Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

CAPITOLUL VIII
FIZICA SOLIDULUI
8.1 Generaliti
Intr-o prim faz nelegem prin corp solid o substan care are starea de agregare
solid. Starea de agregare solid ni se prezint nou n trei categorii , dup cum
urmeaz:
a. Solidele cristaline, care se caracterizeaz printr-o aranjare spaial regulat a
atomilor sau moleculelor, despre care putem spune c prezint ordine la mare
distan.
b. Solide amorfe, constituie categoria de corpuri care au o aezare dezordonat a
atomilor i moleculelor sau o ordonare pe distane mici,de exemplu texturi
cristaline, raportnd aceste distane la constantele reelelor cristaline.
c. Solidele mezomorfe , categorie care prezint o ordine la mic distana, obinut de
obicei prin introducerea ntr-un cmp extern a solidului.
Majoritatea corpurilor solide ntlnite n natur sunt cristaline, prezentnd o
aranjare spaial ordonat atomilor sau moleculelor, aranjare care determin
proprieti de periodicitate, n sensul c dac ne deplasm dup o direcie n cristal
vom ntlni la distane egale anumii atomi sau grupuri de atomi.Din punctul de
vedere al proprietilor fizice (conductibilitate termic, electric, proprieti elastice,
proprieti optice), aceast ordine extins n tot cristalul duce la aanumita
anizotropie a acestora , adic proprietile fizice depind de direcia din cristal.
Evident la corpurile amorfe nu vom ntlni acest fenomen, la acestea proprietile
fizice nu depind de direcia din cristal, adic aici avem de-a face cu izotropia
acestora, de asemenea datorit legturilor chimice dintre atomi nu avem o
temperatur de topire bine determinat.
140

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

8.2 Noiuni de cristalografie.

Pentru studiul structurilor cristaline se introduc noiunile de reea i baz.
Reeaua se definete ca fiind locul geometric al punctelor din spaiu care sunt
determinate de vectorul







Rm =m 1 a1 + m 2 a 2 + m 3 a 3

(8.1)

cu indicii mi , i = 1,2 ,3 numere ntregi. Punctele definite de relaia (8.1) se numesc

nodurile reelei, iar a1 ,a2 ,a3 sunt trei vectori necoplanari numii vectori
fundamentali ai reelei.

Dac fiecrui nod din reea i atam un atom sau un grup de atomi, acetia poart




numele de baz. Mrimile a1 , a2 , a3 se numesc constantele reelei.
Acea formaiune din reea cu ajutorul creia putem genera ntreg cristalul prin
translaie dup direciile vectorilor fundamentali poart numele de celul
elementar. Cele trei direcii din spaiu care coincid cu direciile vectorilor

fundamentali definesc axele cristalografice.

Intruct n solidele cristaline apare aceast ordonare periodic a atomilor sau
moleculelor, fiecrei reele i vor fi specifice anumite elemente de simetrie, care
constau n axe de simetrie, plane de simetrie , centre de simetrie (inversie), etc.
Tinnd cont de acestea, s-a constatat c exist un numr de apte sisteme
cristalografice sau apte singonii care se cracterizeaz prin urmtoarele tipuri de

celule elementare.

Figura 8.1 Celula elementar tridimensional

1.Sistemul triclinic are urmtoarele caracteristici:

141

a1 a2 a3

12 23 31

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

2.Sistemul
parametri:

monoclinic-cu






a1 a2 a3

celul

elementar

care

are

urmtorii

12 23 = 31 = 900

3 Sistemul ortorombic care are ca celul elementar un paralelipiped drept cu baza

a1 a2 a3
un dreptunghi
12 = 23 = 31 = 900






a1 = a 2 a3
4.Sistemul hexagonal-caracterizat prin:
12 = 600 sau1200 23 = 31 = 900






a1 = a2 = a3
5.Sistemul romboedric(trigonal)-pentru care
12 = 23 = 31 900
6.Sistemul tetragonal(ptratic) cu parametrii de reea:






a1 = a2 a3

12 = 23 = 31 = 900
7.Sistemul cubic cu simetria cea mai nalt

a1 = a2 = a3

12 = 23 = 31 = 900

Prin adugarea de atomi pe baze, pe fee sau n centrul celulei elementare se obin
configuraii cu baze centrate (BC), fee centrate (FC) sau volum centrat (VC), astfel
c n cadrul celor apte singonii pot fi definite un numr total de 14 tipuri de celule
elementare numite i reele Bravais.

8.2.1 Direcii i plane n reeaua cristalin.

O direcie cristalin este determinat de dreapta care trece prin cel puin dou
noduri ale reelei. O direcie cristalin este simbolizat prin trei indici [n1n2 n3 ] , care
sunt indicii nodului cel mai apropiat fa de alt nod luat ca origine i care se gsesc
pe direcia respectiv, astfel c fa de aceast origine vectorul de poziie al nodului
coprespunztor este:








Rn = n1a1 + n2 a2 + n3a3

(8.2)

142

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Fiind nodul cel mai apropiat fa de origine, acet indici vor fi numere prime ntre
ele.
Un plan cristalografic este un plan imaginar care conine cel puin trei noduri ale
reelei. Pentru simbolizarea planelor cristalografice se folosesc indicii Miller. Indicii
Miller sunt cele mai mici numere ntregi h : k : l care se gsesc ntre ele n aceleai
rapoarte ca i

1
1
1
, unde p1 , p2 , p3 sunt distane exprimate n uniti de
:
:
p1 p 2 p 3

constant de reea msurate pe cele trei axe cristalografice, de la un nod luat ca

origine pn la fiecare punct n care planul cristalografic intersecteaz aceste axe.

Figura 8. 2 Plan cristalografic

De exemplu dac avem o reea ortorombic i un plan ca n figura 2, atunci

p1 = 2 , p2 = 2 , p3 = 1
Trebuie s avem deci:

h :k :l =

1 1 1
: : i deci planul nostru va avea indicii Miller (hkl ) ( 112 ) .
2 2 1

Trebuie menionat c datorit simetriei de translaie, direcia i planul cristalografic

conin o infinitate de noduri.
143

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

8.2.2 Reeaua reciproc

Un vector definit ca Rm = m1a1 + m 2 a 2 + m3 a 3 , unde a1 ,a 2 ,a 3 sunt vectorii

reelei directe, poart numele de vector al reelei directe.

In cristalografie se introduce i reeaua reciproc (sau invers) care are ca
vectori fundamentali urmtorii vectori:

















a 2 a3
a 3 a1
a1 a 2
b1 = 2
; b2 = 2
; b3 = 2
(8.3)
V0
V0
V0












cu V0 = a1 (a2 a3 ) = a2 (a3 a1 ) = a3 (a1 a2 ) volumul celulei elementare. Lund
pentru exemplificare aceeai reea ortorombic i introducnd versorii celor trei axe














cristalografice i , j ,k astfel c a1 = a1i ,a2 = a2 j ,a3 = a3k se obine conform cu
relaiile de mai sus:

2

2

2

b1 =
i ; b2 =
j ; b3 =
k , adic reeaua reciproc pentru o reea ortorombic
a1
a2
a3

simpl este tot ortorombic simpl.

Un vector definit astfel:








K l = l1b 1 +l2b 2 +l3b 3

(8.4)

poart numele de vector al reelei reciproce.

O proprietate foarte important a vectorului reelei reciproce








K hkl = hb1 + kb2 + lb3

(8.5)

unde h ,k ,l sunt indicii Miller ai planului ( hkl ) , este aceea c acesta este
perpendicular pe acest plan. Aceast proprietate a vectorului reelei reciproce poate
fi demonstrat foarte simplu, artnd c acesta este perpendicular pe cel puin dou
direcii din planul ( hkl ). Dac privim cu atenie figura 8.2, putem alege cele dou
direcii ca n figura 8.3:

144

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Figura 8.3 Vectorul reelei reciproce.

a1 a
2
AB =
h k

a2 a
3
BC =

k
l

(8.6)

Formm produsul scalar dintre vectorul reelei reciproce i vectorii definii n (8.6),
lund spre exemplu o reea ortorombic:




h
k
l
a1
a2

a1 a2
K hkl = 2 i +
j + k0 i
j=0
h
k
a
a
a3 h
k

2
1




h
k
l
a 2
a3

a 2 a3
K hkl = 2 i +
j + k0
j k0 =0
a3 k
l
l
a2
k

a1
Dac produsul scalar a doi vectori este zero, nseamn c cei doi vectori sunt
perpendiculari.

