Sunteți pe pagina 1din 94

Cap 3.

Elemente de circuit n
regim de comutaie

Comutaia este regimul de trecere din starea de conducie


n starea de blocare.
Existenta a 2 stari permite asocierea cu variabilele binare
0 si 1
Utilizarea unei componente in regim de comutatie are in
vedere o tranzitie cat mai rapida intre stari
Un comutator este caracterizat de o impedan mare n
starea blocat i o impedan mic n starea de conducie
(in caz contrar avem logica negativa).
O componenta care este exploatata in regim de comutatie
trebuie sa permita aplicarea unor comenzi adecvate
pentru schimbarea starilor

Comutatorul ideal i
comutatorul real
R

Comutatorul ideal este caracterizat de


rezisten n starea de blocare Rb i
rezisten n starea de conducie Rc 0.

Figura 3.1. Comutatorul


ideal

Dac comutatorul este blocat, atunci


tensiunea la bornele sale este egal cu E.
Dac comutatorul este nchis, el se afl n
stare de conducie iar tensiunea la bornele
sale este 0, curentul fiind egal cu E/R.
Puterea disipat pe comutatorul ideal este
nul.

Comutatorul ideal
I
B
Comutaie
direct

E/R
Comutaie
invers

A
E

Figura 3.2. Caracteristica curenttensiune pentru comutatorul ideal

Cele dou situaii (blocare i conducie)


determin dou puncte n planul I-U, A i B,
care definesc dreapta de sarcina (figura 3.2).
Trecerea din A n B se numete comutaie
direct, iar trecerea din B n A comutaie
invers. Se observ c ntre punctele A i B
tensiunea i curentul sunt simultan nenule
ceea ce nseamn c exist putere disipat n
timpul comutaiei. Acest fenomen are loc
numai dac timpul de comutaie este diferit de
zero.
Pentru intervale de timp mici se definete, n
cazul comutatorului ideal, puterea comutat
sau puterea n sarcin:

E2
PL
;
R

Comutatorul real
R
rC

+ E
-

CP

rb

k
Figura 3.3. Comutatorul real

Comutatorul real este caracterizat de o


rezisten finit nenul att n conducie
ct i n blocare.
Schema sa echivalent este prezentat
kr n figura 3.3 .

Considernd comutatorul caracterizat de


rezistena sa n stare de conducie rc i
de cea n stare de blocare rb, se pot
evidenia situaiile de conductie,
respectiv blocare, cu evaluarea
expresiilor curentului prin comutatorul
real si a tensiunii labornele sale.

Starea de conductie a
comutatorului real

Deoarece n starea de conducie rc<< rb , rezult c dependenta


tensiunii la borne de curentul prin comutator este liniara, avand ca
reprezentare grafica in planul U-I o dreapta care trece prin origine,
conform ecuatiei:

V rc I (3.3)

n regim staionar se pot calcula


coordonatele punctului de funcionare,
care trebuie s se gseasc pe dreapta de
ecuaie (3.3). Acestea rezult din legea lui
Ohm, respectiv din ecuaia divizorului
rezistiv i sunt determinate mai jos.
rc
E
VC 0
E
IC 0
, iar
r

R
R rc
c

Starea de blocare a
comutatorului real
Starea de blocare este descris de ecuaia:

V rb I (3.6)
Pe dreapta de ecuaie (3.6) se gsete
i punctul static de funcionare B, de
coordonate (VB0,IB0). Coordonatele
acestuia se determin n acelai mod ca
i n cazul conduciei i sunt exprimate
prin relaiile de mai jos:

I B0

R rb

VB0

rb
E
rb R

Caracteristica de comutaie direct i


invers pentru comutatorul real (1)
(1)

ICO

(2)

Comutaie
invers

IBO

B
N
Comutaie
direct

VCO

VBO

Figura 3.4. Caracteristica de comutaie direct i invers pentru comutatorul real

Caracteristica de comutaie direct i


invers pentru comutatorul real (2)

Dac se neglijeaz capacitatea parazit a comutatorului,


Cp, trecerea dintr-o stare n alta se face de-a lungul dreptei
definite de punctele A i B, prin salt cu timp de comutaie
nul.

Dac nu se neglijeaz efectul capacitii Cp, atunci aceasta


se comport ca un element de memorare a tensiunii la
bornele comutatorului real, ceea ce determina ca
transferul punctului de funcionare ntre A i B s nu se
fac n lungul dreptei AB, ci prin punctele M, respectiv N.
ncrcarea i descrcarea capacitii presupune, implicit,
un timp de comutaie nenul

Comutatorul ca si cuadripol

Dac privim comutatorul real ca un cuadripol


(figura 3.5) putem aprecia c tensiunea de
intrare este cea care comand deschiderea
comutatorului (atunci cnd are nivel ridicat) i
nchiderea lui (atunci cnd are nivel sczut).
Se poate considera c:
Vout = f(Vin)

Vin

Vout

Figura 3.5. Cuadripolul


echivalent unui comutator real

Vo

ut

Pentru calculul duratelor de comutaie se va


considera teoria descris n capitolul 1. Pentru
a determina ecuaia tensiunii de ieire trebuie
cunoscute valorile iniiale i finale ale tensiunii
pe comutator, adic U(0) respectiv U().

II
III

Vi
n

Figura 3.6. Caracteristica


de transfer a comutatorului
real

Comutatia directa
innd seama de schema echivalent a comutatorului real, se obine succesiv:

rc
V ()
E;
R rc

rb
V (0)
E
R rb

V (t ) V () V () V (0)e

rc R
c Rechiv cond Cp (rc || R ) Cp
Cp
rc R

Deoarece R<< rb i innd seama c rc<< rb rezult:


t

E
V (t )
(rc Re c )
rc R

R(rb rc ) c
E
V (t )
[rc
e ]
rc R
rb R

Comutatia inversa
Se pun n eviden valorile iniiale i finale ale tensiunii:
V ()

rb
E
rb R

, V (0)

rc
E
rc R
t

R(rb rc ) b
E
V (t )
[rb
e ]
rb R
rb R

Dac R<< rb ,

rezult
t

R
V (t ) E (1
e b )
rb R

b Rcchiv bl Cp

rbR
Cp RCp
rb R

Timpii de crestere/cadere
n cazul n care se consider tensiunea de intrare ca fiind un
impuls dreptunghiular, dac se calculeaz timpii de cretere, respectiv
de cdere ntre 10% i 90% din Vmax, se obine rspunsul din figura 3.7,
unde:

tTLH 2,2 c

tTHL 2,2 b

V
Vmax
0,9 Vmax
0,1 Vmax

t
tTLH

tTHL

Figura 3.7. Rspunsul comutatorului real la un impuls de comand rectangular

Puterea disipata (1)

Avnd n vedere faptul c n timpul


comutaiei tensiunea i curentul sunt
simultan nenule, se poate determina
puterea disipat de comutatorul real.
Cele patru componente care
alctuiesc puterea disipat sunt:
- puterea disipat n stare blocat
- puterea disipat n stare de
conducie
- puterea disipat n timpul comutaiei
directe
- puterea disipat n timpul comutaiei
inverse.

