Sunteți pe pagina 1din 13

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

1. Oglinda simpl de curent cu tranzistoare MOS


Schema de test (ogl-simpla-MOS.asc):

Exerciii propuse:
1. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30A i Vod de 200mV.
2. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Completai
urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:
VGS

VDS

ID

Vod

VTh

gm

gDS

Mn1
Mn2
3. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, iar oglinda este echilibrat n
tensiune (VDS1=VDS2), atunci eroarea factorului de reflexie tinde la zero.
4. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn2)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor
dren-surs VDS2-VDS1=Vout-Vin.
5. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
6. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
7. Repetai exerciiile 1-6 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

2. Oglinda de curent cascod cu tranzistoare MOS


Schema de test (ogl-cascoda-MOS.asc):

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


Exerciii propuse:
8. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30A i Vod de 200mV.
9. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este tensiunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:
VGS

VDS

ID

Vod

VTh

gm

gDS

Mn1
Mn2
Mn3
Mn4
10. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice factorul de reflexie tinde spre
unitate chiar dac oglinda nu este echilibrat n tensiune (VinVout). Ce rol au tranzistoarele
cascod?
11. Simulai variaia factorului de reflexie (n=ID(Mn4)/I(I1)) cu dezechilibrul tensiunilor de intrare i de ieire.
12. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
13. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
14. Repetai exerciiile 8-13 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

3. Oglinda de curent cascod de joas tensiune cu tranzistoare MOS


Schema de test (ogl-cascodaLV-MOS.asc):

Exerciii propuse:
15. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30A i Vod de 200mV.
La dimensionare se ine cont de faptul c toate tranzistoarele, cu excepia M n6 vor fi polarizate n
regim saturat. Dac factorul de reflexie este unitar, atunci curentul de intrare n oglind va fi egal cu
curentul de ieire. Astfel, toate tranzistoarele vor fi parcurse de aceleai curent de 30A. Tensiunile
Vod fiind deasmenea identice, toate tranzistoarele vor avea aceeai geometrie. La determinarea geometriei se iau n calcul parametrii punctului static de funcionare de referin.
2

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


ID
W/L
Vod
VTh
NMOS 50A 5/1 240mV 450mV
PMOS 50A 15/1 257mV 450mV
Procedura de scalare a PSF duce la urmtorii parametrii pentru tranzistoarele saturate:
2
W W
V
5 30 240 2 4.3
I
D od ref

1
L L ref I D ref Vod 1 50 200

2
AS AD W 0.2 0.86pm
PS PD 2
W 0.2 9m

Tranzistorul Mn6 va fi polarizat n regim liniar, constrngere datorat topologiei circuitului. Geometria tranzistorului se determin considernd rezistena echivalent dren-surs n regim liniar.
Cderea de tensiune VDS6 a tranzistorului Mn6 va fi aproximativ egal cu VDS1 a tranzistoarelor Mn1
i Mn2. Totodat, pentru funcionarea corect a oglinzii este necesar ca tranzistoarele Mn1 i Mn2 s
fie saturate, adic VDS1Vod1 i VDS3Vod3, iar VGS1=VDS1+VDS3. Tensiunea gril-surs VGS1 a tranzistorului Mn1 va fi
VGS 1 Vod 1 VTh1 200mV 450mV 650mV

Din condiia de saturaie a Mn1 rezult


VDS1 Vod 1 VDS1 1.5 Vod 1 300mV VDS 3 VGS 1 VDS 1 350mV

Totodat
Vcasn VGS 3 VDS1 Vod 3 VTh3 V VDS1 200mV 450mV 100mV 300mV 1.05V
Vod 6 VGS 6 VTh 6 Vcasn VTh 6 1.05V 450mV 600mV

Cderile de tensiune VDS1, VDS2 i VDS6 sunt aproximativ egale ca efect al tranzistoarelor cascod.
Astfel, rezistena echivalent dren-surs a lui Mn6 este dat de legea lui Ohm (se aplic numai n
regim liniar deoarece tranzistorul este o rezisten comandat)
rDS 6lin

