PROBLEME

Dispozitive microoptoelectronice
1. Conentraia electronilor ntr-un semiconductor este egal cu 1016 m-3. Determinai
concentraia golurilor, dac concentraia intrinsec la aceiai temperatur este egal cu
1016 m-3
2. Determinai rezistena specific a semiconductorului de tipul n , dac concentraia
electronilor este egal cu 1022 m-3, iar mobilitatea n=0,5 m2/Vs
3. La intensitatea cmpului electric 100 V/m densitatea curentului este egal cu 6*10 4 A/m2 .
determinai concentraia electronilor de conducie dac mobilitatea n=0,375 m2 /Vs.
Curentul golurilor poate fi omis.
4. La o bar de arsenur de galiu cu lungimea 50 mm este aplicat tensiunea de 50 V.
Determinai timpul n care electronul va parcurge proba, dac mobilitatea este egal cu
n=0,9 m2/Vs.
5. Determinai lungimea de difuzie a golurilor n Ge de tipul n, dac timpul de via p=104
s , iar coeficientul de difuzie Dp=4,8*10-3 m2/s
6. Determinai timpul de via i mobilitatea golurilor n germaniu la temperatura de 300K,
dac lungimea de difuzie a electronilor Ln= 1,5mm coeficientul de difuzie Dn=9,8*10-3
m2/s.
7. La doparea materialului semiconductor cu impuriti donore timpul de via a purttorilor
de sarcin n exces sa micorat de 5 ori, iar mobilitatea sa micorat cu 30%. Determinai
de cte ori sa modificat lungimea de difuzie a golurilor
8. La o bar de GaAs cu lungimea 50mm este aplicat o tensiune de 50V. n cit timp
electronul va parcurge bara, dac mobilitatea electronilor n=0,9m2/Vs.
9. ntr-o jonciune abrupt cu suprafaa S = 10 -6 m2 concentraia impuritii acceptore n
regiunea p Na = 1024 m-3, concentraia impuritii donore n regiunea n N d = 1022 m-3.
Mobilitatea golurilor p = 0,2 m2 / Vs, Mobilitatea electronilor 0,4 m2 / Vs, lungimile de
difuzie a purttorilor de sarcin minoritari: Lp = 2 10-4 m, Ln = 3 10-4 m,
permeabilitatea dielectric a materialului = 16, concentraia intrinsec n i = 1019 m-3. De
calculat la temperatura T = 300 K:
a) Concentraia purttorilor de sarcin minoritari i majoritari;
b) Conductibilitatea specific a regiunilor p i n;
c) nlimea barierei de contact;
d) Coeficienii de difuzie a purttorilor de sarcin;
e) Curentul de saturaie I0;
f) Limea regiunii sarcinilor spaiale la tensiunea invers 10 V;
g) Capacitatea de barier la tensiunea invers 10 V;
h) Raportul dintre curenii golurilor i electronilor.
10. Jonciunea p-n din germaniu are urmtorii parametri: ND=103 NA, iar la fiecare 108 atomi
de germaniu revine 1 atom de impuritate. S se calculeze pentru temperatura T=300K
diferena intern de potenial a jonciunii BO, lrgimea total a regiunii sarcinii spaiale
la echilibru l0. Care este extinderea acesteia n cele dou regiuni ln0 i lpo?

11. S se calculeze pentru temperatura T=300K diferena intern de potenial BO i lrgimea

total a regiunii sarcinii spaiale la l0 pentru o jonciune din germaniu cu rezistena
specific a regiunilor p=2 cm i nn= 1 cm.
12. S se calculeze pentru temperatura T=300K diferena intern de potenial BO i lrgimea
total a regiunii sarcinii spaiale la l0 pentru o jonciune din germaniu cu conductibilitatea
specific a regiunii p- p=104 s/m i a regiunii n- n=102s/m
13. Pentru tranzistorul p-n-p este dat: Ipe = 1 mA; Ine = 0,01 mA; Ipc = 0,98 mA; Inc = 0,001
mA. De calculat:Coeficienii de amplificare a curenilor pentru conectarea tranzistorului cu
baz comun i emitor comun;Eficiena emitorului, coeficientul de transfer n baz, eficiena
colectorului
14. O diod este conectat cu o surs de tensiune E=20 V, o rezisten R=10 k .Dioda este
polarizat direct,curentul de saturaie a diodei Io=10 A. Determinai valorile curentului i
cderii tensiunii pe diod.
15. ntr-o jonciune abrupt cu suprafaa S = 10-6 m2 concentraia impuritii acceptore n
regiunea p Na = 1024 m-3, concentraia impuritii donore n regiunea n Nd = 1022 m-3,
concentraia intrinsec ni = 1019 m-3.
De calculat la temperatura T = 300 K: a)
Concentraia purttorilor de sarcin minoritari i majoritari; b) nlimea barierei de contact;
16. Jonciunea p-n are urmtoarele parametri: N D = 103 NA, i la fiecare 108 atomi de germaniu
revine un atom a impuritii acceptate. Determinai fC dac concentraia atomilor de
germaniu NGe = 4,4 1022 cm-3 iar ni = 2,5 1013 cm-3 . Temperatura T = 300 K.
17. Rezolvai problema precedent pentru siliciu, dac NSi = 5 1022 cm-3 , iar ni = 1010 cm-3
18. Rezistena specific a regiunii p pentru o jonciune de germaniu p = 2 cm, iar pentru
regiunea n n = 1 cm. Determinai nlimea barierei de contact pentru T = 300 K.
19. Curentul de saturaie a diodei I0 = 1 A. Determinai tensiunea aplicat la diod dac curentul
I = 1 mA; 1 A.
20. Cu ct e necesar de mrit tensiunea aplicat la diod pentru a mri curentul direct de 10; 100
ori
21.O diod ideal are curentul de saturaie I0 = 10 A i tensiunea aplicat 0,5 V. Calculai
raportul dintre curentul direct i invers pentru temperatura de 300 K.
22.La o jonciune p-n ideal s-a determinat experimental urmtoarele puncte ale
caracteristicii statice:
IF1 = 10 nA, VF1 = 0,3 V
IF2 = 100 nA, VF2 = 0,41 V

S se gseasc expresia analitic a caracteristicii statice n domeniul de cureni considerat.

