Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Elemente de circuit n
regim de comutaie
Comutatorul ideal i
comutatorul real
R
Comutatorul ideal
I
B
Comutaie
direct
E/R
Comutaie
invers
A
E
E2
PL
;
R
Comutatorul real
R
rC
+ E
-
CP
rb
k
Figura 3.3. Comutatorul real
Starea de conductie a
comutatorului real
V rc I (3.3)
R
R rc
c
Starea de blocare a
comutatorului real
Starea de blocare este descris de ecuaia:
V rb I (3.6)
Pe dreapta de ecuaie (3.6) se gsete
i punctul static de funcionare B, de
coordonate (VB0,IB0). Coordonatele
acestuia se determin n acelai mod ca
i n cazul conduciei i sunt exprimate
prin relaiile de mai jos:
I B0
R rb
VB0
rb
E
rb R
ICO
(2)
Comutaie
invers
IBO
B
N
Comutaie
direct
VCO
VBO
Comutatorul ca si cuadripol
Vin
Vout
Vo
ut
II
III
Vi
n
Comutatia directa
innd seama de schema echivalent a comutatorului real, se obine succesiv:
rc
V ()
E;
R rc
rb
V (0)
E
R rb
V (t ) V () V () V (0)e
rc R
c Rechiv cond Cp (rc || R ) Cp
Cp
rc R
E
V (t )
(rc Re c )
rc R
R(rb rc ) c
E
V (t )
[rc
e ]
rc R
rb R
Comutatia inversa
Se pun n eviden valorile iniiale i finale ale tensiunii:
V ()
rb
E
rb R
, V (0)
rc
E
rc R
t
R(rb rc ) b
E
V (t )
[rb
e ]
rb R
rb R
Dac R<< rb ,
rezult
t
R
V (t ) E (1
e b )
rb R
b Rcchiv bl Cp
rbR
Cp RCp
rb R
Timpii de crestere/cadere
n cazul n care se consider tensiunea de intrare ca fiind un
impuls dreptunghiular, dac se calculeaz timpii de cretere, respectiv
de cdere ntre 10% i 90% din Vmax, se obine rspunsul din figura 3.7,
unde:
tTLH 2,2 c
tTHL 2,2 b
V
Vmax
0,9 Vmax
0,1 Vmax
t
tTLH
tTHL
I
Ic0
Ib0
V
Vb0
Tc
Tb
t
T
t
Vc0
P
1
P f( )
T
Dioda in comutatie
Regimuri de functionare
Dioda ca si comutator
R
Vin
D
a
Vin
IA
V1
I0
t
Vout
VO VA
V2
Figura 3.9. Circuit pentru studiul diodei n comutaie (a), semnal de intrare pentru studiul comutaiei
(b), caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare (c)
Dioda in comutatie
V1 VD V1
R
R
V2
R
pp = Na ; pn = Nd iar pp np = pn nn = ni2
(3.25)
x ln
qVA
, pentru x l n
p( x ) pn pn exp
1 exp
KT
Lp
x lp
qVA
n( x ) np np exp
, pentru x l n
1 exp
KT
Ln
Distributia concentratiei de
purtatori in polarizare constanta
Concentraie
Concentraie
regiune p
(Na)
pn(x)
n(0)
np(0)
regiune n
(Nd)
regiune p
regiune n
(Nd)
(Na)
pn(0
)
p(x)
np(0)
n(x)
p(x)
n(x)
np
x=0
pn pn
n(p)
pn
x
x=0
a.
b.
Figura 3.10. Variaia concentraiei de purttori pentru o jonciune pn polarizat direct (a), respectiv invers (b).
n figura 3.10 sunt reprezentate aceste variaii pentru cazul unei polarizri directe
(a), respectiv inverse (b), n condiiile neglijrii adncimii regiunilor de tranziie.
Comutaia presupune modificarea distribuiei de purttori de la situaia
prezentat n figura 3.10.a la situaia din figura 3.10.b sau invers, proces care
presupune scurgerea unui anumit timp. Aceste ntrzieri se regsesc de altfel i
n formele de und care reprezint rspunsul jonciunii la un semnal treapt.
