Sistemas de Audio y Sonorización 1

Diploma de Especializacin Profesional
Universitario en
SISTEMAS DE AUDIO Y SONORIZACIN
VOLUMEN 1.1:
COMPONENTES BSICOS EN AUDIO.
J. Esp Lpez
J. M. Esp Huerta
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA
ISBN: 978-84-96678-82-8
N deposito legal: V-5060-2006
Los autores
Composicin compaginacin: ALFA DELTA S.L.
Imprime: ALFA DELTA S.L..
C/ Albocacer, 25 bajo 46020 Valencia (Espaa)
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medio de cualquier procedimiento, sea ste mecnico, electrnico, de fotocopia, grabacin o cualquier
otro, sin el previo permiso escrito del editor.
Diploma E.P.U. en Sistemas de Audio y Sonorizacin

VOLUMEN 1.1. COMPONENTES BSICOS EN AUDIO.
SUMARIO:
APARTADO A: SEALES Y SISTEMAS. ........................................................................................ 9
A.1 Introduccin.................................................................................................................................. 9
A.2 Componentes electrnicos............................................................................................................ 9
A.3 Sistema electrnico....................................................................................................................... 9
A.4 Seales en un sistema electrnico .............................................................................................. 10
A.5 Seales analgicas ...................................................................................................................... 10
A.6 Seal de entrada y seal de salida de un sistema electrnico ..................................................... 12
A.7 Sistemas lineales y no lineales.................................................................................................... 12
A.8 Distorsin producida por sistemas no lineales ........................................................................... 13
A.9 Espectro de una seal peridica.................................................................................................. 14
A.10 Espectro de una seal no peridica........................................................................................... 14
A.11 Anchura de banda de una seal ................................................................................................ 14
A.12 Seal portadora y seal moduladora......................................................................................... 15
A.13 Sistemas digitales ..................................................................................................................... 16
A.14 Seales digitales ....................................................................................................................... 18
APARTADO B: RESISTENCIAS. .................................................................................................... 19
B.1 Generalidades ............................................................................................................................. 19
B.2 Caracterizacin de resistencias ................................................................................................... 21
B.2.1 Potencia nominal, a una temperatura dada .......................................................................... 22
B.2.2 Disminucin a potencia cero................................................................................................ 22
B.2.3 Temperatura de funcionamiento .......................................................................................... 23
B.2.4 Coeficiente de temperatura .................................................................................................. 23
B.2.5 Mxima tensin de trabajo................................................................................................... 24
B.2.6 Tolerancia de la resistencia.................................................................................................. 24
B.2.7 Probabilidad de fallo............................................................................................................ 24
B.2.8 Cdigo de colores para alta tolerancia (20%; 10%; 5%) ..................................................... 24
B.2.9. Cdigo de colores para baja tolerancia (5%; 2%; 1%) ....................................................... 25
B.2.10 Cdigo de colores para muy baja tolerancia (1%; 0,5%; 0,25; 0,1%) ............................... 26
B.2.11 Series de valores standard .............................................................................................. 26
B.3 Tipos de resistencias y aplicaciones ........................................................................................... 27
B.3.1. Resistencias de carbn ........................................................................................................ 27
B.3.2 Resistencias de pelcula de carbn....................................................................................... 28
B.3.3 Resistencias en chip para montaje superficial ..................................................................... 28
B.3.4 Resistencias de pelcula metlica......................................................................................... 28
B.3.5 Resistencias bobinadas ........................................................................................................ 28
APARTADO C: CONDENSADORES. ............................................................................................. 31
C.1 Generalidades ............................................................................................................................. 31
C.2 Caracterizacin de condensadores .............................................................................................. 37
C.2.1 Valor nominal ...................................................................................................................... 37
C.2.2 Tolerancia ............................................................................................................................ 37
C.2.3 Temperatura de funcionamiento .......................................................................................... 38
C.2.4 Tensin nominal .................................................................................................................. 38
C.2.5 Tensin de pico.................................................................................................................... 38
C.2.6 Tensin de aislamiento ........................................................................................................ 38
C.2.7 Tensin inversa.................................................................................................................... 39
C.2.8 Esperanza de vida ................................................................................................................ 39
C.2.9 Corriente de fugas................................................................................................................ 39
C.2.10 Resistencia de prdidas...................................................................................................... 39
C.2.11 Resistencia equivalente serie (ESR) .................................................................................. 39
C.2.12 Factor de disipacin........................................................................................................... 40
C.2.13 Absorcin dielctrica ......................................................................................................... 40
C.2.14 Margen de frecuencias ....................................................................................................... 40
Pg. 3

C.3 Tipos de condensadores y aplicaciones ...................................................................................... 41

C.3.1 Condensadores electrolticos ............................................................................................... 41
C.3.2 Condensadores de mica ....................................................................................................... 42
C.3.3 Condensadores cermicos.................................................................................................... 43
C.3.4 Condensadores de pelcula .................................................................................................. 43
APARTADO D: BOBINAS................................................................................................................. 45
D.1 Generalidades ............................................................................................................................. 45
D.2 Factor de calidad de una bobina ................................................................................................. 47
D.3 Induccin electromagntica........................................................................................................ 49
D.4 Transformadores......................................................................................................................... 50
APARTADO E: DIODOS. .................................................................................................................. 53
E.1 Sustancias semiconductoras........................................................................................................ 53
E.2 Estructura cristalina del silicio.................................................................................................... 53
E.3 Conductividad elctrica de un metal........................................................................................... 53
E.4 Conductividad elctrica del silicio.............................................................................................. 54
E.5 Semiconductores de tipo N ......................................................................................................... 55
E.6 Conduccin en semiconductores de tipo N................................................................................. 56
E.7 Semiconductores de tipo P.......................................................................................................... 56
E.8 Conduccin en semiconductores de tipo P ................................................................................. 57
E.9 La unin PN ................................................................................................................................ 57
E.10 El diodo..................................................................................................................................... 59
E.11 Conduccin en avalancha ......................................................................................................... 61
E.12 Caracterstica esttica del diodo................................................................................................ 61
E.13 Clculo de la corriente a travs de un diodo ............................................................................. 63
E.14 Recta de carga de un diodo ....................................................................................................... 63
E.15 Efectos rectificadores de un diodo ............................................................................................ 63
E.16 Circuito equivalente del diodo en continua .............................................................................. 65
E.17 Comportamiento del diodo en alterna....................................................................................... 65
E.18 Circuito equivalente del diodo para seales dbiles ................................................................. 66
E.19 El diodo Zener .......................................................................................................................... 67
APARTADO F: TRANSISTORES. ................................................................................................... 69
F.1 El transistor bipolar (BJT)........................................................................................................... 69
F.2 Funcionamiento del BJT ............................................................................................................. 70
F.3 Anlisis bsico de un circuito con BJT ....................................................................................... 72
F.4 El BJT en zona activa y en saturacin......................................................................................... 72
F.5 Anlisis de un circuito con BJT saturado.................................................................................... 73
F.6 Potencia disipada por un transistor ............................................................................................. 74
F.7 Cofiguracin de un transistor ...................................................................................................... 74
F.8 Recta de carga esttica del BJT en configuracin de base comn .............................................. 75
F.9 El transistor en configuracin de emisor comn ......................................................................... 75
F.10 Anlisis de un BJT en emisor comn polarizado en la zona activa .......................................... 77
F.11 Anlisis de un BJT en emisor comn saturado ......................................................................... 77
F.12 Recta de carga esttica del BJT en configuracin de emisor comn ........................................ 78
F.13 Caractersticas estticas de un BJT en emisor comn ............................................................... 79
F.14 Punto de operacin de un BJT .................................................................................................. 80
F.15 Hiprbola de mxima disipacin............................................................................................... 80
F.16 Transistores de efecto de campo de unin (JFET) .................................................................... 81
F. 17 Caracterstica de drenador de un JFET .................................................................................... 82
F.18 Caracterstica de transconductancia de un JFET....................................................................... 84
F.19 Transconductancia de un JFET ................................................................................................. 84
F.20 Polarizacin de un JFET por resistencia de surtidor (autopolarizacin)................................... 85
F.21 Transistores MOSFET de empobrecimiento............................................................................. 86
F.22 Caracterstica de transconductancia de un MOSFET de empobrecimiento .............................. 86
F.23 Caracterstica de drenador de un MOSFET de empobrecimiento............................................. 87
Pg. 4

F.24 Representacin de los MOSFET de empobrecimiento en los esquemas................................... 87

F.25 Polarizacin de un MOSFET de empobrecimiento................................................................... 88
F.26 Transistores MOSFET de tipo enriquecimiento........................................................................ 88
F.27 Curva de transconductancia del MOSFET de enriquecimiento ................................................ 89
F.28 Polarizacin del MOSFET de enriquecimiento ........................................................................ 89
APARTADO G: DISPOSITIVOS DE RESISTENCIA NEGATIVA.............................................. 91
G.1 Introduccin................................................................................................................................ 91
G.2 El tiristor y el diodo de cuatro capas .......................................................................................... 91
G.3 El triac y el diac.......................................................................................................................... 93
G.4 El transistor monounin (UJT) ................................................................................................... 94
APARTADO H: MICRFONOS. ..................................................................................................... 97
H.1 Introduccin................................................................................................................................ 97
H.2 Tipos de micrfonos ................................................................................................................... 97
H.3 Micrfonos de carbn................................................................................................................. 98
H.4 Micrfonos dinmicos ................................................................................................................ 99
H.5 Micrfonos piezoelctricos ........................................................................................................ 99
H.6 Micrfonos de condensador ..................................................................................................... 100
H.7 Micrfonos de electret.............................................................................................................. 101
H.8 Tabla comparativa .................................................................................................................... 102
APARTADO I: CPSULAS FONOCAPTORAS........................................................................... 103
I.1 Introduccin ............................................................................................................................... 103
I.2 Cpsulas dinmicas .................................................................................................................... 103
I.3 Cpsulas magnetodinmicas ...................................................................................................... 103
I.4 Cpsulas de reluctancia variable ................................................................................................ 104
I.5 Cpsulas piezoelctricas............................................................................................................. 105
I.6 Cpsulas de condensador ........................................................................................................... 105
APARTADO J: ALTAVOCES......................................................................................................... 107
J.1 Introduccin ............................................................................................................................... 107
J.2 Altavoces dinmicos .................................................................................................................. 107
J.3 Altavoces electrostticos............................................................................................................ 108
J.4 Altavoces piezoelctricos........................................................................................................... 108
APARTADO K: CIRCUITOS IMPRESOS. ................................................................................... 109
K.1 Introduccin.............................................................................................................................. 109
K.2 Introduccin al proceso de fabricacin de circuitos impresos.................................................. 110
K.3 Caracterizacin de las pistas de una PCB................................................................................. 112
K.4 Reglas de diseo relacionadas con las interferencias electromagnticas (EMI)....................... 113
La estabilidad de la alimentacin. ............................................................................................... 113
La diafona................................................................................................................................... 115
Las reflexiones ............................................................................................................................ 116
El ringing..................................................................................................................................... 117
K.5 Reglas de diseo relacionadas con la disipacin de calor ........................................................ 117
Diseo de radiadores ................................................................................................................... 117
Uso de siliconas........................................................................................................................... 118
Uso de ventiladores ..................................................................................................................... 118
Densidad de corriente en pistas ................................................................................................... 119
Posicin de componentes que disipan potencia........................................................................... 119
K.6 Consejos prcticos .................................................................................................................... 119
Forma y tamao de la PCB.......................................................................................................... 119
Colocacin de los componentes .................................................................................................. 119
Accesibilidad de la soldadura en la cara de componentes........................................................... 120
Las vas........................................................................................................................................ 121
Direccin de las pistas................................................................................................................. 121
Grosor y guarda mnimos en PCBs de fabricacin propia ......................................................... 121
Autorouting ................................................................................................................................. 121
Pg. 5

PRLOGO.
Amigo lector:
Con este volumen 1.1 del curso a distancia Tcnico en Sistemas de Audio y Sonorizacin que te
permitir obtener un Diploma de Especializacin Profesional Universitario expedido por la Universidad de Valencia, se inicia una ilusionada tarea en la que intervienen un numeroso grupo de Profesores
Doctores de la Universidad y de Titulados Superiores de la Empresa D.A.S. AUDIO con una amplia
experiencia en el campo de los sistemas electrnicos aplicados al sonido.
Nuestro objetivo es asentar slidamente tus conocimientos tericos en este campo de la Electrnica y,
lo que es ms importante, transmitirte toda una serie de conocimientos prcticos que te ayuden a trabajar en este interesante campo con ms facilidad y confianza.
Como sabes, el Curso est dividido en tres etapas de 6 crditos cada una y una duracin de 6 meses.
La duracin total del Curso es, por consiguiente, de 18 meses. Al final de cada una de las tres etapas
del Curso te mandaremos un examen para que nos lo remitas con las contestaciones correspondientes y
puedas recibir la aprobacin a cada etapa. Al final debers realizar un Proyecto Fin de Curso, con lo
que se te conceder el Diploma de Especializacin Profesional Universitaria como Tcnico en Sistemas de Audio y Sonorizacin.
La primera etapa del Curso est formada por tres volmenes:
1.1 Componentes bsicos en audio
1.2 Acstica bsica
1.3 Circuitos electrnicos bsicos.
Como puedes ver se trata de una etapa dedicada a conceptos fundamentales sobre los que se asentarn
las otras dos. No te extrae, pues, que algunas cosas que t consideres muy importantes slo se traten
superficialmente; ten paciencia porque muchos de estos asuntos se tratarn en profundidad en la segunda y tercera etapas.
El presente volumen lo hemos confeccionado J. Esp y J. M. Esp que, como adivinars, mantenemos
lazos familiares.
Quiero que sepas que yo tengo una experiencia continuada de treinta aos como profesor de Electrnica en esta Universidad y que mi hijo es, igualmente, Profesor de Electrnica y experto en sistemas de
potencia para la industria.
Los dos te damos la bienvenida al Curso y te saludamos muy cordialmente en nuestro nombre y en
nombre de todo el equipo de personas que trabajamos en este proyecto.
Suerte y adelante.
J. Esp.
Valencia, 12 de Septiembre de 2006.
Pg. 7

APARTADO A: SEALES Y SISTEMAS.

A.1 INTRODUCCIN
Con frecuencia se habla de un display digital o de un filtro analgico. Es importante comprender
qu es un sistema electrnico analgico, qu es un sistema electrnico digital, o un sistema lineal o no
lineal. Son conceptos bsicos que se deben tener claros desde el principio. Por esta razn definiremos
seguidamente las ideas que consideramos fundamentales en Electrnica, sin pretender una estructura
lgica perfecta, lo que sera posible en una materia como las Matemticas pero no as en un tema relacionado directamente con el mundo real como es la Electrnica y sus aplicaciones en Audio.
A.2 COMPONENTES ELECTRNICOS

Son cada uno de los elementos bsicos que entran a formar parte de un aparato o sistema electrnico.
Los dispositivos (o componentes) electrnicos pueden ser pasivos como las resistencias, los condensadores, las bobinas (inductores o autoinducciones), los transformadores y los diodos, o bien activos
como los transistores. stos ltimos se diferencian de los primeros en que necesitan una alimentacin
de tensin constante (una pila, por ejemplo) para que puedan funcionar correctamente.
A.3 SISTEMA ELECTRNICO

Es un conjunto de dispositivos electrnicos interconectados y alimentados con una o varias fuentes de
tensin continua, que realizan una funcin determinada. Los dispositivos (o componentes) de un sistema electrnico pueden estar ubicados en una placa de circuito impreso, como se ve en la figura A.1.
Si el sistema tiene componentes activos, como es el caso ms frecuente, debe estar alimentado por una
fuente de tensin continua. Todas las tensiones del sistema (diferencias de potencial) se toman respecto a un nico conductor que recibe el nombre de masa, tierra o terminal de referencia. En algunos casos dicho terminal est conectado realmente a tierra mediante los cables apropiados, por motivos de
seguridad, o de eficacia funcional.
Fig. A. 1. Sistema electrnico.
Alimentacin
Tensin de
entrada
Sistema electrnico
Pg. 9
Tensin
de
salida

A.4 SEALES EN UN SISTEMA ELECTRNICO

Son las diferentes tensiones (o corrientes) variables con el tiempo presentes en un sistema electrnico.
Las tensiones y corrientes de alimentacin no se consideran seales del sistema, puesto que, aunque
son imprescindibles, juegan un papel secundario al tener en cuenta los objetivos para los que el sistema ha sido diseado.
A.5 SEALES ANALGICAS

Una seal se puede expresar mediante una funcin matemtica del tipo v=f(t), donde t es el tiempo y v
es una tensin elctrica. (Tambin se podra tratar de una corriente, i=f(t)). Cuando dicha seal est
bien definida y su velocidad de crecimiento o decrecimiento tambin, se suele decir que es analgica.
(Ver la figura A.2). La velocidad con la cual vara la tensin se mide en voltios por microsegundo,
(V/s). En la figura A.2 se ve una seal analgica tpica; es de tipo transitorio porque disminuye a
medida que transcurre el tiempo, hasta desaparecer prcticamente.
Fig. A. 2. Seal analgica transitoria.
Fig. A. 3. Seal analgica estacionaria.

En la figura A.3 se ve una seal analgica estacionaria (o permanente).
Pg. 10

Se trata de una seal peridica que se mantiene aunque el tiempo vaya transcurriendo. Cuando una
seal es cero para tiempos negativos, se dice que es causal. El tiempo cero es un instante cualquiera
que se toma como inicio de la cuenta de tiempos. Por ejemplo, el instante en que se inicia una carrera
en una competicin deportiva es el tiempo cero para ese proceso. El instante en que se conecta la alimentacin en un sistema electrnico tambin se puede considerar el tiempo cero para dicho sistema.
Cuando una seal crece sin lmite aparente se dice que es una seal inestable.
Fig. A. 4. Seal inestable no causal.

En la figura A.4 se ve una seal no causal e inestable. Un sistema se dice que es causal cuando su respuesta a una excitacin causal es, tambin, causal. Los sistemas no causales son imposibles; slo tienen inters desde un punto de vista matemtico. (Un sistema no causal es un sistema que empieza a
responder antes de que exista la excitacin correspondiente).
Fig. A. 5. Seal sinusoidal o alterna.

Evidentemente la seal analgica ms sencilla y habitual es la sinusoidal (o senoidal), (figura A.5).
Dicha seal tiene la forma v=Vcos(t+), donde V es la amplitud (o valor de pico; o valor de cresta),
es la frecuencia angular (o pulsacin), f=/(2) es la frecuencia, T=1/f es el perodo de la seal, es
la fase inicial (o simplemente fase) y t es el tiempo. V se mide en voltios, en radianes/segundo
-1
(Rad/s o tambin s ), f en Hercios (Hz), en radianes (tambin en grados, teniendo en cuenta que 180
son radianes) y t en segundos. 0,707V es el valor eficaz de la seal sinusoidal. Es decir: el valor de
una tensin continua que desarrolla la misma potencia que la sinusoidal en valor medio, ambas sobre
la misma resistencia.1
2
Para una seal peridica de perodo T, la potencia media sobre una resistencia R es: PAC=<v (t)>/R, donde
2
2
<v (t)> es el valor medio de v (t). Para una tensin continua, V0, sobre la misma resistencia, la potencia es:
2
PDC=(V0) /R. Si ambas potencias coinciden, V0 es el valor eficaz, Veff , por definicin. Es decir:
T
Veff = < v 2 ( t ) > =
Pg. 11
1 2
v ( ) d
T 0

Ejemplo.
Cul es el perodo de una tensin alterna de 50Hz?
Es la inversa de la frecuencia:
T=
1 1
2
=
=
= 0,02s = 20ms
f 50 100
Ejemplo.
Cul es el valor de pico de una tensin alterna de 220Vef?
Es el producto de la tensin eficaz por la raz de dos:
V0 = 220 2 = 220 1,41 = 311V

Mediante una suma de seales sinusoidales se puede formar una seal peridica analgica de forma
complicada.
Una suma de infinitas sinusoides se llama serie de Fourier. Cualquier seal peridica puede considerarse descompuesta en serie de Fourier.
A.6 SEAL DE ENTRADA Y SEAL DE SALIDA DE UN SISTEMA ELECTRNICO

Un sistema electrnico tiene siempre por finalidad recoger una seal y tratarla de forma apropiada para
conseguir alguna finalidad prctica. Por ejemplo aumentar su amplitud, o eliminar alguna zona correspondiente a frecuencias altas, o separar una seal de otras desechables. La seal tomada por el sistema
se llama seal de entrada (excitacin) y la seal modificada por el sistema se llama seal de salida
(respuesta). La seal de entrada se representa en los dibujos a la izquierda del sistema, y la seal de
salida a la derecha. (Figura A.1).
A.7 SISTEMAS LINEALES Y NO LINEALES

Cuando la seal de entrada de un sistema es sinusoidal y la de salida tambin (la frecuencia es la misma, aunque la amplitud puede ser diferente), el sistema es lineal. En caso contrario el sistema es no
lineal.
Todos los sistemas son no lineales en mayor o menor grado. Un sistema que deforme mucho la seal
sinusoidal de entrada es muy no lineal. Un sistema que deforme muy poco la seal de entrada se parece tanto a un sistema lineal que se dice que es lineal. El caso tpico es el del amplificador de sonido
(audio).
Un amplificador con una distorsin de 0,05% es prcticamente lineal. Un amplificador con una distorsin de 25% es altamente no lineal: es un mal amplificador de sonido porque deforma la seal y la
consecuencia es una mala audicin por el usuario. Todos los sistemas existentes, electrnicos, mecnicos, biolgicos; naturales o artificiales; son no lineales. Sin embargo es prctico suponer la existencia
de sistemas lineales, porque las matemticas asociadas a ellos son sencillas y, por consiguiente, resultan fciles de analizar y disear.
Para v(t)=Vcost, el valor eficaz es Vef=V/ 2 =0,707V.
Pg. 12

A.8 DISTORSIN PRODUCIDA POR SISTEMAS NO LINEALES

Cuando se introduce una seal sinusoidal de perodo T en un sistema no lineal, a la salida aparece una
seal sinusoidal deformada de perodo T. Esta seal est formada por una suma, tericamente infinita,
de tensiones sinusoidales llamadas armnicos (serie de Fourier), cada una con una frecuencia distinta.
La menor de las frecuencias coincide con la frecuencia de la seal de entrada, f=1/T, y se llama armnico fundamental, la segunda frecuencia es 2f, la tercera 3f, y as sucesivamente. La amplitud de los
armnicos decrece a medida que la frecuencia aumenta, de modo que a partir de una cierta frecuencia
puede suponerse que ya no hay ms armnicos. Puede ocurrir que una seal distorsionada est formada, por ejemplo, por el armnico fundamental (de frecuencia f) y por el segundo armnico (de frecuencia 2f), siendo los dems armnicos de amplitud despreciable. En este caso se dice que la seal
tiene una distorsin del segundo armnico. El porcentaje de distorsin es, simplemente, el cociente
entre la amplitud del segundo armnico y la del fundamental, multiplicado por 100. Si hubiera un tercer armnico (frecuencia 3f), la distorsin correspondiente a la presencia de este tercer armnico sera
el cociente entre su amplitud y la del fundamental, multiplicada por cien. Cuando se tienen varios armnicos responsables de la distorsin de una seal, la distorsin total se calcula obteniendo la raz
cuadrada de la suma de los cuadrados de las distorsiones de todos los armnicos presentes.
En la figura A.6 puede verse una sinusoide con una distorsin del 50% del segundo armnico y un
25% del tercero. La distorsin total es del 55,9%. La seal distorsionada es:
v = sen(5t ) + 0,5 sen(10t ) + 0,25 sen(15t )

v
t
Fig. A. 6. Sinusoide con una distorsin del 55,9%.
Ejemplo.
Se introduce una seal alterna de 1mV eficaz, 1kHz, en un amplificador de audio de ganancia 100. La
seal de salida est formada por las seales alternas siguientes:
Seal
1
2
3
4
Tensin eficaz
100mV
10mV
3mV
1mV
Frecuencia
1kHz
3kHz
5kHz
7KHz
Calcular la distorsin armnica total producida por el amplificador.

El armnico fundamental es la primera seal. La distorsin est producida por las seales 2, 3 y 4.
La distorsin armnica total es:
100 + 9 + 1
1
10 3 1
d=
=
110 = 0,1048 = 10,48%
+
+
=
2
100 100 100
100
100
2
Pg. 13

f
f
2f
3f
Fig. A. 7. Espectro de la seal peridica de la figura A.6.
A.9 ESPECTRO DE UNA SEAL PERIDICA

Es la representacin grfica de las amplitudes de los armnicos de una seal peridica. Por ejemplo, la
seal de la figura A.6 tiene un espectro formado por tres rayas: una de altura unidad (un voltio), otra
de altura 0,5 (medio voltio) y otra de altura un cuarto (0,25 voltios), como se ve en la figura A.7. (Los
armnicos que producen la distorsin son el segundo y el tercero).
A.10 ESPECTRO DE UNA SEAL NO PERIDICA

Cuando la seal es no peridica ( como la de la figura A.2, por ejemplo) el espectro est formado por
un conjunto de infinitas rayas infinitamente prximas unas a otras. (Espectro continuo). Esto obliga a
representar el espectro como una curva que se obtiene uniendo los puntos ms altos de todas las rayas.
Al mismo tiempo, se representa en ordenadas la densidad de amplitud respecto a la frecuencia. Matemticamente dV/d, o dV/df. (Fig. A.8).2
A.11 ANCHURA DE BANDA DE UNA SEAL

Si una vez calculado el espectro de una seal se aprecia que dicho espectro se extiende desde una frecuencia f1 hasta otra f2>f1, se dice que f1 es la frecuencia inferior de corte de la seal, f2 es la frecuencia superior de corte y f2-f1=B es la anchura de banda de la seal.3 Slo puede hablarse de anchura de
banda de una seal si las dos frecuencias de corte estn bien definidas. En este caso se dice que la seal es de banda limitada.4 Una seal de audio de alta fidelidad, por ejemplo, debe estar limitada entre
20Hz y 20.000Hz (20kHz). Se trata, pues, de una seal de banda limitada con una anchura de banda de
19.980Hz.
dV/df es la derivada de V respecto a f. Se mide en V/Hz.

