Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Radioreceptoare
BLOCUL DE UNDE
U LTR A S C U R T E
Ing. VIRGIL TEODORESCU
E D I T U R A
2
BUCU RE TI,1968
T E H N I C
PREFA
Prezenta carte face parte dintr-o serie de lucrri publicate de ctre Editura tehnic,
prin care se urmrete tratarea pe larg i la nivelul tehnicii actuale a problemelor de
teorie i calcul ale tuturor etajelor componente din radioreceptoarele de radiodifuziune.
Lucrarea ,, Blocul de unde ultrascurte se refer la problemele funcionrii i
proiectrii etajelor de frecven foarte nalt din canalul MF al radioreceptoarelor
combinate MA-MF.
n primul capitol snt artate principalele avantaje ale utilizrii gamei de unde
ultrascurte n sistemele cu modulaie de frecven. Snt tratate pe larg problemele legate
de zgomote, i se arat care snt soluiile pentru reducerea lor.
Este prezentat n continuare proiectarea blocurilor de unde ultrascurte cu tuburi
electronice, insistndu-se asupra tipurilor de scheme curent utilizate i a particularitilor
acestora. Se acord o atenie deosebit stabilitii de frecven a oscilatorului.
O atenie deosebit s-a acordat de asemenea proiectrii blocurilor de unde ultrascurte
cu tranzistoare, avnd n vedere importana mereu crescnd a montajelor cu tranzistoare.
Snt analizate caracterele comune i diferenele ntre aceste ansambluri funcionale i
cele cu tuburi electronice.
Exemplele de calcul care urmeaz fiecruia dintre aceste capitole vin s orienteze pe
inginerul constructor asupra modului de desfurare a unei proiec-
AUTORUL
CAPITOLUL
1
PROBLEME PRIVIND RECEPIA FRECVENELOR
FOARTE NALTE
1.1. Generaliti
este folosit ca amplificator de frecven foarte nalt, iar cea de-a doua
triod are att funcia de schimbtor de frecven ct i cea de oscilator. n
ceea ce privete n acest caz separarea ntre circuitul oscilatorului local i cel
al amplificatorului de foarte nalt frecven, pe o parte, ct i a circuitului de
frecven intermediar, pe de alt parte, aceasta se realizeaz uor datorit
frecvenelor de lucru foarte diferite ale celor trei circuite.
Utilizarea tubului triod n etajele blocului de UUS prezint ns i unele
dezavantaje, n sensul c valoarea capacitii parazite dintre anod i gril (Cag)
provoac instabilitate n funcionarea montajului, deficien care se poate ns
nltura prin neutrodinare, sau folosind alte procedee, aa cum se va vedea
mai departe.
Ca i n cazul schemei cu tuburi electronice, schema obinuit a blocului
de UUS cu tranzistoare cuprinde etajul amplificator de foarte nalt frecven
i etajul schimbtor-oscilator.
Pentru reducerea efectelor de saturaie i a rspunsurilor parazite ntlnite
la montajele obinuite cu tranzistoare n cazul semnalelor de intrare puternice
(de exemplu, n apropiere de un emitor local), s-a trecut pentru unele
scheme - 1 a introducerea unui oscilator separat i deci la utilizarea a trei
tranzistoare ntr-un bloc de UUS.
n ceea ce privete tranzistoarele folosite n blocul de UUS, acestea
trebuie s aib frecvena de tiere suficient de mare i de aceea se utilizeaz
tranzistoare cu cmp intern n baz, obinute prin difuzia neuniform n baz a
atomilor de impuriti (de exemplu, tipul mesa sau epitaxial). A devenit
curent utilizarea tranzistoarelor cu siliciu realizate n tehnica planar
epitaxial, ele prezentnd performane superioare tranzistoarelor mesa cu
germaniu.
Se pare c tranzistoarele cu efect de cmp (FET) vor aprea n scurt
vreme n producia de serie i n domeniul construciei blocului de UUS.
