DCE - Analogic

9
DCE - Cap.1. INTRODUCERE
Cap.1. INTRODUCERE
n curs se prezint dispozitivele i circuitele electronice fundamentale ce intervin n
prelucrarea electronic a semnalelor analogice. Termenul de "electronic" este asociat mecanismului
electronic de conducie electric.
Prin component electronic se nelege realizarea fizic a unui element electric individual,
ntr-un corp fizic independent, care nu poate fi redus mai departe sau divizat, fr a distruge
posibilitatea de a ndeplini funcia pentru care a fost realizat. Componentele electronice se mpart n
dou categorii: pasive i active. Componentele pasive sunt elemente disipative (consum putere
activ i o transform n cldur) i nu pot controla fluxul de energie dintr-un circuit electric. Ex.:
rezistoare, condensatoare, bobine de inductan, transformatoare etc. Circuitele formate numai din
componente pasive nu pot efectua cea mai important funcie electronic: amplificarea. Aceasta
poate fi realizat de componentele active, care sunt elemente care pot comanda sau modula fluxul
de energie dintr-un circuit. Ex.: dioda semiconductoare, tranzistoare, tuburi cu vid sau cu gaz,
dispozitive optoelectronice etc. Uzual, pentru componentele pasive se folosete termenul de
"componente", iar pentru cele active, termenul de "dispozitive". Dispozitivele electronice se
bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n corpul solid (de regul n semiconductoare),
n gaze sau n vid.
Circuitele electronice sunt acele circuite electrice care folosesc dispozitive electronice. Ele
realizeaz diverse funcii electronice: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii, generarea de
oscilaii armonice, modularea, demodularea etc. Circuitele electronice se mpart n dou categorii:
1) circuite digitale (numerice, logice): acele circuite care prelucreaz semnale binare, adic
semnale care pot avea numai dou valori (0 sau 1);
2) circuite analogice: circuitele la care semnalul de ieire variaz continuu n timp, urmrind
dup o anumit lege variaia semnalului de intrare. Dup natura funciei de transfer, adic a relaiei
dintre mrimea de intrare i cea de ieire, circuitele analogice se mpart n circuite liniare i
neliniare.
Dispozitivele electronice sunt n general neliniare, dar ele pot fi considerate suficient de
liniare n domenii de funcionare limitate.
Tubul electronic a fost primul dispozitiv folosit n electronic. nc din anul 1883, Thomas
Edison, a studiat i a construit o lamp cu filament de carbon, atrgndu-i atenia nnegrirea tubului
de sticl dup cteva ore de funcionare. Cu intenia de a capta unele din particulele care nnegreau
sticla, a introdus n balonul de sticl o plac metalic i a fost surprins s descopere c dac fcea
placa pozitiv n raport cu filamentul, n circuit aprea un curent. Timp de douzeci de ani nimeni
nu a tiut c acest efect termoelectronic numit "efect Edison", era datorat electronilor emii de
filamentul cald i captai de anodul (placa) ncrcat pozitiv. nnegrirea lmpii a fost studiat i de
Ambrose Fleming, cercetnd realizarea unui detector evoluat pentru undele radio ale lui Marconi.
n 1904 el i-a patentat "tubul oscilator" cu doi electrozi (dioda) care permitea trecerea curentului
ntr-o singur direcie. Lee de Forest a construit n 1907 un tub electronic cu o gril (reea) metalic
ntre catod i anod, numit triod. Urmeaz tetroda (Schottky, 1919), pentoda (Tellegen, 1928) etc.
n anii 30 au aprut redresoarele cu diode metal-semiconductor (cu seleniu, cu oxid
cupros), apoi cu germaniu (Ge) i cu siliciu (Si). Primul tranzistor bipolar a fost cel cu contacte
punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii foarte mici.
Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actual, tranzistorul bipolar cu jonciuni,
inventat de Shockley n 1949.
Cu excepia unor aplicaii specializate (n emitoarele radio, tuburile catodice), tuburile
electronice au fost nlocuite dup 1960 de dispozitivele semiconductoare discrete i integrate.
Un circuit integrat este o unitate constructiv inseparabil de microelemente interconectate
electric, plasate n volumul sau pe suprafaa unui substrat comun. D.p.d.v. tehnologic, ele pot fi
realizate sub form monolitic sau sub form hibrid. Circuitele integrate monolitice se obin
10
integral pe aceeai plcu (cip) de material semiconductor. Cele hibride conin i unele elemente
neintegrabile (condensatoare i inductane mari).
Pentru analiza circuitelor electronice se utilizeaz legile fundamentale ale circuitelor (legea
lui Ohm, legile lui Kirchhoff), precum i o serie de teoreme (superpoziiei, Thvenin, Norton etc.).
Teorema superpoziiei poate fi enunat n dou forme: una n termenii unei reele de
impedane i alta n termenii unei reele de admitane. n orice reea liniar de impedane i
generatoare, curentul dintr-o ramur este egal cu suma curenilor ce strbat acea ramur datorit
fiecrui generator considerat separat, cu toate celelalte generatoare nlocuite prin impedanele lor
interne.
n exemplul din figura 1.1 vom aplica teorema superpoziiei pentru a calcula curentul I din
ramura circuitului cu rezistorul avnd rezistena de 5.
Isc
12V
I1
I2
I
2
6V
Z in
Fig. 1.1. Aplicaie pentru utilizarea Fig. 1.2. Circuit echivalent

teoremei superpoziiei
pentru teorema lui Thvenin
Yin
Fig. 1.3. Circuit echivalent

pentru teorema lui Norton
Considerm bateria de 12V singur i nlocuim bateria de 6V lsnd doar impedana sa

intern de 2. Pentru acest circuit avem:
I I1 12 / 6 2 * 5 / 2 5* 2 / 2 5 24 / 52 A
Acum considernd bateria de 6V singur, nlocuim bateria de 12V lsnd doar impedana sa intern
de 6. Rezult:
I I 2 6 /2 5 * 6 / 5 6 * 6 / 5 6 36 / 52A
Cu ajutorul teoremei superpoziiei avem:
I I1 I 2 24 / 52 36 / 52 1,1538A
A doua modalitate de exprimare a teoremei superpoziiei este: n orice reea de admitane i
generatoare de curent, potenialul de-a lungul unei ramuri este egal cu suma potenialelor de-a
lungul acestei ramuri datorate fiecrui generator considerat ca acionnd separat, cu toate celelalte
generatoare nlocuite prin admitanele lor interne.
Teorema lui Thvenin (teorema generatorului echivalent de tensiune, teorema lui
Helmholz-Thvenin) arat c orice reea de generatoare i impedane, cu dou terminale, poate fi
nlocuit printr-un "unic generator de tensiune n serie cu o singur impedan". In figura 1.2.
reeaua este prezentat ca o "cutie" cu dou terminale, n partea stng, iar circuitul echivalent
alctuit din generatorul unic de tensiune V i impedana Zin n partea dreapt (tot cu dou
terminale).
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate dup cum urmeaz:
- generatorul de tensiune V are valoarea egal cu tensiunea msurat la bornele reelei cnd
nu este conectat nici o sarcin (tensiune de mers n gol);
- impedana Zin este impedana msurat ntre terminale cnd toate generatoarele interne
sunt suprimate i nlocuite cu impedanele lor interne.
Teorema lui Norton (teorema generatorului echivalent de curent) este similar cu
teorema lui Helmholz-Thvenin cu excepia c circuitul echivalent este exprimat ca un generator de
curent n paralel cu o admitan. n figura 1.3 reeaua este prezentat ca o cutie cu dou terminale
avnd n dreapta sa circuitul echivalent Norton.
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate dup cum urmeaz:
- Isc este curentul care ar strbate un "scurtcircuit" plasat ntre terminale;
11
- Yin este admitana msurat ntre terminale cu toate generatoarele suprimate (Yin este
bineneles inversul impedanei Zin echivalente din cazul teoremei lui Helmholz-Thvenin).
DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR
11
Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

2.1. PURTTORI DE SARCIN MOBILI N SEMICONDUCTOARE
2.1.1. Semiconductoare pure
Dispozitivele electronice actuale sunt realizate, n marea majoritate, din materiale
semiconductoare. Semiconductoarele formeaz, din punctul de vedere al conductivitii electrice, o
categorie intermediar ntre metale i izolatoare. Ele permit (la T>0K) conducia curentului
electric. ntre banda de valen (B.V.) i cea de conducie (B.C.) exist o band interzis (B.I.),
avnd lrgimea energetic E=Ec-Ev<3eV (fig.2.1).
La metale, B.V. i B.C. sunt parial suprapuse. Materialele semiconductoare cele mai folosite sunt:
Si, Ge (grupa IV a sistemului periodic, reea cristalin tetraedric tip diamant, legturi chimice
covalente), GaAs, InP, GaP, InSb (reea cristalin cubic tip blenda -ZnS, legturi chimice
covalente cu contribuie ionic, n sensul c electronii de legtur rmn mai concentrai n jurul
atomilor pentavaleni).
E=1.12eV pentru Si
E=0.67eV pentru Ge
E=1.4eV pentru GaAs
ntr-un semiconductor pur, la 0K, se presupune c toi electronii de valen sunt localizai
n legturi covalente i nu exist purttori de sarcin mobili. Materialul se comport ca un izolator,
cu B.V. complet ocupat de electroni, iar B.C. goal (fig. 2.2.a, fig. 2.2.b).
Fig. 2.1
Fig. 2.2.a
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Fig. 2.2.b
Atomi ntr-un cristal
de Si ilustrnd legturile
covalente
Fig. 2.3.b
Cristal cu un electron
liber i un gol datorai
agitaiei termice
Fig. 2.3.a
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
gol
Si
electron
La T>0K, o parte din electronii de valen pot primi de la agitaia termic o energie
suficient de mare (>E) pentru a se desprinde din legturile covalente i a trece din B.V. n B.C.,
unde se comport ca electronii liberi din metale, participnd la conducia curentului electric. Aceti
electroni se numesc electroni liberi sau de conducie, iar procesul se numete generarea direct a
purttorilor de sarcin. Legturile covalente pot fi rupte i pe alte ci, spre exemplu, prin absorbia
de ctre electronii de valen a unor fotoni de energie >E. La Si pur, la temperatura ambiant, doar
o legtur la 7013 este rupt la un moment dat. n figurile 2.3.a i 2.3.b se observ locul rmas
12
liber (golul) prin ruperea legturii covalente. Golurile pot fi ocupate de ali electroni din alte
legturi covalente. Descrierea micrii golurilor prin micarea electronilor de valen este foarte
complicat. De aceea se introduce o particul fictiv - golul - considernd c acesta are mas
efectiv i sarcin pozitiv. Conceptul de gol poate fi justificat prin micarea unei bule de aer ntrun lichid. n concluzie, n semiconductoare exist dou feluri de purttori de sarcin mobili:
electronii i golurile. La semiconductoarele pure, purttorii sunt generai numai ca perechi electrongol. Este posibil i procesul invers: un electron din banda de conducie poate s cad ntr-un gol din
banda de valen, legtura se reface, purttorii dispar (tot n perechi). Procesul poart denumirea de
recombinare direct a purttorilor. n consecin, concentraia volumic a electronilor liberi (n) la
un semiconductor pur este egal cu concentraia volumic a golurilor (p): n=p=ni , unde ni se
numete concentraie intrinsec niT/E. Semiconductoarele pure mai sunt numite i intrinsece (de
tip i).
2.1.2. Semiconductoare cu impuriti
n construcia dispozitivelor electronice, de obicei se utilizeaz semiconductoare cu
impuriti. Procesul prin care ntr-un semiconductor se introduc impuriti se numete dopare.
Pentru Ge i Si se utilizeaz dou tipuri de dopri: cu elemente pentavalente (P, Sb, As, Bi donoare de electroni) i cu elemente trivalente (B, Al, In, Ga - acceptoare de electroni). Atomii
acestor impuriti intr n nodurile reelei cristaline, substituind atomii de semiconductor, rezultnd
n final semiconductoare de tip n (cnd purttorii majoritari sunt electronii) i respectiv p (cnd
purttorii majoritari sunt golurile).
Semiconductoare de tip n
S considerm, de exemplu, c o parte din atomii de Si sunt substituii cu atomi pentavaleni
de P. Patru din cei cinci electroni de valen ai atomului de P intr n legturi covalente cu atomii
vecini de Si. Al cincilea electron de valen nu poate intra n legtur covalent i va evolua pe o
orbit cu raza mult mai mare dect distana dintre doi atomi vecini. Nivelul energetic al acestui
electron (Ed) se plaseaz n B.I. foarte aproape de B.C. (fig. 2.4.a, 2.4.b).
Fig. 2.4.a
Fig. 2.4.b
Fig. 2.5.a
Fig. 2.5.b
13
Concentraia impuritilor este foarte mic (de ordinul a 1 atom de P la 107 atomi de Si),
atomii de impuriti fiind izolai ntre ei (nveliurile lor electronice nu se influeneaz reciproc). De
aceea nivelele introduse de impuriti sunt locale (le vom reprezenta prin linii ntrerupte). Dar
electronii de pe aceste nivele nu pot participa la conducie. Aceasta ar fi structura la 0K, cnd B.C.
nu conine electroni. La T>0K, electronii de pe nivelele Ed pot trece foarte uor n B.C. devenind
electroni liberi. Energia Ed=Ec-Ed se numete energie de activare a impuritilor (~0.01eV).
Atomii pentavaleni constituie o surs de electroni de conducie i de aceea ei se numesc donori, iar
nivelele Ed nivele donoare.
Electronii eliberai de impuritile donoare nu las n urma lor goluri, ci ioni pozitivi fici n
reeaua cristalin. Agitaia termic determin ruperea legturilor covalente, adic generarea
perechilor electron-gol. Astfel exist i goluri, dar mai puine dect electronii. Purttorii de sarcin
n numr mai mare, adic electronii, se numesc majoritari, semiconductorul se numete de tip n, iar
golurile sunt purttori minoritari.
Semiconductoare de tip p
S considerm acum c o parte din atomii semiconductorului au fost substituii cu atomi
trivaleni, de exemplu B. Aceti atomi nu vor putea satisface dect trei legturi de covalen cu
atomii de Si, o legtur rmnnd nesatisfacut. Lipsa unui electron nu reprezint un gol propriuzis, deoarece nivelul energetic al acestei legturi este local i se plaseaz n B.I., puin deasupra
B.V.(fig. 2.5.a, 2.5.b).
La 0K banda de valen ar fi complet ocupat, n B.C. nermnnd electroni. Energia de
activare a impuritilor Ea=Ea-Ev fiind mic (~0.01eV), la T>0K, unii electroni de covalen pot
primi de la agitaia termic energia necesar pentru a trece din B.V. pe nivelele acceptoare din B.I..
Abia acum apar n B.V. goluri veritabile; electronii de pe nivelele acceptoare locale nu particip la
conducie, ci formeaz ioni negativi fici n reeaua cristalin. Impuritile se numesc acceptoare,
purttorii majoritari sunt golurile, iar semiconductorul este de tip p.
Semiconductoarele de tip n i p se mai numesc i semiconductoare extrinsece.
Impuritile dau nivele izolate numai dac concentraia lor este mai mic de 1025 atomi/m3.
La concentraii mai mari, atomii de impuritate ncep s interacioneze ntre ei i corpul devine
semimetal. n practic se utilizeaz concentraii ntre 1020 i 1024 atomi/m3, mai mari dect
concentraia intrinsec ni.
Semiconductoarele pot conine simultan impuriti de ambele tipuri (fig. 2.6).
La 0K, cristalul trebuie s se afle n starea de minim energetic, deci electronii de pe Ed vor
trece pe Ea, cristalul comportndu-se ca un semiconductor tip n n cazul figurii 2.6.a, respectiv p
pentru figura 2.6.b, cu o concentraie efectiv de impuriti N=Nd-Na. Acest fenomen se numete
compensarea impuritilor. Dac Nd=Na, cristalul se numete compensat i se comport ca un
semiconductor intrinsec (fig. 2.6.c).
Fig. 2.6.a
Fig. 2.6.b
Fig. 2.6.c
14
2.2. TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN N SEMICONDUCTOARE

ntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii din B.C. i golurile din
B.V. sufer doar o micare de agitaie termic, care are un caracter haotic i este nsoit de ciocniri
cu reeaua. n medie, electronii i golurile nu sufer o deplasare net. Aceast situaie corespunde
absenei curenilor electrici macroscopici de conducie. Deplasare efectiv apare n dou situaii:
1) sub aciunea unui cmp electric, cnd este numit drift, iar curenii se numesc cureni de
cmp sau de drift;
2) n prezena unui gradient de concentraie a impuritilor, cnd se numete difuzie, iar
curenii se numesc cureni de difuzie.
2.2.1. Micarea purttorilor de sarcin n cmp electric
n figura 2.7. s-a reprezentat (cu linie continu)
drumul haotic al unui gol, n absena cmpului electric.
Dac E0, micarea golului i pstreaz caracterul (linia
punctat), dar peste deplasarea dezordonat se suprapune
o deplasare dirijat, n direcia cmpului.
Viteza medie (net) pe direcia cmpului electric
pe care o capt purttorii este Vn=nE pentru electroni
Fig. 2.7
i Vp=pE pentru goluri, unde E = intensitatea cmpului
electric i n, p = mobilitatea electronilor, respectiv a golurilor. n>p datorit concentraiilor
diferite n care are loc micarea acestor particule. Mobilitatea scade cu creterea E, cu creterea T,
i cu creterea concentraiilor impuritilor.
2.2.2. Difuzia purttorilor de sarcin
n majoritatea dispozitivelor semiconductoare concentraia purttorilor este neuniform, fie
prin faptul c unele regiuni ale semiconductorului sunt dopate cu impuriti acceptoare iar altele cu
impuriti donoare, fie datorit doprii uniforme cu un
anumit numr de impuriti, fie ca rezultat al
introducerii unor purttori suplimentari din exterior. n
aceste cazuri exist tendina ca purttorii din regiunile
cu concentraie mare s se deplaseze spre regiunile cu
concentraie mai mic. Fenomenul este similar cu
difuzia gazelor (cu excepia rezultatului final, dup
cum vom vedea).
Pentru a discuta fenomenul difuziei,
considerm o bar semiconductoare n care
concentraia golurilor variaz dup axa x i
presupunem c pe axa y concentraia este constant
(fig. 2.8).
n unitatea de timp o anumit fraciune din
golurile din boxa din stnga vor trece n cea din
dreapta prin zona de separaie. n acelai timp o
fraciune din golurile boxei din dreapta vor trece n cea
din stnga.
Pentru c sunt mai multe goluri n stnga va
exista un flux net de purttori de la stnga la dreapta.
Va apare un curent de difuzie:
Jdp=qDpdp/dx
15
Jdn=qDndn/dx
Fig. 2.8
Jdp= densitatea curentului de difuzie pentru goluri
Jdn= densitatea curentului de difuzie pentru electroni
Dp= coeficient de difuzie a golurilor
Dn= coeficient de difuzie a electronilor
Obs:
1) curentul de difuzie nu este rezultatul aciunii unor fore asupra purttorilor, ci este o consecin a
micrii lor haotice;
2) densitatea curentului depinde de gradientul concentraiei i nu de valoarea absolut a ei;
3) apare un cmp electric intern care nsoete fenomenul de difuzie. Acest cmp se opune difuziei.
La echilibru curentul de difuzie este egal i de sens opus cu curentul produs de cmpul intern.
Aceasta este diferena fa de gaze.
Coeficientul de difuzie este o msur a uurinei cu care purttorii se deplaseaz n reeaua
cristalin. Exist o relaie ntre D i . Aceast relaie a dedus-o Einstein: Dp=KT/qp, K=
constanta lui Boltzmann.
Se definete Ut=KT/q= tensiune termic; la 300K Ut=25mV.
2.3. GENERAREA I RECOMBINAREA PURTTORILOR DE SARCIN
Spre deosebire de metale, unde electronii au o existen nedefinit, la semiconductoare
electronii au un timp de via statistic finit. Are loc un proces continuu de generare a purttorilor ca
urmare a agitaiei termice i n paralel procesul invers. La echilibru trebuie ca viteza de generare s
fie egal cu cea de recombinare. Viteza de generare reprezint numrul de purttori generai n
unitatea de timp i unitatea de volum.
Procesele de generare i recombinare sunt directe i indirecte.
Generarea i recombinarea direct prezentate anterior au importan doar la dispozitivele
electronice pe baz de Ga-As.
Procesul indirect de generare i recombinare predomin la Ge i Si. Saltul se face prin
intermediul unor nivele donoare sau acceptoare plasate aproape de mijlocul benzii interzise. Astfel
de nivele pot fi produse de defectele reelei cristaline, spaii interstiiale, dislocaii, precum i
impuriti voite (Au) sau nedorite (Fe, Co, Ni). Aceste nivele acioneaz ca trepte intermediare la
tranziia electronilor ntre B.V. i B.C.. Energia cerut de acest proces este aproape de E/2 i de
aceea procesul este mult mai probabil dect tranziia direct.
Timpul mediu pe care purttorii l petrec de la generare pn la recombinare se numete
timp de via. La echilibru termodinamic vitezele de generare i recombinare sunt egale. S
presupunem c echilibrul a fost perturbat de un flux de fotoni. Sistemul tinde spre echilibru. n
condiiile de exces de purttori predomin recombinarea, invers predomin generarea.
2.4. INJECIA PURTTORILOR DE SARCIN
Cnd concentraiile purttorilor sunt mai mari dect la echilibru se spune c
semiconductorul se afl n stare de injecie (np>ni2). Dac concentraiile sunt mai mici ca la
echilibru spunem c semiconductorul se afl n stare de extracie (np<ni2).
Vom trata un caz particular de injecie: o plcu semiconductoare (fig. 2.9), de exemplu de
tip n, n care se injecteaz n mod continuu i uniform purttori minoritari (goluri) pe una din fee
(y0z). Injecia se poate realiza cu ajutorul unui contact metalic pe suprafaa y0z sau prin iluminarea
acesteia continuu i uniform (deci injecie cu fotoni). La suprafa concentraia golurilor va crete
fa de cea din interiorul cristalului i atunci golurile vor difuza spre interior.
n timpul difuziei are loc i procesul de recombinare astfel nct la o anumit distan toi
purttorii injectai se recombin i semiconductorul se afl n echilibru (fig. 2.10.a). Se d legea de
variaie a concentraiei golurilor de la suprafa spre interior: p=p0+pexp(-x/Lp), unde Lp2=
16
pDp, Lp= lungimea de difuzie a golurilor n exces, de fapt valoarea medie a adncimii pn la
recombinare.
z
n
y
injecie de
goluri
x
Fig. 2.9
O relaie similar se poate scrie i pentru electroni: n=n0+nexp(-x/Ln). Aceast lege este
valabil i pentru extracie, cu limitarea pp0 (fig. 2.10.b). Putem avea extracie total sau
parial.
Fig. 2.10.a.
Fig. 2.10.b.
DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n
17
Cap.3. JONCIUNEA p-n

Majoritatea dispozitivelor conin att regiuni p ct i regiuni n n acelai cristal.
Definiie: Regiunea n care se face trecerea de la p la n se numete jonciune p-n.
Dup modul n care variaz concentraia efectiv a
impuritilor (N=Nd-Na) la trecerea dintr-o regiune n
cealalt, jonciunile pot fi abrupte sau gradate.
Un caz particular de jonciune gradat l constituie
jonciunea gradat liniar (fig. 3.1.c), la care concentraia
efectiv variaz liniar: N=Nd-Na=a*x, unde a este o
constant (gradientul concentraiei). Dac trecerea de la p la
n se face pe distan mare, avem de-a face cu un
semiconductor neomogen. Marea majoritate a dispozitivelor
semiconductoare conin una sau mai multe jonciuni. Cel
mai simplu dispozitiv electronic, realizat cu o singur
jonciune
este
dioda
semiconductoare.
Dioda
semiconductoare nu este acelai lucru cu jonciunea p-n.
Exist diode semiconductoare realizate pe baza contactului
metal-semiconductor. n plus o diod conine, pe lng
eventuala jonciune p-n, i alte structuri, cum ar fi:
contactele ohmice, sistemele de prindere i de evacuare a
cldurii etc.
3.1. JONCIUNEA p-n LA ECHILIBRU TERMIC
O jonciune nu poate fi realizat prin punerea n
contact mecanic a unui cristal de tip p cu altul de tip n,
deoarece orict de fin ar fi prelucrate suprafeele ce vin n
contact, ansamblul astfel format are dou reele cristaline
independente, iar n zona contactului apar o mulime de
defecte
ce mpiedic micarea purttorilor de sarcin i
Fig. 3.1
mresc foarte mult viteza de recombinare.
S presupunem c am putea obine o jonciune abrupt prin contact mecanic. Imediat dup
realizarea contactului la interfa, concentraiile de purttori au un gradient foarte mare, datorit
cruia unele goluri din p difuzeaz n n (fig. 3.2.a). La interfa, concentraia are un gradient infinit
datorit cruia unele goluri din regiunea p difuzeaz n n, iar electronii invers. Ca urmare a acestei
difuzii n vecintatea interfeei, concentraiile de purttori mobili devin mult mai mici dect
concentraiile impuritilor ionizate. n final rezult abateri de la neutralitatea electric; n zona p,
plecnd goluri i sosind electroni, apare sarcina spaial negativ. Sarcina aprut genereaz cmp
electric E de la (+) la (-), cmp care se opune difuziei. Dup realizarea echilibrului termodinamic
curentul de difuzie va fi egal i de semn opus celui de cmp.
n figura 3.2.b este reprezentat concentraia impuritilor; n figura 3.2.c este reprezentat
concentraia golurilor; n figura 3.2.d este reprezentat concentraia electronilor; n figura 3.2.e
sarcina spaial pozitiv este egal n valoare absolut cu cea negativ; n figura 3.2.f n afara
regiunii cu sarcin spaial , cmpul electric E este nul.
Regiunea n care exist sarcin spaial i cmp electric se numete regiune de tranziie.
Regiunile fr sarcin spaial se numesc regiuni neutre. Suprafaa ntre p i n (adic poriunea n
care concentraia efectiv de impuriti este nul - Na=0) se numete jonciune metalurgic. Prin
jonciune p-n se nelege att regiunea de tranziie, precum i cele dou regiuni neutre.
n figura 3.2.g apare bariera de potenial de mrime Uo. Uo a fost reprezentat lund ca
referin regiunea p. Cmpul din barier are tendina s treac golurile din n n p.
18
Deci energia golurilor din p este mai mic dect n n. Pentru ca

golurile majoritare din p s treac n n, trebuie s posede o
energie suficient de mare pentru a nvinge bariera de potenial.
Avnd n vedere distribuia statistic dup energie, va exista n
regiunea p lng zona de tranziie un anumit numr de goluri cu
energie suficient de mare pentru a putea traversa bariera.
Grosimea regiunii de tranziie este foarte mic n
comparaie cu regiunea transversal (de aceea considerm numai
variaia dup Ox). Deoarece n regiunea de tranziie n jurul zonei
metalurgice concentraia impuritilor este apropiat de cea
intrinsec, rezult c n aceast poriune sarcina spaial este
determinat practic doar de impuritile ionizate. De aceea, se
presupune c n regiunea de tranziie nu avem concentraii de
purttori fa de cele ale impuritilor.
Presupunem c regiunea de tranziie este golit de
purttori; deci rmn numai impuritile ionizate. Aceast
aproximaie se numete aproximaie de golire. n aceast ipotez
sarcina spaial are o distribuie rectangular (fig. 3.3) i
lp0*Na=ln0*Nb, unde lp0, ln0 sunt adncimile pe care se ntinde .
Aceast
relaie
reprezint
neutralitatea
global
a
semiconductorului i indic ptrunderea mai accentuat a
regiunilor de sarcin spaial n zona mai slab dopat.
l0=lp0+ln0=0.1m
Un caz particular de dopare a jonciunii p-n este dat de
profilul
asimetric, iar jonciunea se numete abrupt unilateral
Fig. 3.2
(fig. 3.4). Aceast jonciune se ntlnete la semiconductoarele la
care una din regiuni este mult mai dopat ca cealalt i se noteaz
+
cu p n (p este mai puternic dopat). La aceste jonciuni regiunea de tranziie se extinde practic numai
n regiunea slab dopat: l0ln0. ntr-o astfel de jonciune toate fenomenele electrice sunt dependente
numai de concentraia de impuriti din regiunea slab dopat.
Fig. 3.3
Fig. 3.4
19
Pentru jonciunea gradat liniar variaia concentraiei impuritilor se aproximeaz liniar n

jurul jonciunii metalurgice: Nd-Na=a*x, unde a este o constant (fig. 3.5.a i fig. 3.5.b). Pentru
jonciunile reale gradate neliniar variaiile sunt neliniare ca n figura 3.6.
Fig. 3.5.a
Fig. 3.5.b
Fig. 3.6
3.2. JONCIUNEA p-n N REGIM STAIONAR

3.2.1. Jonciunea p-n polarizat
Aplicnd prin intermediul unor contacte pe extremitile regiunilor neutre o tensiune
jonciunii, echilibrul termodinamic este perturbat. Prin jonciune va trece un anumit curent.
Regiunile p i n au conductivitate mare, astfel nct cderea de tensiune de pe ele poate fi neglijat.
ntreaga tensiune aplicat din exterior se regsete pe regiunea de tranziie avnd ca efect
modificarea nlimii barierei de potenial. Se modific i dimensiunile regiunii de tranziie precum
i concentraia purttorilor.
mare
-
g(+)
fluxuri mici
Fig. 3.7
mic
efluxuri mari
Fig. 3.8
S considerm c se aplic jonciunii o tensiune cu minusul pe regiunea p i plusul pe n.