Comutatia diodei
Vin(t)
V1
t0
V2
V1
t0
Rspunsul detaliat al
diodei la un semnal
treapt pozitiv este
reprezentat n figura
3.11.
V2
IA(t
ID )
ID
t
IA(t)
t
0,1IR
IR
VA(t)
1,1VD
VD
0,9VD
VA(t)
VD
t
td
tr
ton
V2
ts
tt
toff
a.
b.
Figura 3.11. Comutaia direct (a) i invers (b) n cazul diodei
semiconductoare
Se remarc c la
aplicarea unei trepte de
tensiune, curentul prin
diod crete cu o
oarecare inerie, de la
valoarea rezidual
redus specific
polarizrii inverse IT, la
valoarea curentului direct
prin dioda deschis ID.
n cazul comutaiei inverse, atunci cnd tensiunea de intrare trece prin salt
de la o valoare pozitiv la una negativ, curentul prin jonciune prezint la
rndul lui un salt datorat faptului c purttorii minoritari din cele dou
regiuni nu dispar instantaneu, fiind necesar un timp de recombinare a lor
sau de trecere n regiunile din care provin, timp numit timp de stocare, tS.
Pe msur ce scade concentraia de purttori minoritari, se reduce i
tensiunea pe jonciune ctre valoarea 0, urmat de o cretere progresiv
ctre valoarea tensiunii inverse de regim staionar, corespunztor cu
reducerea curentului ctre valoarea rezidual asociat polarizrii inverse.
Timpul necesar pentru ca tensiunea pe jonciune s evolueze de la 0 la
valoarea tensiunii inverse de polarizare se numete timp de tranziie, tt.
Timpul de comutaie invers va fi aadar (figura 3.11.b):
toff = ts + tt
(3.29)
Reducerea timpului de
comutatie
Diode Schottky
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html
Cascada AND-OR
Evaluati VOH si VOL
Capacitatati specifice
jonctiunilor semiconductoare
Intrzierile care apar la nivelul unei jonciuni
semiconductoare sub efectul unui front de tensiune
de comand sunt modelate utiliznd capaciti:
capacitatea de difuzie
(predominanta in polarizarea directa) .
capacitatea de barier
(predominanta in polarizarea inversa) .
dQ
I dt
CD
[F ]
dV Q VT
rd
rDCD
CT
A
W
[F ]
CD vs. CT
Comutatia TB
Funcionarea tranzistorului
n regim de comutaie const
n trecerea sa dintr-o stare
stabil n alta
(saturatie/activ blocare)
RB
RB
RB
v in
Comutatia directa
La momentul t1 cnd VBE = V (tensiunea de
deschidere a tranzistorului), tranzistorul ajunge la
marginea regiunii active. Se definete prin:
V1
IB(t)
t d t d1 t d 2
t5
V2
t d1 t1 t 0
t0
a)
iB1
b)
td1
iC(t)
ICS
0,9ICS
0,1ICS
t7
t8
iB2
c)
t6
t1
t2
t4 t5
t3
td2
tr
ton
tS
tf
t on t d t r
Comutatia inversa
RB
RB
-situaia este similar cu cea din cazul comutaiei inverse a jonciunii pn.
t off ts tf
Timpul de revenire
V1
t
V2
ic
ICS
0,9ICS
td
tr
tf
ts
0,1ICS
ton
toff
IB=ct
R Act
Figura 3.15. Regimurile de
funcionare n comutaie ale
tranzistorului bipolar
F
RAv
RS
A
C
RB
RS - regiunea de saturaie
RAv - regiunea de strpungere
prin avalan
RB - regiunea de blocare
R act. - regiunea activ
E
UC
Regimul de saturaie al
tranzistorului bipolar n comutaie
Comutatie TB in planul
caracteristicilor de iesire (EC)
IC
+EC
IC
UBC
RB
+
EB I B
-
RB
UBC=0
RC
+
B B
R Act
IBS
UCE
A'
UBE
C
A
A
ICE0 ICB0
EC
a.
b.