Estrictamente hablando no puede haber un espectro continuo en el que se pueda establecer una separacin
ntida entre una zona en la que haya componentes de frecuencia y otra en la que no las haya. Bstenos de momento este concepto, que ya precisaremos con detalle ms adelante.
4
La frecuencia de corte se define como aquella frecuencia para la cual la curva representada es 1 / 2 del valor
mximo.
3
Pg. 14

dV/df
K
K
2
f1
f2
Fig. A. 8. Espectro de una seal no peridica.
A.12 SEAL PORTADORA Y SEAL MODULADORA

En Electrnica las seales normalmente se utilizan para llevar informacin de un punto a otro. Por
ejemplo, cuando hablamos ante un micrfono generamos una seal complicada que contiene la informacin que hemos dado al micrfono mediante nuestra propia palabra. Para que la seal de audio generada pueda escucharse a travs de un altavoz es preciso tratar, modificar, o, como se dice habitualmente en Electrnica, procesar la seal de forma apropiada. Los dispositivos necesarios para conseguir esto son sistemas electrnicos que iremos explicando a lo largo del presente curso.
En ocasiones se quiere transmitir la informacin de audio a gran distancia. Para ello se puede enviar la
seal de audio a travs de un cable elctrico formado por un par de conductores. Es el caso de los cables telefnicos.
En otras ocasiones se quiere enviar la seal de audio a distancias mucho mayores (a la Luna, por
ejemplo) donde no es posible extender cables por imposibilidad fsica o econmica. En este caso se
utilizan las ondas electromagnticas de radio. Cuando una seal de frecuencia muy alta
(200.000.000Hz=200MHz, por ejemplo) est presente en un conductor rectilneo, ste emite una onda
electromagntica de igual frecuencia, que se propaga por el espacio con una velocidad de aproximadamente c=300.000km/s.
La teora de los movimientos ondulatorios nos dice que la longitud de onda en el proceso de propagacin
es
=c/f.
En
el
presente
ejemplo,
la
longitud
de
onda
es
=300.000.000(m/s)/200.000.000Hz=1,5m.
La teora de emisin de ondas electromagnticas establece que para que se produzca una emisin
abundante de ondas es preciso que el elemento emisor, o antena, tenga unas dimensiones parecidas a la
longitud de onda. As que se debera tener una antena de un metro, aproximadamente, para que la emisin fuera eficaz. Obsrvese que si se utilizara una seal de frecuencia de audio, 3kHz por ejemplo, la
antena sera tan grande que no sera prctica su utilizacin. (Una antena de 100km!). Para enviar seales de audio mediante ondas electromagnticas se modifica o modula la seal de alta frecuencia
(ejemplo: 200MHz) de acuerdo con las variaciones de la seal de audio (3kHz). La seal de audio
cabalga sobre la seal de alta frecuencia que recibe el nombre de portadora porque su finalidad es la
de portar o llevar por el espacio la informacin de audio, que es de baja frecuencia y no puede emitirse
directamente con una antena. La seal de audio, en este caso, recibe el nombre de seal moduladora.
Hay diversos mtodos para modular una seal portadora.
Pg. 15

Fig. A. 9. Seal modulada en amplitud.

En la figura A.9 se ve una portadora modulada en amplitud por una sinusoide. El espectro de esta seal consta de tres rayas: una central con la frecuencia de la portadora f0, y dos laterales iguales (llamadas bandas laterales) cuya distancia a la central es la diferencia entre la frecuencia portadora y la moduladora, f0-fm. La anchura de banda de una portadora modulada en amplitud por una sinusoide de
frecuencia fm es 2fm, como puede verse en la figura A.10. As, una seal de audio de calidad debe tener
un ancho de banda de 40kHz.
V
f
f0-fm
f0
f0+fm
Fig. A. 10. Espectro de una seal modulada en amplitud.
A.13 SISTEMAS DIGITALES

Son sistemas electrnicos que realizan operaciones numricas y/o lgicas en sistema binario. Un
ejemplo son los ordenadores o computadoras, cuya misin fundamental es realizar operaciones aritmticas y lgicas. Para ello utilizan datos en representacin binaria, en la que la base de numeracin es el
2.
En representacin binaria el nmero 2 hace el mismo papel que el 10 en el sistema decimal, que es el
que utilizamos habitualmente. De igual forma que en este sistema los nmeros van desde el cero hasta
el 9 (el anterior al que hace de base), en el binario tenemos el cero y el uno. Al tener slo dos nmeros,
0 y 1, se llama sistema binario. Para representar un nmero en un sistema analgico se utiliza un cable
(ms el de referencia o tierra) que tiene una tensin. Dicha tensin representa directamente el nmero.
Por ejemplo el nmero 5 son 5V, o una cantidad proporcional. Por el contrario un sistema digital necesita varios cables para representar un nmero. (Fig. A.11).
Pg. 16

5V
A
10V
0V
10V
B
Fig. A. 11. Representacin del nmero 5.
(A) Analgica. (B) Digital.
Por ejemplo el nmero 5 se representa en binario como 101.5 Para representar el 5 hacen falta, al menos, tres cables ms el de tierra. Al conjunto de cables necesario para representar nmeros en binario
se le llama bus (del ingls). As un bus de 8 cables (el de tierra no se cuenta) puede representar desde
el cero (00000000) hasta el 255 (11111111).
Ejemplo.
Un conjunto de 4 cables tiene las tensiones: 5V, 5V, 0, 5V.
Qu nmero representan estas tensiones?
El nmero binario es el 1101. El decimal es:6
N = 1 2 3 + 1 2 2 + 0 21 + 1 2 0 = 8 + 4 + 1 = 13
Para averiguar cmo se puede escribir en binario un nmero decimal conocido, se hacen sucesivas
divisiones por 2 anotando los restos. El conjunto de restos, escritos en orden inverso proporciona el
resultado. La primera cifra siempre es un 1.
Ejemplo.
Cmo se escribe en binario el nmero 367?
En binario de 3 dgitos un nmero, N, se representa as: N=2 a+2 b+2 c. Siendo el nmero en binario: abc, y
pudiendo tomar a, b y c solamente los valores 0 o 1.
0
6
Recordar que 2 = 1.
Pg. 17

Se divide de la siguiente forma:

Divisin
367/2
183/2
91/2
45/2
22/2
11/2
5/2
2/2
Cociente
183
91
45
22
11
5
2
1
Resto
1
1
1
1
0
1
1
0
El nmero binario se lee de abajo a arriba, escribiendo un 1 como primera cifra:

N=101101111
A continuacin se da un sencillo programa en Basic para calcular nmeros binarios:
cls
input "Nmero decimal (entero)" N
10 c=int(N/2)
if c=N/2 then r=0 else r=1
print r
N=c
if c<>1 then 10
print " 1"
print "(Leer de bajo a arriba)"
END
A.14 SEALES DIGITALES

Son las que utilizan los sistemas digitales. Al tener slo dos posibilidades, cero o uno, las seales slo
admiten esos dos valores. El cero suele representarse por cero voltios y el uno por una tensin fija
determinada (10V, por ejemplo). El paso de cero a uno se produce a gran velocidad, de manera que
una seal digital tiene el aspecto que puede verse en la figura A.12.
V
Fig. A. 12. Seal digital.
Pg. 18

APARTADO B: RESISTENCIAS.
B.1 GENERALIDADES
R
R
Fig. B. 1
Las resistencias son los elementos ms comunes en un circuito o sistema electrnico. (Fig. B.1). Las
resistencias son componentes de dos terminales. La corriente que atraviesa una resistencia desarrolla
una diferencia de potencial entre los terminales dada por la ley de Ohm:
v = R i
(B.1)
donde R es el valor de la resistencia, v es la diferencia de potencial (tensin), e i es la intensidad de la

corriente elctrica. La tensin se mide en voltios (V), la intensidad de la corriente en amperios (A) y la
resistencia elctrica en Ohmios (). A la inversa de la resistencia se le denomina conductancia, se
-1
representa por la letra G y se mide en .
La intensidad de la corriente que atraviesa una resistencia viene dada por:
i=
v
R
(B.2)
Conocida la intensidad de la corriente y la tensin, puede calcularse la resistencia y la conductancia:
R=
v
i
(B.3)
G=
1 i
=
R v
(B.4)
La potencia consumida por una resistencia se puede calcular por una de las siguientes frmulas:
P = R i2
P=
v2
R
(B.5)
(B.6)
La potencia se mide en watios (W) y representa la energa por unidad de tiempo que se disipa en la
resistencia. La energa se mide en Julios (J), de modo que un watio es equivalente a un Julio/segundo.
Entre el Julio y la unidad de calor (calora) existen las equivalencias:
Pg. 19

1cal = 4,18J
1J = 0,24cal
(B.7)
Se puede calcular el nmero de caloras que desprende una resistencia cuando la atraviesa una corriente dada durante un cierto tiempo. Si el tiempo se representa por la letra t, como es habitual, y se mide
en segundos, la frmula que se debe utilizar es:
Q(cal) = 0,24 R i 2 t
(B.8)
As resulta que la potencia produce un calentamiento de la resistencia por lo que, si ste es excesivo, la
resistencia puede llegar a quemarse. La temperatura que alcanza una resistencia en rgimen estacionario (es decir cuando est conectada el tiempo suficiente como para que la temperatura haya alcanzado
su mximo valor) cuando est consumiendo una potencia P, depende de cmo est fabricada. Depende
tambin de la temperatura ambiente, es decir de la temperatura del recinto en que se encuentre la resistencia. Si la temperatura de la resistencia es TR y la temperatura ambiente es TA, se cumple
TR TA = P
(B.9)
donde es una constante propia de la resistencia llamada resistencia trmica. La ltima relacin es
anloga a la ley de Ohm, donde la temperatura es homloga a la tensin elctrica, la potencia es homloga a la intensidad de la corriente, y la resistencia trmica es homloga a la resistencia elctrica. La
potencia mxima que puede soportar una resistencia es un parmetro importante que se debe tener en
cuenta al disear un sistema electrnico.
Ejemplo
Una resistencia de 10k (10.000 Ohmios) es de un cuarto de vatio (0,25W) a 30C.
Calcular la tensin aplicada mxima y la corriente mxima a 30C.
De la frmula B.6 puede despejarse la tensin mxima:
v max. = Pmax. R
(B.10)
Introduciendo los datos, se obtiene el siguiente resultado numrico:
v max. = 0,25 10000 = 100
5
25
= 100 = 50V
10
100
La corriente mxima se puede calcular a partir de la frmula B.5, despejando la corriente:
i max. =
Pmax.
R
(B.11)
Es decir:
i max. =
0,25
1
25
1 5
=
=
= 5mA
10000 100 100 100 10
Pg. 20

Ejemplo.
Si la mxima temperatura permitida en la resistencia del ejemplo anterior es de 100C, calcular la
resistencia trmica.
Basta con utilizar la frmula B.9. En efecto, despejando la resistencia trmica, se obtiene:
(TR ) max. TA
Pmax.
(B.12)
Introduciendo los datos, se obtiene:
100 30
70
7000
=
=
= 70 4 = 280 C / W
0,25
25 / 100
25
Ejemplo.
Calcular la potencia mxima de la resistencia de los ejemplos anteriores para una temperatura ambiente de 50C.
De la frmula B.9 se obtiene:
Pmax. =
(TR ) max. TA
(B.13)
Introduciendo los datos numricos, la nueva potencia mxima es:
Pmax. =
100 50 50 1
=
= = 0,178W = 178mW
280
280 5
En definitiva, aunque normalmente se conoce la potencia mxima, los ejemplos anteriores ponen de
manifiesto que hay que tener claro que los parmetros importantes para utilizar correctamente una
resistencia en un circuito electrnico son: la mxima temperatura en la resistencia y la resistencia trmica, adems de la temperatura ambiente. Si no se pueden conocer todos estos datos, hay que estar
seguro de que siempre la potencia consumida en la resistencia ser bastante menor que el mximo
especificado. Este problema trmico se presenta siempre que se plantee el diseo de un sistema electrnico, tanto en lo que se refiere a las resistencias como al resto de elementos y, sobre todo, al utilizar
elementos semiconductores, como diodos o transistores.
B.2 CARACTERIZACIN DE RESISTENCIAS

De acuerdo con los conceptos bsicos expresados en el apartado anterior, una resistencia viene definida por una serie de parmetros que, generalmente, son los siguientes:
Potencia nominal, a una temperatura dada.

Disminucin a potencia cero.
Temperatura de funcionamiento.
Coeficiente de temperatura.
Mxima tensin de trabajo.
Tolerancia de la resistencia.
Pg. 21

Probabilidad de fallo. (life failure rate).

Veamos cada uno de estos conceptos.
B.2.1 Potencia nominal, a una temperatura dada

Como hemos visto al principio, una resistencia no puede sobrepasar una temperatura determinada so
pena de quemarse o de quedar seriamente daada. Sea (TR)mx. dicha temperatura. Si la temperatura
ambiente es TA y la resistencia trmica es , se cumple:
(TR ) max. = Pmax. + TA
(B.14)
Para una resistencia determinada (TR)mx. y son constantes, mientras que TA y Pmx son variables.
Representando grficamente la potencia nominal mxima en funcin de la temperatura ambiente, resulta la recta de la figura B.2. Se aprecia claramente que a temperaturas ambiente bajas la potencia
mxima es mayor.
Pmax
(TR ) max.
TA
0C
(TR )max.
Fig. B. 2. Representacin de la potencia mxima en funcin de la temperatura ambiente.

B.2.2 Disminucin a potencia cero
Es la temperatura ambiente para la cual la potencia de la resistencia es cero. En la figura B.2 se ve
claramente que la potencia cero se produce cuando la temperatura ambiente es la misma que la mxima que puede soportar la resistencia. Es decir: (TR)max.
Ejemplo.
Una resistencia tiene una potencia nominal de 0,33W a 85C. Calcular la potencia a una temperatura
ambiente de 25C si la disminucin a potencia cero es de 160C.
La resistencia trmica es, de acuerdo con la frmula B.12:
Pg. 22

160 85
C
= 227
0,33
W
Con esta misma frmula, y reemplazando el valor obtenido, as como la nueva temperatura ambiente,
se obtiene:
P=
160 25
= 0,59W
227
B.2.3 Temperatura de funcionamiento

Se proporcionan la mnima y la mxima temperaturas ambiente entre las cuales puede utilizarse la
resistencia.
B.2.4 Coeficiente de temperatura

Las resistencias cambian de valor cuando cambia su temperatura. Se define el coeficiente de temperatura como el cociente entre la variacin relativa en el valor de la resistencia y la variacin de temperatura que ha provocado el cambio de resistencia. Este coeficiente es casi constante dentro de un margen
amplio de temperaturas. La variacin relativa de la resistencia suele darse en partes por milln (ppm).
Ejemplo.
El coeficiente de temperatura de una resistencia de 100k es de 10 ppm/C en el margen 10C-50C.
Calcular la variacin de resistencia cuando la temperatura vara de 20C a 30C.
La variacin de temperatura es de 10C. La variacin de la resistencia es de 1010=100 ppm. Esto
significa que una resistencia de 1M variara en 100. Luego una de 100k=0,1M vara en 10.
Otra forma de calcular la variacin consiste en tener en cuenta la definicin de coeficiente de temperatura:
R
CT = R
T
(B.15)
Donde T y R representan las variaciones de temperatura y de resistencia, respectivamente. De

acuerdo con la frmula B.15, puede escribirse:
R = C T R T
Es decir:
R = 10 106 100 103 10 = 10
Pg. 23
(B.16)

B.2.5 Mxima tensin de trabajo

Es la mxima tensin que puede soportar una resistencia. Esta tensin mxima puede estar originada
2
por la potencia mxima permitida de acuerdo con la frmula P=v /R, o bien por otras causas, como la
produccin de un arco (chispa).
B.2.6 Tolerancia de la resistencia

Es la variacin relativa del valor nominal de la resistencia.
Ejemplo.
Una resistencia tiene un valor nominal de 100k y una tolerancia del 5%. Cul es el valor real de
dicha resistencia?
El fabricante indica, mediante un cdigo de colores, que el valor de la resistencia es de 100k, pero el
valor real no es nunca exactamente de 100k. El valor real est comprendido entre 100-1005/100 y
100+1005/100. Es decir: el valor real de la resistencia es uno cualquiera (no se sabe hasta que se
mide) comprendido entre 95k y 105k.
Para indicar el valor nominal de una resistencia, el fabricante suele utilizar un cdigo de colores, o
bien escribir el valor de la resistencia sobre ella misma.
B.2.7 Probabilidad de fallo

Es un parmetro que expresa la probabilidad de que una resistencia falle, transcurrido un cierto tiempo
de utilizacin.
Ejemplo.
Si la probabilidad de fallo es de 1%/1000 h, esto quiere decir que, despus de 1000 horas de funcionamiento, de cada 100 resistencias de un aparato, una se prev que pueda fallar.
Tolerancia
Exponente
2 cifra
1 cifra
Fig. B. 3. Cdigo de colores para las resistencias de alta tolerancia.
B.2.8 Cdigo de colores para alta tolerancia (20%; 10%; 5%)
En la figura B.3 se ha representado una resistencia con cuatro bandas coloreadas. Las tres primeras,
empezando por la izquierda, indican el valor nominal de la resistencia. La primera banda indica la
Pg. 24

primera cifra, la segunda banda indica la segunda cifra, y la tercera banda indica el exponente (o nmero de ceros). Todo ello de acuerdo con el siguiente cdigo:
Nmero
0
1
2
3
4
Color
Negro
Marrn
Rojo
Naranja
Amarillo
Nmero
5
6
7
8
9
Color
Verde
Azul
Violeta
Gris
Blanco
La cuarta banda indica la tolerancia de la resistencia, de acuerdo con el siguiente cdigo:

Tolerancia
20%
10%
5%
Color
Ninguno
Plata
Oro
Ejemplo.
Una resistencia de 470k con una tolerancia del 5% tiene los colores:
Amarillo
Violeta
Amarillo
Oro.
B.2.9. Cdigo de colores para baja tolerancia (5%; 2%; 1%)
Si la tolerancia de la resistencia es baja, se utiliza una tercera banda coloreada para las cifras significativas y se aaden los colores plata y oro para los exponentes 1/100 y 1/10, respectivamente. Para expresar la tolerancia se utilizan los siguientes colores: marrn para el 1%, rojo para el 2% y oro para el
5%. Es decir:
Tolerancia
1%
2%
5%
Nmero
0
1
2
3
4
5
Color
Negro
Marrn
Rojo
Amarillo
Naranja
Verde
Color
Marrn
Rojo
Oro
Nmero
6
7
8
9
0,1
0,01
Color
Azul
Violeta
Gris
Blanco
Oro
Plata
Ejemplo.
Una resistencia de 11,5k con una tolerancia del 5% tiene los colores:
Marrn, Marrn, Verde, Rojo, Oro.
Pg. 25

B.2.10 Cdigo de colores para muy baja tolerancia (1%; 0,5%; 0,25; 0,1%)
Son resistencias de especificaciones militares (MIL). No se marcan con colores sino con nmeros y
letras, de acuerdo con la forma siguiente: tres nmeros para las tres cifras significativas, un nmero
para el exponente, y una letra para la tolerancia, de acuerdo con la tabla siguiente:
Tolerancia
0,1%
0,25%
0,5%
1%
Letra
B
C
D
F
Ejemplo.
Una resistencia de tipo MIL de valor 22,1k y tolerancia del 1% est marcada con 2212F.
B.2.11 Series de valores standard
En cuanto a los posibles valores disponibles en el mercado, stos dependen de la tolerancia de la resistencia. Para resistencias del 20% los valores standard son:
10
15
22
33
47
68
Y todos los mltiplos y submltiplos de 10. Es decir, por ejemplo, 1, 10, 15, 330k, 470k,
22M,...etc.
Para resistencias del 10% la lista es ms larga:
10
12
15
18
22
27
33
39
47
56
68
82
Para el 5%:
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91
Para resistencias de ms bajas tolerancias hay tablas que pueden consultarse en los catlogos correspondientes de los diversos fabricantes.
El hecho de tener ms valores posibles al disminuir la tolerancia se debe, lgicamente, a la imprecisin
de los valores reales de la resistencia. En efecto, si el valor nominal de una resistencia es de 150 con
una tolerancia del 10%, esto quiere decir que el valor real de la resistencia est comprendido entre
150-15010/100=135 y 150+15010/100=165. Para una tolerancia menor ambos valores estaran
ms prximos.
Para resistencias con la estructura que se aprecia en la figura B.4, el cdigo de colores es el mismo. El
color del cuerpo de la resistencia es la primera cifra, un extremo es la segunda, el color del punto representa el exponente de 10 (nmero de ceros), y el otro extremo es la tolerancia.
Pg. 26

n de ceros
1 cifra
Tolerancia
2 cifra
Fig. B. 4. Cdigo de colores.
B.3 TIPOS DE RESISTENCIAS Y APLICACIONES

Las resistencias se fabrican utilizando diversos materiales. De acuerdo con esto, pueden clasificarse de
la siguiente forma:
Resistencias de carbn.
Resistencias de pelcula de carbn.
Resistencias en chip para montaje superficial.
Resistencias de pelcula metlica.
Resistencias bobinadas.
B.3.1. Resistencias de carbn
Se fabrican desde 1 hasta 22M. La tolerancia va del 5% al 20%. El coeficiente de temperatura es del
0,1%/C. La potencia mxima llega a 2W. Son las resistencias ms comunes siempre que no se exijan
especificaciones muy rigurosas. (Figs. B.5 y B.6).
Fig. B. 5. Resistencia de carbn de 0,250W.
Fig. B. 6. Resistencia de carbn de 0,5W
Pg. 27

B.3.2 Resistencias de pelcula de carbn

Son resistencias de alta estabilidad. Se fabrican desde 10 hasta 100M. La tolerancia llega al 0,5%. El
coeficiente de temperatura tpico es del 150ppm/C. La potencia llega a 2W. Se utilizan para circuitos
de precisin. Tanto estas resistencias como las anteriores, tienen un buen comportamiento a frecuencias altas.
B.3.3 Resistencias en chip para montaje superficial

Se utilizan para montajes muy pequeos. La longitud oscila sobre 1mm. Se fabrican hasta 2,2M. La
tolerancia es del 5%. El coeficiente de temperatura es de 200ppm/C. La potencia llega slo a 0,25W.
B.3.4 Resistencias de pelcula metlica

Se fabrican desde 0,1 hasta 10kM. La tolerancia llega a 50ppm. El coeficiente de temperatura es de
1ppm/C. La potencia llega a 1W.
B.3.5 Resistencias bobinadas
Se utilizan para pequeos valores de resistencia y alta potencia. Estn fabricadas mediante un hilo
arrollado sobre un soporte rgido. Por este motivo tienen una componente inductiva en serie que las
hace poco recomendables a frecuencias altas. (Figs. B.7 y B.8).
Fig. B. 7. Resistencia de potencia de 0,5 utilizada en amplificadores de audio.
Si la potencia no es excesivamente alta el arrollamiento va descubierto. Si la potencia es elevada el

arrollamiento est protegido por una capa cermica que facilita la radiacin del calor producido. (Baja
resistencia trmica).
La resistencia de un hilo de longitud l seccin S y resistividad (inversa de la conductividad ) es:
R=
l
S
Pg. 28
(B.17)

Ejemplo.
2
Calcular la resistencia de 10m de hilo de cobre de 0,25mm de seccin. ( = 1,673cm)

Aplicando la frmula B.17:
R = 1,673 10-2 m
10m
1,673 5
=
10 = 0,67
2
-6
0,25 10 m
0,25
Envoltura cermica.
Cuerpo (hueco) de la resistencia

Fig. B. 8. Estructura de una resistencia bobinada tpica.
Pg. 29

APARTADO C: CONDENSADORES.
C.1 GENERALIDADES
Son componentes de dos terminales capaces de almacenar una carga elctrica. (Fig. C.1). La cantidad
de carga almacenada es proporcional a la tensin aplicada entre los terminales del condensador. As, si
q es la carga almacenada, C es la capacidad y v es la tensin existente entre los terminales del condensador, se cumple:
q = Cv
(C.1)
La carga y la tensin pueden ser variables, mientras que C es una constante propia del condensador.
La capacidad se mide en Faradios (F), pero como esta unidad es muy grande se utilizan siempre submltiplos como el picofaradio, el nanofaradio o el microfaradio:
1pF = 1012 F
1nF = 109 F
(C.2)
1F = 10 F
La carga elctrica se mide en Culombios (C), utilizndose los mismos submltiplos que en el caso de
la capacidad. La corriente elctrica representa la cantidad de carga que recorre un circuito por unidad
de tiempo. As, un amperio (A) es un culombio/segundo. (1C/s).
Ejemplo.
Calcular la carga de un condensador de 100nF conectado a 100V.
Haciendo uso de la expresin C.1, se obtiene:
q = 100nF 100V = 10000nC = 10C

