Comutatia TBJ

w r=energia care se disipa pe comutator in starea ON

tf

wr =

t
uCE dt I CM 1
t
f
0

tf

EC t dt EC I CM t f

t f
c

EC I CM
t r t f
Enegia totala disipata pe comut=suma energiilor partiale w=wr +wf = c
; wr =won ;
wf =woff

PC

W EC I CM
t r t f ;T 1

T
cT
f =puterea de comutatie; se disipa crescator o data cu frecv; puterea max disipata nu

trebuie sa depaseasca Pmax admisa pe circuitul respectiv in regim de comutatie.

Situatie in care sarcina tranzistorului care funct in comutatie cu primul; si alte elem de tip rezistiv

Cea mai de jos caract se obtine pt situatia de

blocare

I CP1

EC U 0 EC

R
R

Functia de constanta de timp a sarcinii la blocarea

L
tranzistorului: dc ct de tmp
are LR ; figurativ se deplaseaza paralel cu axa de tensiune
R
A0;BC;CA ; pt o ct de timp moderata exista posibilitatea sa se disipa puterea pe R colector

ON
Ec asociate circ: (1) UL+UR=EC-U0
(2)

di
dt

ic R E C
t

(U0<<EC) ec liniara,dif neomogena de gr 1;

E
E
L
iC C Ae ; iC t 0 0 A C
R
R
R

(3)

E
(4) iC C
R

1 e

EC
t

L t I CM

OFF

Se comuta T pe strapungerea secundara Us

(1) L

di
iC R EC U S
dt

EC U S
Ae (solutia pt 1)
R
E U 0 EC
E U S
Inceputul comutarii in blocare: iC t 0 0

I CM A I CM C
R
R
R
t
t

U
E U S
U
1 e (4) iC I CM S t ; iC (t=tf)=0; I CM S t f (5)iC I CM 1 t
(3) iC I CM e C

t
L
R
L
f

(2) iC

iC iC t
iC f U CE

U CE U CE t
tf

w=won+woff ; won<<woff ; w w f I CM 1
0

t
tf

U S dt I CM U S t f

Snubber ON (in conductie)

Pe durata comutatiei consideram curentul prin sarcina constant (ptr ca constanta de timp a sarc >> timp de comut)
L/R >> t

ON

Formele de unda :

Introducerea curentului Snubber face ca evolutia curentului de comutatie sa fie mai lenta (orice inductanta
introdusa intr-un circuit micsoreaza panta unui circ

I )
t

Pana la atingerea val max posibile, intervalul e mai mare

Evolutia tensiunii Uce atinge 0 inaintea stabiliz curentului

Energia care se disipa in conductie (e energia pe

trr )

tr
tr
Ec I
t
t
0t 2
Won Wr icuce dt I o
Ec 1
dt
6
t
rr r
0
0 trr tr
Ec I
Ec I
0 t => P
0
Notam formal t
=>

2
t
r max
on
r
rr
r
8
12 r
-puterea medie care se disipade-a lungul unei perioade de comutatie

Pon

Ec I tr
0 f
12

-in concluzie, comparand energia disipata pe dispozitiv in stare on ptr circ cu/fara Snubber, energia disipata este de 12 ori
mai mica in cazul circ cu Snubber => dpdv practic putem micsora dimensiunea radiatorului pe care se afla tranzis

Snubber OFF
-elementul principal al Snubberului este condensatorul
-considerand ca elementele din circuit sunt liniare, dioda ideala (timp de comutatie nul)
L/R >> t
(curentul de sarcina e constant)

OFF

I sarcina I ct
0
-amplificam un impuls negativ => curentul de sarc

se

prin latura care ajunge la C.(pe C apare o polarizare ca cea

ramifica prin tranzist si

din fig)

Dc permite incarcarea rapida

-evolutia curentilor i si i
c cc complementara.
I ic icc , t t
0
off
-daca icarcarea se face prin D (la comut. on a tranzist) => descarcarea se face prin R
c
c
Rc se pune ca sa se descarce C, si limiteaza vf de curent capacitiv care trece prin
tranzistor.

uce sa aiba evolutia din

fig1.-2 : la t> t
curentul de incarcare al C este ct. si e egal cu I
f
0
i
=> evolutia de incarcare a curentului e un segm de dreapta
cc ct I
0
t

f
t

ic I 1
W
W icucedt
0
off
f 0
t

2

2
I t
t

1t
1 t i0
0
uce uc icc dt tdt
u u uce t t
f t
f
f
C0
C 0t f
2Ct

f
U I t
f 0 f
W
W
off
f
12
-prezenta condensatorului in paralel cu tranzist face ca

Energia ce se disipa ptr circ cu Snubber e de 12 ori mai mica decat energia care se disipa pe disp la comutarea circ fara
Snubber.

