Sunteți pe pagina 1din 16

AcesteasuntnoteledecursalestudentuluiAndreiNicoras,S.I.A.

,2009
Curs1

CURATAREA/SPALAREATRANSELORDESILICIU

Spalareatranselordesiliciupoatefide2feluri:
a) Cea care pregateste un proces tehnologic in cadrul caruia nu vom avea
temperaturimaimaride5006000C
b) Cea in care apare un proces tehnologic in care avem temperaturi de 500
6000C(oxidari)
Pentru spalarea A se folosesc exact in aceasta ordine cate minim 5 minute
fiecare:tricloretilena;acetona;metanolul;apadeionizata.Cuajutorulacesteispalarise
va elimina materia organica, spalarea facanduse in special pentru a se indeparta
eventualelegrasimi.
Tricloretilenaesteunsolvent puterniccareprezintainsasi catevadezavantaje:
nuestemiscibilinapa(dizolvabila)sideciestenebiodegradabil,lasaunfilmsubtireca
nistepetedupaevaporareadepetransadeSi,nuesteincurajatafolosireaincantitati
mariatricloretileneidatoritaproblemelordeproteciamediului,darestefoartebuna
pentruindepartareagrasimilor.
Acetona nu este un solvent puternic solubil in apa si deci biodegradabil, iar
resturiledeacetonainurmaevaporariisuntsolubileinmetanol.Dezavantajulfolosirii
acetoneiestepericulozitateamare,la600Ciafoc,sifaptulcaseevaporafoarterapid.
Metanolul este un solvent mai putin puternic decat primele 2, dar prezinta
avantajuldeafiperfectsolubilinapa,astfelcadupaclatireacuapa,petransenuva
mai exista nici o urma de solvent. Metanolul nu este un solvent care sa inlature
grasimile,darestefoarteeficientpentrusaruri,acizisibaze.
PentruspalareaBsefolosesteacidsulfuric(H2SO4)inamesteccuapaoxigenata
(H2O2) in proportie de 50% fiecare, la 1050C timp de 10 minute. Se poate folosi si in
proportiade7030%dardevinepreapericulos.

Seclatestecuapadeionizatalatemperaturaambianta(190Cincleanroom).
Urmeaza o baie de apa deionizata cu apa oxigenata si hidroxid de amoniu
(NH3OH)inproportiede502525%laotemperaturade750Ctimpde10minute,dupa
careurmeazaonouaclatirecuapadeionizatalatemperaturaambianta.
Semaiintroducetransainapadeionizata,apaoxigenatasiacidclorhidric(HCl)in
proportiede502525%latemperaturade750C,timpde10minute.Onouaclatirecu
apadeionizatadupacareinfinalsefolosesteacidfluorhidric(HFl)cuapainproportie
de 298% la temperatura ambianta timp de 15 minute si o noua clatire cu apa
deionizata.
Acidul sulfuric in amestec cu apa oxigenata inlatura si dizolva fotorasina si
contaminarile organice de dimensiuni mari, dar avem si inconveniente cum ar fi
atacareaAl.
Amoniacul in combinatie cu apa oxigenata si/sau apa se foloseste pentru a se
inlaturarezidurileorganicesipentruaneutralizadinpunctdevedereelectricsuprafata
Si(vaneutralizaimpuritatilecareatuncicandtransaesteincalzitalatemperaturimari
arputeasadevinaactiveelectric).
Acidulclorhidricincombinatiecuapaoxigenatasiapadeionizataestefolositin
specialpentruinlaturareaionilormetalici.
Acidulfluorhidricestecelmaiputernicfolosindusedeobiceiintroconcentratie
de2%inapa,atacandlentoxiziisiasigurandosuprafatahidrofoba(carenuvaabsorbi
apa)atuncicandsefolosestepeSi.FolosireaHFlfoartediluatseexplicaprinfaptulca
suprafataSiaretendintadeaabsorbiionideFl.


