1.

Oglinzi de curent

1. Oglinzi de curent
Problema 1. Fie oglinda de curent cascod cu tranzistoare MOS din Figura 1.1.
a). S se determine expresiile rezistenelor de intrare i de ieire. Ct este valoarea acestora dac tranzistoarele din schem au urmtoarele valori pentru parametrii de semnal
mic: rDS=100k i gm=1mS.
b). S se dimensioneze M1, M2, M3 i M4 astfel nct Iout=5Iin=100A i Vod1=Vod2=
250mV, iar Vod3=Vod4=220mV. Limea minim a canalului se consider Lmin=0.5m.
c). S se redimensioneze tranzistoarele cascod pentru Vod3=Vod4=180mV. Ce parametru
al oglinzii de curent se schimb pentru noul punct static de funcionare?

Figura 1.1

Rezolvare:
a). Rezistenele vzute la intrarea, respectiv la ieirea circuitului se calculeaz pe baza schemei echivalente de semnal mic. Astfel, pentru a obine Rin ca i raportul dintre tensiunea Vin i
curentul Iin de la intrare, ncepem prin a scrie expresia tensiunii de intrare:
Vin = VDS 1 + VDS 3

(1.1)

n continuare, se scrie tensiunea dren-surs ca i cderea de tensiune pe rezistena dren-surs. Prin urmare, conform legii lui Ohm avem:
VDS 1 = rDS1 (I in g m1VGS1 ) = rDS1 (I in g m1VDS1 )

(1.2)

Deoarece tranzistorul M1 este n conexiune de diod, cu grila i drena conectate mpreun,

avem identiatea VGS1=VDS1. Relaia anterioar poate fi considerat o ecuaie cu necunoscuta
VDS1. Dup rezolvarea acesteia, rezult:

VDS 1 =

rDS 1 I in
1 + g m1rDS1

(1.3)

VDS 3 =

rDS 3 I in
1 + g m 3rDS 3

(1.4)

Similar se obine:

1. Oglinzi de curent

nlocuind VDS1 i VDS3 n expresia lui Vin, iar apoi mprind tensiunea la curentul de intrare,
vom obine rezistena echivalent de intrare a oglinzii cascod:
Rin =

rDS 1
rDS 3
1
1
+

+
1 + g m1rDS1 1 + g m3 rDS 3 g m1 g m3

(1.5)

Expresia rezistenei de ieire a oglinzii cascod este identic cu cea dedus la sursa de curent
cascod:
Rout = rDS 2 + rDS 4 + g m 4 rDS 4 rDS 2

(1.6)

Expresiile aproximative ale Rin i Rout s-au obinut innd cont de ordinul de mrime al parametrilor de semnal mic. Pentru rDS=100k i gm=1mS, rezult:
Rin = 2k ; Rout = 10M

(1.7)

b). Dimensionarea tranzistoarelor ncepe cu gsirea setului coninnd parametrii de referin.

Astfel, n programul de simulare folosit (n cazul nostru Spice) se construiete un proiect cu
un tranzistor NMOS (sau/i PMOS dac este nevoie) conectat n conexiunea de diod, care
are n dren o surs ideal de curent. Att geometria tranzistorului, ct i valoarea curentului
injectat n dren se aleg. Se ruleaz apoi o simulare a punctului static de funcionare i din
fiierul de ieire se citete tensiunea Vod. Setul parametrilor de referin este acum complet, de
exemplu W/L = 5/1, I = 50A i Vod = 240mV.

Pentru dimensionarea tranzistoarelor din schem se scrie ecuaia curentului de dren pentru
setul de referin i apoi pentru noul punct static de funcionare dorit, iar prin mprirea acestora (scalare) se gsete raportul W*/L*. Operaia se repet pentru fiecare tranzistor.

k 5

2
50A = 2 1 (240mV )

20A = k W1 (250mV )2

2 L1

W1 0.9
=
L1 0.5

(1.8)

Deoarece prin ramura de ieire a oglinzii trece un curent de cinci ori mai mare dect cel din
ramura de intrare, iar tensiunile de overdrive pentru M1 i M2 sunt egale, rezult c geometria
tranzistorului M2 este:
W2
0.9 4.5
= 5
=
L2
0.5 0.5

(1.9)

Se repet procedura de scalare i pentru M3:

k 5

2
50A = 2 1 (240mV )

