STUDIUL EFECTULUI HALL IN SEMICONDUCTORI

1. Scopul lucrrii
Efectul Hall este unul dintre efectele galvanomagnetice importante pentru
determinarea parametrilor ce caracterizeaz din punct de vedere electric materialele
semiconductoare.
Lucrarea i propune determinarea experimental a dependenei tensiunii Hall de
inducia magnetic a cmpului aplicat, la temperatura camerei. Prin prelucrarea valorilor
msurate se calculeaz constanta Hall, mobilitatea Hall i concentraia purttorilor de
sarcin din proba semiconductoare.

2.Consideraii teoretice
Efectele galvanomagnetice sunt fenomene secundare care iau natere n conductori
sau semiconductori cnd asupra lor acioneaz simultan cmpuri electrice i magnetice.
Intensitatea fenomenelor este maxim cnd cmpul electric i cel magnetic sunt
perpendiculare ntre ele.
Efectul Hall const n apariia unui cmp electric suplimentar ntr-un conductor sau
semiconductor prin care circul un curent electric, plasat ntr-un cmp magnetic aplicat
normal pe direcia curentului; liniile de for ale acestui cmp electric sunt perpendiculare
pe planul format de direciile cmpului magnetic i curentului electric. Purttorii de sarcin
din material sunt deviai de cmpul magnetic, aceasta fiind cauza apariiei cmpului
electric suplimentar, numit cmp Hall. A fost descoperit de E.H. Hall n 1879.
Dac, de exemplu, densitatea de curent electric prin prob, jx , este de-a lungul axei
Ox i cmpul magnetic Bz este de-a lungul axei Oz, atunci cmpul Hall apare fie n
direcia axei Oy (+Oy), fie n sens contrar acesteia (-Oy), depinznd de polaritatea
purttorilor de sarcin din material.
S considerm o prob semiconductoare n care exist purttori de sarcin negativi
(electroni) i pozitivi (goluri). Efectul Hall, n acest caz, implic nu numai concentraiile de
electroni i goluri, notate cu n i respectiv cu p, dar i mobilitile electronilor i golurilor,
n i p .
*Cnd un metal sau un semiconductor se afl ntr-un cmp electric exterior, peste
micarea dezordonat de agitaie termic a purttorilor de sarcin se suprapune micarea
ordonat a lor, sub aciunea cmpului aplicat. Astfel purttorii de sarcin vor ncepe s se
mite n ansamblu, lent, n direcia (purttori pozitivi) sau n direcia opus (purttori
negativi) cmpului, cu o vitez medie de transport, numit i vitez de drift. Mobilitatea
este mrimea vitezei de drift raportat la unitatea de cmp electric: = v / E ; mobilitatea
este definit ca pozitiv att pentru electroni ct i pentru goluri, dei vitezele lor de drift
sunt opuse ca semn.*
1

Dac n este mobilitatea i vn - viteza de drift a electronilor, scriem modulul

vitezei sub forma:
F
(1)
vn = n E = n
e
unde E este modulul intensitii cmpului electric care determin micarea electronilor, iar
F este modulul forei electrice care acioneaz asupra unui electron. O expresie similar se
obine i pentru un gol:
F
(1)
vp = p E = p
e
Cnd cele dou tipuri de purttori de sarcin sunt prezente n proba semiconductoare iar
aceasta este introdus ntr-un cmp magnetic, asupra purttorilor acioneaz fora Lorentz,
r
r r
( F = e v B ) dup cum se observ n fig. 1.

Fig.1.

Se observ c att electronii ct i golurile sunt deviate de cmpul magnetic spre marginea
de jos a probei. Mrimea forei Lorentz este diferit pentru electroni i goluri deoarece
mobilitile i deci vitezele de drift, sunt diferite. Dac circuitul pe direcia Oy este deschis,
la un moment dat se atinge echilibrul i curentul pe aceast direcie va fi nul. S
presupunem c mai multe goluri s-au acumulat la marginea inferioar a probei, astfel nct
n prob exist un cmp electric paralel cu axa Oy, E y , orientat ca n figura 1. Acest cmp
se numete cmp Hall. Densitatea de curent pe aceast direcie este nul i putem scrie:
jy = jp + jn = epvpy + envny = 0
(2)
unde vny i vpy sunt vitezele de drift ale electronilor i respectiv golurilor n direcia
cmpului E y . Din ecuaia (2) obinem:

pvpy = nvny

(3)

Forele care acioneaz asupra celor dou tipuri de purttori de sarcin pe direcia Oy sunt:
Fpy = eE y evpx Bz
Fny = eE y + evnx Bz
i
(4)
unde vpx i vnx sunt vitezele golului i electronului de-a lungul lui Ox. Din ecuaia (1)
ev py
ev ny
obinem expresiile acestor fore: Fpy =
i Fny =
, astfel nct ecuaia (4)
p
n
devine:

ev py
p

= eE y ev px Bz

ev ny

respectiv

= eE y + ev nx Bz

i nlocuind n continuare din ecuaia (1): v px = p Ex i vnx = n Ex , obinem

v py
v ny
= E y p E x Bz
respectiv
= E y + n E x Bz
(5)
p
n
Determinm din ecuaia (5) expresiile pentru v py i v ny i le introducem n relaia (3).
Obinem:

p p E y p 2p E x Bz = n n E y n 2n E x Bz
sau

E y p p + n n = E x Bz p 2p n 2n

(6)