Trebuie amintit faptul c la aceste frecvene foarte nalte parametrii ca:
faza pantei, modulul pantei, capacitatea intern de reacie, rezistenele de intrare i ieire ale tranzistorului joac un rol deosebit de important n funcionarea blocului de UUS. Spre deosebire de montajele cu tuburi electronice, la
frecvenele de lucru ale benzii de UUS, datorit faptului c panta este o
mrime complex, tranzistoarele produc o defazare ntre curentul de colector
i tensiunea de comand, din care cauz intervin, aa cum se va vedea mai
departe, unele modificri principiale n realizarea schemelor de blocuri UUS
cu tranzistoare.
Alturi de tubul electronic (tranzistor), un rol important n realizarea unui
ct mai bun raport semnal/zgomot revine circuitului de intrare al amplificatorului de foarte nalt frecevn, la care snt luate la proiectare i construcie o
serie de msuri total diferite de cele cunoscute din cazul circuitelor pentru
emisiunile cu MA.
Z a Ra jX a
(1.1)
iar impedana de intrare a amplificatorului de foarte nalt frecven este dat
de expresia:
1
1
1
Z in Rin jX in
(1.2)
10
2
ESA
4RA
(1.3)
Pin
U in2
Rin
(1.4)
Neglijnd pierderile proprii ale circuitului, cele dou puteri trebuie s fie
egale, i din egalarea relaiilor de mai sus se obine expresia factorului de
transfer maxim realizabil:
U in 1 Rin
ESA 2 RA
K max
(1.5)
n general, circuitul antenei i circuitul de intrare snt acordate i n aceste
condiii avem: Xa = 0 i Xin = 0.
Dac se ine seam de pierderile circuitului (Pc), atunci randamentul circuitului nu mai este egal cu unitatea ci are o valoare c, adic:
Pin
c
PSA
(1.6)
1
c
2
Rin
RA
(1.7)
Evident, n aceast situaie nu mai este ndeplinit condiia de adaptare.
Rezult de aici c relaia (1.7) poate reprezenta sub aceeai form i cazul
neadaptrii ntre rezistena generatorului i rezistena de sarcin, n acest caz
reprezentnd factorul de neadaptare ntre generator i sarcin.
Dup cum s-a artat n schema din fig. 1.1, semnalul din circuitul de intrare al
blocului de UUS este aplicat unui etaj amplificator de frecven foarte nalt,
introducerea semnalului direct etajului schimbtor de frecven, aa cum se
obinuiete n cazul radioreceptoarelor pentru emisiuni cu MA, nefiind o
soluie avantajoas aici. Utilizarea n lanul de UUS a etajului amplificator de
foarte nalt frecven vine s rezolve problema mbuntirii raportului semnal/zgomot prin amplificarea semnalului recepionat la un nivel de zgomote
cu mult mai sczut dect schimbtorul de frecven. n plus, prezena amplificatorului de foarte nalt frecven aduce mbuntirea selectivitii radioreceptorului fa de semnalele de radiofrecven nedorite, constituind n
acelai timp un important separator ntre etajul oscilator (productor de
radiaii) i circuitul de anten.
11
12
Aceasta se observ uor dac se ine seam de relaia liniar ntre fa, fi i
fh. Din aceasta rezult c pentru n = m = 2, frecvena semnalului aplicat are
valoarea:
2 h i
.
2
h s i
a s
i
,
2
n a1 m a 2 k h i ,
unde:
n = + 1,2,3...
m = + 1,2,3...
k = 0, 1,2,3...
Fenomenul dublei bti poate fi cauzat printr-un proces de amestec n
13
= 2,3...). n primul caz btile snt mai importante deoarece n aceast situa ie
rezult c circuitul dintre etaje este acordat pe diferena de frecven a celor
dou semnale din anten.
Btile snt continue pe toat scara dac este ndeplinit relaia:
n a1 m a 2 i ,
adic dac n relaia de mai sus se consider k = 0. Caracteristic aici este faptul
c btile dispar dac una din staii dispare.
