencia inversa
Yt = La admitancia de transferencia directa
g1 = La conductancia de entrada
g0 = La conductancia de salida
Re = La parte real del producto entre parntesis
Gs = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga

Criterio de estabilidad incondicional en trminos de los parmetros S


2

K=

1 S11 S22

2 S12S21

donde:
= S11S22 S12S21 < 1

19

>1

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teorema de Miller

Cent ( Miller ) = Cbo (1 + Av )

Capacitancia de entrada Miller, donde C=Cbo

1 + Av
Csal (Miller ) = Cbo

Av

Capacitancia de salida Miller, donde C=Cbo

donde: Cbo es la capacitancia entre la entrada y la salida del amplificador.

Respuesta en frecuencia de un amplificador

Modelo de seal pequea del BJT

Modelo de seal pequea del FET

20

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)


Modelo equivalente de seal pequea del amplificador

Los polos del circuito son:

fp1 =

fp 2

R
2ro C + C (1 + g m RL ) + L C + CL

ro

C gL + C ( g m + g o + gL ) + CL g o
gm
=

C + CL
2C C + CL + C

donde:
RL =

1
gL

r o =

1
g o

21

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta en altas frecuencias de un amplificador fuente comn (FET)

Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)) y
en las expresiones segn la figura.

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador emisor comn (BJT)


SiCi>> C y C es despreciable

La funcin de transferencia est dada por:


r
ro
g m RL s 2
Ri + r RL + ro
H (s ) =

1
1
s +
s +

Ci ( Ri + r )
Co ( ro + RL )

Los polos del circuito estn dadas por:


fp1 =

1
2Ci ( Ri + r )

22

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

fp 2 =

1
2Co ( ro + RL )

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador fuente comn (FET)


Si Ces despreciable:

La funcin de transferencia est dada por:

H (s ) =

ro
1
g R s
Ri Cgs RL + ro m L

1 Ci + Cgs
s +
Ri Ci Cgs

1
s +

Co ( ro + RL )

y los polos del circuito son:

1
Ci Cgs

fp1 =
2R1

fp 2 =

Ci + Cgs

1
2Co ( ro + RL )

23

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de dispersin

b1 S11 S12 a1
b = S

2 21 S22 a2
S11 =

b1
a1 a

Coeficiente de reflexin del puerto 1 (Entrada)

b2
a1

Coeficiente de transmisin del puerto 1 al 2 (Ganancia)


a2 =0

b1
a2

a1 =0

2 =0

S21 =

S12 =

S22 =

b2
a2

Coeficiente de transmisin del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)

Coeficiente de reflexin del puerto 2 (Salida)


a1 =0

24

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Lneas de transmisin
Impedancia caracterstica

Z0 = 276log

2D
d

donde:
D = distancia entre conductores o dimetro exterior
d = dimetro del conductor o dimetro interior

Impedancia caracterstica para cable coaxial:

Z0 =

1 D
D
ln 138 r log
r
2 d
d

donde:
D = distancia entre conductores o dimetro exterior
d = dimetro del conductor o dimetro interior
r y r es la permeabilidad relativa y la permitividad relativa del material aislante, respectivamente.

25

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Lnea de transmisin de tipo microcinta

Si t<<W

60 8b W
+
ln

W
4b

e
Z0 =
120

e W / b + 1.393 + 0.667ln (W / b + 1.444 )

donde:
e =

r + 1 r 1
1
+
2
2
1 + 12b / W

En otro caso:
Z0 =

5.98b
ln

+ 1.41 0.8W + t

87

r = constante dielctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
b = distancia entre la pista al plano a tierra

Impedancia caracterstica de lneas de microcinta paralelas


Z0 =

60
4d
ln

0.67W ( 0.8 + t / b )

Impedancia caracterstica

Z0 =

R + j L
G + j C

26

W
<1
b

W
>1
b

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Constante de propagacin
=

(R +

j L )(G + j C )

Velocidad de propagacin
1

vp =

LC

Tiempo de retardo

td = LC
Ondas estacionarias

Ondas estacionarias en una lnea de transmisin en circuito abierto

Coeficiente de reflexin
=

Vr
Vi

ZL Z0
ZL + Z0

Si Vmax = 1 + y Vmin = 1
entonces:
=

Vmax Vmin
Vmax + Vmin

donde:

= Coeficiente de reflexin
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente
27

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Relacin de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexin ( )

SWR =

V max 1 +
=
V min 1

SWR 1
SWR + 1

Si ZL y ZL > Z0 , entonces:
SWR =

ZL
Z0

SWR =

Z0
ZL

Si ZL y ZL < Z0 , entonces:

Impedancia de entrada (Zin)

Zin = Z0

ZL + jZ0 tan ( l )
Z0 + jZL tan ( l )

donde:
= es el nmero angular de onda
l = es la longitud de la lnea
Para una lnea de transmisin de / 2
Z in = ZL

Para una lnea de transmisin de / 4

Zin =

28

Z02
ZL

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tabla de parmetros distribuidos

Coaxial

Bifilar

Doble cinta

C (F/m)

2
In ( b/a )

In ( d/a )

b
a

L (Hy/m)

In ( b/a )
2

In ( d/a )

2 cq

2 cq

a
b
cq b

G ( M)-1

Alta
frecuencia

Baja
frecuencia

In ( b/a )

In ( d/a )

R (/m)

Rs 1 1
+
2 a b

Rs
a

2 Rs
b

Z0 ()

In ( b/a )
2

In ( d/a )

2p
a2

a
b
2p
bt

R (/m)

p 1
1
+

2
a
2bt

R+ i L
G+ i C

Z0 ()

29

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Antenas
Ganancia directiva

G( dB ) =

Pantena de prueba
Pantena de referencia

[dB ]

Resistencia de radiacin
Rr =

Pradiada
2
Ientrada

[ ]
2

l
Rr = 790 [ ]

Ancho de banda de la antena

fm = fL fH
Longitud efectiva

le =

292
f

rea efectiva
Aef =

Wr
Pi

Densidad de potencia radiada

P ( , ) = Re E H
Impedancia caracterstica del medio

E
=
H
Potencia total radiada
Wr = P ( , ) ds

30

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Directividad
D=

Pmax
Wr
4r 2

Lbulo

Ancho del haz principal

BWn 2.25BW3dB
Intensidad del campo
E=

30Dt Pt
d

31

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Conectores
RJ45
Cable cruzadoT568A

Cable cruzado T568B

32

Fo
ormulario pa
ara el sustenttante del
Examen General
G
para el Egreso de la Licenciatura en Ingenie
era Electrnicca (EGEL-IEL
LECTRO)
Direccin de
e Diseo, Inge
enieras y Arq
quitectura

RJ11
Posicin RJ11 RJ10 RJ1
14 Par T/R Colores catt 5e/6
1

3
4

3
4

2
3

1
2

blanco
o/verde

+ blanco/naran
nja

1
1

R
T

azul
blanco
o/azul

naranjja

verde

33

Colores
s
antiguos
naran
nja

Collores
alem
manes
ro
osa

blanco
o/naranja
azul/blanco
blanco/azul

negro
o

ve
erde

rojo
verde
e

blanco
m
marrn

nja/blanco
naran
verde/blanco
o

amarrillo

amarillo

azul

gris

C
Colores
e
blanco/verde

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VGA
Pines

Un conector DE15 hembra.


Pin 1

RED

Canal rojo

Pin 2

GREEN

Canal verde

Pin 3

BLUE

Canal azul

Pin 4

N/C

Sin contacto

Pin 5

GND

Tierra (HSync)

Pin 6

RED_RTN

Vuelta rojo

Pin 7

GREEN_RTN Vuelta verde

Pin 8

BLUE_RTN

Vuelta azul

Pin 9

+5 V

+5 V (Corriente continua)

Pin 10

GND

tierra (Sincr. Vert, corriente continua)

Pin 11

N/C

Sin contacto

Pin 12

SDA

IC datos

Pin 13

HSync

Sincronizacin horizontal

Pin 14

VSync

Sincronizacin vertical

Pin 15

SCL

I2Velocidad reloj

34

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

USB
Patillaje

The standard USB A plug (left) and B plug (right)


Pin 1

VCC (+5 V)

Pin 2

Data-

Pin 3

Data+

Pin 4

Ground

DB9

Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fcilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.
Pines

Nmero de clavija
Nombre
1
CD: Detector de transmisin
2
RXD: Recibir datos
3
TXD: Transmitir datos
4
DTR: Terminal de datos lista
5
GND: Seal de tierra
6
DSR: Ajuste de datos listo
7
RTS: Permiso para transmitir
8
CTS: Listo para enviar
9
RI: Indicador de llamada

35

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

DB-25
Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras:Este conector trabaja para el puerto
paralelo.
Pata

Seal

E/S

Definicin

STB#

E/S

Estrobo

PD0

E/S

Bit 0 de datos de impresora

PD1

E/S

Bit 1 de datos de impresora

PD2

E/S

Bit 2 de datos de impresora

PD3

E/S

Bit 3 de datos de impresora

PD4

E/S

Bit 4 de datos de impresora

PD5

E/S

Bit 5 de datos de impresora

PD6

E/S

Bit 6 de datos de impresora

PD7

E/S

Bit 7 de datos de impresora

10

ACK#

Reconocimiento

11

BUSY

Ocupado

12

PE

Fin del papel

13

SLCT

Seleccionar

14

AFD#

Avance automtico

15

ERR#

Error

16

INIT#

Iniciar impresora

17

SLIN#

Seleccionar

1825

GND

N/D

Tierra de seal

36

Fo
ormulario pa
ara el sustenttante del
Examen General
G
para el Egreso de la Licenciatura en Ingenie
era Electrnicca (EGEL-IEL
LECTRO)
Direccin de
e Diseo, Inge
enieras y Arq
quitectura

IEEE.488
Te
erminales

Conector hembra IEE


EE-488
Pin
P 1

DIO1

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 2

DIO2

Entrada de datto / bit de sa


alida.

Pin
P 3

DIO3

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 4

DIO4

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 5

EO
OI

Fin
nal o identificcacin

Pin
P 6

DA
AV

Va
alidacin de datos
d

Pin
P 7

NRFD

No
o est listo para recibir dato

Pin
P 8

NDAC

No
o se acepta el
e dato

Pin
P 9

IF
FC

Inte
erfaz limpia

Pin
P 10

SR
RQ

Se
ervicio

Pin
P 11

AT
TN

Ate
encin de da
atos

Pin
P 12

SH
HIELD

Pin
P 13

DIO5

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 14

DIO6

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 15

DIO7

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 16

DIO8

Entrada de datto / bit de sa


alida

Pin
P 17

REN

Re
emoto activado

Pin
P 18

GND

(em
mparejado con
c DAV)

Pin
P 19

GND

(em
mparejado con
c NRFD)

Pin
P 20

GND

(em
mparejado con
c NDAC)

Pin
P 21

GND

(em
mparejado con
c IFC)

Pin
P 22

GND

(em
mparejado con
c SRQ)

37

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RS-232 DB9

PIN 1:
PIN 2:
PIN 3:
PIN 4:
PIN 5:
PIN 6:
PIN 7:
PIN 8:
PIN 9:

Detector de acarreo
Recibe dato
Transmite dato
Terminal de dato lista
Tierra
Dato listo
Requisita para mandar
Limpia para enviar
Indicador

Convertidor RS-232 a DB-25

38

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

RS 422/485 DB 9

PIN 1:
PIN 2:
PIN 3:
PIN 4:
PIN 5:
PIN 6:
PIN 7:
PIN 8:
PIN 9:

39

Salida auxiliar +
Dato de salida +
Tierra
Entrada de dato +
Salida auxiliar +
Salida auxiliar
Salida de dato
Entrada de dato
Entrada auxiliar

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Formulario general
Matemticas
lgebra
Propiedades de desigualdades
Si x < y
Si x < y; z > 0
Si x < y; z < 0
Si x < y; y < z

x + z < y + z
xz <
yz
x,y,z
xz >
yz
x <
z

Teorema del residuo


f ( x ) ; g ( x ) 0 , existen q(x); r(x); f, g, q, r polinomios tales que: f ( x ) = g ( x ) q ( x ) + r ( x ) , con
gr ( r ) < gr ( g ) o r ( x ) = 0

Teorema de la raz racional

f ( x ) = an x n + an 1x n 1 + ... + a1x + a0
an 0
a0 0

Las races racionales de f son de la forma

p
donde p es factor de a0 y q de an.
q

40

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Para matrices A y B

( AB )1 = B 1 A1

A y B no singulares

tr(A + B) = tr A + tr B
tr ( aA ) = a ( tr A )

( AB )T = BT AT
det ( A ) = det ( AT )
det ( AB ) = det ( A ) det ( B )
A ( Adj A ) = ( Adj A ) A
det (A-1 ) =

1
det (A)

A no singular

donde:
tr A= traza de A
AT= transpuesta de A

Frmulas para potencia y races

p an q an = ( p q ) an

am an = am+n

am

(a ) = (a )

= a m n

an =

an
n
b

an

p n a q n a = (p q) n a
n

= amn

a n
=
b

ab = n a n b

a a n
n
=
=
n
b b
b
n

( a)
n

m
an

n x

a m x = n a m

a = i a

*No es valida en algunos casos por ejemplo:

( 2)2

= +2,

Nota: Los exponentes para potencias y races deben ser escalares

41

= 2

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transformacin de expresiones algebraicas usuales

( a b )2 = a 2 2ab + b 2

( a b )3 = a 3 3a 2 b + 3ab 2 b 3

( a + b + c )2 = a 2 + 2ab + 2ac + b 2 + 2bc + c 2

a 2 b 2 = ( a + b )( a b )

a3 + b3 = ( a + b ) a 2 ab + b 2
ax 2 + bx + c = 0

x1,2 =

a3 b3 = ( a b ) a 2 + ab + b 2

b b 2 4ac
2a

x 2 + px + q = 0

x1,2 =

( a b + c )2 = a 2 2ab + 2ac + b 2 2bc + c 2

( a + b )n = a n +

n ( n 1) n 2 2 n ( n 1)( n 2 ) n 3 3
n n 1
a b+
a b +
a b + + bn
1
1 2
1 2 3

a n + b n = ( a b ) a n 1 a n 2b + a n 3 b 2 + ab n 2 + b n 1

Logaritmos
x
= log x log y
y
1
log n x = log x
n
loga a = 1

log ( x y ) = log x + log y

log

log x n = n log x

loga n = n log a
log1 = 0

Binomio de Newton

n n n n 1
n n 2 2 n n 3 3
b + a
b +
a + a b + a
0
1
2
3

( a + b )n =

Donde n tiene que ser un nmero entero

n n ( n 1)( n 2 ) n k + 1
=
1 2 3 k
k

42

p2
q
4

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teorema del binomio (de Newton)

(1 + x )n = 1 +

2
nx n ( n 1) x
+
+
1!
2!

Teorema binomial
n

n k n k
x a
k =0 k

( x + a )n =
Permutaciones
Nmero de permutaciones de n elementos

Pn = n ! = 1 2 3 n

Combinaciones y ordenaciones
Nmero de combinaciones sin
repeticin

Ckn =

Nmero de combinaciones con


repeticin
( n + k 1) ! = n + k 1
r n
Ck =

k
k ! ( n 1) !

n
n!
=
k ! (n k )! k

r con repeticin

Nmero de ordenaciones sin repeticin


n
n!
Okn = Ckn Pk = k ! =
( n k )!
k

Nmero de ordenaciones con repeticin


r

Okn = n k

donde:
C = nmero de combinaciones posibles
N = nmero de elementos dados
K = nmero de elementos seleccionados de entre n elementos dados
O =nmero de ordenaciones posibles

Serie binmica o binomial

f ( x ) = (1 x ) = 1 x +

( 1)
2!

x 2 +

es un nmero cualquiera, positivo o negativo, entero o fraccionario

( 1)( 2 )( 3 ) ( n + 1)
=
n!
n

43

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Serie de Taylor (serie de McLaurin)


f ( x ) = f (a ) +

f (a )
1!

(x a) +

f (a )
2!

( x a )2 +

Forma de McLaurin, cuando a = 0


f ( x ) = f (0) +

f (0)
1!

x+

f ( 0 )
2!

x2 +

Expansin de Taylor
ex = 1+

x x2 x3
+
+
+
1! 2! 3!

< x <

Determinantes por la regla de Cramer para la solucin de ecuaciones simultneas


Determinantes de segundo orden
Para el sistema de dos ecuaciones:

A1x + B1y = C1
A2 x + B2 y = C2
Se resuelve mediante:

x=

y=

A1

B1

A2

B2

C1

B2

C2

B2

A1

C2

A2

C2

= ( A1 )( B2 ) - ( B1 )( A2 )

(C1 )( B2 ) ( B1 )(C2 )

( A1 )(C2 ) (C1 )( B2 )

Para el sistema de tres ecuaciones:

A1x + B1y + C1z = D1


A2 x + B2 y + C2 z = D2
A3 x + B3 y + C3 z = D3

44

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Se resuelve mediante:

A1

B1

C1

= A2

B2

C2

A3

B3

C3

= ( A1 )( B2 )(C3 ) + ( B1 )(C2 )( A3 ) + (C1 )( A2 )( B3 ) (C1 )( B2 )( A3 ) ( A1 )(C2 )( B3 ) ( B1 )( A2 )(C3 )

x=

x=

C1

D2

B2

C2

D3

B3

C3

A1

D1

C1

A2

D2

C2

A3

D3

C3

( A1 )( D2 )(C3 ) + ( D1 )(C2 )( A3 ) + (C1 )( A2 )( D3 ) (C1 )( D2 )( A3 ) ( A1 )(C2 )( D3 ) ( D1 )( A2 )(C3 )

z=

z=

B1

( D1 )( B2 )(C3 ) + ( B1 )(C2 )( D3 ) + (C1 )( D2 )( B3 ) (C1 )( B2 )( D3 ) ( D1 )(C2 )( B3 ) ( B1 )( D2 )(C3 )

y=

y=

D1

A1

B1

D1

A2

B2

D2

A3

B3

D3

( A1 )( B2 )( D3 ) + ( B1 )( D2 )( A3 ) + ( D1 )( A2 )( B3 ) ( D1 )( B2 )( A3 ) ( A1 )( D2 )( B3 ) ( B1 )( A2 )( D3 )

45

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

lgebra lineal

Si B = v 1, v 2 , , v n

} es base de un espacio V; x V

y x = 1v 1 + 2 v 2 + + n v n ; entonces, el vector de coordenadas de x respecto a B es:

(x)

= ( 1, 2 , , n )

( ) (

Si u, v , w V (C ) espacio vectorial, entonces f u, v = u | v es producto interno en V si:

( ) ( )
2) ( u | v + w ) = ( u | v ) + ( u | w )
3) ( u | v ) = ( u | v )
4) ( u | u ) > 0 si u 0

1) u | v = v |u

v = v |v

12

norma de v

d u, v = v u distancia de u a v

cos =

(u

coseno del ngulo entre u y v

()

Si B = g1, g2 , , g n es base ortogonal de un espacio V; v V y v


i =

(v | g )
(g | g )
i

= ( 1, 2 ,, n ) entonces

i = 1, 2, ..., n

} es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v V; entonces, la


proyeccin de v sobre W es: (v |e ) e
Si e1, e2 , , em

i=1

46

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Para la transformacin lineal T:VW

{ ( )
{

T (V ) = T v | v V

N (T ) = v V / T v = O

d im V = d im T (V ) + d im N (T

( )

re co rrid o d e V
n cle o d e T

Para T:VW

A = v1, v 2 , ,v n base de V y B base de Wla matriz asociada a T, MBA (T ) tiene por columnas a:

( )

( )

( )

T v1 , T v 2 , , T v n

B
B

para T:VV, v V es vector caracterstico de T si:

()

T v = v con 0 y v 0

47

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Clculo diferencial
Relacin de cambio: Derivada
Pendiente en un punto. Relacin (o intensidad) de cambio
Pendiente de una curva
En una curva y = f (x) , la pendiente m vara en cada punto. La pendiente de la curva en un punto P
es tambin la tangente en dicho punto:

m = tan =

y '
x '

Relacin media de cambio (cociente incremental)


La intensidad media de variacin de la funcin y = f ( x ) es la relacin de los incrementos
correspondientes al segmento de curva PP1

y
x

y f ( x + x ) f ( x )
=
x
x
Derivada (cociente diferencial)
Cuando x tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relacin de incrementos se convierte en la relacin de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la funcin en P:

y dy
=
= f '( x )
x 0 x
dx

y ' = lim
Interpretacin geomtrica de la derivada
Curvas de derivadas sucesivas

Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendr la curva de y ' = f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y = f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' = f '( x ) se obtendr y '' = f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y = f ( x ) , etc.
Radio de curvatura en un punto dado x.