I
Ic0
Ib0
V
Vb0

Tc

Tb

t
T
t

Vc0
P

Figura 3.8. Curentul, tensiunea i


puterea disipat printr-un comutator
real

Puterea disipata (2)


Componentele enumerate se regsesc ca termeni componeni ai expresiei care
descrie puterea total disipat:

Vb0Ib0Tb Vc 0Ic 0Tc Vb0Ic 0 (t c t b )


P
T

Se observ c puterea disipat este o funcie de frecven (inversul perioadei).


n regim de comutaie puterea crete cu creterea frecvenei.

1
P f( )
T

Dioda in comutatie
Regimuri de functionare

Dioda ca si comutator

Dioda n regim de comutaie


Pentru a studia comportarea diodei n regim de comutaie se consider
circuitul elementar din figura 3.9 la a crui intrare se aplic un semnal de tip
treapt (se neglijeaza strpungerea invers).

R
Vin

D
a

Vin

IA

V1

I0
t

Vout

VO VA
V2

Figura 3.9. Circuit pentru studiul diodei n comutaie (a), semnal de intrare pentru studiul comutaiei
(b), caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare (c)

Dioda in comutatie

n cazul comutrii directe se poate exprima valoarea


curentului ID prin expresia (3.23).
ID

V1 VD V1

R
R

Pentru situaia n care dioda este polarizat invers:


I A IR

V2
R

Fenomene fizice la comutatia


diodei

Dac se noteaz cu Na, Nd concentraiile impuritilor


acceptoare din regiunea p i donoare din regiune n, n
ipoteza c toate impuritile sunt ionizate, concentraiile
de goluri i electroni n cele dou regiuni ale jonciunii pn,
pp i nn, n absena tensiunii de polarizare, satisfac
relaiile:

pp = Na ; pn = Nd iar pp np = pn nn = ni2

(3.25)

unde pi = ni reprezint concentraia electronilor sau golurilor


n semiconductorul intrinsec (nedopat).

Variatia concentratiei purtatorilor

n teoria semiconductorilor se arat c variaiile concentraiilor de


purttori n lungul unei axe perpendiculare pe planul jonciunii, sunt
descrise de ecuaiile:

x ln

qVA
, pentru x l n
p( x ) pn pn exp
1 exp
KT
Lp

x lp

qVA
n( x ) np np exp
, pentru x l n
1 exp
KT
Ln

unde prin Lp i Ln s-au notat lungimea de difuzie a golurilor, respectiv


electronilor n exces, iar lp i ln reprezint adncimea regiunii de
tranziie n regiunea p, respectiv n.

Distributia concentratiei de
purtatori in polarizare constanta
Concentraie

Concentraie
regiune p
(Na)
pn(x)
n(0)
np(0)

regiune n
(Nd)

regiune p

regiune n
(Nd)

(Na)

pn(0
)

p(x)
np(0)

n(x)

p(x)

n(x)

np
x=0

pn pn

n(p)

pn
x

x=0

a.
b.
Figura 3.10. Variaia concentraiei de purttori pentru o jonciune pn polarizat direct (a), respectiv invers (b).

n figura 3.10 sunt reprezentate aceste variaii pentru cazul unei polarizri directe
(a), respectiv inverse (b), n condiiile neglijrii adncimii regiunilor de tranziie.
Comutaia presupune modificarea distribuiei de purttori de la situaia
prezentat n figura 3.10.a la situaia din figura 3.10.b sau invers, proces care
presupune scurgerea unui anumit timp. Aceste ntrzieri se regsesc de altfel i
n formele de und care reprezint rspunsul jonciunii la un semnal treapt.

Comutatia diodei

Comutaia presupune modificarea distribuiei de purttori de la o situaie la


alta, proces care presupune scurgerea unui anumit timp. Aceste ntrzieri se
regsesc de altfel i n formele de und care reprezint rspunsul jonciunii la un
semnal treapt.
https://www.fairchildsemi.com

Variatia tensiunii si curentului


in cazul comutatiei diodei
Vin(t)

Vin(t)
V1

t0
V2

V1
t0

Rspunsul detaliat al
diodei la un semnal
treapt pozitiv este
reprezentat n figura
3.11.

V2

IA(t
ID )

ID
t

IA(t)
t

0,1IR
IR

VA(t)
1,1VD
VD
0,9VD

VA(t)
VD

t
td

tr
ton

V2

ts

tt
toff

a.
b.
Figura 3.11. Comutaia direct (a) i invers (b) n cazul diodei
semiconductoare

Se remarc c la
aplicarea unei trepte de
tensiune, curentul prin
diod crete cu o
oarecare inerie, de la
valoarea rezidual
redus specific
polarizrii inverse IT, la
valoarea curentului direct
prin dioda deschis ID.

Timpul de comutatie directa

Tensiunea la extremitile jonciunii devine pozitiv cu o ntrziere td (timp


de ntrziere -delay time) fa de momentul aplicrii saltului de tensiune la
intrare. Aceast inerie se datoreaz timpului necesar transferului de
purttori majoritari dintr-o regiune n alta n scopul anihilrii barierei de
potenial de la nivelul jonciunii. Urmeaz apoi injecia de purttori minoritari
care difuzeaz n regiunile neutre, fenomen caracterizat de asemenea de o
anumit ntrziere, tr (timp de cretere -rise time).
Timpul de comutare direct va fi deci alctuit din cele dou
componente:
ton = td + tr
(3.28)
n cazul n care rezistena regiunilor neutre ale diodei este neglijabil, forma
de und a tensiunii la bornele jonciunii prezint o supracretere
pronunat, peste valoarea tensiunii de deschidere UD, n interiorul
intervalului de timp tr (reprezentarea cu linie ntrerupt - figura 3.11.a).

Timpul de comutatie inversa

n cazul comutaiei inverse, atunci cnd tensiunea de intrare trece prin salt
de la o valoare pozitiv la una negativ, curentul prin jonciune prezint la
rndul lui un salt datorat faptului c purttorii minoritari din cele dou
regiuni nu dispar instantaneu, fiind necesar un timp de recombinare a lor
sau de trecere n regiunile din care provin, timp numit timp de stocare, tS.
Pe msur ce scade concentraia de purttori minoritari, se reduce i
tensiunea pe jonciune ctre valoarea 0, urmat de o cretere progresiv
ctre valoarea tensiunii inverse de regim staionar, corespunztor cu
reducerea curentului ctre valoarea rezidual asociat polarizrii inverse.
Timpul necesar pentru ca tensiunea pe jonciune s evolueze de la 0 la
valoarea tensiunii inverse de polarizare se numete timp de tranziie, tt.
Timpul de comutaie invers va fi aadar (figura 3.11.b):
toff = ts + tt

(3.29)

Reducerea timpului de
comutatie

Timpul de comutaie invers este cu mult mai mare


dect timpul de comutaie direct, toff >> ton . Pentru a
asigura deci o comutaie rapid trebuie redus n primul
rnd timpul de comutaie invers. In procesele de
comutaie se studiaz prin urmare, cu precdere,
comutaia invers.