Atenuarea dublei bti i a btilor continue se poate mbunti printr-o
bun preselecie n circuitul de intrare al amplificatorului de frecven foarte
nalt. Snt tranzistoare (de exemplu BF 115) care au o capacitate suficient de
lucru n ceea ce privete gama mrimilor de semnal pentru a nu necesita msuri
speciale pentru atenuarea acestor rspunsuri perturbatoare.
n afar de perturbaiile amintite mai apare i interferena datorit semnalului de frecven imagine, fenomen cunoscut de la schimbarea de frecven
din receptoarele superheterodin. Condiia care se impune circuitelor selective
ale blocului de UUS este ca acestea s asigure o suficient atenuare a
semnalelor cu o frecven mai mare cu 2fi dect cea a semnalului util.
Posibilitatea realizrii unui montaj compact, lipsa oricrui sistem de comutare ntre etaje i numrul redus de legturi cu restul radioreceptorului
(circuitele de alimentare i circuitul de ieire n frecven intermediar) permit
construirea unor blocuri de UUS cu dimensiuni reduse, cu o bun rezisten
mecanic i cu performanele necesare impuse acestui ansamblu funcional.
1.3. Zgomotele i sensibilitatea real a blocului de UUS
1.3.1. Generaliti
n gama de UUS nivelul perturbaiilor industriale i atmosferice fiind mic
sensibilitatea real a radioreceptorului poate fi mult crescut, aici limitarea fiind
impus doar de nivelul zgomotelor de fluctuaii ale diferitelor elemente ale
schemei. Aa dup cum s-a artat mai nainte, n UUS zgomotele provin n
principal de la anten, circuitul de intrare i tub (tranzistor).
Zgomotele i proprietile lor pot fi mai bine exprimate dac aprecierea
nivelului lor la intrarea ansamblului funcional considerat se face dup puterea
dezvoltat de acestea la ieirea prii liniare a radioreceptorului, adic la
intrarea n detector (pentru zgomote mici schimbtorul de frecven este considerat liniar).
14
Din analiza prii liniare a radioreceptorului se va ajunge n cele ce ur meaz la noiuni importante, cum snt sensibilitatea limit i factorul de
zgomot.
Pentru efectuarea calculului acestor mrimi este necesar s se fac mai nti
o scurt analiz a surselor elementare de zgomot.
Este cunoscut faptul c orice rezisten este un generator de zgomot, cu att
mai important cu ct temperatura mediului ambiant este mai mare. Valoarea
medie ptratic a tensiunii electromotoare generat de o rezisten este
determinat de relaia [3]:
2
EzgR
4 KTRB ,
(1.8a)
unde:
Pzg max
EzgR
2
2
EzgR
4R
KTB
(1.8b)
Din aceast relaie rezult c puterea de zgomot debitat n sarcin, la
adaptare, este proporional cu temperatura T, banda de frecvene B i nu
depinde de valoarea frecvenei n
jurul
creia
se
15
tubului (tranzistorului).
n
fig.
1.4
este
(1.9)
unde prin TA se nelege o noiune mai complex care reprezint temperatura la
care trebuie nclzit o rezisten obinuit, egal cu rezistena RA, pentru a
produce un zgomot echivalent zgomotului din anten.
n practic tensiunea de zgomot se apreciaz ns prin intermediul tem-
hA
16
TA
,
T0
(1.10)
2
EzgA
4khAT0 RA B.
(1.11)
Calculul zgomotelor unui circuit oscilant derivaie nu prezint nici o dificultate dac se ine seam de faptul c, dintre cele trei elemente ale circuitului
oscilant L, C, r, numai rezistena activ produce zgomote.
Considernd circuitul la rezonan, tensiunea de zgomot are valoarea:
2
Ezgc
4 KTc RD B,
unde:
RD
(1.12)
L
Cr
Notnd:
hD
(1.13)
relaia (1.12) devine:
Ezgc 4 KhDT0 RD B.