8.2.3 Distana dintre dou plane cristaline

Deoarece indicii Miller sunt cele mai mici numere ntregi care se gsesc ntre ele ca
i rapoartele

1
1
1
:
:
, rezult c prin ( hkl ) simbolizm o familie de plane
p1 p 2 p 3
145

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

care au o anumit orientare n cristal i care sunt paralele ntre ele. Distana
interplanar reprezint distana dintre dou plane paralele cele mai apropiate.Astfel,

deoarece conform cu figura 8.3, planul figurat aici este paralel cu un plan de
referin care conine originea, atunci distana dintre aceste plane este egala cu
lungimea perpendicularei duse din origine pn pe planul ABC . Notnd cu d hkl
distana dintre aceste plane se vede c:




K hkl a1

=
d hkl =

K hkl h

K hkl a 2 K hkl a 3

=

K hkl k
K hkl l

(8.7)

i lund din nou cazul reelei ortorombice simple:

h
k
l

2 i +
j+
k 0
a
a
a
2
3
1
a1

d hkl =
i =
2
2
2
h
h
k
l
2
+
+
2
2
a1 a 2 a 32

1
h

a12

a 22

(8.8)

a 32

Evident pentru o reea cubic simpl (CS) vom avea:

d hkl =

a
2

h +k +l

(8.9)

Cu calcule ceva mai laborioase obinem de exemplu pentru o reea cubic cu volum
centrat (CVC)
d hkl =

a
( h + k ) + (h + l ) + (k + l )
2

(8.10)

sau pentru o reea cubic cu fee centrate (CFC):

d hkl =

( k + k + l )

+ (h k + l ) + (h + k l )
2

(8.11)

8.2.4 Metode experimentale pentru determinat constantele de reea.

Pentru studiul experimental al structurii cristaline se folosete proprietatea c
fiecare familie de plane (hkl ) din cristal, acioneaz ca o reea de difracie care poate
da prin reflexie maxime i minime de difracie, conform cu figura 8.4.
146

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Figura 4. Difracia de raze X

Desigur radiaia care se folosete trebuie s aib o lungime de und comparabil cu

distana d hkl . Apariia maximelor de difracie respect relaia lui Bragg:
2d hkl sin = n

(8.12)

unde n este un numr ntreg.

Cea mai utilizat metod de explorare a structurii cristaline este difracia de raze X,
razele X fiind obinute cu ajutorul unor tuburi electronice speciale numite tuburi
Roentgen. Maximele i minimele de difracie se obin pe filme fotografice, care dup
ce sunt expuse fasciculelor difractate de raze X, se developeaz ca un film fotografic
obinuit, i apoi sunt examinate. Instalaiile folosite pentru aceste operaii poart
numele de difractometre de raze X.
Se mai folosesc de asemenea pentru experimente de difracie fascicule de electroni,
accelerate pn cnd lungimea de und ataat satisface legea lui Bragg.
O metod prin care putem examina aranjarea momentelor magnetice atomice in
cristal este difracia neutronilor pe cristale. Metoda este folosit n special n
cercetare, nefiind o metod relativ uzual precum difracia de raze X. Mai amintim
de asemenea metodele de studiu ale aranjrii atomilor n reeaua cristalin bazate pe
efect Mssbauer.

147

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

8.3 Vibraiile reelei cristaline

Aa dup cum am mai spus corpul solid cristalin const dintr-o aranjare
periodic a atomilor dintr-o substan n nodurile unei reele cristaline. Atomii astfel
plasai nu sunt imobili, ci execut mici oscilaii n jurul unei poziii de echilibru, care
de obicei coincide cu pozitia nodului n reea. Amplitudinea acestor vibraii depinde
de temperatura cristalului, fiind cu att mai mare cu ct temperatura este mai
mare.Din acest motiv , micarea oscilatorie a atomilor din reeaua cristalin se
numete i micare termic. Att din punct de vedere clasic ct i cuantic micarea
de vibraie a unei particule poate fi privit ntr-o prim aproximtie ca fiind o micare
oscilatorie armonic. i deci reeaua cristalin poate fi privit ca un ansamblu de
oscilatori cuplai intre ei.
Dac privim aceti oscilatori din punctul de vedere al mecanicii clasice
obinem calculnd energia interna a oricrui solid U = 3RT cu numrul de
dU
moli,iar pentru cldura molar CV =
= 3 R deci o constant independent

dT V = ct

de temperatur. Datele experimentale arat ns o dependen de temperatur a

cldurii molare la volum constant, mai exact se constat c CV tinde la zero cnd
temperatura tinde spre zero absolut i numai n domeniul temperaturilor nalte
aceasta este aproximativ constant i egal cu 3R . Aceste rezultate demonstreaz c
putem privi atomii din nodurile reelei ca nite oscilatori clasici numai n cazul
particular al temperaturilor nalte, cazul temperaturilor medii i joase nefiind cuprins
de aceast teorie. Aceasta este echivalent cu a spune c mecanica clasic poate fi
aplicat n cazul temperaturilor nalte iar la temperaturi joase trebuie aplicat
mecanica cuantic. Din punctul de vedere al mecanicii cuantice , trebuie s atam
vibratiilor reelei nite particule . Aceste particule se numesc fononi , fononii avnd
energie care este cuantificat i de asemenea impuls. Prin urmare cnd calculm
energia intern a solidului trebuie s nsumm energiile fononilor i este important
s cunoatem ntre ce limite este cuprins aceasta i care este legea de repartitie a
acesteia pe numrul de fononi ai reelei i pe domeniul de frecven.
148

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Exist o serie de experimente prin care fononii au fost pui n eviden. Astfel
la interacia solidului cu radiaie de natur electromagnetic spectrul de absorbie al
acestei energii poate fi explcat n parte prin ciocnirile inelastice dintre fotonii de
radiatie electromagnetic i fononii reelei. Contribuii datorate fononilor pot apare i
la iradierea unui cristal cu fascicule de electroni, neutroni sau alte particule.

8.3.1 Vibraiile reelei unidimensionale

Vom examina in continuare un caz simplu al vibraiilor termice ale unei
reele unidimensionale formate din atomi identici. Reeaua unidimensional const
dintr-un ir unidimensional de atomi de acelai fel, aflai la distana a unul de
cellalt. Notm cu un , un +1 ...deplasrile atomului n, n+1, etc faa de poziiile lor de
echilibru ca n figura 8.5.

Figura 8.5 Reeaua unidimensional

Tot pentru simplitate vom considera ntr-o prim aproximaie numai interaciunea
dintre atomi cu vecinii cei mai apropiai i de asemenea c forele de interaciune
sunt de tip elastic. In aceast aproximaie fora care acioneaz asupra atomului n va
fi:
Fn = (u n +1 u n ) (u n u n 1 )

(8.13)

Aplicnd acum legea dinamicii pentru acest atom:

m

d 2un
dt 2

= mun = (u n+1 + u n1 2u n )

(8.14)

Vibraia atomilor are loc n tot cristalul astfel c acest fenomen este similar cu o
und care se propag prin cristal, n urma propagrii atomii fiind pui n stare de
149

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

vibraie. Vom cuta atunci soluia ecuaiei (8.14) sub forma (innd cont i de
periodicitatea reelei):
un = Aei( t + kna )

(8.15)

Inlocuind (8.15) n (8.14) obinem:

m

e ika + e ika

ka
= 2
1 = 2 (cos ka 1) = 4 sin 2

2
2

De aici rezult c

4
ka
ka
sin
= m sin
m
2
2

(8.16)

Aceast relaie ne arat modul cum depinde pulsaia (frecvena ) modurilor posibile
de vibraie de modulul vectorului de und k i poart numele de lege de dispersie a
reelei unidimensionale cu un singur tip de atomi n celula elementar. Existena
unei legi de dispersie ne permite s determinm viteza cu care se propag undele
elastice n interiorul cristalului.Dac este o und monocromatic viteza de propagare
este egala cu viteza de faz ,iar dac avem de-a face cu un grup de unde de diverse
frecvene , viteza de propagare este egal cu viteza de grup. Aceste viteze sunt:
v faza =

sin

ka
2

k
k
d m a
ka
v grup =
=
cos
dk
2
2

In figura 8.6 se prezint dependena pulsaiei de k.