Ejemplo.
Calcular la tensin alcanzada por un condensador de 100F si se somete a una corriente continua
(constante) de 1A durante 2ms (dos milisegundos=dos milsimas de segundo).
Un amperio significa 1C/s. Durante 2ms se introducen 2mC en el condensador. Si la carga es de 2
miliculombios, la tensin es, de acuerdo con la frmula C.1:
v=
q
2 103
=
= 20V
C 100 106
(C.3)
Un condensador, en esencia, est formado por dos placas conductoras separadas por una sustancia
aislante (dielctrico). (Fig. C.1). La capacidad del condensador depende de la superficie de las placas,
de la distancia entre ellas y del tipo de aislante utilizado. La frmula para el clculo de la capacidad de
un condensador es:
C = 0 k
S
d
(C.4)
La superficie, S, se mide en metros cuadrados (m ); la distancia entre las placas, d, en metros (m); k es
la constante dielctrica de la sustancia aislante (sin dimensiones), y 0 es la permitividad elctrica del
vaco. Esta constante vale:
Pg. 31

0 = 8,85 1012
F
pF
= 8,85
m
m
(C.5)
La constante dielctrica del aire es aproximadamente k=1. Para otras sustancias tiene valores mayores.
Conductor
Aislante
Conductor
Fig. C. 1. Estructura elemental de un condensador.
Ejemplo.
Calcular la capacidad de un condensador construido con un dielctrico de constante 5,4 y que tiene
2
una superficie de 10cm y una separacin entre placas de 0,5mm.
Aplicando la frmula C.4, se obtiene:
pF
10cm2
C = 8,85 5,4
m
0,5mm
Es decir:
2
1m
10
100
pF
pF
103 m2
pF
C = 8,85 5,4
= 8,85 5,4
= 8,85 5,4 2 m = 95,58pF
3
m
m
0,5 10 m
m
1m
0,5
1000
Un aspecto importante que debe tenerse en cuenta al tratar con condensadores es que stos no conducen la corriente elctrica, puesto que las placas se hallan aisladas por el dielctrico. Sin embargo, de
hecho, el condensador se comporta como si condujese, siempre que la corriente sea variable. Esto se
debe a que un flujo de cargas elctricas en una placa expulsa cargas almacenadas en la otra placa
(Fig. C.2).
Fig. C. 2. Corriente en un condensador

Por esta razn se habla, habitualmente, de la corriente que atraviesa un condensador, a pesar de que
las cargas elctricas no pueden atravesar el dielctrico. De hecho, si esto ocurre, el condensador queda
inutilizable debido a los desperfectos ocasionados en la sustancia aislante entre las placas. Cuando la
tensin entre las placas excede un valor lmite dado por el fabricante, se produce la ruptura del dielctrico. Esta tensin suele ser elevada, aunque depende del tipo de condensador.
Pg. 32

La resistencia del dielctrico es elevadsima, por lo que puede considerarse infinita en un caso ideal.
Sin embargo, en realidad, se le puede asignar un valor Rp. Un condensador con alta resistencia del
dielctrico (resistencia de prdidas) es un buen condensador. Un condensador con baja resistencia de
prdidas es un mal condensador. La resistencia de prdidas se pone de manifiesto cuando se carga un
condensador a una tensin constante V0 y se mide dicha tensin un tiempo ms tarde: se observa que
V0 ha disminuido. Es decir, el condensador se descarga a travs de la resistencia del dielctrico. Cuanto mayor sea el tiempo que el condensador permanece cargado, tanto mayor es la calidad de dicho
condensador. La resistencia de prdidas se representa en paralelo con el condensador ideal, es decir:
sin prdidas, como se representa en la figura C.3.
Rp
C
Fig. C. 3. Resistencia de prdidas de un condensador.
La tensin entre las placas disminuye, durante la descarga, de acuerdo con la frmula:
v( t ) = V0 e
t
R pC
(C.6)
O tambin, con la frmula equivalente:
V0
v( t ) =
2
(C.7)
t
0 , 6931R p C
De esta frmula se deduce que cada vez que transcurre un tiempo de 0,6931RpC, la tensin se reduce a
la mitad.
En la grfica de la figura C.4 se ve la variacin de la tensin de carga, en unidades V0, en funcin del
tiempo, en unidades RpC.
v/V0
t/RpC
Fig. C. 4. Descarga de un condensador.

Ejemplo.
Calcular la resistencia de prdidas de un condensador de 100F sabiendo que, una vez cargado a
100V, transcurren 2 horas hasta que la tensin es de slo 50V.
Pg. 33

De acuerdo con lo establecido anteriormente, el tiempo transcurrido hasta que la tensin baja a la
mitad es:
t 0 = 0,6931 R p C
(C.8)
Introduciendo datos y despejando la resistencia de prdidas, se obtiene:
Rp =
t0
2 60 60
=
= 103M
0,6931 C 0,6931 100 106
(C.9)
Otra magnitud importante asociada a los condensadores es la energa que son capaces de almacenar.
Esta energa, medida en Julios (J), viene dada por la expresin:
E=
1 2
Cv
2
(C.10)
La energa de un condensador cargado se pone de manifiesto cuando conectamos entre s sus dos terminales. Salta una chispa y, en este proceso, se gasta la energa almacenada por el condensador.
Ejemplo.
Calcular las caloras generadas por una chispa de descarga de un condensador de 470F, cargado a
200V.
La energa almacenada en el condensador se transforma en chispa7, de manera que la energa de la
chispa de descarga es la misma que la almacenada en el condensador; es decir:
E=
470 106 (200) 2 470 106 4 104

=
= 47 2 101 = 4,7 2 = 9,4J = 9,4 0,24cal = 2,25cal
2
2
Cuando las tensiones y las corrientes son continuas, un condensador se comporta como un circuito
abierto; es decir: como una resistencia de valor infinito (si no hay prdidas). Sin embargo, en los procesos de carga y descarga tiene una apariencia de elemento resistivo. Sobre todo cuando se trabaja con
corrientes alternas. En este caso el condensador tiene una resistencia dependiente de la frecuencia,
llamada impedancia. La ley de Ohm en corriente alterna es:
V = ZI
(C.11)
En esta expresin V es la tensin eficaz, I es la corriente eficaz y Z es la impedancia, que en el caso

del condensador vale:
Z=
1
2f C
(C.12)
La letra f representa la frecuencia de la seal alterna, en Hz, y C es la capacidad del condensador en

Faradios. La impedancia de un condensador se mide en Ohmios y representa la resistencia del condensador en alterna.
Ejemplo.
Calcular la impedancia de un condensador de 100nF a una frecuencia de 1kHz.
Aplicando la frmula C.12, se obtiene:
Realmente se transforma tambin en calor, radiacin electromagntica, ruido, etc.
Pg. 34

Z=
1
10000 5000
=
=
= 1592
9
2 3,14 1000 100 10
2 3,14 3,14
Ejemplo.
Se aplica una tensin de 10V eficaces y 1kHz al condensador del ejemplo anterior. Calcular la intensidad de la corriente que atraviesa a dicho condensador.
De acuerdo con la ley de Ohm en alterna (frmula C.11), se obtiene:
I=
V
10
=
= 6,28mA
Z 1592
(C.13)
Cuando se tiene un condensador en serie con una resistencia, la impedancia del conjunto es:
R 2 C2 2 + 1
C
= 2 f
Z=
(C.14)
Cuando se tiene una resistencia en paralelo con un condensador, la impedancia se calcula mediante la
expresin:
Z=
R
R 2 C2 2 + 1
(C.15)
Donde tiene la misma expresin: =2f, y se denomina frecuencia angular o pulsacin.

Ejemplo.
Calcular la corriente que suministra un generador de alterna de 10V, 100Hz, al conectarlo a una
resistencia de 1k en serie con un condensador de 1F. (Fig. C.5).
C=1F
R=1k
V=10Vef, 100Hz
Fig. C. 5. Clculo de la corriente alterna.

La frmula C.14 proporciona la impedancia del condensador y la resistencia en serie:
(10 ) (10 ) (2 3,14 10 )

3 2
Z=
6 2
2 2
106 2 3,14 102
+1
= 1,88k
La corriente es, de acuerdo con la expresin C.11:
I=
10V
10
=
mA = 5,32 mA
1,88k 1,88
Pg. 35

Un condensador produce una diferencia de fase de -90 entre la tensin y la corriente que lo atraviesa.
Es decir:
fase( V) fase(I) = 90
(C.16)
Por otra parte, la potencia consumida por un componente pasivo de dos terminales8 es el producto de
la tensin entre los mismos y la corriente que lo atraviesa. Cuando la tensin es alterna dicha potencia
vara con el tiempo. En efecto, si la corriente es:
i( t ) = I 0 cos(t )
(C.17)
Y la tensin es:
La potencia es:
v( t ) = V0 cos(t + )
p( t ) = i( t ) v( t ) = I 0 V0 cos(t ) cos(t + )
(C.18)
(C.19)
Haciendo operaciones, puede escribirse la misma expresin de forma diferente:
p( t ) =
V0I 0
VI
cos + 0 0 cos(2t + )
2
2
(C.20)
La potencia, en funcin del tiempo, se ha representado en las figuras C.6 y C.7; para un condensador
(=-90) y para una resistencia (=0), respectivamente.
p(t)
t
Fig. C. 6. Potencia en un condensador.

En la figura C.6 se aprecia que la energa entra (tramos positivos) y sale (tramos negativos) del condensador de forma que el valor medio es nulo. Esto significa que el condensador, en corriente alterna,
no consume potencia en valor medio.
En el caso de una resistencia (Fig. C.7), el valor medio no es nunca nulo, ya que siempre la potencia es
positiva (consumida). En alterna se utiliza la potencia media. De la frmula C.20 se deduce que la
potencia en alterna es simplemente:
P=
V0I 0
cos = V I cos
2
(C.21)
Donde V es la tensin eficaz e I la corriente eficaz. Ambas magnitudes estn relacionadas con los valores de pico de la siguiente manera:
Resistencia, condensador o bobina.
Pg. 36

V0
2
I
I= 0
2
V=
(C.22)
p(t)
Fig. C. 7. Potencia en una resistencia.

El ngulo es la diferencia de fase entre la tensin y la corriente, introducida por la impedancia Z.
C.2 CARACTERIZACIN DE CONDENSADORES

Los condensadores se caracterizan por los siguientes parmetros:
Valor nominal.
Tolerancia.
Temperatura de funcionamiento.
Tensin nominal.
Tensin de pico.
Tensin de aislamiento.
Tensin inversa.
Esperanza de vida.
Corriente de fugas.
Resistencia de prdidas.
Resistencia equivalente serie (ESR).
Factor de disipacin.
Absorcin dielctrica.
Margen de frecuencias.
Veamos con detalle, a continuacin, cada uno de estos conceptos.
C.2.1 Valor nominal

Es el valor de capacidad dado por el fabricante, suponiendo que el proceso de fabricacin fuera perfecto.
C.2.2 Tolerancia
Es el mismo planteamiento que en el caso de las resistencias. El valor real de la capacidad no coincide
con el valor nominal, pero est comprendido entre un valor mnimo y uno mximo. La mitad de la
Pg. 37

diferencia entre ambos valores, dividido por el valor nominal, es la tolerancia. Para tener sta expresada en tanto por cien, se multiplica por 100.
Ejemplo.
Un condensador de 100nF de valor nominal tiene una tolerancia del 10%. Entre qu valores est
comprendido el verdadero valor de la capacidad?
El valor mnimo es 100-10010/100=100-10=90nF.
El valor mximo es 100+10010/100=100+10=110nF.
En efecto, la tolerancia es (110-90)/200=0,1. En tanto por cien: 0,1100=10%.
C.2.3 Temperatura de funcionamiento

Es un margen de temperaturas entre las cuales puede operar correctamente el condensador. La temperatura no debe ser inferior al mnimo ni superior al mximo.
Ejemplo.
Un condensador tiene el margen de temperaturas: -55C; +85C.
Esto significa que el condensador no debe estar por debajo de 55C bajo cero, ni superar los 85C.
C.2.4 Tensin nominal

Es la tensin a la que debe trabajar el condensador. Esta tensin no debe sobrepasarse. De lo contrario
puede producirse el deterioro del condensador o, incluso, puede originarse una explosin.
Cuando se aplica una tensin alterna (o similar) superpuesta a una tensin continua, debe tenerse en
cuenta que el valor de pico de la tensin alterna ms el valor de la tensin continua no debe sobrepasar
el valor de la tensin nominal.
Ejemplo.
Un condensador de 100V en una fuente de alimentacin soporta una tensin continua de 90V. Cual
es la tensin de rizado mxima que puede aplicarse al condensador?
El margen posible es de 100-90=10V. Luego la tensin de pico del rizado debe ser siempre menor que
10V. Es decir: 7,07V eficaces.
C.2.5 Tensin de pico

Es la tensin mxima repetitiva que puede soportar el condensador durante un tiempo corto.
C.2.6 Tensin de aislamiento

En los condensadores con carcasa metlica externa (electrolticos), es la mxima tensin continua que
puede haber entre dicha carcasa y los terminales cortocircuitados del condensador.
Pg. 38

C.2.7 Tensin inversa

En los condensadores con polaridad (electrolticos) la tensin debe conectarse de forma apropiada; es
decir: la tensin positiva en el terminal marcado con + y la negativa en el terminal marcado con el . En estas condiciones la tensin mxima que puede soportar el condensador es la tensin nominal. Si
la tensin se aplica al revs, se dice que se aplica de forma inversa. La tensin mxima inversa tiene
un valor mximo que siempre es mucho menor que la nominal, aplicada de forma correcta o directa.
Un condensador con polaridad debe siempre conectarse correctamente pero, en cualquier caso, el valor
mximo de la tensin inversa es un dato importante.
C.2.8 Esperanza de vida

Es el nmero de horas que el fabricante espera que funcione correctamente el condensador. Es importante para el diseo de circuitos de sistemas electrnicos especialmente importantes.
C.2.9 Corriente de fugas

Ya hemos visto que el aislante situado entre las placas de un condensador tiene una resistencia elevada, pero no infinita, lgicamente. Cuando se establece una tensin entre las placas, fluye una corriente
dada por la ley de Ohm. Esta corriente es la llamada corriente de fugas. Se suele dar a una temperatura
determinada y con la tensin nominal aplicada durante cierto tiempo.
C.2.10 Resistencia de prdidas

Est relacionada con la corriente de fugas y responde al circuito equivalente del condensador expresado en la figura C.3. Es una resistencia en paralelo con el condensador, supuesto ideal.
C.2.11 Resistencia equivalente serie (ESR)

Un condensador puede representarse mediante el circuito generalizado de la figura C.8.
Rp
RS
Fig. C. 8. Circuito equivalente generalizado del condensador.

Los parmetros que figuran en dicho circuito equivalente son:
C = Capacidad del condensador
Rp = Resistencia de prdidas, debida al dielctrico.
RS = Resistencia equivalente serie, debida a los conectores de entrada y otros factores
L = Autoinduccin, debida a los bobinados y cables de conexin.
La resistencia equivalente serie es, por consiguiente, un elemento del circuito equivalente general.
Pg. 39

C.2.12 Factor de disipacin

Es el cociente entre la impedancia del condensador (supuesto ideal) y la resistencia de prdidas. Este
factor de denomina D. Un condensador de alta calidad debe tener muy bajo factor de disipacin.
De acuerdo con esta definicin, se tiene:
1
1
D = C =
Rp
R p C
(C.23)
= 2 f
El factor de disipacin es un nmero sin dimensiones.
La potencia consumida en alterna en un condensador real es la consumida en la resistencia de prdidas; es decir: (Fig. C.3)
P=
V2
Rp
(C.24)
Teniendo en cuenta la frmula C.23, puede escribirse:
P = 2 V2 D C f
(C.25)
Ejemplo.
Calcular el factor de prdidas de un condensador de 1000F a 100Hz sabiendo que su resistencia de
prdidas es de 10M.
El factor de prdidas viene dado por la frmula C.23. Con los datos suministrados se obtiene:
D=
1
= 1,59 107
6
10 10 1000 10 2 3,14 100
6
Ejemplo.
Calcular la potencia disipada en el condensador del ejemplo anterior, cuando se le aplica una tensin
eficaz de 100V.
La potencia se puede calcular con la frmula C.25. Se obtiene:
P = 1mW
C.2.13 Absorcin dielctrica

Supongamos que se carga un condensador a una tensin dada, V1, y, a continuacin, se cortocircuitan
sus terminales durante un tiempo breve, tc. Entre los terminales del condensador la tensin es cero
recin abierto el circuito, pero luego comienza a elevarse la tensin lentamente de forma espontnea,
hasta alcanzar una cierta tensin, V2. Este fenmeno se debe a efectos de polarizacin del dielctrico.
La absorcin dielctrica se puede medir mediante la relacin siguiente, durante un tiempo dado de
carga, tc:
A (%) =
V2
100
V1
(C.26)
C.2.14 Margen de frecuencias

Son las frecuencias, mnima y mxima, entre las cuales el comportamiento del condensador es correcto, de acuerdo con el modelo ideal.
Pg. 40

La figura C.8 indica que a frecuencias muy altas el condensador puede comportarse de forma inductiva, por consiguiente existe una frecuencia mxima que no se puede sobrepasar si se desea un buen
funcionamiento del condensador. En la figura C.9 se ve la representacin grfica de la impedancia de
un condensador real con los siguientes parmetros:
C = 100F ; Rp = 1M ; RS = 10 ; L = 10H
A frecuencias muy altas la impedancia del condensador aumenta con la frecuencia, en lugar de disminuir, como sera previsible de acuerdo con la frmula de la impedancia del condensador ideal. (Frmula C.12).
Fig. C. 9. Circuito equivalente generalizado del condensador.
C.3 TIPOS DE CONDENSADORES Y APLICACIONES

De acuerdo con la forma de fabricacin, los condensadores pueden ser de los siguientes tipos:
Electrolticos.
De mica.
Cermicos.
De pelcula.
C.3.1 Condensadores electrolticos

Se caracterizan por una alta capacidad, que puede llegar a los 7000F o ms. La contrapartida es su
mxima tensin nominal, que alcanza un valor moderado (sobre los 500V). Tienen un buen comportamiento a frecuencias de audio, pero no pueden utilizarse a frecuencias altas (frecuencias de radio,
por ejemplo). Tienen ms prdidas que los de otros tipos. Se utilizan en fuentes de alimentacin, en
serie con los altavoces en los amplificadores de audio, en filtros pasivos en cajas acsticas, etc.
Pg. 41

xido de
aluminio
hojas de papel
impregnadas con
un electrolito
aluminio
aluminio
nodo
ctodo
Fig. C. 10. Estructura bsica de un condensador electroltico.
(a)
(b)
Fig. C. 11. Condensadores electrolticos. (a) de aluminio. (b) de tntalo.

Al aplicar la tensin correcta al condensador (el positivo al nodo y el negativo al ctodo), se origina
qumicamente una capa extremadamente fina de xido de aluminio sobre el nodo. Esta capa es aislante y constituye el dielctrico del condensador. El pequeo espesor de la capa aislante, junto con su
elevada constante dielctrica, dotan a los condensadores electrolticos de la gran capacidad que los
caracteriza.
Otro tipo de condensadores electrolticos son los de tntalo, de menor capacidad pero de mejor comportamiento en casi todos los casos.
Los condensadores electrolticos son los nicos que requieren una tensin de polarizacin.
En la figura C.11 se ve el aspecto real de algunos condensadores electrolticos.
C.3.2 Condensadores de mica

Utilizan mica como dielctrico. La mica es un mineral muy fcilmente exfoliable (se separa en finas
lminas de forma natural), con altsima resistencia elctrica y alta tensin de ruptura (rigidez dielctrica alta).
Los condensadores de mica son de una calidad excelente, muy buen comportamiento incluso a frecuencias muy elevadas, pero no pueden fabricarse con valores de capacidad altos. (Slo hasta 0,1F).
Pg. 42

material cermico
envoltura rgida
metal
Fig. C. 12. Condensador cermico.
C.3.3 Condensadores cermicos

Hay dos tipos de condensadores cermicos: de bajas prdidas y de alta capacidad. Los primeros tienen
resistencias de prdidas de hasta 1000M y pueden usarse a altas frecuencias como los de mica. Las
capacidades van de 1pF hasta 10nF. Los de alta capacidad, construidos con material cermico de alta
constante dielctrica, tienen valores comprendidos entre 100pF y 100nF. Tienen el inconveniente de la
dependencia de la capacidad ante variaciones de tensin y temperatura. Ambos tipos estn formados
por un disco muy fino de material cermico. Sobre ambas caras de dicho disco hay una fina capa conductora, y el conjunto est precintado con un material aislante de gran resistencia mecnica, tal como
plstico, cermica o resina. (Fig. C.12).
C.3.4 Condensadores de pelcula

Estn fabricados con pelculas muy finas de aluminio y de un dielctrico, alternadas, formando un
sandwich que se enrolla y empaqueta en un tubo cilndrico aislante. Dependiendo de la sustancia
utilizada como dielctrico, los condensadores de pelcula pueden ser
de polipropileno, policarbonato, polister, poliestireno, etc.
En las figuras C.13 y C.14 se ven condensadores de pelcula (policarbonato y poliestireno) usados con
frecuencia en sistemas de audio.
Fig. C. 13. Condensador de policarbonato
Pg. 43

Fig. C. 14. Condensador de poliestireno
Pg. 44

APARTADO D: BOBINAS.
D.1 GENERALIDADES
Son componentes formados habitualmente por un carrete de hilo conductor. El interior del carrete
suele ser una sustancia ferromagntica, como la ferrita. En algunos casos no hay ningn material (ncleo de aire). En otros casos el ncleo puede ser de hierro dulce, si se quiere crear un campo magntico
fuerte (electroimn). Los ncleos pueden tener forma lineal (Fig. D.1) o cerrada (toroides) (Fig. D.2).
Las bobinas, tambin llamadas inductores, tienen una autoinduccin L que los caracteriza. La autoinduccin de una bobina es la constante de proporcionalidad entre el flujo del campo magntico a travs
del ncleo y la corriente elctrica que produce dicho campo. La unidad de autoinduccin es el Henrio
(H).
El valor de la autoinduccin depende del nmero de espiras, N, de su superficie, S, de la longitud de la
bobina, l, y de la permeabilidad magntica relativa del ncleo, r:
S N2
L = 0 r
l
(D.1)
La constante 0 es la permeabilidad magntica del vaco, y vale:
0 = 1,25 106
H
H
H
= 1,25
= 0,0125
m
m
cm
(D.2)
l
S
N
Fig. D. 1. Modelo simplificado de bobina lineal.
I
Fig. D. 2. Bobina toroidal.
Pg. 45

Ejemplo.
Calcular la autoinduccin de una bobina de ncleo de aire formada por un carrete hueco de cartn
2
de una longitud de 10cm, una seccin de 2cm y sobre el que se han arrollado 30 espiras.
Para este ejemplo el ncleo de la bobina es el aire, cuya permeabilidad magntica relativa es la unidad. Aplicando la frmula D.2, se obtiene:
L = 0,0125
H 2cm2 302
2 900
18
1
= 0,0125H
= 1,25 H = 2,25H
cm
10cm
10
10
Una bobina lineal como la de la figura D.1 recorrida por una corriente continua, I, se transforma en un
imn. El campo magntico, B, creado por dicho imn sigue la direccin fijada por la llamada regla del
sacacorchos (o el tornillo)9. (Fig. D.3). Las lneas del campo magntico siempre se cierran sobre s
mismas. El extremo por el que entran las lneas se llama cara sur. El extremo por las que salen se llama
cara norte. La intensidad del campo es tanto mayor cuanto ms apretadas estn las lneas del campo.
(Interior de la bobina, o solenoide). En una bobina lineal como la de la figura D.3 las lneas del campo
magntico salen fuera del ncleo. En una bobina toroidal (forma de donut) las lneas quedan atrapadas
en el interior del ncleo, con lo que el campo magntico fuera del ncleo es prcticamente cero. (Fig.
D.4)
I
Fig. D. 3. Campo magntico creado por una bobina lineal.
Fig. D. 4. Campo magntico creado por una bobina toroidal.

Cuando se somete una sustancia ferromagntica a un campo magntico aqulla queda magnetizada y
se covierte en un imn permanente. Dicho imn tiene su cara norte y su cara sur. Un ejemplo importante de imn permanente es La Tierra. Debido a la composicin qumica de nuestro Planeta, la cara
El flujo magntico, , representado por las lneas de fuerza, se mide en Webers (Wb). La densidad superficial
2
2
de flujo magntico es el campo magntico, B, y se mide en Wb/m o Teslas (T). Es decir: 1Wb/m =1T.
9
Pg. 46

sur est en el polo norte geogrfico (aunque ligeramente desplazado) y la cara norte en el polo sur
geogrfico. (Fig. D.5)
Polo norte.
Sur magntico.
Sentido de giro.
Norte magntico.
Fig. D. 5. La Tierra es un enorme imn natural.
Cuando se tienen dos imanes o ms, puede comprobarse que las caras de igual nombre se repelen y las
de nombre distinto se atraen. (Fig. D.6)
Atraccin.
N
Repulsin.
N
Fig. D. 6. Fuerzas entre imanes.

La representacin de las bobinas en los circuitos electrnicos se hace de acuerdo con la figura D.7.
L
Fig. D. 7. Representacin esquemtica de bobinas.
D.2 FACTOR DE CALIDAD DE UNA BOBINA

Si se tiene en cuenta la resistencia del arrollamiento de la bobina, R, se puede definir un factor de calidad, Q, de la siguiente manera:
Pg. 47

Q=
L
R
(D.3)
donde, como siempre, = 2f.