(1 + y 2 )3
y

48

Fo
ormulario pa
ara el sustenttante del
Examen General
G
para el Egreso de la Licenciatura en Ingenie
era Electrnicca (EGEL-IEL
LECTRO)
Direccin de
e Diseo, Inge
enieras y Arq
quitectura

as del centro
o de curvatura C corresspondiente a un radio
Coordenada
y ''

a=x

1 + y 2
y
y

b=y+

1 + y 2
y

Determinac
cin de los valores
v
mx
ximos, mnimos y pun
ntos de infle
exin
V
Valores
mxximos y mnimos
Hgase y ' = 0 y sea a el valor obte
enido de x . Sustityase
e ahora x = a en y ''
Si y ''(a ) > 0 habr un mnimo
m
en x = a
m
en x = a
Si y ''(a ) < 0 habr un mximo
Punto de infflexin
Hgase y '' = 0 y sea a el valor obttenido de x . Sustityase
e ahora x = a en y ''
p
de infle
exin en x = a
Si y ''(a ) 0 habr un punto
a curva y = f ( x )
Forma de la

49

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Crecimiento y decrecimiento
y '( x ) > 0
y '( x ) < 0
y '( x ) = 0

y ( x ) crece si aumenta x
y ( x ) decrece si aumenta x
y ( x ) tiene en x una tangente paralela al eje x

Curvatura
y ''( x ) > 0
y ''( x ) < 0
y ''( x ) = 0

y ( x ) ser cncava hacia arriba


y ( x ) ser cncava hacia abajo
con cambio de signo y ( x ) tendr en x un punto de inflexin
sin cambio de signo y ( x ) tendr en x un mximo o un mnimo

Otros casos
Si para x = a
y '(a ) = y ''(a ) = y '''(a ) = = y ( n 1) (a ) = 0 , pero y n 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:

50

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tablas de derivadas

d
(c ) = 0
dx
d
cx n = ncx n 1
dx
d
du
( cu ) = c
dx
dx

d
( cx ) = c
dx
d
du dv dw
( u v w ) =
dx
dx dx dx
d
dv
du
(uv ) = u + v
dx
dx
dx
du
dv
v
u

d u
dx
dx
=
dx v
v2
du
1
=
dx
dx
du

( )

d
dw
dv
du
(uvw ) = u v + u w + v w
dx
dx
dx
dx
d n
du
u = nu n 1
dx
dx

( )

dF dF du
=
(Regla de la cadena)
dx du dx
Derivadas de las funciones exponenciales y logartmicas

d v
d v ln u
d
du
dv
= ev ln u
+ u v ln u
u =
e
v ln u ] = vuv -1
[
dx
dx
dx
dx
dx
loga e du
d
loga u =
dx
u dx

d u
du
a = au ln a
dx
dx

a > 0, a 1

d
d
1 du
ln u =
loge u =
dx
dx
u dx

d u
du
e = eu
dx
dx

Derivadas de las funciones trigonomtricas y de las trigonomtricas inversas

d
du
sen u = cos u
dx
dx

d
du
cot u = csc 2 u
dx
dx

d
du
cos u = sen u
dx
dx

d
du
sec u = sec u tan u
dx
dx

d
du
tan u = sec 2 u
dx
dx
d
1 du
cos1 u =
dx
1 u 2 dx

d
du
csc u = csc u cot u
dx
dx
d
1
du
sen1 u =
dx
1 u 2 dx

0 < cos1 u <

d
1 du
tan1 u =
dx
1 + u 2 dx

< sen1 u <


2
2
d
1 du
cot 1 u =
dx
1 + u 2 dx

< tan1 u <


2
2

0 < cot 1 u <

51

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

d
1
du
1
du
sec 1 u =
=
,
dx
u u 2 1 dx u u 2 1 dx

d
1
du
1
du
csc 1 u =
=
,
dx
u u 2 1 dx u u 2 1 dx

1
+si 0 < sec u < 2

si < sec 1 u <

si

+si

1
< csc u < 0

2
0 < csc 1 u <

Derivadas de las funciones hiperblicas y de las hiperblicas recprocas

d
du
senh u = cosh u
dx
dx

d
du
coth u = csc h2 u
dx
dx

d
du
cosh u = senh u
dx
dx

d
du
sec h u = sec h u tanh u
dx
dx

d
du
tanh u = sec h2 u
dx
dx
d
1
du
sen h -1u =
dx
u 2 + 1 dx

d
du
csc h u = csc h u coth u
dx
dx
d
1 du
tanh1 u =
,
dx
1 u 2 dx
d
1 du
cos h -1u =
,
dx
u 2 1 dx

d
1
du
csc h-1u =
,
dx
u 1 + u 2 dx

+ si cosh1 u > 0, u > 1

1
si cosh u < 0, u < 1

si u > 0, + si u < 0]

d
1
du
sec h -1u =
,
dx
u u 2 1 dx

d
1 du
coth1 u =
,
dx
1 u 2 dx
[u > 1 u < 1]

si sec h 1u > 0, 0 < u < 1

+ si sec h 1u < 0, 0 < u < 1

52

[ 1 < u < 1]

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Clculo integral
Significado de la integracin
Por integracin se entiende el encontrar una funcin F ( x ) a partir de una funcin dada y = f ( x ) de
manera que la derivada F ( x ) sea igual a la original f ( x ) . Por lo tanto,

F ( x ) =

dF ( x )
= f (x)
dx

La integral indefinida

f ( x )dx = F ( x ) + C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.

Significado geomtrico de la integral indefinida


Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y = F ( x ) con pendiente o derivada y = F ( x ) .

Todas las curvas y = f ( x ) son iguales pero desplazadas paralelamente y en la direccin del eje y . La
constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y 0 se tendr:

C = y 0 F ( x0 )

53

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

La integral definida
La integral definida tiene la forma:
b

a f ( x )dx = F ( x ) a = F (b ) F (a )
En la integral resultante se sustituye primero el lmite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece as la constante C.

54

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Reglas de integracin
Formas fundamentales

u dv = uv v du
n
u du =

1 n +1
u +C
n +1

du = eu + C

au
+C
ln a

u
a du =

n 1

du
= ln u + C
u

Formas trigonomtricas

sen u du = cos u + C

csc u cot u du = csc u + C

cos u du = sen u + C

tan u du = ln sec u

+C

sec

u du = tan u + C

cot u du = ln sen u

+C

csc

u du = cot u + C

sec u du = ln sec u + tan u

sec u tan u du = sec u + C

csc u du = ln csc u cot u

Formas cuadrticas

a 2 + u 2 du =

a + budu =

2
15b

( 3bu 2a )( a + bu )

du
2

a +u

du

(a

+ u2

3/2

a2 + u 2

=
=

a u

a +u

a u

= sen1

du

du
2

u a
du

=
1

u
+C
a

1 u

+C

1
u
sec 1 + C
a
a
u+a

a2 u 2 = 2a ln u a

+C

u
2

du

a2 + u 2 = a tan

+C

a2 + u 2
a + a2 + u 2
+C
du = a 2 + u 2 a ln
u
u

u2

u
a2
a2 + u 2 +
ln u + a 2 + u 2 + C
2
2

du

u a

u 2 a2 = 2a ln u + a

+C

55

+C

+C

+C
+C

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a2 + u 2

du =

u2

u
2u 2 a 2
8

2
2
2
u a u du =

u 2du

a2 + u 2

a2 + u 2
+ ln u + a2 + u 2 + C
u

a2 u 2 +

1
u a2 + u 2 = a ln

a4
u
sen1 + C
a
8

u 2
a2
a + u 2 ln u + a2 + u 2 + C
2
2

a2 u 2
a + a2 u 2
du = a 2 u 2 a ln
+C
u
u

a2 u 2

u 2du

( a + bu )2

du

(a

u2

u 2du
u 2 a2

un

a + bu

a + bu

du

a u

a u

+ C

2
3b

a + bu

a ( n 1) u

( bu 2a )
u

u ( a + bu ) = a ln a + bu

n 1

a2 u 2
u

1 2
u
a u 2 sen1 + C
u
a

2u n a + bu
2na
u n 1du

b ( 2n + 1)
b ( 2n + 1) a + bu

a + bu

u 2
a2
u
sen1 + C
a u2 +
2
2
a

du =

u n du

u 2 a2
a
du = u 2 a 2 a cos1 + C
u
u

u 2 a2
du
2

u a

u 2 a2
+ ln u + u 2 a2 + C
u

du =

u2

b ( 2n 3 )

a2 u 2

+C

= ln u + a 2 + u 2 + C

u 2du

= ln u + u 2 a 2 + C

udu

u 2
a2
ln u + u 2 a2 + C
u a2 +
2
2
=

a +u

a2 u 2 + C

1
a2
+

2a ln a + bu
a
bu

a + bu
b3
=

du

udu

1 a + a2 u 2
=

+C
u a2 u 2 a ln
u
du

du

du

u2

u
a2
u
a2 u 2 +
sen1 + C
a
2
2

a 2 u 2 du =

u
a2
u 2 a2
ln u + u 2 a 2 + C
2
2

u 2 a 2 du =

a2 + u 2 + a
+C
u

du

a + bu = b2 ( a + bu a ln a + bu ) + C

du

2a ( n 1) u n 1 a + bu

du

u2

a + bu

+C

du

(u

u
=

56

u 2 a2

du
a + bu
2
a

u 2 a2

a 2u

=
2

tan1

1
a

+C

u
a

ln

u 2 a2

+C

a + bu a
a + bu + a

+ C, si a > 0

a + bu
+ C, si a < 0
a

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

du

u 2 ( a + bu ) = au + a2 ln
udu

a + bu
+C
u

( a + bu )2 = b2 ( a + bu ) + b ln a + bu + C
du

u ( a + bu )2 = a ( a + bu ) a2 ln
(a

u2

du =

2
2
2
u a + u du =

u
2u 2 5a 2
8

u 2
a + 2u 2
8

a + bu
du
du = 2 a + bu + a
u
u a + bu

a + bu
u

du =

a + bu b
du
+
2 u a + bu
u

a + bu
+C
u

a2 u 2 +

a2 + u 2

3a 4
u
sen1 + C
8
a

a2
ln u + a 2 + u 2 + C
8

u 2du
1
2
2
a + bu = 2b3 ( a + bu ) 4a ( a + bu ) + 2a ln a + bu + C
2
2
2
u u a du =

u
2u 2 a 2
8

u 2 a2

a4
ln u + u 2 a 2 + C
8

Otras formas trigonomtricas

csc

sen u du = 21 u 41 sen 2u + C
2
cos u du = 21 u + 41 sen 2u + C
2

u du = 21 csc u cot u + 21 ln csc u cot u + C

n 1
senn 2 u du
n
n 1
n
n 1
n 2
cos u du = n1 cos u sen u + n cos u du
1
n
n 1
n 2
tan u du = n 1 tan u tan u du
1
n
n 1
n 2
cot u du = n 1 cot u cot u du
1
n2
n
n 2
n 2
sec u du = n 1 tan u sec u + n 1 sec u du
1
n2
n
n 2
n 2
csc u du = n 1 cot u csc u + n 1 csc u du

sen

u du = n1 senn 1 u cos u +

sen au sen bu du =
cos au cos bu du =
u

sen ( a b ) u
2 (a b )

sen ( a b ) u
2 (a b )

sen ( a + b ) u
2 (a + b)

sen ( a + b ) u
2 (a + b )

tan

u du = tan u u + C

cot

u du = cot u u + C

u du = 31 2 + sen2 u cos u + C

cos

u du =

1
3

( 2 + cos u ) sen u + C
2

u du = 21 tan 2u + ln cos u + C

u du = 21 cot 2 u ln sen u + C

+C

cot

+C

sec

u du = 21 sec u tan u + 21 ln sec u + tan u + C

sen au cos bu du =
57

tan

cos u du = u n sen u n u n 1 sen u du

sen

cos ( a b ) u
2 (a b)

cos ( a + b ) u
2 (a + b)

+C

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

u sen u du = sen u u cos u + C

sen

u cosm u du

senn 1 u cosm +1 u
n 1
+
senn 2 u cosm u du

n+m
n+m
senn +1 u cosm 1 u m 1
=
+
senn u cosm 2 u du
n+m
n+m
=

u cos u du = cos u + u sen u + C


1
u cos u du =

2u 2 1
u 1 u2
cos1 u
+C
4
4

sen u du = u n cos u + n u n 1 cos u du

utan

n
1
u sen u du =

1 n +1
u n +1du
1
u
sen
u

1 u2
n + 1

, n 1

sen

1 n +1
u n +1du
1
u cos u +
n + 1
1 u2

, n 1

cos

cos1 u du =

tan

1 n +1 1
u n +1du
u
tan
u
du
u
tan
u
=

1 + u 2 , n 1
n + 1

u du =

u2 + 1
u
tan 1u + C
2
2

u du = u sen1 u + 1 u 2 + C

u du = u cos1 u 1 u 2 + C

u du = u tan 1u 21 ln 1 + u 2 + C

Formas exponenciales y logartmicas

ue

au

du =

1
2

ln u du = u ln u u + C

( au 1) eau + C

a
1 n au n n 1 au
n au
u e du = a u e a u e du
au
e sen bu du =
au
e cos bu du =

eau
2

a +b

e au
a2 + b2

n
u ln u du =

u n +1

( n + 1)2

( n + 1) ln u 1 + C

u ln u du = ln ln u + C

( a sen bu b cos bu ) + C
( a cos bu + b sen bu ) + C

Formas hiperblicas

senh u du = cosh u + C
cosh u du = senh u + C
tanh u du = ln cosh u + C
coth u du = ln senh u + C
1
sech u du = tan senh u + C

sech u du = ln tan 21 u + C
2
sech u du = tanh u + C
2
csch u du = coth u + C
sech u tanh u du = sech u + C
csch u coth u du = csch u + C
58

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Otras formas cuadrticas

2au u 2 du =

2a u u 2
u2

2a u u 2
u2
u 2du

2au u 2

u a
a2
a u
2au u 2 +
cos 1
+C
2
2
a

2 2a u u 2
a u
cos1
du =
+C
u
a
a u
du = 2a u u 2 + a cos1
+C
a
=

(u + 3a )

2au u 2 du =

2au u 2 +

2u au 3a 2
6

a u
= cos1
+C
a
2a u u

a u
= 2a u u 2 + a cos1
+C
a
2au u

du

u du

du
2a u u 2

3a2
a u
cos1
+C
2
a

2au u 2 +

a3
au
cos 1
+C
2
a

59

2a u u 2
+C
au

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Regla de Simpson
Para curvas hasta de tercer grado

Ai =

h
( y 0 + 4 y1 + y 2 )
3

Para curvas de grado mayor que el tercero

A=

h
y 0 + y n + 2 ( y 2 + y 4 + ... + y n 2 ) + 4 ( y1 + y 3 + ... + y n 1 )
3

Integrales mltiples
b

f2 ( x )

f2 ( x )

x =a y =f ( x ) F ( x, y ) dydx = x =a y =f ( x ) F ( x, y ) dy
1

dx

donde y = f1 ( x ) e y = f2 ( x ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral tambin se puede escribir as:
d

g2 ( y )

g2 ( y )

y =c x =g ( y ) F ( x, y ) dxdy = y =c x =g ( y ) F ( x, y ) dx
1

dy

donde x = g1( y ) , x = g 2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG yPGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.
Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de rea. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen as como integrales mltiples en ms de tres
dimensiones.

s = s(t ) =

t
a

r (t ) dt

Es la longitud de curva correspondiente al intervalo paramtrico [a, t ] .

Vector tangente unitario

En parmetro arbitrario:

r (t )
t (t ) =
r (t )

Vector normal principal

n(t ) = b (t ) t (t )

Vector binormal

r r (t )
b (t ) =
r r (t )

60

En parmetro s:

t (s ) = r (s )

r(s )
n( s ) =
r(s )

r (s ) r(s )
b (s ) =

r(s )

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Los vectores unitarios t , n, b forman una triada positiva b = txn, n = bxt , t = nxb

Recta tangente en t0
Ecuacin vectorial

Ecuacin paramtrica

r ( ) = r ( t0 ) + r ( t0 )

x x0 y y 0 z z0
=
=
x0
y 0
x0


Plano oscilador t , n en t0

( )

Ecuacin vectorial

Ecuacin paramtrica

( r r ( t0 ) ) ( r ( t0 ) xr ( t0 ) ) = 0

x x0
x0
x0

y y0
y 0
y 0

z z0
z0 = 0
z0

Curvatura y torsin
y

1+ ( y )2 2

r ( t ) xr ( t )
(t ) =

3
r (t )

d
T = kN
ds

( s ) = r ( s )

r ( t ) ( r ( t ) xr ( t ) )
(t ) =

2
r ( t ) xr ( t )

d
N = B kT
ds

Plano normal
Ecuacin vectorial

Ecuacin paramtrica

( r r ( t 0 ) ) r ( t0 ) = 0

x0 ( x x0 ) + y 0 ( y y 0 ) + z0 ( z z0 ) = 0


Plano rectificante t , b en t0

( )

Ecuacin vectorial

( r r ( t0 ) ) n ( t0 ) = 0

Ecuacin paramtrica

x-x0
x0
y 0 z0 y 0z0

61

y -y 0
y 0
z0 x0 z0 x0

z-z0
=0
z0
x0 y 0 x0 y 0

d
B = N
ds

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Componentes tangencial y normal de la aceleracin


aT = a T =

. a

x a

aN = a N =

Propiedades de la divergencia

i ) div (F + G ) = div (F ) + div (G )

ii ) div (F ) = div (F ) + (grad ) F

iii ) div (F + G ) = G rot F -F rot G

( )

( )

62

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Geometra
reas

Crculo

A = r 2

Trapecio

B + b
A=
h
2

Tringulo

A=

Prismas

V = SB h

ab sen bh
=
2
2

Volmenes

donde SB = rea de la base


S h
V= B
Pirmides
3
donde SB = rea de la base

Esfera

V = 34 r 3
A = 4 r 2

Cilindro

V = r 2h

A = 2 rh

63

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Cono

V = 31 r 2h
A = r r 2 + h2 = r l

V = 31 h a 2 + a b + b 2

( a + b ) h2 + ( b a )
A=
(a + b ) l

64

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Geometra analtica plana


Distancia entre dos puntos

( x2 x1 )2 + ( y 2 y1 )2
Pendiente de una recta
m=

y 2 y1
x2 x1

Ecuacin de una recta


y y1 = m( x x1 );

Ax + By + C = 0

ngulo entre rectas


tan =

m1 m2
1 + m1m2

Circunferencia
( x h )2 + ( y k )2 = r 2 ;

Ax 2 + Ay 2 + Dx + Ey + F = 0

Parbola
Eje vertical

( x h )2 = 4 p( y k );

Ax 2 + Dx + Ey + F = 0

Eje horizontal

( y k )2 = 4 p( x h );

By 2 + Dx + Ey + F = 0

Eje focal horizontal

( x h )2 + ( y k )2

=1

; a> b

Eje focal vertical

( x h )2 + ( y k )2

=1

; a> b

LR = 4 p

e =1

Elipse

a2

b2

a2 = b2 + c 2 ;

b2

a2

LR =

2b 2
;
a

Ax 2 + Cy 2 + Dx + Ey + F = 0;

65

e=

c
<1
a

AC > 0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Hiprbola
Eje focal horizontal

( x h )2 ( y k )2

=1

Eje focal vertical

( y k )2 ( x h )2

=1

a2

a2

c 2 = a2 + b2 ;

b2

b2

LR =

2b 2
;
a

Ax 2 + Cy 2 + Dx + Ey + F = 0;

66

e=

c
>1
a

AC < 0

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Geometra analtica del espacio


Considerando P1 = ( x1, y1, z1 ) y P2 = ( x2 , y 2 , z2 )

Vector que une P1 y P2

P1P2 =

( x2 x1 ) , ( y 2 y1 ) , ( z2 z1 )

= ( l , m, n )

Distancia entre dos puntos

d=

( x2 x1 )2 + ( y 2 y1 )2 + ( z2 z1 )2

= l 2 + m2 + n 2

Recta que pasa por dos puntos


Forma paramtrica
x = x1 + l t

y = y1 + m t

z = z1 + n t

Forma simtrica

t=

x x1
l

t=

y y1
m

t=

z z1
n

Cosenos directores

cos =

x2 x1 l
=
d
d

cos =

y 2 y1 m
=
d
d

cos =

z2 z1 n
=
d
d

donde , , denotan los ngulos que forman la lnea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.