Figura 8.6 Legea de dispersie (k ) pentru cristalul unidimensional

150

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Dac n ecuaia (8.16) se nlocuieste k cu k' = k + n

2
, soluia nu se schimb.
a

Aceasta nseamn c ne putem limita numai la acele valori ale lui k ,pentru care se
obin valori distincte pentru pulsaie adic numai valorile lui k din intervalul

a ,+ a . Acest interval poart numele de prima zon Brillouin a reelei

unidimensionale.De asemenea ntruct din (8.16) se vede c pulsaia este o funcie

periodic de k cu perioada

2
,rezult c este suficient s studiem valorile frecvenei
a

numai n intervalul care coincide cu prima zon Brillouin.

Valoarea maxim a lui k pentru care se obin valori distincte a frecvenei este pentru
cazul unidimensional k max =

, i deci deoarece k =

acestei valori a lui kmax i

corespunde o lungime de und minim min = 2 a , adic n reeaua cristalin

unidimensional, nu se pot propaga unde cu lungimi de und mai mici dect dublul
constantei reelei.
In raionamentele de mai sus am considerat c reeaua noastr este infinit. In
realitate orice cristal are dimensiuni finite i deci va trebui s lum n considerare
condiiile la limit datorit suprafeei cristalului, care presupun c pe suprafaa
cristalului cu o lungime L elongaiile u din relaia (8.14) sunt zero. Totui ntr-o
prim aproximaie, considernd un cristal cu un mare numr de atomi, contribuia
atomilor de la margine la proprietile cristalului poate fi considerat foarte mic i
deci putem considera c atomii de pe suprafa se gsesc n aceleai condiii ca i
atomii din interior.Aceast ipotez poart numele de ipoteza cristalului ciclic i este
larg folosit n fizica solidului.
Pentru cazul unidimensional, considernd un cristal cu N atomi , ipoteza
cristalului ciclic implc atunci c atomul 1 este echivalent cu atomul N+1 adic
un + N =u n , de unde rezult c e ikaN = 1 , sau:
k=

2
l , l = int reg
aN
151

(8.17)

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Deoarece valorile lui k sunt cuprinse n intervalul , rezult c valorile
a a

permise ale lui l sunt limitate la intervalul

N
N
l
2
2

(8.18)

i deci n intervalul care aparine primei zone Brillouin vor exista un numr egal cu N
valori permise ale lui k . Deoarece fiecrei valori a lui k i corespunde o und (sau un
mod de vibraie), rezult c numrul modurilor de vibraie este egal cu numrul de
atomi.
Cunoaterea numrului de moduri de vibraie ne permite s calculm densitatea
spectral de moduri, adic numrul de moduri pe unitatea de interval de
frecven.Pentru cazul unidimensional notnd cu ( ) densitatea spectral de
moduri, vom avea:
a
ka
d = m cos dk
2
2
2
dk =
dl
aN
dl
N
1
=2
( ) = 2
2 2
d

(8.19)

In (8.19) factorul 2 apare datorit simetriei curbei (k ) .

Dac revenim din nou la formula (8.16), se poate vedea c exist o limit superioar
a fecvenei de oscilaie a atomilor din reea, aceasta fiind dictat de valoarea maxim
a lui m . In termodinamic energia termic se exprim ca fiind produsul k B T ,
aceasta obligndu-ne s introducem un parametru termodinamic al reelei numit
temperatura Debye TD . Relaia de definiie a temperaturii Debye este:
TD =

m
kB

(8.20)

152

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

unde =

h
cu h constanta lui Planck, iar k B constanta lui Boltzmann.
2

Cunoaterea densitii spectrale de moduri ( ) permite calculul unor funcii

termodinamice ale cristalului cum ar fi energia intern, energia liber etc, iar apoi
calculul cldurilor molare ale solidului.
Prin trecerea la mecanica cuantic n locul unor oscilatori clasici ca mai sus,
se consider cristalul ca un ansamblu de oscilatori cuantici, fiecrui mod de vibraie
de pulsaie s asociindu-i o particul de energie s .Aceast particul se numete
fonon i prin urmare fononul reprezint cuanta de vibraie a reelei cristaline.

8.4 Starea electronilor n cristale.

8.4.1 Modelul electronilor cvasiliberi.
Electroni cvasiliberi sunt considerai electronii de valen ai atomilor metalici,
care nu mai pot fi reinui pe ptura de valena prin atracia electrostatic a nucleului
. Acetia creaz n acest caz un gaz de electroni, care n cazul unui metal sunt
colectivizai, aparinnd practic ntrgului cristal. Atomii care pierd electronii de
valen formeaz miezurile ionice, ionii corespunztori avnd sarcina pozitiv.
Plecnd de la acest model care presupune un metal ca un ansamblu de miezuri
ionice cufundat nt-un gaz de electroni, s-a reuit s se explice n mod satisfctor
unele proprietti ale metalelor cum ar fi conductibilitatea electric sau contribuia
gazului de electroni la conductibilitatea termic. Astfel, putem considera rezistena
electric a unui metal ca fiind rezultatul mprtierii electronilor liberi prin ciocniri
cu ionii reelei cristaline sau cu impuritile din reea. Dup cum se tie la metale
rezistena electric crete pe msur ce temperatura crete, fenomen absolut
explicabil deoarece ciocnirile devin tot mai numeroase cu ct agitaia termic a
miezurilor ionice crete. Nu acelai lucru se ntmpl la semiconductori la care
rezistivitatea electric scade exponenial cu temperatura i deci nu mecanismul de
ciocnire are aici contribuia predominant. Cu att mai mult, acest model nu explic
existena izolatorilor electrici.
153

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

8.4.2 Benzile de energie n solid

Proprietile electrice ale solidelor pot fi explicate uor dac pornim de la
ipoteza c n cristal energia electronilor se structureaz n benzi, existnd benzi
energetice permise i benzi energetice interzise n raport cu energia electronilor.
Existena acestor benzi poate fi uor demonstrat folosind mecanica cuantic.
Vom considera cazul simplu al unei reele unidimensionale de atomi de
constant a i un electron foarte slab legat de atom practic aproape liber (cvasiliber)
i deci care se poate mica n tot cristalul. Asociem electronului o und plan de
forma:

( x ) = 0 e ikx

(8.21)

Fiind ntr-o stare staionar factorul dependent de timp din funcia de und nu este
important.
Datorit periodicitii reelei electronul n micarea sa vede un cmp de energie
potenial periodic ca n figura 8.7.
Tinnd cont de interpretarea probabilist a funciei de und , trebuie s considerm
c att funcia de und ct i densitatea de probabilitate de localizare a electronului
n reea respect periodicitatea reelei, adic :

( x ) = ( x + a )
( x ) 2 = ( x + a ) 2 = ( x )e ika

Figura 8. 7 Cmpul periodic al reelei

154

(8.22)

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

de unde se obine:
e i 2 ka = 1
cos 2 ka + i sin 2 ka = 1
n
cos 2 ka = 1 k =
= k n , n = int reg
a

adic sunt posibile numai acele unde, pentru care vectorul de und este un multiplu
ntreg de / a .
Studiem n continuare, ce se ntmpl cu starea electronului descris de
funcia de und caracteristic undei cu n = 1,i k = / a . Intruct presupunem un ir
foarte lung de atomi electronul n reea este caracterizat n starea n=1att de funcia

+i x
1 = 0 e a ct i de funcia

i x
'1 = 0 e a . Orice combinaie liniar din cele

dou funcii de und este de asemenea o funcie de und (ecuaia Schrodinger este o
ecuaie diferenial liniar), i deci avem urmtoarele combinaii posibile:

i x
i x

1,+ ( x ) = 0 ( e a + e a ) = 2 0 cos x

(8.23)

i x

1, ( x ) = 0 ( e a e a ) = 2i 0 sin x
i x

Produsul dintre sarcina electric i densitatea de probabilitate se numete densitate

de sarcin e . Se poate vedea c densitatea de sarcin avnd n vedere funciile de
und (8.23) este constant , dar este o funcie periodic pentru undele staionare de
mai sus.
Vom avea deci:

e+ = e 1,+

e = e 1,

= e 4 02 cos 2
= e 4 02 sin 2

e = e+ + e

(8.24)

(8.25)
(8.26)

155

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Reprezentm grafic cele dou densiti de sarcin.