Cuanto mayor es el factor Q, mayor es la calidad de la bobina, al ser pequea la resistencia de los
hilos. El factor Q no tiene dimensiones.
Ejemplo.
Calcular la Q de una bobina de 10mH a 1kHz, sabiendo que la resistencia es de 5.
De acuerdo con la frmula D.3, se tiene:
Q=
10 103 2 3,14 103 10 2 3,14

=
= 4 3,14 = 12,5
5
5
Teniendo en cuenta la resistencia de la bobina, puede adoptarse el circuito equivalente de la figura

D.8.
Fig. D. 8. Circuito equivalente simplificado de una bobina.

La impedancia de una bobina en corriente continua se reduce a su resistencia. En alterna la impedancia
es:
Z = L2 2 + R 2
En la figura D.9 se ha representado la impedancia de una bobina en funcin de la frecuencia.
Ejemplo.
Calcular la impedancia de una bobina de 10mH y 5 a 1kHz.
De acuerdo con la expresin D.4, se tiene:
Z = (10 103 ) 2 (2 3,14 103 ) 2 + 52 = 63
Pg. 48
(D.4)

Fig. D. 9. Representacin de la impedancia de una bobina de 10mH, 5.

Ejemplo.
Calcular la potencia disipada en la bobina del ejemplo anterior cuando se le aplica una tensin alterna de 10Vef (eficaces) y 1kHz.
En primer lugar se calcula la corriente alterna eficaz, que viene dada por la ley de Ohm de alterna:
I=
V 10
=
= 0,158A
Z 63
A continuacin se calcula la potencia consumida en la resistencia (una bobina ideal no consume potencia en alterna):
P = I 2 R = 0,1582 5 = 0,124W
Una bobina perfecta no tiene resistencia. Este caso es imposible en la prctica. Sin embargo, si as
fuera, de acuerdo con la frmula D.4 (R = 0) la impedancia sera:
Z = L
(D.5)
D.3 INDUCCIN ELECTROMAGNTICA

La ley de la induccin establece que el movimiento de un imn (o electroimn) en las proximidades de
una espira (o conjunto de espiras) crea una corriente variable en dicha espira. Recprocamente, una
espira recorrida por una corriente variable produce fuerzas que actan sobre un imn prximo y pueden llegar a moverlo si las corrientes son suficientemente intensas. Esta propiedad de las corrientes y
los imanes es la base fsica sobre la que se apoya el funcionamiento de los micrfonos y los altavoces;
de las dinamos y los motores elctricos. (Figs. D.10 y D.11).
Fig. D. 10. Un imn mvil crea una corriente variable en una espira prxima.
Pg. 49

Fig. D. 11. Una bobina recorrida por una corriente variable mueve un imn cercano.
D.4 TRANSFORMADORES
Si la espira de la figura D.10 est abierta la corriente es nula, pero aparece una tensin inducida. Fig.
D.12.
V(t)
Fig. D. 12. Un imn mvil crea una tensin inducida en una espira prxima.
Si el imn se sustituye por un electroimn, el conjunto es un transformador: una corriente variable en
el electroimn (primario) induce una tensin en la espira (secundario). (Fig. D.13).
V2
V1
Fig. D. 13. El transformador se basa en la ley de la induccin.

Normalmente el primario y el secundario se enrollan sobre el mismo ncleo, bien de tipo lineal, bien
de tipo toroidal o semejante. (Figs. D.14 y D.15).
V2
V1
Fig. D. 14. Transformador con ncleo toroidal.
Pg. 50

Ncleo
Primario y
secundario
i2
i1
V1
V2
Fig. D. 15. Transformador con primario y secundario superpuestos.
En un transformador ideal la tensin de salida y la de entrada son proporcionales, as como las corrientes. Si N1 es el nmero de espiras del primario y N2 el del secundario, se cumple:
N2
v1
N1
N
i 2 = 1 i1
N2
v2 =
(D.6)
En la prctica esta relacin es slo aproximada debido a las siguientes causas:

a) Causas lineales.
Calentamiento de los arrollamientos debido a su resistencia elctrica.
Acoplamiento imperfecto entre el primario y el secundario lo que limita el ancho de banda del transformador de forma que las expresiones D.6 son vlidas slo entre una frecuencia inferior de corte y
otra superior. En audio este hecho tiene una gran importancia ya que un sistema de calidad debe tratar
correctamente las seales desde 20Hz hasta 20kHz o ms.
Efectos capacitivos entre espiras, que limita el funcionamiento a frecuencias altas.
b) Causas no lineales.
Histresis del ncleo que produce distorsin de la seal y calentamiento del ncleo.
En las figuras D.16 y D.17 se aprecia el aspecto de dos bobinas de audio. La primera con ncleo de
aire y la segunda con ncleo de ferrita.
Pg. 51

Fig. D. 16. Aspecto real de una bobina con ncleo de aire.
Fig. D. 17. Una bobina de audio con ncleo de ferrita.
(A)
Fig. D. 18. Transformadores de alimentacin para 50Hz.
(A): del tipo de la figura D.15.
(B): de tipo toroidal, como en la figura D.14.
Pg. 52
(B)

APARTADO E: DIODOS.
E.1 SUSTANCIAS SEMICONDUCTORAS
La electrnica est basada, desde un punto de vista tecnolgico, en el silicio. El silicio es una sustancia
semiconductora que tiene una estructura qumica muy similar a la del carbono: la sustancia base de los
seres vivos. El silicio se encuentra abundantemente en la Naturaleza y, principalmente, en la arena de
las playas. Es una sustancia qumica con estructura tetravalente del grupo central de la tabla peridica
de los elementos. Los componentes activos en electrnica estn hechos a partir de silicio de altsima
pureza. El xido de silicio, SiO2, es un compuesto de alta dureza y bajsima conductividad elctrica. El
cuarzo es xido de silicio casi puro.
Fig. E. 1. Estructura tetradrica del silicio cristalino.
E.2 ESTRUCTURA CRISTALINA DEL SILICIO

El silicio puro tiene estructura tetradrica. Al igual que el carbono cristalino (diamante), el silicio est
formado por tomos rodeados por cuatro vecinos a los que les unen enlaces de tipo covalente o de
electrones compartidos. Cada tomo de silicio est en el centro de un tetraedro, como se ve en la figura
E.1. Cada enlace covalente est formado por dos electrones, uno de cada tomo.
E.3 CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DE UN METAL

Para que una sustancia sea conductora deben existir portadores de carga libres capaces de moverse
dentro de la sustancia al aplicar un campo elctrico. La corriente elctrica es, de hecho, el movimiento
de las cargas dentro de una sustancia. En un metal, por ejemplo, las cargas mviles son los electrones.
(Fig. E.2)
Cuando se aplica un campo elctrico a un metal (mediante una pila, por ejemplo) los electrones, que
tienen carga negativa, se mueven hacia la zona positiva del campo (alto potencial), establecindose
una corriente elctrica. Los electrones no pueden moverse con libertad absoluta dentro del metal porque van tropezando con los tomos fijos de la red cristalina. Podramos decir que es un movimiento
con rozamiento que hace que la velocidad de los electrones se mantenga constante y el metal se caliente.
La potencia disipada por el conductor es P=VI. Por otra parte la intensidad depende de la resistencia
de la sustancia, R, de acuerdo con I=V/R, que es la ley de Ohm.
Pg. 53

metal
electrones
Fig. E. 2. Conductividad elctrica de un metal.

En los metales siempre hay electrones libres aptos para la conduccin: son los conductores tpicos y su
resistencia suele ser muy baja. La resistencia de un metal aumenta al aumentar la temperatura.
E.4 CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DEL SILICIO

Los fenmenos de conduccin en los semiconductores, como el silicio (Si) o el germanio (Ge) tienen
un inters especial, como veremos. (Fig. E.3). En efecto, en el silicio a temperatura muy baja no hay
conduccin puesto que todos los electrones estn ligados a los enlaces y no pueden contribuir a la
corriente elctrica. Si la temperatura aumenta, llega un momento en que la agitacin trmica es tan
fuerte que algunos electrones se escapan de los enlaces covalentes y se convierten en portadores. Pero
al escapar un electrn de un enlace, ste se rompe. Esta circunstancia no supone la destruccin de la
estructura cristalina porque la proporcin de electrones liberados siempre es pequea.
Semiconductor
Metal
Metal
Electrn.
Hueco.
Fig. E. 3. Conduccin en un semiconductor.
Ahora bien, si un electrn llega a un enlace roto y no tiene excesiva energa de agitacin trmica, puede ocurrir que sea atrapado por el enlace roto y ste se reconstruya. Cuanto mayor sea la temperatura
mayor ser el nmero de electrones libres y, por consiguiente, mayor la conductividad (menor resistencia). Justo al revs que en los metales. Por otra parte, siempre que se libera un electrn se produce
un enlace roto, de forma que siempre el nmero de electrones libres y de enlaces rotos es el mismo.
Pg. 54

Si se aplica un campo elctrico, por ejemplo el - a la derecha y el + a la izquierda (Fig. E.4), los
electrones se desplazarn hacia la izquierda. Muchos de ellos caern en enlaces rotos, con lo cual el
enlace roto desaparecer y tambin el electrn libre.
Por el conductor slo

circulan electrones.
V
Fig. E. 4. Conduccin en un semiconductor. La flecha de la izquierda indica el sentido convencional
de la corriente. La de la derecha el sentido real de los electrones en el cable conductor (metal).
Este fenmeno ha inducido a considerar que los enlaces rotos se comportan como huecos donde caen
los electrones para desaparecer como portadores de carga en la corriente elctrica. Los huecos se comportan como partculas de carga igual a la del electrn, pero con signo positivo. Se puede pensar, as,
que al encontrarse dos cargas iguales y de signo contrario se aniquilan y ambas desaparecen. Si la
temperatura aumenta, aumenta tambin el nmero de electrones y huecos y, al existir ms portadores
de carga aumenta la corriente, disminuyendo la resistencia elctrica de la sustancia. A temperaturas
muy bajas la conductividad es muy baja tambin. En los metales no hay huecos porque los electrones
estn libres sin necesidad de que se produzca la ruptura de enlaces. A un semiconductor puro se le
llama semiconductor intrnseco.
En un semiconductor intrnseco el nmero de electrones es igual al nmero de huecos.
E.5 SEMICONDUCTORES DE TIPO N

Son semiconductores (silicio, por ejemplo) a los que se les ha aadido una pequea cantidad de sustancia pentavalente (cinco electrones en la capa de valencia). (Fig. E.5)
Fig. E. 5. En un semiconductor tipo N hay ms electrones que huecos.

Si la adicin se hace correctamente se produce una aleacin o disolucin slida en la que la estructura
cristalina del silicio no se altera. Es decir, sigue teniendo estructura tetradrica pero algunos lugares de
la red donde deba haber un tomo de silicio aparecen tomos de tipo pentavalente. Estas sustancias
aadidas se llaman impurezas, aunque no lo son en el sentido habitual de la palabra. Un semiconductor
con impurezas de las que acabamos de decir se llama un semiconductor dopado (del Ingls). De modo
que el silicio intrnseco dopado con impurezas pentavalentes es silicio de tipo N.
En un semiconductor de tipo N el nmero de electrones es mayor que el nmero de huecos.
Pg. 55

E.6 CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES DE TIPO N

Los semiconductores de tipo N tienen una cierta proporcin de tomos pentavalentes. (Fig. E.6)

V
Fig. E. 6. Conduccin en un semiconductor de tipo N. La flecha de la izquierda indica el sentido convencional de la corriente. La de la derecha el sentido real de los electrones en el cable conductor (metal).
Esto quiere decir que en los enlaces donde haya un tomo de impureza sobra un electrn. As, a temperatura ambiente, en un semiconductor de tipo N, hay ms electrones que huecos y la conduccin se
produce principalmente por medio de electrones.
E.7 SEMICONDUCTORES DE TIPO P

Son semiconductores a los que se les ha aadido una pequea cantidad de sustancia trivalente (tres
electrones en la capa de valencia). (Fig. E.7)
Fig. E. 7. En un semiconductor tipo P hay ms huecos que electrones.

Si la adicin se hace correctamente se produce una aleacin o disolucin slida en la que la estructura
cristalina del silicio no se altera. Es decir, sigue teniendo estructura tetradrica. Pero algunos lugares
de la red donde deba haber un tomo de silicio, aparece un tomos de tipo trivalente. (Impureza de
tipo P).
Pg. 56

E.8 CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES DE TIPO P

Los semiconductores de tipo P tienen una cierta proporcin de tomos trivalentes. (Fig. E.8) Esto quiere decir que en los enlaces donde haya un tomo de impureza falta un electrn, es

V
Fig. E. 8. Conduccin en un semiconductor de tipo P. La flecha de la izquierda indica el sentido convencional de la corriente. La de la derecha el sentido real de los electrones en el cable conductor (metal).
decir hay un hueco. As, a temperatura ambiente, en un semiconductor de tipo P, hay ms huecos que
electrones y la conduccin se produce principalmente por medio de huecos.
Tanto en los semiconductores de tipo P como en los de tipo N, la conductividad aumenta con la temperatura. En todos los casos la carga neta del semiconductor es cero.
E.9 LA UNIN PN
Dejando a un lado los procedimientos de fabricacin, supongamos que se unen dos bloques de semiconductor, uno de tipo P y otro de tipo N. (Fig. E.9)
Fig. E. 9. Unin PN.

En el bloque P hay muchos huecos; en el bloque N hay muchos electrones. Al producirse la unin los
huecos del bloque P intentan ocupar todo el volumen del bloque conjunto PN. Los electrones del semiconductor N intentan tambin ocupar todo el volumen. En la unin de los dos bloques se produce
una recombinacin violenta, puesto que se encuentran muchos electrones con muchos huecos y se
aniquilan mutuamente. Esto hace que en una zona muy estrecha en torno a la unin fsica o metalrgica de los dos bloques se origine lo que se llama una zona de agotamiento; es decir una zona en la que
es prcticamente imposible encontrar un hueco o un electrn, puesto que estn en constante proceso de
aniquilacin. Al no haber huecos ni electrones en la zona de agotamiento las cargas fijas de la red quedan al descubierto, producindose una capa de cargas negativas en la zona P y otra de cargas positivas
en la zona N.
Pg. 57

Esta zona de agotamiento tiene una estructura muy parecida a la de un condensador: una capa de cargas positivas separada de otra de cargas negativas. Evidentemente la cantidad de carga positiva y negativa coinciden, puesto que siempre el semiconductor debe tener carga neta igual a cero. La unin
PN, aunque en realidad no es un condensador, ciertamente tiene un comportamiento capacitivo en
corriente alterna de baja amplitud y no muy alta frecuencia, dada su estructura.
En el bloque P hay muchos huecos originados por las impurezas trivalentes (portadores mayoritarios
en un semiconductor P), y en el bloque N hay muchos electrones (portadores mayoritarios en un semiconductor N). Pero tambin hay algunos electrones en el bloque P generados por la ruptura trmica de
enlaces (portadores minoritarios en un semiconductor P), y algunos huecos en el bloque N originados
por la misma razn (portadores minoritarios en un semiconductor de tipo N).
Las dos capas de cargas fijas de signo contrario enfrentadas en la zona de agotamiento producen un
campo elctrico que va (como siempre) de las cargas positivas a las negativas. Igualmente se produce
una diferencia de potencial (mayor en la zona de cargas positivas que en la de cargas negativas).
Se dice que hay una barrera de potencial en la zona de agotamiento. (Fig. E.10)
Campo elctrico
en la unin.
Fig. E. 10. Campo elctrico y barrera de potencial en la unin PN.

Cuantos ms portadores mayoritarios crucen dicha zona, ms alta es la barrera, (ms diferencia de
potencial). Los portadores mayoritarios deben subir la pendiente de la barrera, y esto les frena, disminuyendo su energa cintica. Para los portadores minoritarios la barrera de potencial no es tal barrera: es ms bien un precipicio por el que caen los portadores, dado el signo de su carga elctrica. Llega un momento en que la corriente de portadores minoritarios y mayoritarios son iguales. En ese instante se ha alcanzado un equilibrio y la barrera de potencial alcanza un valor constante. Un aumento de
temperatura hace que se rompan ms enlaces y, entonces, aumenta la corriente de portadores minoritarios, lo que implica a su vez un aumento de la corriente de mayoritarios y un consiguiente aumento de
la barrera de potencial. En equilibrio la suma de todas las corrientes debe ser cero, como corresponde a
un sistema aislado del que ni entran ni salen corrientes.
No solamente la temperatura puede ser causa de una variacin de la altura de la barrera, tambin una
tensin externa aplicada a la unin puede cambiarla, como veremos a continuacin.
Pg. 58

E.10 EL DIODO
Una unin PN polarizada externamente es capaz de conducir solamente en un sentido. Tiene, pues,
propiedades rectificadoras y es, por consiguiente, un diodo.
Para comprender cmo funciona el mecanismo rectificador de una unin PN supongamos que se conecta una tensin continua a una unin PN de forma que el polo positivo de la fuente acta sobre la
parte P y el negativo sobre la parte N. (Fig. E.11)
Vo
Fig. E. 11. Polarizacin directa de una unin PN. (Diodo)

Se dice en este caso que la polarizacin del diodo es directa. Cuando se polariza directamente un diodo
la tensin externa crea un campo elctrico cuyo sentido es contrario al del campo en la zona de agotamiento, con lo cual la altura de la barrera de potencial disminuye. (Fig. E.12)
Campo interno
en la unin.
Campo externo.
Fig. E. 12. Barrera de potencial en la unin PN con polarizacin directa.

Al disminuir la barrera de potencial los portadores mayoritarios pasan con ms facilidad a travs del
diodo, con lo que aumenta la corriente de este tipo de portadores (corriente de recombinacin). Por
otra parte, la corriente de portadores minoritarios (corriente de saturacin) no se altera porque el nmero de portadores minoritarios slo depende de la ruptura de enlaces y esto se produce, salvo casos
especiales, por aumento de la temperatura. Adems la barrera de potencial es un precipicio de potencial para los portadores minoritarios, por lo que el tamao de la barrera no altera la corriente de portadores minoritarios. La corriente de recombinacin tiene el sentido de la corriente convencional del
circuito. La corriente de saturacin tiene sentido contrario. Como la primera aumenta por la disminucin de la barrera y la segunda queda inalterada, la corriente neta ya no es cero, como en ausencia de
polarizacin, sino que tiene un valor no nulo y el mismo sentido que la corriente convencional. (Como
debe ser, evidentemente).
Pg. 59

Si la polarizacin del diodo es inversa (Fig. E.13) la barrera aumenta (Fig. E.14), la corriente de recombinacin disminuye drsticamente, la de saturacin permanece constante y, como consecuencia, se
produce una corriente en el sentido contrario al del caso de polarizacin directa.
Vo
Fig. E. 13. Polarizacin inversa de una unin PN. (Diodo)
Campo
interno.
Campo externo
Fig. E. 14. Barrera de potencial en la unin PN con polarizacin inversa.

Esta corriente tiene el sentido de la corriente convencional del circuito puesto que la pila, en este caso,
tambin est cambiada de polaridad. Si la tensin aplicada es algo elevada (basta con que sea de un par
de voltios, por ejemplo) la corriente de recombinacin (mayoritarios) se hace tan pequea que solamente queda la de saturacin (minoritarios), que es del orden de los microamperios (A) si el diodo es
de germanio o de nanoamperios (nA) si es de silicio. Esta corriente de saturacin slo depende de la
temperatura. No aumenta apreciablemente aunque aumente la tensin de polarizacin. Como es tan
pequea se puede decir que el diodo no conduce cuando se polariza en sentido inverso.
Pg. 60

E.11 CONDUCCIN EN AVALANCHA

Si la tensin de polarizacin inversa de un diodo aumenta mucho, la barrera de potencial se hace desmesuradamente alta. Para los portadores minoritarios esto supone la existencia de un precipicio de
tanta altura que cuando los portadores caen por l llegan al bloque vecino con una gran energa cintica. Si esta energa es suficientemente grande, los portadores chocan con fuerza con los enlaces de la
red y los rompen. Esto produce una generacin de huecos y electrones como si la temperatura hubiera
aumentado. Al aumentar los portadores minoritarios (la corriente de mayoritarios est prcticamente
anulada), aumenta la corriente de saturacin, es decir: la corriente a travs del diodo. Esta mayor
abundancia de portadores minoritarios hace que se rompan ms enlaces an, producindose un fenmeno acumulativo que origina un aumento enorme de la corriente. Al mismo tiempo el diodo se calienta, por lo que an se rompen ms enlaces. Es un proceso catastrfico que acaba con el diodo, a
menos que una resistencia, por ejemplo, limite la corriente dentro de unos mrgenes tolerables.
E.12 CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO

Si aplicamos una tensin constante, V, entre los terminales de un diodo y medimos la corriente constante que lo atraviesa, I, (Fig. E.15) el par de nmeros (V,I) es un punto del plano V-I. (Fig. E.15) Si
vamos obteniendo distintos pares de medidas (V,I) y los representamos en el plano V-I, el resultado es
una grfica que recibe el nombre de caracterstica esttica del diodo. (Es esttica porque V e I son
constantes). (Fig. E.16)
La teora demuestra que la ecuacin de la caracterstica esttica del diodo es:
qV
I = I S e kT 1
(E.1)
I=Corriente a travs del diodo.

V=Tensin entre los terminales del diodo.
IS=Corriente de saturacin del diodo.
e=Base de los logaritmos neperianos=2,7182818284...
-19
q=Carga del electrn=1,6022.10 C
-23
k=Constante de Boltzmann=1,3806.10 Julio/K.
T=Temperatura absoluta=Temperatura en C+273.
N
V
R
I
Fig. E. 15. Obtencin de la caracterstica esttica del diodo.
La caracterstica del diodo tiene un punto de mxima curvatura, llamado codo de la caracterstica, en
torno a 0,7V para el silicio y 0,3V para el germanio.
Pg. 61

Fig. E. 16. Representacin grfica de la caracterstica dada por la frmula E.1.

A partir de esta tensin la corriente aumenta muy aprisa. Por eso se considera que es la tensin a partir
de la cual el diodo conduce. Para tensiones menores, incluyendo las negativas, el diodo no conduce.
En la Fig. E.16 se ha representado en ordenadas el cociente I/I0 y en abscisas V/VT, donde:
VT =
kT
q
(E.2)
La tensin VT depende de la temperatura, pero a temperatura ambiente es de unos 25mV.

El aspecto de la caracterstica de un diodo real en unidades convencionales tiene el aspecto que se
aprecia en la figura E.17.
I(mA)
V(volts)
0,7
Fig. E. 17. Aspecto de la caracterstica de un diodo real.
Pg. 62

E.13 CLCULO DE LA CORRIENTE A TRAVS DE UN DIODO

Como a partir de unos 0,7V la caracterstica del diodo es casi vertical, (Fig. E.17) para un margen de
corrientes bastante grande, se puede suponer que la tensin del diodo permanece constante e igual a
dicho valor. As, en un circuito formado por una resistencia, R, un diodo y una fuente de tensin constante, V0, polarizando directamente al diodo, la corriente es, aproximadamente, I=(V0 - 0,7)/R. (Con la
tensin en voltios).
Para polarizaciones inversas la corriente se puede suponer aproximadamente nula.
E.14 RECTA DE CARGA DE UN DIODO

Si se quiere calcular con exactitud la corriente de un diodo hay que resolver un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas, V e I. Las ecuaciones son: la caracterstica del diodo, I=I(V), y la condicin
V0=RI+V. Como la ecuacin del diodo es no lineal el sistema no se puede resolver fcilmente. Es
preferible acudir a un procedimiento grfico. Para ello se representan en el plano V-I ambas ecuaciones. La primera es la caracterstica del diodo, la segunda es una recta, llamada recta de carga, que corta
a los ejes en V0 y V0/R. (Fig. E.18).
I
V0/R
V0
Fig. E. 18. Recta de carga y punto de operacin.

