Sunteți pe pagina 1din 9

HB

1.(59) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =3K (vezi
figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
1.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
1.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
2.(62) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =6K (vezi
figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA

C) 2mA
D) 3mA
2.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
2.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
3.(63) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =2K (vezi
figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
3.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
3.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
4.(64) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =1,5K (vezi
figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
4.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
4.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
5.(159) n schema din figur se msoar tensiunea alternativ n baza tranzistorului 4.4mV iar
tensiunea alternativ de la generator 10mV. Tensiunea continua n colectorul tranzistorului este
5V fata de masa, iar BF=B0=100. Tensiunea alternativ pe R7 este:

A) 90,9mV
B) 100.9mV
C) 190,9mV

D) 80,9mV
6.(160) n schema din figur se msoar tensiunea alternativ n baza tranzistorului 4.4mV iar
tensiunea alternativ de la generator 10mV. Tensiunea continua n colectorul tranzistorului este
5V, iar BF=B0=100. Tensiunea alternativ n emitorul tranzistorului este:

A) 100mV
B) 509mV
C) 1V
D) 0V
HC
1.(167) Se da graficul din fig. Tranzistorul se comporta ca o rezistenta comandata in tensiune in:

A) Zona B;
B) Ambele zone;
C) Zona A;
D) La limita dintre cele doua zone.
2.(168) Parametrul k depinde de:

A) Geometria portii tranzistorului MOS;


B) De curentul de drena;
C) De tensiunea de prag;
D) De tipul semiconductorului.
3.(169) Comanda tranzistorului MOS se realizeaza in:
A) Curent;
B) Tensiune;
C) Si in curent si in tensiune;
D) In drena.
4.(171) Un tranzistor nMOS cu VT=2V si kn=1mA/V2 are poarta si sursa legate la masa.
Curentul de drena al tranzistorului este:
A) ID=2mA;
B) ID=1mA;
C) ID=0mA;
D) ID=4mA.
5.(186) Un tranzistor MOS se utilizeaza ca amplificator polarizat in:
A) Regiunea liniara;
B) Saturatie;
C) In blocare;
D) La limita dintre regiunea liniara si saturatie
6.(187) La semnal mic si joasa frecventa si in curent continuu, curentul de poarta al unui
tranzistor MOS este practic:
A) dependent de regimul de polarizare al tranzistorului;
B) zero;
C) creste cu tensiunea de poarta;
D) depinde de tensiunea de prag.
7.(173) Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, ID=0 cnd:
A) VGS < VT;
B) VGS > VT;
C) VDG=0;
D) VDS = VGS.
8.(180) Un nMOS este plasat in saturatie in conexiune sursa comuna si atacat la intrare cu un
semnal de inalta frecventa Impedanta masurata in poarta acestuia va fi:
A) infinita
B) de natura capacitiva
C) de natura inductiva
D) 0
9.(178) In tabel sunt date potentialele (Volti iar 0este potentialul masei) masurate pe electrozii
unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2,VT=1,8Vsi =0,01/V S G D 0 2 5 Transistorul
este:
A) in saturatie
B) in blocare

C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
10.(179) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu
factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si =0,01/V S G D 0 2 0,15 Transistorul este:
A) in saturatie
B) in blocare
C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
11.(181) Tensiunea VT la nMOS este:
A) granita intre blocare si conductie
B) tensiunea de saturatie
C) tensiunea de strapungere
D) tensiunea de prag
12.(182) Tensiunea VT la nMOS este:
A) VGS pentru care curentul ID devine foarte mic
B) VGS pentru care curentul ID devine maxim
C) VDS pentru care curentul ID devine foarte mic
D) VDS pentru care curentul ID devine maxim
HD
1.(5) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8k. Curentul prin
dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
1.2) (6)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC

1.2) (7)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din


figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
2.(8) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,7V, R1=2,3k. Curentul
prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
2.2) (9)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
2.2) (10) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din
figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
3.(11) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8k. Curentul
prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
3.2) (12)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
3.2) (13)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din
figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V

Postat acum 11th January 2012 de Cass