Sunteți pe pagina 1din 21

CAPITOLUL 1.

Celula fotovoltaic
Celula solar este un dispozitiv care convertete energia solar de la soare n
electricitate. Celulele solare au o arie mare de raspndire cum ar fi: calculatoare,
ceasuri, maini. n ultimul timp celulele solare sunt folosite din ce n ce mai des pentru
iluminarea caselor.
Celulele solare nu genereaz dioxid de carbon (CO 2), deci nu contribuie la
nclzirea global. Celulele nu produc nici oxid de sulf (SO x) sau oxid de azot (NOx) care
duc la ploi acide.
Spre deosebire de combustibili fosili (petrol, crbuni, gaze naturale) care au
resurse limitate, energia solar este practic infinit.
O celul fotoelectric poate fi asimilat cu o o dioda fotosensibil, funcionarea ei
bazndu-se pe propietaile materialelor semiconductoare.
Celula fotoelectric permite conversia direct a energiei luminoase n energie
electric. Principiul de funcionare se bazeaz pe efectul fotoelectric.
De fapt, o celula este constituit din dou straturi subiri de material
semiconductor. Cele dou straturi sunt dopate diferit:
-

pentru stratul N, aport de electroni periferici

pentru stratul P, deficit de electroni.

Figura 1.1 Structura unei celule solare

ntre cele dou straturi va apare o diferen de potenial electric. Energia fotonilor
luminii, captai de electronii periferici (stratul N) le va permite acestora s depeasc
bariera de potenial si s creeze astfel un curent electric continuu.
12

Pentru colectarea acestui curent, se depun, prin serigrafie, electrozi pe cele dou
straturi semiconductoare. Electrodul superior este o gril ce permite trecerea razelor
luminoase. Pe acest electrod se depune apoi un strat antireflectorizant, pentru cresterea
cantitii de lumin absorbit.
1.1 Principiul de funcionare
Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare n principiu sunt construite
ca nite fotodiode cu suprafa mare care ns nu se utilizeaz ca detectoare de radiaii
ci ca surs de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin absorbie de energie
(caldur sau lumin) elibereaz purtatori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de
un cmp electrostatic intern pentru ca din aceti purttori s se creeze un curent electric
dirijandu-i in direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni p-n. Pentru c
intensitatea fluxului luminos scade exponenial cu adancimea, aceast jonciune este
necesar s fie ct mai aproape de suprafaa materialului i s se patrund ct mai
adnc.
Aceast jonciune se creeaz prin impurificarea controlat. Pentru a realiza
profilul dorit, n mod normal se impurific n un strat subire de suprafata i p stratul
gros de dedesubt n urma cruia apare jonciunea. Sub aciunea fotonilor apar cupluri
electron-gol n jonciune, din care electronii vor fi accelerai spre interior, iar golurile spre
suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor recombina n jonciune
rezultnd o disipare de caldur, restul curentului putnd fi utilizat de un consumator,
ncrcat ntr-un acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat n reeaua public.
Tensiunea electromotoare maxima la bornele unei celule solare (de exemplu la
cele mai utilizate, celulele de siliciu cristaline) este de 0,5 V.
Structura celulelor solare se realizeaz n asa mod nct s absoarb ct mai
mult lumin i s apar ct mai multe sarcini n jonciune. Pentru aceasta electrodul de
suprafat trebuie s fie transparent, contactele la acest strat s fie pe ct posibil de
subiri, pe suprafaa se va aplica un strat antireflectorizant pentru a micora gradul de