Figura 3.16. Conexiunea emitor comun a tranzistorului (a) i caracteristica de ieire asociat (b).
IB= 0
IB= -ICB0
UCE
Starea de blocare
1F
Starea de saturatie
EC
RC
Conditia de saturatie
IE
IES
respectiv
SB
IB
IBS
v0
VCC
V1
T2
T1
-V2
IC(sat) ic
+VCC
0,9IC(sat)
RL
0,1IC(sat)
iC
+
vi
-
VCE(sat)
RB
+
v0
-
iB
(a)
t
T1 td tr
tON
(b)
T2 ts tf
tOFF
Caracteristica de transfer a
comutatorului cu TB
v0
VCC
Caracteristica de transfer
descris n figura 3.19 este
rotunjit i n jurul valorii de
saturaie i n jurul valorii de
tiere.
Caracteristic liniarizat
Caracteristic real
VCE(sat)
vi
0,7
v0
Caracteristica de
transfer liniarizata
VCC
Caracteristic liniarizat
Caracteristic real
VCE(sat)
vi
0,7
AND
OR
NAND
NOR
NOR
RC
RC
+ V0
+
+
V01 V02
-
Q1
+
V1
+
VBE1
Q2
+
VBE2
IEE
+
V2
-
V1 VBE1 VBE 2 V2 0
IC 2 F IESeVBE 2 / VT
IC1
IC 2
IC 2
1
IC1
F IEE
1 e VD / VT
IC 2
F IEE
1 e VD / VT
Caracteristica de ieire
normat a etajului diferenial
n ecuaiile anteriore
(3.69 i 3.70) se observ
c prin creterea valorii
lui Vd n sens pozitiv
peste 4VT se determin
ca IC1 i IC2 s se apropie
de valorile FIEE i
respectiv zero.
IC1, IC2
FIEE
IC2
IC1
FIEE
2
Vd/VT
-4
-3
-2
-1
Caracteristica de transfer a
etajului diferenial
Pe baza ecuaiilor 3.69 i 3.70 putem
construi caracteristica de transfer ca n figura
3.22.
Tensiunile V01 i V02 , pentru
V01 ,V02 , V0
RC1 RC 2 RC
V01
FIEERc
V02
-3
-2
V0 V01 V02
VCC - FIEERc
V0
-4
Vd /VT
-1
4
- FIEERc
Regimul de avalansa al TB
1 (VBC / Vav ) n
VBC - tensiunea invers aplicat acestei jonciuni ;Vav - tensiunea de strpungere n avalan;
n = 1 ...7 constant tehnologic ; Vav este cea mai mare tensiune de strpungere pentru jonciunea bazcolector cu IE constant i IC tinznd la .
Strapungerea in avalansa a TB
vIC
R B =0
IB=0
IC
IC
RB
IB>0
IE>0
IE=0
VCB
VCB1
IB=0
VCE
VCE
VCB2 VCB1
baz comun
emitor comun
Figura 3.23. Definirea tensiunilor de strpungere pentru tranzistorul bipolar
polarizat n regiunea activ
(VCB2)
(VCB1)
RB
Vi
Vo
Timpii de comutatie ai TB
Viteza de comutatie a TB
Comportarea tranzistorului la nalt frecven este influenat de dimensiunile
fizice ale tranzistorului prin rezistena intrinsec a bazei i prin capacitile
jonciunilor.
Pentru o jonciune se definesc dou capaciti (vezi capitolul 3.2.3.):
Cd Cd0 exp
Cb
C b0
1
VA
U0
qVA
kT
Raspunsul la monoimpuls de
comanda
IB
IB1
IB2
IC/IC0
1
0.9
0.1
tr
tS
tf
Timpii de comutatie ai TB
IB
I
t r CS
IB1
I
t f CS
IB 2
IB1
IB2
IC/IC0
1
0.9
0.1
tr
tS
tf
Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (1)
Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (2)
IBIS
t
IB2
I'B2
IC
1
0,9
t
0,1
ton
toff
Supracomanda capacitiva
TO
E1
EC
IC
rS
RB
RC
t1
t2
IB1
IBS
VO
t2
E2
IB
t1
ICB0
IB2
IB2
tr
a.
b.