U I t
U I t
f 0 f
f 0 f
W
W
P

f
,U E
c
off
f
off
f
f
12
12
u
puterea instantanee max: P

U I
f max 2 f f 0
-cele 2 circuite Snubber (ON si OFF) au fost tratate separat fara a lua in consideratie efectele determ de unul asupra celuilalt
-dc proiectarea e facuta astfel incat interdependenta sa fie minima, atunci calculele ptr cele 2 situatii raman valabile

Structura p-n-p-n (Shockley)

1018 P1J = jonctiunea

J1= polariz direct = J3J2 = polariz invers (jonctiunea centrala)
-departajeaza 2 jonctiuni cu concentratii foarte diferite
-cu cat concentratia este mai mare, cu atat u
e mai mica.

str

-ptr semnele din paranteza J1,3 polariz invers; J2 polariz direct

J1 ->aici apare diferenta mare de
concentratie;J1 ->sustine tensiunea
aplicata la polarizarea inversa

J2

I p In I
1
2
c0

La cresterea tensiunii aplicate (Uak >

0) creste tensiunea aplicata jonct J2 si
creste si curentul Ico si implicit I
,

J2

cresc coeficientii de amplificare

, , se mareste concentratia de

1 2

purtatori in cele 2 baze, se produce

compensarea sarcinii spatiale la nivelul jonctiunii 2, dimens jonct se ingusteaza, U

J2

; marind tens A-K pana la nivelul

tens de strapungere a J2 se produce un fenomen de multiplicare in avalansa a purtatorilor de sarcina, tensiunea

U 0 iar in final J2 se polarizeaza direct.

J2

-fenomenul este similar cu cel de strap secundara => acest curent creste de M ori (M = factorul de multiplicare in avalansa)

I p I n I M
J2 1
2
c0
1
M
n
U

1 J 2
U

str
I

J2

Ak

U str

J2

BJ (tranzistor bipolar cu jonctiune) TBJ de putere

2 aplicatii:
1. comutatoare statice functioneaza in regim ON-OFF
2. amplificatoare
-tehnologia de fabricatie e orientata pentru a face posibila amplificarea/comutarea unor puteri U*I cat
mai mari
- permit ca aceste dispozitive sa aiba frecvente de comutatie cat mai mari ai amplificarea frecventelor
cat mai mare
-au o structura verticala
Prezenta n-conduce la modificarea zonei
se saturatie in planul caracteristicii de
iesire Ic(Uc) si mareste capacitatea de
sustinere in tensiune.
Apare n stratul de drift si are
concentratie redusa de impuritati de tip
ohmic.

Modificatea caracteristicii de iesire

se modifica rep. incipienta de saturatie =>
disp. Este capabil sa sustina tensiuni mai
mari.

2.1. Caracteristici statice. Aria de functionare siguraBJ (tranzistor bipolar cu jonctiune)

(1) curba de disipare maxima Ic = Pdmax Uce-1

(2) caracteristicfa de probabilitate de strapungere secundara Ic = H Uce-m
UCE sustinere asimpltota la strapungerea primara
ICM val maxima a curentluli pe care dispozitivul il poate suporta in caracteristica limitative
-in strapungerea secundara tranzistorul se poate strapunge (nu mai sustine tensiunea aplicata chiar la
puteri mai mici decat cele date de Pdmax ); tranzistorul are baza slab polarizata, iar in circ de sarcina exista
suficienta energie acumulata pentru a mentine curentul de collector, UCE scade iar Ic e limitat numai de
componenta rezistiva a sarcinii; strapungerea secundara se poate produce pentru sarcina inductive si
rezistiva (pt cele care pot sa acumuleze energie); transferul punctului fiurativ de functionare

Pt UCB ~=0 apare linia critica

-la strapungere pt valoi mari ale UCB purtatorii care trec prin jonctiunea de collector au energie mare
producand perechi electron-volt
IC= M(N IE + ICO) M-factor de multiplicare in avalansa

1
U

1 CB
U CB0

n= dependent de transistor >1

La strapungere curentul de collector se duce la => UCB e constanta iar curentul

-aria de functionare sigura suprafata care e marginita de cele doua axe, ICE ,UCE

IC= ICM; IC=Pdmax UCE-1; Ic = H Uce-m; UCE= UCEM

Pd max ICE UCE

jmax c
R thjc

jmax - caldura pe care o suporta jonctiunea

c - caldura capsulei ; R thjc - rezistenta termica jonctiune-capsula