13

reflexie a luminii incidente. Acestui strat antireflectorizant i se atribuie culoare negrualbstruie a celulelor solare care far aceasta ar avea o culoare gri-argintie.
Grosimea stratului influenteaz culoarea celulei (culoarea de interferent).
Grosimea stratului trebuie s fie ct se poate de uniform, deoarece abateri de caiva
nanometri mresc gradul de reflexie. Celulele i datoreaz culoarea albastr realizrii
unei grosimi ce corespunde lungimii de und a culorii roii, culorea cea mai bine
absorbit de siliciu. n principiu nsa n acest mod se pot realiza celule roii, galbene,
sau verzi la cerine arhitectonice deosebite, dar vor avea un randament mai slab. n
cazul nitratului de siliciu i a bioxidului de siliciu stratul antireflectorizant mai are i un rol
de a reduce viteza de recombinare superficiala.
1.2 Modelul matematic
Modelul matematic al celulei fotoelectrice se poate obine, plecnd de la cel al
jonciunii PN. Se adaug curentul Iph, proporional cu iluminarea i un termen ce
modeleaz fenomenele interne. Curentul I furnizat de celul se poate scrie:

q U Rs I U Rs I
I I ph I 0 d e k T 1
Rsh

(1)

q U Rs I

I d I 0 d e k T
1

(2)

n care:
Iph - fotocurent, sau curent generat prin iluminare [A];
I0d - curent de saturaie [A];
Rs - rezistena serie [];
Rsh - rezistena paralel [];
k - constanta lui Boltzmann (k = 1,38.10-23);
q - sarcina electronului (q = 1,602.10-19 C);
T - temperatura celulei (K).
Expresia de mai sus se poate deduce din schema echivalent

14

Figura 1.2 Schema echivalent a unei celule solare

Dioda modeleaz comportamentul celulei n intuneric.


Sursa de curent modeleaza curentul Iph generat prin iluminare.
Rezistentele modeleaza pierderile interne:
-rezistena serie Rs - modeleaz pierderile ohmice ale materialului
-rezistena paralel Rsh - modeleaz curenii parazii ce parcurg celula.
Ideal, se poate neglija Rs i I faa de U, i s se lucreze cu un model simplificat:
qU

U
I I ph I 0 d e k T 1

Rsh

(3)

Cum rezistena paralel este mult mai mare dect rezistena serie, se poate neglija
curentul prin Rsh.
qU

I I ph I 0 d e k T 1

(4)

Astfel putem obine schema echivalent simplificat care corespunde celulei ideale.

Figura 1.3 Schema echivalent simplificat a unei celule solare

15

1.3 Caracteristicile tehnice ale celulelor solare


Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt dai pentru condiii standard (STC,
Standard Test Conditions):
-

Intensitate luminoas de 1000 W/m2 in zona panoului

Temperatura celulei solare constant 25 C

Spectrul luminii AM 1,5 global

Se definete randamentul energetic al unei celule, ca fiind raportul dintre puterea


electric maxim i puterea incident:

n care:

Pm
ES

(5)

E - iluminarea [W/m];
S - suprafaa activ a panourilor [m].
Pm - puterea maxim masurat n condiiile STC (Standard Test Conditions), respectiv
n spectrul AM1.5, la o temperatur de 25C i iluminare de 1000 W/m.
Randamentul unei celule este, n general, destul de sczut, de ordinul 10 - 20%.
Au fost obinute randamente mai bune cu materiale noi (n laborator, arseniura de galiu
AsGa ofer un randament mai mare de 25%) sau cu tehnologii experimentale
(tehnologia multistraturi), deseori dificile i costisitoare pentru a fi puse n practic.
n aceste condiii, materialul fotoelectric cel mai utilizat este siliciul, care
reprezint o soluie economic. Pentru astfel de celule, randamentul energetic nu
depasete 15%.
Pe baza caracteristicilor curent-tensiune i putere-tensiune, se pot obine i ali
parametrii:
Curentul de scurtcircuit Icc, respectiv curentul debitat de celul, atunci cand tensiunea
la bornele sale este nul. Practic, acest curent este foarte apropiat de fotocurentul Iph.
Tensiunea n gol Vco, respectiv, tensiune la bornele celulei, atunci cnd curentul debitat
este nul.
ntre cele dou extreme, exist un optim care ofer puterea maxim Pmax sau MPP
(Maximum Power Point).
Factorul de form, care arat ct de ideal este caracteristica, respectiv raportul:

16

Pm
(6)
Vco I cc
Randamentul celulelor solare comerciale este de circa 20 %, iar modulele
FF

construite cu acestea ating un randament de circa 17 %. Recordul pentru celulele


fabricate n condiii de laborator este de 24,7 % , din care s-au confecionat panouri cu
un randament de 22 %. Preul acestor module fabricate prin procedeul de topire zonal
este de circa 200 Euro pe celul la o suprafa a celulei de 21,6 cm 2, corespunznd unui
cost de 5-10 Euro/W.
mbtrnirea conduce la scaderea randamentului cu circa 10 % n 25 ani.
Fabricanii dau garanii pe cel putin 80 % din puterea maxim n 20 ani.
n spaiu constanta solar este mai mare dect iluminarea global pe pamnt,
totodata celulele solare mbtrnesc mai repede. Panourile pentru satelii ating
momentan un randament de 25 % la o durat de viaa de 15 ani.
1.4 Tipuri de celule solare
Celulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii. Cel mai folosit criteriu este
dup grosimea stratului materialului. Aici deosebim celule cu strat gros i celule cu strat
subire. Un alt criteriu este felul materialului: se intrebuineaz, de exemplu, ca materiale
semiconductoare combinaiile CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este
siliciul. Dup structura de baz deosebim materiale cristaline(mono-policristaline)
respectiv amorfe.
n fabricarea celulelor fotovaltaice pe lang materiale semiconductoare, mai nou,
exist posibiltatea utilizrii materialelor organice sau a pigmenilor organici.
Cel mai utilizat material pentru realizarea fotopilelor sau a celulelor solare este
siliciul, un semiconductor de tip IV. Acesta este tetra-valent, ceea ce nseamn c un
atom de siliciu se poate asocia cu patru ali atomi de aceeai natur.
Se mai utilizeaz arseniura de galiu i straturi subiri de CdTe (telura de cadmiu), CIS
(cupru-indiu-diseleniu) i CIGS (cupru-indiu-galiu-diselenat).

17

Figura 1.4 Tipuri de celule solare

1.5 Clasificarea celulelor solare


O prim clasificare a celulelor se poate face dupa tipul de material din care este
alctuit celula. Celulele pot fi fabricate din mai multe tipuri de materiale:
Celule pe baza de siliciu
- Strat gros:
-

Celule monocristaline (c-Si) randament mare - n producia n serie se


pot atinge pn la peste 20 % randament energetic, tehnica de
fabricaie pus la punct; totui procesul de fabricaie este energofag,
ceea ce are o influen negativ asupra periodei de recuperare (timp n
care echivalentul energiei consumate n procesul de fabricare devine
egal cantitatea de energia generat)

Celule policristaline (mc-Si) la producia n serie s-a atins deja un


randament energetic de peste la 16 %, cosum relativ mic de energie n
procesul de fabricaie, i pan acum cu cel mai bun raport pre
performant.

18

- Strat subire:
-

Celule cu siliciu amorf (a-Si) au cel mai mare segment de pia la


celule cu strat subire; randament energetic al modulelor de la 5 la 7 %;
nu exist strangulri n aprovizionare chiar i la o producie de ordinul
TeraWatt

Celule

pe

baz

de

siliciu

cristalin,

ex.