Ecuacin del plano

- Que pasa por un punto P1 = ( x1, y1, z1 ) y tiene vector normal a = a1, a2 , a3 :
a1 ( x x1 ) + a2 ( y y1 ) + a3 ( z z1 ) = 0

-Forma general:
Ax + By + Cz + D = 0

cos2 + cos2 + cos2 = 1

2
2
l + m + n2 = 1

67

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Distancia del punto P0 = ( x0 , y 0 , z0 ) al plano Ax + By + Cz + D = 0

d=

Ax0 + By 0 + Cz0 + D
A2 + B 2 + C 2

en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.

Coordenadas cilndricas

x = r cos

y = r sen
z = z

r = x 2 + y 2

1 y
= tan x

z = z

()

Coordenadas esfricas

x = sen cos

y = sen sen
z = cos

= x 2 + y 2 + z2

= tan1 yx

z
= cos1
x 2 + y 2 + z2

()

68

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Definiciones geomtricas importantes


tan =

ngulo entre dos rectas en el plano


Producto escalar para a y b que pertenecen a
3

a b = a1b1 + a2 b2 + a3 b3

i
j k
a x b = a1 a2 a3
b1 b2 b3

Producto vectorial

a1 a2 a3
a b c = b1 b2 b3

c1 c2 c3

Producto mixto

ngulo entre dos vectores

m1 m2
1 + m1m2

cos =

ab
a

sen=

ax b
a

p = po +tu

Ecuacin vectorial de la recta

x = xo + at

y = y o + bt
z = z + ct
o

Ecuaciones paramtricas de la recta

u = ( a, b, c )

x xo y y o z zo
=
=
a
b
c
u = (a, b, c)

Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma


simtrica

d=

Distancia de un punto Q a una recta

d=

Distancia entre dos rectas

PoQ x u
u

P1P2

(u x u )
1

u1 x u2

p = po + r u + sv

Ecuacin vectorial de un plano

x = xo + ru x + sv x

y = y o + ruy + sv y

z = zo + ruz + sv z
Ax + By + Cz + D = 0

Ecuaciones paramtricas de un plano

Ecuacin cartesiana de un plano en forma


general

N = ( A, B, C)

PoP N = 0 ;

Ecuacin normal de un plano


69

N = ( A,B,C )

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

PoQ N

Distancia de un punto Q a un plano

d=

ngulo entre una recta y un plano

sen =

70

u
u

N
N

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Trigonometra
Medida de ngulos planos
Representacin
La medida de un ngulo puede expresarse en unidades comunes (grados) o en unidades de arco
(radianes). Se representa a veces, respectivamente, por y .
Unidades comunes (sexagesimales): grado (), minuto ('), segundo (").
1 = 60'; 1' = 60"

Unidad de arco
1 radin (rad) es el ngulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
tambin unitario. Por lo tanto:
1 rad =

1m
= 1(nmero adimensional )
1m

Con frecuencia no se indica especficamente la unidad, como en la siguiente tabla.

0
0
0

30
/6
0.52

45
/4
0.78

60
/3
1.05

75
5 / 12
1.31

71

90
/2
1.57

180

3.14

270
3 / 2
4.71

360
2
6.28

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Equivalencias
Por definicin:

360 = 2 rad, 1 rad =

180
= 57.2967

rad = 0.017453 rad


180

=
=
180
57.2967
longitud de arco
= arc =
radio

1 =

La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ngulo central (en radianes) de la
circunferencia: b = r

Funciones trigonomtricas
En un tringulo rectngulo:

cateto opuesto a
=
hipotenusa
c
cateto adyacente b
cos =
=
hipotenusa
c
cateto opuesto
a
tan =
=
cateto adyacente b
sen =

72

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Operaciones con funciones trigonomtricas


sen2 A + cos2 A = 1

sen2 A = 21 21 cos 2 A

sec 2 A tan2 A = 1

cos2 A = 21 + 21 cos 2A

csc 2 A cot 2 A = 1

sen 2 A = 2 sen A cos A

sen A
cos A
cos A
cot A =
sen A
sen A csc A = 1

cos 2 A = cos2 A sen2 A

tan A =

cos A sec A = 1

sen ( A B ) = sen A cos B cos A sen B


cos ( A B ) = cos A cos B sen A sen B

cos ( A ) = cos A

tan A tan B
1 tan A tan B
A
1 cos A
sen =
2
2
A
1 + cos A
cos =
2
2
sen A sen B = 21 cos ( A B ) cos ( A + B )

tan ( A ) = tan A

sen A cos B = 21 sen ( A B ) + sen ( A + B )

tan A cot A = 1
sen ( A ) = sen A

tan ( A B ) =

cos A cos B = 21 cos ( A B ) + cos ( A + B )

73

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Las leyes siguientes son vlidas para cualquier tringulo plano ABC de lados a, b, c y de ngulos A,
B, C.

Ley de los senos

a
b
c
=
=
sen A sen B sen C
Ley de los cosenos
c 2 = a 2 + b 2 2 a b cos C

Los otros lados y ngulos estn relacionados en forma similar

Ley de las tangentes

a + b tan 21 ( A + B )
=
a b tan 21 ( A B )
Los otros lados y ngulos estn relacionados en forma similar

Teorema de Pitgoras
a2 + b2 = c 2

Valores de las funciones de ngulos importantes

sen

cos

tan

cot

sec

csc

30

1
2

3
2

3
3

2 3
3

2
2
3
2

2
2
1
2

3
3

2 3
3

45
60
90

74

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Relaciones entre ngulo simple, ngulo doble y mitad de ngulo


sen
= cos(90 )

cos
= s e n(90 )

= 1 cos2

= 1 s e n2

cos
2
2
tan

= 2sen
=

1 + tan2

= cos2 cos 2
=

1
2

1 + cot

2
=
2
1 + tan
2
s e n 2
2 tan

= cos2
=

s e n2
2
2
cot

1 + cot 2

= 1 2 s e n2
=

tan
= cot(90 )
1
=
cot
sen
=
cos
sen
=
1 s e n2

1
1 + tan2

2
=
2
1 + tan
2
cos 2
=

= 2 cos 2 1

= 1 2sen

1 cos
2

1
s e n2

cot 2 1
2
=

2cot
2

1 tan2

sen

cos

2 tan
2
=
2
1 tan
2

= cos2 s e n2

= 2 s e n cos

cot
= tan(90 )
1
=
tan
cos
=
sen
cos
=
1 cos2

cos

tan 2
2 tan

1 tan2

2
cot tan

2
sen
=
1 + cos
1 cos
=
sen
1 cos
=
1 + cos
tan

1 + cos
2

75

cot 2
cot 2 1
=
2 cot

1
1
cot tan
2
2

2
sen
=
1 cos
1 + cos
=
sen
1 + cos
=
1 cos
cot

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Nmeros complejos
Forma trigonomtrica o polar de un nmero complejo
y
Se tiene que r = z = ( x, y ) y que = arg( z ) = tan1
x
Luego:

sen =

cos =

y
y = r sen
r
x
x = r cos
r

Por lo tanto:
z = ( x, y ) = x + yi = r cos + i r sen = r (cos + i sen )

Forma exponencial de un nmero complejo


Sea z = r (cos + i sen ) un nmero complejo donde r es su mdulo y su argumento. Entonces
mediante el empleo de la frmula de Euler se obtiene:
z = r (cos + i sen ) = r e i

Operaciones de nmeros complejos en forma polar

( r1

1 )( r2 2 ) = r1 r2 ( 1 + 2 )

r = r

+ k 360
n

Nota: = cos + i sen

);

ln r e i = ln r + ( + 2 k ) i ;

k entero

k entero

Teorema de De Moivre
Siendo p un nmero real cualquiera, el teorema de De Moivre establece que
p

r ( cos + isen ) = r p ( cos p + isenp )

76

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sea n cualquier entero positivo y p = 1 , entonces:


n

r ( cos + isen )

1
n

=r

1
n

cos +n2k + isen +n2k

donde k es un entero positivo. De aqu se pueden obtener las n races n-simas distintas de un
nmero complejo haciendo k = 0, 1, 2,, n 1 .

77

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Anlisis vectorial
Magnitud, direccin y componentes de vectores
Vector: Representacin de una cantidad fsica con magnitud y direccin.

Coordenadas del punto inicial A del vector a : x1, y1, z1

Coordenadas del punto final B del vector a : x 2 , y 2 , z2


Vectores unitarios sobre los ejes OX , OY , OZ : i , j , k

Componentes escalares

ax , ay , az 0

ax = x2 x1
ay = y 2 y 1
az = z2 z1

Componentes vectoriales

a = ax + ay + az

a = ax i ay j + az k

Magnitud de un vector: a (o bien, a )

a = ax2 + ay2 + az2

( a siempre 0 )

78

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Cosenos directores de un vector: cos , cos , cos

, , son los ngulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ ( , , = 0 180 )
a
cos = x ,
a

ay
cos = ,
a

a
cos = z
a

Clculo de las componentes.Si se conocen a , , , ,

ax = a cos ;

ay = a cos ;

az = a cos

Observacin: Operaciones vectoriales como la determinacin de magnitudes, cosenos directores,


sumas y productos se llevan a cabo con las componentes de los vectores a lo largo de los ejes
OX ,OY ,OZ
Adicin y sustraccin de vectores


Suma vectorial s de dos vectores libres a y b


s = a + b = s x i + s y j + sz k
s x = ax + bx , sy = ay + by , sz = az + bz

s = s x2 + sy2 + sz2

79

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Diferencia vectorial s de dos vectores libres a y b


s = a + b

( )

s x = ax bx , sy = ay by , sz = az bz

s = s x2 + sy2 + sz2

Valores
importantes

s para 2
vectores

a b

a = b

0; 360

a + b

2 a

90

+ b

180

a b
0

270

2
a + b

a 2

Suma vectorial s de dos vectores libres a y b , c , etc.:


s = a + b c + = s x i + sy j + sz k
s x = ax + bx c x + , sy = ay + by c y + , sz = az + bz c z +

s = s x2 + sy2 + sz2

Producto de un escalar por un vector


Escalar: Magnitud fsica sin direccin.

El producto escalar k con el vector a da el vector c

c = k a

c x = k ax ; cy = k ay ; cz = k az ; c = k a

Si k > 0 entonces c a por lo que:

80

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Si k < 0 entonces c a por lo que:

Productos de dos vectores libres

El producto escalar de dos vectores libres a y b da el escalar k

Smbolo del producto escalar: punto



k = a b =b a = a b cos = a b cos
k = ax bx + ay by + az bz
= cos1

Valores
importantes


a b cos

ax bx + ay by + az bz

a b

0; 360

+ a b

90
0

Ejemplo: Trabajo W de una fuerza F en el desplazamiento s



W = Fuerza Desplazamiento = F s

W = F s cos

81

180

a b

270
0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

El producto vectorial de dos vectores libres a y b da el vector c


Smbolo del producto vectorial: cruz x


c = ab = ba


c = ab sin = a b sin

ca y cb

a , b , c forman una triada derecha


c x = ay bz az by
c y = az bx ax bz
cz = ax by ay bx

c = c x2 + c y2 + cz2

Valores
importantes


a b sin

0; 360
0

90

+ a b

A B = A B cos

180
0
0

donde es el ngulo formado por A y B


A B = A1B1 + A2B2 + A3B3

82

270

a b

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donde:

A = A1 i + A2 j + A3 k
B = B1 i + B2 j + B3 k

Son resultados fundamentales:

i
Producto cruz: A B = A1

j
A2

B1 B2

A3 = ( A2B3 A3 B2 ) i + ( A3 B1 A1B3 ) j + ( A1B2 A2B1 ) k


B3

Magnitud del producto cruz A B = A B sen


El operador nabla se define as:
=

i+
j+
k
x
y
z

En las frmulas siguientes se asume que U = U ( x, y , z ) y A = A( x, y , z ) tienen derivadas parciales.

Gradiente de U


U
U
grad (U ) = U = i +
j + k U =
i+
j+
k
y
z
y
z
x
x
Divergencia de A

A
A A


j + k ( A1i + A2 j + A3k ) = 1 + 2 + 3
div ( A) = A = i +
y
z
x
y
z
x
Rotacional de A


rotA = A = i +
j + k ( A1i + A2 j + A3k )
y
z
x
i

=
x
A1

y
A2

z
A3

A A A A
A
A
= 3 2 i + 1 3 j + 2 1 k
z z
x x
y
y

83

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Laplaciano de U

2U = (U ) =

2U
x 2

84

2U
y 2

2U
z 2

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Fracciones racionales
Descomposicin

y(x) =

P ( x ) a0 + a1x + a2 x 2 + ... + am x m
=
Q( x ) b0 + b1x + b2 x 2 + ... + bn x n

donde n y m son enteros y n>m.


Los coeficientes a , b pueden ser reales o complejos. Si n son las races de Q ( x ) , se obtiene la
forma factorizada:

y(x) =

P( x )
P( x )
=
k1
Q( x ) ( x n1 ) ( x n2 )k 2 ...( x nq )kq

En esta expresin pueden representarse races de multiplicidad k1, k 2 , ..., kq de Q ( x ) , que pueden
ser reales o complejas; es un factor constante.

Descomposicin de fracciones parciales


Para lograr un manejo ms sencillo de y ( x ) es conveniente descomponerla en fracciones parciales:

y(x) =

A
A12
A1k 1
P( x )
= 11 +
+ +
+
2
Q( x ) x n1 ( x n1 )
( x n1 )k 1
A21
A22
A2k 2
+
++
+ ... +
2
x n2 ( x n2 )
( x n2 )k 2
Aq1
x nq

Aq 2
2

( x nq )

+ +

Aqkq
( x nq )kq

Si los coeficientes de Q ( x ) son reales, aparecen races complejas por parejas (races complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposicin se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 = n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparicin por parejas k1 = k 2 = k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11,..., A2 k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:
B11x + C11
2

x + ax + b

B12 x + C12
2

( x + ax + b )

85

+ ... +

B1k x + C1k
( x 2 + ax + b )k

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Series de Fourier

Toda funcin peridica f(x), que puede descomponerse en el intervalo de periodicidad x en


un nmero finito de intervalos continuos, podr descomponerse en ese intervalo en una serie
convergente de la forma:

f (x) =

a0
+ an cos ( nx ) + bn s e n ( nx )
2 n =1

Los coeficientes de cada trmino se forman como sigue:


ak =

1
f ( x ) cos ( kx ) dx

bk =

Funciones pares: f ( x ) = f ( x )

ak =

2
f ( x ) cos ( kx ) dx
0

para k = 0,1,2,,

bk = 0

86

1
f ( x ) s e n ( kx ) dx

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Funciones impares: f ( x ) = f ( x )

ak = 0

2
bk = f ( x ) s e n ( kx ) dx
0

para k = 0,1,2,,

Tablas de desarrollo en series de Fourier

y = a para 0 < x <


y = a para < x < 2

y=

4a
se n(3 x ) se n(5 x )

+
+ ...
sen x +

3
5

y = a para < x <


y = a para + < x < 2

y=

4a
1
cos s e n x + cos(3 ) s e n(3 x )

+ cos(5 ) s e n(5 x ) + ...


5

y = a para < x < 2


y = f ( 2 + x )

y=

2a s e n( )
s e n 2( )

cos x +
cos 2 x

2
1
3
s e n 3( )

cos 3 x + ...
3

87

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

ax
para 0 x b
b
y = a para b x b
a( x )
y=
para b x
b
4a 1
1
s e n b s e n x + 2 s e n(3b ) s e n(3 x )
y=

2
b 1
3
y=

s e n(5b ) s e n(5 x ) + ...


5

ax
y=
para 0 < x < 2
2
y = f ( 2 + x )

a a s e n x s e n 2x s e n 3x


+
+
+ ...
2 1
2
3

2ax
y=
para 0 x / 2

2a ( x )

para x
y=

2
y = f ( + x )
y=

s e n 3x s e n 5x

+
...
a s e n x
2
2

3
5

ax
y=
para 0 x

a ( 2 x )
para < x < 2
y=

y = f ( 2 + x )

y=

a 4a cos x cos 3 x cos 5 x

2 2 +
+
+ ...
2
2
2 1
3
5

y = a s e n x para 0 x
y = a s e n x para x 2
y=

y = f ( + x )

2a 4a cos 2 x cos 4 x cos 6 x

+
+
+ ...

1 3
35
57

y = 0 para 0 x
2

3
y = a s e n( x ) para x
2
2
2
y = f ( 2 + x )
y=

y=

2a 1
cos 2 x cos 4 x
cos 6 x

cos x + 2
2
+. 2
...

2 4
2 1 4 17
6 1

88

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

y = x 2 para x

y = f ( x ) = f ( 2 + x )

2
cos x cos 2 x cos 3 x

4 2
+
...
2
2
3
2
3
1

ax
y=
para 0 < x <

y = f ( 2 + x )

y=

a 2a cos x cos 2 x cos 3 x

2 2 +
+
+ ...
2
2
4 1
2
3

a s e n x s e n 2 x s e n3 x

+
...
2
3
1

y=

89

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Transformada de Fourier
Definiciones:
F {s ( t )} = S (w ) =

s (t ) e

jwt

j = 1

dt ;

F 1 {S (w )} = s ( t ) =

1
S (w ) e jwt dw ;

j = 1

Reglas de operacin
Desplazamiento en tiempo

F {s ( t )} = S (w ) e jwt

Convolucin

s1 ( t ) * s2 ( t ) =

s1 ( ) s2 ( t ) d = s2 ( ) * s1 ( t ) d

F {s1 ( t ) s2 ( t )} = S1 (w ) * S2 (w )

F {s ( t )} = S (w )
F {s ( at )} =

1 w
S
,
a a

a>0

F {s1 ( t ) + s2 ( t )} = S1 (w ) + S2 (w )
Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.