La interseccin de ambas grficas proporciona la solucin del sistema de ecuaciones, es decir: la tensin y la corriente del diodo. El punto de corte recibe el nombre de punto de trabajo (o punto de operacin, o punto Q) del diodo.
El mtodo de la recta de carga se utiliza ampliamente en Electrnica, no slo para los diodos sino tambin para los transistores y dems componentes activos. La potencia disipada en forma de calor en un
diodo polarizado directamente es el producto de su tensin y su corriente, P=VI. Como V es siempre
del orden de 0,7V, la potencia consumida por un diodo suele ser siempre pequea (excepto para corrientes muy grandes, claro). Para polarizaciones inversas la potencia tambin es pequea puesto que
la corriente inversa (de saturacin) es tan slo del orden de los nanoamperios.
E.15 EFECTOS RECTIFICADORES DE UN DIODO

En los circuitos electrnicos el diodo se representa como una flecha y una raya. La flecha indica el
sentido de conduccin del diodo. Es decir: la parte ancha de la flecha es la parte P y la punta de la
flecha es la parte N. La parte P se llama tambin nodo y la parte N ctodo.
En un circuito con un diodo, una resistencia y una fuente de alterna de tensin de pico mayor que
0,7V, se producen efectos rectificadores. (Fig. E.19). Es decir, la corriente slo pasa por el diodo
Pg. 63

cuando ste est polarizado directamente y con una tensin superior a 0,7V. El resto del tiempo el
diodo no conduce por estar polarizado de forma inversa. En la figura E.20 se ve la tensin generada
por la fuente de alterna de la figura E.19.
Se trata de una seal de muy baja frecuencia (1Hz) y 3V de pico. En la figura E.21 se puede ver la
tensin en el diodo: para tensiones directas es de unos 0,7V y para inversas es igual a la amplitud de
pico de la seal del generador. (3V).
Fig. E. 19. Un circuito rectificador con un diodo.
Fig. E. 20. Seal alterna del generador.
Fig. E. 21. Seal rectificada.
Pg. 64

E.16 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO EN CONTINUA

Es habitual en Electrnica establecer modelos tericos (circuitos equivalentes) que ayuden a utilizar y
comprender los distintos componentes utilizados. Si observamos la caracterstica esttica real del diodo (Fig. E.17) apreciamos que una buena aproximacin por tramos rectos consiste en suponer que la
caracterstica est formada por dos rectas: una horizontal, pegada al eje de las tensiones, y otra casi
vertical que corta al eje de las tensiones en 0,7V. Para dibujar el circuito equivalente se utiliza el concepto de diodo ideal. El diodo ideal, que dibujaremos en negro para distinguirlo del diodo real, es un
diodo inexistente que no conduce en absoluto en sentido inverso y que tiene una resistencia cero en
sentido directo. El modelo en continua del diodo puede imaginarse como un diodo ideal con una resistencia en serie, que proporciona la pendiente de la caracterstica en polarizacin directa, y una fuente
de tensin constante, que proporciona la tensin de 0,7V. (0,3V si es de germanio). (Fig. E.22)
I
R
V
Vc
Vc
Fig. E. 22. Modelo en continua del diodo

y caracterstica correspondiente.
E.17 COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN ALTERNA

El modelo anterior sirve para un diodo trabajando en continua o una frecuencia baja porque est basado en la caracterstica esttica que est obtenida en continua o frecuencia muy baja. A continuacin
vamos a suponer que el diodo tiene una polarizacin concreta (punto Q) y que se superpone a la tensin constante de polarizacin, V, una tensin muy pequea v. La tensin total es V+v. La cuestin
es la siguiente: cul es la corriente del diodo? Si la ecuacin de la caracterstica del diodo es i=f(v), la
corriente es I+i=f(V+v), siendo I la corriente continua de polarizacin. El incremento de corriente
es: i=f(V+v)-f(V).
Al cociente i/v se le llama conductancia dinmica o incremental del diodo, gd. La conductancia
dinmica del diodo es:
gd =
i f ( V + v) f ( V)
=
v
v
que coincide con la derivada de i=f(v) si, en efecto, los incrementos son muy pequeos. A la inversa
de la conductancia dinmica se le llama resistencia dinmica del diodo. La razn de este nombre es
que si se aplica al diodo una seal alterna dbil (pequea amplitud) sobre la componente continua de
polarizacin, el cociente de amplitudes da la resistencia del diodo en rgimen de alterna (o rgimen
dinmico). Derivando en la expresin E.1 se obtiene la resistencia dinmica del diodo:
rd =
1 kT 1
=
gd
q I + IS
Pg. 65
(E.3)

La constante kT/q=VT depende de la temperatura. A temperatura ambiente (sobre 18C) es de unos

25mV10. Por otra parte, para polarizaciones directas I es mucho mayor que IS. En estas condiciones
resulta muy prctica la siguiente expresin aproximada:
rd () =
25mV
I( mA )
(E.4)
Acerca de la resistencia dinmica del diodo hay que recordar siempre que las expresiones E.3 y E.4
slo son vlidas si la amplitud de la seal alterna es muy pequea y de baja frecuencia. Seal de baja
amplitud porque se ha calculado la resistencia dinmica derivando la funcin i=f(v) y la derivada es un
lmite para incrementos tendiendo a cero. Baja frecuencia porque la caracterstica i=f(v) es la caracterstica esttica, es decir calculada en continua, que es una alterna de frecuencia cero. Si los incrementos de tensin se producen con mucha rapidez la caracterstica esttica no puede utilizarse para hacer
clculos.
E.18 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO PARA SEALES DBILES

En las hiptesis anteriores el circuito equivalente del diodo es simplemente una resistencia de valor rd
dado por E.3. Si la frecuencia no es muy baja puede mejorarse el modelo aadiendo un condensador
en paralelo con la resistencia, que tiene en cuenta los efectos capacitivos de la zona de agotamiento y
que a frecuencias bajas no se pone de manifiesto.
Para mejorar an ms el modelo se suele aadir otra resistencia en serie con el conjunto anterior para
tener en cuenta la resistencia ohmica del diodo, no tenida en cuenta en la ecuacin terica E.1, as
como la resistencia de los cables u otros elementos del diodo. (Fig. E.23).
Rx
rd
Fig. E. 23. Circuito equivalente del diodo para seales dbiles.
La capacidad de la unin PN modifica la efectividad de la rectificacin, de modo que a partir de cierta

frecuencia, el diodo deja de rectificar.
El concepto de frecuencia baja o alta es relativo. Hay diodos para los que la frecuencia alta pueden ser
de 1MHz, mientras que en otros las frecuencias altas pueden ser 10kHz. Todo depende del proceso de
fabricacin. La tensin de ruptura inversa tambin es distinta en cada diodo. Dependiendo de la capacidad en la unin la aplicacin puede ser una u otra.
10
Para 0C VT=23,52mV, lo que permite calcular VT a cualquier temperatura mediante la expresin:

VT(mV)=0,0865t(C)+2352.
Pg. 66

E.19 EL DIODO ZENER

En muchas ocasiones no se utiliza el diodo como rectificador sino como regulador de tensin. Para
esta aplicacin se hace que el diodo trabaje en la zona de conduccin inversa, aprovechando el fenmeno de conduccin por avalancha. La caracterstica esttica en la zona de conduccin inversa presenta una pendiente casi vertical (Fig. E.24)
I
Vo
Vz
V
Q
Vo/R
Fig. E. 24. Caracterstica y recta de carga en un diodo Zener.

Lo que hace que la tensin se mantenga constante aunque la corriente vare dentro de un amplio margen de valores. La tensin de ruptura, Vz, es muy fija, lo que hace que la diferencia de potencial entre
los terminales del diodo se mantenga constante. Si la potencia en el diodo no sobrepasa el valor mximo especificado por el fabricante, el sistema de regulacin es operativo.
R
V0
VZ
Fig. E. 25. Regulador con diodo Zener.

En un circuito como el de la figura E.25, la corriente es:
I=
V0 Vz
R
(E.5)
y la potencia en el diodo:
P = Vz I
Pg. 67
(E.6)

APARTADO F: TRANSISTORES.
Son dispositivos electrnicos de estado slido capaces de amplificar seales. Los transistores son la
pieza clave de toda la Electrnica. Hay distintos tipos de transistores: el transistor de unin o bipolar
(BJT, bijunction transistor), el transistor de efecto de campo de unin (JFET, junction field effect transistor), el transistor de efecto de campo de puerta aislada (IGFET, isolated gate field effect transistor o
MOSFET, metal oxide semiconductor field effect transistor) y otros ms.
F.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Est formado por tres bloques de semiconductor, generalmente silicio, uno de tipo P, otro de tipo N y
un tercero de tipo P. (Fig. F.1).
Emisor
Base
Colector
A
Ao
Fig. F. 1. Estructura bsica de un BJT. A=ancho efectivo de la base. Ao=Anchura geomtrica
de la base.
El bloque central es muy estrecho y recibe el nombre de base. Los dos bloques, a izquierda y derecha
de la base, reciben el nombre de emisor y colector, respectivamente. El emisor tiene ms impurezas
(de tipo P) que la base (tipo N), y sta ms que el colector (tipo P). No se trata, por consiguiente, de un
dispositivo simtrico, como pudiera parecer de la observacin de la figura. Las zonas de agotamiento
no tienen la misma anchura en cada unin debido a esta diferencia de concentracin de impurezas
entre los bloques. La estructura real de un BJT no es exactamente la de la figura F.1, pero se utiliza
este modelo (llamado monodimensional), para entender el comportamiento del transistor bipolar. Un
BJT como el de la figura F.1 se llama PNP, por la estructura de los bloques. Tambin es posible un
transistor NPN, en el que el emisor y el colector son de tipo N y la base de tipo P. El funcionamiento
es idntico, solamente cambian los signos de las tensiones y los sentidos de las corrientes. Tambin se
intercambia, naturalmente, el papel desempeado por los huecos y los electrones. Para que un transistor funcione correctamente como amplificador es preciso polarizarlo de una forma determinada. Se
debe polarizar directamente la unin emisor-base e inversamente la unin base-colector. (Fig. F.2).
Para poder establecer clculos sobre el transistor polarizado se utilizan las magnitudes indicadas en la
figura F.2. Utilizaremos siempre valores absolutos, puesto que el sentido de las corrientes y el signo de
las tensiones es conocido. Por esta razn usaremos indistintamente VBE o VEB, por ejemplo. Cuando las
tensiones se refieran a un terminal comn de referencia, utilizaremos un slo subndice. As, en la
figura F.2 se hubiera podido escribir indistintamente VE=VEB=VBE. La tensin VBE=0,7V, aproximadamente, para un transistor de silicio. Para uno de germanio es de unos 0,3V. Son las tensiones correspondientes a un diodo polarizado directamente. La resistencia en el colector es RL, aunque tambin
puede llamarse RC.
Pg. 69

emisor
base
VBE
+
RE
colector
VCE
IE
IB
VEE
VCB
RL
IC
VCC
Fig. F. 2. Polarizacin de un BJT.

Las relaciones matemticas entre las magnitudes asociadas al transistor (Fig. F.2) se obtienen aplicando la teora de redes, y son las siguientes:
VEE = R E I E + VBE
VCC = R L I C + VCB
(F.1)
IE = IC + IB
VCE = VBE + VCB
F.2 FUNCIONAMIENTO DEL BJT

El transistor bipolar (BJT), tanto PNP como NPN, est formado por dos uniones PN; es decir: por dos
diodos enfrentados. (Fig. F.3).
potencial
Fig. F. 3. Estructura del BJT y potencial en las uniones.
Al polarizar directamente el diodo emisor e inversamente el diodo colector, parece lgico pensar que
el primero debe conducir y el segundo no. Sin embargo no es as. Al estar tan prximos los dos diodos,
(recordar que la anchura de la base es muy pequea), los huecos inyectados en la base a travs de la
barrera de potencial del diodo emisor alcanzan, en su mayora, el precipicio de potencial de la unin
colectora. Como en la base hay muchos electrones, algunos huecos inyectados en la base mueren por
el camino al tropezar con electrones, pero si la base es muy estrecha, y aqu radica el buen funcionamiento del BJT, la mayor parte de los huecos inyectados logra alcanzar la unin colectora, con lo que
resulta que el diodo colector conduce, a pesar de estar polarizado inversamente. (Efecto transistor).
La proporcin de huecos inyectados en la base que alcanzan el colector es casi del 100%. A esta cifra,
no expresada en porcentaje, se le llama factor alfa ().
Pg. 70

La corriente de colector est formada por dos partes. Por un lado la corriente de huecos que llegan al
colector provenientes de la unin emisora (IE) y, por otra, la corriente de saturacin inversa correspondiente al diodo colector-base (ICO). Es decir:
I C = I E + I co
(F.2)
El valor de es casi igual a la unidad (=0,99 es un valor tpico). La corriente de saturacin inversa,
Ico, es del orden de las dcimas de microamperio y depende de la temperatura, duplicndose cada
incremento de 10C aproximadamente. Se trata, por lo tanto, de un aumento exponencial. La corriente
ICO es mayor en el BJT de germanio que en el de silicio, ambos a la misma temperatura. Una aproximacin aceptable en muchos casos consiste en suponer =1 e ICO=0. As resulta IC=IE.
En la figura F.3 se ve el potencial a lo largo del transistor. La unin emisora est polarizada directamente y, por eso, la barrera de potencial es pequea. La unin colectora, por el contrario, est polarizada inversamente y es un gran precipicio de potencial por el que caen los huecos inyectados en la
base desde el emisor. Los saltos de potencial se producen en las zonas de agotamiento. Fuera de ellas
el potencial es prcticamente constante y el campo elctrico, por lo tanto, es casi cero. Esto quiere
decir que los portadores se mueven principalmente por difusin11 y no por arrastre del campo elctrico.
Como la corriente de colector sale a travs de un diodo polarizado inversamente (alta resistencia dinmica), se tienen dos consecuencias importantes. En primer lugar el transistor se comporta como una
fuente de corriente. En segundo lugar dicha corriente depende de la corriente de emisor, por lo que
estamos en presencia de lo que se denomina una fuente de corriente controlada por corriente. Estas
propiedades hacen que el BJT sea capaz de producir la amplificacin de seales.
En la figura F.4 se ve la forma de representar los BJT en los esquemas electrnicos. Dos transistores
con las mismas caractersticas elctricas, uno PNP y otro NPN, se dice que son complementarios.
C
B
E
B
(a)
(b)
Fig. F. 4. Representacin del BJT en los esquemas electrnicos.

(a) PNP; (b) NPN.
11
La difusin es un fenmeno de propagacin espontnea como el que ocurre cuando el humo de un cigarrillo
se extiende a toda la habitacin en que se encuentra el fumador.
Pg. 71

F.3 ANLISIS BSICO DE UN CIRCUITO CON BJT

En la figura F.5 se muestra un circuito con BJT.
-10V
+10V
8k2
IE
IC
4k7
VC
Fig. F. 5. Anlisis de un circuito con transistor bipolar (BJT).

Para calcular la tensin de colector (respecto a la base, que es el origen de potenciales), hay que calcular primero la corriente de colector. Como el diodo emisor-base est polarizado directamente el clculo
se hace en la forma ya explicada para los diodos. (Transistor de silicio: VBE=0,7V). (Ver tambin las
frmulas F.1). Suponiendo =1 e ICO=0, se obtiene:
IC IE =
10V 0,7 V
= 113
, mA
8k 2
La tensin de colector es:
VC = 10V 4 k 7 113
, mA = 4,69 V
Se ha utilizado la notacin, bastante habitual en electrnica, que consiste en sustituir la coma decimal
por la k de kilo. As 4k7 para una resistencia quiere decir 4,7k=4700=4700 Ohmios. Por otra
parte obsrvese que 1k.1mA=1V, lo cual facilita los clculos.
F.4 EL BJT EN ZONA ACTIVA Y EN SATURACIN

En el ejemplo anterior se ha utilizado la expresin siguiente para el clculo de la tensin de colector:
VCB = VCC R L I C
(F.3)
Para que el BJT funcione correctamente VCB debe ser positivo. Se dice en este caso que el transistor
funciona en la zona activa. La tensin de colector depende de la corriente de colector que es prcticamente igual a la de emisor. Pero a la corriente de emisor se le puede dar el valor que se desee (siempre
que no sea tan grande que el transistor se queme) por lo que la tensin de colector puede tener diferentes valores dependiendo de la corriente de emisor. El valor mximo de la tensin de colector es VCC,
correspondiendo a una IC=0, y un valor mnimo igual a cero si IC=VCC/RL. Esta corriente es la mxima
permitida para un funcionamiento en la zona activa y se denomina corriente de saturacin del BJT. Si
VCB=VCC/2, se dice que el BJT trabaja en clase A.
Como a la corriente de emisor se le puede dar el valor que se quiera, dentro de los lmites marcados
por la disipacin de potencia en el BJT, puede ocurrir (para corrientes mayores que la de saturacin)
que la tensin VCB en la expresin F.3 se haga negativa. Esto es posible desde un punto de vista matemtico, pero es imposible fsicamente. Se dice en este caso que el BJT se ha salido de la zona activa y
ha entrado en la zona de saturacin. Cuando ocurre esto el diodo colector-base se polariza directamente y la tensin colector-base permanece constante y aproximadamente igual a 0,7V (para el silicio). Al
Pg. 72

mismo tiempo la ecuacin F.2 deja de ser vlida y se produce una gran acumulacin de cargas en la
base que origina retrasos en la respuesta del transistor. Un transistor en rgimen de saturacin no es
til para amplificar seales, por lo que se evita este estado salvo en aplicaciones no lineales. (Conmutacin).
F.5 ANLISIS DE UN CIRCUITO CON BJT SATURADO

En la figura F.6 se muestra un circuito similar al de la figura F.5, pero con otros valores de los componentes.
-5V
+10V
1k2
IE
IC
4k7
VC
Fig. F. 6. Anlisis de un circuito con un transistor saturado.
Para analizarlo se calcula primero la corriente de emisor:
IE =
10 0,7
= 7,75mA
1,2
Suponiendo IE=IC e ICO=0, la tensin de colector es:
VCB = 5 4,7 7,75 = 31,42

Como este valor es negativo el transistor est saturado y el clculo de la corriente debe replantearse sin
suponer que las corrientes de emisor y colector son iguales. Como el diodo colector est polarizado
directamente la VCB=0,7V, aproximadamente. Adems el signo de dicha tensin es el correspondiente
a un diodo polarizado directamente, es decir: el + en el colector y el - en la base. (Transistor PNP).
De acuerdo con esto, la corriente de colector es:
IC =
5 + 0,7
= 1,21mA
4,7
Obsrvese que el grupo de frmulas F.1 siempre es cierto porque se deduce directamente de la teora
de redes elctricas, en cambio la frmula F.2 falla si el transistor est saturado porque depende del
modo de funcionamiento interno del transistor.
La corriente de base se puede calcular usando las frmulas generales F.1. As se obtiene la IB como la
diferencia entre IE e IC. Es decir: IB=6,54mA.
Pg. 73

F.6 POTENCIA DISIPADA POR UN TRANSISTOR

Es la suma de potencias disipadas en los dos diodos, es decir:
P = PC + PE = VCBI C + VBE I E
(F.4)
Esta potencia nunca debe exceder el valor estipulado por el fabricante del transistor. Tambin es importante tener en cuenta si el transistor est protegido por un radiador o no. Los mismos razonamientos
expuestos para las resistencias es aplicable aqu, debindose considerar la resistencia trmica del transistor con o sin radiador. En el BJT saturado de la figura F.6 la potencia disipada (consumida) es
6,27mW. En el no saturado de la figura F.5 es 6,09mW.
F.7 COFIGURACIN DE UN TRANSISTOR

Cuando el transistor tiene como origen de potenciales la tensin de base (como hasta ahora) se dice
que est en configuracin de base comn. La entrada se considera por el emisor y la salida por el colector.
Si se toma el emisor como origen de potenciales, se dice que el transistor est en configuracin de
emisor comn. La entrada est en la base y la salida en el colector.
Cuando se toma el colector como origen de potenciales, el transistor est en configuracin de colector
comn. La entrada est en la base y la salida en el emisor.
En las figuras F.7 a F.10 se muestra grficamente la configuracin general y las tres posibles configuraciones definidas anteriormente.
Salida.
Entrada.
Terminal
comn.
Fig. F. 7. El BJT es un componente de tres terminales.
Fig. F. 8. BJT en configuracin de base comn.
Pg. 74

Fig. F. 9. BJT en configuracin de emisor comn.
Fig. F. 10. BJT en configuracin de colector comn.
F.8 RECTA DE CARGA ESTTICA DEL BJT EN CONFIGURACIN DE BASE COMN

La ecuacin F.3 define la recta de carga esttica para el BJT en base comn. Dicha ecuacin es:
VCC=VCB+RLIC y representa una recta en el plano VCB-IC. (Fig. F.11).
IC
VCC/RL
VCB
VCC
Fig. F. 11. Recta de carga esttica para un BJT en base comn.

El punto de operacin del BJT debe estar necesariamente sobre dicha recta. Si se encuentra en el centro del segmento interceptado por los ejes el BJT est polarizado en clase A. Si el punto de operacin
est sobre el eje IC el BJT est saturado. Si est sobre el eje VCB se dice que est en corte (IC=0).
F.9 EL TRANSISTOR EN CONFIGURACIN DE EMISOR COMN

La corriente de salida es IC y la de entrada es IB. Recordemos que en base comn se defina el factor
a travs de la frmula IC=IE+ICO, en emisor comn se utiliza el factor definido por:
I C = I B + I CEO
(F.5)
donde ICEO es la corriente de saturacin en emisor comn. Tanto ICO como ICEO son las corrientes de
colector cuando el terminal de emisor o base, respectivamente, estn en circuito abierto. (Figs. F.12 y
F.13).
Pg. 75

ICO
Fig. F. 12. Corriente de saturacin en base comn, ICO.
ICEO
Fig. F. 13. Corriente de saturacin de un BJT en emisor comn, ICEO.

Vamos a calcular e ICEO en funcin de y de ICO. Como IE=IC+IB, se puede escribir, a partir de F.2:
I C = (I C + I B ) + I CO
Despejando IC, se obtiene:
IC =
I
I B + CO
1
1
Y al comparar con F.5, se obtiene:
1
I
I CEO = CO
1
(F.6)
De la primera se puede despejar , obtenindose:
+1
(F.7)
Introduciendo en la segunda esta ltima expresin, se obtiene:
I CEO = ( + 1)I CO
Pg. 76
(F.8)

F.10 ANLISIS DE UN BJT EN EMISOR COMN POLARIZADO EN LA ZONA ACTIVA

En la figura F.14 se ve un BJT de tipo PNP polarizado correctamente en configuracin de emisor comn.
IC
470k
RB
VBB
IB
RL
2k2
VCC
10V
10V
Fig. F. 14. Anlisis de un BJT en emisor comn.

Supondremos que =100 y que ICO es despreciable. Para analizar el circuito se calcula primero la corriente de base:
IB =
10 0,7
= 19,78A
470
A continuacin se supone que el BJT funciona en la zona activa y, en esta hiptesis, se calcula la corriente de colector:
I C = 100 19,78A = 1978A = 1,97 mA

La tensin de colector-emisor es:
VCE = 10 2,2 1,97 = 5,66V

F.11 ANLISIS DE UN BJT EN EMISOR COMN SATURADO
En la figura F.15 se ve un circuito con un BJT tipo PNP de silicio.
47k
RB
VBB
+
IB
IC
RL
2k2
VCC
10V
10V
Fig. F. 15. Anlisis de un BJT saturado.

Suponemos que =100 e ICEO=0. En principio no se sabe si el transistor est saturado o no. El anlisis
se hace suponiendo que no hay saturacin. As IC=IB.
La corriente de base es:
Pg. 77

IB =
10 0,7
= 0,19 mA
47
La corriente de colector es (siempre suponiendo que no hay saturacin):
I C = 100 0,19 = 19 mA
La tensin colector-emisor es:
VCE = 10 2,2 19 = 31,8V

Al resultar esta cantidad negativa deducimos que el transistor est saturado. Esto significa que el diodo
colector-base est polarizado directamente, por lo cual la tensin colector-emisor es (frmulas F.1)
VCE=VBE+VCB=0,7-0,7=0.12 Con este dato, la corriente de colector se calcula fcilmente:
IC =
10
= 4,54 mA
2,2
F.12 RECTA DE CARGA ESTTICA DEL BJT EN CONFIGURACIN DE EMISOR COMN

Para un BJT se cumple, como hemos visto:
VCC = R L I C + VCE
(F.9)
Esta ecuacin es una recta en el plano VCE-IC que recibe el nombre de recta de carga esttica del BJT
en emisor comn. (Fig. F.16).
IC
VCC/RL
VCE
VCC
Fig. F. 16. Recta de carga del BJT en emisor comn.
El punto de operacin del BJT est siempre forzosamente sobre la recta de carga. Si IC=0 el transistor
est en corte y la tensin VCE=VCC (la mxima posible), mientras que si VCE=0 el transistor est en la
zona de saturacin y la corriente es mxima e igual a VCC/RL.
12
La tensin colector-emisor en un BJT saturado no es exactamente cero, pero s muy pequea, del orden de
0,1V
Pg. 78

F.13 CARACTERSTICAS ESTTICAS DE UN BJT EN EMISOR COMN

Ya vimos en el diodo lo que era la caracterstica esttica. En el diodo slo hay dos magnitudes: la corriente y la tensin. Esto es as por tratarse de un componente con dos terminales. En el caso del transistor, por tratarse de un componente con tres terminales, se puede hablar de tres magnitudes que, en el
caso del BJT en emisor comn, son: la corriente de colector, la corriente de base y la tensin colectoremisor.
Al representar en el plano VCE-IC el comportamiento del BJT resulta una caracterstica para cada valor
de la corriente de base. (Fig. F.17).
IC
Zona de saturacin.
IB
creciente
Zona de corte.
IB=0
VCE
Fig. F. 17. Caractersticas estticas del BJT en emisor comn.
Es lo que se llama en Matemticas una familia de curvas dependientes de un parmetro, IC=f(VCE,IB).
Dicho parmetro es IB. En las caractersticas del BJT hay que distinguir varios detalles.
a) La zona comprendida entre la caracterstica correspondiente a IB=0 y el eje de abscisas se llama
zona de corte.
b) La zona comprendida entre el eje de ordenadas y la lnea de puntos forma una cua llamada zona de
saturacin.13
c) El resto de superficie del plano VCE-IC, comprendido entre las dos zonas anteriores es la zona activa
del transistor.
d) El punto de operacin del BJT no puede estar en la zona de saturacin, puesto que en ella no hay
curvas caractersticas.
e) La pendiente de las caractersticas, en su zona rectilnea, es tanto mayor cuanto mayor es la corriente de base.
f) La pendiente de todas las caractersticas en puntos muy prximos al origen de coordenadas es cero.
g) Las distancias entre caractersticas en sus tramos rectos, para incrementos iguales de la corriente de
base, son tanto mayores cuanto mayor es la corriente de base.
13
Esta zona, al igual que la de corte, es muy estrecha. Se ha dibujado exageradamente grande para que se pueda
ver con facilidad.
Pg. 79

F.14 PUNTO DE OPERACIN DE UN BJT

Una vez fijada la corriente de base14, la caracterstica tambin queda fijada. El punto de corte entre
dicha curva y la recta de carga esttica del BJT determina el punto de operacin del transistor. (Fig.
F.18).
IC
IB
VCE
Fig. F. 18. Punto de operacin de un BJT.
Este procedimiento grfico permite calcular las corrientes y las tensiones en el BJT; sin embargo un
clculo aritmtico como el que hemos utilizado en apartados anteriores suele ser ms prctico. Primero
por la exactitud. Segundo porque en muchas ocasiones no se conoce la familia de caractersticas del
transistor. A pesar de ello usaremos las grficas en muchas ocasiones por su inters pedaggico.
F.15 HIPRBOLA DE MXIMA DISIPACIN

La potencia disipada por un BJT es, como ya hemos visto:
P = PC + PE = VCBI C + VBE I E
Sustituyendo en esta expresin:
I E = IC + I B
VCB = VCE VBE
se obtiene:
P = VCE I C + VBE I B
Si el BJT no est saturado, IB<<IC, y se puede escribir, con buena aproximacin:
P VCE I C
(F.10)
Esta potencia debe ser menor que la mxima permitida por el fabricante. De lo contrario el transistor
se quemar.
La frmula F.10, representada en el plano VCE-IC, es una hiprbola equiltera y el punto de operacin
debe estar siempre por debajo de ella para evitar que el transistor se queme. (Fig. F.19).
14
sta viene determinada por VBB y RB, como hemos visto.
Pg. 80

IC
IC=PMAX/VCE
VCE
Fig. F. 19. La recta de carga debe estar siempre por debajo de la hiprbola de mxima disipacin para
asegurar que la potencia consumida por el BJT sea menor que la mxima permitida por el fabricante,
PMAX.
Para asegurar esta condicin debe procurarse que la recta de carga no corte nunca a la hiprbola de
mxima disipacin.
F.16 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN (JFET)

Un JFET puede imaginarse formado por un bloque de silicio de tipo N con un anillo incrustado de tipo
P. (Fig. F.20).
+VDS
D
IG0
ID
-VGS
N
S
Fig. F. 20. Transistor de efecto de campo de unin (JFET).