microcristale

(c-Si)

n combinaie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeai ca


la siliciul amorf
Celule pe baz de elemente semiconductoare din grupa III-V
Celule cu GaAs au randament mare, foarte stabile la schimbrile de temperatur,
la ncalzire au o pierdere de putere mai mic dect la celulele cristaline pe baz de
siliciu, robust vizavi de radiaia ultraviolet, tehnologie scump, se utilizeaz de obicei n
industria spaial (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
Celule pe baz de elemente semiconductoare din grupa II-VI
Celule cu CdTe utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD(depunere de
staturi subiri pe suprafee mari n mediu cu pH , temperatur i concentraie de regent
controlate) ; n laborator s-a atins un randament de 16 %, dar modulele fabricate pna
acum au atins un randament sub 10 %, dar nu se cunoate fiabilitatea. Din motive de
protecia mediului este improbabila utilizarea pe scara larg.
Celule CIS, CIGS
CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs n staie pilot la firma
Wrth Solar n Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell n
Berlin, iar CIGS pentru Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs n statie pilot n Uppsala n
Suedia. Producatorii de mai sus promit trecerea la producia n mas n anul 2007.
Celule solare pe baz de compui organici
Tehnologia bazat pe chimia organic furnizeaz compui care pot permite
fabricarea de celule solare mai ieftine. Prezint, totusi, un impediment faptul c aceste
celule au un randament redus i o durat de via redus (max. 5000h). nca nu exist
celule solare pe baz de compusi organici pe pia.

19

Celule pe baza de pigmeni


Numite i celule Grtzel utilizeaz pigmeni naturali pentru transformarea luminii
n energie electric; o procedur ce se bazeaz pe efectul de fotosintez. De obicei sunt
de culoare mov.
Celule cu electrolit semiconductor
De exemplu soluia: oxid de cupru, NaCl. Sunt celule foarte uor de fabricat dar
puterea i sigurana n utilizare sunt limitate.
Celule pe baz de polimeri
Deocamdat se afl doar n faza de cercetare.
Un alt criteriu de clasificare l reprezint structura de baz a meterialelor.
Celule solare cristaline.
La celulele solare actuale randamentul este de circa 12 - 17 %. Adesea
fabricantul acord o garanie la randament de 80 - 85 % (la puterea de vrf) dupa 20
ani.Rezult deci dupa un timp de utilizare ndelungat pierderi destul de limitate, ceea ce
ndreptaete utilizarea sistemelor cu panouri solare.
Pentru mbtrnirea propriu-zis a celulelor solare raspunzatoare sunt defecte
provenite din recombinare, ceea ce reduce durata de viaa a purttorilor de sarcin cu
circa 10 % faa de valoarea iniial. n celulele fabricate dup procedeul Czochralski
mbatrnirea este produs de crearea de compui complexi cu bor-oxigen.
Celulele monocristaline. Celulele rezult din asa numitele Wafer (placi de siliciu
dintr-un cristal). Aceste cristale reprezint materia de baz pentru industria de
semiconductori i sunt destul de scumpe.
Acest tip de fotopile sunt primele care au fost realizate, pe baza unui bloc de
siliciu cristalizat ntr-un singur cristal.
Ele se prezint sub forma unor plachete rotunde, ptrate sau pseudo-ptrate.
Randamentul lor este de 12 - 16%. Totui, ele au dou dezavantaje: preul ridicat
si o durat mare de amortizare prin energia furnizat.
Celule multicristaline sau policristaline. Celulele sunt din plci care conin zone cu
cristale cu orientri diferite. Acestea pot fi fabricate de exemplu prin procedeul de