20A = k W3 (220mV )2

2 L3

W3 1.2 W4
6
;
=
=
L3 0.5 L4 0.5

(1.10)

1. Oglinzi de curent

c). Dac se modific tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascod, atunci este necesar o
nou scalare pentru a le dimensiona:

k 5

2
50A = 2 1 (240mV )

*
20A = k W3 (180mV )2

2 L*3

W3* 1.8 W4*

9
; * =
=
*
L3 0.5 L4 0.5

(1.11)

Din formula transcoductanei de semnal mic a unui tranzistor MOS se tie c gm este invers
proporional cu Vod. Prin urmare, pstrnd curentul constant, odat cu scderea tensiunii de
overdrive transconductana va crete. Astfel, micornd Vod3 i Vod4 de la 220mV la 180mV,
vom obine o cretere a gm3 i gm4 de aproximativ 1.22 ori fa de cazul iniial. Astfel, Rout a
oglinzii se va mri cu acelai raport.
Problema 2. Fie oglinda de curent cascod de joas tensiune implementat cu tranzistoare
MOS din Figura 1.2.

a). S se determine expresiile rezistenelor de intrare i de ieire. Ct este valoarea acestora, dac rDS=100k i gm=1mS?
b). S se dimensioneze M1, M2, M3 i M4 astfel nct Iout=2Iin=40A i Vod1=Vod2=Vod3=
Vod4=240mV. Limea minim se consider Lmin=0.25m.
c). S se dimensioneze rezistena pasiv R pentru VS3=350mV i Iref =Iin, unde VS3 este potenialul din sursa tranzistorului M3.

Figura 1.2

Rezolvare:
a). Pentru calculul rezistenelor Rin i Rout folosim schema echivalent de semnal mic de la
problema anterioar, dar inem cont de conexiunile diferite din grilele tranzistoarelor atunci
cnd scriem expresiile tensiunilor gril-surs.

Vin = VDS 1 + VDS 3

(1.12)

Tensiunea dren-surs VDS1 se poate scrie:

VDS 1 = rDS1 (I in g m1VGS1 ) = rDS1 (I in g m1Vin )
Similar, tensiunea VDS3 se scrie:

(1.13)

1. Oglinzi de curent

VDS 3 = rDS 3 (I in g m 3VGS 3 )

(1.14)

Tensiunea VGS3 se poate scrie n funcie de Vin i Iin:

VGS 3 = VG 3 VS 3 = 0 VDS1 = rDS1 (I in g m1Vin )

(1.15)

nlocuind VGS3 n expresia tensiunii VDS3, obinem:

VDS 3 = rDS 3 I in + g m3 rDS 3rDS 1 (I in g m1Vin )

(1.16)

n continuare se nlocuiesc VDS1 i VDS3 n expresia tensiunii de intrare i se mparte Vin la curentul de intrare Iin. Rezult expresia rezistenei de intrare:
Rin =

rDS 1 + rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS1

1

= 1k
1 + g m1rDS 1 + g m 3rDS 3 g m1rDS1 g m1

(1.17)

Rezistena de ieire este identic cu cea a oglinzii de curent cascod clasic, iar pentru valorile
gm i rDS specificate are valoarea de 10M.
b). Pentru dimensionarea tranzistoarelor folosim aceiai parametri de referin ca i la problema anterioar: Wref/Lref = 5/1, Iref = 50A i Vodref = 240mV. Se observ c tensiunea de
overdrive de referin este egal cu cea dorit pentru M1, M2, M3 i M4. Drept urmare, W/L al
acestor tranzistoare se obine din geometria tranzistorului de referin prin scalarea cu raportul
dintre curenii de dren.
W1 W3 Wref I1
0.5
=

=
=
L1 L3 Lref I ref 0.25

W2 = W4 = 2 0.5 = 1
L2 L4
0.25 0.25

(1.18)

c). Valoarea rezistenei R se calculeaz astfel:

R=

VS 3 350mV
=
= 17.5k
I ref
20A

(1.19)

Problema 3. S se determine rezistenele de intrare i de ieire ale oglinzii Wilson simple cu

tranzistoare MOS din Figura 1.3.

