1

1.1.

Procese fizice n tranzistorul bipolar cu jonciuni polarizat n regiunea activ normal

Se va considera cazul unui tranzistor npn. Funcionarea tranzistorului pnp este principial aceeai dac se nlocuiesc fluxurile de electroni cu cele de
goluri i invers, precum i dac se schimb semnele tensiunilor aplicate i sensurile curenilor prin terminale.
Descrierea fenomenelor se face in legtur i cu figura 3-17. S-a notat cu WB (base width) limea efectiv a bazei, cuprins ntre extremitile
regiunilor de tranziie ale celor dou jonciuni.
flux de goluri
flux de electroni
Jonciunea baz-emitor (BE) fiind polarizat direct, electronii majoritari din
emitor vor fi injectai n baz; la fel, golurile din baz vor fi injectate nspre emitor.
n
p
n
Deoarece emitorul este mult mai puternic dopat dect baza, ponderea cea mai mare n
IE
IC curentul total prin jonciunea emitoare o are fluxul de electroni injectai din emitor
spre baz.
E
C
Electronii ajuni n regiunea bazei devin purttori minoritari. Ei sunt
transportai prin difuzie. Recombinarea n regiunea bazei este foarte redus datorit
dimensiunilor geometrice foarte mici ale acesteia. Astfel, practic toi electronii
B
injectai de emitor n baz ajung la marginea regiunii de tranziie a jonciunii
colectoare. n aceast regiune exist un cmp electric orientat de la colector spre baz,
datorat polarizrii inverse a acestei jonciuni. Acest cmp va favoriza trecerea
0
wB
x
electronilor din regiunea bazei n regiunea colectorului.
VBE
VCB
Se observ c prin jonciunea colectoare, dei polarizat invers, va trece un
IB
curent important. Exist i un curent foarte mic format din goluri extrase din colector
i electroni extrai din baz (curentul invers al jonciunii colectoare), numit i curent
rezidual ICB0 (curentul ntre colector i baz cu emitorul n gol). n mod obinuit acest
Fig. 3-17 Procese fizice n TBJ polarizat n RAN
curent se neglijeaz.
Curentul prin jonciunea colectoare nu depinde practic de tensiunea invers aplicat acestei jonciuni. n schimb, valoarea acestui curent va fi
puternic influenat de tensiunea direct aplicat jonciunii baz-emitor. Acest efect de control al curentului printr-o jonciune polarizat invers de ctre
tensiunea aplicat altei jonciuni, polarizate direct, se numete efect de tranzistor.

1.1.1. Expresiile curenilor pentru tranzistorul bipolar cu jonciuni polarizat n regiunea activ normal
O nelegere mai bun a proceselor ce determin funcionarea tranzistorului se poate obine pe baza distribuiei purttorilor minoritari. Existnd dou
regiuni de tip n, pentru a face distincie ntre ele, se va aduga indicele E sau C. Se utilizeaz expresiile concentraiilor de purttori minoritari la marginile
regiunii de tranziie a unei jonciuni p-n polarizate.

n,p

Astfel, n legtur i cu notaiile din figura 3-18 i neglijnd dimensiunile

regiunilor de tranziie se poate scrie:

pnE(0)
np(0
pnE(x)

p nE (0) = p nE 0 e

np(x
)

pnE0

n p ( 0) = n p 0 e

pnC0
pnC(x)

np0
0

np(wB)

wB

pnC(wB)

n p ( WB ) = n p 0 e

VBE
VT

VBE
VT

VBC
VT

; (> p nE 0 )

(3.47)

; (> n p 0 )

(3.48)

0; ( VBC < 0)

Fig. 3-18 Distribuia purttorilor minoritari la un TBJ polarizat n RAN

p nC (WB ) = p nC0 e

VBC
VT

(3.49)
(3.50)

Se poate demonstra c distribuia de purttori minoritari n baz este practic liniar.

Distribuia de minoritari n baz va avea deci expresia:
VBE

x
x
V
n p ( x) = n p (0) 1
= n p0 e T 1

(3.51)
wB
wB

Aa cum s-a artat, n general, curentul de cmp al purttorilor minoritari poate fi neglijat. Curentul de electroni n baz va avea deci numai
component de difuzie . Densitatea de curent de difuzie este:

J nd = q D n

d np ( x)

q D n n p0

VBE
VT

(3.52)

dx
wB
Neglijnd recombinarea n baz, rezult c acest curent se menine constant. De fapt, deoarece purttorii minoritari transportai prin difuzie pn la
jonciunea colectoare vor fi preluai de cmpul electric i trecui n regiunea colectorului, rezult c acesta este chiar curentul de colector, adic:
JC = -Jnd
(3.53)
Semnul minus provine de la faptul c referina pentru curentul de colector este n sens invers axei ox. Deci, densitatea de curent de colector este:
JC =

q D n n p0
wB

unde s-a notat cu JS densitatea de curent de saturaie a tranzistorului

JS =

VBE
VT

= JS e

q D n n p0

VBE
VT

(3.54)

(3.55)
wB
Multiplicnd cu aria seciunii transversale a jonciunii emitoare, rezult ecuaia care caracterizeaz efectul de tranzistor (IC=f(VBE)).