23O diod varicap realizat cu jonciunea abrupt prezint urmtoarele capaciti la diferite
tensiuni de polarizare invers:
C1 = 10pF, UR1 = 1V

C2 = 3pF, UR2 = 20V

S se calculeze valoarea C0 pentru U=0.
24.La tensiunea direct de 1 V curentul admisibil prin diod este de 50 mA. Dac dioda va fi
conectat consecutiv cu R = 100, care va fi tensiunea maximal a sursei?
25.Capacitatea de barier a jonciunii abrupte este de 200 pF la tensiunea invers de 2V. Ce
tensiune e necesar de aplicat, ca capacitatea s se micoreze cu 50 pF, dac potenialul de
contact c = 0,82 V ?
26. Capacitatea de barier a jonciunii p-n abrupte este egal cu 25 F la tensiunea invers de
5V. Cu ct se va modifica capacitatea, dac tensiunea se va mri pn la (Uinv) egal cu 7 V?

27.Tranzistorul p-n-p este conectat ntr-un circuit cu emitor comun. Care este regimul de
lucru?
a)UBE = - 0,4 V, UCE = -0,3 V
b)UBE = 0,4 V, UCE = -0,3 V
c)UBE = - 0,4 V, UCE = -10 V
d)UBE = 0,4 V, UCE = -10 V
28.Tranzistorul p-n-p este conectat cu baz comun. UEB = -0,5 V, UCB = 12V. De aflat UCE.
29.Tranzistorul p-n-p este conectat cu emitorul comun. UBE = -0,8 V, UCE = -10V. Determinai
UCB.
30.O diod are curentul de saturaie I 0 = 10 A i tensiunea aplicat 0.5 V. Calculai raportul
dintre curentul direct i invers pentru temperatura de 300 K.
31.Curentul direct n dioda de Si I=1 mA. Calculai mrimea lungimii de difuzie a
purttorilor de sarcin, dac capacitatea de difuzie Cd = 1 F. Presupunem c concentraia
impuritilor n regiunea p este cu mult mai mare dect n regiunea n.
32.Calculai semnalul de ieire n circuitul:

33.O diod ideal are curentul de saturaie I0 = 10 A i tensiunea aplicat 0,5 V. Calculai
raportul dintre curentul direct i invers pentru temperatura de 300 K.
34.La o jonciune p-n ideal s-a determinat experimental urmtoarele puncte ale
caracteristicii statice:
IF1 = 10 nA, VF1 = 0,3 V
IF2 = 100 nA, VF2 = 0,41 V
S se gseasc expresia analitic a caracteristicii statice n domeniul de cureni considerat.
35.La tensiunea direct de 1 V curentul admisibil prin diod este de 50 mA. Dac dioda va fi
conectat consecutiv cu R = 100, care va fi tensiunea maximal a sursei?
36.Capacitatea de barier a jonciunii abrupte este de 200 pF la tensiunea invers de 2V. Ce
tensiune e necesar de aplicat, ca capacitatea s se micoreze cu 50 pF, dac potenialul de
contact c = 0,82 V ?
37. Capacitatea de barier a jonciunii p-n abrupte este egal cu 25 F la tensiunea invers de
5V. Cu ct se va modifica capacitatea, dac tensiunea se va mri pn la (Uinv) egal cu 7 V?
38. Curentul de saturaie a contactului metal-semiconductor I0=2A. Contactul este conectat
cu un rezistor R i o surs de tensiune continu U s=0,2V. Determinai valoarea rezistenei R,
dac cderea de tensiune pe el este UR=0,1V, T=300K.
39. O jonciune abrupt este conectat la o tensiune variabil cu amplituda 0,5V. Capacitatea
maximal este de 2pF. Determinai nlimea barierii decontact i capacitatea minimal, dac
n lipsa tesniunii capacitatea era cu 1pF.
40.Tranzistorul n-p-n este conectat ntr-un circuit cu emitor comun. Care este regimul de lucru?
a) UBE = - 0,4 V, UCE = -0,3 V
b) UBE = 0,4 V, UCE = -0,3 V
c) UBE = - 0,4 V, UCE = -10 V
d) UBE = 0,4 V, UCE = -10 V
41.Tranzistorul p-n-p este conectat ntr-un circuit cu emitor comun. Care este regimul de
lucru?

e) UBE = - 0,4 V, UCE = -0,3 V

f) UBE = 0,4 V, UCE = -0,3 V
g) UBE = - 0,4 V, UCE = -10 V
h) UBE = 0,4 V, UCE = -10 V
42.Tranzistorul n-p-n este conectat ntr-un circuit cu baz comun. Care este regimul de
lucru?
a)
b)
c)
d)

UEB = - 0,4 V, UCB = -0,3 V

UEB = - 0,4 V, UCB = -10 V
UEB = 0,4 V, UCB = -10 V
UEB = - 0,4 V, UCB = -0,4 V