nlimea barierei va crete cu Ua (fig. 3.7). Ca urmare numrul de purttori majoritari care vor
escalada bariera scade. Tensiuni foarte mici aplicate cu aceast polaritate sunt suficiente pentru a
bloca scurgerea purttorilor majoritari n jonciune. Se constat c acest curent este limitat la
valoarea de saturaie Is. Polarizarea aceasta se numete invers deoarece determin absena
conduciei. Fizic, la polarizare invers purttorii majoritari sunt ndeprtai de regiunea de tranziie
care se mrete, devenind un izolator.
Cnd se aplic jonciunii tensiunea cu (+) pe regiunea p i () pe n, bariera de potenial se
micoreaz cu valoarea acestei tensiuni (fig. 3.8). Regiunea p neutr va injecta prin regiunea de
tranziie goluri n regiunea n neutr. Golurile injectate difuzeaz n n i se recombin cu electronii
majoritari. Similar i regiunea n va injecta electroni n p i curenii se adun corespunztor.
Curentul purttorilor injectai este alimentat de purttorii majoritari din regiunile neutre i de aceea
poate lua valori foarte mari (trebuie limitat din exterior cu rezistene sau alte dispozitive). Aceast
polarizare se numete direct. Fizic, tensiunea direct mpinge purttorii majoritari din regiunile
neutre n regiunea de tranziie.
Concluzie: Jonciunea p-n are o caracteristic de dispozitiv unidirecional (de redresor). Prin
convenie se consider tensiunea direct i curenii direci cu semne pozitive, iar cei inveri cu
semne negative (fig. 3.9).
20
3.2.2. Caracteristica static idealizat a jonciunii p-n
Cnd se aplic jonciunii o tensiune ea se afl n stare de injecie sau extracie. Perturbarea
se extinde pe o anumit adncime i n regiunile neutre, dar datorit fenomenelor de generare i
recombinare scade pe msura deprtrii de zona de tranziie. La o distan mai mare dect lungimea
de difuzie perturbarea nu se mai simte.
n studiul caracteristicii statice se fac urmtoarele aproximaii i presupuneri:
1) aproximaia de golire (la o jonciune abrupt);
2) presupunem c ntreaga tensiune aplicat cade pe regiunea de tranziie;
3) se neglijeaz fenomenele de generare i recombinare din regiunea de tranziie;
4) presupunem c ne aflm la nivele mici de injecie; aceasta presupune c injecia de
purttori minoritari se face ntr-o msur care permite neglijarea concentraiei purttorilor
minoritari fa de cele ale purttorilor majoritari;
5) presupunem c jonciunea este groas fa de lungimea de difuzie i din acest motiv
purttorii minoritari se recombin n totalitate nainte de a atinge extremitile jonciunii.
Curentul prin jonciune se va obine ca o sum a curenilor de
difuzie a purttorilor minoritari la limitele regiunii de tranziie. De
aceea este numit uneori curent de difuzie i are expresia dedus de
Shockley: Ia=Is*[exp(q*Ua/KT)-1], unde Is este curentul de saturaie
(rezidual). Aceast formul este valabil att pentru polarizrile directe,
ct i pentru cele inverse.
Fig. 3.9
n regim de conducie direct (Ua>0) curentul crete
exponenial. n domeniul Ua>4*(KT/q)=0.1V (la 300K) acel -1 din
formul se poate neglija fa de termenul exponenial. Se obine astfel
expresia simplificat a ecuaiei lui Shockley: IaIs*exp(q*Ua/KT).
Obs: Formula lui Shockley este valabil numai pentru tensiuni
directe inferioare lui Uo.
La polarizri inverse, n valori absolute mai mari de 0.1V
termenul exponenial este neglijabil fa de unitate, astfel nct Ia= -Is.
Aceast valoare reprezint curentul maxim de purttori ce poate fi
extras din regiunile neutre i se numete curent de saturaie sau curent
Fig. 3.10
rezidual.
La germaniu Is este ntre 1 i 100 A (relativ mare!), la siliciu Is<1nA.
3.2.3. Abateri de la caracteristica static idealizat a jonciunii p-n
n figura 3.11 se arat caracteristica static real a unei jonciuni. n conducie invers apar 2
regiuni:
Fig. 3.11
21
- regiunea II, n care curentul are o cretere uoar cu modulul tensiunii aplicate; la
jonciunile de Ge creterea este foarte slab, astfel nct fenomenul de saturaie este evident
(curentul de saturaie este mare:1..100 A); la jonciunile de Si i Ga-As creterea este att de
pronunat, nct fenomenul de conducie nici nu poate fi observat (Isat este foarte mic la Si: sub
1nA)
- regiunea I, n care curentul crete brusc cu tensiunea invers, jonciunea pierzndu-i
caracterul de dispozitiv unidirecional. Fenomenul este numit strpungerea jonciunii, iar tensiunea
la care apare (tensiunea de strpungere) este cuprins ntre civa voli i cteva sute de voli. n
regim de conducie direct se pot distinge 4 regiuni:
- la tensiuni mici, dar ntrecnd de cteva ori tensiunea termic, caracteristica static poate fi
aproximat n forma din regiunea III:
IA exp(qUA / (mKT)), unde m este un coeficient cuprins ntre 1 i 2.
- la tensiuni ceva mai mari, dar mai mici dect Uo (IV) curentul variaz aproape dup
ecuaia idealizat;
- la tensiuni mai mari dect Uo (regiunea V) curentul crete din nou ceva mai lent cu
tensiunea (regiunea III);
- n fine, la tensiuni directe foarte mari (regiunea VI) curentul ajunge proporional cu
tensiunea.
Abaterea caracteristicilor reale de la ecuaia idealizat are urmtoarele cauze:
- generarea i recombinarea purttorilor n regiunea de tranziie;
- ptrunderea n domeniul nivelelor mari de injecie;
- efectul tunel;
- rezistena serie a regiunilor neutre;
- multiplicarea prin avalan;
- efecte de suprafa.
Toate aceste efecte nu au fost luate n considerare la deducerea ecuaiei idealizate. Ne vom
ocupa de ele n continuare.
Abaterile jonciunilor reale de la caracteristica idealizat n regiunile II i III pot fi explicate
prin luarea n considerare a proceselor de generare-recombinare n regiunea de tranziie. n
polarizare invers, concentraiile purttorilor n regiunea de tranziie fiind mult mai mici dect cele
de echilibru, va predomina generarea purttorilor. Purttorii generai termic sunt trecui imediat de
ctre cmpul existent n barier: electronii n regiunea n neutr, iar golurile n regiunea p neutr. n
consecin, pe lng curentul de saturaie a purttorilor minoritari (Is) va apare nc un curent
cauzat de fenomenul de generare n regiunea de tranziie Igen, avnd acelai sens cu primul.
IA = -(Is+Igen) va fi curentul total prin jonciunea polarizat invers. Semnul (-) apare
datorit conveniei de semn fcute. Igen (deci i Is) crete cu valoarea tensiunii inverse datorit
creterii volumului regiunii de tranziie. Raportul celor 2 componente ale curentului invers este: Is /
22
Igenni (concentraia intrinsec). Rezult c pentru un material dat ponderea curentului de generare
scade cu creterea temperaturii; peste o anumit temperatur efectul generrii poate fi neglijat. Pe
de alt parte, la o temperatur dat, ponderea Igen este mai mic la materiale cu concentraie
intrinsec ni mai mare. Spre exemplu, comparnd jonciunile de Si cu cele de Ge, constatm c la
cele de Si, Igen are o pondere de aproximativ 1000 mai mare. La temperatura ambiant, la
jonciunea de Si curentul Igen depete Is.
n regim de conducie direct, concentraiile purttorilor n zona de tranziie sunt mai mari
dect la echilibru i vor predomina procesele de recombinare.
Efecte la nivele mari de injecie
Cnd tensiunea direct aplicat jonciunii este apropiat de nlimea barierei Uo,
concentraiile purttorilor minoritari injectai n regiunile neutre ajung de ordinul concentraiilor
purttorilor majoritari; jonciunea intr n domeniul nivelelor mari de injecie. n aceste condiii nu
se mai poate neglija componenta de cmp a purttorilor minoritari.
Un alt efect de care trebuie s se in seama la nivele mari de injecie l constituie cderile
de tensiune pe regiunile neutre. Cnd densitatea de curent ia valori mari, aceste cderi de tensiune
reprezint o proporie important din tensiunea aplicat, nemaiputnd fi neglijat. Tensiunea ce
revine regiunii de tranziie va fi deci mai mic dect tensiunea aplicat din exterior. Domeniul
nivelelor mari de injecie ncepe la o densitate de curent de ordinul a 1A/mm2.
Este posibil ca la unele jonciuni de Si (la care curentul de recombinare predomin la
tensiuni directe mari) s nu se observe regiunea n care curentul prin jonciune ascult de ecuaia
idealizat. Efectul suprafeei semiconductorului asupra componentei de generare-recombinare a
curentului este evident, att datorit ntreruperii periodicitii reelei, ct i impuritilor inevitabile
care apar la suprafaa semiconductorului. Acest curent va crete i trebuie fcut observaia c este
important la multe dispozitive semiconductoare de larg consum ale cror grad de prelucrare a
suprafeei nu este prea avansat. Aceasta poate duce la creterea excesiv a curenilor inveri i la
instabilitatea n timp a caracteristicilor statice.
3.2.4. Dependena de temperatur a caracteristicii statice
Curentul prin jonciune este influenat de temperatur pe dou ci:
- prin curentul de saturaie;
- prin tensiunea termic UT = KT / q, ce apare n argumentul exponenialei.
Influena temperaturii asupra jonciunii este caracterizat prin trei coeficieni pe care i vom
defini n continuare.
a) n domeniul polarizrilor inverse, IA = -IS, temperatura are ca efect translatarea
caracteristicii statice dup axa vertical. Se definete un coeficient de temperatur al IS:
CT IS = (1 / IS)(dIS / dT). Datorit componentei de extracie pt. Is CT IS = 0,1 (K)-1 pentru
Ge i 0,15 (K)-1 pentru Si. Pe baza acestor valori se gsete c n jurul temperaturii ambiante Is i
dubleaz valoarea la o cretere a temperaturii cu 7K n cazul Ge i cu 4,5K n cazul Si. innd
cont i de scurgerile superficiale i de procesele de regenerare n regiunea de tranziie (care variaz
mai puin cu temperatura), rezult c dublarea Is are loc att la Ge ct i la Si pentru o cretere a
temperaturii cu 810K.
b) n conducia direct se definete un prim coeficient de temperatur al curentului direct la
tensiune constant:
(CT IA)u = (1 / IA)*(dIA / dT) = (CTIs)-(1 / T)*(qUA / KT) (deci mai mic dect CTIs).
23
Fig. 3.12
c) ntr-un alt regim de lucru se poate menine curentul direct prin jonciune constant,
rezultnd o scdere a tensiunii pe jonciune la creterea temperaturii. Pentru a caracteriza influena
temperaturii n acest caz, se definete un coeficient de temperatur al tensiunii pe jonciune
(CTUA)I.
n cazul unei jonciuni de Ge, la 300K, avnd UA=0,2V rezult (CTUA)I=-1,8*10-3V/K. n
cazul unei jonciuni de Si avnd UA=0,6V rezult (CTUA)I=-2,2*10-3V/K.
Acest coeficient variaz lent cu temperatura, aa nct, pentru un domeniu restrns de
temperatur, se poate considera c tensiunea direct pe jonciune la curent constant scade liniar cu
temperatura. n jurul temperaturii ambiante, att la Ge ct i la Si se poate considera un coeficient
(CTUA)I-2mV/K. Este important de reinut c influena temperaturii asupra jonciunii este mult
mai mic la curent constant dect la tensiune constant.
Observaie: Temperatura T trebuie msurat la jonciunea (Tj); ea este de regul mai mare dect
temperatura ambiant (Ta), datorit disiprii de putere electric (Pd = Ua*Ia): Tj = Ta + Rthj-a*Pd.
Coeficientul de proporionalitate Rthj-a se numete rezisten termic i nglobeaz proprietile de
conducie a cldurii de la jonciune la mediul ambiant.
Un alt parametru al caracteristicii statice dependent de temperatur este tensiunea de
strpungere.
3.2.5. Strpungerea jonciunii p-n
Cnd tensiunea invers aplicat unei jonciuni depete o anumit valoare limit, curentul
prin jonciune crete foarte repede cu tensiunea, atingnd valori mari: are loc strpungerea
jonciunii.
Exist trei mecanisme de strpungere: ambalarea termic, tunelarea i multiplicarea prin
avalan. Ultimele dou mecanisme au la baz creterea cmpului electric din regiunea de tranziie
odat cu creterea tensiunii inverse.
Ambalarea termic decurge n felul urmtor: curentul invers disip o anumit putere n
jonciune determinnd creterea temperaturii; la rndul ei, creterea de temperatur determin o
cretere a curentului invers .a.m.d. n anumite condiii procesul poate fi cumulativ conducnd la
mrirea temperaturii pn la o valoare la care jonciunea se distruge. Ambalarea termic se
manifest numai la jonciunile care au curent de saturaie mare, spre exemplu, jonciuni de Ge
deasupra temperaturii ambiante. La jonciunile de Si, n tot domeniul de temperaturi de interes
practic, nu apare ambalarea termic.
24
Strpungerea prin efect tunel

Prima explicaie a strpungerii jonciunii s-a dat pe baza efectului tunel (Carl Zener, 1934)
i mai apoi s-a constatat c de cele mai multe ori rolul de baz n strpungerea jonciunilor l are un
alt proces, i anume multiplicarea prin avalan, rolul efectului tunel fiind secundar.
Numim regiune Zener zona de strpungere a jonciunii. Efectul tunel const n generarea de
perechi electron-gol ntr-un semiconductor sub aciunea cmpului electric puternic.
La tensiuni inverse mari, benzile de energie au o
nclinare mare n regiunea de tranziie i limita inferioar a
B.C. din regiunea n coboar sub limita superioar a B.V.
din regiunea p. n aceast situaie electronii B.V. pot trece
n B.C. prin efect tunel. Din punctul de vedere al fizicii
clasice, electronul din A poate trece n C numai dac
primete o energie cel puin egal cu nlimea barierei.
Mecanica cuantic arat c exist o anumit probabilitate
ca electronul s treac de barier chiar dac energia lui
este
Fig. 3.13
mai mic dect nlimea barierei. Probabilitatea este cu att
mai mare cu ct nlimea AB este mai mare i AC mai mic. ntinderea barierei scade cu creterea
nclinrii benzilor, deci cu creterea cmpului din regiunea de tranziie. Jonciunea se strpunge
pentru cmpuri mai mari de 5*107 V/m. Cmpuri att de mari se ating la jonciuni puternic dopate
de ambele pri, la care regiunea de tranziie pe care se repartizeaz tensiunea exterioar este foarte
mic. Tensiunea la care apare efectul de tunel scade cu creterea temperaturii, deoarece E scade i
ea. n consecin, aceeai densitate de curent se atinge la temperatur mai mare, aplicnd jonciunii
o tensiune mai mic.
Multiplicarea n avalan
ntre dou ciocniri succesive, purttorii sunt accelerai de cmp ctignd energie cinetic.
La polarizri inverse cmpul poate deveni att de mare nct ntre dou ciocniri succesive, energia
acumulat de un purttor poate depi E. Un astfel de purttor ciocnind un atom al reelei poate
furniza unui electron de valen energia necesar pentru a trece n BC. Astfel apare o pereche
electron-gol iar procesul se numete ionizare prin oc. Purttorii sunt accelerai de cmp i pot da
natere la alte perechi electron-gol. Rezult posibilitatea multiplicrii n avalan a purttorilor.
Cmpul la care apare multiplicarea n avalan este de aproximativ 2*107 V/m, mai mic deci dect
cel la care efectul Zener devine important. Important este faptul c ambele categorii de purttori pot
produce ionizri prin oc.
Fenomenul de multiplicare prin avalan se poate caracteriza global prin coeficientul de
multiplicare M definit ca raport ntre numrul purttorilor ce ies din regiunea de tranziie i cel al
celor ce intr n ea. Notm cu Iinv curentul invers n absena multiplicrii i Iinv = M*Iinv curentul invers dup multiplicare.
M=Iinv / Iinv ; M= 1 / [1 - (UA / Ustr)] , unde n[2,6]
Strpungerea are loc cnd M tinde ctre infinit. Tensiunea de strpungere Ustr crete cu
temperatura deoarece scade drumul mediu dintre dou ciocniri succesive i este necesar un cmp
mai mare pentru ca un purttor s acumuleze ntre dou ciocniri succesive energia E. De asemenea
o strpungere prin avalan scade concentraia impuritilor de o parte i de alta a jonciunii
metalurgice. La creterea nivelului de dopare scade grosimea regiunii de tranziie. Cmpul critic de
apariie a ionizrilor prin oc se atinge la o valoare mai mic a tensiunii aplicate.
Strpungerea prin avalan necesit pe lng depirea cmpului critic i o anumit grosime
a regiunii de tranziie, pentru ca n ea purttorii s sufere mai multe ciocniri. Cnd regiunea de
tranziie are o grosime apropiat de drumul mediu dintre dou ciocniri succesive, nu mai poate avea
loc strpungerea prin avalan i atunci va avea loc efectul tunel.
25
Dac doparea este sub 1023 atomi/m3 are loc strpungerea prin avalan. Cnd doparea este
mai mare, strpungerea are loc prin efect tunel.
Jonciunile care au tensiunea de strpungere mai mic de 4V se strpung prin efect tunel, iar
cele cu Ustr mai mari de 7V se strpung prin avalan. ntre 4V i 7V particip ambele mecanisme.
Strpungerea prin efect tunel i avalan nu este distructiv dac curentul prin jonciune este
sub valoarea corespunztoare puterii maxime disipate admisibil.
3.2.6. Modele liniarizate pentru jonciunea p-n n regim staionar
Pentru calculul n regim staionar, caracteristica static a jonciunii se aproximeaz prin
segmente de dreapt. Foarte rspndit este aproximaia prin dou segmente de dreapt, ca n figura
3.14, unde Di este dioda ideal, Ri - rezistena intern, UD - tensiunea de deschidere.
Fig. 3.14
Obs.: Cazul d (dioda ideal) este o bun aproximaie pentru practic.
La Ge : UD = 0.20.4 V
Si : UD = 0.50.8 V
Ga-As : UD = 12 V
Ri depinde foarte mult de domeniul curentului n care se aplic modelul.
1
1
KT 1
Ri
d Ia
q
qUa
q Ia
Is exp(
)
d Ua KT
KT
25 10 3
Ex.: Ia=5mA Ri
5
5 10 3
3.3. JONCIUNEA p-n N REGIM DINAMIC
Regimul dinamic reprezint funcionarea structurii n cazul aplicrii unor semnale variabile
n timp. Metoda cea mai folosit const n stabilirea unor circuite electronice echivalente cu care s
se nlocuiasc jonciunea n schema unde funcioneaz. Circuitul echivalent nu este unic, el
depinznd, de regul, de specificul semnalului variabil aplicat.
3.3.1. Regimul cvasistaionar al jonciunii
Funcionarea jonciunii n regim staionar este descris de ecuaia lui Shockley sau de
caracteristica static. Este foarte normal s ncercm a descrie comportarea n regim variabil pe
baza funcionrii n regim static. Dac examinm procesele ce au loc n jonciune la trecerea dintr-o
stare staionar n alta, rezult c o asemenea tratare (pe baza regimurilor staionare) nu poate fi
acceptat dect la frecvene joase. ntr-adevr, o stare staionar a jonciunii este caracterizat de
anumite dimensiuni ale regiunii de tranziie - adic de o anumit sarcin existent n barier i o
anumit distribuie a purttorilor minoritari. Cnd se trece la o alt stare staionar acestea se
modific. Ambele procese sunt legate de o variaie de sarcin electric i cer un anumit timp.
26
Dac timpul necesar jonciunii pentru a trece dintr-o stare staionar n alta este mult mai
mic dect perioada semnalului, putem considera c n fiecare moment jonciunea se afl ntr-o stare
staionar. Un astfel de regim se numete regim cvasistaionar, iar frecvena maxim pn la care
regimul poate fi considerat cvasistaionar difer de la un dispozitiv la altul. Deci pentru curent
continuu i frecvene joase se pot aplica modelele anterioare (regimul de curent continuu - de
polarizare - se mai numete de semnal mare).
Fig. 3.15.a
Semnalul aplicat unui dispozitiv este considerat mic atunci cnd caracteristicile statice ale
dispozitivului pot fi aproximate liniar pentru ntreaga excursie a punctului de funcionare pe durata
unei perioade. n cazul jonciunii p-n condiia de semnal mic este deosebit de restrictiv,
caracteristica static exponenial putnd fi considerat liniar numai pentru variaii foarte mici de
tensiune: UA << KT/q0.025V.
n regim cvasistaionar de semnal mic jonciunea este echivalent cu o rezisten ri = Ri. n
c.c. se folosesc notaii cu litere mari, iar n c.a. cu litere mici.
ri = 1 / (dIa / dUa) (KT / q)*(1 / Ia), numit rezisten intern. Ia reprezint valoarea curentului n
punctul static de funcionare (PSF) la polarizare direct.
n cazul Ia = -Is, la polarizare invers, rezistena intern teoretic este infinit, dar n practic
are o valoare de aproximativ 1 M la Si.
IA
XC
ia
1
R S , ri
C
EA UD
Ri RS
ua
ri R S
Fig. 3.15.b
3.3.2. Capacitatea de barier
Fig. 3.16
Considerm o jonciune abrupt ideal, cu o tensiune aplicat Ua, la

care corespunde linia continu de pe figur pentru distribuia de sarcin
spaial n regiunea de tranziie n ipoteza golirii complete de purttori.
dQ b dQ b dUa
dUa
ib
Cb
, Cb- capacitatea de barier.
dUa dt
dt
dt
Regiunea de sarcin spaial se micoreaz cnd trecem de la Ua la
Ua+dUa (respectiv curba punctat). Trecerea de la o stare la alta necesit
deplasarea unui numr de purttori majoritari din regiunile neutre n zonele
haurate pentru neutralizarea sarcinilor, impuritilor ionizate. Sarcina dQb
a acestor purttori este aria haurat. Dac trecerea de la Ua la Ua+dUa se
27
face ntr-un interval de timp dt, atunci curentul necesar pentru modificarea sarcinii stocate n
regiunile de tranziie va fi:
ib = dQb / dt = (dQb / dUa)*(dUa / dt); unde Cb= dQb / dUa; Ua constant.
Modelm acest proces cu o capacitate Cb pus n paralel cu Ri i numit capacitate de
barier.
C b C bo 1 Ua / Uo (pentru jonciunea abrupt ideal)
Cbo - reprezint capacitatea de barier pentru Ua=0; Cbo=110pF
n general C b C bo n 1 Ua / Uo .
Aceast relaie depinde de legea de variaie a concentraiei impuritilor din regiunea de tranziie.
3.3.3. Capacitatea de difuzie
Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesit o

cretere a sarcinii de purttori minoritari n exces n
regiunile neutre.
Purttorii sunt injectai prin regiunea de
tranziie i apoi nainteaz n adncul regiunilor neutre
prin difuzie.
Curenii corespunztori variaiei sarcinilor
Fig. 3.17.a
stocate n cele dou regiuni neutre se adun.
dQ d dQ d dUa
dUa
id
Cd
dUa dt
dt
dt
Dac timpul n care a avut loc variaia de tensiune este dt, suma curenilor va fi:
id=dQd/dt=(dQd/dUa)*(dUa/dt) ; Cd=dQd/dUa ; dUa=ct ; Cd- capacitatea de difuzie.
C d C do exp(qUa/KT)
C d (C do Ia/Is)
Ia Is exp(qUa/KT)
Cd- la polarizri directe atinge mrimi de ordinul nF (102104pF). Cd ~ Ia.
Cdo- capacitatea de difuzie pentru Ua=0.
Exist o deosebire fizic important ntre modurile n
care se ncarc cele dou capaciti. Cea de difuzie Cd se
ncarc prin difuzia minoritarilor, deci este un proces lent.
Din aceast cauz, Cd scade cu frecvena. Capacitatea de
barier Cb se ncarc prin curentul de cmp al purttorilor
Fig. 3.17.b
majoritari; este un proces foarte rapid i nu variaz cu
frecvena.
3.3.4. Circuite echivalente pentru jonciune la semnale mici i frecvene nalte
n regim variabil, curentul prin jonciune e format din trei componente: iri, iCd, iCb (fig. 3.18)
rs - este rezistena electric a zonelor neutre (~ 100 )
n funcie de polarizare, se poate simplifica modelul :
- la polarizare direct (fig. 3.19)
se neglijeaz Cb; (Cb<<Cd)
Fig. 3.18
Fig. 3.19
- la polarizarea invers (fig. 3.20)

se neglijeaz Cd i rs
Fig. 3.20
28
Dac ri poate fi neglijat (ex.: ntr-un circuit oscilant pp. ri ) atunci rmne doar -| |- (Cb).
3.4. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE
3.4.1. Procedee de realizare a jonciunii p-n. Tipuri de diode
Tipul de conductibilitate (p sau n) al unui semiconductor fiind determinat doar de

concentraia efectiv a impuritilor N=Nd-Na, el poate fi schimbat prin introducerea de impuriti
corespunztoare.
Spre exemplu, dac ntr-un cristal avnd Nd=1021atomi/m3 se introduc acceptori cu o
concentraie mai mare Na=1022atomi/m3, cristalul de tip n devine p, avnd o concentraie efectiv
de acceptori N=(Nd-Na)=9*1021atomi/m3.
Dac impuriti de tip diferit se introduc numai ntr-o regiune a cristalului, la grania dintre
aceasta i restul cristalului apare o jonciune p-n.
Cea mai veche metod de realizare a unei jonciuni este cea care a fost folosit la diodele cu
contact punctiform (subcapitolul 3.4.4). Cea mai important metod n anii '50 era metoda creterii
(la diodele redresoare cu Ge).
n prezent, pentru a schimba tipul de conductibilitate se folosesc: alierea (la Ge), difuzia
planar (ntr-un gaz de impuriti) la Si, epitaxia (realizarea semiconductorului ntr-o atmosfer de
vapori de semiconductor i impuriti) la Si. Un procedeu modern la Si este implantarea ionic.
3.4.2. Diode redresoare
3.4.2.1. Diode redresoare de uz general
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic care prezint conducie unilateral, pe

baza unei jonciuni p-n i dou contacte ohmice metal-semiconductor nchise ermetic ntr-o capsul.
Clasificarea diodelor dup funciile ndeplinite:
- diode redresoare (cele cu Si au practic o rezisten zero ntr-un sens i infinit n cellalt);
- diode de comutaie (pentru frecven nalt cu impuriti Au);
- diode stabilizatoare de tensiune Zener;
- diode speciale varicap, tunel, IMPATT (Read, 1958), Gunn (1963);
- fotodiode.
Avantajele diodelor semiconductoare fa de cele cu gaz:
- n conducie direct cderea de tensiune e mai mic (1V fa de 3040V);
- nu necesit circuit de nclzire;
- sunt mai robuste;
- au volum mic;
- au durat mare de funcionare.
Parametrii diodelor redresoare:
- curentul mediu redresat: Io (mici: 1A; medii: zeci de A; mari: sute i mii de A);
- curent de vrf maxim admis: IVM, care poate fi: IFRM- curent direct maxim repetitiv;
IFSM- curent maxim direct accidental de
suprasarcin;
- tensiunea invers maxim admis: UIM; UIM = (0.5...0.8) din Ustrpungere (50...2000V);
- tensiunea invers: VR;
- tensiunea invers maxim: VRM;
- tensiunea repetitiv invers maxim: VRRM;
- tensiunea invers maxim de suprasarcin: VRSM;
- tensiunea invers maxim de lucru: VRWM;
- cderea de tensiune direct VF pentru o anumit valoare a curentului (VF = 0.8| IF = 1A);
29
- curentul invers pentru o anumit tensiune: IR;

- rezistena termic ce caracterizeaz capacitatea diodei de a elimina puterea disipat spre mediul
ambiant: Rth-a ; Rth-c;
- temperatura maxim a jonciunii: Tjmax.
Toi parametrii sunt mai slabi la Ge dect la Si. Singurul avantaj la Ge este tensiunea VF
care este mai mic.
Particularitile constructive ale diodelor semiconductoare sunt determinate de faptul c ele
lucreaz la cureni mari, deci n jonciune apare o cantitate mare de cldur care trebuie eliminat
spre mediu. La diodele de cureni mari se utilizeaz ceramica.
Exemple: n capsul de plastic F126: 1N4001, DRD1; n sticl: 1N4148 (comutaie) etc.
3.4.2.2. Dioda cu avalan controlat
Se realizeaz prin metoda difuziei. Pastila este sudat ntre doi electrozi de molibden ca n
figur. Pentru cureni mari se folosesc arcuri. Placheta a fost polizat nclinat pentru eliminarea
zonelor periferice i pentru crearea unei configuraii avantajoase a cmpului electric la suprafaa
jonciunii. Astfel, cmpul electric la suprafa este mai mic dect n
interiorul volumului (deoarece tensiunea se distribuie pe o distan mai
mare la suprafa: E = U / d).
Dioda poate funciona n regiunea de strpungere pn la valori
mari de cureni, cu condiia s nu depeasc puterea maxim admis.
Sunt
n general folosite pentru protecia altor dispozitive (tiristoare).
Fig. 3.21
Codificare: D10A4 (10 amperi, 400V).
Stratul slab dopat de tip p dintre n+ i p+ confer o tensiune de
strpungere mare. Explicaia o dm pe urmtorul tip de diod.
3.4.2.3. Dioda redresoare pin
Grosimea regiunii intrinsece este mai mic dect lungimea de

difuzie (pentru a-i pstra proprietile). n regiunea intrinsec nu
avem sarcin spaial => un cmp constant.
Strpungerea regiunii intrinsece are loc pentru un cmp de
Ecr = 2.107 V/m la o tensiune de Ustr = W.Ecr (W = limea regiunii
intrinsece; W = 0.1mm Ustr = 2000V).
Ex. KYX30 30KV, 1mA care conine 2 diode de 15KV.
3.4.2.4. Conectarea n serie i n paralel a diodelor
Dei exist diode cu tensiuni inverse mari, capabile s

redreseze cureni mari, apar uneori situaii cnd trebuie folosite mai
multe diode n serie pentru a putea rezista la Umax invers, sau pentru
a asigura valoarea cerut a curentului redresat.
Fig. 3.22
n conducia invers apare pericolul distribuirii neuniforme a
tensiunii pe lanul de diode generat de inegalitatea curenilor inveri.
Pe dioda ce are curentul invers cel mai mic, va cdea tensiunea U cea mai mare, care poate
depi Uinv.max. i dioda se va strpunge. Tensiunea se redistribuie pe celelalte diode =>se vor
distruge toate. Pentru evitarea acestui lucru, montm n paralel cu fiecare diod cte o rezisten de
egalizare a tensiunii inverse. Valoarea acestor rezistene Rp se alege mult mai mic dect rezistena
invers astfel nct divizarea tensiunii s se fac pe Rp, dar nu se pot alege valori prea mici pentru
c rezult pierderi.
Ex. PY88 se nlocuiete pentru 5KV cu 710 diode BAY159 n paralel cu R=100K.
30
Fig. 3.23
Obs: La diodele cu avalan controlat nu sunt necesare rezistene de egalizare pentru c
intrarea n avalan e permis pn la cureni relativ mari.
La montarea n paralel a mai multor diode, dispersia caracteristicii inverse nu pericliteaz
funcionarea. Dar dispersia caracteristicii directe, mai ales Udesch, conduce la o repartiie inegal a
curentului total pe diode. Neajunsul se nltur punnd n serie cu diodele cte o rezisten Rp.
Uniformizarea repartiiei e mai bun cu ct Rp e mai mare, dar randamentul scade.
3.4.3. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a avea n conducie invers o tensiune
constant la borne, independent de valoarea curentului cnd apare fenomenul de strpungere (fig.
3.24).
La realizarea structurilor diodelor semiconductoare Zener, se
iau msuri speciale pentru ca n regiunea de strpungere curentul s se
distribuie uniform pe toat aria seciunii => diodele Zener lucreaz
pn la cureni de putere maxim admis. Simboluri:
VZ1
Fig. 3.24
Fig. 3.25
Valoarea tensiunii Zener este determinat de nivelul doprilor: Uz = 2,7...400 V.
Puteri: 0,25...50 W. rz = Ua / Ia; rz = 10100 - rezisten dinamic (intern) Zener
CTUz = VZ = 1 / UzdUz / dT
n regiunea de stabilizare: Uz prezint o uoar cretere cu curentul invers (Ia).
Exemplu: PL10Z Uz =10 V => vz = 5.10-4 (C)-1; PL5V1Z (5.1V,1W capsul de plastic
F126); DZ5V1 (5.1V, 0.4W capsul de sticl).
vz poate fi micorat nseriind cu dioda Zener, una sau mai multe diode polarizate direct, la
care scade cu temperatura. Se pun toate diodele pe aceeai plcu pentru ca temperatura s nu
difere ntre ele (fig. 3.26). Ex.: ZTC33 sau circuitul integrat TAA550.
Obs: n domeniul curenilor mici descrcarea n avalan se
amorseaz i se stinge haotic => zgomot. Tot n acest
domeniu, tensiunea variaz mult cu curentul. Nu se
recomand s se lucreze sub o anumit valoare IZT = 3...5
Fig. 3.26
31
mA. Se poate folosi un model echivalent pentru dioda Zener (fig. 3.27).
Fig. 3.27
Fig. 3.28
Diodele Zener se folosesc ca stabilizatoare de

tensiune (fig. 3.28). Rb este rezistena de limitare, protecie sau de balast. Ea se alege astfel nct
dioda s lucreze n regiunea Zener pentru ntreg domeniul de variaie a lui Ea i Is. Curentul de
sarcin Is nu poate depi n mod normal (pentru Us = Uz =constant) valoarea pentru care se mai
asigur IZT prin dioda Zener. I=Iz+Is; Ea=Rb*I+Uz.
Acest stabilizator de tensiune parametric, de tip paralel (dioda Zener este paralel cu sarcina
Rs) are protecie intrinsec la scurtcircuit d.p.d.v. al diodei Zener. Pentru Us=0 rezulta Iz=0. Este
cel mai greu regim de lucru pentru Rb care se dimensioneaz la puterea maxim disipat
(Ea*Ea/Rb).
Pentru ca Iz < Izmax => Rb>(Eamax-Uz)/Izmax (pp. Is=0). Lipsa sarcinii (Is=0) este cel
mai greu regim de lucru pentru dioda Zener (I=Iz). n acest regim se verific puterea maxim
disipat de dioda Zener (Uz*I). Dac Ea crete => crete si Iz, producnd pe Rb o cretere a cderii
de tensiune aproape egal cu creterea lui Ea. Us rmne aproape constant =Uz. Stabilizarea este
cu att mai bun cu ct rezistena dinamic Zener este mai mic si Rb este mai mare. Circuitul
stabilizeaz Us i la variaia Is. Dac Is crete (Rs scade), Iz scade, iar I va rmne aproximativ
constant, ca i Us.
3.4.4. Diode cu contact punctiform
Fig. 3.29
Construcia lor actual const dintr-un cristal

semiconductor de Ge sau Si de tip n, pe suprafaa cruia se
realizeaz un contact punctiform cu un fir metalic ascuit la
vrf (fig. 3.29.).
Dup asamblarea mecanic urmeaz operaia de
formatare a diodei: o serie de impulsuri de curent cu valori
mult peste cele nominale.
n jurul firului de wolfram, Ge i schimb tipul n p, n
urma rcirii se formeaz o jonciune foarte mic cu
S= 10 4 mm 2 i cu grosimea 10 3 mm .
Firul are rol de legtur ntre anod i Ge de tip n.
Datorit suprafeei mici a jonciunii, capacitatea de
barier e foarte mic => se folosesc la frecvene mari.
Rezistena regiunii neutre e mare: sute de ohmi.
Nivelul de injecie este mare, chiar la cureni mici. n
conducie invers, Irezidual este mare i are Ustrpungere
mic, pentru c Irezidual mare nseamn strpungere prin
ambalare termic (fig. 3.30).
32
Utilizare: la detecie (radio), la modulaie n faz i n amplitudine, la

schimbarea de frecven, comutaie. Se folosesc pn la zeci de GHz, dar n
construcie coaxial.
Ex. EFD 108,EFD 109, EFD110...
3.4.5. Diode cu capacitate variabil

Exploateaz proprietile jonciunii de a se comporta la polarizare
invers ca o capacitate dependent de tensiunea aplicat. Capacitatea
descrete pe msur ce tensiunea de polarizare invers crete, deoarece regiunea de tranziie crete.
Cea mai important caracteristic este legea de variaie a capacitii de barier cu Uinv
aplicat.
unde: n= coeficient care depinde de
1
1
UA
Cb0
constructor (n=0.5 - o diod foarte bun f
2 LC
Cb0
C b
1
2 L
U
U a n de utilizat ntr-un circuit acordat).
(1 A ) 2
Obs:
Orice
diod
poate
lucra
n
(1
)
U0
U0
aceast regiune de capacitate variabil,
dar se fac diode speciale, cu un n specific pentru anumite performane. Printro alegere corespunztoare a dopajului, se realizeaz diode speciale "varicap" care prezint o
variaie de capacitate ntre 10pF si 2pF pentru o cretere a tensiunii inverse ntre 2V si 30V.
Ex. Se poate demonstra expresia factorului de calitate al condensatorului Cb.
Q- factorul de calitate.
Q Cbri. Q crete cu frecvena la frecvene joase.
Q 1 / Cbrs. Q scade cu frecvena la frecvene nalte.
Fig. 3.31
Simbolurile sunt prezentate n figura 3.32.
Frecvena
maxim
la
care
se
pot
folosi
este:
Fig. 3.30
km
1
100GHz
C b rs
Fig. 3.32
Cb=1..10pF, iar rs poate fi sczut pn la 1 ohm.
Utilizri: acordul automat al circuitelor oscilante (televiziune, radio) - diodele varicap; pentru
generarea de armonice la frecvene foarte nalte - diode varactor.
Ex. BB139 (domeniul VHF) , BB125 (domeniul UHF). Aceste diode varicap permit acordul
automat pe frecvena dorit (staia dorit).
3.4.6. Diode tunel