Pentru reducerea timpului de comutaie invers, care


este determinant n bilanul temporal al comutaiei, se
poate utiliza o capacitate conectat n paralel cu sarcina
care s asigure parial surplusul de sarcini necesar
pentru reechilibrarea jonciunii.

Metode de reducere a timpilor


de comutatie

Utilizarea unor curenti de polarizare mari


care sa asigure re-echilibrarea rapida a
jonctiunii
Reducerea timpului de viata al purtatorilor
minoritari prin asigurarea unei recombinari
rapide (impurificare Si cu Au)
Reducerea grosimii stratului de stocare a
purtatorilor minoritari
Utilizarea diodelor rapide (Schottky)

Diode Schottky

Diodele Schottky lucreaza


preponderent cu purtatori
majoritari, ceea ce elimina
timpul necesar recombinarii
purtatorilor minoritari (ts)

Aplicatii de limitare/fixare nivel

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html

Aplicatii in circuite logice

Cascada AND-OR
Evaluati VOH si VOL

Capacitatati specifice
jonctiunilor semiconductoare
Intrzierile care apar la nivelul unei jonciuni
semiconductoare sub efectul unui front de tensiune
de comand sunt modelate utiliznd capaciti:

capacitatea de difuzie
(predominanta in polarizarea directa) .

capacitatea de barier
(predominanta in polarizarea inversa) .

Capacitatea de difuzie CD (1)

Pentru o jonciune polarizat direct, golurile difuzeaz din


regiunea p n regiunea n. n consecin, n vecintatea
jonciunii, n regiunea n, avem o mai mare concentraie de
goluri dect exist n mod normal tocmai datorit acestei
difuzii. Aceast densitate de goluri n exces poate fi
considerat ca o acumulare de sarcini n vecintatea
jonciunii.
Cantitatea de sarcini n exces este determinat de
mrimea polarizrii directe. Pe msur ce ne ndeprtm
de jonciune, excesul concentraiei de goluri descrete
datorit recombinrii cu electronii majoritari.
La fel se comport electronii ce difuzeaz n regiunea p.

Capacitatea de difuzie CD (2)

Dac aplicm un semnal ce mrete polarizarea direct cu V,


creterea concentratiei de goluri (electroni) provoac o
schimbare Q n sarcina acumulat n apropierea jonciunii.
Timpul mediu de via al sarcinilor, , este o msur a timpului de
recombinare a excesului de sarcini minoritare si poate fi privit
ca o constant de timp de difuzie.
Raportul Q/V definete capacitatea de difuzie CD. Pentru o
diod cu jonciune, unde una din regiuni este mult mai puternic
dopat dect cealalt, CD se evalueaz astfel:

dQ
I dt

CD

[F ]
dV Q VT
rd

rDCD

Capacitatea de difuzie este proporional cu curentul I.

Capacitatea de bariera CT (1)

n cazul unei polarizri inverse intervine o


capacitate numit capacitate de barier (sau
capacitate de tranziie sau capacitate de
sarcin spaial, CT ).
CT semnifica schimbarea n sarcina acumulat
n regiunea srcit de purttori n corelaie cu
modificarea tensiunii inverse pe jonciune.
Creterea polarizrii inverse determin mrirea
regiunii srcite de purttori de lime W.

Capacitatea de bariera CT (2)

Datorit ionilor pozitivi existeni de o parte a jonciunii i a


ionilor negativi de cealalt parte a jonctiunii (in zonele
saracite de purtatori), CT este analog cu o capacitate cu
armturi plan-paralele (unde W este limea regiunii
srcite de purttori, A este aria jonciunii i este
permitivitatea semiconductorului):

CT

A
W

[F ]

Trebuie s remarcm c W este funcie de tensiunea de


polarizare invers i deci CT este dependent de tensiune.

CD vs. CT

n condiiile polarizrii directe, valoarea capacitii


de barier este att de mic comparativ cu CD
nct n general ea este neglijat.
n mod similar n cazul unei diode polarizate
invers exist o anumit difuzie a sarcinilor, ns
aceast capacitate este neglijabil n comparaie
cu CT.
Dependenta capacitatii de bariera de tensiunea
de polarizare inversa este exploatata in cazul
diodelor varicap:

Comutatia TB
Funcionarea tranzistorului
n regim de comutaie const
n trecerea sa dintr-o stare
stabil n alta
(saturatie/activ blocare)

Tranzistorul bipolar in regim


de comutatie

Pn n momentul t0 (figura 3.13) presupunem c


tranzistorul era blocat (IB = 0; IC= 0). Ca urmare, tensiunea
V2 < 0 se regsete n baz, deci UBE = V2 < 0, iar VBC =
VBE + VCE = V2 - EC = - (|V2| + EC) < 0 .
n momentul initial t0 tensiunea la intrare, Vin , i schimb
prin salt valoarea de la V2 < 0 la V1 > 0. Curentul n baz
va crete brusc deoarece capacitile de barier ale
jonciunilor nu-i pot schimba brusc tensiunea la borne.
V1 VBE (0) V1 V2 V1 V2
IB (t 0 )

RB
RB
RB

Pe msur ce aceste capaciti se ncarc, tensiunea n


baz ncepe s creasc, iar curentul de baz s scad.

v in

Comutatia directa
La momentul t1 cnd VBE = V (tensiunea de
deschidere a tranzistorului), tranzistorul ajunge la
marginea regiunii active. Se definete prin:

V1

IB(t)

(timpul de ntrziere, necesar tranzistorului s


ajung la marginea regiunii active)