Funcin tiempo s(t )

Densidad espectral S (w )

Funcin rectngulo A RT (t )

S(w ) =

90

2 ATsen(wt )
wT

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funcin tiempo s(t )


Funcin rectngulo con cambio de signo

Densidad espectral S (w )

S(w ) = j 2 AT

sen 2
wt
2

S(w ) = 4 AT cos(2wt )

s(t ) =

sen(w 0t )
A
w0

w 0t

w0 =

2
T

senwt
wt

S(w ) = ARw 0 (w ) (Funcin rectngulo)

Funcin tringulo

wt
2

Tw
sen 2

AT
S(w ) =
Tw

ADT (t )

91

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Funcin tiempo s(t )


Rectngulo modulado
A RT (t )cos(w 0t ) w 0 =

Densidad espectral S (w )

2 2
=
T0 aT
S(w ) = A

Impulso de Gauss

Ae a

senT (w + w 0 )
senT (w w 0 )
+A
w + w0
w w0

2 2

w 2

A
2
S(w ) =
e 4a
a

Impulso coseno A cos(w 0 t ) w 0 =

2
T
T
cos w
AT
4
S(w ) =
2

T
1 w
2

2
2
2
Impulso cos2 A cos (w 0t ) w 0 = T
T
sen w
AT
1
4
S(w ) =
2
4
T
T
w
4 w 1

92

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Funcin tiempo s(t )


Impulso exponencial

Densidad espectral S (w )

S (w ) =

93

A
jw + a

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Transformada de Laplace
Definiciones:

L {f (t )} = F (s ) = f (t )e st dt ;
0

1
L {F (s )} = f (t ) =
2j
1

F (s )e

st

ds;

j = 1

Reglas de operacin
Linealidad

L {f1(t ) + f2 (t )} = F1(s ) + F2 (s )
L {c f1(t )} = cF1(s )

Teorema de traslacin
Teorema de convolucin

L {f (t a )} = e as F (s )
t

f1(t ) f2 (t ) = f1( ) f2 (t )d = f2 ( ) f1(t )d

L {f1 ( t ) f2 ( t )} = F1 ( s )F2 ( s )
Cambio de variable
Diferenciacin

1 t
L f = F (a s )
a a
L {f '(t )} = sF ( s ) f ( 0 )
L {f "(t )} = s 2F ( s ) sf ( 0 ) f ' ( 0 )

n
L f ( ) (t ) = s n F ( s )

Integracin

n 1

k
f ( ) ( 0 ) s n k 1

k =0

1
L f ( t ) dt = F ( s )
s

94

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Tabla de transformadas de Laplace:


f(t)

L {f(t)}=F(s)

1
s

1.

2.

tn,

3.

t 1/ 2

4.

e at

5.

senkt

n!
s n +1

n = 1, 2,3,...

1
sa

k
s + k2
2

6.

cos kt

s
s + k2

7.

senhkt

k
s k2

8.

cosh kt

s
s k2

9.

eat ( t )

F (s a )

10.

(t a ), a 0

11.

(t a )U (t a ),

12.

t n (t ),

13.

n (t ),

14.

0 ( )g ( t ) d

15.

( t t0 ) , t0 0

16.

t n e at ,

e as
s

e as F ( s )

a0

( 1)

n = 1, 2, 3...

dn
ds n

F (s )

s n F ( s ) s n 1 ( 0 ) ... (

n = 1, 2, 3...

F (s )G (s )

e st0
n!
( s a)n +1

n = 1, 2, 3...

95

n 1)

(0 )

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k
( s a)2 + k 2

17. e at senkt
18.

e at cos kt

19.

tsenkt

20.

t cos kt

sa
( s a)2 + k 2
2ks
( s + k 2 )2
2

s2 k 2
(s 2 + k 2 ) 2
2k 3
(s 2 + k 2 )2

21. senkt - kt cos kt

22.

senkt + kt cos kt

23.

senhkt - senkt

24.

cosh kt - cos kt

25.

2ks 2

(s

+ k2

s4 k 4
2k 2s
s4 k 4

k2

s s2 + k 2
k3

26.

kt - senkt

27.

asenbt bsenat

(s

28.

cos bt cos at

(s

29.

(t )

30.

t n 1
( n 1)

31.

exp ( at ) 1

ab a b

2k 3

1 cos kt

s s2 + k 2

a2 b2

+a

+a

)(s

+ b2

+ b2

)(s
sn

a
s (s a )

96

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32.

1
exp ( t / T )
T

33.

1
sin ( kt )
2k

34.

35.

(s

1
sin ( kt ) +
2k
t
+ cos ( kt )
2
cos ( kt )

(s
(s

e bt e at
,b a
ba

37.

1 at
e sin ( kt )
k

39.

40.

+ k2

+ k2

( s a )( s b )
1

( s + a )2 + k 2

1
s s

1
2 t
3

4 t

s
2

1 at
e e bt
t

43.

1
sin ( a t )
t
a
2t t

s s

42.

44.

+ k2

s3

k
t sin ( kt )
2

38.

s2

36.

41.

1
1 + Ts

In

tan1 ( a s )

a2
e 4t

e a s ; a > 0
1 a s
e
; a0
s

45.

erfc

46.

Funcin de Bessel J0 ( kt )

s+b
s+a

2 t

1
s2 + k 2

97

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Transformada inversa
Fracciones parciales
Sea:
G(s ) =

Q( s )
P (s )

donde:

P (s ) = s n + an 1s n 1 + + a1s + a0
Si G(s) tiene polos simples
G( s ) =

K1
K2
Kn
+
++
s + s1 s + s2
s + sn

Q(s )
K i = ( s + si )
P (s ) s =s

i
Si G(s) tiene polos de orden mltiple

G(s ) =

Q(s )
=
P (s ) ( s + s

Q(s )

)( s + s2 ) ( s + sn r )( s + si )r

Siendo: i 1,2,, n r
G(s ) =

K( n r )
K1
K2
A1
A2
Ar
+
++
+
+
++
2
r
s + s1 s + s2
s + s( n r ) s + si ( s + s )
s + si )
(
i

n - r trminos de polos simples

r trminos de polos repetidos

r
Ar = ( s + si ) G(s )

s =si

Ar 1 =

d
( s + si )r G(s )

ds
s = si

Ar 2 =

1 d2
( s + si )r G(s )
2! ds 2
s = si

A1 =

1
d r 1
r
s + si ) G(s )
(
r 1
s =si
( r 1) ! ds

98

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Probabilidad y estadstica
Parmetro

Estimador
puntual

Intervalo de confianza
(1-) 100%

Media
(varianza2conocida) X =

1 n
Xi
n i =1

X z

X + z
2

Varianza 2(de una distribucin normal)

Sn21 =

1 n
Xi X
n 1 i =1

( n 1) sn21 2 ( n 1) sn21

x 2
2

Desviacin estndar de distribucin de medias

X =

Valor promedio (media)


n

X=

Xi
i =1

Media de medias
m

Xj
X=

j =1

Intervalo o rango de valores

R = Vmax Vmin
Media de rangos
m

Rj
R=

j =1

99

, n 1

x2

1 , n 1
2

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Hiptesis nula
H0 : = 0,

Estadstico de prueba
2 conocida

Z0 =

2 desconocida

H0 : = 0,

t0 =

X 0

n
X 0
Sn 1
n

1
a n

a
=n =
n
b b
b

x02

Regresin lineal

y = 0 + 1 x
0 = y 1 x

1 =

n
n

xi

i
n
y i xi i =1 n i =1
i =1
n

xi
n
xi2 i =1n
i =1

Coeficiente de correlacin de la muestra


n

r =

y i ( xi x )
i =1

n
xi x
i =1

2 n

) (y
i =1

Permutaciones
Prn =

n!
n
( r )!

Combinaciones

n
n!
=
r r ! ( n r )!

100

1
2 2

( n 1) S n21
02

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Permutaciones con objetos similares


Pnn1,n2 ,...,nk =

n!
n1 ! n2 !...nk !

Probabilidad condicional

P ( A B) =

P (A B)
P (B )

Teorema de Bayes
P ( Bk A ) =

P ( Bk ) P ( A Bk )

P ( Bi ) P ( A Bi )
i =1

101

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Valor promedio

aprom =

a1 + a2 + ... + an
n

donde:
aprom = valor promedio
an = valor de cada lectura
n = nmero de lecturas

Desviacin estndar y varianza

d12 + d 22 + + dn2
n 1

donde:
= desviacin estndar
di = desviacin de la lectura i-simacon respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviacin estndar elevado al cuadro

Distribucin gaussiana
V = 2

102

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Tabla de distribucin de probabilidad normal estndar

z
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9

0
0.5000
0.5398
0.5793
0.6179
0.6554
0.6915
0.7257
0.758
0.7881
0.8159
0.8413
0.8643
0.8849
0.9032
0.9192
0.9332
0.9452
0.9554
0.9641
0.9713
0.9772
0.9821
0.9861
0.9893
0.9918
0.9938
0.9953
0.9965
0.9974
0.9981
0.9987
0.999
0.9993
0.9995
0.9997
0.9998
0.9998
0.9999
0.9999
1

0.01
0.5040
0.5438
0.5832
0.6217
0.6591
0.695
0.7291
0.7611
0.791
0.8186
0.8438
0.8665
0.8869
0.9049
0.9207
0.9345
0.9463
0.9564
0.9649
0.9719
0.9778
0.9826
0.9864
0.9896
0.992
0.994
0.9955
0.9966
0.9975
0.9982
0.9987
0.9991
0.9993
0.9995
0.9997
0.9998
0.9998
0.9999
0.9999
1

0.02
0.5080
0.5478
0.5871
0.6255
0.6628
0.6985
0.7324
0.7642
0.7939
0.8212
0.8461
0.8686
0.8888
0.9066
0.9222
0.9357
0.9474
0.9573
0.9656
0.9726
0.9783
0.983
0.9868
0.9898
0.9922
0.9941
0.9956
0.9967
0.9976
0.9982
0.9987
0.9991
0.9994
0.9995
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.03
0.5120
0.5517
0.5910
0.6293
0.6664
0.7019
0.7357
0.7673
0.7967
0.8238
0.8485
0.8708
0.8907
0.9082
0.9236
0.937
0.9484
0.9582
0.9664
0.9732
0.9788
0.9834
0.9871
0.9901
0.9925
0.9943
0.9957
0.9968
0.9977
0.9983
0.9988
0.9991
0.9994
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.04
0.516
0.5557
0.5948
0.6331
0.67
0.7054
0.7389
0.7704
0.7995
0.8264
0.8508
0.8729
0.8925
0.9099
0.9251
0.9382
0.9495
0.9591
0.9671
0.9738
0.9793
0.9838
0.9875
0.9904
0.9927
0.9945
0.9959
0.9969
0.9977
0.9984
0.9988
0.9992
0.9994
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

103

0.05
0.5199
0.5596
0.5987
0.6368
0.6736
0.7088
0.7422
0.7734
0.8023
0.8289
0.8531
0.8749
0.8944
0.9115
0.9265
0.9394
0.9505
0.9599
0.9678
0.9744
0.9798
0.9842
0.9878
0.9906
0.9929
0.9946
0.996
0.997
0.9978
0.9984
0.9989
0.9992
0.9994
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.06
0.5239
0.5636
0.6026
0.6406
0.6772
0.7123
0.7454
0.7764
0.8051
0.8315
0.8554
0.877
0.8962
0.9131
0.9279
0.9406
0.9515
0.9608
0.9686
0.975
0.9803
0.9846
0.9881
0.9909
0.9931
0.9948
0.9961
0.9971
0.9979
0.9985
0.9989
0.9992
0.9994
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.07
0.5279
0.5675
0.6064
0.6443
0.6808
0.7157
0.7486
0.7794
0.8078
0.834
0.8577
0.879
0.898
0.9147
0.9292
0.9418
0.9525
0.9616
0.9693
0.9756
0.9808
0.985
0.9884
0.9911
0.9932
0.9949
0.9962
0.9972
0.9979
0.9985
0.9989
0.9992
0.9995
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.08
0.5319
0.5714
0.6103
0.648
0.6844
0.719
0.7517
0.7823
0.8106
0.8365
0.8599
0.881
0.8997
0.9162
0.9306
0.9429
0.9535
0.9625
0.9699
0.9761
0.9812
0.9854
0.9887
0.9913
0.9934
0.9951
0.9963
0.9973
0.998
0.9986
0.999
0.9993
0.9995
0.9996
0.9997
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

0.09
0.5359
0.5753
0.6141
0.6517
0.6879
0.7224
0.7549
0.7852
0.8133
0.8389
0.8621
0.883
0.9015
0.9177
0.9319
0.9441
0.9545
0.9633
0.9706
0.9767
0.9817
0.9857
0.989
0.9916
0.9936
0.9952
0.9964
0.9974
0.9981
0.9986
0.999
0.9993
0.9995
0.9997
0.9998
0.9998
0.9999
0.9999
0.9999
1

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Modelos probabilsticos comunes


Distribucin

Rango

Media

Varianza

Funcin
generatriz de
momentos

n x nx
p q
x

x = 0,1,..n

np

npq

(q + pe )n

Geomtrica

pq x-1

x = 1,2,...

1
p

pe
1 - qe

De Pascal
(Binomial
negativa)

x 1 r x r

p q
r 1

x = r,r +1,...

r
p

De Poisson

( t ) x e - t
x!

x = 0,1,2,...

Uniforme

1
b-a

axb

a+ b
2

(b - a )2
12

b
a
e -e
(b - a)

Exponencial

e - x

x 0

- < x <

Ji-cuadrada

x>0

t de Student

- < x <

,> 2
-2

Nombre

Binomial

Normal

1
2

1 x

e 2

F (de
Fisher)

0< x<

( t )r -1e - t
(r - 1)!

rq
2

pe

1 qe
e

t( e -1)

2
,
2 - 2
2 > 2

Erlang

t>0

104

2 22( 1 + 2 - 2 )
2
1( 2 - 2 ) ( 2 - 4 )
2 > 4
r

1
+ 22
2

(1 2 )

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fsica

Mecnica
Centroides
Arco de circunferencia

y=

r ( sen ) 180

( )

) = rs
b

Tringulo

y=

1
h
3

Sector de crculo

y=

2r ( sen ) 180

( )

) = 2rs

Trapecio

y=

h a + 2b
3 a+b

Segmento de corona circular


y=

2 R 3 r 3 sen
3 R2 r 2

y=

2 R3 r 3 s
3 R2 r 2 b

Segmento de crculo
y=

s3
12 A

105

3b

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Esttica
Fuerza aplicada paralelamente al plano de deslizamiento
Friccin esttica

F1 = F1 = G tan 1
N = G
C < 1 (variable ) < 0
Valor lmite

F0 = F0 = G tan 0
N = G

0 = tan 0 >
0 = constante >
Friccin dinmica

F = F = G tan
N = G

= tan > 0
= constante > 0
Fuerza aplicada oblicuamente respecto al plano de deslizamiento
F =G

0
sen0
=G
sen 0 cos
sen ( 0 )

Rozamiento en un plano inclinado


tan = tan =

Friccin de chumaceras
De carga radial
M1 = r rF

De carga axial

M =

r1 + r2
F
2

106

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Friccin rodante
Rodamiento de un cilindro macizo

f
f
F= N G
r
r
Condicin de rodamiento
F < 0 N

Movimiento de una placa sobre rodillos


F=

( f1 + f2 ) G1 + nf2G2
2r

Si f1 = f2 = f y nG2 < G1

f
G
r 1

F =
Friccin en cables
Fuerza de traccin para subir la carga G

F1 = e0 G, Ff = e0 1 G
Fuerza de traccin para bajar la carga G

F2 = e 0 G, Ff = 1 e 0 G
Transmisin de banda o correa

Fp =

Mi
r

y Fp = F

En movimiento
F0 =

Fp
e

F1 = Fp

e 0
e 0 1

107

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fa = Fp

e 0 + 1
e 0 1

En reposo

F0 = F1 =

(
2 (e

)
1)

Fa e0 + 1

Fa = Fp

e 0 + 1
e 0 1

Cinemtica
F = xi + yj + zk

dr
=
dt

d
a=
dt
d
2
a=
ut +
un
dt

= u t

= ru r + r u

a = (r - r 2 )u r + (r
+ 2r )u
Movimiento en una dimensin
x = vt

x = x0 + vt

v=

1
(v + v 0 )
2

v = v 0 + at

108

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

x = x0 +

1
(v 0 + v)t
2

x = x0 + v 0 t +

1 2
at
2

v 2 = v 02 + 2a (x - x0 )
Dinmica

W
F = ma =
g
F =G

W: peso

mM
r2

F = m

dV
dt

X B = XB - X A
A

VB = VB - VA
A

a B = aB - aA
A

Caractersticas cinemticas de puntos y segmentos rectilneos


Conceptos lineales y angulares1
Se tiene que son conceptos lineales:
r = posicin, v= velocidad, a = aceleracin, t = tiempo
Se tiene que son conceptos angulares:
= posicin, w= velocidad, = aceleracin, t = tiempo
Expresin que relaciona ambos conceptos:
v = wxr

Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) V.

109

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Conceptos correspondientes a puntos y partculas en movimiento


Smbolo(s)ms
comn(es)

Concepto
Vector de posicin (lineal)

Relacin con
otra(s)funcin(es)

Velocidad (lineal)

v=

v, r

Aceleracin (lineal)

a=

a, r

dr
dt

dv d 2 r
=
dt dt 2

Conceptos correspondientes a segmentos rectilneos que modifican su direccin durante el


movimiento, y de cuerpos rgidos que contengan ese tipo de segmentos
Smbolo(s)ms
comn(es)

Concepto
Vector de posicin (angular)

d
dt
dw d 2
=
= 2
dt
dt

Velocidad (angular)

w,

Aceleracin (angular)

Relacin con
otra(s)funcin(es)

w=

Componentes cartesianas de los vectores de posicin, velocidad y aceleracin lineales para


movimientos en el espacio, en un plano y rectilneos.
r = r (t ) = xi + yj + zk

v = r = xi + y j + zk
a = r = xi + y j + zk
Entonces, si P se mueve en el plano xy tenemos:
r = r (t ) = xi + yj

v = r = xi + y j
a = r = xi + y j
Si P realiza un movimiento rectilneo cualquiera en el eje x se tienen:
r = r (t ) = xi

v =r = xi

110

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

a =r = xi

Relaciones entre conceptos lineales y angulares.


a = w (wr ) + r

Cinemtica del cuerpo rgido

v = R + wx

a = R + ax + wx (wx )

Ecuaciones aplicables a cualquier tipo de movimiento del cuerpo rgido.


Centro y eje instantneo de rotacin.

v = w
donde es un vector perpendicular al eje instantneo de rotacin.
Primeros momentos de la masa de un sistema de partculas.
Con respecto a los planos xy, xz, yz tenemos:
n

i =1

i =1

i =1

M xy = mi zi , M xz = mi y i , M yz = mi xi
Primeros momentos de la masa de un cuerpo rgido.

M xy = zdM, M xz = ydM, M yz = xdM


v

Ecuaciones escalares de centro de masa.


n

i =1

i =1

i =1

M Xc = mi xi , MYc = mi y i , M Zc = mi zi
Para cuerpos rgidos tenemos:

M Xc = xdM, MYc = ydM, MZc = zdM


v

111

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Momentos de inercia de la masa de un cuerpo rgido.

I xx = MM xz + MM xy
I yy = MM yz + MM xy
Izz = MM yz + MM xz
Dinmica de la partcula
Ecuaciones de movimiento

F = ma

a=

F
m

Trabajo y energa
dT = p dr
Energa cintica y su relacin con el trabajo realizado por la fuerza resultante que acta sobre una
partcula

EC =

1
m2
2

Impulso y cantidad de movimiento lineales


1

Fdt = ( m)2 ( m)1


2

Ecuacin del impulso y la cantidad de movimiento lineales


Ecuacin diferencial de movimiento para sistemas de partculas
n

F = mi a1
i =1

F = Mac
2

n
n

F
dt
=
m
v
i i mi v i

i =1
2 i =1
1
1

112

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ecuacin de impulso y cantidad de movimiento lineales para sistemas de partculas


Principio de la conservacin de la cantidad de movimiento lineal para sistemas de partculas.
n
n

m
v
i i mi v i = 0
i =1
2 i =1
1

Ecuacin para obtener la cantidad de movimiento angular de un cuerpo rgido.


Hcc = Icc
Ecuacin para obtener la suma de los momentos de los elementos mecnicos que actan sobre un
cuerpo rgido.
Mcc = Icc
Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.
n

Mcc = ( pi Fi )
i =1

Primera forma de la ecuacin del trabajo y la energa para un cuerpo rgido que realiza un movimiento
plano general.
1

n 2

n 2

Fdrc +
Fi dpi +
Q j d j = 2 M Vc + 2 Icc
i =1
j =1
2

Ecuacin del impulso y la cantidad de movimiento angulares.


2

Mcc dt = Icc ( 2 1 )
1

Modelo matemtico correspondiente a las vibraciones libres con un grado de libertad.


+ 2 X = 0 con 2 = cte
X
n
n

Modelo matemtico correspondiente a las vibraciones forzadas con un grado de libertad.