Tc
T0
(1.14)
Ezg2 4 KT Rin B
unde: T este temperatura de zgomot a rezistenei R
Definind i n acest caz factorul h :
T
,
T0
(1.15)
i n
(1.16)
Ezg2 4 Kh T0 Rin B.
17
(1.17a)
Tot la frecvene foarte nalte trebuie inut seam i de rezistena de intrare
RinL ,care apare datorit inductanei parazite L k a catoduluii, inductan
care realizeaz n circuitul de intrare al tubului o aducere n faz a
curentului de gril cu tensiunea de semnal (v. relaia 2.1 b).
Aceast rezisten nu provine ns ca rezistena R in din cauza unei neuniformiti a fluxului de electroni i de aceea, R inL nu este o surs productoare
de zgomote, adic:
2
EzgL
4 KhLT0 RinL B 0,
(1.17b)
aceasta avnd loc numai dac factorul h L este nul. Dup cum se va arta
mai departe, prezena rezistenei R inL va influena totui asupra valorii
tensiunii de zgomot produs la intrarea amplificatorului de frecven foarte
nalt.
Zgomotul anodic al triodei este cauzat de neuniformitatea fluxului de
electroni, care produce un curent de zgomot I azg ce reprezint de fapt o fluctuaie a curentului anodic n jurul valorii sale medii. Considernd in circuitul
Ezgech
I azg
S
(1.18)
(1.19)
Se mai poate considera i varianta n care n circuitul anodic al tubului
exist o tensiune de zgomot Ezg a ,care produce prin rezistena Ri a tubului
electronic curentul Iazg,adic:
Ezga I azg Ri
(1.20)
Ca i n cazul anterior se poate presupune c tensiunea de zgomot din circuitul anodic este produs de rezistena Ri a tubului, nclzit la o temperatur
Ti pentru a produce tensiunea de zgomot Ezg a, adic:
2
Ezga
4 KTi Ri B.
(1.21)
Introducnd mrimea:
hi
18
se obine:
Ti
,
T0
(1.22)
2
Ezga
4 KhT
i 0 Ri B.
(1.23)
(1.24)
iar din relaiile (1.20) i (1.23) se deduce:
2
I azg
4 KhT
i 0B
.
Ri
(1.25)
S 2 Rzg
hi
Ri .
(1.26)
Rzg
hi
.
S
(1.27)
Te
.
T0
(1.30)
n cazul tranzistoarelor, perturbaiile care se produc se datoresc urmtoarelor procese: sosirea ntmpltoare a purttorilor de sarcin la colector,
variaia ntmpltoare a curentului de la emitor la baz, recombinarea
ntmpltoare a electronilor i a golurilor, agitaia termic a electronilor
corespunztoare rezistenei rbb' a bazei.
Rezult o schem echivalent de zgomot similar cu schemele echivalente
ale tuburilor electronice [12]. n fig. 1.5 este reprezentat schema
echivalent n T a tranzistorului n montaj cu baza comun, n care snt
incluse sursele de zgomot.
Sursele de zgomot au fost prezentate ca generatoare de curent constant i
tensiune constant [1], unde:
19
I zg 4 KTg Gge B
(1.31a)
este curentul de zgomot condiionat de partea activ a admitanei yge a generatorului echivalent, B fiind lrgimea de band de zgomot la nalt frecven,
I ezg 2qI e B
(1.31b)
(1.31c)
I czg
2qI c 1 B
0
(1.31d)
Ca i la tuburile electronice, majoritatea surselor de zgomot ale tranzistorului pot fi considerate ca fiind necorelate, aa c puterile corespunztoare n
rezistena de sarcin se adun, iar curenii sau tensiunile se adun ptratic. n
mod similar se poate presupune i aici c tensiunea echivalent de zgomot de la
ieirea tranzistorului este produs de o rezisten echivalent de zgomot rzg.
n cazul tranzistoarelor, n afar de zgomotul produs de rzg, o contribuie este
dat i prin condiiile de faz ntre tensiuni i cureni. Tensiunile de zgo-
PzgA
20
2
EzgA
4 RA
U cor
I cor
.
ycor
(1.31e)
n general, n studiul perturbaiilor provenite din interiorul radiorecepto-
SA ,
2
EzgA 4 KTA RA B KTA B
(1.32a)
unde:
PSA
2
ESA
;
4 RA
PzgA
2
EzgA
4 RA
(1.32b)
P Pzgt
P
U 0k
F zga
1 zgt .