Pentru determinarea lui Ex s calculm densitatea de curent pe direcia Ox:

jx = jpx + jnx = epvpx + envnx = eE x p p + n n
Determinm pe Ex din aceast relaie i l introducem n relaia (6):

eE y p p + n n 2 = jx Bz p 2p n 2n

(7)
(8)

Constanta (sau coeficientul) Hall este un parametru care msoar mrimea

efectului; se definete prin relaia:
Ey
RH =
jx Bz
Obinem din relaia (8) expresia constantei Hall pentru conducia bipolar ntr-un
semiconductor:

RH =

p 2p n 2n

e p p + n n 2

(9)

sau, notnd cu b = n raportul mobilitilor electronilor i golurilor, obinem:

p
RH =

p nb 2
e( p + nb )2

(10)

Relaia obinut arat o constant Hall care depinde de raportul mobilitilor i de

concentraiile golurilor i electronilor. Constanta RH va fi pozitiv sau negativ dup cum

p > nb 2 sau p < nb 2 .

Dac n proba semiconductoare este predominant doar un tip de purttori de
sarcin, de exemplu golurile, atunci condiia (2) devine jy = epvpy = 0 sau vpy = 0 .
Viteza de deviaie dup Oy poate fi nul dac fora Fpy = 0 ; din relaia (4) se observ c n
acest caz fora Lorentz echilibreaz fora cmpului electric de pe direcia Ox care
genereaz curentul din prob. Particulariznd relaia (9) obinem expresia constantei Hall
n acest caz:
1
RH =
(11)
pe
3

3. Metoda experimental
Dimensiunile probei semiconductoare (p-Ge) i direciile de aplicare a cmpurilor
electric i magnetic sunt artate n fig. 2: a = 10 mm; b = 1 mm; c = 20 mm. Rezistena
electric a probei este R = 35 .

Fig.2.

Intensitatea cmpului electric Hall, conform fig. 2, este:

U
EH = H
a
Acest cmp determin apariia forei electrice, Fel = eE H , care acioneaz mpreun cu
fora Lorentz asupra electronilor. La echilibru: eE H = evB . innd cont de expresia
j
tensiunii Hall, de expresia vitezei de drift v =
i de relaia (11), obinem relaia pe care
ne
se bazeaz determinarea experimental a constantei Hall:
j
IB
(12)
U H = aE H = avB = a
B = aRH jB = RH
ne
b
Cunoscndu-se valoarea constantei Hall, se determin concentraia electronilor din prob
folosind relaia (11) i mobilitatea Hall conform relaiei:
= RH
(13)
1
unde =
(inversul rezistivitii electrice) este conductivitatea electric a probei care

poate fi determinat dac se cunoate rezistena electric a acesteia.

Fig.3.

Dispozitivul experimental (fig.3) conine un electromagnet ntre polii cruia este

plasat proba semiconductoare. Inducia magnetic se msoar cu un teslametru digital
(prevzut chiar cu o sond Hall care reprezint una dintre aplicaiile efectului Hall);
intensitatea curentului se msoar cu un miliampermetru digital i se citete pe un display
integrat n modulul Hall care susine proba; tensiunea Hall se msoar cu un multimetru
digital. Modulul se alimenteaz de la sursa de tensiune la 12 V curent alternativ.
Pentru a determina dependena tensiunii Hall de inducia magnetic fixai succesiv
curentul prin prob la valorile de 10mA 20mA - 30 mA. Variai apoi, pentru fiecare
valoare a curentului, inducia magnetic de la 300 mT pn la 300 mT din 50 n 50 mT.
La valoarea zero trebuie s schimbai polaritatea curentului prin bobine. Notai ntr-un
tabel valorile tensiunii Hall pentru fiecare valoare a induciei magnetice.
B (mT)

U H (mV)

U H (mV)

U H (mV)

I = 10mA

I = 20mA

I = 30mA

-300
-250
-200
.
.
.

4. Prelucrarea datelor experimentale

Etapele prelucrrii datelor sunt urmtoarele:
- Reprezentai grafic U H = f (B ) , pentru fiecare valoare a curentului prin prob;
conform relaiei (12), din panta dreptei obinute, calculai constanta Hall.
- Pe baza constantei Hall calculai concentraia golurilor din prob, conform relaiei
(11); valoarea sarcinii elementare este e = 1,60210-19 C.
- calculai conductivitatea probei i mobilitatea golurilor, conform relaiei (13).

ntrebri
1. n ce const efectul Hall?
2. Ce este constanta Hall i care este utilitatea ei? Scriei relaiile cunoscute pentru
constanta Hall, preciznd mrimile fizice pe care le conin.
3. Precizai unitile de msur n SI pentru mrimile fizice: densitate de curent,
concentraia purttorilor de sarcin, intensitatea cmpului electric, inducia magnetic,
mobilitatea purttorilor, constanta Hall, rezistivitate electric, conductivitate electric.