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República de Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educación

E.T.R. “Carlos José Mujica”

Guía Teórica

Objetivo Nº 3

Semiconductores

Diodo semiconductor

MATERIALES CONDUCTORES

Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la naturaleza poseen características

diferentes, agrupadas todas en la denominada “Tabla de Elementos Químicos”. Desde el punto
de vista eléctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se
pueden dividir en tres amplias categorías:
 Conductores
 Aislantes
 Semiconductores

Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente

eléctrica. Los semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores
y los aislantes, pues en unos casos permiten la circulación de la corriente eléctrica y
en otros no. Finalmente los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de
la corriente eléctrica. En la foto superior se muestran algunos de esos
materiales: A) Conductor de alambre de cobre. B) Diodos y C) transistor
(dispositivos semiconductores en ambos casos). D) Aislantes de porcelana
instalados en un transformador distribuidor de energía eléctrica de bajo voltaje
y E) Aislantes de vidrio soportando cables a la intemperie montados en un poste
para distribución de energía eléctrica de media tensión. Los aislantes, al contrario
de los conductores, constituyen materiales o cuerpos que ofrecen una alta
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resistencia al paso de la corriente eléctrica.

MATERIALES CONDUCTORES
En la categoría “conductores” se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o
menor medida conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica por sus cuerpos. Entre los
mejores conductores por orden de importancia para uso en la distribución de la energía
eléctrica de alta, media y baja tensión, así como para la fabricación de componentes de todo
tipo como dispositivos y equipos eléctricos y electrónicos, se encuentran el cobre (Cu),
aluminio (Al), plata (Ag), mercurio (Hg) y oro (Au).

Los conductores de cobre son los materiales más utilizados en

los circuitos eléctricos por la baja resistencia que presentan al
paso de la corriente.

En general el núcleo de los átomos de cualquier elemento que forman todos los cuerpos
sólidos, líquidos y gaseosos que conocemos se encuentran rodeados por una nube de electrones
que giran su alrededor, distribuidos en una o en varias órbitas, capas o niveles de energía. Al
átomo de cada elemento contemplado en la “Tabla de Elementos Químicos” le corresponde un
número atómico que sirve para diferenciar las propiedades de cada uno de ellos. Ese número
coincide también con la cantidad total de electrones que giran alrededor del núcleo de cada
átomo en particular. No obstante, independientemente de la cantidad total de electrones que le
corresponda a cada elemento, en la última capa u órbita sólo pueden girar de uno a ocho
electrones como máximo.

Diferentes formas de representar de forma gráfica

un.mismo.átomo, en este caso de cobre
(Cu): A) Normal, en.la que. aparecen todos los
electrones girando alrededor del núcleo de ese
elemento en sus respectivas
órbitas.B) Representación plana en la que se pueden
observar, de.forma parcial, las cuatro órbitas o
niveles de energía que le corresponden a ese átomo
con la distribución numérica de todos los
electrones que posee en cada una de ellas. ( 29 en
total ). C) La misma representación plana, pero.
más simplificada, en la que se muestra solamente la última órbita o banda de valencia,
identificada con.el número “1”, o sea, el único electrón que posee en esa posición. D) El
mismo átomo mostrado ahora.en representación plana, con la última órbita y el único electrón
que gira en la misma.
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Banda de valencia

Como ya conocemos, todos átomos que integran cualquier cuerpo material poseen órbitas o
capas, denominadas también niveles de energía, donde giran electrones alrededor de sus
núcleos. La última de esas capas se denomina “banda de valencia” y es donde giran los
electrones que en unos casos el átomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros
casos puede atraer o captar de la banda de valencia de otros átomos cercanos. La banda de
valencia es el nivel de energía que determina que un cuerpo se comporte como conductor,
aislante o semiconductor.

En el caso de los metales en la última órbita o “banda de valencia” de sus átomos sólo giran
entre uno y tres electrones como máximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los
excitamos empleando métodos físicos o químicos. Las respectivas valencias de trabajo (o
números de valencia) de los metales son las siguientes: +1, +2 y +3.

Esos números con signo positivo (+) delante, corresponden a la cantidad de electrones que
pueden ceder los átomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno en
la última órbita.

En general la mayoría de los elementos metálicos poseen conductividad eléctrica, es decir, se

comportan como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que poseen un
solo electrón (a los que les corresponde el número de valencia +1, como el cobre), son los que
conducen la corriente eléctrica con mayor facilidad.

En los conductores eléctricos las bandas de energía,

formadas por la banda de conducción y la banda de
valencia del elemento metálico, se superponen
facilitando que los electrones puedan saltar desde la
última órbita de un átomo a la de otro de los que
integran también las moléculas del propio metal. Es
por eso que cuando se aplica corriente eléctrica a un
circuito formado por conductores de cobre, por
ejemplo, los electrones fluyen con facilidad por todo
el cuerpo metálico del alambre que integra el cable.

Normalmente las bandas de energías se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una banda
de conducción y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada “banda
prohibida”. La función de esta última es impedir o dificultar que los electrones salten desde la
banda de valencia hasta la banda de conducción. En el caso de los metales la banda prohíbida
no existe, por lo que los electrones en ese caso necesitan poca energía para saltar de una banda
a la otra.