Figura 8.8 Graficul densitii de sarcin n cristal

Analiznd figura de mai sus , observm c funcia de und 1 ( x ) distribuie
electronii n mod preferenial n poziiile aflate la mijlocul distanei dintre miezurile
ionice,n timp ce funcia de und 1+ ( x ) i distribuie n poziiile din dreptul
nodurilor (practic pe atomii din noduri), acolo unde energia de interaciune are
valoare maxim. Intre cele dou poziii exist o diferen de energie E = E g i deci
pentru aceeai valoare a lui k = / a avem dou valori posibile ale energiei. Acelai
fenomen are loc i pentru alte valori ale lui

k , de exemplu pentru

k = / a , k = 2 / a , k = n / a etc. Se distruge astfel spectrul continuu al

energiei dac electronul este introdus n cristal, micarea acestuia ntr-un potenial
periodic produce un efect care nu are analogie clasic. Intre cele dou valori permise
ale energiei apare un interval interzis, de lrgime notat de noi cu E g (notaie
oarecum standardizat pentru lrgimea benzii interzise unde g provine de la cuvntul

gap=gaur,spaiu liber).Pentru k 0 , electronii au la dispoziie un ansamblu
a

de stri energetice, aici avem deci prima band energetic permis, acest interval
constituind chiar prima zon Brillouin din cristal. Ce-a de-a doua band energetic
permis conine ansamblul de stri energetice cu
156

k ( / a ,2 / a )

sau

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

k ( / a ,2 / a ) , interval care coincide cu a doua zon Brillouin , .a.m.d. In

dreptul valorilor k =

2
n
,...
apar benzile interzise, ca n figura 8.9.
a
a

Plecnd acum de la existena benzilor de energie a electronilor n solid, putem s

analizm comportarea din punct de vedere electric a celor trei categorii importante
de materiale electrice. Mai precizm c majoritatea elementelor chimice au nivelele
energetice ocupate cu excepia ultimului strat energetic care constituie ptura de
valen. Intervalul energetic corespunztor energiilor electronilor aflai n aceast
ptur de valen ai atomilor din cristal va forma aanumita band de valen, n
timp ce energiile primului nivel excitat al atomilor cristalului va forma aanumita

band de conducie.

Figura 8. 9 Benzile de energie ale electronilor n solid

Substanele la care banda de valena este complet ocupat iar lrgimea benzii
interzise E g = E c Ev 5eV , unde Ec reprezint limita energetic inferioar a benzii
de conducie iar Ev limita energetic superioar a benzii de valen , se numesc

izolatoare. Dac zona de valen este incomplet umplut sau se suprapune parial cu
banda de conducie spunem c avem de-a face cu un metal (sau conductor). Dac
zona de valen este aproape plin , sau banda de conducie aproape goal, ntre cele
dou existnd o band interzis cu lrgimea E g < 5eV , spunem c substana
respectiv este un semiconductor (sau semimetal). Precizm c un semimetal la 0K
are cele dou zone aproape pline sau aproape goale, n timp ce un semiconductor pur
157

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

la 0 absolut are banda de conducie complet goal, ceea ce nseamn c un

semiconductor la 0 K devine izolator n timp ce un semimetal va prezenta o
conductibilitate diferit de zero.

Tabelul 8.1
Eg

Cristalul ionic

Semiconductorul

(eV)

Eg
(eV)

NaCl

8,5

Ge

LiF

11,0 Si

1,11

AgBr

6,0

1,43

GaAs

0,67

Dintre semiconductorii mai importani amintim aici: Ge, Si, B, -Sn precum i o
varietate mare de compui de tipul AIIBVI, AIIIBV .
In tabelul 8.1se dau valorile lrgimii benzii interzise la cteva cristale ionice
izolatoare i a semiconductorilor Ge, Si, GaAs.
Caracteristic pentru metale este faptul c la T = 0 K , ultima band care
conine electroni este ocupat pn la un nivel E F numit energie Fermi.

8.4.3 Calculul electronilor dintr-o band.

1
Electronii avnd numrul cuantic magnetic de spin ms = , sunt fermioni i
2
se supun atunci cnd completeaz nivelele energetice principiului lui Pauli. Pornind
de la acest fapt, se poate arta c probabilitatea de ocupare a unei stri energetice

E > E0 de ctre un electron, este dat de funcia de distribuie Fermi-Dirac :

1

f(E)=
e

E E0
k BT

(8.27)

+1

Numrul de electroni din unitatea de volum care vor ocupa un interval infinitezimal
energetic dE este dat de:

dn( E ) = w( E ) f ( E ) dE

(8.28)
158

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

In expresia de mai sus w( E ) poart numele de densitate energetic de stri i

reprezint numrul strilor energetice ce pot fi ocupate din unitatea de volum i din
unitatea de interval energetic.
Energia electronilor n solid este funcie de variabila k , adic de modulul


vectorului de und k . Dup cum am vzut, periodicitatea reelei face ca i valoarea
lui k s aib numai anumite valori, n cazul unidimensional de exemplu


k = / a , 2 / a ,... n / a . Pentru o reea tridimensional k ( k 1 , k 2 , k 3 ) i
deci

: k 1 =

interiorul

unei

zone

Brilloiun

variaiile

2
2
2
n1 , k 2 =
n 2 , k 3 =
n 3 ,
a1
a2
a3

cu

lui

sunt

date

n1 , n 2 , n3

de

numere

ntregi. Intruct energia depinde numai de k , i valorile acestuia sunt limitate la

variaiile din zonele Brillouin, este recomandabil s calculm densitatea de stri


trecnd n spaiul care are ca i coordonate valorile componentelor lui k . Trecnd n
coordonate sferice, avem:

k1 = k sin cos
k 2 = k sin sin

(8.29)

k3 = k cos
d = dk1 dk 2 dk3 = k 2 sin dk d d = 4k 2 dk
iar volumul corespunztor unei stri este dat de:

v0 = k1 k 2 k3 =

(2 )3
a1a2 a3

(
2 )3
=
V0

(8.30)

Densitatea de stri se obine calculnd numrul de stri din unitatea de volum care se
gsesc ntre dou suprafee izoenergetice delimitate de intervalul E , E + dE ,cruia i
corespunde o variaie a lui k dat de k , k + dk adic:

w( E ) dE =

1 d
1

=
4k 2 dk
V0 v0 (2 )3

159

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

2k 2
Avnd n vedere c pentru energie putem scrie: E = E0 +
, atunci
2m *
2
2m *
dE = 2
k dk i deci dk =

2
2m *
2

dE
1

E E0 2

2 m *
2

rezult n final c

3
(2m * ) 2 (E E ) 1
w( E ) =
0 2
2 3

i lund n considerare c pentru fiecare stare putem avea doi electroni cu spinii
opui , se obine n final
3

w( E ) = 2

3
1 (2 m * )
1
2 (E E )
(
E E0 ) 2 =
0 2
2 3
2 3

(2m * ) 2
4

(8.31)

Numrul de electroni din unitatea de volum care se pot gsi ntr-o band permis
ntr-o zon energetic cuprins ntre dou energii E1 i E2 se va obine acum simplu
prin integrare, astfel:
3
(
2m * ) 2 E 2 (E E0 )1 / 2
dE
n=

E E'
2 2 3 E1
k BT

(8.32)

+1

S ncercm s aplicm acum aceast formul.

Pentru cazul unui metal, se tie c la 0 K ultimul nivel energetic ocupat este

Figura 8. 10 Funcia de distribuie Fermi-Dirac

160

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

nivelul Fermi, iar metalul conine ntotdeauna electroni n banda de conducie.

Funcia de distribuie Fermi-Dirac este o
T = 0K ,

f ( E ) = 1; T > 0 K

funcie treapt adic pentru

f ( E ) < 1 , ea artnd ca n figura 8.10.