Dioda tunel a fost inventat de Esaki n 1958 i se folosete ca oscilator sau amplificator.
Cele dou jonciuni sunt dopate foarte puternic: 1025 at / m3 . Atomii de impuriti
interacioneaz ntre ei ducnd la apariia unei benzi ce se suprapune pe banda de conducie i
parial pe banda de valen (fig. 3.33). Aceste semiconductoare se numesc degenerate.
Fig. 3.33
Fig. 3.34
33
Cmpul din regiunea de barier este foarte mare, nct chiar n absena polarizrii, electronii
traverseaz bariera prin efect tunel (pn la Up). Peste Up, IT scade aprnd curentul normal prin
diod. Peste Uv, curentul tunel IT nu mai exist (fig. 3.34).
Pentru utilizare se folosete zona cu ri<0.
Nu se folosete Si ci Ge, Ga-As, In-Sb.
Viteza cu care electronii traverseaz bariera prin efect tunel este foarte mare; de aceea dioda
tunel este un dispozitiv ce poate lucra la frecvene foarte nalte.
Diodele tunel sunt utilizate ca amplificatoare i generatoare de semnale sinusoidale, n
circuitele de comutaie de mare vitez, n memoriile rapide ale calculatoarelor etc.
Simboluri:
Fig. 3.35
Dioda cu conducie invers (dioda backward)
Este o variant de diod tunel cu urmtoarea structur a benzilor:
Fig. 3.36
Fig. 3.37
Se utilizeaz ca detector sau mixer n domeniul microundelor.
33
DCE - Cap.4. REDRESOARE
Cap.4. REDRESOARE
4.1. REDRESOARE MONOFAZATE
4.1.1. Redresorul monofazat monoalternan
Avem nevoie de o surs de curent continuu, care se poate obine cu un redresor monofazat
din curent alternativ. Se numete monoalternan pentru c se redreseaz doar o alternan.
Fig. 4.1.a
Valoarea medie a lui Uin=0
Fig. 4.1.b
Valoarea efectiv pentru Uin: U ef
Valoarea maxim pentru Uin: U max
U max
2
U ef 2
Presupunem c dioda este ideal n montaj; n sens direct ea conduce i rezult Us>0; n
sens invers al curentului alternativ ea nu conduce i rezult Us=0, deci dioda redreseaz. Calculm:
T
U
1
1
1
1
2Uef Uef
Usmed Us(t)dt ... Umax sin(t)dt Um cos(t) Um(1 1) m
T0
.
2 0
2
2
22
0
Tensiunea alternativ se descompune n componenta continu, fundamental i armonici:
Us max
Us max
2Us max
U 0
Us
sin(t )
sin 2t ...U l max

+
2
3
2
2
U1 max
U0
tensiune amplitudinea
continua fundamentala
Pentru a aprecia ct de apropiat este forma tensiunii redresate fa de tensiunea alternativ
U
(ct de bun este redresarea) se introduce factorul de ondulaie (zgomot): 1m 157

.
U0
2
Pentru alegerea diodei trebuie precizat tensiunea maxim aplicat pe dioda (care este Um).
O tensiune cu o form mbuntit se obine cu redresorul bialternan.
4.1.2. Redresorul dubl alternan cu punct median
Fig. 4.2.a
"*" indic n figura 4.2.a nceputul nfurrii.
Fig. 4.2.b
34
Avem dou tensiuni de intrare: Uin1 si Uin2

Umax= 2Uef
Sarcina de intrare pe RS va fi pozitiv, indiferent de alternan.
1
1
1
1
2Um
Usmed Us( t )dt U m sin(t )dt U m cos(t ) U m 1 1
T0
0
0
Descompunerea tensiunii Us:
Usm 2 Usm
Us
sin 2 t ...
3
U0
U2m
Uinv max este 2Um (este un dezavantaj), deci trebuie folosite diode pentru tensiuni mari (cel
puin 2Um), peste 2 2 220 V.
4.1.3. Redresorul dubl alternan n punte
n alternana pozitiv, cnd tensiunea are semnul din

figura 4.3, conduc D1 si D2 (polarizate direct), iar D3 si D4
sunt blocate i Us=U1n >0.
n alternana negativ conduc D4 i D3, D1 i D2 fiind
blocate i Us=-Uint >0.
Rezult Us >0 n ambele alternane.
Usmed si sunt la fel ca la redresorul dubl alternan cu
Fig. 4.3
punct median, cu diferena c Uinv max=Umax(=Um).
Usmed=200V pentru Uef=220V. Aparent se pierd 20V, dar nu se pierde nimic (1,2V0), pentru c se
msoar doi parametri diferii (o valoare medie i una efectiv) ai aceleiai tensiuni. Dac
Ualim<10V diodele nu mai pot fi considerate ideale pentru c pe ele cad 0.6V =Udeschidere scade
tensiunea redresat cu aproximativ 2UD=1,2V. La Ualim>10V se poate neglija UD.
4.2. REDRESOARE MONOFAZATE CU SARCIN RC
n multe cazuri se impune ca ondulaiile Us s fie mici, acestea atenundu-se cu un

condensator pus n paralel cu sarcina.
Uintrare=Umsin(t)
Fig. 4.4.a
Fig. 4.4.b
35
Funcionare: Condensatorul se ncarc la valoarea maxim a tensiunii de intrare i se

descarc aproximativ exponenial pe sarcin n timpul cnd dioda e blocat.
Dioda conduce doar n intervalul t (adic n impulsuri). Amplitudinea la vrf a ondulaiei
poate s fie aproximat prin scderea tensiunii pe grupul RC pe o perioad.
T
Dac t<<T : U Um 1 exp
R sC
Presupunem
c
RsC>>T
U;
aproximm
T
Um T
I max T
C
C
c: U Um
RS C
U RS
U
Aceeai formul rezult i energetic: Q=ImT=CU
Curentul de vrf pe diod trebuie comparat cu curentul mediu repetitiv pe diod.
Presupunem c IDV este constant i c t<<T IDVt=IST. Intervalul de conducie (pentru diod)
ncepe cnd U<Umax, adic la momentul t1 i se termin aproximativ cnd se atinge Um, la
momentul t2.
U
T 2 U
2 t
1 cos
Dac se dezvolt cosinusul n serie t
.
Um
T
2
Um
Dac nlocuiesc n relaie IDVt=ISt o relaie pentru verificarea diodelor n cazul

condensatoarelor mari:
Um
IDV = curentul de vrf al diodei; scade cu U i crete cu C.
I DV 2 IS
2 U
T
Um
Pentru redresoare dubl alternan: U U m
,
I DV IS
2 RS C
2 U
mbuntirea condiiilor de lucru pentru diod.
Obs: Uinv max 2Um (reiese din figur) la redresorul monoalternan dioda trebuie s
reziste la 2 2 220 V+ o rezerv 1000V.
Mai exist i redresoare cu sarcina RLC (au i o inductan L).
4.3. REDRESOARE MONOFAZATE CU DUBLARE DE TENSIUNE
36
Pentru a obine Usarcin>Umax; C1=C2;

primul redresor: C1-D1, al doilea: C2-D2.
Cele dou redresoare au ca mas punctul M.
Dac au punctul B ca mas 2Um=US. Pe
noi ne intereseaz punctul B ca mas. n
alternan direct, prin D1 se ncarc C1, iar
n alternan negativ, prin D2 se ncarc C2.
Tensiunea de pe C1 se adun cu cea de pe C2
Us va fi 2Um. n prezena sarcinii, C1 i
C2 se descarc puin cu cte U vom avea
US=2Um-2U=2(Um-U).
Schema a doua folosete pentru
alimentarea cu dou tensiuni (+) (-) fa de
mas a unui circuit. Schema nu este propriuzis un dublor de tensiune, totui ntre
extremiti avem tensiune dubl. Schema
conine dou redresoare dubl alternan cu
punct median.
D1, D4, C1- reprezint primul redresor;
D2, D3, C2- reprezint al doilea redresor.
Fig. 4.5
A treia schem servete pentru
dublarea lui Um (adic se obine US=2Um) i tot de la acelai transformator se poate obine cu alt
redresor monoalternan nc o tensiune US2=Um, deoarece masa sarcinii este comun cu o ieire a
transformatorului.
Funcionare: - n alternana negativ D1 ncarc pe C1;
- n alternana pozitiv tensiunea de pe C1 se adun cu Uin C2 se ncarc la 2Um,
dar condiia este ca C2>C1.
4.4. REDRESOARE TRIFAZATE
Instalaiile mari consumatoare de curent continuu utilizeaz n special redresoare trifazate,

care prezint o serie de avantaje fa de cele monofazate: ncrcarea reelei de alimentare este mai
uniform, reducndu-se interferenele la funcionarea cu alte echipamente conectate la aceeai reea;
tensiunea redresat este mai neted, ceea ce determin eventuala utilizare a unor filtre de netezire
mai simple, factorul de utilizare al transformatorului de alimentare este mai mare, obinndu-se
pentru o putere redresat dat o reducere a gabaritului i a preului de cost.
Schemele de redresare trifazate pot fi realizate cu punct median (scheme cu 3 diode fa de
nul, punctul median) i n punte (scheme cu 6 diode sau multiplu de 6).
Alimentarea circuitelor de redresare poate fi realizat cu sau fr transformator, direct de la
reea. Utilizarea transformatorului n circuitul energetic al redresorului permite multiplicarea
numrului m de faze secundare n scopul realizrii unor performane superioare fa de cele
corespunztoare la trei faze (m=3). Primarul transformatorului poate fi conectat att n stea, ct i n
triunghi. Pentru a reduce dezechilibrele se folosete conexiunea n triunghi, evitndu-se astfel
deformarea tensiunii n secundar.
Conexiunea n punte
Reprezint n fapt, nserierea a dou scheme de redresare identice, cu punct median
alimentate de la aceeai surs de energie. Fiecare faz din secundar conduce n intervalul unei
perioade de dou ori i este parcurs de curent n ambele sensuri.
37
n figura 4.6 este reprezentat schema de

redresare n punte trifazat. nfurrile primare nu
au fost reprezentate, transformatorul de alimentare
putnd avea orice conexiune n primar.
Unghiul de conducie al dispozitivelor redresoare
este 2/3. ntotdeauna conduc simultan dou diode,
care au potenialul cel mai pozitiv al anodului i
respectiv cel mai negativ al catodului, n intervalul
considerat. Pentru un redresor trifazat n punte
valoarea medie a tensiunii de ieire este dublul
valorii de la un redresor trifazat n stea:
i21
i22
i23
Rs
Ls
Udpo=2*Udo=2*1,17*U2=2,34*U2
Conexiunile n punte nu au dezechilibru de curent

continuu pe partea secundar deoarece exist
Fig. 4.6
circulaie alternativ de curent. Din acelai motiv
factorul de utilizare al transformatorului crete. Schemele de redresare n punte mai au avantajul c
pot fi alimentate direct de la reea, ns n acest caz circuitul de c.c. nu mai este izolat galvanic.
Redresoarele prezentate n acest capitol sunt realizate numai cu diode (redresoare
necomandate) i asigur la ieire o tensiune continu de valoare medie constant. Pentru o tensiune
continu la ieire reglabil se utilizeaz redresoarele semicomandate (realizate cu diode i tiristoare)
i redresoarele comandate (realizate numai cu tiristoare).
DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR
37
Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR

5.1. GENERALITI
Contactul metal-semiconductor (m-s) este o structur fizic care intr n construcia tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa funcie este de a conecta diverse regiuni semiconductoare la
terminalele capsulei. n acest caz contactul trebuie s prezinte o rezisten foarte mic n ambele
sensuri de polarizare; un astfel de contact se va numi contact ohmic. Contactul metal-semiconductor
poate avea i conducie unilateral, atunci purtnd denumirea de contact redresor.
Obinerea funcionrii ohmice sau redresoare a contactului m-s se face prin alegerea
metalului, a semiconductorului sau a gradului de impurificare.
Contactele ohmice se apropie mai mult sau mai puin de contactul ideal. Industrial,
contactele ohmice pe Si se realizeaz, aproape n exclusivitate, cu aluminiu. S-a constatat
experimental c Al face contact ohmic cu siliciu tip p dac rezistivitatea acestuia este sub 10-2
mdopare Na>1022 atomi/m3. n cazul Si tip n, contactul este ohmic numai la dopri puternice
(Na>1025 atomi/m3) i din acest motiv, naintea depunerii Al se mrete gradul de dopare n
regiunea de contact.
5.2. CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR REDRESOR
Suprafaa semiconductorului reprezint o discontinuitate a structurii periodice din interiorul
monocristalului. n plus atomii de la suprafaa semiconductorului nu mai au vecini n exterior
pentru formarea legturilor covalente. Toate acestea se traduc prin apariia n banda interzis a unor
nivele energetice numite stri rapide de suprafa.
Existena strilor rapide de suprafa produce modificri n regiunea adiacent, care se traduc
prin apariia unor regiuni golite.
Pentru un semiconductor de tip n, electronii de conducie din apropierea suprafeei tind s
umple complet strile rapide de suprafa; pe msura umplerii acestora, la suprafa se acumuleaz
sarcini negative, iar n volum sarcini pozitive (ale ionilor donori). Apare astfel o regiune golit la
suprafa i un cmp electric care se opune transferului de electroni ctre suprafa. Se obine o
situaie de echilibru, n urma creia sunt umplute numai o parte dintre strile de suprafa.
n mod asemntor se formeaz o regiune golit la un semiconductor de tip p. Aici, electronii
care ocupau deja strile rapide de suprafa trec n banda de valen, unde sunt nivelele energetice
libere (echivalent cu prezena golurilor). Suprafaa semiconductorului se ncarc pozitiv, iar
volumul semiconductorului, negativ. Diagrama energetic a
suprafeei semiconductorului poate fi controlat prin diverse
n
m
procedee tehnologice, de exemplu, prin realizarea unui strat
l0
subire de oxid.
Cel mai rspndit contact m-s este realizat cu Al depus
+
pe siliciu tip n. La efectuarea contactului, electronii cu energie
mai mare din semiconductor vor trece pe nivelele libere, de

energie mai cobort, din metal; ca urmare, regiunea din metal
x
vecin suprafeei se ncarc cu o sarcin negativ (fig. 5.1).
Prin plecarea electronilor din semiconductor rmn, n
regiune vecin suprafee de contact, ioni pozitivi de impuritate
u
donoare necompensai; aceast regiune se ncarc cu o sarcin
pozitiv. La contactul metal-semiconductor apare un strat
electric dublu, deci un cmp electric.
U0
n regiunea de trecere care apare se manifest o barier
x
de potenial care poate fi modificat prin aplicarea unei tensiuni
Fig. 5.1
38
DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR
de polarizare din exterior; contactul metal-semiconductor considerat are o comportare similar unei
jonciuni pn.
La polarizarea direct (+ pe metal i pe semiconductor) crete componenta de electroni
care trece din semiconductor n metal, iar la polarizarea invers, curentul net prin contact va fi
determinat de curentul de electroni care trece din metal n semiconductor, care se menine la
valoarea de la echilibru i are o valoare mic.
5.3. DIODA METAL-SEMICONDUCTOR
Contactele redresoare stau la baza construciei diodelor metal-semiconductor, care pot fi: cu
seleniu (n anii 30), cu oxid cupros, cu Ge, cu Si. Diodele m-s cu Si se numesc i diode Schottky, i
se realizeaz ca n figura 5.2. Pe o plachet de Si n+ este crescut epitaxial un strat slab dopat de tip
n, peste care se depune un strat de aliaj argint-titan (sau aluminiu), care formeaz contact redresor
cu Si tip n. Pe regiunea n+ se realizeaz un contact ohmic pentru catod.
Fig. 5.2
Fig. 5.3. Simbolul diodei Schottky
Contactul m-s realizat se comport ca o jonciune pn+, curentul direct fiind determinat de
electronii majoritari ce trec din semiconductor n metal. n metal electronii i uniformizeaz
concentraia pe cteva straturi atomice. Injecia de goluri dinspre metal spre semiconductor este
foarte slab, ntruct regiunea p aprut prin inversiune are o concentraie mic de goluri. Practic nu
exist sarcini de purttori minoritari stocate n regiunile neutre i deci capacitatea de difuzie este
neglijabil. Timpii de comutaie pot ajunge la 100 ps.
Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de numai 0,30,5V fa de 0,60,8V la
jonciunile din Si; aceast proprietate este utilizat n circuitele integrate logice rapide (tip
tranzistor-tranzistor-logic TTL-Schottky) pentru evitarea saturrii tranzistoarelor bipolare.
Principalul avantaj al diodei Schottky este posibilitatea de a lucra la frecvene foarte nalte
(zeci de GHz). De aceea ea este utilizat n detectoarele de frecven foarte nalt, n redresoarele
de putere la frecvene foarte ridicate i n circuitele integrate TTL-Schottky.
39
DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR
Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actual, tranzistorul bipolar (TB) cu
jonciuni. Acest dispozitiv a fost inventat de Shockley n 1949. Denumirea de tranzistor provine din
limba englez: TRANSFER RESISTOR, cuvinte ce desemneaz funcia de baz a dispozitivului.
Tranzistoarele se mpart n dou categorii: bipolare i unipolare. Funcionarea TB se bazeaz pe
ambele categorii de purttori: majoritari i minoritari, n timp ce tranzistoarele unipolare (sau cu
efect de cmp) funcioneaz numai pe baza purttorilor majoritari. Istoric primul TB a fost cel cu
contacte punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii
foarte mici. n continuare prin TB vom nelege de fapt TB cu jonciuni.
6.1. PRINCIPIUL DE FUNCIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR.
SIMBOLURI. NOTAII.
Tranzistorul bipolar const dintr-un monocristal semiconductor (Si sau Ge) care prezint o
succesiune de trei regiuni distincte, regiunea din mijloc fiind dopat cu impuriti de tip diferit fa
de regiunile laterale (fig. 6.1). Regiunea central poart numele de baz (B), iar cele laterale de
emitor (E) i colector (C), dup rolul pe care l au n funcionarea tranzistorului.
p
E
n
B
n
C
Fig. 6.1
p
B
n
C
Fig. 6.2
Pe fiecare din aceste regiuni este realizat cte un contact ohmic pe care se sudeaz
conductoarele terminale. n structura TB se formeaz dou jonciuni p-n: jonciunea emitoare (JEB)
i jonciunea colectoare (JCB). n funcie de tipul conductibilitii celor trei regiuni, TB pot fi de tip
pnp sau npn.
Structura de TB prezint urmtoarele particulariti:
1. Grosimea bazei (dB) este mult mai mare dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari;
dB =1...10 m;
2. Regiunile E i C au (de regul) grosimi mult mai mari dect lungimea de difuzie a purttorilor
minoritari;
3. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza;
4. Jonciunile E i C sunt plane i paralele ntre ele; de aceea toate mrimile electrice variaz n
structur numai dup perpendiculara pe jonciuni (x).
n funcionarea normal a TB, JE este polarizat direct, iar JC invers. Funcionarea TB nu
poate fi dedus, aa cum s-ar prea la prima impresie, considerndu-l echivalent cu dou jonciuni
independente. Schema echivalent cu dou diode este util doar pentru msurri cu ohmmetrul (fig.
6.2). Distana ntre cele dou jonciuni fiind mic, ele se influeneaz reciproc: apare un efect numit
efect de tranzistor.
n figura 6.3. se arat simbolurile utilizate pentru tranzistoarele bipolare npn i pnp.
Terminalul emitorului este pus n eviden printr-o sgeat orientat dup sensul real" (de fapt cel
convenional: de la plus la minus) al
curentului de emitor n polarizare normal
(JE polarizat direct i JC polarizat invers).
Sensurile pentru cureni i tensiuni sunt
aceleai pentru tranzistoarele bipolare pnp
ct i pentru cele npn. Curenii se consider
pozitivi
cnd ntr n tranzistor i negativi n
Fig. 6.3
caz contrar. Tensiunile se msoar fa de
40
unul din terminale i se noteaz cu doi indici: primul indic terminalul a crui tensiune se msoar,
iar al doilea indic terminalul luat ca referin de potenial.
ntre tranzistorul bipolar pnp i npn exist o analogie perfect. Ne vom referi n continuare la
tranzistorul bipolar pnp, ns toate rezultatele ce se vor obine sunt aplicabile i la TB npn, cu
urmtoarele precizri:
1. Se schimb toate mrimile referitoare la goluri n mrimile referitoare la electroni i invers;
2. Polaritatea tensiunilor i mrimile reale ale curenilor sunt inverse. Se prezint mai jos un
tabel cu tensiunile i curenii unui TB n funcionarea normal:
pnp
npn
UEB
UCB
UCE
IE
IC
IB
+
-
+
-
Fig. 6.4
S considerm un tranzistor pnp polarizat normal. JE va fi strbtut de un curent dominant
de golurile injectate de E n B (fig. 6.4). Datorit faptului c B este subire, doar o mic parte din
golurile injectate de E n B se vor recombina cu e- majoritari din B. Cele mai multe goluri ajung
prin difuzie la JC. Aici intr sub aciunea cmpului electric din regiunea de tranziie i sunt trecute
n regiunea neutr a colectorului. Curentul de goluri ce traverseaz JC (IpC) este foarte apropiat ca
valoare de curentul injectat de E n B (IpE) i constituie componenta principal a curentului de C.
Acest efect de comand a curentului printr-o jonciune polarizat invers (JC) cu ajutorul curentului
unei jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere (JE), se numete efect de tranzistor.
O fraciune mic din golurile injectate n B se recombin cu electronii intrai prin contactul B
dnd I de recombinare al B, Ir. IpE=IpC+Ir. JE mai este strbtut de un flux de electroni pe care B i
injecteaz n E. Notm cu Ine curentul corespunztor acestui flux, valoarea total a IE=IpE+InE. IC
este format din I de goluri ce sosesc de la E (IpC) i curentul invers al JC (ICBo) IC =-IpC+ ICBo.
Semnul minus apare datorit conveniei de semne fcut. ICBo este foarte mic, de ordinul a 1 nA la
TB cu Si i 1A la cele cu Ge, motiv pentru care de multe ori se neglijeaz. IB alimenteaz
recombinarea n B i injecia de electroni din B n E. n acelai timp n B sosesc un numr mic de
electroni: IB =-Ir-InE+InC
Efectul util n funcionarea TB l constituie comanda IC prin intermediul IE; InE- curent local,
trebuie s fie ct mai mic (din construcie). Din acest motiv, B se dopeaz mult mai slab dect E.
Pentru a aprecia msura n care curentul de goluri Ip predomin n curentul ce traverseaz JE se
utilizeaz coeficientul de injecie (sau eficiena emitorului), definit astfel: =IpE/ IE =0.99...0.998
Recombinarea golurilor n baz este un fenomen parazit pentru funcionarea tranzistorului.
Pentru ca la C s ajung ct mai multe din golurile injectate de E n B, trebuie ca grosimea B s fie
mult mai mic dect lungimea de difuzie a golurilor n baz, fenomen caracterizat de coeficientul de
transport:
T=IpE/IpC=0.99...0.998.
IpC= T IpE=T. IE = IE, unde = T
= 0.95... 0.998
41
Coeficientul poart numele de coeficient de amplificare n curent E-C (coeficient de

amplificare n conexiune baz comun figura 6.7). Se poate exprima relaia dintre curenii IC i IE
astfel: IC =-IE+ICBo=-IE.
IB fiind legat de fenomene secundare este mult mai mic dect IE i IC. Mai observm c n
timp IE i IC curg n lungul structurii (perpendicular pe jonciune) iar IB curge paralel cu jonciunea.
Din acest motiv curentul de purttori majoritari din regiunea B este numit curent transversal. Cnd
tensiunea invers aplicat pe JC este foarte mare, intervine i fenomenul de multiplicare n avalan
n regiunea de tranziie caracterizat de coeficientul de multiplicare:
M=1/[1-(UCB/UCBo)n] unde UCBo este tensiunea de strpungere a JC, iar n un coeficient cuprins ntre
2 i 6. n domeniul tensiunilor mari = T -M i n anumite situaii poate deveni mai mare dect 1.
n majoritatea aplicaiilor, TB este comandat prin IB. Pentru astfel de aplicaii intereseaz
dependena IC (IB), care se obine nlocuind: IE =- IC - IB, n care IC = IE + ICBo =>
IC = IC + IB + ICBo; IC (1-)= IB + ICBo; IC =(/(1-)) IB +(/(1-)) ICBo; =/(1-); =/(+1)
se numete coeficient de amplificare n curent B-C sau coeficient de amplificare n
conexiune emitor comun figura 6.7.
IC = IB +(+1) ICBo; IC =- IC + ICBo. La TB obinuite, (30, 500).
Pn n prezent au fost elaborate mai multe procedee de fabricare a tranzistoarelor, rezultnd
mai multe tipuri de tranzistoare: aliate, difuzat-aliate (drift), mesa, planare, mesa epitaxiale, planar
epitaxiale etc.
6.2. TEORIA TRANZISTORULUI BIPOLAR N REGIM STAIONAR.
MODELUL STATIC EBERS-MOLL
Aceast teorie se bazeaz pe nite ipoteze simplificatoare (de ex.: jonciunile TB sunt
considerate abrupte ideale), n final rezultnd ecuaiile lui Shockley, care depind de mai muli
parametri tehnologici ai TB. Ebers i Moll au gsit o cale de determinare a ecuaiilor TB cu ajutorul
a 4 parametri msurabili experimental.
Vom considera dou regimuri de lucru ale TB: normal i inversat. n regim normal de
funcionare, pentru un TB tip pnp, UEB>0, UCB <0, rezult: IC =- IE + ICBo. ICBo este curentul
invers al jonciunii CB, cnd emitorul este n gol (circuit deschis IE =0).
S considerm acum c schimbm, ntre ele, rolurile regimurilor de E i C, cu alte cuvinte s
aplicm o tensiune direct pe JC i o tensiune invers pe JE. ntruct C nu se deosebete principial
de E, TB va funciona i n acest regim inversat. Dac pstrm aceeai convenie de semn pentru
cureni la regim normal, funcionarea inversat este descris de relaia: IE =- IC +IEbo, n care I
este coeficientul de amplificare n curent pentru regimul inversat, iar IEBo este I invers al JE cnd C
este n circuit deschis (n gol, IC =0).n aceste ecuaii pentru IC i IE se pot determina curenii prin
TB, n cele 2 regimuri de funcionare, cunoscnd 4 parametri ce se pot msura experimental
(ICBo, IEBo). Evident IB =- IE + IC, se mai poate demonstra c IEBo = ICBo, deci cei patru
parametri nu sunt independeni.
Ecuaiile pentru orice regim de funcionare conin exponeniale pentru diodele BE i BC i
sunt cunoscute sub numele de ecuaii EbersMoll. Aceste ecuaii pot fi modelate, n
sensul TB tip pnp, n circuitul din figura
6.5.a (iar pentru npn figura 6.5.b).
IC =- IE - ICBo e (qUCB)/KT-1
IE -I IC -IEBoe (qUEB)/KT-1 (pnp)
IB =- IE - IC
n acest circuit generatoarele de I pun
n eviden efectul de tranzistor, iar cele dou
diode au caracteristici exponeniale, curenii
Fig. 6.5.a
Fig. 6.5.b
lor de saturaie fiind -ICBo i -IEBo. Semnul (-)
42
este determinat de faptul c la TB pnp ICBo i IEBo sunt negativi. La TB npn, ICBo i IEBo sunt
pozitivi i observm c UEB i UCB sunt nlocuite cu -UEB i -UCB n ecuaiile Ebers-Moll. Datorit
diodelor cu caracteristic exponenial, circuitele echivalente din figura 6.5 pstreaz caracterul
neliniar al caracteristicii jonciunii p-n. Diodele pot fi modelate liniar, obinndu-se circuite mai
uor de utilizat, dar mai puin precise.
Pentru se mai folosete notaia F iar pentru notaia R.
=R=0.5...0.9
I= 1...9
= F = 0.95...0.99
Aceast diferen ntre i este datorat ariei mult mai mari a JC fa de JE (fig. 6.6),
ceea ce permite colectarea majoritii golurilor injectate de E ctre C. Atunci cnd polarizarea este
inversat, E nu poate colecta majoritatea golurilor injectate de C. Ca exemplu de utilizare a
ecuaiilor Ebers-Moll, vom determina curenii prin TB n dou cazuri:
a) baz n gol i JC polarizat invers:
IC =- IE IC =Iceo= ICBo /(1-)=(+1) ICBo
b) baz n gol i JE polarizat invers:
IE =- IC IE = Ieco = IEBo /(1-I)=(I+1) IEbo
Pentru determinarea practic a parametrilor modelului Ebers-Moll, este
Fig. 6.6
recomandabil s se determine coeficienii de amplificare n curent BC (i I), iar
i I s se calculeze cu ajutorul acestora. De asemenea, este preferabil s se msoare cu baza n
gol IECo i ICEo (care sunt mult mai mari dect IEBo i ICBo) i apoi s se calculeze IEBo i ICBo. La
toate tranzistoarele >I i ICBo >Ieco. n practic se mai folosete relaia valabil numai n regiunea
activ: IC =Ise qUBE/(kT), unde Is este curentul de saturaie al jonciunii BE.
6.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Caracteristicile statice (CS) exprim grafic legtura dintre I prin TB i U aplicate ntre
terminale, n regim static. Pentru calculul circuitelor cu TB se folosesc fie CS trasate experimental,
fie unele modele simplificate pentru TB. n aceste montaje cu TB se disting dou circuite: un circuit
de intrare, n care se aplic semnalul de prelucrat i un circuit de ieire, n care se obine semnalul
prelucrat. TB avnd numai 3 borne, una din bornele sale trebuie s fac parte din ambele circuite.
De obicei terminalul comun se ia ca referin de potenial. Dup terminalul comun, exist
urmtoarele conexiuni posibile pentru TB:
a) baza comun (BC), n care U de polarizare se aplic nemijlocit pe cele dou jonciuni;
b) emitor comun (EC) n care JE este polarizat direct de la sursa respectiv, iar polarizarea
JC se obine ca diferen ntre potenialele C i B: UCB = UCE -UBE;
c) colector comun (CC), n care JC este polarizat direct de la surs, iar polarizarea JE se
obine ca diferen ntre E i B: UEB =UEC-UBC; (fig. 6.7)
Pentru definirea punctului de funcionare al TB (PSF) sunt necesare 4 mrimi: I la
terminalele de intrare i ieire i U ntre aceste terminale i terminalul comun. U ntre terminalul de
intrare i cel de ieire precum i I la terminalul de referin rezult din aplicarea formulelor lui
Kirchoff:
IE + IC + IB =0 i UEB +UBC+ UCE =0
Fig. 6.7
ntre cele 4 mrimi de tensiune variabil, TB impune dou relaii de legtur: ecuaiile
Ebers-Moll, deci numai dou variabile sunt independente. Dintre caracteristicile statice ce pot fi
imaginate, cele mai importante din punct de vedere practic sunt urmtoarele:
43
1) caracteristicile de ieire care exprim dependena Iieire(Uieire), avnd ca parametru Iintrare (sau
Uintrare);
2) caracteristicile de intrare, care exprim dependena Iintrare(Uintrare), avnd ca parametru Uieire;
3) caracteristicile de transfer, care exprim dependena Iieire(I sau Uintrare), avnd ca parametru
Uieire;
4) caracteristicile de reacie, care exprim dependena Uintrare(Uieire), avnd ca parametru Iintrare.
CS difer de la o conexiune la alta, dar cunoscnd familia de CS pentru o conexiune, pot fi
uor determinate CS pentru celelalte conexiuni. Deoarece n marea majoritate a aplicaiilor TB se
utilizeaz conexiunea EC, cataloagele de TB dau numai CS pentru aceast conexiune. CS sunt la fel
pentru TB pnp i TB npn, cu excepia semnelor pentru I i U.
Se prezint caracteristicile statice de ieire pentru conexiunea baz comun (BC) (fig. 6.8.a) i
pentru conexiunea emitor comun (EC) (fig. 6.8.b).
Fig. 6.8.a
Fig. 6.8.b
Domeniul de interes practic al caracteristicilor se aduce n primul cadran. Pentru aceasta la TB
pnp pe axa U se va reprezenta -UCB, iar pe axa curenilor -IC (fig. 6.8.a,b).
tim c pentru UCB UEB IC =0. UCE = UCB - UEB =0, deci toate caracteristicile IC (UCE)
trec prin origine. Pentru -UCE <-UBE JC este polarizat direct (UCB >0) TB saturat. Apare o
nclinare a caracteristicilor, datorit creterii lui prin efect Early, adic micorarea grosimii
efective a bazei la creterea UCE .
Putem mpri planul caracteristicilor de ieire n 4 regiuni, la care corespund 4 regimuri de
funcionare: I. regiunea activ normal, unde JE e polarizat direct i JC e polarizat invers;
II. regiunea de saturaie, unde ambele jonciuni sunt polarizate direct;
III. regiunea de tiere, unde ambele jonciuni sunt polarizate invers;
IV. regiunea activ invers, JC polarizat direct, JE polarizat invers.
n mod frecvent n
cataloage se reprezint
toate cele 4 caracteristici
pe acelai grafic (fig. 6.9).
Fig. 6.9. TB pnp n

conexiune EC
44
6.4. MODELE STATICE LINIARIZATE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE.