VBE

IC = A J C
(3.56)
V
I C = IS e T
IS = A J S
unde IS este numit curent de saturaie i este o constant pentru o anumit temperatur. Denumirea de saturaie, n acest caz, nu are legtur cu regiunea de
de funcionare la saturaie a tranzistorului.
Valori tipice pentru IS sunt n intervalul 10-16 10-14A.
Practic, intensitatea curentului de colector este determinat de panta distribuiei de purttori minoritari de baz. Se mai observ c sarcina de
purttori minoritari acumulat n baz este proporional cu aria haurat n figura 3-18, aceasta sarcin fiind strict necesar ntreinerii curentului n
colector.
Curentul de baz are, n principal, dou componente:
-IB1 - datorat fenomenului de recombinare n baz;
-IB2 - datorat injeciei de goluri din baz nspre emitor
Prima component este proporional cu sarcina de baz:
Q
I B1 = b
(3.57)
b
unde b este timpul de tranzit al purttorilor prin baz.
n p (0)
VBE
q n pmed vol. q 2 A w B q n p0 A w B
(3.58)
I B1 =
=
=
e VT
2 b
b
b
A doua component trebuie s ntrein excesul de goluri la limita regiunii de tranziie a jonciunii emitoare.
I B2 = A J pEd (0)
(3.59)

Semnul minus se datoreaz referinei pentru curentul IB care corespunde cu deplasarea golurilor n sens invers axei x. Fiind un curent de difuzie, el va
depinde de gradientul concentraiei de goluri n emitor.
Distribuia de goluri n exces este dat de (3.17), cu observaia c injecia are loc n sens invers axei x.
p 'nE ( x) = p e

x
Lp

(3.60)

VBe

VT

p = p nE (0) p nE0 = p nE0 e

1
(3.61)

Neglijnd 1 n raport cu exponeniala (tiind c VBE>0, deoarece n RAN jonciunea emitoare este polarizat direct), rezult:

J PEd = q D p

dp 'nE ( x)
dx

nlocuind (3.62) n (3.59) i folosind i (3.58) rezult curentul total de baz:

q D p p nE 0
Lp

VBE
VT

x
Lp

(3.62)

VBE

q n p 0 A w B q D p p nE 0 A V
e T
I B =
+

L
2

b
p

(3.63)

VBE
VT

. Raportul lor va fi deci o constant care se noteaz

Comparnd cu (3.56) se observ c, att curentul de colector, ct i cel de baz depind de e
cu F i se numete factor de amplificare n curent n sens direct (F = forward = direct), adic definit pentru polarizare n RAN (pentru RAI se va defini R ;
R = reverse = invers).
q D n n p0 A
F =

q n p0 A w B
2 b

wB
1
=
2
q D p p nE 0 A
D p p nE 0 w B
wB
+
+

Lp
2 b D n D n n p0 L p

(3.64)

Pe baza relaiei:
ni2
p
=

nE 0 =

NDE

2
n p0 p p0 = n i

2

dar n nE 0 N D E ; p p 0 N A n p0 = n i

NA
p nE 0 n nE 0 = n i 2

(3.65)

Rezult:
F =

1
Dp

wB
N
w
+
A B
2 b D n Dn N D E Lp

(3.66)

Deci:
IC = F IB
(3.67)
F este cu att mai mare cu ct limea bazei, wB, este mai mic i cu ct emitorul este mai dopat dect baza (NDE>NA). O valoare tipic este F = 100.
Relaiile (3.56) i (3.67) descriu funcionarea tranzistorului n RAN. Parametrii care caracterizeaz aceast funcionare sunt IS i . Relaiile au fost
deduse n regim staionar, dar ele sunt valabile i n mrimi totale, n regim cvasistaionar, dac frecvena componentelor variabile ale semnalelor nu este
prea mare.
v BE

V
i C = I S e T
(3.68)
i = i
F B
C

1.2. Distribuia purttorilor de sarcin minoritari pentru diferite regiuni de fucionare ale unui
tranzistor bipolar
Se vor utiliza relaiile (3.47) i (3.50), adaptate pentru polaritile tensiunilor aplicate. Pentru fixarea ideilor se va considera un tranzistor npn (vBE,
vBC > 0, nseamn polarizare direct, iar vBE, vBC < 0, nseamn polarizare invers).

1.2.1. Regiunea activ normal

a)
Regiunea activ normal propriu-zis
n acest caz, vBE > 0; vBC < 0. Distribuia a fost descris n figura 3-18. Curentul de colector este determinat de panta concentraiei np(x). Sarcina
acumulat n baz este proporional cu aria triunghiului o; wB; np(0) i are valoarea minim posibil pentru susinerea unui anumit curent de colector.
b)
Limita ntre regiunea activ normal i cea de saturaie
n acest caz, vBE > 0; vBC = 0. Distribuia de purttori minoritari este
n,p
prezentat n figura 3-21. Se observ c np(wB) = np0 0. Dar cum valoarea
concentraiei de electroni n regiunea bazei la echilibru, np0 este foarte mic, acest
regim de funcionare nu difer esenial de cel precedent.
Se manifest nc efectul de tranzistor (relaiile (3.68) sunt nc valabile).
np(0)
c)
Limita ntre regiunea activ normal i cea de blocare
pnE(x)
n acest caz, vBE = 0; vBC < 0. Distribuia este prezentat n figura 3-22.
np(x)
pnE0
Valoarea concentraiei la echilibru, np0, fiind foarte mic, panta concentraiei np(x)
pnC(x)= pnC0
este mic i deci va rezulta un curent de colector foarte mic. La vBE = 0, practic,
tranzistorul este aproape blocat.
np0
n,p
np(wB)
0
wB
x
Fig. 3-21 Distribuia de minoritari pentru vBE > 0 i vBC = 0
pnE(x)= pnE0
pnC0
np(x)
pnC(x)
1.2.2. Regiunea de blocare
np0
n acest caz, vBE < 0 i vBC < 0. Distribuia de purttori minoritari este
0
wB
x
prezentat n figura 3-23.
Fig. 3-22 Distribuia de minoritari pentru v = 0 i v < 0
BE