El bloque forma el cuerpo del JFET, mientras que el anillo constituye un sistema cuya misin es controlar la corriente que pasa a travs de transistor. Para que el JFET funcione normalmente se debe establecer una diferencia de potencial entre sus extremos. Esta tensin produce una corriente a travs del
cuerpo del JFET, exactamente como si se tratara de una resistencia. Sin embargo la presencia del anillo de tipo P hace que el JFET adquiera sus propiedades caractersticas. Para ello se polariza negativamente el anillo P, llamado graduador (o puerta; gate en ingls), respecto a uno de los terminales del
bloque principal del JFET. Este terminal recibe el nombre de surtidor (source, en ingls). El otro terminal del bloque principal del JFET se llama drenador (drain, en ingls).
Con este tipo de polarizacin se consigue que la unin formada por el graduador y el cuerpo del JFET
quede polarizada inversamente. Se origina, as, una zona de agotamiento cuya anchura aumenta a medida que aumenta la tensin de polarizacin inversa.
Pg. 81

Las cargas se ven forzadas a pasar por el estrechamiento formado por la zona de agotamiento y, como
sta depende de la tensin del graduador y del drenador, la corriente a travs del JFET (corriente de
drenador) puede controlarse mediante la tensin de graduador. (Fig. F.21).
+VDS
ID
-VGS
P
Fig. F. 21. Vista interior del JFET.

Estamos en presencia, pues, de un dispositivo semejante al BJT en el que la corriente se controlaba a
travs de la corriente de base. La impedancia del JFET vista desde el graduador es muy alta porque la
unin est polarizada inversamente. En un BJT se tiene precisamente la condicin contraria: la unin
base-emisor est polarizada de forma directa. El JFET descrito se denomina de canal N porque, en
efecto, el canal est formado por material de tipo N. Tambin se fabrican JFET de canal P. En este
caso las tensiones tienen signo contrario. En la figura F.22 se ve la forma de representar los JFET en
los circuitos.
+VDS
-VGS
-VDS
+VGS
(a)
(b)
Fig. F. 22. Representacin de los JFET. (a) canal N. (b) canal P.

Los JFET se pueden considerar homlogos a los BJT: el drenador corresponde al colector, el surtidor
al emisor y el graduador a la base.
F. 17 CARACTERSTICA DE DRENADOR DE UN JFET

Es una familia de grficas en la que se representa la corriente de drenador, ID, en funcin de la tensin
drenador-surtidor, VDS, tomando la tensin de graduador, VGS, como parmetro. (Fig. F.23).
Para comprender estas caractersticas, supongamos que la VGS=0. Es evidente que para valores pequeos de VDS la ID es tambin pequea. Cuando aumenta VDS aumenta la corriente, como establece la ley
Pg. 82

de Ohm. Sin embargo, a medida que aumenta VDS aumenta la tensin de polarizacin inversa de la
unin de graduador y, por consiguiente, aumenta la anchura de la zona de agotamiento. Esto hace que
el canal sea cada vez ms estrecho, lo que frena la corriente de drenador y hace que la curva correspondiente vaya disminuyendo su pendiente.
ID
VGS=0
IDSS
VGS<0
VDS
VGS(off)
Fig. F. 23. Caractersticas de drenador de un JFET.
Cuando la tensin VDS alcanza un cierto valor, VDS(off), las zonas de agotamiento han crecido tanto que
el canal se cierra. En este momento la grfica alcanza un valor denominado IDSS y la pendiente se hace
casi cero. Como VGS=0 es la tensin de graduador ms alta posible, IDSS es tambin la corriente ms
alta posible que puede dar el JFET. Si se aumenta ms an la tensin VDS la ID no aumenta a penas,
dada la pendiente casi nula de la grfica. En estas condiciones el JFET se comporta como una fuente
de corriente constante con alta impedancia de salida, ya que el terminal de drenador est conectado a
una unin polarizada inversamente y lo que se ve desde dicho terminal es una zona de agotamiento.
(Como el terminal de colector de un BJT). Para valores de VDS<VDS(off) el JFET se comporta aproximadamente como una resistencia. Para VDS>VDS(off) se tiene la saturacin de la ID, y el comportamiento
es de fuente de corriente.
Si la polarizacin de graduador es diferente de cero (negativa), la corriente ID proporciona una grfica
semejante a la anteriormente descrita, pero la corriente de saturacin alcanzada, IDS, es menor. Si se va
aumentando (en valor absoluto) la tensin VGS, llega un momento en que la corriente ID es prcticamente cero aunque VDS aumente. Esto ocurre porque el canal se llega a cerrar al aumentar VGS a pesar
de tener VDS muy pequeo. La tensin a la que el canal se cierra con VDS0 se llama tensin de pinzamiento (pinch-off, en ingls), VGS(off).
Es evidente que VDS(off)=|VGS(off) |Voff 15puesto que la anulacin del canal slo depende de la diferencia de potencial entre el graduador y el cuerpo del JFET.
Las caractersticas saturadas (lneas casi horizontales), IDS, se producen para valores de VDS mayores
que Voff. Es en esta zona donde debe situarse el punto de operacin del JFET como amplificador. Si la
tensin VDS aumenta mucho se produce una conduccin por avalancha, como ocurre con los BJT.
Puede demostrarse que las corrientes IDS dependen de VGS a travs de la siguiente frmula aproximada:
15
Llamaremos Voff al valor absoluto de la tensin de pinzamiento, por comodidad.
Pg. 83

I DS
V
= I DSS 1 + GS
Voff
(F.11)
Para VGS=0, IDS=IDSS. Para VGS=-Voff, IDS=0. Se trata de una curva parablica, lo que confiere al JFET
un grado considerable de no linealidad.
F.18 CARACTERSTICA DE TRANSCONDUCTANCIA DE UN JFET

La representacin grfica de la ecuacin F.11 da lugar a una curva llamada caracterstica de transconductancia. Dicha grfica est definida por los parmetros IDSS y Voff, propios de cada JFET. En la figura F.24 se ve la caracterstica. Se trata de un trozo de parbola que tiene su mnimo sobre el eje de
abscisas en VGS=-Voff y corta al eje de ordenadas en IDS=IDSS.
IDS
IDSS
-Voff
VGS
VGS(off)
Fig. F. 24. Caracterstica de transconductancia de un JFET.
F.19 TRANSCONDUCTANCIA DE UN JFET

Suponiendo polarizado el JFET en la zona activa de las caractersticas de drenador, es decir: en la zona
en que las caractersticas son prcticamente horizontales, y suponiendo seales aplicadas de pequea
amplitud, puede calcularse la transconductancia del JFET en el punto de polarizacin elegido como
cociente entre la corriente alterna de drenador y la tensin alterna de graduador-surtidor. El clculo se
realiza como en el caso de la resistencia dinmica de un BJT, es decir: derivando en F.11. As se obtiene:
gm
2 I DSS
i DS
dI
DS =
I DS
v GS dVGS
Voff
(F.12)
La transconductancia aumenta al aumentar la corriente IDS, pero no lo hace de forma lineal. (Fig.
F.25). El valor mximo de gm se produce cuando IDS=IDSS, y viene dado por:
(g m ) max. =
2 I DSS
Voff
Pg. 84
(F.13)

gm
(gm)mx.
IDS
IDSS
Fig. F. 25. Transconductancia de un JFET en funcin de IDS.
F.20 POLARIZACIN DE UN JFET POR RESISTENCIA DE SURTIDOR (AUTOPOLARIZACIN)

Para conseguir una tensin negativa en el terminal de graduador respecto al terminal de surtidor sin
utilizar dos fuentes de alimentacin, basta con proporcionar una tensin positiva al surtidor y una tensin nula al graduador.
Ello se consigue fcilmente conectando una resistencia, RS, entre el surtidor y tierra. (Fig. F.26).
VG=0
ID
RL
+VS
VDD
RS
RG
Fig. F. 26. Autopolarizacin de un JFET.

La tensin en el surtidor, VS, es simplemente:
VS = R S I D
(F.14)
Si ahora conectamos el graduador a tierra a travs de una resistencia, RG, mucho menor que la resistencia dinmica de la unin del graduador, conseguimos que la tensin de este terminal, VG, sea cero.
No es preciso conectar una RG pequea ya que la corriente de graduador es del orden de pico amperios
(pA). Un valor tpico es RG=1M. La diferencia de potencial entre el graduador y el surtidor es:
VGS = 0 R S I D = R S I D
Pg. 85
(F.15)

F.21 TRANSISTORES MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

Los transistores MOSFET son transistores de puerta aislada (IGFET, del ingls: Insulated Gate FET) y
pueden ser de dos tipos: de empobrecimiento y de enriquecimiento. Los MOSFET de tipo empobrecimiento tienen la estructura que se muestra en la figura F.27.
N
G
Sustrato
Metal.
Oxido de silicio, SiO2.

Semiconductor.
Fig. F. 27. Estructura del MOSFET.

Esencialmente es la misma que la del JFET excepto que el graduador est aislado del cuerpo del transistor por una finsima capa de xido de silicio (cuarzo). Esta sustancia es altamente aislante y dota al
MOSFET de una impedancia de entrada elevadsima. Los MOSFET se fabrican siempre mediante
tcnicas de integracin y, por consiguiente, forman parte de un circuito integrado. El sustrato es el
cuerpo del circuito integrado del que el MOSFET forma parte. La polarizacin del MOSFET es parecida a la del JFET, pero no es necesario que la tensin del graduador sea negativa (para canal N) ya
que en la entrada no hay una unin PN sino un condensador formado por el contacto metlico de entrada (aluminio, por ejemplo), el dielctrico de cuarzo y el cuerpo del transistor. Precisamente las cargas inducidas en el interior del MOSFET por dicho condensador de entrada son las que controlan la
corriente de drenador, actuando sobre la anchura del canal existente entre el sustrato y el graduador.
F.22 CARACTERSTICA DE TRANSCONDUCTANCIA DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

Es similar a la del JFET pero la tensin de graduador puede ser positiva. En la figura F.28 se ve dicha
caracterstica. La relacin matemtica correspondiente es la misma que la del JFET (frmula F.11). La
gm de un MOSFET se calcula como en el caso de los JFET.
Pg. 86

IDS
IDSS
-Voff
VGS
VGS(off)
Fig. F. 28. Caracterstica de transconductancia de un MOSFET.
F.23 CARACTERSTICA DE DRENADOR DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

Es parecida a la del JFET excepto para pequeas tensiones de drenador-surtidor. En el JFET las curvas
slo se cortan en el origen de coordenadas y el comportamiento para bajos valores de VDS es el de una
resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Para el MOSFET las caractersticas no permiten
deducir su aplicabilidad como resistencia variable. En la figura F.29 se pueden ver las caractersticas
de drenador de un MOSFET.
Puede verse claramente que la tensin VGS puede tomar valores positivos o negativos.
ID
VGS
+3V
+2V
+1V
0V
-1V
-2V
VDS
Fig. F. 29. Caracterstica de drenador de un MOSFET.
F.24 REPRESENTACIN DE LOS MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO EN LOS ESQUEMAS

Hay MOSFET de empobrecimiento de canal N y de canal P, como en los JFET. La representacin en
los circuitos es la indicada en la figura F.30.
Pg. 87

D
sustrato
sustrato
(b)
(a)
Fig. F. 30. Representacin de MOSFET de empobrecimiento. (a) canal N. (b) canal P.

D
sustrato
sustrato
(b)
(a)
Fig. F. 31. Representacin de MOSFET de empobrecimiento. (a) canal N. (b) canal P. (Conexin correcta del sustrato).
El diodo formado por el sustrato y el cuerpo del transistor siempre debe estar polarizado inversamente,
de modo que siempre se dibuja el sustrato unido al surtidor. (Fig. F.31).
F.25 POLARIZACIN DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

La mejor forma de polarizarlo es conectar a cero voltios el graduador puesto que se permiten tensiones
positivas y negativas en dicho terminal. Para un MOSFET de canal N se polariza el drenador positivamente y para MOSFET de canal P se polariza el drenador negativamente, como en el caso de los
JFET. (Fig. F.32).
+VDD
RD
C1
RG
Fig. F. 32. Amplificador con MOSFET de tipo empobrecimiento de canal N.
F.26 TRANSISTORES MOSFET DE TIPO ENRIQUECIMIENTO

Son similares a los de tipo empobrecimiento. La diferencia fundamental estriba en que en los MOSFET de enriquecimiento no existe canal de conduccin. ste se crea cuando se polariza positivamente
el graduador (canal N). Para dar idea de la inexistencia del canal se representa en los circuitos con una
lnea rota, tal como puede verse en la figura F.33.
Pg. 88

S
(a)
(b)
Fig. F. 33. Representacin del MOSFET de enriquecimiento.

(a) canal N. (b) canal P.
F.27 CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Es tambin de tipo parablico como en los casos anteriores. Cada MOSFET de enriquecimiento necesita una tensin mnima (umbral, threshold en ingls) para que comience a conducir. Si llamamos a
dicha tensin VU, la curva de transconductancia responde a la funcin:
I D = K( VGS VU )
(F.16)
La constante K depende de cada transistor y tiene dimensiones de miliamperio dividido por voltio al
cuadrado. (mA/V2). La grfica correspondiente a F.16 es la que se ve en la figura F.34.
ID
ID(ON)
VGS
VGS(ON)
VU
Fig. F. 34. Caracterstica de transconductancia de un MOSFET de enriquecimiento.

El fabricante del dispositivo suele dar en las hojas tcnicas un punto de la caracterstica de transconductancia, lo cual permite calcular la constante K de transistor. Llamando (VGS(ON) , ID(ON)) a las coordenadas de dicho punto, resulta:
K=
I D ( ON )
VGS ( ON ) VU
(F.17)
F.28 POLARIZACIN DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Cualquier mtodo que polarice el graduador por encima de VU es correcto. Un divisor de tensin es
aceptable. Tambin suele usarse una polarizacin por realimentacin, tomando la tensin del drenador
como se muestra en la figura F.35.
Pg. 89

+VDD
RG
RD
Fig. F. 35. Polarizacin de un MOSFET de enriquecimiento por realimentacin negativa.
Pg. 90

APARTADO G: DISPOSITIVOS DE RESISTENCIA NEGATIVA.
G.1 INTRODUCCIN
El tiristor y el triac son dispositivos electrnicos de estado slido que funcionan en rgimen de conmutacin. Son, por consiguiente, dispositivos no lineales que no se utilizan para amplificar seales de
audio sino, principalmente, para el control de potencia en fuentes de alimentacin y otros sistemas
electrnicos. Ambos dispositivos se caracterizan por tener una caracterstica con zona de resistencia
negativa. Es decir: cuando aumenta la corriente disminuye la tensin en lugar de aumentar, como ocurrira en el caso de una resistencia ordinaria (positiva).
La presencia de una zona de resistencia negativa hace que el dispositivo funcione en rgimen de conmutacin de forma espontnea, es decir: pasando rpidamente del corte a la conduccin.
Hemos agrupado en este apartado los diferentes dispositivos de resistencia negativa.
G.2 EL TIRISTOR Y EL DIODO DE CUATRO CAPAS

Un tiristor es un dispositivo de tres terminales formado por cuatro capas de semiconductor en la secuencia PNPN. (Fig. G.1)
J1
nodo
a
J2
N
J3
P
ctodo
k
g
puerta
Fig. G. 1. Estructura de un tiristor.

La representacin de los tiristores en los circuitos es la indicada en la figura G.216
+Vo
+V
a
g
k
Ig
Fig. G. 2. Circuito con una resistencia, alimentacin y tiristor con puerta abierta.
Para entender el funcionamiento de un tiristor, supongamos que el terminal de puerta est en circuito
abierto y que la polarizacin es directa (Fig. G.2). Las uniones J1 y J3 (Fig. G.1) quedan polarizadas
directamente mientras que la J2 resulta polarizada inversamente.
16
Puede cambiar algo, dependiendo del tipo de tiristor.
Pg. 91

La consecuencia es que la corriente a travs del tiristor es muy pequea.17 Un tiristor puede verse como tres diodos, correspondientes a las tres uniones PN. Los potenciales en las uniones son los que se
ven en la figura G.3.
Si aumenta la tensin de polarizacin directa llega un momento en que el diodo central comienza a
conducir por avalancha. Esto produce un aumento importante de las concentraciones de portadores y
el diodo central (unin J2) queda polarizado directamente, con lo cual la tensin de barrera disminuye
drsticamente. (Fig. G.4) Esta disminucin obliga a que la tensin en bornes del tiristor disminuya
tambin a un valor pequeo.
I0
P
Fig. G. 3. Niveles de potencial en un tiristor en corte, polarizado directamente.

I grande
P
a
g
Fig. G. 4. Potencial en un tiristor en conduccin, polarizado directamente.

Una vez en estado de conduccin, el tiristor slo puede cortarse (I=0) eliminando la alimentacin o
invirtiendo su polaridad.
La caracterstica de un tiristor es del tipo que se muestra en la figura G.5.
La tensin de disparo puede disminuirse inyectando una corriente hacia el interior del tiristor a travs
de la puerta. Dicho en otras palabras: puede ponerse el tiristor en estado de conduccin introduciendo
un pulso de tensin positiva en la puerta. Las caractersticas dependen, pues, de la corriente de puerta;
cuanto mayor sea dicha corriente, menor es la tensin de disparo del tiristor.
17
Si se polariza el tiristor inversamente, la unin central queda polarizada directamente pero las dos uniones de
los extremos resultan polarizadas de forma inversa, con lo que el tiristor tampoco conduce en este caso.
Pg. 92

Las caractersticas completas se ven en la figura G.6. Puede apreciarse que hay una zona (lnea de
puntos) de resistencia negativa, puesto que aumenta la corriente y, simultneamente, disminuye la
tensin.
I
Fig. G. 5. Caracterstica de un tiristor con la puerta abierta. (diodo Shockley)

I
Ig1<Ig2<Ig3
Ig1=0
Ig2
Ig3
Fig. G. 6. Caractersticas de un tiristor en funcin de la corriente de puerta.

Como hemos dicho, una vez est el tiristor en conduccin slo puede llevarse a corte invirtiendo o
anulando la tensin de alimentacin de nodo. Existen, no obstante, tiristores especiales llamados
GTO (gate turn off) que pueden llevarse a corte introduciendo una corriente negativa en la puerta.
Si la alimentacin del tiristor es inversa y se aumenta progresivamente llega un momento en que se
produce conduccin inversa debido a la descarga en avalancha de las uniones J1 y J2. Esto debe evitarse en la utilizacin normal del dispositivo.
Un tiristor sin el terminal de puerta se denomina diodo de cuatro capas o diodo Shockley. Su caracterstica es como la indicada en la figura G.5.
G.3 EL TRIAC Y EL DIAC

Se puede considerar un triac como un dispositivo de tres terminales formado por dos tiristores en antiparalelo. Su representacin en los circuitos es la indicada en la figura G.7.
Fig. G. 7. Representacin de un triac (A) y un diac (B).
Pg. 93

La caracterstica es, por lo tanto, la de un tiristor; pero la forma de las curvas es simtrica, ya que el
dispositivo conduce en los dos sentidos. (Fig. G.8).Un triac sin terminal de puerta se denomina diac.
Su caracterstica es la de la figura G.9.
G.4 EL TRANSISTOR MONOUNIN (UJT)

Es un dispositivo de tres terminales formado por un bloque N con una incrustacin de tipo P. (Fig.
G.10). Recibe tambin el nombre de UJT (Unijunction transistor). La incrustacin de tipo P forma un
diodo PN con el cuerpo del transistor. Por otra parte, dicho cuerpo acta como una resistencia dividida
en dos partes: la parte que queda por encima del diodo y la que queda por debajo. Los dos terminales
B1 y B2 del cuerpo del dispositivo se denominan base 1 y base 2. El terminal correspondiente a la
zona P (nodo del diodo) se denomina emisor.
Cuando el emisor est en circuito abierto la tensin, Vo, en el ctodo del diodo viene determinada por
el divisor de tensin formado por las dos resistencias R1 y R2. Si se aplica al emisor una tensin menor
que Vo el diodo no conduce y, por tanto, la corriente de emisor es muy pequea.
Si se va aumentando la tensin de emisor, llega un momento en que dicha tensin supera a Vo con lo
que el diodo de emisor comienza a conducir y aumenta la corriente rpidamente; al mismo tiempo las
cargas inyectadas en el cuerpo del transistor (que se dirigen hacia B1) hacen que la zona comprendida
entre el emisor y B1 disminuya su resistencia18 con lo cual disminuye igualmente la tensin en el emisor. Estamos, de nuevo, ante una zona de resistencia negativa, en este caso en la caracterstica de puerta. La forma de esta caracterstica puede verse en la figura G.11.
I
Ig1<Ig2<Ig3
Ig1=0
Ig2
Ig3
Fig. G. 8. Caracterstica de un triac.
18
Es decir: disminuye el valor de R1 mientras que el de R2 queda prcticamente inalterado.
Pg. 94

Fig. G. 9. Caracterstica de un diac.
B2
B2
N
B2
R2
E
R1
B1
B1
B1
Fig. G. 10. Estructura de un transistor monounin (UJT), su circuito equivalente y su representacin

en los circuitos electrnicos. Este UJT es de base N. Tambin los hay de base P.
VE
VE
Resistencia negativa
IE
IE
Fig. G. 11. Caracterstica de puerta de un UJT.
Pg. 95

APARTADO H: MICRFONOS.
H.1 INTRODUCCIN
Todo dispositivo capaz de transformar una magnitud fsica en otra con distintas dimensiones recibe el
nombre de transductor. Por ejemplo, una bscula de bao que transforma una fuerza (peso) en un ngulo (desviacin de la aguja indicadora) es un transductor. Si ambas magnitudes son totalmente proporcionales el transductor es lineal y funciona a plena satisfaccin.
En audio la fuente sonora suele ser la entrada del sistema, mientras que los dispositivos electrnicos
asociados (un amplificador, por ejemplo) slo son capaces de manejar tensiones elctricas. Esto significa que es preciso transformar el sonido en tensin elctrica, para lo cual se necesita un transductor.
Los micrfonos, las cpsulas fonocaptoras y los altavoces son otros ejemplos de transductor.
Los micrfonos tienen como misin transformar la energa acstica originada por un sonido en energa
elctrica susceptible de ser tratada por un sistema electrnico. Constituyen, lgicamente, los dispositivos iniciales de un sistema de audio. Esta circunstancia obliga a que los micrfonos sean especialmente correctos en su funcionamiento, ya que cualquier defecto introducido en el sistema podr aparecer a
la salida como parte de la seal til.
En este apartado se va a dar una explicacin sucinta de los principios bsicos del funcionamiento de
los micrfonos, reservando una explicacin ms detallada y tcnica para volmenes posteriores.
H.2 TIPOS DE MICRFONOS

Todos los micrfonos responden a una estructura similar. Una membrana ligera y mvil vibra de
acuerdo con las ondas de presin que le llegan provenientes de un sonido (msica, voz, etc.). La membrana est conectada a un sistema sensor que traduce (transductor) las variaciones mecnicas de posicin de la membrana en variaciones elctricas. Para que la calidad del sonido no se vea distorsionada
es preciso que exista proporcionalidad entre el desplazamiento de la membrana y la tensin generada a
la salida del micrfono. Esta condicin no es fcilmente alcanzable, por lo que todos los micrfonos
producen distorsin en mayor o menor medida. Un buen micrfono es un dispositivo delicado de precisin.
Otra caracterstica importante de los micrfonos es su respuesta en frecuencia. El espectro de audio se
extiende desde 20Hz a 20kHz, por lo tanto un buen micrfono debe ser capaz de funcionar correctamente entre estas frecuencias extremas. Adems la respuesta en frecuencia del micrfono debe ser lo
ms plana posible, para que no se acenten frecuencias de forma artificial.
Los tipos ms importantes de micrfonos son: de carbn, dinmicos, piezoelctricos, de condensador y
de electret. Veamos, a continuacin, cada uno de ellos.
Pg. 97