EXEMPLU DE UTILIZARE A MODELELOR
Pentru calcule se aproximeaz CS prin segmente de dreapt.
Conexiunea BC
CS de intrare: 2 segmente de dreapt:
IE =0, pentru UEB UD ca la diod i IE =( UEB - UD)/Re,
pentru UEB > UD; UD - tensiune de deschidere a JE
Re= UD IE; Re=(KT/q)(1/ IE)
Circuitul de intrare are elementele: Re, DI, UD (fig. 6.10)
Pentru circuitul de ieire IC =- IE + ICBo TB este echivalent
Fig. 6.10
cu un generator de curent model pentru regiunea activ pentru
tranzistorul bipolar pnp (valabil i pentru tiere datorit DI)
Conexiunea EC
CS de intrare: 2 segmente de
dreapt: Rb = (+1)Re sau Rb =
(KT/q)(1/ IB)
CS de ieire: IC = IB +(+1) ICBo,
ICEo=(+1) ICbo
(fig. 6.11)
nclinarea caracteristicilor de
ieire datorit efectului Early poate
fi modelat cu o conductan GCE
Fig. 6.11. TB pnp- model
TB pnp- model simplificat ntre C i E (R de ieire).
ptr. regiunea activ i tiere
pentru regiunea activ
Ue=UEarly (90V la Si)
RCE = (|UE|+| UCE |)/ IC
n cazul TB npn se schimb polaritatea UD i sensul de conducie al diodelor ideale. Pentru
saturaie i tiere se pot folosi 2 modele foarte simplificate (fig. 6.12):
Fig. 6.12
Exemplu de utilizare a modelelor statice liniarizate
Figura 6.13.a reprezint circuitul de amplificator n EC cu TB npn. Modelul static liniarizat al
acestuia este n figura 6.13.b, pentru care exist o schem echivalent mult simplificat (fig. 6.13.c):
IB
Fig. 6.13.a
UBE
<<
UD
E
IB + IC
IE
Fig. 6.13.c
IC
IB
UCE
Fig. 6.13.b
Folosind modelul din figura 6.13.b (cu cele
dou ochiuri: circuitul de intrare i cel de ieire)
putem gsi dependena Uieire (n acest caz UCE) n
funcie de Uintrare. Acest model este valabil numai
att timp ct TB se afl n regiunea activ.
Modelul nu este valabil cnd Uin< UD. n acest caz
IB =0 rezult IC = IB =0; UCE=EC. Pe de alt parte
cnd Uin crete, IB crete, IC crete, UCE scade la 0,
TB intr n saturaie i din nou modelul nu mai
45
este valabil. UCB nu poate s scad sub 0, sau IC nu poate depi valoarea IC max=EC/RC.
Uin =RBIB+RbIb+ UD
n regiunea activ: IB
=(Uin- UD)/(RB+Rb) cu condiia
ca Uin > UD, rezult IB crete
liniar cu Uin. Ecuaia U pentru
circuitul de ieire EC = RC IC +
UCE UCE=EC-ICRC. Dar IC=0
UCE=EC . PSF se deplaseaz pe
o dreapt, numit dreapt de
Fig. 6.14
Fig. 6.15
sarcin (fig. 6.14), reprezentat
prin tieturi: UCE =0; IC = EC / RC;
IC =0; UCE = EC;
IC = IB UCE = EC -RC(UinUD)/(RB+Rb). Cnd Uin crete UCE (Uieire) scade pn la 0 (se atinge I C saturaie) - figura 6.15.
6.5. INFLUENA TEMPERATURII ASUPRA REGIMULUI STAIONAR AL
TRANZISTORULUI BIPOLAR
Fig. 6.16
Fig. 6.17
Cele mai importante efecte asupra regimului staionar sunt:

a) Variaia curentului rezidual de colector ICB;
b) Variaia coeficientului de amplificare n I B-C ;
c) Variaia tensiunii de deschidere UD;
a) ICB fiind Iinvers al unei jonciuni, crete cu temperatura ca n
figura 6.16. Valorile sunt date pentru tranzistoarele din Ge i Si de
mic putere. La ambele categorii de TB, ICBo se dubleaz pentru o
cretere a temperaturii cu 10C. Pentru temperaturi uzuale ICBo =0 la
Si.
b) Variaia coeficientului de amplificare n curent B-C () cu
temperatura este dat n figura 6.17. Creterea cu temperatura se
datoreaz creterii duratei de via a purttorilor n baz (B).
B crete, deoarece la creterea temperaturii se intensific
micarea de agitaie termic a centrelor de recombinare i descrete
probabilitatea capturrii purttorilor.
La creterea temperaturii o translatare n sus a
caracteristicilor de ieire IC (UCE). La TB cu Si translatarea este
cauzat practic numai de creterea n timp, pe cnd la cele cu Ge
predominant este efectul creterii ICBo.
c) U pe JE la IB =constant, descrete n valoare absolut cu
creterea T ca i n cazul jonciunii p-n cu aproximativ 2mV/C.
6.6. STRPUNGEREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Fig. 6.18
Fig. 6.19
n esen, strpungerea TB este asemntoare cu strpungerea

jonciunii p-n, dei la TB fenomenele sunt mai complexe i depind n
foarte mare msur de circuitul n care acesta este conectat.
Strpungerea TB la I de E constant conexiune BC
n domeniul UCB mari, apare multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin n regiunea de tranziie a jonciunii BC, deci un
curent foarte mare CB n sens invers IB normal(fig. 6.18). UCbo la TB
normale=50200V, iar la cele speciale<2000V. IC=M(-IE+ ICBo).
Strpungerea nu este distructiv atta timp ct T<Tmax admis.
46
Strpungerea TB la I de B constant conexiune EC.

Strpungerea are loc la o tensiune UCEo< UCBo, UCEo=(0.10.3)UCBo =2050V pentru TB
normale. La strpungerea TB sub IB constant particip ambele jonciuni intervenind efectul de TB
nu avem de-a face numai cu o strpungere n avalan deoarece ea are rolul de a modifica
distribuia UCE ntre cele dou jonciuni (fig. 6.19). UCEO se mai numete i tensiune de susinere.
Alte cazuri de strpungere
Fig. 6.20
TB lucreaz cu rezisten n baz, n

emitor i/sau colector. Strpungerea are loc prin
creterea EC. n acest caz variaz att IE ct i
IB, comportarea TB depinznd de RB i RE.
Creterea RB apropie regimul de lucru al TB de
situaia IB =ct, deci Ustrpungere scade, n timp ce
creterea RE constituie o apropiere de regimul IE
=ct, cnd Ustrpungere crete. Pentru EB<0, se
poate ajunge ca Ustrpungere= UCbo .
Cnd TB lucreaz n conexiunea emitor comun
cu IB=const, avem vCE=vCB+vBEvCB
multiplicarea M (aproximndvCEvCB).
Modificarea caracteristicilor are loc i fr
strpungere (M). Meninnd IB=const. nu
mai permitem evacuarea purttorilor majoritari
n B (provenii din fenomenul de multiplicare)
i astfel creterea lui IC are loc pe seama
creterii lui IE, ce duce la creterea suplimentar
a lui IC. Se poate obine o cretere nelimitat a
lui IC fr s se produc strpungerea propriuzis la jonciunea colectorului.
Strpungerea a doua (secundar)

La ridicarea caracteristicilor n regimul de
strpungere n avalan se constat c UCE scade
brusc la civa voli (fig.6.21). O explicaie ar fi
modificarea brusc a distribuiei IC, de la o
distribuie aproape uniform la o distribuie n care
ntregul IC este concentrat ntr-un canal foarte
ngust. Modificarea brusc a repartiiei curentului
este determinat de degajarea neuniform a cldurii,
datorit neomogenitilor din cristal. IC concentrat
disip putere mare ntr-un volum foarte mic n care
Fig. 6.21
temperatura crete peste temperatura de topire.
Concentraia intrinsec a purttorilor n canalul topit este foarte mare, nct va lega colectorul la
baz printr-o rezisten de valoare foarte mic. Dup anularea tensiunii, canalul topit recristalizeaz;
proprietile lui sunt complet schimbate, deci strpungerea a doua nu este reversibil, spre deosebire
de strpungerea obinuit. n urma ei apar modificri ale parametrilor electrici ai TB (, ICBo), sau
chiar TB se poate distruge, dac timpul de funcionare n regiunea strpungerii a doua este mai
ndelungat.
47
6.7. REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

n timpul funcionrii dispozitivelor semiconductoare o parte din puterea electric se disip
sub form de cldur. Disiparea puterii are loc ntr-o regiune limitat a structurii semiconductoare.
La diode i TB, degajarea cldurii are loc n regiunea de tranziie a jonciunilor.
La TB tensiunea aplicat la JC este mult mai mare n regim
normal de lucru dect cea aplicat la JE, deci cea mai intens
degajare de cldur are loc la JC. Din regiunea de disipaie, cu
temperatura jonciunii Tj, cldura se propag prin conducie pn la
suportul cu temperatura Ts i la capsula cu temperatura Tc (fig.
6.22). Cldura este evacuat prin convecie spre mediul ambiant Ta.
TB poate fi umplut cu un fluid electroizolant avnd
conductivitate termic bun (past siliconic = ulei siliconic cu
pulbere
de alumin). Tj nu poate depi Tjmax (70-90C la Ge i
Fig. 6.22
120-200C la Si). Tj depinde de puterea disipat i de posibilitile
de evacuare a cldurii spre exterior. Se poate face o analogie ntre propagarea cldurii i conducia
electric. Echivalena dintre mrimile electrice i termice este urmtoarea:
I.
putere electric flux termic;
II.
diferena de potenial diferena de temperatur;
III.
conductivitate electric conductivitate termic;
IV.
rezistena electric rezistena termic.
Pentru un TB de mic putere modelul electric pentru regimul termic este urmtorul (fig. 6.23):
Fig. 6.23
Fig. 6.24
Fig. 6.25
Tj-Ta= Pd Rthj a ; Pdmax=(Tjmax-Ta)/Rt j-a

Ex.: La TB cu Ge: Rt,j-a=200C/W, Tjmax=85C, Ta=45C Pdmax = (85-45)/200 = 0.2 W.
Pentru scderea Rth c-a se folosesc radiatoare pentru mrirea suprafeei care schimb cldur
cu mediul ambiant. Uneori n cataloage se dau dependena Pd(Ta) din care se poate calcula Rtj-a.
Tranzistoarele de putere au colectorul sudat de suport o plac de cupru nichelat de 2 mm
grosime. Fa de radiator poate exista sau nu o folie izolatoare (fig. 6.25).
Rt j-c=2C/W ; Rtc-a=40C/W ; Fr radiator: Pda(Ge)=1-2W ; Pda(Si)=2-5W
Pentru calculul radiatorului pornind de la Rthr exist multe formule empirice.
6.8. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
Pentru a realiza amplificarea de semnal folosind tranzistorul bipolar este necesar ca un
circuit exterior s polarizeze tranzistorul bipolar n regiunea activ. PSF poate fi ales numai ntr-o
anumit regiune permis a caracteristicilor de ieire. Aceast regiune este determinat de limitrile
de U, I i Pda ale TB precum i de neliniaritile pronunate ale caracteristicilor sale. Pentru fiecare
caz concret se alege un punct optim de funcionare n regiunea permis. Circuitul de polarizare
trebuie s asigure funcionarea n PSF, ct mai independent de temperatur, dispersia tehnologic a
48
TB, variaiile tensiunii de alimentare etc. Este preferabil utilizarea unei singure surse de alimentare
pentru polarizarea corect a ambelor jonciuni.
6.8.1. Circuit de polarizare simplu pentru conexiunea EC
Cnd TB este utilizat ca amplificator n conexiune EC, B i C trebuie polarizate n acelai
sens fa de E (luat ca referin): negative n cazul TB pnp i pozitive n cazul TB npn. Aceasta
permite utilizarea unei singure surse de polarizare, ca n figura 6.26.
Fig. 6.26
La acest amplificator semnalul se aplic pe baz printr-un condensator i se culege de pe
colector tot printr-un condensator. Aceste condensatoare reprezint ntreruperi pentru curentul
continuu, nct generatorul de semnal Ug i sarcina Rs nu intervin n regimul staionar al etajului.
Folosind modelul static liniarizat (de semnal mare; curent continuu) avem:
IB =( EC - UBE)/ Rb
EC = RB IB + UBE UBE = UD; Rb<<RB; Rb 0
Dac EC >> UBE IB EC / RB; IC IB EC / RB.
EC = RC IC + UCE
RB =( EC - UD)/( IC -(+1) ICBo)( EC - UD)/ IC EC / IC
Se poate stabili PSF grafic sau cu ajutorul modelelor liniarizate. Dac nu se neglijeaz ICBo
rezult IC =( EC - UD)/ RB +(+1) ICBo; pentru proiectare se tiu de obicei EC, , UD, PSF(IC, UCE),
ICBo.
Exemple:
1) S se dimensioneze Rb i RC pentru un TB npn din Si, avnd la 25C =100, UD =0.6V,
ca s funcioneze n PSF: IC =2mA i UCE =5V. Se dau EC =10V i ICBo =0.1nA (se poate neglija).
RC =( EC - UCE)/ IC =2.5k
RB =( EC - UD)/ IB =( EC - UD)/ IC =470k
S urmrim ce se ntmpl cu PSF dac temperatura crete la 125C.
CI=0.1(C)-1 ; To=25C ; ICBo (T)= ICBo (To)2CI (T-To) ; C=0.01(C)-1 ; (T)=(To)[1+C(T-To)]
ICBo =0.1210=0.110240.1A0 ; Iceo=(+1) ICBo 20A0 ; 200
ICBo se dubleaz la creterea temperaturii cu 10C.
se dubleaz la Si la creterea temperaturii cu 100C.
UD scade cu 2mV/C; UD (125C)=0.6210-3100=0.4V. UD (T)= UD (To)+Cv(T-To);
Cv=-2mV/C.
Deci IB rmne aproximativ constant.
IC (125C)= IB =(UC- UD)/ RB =200(10-0.4)/470=4mA
UCE (125C)= EC - RC IC =10-10=0V
Dac temperatura crete peste 125C, crete peste 200. Dac schimbm tranzistorul cu
altul cu >200, IC calculat va fi mai mare de 4mA, iar UCE <0, ceea ce e imposibil, deci modelul nu
e valabil, tranzistorul nu mai este n regiunea activ normal, IC este mai mare dac se ine cont i
de ICBo .
Tranzistoarele de acelai tip prezint o anumit dispersie a lui n jurul valorii medii.
Ex.: BD135: =40250 ; BC107: =125500
49
Pentru un circuit dimensionat, TB cu =max va intra n saturaie iar cel cu =min va lucra
aproape de regiunea de tiere. Condiia de saturaie este IB > IC /.
2) Vom relua problema precedent (dimensionarea Rb i RC) pentru un TB pnp cu Ge care
la 25C are =100, UD = -0.25V, ICBo =-1A. Se dau EC =-10V i PSF la 25C: IC =-2mA, UCE =5V.
Cu ICBo RC =2.5k; Rb =510k. Presupunem c temperatura crete la 75C, se
dubleaz (=200), UD scade cu 2mV/C, UD (75C)=-0.15V; ICBo (75C)=-10-625=-32A;
IC(75C)=10.5mA; Iceo (75C)=(+1) ICBo =-32200=-6.4mA; UCE (75C)=16.2V i-a schimbat
semnul PSF a intrat n regiunea de saturaie UCE (75C)0V modelul nu mai e valabil IC
(75C) EC / RC; IC =-4mA.
Din aceste dou exemple putem trage concluziile urmtoare:
a) PSF e mai puternic afectat de variaia temperaturii la tranzistorul cu Ge dect la cel cu Si;
b) Pentru IB =ct, la tranzistorul cu Si, efectul care predomin la creterea temperaturii l
constituie creterea lui , iar la cele cu Ge predomin creterea lui ICBo, implicit i a lui Iceo;
c) Meninerea lui IB =ct pe care o realizeaz acest circuit simplu de polarizare nu asigur
stabilitatea PSF circuitul nu poate fi utilizat dect la temperaturi aproape constante i la puteri
disipate mici.
3) TB npn din Si cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.5V, =100,
ICBo =0.1nA
To=25C: IC =0.877mA, UCE =6.037V
T1=75C: UD =0.5V, =150, ICBo =3.2nA, ICEo=0.4832A, IC =1.327mA, UCE =2.97V
T2=125C: UD =0.4V, ICBo =0.1A, =200, ICEo =0.02mA, IC calc=1.805mA,
UCE calc= -0.275V PSF a intrat n regiunea de saturaie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
4) TB npn din Ge cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.25V,
ICBo =0.001mA, T1=75C.
To=25C: IC =1.005mA, UCE =5.167V
T1=75C: UD =0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo calc=6.43mA, IC calc=8.25A, UCE calc=-44V
PSF a intrat n regiunea de saturaie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
6.8.2. Procedee de stabilizare a PSF
1) Procedee liniare - utilizeaz n circuitul de polarizare elemente liniare (rezistoare).
Datorit configuraiei circuitului, PSF depinde n mic msur de TB.
2) Procedee neliniare (de compensare) - compenseaz variaia parametrilor tranzistorului cu
temperatura, folosind elemente cu caracteristici dependente de temperatur (termistoare, diode).
Obs: Procedeele liniare realizeaz stabilizarea att la variaia temperaturii ct i la dispersia
de fabricaie a caracteristicilor TB. Procedeele neliniare nu realizeaz stabilizarea n raport cu
dispersia de fabricaie a caracteristicilor tranzistorului; n plus cer o reglare minuioas.
6.8.2.1. Procedee liniare
1) Stabilizare cu rezistor serie n emitor
Efectul stabilizator al acestui rezistor poate fi explicat astfel:
La creterea temperaturii, IC (IE) tind s creasc att datorit creterii lui ct i a lui ICBo,
precum i a scderii lui UBE (fig. 6.27a).
Ue=Ure= RE IC (cderea de tensiune pe RE)
IB scade, nu mai rmne constant: IB =( EC UBE U)/ RB =[ EC UD RE( IC + IB)]/ RB
Datorit scderii lui IB, IC scade, compensnd o parte din creterea cauzat de variaiile lui ,
ICBo i UD. Avem de-a face cu o reacie negativ serie-serie.
50
Fig. 6.27
Obs: Acest montaj, fr Ce, cu ieire din emitor se numete amplificator cu sarcin distribuit
sau amplificator defazor. Etajul va scoate dou semnale defazate ntre ele cu 180.
Re intervine i n regimul de semnal. Componenta de semnal a curentului de emitor -iE=iB+iC
d o cdere de tensiune pe Re care se opune tensiunii de intrare UBE =Uin Re(iB+iC), ceea ce
determin o scdere a amplificrii de tensiune. Pentru a remedia acest neajuns, se monteaz Ce n
paralel cu Re, Ce se ia de valoare mare astfel nct la frecvena semnalului s reprezinte un
scurtcircuit: Xc=1/CE << Re. n practic Ce (10...100)/(2fRe).
n semnal, emitorul va fi la mas, ca i cum n-ar mai fi Re. Prin Re trece componenta
continu a IE, iar prin Ce componenta variabil (-iE=iC+iB).
2) Stabilizare cu divizor rezistiv n baz
Acesta este cel mai utilizat circuit de polarizare a TB. mbuntirea rezult mai clar
nlocuind divizorul din baz conform teoremei generatorului echivalent de tensiune (HelmholzThvenin) cu un generator echivalent de tensiune: Eb = EC RB2/(RB1+RB2), n serie cu o rezisten
echivalent RB =RB1RB2/(RB1+RB2),
IB =[ Eb - UBE -RE(IC + IB)]/ Rb (fig. 6.27.c i d).
Avnd n vedere c Eb < EC aceeai variaie a curentului de emitor - IE = IB + IC
determin n montajul cu divizor n baz o variaie relativ mai mare a lui IB, deci va putea fi
compensat o mai mare parte din creterea lui IC cauzat de creterea temperaturii. Alt avantaj al
divizorului se observ la proiectare, unde libertatea este mai mare datorit introducerii unor
elemente suplimentare (Rb2).
Exemple
1) TB npn din SI; considerm montajul din figura b) n care: RC =6.8k; Rb1=24k;
Rb2=8.2k; RE=2.7k; EC =12V; To=25C; =100; UD =0.7V; ICBo =0.1nA. Se cere PSF (IC, UCE)
i comportarea la T=125C.
Eb - UD = Rb IB + RE ( IC + IB); dar IC = IB +(+1) ICBo IB =[ IC (+1) ICBo]/;
nlocuind IB se obine:
IC =( Eb UD)/[ Rb +(+1) RE]+( Rb + RE)(+1) ICBo /[ Rb +(+1) RE]
Dac (+1) RE >> Rb IC ( Eb UD)/ RE; UCE = EC ( RC + RE) IC.
Dac Eb >> UD IC Eb / RE deci independent de , UD, ICBo.
IC max= EC /( RC + RE)=1.26mA
51
Pentru PSF: Eb =3.06V, Rb =6.1k; IC =0.846mA; UCE = EC ( RC + RE) IC =3.95V.

Dac temperatura crete la 125C =200; UD =0.5V; ICBo l neglijm;
IC (125C)=0.935mA (crete cu 10); UCE (125C)=3.15V.
Circuitul se comport foarte bine la variaia lui , dar mai puin bine la variaia lui UD.
Se poate relua exemplul pentru un TB npn din Ge (To=25C, IC =1.01mA, UCE =2.38V;
T=75C IC =1.162mA, UCE =0.943V, UD =0V, =200) observndu-se influena puternic a lui
ICBo la creterea temperaturii (ICBo =0.032mA).
Pentru proiectare se alege o valoare IC RE =(0.10.3) EC =24V, deci va rezulta Eb > UD.
Ure trebuie s nu fie o pierdere prea mare din EC. Apoi se adopt Rb 10 RE, suficient de mic
pentru o stabilizare la variaia lui i n acelai timp destul de mare fa de rezistena de intrare a
TB, ca s evite untarea intrrii la mas pentru Uintrare (pentru un divizor corect dimensionat ar
trebui ca Idiv10 IB). Apoi se calculeaz Eb, Rb1, Rb2, RC.
Ex.: Pentru un TB de Si npn cu EC =12V, RC =5.8k, Rb1=33k, Rb2=10k, RE =2.7k,
UD =0.6V, =100, ICBo =0.1nA, se obin Eb =2.79V, Rb =7.67k, IC =0.781mA, UCE =4.556V la
To=25C, iar la T=125C IC =0.869A, UD =0.4V, =200, ICBo =0.1A, Iceo =0.02mA, UCE =3.73V.
Pentru Ge npn cu UD =0.25V, ICBo =0.001mA se obin IC =0.91mA, UCE =3.33V la T=25C
i UD=0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo =6.43mA, IC =1.08mA, UCE =1.717V la T=75C; datorit
divizorului Rb1, Rb2, mare parte din ICBo trece prin Rb2 la mas i deci ICBo real< ICBo calculat.
2) S proiectm reeaua de polarizare a unui TB cu Si cu =60, UD =0.6V, n PSF IC =4mA,
UCE=4V, EC =12V. Alegem IC RE =4V RE =1k. Adoptm Rb =10 RE =10k Eb =5.33V,
Rb1=22.5k, Rb2=18k, RC =1k.
Pentru =100, UD =0.6V, IC =2mA, UCE =5V, EC =12V se adopt IC RE =2U RE =1k,
Rb=(10...100) RE 30k.
3) Stabilizare cu rezistena ntre baz i colector
Pierderea de tensiune continu pe RE constituie un dezavantaj important cnd TB lucreaz la
nivele mari de putere. n astfel de cazuri stabilizarea PSF poate fi realizat polariznd baza cu un
rezistor conectat ntre colector i baz ca n figura 6.28.
IB =( UCE - UBE)/RBC
IC crete odat cu creterea temperaturii.
UCE = EC - RC ( IC + IB)
UCE scade, IB scade i se compenseaz parial
creterea lui IC cu temperatura. Aceast reacie se
numete paralel-paralel. Fr Cb ea intervine i n
regimul de semnal micornd amplificarea.
Pentru creterea amplificrii rezistena Rbc se
divide n dou i se monteaz Cb care se conecteaz la
mas. Se impune condiia ca 1/(Cb)<<Rbc'; el nltur
Fig. 6.28
reacia negativ n regimul de semnal.
Pentru proiectare, cunoscnd PSF Rbc UCE / IC.
Uneori se folosesc circuite de polarizare care utilizeaz, n
vederea stabilizrii PSF, un rezistor serie n emitor, baza
fiind polarizat printr-un divizor de tensiune conectat ntre
colector i mas ca n figura 6.29.
n aceast schem, reacia serie i reacia paralel se
completeaz reciproc. Se poate realiza o stabilizare bun
pentru valori mici ale lui RE, ceea ce constituie un avantaj
n
cazul cnd TB lucreaz la nivele mari de putere.
Fig. 6.29
52
6.8.2.2. Procedee neliniare (de compensare)

1) Compensarea variaiei UBE (tensiunii de deschidere) cu temperatura
Fig. 6.30.a
Fig. 6.30.b
Fig. 6.30.c
Pentru montajul a, Rb se alege astfel nct Idiv=10 IB ct; tensiunea pe diod scade cu
temperatura exact ca tensiunea de deschidere a tranzistorului (dac tranzistorul i dioda au aceeai
temperatur).
Datorit impedanei foarte mici a diodei, nu se poate introduce tensiunea de intrare pe diod i
de aceea este introdus printr-un transformator de cuplaj sau printr-un condensator de cuplaj (Cin),
Rb fiind de ordinul ctorva k. Alt variant pentru compensarea UBE cu temperatura este
prezentat n figura 6.30.c.
2) Compensarea creterii ICBo cu temperatura
Se poate face cu o diod polarizat invers. Fr diod,
ICBo se nchide prin Rb2 i jonciunea baz-emitor a
tranzistorului, fiind amplificat, IC = Iceo =(+1) ICBo (cu baza n
gol) - figura 6.31.
Dac se alege o diod avnd curentul invers egal cu ICBo,
Iinv= ICBo, ICBo se nchide prin diod i nu mai este amplificat de
tranzistor.
3) O compensare termic mai general se poate realiza
introducnd un termistor care polarizeaz baza.
n cazul acesta se folosete un termistor cu coeficient negativ de temperatur, adic
rezistena lui scade cu creterea temperaturii (fig. 6.32.b).
Termistoarele sunt componente pasive realizate din oxizi semiconductori. Termistoarele cu
coeficient negativ se noteaz NTC; cele cu coeficient pozitiv se noteaz PTC (rezistena lor crete
cu creterea temperaturii). Un termistor PTC se poate monta n loc de Rb1.
Pentru NTC, la creterea temperaturii Rth, UBE i IB scad scade i IC compensnd creterea
lui IC datorit creterii To.
RE are o valoare foarte mic fa de circuitele anterioare, dar se ntmpl n practic s nu
avem ntotdeauna termistorul cu caracteristicile care ne trebuie. De aceea se monteaz rezistene n
Fig. 6.31
Fig. 6.32
53
serie sau paralel pentru a obine o anumit lege de variaie a rezistenei cu temperatura (fig. 6.32.b).
Termistorul trebuie s fie n contact termic bun cu tranzistorul.
6.8.3. Polarizarea tranzistorului bipolar n conexiunile BC i CC
Pentru conexiunea BC se utilizeaz acelai circuit de polarizare ca i pentru conexiunea EC,
dar cu baza scurtcircuitat la mas (printr-un condensator Cb), pentru frecvenele de lucru. n acest
caz, nu se mai pune Ce n paralel cu RE.
Fig. 6.33
Pentru conexiunea CC se utilizeaz al doilea circuit; se mai numete i repetor pe emitor.
Sarcina o constituie RE n paralel cu Rs. Fr RC, colectorul se afl la mas pentru semnal.
Datorit lui RE, acest montaj are o stabilitate satisfctor de bun pentru orice Rb, astfel c
se poate renuna la divizorul din baz, respectiv la Rb2.
6.9. TRANZISTORUL BIPOLAR N REGIM DINAMIC DE SEMNAL MIC
Pentru regimul staionar au fost folosite circuite echivalente Ebers-Moll sau modele
liniarizate de semnal mare valabile n cazul regimului cvasistaionar. Circuitele de regim staionar
nu in seama de variaia sarcinii stocate n tranzistorul bipolar i de aceea ele devin inexacte la
frecvene nalte. Frecvena de lucru a acestor modele o numim frecven joas i depinde de tipul
TB (cca.10Khz la Ge i cca. 1Mhz la Si).
Pentru a deduce modele valabile la frecvene nalte (regim dinamic), trebuie s inem seama
i de purttorii minoritari aflai n exces n regiunea neutr a bazei.
Modelele de regim dinamic pot fi mprite n dou categorii:
1. Modele de semnal mare
2. Modele de semnal mic
1.a) Un prim model de semnal mare poate fi dedus pornind de la ecuaiile Ebers-Moll n
regim sinusoidal.
1.b) Un alt model de semnal mare este cel al controlului prin sarcin. La acest model se
ajunge exprimnd toi curenii prin TB funcie de sarcina de purttori minoritari din baz.
2.a) O prim cale de obinere a modelelor de semnal mic const n liniarizarea n jurul unui
punct a relaiilor de funcionare dintre variabilele la borne deduse prin primul model de semnal
mare (1.a).
2.b) O cale mai simpl pentru obinerea modelelor de semnal mic pornete de la legile fizice
care guverneaz procesele din TB.
Modelele obinute pe aceste dou ci se numesc ''circuite echivalente naturale'', ntruct
elementele ce intervin sunt corelate direct cu procesele fizice din TB (circuitul echivalent natural hibrid).
2.c) O a treia cale de obinere a unor modele de semnal mic const n a privi TB ca pe un
cuadripol; circuitele respective se numesc "circuite echivalente de cuadripol". Elementele ce
intervin n aceste circuite nu sunt corelate direct cu procesele fizice din TB, dar prezint avantajul
de a putea fi msurate cu uurin experimental (circuitul echivalent h).
54
6.9.1. Circuitul echivalent natural -hibrid
Fig. 6.34
Ic
g
Ic
40 Ic (amplificarea)
Ut KT
0.025
T=300K, IC =1mA gm=4010-3-1=40(k)-1=40mS
300
T300K g m (T) 40
Ic(T)
273 To( C)
Mrimea gb'e (notat i g) este numit conductan de intrare, de semnal mic. gb'e=gm/
Pentru IC =1mA, gb'e este cuprins ntre 10-4 i 510-3-1.
gm
Ic
n circuitele care funcioneaz la semnale

mari, TB lucreaz de obicei n regiunea activ
normal: JE polarizat direct i JC invers. Acest
circuit echivalent (numit i circuit echivalent
Giacoletto) a fost dedus numai pentru acest
regim de lucru (fig. 6.34). El este valabil pentru
toate cele 3 conexiuni ale TB, att pentru pnp ct
i npn.
Mrimea gm are dimensiunea de
conductan i poart denumirile: conductan
mutual, transconductan sau pant.
rb'e=2...10k=r=rezistena de intrare de semnal mic=/gm

Mrimea rbb' (notat i rx) este rezistena dintre contactul ohmic al bazei (b) i centrul
regiunii active a bazei (b') numit baz intrinsec. Aceast rezisten numit rezisten de baz, are
valori cuprinse ntre civa ohmi i 100 ohmi. Din tensiunea aflat ntre b i e numai partea care se
repartizeaz ntre b' i e (Ub'e) are efect de comand asupra IC. De aceea generatorul de curent a fost
exprimat funcie de Ub'e. Cb'e (notat i C) este capacitatea de intrare, ce este format dintr-o
capacitate de barier i una de difuzie.
Cb'e=Cd+C bar,b'e; Cd=capacitate de difuzie sau capacitate de ncrcare a bazei. Pentru IC
=1mA, Cd(5...200pF), C bar,b'e i Cb'c (sau C) modeleaz capacitile de barier ale jonciunilor i
sunt de ordinul 1...10pF.
Conductanele gb'c i gce iau n considerare reacia intern a TB cauzat de variaia grosimii
efective a bazei (efectul Early) funcie de UCB; Rieire=(Ue+ UCE )/ IC =10...100k,
Ue=90V la Si, gce=10-5...10-4-1, gb'c=10-7...10-6-1, Rreacie=rb'c=1...10M.
n cele mai multe aplicaii efectul acestor conductane poate fi neglijat. Dac mai neglijm i
alte elemente, obinem circuitul echivalent de semnal mic, simplificat, pentru frecvene joase
(fig.6.35). El necesit numai cunoaterea IC i .
gm=40 IC , g=gm/ (sau rbe=r=1/g=/gm)
La frecvene nalte cea mai mare importan o are C.
Parametrii -hibrizi variaz cu PSF i cu temperatura. n
cataloage se dau curbe tipice de variaie a lor.
6.9.2. Exemple de utilizare a circuitului -hibrid

Fig. 6.35
Exemplul 1
Vom examina funcionarea n joas frecven a
montajului tipic de amplificator cu TB n conexiune EC.
55
Fig. 6.36
Rb =Rb1||Rb2=7.67k, Rg=1k, R's= Rs || RC =3.4k, Re=2.7k
Se cunosc: =100, rbb'=50?, IC =0.781mA.
Se folosete modelul de semnal mic i joas frecven simplificat. Condensatorul Ce
constituie un scurtcircuit pentru semnal, astfel c emitorul TB este pus la mas. n semnal reactana
Xce=1/(Ce)<<Re. Relaia practic pentru proiectarea unui condensator este Ce(10..100)/(2fRe).
RC apare legat ntre C i E, deoarece EC constituie un scurtcircuit pentru semnal. Sarcina
util este Rs (spre exemplu, constnd din rezistena de intrare a unui etaj similar). La frecvena de
lucru, Cs reprezint un scurtcircuit, nct Rs apare n paralel cu RC. S-a notat cu R's rezistena de
sarcin efectiv: R's= RC || Rs. ntre B i E intervine Rb =Rb1||Rb2 n paralel cu generatorul de
semnal. Capacitatea de cuplaj Cb este un scurtcircuit pentru semnal.
Calculm: gm=400.78110-3=31.210-3-1, rbe=rb'e=/gm=3.2k (T=300K)
Amplificarea n curent a tranzistorului este: Ai= IC / IB ==100.
Se definete uneori o amplificare n curent a etajului fa de generator: Aic= IC /Ig= IC / IB
IB /Ig=
= Rb /( Rb +rbc)=70.56 (s-a folosit formula generatorului de curent: IB =Ig Rb /( Rb +rbc)).
Amplificarea real pe Rs este Aig=Iies/Ig=Iies/ IC IC / IB IB / Ig =Aic RC /( RC + Rs)=35.28 (sa folosit Iies= IC RC /( RC + Rs)).
Amplificarea n tensiune este de asemenea caracterizat prin 2 coeficieni:
- amplificarea n tensiune a tranzistorului Au=Uies/Uin
- amplificarea n tensiune a etajului Aug=Uies/Ug
Calculm mrimile ajuttoare Uies=- IC R's=-gmR's UBE =- IB R's i Uin =rbe IB i rezult
Au=Uies/Uin=-R's/rbe=-gmR's=-106.26 (semnul (-) arat c tensiunile de intrare i ieire sunt
n antifaz, amplificator inversor).
Pentru Aug calculm RinT=Uin/ IB =rbe=3.2k, Rin=RinT || Rb =2.258k i cu formula
divizorului de tensiune Uin= Ug Rin/(Rg+Rin).
Aug = Uies / Uin Uin /Ug= Au Rin/(Rg+Rin)=-73.65
Rezistena de ieire a TB este infinit, cci la ieire avem un generator de curent constant.
Pentru Rs, amplificatorul este echivalent cu o
surs de tensiune Aug Ug (sau Au Uin) n serie
cu RC; deci R de ieire a etajului este RC.
Neglijnd rbb' ntr-o schem fr Rs
rezult: Au= Uies / Uin =- RC /rbe=-gm RC =-40
IC RC =-40URc cderea de tensiune pe RC fiind
foarte uor de msurat.
Exemplul 2
Vom urmri influena pe care o are asupra
amplificrii o rezisten de emitor nedecuplat cu
Fig. 6.37
condensator (fig. 6.37).
56
Uin = IB rbe+( IB + IC)Re, IC = IB Uin = IB [rbe+(1+)Re]