Debido a que en los metales conductores de corriente eléctrica la banda de valencia o última
órbita del átomo pose entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el tipo de metal de
que se trate), existe una gran cantidad de estados energéticos “vacíos” que permiten excitar los
electrones, bien sea por medio de una reacción química, o una reacción física como la
aplicación de calor o la aplicación de una diferencia de potencial (corriente eléctrica) que
ponga en movimiento el flujo electrónico.
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En general los metales mejores conductores de electricidad como el cobre, la plata y el oro
poseen una alta densidad de electrones portadores de carga en la banda de valencia, así como
una alta ocupación de niveles de energía en la banda de conducción. Hay que destacar que
aunque la plata y el oro son mucho mejores conductores de la corriente eléctrica que el cobre,
la mayoría de los cables se fabrican con este último metal o con aluminio en menor proporción,
por ser ambos metales buenos conductores de la corriente eléctrica, pero mucho más baratos de
producir y comercializar que la plata y el oro.
MATERIALES AISLANTES O DIELÉCTRICOS

A diferencia de los cuerpos metálicos buenos conductores de la corriente eléctrica, existen

otros como el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintéticas, los
plásticos, etc., que ofrecen una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como
aislantes o dieléctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica. En la foto
izquierda.se pueden observar diferentes materiales aislantes de plástico utilizados comúnmente
en las cajas de.conexión y en otros elementos propios de las instalaciones eléctricas domésticas
de baja tensión, así.como el PVC (PolyVinyl Chloride – Policloruro de Vinilo) empleado como
revestimiento en los cables.conductores. En la foto de la derecha aparece, señalado con una
flecha roja, un aislante de vidrio.utilizado en las torres externas de distribución eléctrica de alta
tensión.

Al contrario de lo que ocurre con los átomos de los metales, que ceden sus electrones con
facilidad y conducen bien la corriente eléctrica, los de los elementos aislantes poseen entre
cinco y siete electrones fuertemente ligados a su última órbita, lo que les impide cederlos. Esa
característica los convierte en malos conductores de la electricidad, o no la conducen en
absoluto.
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En los materiales aislantes, la banda de

conducción se encuentra prácticamente vacía
de portadores de cargas eléctricas o
electrones, mientras que la banda de valencia
está completamente llena de estos.

Como ya conocemos, en medio de esas dos

bandas se encuentra la “banda prohibida”,
cuya misión es impedir que los electrones de
valencia, situados en la última órbita del
átomo, se exciten y salten a la banda de
conducción.

La energía propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV (electronvolt)

aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energía de salto de banda (Eg) que
requerirían poseer los electrones para atravesar el ancho de la banda prohibida en los
materiales aislantes.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y
los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente
eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar
como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos

con.características de semiconductores, identificados con su
correspondiente.número atómico y grupo al que pertenecen. Los
que aparecen con fondo.
gris corresponden a “metales”, los de fondo verde a “metaloides” y
los de.fondo azul a “no metales”.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica constituyen la

materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y
rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.
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Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No
obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el
equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos
átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de
los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la
corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial
o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Número Nombre del Grupo en la Electrones en Números de

Categoría
Atómico Elemento Tabla Periódica la última órbita valencia
-
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2e +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales

semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales,
a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también aumenta,
disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores,
pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de

los siguientes métodos:
 Elevación de su temperatura
 Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
 Incrementando la iluminación.
Con relación a este último punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias
dependientes de la luz (LDR – Light-dependant resistors), varían su conductividad de acuerdo
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con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida también como

fotorresistor o célula fotoeléctrica. Posee la característica de
disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de
luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material
o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su
principal aplicación es en el encendido y apagado automático del
alumbrado público en las calles de las ciudades, cuando disminuye la
luz solar.

En dependencia de cómo varíen los factores de los puntos más arriba expuestos, los materiales
semiconductores se comportarán como conductores o como aislantes.

La conductividad eléctrica de los cuerpos materiales (σ) constituye la

capacidad que.tienen de conducir la corriente eléctrica. La fórmula
matemática para hallar la.conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta fórmula, la conductividad (σ) se obtiene

hallando primeramente el resultado de la recíproca de la resistencia (o sea,
1/R) multiplicándolo a continuación por el resultado que se obtiene de dividir
la longitud del material (L) entre su área (A). En esa fórmula se puede
observar también que la resistencia (R) es inversamente proporcional a (σ),
por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad
resultante será mayor.

TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede

considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden
creciente

Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido
a que, como veremos más adelante, el comportamiento del siliceo es más estable que el
germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta
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normal, será el primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación

de los componentes electrónicos de estado solido. A él nos referiremos normalmente,
teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar.

Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el
núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número
es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la
aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de
todos conocido, un electrón se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía
entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del
núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las
órbitas exteriores. Estos electrónes pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres
al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez
de
utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la
representación simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una

manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la
fuerza de atracción del núcleo son cuatro

SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrínsecos
2. Extrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,

algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
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electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de

conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso

de los semiconductores el espacio correspondiente a
la banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía
de salto de banda (Eg) requerida por los electrones
para saltar de la banda de valencia a la de conducción
es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores
de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los
de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,

compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un
cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal
de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de
otros elementos o "impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos

semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el
galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el
antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la

industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de
obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la
arena, uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria
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el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm
aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal

semiconductor de.silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricación
de transistores y circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la
oblea conteniendo cientos de.minúsculos dados o “chips”, que se pueden
obtener de cada una. Esos chips son los.que después de pasar por un proceso
tecnológico apropiado se convertirán en.transistores o circuitos integrados. Una
vez que los chips se han convertido en.transistores o circuitos integrados serán
desprendidos de la oblea y colocados dentro.de una cápsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.

El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el
silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar

diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día,
además del silicio y el germanio, se emplean también combinaciones
de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica.

Placa individual de 2 x 2 cm de área,

correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada
para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser
empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.
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Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado

un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos
de texto, presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En
esta ilustración el. CD se ha sustituido por un disco similar
transparente de plástico común.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir,
como elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando
"enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita, tratan
siempre de completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el
número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última
órbita, sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los
cuatro electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita
externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los átomos del elemento
semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosía. En su estado puro,
como ya se mencionó anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos
cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

CONVERSIÓN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir
en dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello
alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas".

Para realizar ese cambio será necesario introducir átomos de otros elementos semiconductores
apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o última órbita (átomos
trivalentes) o también cinco electrones en esa propia órbita (átomos pentavalentes). A tales
efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con átomos trivalentes: aluminio (Al),
galio (Ga) e indio (In). También se consideran impurezas los átomos pentavalentes de arsénico
(As), fósforo (P) o de antimonio (Sb).

Cuando añadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequeña cantidad de
átomos de un elemento pentavalente en función de “impurezas”, estos átomos adicionales
reciben el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la
estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los átomos que se añaden como
impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes”, porque cada uno tendrá que
captar o aceptar un electrón procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del
germanio.

La conductividad que presente finalmente un semiconductor “dopado” dependerá de la cantidad

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de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporción de un

átomo de impureza que se añade por cada 100 millones de átomos del elemento semiconductor,
la conductividad aumenta en 16 veces.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden
ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente
eléctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos

añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide
como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del
Grupo Va de la Tabla Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia),
estos átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco
electrones con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio, mientras que
el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro
de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o
negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del
material semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio

(Si) formando una celosía. Como se puede observar,
esta estructura se ha dopado añadiendo átomos de
antimonio (Sb) para crear un material semiconductor
“extrínseco”. Los átomos de silicio (con cuatro
electrones en la última órbita o banda de valencia) se
unen formando enlaces covalentes con los átomos de
antimonio (con cinco en su última órbita banda de
valencia). En esa unión quedará un electrón libre
dentro de la estructura cristalina del silicio por cada
átomo de antimonio que se haya añadido. De esa
forma el cristal.de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso
electrones libres con cargas negativas presentes en esa
estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica en

sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia
impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrónica
a través de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia
o corriente eléctrica.

No obstante, la posibilidad de que al aplicárseles una corriente eléctrica los electrones se

puedan mover libremente a través de la estructura atómica de un elemento semiconductor es
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mucho más limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metálico buen conductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos

añadiéndoles átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al
Grupo IIIa de la Tabla Periódica con tres electrones en su última órbita o banda de valencia), al
unirse esa impureza en enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero,
debido a que faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su
última órbita. En este caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes, que
normalmente los aportarán los átomos de silicio, como una forma de compensar las cargas
eléctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un
semiconductor extrínseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas
positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su
estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio

(Si).que forman, como en el caso anterior, una celosía,
dopada.ahora con átomos de galio (Ga) para formar
un.semiconductor “extrínseco”. Como se puede
observar en. la.ilustración, los átomos de silicio (con
cuatro electrones en.la. última órbita o banda de
valencia) se unen formando.enlaces covalente con los
átomos de galio (con tres.electrones en su banda de
valencia). En esas condiciones.quedará un hueco con
defecto de electrones en la.estructura. cristalina de
silicio, convirtiéndolo en un.semiconductor tipo-P
(positivo) provocado por el defecto de.electrones en la
estructura.

MECANISMO DE CONDUCCIÓN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente

eléctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones
libres que saltan a la “banda de conducción” y otro por el movimiento de los huecos que
quedan en la “banda de valencia” cuando los electrones saltan a la banda de conducción.
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Cuando aplicamos una diferencia de potencial

a un.elemento semiconductor, se establece
una.“corriente de electrones” en un sentido y
otra.“corriente de huecos” en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una dirección, los huecos
o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conducción de un
elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas
positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del semiconductor", que para
las cargas negativas (o de electrones) será "conducción N", mientras que para las cargas
positivas (de huecos o agujeros), será "conducción P".