Figura 1.3

1. Oglinzi de curent

Rezolvare:

Pentru calculul rezistenelor Rin i Rout folosim schema echivalent de semnal mic. Deoarece
oglinda Wilson utilizeaz o reacie negativ de tip paralel-serie, rezistena de intrare Rin se
obine pasiviznd ieirea (Vout = 0 conform modelului Norton), iar pentru Rout se pasivizeaz
intrarea (Iin = 0 conform modelului Thevenin).

Rezistena de ieire
Vout = VDS 2 + VDS 3

(1.20)

n primul pas exprimm tensiunea VDS2 n funcie de parametrii de semnal mic i curentul Iout.
Se va ine cont de conexiunea de diod a tranzistorului M2.
VDS 2 = rDS 2 (I out g m 2VGS 2 ) = rDS 2 (I out g m 2VDS 2 ) VDS 2 =

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.21)

n pasul al doilea determinm expresia tensiunii VDS3:

VDS 3 = rDS 3 (I out g m 3VGS 3 )

(1.22)

unde tensiunea gril-surs a tranzistorului M3 este:

VGS 3 = VG 3 VS 3 = VDS1 VDS 2 = VDS1

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.23)

n pasul urmtor trebuie s exprimm tensiunea VDS1 n funcie de parametrii de semnal mic i
Iout. Pentru aceasta inem cont de faptul c VGS1=VGS2=VDS2 i Iin=0.
VDS 1 = rDS1 (I in g m1VGS1 ) = g m1rDS 1VDS 2 = g m1rDS 1

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.24)

n continuare nlocuim expresia tensiunii VDS1 n VGS3, iar apoi VGS3 n VDS3 pentru a obine:

1 + g m1rDS1

VDS 3 = rDS 3 I out 1 + g m 3rDS 2

1 + g m 2 rDS 2

(1.25)

n final se nlocuiesc expresiile tensiunilor VDS2 i VDS3 n Vout i se obine rezistena de ieire
mprind Vout la Iout:
Rout =

Vout
rDS 2
1 + g m1rDS 1
=
+ rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2
I out 1 + g m 2 rDS 2
1 + g m 2 rDS 2

(1.26)

Expresia simplificat a rezistenei Rout rezult innd seama de aproximarea gm >>1/rDS.

Rout

g m1 g m3 rDS1rDS 3
gm2

(1.27)

1. Oglinzi de curent

Rezistena de intrare

Pentru deducerea rezistenei Rin vom ine seama de urmtoarea egalitate:

VGS1 = VGS 2 = VDS 2

(1.28)

Demonstraia ncepe cu egalarea tensiunii de ieire Vout cu zero conform modelului echivalent
Norton, condiie necesar pentru calculul rezistenei echivalente de intrare la circuitele cu
reacie negativ de tip paralel-serie.
Vout = 0 VDS 3 + VGS 1 = 0

(1.29)

Tensiunea dren-surs a tranzistorului M3 se scrie:

VDS 3 = rDS 3 (I out g m 3VGS 3 )

(1.30)

n urmtorul pas trebuie gsit expresia curentului Iout. Examinnd schema echivalent de
semnal mic, curentul de ieire se scrie dup cum urmeaz:
I out = g m 2VGS 2 +

VDS 2
1

= VGS 1 g m 2 +
rDS 2
rDS 2

(1.31)

n acest moment se poate nlocui expresia curentului Iout n expresia tensiunii VDS3. Noua
expresie VDS3 se introduce n relaia (1.29). n final, dup efectuarea calculelelor se obine tensiunea VGS1 ca i o funcie de VGS3:

VGS1 =

g m 3VGS 3
1
1
gm2 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.32)

Tensiunea Vin se scrie ca i cderea de tensiune pe rezistena dren-surs a tranzistorului M1:

Vin = rDS 1 (I in g m1VGS 1 ) = rDS1 I in g m1rDS 1

g m3VGS 3
1
1
gm2 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.33)

n urmtorul pas ne propunem s exprimm VGS3 ca i o funcie dependent de Vin. Din analiza
circuitului cu tranzistoare se vede c tensiunea gril-surs a tranzistorului M3 poate fi scris
astfel:

VGS 3 = Vin VGS1 = Vin

g m3VGS 3
1
1
gm2 +
+
rDS 2 rDS 3

Din relaia de mai sus se obine VGS3 n funcie de Vin:

(1.34)

