Sunteți pe pagina 1din 8

Comutarea Tranzistorului Bipolar

Studenti:
IlieAblachimConstantinDenis322AB
TothNarcis321AB
OlteanuAndrei322AB

Pentrustudiulcomportariitranzistoruluibipolar,putemasemanacomportamentul
acestuiacucomportamentuladouadiode(faptdatoratcelordouajoctiuni:BCrespectiv
BE).
Untranzistorpoateficaracterizatprin3mariregimuridefunctionare,acesteafiind:
regimul
blocat
regimulin
zonaactiva
regimul
saturat

RegimulBlocat:
PentrutensiuniU
maimicidecattensiuneadedeschidereadiodeide
BE
peEmitor,intreemitorsicoelctornupoatecirculaniciuncurent,cadereadetensiunedepe
rezistentadincolectorR
fiindnula,iarU
=V
.Inacestcaz,ambelediodesuntblocate
C
CE
cc
RegimulSaturat
:Dacacrestemtensiuneadeintrareinbaza,vomobservadeschiderea
diodeidintrebazasiemitor,lucrucevapermitecrugereaelectronilorintreemitorsicolector.
DeasemeneaintensitateadepecolectorsiemitorvainfluentatensiuneaU
carevaincepe
CE
sascadaprogresiv,dincauzarezistenteidepecolectorcarevaconsumatensiuneade
intrareV
.Inregimulsaturatensiuneadintrecolectorsiemitorestefoartemica,comparativ
cc
cuU
=0.10.2V.Inacestcaz,ambelediodeauroldeconductie.
CE
Regimulinzonaactiva
:Reprezintazonadetranzitiedintreregimulblocatsiregimulsaturat,
inacestcazcurentuldepecolector,respectivtensiuneadepeiesireputandfiicontrolateprin
tensiuneadeiesiresicurentuldinbaza.Aicidiodadepeemitorareroldeconductie,intimp
ceceadepecolectoresteblocata.

Schemafolositapentrustudiulcomportamentuluitranzistoruluibipolar


Pentruaobtinecele3regimurideinteres:Saturatie,SaturatiincipientasiRegiunea
activnormala,avemladispozitieunpotentiometruinbazatranzistorului,alcaruivaloareo
putemmodificapentruaobtinezoneledeinteres.
Casiobservatie,zonadeSaturatieincipienta,reprezintazonadetranzitieimediat
intalnitalatrecereadintreregimurile:saturatsiregiuneaactivnormala.
IncadrulsimularilorinLTSpiceobservamcanuputemobtineounrezultatfoarteclar
alzoneidesaturatie,lucrudatoratvalorilorrezistentelor,dinschema,darsiasureseide
tensiunecareesteideala.Valorileacestorasuntluatecuscopuldeaobtinerezultatevizibile
cuaparaturiledinlaborator,lucrudestuldegreudeobserbvatintrunsimulator..Asadarvom
considerainsimulatorurmatoarelevalorialepotentiometruluipentruaobtinezonelede
interes:
610kregimblocat
4,5kregimran
100regimsaturatincipient
0regimsaturat

RegimBlocat:

Inacestcazsepoateobservafoarteclarcatensiuneadeiesirevariazafoarteusorin
jurultensiunedealimentaredepecolector:10V.Deasemenea,intensitateadepecolectorsi
emitorestef.micacomparativcu0.Deciregimulblocatesteasiguratdecele2valori.

RegimRAN
(V
=3V)
:
BB


t
=45.5ns
crestere

t
=993.80ns
cadere
t
=74.8223ns
stocare

RegimdeSaturatieIncipienta
(V
=3V):
BB

t
=72.401ns
crestere

t
=31.628ns
cadere
t
=74.8223ns
stocare


RegimSaturat
(V
=3V)
:
BB

t
=73.573ns
crestere

t
=26.364ns
cadere
t
=4.825ns
stocare

SimulareRAN

V
BB

V
GG

t+

188.29ns

45.5ns

1.6938ns

139.40ns

993.80ns

128.79ns

ts

SimulareSaturareIncipenta
V
BB

V
GG

t+

93.983ns

72.401ns

48.706ns

26.546ns

31.628ns

38.102ns

ts

2.621ns

7.48223ns

7.507ns

V
BB

V
GG

t+

96.282ns

73.573ns

47.274ns

23.011ns

26.364ns

32.052ns

ts

3.112ns

4.825ns

5.494ns

SimulareSaturare

Datemasurateinlaborator:

RAN

Sat.Inc

Sat

Tcrestere

750ns

450ns

150ns

Tcoborare

400ns

300ns

200ns

AccelerareacircuituluidecomutatielaSaturatieincipienta
Acestcazesteintalnitdoarinregimuldesaturatieincipienta.Pentrurealizareaacestui
experimentamlegatuncondensatorinparalelcurezistentadinbazatranzistorului.

Datedinlaborator:
t
=150ns
crestere
t
=80ns
cadere
MasuratorisimulareLTSpice:
t
=200ns
crestere
t
=60ns
cadere

Seobservacacondensatorulajutaladeschidereamultmairapidaatranzistorului.
Initialcondensatorulseincarcasidupacesedescarcaajutaalacrestereamairapidaa
tensiuniidedeschidereatranzistorului.

Evitareaintrariiinsaturatieprinscurtcircuit(datedinlaborator)

Prinfolosireascurcircuitului,pentruaevitaintrareainsaturatie,amobtinutinLTSpice
untimpdecrestereegalcut
=40ns.
crestere
Deasemenea,avem:
t
=100ns
cadere
t
=25ns
stocare