Ca urmare, este necesar scurgerea unui timp de


ntrziere (delay time) pn n momentul n care
curentul de colector ncepe s creasc:

t d t d1 t d 2

t5

V2

t d1 t1 t 0

n al doilea rnd, trebuie un anumit timp pentru ca


purttorii injectai de emitor n baz s ajung la
colector. Pentru a caracteriza acest proces se
definete un al doilea timp de ntrziere
td2 = t2 - t1,
(datorat difuziei n baz)

t0

a)

iB1
b)

td1

iC(t)
ICS
0,9ICS
0,1ICS

Figura 3.13. Semnale specifice


tranzistorului bipolar n
comutaie: a.- impuls de
comand bipolar b.- curent de
baz c.- curent de colector

t7
t8

iB2

c)

t6

t1

t2

t4 t5
t3

td2
tr
ton

tS

tf

Timpul de comutatie directa

Dup ce tranzistorul intr n regiunea activ, curentul prin colector nu


crete brusc la valoarea final ICS deoarece trebuie ncrcate
capacitile de barier ale jonciunilor i trebuie format distribuia de
purttori majoritari n baz corespunztoare regimului de saturaie.
Se definete timpul de cretere sau ridicare tr (rise time) ca intervalul n
care valoarea curentului de colector crete pn la 0,9 din valoarea
final: tr = t3 - t2 (vezi figura 3.13).
n acest interval de timp, curentul n baz prezint o uoar scdere,
datorit creterii tensiunii VBE de la V la VBE(sat) > V. Dac tensiunea V1
este suficient de mare, tranzistorul va fi comutat n saturaie (momentul
t4 corespunde acestei situaii, figura 3.13.c).
Timpul de comutaie direct ton se definete ca interval de timp scurs de
la aplicarea comenzii pn la momentul cnd curentul de colector
ajunge la 0,9 din valoarea final:

t on t d t r

Comutatia inversa

Tranzistorul rmne n starea saturat (de conducie) atta


timp ct tensiunea la intrare se menine corespunzatoare.
Presupunem acum c la momentul t5 tensiunea la intrare
variaz brusc la valoarea V2 < 0. Datorit capacitii de
barier, jonciunea baz-emitor nu-i poate schimba
instantaneu tensiunea, deci VBE(t5+) = VBE(sat).
Ca urmare, curentul de baz i schimb brusc sensul,
lund valoarea:
V2 VBE ( sat)
V2 VBE
I B2

RB
RB
-situaia este similar cu cea din cazul comutaiei inverse a jonciunii pn.

Timpul de comutatie inversa (1)

Curentul de colector nu simte imediat modificarea


tensiunii aplicate n circuitul bazei deoarece n baza
tranzistorului saturat se afl un exces de sarcin (sarcin
stocat), fa de valoarea necesar pentru a asigura
curentul de colector ICS.
Curentul de colector ncepe s scad abia dup ce este
eliminat toat sarcina suplimentar de purttori
minoritari din baz (figura 3.13.c).
Intervalul de timp ts = t6 - t5 scurs de la aplicarea
comenzii de comutaie invers pn n momentul cnd
curentul de colector ncepe s scad este numit timp de
stocare (storage time).

Timpul de comutatie inversa (2)

Dup ce tranzistorul iese din saturaie spre starea de


blocare, intervin procese nverse comutatiei directe
Se definete un timp de cdere tf = t7 - t6 (fall time), ca
interval n care curentul de colector scade de la ICS la
0,1 ICS. n intervalul t6 t7, valoarea curentului de baz
scade puin datorit scderii tensiunii VBE de la VBE(sat) la
V.
Timpul de comutaie invers toff se definete ca
intervalul scurs de la aplicarea comenzii de comutaie
invers pn la momentul n care curentul de colector
scade la 0.1 din valoarea sa iniial:

t off ts tf

Timpul de revenire

Dei tranzistorul devine din nou blocat (IC = 0) exist


nc un timp final de revenire tfr (final recovery time),
necesar descrcrii capacitilor jonciunilor. n acest
interval de timp tensiunea VBE scade de la V la zero
tfr = t8 - t7

Definiiile date pentru timpii de comutaie corespund


interpretrilor fizice ale acestora dar sunt dificil de
gestionat in cazurile practice.

Definirea practica a timpilor de


comutatie pentru TB
v in
Experimental este mai
comod s se defineasc
timpii de comutaie astfel
(figura 3.14):

td - ntre 0 i 0,1 ICS


tr - ntre 0,1 i 0,9 ICS
ts - ntre ICS i 0,9 ICS
tf - ntre 0,9 i 0,1 ICS
Noile definiii modific
doar td i tr, respectiv ts i
tf. Timpii totali de
comutaie ton i toff (deci
cei care intereseaz
practic) nu se modific.

V1
t
V2
ic
ICS
0,9ICS

td

tr

tf

ts

0,1ICS
ton

toff

Figura 3.14. Definirea practic a timpilor de comutaie

Regimuri de functionare ale


TB in comutatie
IC

IB=ct

R Act
Figura 3.15. Regimurile de
funcionare n comutaie ale
tranzistorului bipolar

F
RAv

RS
A

C
RB

RS - regiunea de saturaie
RAv - regiunea de strpungere
prin avalan
RB - regiunea de blocare
R act. - regiunea activ

E
UC

n funcie de regiunile ntre care are loc deplasarea punctului de funcionare se


evideniaz trei regimuri de funcionare n comutaie:
regimul de saturaie: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i cea de
saturaie (AB);
regimul de curent: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i cea activ
(CD);
regimul de avalan: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i regiunea de
avalan (EF).

Regimul de saturaie al
tranzistorului bipolar n comutaie

Acest tip de comutaie este specific nivelelor mari de


semnal i este cel mai rspndit. Dependena ntre curent
i tensiune este descris de ecuaiile Ebers-Moll, care se
refer ns la tranzistorul ideal.

Funcionarea n regim de saturaie are loc pentru toate cele


trei moduri de conectare ale tranzistorului bipolar (baz
comun, emitor comun, colector comun), mai utilizate fiind
conexiunea emitor comun i cea cu baz comun.

Indiferent de tipul conexiunii, n acest regim de lucru


funcionarea are loc ntre regiunea de blocare i cea de
saturaie.

Comutatie TB in planul
caracteristicilor de iesire (EC)
IC

+EC
IC
UBC
RB
+
EB I B
-

RB

UBC=0

RC
+

B B

R Act

IBS

UCE

A'

UBE

C
A
A

ICE0 ICB0

EC

a.
b.
Figura 3.16. Conexiunea emitor comun a tranzistorului (a) i caracteristica de ieire asociat (b).

IB= 0
IB= -ICB0
UCE

Starea de blocare

Starea de blocare are loc pentru o tensiune VBE>0 la


tranzistoarele pnp, i VBE< 0 la tranzistoarele npn. Curenii
reziduali prin tranzistor se determin din ecuaiile EbersMoll.
Deoarece:
IC=IE+ICB0
(3.55)
innd cont c IC + IE + IB = 0 i IE = 0 ,
rezult IC = ICB0 i IB = -ICB0 , ceea ce corespunde punctului
A' din planul caracteristicilor de ieire.
Situaia corespunde unui regim de blocare profund,
caracterizat de o tensiune colector-baz mare i o putere
disipat redus.
I CO
IC I E
I CEO
Dac IB=0, rezult

1F

Starea de saturatie

Starea de saturaie se produce atunci cnd jonciunea


emitorului i a colectorului sunt polarizate direct. Este
necesar ca VBE>VD (VD fiind tensiunea de deschidere a
jonciunii baz-emitor).
La limita de intrare n saturaie exist proprietatea:
IC=IB
i IC=IE.
(3.57)
Punctul de intrare n saturaie este B (0,ICS).
Valoarea curenilor de saturaie se obine pentru situaii
extreme:
IES ICS

EC
RC

Conditia de saturatie

Condiia de saturaie impus tensiunilor nu este comod i


de aceea se folosete condiia pentru cureni:
IE IES, IB IBS sau IB > IC / .
Se poate defini, n cazul saturaiei, gradul de saturaie,
msurabil prin factorul de supracomand:
SE

IE
IES

respectiv

SB

IB
IBS

Funcionarea tranzistorului n regim de saturaie este


exploatat n cazul utilizrii acestuia drept comutator.