H.3 MICRFONOS DE CARBN

Son los ms antiguos, los ms baratos y, tambin, los de peor calidad. Por esta razn no se utilizan en
audio de alta fidelidad. Estn formados por un pequeo recipiente que contiene carbn pulverizado.
(Fig. H.1) Una de las paredes de dicho receptculo es la membrana mvil sensible a las vibraciones
acsticas. Dos cables hacen pasar una corriente elctrica a travs del carbn contenido en el cuerpo
principal del micrfono (cpsula).
Esta corriente est producida por una fuente de tensin constante. Los finos granos de carbn estn en
contacto mutuo de forma que el micrfono acta como una resistencia19 y la corriente puede determinarse por la ley de Ohm. Cuando llega un sonido al micrfono las vibraciones de la membrana se
transmiten a los grnulos de carbn que, al moverse, crean una mayor resistencia elctrica modificndose la intensidad de la corriente.
Estas variaciones de corriente se pueden recoger en el secundario de un transformador y, a partir de
aqu, tratarse electrnicamente. La presencia del transformador permite, no slo eliminar la componente continua introducida por la fuente de alimentacin, sino tambin adaptar la impedancia de salida al
valor ms apropiado.
Los micrfonos de este tipo son de baja calidad. Adems se produce con el tiempo un tpico fenmeno
de apelmazamiento que baja la sensibilidad del dispositivo. Para evitarlo basta con agitar enrgicamente el micrfono: las partculas de carbn se liberan y se recupera el funcionamiento correcto. Tampoco la respuesta en frecuencia es buena, ni por la amplitud ni por la forma. Tienen, sin embargo, una
buena sensibilidad. En la figura H.2 se ve el esquema bsico de un micrfono de carbn con la fuente
de continua y el transformador de salida.
Lmina mvil conductora
Carbn pulverizado
Frontal perforado
Lmina rgida conductora
Caja aislante
Sonido
Cable
Cable
Fig. H. 1. Micrfono de carbn.
Micrfono
Alimentacin
Tensin de salida
Transformador
Fig. H. 2. Esquema bsico con un micrfono de carbn.
19
La resistencia de un micrfono de carbn puede variar entre 30 y 3k.
Pg. 98

H.4 MICRFONOS DINMICOS

Tambin llamados de bobina mvil, se basan en el fenmeno de la induccin electromagntica. La
membrana sensible a las vibraciones del sonido entrante est unida a una bobina situada en el entrehierro de un imn permanente fijo al cuerpo del micrfono. Cuando la membrana se mueve por efecto de
la vibracin acstica de un sonido, se mueve la bobina en el campo magntico del imn y se induce
una tensin variable en la bobina. Esta tensin constituye la salida del micrfono.
El micrfono dinmico no necesita alimentacin, presenta buenas caractersticas de fidelidad y respuesta en frecuencia, por lo que es uno de los favoritos en multitud de aplicaciones. Por otra parte,
dada su estructura, tiene una baja impedancia interna, lo que permite la utilizacin de cables largos sin
excesivo riesgo de zumbidos de alterna (50Hz) ni prdida de respuesta en agudos (frecuencias altas).
En la figura H.3 se ha representado de forma muy esquemtica la estructura de un micrfono dinmico. La bobina vibra por efecto del sonido en el seno del campo magntico del imn permanente y se
induce una tensin en la bobina que es una versin elctrica de la vibracin acstica presente en la
entrada del micrfono.
Membrana mvil
Bobina mvil
Cable
Sonido
Cable
Imn permanente fijo
Fig. H. 3. Estructura bsica de un micrfono dinmico.
H.5 MICRFONOS PIEZOELCTRICOS

Se basan en el fenmeno de la piezoelectricidad. Este fenmeno se observa en ciertas sustancias, llamadas piezoelctricas como el cuarzo, y consiste en la aparicin de una tensin elctrica cuando se
somete esta sustancia a una presin o deformacin mecnica.20 Los micrfonos piezoelctricos, tambin llamados de cristal, pueden construirse con cualquiera de estas sustancias piezoelctricas. Es muy
frecuente la utilizacin de sales de Rochelle, que exhiben una intensa piezoelectricidad. Tambin se
utilizan ciertas sustancias cermicas que proporcionan muy buenas caractersticas y permiten la fabricacin de micrfonos piezoelctricos (llamados cermicos, en este caso) aptos para su utilizacin en
audio de alta fidelidad.
La estructura de un micrfono piezoelctrico, bien sea de cristal o cermico, es en esencia la mostrada
en la figura H.4. La membrana que capta las vibraciones acsticas del sonido est unida rgidamente a
la sustancia piezoelctrica que recibe las variaciones de presin y genera una tensin elctrica.
Como las sustancias piezoelctricas son malas conductoras de la electricidad, los micrfonos piezoelctricos tienen una alta impedancia interna que sobrepasa el milln de ohmios (1M). Esto obliga a
que la impedancia de entrada del sistema electrnico al que se conecten (un amplificador de audio, por
20
Recprocamente, una tensin elctrica aplicada a una sustancia piezoelctrica produce una modificacin de su
forma. Propiedad que se aplica extensamente en los relojes de cuarzo y en los osciladores de alta frecuencia.
Pg. 99

ejemplo) sea tambin alta. Esta circunstancia puede representar algn problema porque los equipos
actuales suelen tener impedancias de entrada de valor ms pequeo.
Por otra parte, la alta impedancia interna de este tipo de micrfonos propicia la captacin de ruido,
sobre todo de los 50Hz de la red, por lo que no es posible utilizar cables muy largos y, en todo caso,
debe prestarse especial atencin a su apantallamiento y a la correcta utilizacin de las tomas de tierra.
Cable
Membrana
Lmina piezoelctrica
Varilla rgida
Cable
Fig. H. 4. Estructura bsica de un micrfono piezoelctrico.

La sensibilidad de los micrfonos piezoelctricos es muy alta y su respuesta en frecuencia va desde
80Hz hasta 16kHz, aproximadamente. Los micrfonos piezoelctricos de tipo cermico tienen mejores
caractersticas que los piezoelctricos de cristal (con sal de Rochelle, por ejemplo) y pueden utilizarse
en audio de alta fidelidad.
Los micrfonos piezoelctricos no necesitan alimentacin.
H.6 MICRFONOS DE CONDENSADOR

Tambin llamados electrostticos. Se basan en la utilizacin de un condensador cargado con sus terminales aislados. La carga del condensador es Q=CV, donde V es la tensin entre bornes. Como el
condensador est aislado la carga Q permanece constante. Esto significa que una variacin del valor de
la capacidad, C, produce una variacin de la tensin, V, de forma que el producto de ambas magnitudes siempre es constante e igual a Q. Tenemos aqu una forma de producir una tensin variable. Para
conseguir que la capacidad cambie de valor se utiliza un condensador de placas plano-paralelas en el
que una placa es fija y la otra mvil y hace el papel de membrana del micrfono. La capacidad del
condensador es:
C = 0
S
d
(H.1)
Q = 0
S
V
d
(H.2)
La carga constante es:
Despejando la tensin, se obtiene:
V=
Q
d
0S
(H.3)
Resulta, as, que la tensin entre las placas del condensador es proporcional a la separacin entre sus
placas. Cuando vara la posicin de la placa mvil del condensador por efecto de la vibracin del sonido incidente, se produce una tensin que reproduce exactamente la seal acstica de llegada.
Pg. 100

Desgraciadamente no es posible tener el condensador totalmente aislado puesto que hay que alimentarlo para que exista una carga continuamente presente. La carga se introduce mediante una fuente de
alimentacin de tensin constante y una resistencia. Si esta resistencia es de valor muy elevado puede
suponerse, de forma aproximada, que el condensador est en circuito abierto y el sistema funciona
correctamente. Para preservar la carga del condensador y dotarlo de una baja impedancia de salida los
micrfonos de condensador suelen llevar incorporado un amplificador de efecto de campo (FET) en
configuracin de drenador comn. (Fig. H.5).
La placa mvil suele estar agujereada para que el aire pueda pasar y la presin producida por el movimiento de la placa mvil no le afecte. Todas las resistencias del amplificador auxiliar deben ser de alto
valor para que la carga del micrfono se mantenga constante.
La sensibilidad de este tipo de micrfonos es similar a los dinmicos. La impedancia interna es baja
debido al amplificador incorporado, y esto permite la utilizacin de cables de gran longitud sin problemas de captacin de zumbidos ni prdida de respuesta en agudos. La respuesta en frecuencia es
muy buena y se extiende de 30Hz a 20kHz. Estas propiedades lo hacen apto para su utilizacin en
sistemas de audio de alta calidad.
Placa mvil
Placa fija con orificios
R
Sonido
Fig. H. 5. Estructura bsica de un micrfono de condensador.
Fig. H. 6. Micrfono de condensador.

En la figura H.6 se puede apreciar el aspecto exterior de un micrfono de condensador.
H.7 MICRFONOS DE ELECTRET

Su funcionamiento es esencialmente el de un micrfono de condensador pero no necesitan una tensin
de carga por utilizar una sustancia especial, llamada electreto, que consiste en un dielctrico con carga
elctrica permanente. El micrfono est formado por una lmina mvil muy fina de esta sustancia
(policarbonato fluorado, por ejemplo) que recibe las vibraciones sonoras. Las variaciones de capacidad
producen variaciones de tensin que suelen tratarse electrnicamente, como en el caso de los micrfonos de condensador. (Fig. H.7)
Pg. 101

Los micrfonos electret tienen baja sensibilidad pero una buena respuesta en frecuencia y baja distorsin.
Pueden fabricarse con tamaos diminutos, ya que su sensibilidad no depende del tamao de la membrana. Aunque incorporan un circuito integrado para aumentar la sensibilidad y proporcionar una baja
impedancia de salida, su consumo es muy pequeo y pueden utilizarse pilas miniaturizadas.
Capa metalizada
Lmina conductora perforada
Sonido
Electreto
Fig. H. 7. Estructura de un micrfono electret.
H.8 TABLA COMPARATIVA

A continuacin se resumen las caractersticas de los diferentes tipos de micrfonos expuestos, slo
desde un punto de vista cualitativo.
Micrfono
Alimentacin
Sensibilidad
Carbn
Dinmico
Piezoelctrico
Condensador
Electret
si
no
no
si
si, pila miniatura
alta
baja
media
media
baja
Respuesta
frecuencia
mala
buena
media
buena
buena
Pg. 102
en Distorsin
alta
baja
baja
baja
baja
Impedancia
media
baja
alta
baja
baja

APARTADO I: CPSULAS FONOCAPTORAS.
I.1 INTRODUCCIN
Otro tipo de transductores son los utilizados en la captacin de seales grabadas en un disco analgico.
Aunque este tipo de discos est prcticamente en desuso, desplazados por los compact disc con tecnologa digital, haremos una breve descripcin de los distintos tipos de fonocaptores apoyndonos en lo
visto en el apartado anterior sobre micrfonos. As, mientras en un micrfono la primera pieza sensible
era la membrana, en un fonocaptor es una aguja en contacto con el disco. Esta aguja, de zafiro o diamante, sigue las vibraciones grabadas en el surco del disco.
La cpsulas fonocaptoras pueden ser esencialmente: magnticas, piezoelctricas y de condensador. Las
cpsulas magnticas, a su vez, pueden clasificarse como dinmicas (o de bobina mvil), magnetodinmicas (o de imn mvil) y de reluctancia variable (o imn inducido).
I.2 CPSULAS DINMICAS

Tambin llamadas de bobina mvil. Se basan en el mismo principio que los micrfonos dinmicos. Es
decir, la aguja en contacto con el disco est unida rgidamente a una bobina que se mueve en el campo
magntico de un imn permanente fijo en la cpsula. Por induccin electromagntica se genera una
tensin en la bobina que es fiel reflejo de la vibracin mecnica de la aguja. (Fig. I.1)
Salida
Imn permanente
Bobina mvil
Aguja
Soporte
Fig. I. 1. Estructura bsica de un fonocaptor dinmico.

Las cpsulas fonocaptoras son siempre estereofnicas. Es decir: deben ser aptas para captar la informacin del canal derecho y del izquierdo contenida en el disco. Esto quiere decir que una cpsula dinmica estereofnica tiene dos bobinas orientadas convenientemente. El principio de funcionamiento,
no obstante, es el mismo.
I.3 CPSULAS MAGNETODINMICAS

Tambin llamadas de imn mvil, son esencialmente como las dinmicas pero es el imn el que se
mueve induciendo una tensin elctrica en la bobina, en este caso fija. (Fig. I.2)
Pg. 103

I.4 CPSULAS DE RELUCTANCIA VARIABLE

En este tipo de cpsulas fonocaptoras la aguja se halla unida a una lmina ferromagntica situada en el
entrehierro de un imn permanente sobre el que se halla situada una bobina fija.
Salida
Bobina fija
Ncleo ferromagntico
Imn permanente
Aguja
Soporte
Fig. I. 2. Estructura bsica de un fonocaptor magnetodinmico.
Al moverse la aguja recorriendo la superficie del disco se mueve, igualmente, la lmina en el entrehierro provocando variaciones en el campo magntico que atraviesa la bobina y, por consiguiente, induciendo en ella una tensin elctrica variable.21 Esta tensin es la salida del fonocaptor.
Bobina fija
Salida
Imn permanente
Lmina ferromagntica
Aguja
Soporte
Fig. I. 3. Cpsula de reluctancia variable.
21
La lmina mvil vara la reluctancia del circuito magntico.
Pg. 104

I.5 CPSULAS PIEZOELCTRICAS

Se denominan tambin cermicas o de cristal. Funcionan como los micrfonos del mismo tipo. La
aguja est unida a una fina lmina de sustancia piezoelctrica y su movimiento provoca deformaciones
en la lmina que, a su vez, genera una tensin elctrica variable.
Salida
Lmina piezoelctrica
Soporte rgido
Aguja
Fig. I. 4. Cpsula piezoelctrica.
I.6 CPSULAS DE CONDENSADOR

Se basan en el mismo principio que los micrfonos de condensador. Son cpsulas de alta calidad utilizadas en trabajos profesionales de audio.
Pg. 105

APARTADO J: ALTAVOCES.
J.1 INTRODUCCIN
La ltima etapa de un amplificador de audio es un transductor capaz de transformar la seal elctrica
de audio en vibraciones sonoras capaces de ser recogidas por el odo humano. Este transductor puede
ser un auricular, para bajas potencias, o bien un altavoz. Tanto los auriculares como los altavoces se
basan en los mismos principios. En este apartado nos referiremos a los altavoces.
J.2 ALTAVOCES DINMICOS

Son los ms importantes por su uso ampliamente extendido. Son sistemas de bobina mvil. Esta bobina se mueve en el campo magntico de un imn permanente. La bobina mvil est unida a un cono de
cartn, plstico, aluminio u otra sustancia rgida. Cuando la corriente variable procedente del amplificador de audio recorre la bobina sumergida en el campo magntico del imn permanente, dicha bobina
se mueve y hace que el cono vibre produciendo variaciones de presin en el aire y generando, por
consiguiente, un sonido que es reproduccin acstica de la seal del amplificador. (Fig. J.1)
Bornes
Campana
Caja acstica
Imn fijo
Tornillo
Araa
Yugo
Tapa
Bobina mvil
Cono o diafragma
Fig. J. 5. Estructura de un altavoz dinmico.

El yugo es una pieza rgida, metlica, de alta permeabilidad magntica que aloja al imn permanente.
La campana es igualmente rgida y sirve para mantener en posicin al cono, productor de las ondas
acsticas. La araa es una pieza mvil que sirve para centrar el movimiento de la bobina mvil en el
campo del imn. La tapa slo sirve para evitar que el polvo y dems impurezas puedan penetrar en el
interior de la bobina dificultando su movimiento en el campo magntico del imn. El altavoz va sujeto
al recinto acstico (baffle), mediante tornillos.
En definitiva, la parte fija del altavoz est formada por la campana, el yugo y el imn permanente. La
parte mvil est formada por el cono, la araa, la tapa y la bobina.
La impedancia de los altavoces suele ser de 8 o bien de 4, aunque pueden encontrarse de otros
valores. Dicha impedancia est medida a 1kHz y puede tener una componente inductiva importante
debido a la bobina.
En general, la impedancia de un altavoz vara considerablemente con la frecuencia y con las condiciones acsticas del recinto en el que se halle ubicado. Dependiendo del tamao del altavoz, fundamentalmente, ste puede ser de bajos (frecuencias bajas), medios o agudos (frecuencias altas del espectro
de audio). Para conseguir un sistema acstico correcto, capaz de abarcar todas las frecuencias audibles,
Pg. 107

es necesario situar varios altavoces dentro de un nico recinto acstico. Esta cuestin se abordar en
volmenes especficos posteriores.
J.3 ALTAVOCES ELECTROSTTICOS

Se basan en el mismo principio que los micrfonos electrostticos. (Fig. J.2) En este caso, sin embargo, es la tensin variable aplicada la que hace que se mueva una de las placas del condensador. Un
altavoz electrosttico debe tener unas placas con gran superficie, lo que obliga a alimentarlo con tensiones elevadas. Por otra parte, la impedancia de este tipo de altavoces es alta, lo que exige que el amplificador suministre grandes tensiones para obtener potencias apreciables de salida.
Placa mvil
Entrada seal
Placa fija
Alimentacin
Fig. J. 6. Estructura de un altavoz electrosttico.
J.4 ALTAVOCES PIEZOELCTRICOS

Ya se ha explicado, al hablar de los micrfonos, que una sustancia piezoelctrica es capaz de generar
tensiones elctricas cuando se le somete a presiones y deformaciones. Recprocamente, tambin es
capaz de deformarse cuando se le somete a una tensin elctrica. Precisamente esta propiedad es la
que se utiliza en la fabricacin de altavoces piezoelctricos. La seal de salida del amplificador de
audio se aplica a la sustancia piezoelctrica a travs de un transformador. (Fig. J.3) Dicha sustancia
est conectada rgidamente a un diafragma, comunicndole la vibracin y produciendo el correspondiente sonido.
Los altavoces piezoelctricos suministran poca potencia y se utilizan slo en dispositivos tales como
los de ayuda a la sordera. Su respuesta en frecuencia se limita a las frecuencias altas del espectro de
audio.
Contacto elctrico
Seal de entrada
Membrana mvil
Piezoelctrico
Transformador
Soporte
Fig. J. 7. Estructura de un altavoz piezoelctrico.
Pg. 108

APARTADO K: CIRCUITOS IMPRESOS.

K.1 INTRODUCCIN
La PCB (Printed Circuit Board) o placa de circuito impreso, es una plancha plana de baquelita
o fibra de vidrio que sirve de soporte para los componentes electrnicos de un circuito, y que contiene,
al menos en una de sus dos caras, una fina capa de cobre que establece las conexiones entre los mismos (figura K.1). A cada una de estas conexiones se las llama pistas. En la PCB se practican agujeros llamados taladros donde se introducen las patas o pines de los componentes. Estos taladros
estn rodeados por una pequea rea de cobre llamada PAD, que permite fijar los pines del componente a la PCB mediante soldadura. Opcionalmente, la PCB puede contener una capa de resina de
color verde, llamada mscara verde, protegiendo las pistas y dejando slo visibles los PADs (para
permitir la soldadura). Sobre la mscara verde se imprime una capa de pintura llamada serigrafa en
la que se dibuja el contorno de los componentes y el texto con el valor y la referencia de los mismos.
5
6
3
5
3
8 7
1
1
3
4
9
1
Figura K.1: Seccin de una PCB mostrando su estructura en capas

y sus principales elementos.
En la figura K.1 se muestran los principales elementos que componen la placa de circuito impreso. Los cdigos de esta figura hacen referencia a:
CAPAS (nmero dentro de un crculo):
1. Baquelita o fibra de vidrio.
2. Capa de cobre en cara de componentes (TOP).
3. Capa de estao selectivo aplicado a los PADs.
4. Mscara verde.
5. Capa de serigrafa.
ELEMENTOS (nmero dentro de un cuadrado):
Pg. 109

1. PADs convencionales con taladros.

2. PADs SMT (sin taladros).
3. Pistas.
4. Va.
5. Estao selectivo en los PADs.
6. Serigrafa del componente.
7. Referencia del componente.
8. Nombre del componente.
9. Taladros de anclaje de la PCB.
Los PADs pueden o no estar estaados. Un PAD estaado facilita la posterior soldadura al
pin del componente. Cuando una PCB tiene mscara verde, solo se suelen estaar los PADs, dejando
sin estaar las pistas. Esto se conoce con el nombre de estao selectivo.
La mayora de las veces, el camino que ha de describir una pista hasta llegar a su destino est
ocupado por otras pistas. En ese caso se hace necesario continuar la pista por otra cara de cobre. El
cambio de cara de la pista se llama va, y consiste en un pequeo taladro metalizado (cobre estaado) que establece el punto de conexin elctrica las dos capas (figura K.2).
Figura K.2: Estructura de una va. Se ha omitido la base de baquelita para mostrar las
pistas de la cara de soldadura.
K.2 INTRODUCCIN AL PROCESO DE FABRICACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS

La fabricacin de una PCB pasa por dos etapas diferenciadas: una en la que, mediante la ayuda
de diferentes herramientas CAD (software de diseo asistido por ordenador) se disea el aspecto, en
todo su detalle, de la placa de circuito impreso; y otra en la que se fabrica la misma mediante la sucesin de diferentes procesos qumicos, y que concluye con el posicionamiento y la soldadura de los
componentes.
Para disear la PCB se parte del esquema elctrico del circuito, dibujado usando un programa
CAD llamado editor de esquemas, y se crea la netlist de layout, que es un fichero que contiene
toda la informacin a cerca de los componentes y sus conexiones. El siguiente paso consiste en dibujar
la forma y tamao deseados de las pistas, para lo cual se usa otro programa CAD llamado editor de
layout. El editor de layout hace uso de la netlist de layout para decirnos qu conexiones nos faltan
por dibujar, y qu errores hemos cometido al dibujarlas.
Una vez establecido el layout (establecida la forma y tamao de las pistas, la posicin de los
componentes, etc.), se imprimen las pistas sobre papel de transparencia obteniendo los fotolitos,
ltimo proceso asistido por ordenador.
Pg. 110

Ahora hay que hacer fsicamente la PCB. Existen muchas maneras diferentes de fabricar una
PCB. Una forma consiste en usar una placa fotosensible, cuyo cobre est recubierto por una pelcula de material fotosensible. Esta placa se cubre con los fotolitos y ambos se introducen en una insoladora (fuente de luz altamente energtica, generalmente ultravioleta).
All, la pelcula fotosensible iluminada queda sensibilizada, mientras que la tinta de los fotolitos protege de la luz la porcin que queda debajo. Despus, una etapa de revelado elimina la capa
protectora sensibilizada, sin alterar la parte no iluminada (pistas). Finalmente, un bao de cido elimina el cobre no protegido por la pelcula fotosensible, dejando nicamente el cobre con la forma de las
pistas.
Otra manera de fabricar PCBs consiste en la utilizacin de mquinas fresadoras accionadas
por control numrico, que eliminan el cobre del permetro de las pistas.
La fabricacin industrial de PCBs se realiza con fotoploters a partir de un fichero que contiene toda la informacin grfica necesaria en un formato estndar llamado gerber.
Una vez fabricada la superficie de la PCB, el circuito se termina con el posicionamiento y la
soldadura de los componentes. La manera en que esto ha de realizarse depende de la tecnologa de
montaje usada:
- En tecnologa convencional, se taladra en el centro de los PADs, se posicionan los componentes introduciendo sus pines en los taladros realizados, y se sueldan con estao los pines a los
PADs, quedando establecida la conexin elctrica entre los componentes.
a)
b)
Figura K.3: Encapsulados, a) tradicional o DIP (Dual In-line Package), y b) SOIC (Small Outline Integrated Circuit) de un circuito integrado.
- En tecnologa de montaje superficial o SMT (Surface Mounting Technology), los componentes son ms pequeos y sus pines son ms cortos, preparados para soldadura sin taladro. Por esta
razn, a los componentes de tecnologa SMT se les llama SMD (Surface Mounting Device). En la
figura K.3 puede compararse el encapsulado SMD de un circuito integrado (SOIC) con el encapsulado
tradicional (DIP).
Para fijar los componentes SMD a la PCB se utiliza una aleacin de estao y plomo, en forma de pasta
a la temperatura ambiente, que se deposita en los pequeos PADs de tipo SMD. Despus, los componentes se colocan en la PCB haciendo coincidir sus pines con los PADs correspondientes. Todo esto
se hace con ayuda de una mquina que dosifica la cantidad de pasta aplicada y que permite el posicionamiento preciso tanto de la pasta como de los propios componentes.
La mquina ms sencilla consiste en un sistema de aire comprimido que retiene-libera la pasta y sujeta-libera los componentes, y que el usuario mueve manualmente en un plano x-y sobre la PCB.
La ms compleja es programable y accionada por control numrico. Una vez posicionados los componentes, la PCB se introduce en un horno especialmente diseado donde se produce la soldadura a unos
180-2000C. Tanto la temperatura como el tiempo de soldadura son programables para conseguir sol-
Pg. 111

daduras aceptables tanto en PCBs pequeas como en grandes. Una vez extrada la PCB del horno, la
soldadura se enfra y se endurece.
K.3 CARACTERIZACIN DE LAS PISTAS DE UNA PCB

Para entender lo que se describe en adelante, es necesario entender cmo se comportan las
pistas de un circuito. Una pista tiene asociada, por unidad de longitud, una inductancia L(H/m), y una
resistencia R(/m). La inductancia L aumenta linealmente con el rea del bucle que forma la pista
(figura K.5), y la resistencia R aumenta al disminuir la seccin s de la pista (figura K.4).
Ambas, L y R, deben de minimizarse en la medida de lo posible.
L, R
s
l
Figura K.4: Toda pista se comporta como una L y una R.