+ 2 X = Fe
X
n
m
donde 2n = cte.

113

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Trabajo, energa y conservacin de la energa



U =F r

dU = F dr



U F r
P= =
= F v
t
t

Psal
Pent

P: potencia

: eficiencia

U = K = K f K i

K=

1
mv 2
2

K: energa cintica

W = v = v f v i

V: energa potencial

V ( y ) = mgy

Ve =

1 2
kx
2

Impulso e mpetu

I = Fdt

I = p

p = mv

p = pf pi = Fdt

p : mpetu

p : impulso

114

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electricidad y magnetismo

qq
F = k 122
r

r
r

qq
F =k 1 2 2
r

r = r1 r2

F
E=
q

q
E = E dA =
0

V =k

E : flujo elctrico

q
r

V : potencial electrstatico

Vb Va =

U b Ua
W
= ab = E dl
q
q
a

m i 1

U =

qi q j

i =1 j =1 40 rij

U : energapotencialelectrstatica

Capacitancia
q = CV

C = K 0
C=

A
d

C = k 0

C : capacitancia

A
d

Capacitor de placas paralelas

= k 0
2l
In ( b / a )

k : Constante dielctrica

Capacitor cilndrico

U=

q2 1
1
= CV 2 = qV
2C 2
2

U : energia almacenada en un capacitor

u=

1
k 0 E 2
2

u : densidad de energa

115

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Corriente, resistencia y fuerza electromagntica

i=

dq
dt

i: corriente elctrica

i = nqvA
j=

i
= ni qi v i
A
i

E
j

: resistividad

R=

V
l
=
i
A

R: resistencia

R = R0 (1 + t )

j: densidad de corriente, A: rea

Variacin de R con la temperatura

Vab = IR

ient = isal
Elevaciones de potencial = Cadas de potencial
P = Vi = Ri 2 =

V2
R

P: potencia elctrica

116

vi = 0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Magnetismo


F = qv B

:velocidad,

B:campo magntico


F = il B

l : elemento de longitud

= NiABsen

B dl

= 0 i


= B dA

B=

0 i
2r

B=

0I
2a

B=

0Ni
2r

dB =
B=

0I
send
4a

r : distancia

N : nmero de vueltas

r : radio

0I
( cos 1 cos 2 )
4a

d B
dt

: fuerza electromagntica

= Bl

d
dt

117

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Equivalencias
Longitud
1m
1 in
1 ft
1 mi

m
1
2.54x10-2
0.3048
1609

in
39.37
1
12
6.336x104

ft
3.281
8.333x10-2
1
5280

mi
6.214x10-4
1.578x10-5
1.894x10-4
1

Masa
1 kg
1 uma
1 lb

Kg
1
1.661x10-27
0.4536

uma
6.022x1026
1
2.732x1026

lb
2.205
3.662x10-27
1

Fuerza
1 dina
1N
1 lbf
1 kgf

dina
1
105
4.448x105
9.807x105

N
10-5
1
4.448
9.807

lbf
2.248x10-6
0.2248
1
2.205

kgf
1.020x10-6
0.1020
0.4536
1

Presin
1 atm
1 mm Hg
1 Pa
1 bar

atm
1
1.316x10-3
9.869x10-6
0.987

mm Hg
760
1
7.501x10-3
750.062

Pa
1.013x105
133.3
1
105

bar
1.013
1.333x10-3
10-5
1

Energa, trabajo, calor


1 Btu
1 HPh
1J
1 cal
1 kWh
1 eV

Btu
1
2545
9.481x10-4
3.969x10-3
3413
1.519x10-22

HPh
3.929x10-4
1
3.725x10-7
1.560x10-6
1.341
5.967x10-26

J
1055
2.385x106
1
4.186
3.600x106
1.602x10-19

cal
252
6.413x105
0.2389
1
8.600x105
3.827x10-20

Campo magntico
1 gauss
1 tesla

gauss
1
104
118

T
10-4
1

kWh
2.930x10-4
0.7457
2.778x10-7
1.163x10-6
1
4.450x10-26

eV
6.585x1021
1.676x1025
6.242x1018
2.613x1019
2.247x1025
1

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flujo magntico
1 maxwell
1 weber

maxwell Wb
1
10-8
8
10
1

1 rpm = 6.283 rad/min

119

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Qumica
Constantes
Carga del electrn = -1.6021 x 10-19 C
Carga del protn = 1.6021 x 10-19 C
Masa electrn = 9.1094 x 10-31 kg
Masa protn = 1.673 x 10-27 kg
Constante de Boltzmann = 1.3805 x 10-23 J/K
Constante de Planck = 6.6261 x 10-34 J s
Constante de Avogadro = 6.022 x 1023 mol-1
Constante gravitacional G = 6.67384 x 10-11 Nm2/kg2
Constante dielctrica o = 8.8542 x 10-12 F/m
Constante de permeabilidad = 4 x 10-7 H/m = 1.2566 x 10-6 H/m
Electrn-volt (eV) = 1.6021 x 10-19 J
Radio medio de la Tierra = 6.378 x 106 m
Distancia de la Tierra a la Luna = 3.844 x 108 m
Masa de la Tierra = 5.972 x 1024 kg
Masa de la Luna = 7.349 x 1022 kg
Aceleracin en la superficie de la:
Luna 1.62 m/s2
Tierra g = 9.81 m/s2
Cu = 1.71 x 10-8 .m
Al = 2.82 x 10-8 .m
Ag = 1.62 x 10-8 .m
Fe = 9.71 x 10-8 .m
Cu = 8.96 x 103 kg/m3
Al = 2.7 x 103 kg/m3
madera = 0.6 - 0.9 x 103 kg/m3

120

121

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Anlisis de circuitos elctricos


Ley de Ohm con fasores

I=

V
Z

donde:
I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia []

Voltaje y corriente en elementos reactivos(con condiciones iniciales iguales a cero)


Capacitor

v C (t ) =

1
i (t )dt
C

iC (t ) = C

dv (t )
dt

v L (t ) = L

di (t )
dt

Inductor libre de acoplamientos magnticos

i L (t ) =

1
v (t )dt
L

Inductor con acoplamientos magnticos


N

i k (t ) = kl v l (t )dt
l =1

k = 1,2,3,...., N
N

v k (t ) = Lkl
l =1

di l (t )
dt

k = 1,2,3,.., N
kl =

cofLlk
Lkl

donde:
Lkl = Inductancia mutua entre el inductor k y el inductor l
kl = Invertancia mutua entre los inductores k y l
Cof Llk = Cofactor del la inductancia mutua Llk
Lkl = Determinante del sistema de inductancias propias y mutuas

122

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

k = k-simo inductor
N = nmero total de inductores que se encuentren acoplados

Divisor de corriente
Si el circuito est integrado por n elementos:

I X = If

I X = If

RTotal paralelo
RX
ZTotal paralelo
ZX

donde:
Ix = Corriente en el resistor o impedancia de inters
Rx = Resistor de inters
Zx = Impedancia de inters

Divisor de voltaje

123

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VX = Vf

RX
RTotal serie

Leyes de Kirchhoff
Ley de Kirchhoff de voltaje

Ley de Kirchhoff de corriente

Ne

Ni

Vk = 0

Ik = 0

k =1

k =1

donde:

Ne = Nmero de cadas o elevaciones de tensin en una malla cerrada


N i = Nmero de corrientes que entran o salen a un nodo
K = k-simo elemento

124

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Potencia
Potencia activa

P = VI cos

[W ]

V2
cos
Z

[W ]

P=

[W ]

P = I 2 Z cos
Potencia reactiva

Q = VI sin

[VAR ]

V2
sin
Z

[VAR ]

Q=

Q = I 2 Z sin

[VAR ]

Potencia compleja

S = VI * [VA]
Factor de potencia

fp = cos ( )

125

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resonancia RLC serie


Frecuencia de resonancia
0 =

f0 =

1
LC
1

2 LC

Frecuencias de corte
f1 =

1 R
1
R

+ +
2 2L
LC
2L

1 R
1
R
+ +
f2 =
2 2L
LC
2L

Ancho de banda
BW = f2 f1

BW =

R
L

Factor de calidad

Q=

Qs =

0
BW
1 L
R C

126

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resonancia RLC paralelo


Frecuencia de resonancia
1

0 =

f0 =

LC
1

2 LC

Frecuencias de corte
f1 =

1
1
1
1

+
+

LC
2 2RC
2RC

1 1
1
1
f2 =
+
+

LC
2 2RC
2RC

Ancho de banda
BW = f2 f1

BW =

1
RC

Factor de calidad

Q=

0
BW

Qp = R

127

C
L

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Circuitos excitados con seales senoidales de diferentes frecuencias


Sea v ( t ) una funcin de la forma:
v ( t ) = Vo + V1sen ( 1t + 1 ) + V2sen ( 2 t + 2 ) + ... + Vn sen ( n t + n )

Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensin v ( t ) es:

Vrms = Vo2 +

1 n 2
Vk
2 k =1

donde k = 1,2,3,..., n
Sea I ( t ) una funcin de la forma:
i ( t ) = Io + I1sen ( 1t + 1 ) + I2sen ( 2t + 2 ) + ... + In sen ( n t + n )

La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente i ( t ) es:

Irms = Io2 +

1 n 2
Ik
2 k =1

donde k = 1,2,3,..., n
La potencia media es:

P = Vo Io +

1 n
Vk Ik cos ( k k )
2 k =1

donde k = 1,2,3,..., n

128

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales


Impedancia
Zt =

Zkl
co Zkk

donde:

Zkl= Determinante de las impedancias propias y mutuas entre mallas


cofZkk = Cofactor de la impedancia de malla donde estn las dos terminales
Admitancia
Yt =

Ykl
co Ykk

donde:

Ykl= Determinante de las admitancias propias y mutuas entre nodos


cofYkk = Cofactor de la admitancia de nodo donde estn las dos terminales

129

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teoremas de redes
Teorema de Thevenin
Pasos para obtener el circuito equivalente de Thevenin

Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Thevenin.
Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un circuito abierto.
Calcular el voltaje en los puntos A y B ( Vth ).

Poner en cortocircuito los nodos A y B y calcular la corriente de cortocircuito


( Icc ).

Calcular la impedancia de Thevenin como:


Zth =

Vth
Icc

Construir el circuito equivalente de Theveninen los nodos A y B con Vth en


serie con Zth.
El teorema de Thevenin se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnticos, siempre y cuando, ste no se encuentre dentro del
circuito al que se desea encontrar el equivalente.

Teorema de Norton
Pasos para obtener el circuito equivalente de Norton

Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Norton.
Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un cortocircuito.
Calcular la corriente de Norton que circula entre los nodos A y B ( IN ).
Considerar entre los nodos A y B un circuito abierto y calcular el voltaje de
circuito abierto ( Vca ).
Calcular la impedancia de Norton como:
ZN =

Vca
IN

Construir el circuito equivalente de Norton.


El teorema de Norton se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnticos, siempre y cuando, ste no se encuentre dentro del
circuito al que se desea encontrar el equivalente.

130

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Teorema de reciprocidad
Si se tiene un circuito formado slo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:

Identificar los nodos A y B donde se va a aplicar el teorema de reciprocidad.


Calcular el voltaje o corriente entre A y B.
Desconectar la fuente de entrada y conectarla entre A y B.
Si la fuente es de voltaje, la entrada se cortocircuita. Si la fuente es de
corriente, la entrada se pone en circuito abierto.
La corriente o el voltaje, segn sea el caso, a la entrada del circuito es la
misma que en el caso original.

Teorema de superposicin
Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:

Identificar el nmero de fuentes que se encuentran en el circuito.


Seleccionar una de ellas y para el resto de las fuentes debe considerarse lo
siguiente: si es una fuente de voltaje, sta debe substituirse por un
cortocircuito y si es una fuente de corriente, sta debe substituirse por un
circuito abierto.
Obtener los voltajes y corrientes en el circuito.
Repetir el proceso segn el nmero de fuentes que haya en el circuito
seleccionando en cada iteracin una fuente diferente.
Sumar los voltajes y corrientes obtenidos para cada una de las fuentes dadas
en el circuito.

131

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de dos puertos


Parmetros de impedancias(Z)

V1 = Z11I1 + Z12I2
V2 = Z21I1 + Z22I2
Los parmetros de impedancias estn dados por:

V1
I1 I

Z11 =

V2
I1

Z21 =

Z12 =

Impedancia de entrada
2 =0

Impedancia de transferencia directa


I2 = 0

V1
I2 I

Impedancia de transferencia inversa

V2
I2

Impedancia de salida

1 =0

Z22 =

I1 =0

Parmetros de admitancias (Y)

I1 = Y11V1 + Y12V2
I2 = Y21V1 + Y22V2
Y11 =

I1
V1 V

Admitancia de entrada

2 =0

Y21 =

I2
V1 V

Admitancia de transferencia directa

I1
V2 V =0

Admitancia de transferencia inversa

I2
V2 V =0

Admitancia de salida

2 =0

Y12 =

Y22 =

132

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros hbridos directos

V1 = h11I1 + h12V2
I2 = h21I1 + h22V2

h11 =

V1
I1 V

Impedancia de entrada con terminales de salida en cortocircuito

I2
I1 V

Ganancia en corriente

V1
V2

Inverso de la ganancia de voltaje


I1=0

I2
V2

I1=0

2 =0

h21 =

2 =0

h12 =

h22 =

Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas

Parmetros hbridos inversos

I1 = g11V1 + g12I2
V2 = g 21V1 + g 22I2
g11 =

g 21 =

g12 =

I1
V1 I
V2
V1

Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas


2 =0

Ganancia en voltaje
I2 = 0

I1
I 2 V =0

Inverso de la ganancia corriente

V2
I 2 V =0

Impedancia de salida con terminales de entrada en cortocircuito

g 22 =

133

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta transitoria
Condiciones iniciales y finales de los elementos

Elemento
R
L
C

Circuito equivalente inicial para t < 0


Cargado
Descargado
-

Circuito equivalente para t>>0


Resistencia

iL(0 ) = iL(0 )
iL(0 ) = 0
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
vC(0-) = vC(0+)
VC(0+) = 0
Fuente ideal de Voltaje
Cortocircuito

Cortocircuito
Circuito abierto

Respuesta total en circuitos RC

Para la corriente

i (t ) =

(E vc (0))

t
RC
e

[ A]

Para el capacitor
t

vC ( t ) = E + (vC ( 0 ) E ) e RC

[V ]

Para la resistencia

v R ( t ) = Ri ( t ) = ( E v c ( 0 ) )
Constante de tiempo

= RC
donde vc(0) es el voltaje inicial en el capacitor.

134

[s ]

t
RC
e

[V ]

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Respuesta total en circuitos RL

Para la corriente

E
i (t ) = 1 e
R

Rt

+ i (0) e L

Rt
L

[ A]

Para el resistor
Rt

v R ( t ) = Ri ( t ) = E 1 e L

Rt

+ Ri ( 0 ) e L

[V ]

Para el inductor
vL (t ) = L

di ( t )
dt

= Ee

Rt
L

Ri ( 0 ) e

La constante de tiempo es:


=

L
R

135

[s ]

Rt
L

[V ]

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Respuesta libre en un circuito RC

E
i ( t ) = e RC [ A]
R

v R = Ri (t ) = Ee

t
RC

[V ]

vC (t ) = E v R (t ) = E 1 e RC

Respuesta libre en un circuito RL

i (t ) =

E
e
R

Rt
L

v R ( t ) = Ee
vL (t ) =

Rt
L

Rt
Ee L

136

[ A]

[V ]
[V ]

[V ]

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Respuesta libre de un circuito RLC

Solucin General para i(t)

i ( t ) = k1eD1t + k2eD 2t
donde D1 y D2 son las races:
2

D1 =

R
1
R
+
2L
2
L
LC

D2 =

R
1
R

LC
2L
2L

R
2L

2 =

1
LC

= 2 2

( )

v c 01 = Voltaje inicial en C

Caso I: 2 < 2

Respuesta bajo amortiguada (races complejas conjugadas)


i ( t ) = k1e (

+ j )t

+ k 2e (

k1 = k 2

137

j )t

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

( )

v c 0

k=

i (t ) =

2L

( )e

v c 0

sen ( t ) [ A]

Caso II: ( = )
Respuesta crticamente amortiguada (races reales repetidas)

i ( t ) = k1e t + k2e t
k1 = 0

k2 =

i (t ) =

( )

v c 0
L

( )te

v c 0

[ A]

Caso III:( > )


Respuesta sobreamortiguada (races reales diferentes)
i ( t ) = k1e (

+ )t

+ k 2e(

k1 = k 2

138

)t

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

( )

v c 0

k1 =

2L

k2 =

i (t ) =

2L

( )e

v c 0

( )

v c 0

139

senh ( t )

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Funcin de transferencia

H (s ) =

H (s ) =

H (s ) =

H (s ) =

Vo ( s )

Relacin de voltajes

Vo ( s )

Impedancia de transferencia

Io ( s )

Relacin de corrientes

Io ( s )

Admitancia de transferencia

Vi ( s )

Ii ( s )

Ii ( s )

Vi ( s )

donde Io ( s ) y Vo ( s ) son la corriente y el voltaje en la salida, respectivamente. I i ( s ) y


Vi ( s ) son la corriente y el voltaje en la entrada, respectivamente.

140

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Diagramas de Bode asintticos

Summary of Bode straight-line magnitude and phase plots.