1. Oglinzi de curent

gm2 +
VGS 3 = Vin

rDS 2

g m 2 + g m3 +

1
rDS 2

1
rDS 3
+

(1.35)

rDS 3

Ne rentoarcem la expresia lui Vin n care nlocuim VGS3 din ecuaia (1.35). Rezult:
VGS 3 = rDS1 I in Vin

g m1 g m 3 rDS1
1
1
g m 2 + g m3 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.36)

Dup separarea tensiunii Vin i a curentului Iin n cei doi membrii ai ecuaiei se obine:
Rin =

Vin
=
I in 1 +

rDS 1
g m1 g m3 rDS1
1
1
g m 2 + g m3 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.37)

Dac facem aproximarea gm >> 1/rDS, obinem expresia simplificat a rezistenei de intrare.
Rin

g m 2 + g m3
g m1 g m3

(1.38)

Problema 4. S se determine rezistenele de intrare i de ieire ale oglinzii Wilson echilibrate

cu tranzistoare MOS din Figura 1.4.

Figura 1.4

Rezolvare:

Rezistena de intrare

Pentru deducerea rezistenelor Rin i Rout vom ine seama de egalitile tensiunilor: VGS1=VGS2=
VDS2 i VGS4=VDS4. Rezistena de intrare se calculeaz pentru Vout=0 iar rezistena de ieire
pentru Iin=0.
n urma analizei circuitului cu tranzistoare se poate scrie urmtoarea egalitate:
Vin = VDS 1 + VDS 4

(1.39)

1. Oglinzi de curent

Tensiunea VDS4 poate fi scris dup cum urmeaz:

VDS 4 = rDS 4 (I in g m 4VGS 4 ) = rDS 4 (I in g m 4VDS 4 ) VDS 4 =

rDS 4 I in
1 + g m 4 rDS 4

(1.40)

Tensiunea VDS1 este:

VDS 1 = rDS1 (I in g m1VGS1 )

(1.41)

n expresia tensiunii VDS1 trebuie s nlocuim VGS1, considerat necunoscut. Calculele se ncep de la condiia Vout = 0. Tensiunea de ieire se poate exprima conform structurii de circuit
astfel:
Vout = VDS 2 + VDS 3 = 0 VGS1 + VDS 3 = 0

(1.42)

VDS 3 = rDS 3 (I out g m 3VGS 3 )

(1.43)

unde tensiunea VDS3 este:

Mai avem nevoie de expresia curentului Iout. Pentru aceasta, conform schemei echivalente de
semnal mic, putem scrie urmtoarea egalitate:
I out = g m 2VGS 2 +

VDS 2
1

= VGS 1 g m 2 +
rDS 2
rDS 2

(1.44)

Acum suntem n msur s nlocuim expresia curentului Iout n cea a tensiunii VDS3, apoi noua
expresie a tensiunii VDS3 n ecuaia (1.42). Astfel, vom obine o relaie ntre VGS3 i VGS1.
gm2 +
VGS 3 = VGS1

1
rDS 2
g m3

1
rDS 3

(1.45)

Totodat, tensiunea gril-surs a tranzistorului M3 se mai poate scrie:

VGS 3 = VG 3 VS 3 = Vin VGS 2 = Vin VGS1

(1.46)

Egalnd ultimele dou relaii, se obine tensiunea VGS1 ca i o funcie de tensiunea de intrare:
VGS1 =

g m3Vin
1
1
g m 2 + g m3 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.47)

Introducnd expresia VGS1 n expresia tensiunii VDS1 dat de ecuaia (1.41) rezult.

g m1 g m3Vin
VDS 1 = rDS1 I in

1
1
+
g m 2 + g m3 +

rDS 2 rDS 3

(1.48)

1. Oglinzi de curent

In final, se introduce expresia tensiunii VDS1 n ecuaia (1.39). Rezult o relaie care conine,
pe lng parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor, doar Vin i Iin.
Vin =

rDS 4 I in
g m1 g m 3rDS1Vin
+ rDS1 I in
1
1
1 + g m 4 rDS 4
g m 2 + g m3 +
+
rDS 2 rDS 3

(1.49)

Dac rearanjm termenii n aceast ecuaie astfel nct s putem calcula raportul dintre Vin i
Iin, vom obine rezistena de intrare de forma:
rDS 4
V
1 + g m 4 rDS 4
Rin = in =
g m1 g m3 rDS1
I in 1 +
1
1
g m 2 + g m3 +
+
rDS 2 rDS 3
rDS 1 +

