Prctica 2: TIEMPOS DE RESPUESTA

DE DISTINTOS DIODOS

OBJETIVO:

El alumno armar los circuitos que permitan obtener los tiempos de respuesta de distintos
diodos como: diodo Rectificador, diodo de respuesta rpida o conmutacin de silicio (Si),
diodo de germanio (Ge) o bien de diodo emisor de luz (LED).
El alumno medir, reportar e interpretar los tiempos de almacenamiento, los tiempos de
decaimiento y los tiempos de recuperacin inversa en cada diodo que estar bajo prueba.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRCTICA

Investigar que representa cada uno de los tiempos: almacenamiento, de decaimiento y de
recuperacin inversa, en cada uno de los diodos que est bajo prueba.
Investigar las caractersticas y limitaciones de cada uno los diodos de la prctica, en cuanto a la
frecuencia y a los tiempos de funcionamiento.
Investigar cmo se obtienen los tiempos de decaimiento (td), tiempo almacenamiento (ta) y tiempo
de recuperacin inversa (trr).
Investigar cmo se miden los tiempos de decaimiento (td), tiempo almacenamiento (ta) y tiempo
de recuperacin inversa (trr), en un osciloscopio.
Realizar la simulacin de los circuitos para obtener los tiempos de respuesta del diodo
rectificador, del diodo de conmutacin o respuesta rpida del diodo de (Si), y del diodo de Ge o
del diodo emisor de luz (LED).
Traer hojas de especificaciones de cada uno de los diodos que se emplearn en la prctica.
Traer los circuitos armados.
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO: (anotar el material y equipo utilizado en la prctica)

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Prctica 2: TIEMPOS DE RESPUESTA

DE DISTINTOS DIODOS

DESARROLLO:
TIEMPOS DE RESPUESTA
1. Para cada uno de los diodos comerciales y de los resistores comerciales, que se emplearn en la
prctica, consultar las hojas de especificaciones. Realizar una tabla que muestre de manera
sintetizada las caractersticas de tiempos de respuesta y frecuencia de cada dispositivo.
2. Para cada dispositivo dibujar el isomtrico identificando en cada caso cada una de sus terminales.
3. En el circuito de la fig. 1 con el diodo bajo prueba y un resistor de aproximadamente 1K a W o
ms, observar y dibujar las grficas (en base de tiempo de) VD vs t y VR vs t. Reportar las
mediciones de los tiempos de almacenamiento (ta), decaimiento (td) y recuperacin inversa (trr), as
como la corriente elctrica del semiciclo positivo y negativo. Tomar la grfica del resistor para realizar
las mediciones. Alimentar el circuito con una seal cuadrada con una frecuencia entre 60 y un 1KHz
y con una amplitud de 5Vp.
NOTA: Para cada uno de los diodos realizar el mismo procedimiento.

+
D CH1

Vs

R
+

CH2 inv

Fig. 1
3.1 Posteriormente para el mismo el circuito de la fig. 1, con el diodo bajo prueba. Con la misma
amplitud del punto anterior pero variando la frecuencia del generador a frecuencias mayores a 1KHz.
Anotar los cambios observados en la grfica del resistor (VR vs t), con la variacin de la frecuencia en
sus diferentes escalas y dibujar la grfica en la cual se puedan medir los tiempos de respuesta (ta, td,
y trr).
NOTA: Para cada uno de los diodos realizar el mismo procedimiento.
3.2 A partir de las mediciones de los tiempos de cada de almacenamiento (ta), decaimiento (td) y
recuperacin inversa (trr), as como la corriente elctrica del semiciclo positivo y negativo; realizadas
en cada uno de los diodos, elaborar una tabla en la que se muestre las mediciones que permitan
realizar un comparativo con las mediciones en cada diodo.
3.3 Para cada uno de los diodos, a partir de las observaciones anotar comentarios y conclusiones.

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