Curs2

FOTOLITOGRAFIA

Sefolosestepentruaobtinezoneperfectdelimitatedemetalpeunsubstratde
siliciu (Si) sau pe un substrat pe care mai avem deja alte zone acoperite cu diverse
metale.Aceastasereusesteincazulfotolitografieicuajutorulrasinilorfotosensibilesi
aaparatelordeexpunereinzoneperfectdelimitatecuultraviolete.
Substratul de Si va trebui sa fie foarte bine spalat si uscat inaintea inceperii
fotolitografiei.Incazulincareincadrulproceselortehnologiceulterioarefotolitografiei
intervineoxidarea,spalareavatrebuisafieunacomplexa.
Transaspalatasevaintroduceintrunsistemdecentrifugare.Dupacentrifugare
transeleseintroducintroETUBA.Etubaesteunspatiuincareputemobtinefievidfie
unfluxdeanumitegazesitemperaturicontrolate.
Dupa minimum 30 de minute transa se scoate din etuba si se aseaza pe un
dispozitivdespincoating.Dispozitivuldespincoatingneajutacafolosindopompade
vidsaputemcentrifugatranselefaracaacesteasadepaseascadispozitivul.
Dupafixareatranseipedispozitivaceastapoateficentrifugatasubunfluxdegaz
de aderenta, rolul acestui gaz este de a ajuta la o mai buna aderare a rasinii de
suprafata/suprafeteletransei.
Dupaaceastaselasacatevapicaturiderasinafotosensibilasiserotestetransa
pentrucarasinasaseuniformizeze.Grosimeastratuluiderasinafotosensibiladepinde
deviteza,acceleratiasitipulrotirii.Pentrucasolventuldinrasinasubformalichidasa
se evapore complet si rasina sa ramana sub forma solida (dura), transa va fi tratata
termicpeoplitapreincalzita.
Duparidicareatranseidesiliciudepeplitaincalzita,transasedepunefieintro
cutiepentrutranse,fieintroetuba.Intretimpsespalacuacetonasiprinrotiremasca

pecareovomfolosiintimpulexpuneriilaultraviolete.Mascamecanicaserealizeaza
inprincipiudinplatina.
Dupa spalarea mastii, aceasta se fixeaza in aparatul pentru expunere la
ultraviolete, sub masca se aseaza transa si se aliniaza in pozitia dorita un binocular.
Dupasetareatimpuluisiamoduluideexpunere(cumascalaoanumitadistantasau
lipitadetransa)serealizeazaexpunerealaultraviolete,inzoneleincarerasinaafost
expusalegaturilechimicealeacesteiavorfimodificate.
Prin introducerea transei intrun developer rasina din aceste zone va parasi
suprafata transei. Dupa scoaterea transelor din developer, transa va fi tinuta in apa
puraprincaretreceunfluxdeazot(N)gazos,iarapoivafispalatasiuscata.
Cuajutorulfotolitografieiputemprotejazonepecarenudorimsaevaporamalte
metale sau putem proteja cu rasina fotosensibila zone pe care a fost deja evaporat
metalsipecarenudorimsaleindepartampringravare.
Inprimulcazvatrebuicastratuldemetalevaporatpetransasasedepunape
aceasta in asa fel incat atunci cand in final indepartam rasina cu ajutorul acetonei
contururile metalice de pe transa sa nu fie afectate. Pentru aceasta forma rasinii
protectoaretrebuiesafieunacadestreasina.
Pentru a obine o atfel de forma, in cadrul procesului de fotolitografie, imediat
inainteaetapeideexpunerelaultravioleteprinmascasevarealizaoexpunerescurta
de0,20,3secundeprintromascacomplettransparenta.

!!!

metal

rf

Si

UV
Strat
intarit

masca

Acesttipdefotolitografiesenumestefotolitografieliftoff,denumireavenindde
lafaptulcaatuncicandesteindepartatarasinafotoprotectoare,aceastavaducecuea

straturile metalice de care nu avem nevoie, fara a influenta conturul straturilor


metalicedecareavemnevoiepetransa.
Atuncicandinfinaltransaseintroduceintrobaiedeacetona,bucatifoartemici
demetalcaresegaseauperasinavorumplebaiadeacetonaiaruneledintreelevor
aveatendintasaseatasezedetransa,deaceeaestebinecadupascoatereatranseidin
baia de acetona, sa se actioneze si mecanic cu ajutorul unui jet lichid pentru a se
indepartatoateacestebucatimetalicemicinedorite.