Lund n considerare schema energetic simplificat a metalului ca n figura 8.11,

atunci numrul de electroni din banda de conducie a unui metal la temperatura de
0 K va fi:
3

n=

(2m * ) 2
2 2 3

EF

(E E c )

1/ 2

d (E E c

(
2m * )3 / 2
)=
(E
2 2 3

3/ 2
(8.33)
F Ec )

De aici rezult c dac se cunoate concentraia de electroni ai metalului, putem

calcula energia nivelului Fermi.

2/3
2
EF =
3 2 n
2m *

(8.34)

Figura 8.11 Benzile energetice ale metalelor

De exemplu, cuprul care este bivalent i care particip la conducie cu doi electroni
pe atom, avnd masa atomic A=64, densitatea Cu = 8900 Kg .m 3 ,

un numr

N = 9 10 24 atomi pe kilogram, respectiv 8.37 10 28 atomi pe metru cub, va avea o

concentraie de electroni n = 16.74 10 28 electroni pe metru cub. Introducnd aceast
valoare n formula (8.34) obinem pentru nivelul Fermi energia: EF = 11.96 eV .

161

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Am folosit pentru a nota masa electronului notaia m * , care nu este chiar egal cu
masa electronului liber, aceasta numindu-se mas efectiv i care se introduce n
mod formal pentru a evidenia gradul de abatere al unui electron n cristal de la
starea de electron liber.

8.4.4 Semiconductorii
Pentru semiconductori apar dou tipuri de purttori, electronii i golurile.
Concret, atunci cnd un electron prsete o legtur de valen trecnd pe o alt
pozitie vacant din cristal n locul lui apare un gol, care va avea sarcin electric
pozitiv. Se creeaz temporar perechi de electron-gol sau excitoni ,energia de
legtur electrostatic dintre acetia fiind suficient de mic n comparaie cu energia
datorat vibratiilor termice ale reelei, astfel c aceasta poate uor disocia excitonii
formai i electronul se va mica aproape liber prin cristal. La aplicarea unui cmp
extern, electronii se vor mica n sens invers cmpului iar golurile n acelai sens cu
cmpul, astfel c n proba semiconductoare apare un curent electric care se obtine
prin nsumarea celor dou contribuii, a electronilor i golurilor. Aceasta este
echivalent cu a spune c electronii de valen trec n banda de conducie (BC) i n
banda de valen (BV) locurile rmase libere se numesc goluri..
Pentru un semiconductor pur, cum este Si sau Ge, care din punct de vedere
termodinamic are potenialul chimic al reelei egal cu , electronii i golurile din
cele dou benzi apar perechi, i deci numrul de electroni din BC este egal cu
numrul de goluri din BV, sau altfel spus probabilitatea de aparitie a unui gol n
banda de valen i probabilitatea de apariie a unui electron n banda de conducie
sunt complementare. Matematic putem exprima probabilitatea ca o stare energetic
s fie neocupat (sau altfel spus ocupat cu un gol) astfel:

f p( E ) = 1 f ( E ) =

1
E

e k BT + 1

162

(8.35)

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Intruct golurile se afl n banda de valen, energia acestora se va msura n sens

invers energiei electronilor i deci numrul de goluri din banda de valen va fi
atunci:

p=

(2m g )3 / 2 Ev (Ev E )1 / 2

2 2 3

d ( Ev E )

(8.36)

e k BT + 1

cu m g masa efectiv a unui gol. Introducnd variabila E ' = Ev E astfel c

p=

( 2m g )3 / 2
2 3

E' 1 / 2

E' '
0
k BT

dE' , unde ' = E v .

+1

numrul de goluri din banda de valen la T = 0 K se calculeaz imediat, lund

pentru f p ( E ) = 1 :

p=

( 2m g )3 / 2
2 3

( E v E )3 / 2

(8.37)

Este important de precizat aici c, statistica Fermi-Dirac se refer la ocuparea

nivelelor energetice n substane n care concentraia de purttori este mare adic la
metale i semiconductori puternic dopati cu impuriti.Astfel de sisteme cu grad
mare de ocupare a nivelelor energetice se numesc degenerate. Dac concentraia
purttorilor de sarcin este mic , raportul dn( E ) / w( E ) calculat pe unitatea de
interval energetic este mult mai mic dect 1 i prin urmare f ( E ) << 1 , adic

f(E)=
e

E
k BT

E
k BT

(8.38)

+1

In condiiile de mai sus, funcia de distribuie Fermi-Dirac poate fi aproximat

printr-o funcie de distribuie Boltzmann, iar sistemul se numete nedegenerat. Este
deci de la sine neles c statistica Boltzmann este aplicabil n cazul
semiconductorilor slab dopai i izolatorilor.

163

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Considernd cazul nedegenerat, vom avea atunci pentru concentraia de

electroni din banda de conducie

n=

( 2 me ) 3 / 2
2 2 3

(E E c )

E
k BT

dE ==

Ec

(2 me k B T )3 / 2
2 3

1/ 2

E
c
k BT

= Nc e

(8.39)

E
c
k BT

In mod analog obinem pentru concentraia golurilor:

p=

(2 m g k BT )3 / 2
2 3

Ev

Ev

e k BT = N v e k BT

(8.40)

Mrimile N c i N v poart numele de densiti efective de stri pentru banda de

conducie respectiv pentru banda de valen.
Potenialul chimic (Gibbs) al reelei, care la 0K este chiar nivelul Fermi E F ,
se determin din condiia de neutralitate electric a substanei. Pentru cazul unui
semiconductor pur (intrinsec) , la care numrul de electroni este egal cu numrul de
goluri , punnd condiia de neutralitate n = p rezult:

mg

E F = ( E c + E v ) + k B T ln
2
4
m

(8.41)

Deoarece m g me , rezult c la un semiconductor intrinsec nivelul Fermi se afl

aproximativ la mijlocul benzii interzise.
In cazul semiconductorilor cu impuriti (extrinseci) apar aspecte noi ale
tratrii teoretice. In primul rnd trebuie spus c impurificarea se poate face cu
impuriti donoare, care contribuie cu un surplus de electroni, sau cu impuritti

acceptoare care contribuie la marirea numrului de goluri din semiconductor. Pentru

cei mai reprezentativi semiconductori, siliciul Si i germaniul Ge, impuritile
donoare fac parte din elementele din grupa a V-a a tabelului periodic al elementelor
(exemplu:P, As ,Sb), iar impuritile acceptoare sunt din grupa a III-a (exemplu:B,
Ga, In). Nu toate impuritile contribuie la creterea concentraiei de purttori de
164

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

sarcin, numai acelea care vor fi ionizate. Astfel o impuritate donoare ionizat
cedeaz electroni n banda de conducie i o impuritate acceptoare ionizat creeaz
un gol n banda de valen.
Dac considerm c N d i N a reprezint concentraiile totale ale donorilor i
acceptorilor, conform cu cele discutate mai sus vom avea:

N d = N d0 + N d+

(8.42)

N a = N a0 + N a

unde indicele zero simbolizeaz impuritile care au rmas neionizate n

semiconductor.
Considernd c impuritile donoare au aceeasi energie Ed n cristal, atunci:

Nd

N d0 =
e

Ed
kbT

Na
, iar N a0 =
Ea

cu Ea energia acceptorilor in cristal.

e kbT + 1

+1

Pentru impuritile donoare ionizate vom avea prin urmare :

N d+
Nd

=1

N d0
Nd

=
e

Ed
k BT

Ed
k BT

+1

i de aici:

N d0
N d+

N a0
N a

=2e

E
d
k BT

(8.43)

=2e

Ea
k BT

(8.44)

unde factorul 2 apare din cauza spinului. Inlocuind pentru N d+ = N d N d0 iar pentru
impuritile ionizate acceptoare N a = N a N a0 n formulele de mai sus, obinem
funciile de distribuie pentru donori i acceptori:

165

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Nd

N d0 =
1+

Na0 =

(8.45)

Ed
1 k BT

Na

E
a
1 kBT

(8.46)

1+ e
2

Impuritile donoare i acceptoare introduc nivele energetice corespunztoare n

interiorul benzii interzise a semiconductorului i anume, un nivel donor va introduce
un nivel energetic de energie Ed n jumtatea superioar a benzii interzise, iar un
nivel acceptor nivelul cu energia Ea n jumtatea inferioar a benzii interzise ca n
figura 8.12.