BC

n aceast situaie, n baz nu exist sarcin acumulat, iar gradientul concentraiei fiind zero, curentul de colector este zero (practic exist nite valori mici
datorate curenilor reziduali). Ieirea din regiunea de blocare necesit un anumit
n,p
timp pentru realizarea distribuiei corespunztoare regiunii active normale
(modificarea sarcinii din baz) i pentru ncrcarea capacitilor jonciunilor. De
aceea, curentul de colector va urmri cu o anumit ntrziere variaia tensiunii
pnE0
baz-emitor.
pnC0
pnE(x)
np(x)
pnC(x)
np0
0

wB

Fig. 3-23 Distribuia de minoritari pentru vBE < 0 i vBC < 0

1.2.3. Regiunea de saturaie

n saturaie, ambele jonciuni sunt polarizate direct (pentru npn vBE > 0 i vBC > 0). Ca urmare, tensiunea colector- emitor vCE este mic, plasndu-se
uzual n gama 0,050,3V. n figura 3-24 se indic distribuia concentraiilor de
n,p
purttori minoritari de sarcin pentru un tranzistor npn saturat.
Concentraia de minoritari n baz, la marginea jonciunii colectoare, va fi:

np(0)
pnE(x)

np1(x)
np(x)

pnE0

n p ( w B ) = n po e

np(wB)

pnC(x)

pnC0

np0
0

np2(x)

wB

Fig. 3-24 D istribuia de minoritari pentru vBE > 0 i vBC > 0 (vBE > vBC)

v BC
VT

(3.70)

Deoarece vBC este acum pozitiv, rezult c np(wB) > 0.

Deoarece vBE este practic constant, rezult c variaiile tensiunii vCE se regsesc
ca variaii ale vCB (vCE = -vBC + vBE), deci tensiunea vCE influeneaz direct
concentraia np(wB). Deoarece curentul de colector, iC, este proporional cu panta
concentraiei de minoritari din baz, rezult c odat cu scderea tensiunii vCE
spre saturaie, scade i curentul iC (deoarece crete vBC i deci np(wB)).
Un model util pentru tranzistorul la saturaie este prezentat n figura 3-25.

Din distribuia concentraiilor se mai observ c pentru o valoare dat a curentului de colector, la
rsat
saturaie, n baz exist o cantitate mult mai mare de sarcin stocat, n comparaie cu cazul regiunii
UD = 0,6 0,7 V
C
active normale (aria trapezului 0/np(0)/np(wB)/wB > aria triunghiului 0/np(0)/wB). Ca urmare, contribuia la B
VCEsat = 0,1 0,3V
curentul de baz a componentei de recombinare (proporional cu sarcina) va fi mai mare la saturaie. n
UD
VCEsat
rsat = 2 50
plus, jonciunea colectoare fiind polarizat direct, va exista o nou component a curentului de baz care
corespunde injeciei de goluri din baz n colector. Aceste dou efecte conduc la o valoare a curentului de
E
baz la saturaie mai mare dect cea din RAN corespuntoare unei valori date a curentului de colector ( Fig. 3-25 Model pentru tranzistorul bipolar la saturaie
scade la saturaie).
Practic, pentru a aduce un tranzistor la saturaie trebuie s-i injectm n baz un curent mai mare dect cel necesar susinerii aceluiai curent de
colector la funcionarea n RAN. Dup intrarea n saturaie nu se mai manifest efectul de tranzistor, deci variaiile curentului de baz nu mai produc variaii
ale curentului de colector, curent ce va fi determinat de circuitul exterior.
Ieirea din saturaie se va face cu o anumit ntrziere fa de momentul schimbrii tensiunilor de polarizare, datorit timpului necesar pentru
evacuarea sarcinii suplimentare stocate n baz. Acest timp este sensibil mai mare fa de cel necesar ieirii din blocare.
Descrierea bazat pe figura 3-24 corespunde cu aa numita saturaie direct (vBE > vBC >0).
Exist i saturaia inversat cnd vBE < vBC i deci np(0) < np(wB), adic panta concentraiei np(x) este invers, ceea ce corespunde cu circulaia unui
flux de electroni dinspre colector spre emitor.
Este posibil i un caz limit cnd vBE = vBC i deci np(0) = np(WB) > 0. n acest caz, dei exist sarcin acumulat n
ICE = 0
baz, gradientul concentraiei np(x) este zero i deci nu exist circulaie de curent ntre colector i emitor. Acest regim de
X
C funcionare se numete i regim de curent zero. Tranzistorul se va comporta ca dou jonciuni p-n independente, ca n figura
E
3-26.
IC
IE
B
Fig. 3-26 Regimul de curent zero

1.3.

Fenomene secundare n funcionarea tranzistorului bipolar cu jonciuni

1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei)

n analiza funcionrii tranzistorului bipolar prezentat anterior, a fost presupus invers polarizat jonciunea B-C, fr nici un efect al tensiunii uBC
asupra curentului de colector iC. n practic se constat o uoar cretere a curentului de colector cu ceterea tensiunii colector-emitor, uCE. Deoarece
tensiunea uBE este practic constant, variaia tensiunii uCE este practic egal cu variaia tensiunii uCB (uCE = uCB + uBE).
Creterea tensiunii uCB duce la extinderea regiunii de tranziie a jonciunii colectoare i deci la micorarea grosimii bazei. n figura 3-29 se prezint
distribuia concentraiei de purttori minoritari n baz. Aceasta este liniar, avnd valoarea
VBE
Regiunea de
np
tranziie
n p (0) = n p0 e VT la marginea jonciunii emitoare i n p ( w B ) 0 la marginea jonciunii colectoare.
pentru UCE1 C
E
B
Micorarea grosimii bazei duce la creterea pantei concentraiei de minoritari i deci la creterea

np(0)
np(x)

wB

Regiunea de
tranziie
pentru
UCE2 > UCE1

np0
0

curentului n colector (care este practic curent de difuzie a minoritarilor n baz).