Comutator cu TB in conexiune EC (1)


vi

Circuitul din figura


3.18 este un
comutator simplu n
configuraie emitor
comun.
Forma de und pentru
tensiunea de intrare vi
este utilizat pentru a
controla starea
comutatorului (ntre
colector i emitor).

v0
VCC

V1
T2

T1
-V2

IC(sat) ic
+VCC

0,9IC(sat)

RL

0,1IC(sat)

iC

+
vi
-

VCE(sat)

RB

+
v0
-

iB
(a)

t
T1 td tr
tON

(b)

Figura 3.18. Tranzistorul bipolar n conexiune emitor-comun ca


comutator

T2 ts tf
tOFF

Comutator cu TB in conexiune EC (2)

Pentru t < T1 i vi = -V2 dioda baz-emitor este polarizat invers.


Dac neglijm componentele curentului invers, cum dioda bazcolector este de asemenea polarizat invers, tranzistorul bipolar
este blocat i nu exist nici un curent n circuit. n consecin, v0 =
VCC iar ic=0, acesta fiind echivalent cu un comutator deschis.
Se poate aprecia c ic IC0 i v0 = VCC - IC0 RL. Cu IC0 de ordinul
nanoamperilor i RL de ordinul kiloohmilor rezult c v0 difer de
VCC doar cu civa microvoli. Deci, n situaii practice, se poate
considera c v0=VCC.
Tensiunea de intrare devine V1 pentru T1< t <T2. Valoarea lui V1
este aleas astfel nct s asigure intrarea n saturaie a
tranzistorului bipolar.

Comutator cu TB in conexiune EC (3)


Valorile de mai jos aproximeaz un comutator nchis.
(VCC VCE (sat ) )
ic
vCE v0 VCE (sat ) 0,3 V
RL

Curentul n comutatorul nchis este determinat de


elementele externe VCC i RL.
Pentru VCC >> 0,3 V, iC = VCC / RL.
La momentul de timp t=T2, forma de und de intrare
comut din nou la -V2, determinnd tranzistorul bipolar
s revin n regim de blocare. Forma de und pentru v0
i iC, este reprezentat n figura 3.18.

Caracteristica de transfer a
comutatorului cu TB
v0
VCC
Caracteristica de transfer
descris n figura 3.19 este
rotunjit i n jurul valorii de
saturaie i n jurul valorii de
tiere.

Caracteristic liniarizat

Deoarece tranzistorul bipolar nu


se deschide i nu se blocheaz
brusc, n vecintatea deschiderii
i a blocrii apare o rotunjire a
caracteristicii.

Caracteristic real

VCE(sat)

vi
0,7

Figura 3.19 Caracteristica de transfer a comutatorului cu tranzistor bipolar

v0

Caracteristica de
transfer liniarizata

VCC

Caracteristic liniarizat

Caracteristic real

VCE(sat)

vi
0,7

Caracteristica de transfer liniarizat ilustreaz


comportarea circuitului. Cele dou segmente orizontale
indic strile ON i OFF ale comutatorului.
De-a lungul fiecruia din cele dou segmente ieirea nu
este afectat de schimbrile semnalului de intrare
(tranzistorul bipolar este saturat sau blocat).
Segmentul ce unete regiunile orizontale ilustreaz
dependena liniar a ieirii fa de intrare,
comportamentul fiind aceia a unei surse de tensiune
controlate n tensiune, deci un amplificator (tranzistorul
este polarizat n regiunea activ normal).

Porti logice simple cu TB

AND

OR

NAND

NOR

NOR

Regimul de curent al tranzistorului


bipolar n comutaie
+V
CC

Regimul de curent reprezint


comutarea ntre regiunea de
blocare i regiunea activ.
Funcionarea de acest tip este
specific amplificatoarelor
difereniale.
Perechea cu cuplaj prin emitor
sau perechea diferenial din
figura 3.20 este printre cele mai
importante configuraii de
tranzistor regsite n circuitele
integrate. Sursa de curent IEE
este realizat cu o oglind de
curent sau alte circuite similare.

RC

RC
+ V0

+
+
V01 V02
-

Q1
+
V1

+
VBE1

Q2
+

VBE2

IEE

Figura 3.20. Etaj diferenial

+
V2
-

Analiza etajului diferential (1)

Q1 i Q2 sunt tranzistoare identice i ambele


rezistene de colector au valori egale.
Se poate arta c etajul diferenial poate fi utilizat
att ca amplificator ct i ca comutator. Pentru
aceasta vom determina caracteristica de transfer de
curent continuu a circuitului.
Legea lui Kirchhoff pentru bucla ce conine cele
dou jonciuni baz-emitor este:

V1 VBE1 VBE 2 V2 0

Analiza etajului diferential (2)

Cu tranzistorul polarizat n regiunea activ, curentul invers al


jonciunii baz-colector este neglijabil. Curenii de colector
IC1 i IC2 sunt determinai de ecuaiile:

IC1 F IESeVBE1 /VT

IC 2 F IESeVBE 2 / VT

Construim raportul IC1 / IC2 ca fiind (3.66):


IC1
e (VBE 1VBE 2 ) /VT eVd /VT
IC 2

Se observ c VBE1 - VBE2 = V1 - V2 = Vd unde Vd este


diferena (de aici i denumirea de diferenial) dintre dou
tensiuni de intrare.

Analiza etajului diferential (3)

Ecuaia lui Kirchhoff pentru cureni n nodul emitorului


determin:
(IE1 IE 2 ) IEE

IC1

IC 2

mprind ambii membri ai ecuaiei de mai sus prin IC1 / F


rezult:
F IEE
IC1

IC 2
1
IC1

Substituind ecuaia 3.66 n ecuaia de mai sus i rezolvnd


pentru IC1 rezult (3.69, 3.70):
IC1

F IEE

1 e VD / VT

IC 2

F IEE

1 e VD / VT

Caracteristica de ieire
normat a etajului diferenial
n ecuaiile anteriore
(3.69 i 3.70) se observ
c prin creterea valorii
lui Vd n sens pozitiv
peste 4VT se determin
ca IC1 i IC2 s se apropie
de valorile FIEE i
respectiv zero.