Figura 8. 12 Nivele energetice in semiconductorii cu impuriti

Dac N d > N a , spunem c avem de-a face cu un semiconductor de tip n i dup
cum rezult din formulele (8.45) i (8.46) potenialul chimic n acest caz trebuie s
se situeze n jumtatea superioar a benzii interzise (vezi figura), iar dac N a > N d
(semiconductor de tip p) acesta se va gsi n jumtatea inferioar a benzii interzise.
In cazul semiconductorilor de tip n, spunem c purttorii de sarcin majoritari sunt
electronii, iar n cazul semiconductorilor de tip p purttorii majoritari de sarcin sunt
golurile.
166

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Am dedus formulele de mai sus pentru a gsi poziia potenialului chimic n

semiconductor. Considernd cazul simplu al unui semiconductor de tip n, n care

N d este foarte mare, punnd condiia de neutralitate

n = N d+ = N d N d0

(8.47)

obinem pentru urmtoarea expresie:

Ec Ed

N
= E d + k B T ln 1 + 8 d e k BT 1
Nc
4

(8.48)

cu N c densitatea efectiv de stri adin banda de conducie (vezi formula 8.39). Cum
Ec Ed

Ec Ed

N
la temperaturi joase 8 d e k BT
Nc

>> 1 ,i prin urmare

N
8 d e k BT
Nc

>> 1 ,

obinem pentru poziia potenialului chimic al reelei cristaline a semiconductorului:

Ec Ed 1 / 2
1 N

E d + k B T ln 8 d e k BT
=
4 N c

Ec Ed

1
1 Nd
= E d + k B T ln
e k BT =
2 2 Nc

2Nc
E Ed Ec + Ed 1
k T 1 N
=
= E d + B ln d + c
k B T ln
2 2 Nc
k BT
2
2
Nd

(8.49)

Formula de mai sus ne arat c pentru un semiconductor extrinsec de tip n, la

T = 0 K potenialul chimic (uneori denumit impropriu nivelul Fermi ) se afl la

jumtatea intevalului energetic cuprins ntre nivelul donor i limita inferioar a
benzii de conducie, iar cu creterea temperaturii se apropie de nivelul energetic
corespunztor limitei inferioare a banzii de conducie , atinge un maxim, apoi
coboar trecnd din nou pe la jumtatea intervalului (Ec, Ed ) pentru N d = 2 N c ,
continund sa coboare i s se apropie de Ed .
167

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Fenomenele fizice discutate mai sus desigur au o mare importana n practica

obinerii unor structuri semiconductoare dopate corespunztor, folosite la obinerea
unor dispozitive semiconductoare cu aplicabilitate dedicat.

8.5 Noiuni de tehnologia semiconductorilor.

Cea mai important aplicaie a semiconductorilor este n domeniul fabricrii
componentelor electronice, cum sunt diodele semiconductoare, tranzistorii, circuitele
integrate sau a diferii senzori i traductori.
Pentru fabricarea

tranzistoarelor i a circuitelor integrate se folosete

aanumita tehnologie planar. Aceasta const dintr-o succesiune de oxidri ale

suprafeei unei plachete semiconductoare de obicei de Si , ndeprtarea selectiv a
anumitor regiuni de oxid, iar apoi difuzia n stare solid, controlat,

a unor

impuriti prin deschiderile de oxid, n scopul obinerii zonelor de tip n i p. Aceast

succesiune de operaii se repet pentru a forma alte deschideri n oxid i introducerea
altor impuriti pentru a obine structura dispozitivului cerut. In final, se oxideaz
din nou suprafaa, se ndeprteaz selectiv oxidul pentru a crea regiunile de contact
i se depune prin evaporare n vid un metal, cum ar fi aluminiul sau aurul, pentru a
forma contactele electrice la diferitele regiuni ale dispozitivului. Toate aceste
operaii se realizeaz pe aceeai suprafaa a plachetei de siliciu, rezultnd un
dispozitiv cu suprafaa plan, i de aici deci numele de tehnologie planar. Este de la
sine neles, c pe o plachet de semiconductor se realizeaz n acelai timp sute sau
mii de circuite integrate identice, apoi placheta se taie n cipuri individuale.

Oxidarea plachetei de semiconductor se face prin nclzirea plachetei n

prezena oxigenului. Pentru a mri rata de oxidare, se folosete un amestec de vapori
de apa cu oxigen, care are ca rezultat creterea mai rapid a oxidului. Grosimile
tipice de oxid care se practic la fabricarea circuitelor integrate, sunt cuprinse ntre
0.5 i 2 microni. Pentru ndeprtarea selectiv a oxidului de Si sau Ge se folosete

tehnica fotorezistului. Tehnica fotorezistului este un proces fotolitografic similar n

principiu procedeului

folosit la realizarea cablajelor imprimate. Placheta

168

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

semiconductoare oxidat este nti acoperit cu un material numit fotorezist, care n

mod normal este solubil, dar cnd este expus la lumin ultraviolet devine insolubil
att in acizi ct i n ali solveni.

Difuzia n stare solid este un proces prin care atomii de impuritate sunt
introdui n anumite regiuni ale plachetei de semiconductor. Pentru siliciu de
exemplu, aceasta se face nclzind n cuptor placheta pn la temperaturi de 10001250 0C , iar apoi peste suprafaa acesteia

se trece un curent de vapori ai

elementului impuritate. Unii dintre aceti atomi vor difuza n plachet, adncimea la
care ptrund aceti atomi depinznd de timpul ct semiconductorul este expus
fluxului de vapori i de coeficientul de difuzie a atomilor impuritate. In general
difuzia are loc dup o lege de forma:

N x = N 0 (1 erf

x
)
2 Dt

(8.50)

unde: N x este concentraia impuritilor la distana x de suprafa;

N0

reprezint concentraia de impuriti la suprafa;

D este coeficientul de difuzie a impuritii n semiconductor;

t este timpul exprimat n secunde

erf

este funcia erorilor: erf ( ) =

e t dt

Graficul funciei erf

Dac difuzm de exemplu atomi de bor n siliciu de tip n, cnd concentraia atomilor
de bor din regiunea de la suprafa depete concentraia donorilor originali,
169

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

regiunea de la suprafa va fi transformat ntr-o regiune de tip p , formndu-se astfel

o jonciune p-n. Dac repetm procedeul , inclzind din nou placheta i expunnd-o
unui flux de vapori de fosfor (fosforul este un donor spre deosebire de bor care este
acceptor), atomii de fosfor vor difuza prin suprafa n regiunea de tip p i o pot
transforma din nou n regiune de tip n, obinndu-se prin urmare o structur de tip np-n, folosit la fabricarea tranzistoarelor.
Creterea epitaxial este o metod prin care se poate acoperi suprafaa unei

plachete de siliciu cu un strat monocristalin subire de siliciu, prin depunerea din

starea de vapori a unui compus al siliciului. Concret, placheta de siliciu se nclzete
la o temperatur de cca 1200 grade Celsius i se trece peste ea un curent de vapori de
tetraclorur de siliciu amestecat cu hidrogen. La temperatur nalt tetraclorura se
disociaz, atomii de siliciu se depun pe plachet iar clorul se combin cu hidrogenul
formndu-se acid clorhidric n stare de vapori, care sunt eliminai. Pentru circuitele
integrate placheta substrat este de obicei de tip p i pe suprafaa ei se crete un strat
epitaxial de tip n pe care se formeaz structurile elementelor de circuit. Deoarece
siliciul datorit impurificrii prezint conductivitate electric , este necesar ca
elementele de circuit ale integratului (rezistene, capaciti etc)sa fie izolate electric
fa de volumul siliciului printr-o rezisten foarte mare pentru evitarea unor cuplaje
electrice ntre componente. Metoda cea mai des folosit const n nconjurarea
fiecrei componente de circuit cu o jonciune p-n, care n timpul funcionrii este
polarizat invers , pentru a prezenta o rezisten mare (zeci de megaohmi) intre
fiecare component de circuit i placheta de baz. Aceasta se numete jonciune
izolatoare. Se mai folosete de asemenea tehnica izolrii printr-un strat de oxid,
metoda fiind folosit numai n cazul unor dispozitive speciale.
Realizarea conexiunilor ntre diferitele componente ale circuitului integrat se

face depunnd prin evaporare n vid un strat metalic (de obicei aluminiu) i apoi
corodarea selectiv a acestuia, ndeprtnd astfel aluminiul nefolositor.
Formatul unui circuit integrat este un ptrat sau un dreptunghi. Acesta se
repet pe placheta de siliciu pe rnduri i coloane. Pentru tierea plachetei n cipuri
170

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

se foloste un diamant, cu care se traseaz linii dup care placheta se va putea sparge,
la aplicarea unui mic efort mecanic.