20

turnare, sunt mai ieftine i ca atare cele mai rspndite n producia de dispozitive
fotovoltaice. Deseori ele se numesc i celule solare policristaline.
Acest tip de celule se realizeaz pe baza unui bloc de siliciu cristalizat n mai
multe cristale, care au orientri diferite. Randamentul lor este de 11 - 13%, dar presupun
un cost de producie mai redus dect cel al celulelor monocristaline.
Celule solare amorfe.
Celulele solare constau dintr-un strat subire de siliciu amorf (far cristalizare) i
din aceast cauz se numesc celule cu strat subire. Se pot produce de exemplu prin
procedeul de condensare de vapori de siliciu i sunt foarte ieftine, dar au un randament
sczut n spectru de lumin solar, totui au avantaje la lumin slaba.
Aceste celule ating un grad avansat de mbtrnire de pana la 25 % n primul an
de funcionare de aceea pentru acest tip de panouri solare n caracteristicile tehnice din
documentele de insoire nu se d puterea atins la fabricaie ci puterea de dup
procesul de mbtrnire.
Ca urmare acest tip de panouri au caracteristici mai bune la cumprare dect
cele din documente.
mbtrnirea se produce sub aciunea luminii i este rezultatul aa numitului efect
Staebler-Wronski(SWE). n cadrul acestuia siliciul hidrogenat amorf (a-Si:H) metastabil
trece printr-o faz de cretere a concentratiei defectelor cu un ordin de mrime, paralel
cu scderea conductivitii i deplasarea nivelului Fermi ctre mijlocul distanei dintre
banda de valen i banda de conducie. Dupa circa 1000 ore de expunere la soare,
celulele de siliciu amorf ating un grad de saturare stabil.
Aceste celule sunt realizate dintr-un suport de sticl sau material sintetic, pe care
se depune un strat subire de siliciu (organizarea atomilor nu este regulat, ca n cazul
unui cristal). Randamentul lor este de 5 - 10%, mai mic dect al celulelor cristaline, dar
preul este bun.
Ele sunt utilizate n mici produse comerciale (ceasuri, calculatoare), dar pot fi
utilizate i n instalaiile solare.
Ele au avantajul de a se comporta mai bine la lumina difuz i la cea
fluorescent, fiind deci mai performante le temperaturi mai ridicate.

21

Celule cu CdTe, CIS i CIGS.


Tehnologiile CdTe, CIS i CIGS sunt n curs de dezvoltare sau de industrializare:
Celulele cu CdTe se bazeaz pe telura de cadmiu, material interesant datorit
proprietii de absorbie foarte mare. Totui, dezvoltarea lor risc s fie frnat datorit
toxicitaii cadmiului.
Celulele cu CIS (CuInSe2) se bazeaz pe cupru, indiu i seleniu. Acest material
se carcterizeaz printr-o bun stabilitate sub aciunea iluminrii. Ele au proprieti de
absorbie excelente.
Celulele cu CIGS sunt realizate din aceleai materiale ca i cele cu CIS, avnd
ca particularitate alierea indiului cu galiu. Aceasta permite obinerea unor caracteristici
mai bune.
1.6 Compararea caracteristicilor tehnice a celulelor solare
Celulele se comport diferit, n funcie de compoziia lor. Astfel randamentul
variaz n funcie de tipul de celul ales.

Figura 1.5 Valorile tipice pentru randament i factorul de umplere

Putem vedea c celulele variaz n funcie de condiiile de mediu. Astfel n


laborator, avnd condiii optime celulele prezint un randament maxim. Modulele
prototip au un randament intermediar, n timp ce modulele comerciale au cel mai mic
randament, acesta datornduse condiiilor n care sunt utilizate.

22

Figura 1.6 Variaia randamentului n funcie de mediul de exploatare

Fiecare celul are avantajele i dezavantajele ei. n tabelul urmtor sunt descrise
cele mai importante celule care se afl acum pe piaa, si putem vedea avantajele i
dezavantajele folosirii fiecrui tip de celul.