IC1, IC2

FIEE
IC2

IC1

FIEE
2

Vd/VT
-4

-3

-2

-1

Figura 3.21. Caracteristica de ieire normat a etajului diferenial

Prin analogie, o valoare


negativ a lui Vd, cu |Vd|
>4VT face ca IC1 s se
apropie de zero i IC2 s
tind ctre FIEE.

Caracteristica de transfer a
etajului diferenial
Pe baza ecuaiilor 3.69 i 3.70 putem
construi caracteristica de transfer ca n figura
3.22.
Tensiunile V01 i V02 , pentru

V01 ,V02 , V0

RC1 RC 2 RC
V01

FIEERc

V02

-3

-2

V0 V01 V02

VCC - FIEERc

V0
-4

V01 VCC I C1RC1; V02 VCC I C 2 RC 2

Vd /VT
-1

4
- FIEERc

Figura 3.22. Caracteristica de transfer a etajului diferenial

Aplicarea unei tensiuni Vd > 4VT = 100


mV face ca IC1 FIEE i IC2 0. n
acelai timp V02 = VCC i V01 = FIEERC
. V01 poate fi micorat corespunztor
prin alegerea corect a lui RC (V01 i
V02 s corespund meninerii Q1 i Q2
n regiunea activ).

Utilizarea etajului diferential

Putem aproxima ieirea lui Q1 cu un comutator nchis i a lui Q2 cu un


comutator deschis. Starea acestor comutatoare se schimb aplicnd Vd
< -4VT. Ieirea diferenial de asemenea evideniaz dou nivele de
ieire distincte: unul pozitiv i unul negativ, pentru o schimbare a lui Vd
de aproximativ 4VT.
In intervalul -2VT Vd 2VT, mrimile IC1, IC2, V01, V02 au valori
aproximativ liniar variabile relativ la Vd. Pentru aceast gam de valori
ale intrrii, circuitul se comport ca o surs controlat. Ambele
proprieti, de comutare, respectiv de amplificare ale perechii cuplate
prin emitor sunt exploatate n practic.
Proprietatea de amplificator joac un rol foarte important n circuitele
analogice iar caracteristica de comutaie este exploatat n circuitele
digitale i n mod particular n circuitele logice din familia ECL.
Avantajul principal al acestui mod de lucru este acela c permite o
vitez de comutaie mare datorit faptului c tranzistoarele nu ajung
n saturaie.

Poarta OR/NOR cu etaj


diferential (ECL)

Regimul de avalansa al TB

Regimul de avalansa permite obtinerea unor timpi de


comutatie redusi, de ordinul nanosecundelor, comutand
curenti de valori mari pe durata strapungerii temporare
colector-emitor (si implicit colector-baza).
La tensiuni de polarizare mari ale jonciunii baz-colector
purttorii de sarcin ionizeaz atomii neutri producnd o
multiplicare n avalan i o cretere accelerat a curentului
de colector.
Se defineste gradul de multiplicare n regiunea de sarcin
spaial
1
M

1 (VBC / Vav ) n

VBC - tensiunea invers aplicat acestei jonciuni ;Vav - tensiunea de strpungere n avalan;
n = 1 ...7 constant tehnologic ; Vav este cea mai mare tensiune de strpungere pentru jonciunea bazcolector cu IE constant i IC tinznd la .

Strapungerea in avalansa a TB

VCB2, VCB1 sunt tensiuni de strpungere definite ca n


figura 3.23. Ele se mai ntlnesc n cataloage cu
denumirea de VBR(CE0) respectiv VBR(CB0) , iar ntre ele
exist legtura exprimat prin relaia de mai jos:
VCB2 VCB1 n 1 h21b

vIC

R B =0

IB=0

IC

IC

RB
IB>0
IE>0
IE=0

VCB
VCB1

IB=0

VCE

VCE
VCB2 VCB1

baz comun
emitor comun
Figura 3.23. Definirea tensiunilor de strpungere pentru tranzistorul bipolar
polarizat n regiunea activ

(VCB2)

(VCB1)

Figura 3.25. Definirea tensiunilor de strpungere


pentru tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de
blocare

Comutatia prin strapungere in


avalansa a TB

Pentru regiunea de blocare se consider o schem simpl de polarizare a


tranzistorului ca n figura 3.24.
Timpul de comutaie al tranzistorului n regim de avalan este determinat
de timpul de tranzit al purttorilor prin jonciunea polarizat invers.
La tranzistoarele de nalt frecven, obinute prin difuzie, timpul de
comutaie are o valoare mai mic de 1ns i depinde de gradul de
multiplicare M i de frecvena de tiere.
Funcionarea n regim de avalan este utilizat la obinerea de impulsuri
scurte i uneori la obinerea de tensiuni liniar variabile sau n trepte.
Acest regim nu se folosete n mod uzual deoarece necesit tensiuni mari
EC
i prezint instabilitate termic
RC
Figura 3.24. Tranzistor n comutaie

RB
Vi

Vo

Timpii de comutatie ai TB

La joas frecven tranzistorul bipolar poate fi


considerat element de comutaie ideal.
La creterea frecvenei comutaia se nrutete
datorit timpului necesar trecerii purttorilor din emitor
n colector (inerie de nalt frecven).
Proprietile de inerie sunt puse n eviden de factorul
de curent:
h21b0
h21b (f )
f
1
f

unde f = 1 / 2 este frecvena de tiere, iar este


constanta de timp pentru conexiunea baz-comun.

Viteza de comutatie a TB
Comportarea tranzistorului la nalt frecven este influenat de dimensiunile
fizice ale tranzistorului prin rezistena intrinsec a bazei i prin capacitile
jonciunilor.
Pentru o jonciune se definesc dou capaciti (vezi capitolul 3.2.3.):
Cd Cd0 exp
Cb

C b0
1

VA
U0

qVA
kT

- capacitatea de difuzie, dominant n polarizarea


direct)
- capacitatea de barier, dominant n polarizare
invers)

Proprietile de comutaie sunt influenate de asemenea i de acumularea de


purttori de sarcin minoritari n regiunea bazei la intrarea n saturaie.

Timpii de comutaie asociai sunt influenai i de natura sarcinii.

Raspunsul la monoimpuls de
comanda

Dac reprezentm rspunsul


unui tranzistor bipolar comandat
cu un curent de baz de tip
impuls se obine o variaie de
tipul celei descrise in figura 3.26.
Notaiile au urmtoarele
semnificaii: tr - timp de cretere;
tS - timp de ieire din saturaie; tf timp de cdere sau de blocare;
tS+ tf= toff - timp de comutaie
invers; ton - timp de comutaie
direct.
Este necesar s fie ndeplinit
condiia de saturare a
tranzistorului IBh21E>>ICsat .

