Sunteți pe pagina 1din 11

Cap.

3 Electronică

1. Releul

2. Dioda

• Dioda cu contact punctiform

• Dioda ZENER

• Dioda VARICAP

• Dioda TUNEL

3. Tranzistorul bipolar de putere

pg. 80
Releul

Releul este un dispozitiv electromecanic care transformă un semnal electric оntr-o mişcare mecanică.
El este alcătuit dintr-o bobină din conductori izolaţi înfăşuraţi pe un nucleu metalic şi o armătură
metalică cu unul sau mai multe contacte. În momentul în care o tensiune de alimentare este aplicată la
bornele unei bobine, curentul circulă şi va fi produs un câmp magnetic care mişcă armătura pentru a
închide un set de contacte şi/sau pentru a deschide un alt set. Când alimentarea este dezactivată din
releu, cade fluxul magnetic din bobină şi se produce o tensiune înaltă în direcţia opusă. Această
tensiune poate strica tranzistorul de comandă şi de aceea este conectată o diodă cu polarizare inversă
de-a lungul bobinei pentru a scurtcircuita vârfurile de tensiune în momentul în care apar.

Fig1. Conectarea unui releu la microcontroler prin intermediul unui tranzistor

Multe microcontrolere nu pot comanda un releu direct şi de aceea un tranzistor de comandă este
necesar. Un HIGH pe baza tranzistorului activează tranzistorul şi acesta la rândul lui activează releul.

pg. 81
Releul poate fi conectat la orice dispozitiv electric prin intermediul contactelor. Rezistenţa de 10K din
baza tranzistorului limitează curentul dinspre microcontroler la o valoare solicitată de tranzistor.
Rezistenţa de 10K dinspre bază şi bara negativă previne ca tensiunile de zgomot aplicate în baza
tranzistorului să activeze releul. De aceea numai un semnal clar de la microcontroler va activa releul.

Fig. 2 Conectarea la optocoupler şi releu la un microcontroller

Un releu poate fi de altfel activat prin intermediul unui optocuplor care în acelşi timp amplifică
curentul provenit de la ieşirea microcontrolerului şi oferă un grad înalt de izolare. Optocuploarele
HIGH CURRENT de obicei conţin un tranzistor cu o ieşire „Darlington” pentru a oferi curent mare
de ieşire. Conectarea prin intermediul unui optocuplor este recomandată în mod special pentru
aplicaţiile microcontroler unde motoarele sunt activate şi zgomotulele de comutaţie provenite de la
motor pot ajunge оn microcontroler prin intermediul liniilor de alimentare. Optocuplorul comandă un
releu iar releul activează motorul. Figura de mai jos arată programul necesar pentru activarea releului şi
include cateva din macrourile deja discutate.

pg. 82
Dioda

Fig. 3 Structura şi simbolul


diodei semiconductoare

Cele mai des folosite diode semiconductoare sunt diodele redresoare . Ele funcţionează datorită
proprietăţii de a se comporta diferit la tensiuni de polarizare directe şi tensiuni de polarizare inverse. Astfel la
tensiuni de polarizare directe rezistenţa directă este foarte mică iar la polarizarea inversă rezistenţa inversă este
foarte mare.Datorită acestei proprietăţi ca la aplicarea unei tensiuni alternative ele funcţionează pe alternanţa
pozitivă conducând un curent mare (de ordinul mA sau A). Pe
alternanţa negativă se vor bloca lăsând să treacă curenţi foarte mici de ordinul mA sau µ A care pot fi
neglijaţi.Acest proces de transformare a unui semnal alternativ într-un semnal continuu poartă numele de
REDRESARE . Aceste diode sunt folosite la construcţia redresoarelor care lucrează cu semnale mari şi
frecvenţe mici (50Hz ) Se pot
realiza atât din germaniu cât şi din siliciu - cele cu siliciu au următoarele avantaje faţă de cele cu germaniu:

1. Curentul invers este mult mai mic.


2. Tensiunea de străpungere este mult mai mare
3. Temperatura maximă de lucru de 190 grade faţă de 90 grade la germaniu
Dezavantaj- se consideră tensiunea de deschidere puţin mai mare.
Performanţele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2 mărimi limită care nu trebuie depăşite în
timpul funcţionării :

- Intensitatea maximă a curentului direct


- Tensiunea inversă maximă.

pg. 83
Fig. 4 Simbolul diodelor

Dioda cu contact punctiform

Este folosită pentru frecvenţe înalte. Este alcătuită din:


- o capsulă de sticlă străbătută de 2 electrozi metalici. La capătul unui electrod se găseşte un
monocristal de germaniu (semiconductor de tip n). Celălalt electrod se continuă cu un conductor de wolfram
care vine în contact cu monocristalul.

Dacă se trece un impuls de curent scurt dar puternic la contactul dintre conductori şi monocristal în
interiorul acestuia din urmă se formează o regiune de tip p .
Apare astfel o joncţiune de tip p-n de suprafaţă foarte mică, cu o capacitate foarte mică ( < 1pF )
Datorită acestei joncţiuni dioda funcţionează la frecvenţe foarte înalte. Acest tip de diodă poate fi
folosit ca detector, schimbător de frecvenţă sau ca diodă de comutaţie.