VDS 6 300mV

10k
I1
30A

tiind c rezistena echivalent n regim liniar este dat de ecuaia


rDS 6 lin

VDS

ID

L
V ,

CoxW Vod DS
2

se calculeaz geometria necesar din formula


Wn 6

Ln 6

1
V

Cox rDS 6 lin Vod 6 DS 6


2

Constanta de proces Cox se obine din tabelul cu PSF de referin


3

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

Cox

2 I D ref Lref

347

2
od ref

Wref V

A
V2

nlocuirea parametrilor conduce la raportul Wn6/Ln6=0.64=1.3/2. Parametrii de arie i perimetru ai tranzistorului Mn6 vor fi AS=AD=0.26pm2 i PS=PD=3m.
16. Verificai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor. Ajustai parametrii geometrici
astfel nct PSF simulate s corespund cu cele impuse n specificaii. Completai tabelul de
mai jos cu parametrii specifici fiecrui tranzistor.
Se ruleaz o analiz a punctelor statice de funcionare (.OP). Dup terminarea simulrii se acceseaz fiierul de ieire (ViewSpice Error Log sau combinaia de taste CTRL+L) i se citesc parametrii cerui. Din cderile de tensiune i PSF ale tranzistorului Mn6 se observ c geometria acestuia
necesit ajustare. Modificnd iterativ W6, L6, AS, AD, PS i PD pn cnd tensiunile ajung la valorile cerute, se obine geometria final cu parametrii W6/L6=1.8/2, AS=AD=0.36pm2, PS=PD=4 m.

Mn1
Mn2
Mn3
Mn4
Mn5
Mn6

VGS

VDS

ID

Vod

VTh

gm

gDS

671mV
671mV
760mV
757mV
757mV
1.06V

301mV
304mV
370mV
696mV
757mV
305mV

30A
30A
30A
30A
30A
30A

207mV
207mV
214mV
211mV
210mV
509mV

450mV
450mV
531mV
532mV
532mV
422mV

222S
222S
218S
221S
221mV
-

5.86S
5.67S
3.7S
2.63S
2.6S
0.563S

17. Determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Estimai tensiunea minim admis la ieirea oglinzii.
Rezistena de intrare se calculeaz din urmtoarea formul
Rin

1
1

4.5k
g m1 222S

Rezistena de ieire va fi
Rout rDS 2 rDS 4 g m 4 rDS 2 rDS 4

1
g DS 2

1
g DS 4

gm4
15.44M
g DS 2 g DS 4

Tensiunea minim admis la ieire este


Vo min Vod 2 Vod 4 207mV 211mV 420mV

18. Simulai variaia factorului de reflexie cu dezechilibrul tensiunilor de intrare i de ieire.


Pentru a simula variaia factorului de reflexie, definit ca i raportul dintre Iout i Iin, se ruleaz o
analiz .DC, n care sursa Voutn influeneaz curentul de ieire, n timp ce curentul de intrare rmne
constant. Se creaz profilul de simulare astfel nct sursa Voutn s se modifice liniar ntre 0V i 3V
cu un pas de 1mV. Comanda Spice de pe schem va fi .dc Voutn 0 3 1m.
Dup rularea simulrii, n fereastra grafic se afieaz factorul de reflexie ca i raportul dintre
4

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


curentul Iout=Id(Mn4) i Iin=Id(Mn3). Pentru a pune n eviden dependena factorului de reflexie de
dezechilibrul n tensiune dintre ieirea i intrarea oglinzii, se schimb variabila de pe axa Ox cu diferena V(outn)-V(inn). Din curba obinut se observ c factorul de relfexie este unitar atunci cnd
oglinda este echilibrat. Deasemenea, factorul de reflexie se va menine unitar i la tensiuni de dezechilibru diferite de zero datorit tranzistoarelor cascod, care prin tensiunile lor gril-surs asigur
echilibrul oglinzii fundamentale Mn1-Mn2. La tensiuni de dezechilibru negative tensiunea de ieire a
oglinzii nu respect Vo-min, astfel nct tranzistoarele Mn2 i Mn4 nu pot fi polarizate n regim saturat,
iar curentul de ieire devine dependent de Voutn.

19. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vomin.
Caracteristica de ieire rezult simplu din exerciiul precedent dac variabila pe axa Oy va fi curentul de ieire Id(Mn4), iar variabila pe axa Ox va fi tensiunea de ieire V(outn).