IB
IB1

IB2

IC/IC0
1
0.9
0.1
tr

tS

tf

Figura 3.26. Rspunsul tranzistorului bipolar la


impuls de curent n baz

Timpii de comutatie ai TB
IB

I
t r CS
IB1

I
t f CS
IB 2

IB1

IB2

IC/IC0

(IB1 IB2 )h21E


tS ln
ICS h21E IB2

1
0.9
0.1
tr

tS

tf

Se observ c timpii depind att de curenii din baz, ct i de


constanta de timp de stocare .
Avantajele regimului de saturaie n comutaie sunt: stabilitate
bun (tranzistorul i pstreaz starea de saturaie sau blocare
chiar i n prezena unor perturbaii importante), numr redus
de componente, proiectare uoar, disipatie termic redus.
Dezavantajul principal este viteza redus de comutaie.

Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (1)

Exist mai multe posibiliti pentru reducerea timpilor de comutaie:


a) reducerea timpilor de comutaie prin utilizarea unor
tranzistoare cu frecven de tiere ridicat;
b) utilizarea condensatoarelor de accelerare - asigur o
supracomand n baza tranzistorului. Mrirea curentului de baz
n general nu este recomandat deoarece IB pentru comutaia
direct, respectiv invers determin efecte contrare;
c) evitarea intrrii n saturaie a tranzistorului bipolar cu ajutorul
reaciei negative neliniare.

Prima soluie depinde de tehnologia de fabricaie a tranzistorului i nu


este la ndemna utilizatorilor, celelalte dou metode fiind ns larg
rspndite.

Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (2)

O soluie practic uzual const n modificarea formei de und a


tensiunii de comand cu ajutorul unor elemente pasive, n particular
capaciti.
Forma de und ideal pentru comanda n baz include
supracresteri temporare ce au ca efect reducerea timpilor de
comutaie.
Timpul de comutaie direct ton poate fi redus prin mrirea curentului
de comand IB peste valoarea normal de meninere n saturaie.
Aceasta influeneaz ns negativ timpul de ieire din saturaie
determinat n principal de timpul de stocare a purttorilor ts. De
aceea, n cazul comutaiei inverse, se urmrete aplicarea unei
supracreteri similare pentru reducerea timpului de comutaie
invers toff = tS+tf .

Reducerea timpilor de comutatie


prin supracomanda (1)
IB
IB1

IBIS

t
IB2

I'B2

IC
1
0,9
t

0,1
ton

toff

Figura 3.27. Reducerea timpilor de comutaie prin modificarea


formei de und a curentului de comand

Reducerea timpilor de comutatie


prin supracomanda (2)

O astfel de form de und este dificil de obinut n


practic motiv pentru care se utilizeaz un
compromis.
Dac se introduce un circuit de derivare n baza
tranzistorului (circuit alctuit din C i Rin T ) impulsul
de comand furnizat de sursa e(t) (figura 3.28) va fi
deformat, fiind afectat de supracreteri suprapuse
celor dou fronturi. Tensiunea de comand e(t) va
determina o variaie a curentului ca n figura 3.28.

Supracomanda capacitiva
TO

E1
EC
IC

rS

RB

RC

t1

t2

IB1
IBS
VO

t2

E2

IB

t1

ICB0
IB2
IB2

tr

a.
b.
Figura 3.28. Supracomanda tranzistorului, folosind circuit de derivare n baz, n scopul
reducerii timpilor de comutaie (a) i forme de und asociate (b)

ts + tf

Evaluarea curentilor de
supracomanda (1)
Pentru e(t)=E1 , tranzistorul fiind iniial blocat, curentul injectat n baz va
fi cel determinat mai jos, unde VC este tensiunea pe condensator la
momentul t1, iar Rin= rb este rezistena de intrare n baza tranzistorului. Pe
msur ce condensatorul se ncarc IB, se micoreaz , ajungand la
valoarea IBS.

IB1

E1 VC (t1 )
rs Rin

IBS

E1
rs RB Rin

Evaluarea curentilor de
supracomanda (2)
Pentru ca prin tranzistor s se
stabileasc curentul de regim
staionar, IBS, nainte de terminarea
impulsului de comand ( t2 ), trebuie
satisfcut relaia:
T
c C R ||(rs Rin ) 0
3
n momentul blocrii tranzistorului: IB2

E 2 VC (t 2 )
rs Rin

Pe msur ce condensatorul se descarc, IB scade ctre ICB0.


Pentru a accelera descrcarea condensatorului dup blocarea tranzistorului, sa introdus dioda D care protejeaz jonciunea BE la supracomanda invers.
Aceast metod este util cu precdere n cazul tranzistoarelor avnd
parametrul h21E cu dispersie tehnologic redus.

Cresterea vitezei de comutatie


prin evitarea saturatiei

O alt metod de reducere a timpilor de


comutaie se refer la evitarea intrrii in
saturaie prin introducerea unei reacii
negative care s mpiedice polarizarea
direct a jonciunii baz-colector (figura
3.29).
Valoarea rezistenei R trebuie astfel
aleas nct pentru valoarea maxim
h21Emax, cderea de tensiune pe R s fie
mai mare dect cderea de tensiune pe
D.
R (IB I1 ) VD
Ec
IB
RC h21E
I1

EB
R1

VD
Ec
E
B
h21E RC R1

EC
IC
D

ID
I

RC

IB
R

I1
R1
EB
Figura 3.29. Reducerea timpilor de
comutaie prin evitarea intrrii n
saturaie

VO

Metode alternative de evitare


a saturatiei TB

TEC in comutatie

Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt folosite pe


scar larg n circuitele digitale unde este exploatat
nsuirea de comutator a acestui dispozitiv.
Cele mai utilizate n regim de comutaie sunt
tranzistoarele TEC-MOS, a cror comportament se
apropie cel mai mult de comutatorul ideal.
Funcionarea n comutaie este determinat esenial de
sarcina pe care lucreaz tranzistorul, motiv pentru care
n continuare s-au abordat astfel de situaii concrete.

Tranzistoare cu efect de camp

cu grila
jonctiune

cu imbogatire,
canal indus

cu saracire,
canal initial

83

TEC cu sarcina rezistiva in


regim de comutatie
VDD
iD

RD

B
RG
C

v in

vo

VGS = V1
VGS = ct

A
VDD

D
a.

b.
Figura 3.30 TEC cu sarcin rezistiv (a) i caracteristicile asociate (b)

VDS

Fenomenul fizic al comutatiei


TEC (1)

S considerm c la momentul iniial tranzistorul se afl


n starea blocat i i se aplic un salt de tensiune la
intrare.
Imediat dup aplicarea comenzii de comutaie, canalul
nefiind format, tranzistorul nu conduce. Iniial sursa de
semnal ncarc pozitiv grila fa de substrat i mpinge
golurile de la suprafa spre interiorul substratului,
formnd regiunea cu sarcin spaial, srcit de
goluri. Acelai curent transport electroni din regiunea
n+ a sursei spre regiunea p de sub gril, formnd canalul
conductor.