(1.50)

Se pot face aproximri i n acest caz, similar ca i la oglinda de curent Wilson simpl, rezultnd expresia simplificat a rezistenei Rin.
Rin

g m 2 + g m3
g m1 g m3

(1.51)

Rezistena de ieire

Se scrie tensiunea de ieire n funcie de tensiunile dren-surs ale tranzistoarelor M2 i M3:

Vout = VDS 3 + VDS 2

(1.52)

Tensiunea VDS2 se scrie:

VDS 2 = rDS 2 (I out g m 2VGS 2 ) = rDS 2 (I out g m 2VDS 2 ) VDS 2 =

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.53)

Tensiunea VDS3 este:

VDS 3 = rDS 3 (I out g m 3VGS 3 )

(1.54)

Ne propunem s exprimam VGS3 n funcie de parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor i

Iout. Pentru aceasta scriem urmtoarea relaie dintre tensiuni:
Vin = VGS 3 + VDS 2

VGS 3 = Vin

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.55)

n acest punct al demonstraiei trebuie s determinm tensiunea Vin. Analiznd circuitul cu

tranzistoare se poate scrie tensiunea de intrare dup cum urmeaz:
Vin = VDS 4 + VDS1 = rDS 4 (I in g m 4VGS 4 ) + rDS1 (I in g m1VGS1 )

(1.56)

1. Oglinzi de curent

tiind c pentru calculul rezistenei de ieire se pasivizeaz intrarea, adic n cazul acestei
configuraii de circuit avem Iin = 0, ecuaia de mai sus devine:
Vin = g m 4 rDS 4VGS 4 g m1rDS1VGS1

(1.57)

Mai tim c VGS1=VGS2=VDS2, iar expresia tensiunii dren-surs a tranzisorului M2 a fost dat
n ecuaia (1.53). Prin urmare, tensiunea Vin se poate rescrie:
Vin = g m 4 rDS 4VGS 4 g m1rDS1VDS 2 = g m 4 rDS 4VGS 4 g m1rDS1

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.58)

unde tensiunea gril-surs a tranzistorului M4 poate fi determinat astfel:

VGS 4 = VG 4 VS 4 = Vin VDS1

(1.59)

Totodat, tensiunea VDS1 are urmtoarea form:

VDS 1 = rDS1 (I in g m1VGS1 ) = g m1rDS 1

rDS 2 I out
1 + g m 2 rDS 2

(1.60)

n urmtorul pas nlocuim VDS1 n expresia tensiunii VGS4 i apoi recalculm VGS4 din expresia
tensiunii Vin. Astfel, obinem relaia dintre tensiunea de intrare i curentul de ieire:

g r r I
Vin = g m 4 rDS 4 Vin + m1 DS1 DS 2 out
1 + g m 2 rDS 2

g m1rDS 1rDS 2 I out

1 + g m 2 rDS 2

(1.61)

Dup rearanjarea termenilor i efectuarea calculelor, ecuaia (1.61) duce la urmtoarea expresie a tensiunii Vin:
Vin =

g m1rDS 1rDS 2 I out

1 + g m 2 rDS 2

(1.62)

Avnd Vin, putem s o nlocuim n expresia tensiunii VGS3 din ecuaia (1.55). Rezult:
VGS 3 = I out

rDS 2 (1 + g m1rDS1 )
1 + g m 2 rDS 2

(1.63)

Dac nlocuim VGS3 n expresia tensiunii VDS3 din ecuaia (1.54), obinem:

1 + g m1rDS 1

VDS 3 = I out rDS 3 1 + g m3 rDs 2

1
g
r
+
m 2 DS 2

(1.64)

nlocuind expresiile VDS3 i VDS2 n ecuaia (1.52), rezult:

1 + g m1rDS 1
rDS 2

Vout = I out rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2

+
1
g
r
1
g
r
+
+
m 2 DS 2
m 2 DS 2

Rezistena de ieire a oglinzii se scrie:

10

(1.65)

1. Oglinzi de curent

Rout =

Vout
1 + g m1rDS 1
rDS 2
= rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2
+
I out
1 + g m 2 rDS 2 1 + g m 2 rDS 2

(1.66)

g m1 g m3 rDS1rDS 3
gm2

(1.67)

Forma aproximativ este:

Rout
Problema 5. Se d circuitul din Figura 1.5.

a). S se identifice toate oglinzile de curent i s se specifice tipul acestora;

b). S se determine curenii pe fiecare ramur de circuit.