Rezistena de intrare a etajului este Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)Re=275k, deci mare fa de
exemplul 1. Rin = Rin T|| Rb =7.46k, deci divizorul a micorat mult Rin.
Uie =-R's IB, Uin = Rin T IB, Au =Uie/ Uin =-R's/ Rin T=R's/[rbe+(1+)Re]=-1.23
Deoarece 100 iar Re este de ordinul lui rbe Au -R's/[(1+)Re]-R's/Re = -1.259 -1.23.
Aproximaia nu este valabil dac Re este mai mic de 100.
Rb
Rc
Aug = Uie / Uin = Au Rin/(Rg+ Rin)=-1.087, Aig=Iie/Ig=
=1.353, mic din
Rc Rs Rb Rin T
cauza valorii prea mici a lui Rb.
Exemplul 3
Studiem funcionarea etajului CC (colector comun, repetor pe emitor).
Etajul are sarcina n emitor Rs =10k (fig. 6.38).
Fig. 6.38
Uin = IB rbe+( IB + IC)R's= IB [rbe+(1+)R's], Uies =(1+) IB R's
Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)R's=217.9k, Rin = RinT || Rb =7.41k
Au = Uies / Uin =(1+)R's/ Rin TR's/R's=10.985, Aug = Au Rin /( Rin +Rg)=0.868
Rb
Re
=-0.73 (foarte mic deoarece

Ai= IC / IB =-(+1)=-101, Aig=Iies/ Ig =-(+1)
Rb Rin T Re Rs
Rb mic)
Repetorul pe emitor amplific doar curentul i nu tensiunea de intrare. El are impedana
mare dac divizorul de intrare are valoare mare. Pentru rezistena de sarcin Rs ntregul etaj poate fi
nlocuit cu echivalentul Thvenin: un generator de tensiune (Uie = Au Uin = Aug Ug) n serie cu
Rie.
Fig. 6.39
Formula Ries o putem gsi determinnd curentul de test (It) care ar fi absorbit la bornele de
ieire cnd sarcina Rs ar fi nlocuit cu o surs de tensiune Ut n ipoteza pasivizrii intrrii (Ug =0).
Intrarea se pasivizeaz astfel: dac este un generator de tensiune se scurtcircuiteaz, iar dac este un
generator de curent se ndeprteaz.
57
UBE =- Ut rbe/(rbe+Rg), It=Ut/Re+ Ut /(rbe+R'g)- gm UBE = Ut /Re+ Ut /(rbe+Rg)+rbe Ut gm

/(rbe+R'g)
1
1 1 rbe g m
, unde rbe gm =
Ries Re rbe R' g

1
1
1
rbe R' g rbe R' g
Ries Re
||
Ries Re rbe R' g
1
1
kW
100W
Ries=10..100
Dac sursa de semnal are rezistena Rg foarte mic atunci Riesrbe/(1+)1/ gm.
Repetorul pe emitor se folosete pentru Zin mare, Zies mic sau ca amplificator de curent.
Exemplul 4
Pentru etajul BC (baz comun) reprezentrile clasice sunt cele din figurile 6.40.c, d.
Fig. 6.40
Uin =-rbe IB, Uie =-R's IB
Iin= Iie =-(1+) IB
Au = Uies / Uin =R's/rb'e= gm R's=106
Rin T= Uin /Iin=rbe/(1+)rbc/=1/gm=31.67 (mic), Rin = Rin ||Re=31.55 Rin T
Aug = Uies / Ug = Uies / Uin Uin / Ug = Au Rin /( Rin +Rg)=3.25, foarte mic deoarece Rin mic
fa de Rg. Trebuie micorat Rg la civa ohmi.
Ai= Iie /Iint= IC / IE =-/(+1)=--1 (=0.99)
Rc
Re
Aig= Iie /Ig= Iie / IC IC / IE IE / Ig =-
- RC /( RC + Rs)=-0.489
Rc Rs Re Rin T
n conexiune BC, TB amplific doar tensiunea (dac Rg este mic), are impedana de intrare
foarte mic (comparabil cu impedana de ieire a repetorului pe emitor, la care poate fi ataat la
intrare) i se folosete de obicei la nalt frecven.
Utilizarea etajelor cu tranzistoare bipolare:
Dac se compar cele 3 conexiuni se pot trage nite concluzii pe care le prezentm sub form
de tabel:
58
Conex
Rin
EC
mic
CC
mare
BC
f. mic
Rie
mare
mic
mare
Ai
mare
mare
mic =1
Au
mare
mic =1
f. mare
Ap
f. mare
mare
mare
Frecvena de lucru
mic
f. mare
mare
Cel mai utilizat etaj este EC, datorit amplificrii mari n U i I i deci n putere. Acest etaj se
comport bine i n cazul cuplrii mai multor etaje, datorit posibilitii adaptrii impendanelor.
Etajul BC se folosete la frecvene nalte ca amplificator de tensiune. Etajul CC se folosete ca
amplificator de curent i ca etaj de adaptare ntre 2 etaje cu impedane mult diferite.
6.10. TRANZISTORUL BIPOLAR LA FRECVENE NALTE
Performanele TB la frecvene nalte se pot aprecia cu ajutorul ctorva frecvene

caracteristice. Valorile numerice ale acestor frecvene se pot determina prin msurri experimentale,
iar unele sunt indicate n foile de catalog ale tranzistoarelor.
Frecvena de tiere f
Pentru etajul de amplificare n EC se definete coeficientul de amplificare n curent cu
ieirea n scurtcircuit.
= IC / IB, UCE =0 (n complex)
Variaia lui cu frecvena se poate determina cu circuitul echivalent Giacoletto, rezultnd
(0)
, unde (0) este pentru curent continuu, este complex i este pulsaia de
j
1
tiere la f.
( 0)

1
; f
( 0)
;
0.707
2
2
Frecvena de tiere este frecvena la
care amplificarea scade la 0.7 din amplificarea
din
curent
continuu
(amplificarea
tranzistorului). Aceast frecven de tiere
servete ca msur a benzii de frecven n
care cu ieirea n scurtcircuit rmne
rezonabil de apropiat de valoarea ei de la
frecvena joas. Aceast frecven este numit
frecven de tiere a coeficientului . f
determin lrgimea benzii de trecere a etajului.
Fig. 6.41
Frecvena de tranziie
Frecvena de tranziie este frecvena la care cu ieirea n scurtcircuit este egal cu unitatea.
(0)

1 ; deoarece este mare (/)2>>1 1=/(T/) T=
2

1 T

fT=f
fT=amplificare n curent ()limea de band (f) fT se mai numete produs ctig-band,
care este mereu constant: 1MHz la cele de mic putere cu Ge, 500MHz la cele cu Si (BC107: 250300MHz), 1GHz la tranzistoarele mai bune (BF200: 650MHz, BF180: 800MHz).
59
Frecvena de tiere f
f este frecvena la care scade cu 2 i se definete pentru etajul de amplificare n BC.
= IC /( IC + IB)=/(+1)
1 j
unde (1+)= de unde
j
j
1 j
1
1
1
1 j
(1 )
rezult relaia f=(1+)f, f este mult mai mare dect f. Produsul ctig-band este ns acelai la
ambele etaje: fT=f=f.
Circuitul Giacoletto a fost presupus cu C i C independente de frecven, ns acest lucru e
valabil pn la fT/4; la frecvene mai mari f=1.2fT.
n figura 6.41. scara este logaritmic (nu are zero); astfel f=0 i =0 sunt la - pe axe.
Frecvena maxim de oscilaie fmax
Pentru oscilatoare, frecvena maxim de oscilaie (fmax) este frecvena la care amplificarea n
putere (n cele mai bune condiii) a etajului emitor comun (EC) scade la unitate (fig. 6.41).
Uzual fmax>fT i este frecvena limit de oscilaie a TB. La frecvene foarte nalte se fac TB
speciale, cu drift (cu cmp intern n baz i fT>1GHz) cum sunt BFY90 (1.2GHz) i BSX89
(1.1GHz).
6.11. CIRCUITE ECHIVALENTE DE CUADRIPOL

6.11.1. Ecuaiile matriceale ale tranzistorului bipolar
La TB se disting ntotdeauna un circuit de intrare i un circuit de ieire. De aceea el poate fi
tratat ca un cuadripol (fig. 6.42). n general cuadripolul este caracterizat prin dou ecuaii care n
domeniul semnalelor mici pot fi liniarizate. Datorit acestor ecuaii doar dou din cele patru mrimi
electrice (U1,U2,I1,I2) sunt variabile independente, celelalte dou sunt determinate de ecuaiile
cuadripolului.
Cu dou variabile independente ( C42 =6) sunt ase moduri de
alegere a celor dou variabile independente la care corespund
ase sisteme de ecuaii, fiecare sistem fiind caracterizat de
patru parametri de cuadripol. Dintre aceste sisteme, cel mai
utilizat la TB este sistemul cu parametri hibrizi (h):
Fig. 6.42
U 1 h 11 I1 h 12 U 2
U h h I1
, sau matriceal 1 11 12 cu h21h12.
I 2 h 21 h 22 U 2
I 2 h 21 I1 h 22 U 2
Acest cuadripol este activ i nereciproc (h21h12). De aceea TB este caracterizat de patru
parametri de cuadripol. Aceti parametri (h) depind de temperatur, PSF i frecven, sunt mrimi
complexe.
Dezavantajul este c spre deosebire de parametrii naturali, cei de cuadripol depind de
conexiunea n care e conectat TB i de aceea se mai aloc un indice n funcie de conexiune
(h11b;h12b;h21b;h22b- pentru BC, h11e;h12e;h21e;h22e- pentru EC, h11c;h12c;h21c;h22c- pentru CC).
Exist deci un mare numr de parametri de cuadripol. ns odat cunoscute valorile unui
grup de patru parametri se pot determina prin calcul valorile oricrui alt grup. Din cei patru
parametri doi sunt de dipol, referindu-se la circuitul de intrare (h11) sau la cel de ieire (h22), iar
ceilali doi sunt parametri de transfer direct (h21) i respectiv invers (h12). Uneori se nlocuiesc
cifrele cu litere astfel: i n loc de 11 (input- intrare), o n loc de 22 (output- ieire), f n loc de 21
(forward transfer- transfer direct) i r n loc de 12 (reverse transfer-transfer invers).
n domeniul frecvenelor nalte se utilizeaz ecuaiile cu parametri y:
60
I1 y11 U 1 y12 U 2
, sau matriceal
I 2 y 21 U 1 y 22 U 2
I1 y11 y12 U 1
I y y U .
2 21 22 2
S-au mai utilizat i sisteme cu parametri z:

U 1 z 11 I1 z 12 I 2
U z z I
, sau matriceal 1 11 12 1 .
U 2 z 21 I1 z 22 I 2
U 2 z 21 z 22 I 2
Pentru valori reale s-au utilizat parametrii R.
6.11.2. Circuite echivalente h
Modelm ecuaiile echivalente cu circuitul echivalent(fig. 6.43).
Fig. 6.43
h11
h12
h 21
h 22
U1
I1
- impedana de intrare cu ieire n scurtcircuit

U2 0
U1
U2
I2
I1
- factorul de transfer invers de tensiune cu intrare n gol

I1 0
- factor de transfer direct n curent cu ieire n scurtcircuit

U2
I2
U2
- admitana de ieire cu intrare n gol

I1 0
n domeniul frecvenelor joase parametrii h sunt reali: h22=1/rce, h11e=hie=rbe=/ gm. La
BC i EC parametrul h21b= IC / IE =- i h21e= IC /IB=. Parametrii folosii anterior, i , sunt
parametri statici sau de semnal mare i de aceea se noteaz prin h21B i h21E (literele mari la
indice arat c este vorba despre parametri statici). Avnd n vedere ns caracterul aproape liniar al
dependenei IC (IE), respectiv IC(IB), de multe ori se utilizeaz parametrii statici n locul celor
dinamici i invers. Dintre parametrii h doi sunt mrimi adimensionale (h12,h21), unul este impedan
(h11) i unul admitan (h22). Din acest motiv ei sunt numii parametri hibrizi. Modul de msurare a
parametrilor h decurge simplu, chiar din relaiile de definiie a lor. Putem folosi i caracteristicile
statice lund creteri finite n jurul PSF.
La frecvene nalte parametrii devin compleci i variaz cu frecvena. n cataloage se dau
valorile parametrilor h la joas frecven (1kHz), pentru un anumit PSF (IC =1mA, UCE =5V) i o
anumit temperatur (250C).
Exemple de valori tipice: h11e=1..5k, h12e=1..510-4, h21e=50..200, h22e=10..5010-6-1
Pentru alte PSF i alte temperaturi folosim curbele tipice care se dau n cataloagele de TB.
Pentru nalt frecven se dau n cataloage parametrii y sau -hibrizi. Se pot deduce relaiile dintre
parametrii h i parametrii circuitului natural -hibrid.
Tem: La un tranzistor se msoar n punctul static c=2mA i UCE=5V: h11e= 2,6103;
h12=210-4; h21e= 200; h22e= 2010-6; cbc=8pF; fT=200MHz. S se determine elementele
circuitului echivalent -hibrid n punctul static de funcionare c=20mA i UCE=10V.
61
6.11.3. Studiul regimului dinamic al TB la semnal mic i frecvene joase
Se poate analiza funcionarea TB ca amplificator de semnal mic, de frecven joas, folosind

circuitul echivalent h. Se folosete o schem de principiu, care conine numai elementele ce intervin
n regimul de semnal (fig. 6.44). Trebuie folosite trei scheme pentru cele trei conexiuni ale TB, dar
deoarece circuitul h al TB este acelai pentru toate trei conexiunile (diferind parametrii), putem trata
unitar cele trei etaje de amplificare. Se obin urmtoarele rezultate:
Fig. 6.44
h 21
- amplificarea n curent Ai
h 21;
1 h 22 R'S
h 21 R'S
, unde h=h11h22-h21h12;
- amplificarea n tensiune Au
h11 R'S Dh
U
h R' h
;
- rezistena de intrare Rin = 1 h11 h12 R S Ai 11 S
I1
1 h 22 R'S
h11 R'G
;
- rezistena de ieire Ries
h h 22 R'G
- amplificarea n putere Ap
U2 I2
Au Ai .
U1 I 1
Maximul amplificrii se obine pentru R'S
h11 R'G
.
h 22 ( h h 22 R'G )
6.12. TRANZISTORUL BIPOLAR N REGIM DE SATURAIE
n condiiile unei amplificri normale, n regim liniar, curentul de colector este tot timpul
direct proporional cu cel de baz. n circuitele de comutaie, ca n cel din figura 6.45, curentul de
colector este n primul rnd determinat de tensiunea de alimentare VCC i de ctre rezistena de
sarcin Rs. Deja am ntlnit saturaia ca un lucru nedorit n cazul amplificatoarelor liniare de
semnal, dar aceast stare este de mare importan pentru alte aplicaii.
S vedem ce se va ntmpla cu curentul de colector n
Vcc
figura
6.45,
dac curentul de baz crete treptat de la valoarea
+10V
R B 50k Bec
zero. n cazul n care comutatorul S este deschis, nu avem curent
RL
de baz, iar curentul de colector este neglijabil. nchiderea lui S1
IC
d natere la un curent finit de baz IB=VCC/RB, neglijnd
S1
cderea de tensiune pe jonciunea baz-emitor. Curentul de
colector prin rezisten de sarcin Rs=50 va fi astfel dat de
T1
0
IC=hFEVCC/RB. Cu componentele prezentate, dac tranzistorul
2N3053
are hFE=100 i RB este reglat la valoarea maxim (50k)
Fig. 6.45. Ilustrarea saturaiei
rezult IC = (100*10)/50000 = 20mA.
(tranzistor acionnd
ca un comutator)
Cderea de tensiune pe Rs este dat de RsIC i n acest
caz este de 1V. Tranzistorul este n modul liniar de operare;
62
descreterea ulterioar a lui RB conduce la creterea curentului de baz, crete i curentul de

colector i n consecin va crete i cderea de tensiune pe rezistena de sarcin Rs (bec). Circuitul
poate fi folosit ca amplificator de tensiune n aceste condiii.
S considerm acum cazul cnd:
RB = hFE Rs;
atunci curentul de baz va fi:
IB = VCC / RB = VCC / (hFE Rs),
iar curentul de colector:
IC = (hFE VCC)/(hFE Rs)= VCC/Rs
Tranzistorul acioneaz aici doar ca o pereche de contacte ale unui comutator, comutnd
tensiunea spre sarcin. Este foarte clar din legea lui Ohm c n orice situaie curentul prin sarcin nu
poate depi valoarea VCC/Rs. Creterea n continuare a curentului de baz nu mai poate conduce
la o cretere a curentului de colector, care acum este determinat doar de tensiunea de alimentare i
rezistena de sarcin. n aceast situaie tranzistorul este saturat.
n practic exist ntotdeauna o mic cdere de tensiune ntre colectorul i emitorul
tranzistorului saturat, notat uzual VCE(sat). Aceasta este n mod normal mai mic de 1V i poate fi
mai mic de 0,1V la tranzistoarele special destinate pentru circuite de comutaie. n general
VCE(sat) descrete dac jonciunea baz-emitor a tranzistorului este mai puternic alimentat n
conducie, de exemplu dac raportul dintre curentul de colector i curentul de baz devine mai mic
dect ctigul n curent hFE.
Pentru o saturare puternic a tranzistorului (tensiune mic VCE(sat)), se recomand condiia
IC / IB < hFE / 5.
n tipul de circuit prezentat n figura 6.45 unde curentul de baz este furnizat de la sursa de
alimentare printr-un simplu rezistor, vom adopta: RB / Rs < hFE / 5
ntruct, n figura 6.45 considerm ctigul hFE tipic pentru tranzistorul 2N3053 de 150 vom
avea: RB/Rs=30 deci cu Rs=50 rezult c RB<30*50=1,5k.
n acest circuit, pentru ca becul cu rezistena de 50, care este sarcina, s fie eficient
alimentat (conectat la surs) va trebui s reglm RB mai mic de 1,5k. Exist situaii cnd acest
lucru nu este posibil, de exemplu, dac rezistena este o fotorezisten (comandat de lumin) cu o
valoare minim a rezistenei de 10k; atunci vom folosi o pereche de tranzistoare n conexiune
Darlington (capitolul 11), pentru a crete ctigul de curent.
Dac tranzistorul opereaz aproape de curentul su maxim de colector, pentru a menine
VCE(sat) cobort la fraciuni de volt, curentul de baz trebuie s fie mai mare ca IC/5 pentru a
permite un hFE redus.
Este surprinztor s constatm c VCE(sat) poate fi mai mic dect cderea de tensiune pe
jonciunea baz-emitor VBE, care este de aproximativ 0,6V pentru un tranzistor de mic putere cu
siliciu. Aceasta, din cauza c, n condiiile de saturaie, jonciunea colector-baz intr n regim de
conducie direct. Avem astfel dou jonciuni n regim de conducie direct n opoziie i astfel
cderea de tensiune pe ele tinde s se anuleze. Aceast abilitate a tranzistorului bipolar de a intra n
saturaie cu o cdere de tensiune foarte mic ntre colector i emitor l recomand ca un foarte bun
dispozitiv de comutaie. Multe din cele mai importante aplicaii ale electronicii folosesc circuite de
comutaie, inclusiv electronica digital.
n regimul de comutaie, un tranzistor lucreaz sau cu un curent de colector aproape nul (n
stare nchis) sau cu tensiune de colector-emitor aproape nul (in stare deschis, saturat). n ambele
condiii, disiparea de putere este foarte mic. Singurul moment cnd avem o disipare de putere
semnificativ este atunci cnd tranzistorul comut, moment n care att curentul de colector ct i
tensiunea sunt finite i diferite de zero.
Un tranzistor de mic putere cum este 2N3053, cu o disipaie maxim de putere permis de
sub un watt, poate conecta (comuta) puteri de ordinul ctorva wai. Se are n vedere ca timpul de
comutare s fie ct mai mic i astfel puterea comutat este mai mare.
63
DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)
Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

Funcionarea tranzistoarelor unipolare (cu efect de cmp) TEC (sau FET = Field Effect
Transistor) se bazeaz pe variaia conductibilitii unui canal dintr-un material semiconductor, ale
crui dimensiuni transversale pot fi controlate cu ajutorul cmpului electric creat de tensiunea de
semnal (comand), aplicat pe un electrod de control numit gril sau poart (G- gate). n toate
TEC-urile actuale cmpul electric este perpendicular pe calea de trecere a curentului (numit canal).
Spre deosebire de TB, a cror funcionare este bazat pe existena ambelor categorii de
purttori mobili (majoritari i minoritari), funcionarea TEC se bazeaz pe un singur tip de
purttori: purttorii majoritari; din acest motiv ele se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Dup modul de realizare a grilei TEC se mpart n dou categorii:
- cu gril jonciune (TEC-J sau J-FET);
- cu gril izolat (IG-FET) sau metal-izolant-semiconductor (TEC-MIS), sau dac izolantul
este bioxid de siliciu SiO2 se numete TEC-MOS (MOS-FET sau MOS).
TEC-urile combin multe din avantajele tuburilor electronice (rezisten de intrare foarte
mare, stabilitate termic bun) cu cele ale TB (dimensiuni reduse, consum redus de putere,
robustee mecanic). TEC-urile au i unele dezavantaje fa de TB cum ar fi: pant mic, cdere de
tensiune mai mare n stare de conducie, mprtierea mare a caracteristicilor, putere mic.
7.1. TEC CU GRILA JONCTIUNE
7.1.1. Structur i funcionare
Canalul conductor la acest TEC este delimitat n volumul unui semiconductor cu ajutorul a
dou jonciuni pn polarizate invers. n figura 7.1 se arat structura fizic obinuit a unui TEC-J
canal n, cel mai rspndit TEC-J. Sursa este electrodul de la care pleac purttorii mobili (e-) spre
canal, iar drena este electrodul spre care se ndreapt purttorii mobili (e-) din canal. Lungimea
canalului (L) este de 10100 ori mai mare dect grosimea sa (a).
Surs
Gril
n+
Dren
p+
a
G
n+
25
S
L=(10100) a
Si
4 m
100m
p+
Baz (grila a doua)
legtur intern
Fig. 7.1.a
100
Fig. 7.1.b
Schem de msur cu ohmmetrul
Pentru TEC-J canal p toate regiunile sunt de tip invers celor din figura 7.1. Formal, structura
TEC-J seamn cu cea a TB, dar funcionarea este cu totul diferit. n timp ce la TB, jonciunile au
rolul de a injecta i respectiv colecta purttorii de sarcin, jonciunile TEC-J au rolul de a delimita
i modula seciunea transversal a canalului prin care trece curentul. La TB curentul circul
perpendicular pe suprafeele jonciunilor, iar la TEC-J paralel cu jonciunile. Ca electrod de
referin la TEC-J cel mai des ntlnit este sursa. Pentru a urmri mai uor principiul de funcionare
al TEC-J, vom considera iniial c grila este legat la surs (UGS=0). Pentru ca electronii majoritari
din canal s se deplaseze de la S spre D, la TEC-J canal n, D trebuie s fie pozitiv fa de S
(UDS>0). Avnd n vedere polaritatea tensiunii de D, rezult c orice punct din regiunea n a
canalului se afl la un potenial pozitiv fa de surs i deci fa de gril. Cele dou jonciuni pn
sunt polarizate invers, iar curentul transversal pe jonciuni este neglijabil (10-9 A) i nu intervine n
funcionarea dispozitivului. ntruct regiunile de tranziie ale dispozitivului sunt golite de purttori
64
mobili, curentul ntre D i S este determinat de rezistena canalului cuprins ntre cele dou regiuni
de tranziie. Regiunile de tranziie ale jonciunilor se extind practic numai n regiunea canalului,
deoarece acesta este mult mai slab dopat comparativ cu regiunile de gril. Vom mai presupune c
nlimea barierelor (Uo) este aceeai la ambele jonciuni i c doparea canalului este uniform.
Dac UDS<<Uo, grosimea regiunilor de tranziie este constant n lungul canalului, canalul va avea
seciune constant i se va comporta ca o rezisten ohmic (fig.7.2.a). Caracteristica de ieire
ID(UDS) ncepe deci cu o poriune liniar (poriunea OA din fig.7.3).
Fig. 7.2.b
Fig. 7.2.a
Fig. 7.2.c
Fig. 7.2.d
ID
C
B
UGS=0
IDSS
A
UDSS
UDS strpungere UDS
Fig. 7.3
Pentru UDSUo, canalul nu mai are seciunea uniform; potenialul n lungul canalului
crescnd de la valoarea 0 n dreptul S la valoarea UDS n dreptul D, U de polarizare invers
aplicat celor 2 jonciuni crete n valoare pe msura apropierii de dren. Concomitent crete
grosimea regiunilor de tranziie, deci scade seciunea transversal a canalului (fig.7.2.b). Din
aceast cauz conductana canalului scade cu creterea lui UDS, caracteristica devine neliniar
(poriunea AB, fig.7.3). Crescnd n continuare tensiunea UDS se ating regiunile de tranziie ale
celor 2 jonciuni i canalul se nchide (la tensiunea UDSS) (fig.7.2.c). Pentru UDS>UDSS , S i D sunt
65
complet separate printr-o zon golit de purttori mobili (fig.7.2.d), curentul prin canal nu se
anuleaz ns. Continuitatea curentului prin zona golit de purttori este asigurat de injecia pe
care canalul o face n punctul T, n care cele dou regiuni de tranziie se unesc. ntre D i S exist
un cmp electric E n lungul canalului. Electronii care ajung dinspre canal n punctul T sunt trecui
de acest cmp n regiunea drenei. Situaia este asemntoare cu ceea ce se petrece la jonciunea C-B
a TB. Cnd UDS crete, punctul T se deplaseaz spre S, dar potenialul su rmne UDSS. Restul
tensiunii UDS cade pe regiunea golit TT. Distana TT este de ordinul grosimilor regiunii de
tranziie, deci mult mai mic dect lungimea canalului. Dac lungimea canalului este aproape
constant cu creterea lui UDS IDSS constant (poriunea BC din fig.7.3).
Pentru UDS f. mari jonciunile se strpung n dreptul drenei i ID crete foarte mult.
S considerm acum i efectul polarizrii grilei. n cazul TEC-J canal n, pentru ca jonciunile
G-canal s fie polarizate invers, UGS<0. Datorit tensiunii de gril, regiunile de tranziie ale
jonciunilor se extind n canal, iar seciunea canalului scade, scznd i conductana (fig.7.4
corespunde cazului a din fig.7.2).
Fig. 7.4
Crescnd UDS fenomenele vor fi similare cazului UGS=0, dar canalul se nchide la UDS mai
mic: UDsat=UDSS+UGS , unde UGS<0 ; IDsat<IDSS . Strpungerea jonciunilor n dreptul drenei are
loc la o tensiune mai mic dect n cazul UGS=0: UDSstr=UDSstr+UGS , unde UGS<0. La o anumit
valoare UGS=Up (tensiune de penetraie, prag) regiunile de tranziie ale celor 2 jonciuni se ating pe
ntreaga lungime a canalului, canalul conductor dispare, ID=0. Se observ c Up= UDSS .
Experimental Up se definete ca UGS pt. care ID are o anumit valoare (de exemplu 1A), i este
parametru de catalog al TEC-J. Pentru TEC-J canal p, Up>0, uzual |Up|=110V, cel mai adesea
|Up|=23V.
7.1.2. Caracteristici statice. Simboluri. Expresia curentului de dren
n regiunea nesaturat canalul este continuu ntre S si D. n regiunea de saturaie canalul este
obturat la captul dinspre D. n toate punctele dependena UDS= -Up- |UGS|. n majoritatea
aplicaiilor practice TEC-J lucreaz n regiunea de saturaie. Al doilea regim de funcionare, ca
importan, este cel liniar, n care TEC-J lucreaz ca rezisten comandat de tensiunea aplicat
grilei (UGS). Pentru simbolizare (fig. 7.6) canalul e reprezentat printr-o bar, iar contactele prin
segmente perpendiculare pe canal. Pe contactul grilei se pune o sgeat care indic jonciunile grilcanal (sensul sgeii este de la p la n ca i la TB).
Expresia curentului de dren n regiunea de saturaie:
IDS=IDSS(1 UGS /Up)n ; UDS>UGS Up
IDSS este curentul de saturaie pentru UGS=0, iar coeficientul n1,5 2,5. Frecvent n=2. n catalog
se precizeaz IDSS max.
n regiunea de saturaie este important caracteristica de transfer gril-dren (fig. 7.7).
66
ID
mA
UGS=0
IDSS
TEC-J canal p:
UGS>0, Up>0, UDS<0, ID<0
regim de saturaie
-0,5 V
-1V
strpungere
-1,5 V
Up= -2,5
-2 V
Fig. 7.6. Simboluri:

canal n
canal p
-2,5 V
10
20
30
UDS
Fig. 7.5. Caracteristicile de ieire Id (Uds) cu UGS=ct

n regiunea nesaturat: UDS < UGS - Up
ID=IDSS/Up2 [ 2(UGS - UP)UDS - UDS2 ]
Exemple de TEC-J produse n ar:
canal p: ROS 104
canal n: BFW 1013, 2N 40914093
245, 247, 256
duble: 2N5912, 3955, 5545
- din import: BF 244
Fig. 7.7.
ID(mA)
IDSS 15
10
UDS>UDsat
5
Up
-3
-2
-1
UGS (V)
7.2. TEC CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS)

7.2.1. Structur i funcionare. Simboluri
Structura tipic a unui TEC cu gril izolat (cu canal n indus) este artat n figur:
Fig. 7.8
Avem un substrat i-p n care s-au format dou regiuni n+. Contactul ohmic la substrat
constituie baza, care se conecteaz la surs, uzual referin de potenial. Stratul de SiO2 are o
grosime de circa 0,1 m. Cnd grila este lsat n gol sau e negativ fa de surs (UGS< 0), ntre
surs i dren exist dou jonciuni p-n legate n opoziie. Curentul IDS= 0 indiferent de polaritatea
UDS. Dac grila se pozitiveaz fa de substrat, ea va respinge golurile de la suprafaa
semiconductorului spre interior i va atrage la suprafa electroni. Peste o anumit valoare a
tensiunii de gril, concentraia electronilor la suprafa depete pe cea a golurilor, formndu-se un
canal de tip n ntre surs i dren. Conductana acestui canal indus de cmpul electric depinde de
diferena de potenial ntre gril i surs => curentul care circul ntre dren i surs poate fi
controlat de potenialul aplicat grilei. Datorit izolrii bune realizate de SiO2, n circuitul grilei va
67

-14
circula un curent mic (10 A), astfel c puterea necesar grilei este neglijabil (IG0). Conducia
curentului are loc ntr-un strat foarte subire la suprafaa semiconductorului => TEC - MOS se mai
cheam de suprafa, pe cnd TEC - J este TEC de volum. Dup cum se formeaz canalul, TEC MOS poate fi cu canal indus si cu canal iniial. La cel cu canal p este invers dect n figura 7.8.
Uneori TEC - MOS cu canal indus se mai numesc TEC n regim de mbogire, deoarece un strat
subire de la suprafaa semiconductorului se mbogete cu purttori minoritari. n cazul TEC MOS cu canal iniial, canalul conductor exist chiar si cnd grila se afl la potenialul 0 fa de
substrat (UGS=0); tensiunea aplicat grilei, n funcie de semnul ei, poate mri sau micora
conductana canalului. i n acest caz canalul poate fi de tip p sau n. Simboluri utilizate pentru
TEC-MOS (uzual baza se conecteaz la surs figura 7.9):
- canal indus: canalul este reprezentat ntrerupt; sgeata este de la p la n;
- canal iniial: canalul este reprezentat continuu.
Fig. 7.9
Un avantaj important al TEC-MOS l constituie rezistena de intrare
18
10 ). Legat de aceasta se impun anumite precauii n manipularea TEC sarcini care se pot acumula pe gril, prin simpla frecare a terminalelor, nu au
determin creterea potenialului fa de substrat, CGS este foarte mic (1pF)
electricitate determin creterea UGS pn la tensiunea de strpungere a
Tensiunea de strpungere este de 50100 V.
13
foarte mare (10 MOS. Eventualele

cale de scurgere i
i cantiti mici de
stratului de SiO2.
Evitarea strpungerii stratului de SiO2se face n dou moduri:

1. TEC - MOS se livreaz i se manipuleaz cu o srm (un conductor) care se scoate numai dup
montarea tranzistorului n circuit. Lipirea se face cu ciocane cu transformator de reea i
mpmntare. Se folosesc mese cu tblii metalice cu mpmntare.
2. Pe acelai substrat cu MOS-ul se realizeaz un sistem de protecie.
n prima variant, pe acelai substrat i odat cu tranzistorul se realizeaz o diod Zener cu o
tensiune de strpungere de 30..50 V<UGS de strpungere a oxidului. n a doua variant se
realizeaz pe substratul tranzistorului T1 de protejat, un al doilea TEC - MOS T2, ns cu tensiune
de prag foarte mare (30 V), pentru c are oxidul gros (1m). Dac UGS e mare (peste 30 V), se
deschide T2 i protejeaz pe T1. Aceste protecii duc la scderea rezistenei de intrare la
.
Fig. 7.10.a
Fig. 7.10.b
68
7.2.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS. Expresia curentului de dren