PAD2
PAD2
PAD1
PAD1
PAD3
PAD3
PAD4
PAD4
a)
b)
Figura K.5: a) Conexin de baja L (buena), y b) conexin de alta L (mala).
Por otro lado, cuando dos pistas se trazan paralelas, entre ellas existe una capacidad distribuida C(F/m)
por unidad de longitud, que aumenta con la superficie s enfrentada, y que disminuye con la distancia d
entre las pistas.
Esto ocurre tanto en pistas situadas en la misma capa como en pistas situadas en capas diferentes (figura K.6). La capacidad tambin aumenta al aumentar la constante dielctrica del medio que separa las
pistas.
s d
a)
b)
Figura K.6: Efecto capacitivo entre: a) dos pistas de la misma capa, b) dos pistas de capas diferentes. Normalmente el caso b) es el de mayor capacidad debido a su mayor superficie s y a la constante dielctrica de la baquelita.
Si la pista est bien dimensionada, el efecto de R puede despreciarse, quedando slo una inductancia por pista L y una capacidad entre pistas cercanas C.
Puede demostrarse que en estas condiciones las seales viajan por las pistas a una velocidad v
dada por (ntese que las unidades de L y C son por unidad de longitud),
v=
1
LC
con lo que su longitud de onda ser,
Pg. 112

= vT =
1
f LC
siendo f la frecuencia de la seal.

Podemos imaginarnos las seales como una composicin de sinusoides que se mueven de un
extremo a otro de las pistas a una velocidad v y que tienen una longitud de onda .
En los circuitos para microondas o incluso en las PCBs digitales con seales de reloj de alta
frecuencia, la longitud de onda se hace comparable con el tamao de la pista. Esto significa que la
seal no ser la misma en cada punto de la pista (figura K.7). En estos casos se dice que la pista se
comporta como una lnea de transmisin.
V
Pista
Figura K.7: La alta frecuencia puede hacer que la longitud de onda sea menor que la longitud
de la pista.
La electrnica convencional trabaja con frecuencias ms bajas (f<10Mhz), de forma que puede
suponerse que la longitud de onda es mucho mayor que la longitud de la pista, por lo que en cada instante la seal en todos los puntos de la pista ser la misma. Por esta razn, se admite que la onda se
transmite instantneamente desde el principio hasta el final de la pista, aunque esto no sea realmente
cierto.
En los prximos puntos veremos cules son los aspectos que debemos de cuidar durante el
diseo de una PCB. Describiremos los problemas ms comunes que se presentan en las PCBs y cmo
pueden solucionarse.
K.4 REGLAS
(EMI)
DE DISEO RELACIONADAS CON LAS INTERFERENCIAS ELECTROMAGNTICAS
La estabilidad de la alimentacin.
La importancia de tener una buena alimentacin es fcilmente comprensible. Mientras que el
mal funcionamiento de una seal cualquiera afecta slo a los componentes que la reciben, una mala
alimentacin repercute en un mal funcionamiento de todos los componentes del circuito. Una buena
alimentacin es aquella que mantiene su nivel dc con el mnimo rizado. Puesto que la tensin de alimentacin se establece entre las nets de positivo (o negativo para alimentacin negativa) y masa, el
ruteado de las pistas de positivo y masa habr de hacerse con cuidado si queremos tener una buena
alimentacin.
Muchos CI (circuitos integrados) trabajan en rgimen de conmutacin (los digitales y algunos
analgicos). Esto significa que proporcionan a su salida una corriente en forma de pulso que naturalmente proviene de su alimentacin, y que produce una leve cada instantnea de la tensin de alimentacin (debido a la impedancia de salida de la alimentacin). Una alta capacidad entre positivo y masa
disminuye la cada de tensin durante la entrega de corriente (una capacidad grande C=Q/V da
mucha carga Q con poca variacin de su tensin V). Esta alta capacidad se consigue mediante la
distribucin de condensadores de desacoplo entre positivo y masa a lo largo de toda la PCB.
Pg. 113

Los pulsos de corriente en la alimentacin de cada CI son de baja amplitud y de alta frecuencia, mientras que las variaciones de corriente de toda la alimentacin en conjunto son de alta amplitud
y baja frecuencia. Por eso, se usan condensadores electrolticos de alta capacidad cerca del lugar donde
la PCB recibe la alimentacin, y condensadores cermicos o de mica de menor capacidad cerca de los
circuitos integrados (los condensadores electrolticos funcionan bien a baja frecuencia, y los cermicos
y de mica a alta frecuencia).
Se debe colocar un condensador electroltico de tantalio o aluminio de al menos 100F cerca del conector que lleva la tensin de alimentacin a la PCB. Si la PCB se alimenta con tensin positiva y
negativa, poner dos condensadores, uno entre positivo y masa, y otro entre negativo y masa. As mismo, ha de colocarse tambin un condensador cermico o de mica de 100nF muy cerca de cada CI (menos de 30mm de distancia). Si el CI tiene alimentacin positiva y negativa, colocar un condensador
entre positivo y masa, y otro entre negativo y masa, ambos cerca de las patas correspondientes del CI.
Incluso despus de haber desacoplado convenientemente cada circuito integrado, podemos
perder la estabilidad de la alimentacin como consecuencia de las interferencias producidas por una
fuente de EMI, como por ejemplo, las conmutaciones de un transistor de potencia, o la presencia cercana de un transformador con dispersin de flujo. La alimentacin es muy sensible a la componente
magntica del EMI, por lo que hay que evitar que las pistas de positivo y masa describan bucles que
encierren grandes reas.
Una forma de evitar los bucles en la alimentacin consiste en usar planos de masa y de positivo. Un plano de masa (o de positivo) es una gran superficie de cobre dedicada exclusivamente a la net
de masa (o de positivo). Pueden ocupar toda una capa entera de cobre, o compartirla con pistas de
seal. Se dice que un plano de masa debe de ocupar un mnimo del 60% de la superficie de la PCB. En
las PCBs multicapa suele dedicarse una capa entera de cobre para cada plano, que slo es interrumpida por los taladros de los PADs y las vas. La disposicin preferible de los planos de positivo y masa
consiste en colocarlos en las capas externas de la PCB. De esta manera los planos sirven de apantallamiento para las pistas de seal situadas en capas intermedias, evitando las interferencias con el campo
elctrico del EMI (figura K.8). As se aumenta la inmunidad electromagntica de la PCB, al mismo
tiempo que se reduce la emisin EMI de las pistas de seal hacia el exterior.
Positivo
Pistas de seal
Masa
Figura K.8: Posicin de los planos de positivo y masa en una PCB multicapa.
En las PCBs de fabricacin propia, dado que slo podemos disponer de las dos capas externas, si se utilizan planos de positivo y/o masa estos han de interrumpirse dando paso a las pistas de
seal (figura K.9). Lo normal en estos casos es crear slo el plano de masa en la cara de componentes
(interrumpido por las pistas de la cara de componentes), y usar la cara de soldadura para pistas de alimentacin convenientemente trazadas y pistas de seal. De cualquier manera, hay que intentar minimizar el nmero y la longitud de las pistas en la capa de componentes para evitar interrumpir el plano.
Pg. 114

Figura K.9: Plano de masa interrumpido por una pista de seal.
Si no se utilizan planos, una disposicin eficaz de las pistas de positivo y masa consiste en disponerlas
en capas diferentes pero una encima de la otra, mantenindolas paralelas (figura K.10). El dielctrico
entre ambas ayuda a proporcionar una capacidad distribuida que aumenta la inmunidad electromagntica y la estabilidad de la alimentacin.
Positivo
Pista de seal
Masa
Figura K.10: Trazado de la alimentacin con capacidad distribuida.

Los cables de positivo y masa que llevan la alimentacin a la PCB deben de trenzarse para evitar bucles. El trenzado de cables es una tcnica que, en general, disminuye la inductancia asociada al cableado.
La diafona
La diafona es un efecto de acoplo o interferencia electromagntica entre dos pistas de seal
cercanas. Hay dos tipos de diafona segn sea la interferencia: la capacitiva y la inductiva. La diafona
capacitiva consiste en un acoplo de tensin entre dos pistas que tienen una capacidad demasiado elevada entre ellas por estar demasiado cerca. Las variaciones de tensin en una de las pistas producen
variaciones de tensin en la otra. La diafona inductiva consiste en un acoplamiento de corriente (efecto transformador) entre dos pistas cercanas. La corriente de una pista genera un campo magntico que
induce una corriente proporcional en la otra pista, y viceversa. Grandes dv/dt (variaciones de tensin
con respecto al tiempo) agravan la diafona capacitiva, mientras que grandes di/dt (variaciones de corriente con respecto al tiempo) agravan la diafona inductiva.
Para evitar la diafona capacitiva hay que separar especialmente las seales digitales de alta
frecuencia de las dems ( como las seales de reloj, que suelen tener tiempos de subida y bajada muy
pequeos, o sea, grandes dv/dt). Si la separacin no evita la diafona capacitiva, trazar pistas de masa a
ambos lados de la pista conflictiva. Esto produce un apantallamiento elctrico que evita el acoplo de
tensin.
Si la PCB contiene transistores que manejan potencia (sobretodo si trabajan en conmutacin),
separar la etapa de potencia de las pistas de seal mediante una superficie o cerco de aislamiento
nicamente atravesado por las pistas de entrada-salida de la etapa de potencia.
En general, evitando bucles se elimina la diafona inductiva.
Pg. 115

Las reflexiones
Como se ha comentado en el punto K.3 las seales no se transmiten a una velocidad infinita
entre dos partes del circuito. Pues bien, puede demostrarse que cuando la seal que viaja por la pista
encuentra una impedancia distinta de la impedancia caracterstica del circuito, Z0
Z0 =
L
C
parte de la onda es reflejada de vuelta hacia la fuente, y el resto de la seal contina su viaje hacia la
carga. Esto tiene dos consecuencias: que la potencia transmitida a la carga se reduce, y que la onda
reflejada interfiere con la seal enviada por la fuente en un instante posterior y la deforma.
El fenmeno de las reflexiones tiene importancia nicamente a frecuencias altas (f>10Mhz),
cuando es comparable a la longitud de las pistas.
Normalmente se tiene que
Z S < Z0 < Z L
siendo ZS la impedancia de salida de la fuente, y ZL la impedancia de entrada de la carga. Hay dos
estrategias para evitar mltiples reflexiones:
1.- Terminacin paralela: Tal y como se acaba de decir, para evitar reflexiones en la carga hay
que hacer que la fuente vea una impedancia igual a Z0. Esto se consigue conectando una impedancia
en paralelo con ZL, razn por la que a esta estrategia se la llama terminacin paralela.
2.- Terminacin serie: Consiste en permitir una nica reflexin en la carga, pero evitando una
nueva reflexin en la fuente. Para ello, se adapta la impedancia de la fuente (que es menor que Z0)
colocndole una impedancia en serie, llamndose a esta estrategia terminacin serie.
Sin embargo, para poder realizar una correcta adaptacin de la carga o de la fuente, es necesario que la impedancia caracterstica de la pista Z0 se mantenga constante. Cada cambio de Z0 hace que
ZLZ0, y como consecuencia se produce una reflexin. La uniformidad de Z0 puede quedar afectada
por cambios bruscos en el trazado de la pista.
Los cambios deben trazarse suavemente, usando ngulos de 450 (figura K.11.b), o, idealmente, redondeados (figura K.11.c).
a)
b)
c)
Figura K.11: Opciones de trazado en el giro de una pista. La opcin a) ha de evitarse en circuitos de
alta frecuencia.
Pg. 116

El ringing
El ringing son las oscilaciones producidas por la resonancia entre la inductancia de una pista o
un cable y una capacidad localizada en un componente de la PCB. Algunas reglas para evitar el ringing son: Trazar pistas lo ms cortas que sea posible en las conexiones a las puertas (gate) de los transistores MOSFET y en las entradas de los CI de la serie 4000 (tecnologa MOS) para evitar la resonancia entre la pista y la capacidad de puerta; evitar la inductancia de las pistas o cableado al condensador de un rectificador de cualquier tipo, etc.
K.5 REGLAS DE DISEO RELACIONADAS CON LA DISIPACIN DE CALOR
Diseo de radiadores
La conveccin es el principal mecanismo de refrigeracin en una PCB. Sin embargo, para que
la refrigeracin por conveccin sea realmente efectiva, es necesario que los componentes tengan una
gran superficie. As, la masa de aire que circular por conveccin por la superficie del componente
ser mayor y absorber la potencia disipada con menor incremento de temperatura. Los semiconductores pequeos disponen de poca superficie, y cuando disipan potencia, hay que proveerles de una superficie suficiente para disipar el calor.
Esto se hace mediante el uso de radiadores que se acoplan al componente (figura K.12).
Radiador
P
Componente
Figura K.12: Uso de radiadores.

El radiador posee unas aletas que aumentan su superficie efectiva. As, el aire encerrado por
las aletas (que representa una masa considerable en contacto con la superficie caliente) es forzado a
realizar la conveccin. Con el uso de aletas se aumenta la cantidad de masa de aire que absorbe la potencia disipada.
La existencia de un elemento slido (el radiador) a travs del cual se transmite el calor, obliga
a considerar tambin la influencia de la transmisin por conduccin. El conjunto componente-radiador
de la figura K.13.a puede representarse como se muestra en la figura K.13.b,
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Ta
Rth h-a
Th
Ta
Th
Rth mb-h
Radiador
Junta
Tmb
Componente
Rth j-mb
Tmb
Tj
Tj
a)
b)
Figura K.13: Modelo elctrico equivalente para la conduccin.
donde,
Rthh-a es la resistencia trmica del radiador (heatsink-ambient).
Rthmb-h es la resistencia trmica de la junta (mounting base-heatsink).
Rthj-mb es la resistencia trmica del encapsulado (junction-mounting base).
Ta es la temperatura del ambiente.
Th es la temperatura del radiador (en su base).
Tmb es la temperatura de la junta (en la superficie del encapsulado).
Tj es la temperatura de la oblea.
La potencia disipada produce un incremento de la temperatura de la oblea respecto de la temperatura ambiente. Hay que intentar que la temperatura de la oblea sea lo ms baja posible, y por supuesto, evitar que supere los 1500C (temperatura mxima de la oblea de silicio). Esto se consigue minimizando las resistencias trmicas de los elementos usados.
Uso de siliconas
El primer paso para reducir las resistencias trmicas consiste en reducir la resistencia trmica
de la junta, Rthmb-h. Esto se consigue rellenando la junta con una pasta que sea buena conductora trmica, como la silicona.
Uso de ventiladores
Cuando la conveccin natural de la masa de aire sobre los radiadores no es suficiente para
enfriar el componente, es necesario usar ventiladores para aumentar el caudal de aire. Esto se conoce
como ventilacin forzada.
La forma ms efectiva de colocar el ventilador es cerca del radiador, y de forma que el aire
fluya en la direccin que marcan sus aletas (figura K.14).
Figura K.14: Posicin ideal de ventilador-radiador.
Pg. 118

Densidad de corriente en pistas

Para evitar el calentamiento de las pistas, no debe de excederse una densidad de corriente por
ellas mayor que 1A/mm2. Teniendo en cuenta que el espesor de cobre en una pista es de 30 a 80 micras
(1micra=1m=1m/106), puede calcularse el ancho de pista necesario para cada intensidad de corriente.
Normalmente se disean las pistas de alta corriente mediante el uso de areafills (planos de cobre).
Posicin de componentes que disipan potencia

Cuando se colocan los componentes, es muy importante separar aquellos que sufran una disipacin grande (transistores, radiadores, resistencias, etc.). Las temperaturas alcanzadas por estos componentes va a depender mucho de esta distancia de separacin.
Figura K.15: Conjunto de resistencias que disipan potencia (en posicin vertical y vistas desde arriba).
Han de separarse para evitar que se calienten.
K.6 CONSEJOS PRCTICOS

A continuacin se darn algunos consejos de tipo prctico (no por ello menos importantes),
que no guardan relacin con los dos apartados anteriores, y que van dirigidos a facilitar el proceso de
fabricacin de la PCB y mejorar la calidad de la misma.
Forma y tamao de la PCB

La forma de la PCB debe ser lo ms cuadrada que sea posible. Los componentes en una PCB
cuadrada estn ms cerca unos de otros que en una PCB alargada, y por tanto, sus pistas sern ms
cortas, tendrn menos inductancia y capacidad asociadas, y sern ms inmunes al EMI. Sin embargo,
en PCBs industriales (placas para ordenador, etc.) la forma viene impuesta por cuestiones de tipo
mecnico que obligan a la PCB a ser ubicada en un entorno de dimensiones limitadas.
Como dato, los tamaos estndar de placas fotosensibles que podemos encontrar en las tiendas
de electrnica son 100x160 mm, 130x180 mm, 200x300 mm, y los tamaos estndar de PCBs son
100x160 mm (simple europea) y 160x233.4 mm (doble europea).
Colocacin de los componentes

Lo primero que hay que decidir cuando se disea el layout de una PCB es la posicin de los CI
y de los conectores. Los conectores deben de situarse en el borde de la placa para facilitar su conexin-desconexin. Salvo imposiciones de tipo mecnico, los conectores con gran nmero de seales
han de colocarse en la direccin longitudinal de la PCB, consiguindose as disminuir la densidad de
pistas en una de las caras. Los CI deben de colocarse de forma ordenada y, a ser posible, equidistante,
Pg. 119

y su direccin longitudinal debe de coincidir con la direccin longitudinal de la PCB. El resto de los
componentes se distribuirn alrededor de los CI. La decisin sobre dnde colocar cada uno de los CI
debe de tomarse desde el punto de vista funcional del circuito, estudiando las conexiones existentes
entre cada CI. Como lema puede decirse que: la colocacin ptima es aquella en la que los CI que
tienen mayor nmero de conexiones entre s estn ms cerca. Casi siempre hay pistas crticas cuya
longitud debe de minimizarse y que son restricciones al lema anterior (seales de disparo de un transistor MOS de potencia, nets correspondientes al nudo suma en un circuito de control, pistas que llevan seales dbiles como seales de sensado, pistas que llevan altos di/dt, y en general cualquier pista
donde la inductancia asociada pueda suponer un problema) lo cual hace que los componentes unidos
por estas pistas tengan que estar cerca. Debe de intentarse que los CI ms rpidos, que son los que
demandan mayor consumo, estn cerca del conector de alimentacin de la PCB. Debe de intentarse
que los CI que reciben directamente las seales del conector de entrada estn junto a este, y que los
que dan las seales de salida directamente al conector de salida estn tambin cerca de este.
Accesibilidad de la soldadura en la cara de componentes

En las PCBs de fabricacin propia los taladros de los PADs no estn metalizados. Esto significa que debemos estaar el pin del componente al PAD que recibe la pista, tal y como se muestra en
la figura K.16 (cuando los taladros estn metalizados slo es necesario estaar en una de las dos caras,
por comodidad la de soldadura).
Cuando la pista llega al PAD por la cara de componentes, es posible que el componente oculte
el PAD, imposibilitando la soldadura. Para facilitar la accesibilidad de la soldadura, hay que:
- Evitar terminar pistas por la cara de componentes en los PADs donde sern soldados componentes de base plana, como conectores, condensadores planos (como los de desacoplo), potencimetros, etc.
- Si una pista en la cara de componentes termina en el PAD de un CI, nunca debe de trazarse
por debajo del mismo, sino por el exterior (figura K.17.b).
COMPONENTE
ESTAO
PISTA
PAD CARA
COMPONENTES
PIN
PAD CARA
SOLDADURA
Figura K.16: Soldadura de un pin por la cara de componentes.
Pg. 120

a)
b)
Figura K.17: Trazado a) incorrecto, y b) correcto, de una pista por la cara de componentes acabada en
el PAD de un CI.
Las vas
El nmero de vas proporciona informacin sobre la calidad del layout de una PCB. Tener pocas vas significa que las pistas se entrecruzan pocas veces, y casi siempre esto significa que los componentes conectados estn cerca y que, por tanto, las pistas son cortas. Tener muchas vas revela un
entramado complejo de pistas largas y componentes alejados entre s. En las PCBs de fabricacin
propia existe una razn ms para evitar poner vas: puesto que en estas PCBs las vas no estn metalizadas, la conexin entre las capas hay de establecerla manualmente, haciendo pasar un hilo de cobre o
la patita de una resistencia a travs del taladro de la va, y luego soldndola a las pistas de cada cara, lo
cual supone siempre un trabajo extra.
Hay que evitar poner vas en los PADs de los componentes SMD (PADs sin taladro), porque
cuando se introduce la PCB en el horno, la pasta utilizada para realizar la soldadura burbujea a travs
del taladro de la va, y estas burbujas mueven el componente y sacan el pin del PAD.
Direccin de las pistas

Para minimizar el nmero de cruces de pistas, y por tanto, el nmero de vas, se utiliza una
tcnica bien conocida que consiste en intentar trazar las pistas en direccin horizontal en una cara, y en
direccin vertical en la otra.
Grosor y guarda mnimos en PCBs de fabricacin propia

Dado que la precisin en la elaboracin de una PCB artesanal es mucho menor que la precisin que ofrece una elaboracin mecanizada, el grosor mnimo de las pistas ha de ser mayor, as como
la distancia mnima entre pistas. Se recomienda usar, como mnimo, anchos de pista de 1mm y guardas
de 0.75mm. De esta forma se reduce el riesgo de que la PCB salga defectuosa, como por ejemplo, el
que se produzcan cortes en las pistas, o que dos pistas cercanas se conecten.
Autorouting
Aunque en PCBs complejas resulta cmodo realizar un ruteo automtico, siempre hay que
revisar el trazado que genera el autorouter porque a veces las pistas contienen cambios bruscos de
direccin y grandes bucles que pueden evitarse fcilmente.
Pg. 121

Sistemas de Audio y Sonorización 1

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DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA

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Diploma E.P.U. en Sistemas de Audio y Sonorizacin

C.3 Tipos de condensadores y aplicaciones ...................................................................................... 41

Diploma E.P.U. en Sistemas de Audio y Sonorizacin

F.24 Representacin de los MOSFET de empobrecimiento en los esquemas................................... 87

Diploma E.P.U. en Sistemas de Audio y Sonorizacin

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APARTADO A: SEALES Y SISTEMAS.

A.2 COMPONENTES ELECTRNICOS

A.3 SISTEMA ELECTRNICO

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A.4 SEALES EN UN SISTEMA ELECTRNICO

A.5 SEALES ANALGICAS

Fig. A. 2. Seal analgica transitoria.

Fig. A. 3. Seal analgica estacionaria.

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Fig. A. 4. Seal inestable no causal.

Fig. A. 5. Seal sinusoidal o alterna.

Veff = < v 2 ( t ) > =

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V0 = 220 2 = 220 1,41 = 311V

A.6 SEAL DE ENTRADA Y SEAL DE SALIDA DE UN SISTEMA ELECTRNICO

A.7 SISTEMAS LINEALES Y NO LINEALES

Para v(t)=Vcost, el valor eficaz es Vef=V/ 2 =0,707V.

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A.8 DISTORSIN PRODUCIDA POR SISTEMAS NO LINEALES

v = sen(5t ) + 0,5 sen(10t ) + 0,25 sen(15t )

Calcular la distorsin armnica total producida por el amplificador.

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Fig. A. 7. Espectro de la seal peridica de la figura A.6.

A.9 ESPECTRO DE UNA SEAL PERIDICA

A.10 ESPECTRO DE UNA SEAL NO PERIDICA

A.11 ANCHURA DE BANDA DE UNA SEAL

dV/df es la derivada de V respecto a f. Se mide en V/Hz.

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Fig. A. 8. Espectro de una seal no peridica.

A.12 SEAL PORTADORA Y SEAL MODULADORA

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Fig. A. 9. Seal modulada en amplitud.

Fig. A. 10. Espectro de una seal modulada en amplitud.

A.13 SISTEMAS DIGITALES

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Se divide de la siguiente forma:

El nmero binario se lee de abajo a arriba, escribiendo un 1 como primera cifra:

A.14 SEALES DIGITALES

Fig. A. 12. Seal digital.

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donde R es el valor de la resistencia, v es la diferencia de potencial (tensin), e i es la intensidad de la

Conocida la intensidad de la corriente y la tensin, puede calcularse la resistencia y la conductancia:

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Introduciendo los datos, se obtiene el siguiente resultado numrico:

v max. = 0,25 10000 = 100

La corriente mxima se puede calcular a partir de la frmula B.5, despejando la corriente:

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Introduciendo los datos, se obtiene:

Introduciendo los datos numricos, la nueva potencia mxima es:

B.2 CARACTERIZACIN DE RESISTENCIAS

Potencia nominal, a una temperatura dada.

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Probabilidad de fallo. (life failure rate).

B.2.1 Potencia nominal, a una temperatura dada