Polarizarea tranzistoarelor.

nelegerea principiilor de funcionare ale tranzistoarelor

presupune cunoaterea multor noiuni de chimie i fizic
molecular, dintre care pe majoritatea i le-am prezentat
deja aici. Totui, destul de puine dintre aceste noiuni i
sunt de folos atunci cnd vrei s lucrezi n mod practic
cu tranzistoare. Pentru a putea pune un tranzistor la
treab trebuie s tii cum anume trebuie s-l conectezi
ntr-un circuit astfel nct s funcioneze corect. n mod curent, aceast
operaie se numete polarizare. Ne vom ocupa doar de polarizarea
tranzistoarelor bipolare, JFET i MOS-FET, deoarece sunt cele mai ntlnite.
Acestea fiind zise, subiectele de astzi sunt:

Polarizarea tranzistoarelor bipolare.

Polarizarea

tranzistoarelor

cu

efect

de

cmp

cu

poart

jonciune (JFET).

Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart izolat

(MOS-FET).

Relund definiia din articolul trecut, putem spune c tranzistorul este o

component electric activ care ne permite s controlm curgerea unui
curent electric prin intermediul unui semnal electric de comand. Aa cum
spuneam i n introducere, aplicarea unor tensiuni electrice pe terminalele
unui tranzistor se numete polarizare. Polarizarea tranzistoarelor poate fi
fcut n multe moduri, chiar i n moduri inutile. De aceea, n practic, prin
polarizarea tranzistoarelor se nelege c respectivele tensiuni electrice sunt
aplicate ntr-un mod util (n care semnalul aplicat la intrarea tranzistorului
controleaz curentul de la ieirea acestuia). Aadar, pentru a putea pune n
funciune un tranzistor, trebuie s-l conectm ntr-un circuit de intrare (prin
care i aplicm semnalul de comand) i ntr-un circuit de ieire (prin care
circul curentul pe care ne propunem s-l controlm). Fiecare din aceste
dou circuite conine dou surse de tensiune pe care n figurile de mai jos le
voi prescurta cu S.C.in i S.C.out.

Polarizarea tranzistoarelor bipolare.

n articolul trecut spuneam c fiecare tranzistor bipolar are cte 3 terminale
(sau dac vrei picioare), numite, Baz (B), Emitor (E) i Colector (C). Tot n
articolul trecut mai povesteam c tranzistoarele bipolare sunt de dou tipuri:
NPN i PNP . Din punct de vedere practic, singura diferen ntre aceste tipuri
este sensul n care se face polarizarea tranzistoarelor, i anume:

tranzistorul NPN, poate fi folosit doar dac baza i colectorul sunt

polarizate cu tensiuni pozitive (de la borne pozitive) iar emitorul este
polarizat cu tensiune negativ (de o born negativ). Cu alte cuvinte,
emitorul unui tranzistor NPN este mereu conectat la borna (minus), iar
baza i colectorul la borna sau bornele + (plus);

tranzistorul PNP, poate fi folosit doar dac baza i colectorul sunt

polarizate cu tensiuni negative (de la borne negative) iar emitorul este
polarizat cu tensiune pozitiv (de o born pozitiv). Cu alte cuvinte,
emitorul unui tranzistor PNP este mereu conectat la borna + (plus), iar
baza i colectorul la borna sau bornele (minus).

Simbolizarea i polarizarea tranzistoarelor bipolare este prezentat n partea

de sus a figurii 1. Funcionarea tranzistorului bipolar este simpl: semnalul
de comand se aplic ntre baz i emitor, iar semnalul de ieire este
reprezentat de curentul care circul ntre colector i emitor. Cu ct curentul
electric care circul ntre baz i emitor este mai mare, cu att mai mare
este i curentul care curge ntre colector i emitor. Aceti doi cureni se mai
numesc:

curent de comand sau curent de baz (IB);

curent de ieire sau curent de colector (IC).