Figura 1.7 Avantajele i dezavantajele diferitelor tipuri de celule

23

1.7 Moduri de asamblare


n funcie de tehnologia utilizat, o singur celul solar genereaz o tensiune
MPP de aproximativ 0,5 V pn la 2 V. Prin urmare, echipamentele electrice nu pot fi
alimentate la aceast tensiune sczut, n afar de cazul dispozitivelor mici sau
jucriilor.
n general, este necesar o tensiune ridicat. Aceasta poate fi produs prin
conectarea celulelor n serie, ca n cazul bateriilor. De exemplu, n modulele standard
sunt conectate n serie 36 de celule de Si cristalin, producnd o tensiune MPP de
aproximativ 18 V, corespunztoare ncrcrii bateriilor cu o tensiune de 12 V.
n acelai timp, sunt module standard cu 72 de celule i module speciale alctuite
din mai mult de 100 de celule conectate n serie. Prin urmare, astfel de module solare
pot fi conectate n serie, sub form de ir, formnd un generator solar care dezvolt
tensiuni mai mari de cteva sute de voli.
Pentru a asigura puterea de ieire dorit a generatorului solar, cteva module sau
iruri pot fi conectate n paralel, conducnd la creterea curentului electric. Aceast
interconectare modular permite generatoarelor fotovoltaice s fie proiectate cu puteri
de ieire de la mW pn la MW, toate cu aceeai tehnologie de baz.
1.7.1 Conectarea celulelor solare n serie
Celulele pot fi conectate n serie ca n figura de mai jos.

Figura 1.8 Conectarea n serie a trei celule solare similare

24

Celulele solare i modulele solare sunt conectate n serie pentru a produce


tensiuni totale mai mari. n conexiunea serie curentul este acelai n toate celulele astfel
nct, tensiunea total este rezultatul sumei tensiunilor individuale.

Figura 1.9 Curba curent-tensiune a trei celule conectate n serie

Conexiunea serie a celulelor i modulelor are totui un dezavantaj major: fragila


legtur determin performana ntregului ir. Chiar dac numai o celul este parial
umbrit, aceast celul determin curentul total i prin urmare puterea de ieire a
ntregului ir. Umbrirea trebuie astfel evitat n msura posibilului.
Chiar mici zone umbrite ca cele determinate de stlpi, cabluri, vrfuri de copaci,
frunze, excrement de pasre i praf conduc n general la pierderi de productivitate i
sunt de obicei cauzele unei producii de energie nesatisfctoare a sistemelor
fotovoltaice.
Producia de energie nesatisfctoare este posibil i n cazul conectrilor n
serie a celulelor cu diferite caracteristici datorate toleranelor de fabricaie sau dac pri
de celule din interiorul modulului sunt sparte i prin urmare devin inactive. i n acest
caz celula fragil influeneaz performana global.
Celulele i modulele trebuie sortate i asamblate mpreun n aa fel nct s
produc acelai curent MPP. Aceast condiie suplimentar este rspltit de creterea
productivitii de energie.

25

1.7.2 Conectarea celulelor solare n paralel


Celulele pot fi conectate n paralel ca n figura de mai jos.

Figura 1.10 Conectarea n paralel a trei celule solare similare

Dac sistemul trebuie s produc cureni mari, modulele sau irurile pot fi
conectate n paralel.

Figura 1.11 Curba curent-tensiune a trei celule conectate in paralel

La conexiunea n paralel, toate celulele au aceiai tensiune, iar curentul global


este rezultatul curenilor individuali.
Ca i conexiunile n serie, se pune ntrebarea cum afecteaz umbrirea,
performana unei singure celule sau a unui singur modul. n general, efectele produciei

26

de energie este ceva mai sczut fa de cea a unui sistem cu acelai numr de celule
conectate n serie.
n particular, n cazul conexiunii n paralel, n mod obinuit nu este pericolul ca o
celul umbrit s fie suprancrcat de curentul invers dat de celelalte celule din irurile
tipice. n aplicaiile de tensiuni joase, ca sistemele solare pentru locuine diodele de ir
pot fi n general omise.
1.7.3 Conectarea mixta a celulelor solare
n figura de mai jos avem 9 celule distribuite in 3 serii de celule conectate in paralel.
Fiecare serie contine la rndul ei 3 celule.