Forma tipic a caracteristicilor de ieire ale tranzistorului se prezint n figura 3-30. Din cauza
efectului Early, caracteristicile sunt uor nclinate. Prin extrapolarea caracteristicilor napoi ctre axa
uCE, intersecia cu aceast ax se produce la o tensiune -VA, numit tensiune Early.
Influena efectului Early asupra caracteristicilor de semnal mare ale tranzistorului n regiunea activ
normal (RAN) se poate reprezenta analitic prin modificarea relaiei (3.56) astfel:
v BE

wB

v
i C = I S 1 + CE e VT
VA

Fig. 3-29 Explicarea efectului Early

Pentru realizri obinuite, VA =8 0V 120V

iC

vBE4

vBE3
vBE2
vBE1
-VA

0
Fig. 3-30 Evidenierea tensiunii Early

vCE

(3.91)

1.3.2. Dependena factorului de amplificare de curentul de colector

n teoria elementar a tranzistorului bipolar s-au neglijat o serie de fenomene care n practic, n anumite
condiii, i fac simite efectele.
Astfel, factorul de amplificare n curent, , nu este constant, ci depinde de curentul IC ca n figura 3-31.

IC

Fig. 3-31 Dependena = f(IC)

1.4.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cu jonciuni

Se va considara tranzistorul ca un cuadripol. Evident, un terminal va fi comun intrrii i ieirii. De exemplu, n figura 3-32 se specific mrimile de
intrare i de ieire pentru conexiunile emitor comun (EC) i baz comun (BC).
iC Aspectul caracteristicilor va fi evident diferit n funcie de conexiunea tranzistorului. Exist trei tipuri de
iE
iC
caracteristici:
- de intrare (iIN = f(vIN))
iB
- de transfer (iIES = f(vIN) sau iIES= f(iIN))
uCE
uEB
uCB
- de ieire (iIES = f(vIES))
uBE
n multe cazuri, mai ales pentru caracteristicile de ieire, se reprezint o familie de caracteristici, alegnd
ca parametru o mrime de intrare. Caracteristicile statice pentru conexiunea emitor comun sunt cele mai
BC
IN
EC
IES IN
IES folosite.
n figura 3-30 s-a reprezentat o familie de altfel de caracteristici de ieire, la care parametrul s-a
Fig. 3-32 Mrimile de intrare i de ieire considerate n
caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
ales tensiunea vBE. n figura 3-33 se prezint aspectul caracteristicilor de intrare i de transfer, de
asemenea pentru conexiunea emitor comun.
iB
iC
iC

2mA

20A

0,6V

uBE

0,6V

uBE

Fig. 3-33 Caracteristici de intrare i de transfer

iB

n figura 3.34 se prezint caracteristicile de ieire ale unui tranzistor npn, n funcie
de parametrul iB, evideniindu-se regiunile activ normal, activ invers i de
saturaie. S-au utilizat scri diferite pentru valori pozitive sau negative.
iC [mA]
iB =0,04mA

Regiunea de
saturaie

Regiune
a activ
normal
-8

-6

-4

iB =0,01mA
iB = 0

0,03mA

4
3

0,02mA

2
-2

0,01mA

0,02mA

10
-0,02

0,03mA

-0,04

0,04mA

-0,06

Regiune
a activ
inversat

-0,08
-0,10

iB = 0

20
30
40 uCE
Regiunea de
BVCE0
saturaie
VALORI TIPICE
RAN: F = 100
F = 0,99
RAI: R = 1 5
R = 0,5 0,8

Fig. 3-34 Caracteristicile de ieire iC = f(uCE) cu parametrul iB

S-a evideniat i fenomenul de strpungere, caracterizat de tensiunea de stpungere

BVCE0 (breakdown voltage) ntre colector i emitor ca baza n gol.

1.1.

Funcionarea tranzistorului
regim variabil la semnal mic

bipolar n

Se consider un circuit teoretic reprezentat n figura 3-38.

Se admite c tensiunea de polarizare, VCC, este suficient de mare nct jonciunea
baz colector s rmn polarizat invers, pentru toate valorile posibile ale
componentei variabile vbe, deci tranzistorulu s se menin permanent n regiunea
activ normal. Tensiunea vBE avnd i component continu i variabil, curenii
iB i iC vor avea, la rndul lor, att componente continue, ct i variabile.
v BE + v be
v BE v be
v be
v BE

VT
VT VT
VT
VT
i
I
e
I
e
e
I
e

iC = IS e

C
S
S
C
(3.99)
v BE = VBE + v be
Relaia
(3.99)
ofer
posibilitatea
iC=IC+ic
determinrii mrimii totale a curentului de
colector. Ea permite i stabilirea unui
iB=IB+ib
criteriu dup care componenta variabil s
fie considerat sau nu de semnal mic.
VCC
vbe
vBE
VBE
Fig. 3-38 Circuit pentru studiul funcionrii
tranzistorului la semnal mic

1.1.1. Criteriu de estimare a mrimii semnalului

Dezvoltnd relaia (3.99) n serie Taylor se obine:
2
3
v

1 v
1 v
(3.100)
i C = I C 1 + be + be + be +........
6 VT
VT 2 VT

Se poate considera semnalul mic atunci cnd circuitul este liniar, adic atunci cnd
se pot neglija termenii de grad superior din relaia (3.100). Aceasta nseman c:
vbe << VT
(3.101)
I
(3.102)
n acest caz:
i C = I C + C v be
VT
I
(3.103)
Componenta variabil este:
i c = C v be = g m v be
VT
unde s-a notat cu gm tranconductana de semnal mic a tranzistorului:
I
gm = C
(3.104)
VT
Practic, se poate considera c, dac vbe < 10mV, erorile care apar datorit
aproximaiei de semnal mic sunt sub 10%.

1.6.2. Modelul -hibrid simplificat

Conform cu definirea regimului variabil la semnal mic, poriunea din
caracteristica dispozitivului parcurs de punctul de funcionare poate fi aproximat
cu tangenta dus n punctul static de funcionare. Considernd caracteristica de
transfer iC = f(vBE), adic:
v BE
VT

(3.105)

i C = I S e
relaia ntre componentele de semnal mic va fi:
ic = gm vbe
unde:

gm =

di C
I
= S e
dv BE PSF VT

(3.106)
VBE
VT

v be
VT

I e
= S
VT

I
= C
VT

(3.107)

PSF

Se observ c s-a regsit relaia (3.104).