Caracteristici statice de ieire pentru TECMOS cu canal indus
Considerm un TEC - MOS cu canal n indus, cu baza legat la sursa S care se ia ca origine de
potenial. Ca s se asigure formarea canalului, adic a stratului de inversiune, trebuie ca UDS>0 i
UGS>0. Tensiunea de prag UP este tensiunea la care apare stratul de inversiune.
Pentru UGS<UP ntre dren i surs nu circul curent, IDS=0, deoarece ntre ele exist dou
jonciuni p-n n opoziie.
Pentru UGS>UP apare la suprafa stratul de inversiune. Prin acest strat poate circula curentul
IDS ntre gril i surs.
Pentru UDS<<UGS se poate aproxima c diferena de potenial ntre G i suprafaa
substratului este constant n lungul canalului, astfel nct canalul se comport ca o conduct. Deci
caracteristicile statice ID(UDS) cu UGS= constant, pornesc liniar din origine (fig. 7.11). Aceast
regiune este numit liniar.
Fig. 7.11
La tensiuni negative TEC-ul se comport liniar. Pe msur ce UDS crete, diferena de
potenial dintre gril i suprafaa substratului scade, deci scade conductana canalului (poriunea AB
din figura 7.11). La sursa tensiunea pe izolant este UGS, indiferent de valoarea lui UDS; n dreptul
drenei tensiunea pe izolant este UGS-UDS. Crescnd UDS se ajunge la situaia n care cderea de
tensiune pe izolant n dreptul drenei scade sub limita necesar meninerii stratului de inversiune.
Tensiunea UDS la care se nchide canalul se numete tensiune de saturaie. UDSsat=UGS-UP. n
regiunea de saturaie: UDS>UDSsat, n vecintatea drenei nu mai exist canal ci o regiune golit de
purttori. Curentul prin aceast regiune este asigurat similar ca la TEC-J. La UDS mai mari apare
fenomenul de strpungere; caracteristicile sunt similare cu cele de la TEC-J cu excepia polaritii
UGS.
Caracteristici statice de ieire pentru TEC-MOS cu canal iniial
n TEC-ul cu canal iniial exist un canal la suprafaa substratului, ntre S si D, avnd
conductibilitate de tip opus substratului, chiar cnd UGS=0. n figura 7.12. se prezint
caracteristicile statice pentru un TEC - MOS cu canal n iniial.
Fig. 7.12
69
Pentru UGS=0 avem o anumit conductan . Dac UGS>0, grila atrage electroni, regimul
este de mbogire. Pentru UGS<0, grila respinge electroni, regimul este de srcire. Peste o
anumit valoare UP<0, canalul este golit de electroni, iar IDS=0. Pentru acest TEC se prefer s se
lucreze cu UGS<0.
Caracteristici de transfer: ID(UGS) cu UDS>UDSsat
Fig. 7.13
Expresia curentului de dren n regiunea de saturaie (pentru UDS>UDSsat):
2
2
IDS=K*(UGS-UP) (indus) ; IDS=IDSS*(1-UGS/UP) (iniial);
2
2
IDSS=K*UP ;
Ex.: K=0,3 mA/V
Exemple de TEC-MOS produse n ar:
- canal p: ROS 01, 04, 05 (dublu)
- canal n: ROS 02, BFR 84, BFS 28, BSV 81
(cod american): 3N 139, 3N 159
ICCE: V-MOS (MOS-uri de putere): RVM 35A1, 60A1.
7.3. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TEC
Polarizarea TEC pune probleme mai simple dect la bipolar, deoarece caracteristicile lor
statice depind mai puin de temperatur iar grila nu absoarbe curent.(IG=10-9A la TEC-J si 10-14A
la TEC-MOS). Dispersia de fabricaie a parametrilor este mare. Vom avea dou scheme de
polarizare.
7.3.1. Polarizarea TEC-J si TEC-MOS cu canal iniial n regim de srcire
Fig. 7.14
Ca s se evite folosirea a 2 surse de alimentare, se folosete un circuit de polarizare cu
negativare automat a grilei la triod. Negativarea grilei se realizeaz prin punerea grilei la
potenialul masei pentru regimul de curent continuu si polariznd sursa pozitiv fa de mas prin
cderea de tensiune pe RS. Grila se pune la mas prin RG. Trebuie ca URG=IG*RG<<ID*RS.
Trebuie ca RG s fie o sarcin ct mai mare pentru sursa de semnal.
IG=10-9A => RG va fi civa M.
70
RG prea mare duce la modificarea PSF cu creterea temperaturii. CS constituie un scurtcircuit

pentru semnal ca s nu micoreze amplificarea datorit lui RS. Modelul uzual este:
Fig. 7.15
Exemplul 1: S se determine RS, RD pentru ca TEC-J s lucreze n PSF cu ID=2,5mA; UDS=7V;
ED=25V, folosind un TEC-J care are UP=-4V; IDSS=10mA.
Rezolvare:
ID=IDSS(1-UGS/UP)2 <=> 2,5=10(1+UGS/4)2 =>UGS=-6V <UP (soluia nu este bun; blocat)
-2V>UP (soluia este bun)
A II-a metod (soluia cu semnul (-) este bun; cu semnul (+) TEC-J-ul este blocat):
U GS U (1
P
ID
) U P (1
I DSS
ID
).
I DSS
ID
Ugs=RSID
IDSS=10mA
ID=2,5mA
-6V
UP=-4V
UGS=-2V
UGS
Fig. 7.16
UGS=-RS*ID(URG=0);
RS=-UGS/ID=2/2,5 =>UG=-2V>UP.
ED=UDS+ID(RD+RS)=>
RD=(ED-UDS-RS*ID )/ID=6,4K,0.8K.
Verificm
condiia
de
saturaie:
UDS>UDSsat=UGS-UP=-2+4=2V.
Calculm valoarea maxim a rezistenei
RD ca TEC-J s rmn n saturaie.
RD<RDmax=(Eb-UDSsat-RD*ID)/ID=
=(Eb-UDS+UP-UGS)/ID=(Eb+Up)/ID=(25-4)/2,5=8,4 K.
Un circuit cu o comportare mai bun la
dispersia de fabricaie a parametrilor
este cel cu divizor la intrare (n gril).
Pentru creterea rezistenei de
intrare a etajului se folosete RG3,
adiional de valoare mare (zeci de M)
cu o toleran necritic, iar RG1, RG2
n jur de 1M, respectiv 100K, cu
precizie mare. Rin=RG3+RG1 | | RG2.
Fig. 7.17
7.3.2. Circuite de polarizare pentru TEC-MOS cu canal indus (i pentru canal iniial n
regim de mbogire)
sau
Fig. 7.18
IG=10-14A0, URG3= IG*RG3=0
71
Pentru stabilizarea PSF se folosesc metodele de la TB.

UGS=(ED*RG2)/(Rg1+RG2); ED=RD*ID+UDS; ID=K(UGS-UP)2;
Exemplul 2: Un TEC-MOS cu canal n indus are urmtoarele caracteristici:
UP=3V; K=0,25mA/V2;
UGS=UP I D , dar soluia cu semnul (-) nu este bun (TEC-MOS blocat)
K
S se dimensioneze circuitul de polarizare (cu RG3=0), care s asigure Rin=RG=RG1 || RG2=1M

ID=0,25(UGS-3)2. Circuitul este cel anterior, fr RG3 (=0).
Rin=RG=RG1 || RG2=1M; PSF: ID=4mA, UDS=8V; ED=24V. Se cer: RG1; RG2; RD;
Rezolvare:
4=0,25(UGS-3)2=> UGS -> -1V<Up soluia nu este bun (TEC-MOS blocat)
-> 7V>Up soluia este bun (tensiune la care exist canal indus)
Rg2 * Eb
Ed
ID
Rg *
UGS=
Rg1 Rg2
Rg1
ID=4mA
RG1=RG*ED/UGS=3,42M;
PSF
RG2=RG*RG1/(RG1-RG)=1,41M.
RD=(ED-UDS)ID=(24-8)/4=4K;
UDS>UDSsat=UGS-UP=7V-3=4V
RD<RDmax=(ED-UGS+UP)/ID=
UGS
=(24-7+3)/4=5K
-1V
UP=3V
-UGS=7V
Schema de mai jos are avantajul c
menine
automat n saturaie TEC-MOS-ul
Fig. 7.19
cu canal indus.
IG=0; UGS=UDS; UDS>UDSsat (Up>0)
Fig. 7.20
7.4. REGIMUL DINAMIC DE SEMNAL AL TEC
7.4.1. Circuitul echivalent de joas frecven
Rezistena de intrare este considerat infinit. Tensiunea de gril comand curentul din circuit
prin intermediul unui generator de curent; gm se numete conductan mutual, transconductan sau
pant.
Presupunem variaii mici n jurul PSF:
ID=dID/dUGS+(dID/dUDS)*UDS => id=gm*ugs + gd*uds ; UDS= constant.
2Idss
Ugs
2Idss Id
2
dID
=(1
)
Id * Idss
gm
Up
Up
Up Idss
Up
dUGS Uds const
2 Idss
g m0
; gm0= transconductana pentru UGS=0.
Up
Uzual gm0=1...10 mA/V. n practic gm real este ceva mai mic dect cea calculat.
La canal indus:
ID=K(UGS-UP)2; gm=2K(UGS-UP)=2 KId; gd se neglijeaz de obicei.
72
Fig. 7.21. Circuitul echivalent de joas frecven

7.4.2. Funcionarea TEC ca amplificator de joas frecven
Se deseneaz circuitul echivalent n semnal mic pentru exemplul 1 cu TEC-J canal n:
Fig. 7.22
gd0; Ro

2
gm
4,5 * 10 2,5mA/V
4
Fie RL=RD||1/gd(||RD)RD; Uies=-gm*Ugs*RL; Au=
Uies
Uies/Ugs=-gm*RL -gm*RD =
Ug
= - 2,5*6,4= -16
Dac la schema cu TEC-J cu negativare automat lipsete CS, sursa nu va mai fi la mas; deci avem
o rezisten RS.
Au=Uies/Um=-gm*RL(1+gm*RS) ( -RD/RS nu este o aproximaie aa de bun ca la TB, cci
transconductana gm este mic)
2 ,5 * 6,4
Au=
-5.33.
1 2 ,5 * 0,8
Fig. 7.23
gd0
Se deseneaz circuitul echivalent de semnal mic pentru exemplul 2 cu TEC-J canal n:
Fig. 7.24
gm=2 0,25 * 4 =2.5mA/V

Au=Uies/Ug=-gm*RD=-2*4= -8.
73
7.5. ALTE DISPOZITIVE CU EFECT DE CMP

7.5.1. TEC cu straturi subiri
Se realizeaz depunnd pe un substrat izolant din sticl, safir sau cuar, un strat subire de Si
monocristalin i apoi se depun pelicule metalice pentru G, S si D.
Cea mai rspndit variant este SOS (Siliciu on safir), cu care se pot realiza simultan pe safir
mai multe dispozitive, deci circuite integrate.
7.5.2. Structura hibrid TEC-MOS tranzistor bipolar
TEC-MOS-urile au gm mic (mai ales cele cu canal p). Prin combinaie cu T.B.=> un
tranzistor compus (conexiune similar cu Darlington, figura 7.25), gm=100...1000mA/V. Se
folosesc i n circuite integrate (ex.: n MMC 4511 pe ieire).
Fig. 7.25
Pentru puteri mari se folosesc tranzistoare V-MOS (POWER MOSFET) avnd pn la

1000V/100A cu frecvena de comutaie fW < 20 KHz. Au o structur vertical cu stratul de drift
slab dopat (fig. 7.26). Combinate n aceeai structur vertical cu un tranzistor bipolar de putere
rezult tranzistorul bipolar cu baza izolat IGBT (ISOLATED GATE BIPOLAR
TRANSISTOR) figura 7.27, figura 7.28.
S
G
E
G
Si O2
Si O2
n+
n+ 1019
n+ 1019
J3 p+ 1016
19
n+ 10
n+
n+
p
14
19
drift
n+ 1014
1016
n+ 1019/cm3
n- 10 /cm
J1
p+ 1019/cm3
strat de
injecie
n+ 10 /cm
C
D
tampon
Fig. 7.26
C
G
E
Fig. 7.28
Fig. 7.27
74
IGBT este un tranzistor hibrid care mbin avantajele MOS cu cele ale TB, MOSFET avnd
comutaie rapid i comanda n tensiune, iar TB avnd cureni mari, tensiune de blocare mare,
pierderi mici n conducie. Descrierea IGBT: jonciune GE ntreesut, are un strat p+ puternic dopat
ce realizeaz colectorul, p+ si n+ genereaz o jonciune pn, injecia purttorilor minoritari (p+) n
stratul de drift micoreaz rezistena RON si IC, stratul tampon n+ este puternic dopat i are rolul de a
micora timpii de comutaie, de a reduce tOFF. Avantaje: volum redus, fiabilitate mare. Dezavantaj:
cost mare.
Caracteristica static de ieire a IGBT (fig. 7.29) este similar cu cea a TB, dar cu deosebirea
c nu exist strpungerea a doua. Caracteristica de transfer (comanda) este prezentat n figura 7.30.
IC
IC
UGS2 > UGS1

UGS1 > UP
UGS = UP
UCE
UGS
UPrag
Fig. 7.29
Fig. 7.30
7.5.3. TEC-MOS cu 2 grile (tetroda MOS)
Fig. 7.31
Const din 2 MOS-uri n

serie, drena primului fiind
contopit cu sursa celui de-al
doilea. Curentul ntre sursa
primului i drena celui de-al
doilea este controlat de ambele
tensiuni din gril. Sunt folosite
n radiofrecven, n selectoare
TV. Ex.: BF960..966, 980, 981.
7.5.4. Diode limitatoare de curent
Exist dou categorii de diode limitatoare (sau regulatoare) de curent: dioda cu efect de cmp
(DEC) si dioda cu limitare de vitez (DLV). DEC este un TEC-J la care grila este conectat la surs
n interiorul dispozitivului. Caracteristica ID este identic cu cea de la TEC-J pentru UGS=0. O
caracteristic asemntoare are i DLV, la care limitarea curentului se obine ca efect al saturrii
vitezei de drift a purttorilor n cmpuri mari. Limitatoarele de curent se utilizeaz ca sarcin pentru
tranzistoare (au rezistena dinamic de peste 10 ori mai mare dect rezistena static, rezultnd
amplificri mari la tensiuni mici de alimentare), sau ca dispozitive de protecie sau limitare.
DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTAIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE
75
Cap.8. REGIMUL DE COMUTAIE AL DISPOZITIVELOR

SEMICONDUCTOARE
8.1. INTRODUCERE
Prin regim de comutaie (comutare) al unui dispozitiv semiconductor se nelege regimul de
funcionare n care semnalul de comand (curent sau tensiune) este un impuls sau o succesiune de
impulsuri. Un asemenea regim de funcionare este ntlnit n aplicaiile legate de formarea,
generarea i prelucrarea semnalelor sub form de impuls.
Ca urmare a aplicrii semnalului de comand dispozitivul trece dintr-un punct static de
funcionare n alt punct static de funcionare; se spune c dispozitivul comut. Dac n urma
procesului de comutare rezistena de curent continuu prezentat de dispozitiv ntre bornele la care
este conectat sarcina, a sczut, comutarea poart numele de comutare direct. n caz contrar,
comutarea este denumit comutare invers.
n particular, n acest capitol se va nelege prin comutare direct, comutarea din regiunea
de tiere (blocare sau conducie invers) n regiunea de conducie, iar prin comutare invers,
comutarea din regiunea de conducie n regiunea de tiere.
Parametrul principal care determin performanele dispozitivului n regim de comutare este
timpul de comutare al dispozitivului. Aa cum se va vedea, acest timp este determinat de
dispozitivul nsui prin intermediul unor parametri fundamentali legai de funcionarea intim a
dispozitivului, dar i de regimul electric (cureni, tensiuni), deci de circuitul electric n care se
realizeaz comutarea.
n regim de comutaie condiia de semnal mic nu este n general ndeplinit; dispozitivul
lucreaz la semnale mari deci ntr-un regim puternic neliniar. n plus, semnalul de comand variaz
foarte rapid n timp. Din acest motiv calculul exact al timpilor de comutare este foarte dificil,
preferndu-se de aceea un compromis ntre dificultate i precizia de calcul. Acest compromis se
obine prin utilizarea unor modele simplificate pentru dispozitiv.
Timpii de comutare se definesc pornind de la rspunsul n timp
al dispozitivelor la semnalul de comutare. Pentru rspunsul din
figura 8.1 se definesc:
ti=t2t1 - timpul de ntrziere la comutarea direct;
tc=t3t2 - timpul de cretere;
tcd=t3t1 - timpul de comutare direct;
tS=t5t4 - timpul de ntrziere la comutarea invers;
td=t6t5 - timpul de descretere;
tci=t6t4 - timpul de comutare invers (trr).
Fig. 8.1. Definirea timpilor de comutare pentru un exemplu de rspuns al

dispozitivelor la un semnal sub form de impuls.
8.2. REGIMUL DE COMUTAIE AL DIODELOR SEMICONDUCTOARE
La toate diodele comutaia direct este mult mai rapid dect comutaia invers i de aceea
caracterizarea diodelor n regim de comutaie se face numai prin intermediul timpului de comutaie
invers.
Timpul de comutare poate fi redus prin:
reducerea timpului de via a purttorilor minoritari;
reducerea capacitii de barier;
76
reducerea timpului de evacuare a sarcinii prin concentrarea purttorilor minoritari de

sarcin n vecintatea regiunii de trecere.
Pentru reducerea timpului de via se introduc n regiunile neutre ale jonciunii atomi de
impuritate care joac rol de centre de recombinare. Pentru jonciunile din siliciu este folosit n acest
scop aurul. Capacitatea de barier se reduce prin reducerea ariei jonciunii (exemplu: dioda cu
contact punctiform).
O comportare important pentru aplicaii practice o
are aa numita diod cu sarcin stocat la care n
procesul de comutare invers, dup intervalul de
timp tS n care curentul este constant urmeaz o
scdere foarte abrupt a curentului (fig.8.2.a). Acest
lucru se obine prin crearea, n procesul tehnologic,
a unui cmp electric intern care constrnge
purttorii minoritari s rmn n apropierea
Fig. 8.2. Variaia n timp a curentului la
jonciunii
metalurgice, astfel ca la comutarea invers s
comutare invers: a) prin dioda cu
poat
fi
uor
evacuai.
sarcin stocat; b) prin dioda normal.
Pentru obinerea unor performane net superioare n
ceea ce privete timpul de comutare trebuie realizate diode n care s nu existe efect de stocare de
purttori minoritari. Acestea sunt diodele cu purttori majoritari, adic diodele n care curentul
electric este datorat numai purttorilor majoritari. Din aceast categorie face parte contactul
redresor metal-semiconductor (dioda Schottky) i dioda tunel (la dioda tunel curentul este datorat
purttorilor majoritari numai n domeniul tensiunilor mai mici dect tensiunea Uv). La aceste diode
timpul de comutare este datorat n principal capacitii de barier.
8.3. REGIMUL DE COMUTAIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE
Procesele fizice care au loc la comutarea tranzistoarelor bipolare sunt similare celor de la
comutarea diodelor semiconductoare i anume n urma aplicrii unui semnal pentru comutarea
direct are loc un proces de acumulare de purttori minoritari n regiunile neutre ale tranzistorului,
iar la aplicarea semnalului pentru comutarea invers are loc procesul de evacuare a acestor
purttori. Timpii de comutare sunt determinai n principal de acest proces.
n regim activ normal de lucru, are loc injecia de purttori minoritari doar la jonciunea
emitor-baz. Deoarece regiunea bazei este mai slab dopat cu impuriti dect regiunea emitorului
rezult c sarcina de purttori minoritari injectat n emitor este mult mai mic dect sarcina de
purttori minoritari injectat n baz, astfel nct procesele de comutare vor fi determinate n
principal de sarcina de purttori minoritari din baza tranzistorului.
n regim de saturaie, ntruct ambele jonciuni sunt polarizate direct are loc injecia la
ambele jonciuni. La tranzistoarele la care regiunea colectorului este slab dopat cu impuriti,
sarcina de purttori minoritari injectat din baz n colector poate fi comparabil cu sarcina
injectat din colector n baz, astfel c va trebui sa fie luat n consideraie. La tranzistoarele cu
colector puternic dopat cu impuriti, sarcina injectat din baz n colector este redus astfel nct
procesele de comutare sunt determinate numai de sarcina din baz. Din aceast ultim categorie fac
parte tranzistoarele aliate i tranzistoarele planar-epitaxiale, iar din prima categorie fac parte
tranzistoarele difuzate, neepitaxiale (mesa, planare). ntruct n tranzistoarele moderne pentru
comutaie (planar-epitaxiale) sarcina de purttori minoritari acumulat n regiunea colectorului n
regim de saturaie este neglijabil fa de sarcina din baz, n analiza regimului de comutaie al
tranzistorului se va ine seama numai de sarcina din baz.
Pentru reducerea timpului de comutare direct este avantajoas comutarea n regiunea de
saturaie. Prin aceasta se mrete ns timpul de comutare invers cu timpul de stocare. De
asemenea, pentru reducerea timpului de comutare invers este necesar un curent de baz invers de
valoare ct mai mare. Rezult atunci c pentru reducerea timpilor de comutaie, deci pentru
77
accelerarea comutrii tranzistorului ar fi necesar pentru curentul din baz, o variaie de tipul celei
din figura 8.3.
Amplitudinea saltului de valoare I'B1 trebuie s fie suficient de mare
pentru a se obine timpul de comutaie direct dorit iar durata lui cel
puin egal cu timpul de comutaie. Curentul IB1 trebuie s asigure
meninerea punctului de funcionare a tranzistorului n apropierea
regiunii de saturaie incipient pentru a se profita de avantajele
prezentate de intrarea tranzistorului n saturaie (tensiune rezidual
Fig. 8.3. Variaia n timp
mic, deci amplitudine mare a semnalului de ieire, putere disipat
ideal, a curentului de
mic), dar i pentru a reduce timpul de stocare. Curentul de baz IB2
baz pentru reducerea
trebuie s asigure comutarea invers a tranzistorului ntr-un timp
timpilor de comutare ai
impus.
tranzistorului.
Practic, o form de und apropiat de cea ideal pentru curentul de
comand se obine cu circuitul din figura 8.4.a cnd
la intrare se aplic un impuls dreptunghiular (fig.
8.4.b) de la un generator de semnal cu rezistena
intern Rg.
Fig. 8.4. Circuit practic pentru accelerarea comutrii
tranzistorului: a) schema de principiu;
b) semnalul la intrarea circuitului;
c) variaia n timp a curentului de baz.
Un alt circuit este prezentat n figura 8.5.

ntruct dioda este un dispozitiv neliniar i
atunci cnd este deschis, prin ea se aduce de
la ieire spre intrare un semnal (reacie
negativ), circuitul poart denumirea de
circuit de comutare nesaturat cu reacie
negativ neliniar.
Fig. 8.6. Circuit
Dac UBC<EF dioda D este blocat i nu Fig. 8.5. Circuit cu
practic cu reacie
exist reacie negativ. Cnd iB crete, UBC reacie negativ
negativ neliniar
neliniar
pentru
devine =EF , dioda D se deschide i iC este
pentru evitarea
evitarea
ptrunderii
limitat la valoarea corespunztoare saturaiei
ptrunderii punctului
incipiente (alegnd EF astfel nct UBC = EF - punctului de
de funcionare n
funcionare
n
UD = UCEsat.incipient). n practic circuitul
regiunea de saturaie.
regiunea
de
saturaie.
din figura 8.5 este nlocuit prin cel din figura
8.6, cu funcionare similar, dar fr s mai necesite bateria suplimentar EF. Pentru ca timpul de
ntrziere s fie determinat doar de ctre tranzistor, este necesar ca dioda s prezinte o inerie mic
la comutarea invers. Din acest motiv n aceste circuite trebuiesc utilizate diode de comutaie, cu
timp de comutare foarte redus. Pentru a se obine timpi de comutare redui ntr-un circuit dat,
trebuiesc folosite tranzistoare cu capacitate de barier ct mai mic, cu timp de via pentru
purttorii minoritari ct mai mic i baza de grosime ct mai mic. Capacitatea de barier a jonciunii
colectorului (care conteaz n principal) se poate reduce prin realizarea unor tranzistoare cu colector
de arie mic sau prin realizarea unor tranzistoare n care regiunea colectorului (n ntregime, cum
este cazul tranzistoarelor planare sau doar parial, cum este cazul tranzistoarelor planar-epitaxiale)
are rezistivitate mare. Timpul de via se reduce prin doparea regiunii bazei i regiunii colectorului
cu aur ca i n cazul diodelor semiconductoare. Performanele cele mai bune n regim de comutaie
se obin cu tranzistoare planar-epitaxiale dopate cu aur; le urmeaz tranzistoarele planare, mesa i
78
apoi tranzistoarele aliate. n cataloagele de tranzistoare, performanele n regim de comutaie se

exprim prin timpii de comutaie ntr-un anumit circuit.
Tranzistoarele bipolare de putere lucreaz de obicei n comutaie. Nu se lucreaz n zona
activ, deoarece sunt pierderi mari. La frecvene mari de comutaie se evit saturarea adnc pentru
micorarea timpului de blocare tOFF. Blocarea tranzistorului se face prin negativarea curentului de
baz. Circuitele de comand pe baz trebuie s asigure un curent IB<0 pentru blocare i un curent
IB>0 pentru deschidere.
8.4. REGIMUL DE COMUTAIE AL TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP
TEC-urile au un timp de comutaie redus (zeci de nanosecunde) n comparaie cu durata
procesului tranzitoriu al tensiunii de dren determinate de capacitile parazite din schem, astfel
nct la calculul duratei proceselor tranzitorii a circuitelor TEC se poate neglija uneori timpul de
comutare propriu al tranzistorului.
Regimul de comutaie al JFET-ului este determinat de capacitile (neliniare) de barier ale
celor dou jonciuni ce delimiteaz canalul i de rezistenele sursei de semnal.
Procesele tranzitorii la comutaia MOSFET sunt complicate de faptul c intervin capaciti
variabile i generatoare de curent ce variaz neliniar cu tensiunile pe tranzistor. Timpii de comutaie
sunt foarte mici, valorile lor fiind determinate de capacitile parazite ce apar ntre electrozii
tranzistorului ca urmare a structurii acestuia. n conducie, datorit funcionrii tranzistorului n
zona ohmic, VDSON este mai mare comparativ cu tranzistorul bipolar. De aici i pierderile de putere
n conducie sunt mai mari. Pentru a micora timpul de intrare n conducie trebuie s se asigure o
cretere mai rapid a tensiunii VGS, adic dVGS/dt ct mai mare. Pentru blocare se utilizeaz i -VGG
n scopul forrii descrcrii condensatoarelor parazite. Avnd tensiune negativ pe poart, I
nregistreaz un vrf negativ i curentul de gril se stabilete la 0. La tranzistorul MOSFET cu canal
p timpii de comutaie sunt mai mari ca la cel cu canal n, datorit valorilor mai reduse pentru
mobilitate i pentru viteza maxim a golurilor n comparaie cu cea a electronilor.
Tranzistoarele MOSFET de putere lucreaz de obicei n comutaie. Comanda se realizeaz
pe poart, deci n tensiune. Grila este un condensator care se ncarc aplicnd o tensiune, iar peste
un potenial de prag tranzistorul se deschide. Caracteristicile dinamice sunt prezentate n figura 8.7.
CGD
D
CGD2
CGD
G
RDS(ON)
ideal
real
CGD
CGD1
VDS
S
CGD2
CGD1
Fig. 8.7. MOSFET
VGS=VDS
10 , CGS este constant i nu depinde de VGS
Tranzistorul bipolar cu baza izolat (IGBT) fiind un tranzistor hibrid, mbin avantajele
MOS cu cele ale tranzistorului bipolar (BJT), MOSFET avnd comutaie rapid i comand n
tensiune, iar BJT avnd cureni mari, tensiune de blocare mare, pierderi mici n conducie.
Comparativ tOFF IGBT > tOFF MOS , tOFF IGBT < tOFF BJT , PON BJT < PON IGBT < PON MOS; tON IGBT = tON MOS .
DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE
79
Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

9.1. TIRISTOARE
9.1.1. Structur, schema echivalent, caracteristicile statice
Denumirea de tiristoare a fost dat unui grup de dispozitive semiconductoare a cror
structur conine trei sau mai multe jonciuni i care au caracteristici asemntoare tubului cu gaz
numit tiratron. Termenul a rezultat prin contractarea cuvintelor tiratron-tranzistor. Structura de
tiristor a fost propus de Shockley n 1950, dar primul tiristor a fost realizat n 1956 de Moll i
colaboratorii si. n principiu, structura const din 4 regiuni de conductibilitate alternat, ntr-un
monocristal de siliciu (fig. 9.1.a).
Fig. 9.1
Tiristorul are trei terminale numite anod, catod i poart (gril). n figura 9.1.c se prezint
schema echivalent a tiristorului, la care se ajunge cu ajutorul figurii 9.1.b. Se observ c J1 , J3 sunt
jonciuni emitoare i J2 jonciune de colector pentru T1 ,T2. T2 este amplificator n conexiune EC,
avnd ca sarcin n colector rezistena JBET2. Semnalul de la ieirea unui etaj de amplificare se
aplic la intrarea celuilalt; avem de-a face cu un circuit de amplificare cu reacie pozitiv. Simbolul
este prezentat n figura 9.1.d, iar caracteristicile statice n figura 9.2.
Fig. 9.2
Aplicnd tiristorului o tensiune direct, cu (+) pe anod i (-) pe catod, fr IP , IA este mic (10-8A),
iar RAC 0-8; aceasta este starea blocat. Mrind tensiunea, punctul de funcionare se deplaseaz
pe ramura OA. Cnd se atinge tensiunea de strpungere direct (UA=Ustrd), tensiunea UA se reduce
brusc (UA=1...2V), iar I crete mult fiind limitat numai de rezistena din circuitul anodic (se
parcurge ramura de rezisten negativ AB, apoi ramura BC). Aceast strpungere nu este
distructiv pentru tiristor. Dac nu se depete Imax admis. Ea se numete comutaie prin
strpungere direct. Prin comutaie sau comutare direct se nelege trecerea tiristorului polarizat
80
direct din starea de blocare n stare de conducie. Nu se folosete n practic comutarea direct prin
depirea Ustrd, deoarece nu se poate controla starea tiristorului. n prezena unui curent de poart,
tensiunea anodic la care apare comutaia direct a tiristorului scade. Uzual comutarea direct se
face prin aplicarea unui curent de poart. Fiind comutat direct, tiristorul se menine la conducie
chiar dup anularea curentului de poart. Dac IA depete o anumit valoare IH (hold, hipostatic,
de meninere). Tiristorul polarizat invers prezint o rezisten foarte mare. Atunci cnd -UA=-Ustri,
IA ncepe s creasc datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin. Apare strpungerea
invers care duce la strpungerea tiristorului datorit puterii mari disipate de acesta Ustri este cam
cu 100V mai mare dect Ustrd. Trecerea tiristorului din stare de conducie n starea de blocare
(comutaie invers) se poate face prin reducerea UA astfel nct IA s scad sub limita de meninere
(comutaie natural) fie aplicnd tiristorului o tensiune invers, cu (+) pe catod i (-) pe anod,
tensiune ce trebuie meninut un timp suficient (comutaie forat).
Fig. 9.3
Funcionarea tiristorului n regim static se poate explica cu ajutorul schemei echivalente.
Pentru IP=0 se pot scrie relaiile:
IC1 1 IE1 ICB01
IC2 2 IE2 ICB02
Notam I0 ICB01 ICB02 (curentul invers al jonctiunii)