Figura 3.28. Supracomanda tranzistorului, folosind circuit de derivare n baz, n scopul
reducerii timpilor de comutaie (a) i forme de und asociate (b)
ts + tf
Evaluarea curentilor de
supracomanda (1)
Pentru e(t)=E1 , tranzistorul fiind iniial blocat, curentul injectat n baz va
fi cel determinat mai jos, unde VC este tensiunea pe condensator la
momentul t1, iar Rin= rb este rezistena de intrare n baza tranzistorului. Pe
msur ce condensatorul se ncarc IB, se micoreaz , ajungand la
valoarea IBS.
IB1
E1 VC (t1 )
rs Rin
IBS
E1
rs RB Rin
Evaluarea curentilor de
supracomanda (2)
Pentru ca prin tranzistor s se
stabileasc curentul de regim
staionar, IBS, nainte de terminarea
impulsului de comand ( t2 ), trebuie
satisfcut relaia:
T
c C R ||(rs Rin ) 0
3
n momentul blocrii tranzistorului: IB2
E 2 VC (t 2 )
rs Rin
EB
R1
VD
Ec
E
B
h21E RC R1
EC
IC
D
ID
I
RC
IB
R
I1
R1
EB
Figura 3.29. Reducerea timpilor de
comutaie prin evitarea intrrii n
saturaie
VO
TEC in comutatie
cu grila
jonctiune
cu imbogatire,
canal indus
cu saracire,
canal initial
83
RD
B
RG
C
v in
vo
VGS = V1
VGS = ct
A
VDD
D
a.
b.
Figura 3.30 TEC cu sarcin rezistiv (a) i caracteristicile asociate (b)
VDS
n continuare, capacitatea C se
descarc prin conductana dren surs, de la tensiunea iniial VDD
(corespunztoare strii blocate) la
valoarea redus, corespunztoare
strii de conducie (punctele B,
respectiv C din figura 3.30.b).
Punctul de funcionare al
tranzistorului se deplaseaz pe
caracteristica static VGS = V1 din B
spre C.
Acest proces determin durata
comutaiei directe a TEC-MOS.
v in
V1
t
vo
VDD
t
Figura 3.31. Rspunsul n tensiune
al TECMOS cu canal n indus la
impuls de comand rectangular
+VDD
5
+
vi
-
Sarcin
Q2
+
Driver
Q2 v
o
vi
t
vo
t0
5
t
a.
b.
Figura 3.32. TEC cu sarcin activ
+VDD
5
+
vi
Sarcin
Q2
+
Driver
Q2 v
o
vi
t
vo
t0
5
t
a.
b.
Figura 3.32. TEC cu sarcin activ
ID1[A]
Dreapta de sarcin
neliniar
VGS1=6V
300
Caracteristici de ieire
ale tranzistorului driver
VGS1=5V
200
VGS1=4V
100
VGS1=3V
2
VDS1[V]
6
Caracteristica de transfer
TECMOS cu sarcina activa
Cele dou stri ale comutatorului pot fi
deduse din caracteristica de transfer (figura
3.34). Atta timp ct vi VT tensiunea de
ieire este ridicat i curentul este zero.
Tensiunile de intrare mai mari de VDD
produc doar schimbri mici ale parametrilor
v0, respectiv ID1 (cu excepia situaiei cnd
are loc strpungerea tranzistoarelor).
n consecin, curentul de ieire este
determinat aproape n ntregime de
caracteristica de ncrcare i de curentul de
dren furnizat de sursa de alimentare, VDD .
5
4
vo [V]
3
2
1
0
vi [V]
1