Dioda ZENER

Este o diodă stabilizatoare de tensiune. Funcţionarea ei se bazează pe proprietatea joncţiunii p-n de a


avea în regiunea de străpungere o tensiune la borne constantă într-o gamă largă de variaţie a curentului invers.

Dioda funcţionează într-un regim de străpungere controlat în care atât curentul cât şi puterea
disipată sunt menţinute la valori pe care dioda le poate suporta în regim. Dioda ZENER Este o diodă
stabilizatoare de tensiune. Funcţionarea ei se bazează pe proprietatea joncţiunii p-n de a avea în regiunea de
pg. 84
străpungere o tensiune la borne constantă într-o gamă largă de variaţie a curentului invers.
Dioda funcţionează într-un regim de străpungere controlat în care atât curentul cât şi puterea
disipată sunt menţinute la valori pe care dioda le poate suporta în regim.

Fig. 5 Polarizare direct. Polarizare inversă Dioda redresoare Dioda Zener

Dioda VARICAP

Sunt diode cu joncţiune care funcţionează în regim de polarizare invers până la valoarea de
străpungere .
Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce depinde de
tensiunea continuă de polarizare inversă (acesta este capacitatea de barieră).
Această posibilitate de a varia o capacitate într-un circuit prin varierea unei surse de polarizare este
necesară în circuitele de schimbare a frecvenţei. Circuitele de reglaj automat al frecvenţei precum şi modulaţia
frecvenţei.
Diodele VARICAP au capacităţi de ordinul pF sau zecilor de pF şi se construiesc din siliciu pentru a
avea o rezistenţă internă mai mare în polarizarea inversă.

Dioda TUNEL

pg. 85
Fig. 7 Dioda tunel

Are o concentraţie mare de impurităţi ducând la micşorarea lăţimi regiunii de trecere până la (10la-2
microni).
Datorită acestei lăţimi mici o variere de potenţial; apare un fenomen numit efectul tunel. Datorită
acestui efect electronii pot învinge bariera de potenţial chiar dacă lipseşte energia suplimentară.
Datorită acestui efect apare curentul tunel care se suprapune peste curentul normal al unei joncţiuni p-n
modificând caracteristica curent-tensiune, caracteristică ce se deosebeşte de cea a unei diode semiconductoare
prin:
- în regiunea de polarizare inversă dependenţa curent-tensiune este liniară deci dioda nu prezintă
conducţie unilaterală
- în regiunea polarizării directe pentru valori mici ale tensiunii caracteristică are formă de „N”.
Această caracteristică arată că pe o anumită porţiune la creşteri ale tensiunii corespund mişcări ale
curentului.

Tranzistorul bipolar de putere

Tranzistorul bipolar de putere derivă din tranzistorul obişnuit de semnal, prin mărimea capacităţii în
curent şi tensiune. El este adesea abreviat prin iniţialele BJT, provenind de la denumirea anglo-saxonă
‘’ bipolar junction tranzistor’’. Cel mai adesea se realizează tranzistoare de tipul npn, dar se realizează
şi tranzistoare pnp, cu o răspândire limitată.

Un transistor bipolar de tip npn este format din patru straturi:

- n+1 – stratul colectorului, cu dopare la nivelul 1010/cm3

- n- - stratul sărac, cu dopare la nivelul 1014/cm3

pg. 86
- p – stratul bazei cu dopare de 1016/cm3

- n+2 – stratul emitorului, dopat la nivelul 1019/cm3

Fig. 8 Simbolizarea tranzistorului npn şi pnp

Tranzistorul de tip pnp are aceleasi patru straturi , tipurile de semiconductoare fiind inversate, adică în
ordine de la collector la emitor: p+1 p- n p+2 .

Alegerea tranzistoarelor bipolar se face în planul caracteristicilor statice în funcţie de dreapta de


sarcină, care caracterizează sarcina tranzistorului.

Dreapta de sarcină se trasează în gol: ic= 0 şi V0 = Vd , respective în scurtcircuit:

VCE= 0 şi Ic = V0 /R.

Intersecţia cu una din caracteristicile statice, a cărei punct de funcţionare F, corespunde necesităţilor de
current de collector iCF solicitate de sarcină şi regimul de funcţionare în cvasisaturaţie iB=f(υBE) sau din
cea de transfer se poate determina tensiunea bază-emitor necesară şi se poate dimensiona circuitul de
comandă pe poartă.

pg. 87
O aplicaţie importantă este modelarea tranzistoarelor, dipozitive electrice utilizate în construcţia
amplificatoarelor electronice. În figura de mai sus se prezintă modelarea tranzistorului cu joncţiune npn
în regim staţionar şi la semnale mici, cu ajutorul unei surse de current comandată în c.c. De regulă
tensiunea VBE = 0,7 V, iar factorul de amplificare al curentului B=100.

Schema echivalentă permite studierea circuitelor cu tranzistoare cu ajutorul tehnicilor din


analiza circuitelor electrice.

Pentru macheta demonstrativă am proiectat şi am realizat urmatoarea schemă electronică


(Fig. 9) si cablajul (Fig. 10) aferent schemei electronice.

pg. 88
Fig.9 Schema electronică

pg. 89
Fig. 10 Cablajul aferent schemei electronice

pg. 90