IJ2 IC1 IC2 1 IE1 2 IE2 I0
I0
1 ( 1 2 )
Se reprezint dependena (1 2 ) funcie de IA; pentru IA IH , suma (1 2 ) 1 datorit
fenomenelor de recombinare n regiunea de tranziie a jonciunilor emitor.
Dar IE1 IE2 IJ2 IA IA (1 2 ) IA I0 IA
Fig. 9.4
Pentru un tiristor blocat (1 2 ) 1 IA I0 . La tensiuni

directe mari, notnd prin M factorul de multiplicare n avalan a
purttorilor la jonciunea J2, rezult c:
M I0
IA
1 M (1 2 )
Atunci cnd Ua=Ustrd, dei IA este mic, se ndeplinete condiia
de comutaie M( 1 2 ) 1 , deoarece M<<1. IA crete, tiristorul
comutnd prin strpungere direct.
Dup comutare:
UA 1...2V, M = 1, dar IA ramane mare, caci ( 1 2 ) 1.
Pentru IP 0 IE2 IA IP
IC1 M( 1 IE1 ICB01) M( 1 IA ICB01)
81
M(I0 2 IP)
1 M( 1 2 )
n acest caz comutaia direct a tiristorului apare la o UA direct mult mai mic, deoarece aciunea
Ip const n creterea lui 2 i ndeplinirea condiiei de comutaie M (1 2 ) 1 la o U mai mic.
Dac IP este suficient de mare, amorsarea tiristorului se poate produce i la o tensiune UA egal cu
cderea de tensiune pe tiristor n condiia direct (1...2V), deci M=1. Caracteristica circuitului de
poart a tiristorului IP(UP) este asemntoare unei diode, avnd o cdere de tensiune mai mare
(23V figura 9.5), datorit rezistenei serie a regiunilor neutre.
IC2 M( 2 IE2 ICB02) M[ 2 (IA IP) ICB02] IA
IP i UP, necesare pentru a realiza comutaia

direct, scad cu temperatura i prezint o anumit
dispersie tehnologic. n cataloage se indic U continu
maxim ce poate fi aplicat porii fr s provoace
comutaia la nici un exemplar, precum i tensiunea
minim care asigur comutaia tuturor exemplarelor.
Fig. 9.5
9.1.2. Procese tranzitorii la comutaia tiristoarelor
Comutaia direct normal
Dac un tiristor este conectat ca n figura 9.6 i se aplic circuitului de poart o treapt de
curent, IA se va stabili la valoarea de regim staionar cu o anumit ntrziere (fig. 9.7).
Fig. 9.6
Fig. 9.7
Timpul de comutaie direct tcd, reprezint intervalul de timp msurat din momentul aplicrii
treptei de curent iP i pn cnd ia atinge 90% din valoarea de regim staionar. tcd = tI + tr; ti = timp
de ntrziere (0...0,1IA); tr = timp de ridicare (0,1...0,9IA) n general tcd = 1...10 sec. Timpul ti este
determinat de durata compensrii sarcinii spaiale a jonciunii J2, n vederea polarizrii directe a
acesteia, precum i de durata necesar deplasrii purttorilor de sarcin ai tranzistoarelor T1, T2
pentru realizarea reaciei pozitive.
Timpul de ridicare tr, este determinat de necesitatea acumulrii unor sarcini de purttori
minoritari n exces n bazele T1, T2, pentru a se asigura trecerea curentului prin dispozitiv. Iniial
amorsarea tiristorului se petrece ntr-o zon din imediata vecintate a electrodului de comand,
numit zon de conducie primar, avnd forma unui canal ngust. Apoi aceast zon se va propaga
82
n restul dispozitivului cu o vitez de cca. 100 m / sec. Dac pe durata tr, circuitul n care este
conectat tiristorul permite o cretere rapid a IA, densitatea de curent n zona de conducie poate
deveni foarte mare, n acelai timp, descreterea tensiunii la bornele tiristorului nu se petrece
instantaneu. Ca urmare, puterea instantanee disipat pe tiristor este mare. Deoarece puterea
instantanee se disip numai n zona redus de conducie, aceast zon se poate topi ducnd la
distrugerea tiristorului prin efect di / dt. O seciune printr-un tiristor distrus prin efect di / dt pune n
eviden un crater, n apropierea porii, pe toat grosimea pastilei de Si.
Protejarea tiristorului mpotriva distrugerii prin efect di / dt se realizeaz introducnd o
inductan n serie cu acesta care s limiteze viteza de cretere a curentului. Totodat I de poart
trebuie sa aib un front foarte bun pentru a mri zona de conducie primar a tiristorului. n
cataloage se indic di / dt max. al tiristorului (uzual 50...100 A/s) .
Comutaia invers
Presupunem tiristorul din figura 9.6 n conducie. Vom realiza trecerea sa n stare de blocare
prin inversarea polaritii sursei EA. n figura 9.8
sunt date variaiile n timp ale IA i UA. Imediat
dup momentul t0, n care s-a inversat polaritatea
sursei EA, jonciunile tiristorului rmn polarizate
direct deoarece la marginile regiunilor de tranziie
ale jonciunilor concentraiile purttorilor
minoritari sunt mai mari ca la echilibru. Prin
tiristor va circula un curent de sens invers
IR
EA
RS
, eliminndu-se purttorii minoritari. n
momentul t1 dispare excesul de purttori

minoritari n jonciunea J3. Tensiunea pe tiristor
i schimb semnul, iar rezistena acestuia crete.
Va scade curentul invers prin tiristor. n
momentul t2 se polarizeaz invers i J1, iar n t3
IA=0. Dac imediat dup t3 s-ar aplica tiristorului
o tensiune direct acesta ar comuta, deoarece
concentraia purttorilor de sarcin n J2 este mai
mare
ca la echilibru. Abia dup t4, tiristorul se
Fig. 9.8
consider blocat. Se numete timp de comutaie
invers tq (timp de revenire) durata dintre momentul aplicrii unei tensiuni inverse pe tiristor i
momentul n care acesta poate bloca o tensiune direct. Cunoaterea tq este important pentru
proiectarea circuitelor de comutaie forat. n funcie de valoarea sa tiristoarele se mpart n 4
categorii:
- ultrarapide - tq =5...10s;
- rapide - tq =10...30s;
- normale - tq =30...100s;
- lente - de regul n catalog nu se indic tq (sunt folosite n circuite cu comutaie
natural; ex.: redresoarele comandate).
Comutaia direct anormal prin efect du / dt
Se aplic unui tiristor o tensiune direct, cu o anumit vitez de cretere n timp i care se
menine sub Ustrd. Mrind progresiv viteza de cretere se constat c la un moment dat, tiristorul
amorseaz (curba 2 din fig. 9.9). UA scade la 1...2V. Se spune c s-a atins viteza de cretere critic,
notat (du / dt)critic sau c tiristorul a amorsat prin efect du / dt. Explicaia fenomenului se poate da
considernd capacitatea prezentat de jonciunea J2 a tiristorului, care depinde de tensiunea de la
83
extremitile jonciunii. CJ2 apare conectat ca n figura 9.10 n schema echivalent, ICJ2 poate s
ating o valoare important dac viteza de cretere a tensiunii duA / dt este suficient de mare.
Fig. 9.9
Fig. 9.10
dC J2
du
d
(C J2 u A ) C J2 A u A
dt
dt
dt
Acest curent se nchide prin bazele T1 T2 i are acelai efect ca i curentul de poart,
determinnd comutarea direct a tiristorului. Intrarea n conducie a tiristorului prin efect du / dt se
face ntr-o zon puin definit a dispozitivului. Apar puncte n care densitatea de curent este
inadmisibil de mare numite "puncte fierbini", n care materialul i pierde proprietile. Aadar,
comutarea prin du / dt pe lng faptul c este necontrolat, putnd conecta un circuit ntr-un
moment nepotrivit, duce la distrugerea tiristorului, dac se repet de cteva ori. Constructorul
indic n cataloage (du / dt)max. care poate fi 20...1000 V / s. Pentru tiristoarele care au du / dt
20...90 V / s, o rezisten ntre P i C face ca tiristorul s suporte o vitez du / dt mai mare. Viteza
critic du / dt la care amorseaz un tiristor depinde de urmtorii factori:
- scade cu creterea tensiunii de palier upr
- scade la creterea temperaturii
- crete prin injecia IP<0 (fr a depi Uinv max. PC)
- crete cu creterea tensiunii existente pe tiristor n momentul aplicrii unei rampe de U
Pentru evitarea comutaiei directe prin efect du / dt se folosesc circuite de protecie RC (fig.
9.11 a, b, c).
I CJ2
Fig. 9.11
t
La nchiderea contactului K, D intr n conducie i u A u C E A (1 e R SC ) .

t
du A
E
A e R SC are maximul la t = t0 = 0
dt
R SC
84
E
E
du A
A Dac EA este apropiat de Ustrd C Adu , du / dt fiind valoarea de
R S dt
dt max R S C
0.6E A
catalog a tiristorului. Dac EA < 0.5 Ustrd se poate folosi relaia C
.
R S du
dt
R limiteaz curentul de descrcare a C prin tiristor. Uzual R=10..50 D lipsete, iar dac
R<<RS performanele celor dou scheme sunt asemntoare (fig. 9.11 c).
Grupul RC paralel mai prezint 2 avantaje:
- protejeaz tiristorul la supratensiuni
- ajut comutarea direct a tiristorului, dac sarcina acestuia este inductiv, deoarece
condensatorul se descarc prin tiristor, depindu-se astfel IH. Pentru sarcini inductive se folosesc
impulsuri late pentru comand. Datorit transformatoarelor de impuls care nu pot transmite
impulsuri late, se transmit trenuri de impulsuri.
Protecia tiristoarelor la supracureni
Monocristalele de Si, avnd dimensiuni foarte reduse, rezist foarte puin la cureni mai
mari dect cei nominali. Dispozitivele de protecie la supracureni pot fi ntreruptoare de putere,
sigurane fuzibile ultrarapide (din Ag) etc., corelndu-se timpul de acionare al dispozitivului de
protecie cu caracteristica de suprasarcin a tiristorului (conform catalog).
Exemple de tiristoare produse de IPRS Bneasa:
1A
T1N05...T1N8
T1R05...T1R8, echivalent KY112A (Rusia)
3A
T3N05...T3N8
T3F05...T3F8
T3N05P...T3N6P (F)
6A
T6N05P...T6N5P
T6F05P...T6F5P
Fig. 9.12
10A T10N05...T10N8
T10R05...T10R8
Urmeaz tiristoare de 16A, 22A, 32A, 50A, 63A, 80A, 100A, 150A, 200A, 250A, 320A, 350A,
400A, 450A, 500A, 700A maxim pentru tiristoare normale i 600A maxim pentru tiristoare rapide
(codificate F/R).
9.1.3. Tipuri speciale de tiristoare
1. Dioda pnpn (Shockley)
Este un tiristor fr poart. Se mai numete i
tiristor - diod sau dinistor. Este folosit ca element
detector de nivel pentru semnale lent variabile, sau ca
generator de relaxare.
Uprag = 18..50 V, IH = 1..5 mA
2. Dioda BOD (Break-Over Diode)
Fig. 9.13
Este un tiristor fr poart, de putere mare si tensiune ridicat (Uprag = 5004000V). Intr n
conducie prin autoaprindere (comutare direct prin depirea Ustrd) i se blocheaz dac curentul
prin ea scade sub valoarea curentului de meninere IH.
85
3. Tiristor cu comanda comutaiei inverse pe poart (Gate Turn Off GTO)
Fig. 9.14
Dispozitivul comut direct ca un tiristor obinuit, dar poate fi

comutat invers printr-un curent de poart negativ, care duce la
eliminarea purttorilor minoritari n exces. GTO se realizau iniial
numai la cureni mici (< 2A), iar IP pentru comutaia invers putea
atinge valoarea -IP=0.5IA (n prezent se ajunge pn la 1000A i
6KV). Se mai folosete simbolul obinuit de tiristor cu iniialele
GTO, precum i denumirea de tiristor cu revenire cu o poart, sau
tiristor cu blocare pe poart. Au aprut i GTO cu poart MOS avnd
IP = 0.
4. Tiristoare cu revenire cu dou pori

O poart este anodic i alta catodic. Ele comut direct, injectnd IP>0 n GC
sau IP < 0 n GA. Pentru comutaie invers, se schimb sensul curenilor. Sunt scumpe.
Fig. 9.15
5. Darlistorul
Este un tiristor cu performane superioare n ceea ce privete di / dt i du / dt.
Pe aceeai pastil de Si se integreaz dou tiristoare: T1 de comand i T2 cel
principal. Dup comutarea direct a lui T2, T1 comut invers.
Fig. 9.16
6. Triacul (tiristor-triod bidirecional)
Este un dispozitiv bidirecional care poate nlocui dou
tiristoare montate antiparalel, dar are mai multe posibiliti
(moduri) de comand:
I.
II.
III.
IV.
uT2 > uT1, uG > uT1 (U anodic polarizat direct, iar IP > 0);
tiristor obinuit;
uT2 > uT1, uG > uT1 exist un tiristor principal i unul
secundar, tiristor avnd poarta realizat sub forma unei
jonciuni suplimentare;
uT2 < uT1, uG < uT1 tiristor cu poart deprtat;
uT2 < uT1, uG > uT1 tiristor cu poart deprtat (tiristor
secundar i tiristor principal).
Fig. 9.17
n cazurile I i III triacul are cea mai bun sensibilitate de comand, iar n IV cea mai
redus. Parametrii du / dt i di / dt depind de modul de comand. Dac pentru I i II (di / dt)cr = 200
A / sec, atunci pentru III i IV avem 100 A / sec.
Ex.: TB6N2...6, TB10N2...6.
7. Diacul
Fig. 9.18.a
86
Sub aceast denumire se ntlnesc dou structuri:

1. O structur cu cinci zone (dou diode Shockley antiparalele);
2. O structur cu trei zone uniform dopate la care jonciunea polarizat invers strpunge
nedistructiv.
Se folosete n circuitele de comand ale triacurilor.
Up = 10...50 V, I = 0.2...0.3 A.
Ex.: DC32 (Up = 32V), DC 38, DC 44, DC 50.
Fig. 9.18.b
8. Quadracul
Denumire comercial, disprut actualmente, pentru un triac cu diac ncorporat.
9. Contactor static unilateral cu siliciu (Silicon Unilateral Switch SUS)
Este un tiristor cu poart
anodic i o diod Zener. Deschiderea
diodei asigur IP pentru tiristor.
Fig. 9.19
10. Contactor bilateral cu siliciu (SBS)
Este folosit n circuitele de comand ale triacurilor.
Fig. 9.20
9.2. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE (TUJ)
Prima structur de TUJ coninea o bar de siliciu uniform dopat de tip n, avnd la mijloc o
mic regiune p, numit emitor. Capetele barei se numesc baze. Bara este slab dopat.
RBB = 1..10 K
Emitorul formeaz cu fiecare dintre Fig.

baze9.21
diode obinuite. Funcionarea se bazeaz pe
controlul conductivitii regiunii EB1 cu ajutorul tensiunii UEB1. Uzual B1 este electrod de referin
i UBB 10 V.
87
Se numete factor de divizare intrinsec
R B1
R
B1 0.4...0.8 . Dac UEB1 < UBB,
R B1 R B 2 R BB
atunci EB1 este polarizat invers, iar IE0. Cnd UEB1 = UBB + UD UBB, atunci TUJ-ul
amorseaz. Dioda EB1 devine polarizat direct, emitorul injecteaz goluri n zona EB1, rezistena
zonei EB1 scade i apare o zon PV cu rezisten negativ n caracteristica TUJ-ului. Dac UEB1
crete, atunci caracteristica devine cea a unei diode obinuite.
Parametrii de catalog: UP (pisc), UV (vale), RB1B2, IE max.
Este folosit ca oscilator de relaxare pentru comanda tiristoarelor; n circuitele de relaxare, de
memorie, la releele electromagnetice.
n figura urmtoare se prezint un oscilator de relaxare cu TUJ, precum i formele de und.
Fig. 9.22
Condensatorul C se ncarc prin R ctre EA. Atunci cnd uC(t) = EA, TUJ-ul comut i C se
descarc pe R1. Variaia tensiunii la bornele condensatorului este descris de relaia:
t
u C (t) u F (u I u F )e RC
- uI = uV
tensiunea iniial (la t = 0)
- uF = uFinala = lim uC(t) = EA tensiunea spre care se ncarc condensatorul (t ).
t
Rezult u C (t) E A (u V E A )e RC .
Durata de ncrcare a condensatorului (t1) se determin din condiia uC(t1) = EA
uV
1 EA
u uI
RC ln
E A E A (u V E A )e RC t 1 RC ln F
u F E A
1
Durata de descrcare a condensatorului (t2) este proporional cu R1 care va avea 50..200
1
t2 << t1; uV << EA T t 1 RC ln
1
R2 este introdus pentru a realiza o compensare termic i se dimensioneaz cu relaia
t1
R 2 R1
u
1
R B1B 2 D .
E A
Montajul funcioneaz ca oscilator de relaxare doar dac dreapta de sarcin corespunztoare

rezistorului R intersecteaz caracteristica TUJ-ului n zona de rezisten negativ. Rezult condiia:
EA uV
1
R EA
.
IV
IP
Perioada oscilatorului poate fi modificat variind R sau C. Variaia perioadei se mai poate
obine prin modificarea tensiunii iniiale pe C, sau folosind un TB introdus n serie sau n paralel cu
condensatorul.
Ex. (n ar): ROS11, 12, 2N1671, 2160, 2646, 3479...3484.
Fig. 9.23
88
Rusia: KT117A.
TUJ programabil (TUP)
Este similar cu tiristorul cu poarta anodic.
R1
R1 R 2
Se urmrete ca I pe rezistena R s fie mai mic dect curentul de meninere pentru blocarea
tiristorului dup ce se descarc condensatorul.
Tem: s se proiecteze un oscilator cu un
tiristor normal n loc de TUJ, folosind o
diod Zener, trei rezistene i un
condensator.
Fig. 9.24
Fig. 9.25
89
DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

10.1. GENERALITI
n aceast categorie intr dispozitivele ce transform energia electric n radiaii i invers.
Pot fi mprite n trei categorii:
1. - fotodetectoare detecteaz semnalele optice prin procese electrice. Ex.: fotorezistoarele,
fotodiodele, fototranzistoarele i fototiristoarele.
2. - celule fotovoltaice (celule solare, fotoelemente) transform radiaiile optice n energie
electric.
3. - electroluminescente transform energia electric n radiaie optic. Ex.: diodele fotoemisive
(LED-uri), laserul cu semiconductor.
Se folosesc la instalaii de automatizare, telecomand, afiaj numeric, fibre optice.
Dispozitivele fotodetectoare i celulele fotovoltaice funcioneaz pe baza procesului de
generare a purttorilor mobili sub aciunea radiaiilor numit efect fotoelectric intern. Curentul invers
rezidual ntr-o jonciune p-n este datorat purttorilor minoritari. Energia care elibereaz aceste
perechi electron-gol este n mod normal pur termic. ns dac se permite luminii s cad pe o
jonciune, se obine o cretere mare a numrului de purttori minoritari. Electronii i golurile sunt
eliberai de energia fotonilor incideni, producnd o cretere mare a curentului invers rezidual.
Dispozitivele electroluminescente funcioneaz pe baza procesului de recombinare radiativ
a purttorilor n exces dintr-un semiconductor, iar concentraia excedentar poate fi realizat prin
injecie, cu ajutorul unei jonciuni p-n.
10.2. FOTOREZISTORUL
Fig. 10.1
Const
dintr-o
pelicul
semiconductoare
policristalin. n absena fluxului luminos rezistena are o
valoare mare (1M). Cnd fotorezistorul este iluminat R
scade pn la valori de ordinul a 100 (la iluminri
puternice sensibilitatea lui variaz cu lungimea de und a
radiaiilor). Exist o ntrziere ntre variaia iluminrii i
variaia rezistenei datorit timpului de via al purttorilor
n exces.
10.3. FOTODIODA
O fotodiod const dintr-o jonciune p-n
polarizat invers montat ntr-o capsul prevzut cu o
fereastr transparent. n absena fluxului luminos,
jonciunea polarizat invers este strbtut de curentul de
saturaie (de ntuneric) care este la Ge i 1 nA la Si.
Cnd jonciunea este iluminat, apare un curent
proporional cu iluminarea; de exemplu curentul crete la
circa 1A la Si pentru o iluminare cu intensitatea de 1
mW / cm2 . Aceasta este intensitatea tipic dat de un
bec de 60 W la o distan de circa 30 cm (200 lux).
Curentul maxim din montaj I A max
Fig. 10.2
EA
. Ex.: ROL021, 121...127.
RS
10.4. FOTOTRANZISTORUL
Un dezavantaj al fotodiodelor l constituie sensibilitatea lor relativ sczut. Un fototranzistor
este un tranzistor normal, prevzut n capsul cu o fereastr transparent. Unele fototranzistoare
90
DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
sunt montate ntr-un plastic transparent; partea superioar este convex, pentru a aciona ca o
lentil, focaliznd lumina pe tranzistor i astfel ducnd la creterea sensibilitii dispozitivului,
totodat fcndu-l direcional. Cnd cade lumina pe tranzistor, purttorii minoritari sunt eliberai la
ambele jonciuni, dar cei ai jonciunii colector - baz, polarizate invers, dau natere fotocurentului.
Fototranzistorul poate fi privit ca o fotodiod cu amplificator nglobat n structura semiconductoare;
jonciunea C-B este fotodioda de baz (pe care cade
lumina) iar jonciunea E-B are rolul de a amplifica
fotocurentul prin efectul de tranzistor. Curentul de
ntuneric este I CE 0 ( 1)I CB0 , deci mai mare fa de cel
de la diod, iar sensibilitatea este de (+1) ori mai mare
dect la fotodiod. Terminalul de baz este n mod normal
nefolosit, multe fototranzistoare prezentnd doar dou
terminale externe: colectorul i emitorul.
Fig. 10.3
Ex.: ROL 031...036.
10.5. FOTOTIRISTORUL
Fig. 10.4
Fluxul luminos se aplic pe regiunea bazelor tranzistoarelor echivalente

tiristorului i are acelai efect ca o tensiune de comand pe poarta unui tiristor
obinuit.
Ex.: ROL37 (A,B).
10.6. CELULE FOTOVOLTAICE (SOLARE, FOTOELEMENTE)
Fig. 10.5
Const dintr-o jonciune p-n de arie mare din Si, GaAs etc. Randamentul
de transformare a energiei luminoase n energie electric este de 10 O celul
avnd suprafaa de 1 cm2 poate furniza 20 mW la U = 0,5 V cnd este expus la
soare. Ex.: ROL 11...17, ROL 41...50.
10.7. DIODE FOTOEMISIVE (ELECTROLUMINESCENTE, LED-uri)

Sunt diode semiconductoare ce emit radiaii luminoase cnd sunt
polarizate direct. Se folosesc ca dispozitive de afiaj sau elemente de cuplaj
optoelectronic. Idirect = 1...100 mA; U = 1...2 V; randamentul de transformare a
energiei electrice n radiaii luminoase este 1...5 . Materialele utilizate sunt
Fig. 10.6
GaAs pentru infrarou sau Ga(AsP) pentru rou, portocaliu, galben, verde,
albastru. LED-urile de culoare albastr sunt scumpe i rare.
Ex.: ROL 02, 03 (rou), 05 (portocaliu), 07 (galben), 09 (verde), 91 (infrarou);
MDE 1101R, G, V, P
Element de afiare cu 7 segmente (7 diode LED)
Ex.: - cu catod comun: MDE 2111R, V, G, P
- cu anod comun: MDE 2101R, V, G, P
Optocuplor LED - fototranzistor (sau optoizolator).
Fig. 10.7
Fototranzistorul capteaz variaiile de intensitate luminoas emise de

dioda LED, permind cuplajul prin "lumin" ntre dou circuite izolate
complet din punct de vedere electric. Se folosete pentru separare galvanic. Se
Fig. 10.8
garanteaz uzual izolaii de 2,5 kV ntre LED i fototranzistor.
Poate fi cu 4 sau 5 (6) terminale (baza poate fi scoas n exterior sau nu). Se pot transmite prin ele
semnale digitale i chiar liniare. Ex.: ROL 61, MB104D.
DCE - Cap. 11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
91
Cap. 11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

11.1. GENERALITI
11.1.1. Parametrii i caracteristicile amplificatoarelor
Amplificatorul electronic este un cuadripol activ,
care are dou borne de intrare i dou borne de ieire. Un
amplificator are rolul de a dezvolta n circuitul de ieire o
putere mai mare dect cea aplicat la intrare, fr a
modifica forma semnalului amplificat. Ctigul de putere
rezult pe seama consumului de energie de la o surs de
alimentare care de obicei nu se figureaz n schemele
Fig. 11.1
bloc. n simbolizarea amplificatorului (fig. 11.1) se
indic sensul de cretere a puterii (>), de la intrare spre ieire.
Principalii parametri ai unui amplificator sunt: amplificarea n tensiune, amplificarea n
curent, impedana de intrare, impedana de ieire, puterea nominal i raportul semnal/zgomot.
Amplificrile i impedanele deja au fost definite.
Puterea nominal este puterea maxim debitat n sarcin, n condiiile n care factorul de
distorsiuni de neliniaritate d (care va fi definit ulterior) nu depete o valoare limit impus (de
exemplu 5 %).
Raportul semnal/ zgomot propriu (S/Z, S/N, noise) constituie un parametru ce caracterizeaz
efectul tensiunii fluctuante de la ieirea amplificatorului, existent i atunci cnd la intrare nu se
aplic semnal. Aceast tensiune se numete zgomot propriu al amplificatorului i se datoreaz
agitaiei termice a purttorilor de sarcini elementare (electronilor) din rezistoare i din tranzistoare,
tensiunilor electromotoare parazite induse datorit cmpurilor electromagnetice din mediul
nconjurtor, componentei alternative din tensiunea de alimentare (datorit comportrii neideale a
filtrului din componena redresorului), etc. Zgomotul propriu se apreciaz prin factorul de zgomot,
definit prin expresia F = (Pz2) / (Pz1*Ap), unde Pz1 este puterea de zgomot a generatorului
conectat la intrarea amplificatorului, Pz2 este puterea de zgomot la ieirea amplificatorului, iar Ap
este amplificarea n putere a amplificatorului. Este necesar ca zgomotul propriu s fie ct mai redus
(deci F ct mai mic), iar raportul semnal / zgomot s fie ct mai mare. n acest scop se adopt soluii
corespunztoare, att n faza de proiectare, prin alegerea unor componente electronice cu zgomot
propriu ct mai redus, ct i n faza de realizare tehnologic a amplificatorului.
Principalele caracteristici ale amplificatorului sunt: caracteristica intrare - ieire i
caracteristicile de frecven (diagrame Bode).
Caracteristica intrare - ieire reprezint dependena U2 = f(U1), de exemplu figura 11.2. Ea
conine o zon de variaie liniar, cuprins ntre -U1m
U2
i U1m, i dou zone de variaie neliniar, numite i
zone de saturaie. Dac se lucreaz i n regiunea de
U 2M
saturaie, semnalul de ieire apare distorsionat
U1
-U 1M
U 1M
(deformat). Aceste distorsiuni se numesc distorsiuni de
neliniaritate. n cazul unui etaj de amplificare cu
-U 2M
tranzistor bipolar, aceste distorsiuni apar cnd n
funcionare se intr n regiunile de saturaie sau de
2
Fig.Fig.
11.2
blocare (fig. 11.3).
Chiar i n regiunea activ, caracteristicile
tranzistorului nu sunt perfect liniare. Aprecierea valoric a distorsiunilor de neliniaritate se face cu
ajutorul factorului de distorsiuni de neliniaritate, definit de expresia
A 22 A 32 A 24 ...
* 100 % , unde A2, A3, , sunt armonicele de amplitudine ale

A1
semnalului de ieire distorsionat, n condiiile cnd la intrare s-a aplicat un semnal perfect
sinusoidal (fundamentala A1). Fr distorsiuni: d = 0; U2 = A1; A2 = A3 = = 0. Uzual d < 10 %.
92
Caracteristicile de frecven ale amplificatorului (diagrame Bode) reprezint dependenele

amplificare-frecven i defazaj-frecven. Dependena amplificare-frecven poart denumirea
uzual de caracteristic de frecven (fig. 11.4). n practic intereseaz domeniul de frecven n
care amplificarea este aproximativ constant. Acest domeniu se numete band de trecere a
amplificatorului i se definete ca fiind intervalul pe axa frecvenelor, n care amplificarea nu scade
cu mai mult de 3 dB, fa de amplificarea de la frecvena medie a benzii.
A
[dB]
A0
2
Fig. 11.3
Semnal distorsionat n
regiunea de tiere
A0
0,7 A 0
[dB]
3 dB
0
-3
fj
Fig. 11.4
fi
Scderea cu 3 dB (AdB = 20*lg(U2 / U1) = 20*lgA) este echivalent cu scderea A la

1
a puterii la ieirea
valoarea A0 / 2 = 0.707 A0. Aceasta corespunde micorrii la
2
amplificatorului. Frecvenele fj, fi se numesc frecvene de tiere (fj - f. joas de tiere, fi - f. nalt de
tiere). De exemplu pe cadranul de la multimetrul MAVO este scris c nivelul de 0 dB corespunde
la 1 mW pe 600 , ceea ce nseamn o valoare efectiv a tensiunii, Uef = 0,775 V. 1 dB corespunde
atenurii semnalului pentru o mil de cablu de telecomunicaii standard n SUA. Unitatea tolerat
este neperul:
P
U
P
P
U
A 2 ; AN P ln 2 [Neperi]; AP 2 ; APdB 10 * lg 2 ; APNe 0,5 * ln 2
U1
P1
U1
P1
P1
Dac spectrul semnalului amplificat nu este cuprins n banda de trecere a amplificatorului,
apar distorsiuni de frecven sau de liniaritate (amplificatorul funcioneaz n regiunea liniar). n
acelai timp banda de trecere a amplificatorului nu trebuie s fie mult mai larg dect spectrul
semnalului amplificat, deoarece amplificarea scade raportul semnal / zgomot prin amplificarea
inutil a zgomotului, care are un spectru foarte larg.
Dependena defazaj frecven se

numete caracteristic de faz. Ea este
important
la
amplificatoarele
pentru
osciloscoape, televiziune, transmisii de date
etc. Elementele reactive din amplificator
introduc defazaje variabile cu frecvena, ceea j
f
fi
fj
ce determin distorsiuni de faz. n poriunea
liniar din figura 11.5.a, distorsiunile de faz
nu afecteaz practic forma semnalului, aprnd
i
= arctg 2 t0
doar o ntrziere cu timpul t0. Se definesc fj, fi
Fig. 11.5.a
la care apar abaterile j, i.
11.1.2. Clasificarea amplificatoarelor

Se poate face dup mai multe criterii:
1. Dup felul semnalului de amplificat deosebim: amplificatoare de c.c., curba 2 din figura 11.5.b,
cu fj = 0, precum i amplificatoare de c.a. avnd fj 0 (curbele 1 i 3).
93
2. Dup nivelul semnalului de amplificat: amplificatoare de semnal mic (uzual de tensiune), la care
variaiile semnalului sunt mici fa de
A
3
2
valorile
corespunztoare
PSF
i
1
amplificatoare de semnal mare (de putere).
L
3. Dup valoarea frecvenei medii din spectrul
semnalului amplificat:
f
- de joas frecven (audiofrecven)
ig . 5
- de nalt frecven (MHz)
Fig.F 11.5.b
- de foarte nalt frecven (GHz), microunde
4. Dup limea benzii amplificatorului (fig. 11.5.b):
- de band ngust (selective): fI / fj 1,2 (curba 3, fig. 11.5.b)
- de band larg: fI / fj = 105 106 (ex. videofrecvena)
5. Dup poziia PSF a dispozitivelor electronice (fig. 11.6):
- clasa A (PSF n regiunea liniar, tranzistorul conduce tot timpul, = unghiul de conducie =
360)
- clasa B (PSF n regiunea de blocare, la limit cu
regiunea de conducie, tranzistoarele conduc o
semiperioad, = 180 - figura 11.7).
- clasa AB ( > 180, PSF se afl n regiunea
activ, ns n vecintatea zonei de blocare )
- clasele C, S i D (avnd < 180) sunt
PSF
caracteristice amplificatoarelor selective de putere.
Randamentul n clasa C poate atinge 80 %. n clasa
S, sarcina util este inclus ntr-un circuit rezonant
Fig. 11.6. Clase de funcionare
serie (RLC), la bornele cruia sursa de alimentare de
c.c. se aplic n durate egale cu polaritatea inversat (
se apropie de 100%). Regimul clasa D se refer la
amplificatoarele care lucreaz cu impulsuri. Semnalul
t
de intrare este transformat de impulsuri, care sunt
180
amplificate cu ridicate. La ieire, cu ajutorul unor
Fig. 11.7. Clasa B de funcionare
filtre, se reproduce cu o anumit eroare, forma de und
de la intrare.
Exist i alte criterii de clasificare: dup tipul cuplajului ntre etaje (de c.c., RC, LC, cu
transformator, optic, etc.), dup simetria etajului (asimetrice - etaj cu un tranzistor, simetrice - n
contratimp, etaj diferenial), etc.
Introducem noiunea de amplificator ideal: este acel amplificator ale crui proprieti rmn
invariante la modificarea sarcinii i a generatorului. Impedana de intrare se definete ca Zin = U1 / I1
amplificatorul fiind nencrcat la ieire (dac ieirea este generator de tensiune se desface RS, dac
este generator de curent se produce un scurtcircuit peste RS).
Impedana de ieire se definete Zies =U2 / I2 cu condiia neatacat la intrare, adic cu sursa de
semnal pasivizat (sursele de curent se ndeprteaz, cele de tensiune se nlocuiesc cu scurtcircuite).
Nu exist amplificator ideal. Totui pentru un amplificator cu ieirea n tensiune, dac Zies << RS,
amplificatorul lucreaz n gol i-l putem considera un generator ideal de tensiune. Dac ieirea este
n curent i Zies >> RS, amplificatorul lucreaz n scurtcircuit i-l putem considera un generator ideal
de curent. Similar vom considera amplificatorul ca fiind ideal dac:
a) este atacat n curent i Zin<< Rg; b) este atacat n tensiune i Zin>>Rg.
11.1.3. Etaje de amplificare. Cuplarea etajelor
mprirea circuitelor n blocuri (etaje) este avantajoas d.p.d.v. al proiectrii i al execuiei
practice. Se vor studia etaje de amplificare cu dou tranzistoare. Un amplificator de audiofrecven
se poate obine de exemplu din mai multe etaje amplificatoare de tensiune (de semnal mic,
preamplificatoare) i un etaj de amplificare de semnal mare, de putere. Cuplajul cu sursa de semnal,
94
cu sarcina, i cuplajul n cascad a etajelor ntre ele se poate face direct, prin condensator, prin
transformator sau prin alte mijloace (optic, acustic, electromecanic).
Cuplajul direct se folosete pentru amplificatoare de c.c. PSF al unui tranzistor depinde de PSF al
tranzistorului din etajul anterior. Exemplu: figura 11.8 - circuitul
integrat TAA 263. n circuitele integrate se evit
condensatoarele, folosindu-se cuplajul direct. Cea mai rspndit
schem este cea de amplificator diferenial (subcap. 11.4.4).
Cuplaje prin condensator (RC) au avantajul separrii etajelor
n c.c. La frecvene joase, amplificarea va scade, acest cuplaj
neputnd fi folosit n c.c.
Cuplajul prin transformator asigur o izolare galvanic (n c.c)
i / sau o eventual transformare a tensiunii sau o adaptare la
rezistena de sarcin.
Fig. 11.8.
11.2. CARACTERISTICI DE FRECVEN

11.2.1. Efectul condensatoarelor asupra rspunsului la frecvene joase
11.2.1.1. Influena grupului de polarizare din sursa unui TEC-J asupra rspunsului la frecvene
joase (TEC-J canal n, conexiune surs comun)
+ED
CG
RD
CD
CG
gm Ugs
R gn
Ugs
RG
RL
RG
Rgm
uies
Rs
Ug
I2
RL
RD
s
Rs
ug
CD
ID
uies
u2
Cs
u1
Cs
Zs
Fig. 11.9
Fig. 11.10
Circuitul de polarizare pentru negativare automat din sursa

1
Rs-Cs, nu mai satisface condiia de scurtcircuit dac frecvena
RS
jC S
RS
de lucru a etajului scade sub o anumit limit. Observnd Z
S
1
circuitul de intrare se constat c o parte din tensiunea util U1
1 jC S R S
RS
se distribuie pe Rs-Cs, reducndu-se Ugs, care comand
jC S
generatorul de curent de la ieire. U1 = Ugs + gmUgsZs
Zs este impedana din surs.
Uzual RG=M, Rgen= sute de Ugu1. La frecvene joase 1/CD crete foarte mult. De
asemenea RL poate fi foarte mare, dac este impedan de intrare ntr-un circuit similar cu cel din
figura 11.9. (RL=RG=M). Se poate considera c practic U2 = Uie ( RL >> 1/CD), etajul fiind
ncrcat la ieire doar cu RD (RL>>RD). Elementele neglijate sunt tiate pe figura 11.10 cu linie
ntrerupt. U ies U 2 g m U gs R D
A ug
u ies
Ug
g m u gs R D
RS
U gs 1 g m
1 jC S R S
j
zerou
1
g R
1
m D
j
1 gmRS
1
pol
2
g m R D (1 jC S R S )
1 jC S R S
g R
m D
CS R S
1 jC S R S g m R S
1 gmRS
1 j
1 gmRS
95
1<2, pulsaii de frngere

1
1
CS R S
C S RS
1
2
|Aum|
2
=fj
2
Aum lim A ug
3dB
Caracteristica reala
1
1 g m RS
,f2
[dB]
+20 dB/decad
f1
|Aug|
|Auo|
frecven
tiere.
joas
de
nu e ,,0
1
2
fig.11.11
Fig. 11.11
g m R DCSR S
g m R D (amplificarea cu CS scurtcircuit la nalt frecven).
CSR S
gmR D
(amplificarea fr CS).
1 gmRS
n figura 11.11 axele sunt logaritmice (decadice, adic intervale egale pe axe pentru o cretere a
frecvenei sau amplificrii de 10 ori; 0 la pe ax). La pulsaia de frngere 1, caracteristica
se frnge i n continuare va evolua cu panta de +20 dB / decad (+ pentru un zerou, cci factorul
este la numrtor). La 2, factorul fiind la numitor, avem de-a face cu un pol, deci panta
caracteristicii va fi -20 dB / decad fa de panta anterioar (+20dB / decad) => n final 0 dB /
decad.
Observaie. Am presupus polul suficient de deprtat de zerou pentru ca s nu se influeneze ntre ei.
La TEC-J, gm fiind mic, caracteristica real va avea panta mai mic de 20 dB / decad. S
demonstrm c pentru un zerou tip monom panta este + 20 dB / decad (fr influena altui pol sau
zerou). Fie AK = kj/1. Pentru o decad (adic pentru o cretere a frecvenei de 10 ori)
101
Au(101 )
Au(101 )
20 dB pentru o decad
20 lg
20 lg
1
Au(1 )
Au(1 ) dB
Auo
Alt exprimare: 6 dB / octav, adic pentru dublarea frecvenei. 20 * lg 2 = 200,3 = 6dB.