Transconductana gm modeleaz efectul de tranzistor pentru componentele de
semnal mic ale mrimilor electrice.
Deoarece jonciunea baz-emitor este direct polarizat, prin echivalen cu
comportarea jonciunii p-n la semnal mic, ntre baz i emitor, pentru semnal mic,
comportarea tranzistorului va fi descris de o rezisten. Relaia ntre curentul de
baz i tensiunea baz-emitor de semnal mic este deci:
(3.108)
vbe = ib r
unde cu r s-a notat rezistena echivalent la semnal mic ntre baz i emitor.
ic
v
g

(3.109)
r = be = m =
ib
ib
gm
Cele dou elemente, gm i r pot descrie, ntr-o prim aproximaie,
funcionarea tranzistorului bipolar n regim variabil, la
b
c
semnal mic, dac frecvena de lucru nu este prea mare.
Modelul
bazat pe cei doi parametri este prezentat n
+
r
gmvbe
figura 3-39 i se numete modelul -hibrid simplificat.
-

e
Fig. 3-39 Modelul de semnal
mic -hibrid simplificat

1.6.3. Modelul -hibrid complet

Lund n considerare i alte fenomene se vor gsi elemente care s completeze modelul din figura 3-39.
a)
Rezistena de ieire
S-a artat c efectul Early produce variaia curentului de colector, iC, cu tensiunea colector, vCE.

unde VA este tensiunea Early.

Pentru componentele de semnal mic, relaia devine liniar:

v
i C = I S 1 + CE
VA

VBET
e

(3.110)

i c = g m v be + g o v ce

(3.111)

unde:
b ib

go =

ic c

r + gmvbe
ie

ro

i
1
= C
rO v CE

PSF

IC
VA

(3.112)

Deci rezistena de ieire are expresia:

VA
IC
Modelul completat cu acest element este prezentat n figura 3-40.
ro =

(3.113)

Fig. 3-40 Modelul de semnal mic

incluznd i ro

b)
Variaia sarcinii n regiunea bazei
S-a artat c la variaia tensiunii colector emitor, vCE, se modific panta distribuiei de purttori minoritari din baz. Aceasta nseamn, de fapt, modificarea
sarcinii de purttori minoritari din baz. La creterea tensiunii uCE, corespunde creterea pantei, deci, conform figurii 3-29, micorarea ariei triunghiului
o;wB;np(0), adic micorarea sarcinii de baz. Aceasta duce la micorarea curentului de baz. Acest efect se modeleaz cu un
r
b
c rezistor plasat ntre colector i baz, notat cu r., ca n figura 3-41.
Se poate arta c:
ro
r > r
(3.114)
r + gmvbe
Valoarea sa fiind foarte mare, r se va lua n considerare numai cnd restul circuitului conine rezistene fizice sau echivalente
foarte mari.
e
Fig. 3-41 Modelul -hibrid care
include i r

d)
Rezistenele parazite
Dup cum se poate observa n figura 3-15-a, ntre contactele terminalelor tranzistorului, din partea de sus i partea activ a structurii, plasat sub
emitor, se nseriaz poriuni de material semiconductor, care prezint o anumit rezistivitate. Efectul acestora se
rb
r
rc
b
c
manifest mai ales la cureni mari de polarizare. Valori tipice pentru aceste rezistene parazite, corespunznd unor b
tranzistoare din circuitele integrate, sunt urmtoarele:
ro
r + gmvbe
re = 1 3

(3.115)
rb = notat uneori si rx = 50 500
e
r = 20 200
c
re
Se poate observa, n figura 3-42 c generatorul care modeleaz efectul de tranzistor nu mai este comandat de ntreaga
e
tensiune aplicat la terminale, vbe, ci numai de partea disponibil la nodurile interne b' i e'.
Fig. 3-42 Includerea rezistenelor parazite
n modelul de semnal mic

d)
Capaciti
n figura 3-43, n care se prezint modelul -hibrid complet al tranzistorului, apar i trei capaciti. Capacitatea C include o component datorat sarcinii de
baz (variaia curentului ic ca rspuns la variaia tensiunii vBE implic modificarea distribuiei de purttori
C
minoritari
i deci a sarcinii de minoritari din baz), care este, de fapt, o capacitate de difuzie. O a doua
r
rc
b x b
c component a capacitii C o reprezint capacitatea de barier a jonciunii emitoare, datorate sarcinii din
r
regiunea de tranziie a acestei jonciuni. Capacitatea C este capacitatea de barier a jonciunii colectoare.
ro Ccs
r + C gmvbe
Tranzistoarele npn din circuitele integrate mai sunt afectate de o capacitate parazit a jonciunii care apare
e
ntre colectorul de tip n i substratul de tip p pe care se realizeaz circuitul integrat, capacitate notat cu CCS.
re
e

Fig. 3-43 Modelul de semnal mic -hibrid complet

Tranzistorul cu efect de camp

Clasificare, simboluri
Functionarea se bazeaza pe controlul conductivitatii unui canal
semiconductor cu ajutorul unui camp electric orientat transversal
fata de acest canal.

cu canal n
TEC - J (TEC cu poarta jonctiune)

cu canal p

TEC - MOS (TEC cu poarta izolata Metal - Oxid - Semiconductor)

cu canal n

cu canal indus (cu imbogatire - enhancement)

cu canal p

cu canal initial (cu saracire - depletion) cu canal n

cu canal p

drena
iD

Canal
n

poarta = gate
(grila)

substrat
(body)

sursa

TEC-J (J-FET)