Factor
Magnitude

Phase

20 log10 K

90N

20N dB /decade

( j)N
1
N

( j )

20N dB /decade

90N

20N dB /decade

1 + z

90N

z
10
p
10
0

(1+ j p )N

20N dB /decade

10z

10 p

90N

40N dB /decade
2 j j 2
1 +
+

n
n

180N

0
n
10

10n

1
1 + 2 j / + ( j / )2
k
k

k
10
0

10k

40N dB /decade
180N

141

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sistemas acoplados
Factor de acoplamiento

K kl =

Llk
Lkk Lll

Inductancia mutua

Lkl = K kl Lkk Lll


donde:
Kkl= factor de acoplamiento entre los inductores k y l
Lkl = inductancia mutua entre los inductores k y l
Lll= inductancia propia del inductor l
Lkk= inductancia propia del inductor k

142

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sistemas trifsicos
Resistencia y reactancia en serie
La impedancia Z de una carga reactiva que est formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:
Z = R + jX

Convirtindola a su admitancia equivalente Y:

Y=

R jX
Z

donde:
Z = R2 + X 2

Segn la ley de Ohm:

V = ZI

I = YV
Entonces:

I=

I=

VR jVX
Z
VR
Z

VX
Z

I = IP jIQ
donde IP e IQ son las corrientes activa y reactiva, respectivamente.
La corriente activa IP y la corriente reactiva IQ son:

IP =

IQ =

VR
Z

VX
Z

= I cos

= I sin

143

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde est dada por:


P
Q
Q
= tan1 = cos1 = sin1
S
S
P

Si se aplica una tensin V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q estn dadas
por:

S = VI * =

ZV 2
Z

P = VIP =

Q = VIQ =

=I Z

V 2R
Z

V2X
Z

El factor de potencia ( fp ) y el factor reactivo ( fr ) son:


fp = cos ( ) =

R
Z

fr = sen ( ) =

X
Z

144

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Potencia trifsica
Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :
Vestrella =

Vlinea
3

Iestrella = Ilnea
Zestrella =

Vestrella
=
Iestrella

Sestrella = 3VestrellaIestrella = 3VlineaIlnea

Vlinea
3Iestrella

Vlinea 2
=
= 3Ilnea 2Zestrella
Zestrella

Para una carga balanceada conectada en delta con una tensin de lnea Vlinea y una
corriente de lnea Ilnea :

Vdelta = Vlnea
Idelta =

Zdelta =

Ilnea
3

Vdelta
V
= 3 lnea
Idelta
Ilnea

Sdelta = 3VdeltaIdelta

3Vlnea 2
=
= Ilnea 2 Zdelta
Zdelta

Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:
Zdelta = 3Zestrella

145

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica analgica
Diodo de propsito general
Ecuacin de Shockley del diodo

qVD

ID = IS e nk T 1

donde:
ID = Corriente a travs del diodo [A]
Is = Corriente de saturacin (10-12 A)
VD = Voltaje de polarizacin directo [V]
q= Carga del electrn (1.6022E-19) [C]
n = Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8
k = Constante de Boltzman 1.3806E-23 [J/K]
T = Temperatura absoluta [K]

Diodo Zener
Regulacin de lnea =

Rz
Rz + Rs

Regulacin de carga = ( Rz Rs )

Regulacin Zener =

Rs
Rz + Rs

Vzo = Vz (Rz Iz )
Para RL = 0

Iz =

(Vs Vzo )
( Rz + Rs )

El voltaje de salida est dado por:

Vo = Vzo + (Rz Iz )
Rs =

Vs Vzo Rz Iz
I z + IL

146

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

En caso de conocer los rangos de VS e IL

Rs =

Vs (max) Vzo Rz Iz(max)


Iz(max) + IL(min)
Vs (min) Vzo Rz Iz(min)

Rs =

Iz(min) + IL(max)
Pz = Vz I z

Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentacin)


Rectificador de media onda
Voltaje de rizo pico-pico
Voltaje de salida VO
Voltaje rizo rms
Factor de rizo
Clculo del capacitor

Relacin Vrms y VL

Vm
f RL C

Vr ( pp ) =

VO ( cd ) =
Vr ( rms ) =

FR =
C=

Vm ( 2f RLC 1)
2f RL C
Vm

FR =

2 ( 2f RL C 1)

1
1

1 +

2f RL
2 RF

Vrms
1

0.0024
VL
420

Regulacin de voltaje
Vsal
100%
Vent

Regulacin carga =

VNL VFL
VFL

Regulacin de carga =

147

VO( cd ) =
Vr ( rms ) =

2 2 f RL C

Regulacin lnea =

Rectificador de onda
completa
Vm
Vr ( pp ) =
2f RL C

Rsal
100
RFL

C=

Vm ( 4f RLC 1)
4f RL C
Vm
4 2 f RL C

1
2 ( 4f RL C 1)

1
1

1 +

4f RL
2 RF

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde:
VNL = Voltaje sin carga
VFL = Voltaje a plena carga

Regulador bsico en serie con OA

R
Vo = 1 + 2 Vref
R3
Reguladores en paralelo lineales bsico
IL(max ) =

Vin
RL

Reguladores de conmutacin bsicos


t
Vo = off
T

Vin

donde:
T = tin + toff

148

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Reguladores de voltaje en circuito integrado

R
Vsal = Vref 1 + 2 + I ADJ R2
R1

IL(max) =

Vsal
+ IG
R11

149

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transistor de unin bipolar (BJT)


Parmetros de corriente directa
cd =

Ic
IB

cd =

Ic
IE

donde:
cd=Ganancia en corriente en CD
cd=Factor de amplificacin de corriente en polarizacin directa
IC=Corriente de colector
IB=Corriente de base
IE=Corriente de emisor
Corrientes en un transistor

IE = IC + IB
Voltaje entre la base y el emisor
VBE 0.7 V

Corriente en la base
IB =

VCC VBE
RB

donde:
VBB = Voltaje de polarizacin en la base
VBE = Voltaje base-emisor
RB = Resistencia de base

Voltaje en el colector con respecto al emisor


VCE = VCC IC RC
donde:
VCC =Voltaje de polarizacin en el colector
VCE = Voltaje colector-emisor
RC =Resistencia de colector

150

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Voltaje en el colector con respecto a la base


VCB = VCE VBE
donde:
VCB =Voltaje colector-base
VCE = Voltaje colector-emisor
RC =Resistencia de colector

Condicin de corte

VCE ( corte ) = VCC


Corriente de saturacin en el colector

IC (SAT ) =

VCC VCE (SAT )


RC

Corriente de base mnima para saturacin

IB(min) =

IC (SAT )
cd

Polarizacin
Polarizacin con realimentacin del emisor

VB = IE RE + VBE

VC = VCC IC RC

151

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

VE = VB VBE

IE =

VCC VBE
RE + ( RB / cd )

IC IE

Polarizacin con realimentacin del colector

VC = VCC IC RC
VB = VBE
VE = 0 V

IC

IC =

VCC VBE
RC
VCC VBE
R
RC + B
cd

VCE = VCC IC RC
IE IC
IB =

VC VBE
RB

152

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin de base

VB = VBE

VC = VCC IC RC
VE = 0 V

V VBE
IC = cd CC

RB

IE IC
IB =

VC VBE
RB

VCE = VCC IC RC

153

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin del emisor

VB = VE + VBE

VC = VCC IC RC
VE = VEE + IE RE

IE

IE =

VEE VBE
RE
VEE VBE
R
RE + B
cd

IE IC
IB =

VB
V
IB = B
RB
RB

154

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Polarizacin con divisor de voltaje

R2
VB =
VCC
R1 + R2
VC = VCC IC RC
VE = VB VBE

IE =

VE
RE

IE IC
IE =

VTH VBE
R
RE + TH
cd

IB =

VB
cd RE

155

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Parmetros de corriente alterna (amplificador)


Amplificador emisor comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden


r 'e =

25mV
IE

Rin = R1 R2 ( ca r 'in )

Rout RC RL
AV =

RC RL
r 'e

AI =

IC
Iin

156

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Amplificador con compensacin para variacin de temperatura

RC RL
RE 1

AV

Rout = RC RL

Rin = R1 R2 ( ca + 1) ( r 'e + RE1 )


Amplificador colector comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden


r 'e =

25 mV
IE

Rin = R1 R2 ( ca + 1) r 'e + ( RE RL )
Rout = ( RE RL ) r 'e + R1 R2 rout ( ca + 1)
157

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

AV =

Re
1
r 'e + Re

Ai =

Ie
Iin

Amplificador en base comn

Ecuaciones considerando el modelo T en seal pequea de primer orden


r 'e =

25 mV
IE

Rent(emisor) = r 'e

Rsal RC
AV

RC
r 'e

Ai 1

donde:
re=Resistencia interna de CA en el emisor
Rent=Resistencia de entrada
Rsal=Resistencia de salida
Av=Ganancia en voltaje
Ai=Ganancia en corriente

158

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Transistor de efecto de campo (FET)

Parmetros de corriente directa


Caractersticas de transferencia de un JFET

VGS
ID = IDSS 1

VGS ( corte)

Transconductancia

VGS

gm = gm0 1
VDS ( corte )

Transconductancia con VGS = 0

gm0 =

2IDSS

VGS(corte)

Caracterstica de transferencia de E MOSFET

ID = K VGS VGS (umbral)

159

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Polarizacin
Polarizacin fija

VGS = VGG
IDS =

VDD VDS
RD

VDD = IDS + VDS


Autopolarizacin

IDS =

RS =

VGS
RS

VGS(OFF )
IDSS

160

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IDS

VGS
= IDSS 1
VGS
(OFF )

IDS = K1IDSS

K1 = 0.382

VGSQ = 0.382VGSoff
IDS =

VDD VDS
RD + RS

VDD = IDS ( RD + RS ) + VDS

Polarizacin por divisor de voltaje

IDS =

VGG VGS
RS

RG = R1 R2
VGG =

IDS =

R1
VDD
R1 + R2
VDD VDS
RS + RD

161

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador fuente comn

RG = R1 R2
RL = RC RL
Zi = RG
Zo = rds RD
AV =

RG
VL
= gm ( rds RD RL )
VS
RG + rS

Ai =

rDS RD
VL
=
g m RG
VS
rDS RD + RL

ID RS
ID = IDSS 1
VGS
(CORTE )

AV = gmRd

162

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V
Rent = RG GS
IGSS
Parmetros de corriente alterna (amplificador)
Amplificador drenaje comn

Caracterstica

Drenaje comn

Zi

RG

Z0

r
Rs ds
+ 1

AV 1 =

VL
Vin

AI 1 =

IL
Iin

+1

RS RL
RS RL +

AV 1 =

I R
ID = IDSS 1 D S
VGS ( corte )

AV =

gmRS
1 + gmRS

V
Rent = RG GS
IGSS

163

Zin
RL

rds
+1

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador en compuerta comn

Caracterstica

Compuerta comn

Zi

r + RD RL
RS ds

+1

Z0

RD rds + ( + 1)( RS ra )

AV 1 =

VL
Vin

AI 1 =

IL
Iin

+1
g m ( rds RD RL )
rds
1+
RD RL

AV 1

I R
ID = IDSS 1 D S
VGS ( corte )

AV = gmRD

1
Rent =
RS
gm
donde:
ID=Corriente a travs de un FET autopolarizado
Av=Ganancia en voltaje
Rent=Resistencia de entrada

164

Zin
RL

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

IDSS=Corriente en drenaje
VGS=Voltaje en la compuerta
RS=Resistencia en la fuente
IGSS=Corriente de fuga en inversa

Capacitancia

Compuerta comn

Ci

1
2 ( FL )( ra + Zin )

1
C0

f
2 L ( rL + Zout )
10

165

Drenaje comn
1
F
2 L ( ra + Zin )
10
1
2 ( fL + Zo )

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transistor MOSFET
Curva caracterstica

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

V2
ID( Act ) = K (VGS VT )VDS DS
2

bn
en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los electrones, es
LW
la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal y W el espesor de
capa de xido.

donde: K =

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser la siguiente:


ID( sat ) =

K +1
(VGS VT )2
K0

166

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificadores operacionales
Caractersticas
Razn de rechazo de modo comn
CMRR =

AVd
AVc

A
CMRR = 20log Vd
AVc
Rapidez de variacin de voltaje (slew-rate)

Vsal
t

SR =
Corriente de polarizacin de entrada

I polarizacin =

I1 + I2
2

Desequilibrio de corriente de entrada


IOS = I1 I2

Voltaje de error de salida

Vsal ( error ) = Av Ios Rent


Frecuencia mxima de operacin

fmax = AB

fmax =

SR
2Vp

si

si

167

AB

SR
2Vp

AB >

SR
2Vp

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Configuraciones de amplificadores
Amplificador no inversor

Av = 1 +

R2
R1

Seguidor de voltaje

AV = 1

Amplificador inversor

AV =

Rf
Rin

Zent Rin

168

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador sumador inversor con ganancia de n entradas

V
V
V
Vout = Rf in1 + in 2 + + inn
R2
Rn
R1

Amplificador restador

R R4
R2
Vsal = 1 + 2
V2
V1
R1 R3 + R4
R1 + R2

Amplificador derivador

Vout = RC

dVin
dt

Amplificador integrador

Vout =

1
Vin ( t ) dt + Vc ( 0 )
RC

169

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador de disparo alto


Vdisparo alto =

R2
( +Vsal
R1 + R2

max

Vdisparo bajo =

R2
( Vsal
R1 + R2

max

Amplificador de disparo bajo

Amplificador de histresis
VH = Vdisparo alto Vdisparo bajo

Amplificador de instrumentacin

1
Ig = (V2 V1 )

Rg

2R
Vintermedio = (V2 V1 ) 1 + 1

Rg

2R R
Vout = (V2 V1 ) 1 + 1 3

Rg R2

Amplificador de aislamiento
Av 1 =

Rf 1
+1
Ri 1

Av 2 =

Rf 2
+1
Ri 1

170

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificador logartmico

V
Vout = ( 0.025 ) ln in
IEBO R

Amplificador anti logartmico

Vin
Vout = R IEBO ln1

25mV

Convertidor de voltaje a corriente

Iout =

Vin
Ra

171

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Convertidor de corriente a voltaje

VOUT = IIN R1

Disparador Schmitt
RF =

Vsat
R1
Vth

R X = R1 RF

172

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Filtros activos
Ancho de banda de un filtro pasa bajas

AB = fc
Ancho de banda de un filtro pasa banda

AB = fcs fci
Frecuencia central de un filtro pasa banda

f0 = fcs fci
Factor de calidad de un filtro pasa banda

Q=

f0
AB

Filtro pasa bajas de primer orden


Ganacia

en

la

regin

de

paso

en la regin
R
H0HP = 2
R1
Frecuencia de corte
1
fc =
2R1C

de

paso

R2
R1
Frecuencia de corte
1
fc =
2R2C
H0LP =

Filtro pasa altas de primer orden


Ganacia

173

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Filtro pasa bajas Sallen&Key (KRC) de segundo orden


Si R1 = R2 = R y
C1 = C2 = C
H0LP = K = 1 +

RB
RA

1
RC
1
Q=
3K

O =

Filtro pasa altas Sallen&Key (KRC) de segundo orden


Si R1 = R2 = R y
C1 = C2 = C
H0HP = K = 1 +

1
RC
1
Q=
3K

O =

174

RB
RA

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Filtro pasa banda Sallen&Key (KRC) de segundo orden


Si R1 = R2 = R3 = R y
C1 = C2 = C

K
4K
2
O =
RC
2
Q=
4K
H0BP =

Tabla de diseo de filtros activos

n
2
3
4
5
n
2
3
4
5

Butterworth low-pass filter


f01
Q1
f02
Q2
f03
1
0.707
1
1.000
1
1
0.541
1
1.306
1
0.618
1
1.620
1
f01
1.274
1.453
1.419
1.561

Bessel low-pass filter


Q1
f02
Q2
f03
0.577
0.691 1.327
0.522 1.591 0.806
0.564 1.760 0.917 1.507

Q3

Q3

0.10-dB ripple Chebyshev low-pass filter


n
f01
Q1
f02
Q2
f03
Q3
2
1.820 0.767
3
1.200 1.341 0.969
4
1.153 2.183 0.789 0.619
5
1.093 3.282 0.797 0.915 0.539
1.00-dB ripple Chebyshev low-pass filter
n
f01
Q1
f02
Q2
f03
Q3
2
1.050 0.957
3
0.997 2.018 0.494
4
0.993 3.559 0.529 0.785
5
0.994 5.556 0.655 1.399 0.289

175

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde:
n = orden del filtro
O = 2fc f0 n para el filtro pasa bajas

O = 2fc f0 n para el filtro pasa altas


Filtros Butterworth
La magnitud de la funcin de transferencia al cuadrado es:
1

H ( j ) =

1 + 2n

La funcin de transferencia para un filtro Butterworth se expresa como:


H (s ) =

1
Bn ( s )

Los polinomios normalizados para los filtros Butterworth son:


B1 ( s ) = s + 1

B2 ( s ) = s 2 + 1.4142s + 1

B3 ( s ) = s 3 + 2s 2 + s + 1

176

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Filtros pasivos
Filtro pasa bajas de primer orden
Frecuencia de corte
1
fc =
2RC
Filtro pasa altas de primer orden
Frecuencia de corte
1
fc =
2RC
Filtro pasa bajas de segundo orden
O =

LC
1 L
Q=
R C

Filtro pasa altas de segundo orden

O =

LC
1 L
Q=
R C

Filtro pasa banda de segundo orden


O =

LC
1 L
Q=
R C

177

Formulario para el sustentante del


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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Convertidores
Convertidores de voltaje a frecuencia
f0 =

v1
Rent Cref

Vref

donde:
V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia

Convertidores de frecuencia a voltaje


V0 = Vref Rint Cref fent

donde:

fent = frecuencia de entrada en Hz


Vref = voltaje de referencia en V

Rint = resistencia del integrador interno


Cref = capacitancia de referencia
Convertidores digital analgico

B
B
B B
Is = Vref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
B
B
B B
V0 = RF IF = RFVref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
donde:
R0 =

R1 =

R2 =

R
20
R
1

R
2

178

=R

R
2

R
4

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

R3 =

R
3

R
8

Convertidordigital analgico con red de escalera R 2R


V0 =

V0 =

V0 =

Vref RF B0
para LSB = 1 nico
3R 24

Vref RF B3
para MSB = 1 nico
3R 21

Vref RF B0 B1 B2 B3
cuando el sistema est completamente activado
+
+
+
3R 24 23 22 21

Convertidor analgico digital de aproximaciones sucesivas

1 para Va > Vb
Vconv = sgn (Va Vb ) =
0 para Va < Vb

Proceso de aproximaciones sucesivas

Paso
1
2
3
4

Vb
B3 B2 B1 B0 Comparaciones Respuesta
8V
1
0
0
0
Es Va > 8 V?
S
12 V 1
1
0
0 Es Va > 12 V?
No
10 V 1
0
1
0 Es Va > 10 V?
S
11 V 1
0
1
1 Es Va > 11 V?
No
10 V 1
0
1
0
Leer salida

179

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Amplificadores de corriente
Fuente de corriente con BJT

VBE 1 = VBE 2 = VCE 1 = 0.7 V


La corriente en el colector
IC1 = IC 2 =

R1 =

IR
1+

2
F

VCC VBE1
IR

Fuente de corriente Widlar

180

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

La suma de las tensiones en la base de los transistores

VBE1 VBE2 IC2RE = 0


Para el anlisis de esta fuente de corriente es preciso utilizar la ecuacin de Ebers-Moll
simplificada de un transistor en la regin lineal que relaciona la IC con la tensin VBE:

VT ln

donde: IC1 =

IC1
IS

= IS RE

VCC VBE
R1

La resistencia de salida de esta fuente es:

F RE
1
ZO = hoe

2 1 +
hie2 + RE
Fuente de corriente Wilson

IE 2 = (1 + F ) IB 2

Si los transistores son idnticos

1 IC1
IE 2 = IC 3 + IB 3 + IB1 = 1 +
+
F F
IOUT =

VCC 2VBE
R1

181

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resistencia de salida
Zout =

1
hfe hoe
2

Fuente de corriente Cascode

Iout =

VCC 2VBE
R1

1
Zout = hfe hoe

Fuentes de corriente controlada con voltaje

182

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Si R2 = R4
IS =

R2Ve
RS R1

Para que el operacional est en equilibrio se debe de cumplir que:

V + Ve V + RS IS
=
+
R4 R1
R2
Para la polarizacin del transistor

V2 = V + RS IS

183

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica digital
Algebra de Boole
a) Propiedad conmutativa:
a+b+c+d=d+c+b+a
a b c d=d c b a
d c b a+d c a+b c=d c a+c b+d a c b

b) Propiedad asociativa:
a + b + c + d = (a + b) + (c + d)
d c b a = (d c) (b a)
c) Propiedad distributiva:
a (b + c) = a b + a c
a + (b . c) = (a + b) . (a + c)
d) Propiedad de identidad de elementos neutros 0 y 1:
0+a=a
1.a=a

e) Leyes del algebra de Boole:

f)

a+0=a

a 0=0

a+1=1
a+a=a

a 1=a
a a=a

a + a' = 1

a a' = 0

0+0=0

0-0=0

0+1=1
1+0=1

0-1=1
1-0=1

1 + 1 = 10

1-1=0

Suma y resta binaria:

g) Teorema de Shanon: Cualquier expresin booleana negada es equivalente a la


misma expresin en la que todas las variables son negadas y se sustituyen las
operaciones (+) por () y viceversa:
( (a + b) c )' = (a b)' + c'

184

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

h) Primer teorema de De Morgan: El complemento de un producto de variables es


igual a la suma de los complementos de las variables:
(a b)' = a' + b'
i)

Segundo teorema de De Morgan: El complemento de una suma de variables es


igual al producto de los complementos de las variables:
(a + b)' = a' b'

Mapa de Karnaugh
Reglas para simplificar una funcin mediante mapas de Karnaugh

Determinar el nmero de variables involucradas


Ejemplo: A y B

Realizar un mapa que cumpla con la relacin 2N. Donde N representa el nmero
de variables y 2N el nmero de combinaciones posibles
Ejemplo: Si N es igual a 2 entonces 22 = 4 combinaciones posibles

A B SALIDA
0

Debe de existir un cuadro para cada combinacin de entrada.

Introducir el valor lgico de cada minitrmino en su cuadro correspondiente.


Ejemplo: F(A,B)= m( 0,1 ).

185

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Buscar encerrar 2N cuadros adyacentes. Hacer encierros de 1,2,4,8, etc.