Fenomenul fizic al comutatiei


TEC (2)

Procesele care au loc n aceast etap corespund


ncrcrii unei capaciti neliniare.
Pentru valorile uzuale ale capacitilor de gril (cca. 1 pF)
i RG, durata acestui proces este mic (considerandu-se
c tranzistorul intr n conducie imediat dup aplicarea
comenzii de comutaie direct).
ntotdeauna la ieirea unui TEC exist o anumit
capacitate parazit C, format din capacitatea dren surs , capacitatea conexiunilor i capacitatea de intrare
n etajul urmtor. Datorit acestor capaciti, tensiunea
la ieire, la sfritul procesului de formare a canalului,
practic nu se schimb, capacitatea memornd
tensiunea la borne.

Comutatia directa TEC cu


sarcina rezistiva

n continuare, capacitatea C se
descarc prin conductana dren surs, de la tensiunea iniial VDD
(corespunztoare strii blocate) la
valoarea redus, corespunztoare
strii de conducie (punctele B,
respectiv C din figura 3.30.b).
Punctul de funcionare al
tranzistorului se deplaseaz pe
caracteristica static VGS = V1 din B
spre C.
Acest proces determin durata
comutaiei directe a TEC-MOS.

Comutatia inversa TEC cu


sarcina rezistiva

Dup aplicarea comenzii de comutaie invers,


sursa de semnal descarc capacitatea de gril.
Sarcina pozitiv de pe gril este eliminat iar
golurile majoritare din substrat ptrund n
regiunea srcit de sarcini de la suprafa. n
felul acesta, canalul dispare.
Procesul de nchidere a canalului este foarte
rapid, durata sa putnd fi neglijat n cadrul
timpului de comutaie invers. n planul
caracteristicilor de ieire, punctul de funcionare
trece din C n D la VDS = constant.
n continuare urmeaz ncrcarea capacitii
parazite C prin rezistena de dren pn la
tensiunea VDD corespunztoare strii blocate.
Acest proces determin durata comutaiei
inverse a TEC-MOS.

Timpii de comutatie TEC-MOS


cu sarcina rezistiva

Comutaia conductanei dren surs precum i a curentului de


dren se face foarte rapid.
Tensiunea la ieire are ns un
proces tranzitoriu mai lung,
datorit capacitii parazite de la
ieire.
Timpii de comutaie direct i
invers au aceleai definiii ca la
tranzistorul bipolar, cu deosebirea
c se refer la regimul tranzitoriu
al tensiunii de la ieire.
La TEC-MOS aceti timpi sunt de
ordinul 20 - 100ns.

v in
V1
t
vo
VDD
t
Figura 3.31. Rspunsul n tensiune
al TECMOS cu canal n indus la
impuls de comand rectangular

Sarcina rezistiva vs. sarcina


activa

n circuitele integrate actuale, tranzistoarele TEC-MOS nu lucreaz


cu sarcin rezistiv.
Rezistoarele folosite n circuitele integrate bipolare obinute prin
difuzie sau depuneri metalice n vid ocup suprafee mari. De
exemplu, un rezistor difuzat de 20k ocup o suprafa de
aproximativ 0,2 mm2.
n circuitele integrate, ca rezistoare se folosesc tot tranzistoare
TECMOS a cror suprafa este cu aproximativ un ordin de mrime
mai mic dect cea ocupat de rezistorul difuzat. n acest caz, se
utilizeaz rezistena efectiv a canalului unui TEC-MOS n conducie
care funcioneaz fie n regiunea saturat fie n cea nesaturat a
caracteristicii ID (VDS). Cu aceste dispozitive se obin rezistene cu o
bun reproductibilitate i liniaritate. n plus, posibilitatea de control a
valorii rezistenei prin tensiunea de gril constituie un avantaj
deosebit pentru proiectantul de circuite integrate.

TEC cu sarcina activ in


regim de comutaie
Sarcina tranzistorului driver
este un tranzistor de
acelai tip conectat ca
rezisten.

+VDD
5

Sarcina activa are un


comportament neliniar

+
vi
-

Sarcin
Q2
+
Driver
Q2 v
o

vi

t
vo

t0

5
t

a.

b.
Figura 3.32. TEC cu sarcin activ

TEC cu sarcina activ in


regim de comutaie
Pentru t < t0, tensiunea de intrare are o
valoare sczut; din caracteristica de
transfer din figura 3.34 se observ c V0
= VDD. Curentul n circuit, ID1, este zero.
Aceasta este o caracteristic tipic
pentru un comutator deschis, la care
tensiunea la borne este ridicat, n timp
ce curentul este zero.
Pentru t > t0 , tensiunea de intrare este
VDD, rezultnd o tensiune de ieire Vo = 0
(figura 3.32.b) i un curent semnificativ
tipic de aproximativ 100 A al VDD = 5V.
Aceste condiii aproximeaz un
comutator nchis la care exist un
curent important asociat unei tensiuni
joase care traverseaz comutatorului
(ntre dren i surs).

+VDD
5

+
vi

Sarcin
Q2
+
Driver
Q2 v
o

vi

t
vo

t0

5
t

a.

b.
Figura 3.32. TEC cu sarcin activ

Caracteristicile de iesire TECMOS cu sarcina activa


Pentru t < t0, tensiunea de
intrare are o valoare sczut;
din caracteristica de transfer
din figura 3.34 se observ c
V0 = VDD. Curentul n circuit,
ID1, este zero. Aceasta este o
caracteristic tipic pentru un
comutator deschis, la care
tensiunea la borne este
ridicat, n timp ce curentul
este zero.

ID1[A]

Dreapta de sarcin
neliniar
VGS1=6V

300

Caracteristici de ieire
ale tranzistorului driver

VGS1=5V

200

VGS1=4V
100

VGS1=3V
2

VDS1[V]
6

Figura 3.33. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului driver i


caracteristica de sarcin n cazul unei sarcini active n dren

Pentru t > t0 , tensiunea de intrare este VDD, rezultnd o tensiune de ieire Vo = 0


(figura 3.32.b) i un curent semnificativ tipic de aproximativ 100 A al VDD = 5V.
Aceste condiii aproximeaz un comutator nchis la care exist un curent
important asociat unei tensiuni joase care traverseaz comutatorului (ntre dren
i surs).

Caracteristica de transfer
TECMOS cu sarcina activa
Cele dou stri ale comutatorului pot fi
deduse din caracteristica de transfer (figura
3.34). Atta timp ct vi VT tensiunea de
ieire este ridicat i curentul este zero.
Tensiunile de intrare mai mari de VDD
produc doar schimbri mici ale parametrilor
v0, respectiv ID1 (cu excepia situaiei cnd
are loc strpungerea tranzistoarelor).
n consecin, curentul de ieire este
determinat aproape n ntregime de
caracteristica de ncrcare i de curentul de
dren furnizat de sursa de alimentare, VDD .

5
4

vo [V]

3
2
1
0

vi [V]
1

Figura 3.34. Caracteristica de transfer


pentru TEC cu sarcin activ