Curs3

LITOGRAFIAELECTRONICA

Litografia electronica este o alternativa la fotolitografie, cu ajutorul acestei


tehnici pot fi expuse zone mai mici decat in cazul fotolitografiei ajunganduse la linii
subtiricuolatimedesub50nanometri,limitainferioarafiindundevala15nanometri
pentruoacuratetefoartebuna.
Pentru

protectia

zonelor

se

va

folosi

un

polimer

PMMA

(PollyMethylMethacrilate)carevafidepusinformasalichidaprindiluareintoluenpe
transadeSiprinacelasiprocedeucasiincazulrasiniifotosensibile(spincoating).
Un spincoating obisnuit se realizeaza la 5000 rpm timp de 60 secunde, cu
acceleratia de 1000 rpm/s. Esantionul este apoi depus intrun spatiu vidat la
temperaturi de 1800C pentru cateva ore. Dupa aceea va fi introdus in microscopul
electronic unde din nou trebuie asteptat pana cand se obtine un vid foarte bun. In
interiorul microscopului fasciculul de electroni emis de un filament va trebui sa cada
perpendicularpetransa,pentruaceastasevorrealizareglajealeastigmatismuluisiale
focalizarii,iarapoicuajutorulunuicalculator,fascicululvafidirijatstrictpezonelein
care dorim sa distrugem legaturile chimice ale polimerului. Timpul de expunere va fi
multmaimaredecatexpunereacuUVdincazulfotolitografiei,daravemavantajuldea

putea modfica designul zonelor de expunere mult mai usor (decat in cazul
fotolitografieiundeavemomascacenupoatefimodificata)
Dupa ce fasciculul de electroni a maturat toate zonele dorite, transa se scoate
dinmicroscopsivafiintrodusasuccesivin:
1. MethylIsobustylketone:Isopropanol1:3timpde1min30sec
2. Isopropanoltimpde30sec
3. Apapuratimpde45min
Prima solutie va juca rolul developerului din cazul fotolitografiei si va face ca
PMMAul care a fot in interactiune cu fasciculul de electroni sa fie indepartat de pe
transa.Isopropanolulsiapapuraauroluldeaspala,respectivdeaclatitransa.Atunci
cand fasciculul de electroni penetreaza polimerul, electronii vor avea tendinta de a
difuza (imprastia) si in alte directii decat cea perpendiculara pe transa, dar datorita
vitezeilor,afaptuluicastratuldepolimeresteunulsubtiresiprostconducatorelectric
si a faptului ca de obicei sub stratul de polimer avem straturi bune conducatoare
electric,formazoneiafectatadeelectronivafiunadepicatura.

Obtinanduseastfeldeformealepolimeruluivazuteinsectiunidupadevelopare,
litografiaelectronicaestefoarteindicatapentruadepunedupaaceeastraturimetalice
cugeometriifoartesubtiri/mici.
Dacadorimsafolosimlitrografiaelectronicapentruaprotejazonemetalicesia
grava zonele unde dorim sa indepartam metalul, trebuie avut grija ca zonele de
gravare sa nu fie foarte foarte mici. Aceasta deoarece portiunile de metal care se
desprind de transa in momentul gravarii pot obtura accesul solutiilor pentru gravare
datoritaformeipolimeruluideprotectie.

Curs4

GRAVAREA

Este operatiunea prin care se indepareaza in mod controlat straturi metalice


carenusuntprotejate.Indepartareastraturilorpoatefitotalasaupartialaatuncicand
dorimdoarsasubtiemstratulmetalic.
Gravarea poate sa fie umeda sau uscata. Intotdeauna gravarea este
reproductibila.Gravareaumedaserealizeazaprinscufundareatranselorinsolutiicare
atacaanumitemetale.Totgravuraumedaestecosideratagravareainmediudevapori.
Gravarea in mediu de vapori se realizeaza prin tinerea probei cu substratul pe care
vremsailgravaminjospepostdecapac,alunuivasincareavemunamestecde
solutii care genereaza vapori pe post de agent de gravare. Si aceasta gravare este
reproductibila daca toti parametrii care intervin (marimea vasului, concentratia
solutiilor,temperatura)suntaceeasi.
Gravarea uscata se realizeaza intro substanta gazoasa, puternic ionizata
(plasma).
Gravareainplasmaserealizeazaprinaplicareauneidiferentedepotentialmare,
deordinulacatorvasutedevoltiintrungazlapresiunemicasauprinaplicareaunui
potentialalternativlafrecventefoartemari(radio).
anod

proba
gaz

catod

Totulserealizeazainconditiidepompajcontinuu.
Exempledegravari:

OxiduldeSiliciu(SiO2)segraveazacuajutoruluneisolutiideacidfluorhidric(HFl)
+fluoruradeamoniuNH4Fl
Siliciulpolicristalinsegraveazacuacidazotic(HNO3)+HFl
SiliciulmonocristalinsegraveazacuN2H4(65%)+H2O(35%)
NitruradesiliciusegraveazacuH3PO4
AluminiulsegraveazacuH3PO4+HNO3+CH3COOH+H2O
Cromul se graveaza cu 200g Ce(NH4)2(NO3)6 + 35 ml CH3COOH(95%) + 1000ml
H2Odeionizata
Aurul se graveaza cu HCl(30%):HNO3(70%) si are o viteza de gravare sau cu
HCl(30%):HNO3(70%)+H2Osirezultaovitezadegravaremaimaredecatprecedenta.
Gravarea uscata poate sa fie anizotropa sau izotropa in functie de conditiile in
careareloc.

rasina
metal
substrat

izotropa

anizotropa

Pentru

Sisefolosesc:

CF4;SF6;HBr;U2;NF3

SiO2

CHF3;C4F6;C2F6;SF6;NF3

|SiCl2

Al

BCl3;HCl;Cl2

|Al2Cl6;AlCl3

GaAs

Cl2;BCl2

|Ga2Cl6

|SiF4

Unavantajalgravariilichideesteacelacasepotgravacantitatifoartemaride
substraturiinacelasitimp.Insaincadrulgravariiumedevafinevoiesideoadouasio
atreia,adicaspalareacuapadeionizata,respectivuscarea.
Intimpulspalariicuapadeionizatasemasoararezistivitateaapeipentruaputea
cunoastecantitateadeionicareocontamineaza,proveninddinmediultransei.Atunci
cand rezistivitatea creste peste o anumita valoarea, spalarea poate fi oprita. Iar

uscarea va fi realizata prin centrifugare puternica sau prin suflarea cu un jet de azot
gazossauaer.
Gravarea uscata prezinta avantajul de a avea imediat dupa gravare o transa
curatasiuscata.
Inanumitecazurigravareauscatapoateafectastructurarasiniisauapolimerului
deprotectieatatdetareincatacesteanuvormaiputeafiindepartatecuusurinta.In
cazul rasinii se poate incerca indepartarea cu ajutorul acetonei incalzita la 500C,
aplicareaultrasunetelorinjurulbaiideacetona,sidacatotnupoatefiindepartatase
va introduce intrun mediu de plasma de oxigen, dar aceasta doar daca plasma de
oxigennuafecteazaeventualelestraturimetalicedepetransa.

Curs5

METALIZAREA

Metalizarea este o evaporare si se realizeaza prin evaporarea unui metal cu


ajutorul unei radiatii termice puternice intrun mediu vidat in care se afla transa pe
caredorimsadepunem.
Peretiiinterioriaievaporatorului trebuieraciti(criogeniccuN lichid) pentruca
rezidurilemetaliceramasedelaevaporarileprecedentesanuseevaporesisaafecteze
stratulpecareildepunem.
Exempluderealizareauneitranse:
Dorimsaavem:

M1

Si

M2

DeveloperulrasiniifotosensibileatacaM1siM2
AcidulA1atacaM1siM2
AcidulA2atacaM2sinuatacaM1

Si

Spincoating

Rasinaf.s.