Diferena dintre intensitile celor doi cureni (adica I C/IB) se numete factorul
de amplificare al tranzistorului, i se noteaz cu (beta). Altfel spus, acest
factor arat ct de sensibil este curentul de colector fa de curentul de
baz. Valoarea acestui factor variaz de la 5-10 n cazul tranzistoarelor de
putere i poate ajunge chiar i pn la 1000 n cazul tranzistoarelor de mic
putere.

Figura 1. Polarizarea tranzistoarelor bipolare.

Pentru a comanda un tranzistor bipolar, trebuie s ai grij ca tensiunea
aplicat ntre baz i emitor s fie cel puin egal cu tensiunea de
deschidere a unei jonciuni PN. Aceast tensiune de deschidere variaz n
funcie de materialele din care este fcut tranzistorul: pentru siliciu este de
~0,65V, pentru germaniu ~0,3V etc. Avnd n vedere c n ziua de azi foarte
rar gseti tranzistoare fcute din altceva dect din siliciu, putem
concluziona c: pentru a comanda un tranzistor bipolar, trebuie s-i aplici
ntre baz i emitor o tensiune de cel puin ~0,65V.
n interiorul tranzistorului bipolar, ntre baz i emitor se afl o jonciune PN.
Dac ai citit articolul despre jonciunea PN, tii c aceasta se comport ca o
supap: dac i aplici o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere, nu
se ntmpl nimic (rmne nchis). Dac ns i aplici o tensiune aproximativ

egal cu cea de deschidere, supapa se deschide i ncepe s permit

trecerea curentului electric. Dac mai departe, ncerci s-i bagi o tensiune i
mai mare dect tensiunea de deschidere nu vei reui, pentru c supapa
se va deschide i mai tare i va elibera astfel tensiunea suplimentar pe care
ncerci s-o aplici. De aici rezult c ntre baz i emitor (n polarizare
corespunztoare):

poi s aplici orice tensiune ntre 0 i ~0,65V fr a reui s creezi un

curent electric IB i deci fr s reueti s obii vreun curent de ieire
(tranzistorul este blocat, nchis);

dac bagi ~0,65V va ncepe s apar un curent de ieire (tranzistorul

este parial deschis);

dac ncerci s bagi peste ~0,65V, vei deschide i mai tare supapa
dintre baz i emitor fapt care va elibera orice tensiune electric
suplimentar pe care ai ncerca s-o aplici. Deschiderea supapei
nseamn c vom obine o cretere a lui I B i implicit o cretere a lui
IC (tranzistorul se deschide i mai mult);

dac vei bga un curent de baz suficient de mare, la un moment dat

rezistena electric dintre colector i emitor va scade practic la zero
(tranzistorul se deschide complet). n acest caz, intensitatea lui I C va
depinde doar de cat de puternica este S.C.out.

Din cele povestite mai sus rezult c tranzistorul bipolar este un dispozitiv
comandat n curent, adic IC depinde doar de IB, n sensul c ICeste
proporional cu IB. Acest fapt este prezentat i n graficele din partea de jos
a figurii 1 unde se observ c indiferent dac I B este zero, crete sau scade,
exact la fel face i IC. Pentru mai multe detalii de ordin teoretic despre
polarizarea tranzistoarelor bipolare, poi arunca o privire aici.

Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart

jonciune (JFET).
Din punct de vedere al polarizrii, JFET-ul (Junction Field Electric Transistor)
funcioneaz invers fa de tranzistorul bipolar: dac nu-i bagi semnal de
comand n circuitul de intrare, intensitatea curentului electric care circul
prin circuitul de ieire este maxim. Cnd ns i bagi semnal de intrare,

curgerea curentul electric din circuitul de ieire ncepe s fie ngreunat sau
chiar blocat (dac semnalul de intrare este suficient de puternic). Asta
nseamn c polarizarea tranzistoarelor JFET presupune ca semnalul de
comand al acestuia s aib o polaritate invers fa de polaritatea aplicat
n circuitul de ieire.
La fel ca i n cazul tranzistorului bipolar, terminalele JFET-ului sunt tot 3 la
numr ns poart denumiri diferite, i anume: Poart (P), Surs (S) i Dren
(D). Aa cum i vei da seama i pe parcurs, din punct de vedere al utilizrii
practice, poarta, sursa i drena unui JFET au aceleai roluri ca i baza,
emitorul i colectorul unui tranzistor bipolar.
Dac tranzistoarele bipolare pot fi de tip NPN sau PNP, JFET-urile pot fi
cu canal de tip N sau cu canal de tip P. Din punct de vedere al utilizrii
practice, diferenele dintre ele sunt:

JFET-ul cu canal N, poate fi folosit doar dac drena este legat la borna
pozitiv a sursei de tensiune din circuitul de ieire, iar sursa la borna
negativ a acestuia. Semnalul de comand trebuie aplicat cu borna
negativ pe poart i cu borna pozitiv pe surs;

JFET-ul cu canal P, poate fi folosit doar dac drena este legat la borna
negativ a sursei de tensiune din circuitul de ieire, iar sursa la borna
pozitiv a acestuia. Semnalul de comand trebuie aplicat cu borna
pozitiv pe poart i cu borna negativ pe surs.

Simbolizarea i polarizarea tranzistoarelor JFET este prezentat n partea de

sus a figurii 2. Pentru o funcionare corect a JFET-ului, semnalul de comand
se aplic ntre poart i surs, iar semnalul de ieire este reprezentat de
curentul care circul ntre dren i surs. Cu ct tensiunea electric aplicat
ntre poart i surs este mai mare, cu att curentul care curge ntre colector
i emitor este mai mic. Aceti doi parametri se mai numesc:

tensiune de comand sau tensiune de poart (UPS);

curent de ieire sau curent de dren (ID).

Figura 2. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart jonciune

(JFET). Imax reprezint intensitatea maxim a curentului pe care l poate crea
S.C.out.
n funcie de modul de fabricaie, JFET-urile pot fi construite s funcioneze cu
semnale de intrare mai mici sau mai mari. n general, pentru a comanda un
JFET ai nevoie de tensiuni de intrare (U PS) cuprinse ntre circa -0,3 i -10V
(semnul - din faa valorilor tensiunii de intrare arat ca aceasta trebuie
aplicat cu o polaritate invers fa de tensiunea aplicat ntre surs i
dren). Cu alte cuvinte, n cazul celor mai multe JFET-uri, daca ntre poart i
surs aplici:

ntre 0 i -0,3V, curentul de dren nu este cu nimic deranjat de

semnalul tu de comand (JFET-ul este complet deschis);

ntre -0,3V i -10V, intensitatea curentului de dren va ncepe s scad

(JFET-ul devine parial nchis);

peste -10V, trecerea curentului electric ntre surs i dren este

complet blocat (JFET-ul devine complet nchis).

n concluzie, JFET-ul este un dispozitiv comandat n tensiune, adic I D depinde

doar de UPS, n sensul c ID este invers proporional cu UPS. Acest fapt este
prezentat i n graficele din partea de jos a figurii 2 unde se observ c
indiferent dac UPS este zero, crete sau scade, ID se comport exact invers.

Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart

izolat (MOS-FET).
Logica de funcionare a MOS-FET-ului (Metal Oxid Semiconductor Field Efect
Transistor) este similar cu cea a tranzistorului bipolar: curentul din circuitul
de ieire este proporional cu intensitatea semnalului de intrare. MOS-FET-ul
se aseamn ns i cu JFET-ul prin faptul c terminalele lor poart aceleai
denumiri (poart, surs i dren).
MOS-FET-urile pot fi cu canal de tip N sau cu canal de tip P. Din punct de
vedere al utilizrii practice, diferenele dintre ele sunt:

MOS-FET-ul cu canal N, poate fi folosit doar dac drena este legat la

borna pozitiv a sursei de tensiune din circuitul de ieire, iar sursa la
borna negativ a acestuia. Semnalul de comand trebuie aplicat cu
borna pozitiv pe poart i cu borna negativ pe surs;

MOS-FET-ul cu canal P, poate fi folosit doar dac drena este legat la

borna negativ a sursei de tensiune din circuitul de ieire, iar sursa la
borna pozitiv a acestuia. Semnalul de comand trebuie aplicat cu borna
negativ pe poart i cu borna pozitiv pe surs.