TEC- MOS cu canal indus

(enhancement MOS-FET)

TEC- MOS cu canal initial

(depletion MOS-FET)
D

iD

Canal
p G

G
S

TEC MOS cu canal n indus structura;

procese fizice

 vGS = 0
doua diode in opozitie inseriate
intre drena si sursa
nu circula nici un curent intre D si
S daca se aplica o tensiune vDS > 0
exista o regiune golita de purtatori
liberi de sarcina electrica intr
substratul de tip p si regiunile de tip
n+ ale drenei si sursei

vGS > 0
potentialul pozitiv de pe poarta respinge golurile libere rezultand o regiune
golita incarcata cu sarcina negativa a atomilor acceptori ionizati
pe masura ce vGS creste, sunt atrasi electroni liberi care, treptat, formeaza
un strat de inversiune (mai multi electroni decat goluri) la suprafata de sub
electrodul poarta (se INDUCE un canal conductor de tip n intre D si S). Acest
fenomen apare daca vGS > VTh (tensiune de prag threshold)
daca se aplica o tensiune vDS > 0, va cirula un curent intre D si S prin canal

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea de blocare

v GS < VTh
iD = 0
v DS 0

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea trioda
v GS > VTh EXISTA canal
v GS canalul se adanceste (R Ch )

Pt. valori mici ale tensiunii v DS

i D ~ v DS
v DS
1
iD =
; R Ch ~
v GS VTH
R Ch
Pentru tensiuni vDS mici,
tranzistorul se comporta intre
drena si sursa ca un rezistor cu
rezistenta controlata de
tensiunea vGS

vDS

vGS

vGD

vGCh(x0)
hCh(x0)
vCh(x0)
0

in x)
v GCh ( x ) < VTh h Ch ( x ) = 0 (NU exista

vDS-vCh(x0)
x0

v GCh (0) = v GS
v GCh ( x );
v GCh (L) = v GD
v GCh ( x ) > VTh h Ch ( x ) 0 (exista canal

canal in x)
vDS = vGS - VTh

v DS > 0
v Ch ( x 2 ) > v Ch ( x1 )
x 2 > x1
v GCh ( x ) = v GS v Ch ( x ) v GCh ( x 2 ) < v GCh ( x1 )
h Ch ( x 2 ) < h Ch ( x1 )

v DS = v GS VTh

In particular :
v GD = v GS v DS v GD < v GS h Ch (L) < h Ch (0)

v GD = VTh
h Ch (L) = 0

v GS > VTh

v DS v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS
W KP
K=

;
L 2

KP = n C ox

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea de saturatie (activa)
v GS > VTh

Reg. trioda v DS v GS VTh

1424
3

v DSsat
i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS

La limita, v DS = v DSsat

v GS > VTh

Reg. saturata (activa)v DS > v GS VTh

1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh )2

= v GS VTh sau
i = K v 2
DS
D

Pt. vDS > vDSsat

curentul iD ramane
constant, egal cu
valoarea de la limita
regiunii trioda.
Electronii sunt
transportati de la varful
canalului la drena sub
actiunea campului
electric din aceasta
regiune.

v GS > VTh

Reg. saturata (activa)v DS > v GS VTh

1424
3

v DSsat

Regiune in care
panta scade
datorita cresterii
rezistentei
canalului cu vDS
Regiune aproape
liniara cu panta
proportionala cu
(vGS VTh)

i D = K (v GS VTh )

Curentul se satureaza
deoarece canalul este
strangulat in dreptul drenei si
vDS nu mai afecteaza canalul

v GS > VTh

v DS > v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh )

2
i D = K v DS

(v DS = vGS VTh )

vGS VTh = 2V

21

22

23

Efectul modularii
lungimii canalului

v GS > VTh

v DS > v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh ) (1 + v DS )
2

ro

1
V
= A
ID ID

TEC MOS cu canal n initial structura;

regiuni de functionare

Exista canal (ID > 0) chiar si la vGS = 0; pentru a anula

canalul tebuie aplicata o tensiune vGS negativa.
Deci tensiunea de prag este negativa (VTh < 0)

Conditiile care definesc regiunile de

functionare si expresiile marimilor electrice
asociate acestora raman IDENTICE cu
cele de la TEC MOS cu canal n indus;
Tensiunea de prag este insa negativa
(VTh < 0).

v GS VTH
iD = 0
Reg. blocare

v GS > VTH
i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS
Reg. trioda
v DS v GS VTh
v GS > VTH
2
Reg. saturata (activa)
i D = K (v GS VTh )
v DS > v GS VTh
2
I DSS = I D (0) = K VTh

TEC-J cu canal n structura; regiuni de

functionare
Conditiile care definesc regiunile de
functionare si expresiile marimilor
electrice asociate acestora raman
IDENTICE cu cele de la TEC MOS
cu canal n indus si TEC MOS cu
canal n initial;
Tensiunea de prag este negativa
(VTh < 0), ca si la TEC MOS cu
canal n initial.

Canalul este delimitat de 2 jonctiuni pn

polarizate invers (vGS < 0); modificarea
tensiunii vGS determina variatia extinderii
regiunilor de tranzitie ale jonctiunilor si
deci controleaza adancimea canalului.