Figura 1.12 Conectarea mixta a celulelor solare

Diagrama instalaiei electrice i curbele rezultante ale curbei curent tensiune


pentru generatorul solar cu cteva module solare conectate n serie i n paralel.

Figura 1.13 Curba curent-tensiune a celulelor conectate in serie si in paralel

27

1.8 Conversia energiei solare n energie electric


Efectul fotovoltaic este datorat eliberrii de sarcini electrice negative (electroni) i
pozitive (goluri), intr-un material solid, atunci cnd suprafaa acestuia interacioneaz cu
lumina. Datorit polarizrii electrice a materialului respectiv, care se produce sub
aciunea luminii, apare o tensiune electromotoare, care poate genera curent electric intrun circuit nchis. Dispozitivele care functioneaz pe baza acestui fenomen, sunt
denumite celule fotovoltaice, sau celule electrice solare.
Pentru a permite furnizarea unei puteri electrice rezonabile, celulele fotovoltaice
nu funcioneaz individual ci legate n serie ntr-un numr mai mare, alctuind panouri
fotovoltaice, sau panouri electrice solare (a nu se confunda cu panourile solare
pentru producerea energiei termice, denumite i colectori solari sau panouri solare
termice).
Celulele fotovoltaice pot fi realizate din mai multe materiale semiconductoare, dar
peste 95% din celulele solare sunt realizate din siliciu (Si), care este al doilea element
chimic cel mai rspndit n scoara terestr, reprezentnd circa 25% din aceasta, deci
este disponibil n cantiti suficiente, fiind astfel si ieftin. n plus, procesele de prelucrare
a acestui material nu sunt agresive pentru mediul ambiant.

Figura 1.14 Structura energetic a meterialelor semiconductoare

Analizarea acestei scheme energetice este util n vederea ntelegerii condiiilor


n care semiconductorii pot deveni materiale conductoare de curent electric. n situaii
normale, electronii ocup n jurul nucleelor atomilor materialului respectiv, diferite nivele

28

energetice denumite i straturi sau benzi energetice. Aceste nivele energetice accesibile
pentru electroni, sunt separate de benzi energetice interzise, reprezentnd adevarate
bariere energetice pentru electroni. Nivelul energetic cel mai ridicat dintre cele ocupate
de electroni, este denumit i band energetic de valen, sau mai simplu band de
valent. Urmatorul nivel energetic accesibil electronilor, dar neocupat de
acetia, este denumit band energetic de conducie, sau mai simplu band de
conducie.
Este evident c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de valen
i ale benzii de conducie sunt diferite. Diferena de potenial energetic E, dintre banda
de conducie i banda de valen, reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre
cele dou straturi, este diferena dintre nivelurile energetice E c al benzii de conducie i
Ev al benzii de valen

E=E c-Ev. n cazul siliciului monocristalin, valoarea acestei

bariere energetice este E1eV, iar n cazul siliciului amorf poate s ajung la
E1,7eV. Aceste valori ale barierei energetice, reprezint cuante de energie care
trebuie s fie transmise electronilor de pe stratul de valent pentru ca acestia sa devin
liberi, adic pentru a putea trece pe banda de conducie. Prin supunerea materialelor
semiconductoare de tipul siliciului la radiaia solar, fotonii, sau cuantele de lumin cum
mai sunt numii acestia, sunt capabili s transmit electronilor de pe banda de valent,
energia necesar pentru a depai bariera energetic i a trece pe banda de conducie.
Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice.
n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice Si este impurificat (dopat) cu diferite
elemente chimice, pentru obinerea unui surplus de sarcini electrice negative (electroni)
sau pozitive (goluri). Se obin astfel straturi de siliciu semiconductoare de tip n, respectiv
de tip p, n funcie de tipul sarcinilor electrice care predomin. Prin alturarea a dou
asemenea straturi de material semiconductor, caracterizate prin predominant diferit a
sarcinilor electrice, n zona de contact, se obine o asa numita jonctiune de tip p-n de
tipul celei reprezentate schematic

29

Figura 1.15 Jonctiunea p-n

Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact,


electronii excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n
electroni. Analog, golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n
stratul n, deficitar n sarcina electric pozitiv. Tendina de migrare a sarcinilor electrice
ntre straturile jonctiunii p-n este artat n figura 1.16.