UV

metalizare

M1

+tratament
termic

Liftoff

Cuacetona

+developer

M1

PentrudepunereaM1saalesFOTOLITOGRAFIALIFTOFFdeoareceestemai
rapidadecatlitografiaelectronica.Nusaalesfotolitografiaurmatadegravaredin
cauzafaptuluicadeveloperulatacaM1sideciamfipatrunspesubrasinaprotectoare
afectandmarginiledisculuimetalicM1.
RepereledincolturipotfifacutefiedeodatacuprocesultehnologicpentruM1,fi
deodatacucelpentruM2.Dacanuesteneaparatcareperelesafiededimensiuni
foartemiciestepreferabilsasefoloseascafotolitografia(lafelcapentruM1).
PentruM2,observamcaavemdimensiunifoartemici,astfelcavomalegesa
folosimLITOGRAFIAELECTRONICA.Fotolitografianuputeafioricumfolositadeoarece
developerulatacaM1siM2.
Si

M1

Bombardament
electronic
PMMA

Spincoating

developare

PMMA

PMMA

M2
Metalizare
M2

M1
Liftoff

M2
Si


Curs6

TEHNICAMBE(MOLECULARBEAMEPITAXY)

Figuraprezintaoschemaaprincipalelorcomponente,acamereidepreparare,a
sistemuluiMBEincaresepreparaprobele.Aceastasectiuneasistemuluiprezintao
vederedesusaincintei.
Sistemulesteconstruitdinotelinoxidabilsiesteconectatlaunasaumaimulte
pompedevidcarefunctioneazaincontinuu.Vidulcaretrebuieobtinutesteunulde
sub1010tori.Substratulestecrescutincentrulincintei,intresursadecaldurasi
celulelededirectionare.Acestecelulerezistentelatemperaturimarisuntplinecu
elementepurificatecevorfievaporatespresubstrat.Intrunmediufoartebinevidat,
fluxurileelementaredinsprecelulesuferacoliziunineglijabilepedrumulspreproba
astfelcafluxuldepuneriipoateficontrolatcuungradinaltdeprecizie.
Pentrucasaobtinemunstratcureteacristalinatrebuiecasisubstratulpecare
facemdepunereasaaibaostructuradereteacristalina.Pentruarealizacusucceso

structurasemiconductoarecuajutorulmetodeiMBEesteesentialapotrivirea
temperaturiiprobeicuceaacursuluimolecular.Inafaraasigurariiunuimediucu
presiunefoartemica,unaltcriteriudecaretrebuietinutseamaesteasigurareaca
elementulunicceatingeprobavinedelasursacontrolatasinuprovinedela
emanarilesuprafetelorfierbinti,delaperetiicamereisaudelapompe.
Camijlocderealizareaacesteinecesitati,peretiiinterioriaicamereidecrestere
aufostcaptusiticriogeniccuN2lichid.Acestblindajcriogenicasigurasiopomparemai
bunasideasemeneaoizolaretermicaintrecelulelededirectionare.Acesteareduc
semnificativcontaminareaesantioanelorcuelementestrainedeoareceoriceimpuritati
carenusuntemanatedinspresurselesitemuluitrebuiesasuferecelputinociocnirecu
peretii.Dacablindajulcriogenicacoperaoportiunemaredesuprafatainterioaracele
maimultedintreimpuritatiauoprobabilitatemaredeacondensainaintedeaatinge
esantionul.
Intregulsistemconstadin3camerecuvidinalt,separateprinintrariprevazutecu
valve.Inmodnormaldoarunadintreacestecamereestepermisafideschisala
presiuneatmosferica,siaceastadoaratuncicandseschimbaesantioanele,folosindo
gluga.Prinaceastaintrareseintroducsicapsulelececontinelementelepurecevor
ajungeincelulecuajutorulunuitrenuletmobil.Dupacesepompeazapanalaunvid
catmaibun,trenulestedeplasatinurmatoareaincintadenumitacameradeseparare.
Dacavreunadinultimele2camereestedeschisalapresiuneaatmosferica,pompajul
pentruaserevenilavidulnecesardepunerilordureazapesteolunalatemperaturide
peste2000C.Acestedeschideriaulocdoardacasuntdescoperitescurgerisaufisuri
esentialeininterior.
Invedereaasigurariiuneipresiunicatmaiscazutesefolosesteunsistemde
pomparealcatuitdinopompaionicastandardde400l/ssi2criopompecucircuit
inchiscuHede3000l/2.VerificareapresiuniisefacecuunmanometrucurazeXcare
poatemasurapanalaaproximativ1012tori.
Atuncicandcelulelesuntincalzite(Al=8300C,Ga=6350C,As=1350C,Si=6350C,
substratul=1300C)presiuneasevadegradacuunordindemarime.