Pentru un binom AU = k(1+j / 1) o pant mai mic
Au(101 )
1 100
10
20 lg
20 lg
20 lg 7 20 0,85 17 dB pentru o decad.
Au(1 ) dB
11
2
Cu aproximaie de 3 dB se consider tot o pant de 20 dB / decad.
11.2.1.2. Influena condensatoarelor de cuplaj cu surs de semnal (CB) cu sarcina (CS) i de
decuplare din emitor (CE), asupra rspunsului la frecvene joase (pentru un etaj cu TB n EC)
Fig. 11.12
Fig. 11.13
96
a) Pentru simplitate presupunem CB i CS scurtcircuite la frecvena de lucru i urmrim doar

influena lui CE (fig. 11.13).
1
RE
RE
R B || Z in
j C E
=
; u1 u g
; RS=RS||RC
Ze
1
1 jC E R E
R g R B || Z in
RE
j C E
Au
u ies i b R S`
R S`
R S` (1 jC E R E )
u1
i b Zin
rbe Ze ( 1)
rbe (1 jC E R E ) R E ( 1)
A ug
u ies u ies u 1
R S`
R B || Z in
calcule prea complicate .

ug
u1 u g
rbe Z e ( 1) R g R B || Z in
Pentru RB mare (zeci sau sute de K) i Rg mic (zeci de ), facem aproximaia

A ug A u
R (1 jC E R E )
C E R E rbe
[ rbe ( 1) R E ]1 j
r
be ( 1) R E
j
1
A uo
j
1
2
zerou
`
S
pol
1<2, similar ca la TEC-J (fig. 11.11), nti un zerou i apoi un pol.
1
; 2
CE R E
1
CE R E
rbe
rbe ( 1)R E
A uo
R S`
rbe ( 1)R E
R S`
g m R S` .
rbe
Am presupus ZS=RS. Dac se ia n considerare i condensatorul de sarcin calculele se complic.
rbe C E R E
r C R
r
C
1
be E E be C E E C E Z iesire pentru repetor pe emitor.

2 rbe ( 1)R E ( 1)R E
gm
La frecvene mai nalte (la mijloc de band) avem:
A um
b) Presupunem CE, CS scurtcircuite la frecvena de lucru i urmrim doar influena lui CB

(fig.11.14). Uzual RB>>rbe , rbe||RBrbe.
u1 u be , Zin rbe
|Aug|
[dB]
u be u g
RB
+20dB/decada
|Aum|
3 dB
2
j
11.14
Fig.Fig.
11.15
|Aug|
A ug
[dB]
+20dB/decad
|Aum|
3 dB
2
j
Fig. 15
Fig. 11.15
rbe || R B
1
Rg
rbe || R B
j C B
u ies g m u be R S`
rbe
ug
u be
R g rbe
1
j C B
g m rbe j C B R S`
R S` jC B
1 jC B (R g rbe )
1 jC B (R g rbe )
j
1

j
1
2
scar
are
logaritmic;
f = 0 (originea) este la -;
zerou tip monom

(in origine la -)
Panta este de
20dB/decad.
pol
97
g m rbe R S`
1
1
;
;
; gmrbe = ;
2
um
C B (R g rbe )
R g rbe
C B R S`
n figura 11.15 2 corespunde frecvenei joase de tiere (extremitatea inferioar a benzii).

La frecvene 0 se anuleaz amplificarea, deoarece exist CB n serie. Am analizat numai
caracteristica amplificare-frecven, nu i caracteristica defazaj-frecven.
c) Presupunem CB, CE scurtcircuite la frecvena de lucru i urmrim influena lui CS (fig. 11.16).
RS
rbe || R B
u ies u 2
; u be u g
;
1
Cs
R g rbe || R B
b
R
c
S
j C S
Rs
Rc
Rg
rbe
V
u
u
u u
V
A ug ies ies 2 be
ug
u 2 u be u g
gm ube
ug
g m R C || R S
uies
u2
ube
uin
jC S
R S (rbe || R B )
A ug
1
R g rbe || R B
R
Fig. 11.16
S
jC S
Uzual RB>>rbe , rbe||RBrbe.
La frecvene 0 se anuleaz amplificarea, deoarece exist Cs n serie.
1 jC S R S
g m rbe R S jC S
jC S
g m rbe R C jC S R C (1 jC S R S )
1 jC S R S
(R g rbe )(1 jC S R S )
(R g rbe )(1 jC S R S )(1 jC S R S jC S R C )
RC
jC S
RC
A ug
g m rbe R C jC S R S
1
1
, similar ca n figura 11.15, 2
k
, fj 2
j
(R g rbe )[1 jC S (R S R C )]
C S (R S R C )
2
1
Dac se ia simultan n considerare efectul celor 3 condensatoare, n funcie de valoarea lor, unul
poate avea o influen mai mare (j mai mare) determinnd un pol dominant. Pentru f = 0 graficul
pornete de la - cu panta de + 40 dB / decad (2 poli corespunznd lui CB si CS). Condiia de
scurtcircuit pentru CB este uor de asigurat, aa c uzual CB nu d pol dominant.
|Aug| [dB]
+20dB/dec
+40dB/dec
|Aug| [dB]
3 dB
pol dominant
+20dB/dec
+20dB/dec
f1 (CB) f2 (CS) z
sau(f2) (f1)
(CE)
+40dB/decada
60dB/dec
3 dB
pol dominant
(are pulsaia
cea mai mare)
f3
(CE)
sau
sau alte combinaii in

funcie de valorile R,C
z f1 f2
(f3) (CS)
+40dB/decad
Fig. 11.18
Fig. 11.17
g
m
r
C B (R g rbe )
C S (R S R C )
CE
be
CER E
rbe ( 1)R E
Pentru a evita supradimensionarea C, polii trebuie s fie apropiai. Practic trebuiesc calculate f1,
f2, f3 pentru a determina polul dominant, care d fj, deci banda (dac polii sunt apropiai).
f 1
; f 2
; Z
1
f 3
CE R E
98
11.2.2. Comportarea la frecvene nalte
rbc (r)
Se folosete circuitul echivalent
cbc
Giacoletto (-hibrid) pentru frecvene nalte al
b
c
TB. La frecvene nalte CB, CS i CE pot fi
c
considerate ca i scurtcircuite. Reactanele
RS`
capacitilor parazite ale TB Cbe (c) i mai ales R
rbe
cbe
RB
g
Cbc (c), scad i nu mai pot fi neglijate.
gmube
(c)
(r)
Amplificatorul este inversor, rbc determinnd o u
uies
e
g ~
ube
reacie negativ paralel - paralel i are ca efect
micorarea amplificrii. Fiind de valoare mare
(>1 M) o neglijm. C (cbc) introducnd un
Fig. 11.19
defazaj, n anumite condiii, poate determina o
I
Z
reacie pozitiv, rezultnd oscilaii. Pentru
Ze, ies
verificarea stabilitii trebuie determinat i Ze, in
caracteristica defazaj-frecven. Nelund n
u
considerare defazajul, s urmrim efectul Cbc
u1
Au 2
u2
u1
asupra intrrii prin efect Miller. Pentru aceasta
considerm un amplificator ideal de tensiune cu o
Fig. 11.20
impedan Z conectat ntre intrare i ieire
(fig.11.20). Se pune problema transformrii sale
ntr-un amplificator unilateral. Rezult relaiile teoremei lui Miller:
u u2
u
u Z
Z
Z
I 1
;
Z e , in 1 1
u
Z
1 Au
I
u1 u 2
1 2
Ze, ies
u1 Ze, in
u1
u
u2Z
Au
Z e , ies 2
Z
Fig. 11.21
I u 2 u1 A u 1
Transformarea dup
Cin
relaiile teoremei
b
c
Miller are un
caracter aproximativ
n amplificatoarele
Rg RB
rbe
RS
cbe
g
u
Ce, in
m be
reale datorit
Ce, ies
(c)
impedanei de ieire
ug ~
echivalent a
ube
amplificatorului.
e
uies
Amplificarea n
Fig. 11.22
tensiune depinde de
aceast impedan de ieire, de sarcina conectat la ieire i de Z. Schema echivalent unilateral
pentru etajul din figura 11.19, este prezentat n figura 11.22 (obinut cu teorema lui Miller sau cu
Kirchhoff). Amplificarea n tensiune fr Cbc este:
1
u
jC bc
1
=
A u ies g m R S` ; Cu teorema lui Miller Z e , in
`
u bc
1 gm RS
j[c bc (1 g m R S` )]
Ce, in=cbc(1+gmRS` )
Z e , ies
g m R S`
1
`
g m R S 1 jc bc
1
.
; C e, ies c bc 1
g m R S`

1
jc bc 1
`
g m R S
99
Pentru |Au| >10Ce, in>> Ce, ies. Notez Cin = Cbe

+ Ce,in, care va da un pol dominant n mod normal
fa de polul dat de Ce,ies. Este vorba de scderea
-20dB/dec
|Au|, deoarece la f aceste condensatoare vor
-40dB/dec
scurtcircuita intrarea, respectiv ieirea, uies0 (fig.
11.23).
in
determin: f S in , frecven
in ies
rbe C in
2
Fig. 11.23
superioar de tiere (extremitatea superioar a
benzii).
(0)
1
ies `
in (uzual).
(0)
R S C e , ies
2
3 dB
|AU| [dB]
(0)
f
fT
Fig. 11.24
La aceleai rezultate se ajunge dac se calculeaz

frecvena de tiere f=fT/. Uzual frecvena de tranziie fT
este caracteristica de catalog.
f
Au~ deci f S T , produsul amplificare-band
| A uo |
fiind o constant.
OBS: Modelul unilateral este suficient de bun pentru frecvene mai mici fT/40. n etajele
selective de frecven nalt nu poate fi folosit. Cbc(c), poate da natere la oscilaii, de exemplu n
etajele repetoare. Regimul stabil al unui repetor pe emitor se poate asigura prin nserierea unei
rezistene de valoare mic n baza tranzistorului .
Concluzii :
1. La frecvene joase amplificarea scade datorit capacitilor de cuplaj ntre etaje i de
decuplare a emitorului (sau a sursei la TEC).
2. La frecvene nalte amplificarea scade datorit tranzistoarelor .
3. Amplificarea unui etaj cu TB conectat n cascad cu alt etaj de acelai tip este mai mic
dect amplificarea aceluiai etaj atunci cnd lucreaz izolat. Diferena de amplificare este
neglijabil la TEC, datorit impedanei mari de intrare.
4. Produsul amplificare-band este o constant pentru un amplificator.
5. Banda de frecvena a amplificatorului format prin conectarea n cascad a mai multor
etaje, este mai mic dect banda de frecven a oricrui etaj din componena sa.
11.3. ETAJE CU IMPEDAN MARE DE INTRARE
11.3.1. Schema bootstrap cu tranzistor bipolar (fig. 11.25.a)
Fig. 11.25.a
Fig. 11.25.b
100
Repetorul pe emitor asigur o impedan mare de intrare. Aceast impedan este micorat
de Rb1, Rb2 (rezistenele divizorului din baz). Acest dezavantaj poate fi eliminat prin modificarea
polarizrii bazei ca n figura 11.25.a cu Rb i C2. C2 fiind un scurtcircuit n domeniul frecvenelor
de lucru, din punct de vedere al semnalului, ambele terminale ale lui Rb sunt practic la acelai
potenial, deoarece amplificarea de tensiune U2/U1 este aproape de 1 (repetor de emitor). Astfel,
dac se admite o cretere a tensiunii U1, aceast cretere apare practic neatenuat n emitorul
tranzistorului i variaia de potenial se transmite prin C2 la borna de jos a lui Rb de unde denumirea
de schem cu urmrire de potenial. Rezult c prin Rb circul un curent extrem de mic i Ug
debiteaz n ntregime n baza tranzistorului, de unde rezult c efectul de polarizare a bazei este
eliminat. Se pot asigura impedane de intrare de sute de kohmi pn la Mohmi.
11.3.2. Schema BOOTSTRAP cu tranzistor cu efect de cmp (fig. 11.25.b)
Fie un amplificator cu TEC-J canal n n conexiune dren comun (repetor pe surs).
Rezistena de intrare este mai mare, dar nu poate depi zeci de M, deoarece la Rg mari, PSF
depinde de temperatur: Zies TEC-J > Zies TB; se poate folosi nc un repetor pe emitor cu TB.
11.4. ETAJE COMPUSE CU TRANZISTOARE BIPOLARE
Se ntlnesc frecvent grupuri de cte dou etaje cu cte un TB n schemele de amplificatoare

(inclusiv n cele integrate). Este convenabil s le privim ca pe un unic etaj compus cu att mai
mult cu ct polarizarea celor dou tranzistoare este inseparabil.
11.4.1. Etaje compuse CC-EC i CC-CC. Tranzistoare compuse
CC-EC: figura 11.26. innd seama de proprietile etajelor CC i EC RIN > (sute de
Kohmi), RIE moderat (Kohmi), AU = AUT2 (numai T2 amplific n tensiune). Ambele tranzistoare
amplific n curent. (generatorul de curent I0 este necesar pentru polarizarea lui T2; el poate fi o
simpl rezisten ; I0 = UbeT2 / R).
CC-CC: RIN-f. mare, RIE f. mic. Au < 1. Ai foarte mare (ambele T amplific n curent).
Exist cazuri particulare ale
+E
+E
CC CC
CC EC
acestor circuite care se numesc
IN T R A R E
T1
tranzistoare
compuse
n
Rs
INTRARE
T1
conexiune
Darlington,
sau
IESIRE
T2
dublei (exist i triplei):
T2
I
a) Darlington fr inversare de
IE S IR E
RIN
I
polaritate (fig. 11.26, fig.
11.27.a,c);
UbeT = UbeT1 + UbeT2.
Dezavantaje fa de CC - EC:
E IIC
IC
E
RIN mai sczut (dar mai mare
dect la un tranzistor simplu),
Ie1
Ic1
CIN mai mare. Te este de acelai
B Ib1
B Ib1
I C2
I C2
T1
T1
tip cu T1. Pentru IC foarte mici
IB
IB
Ib2
Ie1 Ib2
se
introduce R deoarece: 1) la
I C1
R T2
R T2
cureni
mici, se mrete IET,
Ie 2
Ie 2
pentru creterea lui 1; 2)
E IE
E IE
liniarizeaz
RIN T2, care este
Fig. 11.26
sarcina lui T1. UbeT=UbeT1. Nu
prezint RIN>RIN de la un simplu TB. S calculm factorul de amplificare al tranzistorului compus
din figura 11.27.a: Ic = ic1+ic2 = 1ib1+2ib2 = 1ib+2ic1 = 1ib+2(1+1)ib =
=(1+2+12) ib. Deci e = 1+2+12 12.
b) Darlington cu inversare de polaritate (utilizate n special la amplificatoarele de putere) figura
11.27.b,d. Pentru figura 11.27.b: Ic = (2 + 1) ib2 = (2 + 1)ic1 = (2 +1)1 ib1 12ib; deci
C
101
e=12. amplificare
n curent foarte mare.
Ex.: 1 = 2 = 100; e =
100100 = 10000
Fig. 11.27
Fig. 11.28
Fig. 11.29.a. Cascod cu divizor comun
11.4.2. Etaj compus EC - BC

(cascod) - figura 11.28
Este folosit pentru a
mbunti rspunsul la
frecven nalt. Iniial a fost
folosit cu triode.
Poate fi privit ca un
amplificator
de
curent
similar cu amplificatorul de
curent cu etaj EC, dar cu rezisten de ieire mare,
specific etajului BC. Capacitatea de intrare are valori mai
mici dect EC datorit capacitilor de reacie bazcolector mai mici. n gol amplificarea n tensiune este mai
mare, dar cu sarcin are aceeai amplificare ca un TB n
EC, deci nu se justific folosirea lui la frecvene medii i
tensiuni de alimentare mici. Tensiunea la ieire este mai
mare dect tensiunea n EC.
Fig. 11.29.b. Cascod cu divizoare separate
11.4.3. Etaj compus CC-BC cu cuplaj prin emitor (PARAFAZ)
Fig. 11.30
Fig. 11.31
102
Proprietile n frecven ale etajului sunt apropiate de cele ale etajului CASCOD.
Figura 11.31: schema complet de polarizare cu alimentare simetric fa de mas. PSF => din
teorema lui Kirchhoff
EC2 = IB1R+UBE1+URE
0 < EC2 = IB2RB+UBE2+URE. De obicei VT1 i
VT2 sunt identice i se polarizeaz la cureni egali. RB se introduce pentru a compensa cderea de
tensiune pe Rg i poate s lipseasc (la mas baza lui VT2), dac Rg foarte mic. Uintr i Uies sunt n
faz, iar cele dou tranzistoare pot fi nlocuite cu un tranzistor echivalent n conexiune EC cu rbeechiv
= 2rbe. RE >> r2 = rbe2 / (2+1) = RinT2 mic (zeci de ohmi), T2 n conexiune BC;
IC1=IC2=IC; 1=2=; rbe1=rbe2=rbe; gm1=gm2=gm ; demonstrez c =>gm echiv = -gm / 2; Iu1 = ib1 rbe1+u2;
u2(2 +1)ib2 r2 = -(1+1)ib1 r2; (1 +1)ib1 = - (2 +1)ib2; u1 = ib1 rbe1+(1 +1)ib1 [rbe2/ (2+ +1)] =
2rbe1ib1; uies = 2RCib2 =
2ib1RCRinT = u1 / ib1 =
2rbe1 rbeechiv = 2rbe1;
Au = uies / u1 =
=(RC2ib1) / (2ib1rbe1)
= = (RCgm) / 2
RCgmechiv (amplificarea
n conexiune BC); uies =
(gm / 2)RCu1; ib1 = u1 /
2rbe1gm echiv = -gm / 2
Fig. 11.32
Schema cu alimentare asimetric figura 11.33
Fig. 11.33
n loc de R3 se folosete un
generator
de
curent
constant (VT3, R2, VT1,
RE). ICT3 = IET3 = (UDZ1UBE3) / r2 = constant.
Generatorul de curent cu
VT3 are ICT3 constant, dac
sarcina din colector are R
mai mic dect o valoare
maxim,
pentru
ca
tranzistorul VT3 s nu intre
n saturaie. n c. a.
rezistena lui VT3 tinde la
infinit (practic 100 k)
iar RE asigur polarizarea
VZ1.
11.4.4.
Amplificatorul diferenial
Poate fi considerat ca un etaj
cu cuplaj prin emitor
(parafaz)
n
variant
simetric; poate fi cu una sau
cu 2 surse de alimentare.
Amplificatorul de c. c.
este cu dou surse de
alimentare
i
fr
condensatoare de cuplaj.
Fig. 11.34.a
103
Amplificatorul de c. a. din figura 11.34.a are o singur surs de alimentare i divizor comun n
baze; are condensatoare pe intrri, deci nu
merge n c. c.; prezint n circuitul bazelor
intrare simetric, dar ieirea este asimetric
(ieirea iese dintr-un colector i nu dintre
colectoare). Amplificatorul diferenial de c. c.
(etaj diferenial) din figura 11.34.b are dou
surse de alimentare i ieire simetric. VT3,
VZ1, R2, R1 formeaz un generator de curent (n
loc de RE).
ICT3 |IET3| = (VZ1-UBET3) / R2. Generatorul de
curent are I constant indiferent de sarcin dac
tranzistorul nu a intrat n saturaie; RC = 0
funcioneaz bine RC >> RCIC > Ualim (o
depete). UC va deveni 0 tranzistorul intr
n saturaie. Pot fi luate msuri de compensare a
lui ICT3. n c. a. T3 ideal are o rezisten infinit
Fig. 11.34.b
(n practic 100 k). R1 asigur polarizarea
diodei Zener.
Fig. 11.35
Fig. 11.36
104
Pentru mrirea rezistenei de intrare se introduc rezistenele suplimentare RE1, RE2, care
liniarizeaz caracteristicile de intrare ale TB i uniformizeaz diferenele dintre ele.
Dac tranzistoarele au diferene mari ntre ele se monteaz un poteniometru RV1 care
compenseaz n c.c. diferenele dintre T1 i T2 pentru a obine 0 V ntre colectoare UC1=UC2 (cu
intrrile la mas). RV1- reglaj de offset la ieire (decalaj).
T1, T2 se monteaz pe acelai radiator sau se fabric n aceeai capsul. Pentru analiza unui
amplificator diferenial se prefer nlocuirea lui cu un tranzistor echivalent. Pentru reglarea
amplificrii n limite restrnse, se introduce n schem un poteniometru ntre emitoare, RV1, iar
pentru offset se introduce RV2. Exist dou tipuri de semnale la intrare: a) semnale de intrare
difereniale pentru care amplificatorul are ctig de mod diferenial (mod de lucru); b) semnal de
intrare comun pentru care amplificatorul are un ctig de mod comun (de dorit s fie ct mai mic
pentru eliminarea semnalelor comune la cele dou intrri - rejecia modului comun).
Definiii : Udif de la intrare Uid=U1-U2 ;
Ude mod comun la intrare Uic=(U1+U2)/2 ;
Ad= ctig de mod diferenial Ad=(Ue1-Ue2)/Uid Pentru amplificatorul diferenial rezult:
Ad= gmRC , presupunem gm1=gm2=gm; Ac= ctig de mod comun; Ac = [(Ue1 + Ue2 / 2] / Uic =
(Ue1 + Ue2) (U1 + U2)
Pentru amplificatorul diferenial rezult:
Ac=-gmRC/[1+2gmRE(1+1/)]; Presupun 1=2=. Pentru o rezisten mic RE amplificatorul
diferenial nu se comport bine, trebuie RE mai mare (ideal un generator de curent).
CMRR = raportul de rejecie al modului comun CMRR = |Ad / Ac| = 1+2gmRE(1+1/) mare
gm mare IC mare. Rid = rezistena de intrare de mod diferenial (valabil pentru amplificatorul cu
rezistena RE n emitor), Rid = 2rbe. Rezistena de intrare de mod comun Ric = rbe+2RE(1+);
presupunem rbe1 = rbe2 = rbe. Pentru Z mare la
intrare se pot folosi perechi TEC-J cu cuplaj n
surs figura 11.37. Ad / Ac = CMRR este mai mic
ca la TB. Pentru TEC-J, Up= 2V, IDSS = 2mA, Ad
= 8,9; Ac = 0,24 CMRR =37 dB.
Etajul diferenial se folosete ca
etaj de intrare pentru AO
(amplificator operaional); una
din intrri este n faza cu
ieirea, intrarea neinversoare
(+), cealalt este n antifaz cu
Fig. 11.38
prima (-) (inversoare);
U ntre intrrile unui AO (simbolizat ca n figura
11.38) se poate considera zero, ca i I de intrare;
Fig. 11.37
Ideal amplificarea a; Ex.: a=200000,
u
10
alimentare +15V, Uies=10V. u g1 u g 2 ies
50V .
200000
a
11.5. AMPLIFICATOARE SELECTIVE
- realizeaz o band B de trecere foarte ngust;

- diferena fi/fj1,2 (frecven nalt/frecven joas);
- pot fi LC (>100 KHz) sau RC (<100 KHz).
11.5.1. Amplificatoare selective LC
Principiul const n utilizarea ca sarcin a tranzistorului
unui circuit rezonant LC derivaie, a crui impedan
prezint un maxim la frecvena de rezonan. Deoarece
A
3 dB
fj
Fig. 11.39
fc fi
B
105
amplificarea etajului crete cu Z din colector, un maxim se obine la frecvena de rezonan a

circuitului LC, deci o band de trecere ngust. B=fi-fj.
Figura 11.40.a - Alimentare asimetric.
Funcionare: - pierderile sunt
nglobate n R paralel presupus
independent de frecven (este pus n
paralel, cu observaia c rezistena
serie a L poate fi n paralel, dar
depinde de frecven).
Tranzistorul se comport ca un
generator de curent, atacnd circuitul
rezonant cu impedana Z i admitana
1
1
Y Y G j C
;
Z
j L
=0=1/(LC)1/2;
Y=G.
Fig. 11.40.a
Sarcina din colector se comport
rezistiv la rezonan (Amax). Se definete ca lrgime de band, intervalul de frecvene pentru care
tensiunea de ieire nu scade sub 3dB din valoarea maxim. Factor de calitate: Q=fcentrala/;
Q=0C/G=R/(0L). La frecvene nalte capacitile parazite ale tranzistorului nu mai pot fi
neglijate. Probleme apar la amplificatoarele care conin mai multe circuite rezonante.
Fig. 11.40.b. Amplificator cu un tranzistor

bipolar cu circuite rezonante n colector i baz
Figura 11.40b Alimentare

simetric. Funcionare: prin L1 i
L2 se alimenteaz (RE obligatoriu).
R1, R2 sunt puse pentru a controla
factorul de calitate Q.
Dup acordarea pe frecvena
dorit a circuitului din baza L1,C1
se acordeaz circuitul din colector
L2, C2. De obicei se constat c s-a
stricat acordul circuitului din baz.
Reglajul se repet iterativ iar
numrul de iteraii crete cu ct Q
este mai bun; cauza este
reflectarea impedanei Z a
circuitului acordat la cellalt
terminal al tranzistorului prin
intermediul capacitii c=cbc.
n figura 11.41 se prezint tipurile de cuplaje utilizate n amplificatoarele selective LC.

M
M
a) inductiv
b) capacitiv
Fig. 11.41. Tipuri de cuplaje
c) mixt
106
11.5.2. Amplificatoare selective RC

La frecvene joase i medii, intervin n structur cuadripoli pasivi (nu au tranzistoare) avnd
caracteristici de frecven ce prezint un maxim sau un minim. Exemple de cuadripoli: reeaua
Wien, reeaua dublu T, reeaua T podit etc.
Fig. 11.42
Reeaua T podit
Reea dublu T
Fig. 11.43
Reea Wien
A
0,33
f0
Caracteristicile de frecven pentru reeaua Wien sunt

n numr de dou: atenuare-frecven i faz-frecven (A,figura 11.44);
Frecvena de rezonan:
f0 = 1 / [2(R1C1R2C2)1/2].
Pentru R1 = R2 = R; C1 = C2 = C
f0 = 1 / (2RC),
u
1
.
Atenuarea minim: 2
u 1 max 3
La frecvena de rezonan nu defazeaz.

Pentru
amplificatoare selective se pot adopta dou soluii:
90
1)
utilizarea circuitului selectiv RC n lanul etajelor de
45
0
f0
amplificare (fig. 11.45).
f
Zieire este mic la repetorul pe emitor, deci are la intrare
-45
Z
iesire foarte mic.U2 citit n tensiune, pentru Z mare (VT2
-90
de tip TEC - J sau TEC - MOS; pentru a nu consuma se pun
tranzistoare unipolare i nu bipolare). Reeaua pentru atac n
Fig. 11.44. A,- reea Wien
tensiune necesit un gen de intrare cu Z mic; pentru aceasta
s-a folosit un repetor pe emitor (Zieire zeci de , R1 de ordinul k). Pentru citirea n tensiune, Zintr
mare (al doilea etaj cu TEC-J; Zintr=M) pentru a nu afecta R2 (k).
+EC
RB1
RD
VT1
VT2
Uin
RB2
RE
R1
C1
C2
R2
RS
Uies
Fig. 11.45
2) utilizarea unui circuit selectiv RC pe calea de reacie a unui amplificator cu reacie negativ.
DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - partea I
107
BIBLIOGRAFIE
1. Dasclu D. .a. - Dispozitive i circuite electronice. E.D.P. Bucureti, 1982.
2. Maxim Gh. - Dispozitive electronice. Litografia I.P. Iai, 1979.
3. Dnil Th. .a. - Dispozitive i circuite electronice. E.D.P. Bucureti, 1982.
4. Gray P.E., Searle C.L. - Bazele electronicii moderne. Ed. Tehnic, Bucureti, 1973.
5. Dasclu D. .a. - Circuite electronice. E.D.P. Bucureti, 1981.
6. Dasclu D. .a. - Dispozitive i circuite electronice. Probleme. E.D.P. Bucureti, 1982.
7. Croitoru V. .a. - Electronic. Culegere de probleme. E.D.P. Bucureti, 1982.
8. Ceang E. .a. - Electronic industrial. E.D.P. Bucureti, 1981.
9. Gray P.R., Meyer R.G. - Circuite integrate analogice. Ed. Tehnic Bucureti, 1983.
10. Cerbulescu D. - Dispozitive i circuite electronice. Culegere de probleme. E.D.P. Buc., 1995.
11. Ionescu F. - Diode semiconductoare i redresoare de putere. Ed. Tehnic, Bucureti, 1995.
12. Brezeanu Gh. - Circuite electronice. Ed. Albastr, Cluj-Napoca, 1999.

DCE - Analogic

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

DCE - Analogic

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

9

DCE - Cap.1. INTRODUCERE

DCE - Cap.1. INTRODUCERE

Fig. 1.1. Aplicaie pentru utilizarea Fig. 1.2. Circuit echivalent

Fig. 1.3. Circuit echivalent

Considerm bateria de 12V singur i nlocuim bateria de 6V lsnd doar impedana sa

DCE - Cap.1. INTRODUCERE

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

2.2. TRANSPORTUL PURTTORILOR DE SARCIN N SEMICONDUCTOARE

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Deci energia golurilor din p este mai mic dect n n. Pentru ca

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Pentru jonciunea gradat liniar variaia concentraiei impuritilor se aproximeaz liniar n

3.2. JONCIUNEA p-n N REGIM STAIONAR

S considerm c se aplic jonciunii o tensiune cu minusul pe regiunea p i plusul pe n.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Strpungerea prin efect tunel

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Considerm o jonciune abrupt ideal, cu o tensiune aplicat Ua, la

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesit o

- la polarizarea invers (fig. 3.20)

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Tipul de conductibilitate (p sau n) al unui semiconductor fiind determinat doar de

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic care prezint conducie unilateral, pe

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

- curentul invers pentru o anumit tensiune: IR;

Grosimea regiunii intrinsece este mai mic dect lungimea de

Dei exist diode cu tensiuni inverse mari, capabile s

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Diodele Zener se folosesc ca stabilizatoare de

Construcia lor actual const dintr-un cristal

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Utilizare: la detecie (radio), la modulaie n faz i n amplitudine, la

3.4.5. Diode cu capacitate variabil

Cb=1..10pF, iar rs poate fi sczut pn la 1 ohm.

3.4.6. Diode tunel

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Este o variant de diod tunel cu urmtoarea structur a benzilor:

Se utilizeaz ca detector sau mixer n domeniul microundelor.

DCE - Cap.4. REDRESOARE

Valoarea efectiv pentru Uin: U ef

Valoarea maxim pentru Uin: U max

sin 2t ...U l max

(ct de bun este redresarea) se introduce factorul de ondulaie (zgomot): 1m 157

4.1.2. Redresorul dubl alternan cu punct median

DCE - Cap.4. REDRESOARE

Avem dou tensiuni de intrare: Uin1 si Uin2

n alternana pozitiv, cnd tensiunea are semnul din