Figura 1.5

Rezolvare:

Circuitul este format din mai multe structuri de oglinzi de curent:

M1-M2 oglind simpl de curent PMOS, avnd ctigul n curent n=1 I2=Iref;
M1-M3 i M1-M4 oglinzi simple de curent PMOS, n=0.5 I3=I4=Iref/2 i I7=I8=I3+I4=
Iref;
M5-M6-M7-M8-M9-M10 oglind de curent cascod NMOS de joas tensiune (M6 n regim liniar), n=2 I9=I10=2Iref;
M11-M12-M13-M14 oglind de curent cascod PMOS, n=4 I11=I12=2Iref, I13=I14=8Iref;
Q1-Q2a-Q2b oglind de curent NPN bipolar cu degenerare rezistiv, n=2 IQ2=16Iref;
M15-M16-M17-M18 oglind de curent PMOS Wilson echilibrat, n=3 I16=I18=48Iref;
Q3-Q4-Q6-Q7 oglind de curent cascod NPN bipolar, n=1 IQ4=IQ7=48Iref;
Q3-Q55-Q6-M8 oglind de curent cascod NPN bipolar, n=1 IQ5=IQ8=48Iref;
M19-M20-M21-M23-M24-M25 oglind de curent cascod PMOS de joas tensiune (M19 n
regim liniar), n=1 I21=I25=48Iref;
M19-M20-M22-M23-M24-M26 oglind de curent cascod PMOS de joas tensiune (M19
n regim liniar), n=1 I22=I26=48Iref;
M27-M28-M29-M30-M31-R oglind de curent cascod NMOS de joas tensiune, n=1/3
I29=I31=16Iref;
M32-M33 i M32-M34 oglinzi simple de curent PMOS, n=1 I33=I34=16Iref i Iout=I33+
I34=32Iref=640A.

11

1. Oglinzi de curent

Problema 6. Fie oglinda de curent cascod cu ieiri multiple din Figura 1.6.

a). Calculai curentul prin ramura de intrare, astfel nct Rin a oglinzii de curent s fie de
3k. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascod se dorete s fie 205mV, iar
pentru restul tranzistoarelor de 265mV.
b). S se dimensioneze tranzistoarele Mcas i Mbias, pentru a avea curenii I1=6Iin, I2=3Iin i
I3=2Iin.

Figura 1.6

Pentru scalri se folosete setul de referin: Iref=50A, Vodref =240mV i (W/L)ref =5m/1m.
Se recomand ca limea canalului la tranzistoarele cascod s fie 0.5m, iar pentru restul
1m.
Rezolvare:
a). Expresia rezistenei de intrare a oglinzii de curent cascod este:

Rin

1
g mcas

1
g mbias

Vodcas Vodbias
+
2 I in
2 I in

(1.68)

tiind valorile numerice ale rezistenei Rin i ale tensiunilor de overdrive, rezult curentul prin
ramura de intrare, Iin=75A.
b). Folosind setul parametrilor de referin, se pot face scalri pentru a dimensiona tranzistoarele. Astfel, pentru tranzistorul cascod Mcas putem scrie:

50A =

75A =

k 5
2
(240mV )
2 1
k Wcas
2
(205mV )
2 Lcas

Wcas 5.1
=
Lcas 0.5

(1.69)

Pentru tranzistorul Mbias din ramura de intrare a oglinzii facem urmtoarea scalare:

50A =

75A =

k 5
2
(240mV )
2 1
k Wbias
2
(265mV )
2 Lbias

12

Wbias 6.2
=
Lbias
1

(1.70)

1. Oglinzi de curent

b). Se observ c valorile curenilor din ramurile de ieire ale oglinzii sunt multiplii ntregi ai
curentului de intrare. Astfel, dimensiunile tranzistoarelor de ieire vor fi:

W2b
W3b
6.2
6.2
6.2
W1b
L = 6 1 ; L = 3 1 ; L = 2 1
1b
2b
3b

W1c = 6 5.1 ; W2c = 3 5.1 ; W3c = 2 5.1

L1c
L2 c
L3c
0.5
0.5
0.5

13

(1.71)