Curs7

OXIDAREA

Oxidareapoateservicasi:
Mascapentruimplantaresaudifuziededopant
StratdeprotectielasuprafataSi
Zonadeizolareelectricaintrediferitecomponentealeuneistructuri
integrate
StratactivincazultranzistoarelorMOS(oziddegrila)
Existamaimultetehnicideobtinereaoxidului:
OxidareatermicainprezentaO2numitaoxidareuscata
OxidareatermicainprezentaO2sivaporilordeapaoxidareumeda
Oxidareatermicanumaiinprezentavaporilordeapaoxidarein
vapori
Oxidareapecaleelectrochimicaoxidareanodica
OxidareacuajutorulplasmeideO2

OxidareaTermicainPrezentaO2Oxidareauscata

Oxidareasiliciuluiareloclatemperaturidepeste6000C

Si(s)+O2(g)>SiO2(s)

sau Si(s)+2H2O(g)>SiO2+2H2(g)

Oxidareaestemairapidainprezentavaporilordeapadecatinatmosferauscataa
oxigenului.Oxidareainprezentavaporilorserealizeazalatemperaturijoasesipentru
straturimaisubtiriaoxiduluidorit,procesulfiindlimitatdedegajareadehidrogen
gazos.Pentrustraturimaigroasealeoxidului,oxidareaestelimitatadoardecatre
difuziaoxigenuluiinstratuldeoxiddejaformat,stratulnemaicrescandliniarcutimpul
cicuradicaldinacesta.

Oxidareaserealizeazadinspresuprafataspreinteriorulsubstratului.
Saanalizamtransferuldeoxidendinfazagazoasaspresuprafataexterioaraa
suprafeteipecaredorimsaooxidamsauspreoxiduldejaformat.Vitezaacestui
transferesteproportionalacudiferentaconcentratieideoxigenlasuprafataoxidului
(C0)siinfazagazoasa(C*)respectandofunctieF1=h(C*C0)undeh=coeficientulde
transportdemasadegaz.

C*

SiO2

Si

Gaz(O2)
C0

C1

F1

F2

F3

Transportuloxigenuluiprinoxidarelocprindifuziesiesteproportionalcu
gradientulconcentratieidinoxid,respectandfunctia:

;D=coeficientde

difuzieaoxigenuluiinoxiddeSi.
CeadeatreiafunctiedepindedoardeconcentratiadeoxigenF3=KC1;
K=constantacinetica.
Oxidulsefolosestesipentruizolarealateralaintrediferitedispozitivealeunui
circuitintegrat.MaidemultpentrutehnologiapMOSserealizacrestereaunuistratde
oxidfoartegroscaresegravainlocurileincaretrebuiausaseafletranzistoarele.Un
astfeldeprocedeufaceasaaparaodistantaintreSisiOxigenceeacepuneaprobleme
atuncicandsedoreaacoperireaacestorzoneprinmetalizare.
TehnicaLOCOS(LOCalOxidatinSilicone)rezolvaaceastaproblema.Sedepuneun
stratdeNitrurapeSi,nitruraconstituindobarieracontradifuzieioxigenuluichiarsila
temperaturimari.Intimpuloxidarii,oxigenulcrestedoarinafarazoneloractive,
trecereadelaSilaOxigenrealizandusemaitreptat.Sefolosesteunstratfindeoxid

subnitrurapentruarelaxatensiunilemecanicedintreSisinitruradatorare
coeficientilordedilatarediferiti.
DemascadenitrurasepoateprofitapentruaimplantaBorlasuprafataregiunii
detipppentruaseevitaprolemedeinversiedecampcarepotducelascurtcircuitarea
surselorsigrilelortranzistoarelorcircuitului.IntimpulcresteriiLOCOSasistamlao
tendintadedesprindereanitruriicauzatadedifuziaoxigenuluisubnitrurasprela
marginiatuncicandtraverseazastratuldeoxid.RezultaunprofilaloxiduluinumitCioc
depasaredatoritaformeisale.