TEC-J cu canal n functioneaza

NUMAI la vGS < 0 (altfel s-ar
polariza direct jonctiunile si iG ar
deveni foarte mare

Comparatie intre cele 3 tipuri de TEC cu

canal n caracteristica de transfer in
regiunea saturata

TEC cu canal p

Toate inegalitatile care definesc regiunile de functionare si toate

expresiile marimilor electrice asociate raman IDENTICE cu cele
de la TEC cu canal n DACA SE OPEREAZA TRANSFORMARILE :
v GS vSG
v v
DS
SD

VTh VTh
sensul de referinta al i D se inverseaza

Caracteristicile de transfer in regiunea

saturata pentru TEC cu canal p si canal n

Structura CMOS

32

33

34

35

36

Capitolul al n-lea
Circuite de polarizare
n.1 Definitii; probleme specifice
Pentru prelucrarea de semnale
variabile, aceste semnale
trebuie spuprapuse peste
componente continue care s
stabileasc punctul static de
funcionare ntr-o regiune
convenabil a caracteristicii
dispozitivului utilizat.
POLARIZARE = totalitatea
tehnicilor de circuit prin care se
stabilete un anumit punct static
de funcionare pentru un dispozitiv

UBC
IB
UBE

ID

IC

VGD

UCE
IE

I E = I C + I B

U CE = U BC + U BE
U BE

I C = I S e T

I C = I B

PSF = (I C , U CE )

VDS

IG
VGS
IS

I S = I D + I G

VDS = VGD + VGS

I D = K (VGS VTh )2

I G = 0

PSF = (I D , VDS )

n.2 Circuite de polarizare realizate cu

componente discrete pentru tranzistorul
bipolar cu jonctiuni
Circuitul simplu de polarizare
RB
IB

RC
IC
Q

UBE

VCC

DI
UD

(a)

IC

IB
UCE

VCC U D = R B I B

RC

RB

IB =

IB
UBE

UCE
(b)

VCC = R C I C + U CE U CE = VCC R C

VCC

VCC U D
; dac VCC > U D
RB

VCC U D
IC = IB =
RB
VCC U D
RB

Circuitul de
polarizare cu
rezistor in
emitor

Proiectarea pentru stabilitate specificat a

punctului static de funcionare

VCC U D ( TMIN )

I
(
T
)
=

(
T
)

MIN
C MIN
R B + (TMIN ) + 1 R E

VCC U D ( TMAX )
I ( T
)
=

(
T
)

MAX
C MAX
R B + (TMAX ) + 1 R E

(TMAX ) + 1
U CE (TMAX ) = VCC R C +
R E I C (TMAX )
(TMAX )

Circuitul de
polarizare cu
rezistor in
emitor

Circuitul de polarizare cu divizor de

tensiune n baz i rezistor n emitor
RB1

IC
IB

RB2

UBE

RC
UCE
IE
RE

RB=RB1 RB2
VB=VCCRB2/(RB1+RB2)

RB1

RB

VCC
RB2

VCC

VB VD

I
=

C
R B + ( + 1) R E

+1
U
= VCC R C +
R E IC
CE

VB

IC
RB

IB

VB

UBE

RC
UCE
IE
RE

VCC

n.3 Circuite de polarizare realizate cu componente

discrete pentru tranzistorul cu efect de camp

n.4 Circuite de polarizare specifice

circuitelor integrate analogice

Surse de curent cu TBJ

Oglinda de curent simpl

VBE1 = VBE 2 I C1 = I C 2

IO=IC2

IREF
IC2
Q1

IB1

IB2

Q2

I REF = I C1 + 2I B = I B + 2I B = ( + 2) I B

A Q1 = 2 A Q2 I S1 = 2 I S2

v BE

VT
i C = IS e
I C1 = 2 I C2

VBE1 = VBE 2

I O = I C2 = I B

=
=
1
2
I REF + 2
1+

IO

IB 0

I O = I REF

Oglinda de curent simpl

Rezistenta de iesire
iC

vBE4

vBE3
vBE2
vBE1
0

-VA

b ib

ic c

r + gmvbe
ie

ro

vCE

VA
ro =
IC

Oglinda de curent simpl

Rezistenta de iesire

Structur de polarizare care realizeaz rapoarte ntre cureni

Q5

Q6

IREF

Q1

I2=IREF /2

I3=3 IREF /2

I4

Q2

Q3

Q4

+
VCC

I6=I4= IREF

+
VEE

Surse de curent cu TEC

Oglinda de curent simpl

Etaje elementare de amplificare

1 Etaje elementare de amplificare cu
tranzistoare bipolare cu jonctiuni
Deoarece tranzistorul bipolar cu jonciuni are trei terminale, unul dintre
acestea va fi comun intrrii i ieirii. Se vor deosebi trei conexiuni
elementare:
- emitor comun (EC);
- baz comun (BC);
- colector comun (CC).
Identificarea conexiunii se refer la regimul variabil i, n
consecin, se va realiza utiliznd o schem echivalent n regim variabil.
n curent continuu nu este obligatoriu s existe un terminal la mas.
Analiza etajelor elementare se va efectua n band, utiliznd
modelul -hibrid simplificat. Se vor urmri civa dintre parametrii
caracteristici amplificatoarelor, cum ar fi: amplificarea de tensiune,
rezistena de intrare i rezistena de ieire.

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea emitor comun
RC
Ri
Rg
vg

CB
vi

RB1

CL

+
VCC
-

Punctul static de functionare

vo RL

RB2
RE

Ro

RB1

CE

VB U B

I
=
C R + ( + 1 RE
)
B

U = V R + + 1 R I
CC
C
E
C
CE

R B2

V
=
V

B
CC
R B1 + R B2

R = R / / R
B1
B2
B

RB2

IC
IB
UBE

RC
Q
IE
RE

UCE

VCC

RC
Ri
Rg

RB1

CB

Q
RE

vg

vg

Ri
vi

RiT
RB

+
VCC
-

vo RL

RB2

vi

Rg

CL

Ro

Rg
vg

CE

Ro

Ri
Q
vi

b
c
+
r
gmvbe
- e

Ro
RC

I
gm = C
VT

RL
vo

RL

r =
gm

RL
vo

RB

RB=RB1 RB2

RoT

RC

v
av = o
vi

RL=RC RL

Amplificarea de tensiune

v o = g m v be ( R C / / R L )
vo
'
g
R

a
=
=

v
m
vi

v be = v i

Rg

Ri

RiT
RB

vi

vg

RoT

b
c
+
r
gmvbe
- e

R i = R B / / R iT

vt

+
r
-

RC

I
gm = C
VT

RL
vo

RL

r =

gm

Rezistenta de intrare

vt
R iT =
it

it

Ro

vT
R iT =
= r
it
gmvbe

R i = R B / / r

Rg

Ri

RiT

vi

vg

RB

RoT

b
c
+
r
gmvbe
- e

RB

+
r
-

RC
gmvbe

I
gm = C
VT

RL

RC

vo
RL

v
Ro = t
it

RoT
Rg

Ro

it

vt

r =

gm

Rezistenta de iesire

v
Ro = t = RC
it

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea colector comun
(repetor pe emitor)
+
Ri
Rg
vg