8.6 Tendine actuale n tiina i tehnologia materialelor electronice avansate

In momentul de fa microelectronica este domeniul care este cel mai interesat
de descoperirea i utilizarea unor materiale cu proprieti deosebite. Noua abordare
const n dezvoltarea cercetrilor n direcia apropierii de nivelul structurii atomice,
n domeniul nanomaterialelor. Deplasarea interesului ctre aceste dimensiuni este
justificat de, creterea densitii de energie, creterea vitezei de operare, scderea
puterii consumate i microminiaturizarea.
In domeniul semiconductorilor atenia se ndreapt din ce n ce mai mult spre
AIIIBV. Menionm n tabelul de mai jos

compuii semiconductori din clasa

principalii semiconductori din aceast clas i mobilitatea purttorilor de sarcin

corespunztoare acestora.

Tabelul 8.2
Nr.crt

Compusul

Obs

cm 2 /( Vs ) cm 2 /( Vs )
1

InSb

77000

700

la 300K

InAs

27000

450

la 300K

InP

4500

150

la 300K

GaSb

2500

1420

la 300K

GaAs

700

GaP

8500

435

la 300K

AlSb

>100

400

la 300K

la 300K

Se observ mobiliti mult mai mari n cazul acestror compui n comparaie cu

mobilitile purttorilor n semiconductorii uzuali Si sau Ge. Aceste mobiliti cresc
171

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

foarte mult cu scderea temperaturii, de 5-10 ori de exemplu la temperatura azotului

lichid (78K). Pentru comparaie,n Si de exemplu la T = 300 K avem

cm 2
n = 1350
,
Vs

cm 2
p = 480
.
Vs

Anumite funcii pot fi realizate numai folosind aceti compui, de exemplu n

domeniul electronicii de frecven nalt. O nou generaie de dispozitive a devenit
posibil prin dezvoltarea tehnicilor epitaxiale. Folosirea acestor compui a deschis
calea producerii de heterostructuri i a ingineriei de band interzis care permite
obinerea de compui cu band interzis prestabilit.
In momentul de fa se studiaz sisteme semiconductoare bazate pe nitrura de galiu
combinat cu alte elemente din clasele III i V. Se studiaz de asemenea epitaxia
heterostructural, care ncearc s combine proprietile compuilor III-V cu
posibilitile foarte mari de integrare microelectronic a siliciului.
Electronica viitorului va fi optoelectronica. Din acest motiv se constat o
abordare intens a aanumitei optici moleculare, care const n studiul i aplicarea
proprietilor polimerilor optici neliniari. Ca aplicaii menionm obinerea unor
dispozitive pentru generarea armonicii a doua n intervalul spectral verde-albastru,
precum i realizarea unor modulatori electro-optici care folosesc aceti polimeri
neliniari.
Electronica molecular este electronica superminiaturizat dezvoltat la nivelul unei
molecule. Baza acestei electronici este comutatorul molecular, care implic
bistabilitatea unei molecule n vederea realizrii strilor binare. Acest comutator
trebuie s fie perfect controlabil, reversibil i citibil la nivel molecular.
Mai menionm aici un alt domeniu deosebit de actual pentru obinerea de
materiale noi care implic fizica formelor complexe ale carbonului, cum sunt
fullerenele i nanotuburile de carbon. Rezultatele de pn acum n ceea ce privete
mecanismul de conducie n nanotuburi sunt contradictorii, dar aplicaiile, n cazul n
care se vor putea controla mecanismele de cretere la scar microscopic ale

172

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

acestora, diametrul i elicitatea nanotuburilor sunt foarte importante n ingineria

ADN, a proteinelor, microscopia cu fore atomice, etc.

8.7. Efecte n solide

8.7.1 Efecte galvanomagnetice
Efectele galvanomagnetice apar atunci cnd asupra purttorilor de sarcin
acioneaz simultan dou cmpuri dup doua direcii perpendiculare.Dou sunt cele
mai importante efecte galvanomagnetice, efectul Hall i efectul magnetorezistiv.

8.7.1.1 Efectul Hall n metale.

Dac printr-o plachet metalic de dimensiuni a b c se trece un curent
electric de intensitate I i perpendicular pe acesta se aplic un cmp magnetic de


inducie B ca n figur , electronii care particip la conducie vor fi deviai datorit
forei Lorentz spre o fa a plcuei metalice, crend n aceast zon un surplus de
electroni, iar n partea diametral opus a plachetei un deficit de electroni. Aceasta
duce la apariia unei diferene de potenial pe aceste fee , numit tensiune Hall U H


i deci unui cmp electric Hall E H .Acest cmp se opune acumulrii nelimitate de
sarcin , stabilindu-se un regim staionar, n cursul cruia fora electric ce
acioneaz asupra electronilor ce particip la conducie egaleaz fora Lorentz
datorat cmpului extern.

e( V B ) = eE H

(8.51)

de unde se poate vedea c cele dou fore sunt egale i opuse. Scalar scriind:

U
eVB = e H
a

(8.52)

Dac introducem densitatea de curent J pentru care avem: J =

I
= neV , atunci
ab

rezult c

UH =

1 IB
IB

= RH
ne b
b
173

(8.53)

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Figura 8.13 Geometria cmpurilor la efectul Hall n metale

Constanta de proporionalitate R H =

1
, care este funcie de concentraia
ne

purttorilor n i al crei semn depinde de tipul purttorilor de sarcin, poart numele

de constant Hall. Tensiunea Hall depinde de valorile curentului i cmpului
magnetic i de asemenea de grosimea plachetei metalice b . Pentru un cmp B de
ordinul 0.5 1 T , curent prin prob de civa miliamperi i un metal cu

n = 10 22 electroni / m 3 , pentru a obine valori ct de ct msurabile de ordinul

milivolilor pentru U H ,va trebui ca grosimea plachetei s fie de ordinul micronilor.
Aceste grosimi mici se obin folosind tehnici speciale de tiere a microcristalelor sau
prin depunere n vid .
Viteza purttorilor V din formulele de mai sus este viteza de drift a acestora, care
pentru cazul unui singur tip de purttori poate fi considerat aceeai. Ea este legat
de mobilitatea a purttorilor prin relaia:




V = E

(8.54)

De asemenea se tie din legea lui Ohm c:

J = E

(8.55)

unde poart numele de conductivitate electric. Tinnd cont de aceste formule

obinem c
174

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

RH =

(8.56)

Rescriind relaia (51) avem c :

E H = RH ( J B ) = RH ( E B )
se poate defini unghiul Hall , care apare ntre cmpul electric rezultant i curentul
I , a crui semnificaie este dat de relaia:


EH
tg =
= R H B = B
E

(8.57)

8.7.1.2 Efectul Hall n semiconductori

Intr-un semiconductor avem de-a face cu conductibilitate mixt, care se
datoreaz electronilor i golurilor. Presupunnd cmpul electric extern aplicat pe
direcia Ox , conform cu figura 8.14:

Figura 8.14 Curenii electronici i de goluri la efectul Hall n semiconductori.