Figura 1.16 Migrarea electronilor ntre straturile jonciunii p-n

Amploarea migraiei sarcinilor electrice ntre cele dou straturi ale jonciunii p-n
este limitat de nivelul energetic al purttorilor celor dou tipuri de sarcini electrice.
Astfel, cu toate c nu se va realiza o reechilibrare la nivelul sarcinilor electrice n
toat profunzimea celor dou straturi, o zon superficial din stratul p va fi ocupata de
sarcini electrice negative (electroni), iar o zona superficial din stratul n, va fi ocupat de
sarcini electrice pozitive (goluri). Ca efect, se va produce o redistribuire a sarcinilor
electrice n zona jonciunii p-n. Apariia unei diferene de potenial electric n zona
jonciunii p-n este ilustrat n figura 1.17.

30

Figura 1.17 Diferenta de potential local la nivelul jonciunii

Se observ c efectul acestei redistribuiri este reprezentat de apariia unei


diferene de potenial locale, la nivelul jonciunii. Aceast diferen interna de potenial
reprezint o barier care mpiedic o eventual deplasare ulterioar a sarcinilor electrice
negative din stratul n spre stratul p i a celor pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile
electrice libere din cele dou straturi sunt respinse din zona jonciunii spre suprafeele
acestor straturi, opuse jonciunii p-n.
Este cunoscut faptul c lumina prezint un caracter dual, avnd atat caracteristici
de und, conform teoriei ondulatorii a luminii, ct i caracteristici corpusculare, conform
teoriei corpusculare, sau fotonice a luminii. Din punctul de vedere al efectului fotovoltaic
este mai util ca lumina s fie considerat ca avnd caracter corpuscular.
Daca jonciunea p-n este supus radiatiei solare, fotonii avnd un nivel energetic
suficient de ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate mai
mare), sunt capabili s transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de
valent ale atomilor, pentru a trece pe straturile de conducie si s devin electroni liberi.
Sub aciunea diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul
jonciunii p-n, electronii liberi care se formeaz n stratul n, sunt respini spre suprafaa
stratului n al jonciunii, iar electronii liberi care se formeaz n stratul p, sunt atrai spre
zona de jonciune, pe care o vor traversa i odata ajuni n stratul n, sunt respini spre
suprafaa acestui strat. Fiecare electron liber, n momentul trecerii sale pe stratul de
conducie, las n urm un gol (sarcin electric pozitiv) n structura atomului pe care la parsit, astfel c sub aciunea radiaiei solare nu apar doar electroni liberi ci perechi
de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri). Sub aciunea diferenei
interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, golurile care se

31

formeaz n stratul p sunt respinse spre periferia stratului p al jonciunii, iar golurile care
se formeaz n stratul n, sunt atrase spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i
odat ajuni n stratul p, sunt respini spre suprafaa acestui strat.

Figura 1.18 Polarizarea suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n

n urma deplasrii sarcinilor electrice n cele dou straturi i n zona jonciunii p-n,
conform mecanismului prezentat, se produce o polarizare electric la nivelul
suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n. n figura 1.18 putem vedea polarizarea
suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n.
Dac suprafeele exterioare ale jonciunii p-n sunt acoperite cu cate un strat
metalic, reprezentnd fiecare cte un electrod, ntre acetia se va manifesta o diferen
de potenial, care ntr-un circuit nchis va produce manifestarea unui curent electric.
Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta
timp ct se manifesta radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare
va produce i variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului
electric. Jonciunea p-n, impreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic
sau o celul elctric solar.

32