Rezistena de ieire se msoar poziionnd cele dou cursoare n jurul punctului static de funcionare definit de tensiunea Voutn=1V i curentul de ieire Iout=30A. Din fereastra de msurare se
citete panta caracteristicii (Slope), rezistena de ieire fiind
Rout

1
19.6M
Slope

Diferena fa de valoarea calculat la analiza punctului static de funcionare este dat de transconductana de substrat gmb4 al tranzistorului Mn4 care a fost neglijat, dar contribuie totui la definiia curentului de dren.
20. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
5

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


Variaia sursei Voutn nu influeneaz ramura de intrare a oglinzii. Astfel, pentru a gsi caracteristica de intrare se modific liniar curentul de intrare Iin furnizat de sursa I1. n profilul de simulare se
schimb sursa n mod corespunztor, limitele de variaie fiind de la 0 la 60A cu pasul de 10nA.
Comanda Spice de pe schem devine .dc I1 0 60u 10n.
Dup rularea simulri n primul pas se ajusteaz variabila de pe axa Oy afind curentul de intrare Id(Mn3). n al doilea pas se schimb variabila de la axa Ox n tensiunea de intrare V(inn).

Panta caracteristicii se msoar poziionnd cursoarele n jurul punctului static de funcionare


definit de curentul de intrare de 30A i citind parametrul Slope din fereastra de msurare. Rezistena de intrare a oglinzii se calculeaz
Rin

1
1
1

4.6k
Slope g m1 217S

Valoarea de mai sus a Rin corespunde aproximativ cu cea determinat prin calcul la analiza PSF.
Precizia de calcul este influenat de poziionarea cursoarelor i aproximarea variaiilor infinitezimale impuse de definiia transconductanei (ID/VGS).
21. Repetai exerciiile 15-20 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

4. Oglinda de curent Wilson asimetric


Schema de test (ogl-wilson-asim-MOS.asc):

Exerciii propuse:
6

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


22. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30A i Vod de 200mV.
23. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este tensiunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:
VGS

VDS

ID

Vod

VTh

gm

gDS

Mn1
Mn2
Mn3
24. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, eroarea factorului de reflexie
nu se reduce, chiar dac oglinda este echilibrat n tensiune. Explicai motivul.
25. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn3)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor de
intrare i de ieire. Se observ eroarea sistematic a factorului de reflexie.
26. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
27. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
28. Repetai exerciiile 22-27 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

5. Oglinda de curent Wilson echilibrat


Schema de test (ogl-wilson-MOS.asc):

Exerciii propuse:
29. Dimensionai tranzistoarele din oglind pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30A i Vod de 200mV.
30. Verificai PSF ale componentelor i determinai rezistena de intrare respectiv ieire. Utilizai formula de calcul de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Ct este tensiunea minim admis la ieirea oglinzii? Completai urmtorul tabel pentru oglinda NMOS:
VGS

VDS

ID

Vod

Mn1
Mn2
Mn3
Mn4
7

VTh

gm

gDS

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


31. Demonstrai prin simulare c dac tranzistoarele sunt identice, factorul de reflexie tinde la
unitate chiar dac oglinda nu este echilibrat n tensiune. Care este rolul tranzistoarelor
cascod?
32. Simulai variaia factorului de reflexie (n=Id(Mn4)/Id(Mn3)) cu dezechilibrul tensiunilor de
intrare i de ieire.
33. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
34. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
35. Repetai exerciiile 29-34 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

6. Oglinda de curent simpl cu tranzistoare bipolare


Schema de test (ogl-simpla-BJT.asc):

Exerciii propuse:
36. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor PNP din schem. Completai urmtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:
Qp1
Qp2

VEB
VEC
IC
IB

646mV 646mV 29.2A 409nA 71.4


646mV
1V
29.4A 409nA 71.9

gm
rBE
1.05mS 64k
1.05mS 64k

rCE
1.82M
1.82M

Punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor se obin rulnd o analiz de tip .OP. Dup crearea profilului corespunztor de simulare i rularea analizei se acceseaz fiierul de ieire i se citesc pe rnd parametrii pentru fiecare tranzistor.
37. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 36.
Echilibrarea oglinzii se face egalnd tensiunile de intrare i de ieire. Din simularea PSF rezult
c tensiunea de intrare a oglinzii este Vin=VEBp1, iar tensiunea de ieire este Vout=VECp2. Pentru a egala Vin cu Vout se regleaz sursa de tensiune Voutp la valoarea VCC-Vin=3V-646mV=2.354V. Dup o
nou rulare a simulrii .OP se poate determina factorul de reflexie a oglinzii din raportul
n

I out I Cp 2 29.18A

0.973
I in
I2
30A

innd cont de faptul c oglinda este echilibrat n tensiune (VECp1=VECp2), din dependena factorului de reflexie de amplificarea n curent a tranzistoarelor se deduce expresia lui
8

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

2n
2 0.973

72.1
2
1 n 1 0.973

Aceast valoare este apropiat de cea calculat de simulator la analiza PSF i trecut n tabelul
cu parametrii tranzistoarelor Qp1 i Qp2.
38. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor.
Rezistena de intrare a oglinzii se calculeaz conform ecuaiei
Rin

1
1

952
g m1 1.05mS

Rezistena de ieire este Rout=rCE2=1.82M.


39. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
Caracteristica de ieire se obine printr-o analiz .DC n care tensiunea de ieire a oglinzii se modific liniar. Variabila modificat n simulare va fi sursa Voutp, valorile date de aceasta variind de la
0V la 3V cu un pas de 1mV. Comanda Spice corespunztoare va fi .dc Voutp 0 3 1m. Dup terminarea analizei, n fereastra grafic se afieaz Ic(Qp2). Semnul negativ este necesar datorit conveniei de semne. n pasul al doilea se schimb variabila de pe axa Ox n 3-V(outp).

Atand ambele cursoare curbei afiate se msoar panta caracteristicii n jurul PSF dat de tensiunea de ieire egal cu 1V. Din fereastra de msurare se citete parametrul Slope, iar rezistena de
ieire msurat va fi
Rout

1
1

1.83M
Slope 0.546S

Aceast valoare corespunde cu cea gsit la analiza punctelor statice de funcionare.


40. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
Caracteristica de intrare se obine tot cu ajutorul unei analize de curent continuu, dar sursa variat va fi I2, corespunztoare curentului de intrare. n profilul de simulare se completeaz parametrii
astfel nct I2 s varieze de la 0 la 50A cu un pas de 10nA. Comanda Spice corespunztoare este
9

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


.dc I2 0 50u 10n. Dup terminarea simulrii se afieaz I(I2), apoi se schimb parametrul de la axa
Ox n 3-V(inp).

Rezistena de intrare se msoar mrind suficient poriunea caracteristicii din jurul curentului de
30A i evalund panta. Rezistena de intrare obinut corespunde aproximativ valorii calculate n
urma analizei punctelor statice de funcionare.
Rout

1
1
1

926
Slope g m1 1.08mS

41. Repetai exerciiile 36-40 pentru varianta NPN a oglinzii de curent.

7. Oglinda de curent bipolar cu compensare de


Schema de test (ogl-efa-BJT.asc):

Exerciii propuse:
42. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai urmtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:
VBE

VCE

IC

IB

Qn1
Qn2
Qn3
10

gm

rBE

rCE

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


43. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 42.
44. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor.
45. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
46. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
47. Repetai exerciiile 42-46 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

8. Oglinda de curent cu degenerare rezistiv


Schema de test (ogl-degR-BJT.asc):

Exerciii propuse:
48. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai urmtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:
VBE

VCE

IC

IB

gm

rBE

rCE

Qn1
Qn2
49. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 48.
50. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor.
51. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
52. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
53. Modificai circuitul astfel nct s obinei un factor de reflexie egal cu 2. Pentru ca circuitul
s funcioneze corect, densitile de curent prin tranzistoare trebuie meninute constante.
54. Repetai exerciiile 48-53 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

9. Oglinda de curent cascod cu tranzistoare bipolare


Schema de test (ogl-cascoda-BJT.asc):

11

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent

Exerciii:
55. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai urmtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:
VBE

VCE

IC

IB

gm

rBE

rCE

Qn1
Qn2
Qn3
Qn4
56. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 55.
57. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor.
58. Simulai variaia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile
de ieire i de intrare.
59. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
60. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
61. Repetai exerciiile 55-60 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

10. Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare bipolare


Schema de test (ogl-wilson-BJT.asc):

12

CIA Laborator 3 Oglinzi de curent


Exerciii propuse:
62. Simulai punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor NPN din schem. Completai urmtorul tabel cu parametrii fiecrui tranzistor:
VBE

VCE

IC

IB

gm

rBE

rCE

Qn1
Qn2
Qn3
Qn4
63. Echilibrai oglinda n tensiune i aflai valoarea amplificrii n curent pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparai rezultatul cu cel din tabelul de la exerciiul 62.
64. Calculai rezistenele de intrare i de ieire utiliznd ecuaiile de la curs i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor.
65. Simulai variaia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile
de ieire i de intrare.
66. Simulai caracteristica de ieire a oglinzii, msurai rezistena de ieire n jurul PSF i determinai valoarea aproximativ a Vo-min.
67. Simulai caracteristica de intrare a oglinzii i msurai rezistena de intrare n jurul PSF.
68. Repetai exerciiile 62-67 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

13

Evaluare