Conform celor discutate mai sus vom avea:

tg n = R H n B
tg p = R H p B
i deci:

J x = J n cos n + J p cos p
J y = J n sin n + J p sin p

175

(8.58)

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Considerm cazul cmpurilor magnetice slabe, pentru care unghiurile Hall sunt mici,
in acest caz putndu-se scrie:

J x J n + J p = ( ne n + pe p )E
J y J n tg n + J p tg p = J n n B + J p p B = ( pe 2p ne n2 )EB
Unghiul Hall se va obine acum simplu:
tg =

Jy
Jx

( p 2p n n2 )
( n n + p p )

(8.59)

i coform cu (8.57):
( p 2p n n2 )

B
2
2
tg ( n n + p p )
1 ( p p n n
RH =
=
=
B ( ne n + pe p )B e ( n n + p p ) 2

(8.60)

Se poate vedea c dac avem de-a face cu un semiconductor intrinsec, pentru acesta
n = p i deci constanta Hall va depinde numai de diferena mobilitilor purttorilor:

RH =

1 p n

ne p + n

(8.61)

Este uor de vzut c n general constanta Hall este negativ, deoarece mobilitatea
electronilor este mai mare dect cea a golurilor. Putem ntlni de asemenea cazuri, n
care cele dou mobiliti sunt egale , cmpul Hall i tensiunea Hall fiind atunci zero.
Constanta Hall depinde de temperatur. Studiind variaia acesteia cu
temperatura, putem s obinem informaii legate de tipul de purttori i variaia
concentraiei acestora cu temperatura.
Efectul Hall este mult folosit n fizic pentru studiul proprietilor electrice ale
solidelor. De asemenea exist traductori Hall pentru msurarea intensitii cmpului
magnetic (folosii n construcia teslametrelor cu sond Hall), senzori de cmp i
traductori pentru msurarea turaiilor. Conform cu cele discutate mai sus este
necesar atunci cnd folosim traductori Hall pentru msurarea cmpului magnetic, ca
acetia s lucreze la temperaturi constante, pentru a micora erorile de msur.
176

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

8.7.1.3 Efectul magnetorezistiv.

Cmpul magnetic d natere nu numai unui unghi Hall ntre curentul prin
prob i cmpul extern, ci influeneaz i conductibilitatea electric , mai precis duce
la modificarea rezistenei electrice a unei probe conductoare, atunci cnd aceasta
este introdus n cmp magnetic.
Fenomenologic efectul poate fi explicat astfel. In absena cmpului magnetic,
purttorii de sarcin dintr-un conductor se mic, dac conductorul are aplicat o
tensiune electric la capete, dup nite linii drepte, lungimea medie a acestor
traiectorii fiind egal cu parcursul liber mediu l . Dac se aplic un cmp magnetic,
atunci traiectoria va fi o poriune de cicloid de lungime l , astfel c pe direcia


cmpului E distana parcurs va fi mai mic dect l i anume:
1 2
2B2
l x l cos l( 1 ) l( 1
)
2
2

(8.62)

Faptul c particula va parcurge un spaiu mai mic dup direcia cmpului, este
echivalent cu o micorare a vitezei de drift, sau a mobilitii , ceea ce este echivalent
cu o cretere a rezistivitii :

0 2 B 2
=
0
2

(8.63)

8.7.2 Efecte termoelectrice

Exist trei efecte termoelectrice importante i anume: efectul Seebeck, efectul

Peltier i efectul Thomson.

8.7.2.1 Efectul Seebeck

Efectul Seebeck const n apariia unui cmp electric intr-o substan n care
este creat un gradient de temperatur. Presupunnd de exemplu dou zone cu
temperaturi diferite aflate pe direcia Ox , concentraia de purttori va fi mai mare n
zona cu temperatura mai mare, ceea ce duce la apariia unui fenomen de difuzie care
tinde s uniformizeze concentraiile acestora. Acest curent de difuzie este dat de
legea difuziei (Fick):
177

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

j x = eD

dn
dx

(8.64)

unde D este coeficientul de difuzie , e sarcina purttorilor (electronii) iar

dn
este
dx

gradientul concentraiei de purttori de sarcin.

Intre cele dou zone una cu exces de purttori i cealalt cu deficit de purttori apare
o diferen de potenial i implicit un cmp electric, numit cmp termoelectric,
proporonal cu gradientul de temperatur:

ET =
Cmpul termoelectric

dT
dx

(8.65)

ET duce la apariia unui curent de conducie care

compenseaz curentul de difuzie i deci:

Jc = J x

ET = eD
de unde =

dn
dx

eD dn

. Aceast mrime se numete for termoelectric.

dT

In practic se folosesc dou materiale diferite aduse n contact, deoarece efectul este
n acest caz mai intens. Dac temperaturile contactelor sunt diferite, T + dT i T ,
atunci n circuitul nchis apare un curent care poart numele de curent termoelectric.

Figura 8.15 Schema efectului termoelectric

Dac vom ntrerupe circuitul ntr-un punct oarecare, atunci la capetele circuitului
deschis apare o diferen de potenial care se numete tensiune termoelectric.
178

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

Seebeck a descoperit c aceast tensiune termoelectric depinde de diferena de

temperaturi i de tipul celor dou materiale:

d 12 = 12 dT

(8.66)

n acest caz 12 numindu-se for termoelectric diferenial. Pentru variaii de

temperatur nu prea mari, pentru care putem neglija variaia cu temperatura a lui

12 , putem scrie c:
12 = 12 (T2 T1 ) = 12 T
Pe aceast formul se bazeaz

(8.67)

o foarte important aplicaie a efectului

Seebeck n practic i anume msurarea temperaturilor cu termocuplul. Termocuplul

este format din dou metale diferite, sudate ntre ele la capete, cele dou suduri fiind
apoi inute la temperaturile T1 i T 2 . Un milivoltmetru cu indicaii direct n grade, va
indica diferena de temperatur dintre cele dou suduri. Cele dou metale se aleg n
aa fel nct pe un anumit domeniu de variaie a temperaturii, tensiunea
termoelectric s fie direct proporional cu variaia de temperatur . Astfel sunt
cunoscute termocuplurile Fe-Ct, Cu-Ct, Cromel-Alumel, Pt-Rh-Pt.

8.7.2.2 Efectul Peltier

Acest efect const n degajarea sau absorbia de cldur la jonciunea ntre
dou materiale prin care trece un curent electric, degajarea sau absorbia de
cldur depinznd de sensul curentului electric. Dac sensul curentului electric se
schimb atunci se schimb i sensul efectului. Cantitatea de cldur degajat depinde
de natura substanelor n contact, de intensitatea curentului electric i de timpul ct
trece curentul. Pentru variaii mici formula efectului este:

dQ12 = 12 I dt = 21 I dt

(8.68)

unde 12 se numete coeficient Peltier.

Explicaia efectului Peltier este urmtoarea. La contactul a dou materiale se
formeaz un cmp intern de contact, datorit concentraiilor diferite de purttori din
acestea. Dac prin contact trece un curent electric , acest cmp intern fie va favoriza
179

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

trecerea curentului fie o va mpiedica. Dac curentul trece n sens invers cmpului de
contact, atunci sursa exterioar trebuie s furnizeze o energie suplimentar care se va
degaja n contact, ducnd astfel la nclzirea acestuia. In caz contrar acest cmp
intern va efectua un lucru mecanic de deplasare a sarcinilor, energia necesar fiind
absorbit de la reeaua cristalin a materialelor n contact, ceea ce duce la rcirea
acestuia. Si mai uor de neles este efectul, dac considerm contactul dintre un
metal i un semiconductor, ca i ilustraia din figura 8.16.
Se tie c intr-un metal conducia este realizat cu electroni care au energia n jurul
valorii energiei Fermi. Pentru ca electronii s treac din metal n banda de conducie
a semiconductorului au nevoie de o energie suplimentar pe care o iau de la reeaua
cristalin.

Figura 8.16 Ilustrarea efectului Peltier

Asfel contactul se rcete. In cazul cellalt, cnd se inverseaz sensul curentului,
electronii din semiconductor trecnd la o energie mai mic, cedeaz o parte din
energia lor reelei cristaline i astfel contactul se nclzete.

8.7.3 Efecte termomagnetice

Aceste efecte se observ mai ales n semiconductorii n care exist un gradient
de temperatur , n prezena cmpului magnetic i n absena unui cmp electric
extern. Datorit cmpului magnetic, asupra purttorilor de sarcin din semiconductor
va aciona o for Lorentz care deviaz purttorii de sarcin spre o latur a
180

Nicolae Creu-Fizic general_______________________________________________________

Capitolul VIII

semiconductorului, ducnd la apariia unor diferene de potenial .Vom aminti numai

cteva efecte termomagnetice:
- efectul Righi-Leduc, care const n apariia unui gradient de temperatur
transversal (echivalentul termic al efectului Hall)
-efectul Maggie-Righi-Leduc, const n apariia unui gradient longitudinal de
temperatur.
-efectul Nerst Ettinghausen longitudinal (sau transversal), constnd n apariia unui
cmp electric longitudinal (sau tranversal).

181