CB
vi

VCC
-

RB1
Q
RB2
RE

CL

Punctul static de functionare

Ro
vo RL

VB U D
IC =
R B + ( + 1) R E
R B2

VB = VCC
R B1 + R B2

R = R / / R
B1
B2
B

RB1

RB2

IC
IB
UBE

Q
IE

UCE

VCC

RE

U CE = VCC R E I E = VCC

+1
IC R E

Amplificarea in tensiune

Rg
vg

Ri

Rg

RiT
RoT

Q
vi

Ro

RB
RE

RB=RB1 RB2

vg

RL

vo

Ri
vi

RiT
RB

b
c
+
gmvbe
r
- e
Ro
RoT
RE

RL
(a)

RL
RL

vo

(b)

v be
v o = i e ( R E / / R L ) = (i b + i c ) ( R E / / R L ) =
+ g m v be ( R E / / R L ) =
r

1 + g m r
1+
=
v be ( R E / / R L ) =
v be ( R E / / R l )
r
r

Amplificarea in tensiune

Rg
vg

Ri

Rg

RiT
RoT

Q
vi

Ro

RB
RE

RB=RB1 RB2

vg

RL

vo

Ri
vi

RiT
RB

b
c
+
gmvbe
r
- e
Ro
RoT
RE

RL
(a)

RL
RL

(b)

v i = v be + v o
r + ( + 1) ( R E / / R L )
1+
v i = v be +
v be ( R E / / R L ) =
v be
r
r

vo

Amplificarea in tensiune

+ 1) ( R E / / R L )
+ 1) R ' L
(
(
vo
=
av =
=
v i r + ( + 1) ( R E / / R L ) r + ( + 1) R ' L
Rezistenta de intrare

it
vt

v be = i t r

g m v be = g m r i t = i t

RiT
+
r
-

gmvbe

v t = v be + R 'L i e = r i t + R 'L ( + 1) i t

vt
R iT = = r + ( + 1) R 'L
it
RL=RE RL

R i = R B / / R iT

Rezistenta de iesire

R o = R E / / R oT
Rg RB

+
r
-

v
R oT = t =
it

gmvbe
it
RoT

vt

v be

i t + r + g m v be = 0

v = v v be (R // R )
be
g
B
t
r

1+

Rg / /R B
r

1
+ gm
r

r + R g / / R B
r + R g / / R B
=
=
1 + g m r
1+

r + R g / / R B
Ro = RE / /
+1

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea baza comuna
Rg

Ri

vi

vg

CE
RE

RB

Ro
RC C L

RB

vo

CB

Rg
vg

Ri

vi

RiT

RL

RB2

VCC

RoT

IC
IB

Q
UCE

IE

UBE

RE

Ro
RC

RE

RB1

RC

vo

RL

RL

Rg
vg

Ri

vi

RiT gmvbe
RE

e r
+
b

RoT
c

Ro
RC

vo

RL

VCC

Rg
vg

Ri

vi

RiT gmvbe
RE

e r
+
b

RoT
c

Ro
RC

vo

RL
Amplificarea in tensiune

v = ( R / / R ) g v = g v R ' L
o
C
L
m be
m be

v be = v i
vo
av=
= g m R 'L
vi

Rezistenta de intrare

RiT gmvbe
r
+

it

R i = R iT / / R E
RL

vt

v be

+ g m v be = 0
i t +
r

v = v
t
be

1 + g m r
vt
1+
it =
+ gm vt =
vt =
vt
r
r
r

r
vt
R iT =
=
it + 1

Rezistenta de iesire

vt
Ro =
it

R oT
Rg

RE

r gmvbe
+

RC

it
vt

Ro = RC

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea emitor comun cu
rezistenta de emitor nedecuplata
RC
Ri
Rg
vg

CB
vi

RB1
Q

Ro

CL

RoT Ro

+
VCC
-

Rg

vo RL

RB2

vg

Ri

RiT
Q
RB

vi

Rg
vg

Ri
vi

RiT
RB

RoT
+
r
-

Ro
RC

gmvbe
RE

RL
vo

RL

RL
vo

RE

RE

RC

Rg
vg

Ri
vi

RiT
RB

RoT
+
r
-

Ro
RC

gmvbe
RE

RL
vo

RL
Amplificarea in tensiune

vo
g m R 'L
=
=
v be

av =
1 + g m r
vi
v i = v be +
+ g m v be R E
1+
RE
r

r
v o = g m v be R ' L

R 'L
=
r + ( + 1) R E

R 'L
av
RE

Rezistenta de intrare
it

vt

RiT
R L

+
r
-

gmvbe
RE

R i = R B / / R iT

v be = i t r

g m v be = g m r i t = i t

v t = i t r + ( + 1) R E
v
R iT = t = r + ( + 1) R E
it

Rezistenta de iesire

R oT
Ro = RC

2 Etaje elementare de amplificare cu

tranzistoare cu efect de camp
Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu
canal p initial n conexiunea sursa comuna

Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu

canal n indus n conexiunea poarta comuna

Etaj elementar de amplificare cu TEC-J cu canal n

n conexiunea drena comuna (repetor pe sursa)