Simbolizarea i polarizarea tranzistoarelor MOS-FET este prezentat n partea

de sus a figurii 3.

Figura 3. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart izolat

(MOS-FET)
La fel ca i n cazul JFET-urilor, MOS-FET-urile pot fi construite s accepte
semnale de intrare de diferite intensiti. Cu toate acestea, n cazul
majoritii lor:

sub 0,3 0,5V, ntre dren i surs nu trece nici un curent electric
(MOS-FET-ul este blocat, nchis);

peste 0,3 0,5V, intensitatea curentului de dren va ncepe s

creasc (MOS-FET-ul devine parial deschis);

peste 4 8 V, trecerea curentului electric ntre surs i dren este

complet blocat (JFET-ul devine complet nchis).

n concluzie, MOS-FET-ul este un dispozitiv comandat n tensiune, adic

ID depinde doar de UPS, n sensul c ID este proporional cu UPS. Acest fapt este

prezentat i n graficele din partea de jos a figurii 3 unde se observ c

indiferent dac UPS este zero, crete sau scade, la fel face i ID.
Analiznd modul n care se realizeaz polarizarea tranzistoarelor bipolare,
JFET i MOS-FET poi ajunge la concluzia, c la urma urmei, toate fac acelai
lucru. De aceea te-ai putea ntreba de ce n practic nu se folosete un
singur tip ?. n cea mai mare parte, rspunsul este dat de avantajele i
dezavantajele fiecruia.
Tranzistorul bipolar
Avantaje:

pre n general mai redus dect JFET-ul i MOS-FET-ul;

existena unei game foarte variate de modele;

lucreaz bine la frecvene nalte (factorul de amplificare nu scade

prea mult la frecvene nalte).
Dezavantaje:

mai ales n cazul tranzistoarelor de putere, puterea electric

cerut pentru semnalul de comand este mare;

exemplarele de mare putere sunt, n general, mai scumpe

scumpe dect n cazul JFET-ului i MOS-FET-ului.

JFET-ul
Avantaje:

sunt comandate n tensiune, deci puterea electric cerut de

semnalul de comand este foarte mic;

pentru unele modele, polarizarea tranzistoarelor JFET se poate

face i n curent alternativ.

Dezavantaje:

numrul de modele disponibile este redus;

pre n general mai ridicat dect n cazul tranzistoarelor bipolare;

necesit o tensiune de comand mai mare (-0,3 -10V) dect n

cazul tranzitorului bipolar (0,65V);
sensibilitate ridicat la cmpuri electrice (n cazul n care nu se

iau msuri corespunztoare, un JFET se poate defecta prin simplul

contact al porii cu obiecte ncrcate electrostatic).
MOS-FET-ul

Avantaje:

sunt comandate n tensiune, deci puterea electric cerut de

semnalul de comand este foarte mic;

modelele

de

putere

au

pre

mai

redus

dect

cazul

tranzistoarelor bipolare.
Dezavantaje:

numrul de modele disponibile este redus;

pre n general mai ridicat dect n cazul tranzistoarelor bipolare;

necesit o tensiune de comand mai mare (0,3 8V) dect n

cazul tranzitorului bipolar (0,65V)

sensibilitate ridicat la cmpuri electrice (n cazul n care nu se

iau msuri corespunztoare, un MOS-FET se poate defecta prin
simplul contact al porii cu obiecte ncrcate electrostatic).

Acestea ar fi n principal avantajele i dezavantajele principalelor tipuri de

tranzistoare.

Cunoscnd

modul

care

se

realizeaz

polarizarea

tranzistoarelor, automat tii cum funcioneaz acestea i implicit ai cel puin

minimul de cunotine pentru a putea nelege, dezvolta sau depana montaje
electronice cu tranzistoare. Sper s fi neles tot ce am explicat n acest
articol, pentru c n curnd vom ncepe s vorbim i despre scheme electrice
cu tranzistoare. Dac totui ai nelmuriri, tii unde m gseti :).