Determinar la funcin de salida correspondiente:


Ejemplo: Salida = /B

Aspectos a considerar
a) Tratar de hacer el mximo encierro posible
b) Buscar que no exista redundancia en los encierros seleccionados

Conversin de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3


Decimal BCD natural BCD Aiken BCD exceso 3
8 4 2 1 2 4 2 1
0
0 0 0 0
0 0 0 0
0 0 1 1
1
0 0 0 1
0 0 0 1
0 1 0 0
2
0 0 1 0
0 0 1 0
0 1 0 1
3
0 0 1 1
0 0 1 1
0 1 1 0
4
0 1 0 0
0 1 0 0
0 1 1 1
5
0 1 0 1
1 0 1 1
1 0 0 0
6
0 1 1 0
1 1 0 0
1 0 0 1
7
0 1 1 1
1 1 0 1
1 0 1 0
8
1 0 0 0
1 1 1 0
1 0 1 1
9
1 0 0 1
1 1 1 1
1 1 0 0
Circuitos digitales bsicos
Compuerta

Funcin

Tabla de verdad

f = A+ B

B
0
0
1
1

A
0
1
0
1

f
0
1
1
1

AND

f = AB

B
0
0
1
1

A
0
1
0
1

f
0
0
0
1

NOT

f=A

OR

A f
0 1
1 0

186

Smbolo

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

NOR

f = A+ B

NAND

f = AB

XOR

f = AB

XNOR

f = AB

B
0
0
1
1
B
0
0
1
1
B
0
0
1
1
B
0
0
1
1

A
0
1
0
1
A
0
1
0
1
A
0
1
0
1
A
0
1
0
1

f
1
0
0
0
f
1
1
1
0
f
0
1
1
0
f
1
0
0
1

187

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flip-flops
Flip-flop SR bsico con compuerta NAND

S R
0
0
1
1

Flip-flop SR bsico con compuerta NOR

S R
0
0
1
1

Flip-flop SR Temporizado

Q
0
0
0
0
1
1
1
1

Flip-flop D

S
0
0
1
1
0
0
1
1

0
1
0
1

R
0
1
0
1
0
1
0
1

0
1
0
1

Q(t+1)

(t+1)

invlido invlido
0
1
1
0
(t)
Q(t)

Q(t+1)

(t+1)

(t)
Q(t)
1
0
0
1
invlido invlido

Q(t+1)
(t+1)
1
0
1
0
0
1
indeterminado indeterminado
0
1
1
0
0
1
indeterminado indeterminado
Q D Q(t+1) (t+1)

0
0
1
1

188

0
1
0
1

0
1
0
1

1
0
1
0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Flip-flop JK

Flip-flop T

0
0
0
0
1
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1
1

0
1
0
1
0
1
0
1

Q(t+1) (t+1)
1
1
0
0
0
1
0
1

0
0
1
1
1
0
1
0

Q T Q(t+1) (t+1)

0
0
1
1

189

0
1
0
1

0
1
1
0

1
0
0
1

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Electrnica de potencia
Frmulas bsicas
Eficiencia
=

PCD
PCA

Valor efectivo CA
2
2
VCA = Vrms
VCD

El factor de utilizacin del transformador


PCD
Vs Is

TUF =

donde:
VS = Voltaje rms en el secundario del transformador [V]
IS = Corriente rms en el secundario del transformador [A]

Distorsin armnica total THD


1

IS2 IS2 2
THD = 2 1
IS
1

Rectificador monofsico de onda completa


VCD =

T
2V
2 2
Vm sen tdt = m

T 0

donde:
Vm = Voltaje mximo inverso [V]
Corriente promedio de carga es

ICD =

VCD
R

190

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Corriente rms de salida

Irms =

Vrms
R

Voltaje rmssalida
1

Vrms

2 T
2 V
= 2 Vm2sen 2 tdt = m
2
T 0

Rectificador trifsico en puente


VCD =

2
3 3
6 3 V cos t dt =
Vm
m

2 / 6

donde:
Vm = Voltaje mximo [V]
El voltaje rms de salida es:
1

Vcd

2
2 3 9 3 2
6 3 V 2 cos 2 t dt = +
V
=
m
0
2 4 m

2 / 6

191

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Dispositivos
Ecuacin del Diodo Schockley
VD

ID = IS e nVT 1

donde:
ID=Corriente a travs del diodo [A]
VD=Voltaje de polarizacin directo [V]
IS=Corriente de fuga [A]
n =Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8
kT
25.8 mV
q

VT =

donde:
VT=Voltaje trmico
Q=Carga del electrn (1.6022 x 10-19) [C]
T= Temperatura absoluta [K]
K=Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
Tiempo total de recuperacin inversa (trr)
t rr = ta + t b
donde:
ta=Tiempo de almacenamiento de carga en la regin de agotamiento[s]
tb=Tiempo de almacenamiento de carga en el cuerpo del semiconductor [s]
Corriente inversa pico (IRR)

IRR = t

di
d
= 2QRR i
dt
dt

donde:
QRR = carga de recuperacin inversa [C]

192

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Rectificadores monofsicos de media onda


Potencia de salida en CD

PCD = VCD ICD


Potencia de salida en CA

PCA = Vrms Irms

193

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

UJT

El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est
dado por la frmula:

Vp = 0.7 + nVB2B1
donde:
n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

Condicin para encendido y apagado


VBB VP
V VV
> R1 > BB
IP
IV

194

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

PUT
Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0

RB 2
VG = VBB

RB1 + RB 2
VG = n VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)
El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por:

T=

R2
Vs
1
= RC ln

= RC ln 1 +
f
R1
Vs Vp

Circuito de disparo para un PUT

195

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

DIAC

Si (+V) o (- V) es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito


abierto.
Si (+V) o (- V) es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito.

Circuito equivalente del DIAC

196

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

SCR
Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la
corriente de fuga Is.
En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo
comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a
ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje


nodo-ctodo VB y VA).

Circuito equivalente del SCR

197

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

TRIAC

Circuito equivalente al TRIAC

198

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IGBT

199

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GTO
Caracterstica esttica

Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.
Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una
corriente de puerta negativa:
luego IG >

IA
off

donde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:
off =

2
1 + 2 1

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser offlo
mayor posible, para ello debe ser: 21 (lo mayor posible) y 10 (lo menor posible).

200

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SIT
Curva caracterstica

Nota: A=D y K=S


IG =

I A + ICBO
1+

IG =

IA =

IA
1 + gmRG

ICBO (1 + gmRG )

1+
(1 + gmRG )
1+

201

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Teora de control
Terminologa de la ingeniera de control

donde:
r = seal de referencia o set point
e = seal de error (e=r y)
u = accin de control (variable manipulada)
y= seal de salida (variable controlada)
C = controlador
P= Proceso

Modelos de control
Los modelos clsicos de control clsico comprenden ecuaciones diferenciales de orden n.

a0

d n y (t )
dt

+ a1

d n 1y ( t )
dt

n 1

+ ... + an 2

dy ( t )
dt

+ an 1y ( t ) + an = k u ( t )

Modelo diferencial de primer orden


dy ( t )
dt

1
k
= y (t ) + u (t )

donde:
u(t) = variable de entrada
y(t) = variable de salida
= Constante de tiempo
k= ganancia del sistema

Modelo diferencial de segundo orden


Frecuencia amortiguada
d = n 1 2

202

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tipos de respuesta
Respuesta escaln
La respuesta escaln es la variacin, respecto al tiempo, de la variable de salida de un
elemento de transferencia, cuando la variable de entrada es una funcin escaln
r ( t ) = c, c = cte.

Respuesta al escaln de sistemas de primer orden


y (t ) = 1 e

Respuesta al escaln de sistemas de segundo orden


Forma estndar del sistema de segundo orden:

n 2
C (s )
= 2
R(s ) s + 2n s + n 2
donde:
es el factor de amortiguamiento
es la frecuencia angular

203

Formu
ulario para ell sustentante
e del
Exame
en General pa
ara el Egreso de la Licenciatura en Inge
eniera Electr
nica (EGEL--IELECTRO)
Direcciin de Diseo
o, Ingenierass y Arquitectura

c
1. Subamortiguado 0 < < 1 , races complejas conjugadas.

y ( t ) = 1 e nt co
os ( n t ) +
sen ( n t )

2 1

nte amortiguado = 1 , races reales e iguales.


2. Crticamen

y ( t ) = 1 e nt n t e nt
3. Sobreamortiguado > 1 , races re
eales y diferrentes.

y (t ) = 1 +

e s1t n te s2t

s2
2 2 1 s1

donde
e:

(
= (

)
1)

s1 = + 2 1
s2

4. No amortig
guado = 0 , races ima
aginarias purras.
y ( t ) = 1 cos ( n t )

204

Formula
ario para el sustentante
s
d
del
Exa
amen Genera
al para el Egre
eso de la Lice
enciatura en Ingeniera Ele
ectrnica (EG
GEL-IELECTR
RO)
Direcccin de Dise
o, Ingenieras y Arquitectu
ura

Parm
metros de la
a respuesta transitoria

Tiemp
po de retardo
o (Td)
Es el tiempo
t
que tarda
t
la resp
puesta del siistema en alcanzar por primera
p
vez la mitad dell
valor final.
f
Tiemp
po de crecim
miento (Tr)
Es el tiempo
t
reque
erido para que la respue
esta crezca del 0 al 100% de su valo
or final o del
10 al 90%.
9
T =
Tr


= tan1 d
n
Tiemp
po pico (Tp)
Es el tiempo
t
en ell cual la resp
puesta del siistema alcan
nza el primer pico del so
obreimpulso.
Tp =

mo sobreimpulso (Mp)
Mxim
Es el valor
v
pico mximo de la respuesta medido
m
desd
de la unidad.

Mp =

2
1

205

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tiempo de establecimiento (Ts)


Es el tiempo requerido por la curva de respuesta para alcanzar y mantenerse dentro de
determinado rango alrededor del valor final especificado en porcentaje absoluto del valor
final. Se usa generalmente el 5% o 2%
Para un criterio de 2%, Ts =

4
n

Para un criterio de 5%, Ts =

3
n

206

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Regla de Mason
La funcin de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) est dada por:

G (s ) =

Y (s )

U (s )

1
Gi i

donde:

Gi = ganancia de la trayectoria directa i-sima entre y

entrada

y ysalida

= determinante del sistema = 1 - (ganancia de todos los lazos individuales) +

(productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de dos lazos que no se
tocan) - (productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de tres
lazos que no se tocan) +...

i = el valor de para aquella parte del diagrama de bloques que no toca la k-sima
trayectoria directa
Tabla 1. Frmulas para sintonizacin por el mtodo de ganancia ltima
Ganancia
Tiempo
Tipo de controlador
proporcional
integral
Proporcional P
Ku/2.0
-Proporcional-Integral PI
Ku/2.2
Tu/1.2
Proporcional-Integral-Derivativo
Ku/1.7
Tu/2.0
PID

207

Tiempo
derivativo
--Tu/8.0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Controladores
Races en el plano complejo

Controlador
P

Ganancia
Gc ( s ) = Kc

1
Gc ( s ) = Kc 1 +

i s

Gc ( s ) = Kc (1 + d s )

PI
PD

1
Gc ( s ) = Kc 1 +
+ d s
i s

PID

Controladores PID
Estructura ideal

Gc ( s ) =

U (s )

1
= Kc 1 +
+ d s
E (s )
i s

donde:
E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulacin
Sintonizacin por criterios integrales para cambios en perturbacin para un PID ideal
Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE

1.305 to
Kc =
K

208

0.959

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

0.984 to
K

0.986

0.859 to
Kc =
K

0.977

Kc =

i =

0.739

to
0.492

to
i =
0.608

0.707

to
0.674

0.680

i =
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE

1.495 to
Kc =
K

0.945

Kc =

1.435 to
K

Kc =

1.357 to
K

0.921

0.947

to
i =
01.101

i =

to
0.878

209

0.771

0.749

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

i =

to
0.842

0.738

1.006

t
d = 0.560 o

1.137

t
d = 0.482 o

t
d = 0.381 o

0.995

donde:
K = la ganancia del proceso de primer orden
= constante de tiempo
to = tiempo muerto
Sintonizacin por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal
Proporcional-Integral
IAE
ITAE
Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE

210

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Comunicaciones
Osciladores
Oscilador controlado por voltaje
Modo de carga
Tiempo de carga en el capacitor
f 1 =

C1
C
vC = 1 (VH VL )
IQ
IQ

Modo de descarga
f 2 =

C1
C
C
vC = 1 (VL VH ) = 1 (VH VL )
IQ
IQ
IQ

T = f 1 + f 2 =

2C1 (VH VL )

IQ

La frecuencia de oscilacin es:

f0 =

IQ
1
=
T 2C1 (VH VL )

IQ = Gm (vCN + vCO )

donde:
Gm = Transconductancia de la fuente de corriete, en A/V
VCN = voltaje de control aplicado, en V
VCO = voltaje constante
K vF =

df0
Gm
=
dvCN 2C1 (VH VL )

211

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Oscilador de corrimiento de fase


La funcin de transferencia del oscilador es:

(s ) =

VF ( s )
Vo ( s )

R 3C 3s 3
R 3C 3s 3 + 6R 2C 2s 2 + 5RCs + 1

La ganancia de voltaje de lazo cerrado es:

A (s ) =

Vo ( s )

VF ( s )

RF
R1

La frecuencia de oscilacin es:


f0 =

1
2 6RC

La resistencia de retroalimentacin es:


5

RF = R1 2 2 2 1
R C

Osciladores de cuadratura
La funcin de transferencia es:

1
1
Cs
(s ) =
=
=
1
+
R
1 + RCs
Vo ( s )
Cs

Vf ( s )

La frecuencia de oscilacin es:

f0 =

1
2RC

Af =

1
= 2

La ganancia en lazo cerrado es:

212

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

El voltaje en la salida es:

RVo1
1 + RCs

Vo =
Osciladores de Puente Wien
La funcin de transferencia es:

(s ) =

VF ( s )
Vo ( s )

RCs
2

2 2

R C s + 3RCs + 1

La ganancia en voltaje de lazo cerrado es:


A (s ) = 1 +

RF
R1

La frecuencia de oscilacin es:

f0 =

1
2RC

La condicin para la oscilacin es:


RF
=2
R1

Oscilador Colpitts
La ganancia de lazo cerrado es:
1 A = 0

La frecuencia de oscilacin es:


1

1 C1 + C2 2
f0 =

2 C1C2L

213

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Oscilador de Harley
La frecuencia de oscilacin es:
1

2
1
1
f0 =

2 C ( L1 + L2 )

Osciladores de cristal
La impedancia del cristal esta dada por:

Z (s ) =

1 s 2 + s2
sCp s 2 + 2p

La frecuencia de oscilacin es:

f0 =

1
2 LCs

555/556 (Multivibrador astable)

donde:
TA = 0.693 ( Ra + Rb ) C

TB = 0.693RbC
La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula:
f0 =

1.44
( Ra + 2Rb ) C

y el perodo es simplemente: T = 1/ f0

214

Formula
ario para el sustentante
s
d
del
Exa
amen Genera
al para el Egre
eso de la Lice
enciatura en Ingeniera Ele
ectrnica (EG
GEL-IELECTR
RO)
Direcccin de Dise
o, Ingenieras y Arquitectu
ura

555/55
56 (monoes
stable)

mpo o period
do es igual a:
a
El tiem

T = 1.1RaC

La esp
pecificacin mnima de muestras
m
po
or segundo de
d una tarjettaDAQ
encia mnima
a de muestre
eo = 2*fmax
frecue

215

Formu
ulario para ell sustentante
e del
Exame
en General pa
ara el Egreso de la Licenciatura en Inge
eniera Electr
nica (EGEL--IELECTRO)
Direcciin de Diseo
o, Ingenierass y Arquitectura

Modulacin y demodulacin
n AM-FM
Modulacin en am
mplitud
Seal moduladora
a
y s ( t ) = As cos ( s t )

Seal portadora

( )

y p ( t ) = Ap cos p t

Seal modulada

( )

y ( t ) = Ap 1 + mAp xn ( t ) cos p t

donde
e:
s
modullada
y(t) = seal
xn(t) = seal modu
uladora norm
malizada con
n respecto a su amplitud
d = ys(t) / As
m = n
ndice de mod
dulacin (suele ser menor que la un
nidad)=As / Ap
ndice de modulac
cin en A.M..

m=

E max E min
E max + E miin

donde
e:
y(t) = seal
s
modullada
xn(t) = seal modu
uladora norm
malizada con
n respecto a su amplitud
d
m = n
ndice de mod
dulacin (suele ser menor que la un
nidad)

216

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Factor de modulacin:
mt = m12 + m22 + m32 + ...

donde:
mt = ndice de modulacin total
m1, m2, m3= ndice de modulacin de las seales moduladoras
Potencia total transmitida
Pt = Pc +

m2
m2
Pc +
Pc
4
4

donde:
Pt = potencia total transmitida (W)
Pc = potencia de portadora (W)
m = ndice de modulacin
La expresin matemtica de la seal modulada en frecuencia est dada por:

f
cos ( 2fm t )
v ( t ) = Vp sen 2fp t +
fm

El ndice de modulacin es:


m=

f
fm

donde:
mf = ndice de modulacin
f = variacin de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora

Decibel

P
dB = 10log10 1
P0
El decibel referenciado a 1 mW

P1
P ( dBm ) = 10 log10

1 mW

217

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Densidad de flujo (W/m2)

S dB

W /m

) = 10log

10

P1

1W / m

Decibel referenciado a V

U
U dBV = 20 log10 1
1 V

Acoplamiento de impedancias
Decibel en antenas
dBi = Ganancia de una antena referenciada a una antena isotrpica
dBd = Ganancia de una antena referenciada a una antena dipolo
dBq = Ganancia de una antena referenciada a una antena de un cuarto longitud de onda
Decibel en acstica
dB(SPL) = Nivel de presin del sonido relativo a 20 Pa
dB(PA) = dB relativo a un pascal
dB SIL = intensidad de nivel de sonido referenciado a 10 E-12 W/m2
dB SWL = Nivel de potencia del sonido referenciado a 10E 12W

Oscilador de relajacin UJT

donde:
Vp = Vd + Va = Vd + nVbb

218

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n=

R1
R
= 1
R1 + R2 Rbb

T = ReCe ln

Re max =

1
1 n

(Vbb Vp )
Ip

Vbb = Re minIv + Vv

Oscilador de relajacin PUT

donde:
Vg =

Vbb Rb1
= nVbb
Rb1 + Rb 2

Vak = Vp = Vd + Vg = 0.7 + nVbb

T = RC ln

1 + Rb1
Rb 2

(Vbb Vp )

Rmax =

Ip

Rmin =

Vbb Vv
v

219

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

220

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Instrumentacin
Valor promedio
Aprom =

rea bajo la curva


longitud del periodo

Siendo Aprom el valor promedio de la onda


T

Aprom =

1
f ( t ) dt
T 0

El valor rms
T

Arms

2
1
f ( t ) dt
=

T 0

Seal senoidal
Aprom = 0

Arms =

A0
2

Rectificador de onda completa (seal senoidal)


2 A0
Aprom =

A0
Arms =
2

Arms =

Arms =

A0
3

Seal senoidal desplazada con


CD
Aprom = A0

Seal cuadrada

Aprom =

Rectificador de media onda


(seal senoidal)
A
Aprom = 0

A
Arms = 0
2
Seal triangular
Aprom = 0

A0
2
A0

Arms = A02 +

Errores en medicin
Error absoluto = Resultado - Valor verdadero

Error relativo =

Error absoluto
Valor verdadero

221

1 2
A1
2

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Puentes de Wheatstone
Rx R2
=
R3 R1
Puente ligeramente desbalanceado
RTH = ( R1 R2 ) + ( R3 R x )

VTH = V0

R3 R
2R3 R x + R32 + R x2

Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:
RTH = R

VTH = V0

222

R
4R

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Puente de Kelvin
R5 R1
=
R6 R2

Ruido trmico o ruido de Jhonson


E n = 4KTR ( fH fL )

donde:
K = constante de Boltzman = 1.38E-23 J/K
T = temperatura (K)
R = Valor de la resistencia ()
fH = frecuencia mxima de operacin (Hz)
fL = frecuencia mnima de operacin (Hz)

Termopar
La relacin de temperatura voltaje es:

V0 = AT + BT 2

223

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Caractersticas de los termopares

Tipo

Composicin

Platino 30% Rodio (+)


Platino 6% Rodio (-)
Tungsteno 5% Renio (+)
Tungsteno 26% Renio (-)

Cromel (+)
Constantn (-)

Hierro (+)
Constantn (-)

Cromel (+)
Alumel (-)

Nicrosil (+)
Nisil (-)

Platino 13% Rodio (+)


Platino (-)
Platino 10% Rodio (+)
Aqu me quede Platino (-)

Rango de
medicin
continua
(C)

Sensibilidad
aprox.
(V/oC)

50 a 1800

10

Notas

Fcilmente
contaminado, requiere
proteccin.

0 a 2300

Sin resistencia a la
oxidacin. Para usos
en vaco, hidrgeno o
atmsferas inertes.

-40 a 800

68

No someterlo a la
corrosin en
temperaturas
criognicas.

55

Recomendado en
ambientes reductores o
secos. El cable de
hierro se oxida en altas
temperaturas, por lo
que se usan
calibresgruesos para
compensar.

41

No recomendado en
ambientes con
presencia de azufre. Se
usa en ambientes
inertes o levemente
oxidantes.

39

Mayor resistencia a la
oxidacin y al sulfuro
que el tipo K; estable
a alta temperatura.

0 a 1600

10

Recomendado en
atmsferas oxidantes.
Fcil de contaminarse,
requiere proteccin.

0 a 1600

10

Patrn de laboratorio,
altamente reproducible.

-100 a 750

-180 a 1300

-270 a 1300

224

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Caractersticas de los termopares

Tipo

Rango de
medicin
continua
(C)

Composicin

Sensibilidad
aprox.
(V/oC)

Notas
Buena resistencia a
ambientes oxidantes,
pobre resistencia a
ambientes reductores.

Cobre (+)

-185 a 400

Constantn (-)

43

El ms estable en
rangos de temperatura
criognica. Excelente
en atmsferas
reductoras y oxidantes
dentro del rango de
temperatura.

Termistor
El cambio de resistencia de los termistores en respuesta a cambios en la temperatura

1
3
= A + B ( ln R ) + C ( ln R )
T
donde:
T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor ()
A,B,C = constantes del ajuste de curva
La proximacin de la resistencia se obtiene con:

R = R0

1 1

T T0
e

donde:
R = resistencia a la temperatura T (K)
R0 = resistencia a T0 (K)
= constante del ajuste de curva

225

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Sensores
Sensores resistivos
Potencimetros

R=

l (1 ) = ( l x )
A
A

donde:
x = distancia recorrida desde un punto fijo
= fraccin de longitud correspondiente en un punto fijo
= coeficiente de resistividad del material
l = longitud del material
A = seccin transversal del material

Galgas extensomtricas
Las galgas extensomtricas se basan en la variacin de la resistencia de un conductor o
un semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo mecnico.

R =

l
A

Si se somete a un esfuerzo en la direccin longitudinal R cambia.


dR d dl dA
=
+
R

l
A

El cambio de longitud que resulta se determina a travs de la ley de Hooke

F
dl
= E = E
A
l

donde:
E = mdulo de Young
= tensin mecnica
= deformacin unitaria

226

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Fotorresistencia
Energa de la radiacin ptica
E = hf

donde:
E = energa
h = constante de Planck 6.62 x 10-34Ws2
f = frecuencia
Para la longitud de onda de radiacin

hc
E

=
donde:
c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J

Sensores capacitivos
Condensadores variables

C 0 r

A
( n 1)
d

donde:
A = rea de las placas
d = distancia entre pares de placas
r = constante dielctrica relativa
0 = 8.85 pF/m
Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parmetro que vara y
del tipo de medicin. En un condensador plano, si vara A o r por lo cual:
C=

A
d (1 + )

donde:

d
x

227

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Condensador diferencial

Vi = V

C1 =

A
d1 + x

C2 =

A
d2 x

1
di x
1
1
+
di + x di x

=V

Por lo cual, para el caso en que d1 y d2, se tiene:

V1 V2 = V
Sensores inductivos
La inductancia se expresa como:

L=N

d
di

donde:
N = nmero de vuelas del circuito
I = corriente
= flujo magntico
El flujo magntico se obtiene con:

M
R

228

x
d

di x
2d i

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

donde:
M = fuerza electromotriz
R = reluctancia
Para una bobina de seccin A y de longitud l, la reluctancia es:
R=

1 1
0 r A

Sensores electromagnticos
Sensor basado en la ley de Faraday

e = N

d
dt

Tacogeneradores
La tensin inducida por el generador es:
e = NBA sentdt

Si es constante
e = NBA cos t

Sensores de velocidad lineal


e = Blv

donde:
L = longitud del conductor
v = velocidad lineal

229

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Sensores de efecto Hall

AH =

VH t
IB

Aportacin de magnitud y fase para cada trmino de la funcin de transferencia

Magnitud
logartmica
20 log K

20 log

= 90

1
j

20 log

= 90

j + 1

20 log

1
j + 1

20 log

Trmino

ngulo de fase

Magnitud logartmica

ngulo de fase

= 0

20 log K
Lnea diagonal con
pendiente 20 dB/dec
que cruza el punto
(w=1,db=0)
Lnea diagonal con
pendiente 20 dB/dec
que cruza el punto
(w=1,db=0)
0 db, hasta la
frecuencia de corte.
1
= Pendiente 20

dB/dec a partir de
1
>

0 db, hasta la
frecuencia de corte
1
=

= 0

= tan

= tan

Pendiente - 20 dB/dec a

Lnea horizontal 0 db
hasta = n

= 90

= 90

de = 0 a 90
1
en = = 45

de = 0 a 90
1
en = = 45

partir de >

2
2n

j
+1
n

j
+
+1
2
n n

e j t 0

2

n
1
40 log
= tan
2
n

1
n

2

n
1
40 log
= tan
2
n

1
n
0

= 57.3t0

230

Pendiente 40 dB/dec
para > n
Lnea horizontal 0 db
hasta = n
Pendiente -40 dB/dec
para > n
0

de = 0 a 180
en = v = 90

de = 0 a
180 en
= v = 90

= 57.3t0

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Transformada Z
La TZ bilateral de una seal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una funcin
X(z) que se define:

X ( z ) = Z { x [ n ]} =
donde:
n= un entero
z= un nmero complejo

231

x [n ] z n

n =

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Tablas adicionales de datos prcticos


Sistema de unidades elctricas. Frmulas fundamentales en CD

Magnitud

Frmulas ms
utilizadas para su
clculo

Sistema
MKSI
Unidad Smbolo
Ampere
A

CGSEM
Unidad Smbolo

Desplazamiento o
induccin
Cantidad de
electricidad
d.d.p. o tensin
Resistencia
Capacidad
Campo elctrico y
gradiente de
potencia
Desplazamiento o
induccin
electrosttica
Induccin
magntica
Campo magntico

I,
i
Q

Coulomb

Q=It

U
R
C
E

Volt
Ohm
Farad
V/m

F
--

V=RI
R=V/I
C=Q/V
E=F/Q

Q/m2

--

D=E

Tesla

W/m2

Gauss

Gs

A/m

--

Oersted

Oe

Permeabilidad
Flujo magntico

-Weber

-Wb

Maxwell

Mx

Ampere

At, A

Gisbert

Gb

Henry
At/Wb
Candela
Lumen
lm/s
Lux
Stilb

Fuerza
magnetomotriz
.Inductancia
Reluctancia
Intensidad luminosa
Flujo luminoso
Cantidad de luz
Iluminacin
Brillo

L
R
I

Q
E

Cd
lm
-lx
sb

232

I=V/R

=1.25 N I /L
(Gs)
H=1.25 N I/L
(Oe)
=/H
=1.25NIS/L
(mx)
=1.25 N I
L=N/108I
R=I/S
I=/
=Q/t
-E=/S
Sb=1 cd/1 cm2
1 nit= 1 cd/1 m2

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Resistividad y conductividad de conductores (a 20 C)

Material
Acero dulce
Aluminio
Antimonio
Cadmio
Carbn
Cobre (elc.)
Constantn
Cromo-Ni-Fe
Estao
Hierro fundido
Hierro (puro)
Grafito
Latn Ms 58

mm
m
0.1300
0.0278
0.4170
0.0760
40.000
0.0175
0.4800
0.1000
0.1200
1.0000
0.1000
8.0000
0.0590

Material

7.700
36.00
2.400
13.10
0.025
57.00
2.080
10.00
8.300
1.000
10.00
0.125
17.00

Latn Ms 63
Magnesio
Manganina
Mercurio
Nquel
Niquelina
Oro
Plata
Plata alemana
Platino
Plomo
Tungsteno
Zinc

mm 2
m
0.0710
0.0435
0.4230
0.9410
0.0870
0.5000
0.0222
0.0160
0.3690
0.1110
0.2080
0.0590
0.0610

14.00
23.00
2.370
1.063
11.50
2.000
45.00
62.50
2.710
9.000
4.800
17.00
16.50

Resistividad de aislantes
cm
1018
106
107
1018
1014
1018
1010

Material
Aceite de parafina
Agua de mar
Agua destilada
mbar comprimido
Baquelita
Caucho (hule) duro
Mrmol

cm
1017
1018
1015
1018
1014
108
1015

Material
Mica
Parafina (pura)
Plexigls
Poliestireno
Porcelana
Tierra hmeda
Vidrio

Coeficiente trmico de resistencia 20 (a 20 C)


Material
Acero dulce
Aluminio
Carbn
Cobre
Constantn
Estao
Grafito
Latn

C 1, K 1
+ 0.00660
+ 0.00390
-0.00030
+0.00380
-0.00003
+ 0.00420
-0.00020
+ 0.00150

Material
Manganina
Mercurio
Nquel
Niquelina
Plata
Plata alemana
Platino
Zinc

233

C 1, K 1
+/- 0.00001
+ 0.00090
+ 0.00400
+ 0.00023
+ 0.00377
+ 0.00070
+ 0.00390
+ 0.00370

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Constante dielctrica r
r
4
2.5
2.5

Material aislante
Papel Kraft
Papel pescado
Parafina

r
4.5
4
2.2

2.2

Material aislante
Caucho (hule) duro
Caucho (hule) suave
Compuesto
(compound)
Cuarzo

4.5

Petrleo

2.2

2.5

Ebonita

2.5

Pizarra

80
1
4.2

Esteatita
Fibra vulcanizada
Gutapercha

6
2.5
4

Plexigls
Poliamida
Polistireno

3.2
5
3

1.5

Laca (Shellac)

3.5

Porcelana

4.4

3.6
3.6
4

Mrmol
Mica
Micanita
Papel

8
6
5
2.3

Resina fenlica
Tefln
Tela
Trementina
(aguarrs)
Vidrio

8
2
4
2.2

Material aislante
Aceite de oliva
Aceite de parafina
Aceite de ricino

r
3
2.2
4.7

Aceite mineral para


transformadores
Aceite vegetal para
transformadores
Agua
Aire
Aislamiento para
cable alta tensin
Aislamiento para
cable telefnico
Araldita
Baquelita
Cartn comprimido

Papel impregnado

Serie de potenciales electroqumicos


Diferencia de potencial referida a electrodo de hidrgeno
Material
Aluminio
Berilio
Cadmio
Calcio
Cobalto
Cobre
Cromo
Estao

Volts
-1.66
-1.85
-0.40
-2.87
-0.28
+0.34
-0.74
-0.14

Material
Hidrgeno
Hierro
Magnesio
Manganeso
Mercurio
Nquel
Oro
Plata

Volts
0.00
-0.41
-2.37
-1.19
+0.85
-0.23
+1.50
+0.80

Material
Platino
Plomo
Potasio
Sodio
Tungsteno
Zinc

Volts
+1.20
-0.13
-2.93
-2.71
-0.58
-0.76

Nmeros estandarizados mediante una razn progresiva

Serie E 6 6 10
1.0

1.5

2.2

3.3

)
4.7

6.8

Serie E 12 12 10

1.0

2.2

4.7

1.2

2.7

5.6

1.5

3.3

6.8

234

Serie E 24 24 10
1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6

2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6

)
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

10

22
etc.

47

1.8

3.9

8.2

10

22
etc.

47

1.8
2.0
10

3.9
4.3
22

8.2
9.1
47
etc.

Intensidad de campo h y permeabilidad relativa r en funcin de la induccin


magntica b deseada

Induccin o densidad
de flujo
B
Tesla
(T=Vs/m2)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3

Hierro fundido

Gauss(Gs)

A/m

1 000
2 000
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
10 000
11 000
12 000
13 000
14 000
16 000
17 000
18 000
19 000
20 000
21 000
22 000
23 000

440
740
980
1 250
1 650
2 100
3 600
5 300
7 400
10 300
14 000
19 500
29 000
42 000

Acero fundido y
lmina tipo
dynamo
W
Fe10 = 3.6
kg
r
H
A/m

181
215
243
254
241
227
154
120
97
77
63
49
36
26

30
60
80
100
120
140
170
190
230
295
370
520
750
1 250
3 500
7 900
12 000
19 100
30 500
50 700
130 000
218 000

A/m
2 650
2 650
2 980
4 180
3 310
3 410
3 280
3 350
3 110
2 690
2 360
1 830
1 380
890
363
171
119
79
52
33
13
4

Valores para lmina tipo dynamo (de la norma din 46 400)


235

Lmina de acero
aleado
W
Fe10 = 1.3
kg

8.5
25
40
65
90
125
170
220
280
355
460
660
820
2 250
8 500
13 100
21 500
39 000
115 000

9 390
6 350
5 970
4 900
4 420
3 810
3 280
2 900
2 550
2 240
1 900
1 445
1260
495
150
103
67
39
14

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Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Clase
Tipo
Tamao
mm x mm
Espesor, mm
Densidad, kg/dm3
Valor mximo
Fe10
de las prdidas,
Fe10
W/kg
Tesla
B25
Gauss
Tesla
Valor
B50
Gauss
mnimo
de la
Tesla
B100
induccin
Gauss
Tesla
B300
Gauss

Lmina
normal
I 3.6

Lmina de aleacin
Mediana
Alta
III 2.3
IV 1.5
IV 1.3

Baja
II 3.0

1 000 x 2 000

750 x 1 500

0.5

0.35

7.8
3.6

7.75
3.0

7.65
2.3

7.6
1.5

1.3

8.6

7.2

5.6

3.7

3.3

1.53
15 300
1.63
16 300
1.73
17 300
1.98
19 800

1.50
15 300
1.60
16 000
1.71
17 100
1.95
19 500

1.47
14 700
1.57
15 700
1.69
16 900
1.93
19 300

1.43
14 300
1.55
15 500
1.65
16 500
1.85
18 500

Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una induccin o densidad de flujo mnima de
1.53 T se alcanzar con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una lnea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarn: 5 x 25 = 125 A.

Fe10
Fe15

Prdidas magnticas por unidad de masa


con las inducciones de:

10 000 Gs = 1.0 tesla


15 000 Gs = 1.5 tesla

Los valores corresponden a las siguientes condiciones:


Densidad a t=15 C
Temperaturas (o puntos) de fusin y de ebullicin para = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre parntesis indican sublimacin, o sea, cambio directo del estado slido
al gaseoso.
Conductividad trmica a 20 C
Capacidad trmica especfica (o calor especfico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 C

Puntos de
Sustancia

Densidad

Fusin
(soldf.)

Ebullicin

Aceite de colza
Aceite de linaza
Aceite para calefaccin
Aceite para mquinas

kg/dm3
0.91(3)
0.94(3)
0.92(3)
0.91

C
-3.5
-20
-5
-5

C
300
316
175-350
380-400

236

Conductividad
trmica
k
W/(mK)(1)
0.17
0.15
0.12
0.126

Calor
especfico
c
kJ/(kgK)(2)
1.97
1.67

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Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Aceite para
transformadores
Acero
Acero colado
Acero dulce
Acero de alta velocidad
Acetona
cido actico
cido cianhdrico
cido clorhdrico 10%
cido clorhdrico 40%
cido fluorhdrico
cido ntrico
cido sulfrico
cido sulfrico 50%
cido sulfrico
concentrado
gata
Agua
Alcohol
Alcohol etlico 95%
Alcohol metlico

0.87

-5

170

0.15

1.84

7.85
7.8
7.85
8.4-9.0
0.79(3)
1.08
0.7
1.05
1.20
0.99
1.56(4)
1.49(5)
1.40

~1 350
~1 350
~1 400
~1 650

2 500

47-58
52.3
46.5
25.6

0.46
0.502
0.461
0.498

0.50

3.14

16.8
-15
-14

2 500
2 600
56.1
118
27
102

-92.5
-1.3
-73

19.5
86
-10

0.53

2.72
1.34

1.84

10-0

338

0.5

1.38

~2.6
1.0(6)
0.79
0.82(3)
0.8

~1 600
0
-130
-90
-98

~2 600
100
78.4
78
66

11.20
0.58
0.17-0.23
0.16

0.80
4.183
2.42

237

2.51

Formulario para el sustentante del


Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniera Electrnica (EGEL-IELECTRO)
Direccin de Diseo, Ingenieras y Arquitectura

Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San ngel, Del. lvaro Obregn, C.P. 01000, Mxico, D.F.
www.ceneval.edu.mx
El Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior es una asociacin civil sin
fines de lucro que qued formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pblica nmero 87036 pasada ante la fe del notario 49 del Distrito Federal.
Sus rganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la Direccin
General. Su mxima autoridad es la Asamblea General, cuya integracin se presenta a
continuacin, segn el sector al que pertenecen los asociados, as como los porcentajes
que les corresponden en la toma de decisiones:

Asociaciones e instituciones educativas (40%):


Asociacin Nacional de Universidades e Instituciones de Educacin Superior, A.C.
(ANUIES); Federacin de Instituciones Mexicanas Particulares de Educacin Superior,
A.C. (FIMPES); Instituto Politcnico Nacional (IPN); Instituto Tecnolgico y de Estudios
Superiores de Monterrey (ITESM); Universidad Autnoma del Estado de Mxico (UAEM);
Universidad Autnoma de San Luis Potos (UASLP); Universidad Autnoma de Yucatn
(UADY); Universidad Nacional Autnoma de Mxico (UNAM); Universidad Popular
Autnoma del Estado de Puebla (UPAEP); Universidad Tecnolgica de Mxico (UNITEC).
Asociaciones y colegios de profesionales (20%):
Barra Mexicana Colegio de Abogados, A.C.; Colegio Nacional de Actuarios, A.C.; Colegio
Nacional de Psiclogos, A.C.; Federacin de Colegios y Asociaciones de Mdicos
Veterinarios y Zootecnistas de Mxico, A.C.; Instituto Mexicano de Contadores Pblicos, A.C.
Organizaciones productivas y sociales (20%):
Academia de Ingeniera, A.C.; Academia Mexicana de Ciencias, A.C.; Academia Nacional
de Medicina, A.C.; Fundacin ICA, A.C.
Autoridades educativas gubernamentales (20%):
Secretara de Educacin Pblica.
Ceneval, A.C., EXANI-I, EXANI-II son marcas registradas ante la Secretara de
Comercio y Fomento Industrial con el nmero 478968 del 29 de julio de 1994. EGEL,
con el nmero 628837 del 1 de julio de 1999, y EXANI-III, con el nmero 628839 del 1
de julio de 1999.
Inscrito en el Registro Nacional de Instituciones Cientficas y Tecnolgicas del Consejo
Nacional de Ciencia y Tecnologa con el nmero 506 desde el 10 de marzo de 1995.
Organismo Certificador acreditado por el Consejo de Normalizacin y Certificacin de
Competencia Laboral (CONOCER) (1998).
Miembro de la International Association for Educational Assessment.
Miembro de la European Association of Institutional Research.
Miembro del Consortium for North American Higher Education Collaboration.
Miembro del Institutional Management for Higher Education de la OCDE.

238

Direccin General Adjunta de los EGEL


NOVIEMBRE 2014

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