U1
Pzga
Pzga
(1.33)
Cum raportul
Pzgt
Pzga
2
2
EzgA
EzgT
2
EzgA
(1.34)
21
2
ESA
2
EzgA
2
ESA
.
2
2
EzgA
EzgT
(1.35a)
innd seam de relaiile (1.32) se poate scrie:
PSA
KTA B
PS
Pzg
2
ESA
4 KTA RA B
(1.35b)
sau:
PS
,
Pzg
(1.35c)
22
FT F1
F2 1 F3 1
A1
A1 A2
(1.36a)
FT F1
F2 1
,
A1
(1.36b)
PzgT KhT0 B.
(1.37a)
23
pzgT
PzgT
hKT0 ,
(1.37b)
pzgT h,
(1.38b)
adic puterea specific este numeric egal cu factorul de temperatur relativ
h. Acest factor a fost numit convenional i factor de zgomot.
PSA
KTA
PS
,
pzg
(1.39a)
unde p z g este puterea de zgomot specific obinut la ieirea amplificatorului,
corespunztoare puterii de zgomot specifice p z g T i puterii specifice de zgomot
a antenei p z g A . innd seam c T A = h A T 0 avem:
PSA
hA KT0
PS
.
pzg
(1.39b)
PSA
KT0
PS
pzg
(1.39c)
i notnd cu M raportul:
PS
PSA
(1.40)
avem:
24
pzg
M
1
,
KT0
(1.41)
pzge
pzg
(1.42)
pzge FKT0
(1.43)
zge KT
0
(1.44)
innd seam de faptul c la blocurile de UUS factorul optim de amplificare n putere este mare, zgomotul produs de amplificatorul de foarte nalt
frecven este determinant [3] i din aceast cauz factorul de zgomot va fi
stabilit numai pentru acest etaj.
Puterea de zgomot echivalent p z g e a amplificatorului de frecven foarte
nalt, avnd n vedere c puterile de zgomote componente snt static
independente, este egal cu:
pzge pzgA pzgT pzgA pzgC pzgte
(1.45)
unde:
p z g A este puterea de zgomot specific, datorit perturbaiilor
condiionate de rezistena R A a antenei;
p z g c - puterea de zgomot specific a impedanei circuitului de intrare
i a rezistenei de intrare a tubului electronic reduse la circuitul
de anten;
p z g t e - puterea specific de zgomot a rezistenei interne a tubului electronic redus la circuitul de anten.
innd seam de relaia (1.37b) i particulariznd-o pentru circuitul de
anten, p z g A se poate exprima sub forma:
pzgA hA KT0 .
(1.46)
25
H te
PSA
KT0
PS'
,
'
pzgte
(1.47)
H te
'
pzgte
1
1
pzgte
,
M KT0
KT0
(1.48)
unde:
pzgte
'
pzgte
(1.49)
este puterea de zgomot echivalent pe care ar trebui s-o aib la intrarea n
anten sursa de zgomot, astfel nct la ieirea amplificatorului, n interiorul
pzgte H te KT0 .
(1.50)
Urmrind un raionament similar, ca n cazul determinrii factorului Hte,,
26
Hi
PSA
KT0
PSA'
,
'
pzgc
(1.51a)
iar puterea de zgomot corespunztoare n circuitul de anten are valoarea:
pzgc H i KT0 .
(1.51b)
27
Re
R1 R2
.
R1 R2
(1.53)
Ezge1 Ezg1
R2
.
R1 R2
(1.54a)
Ezge2 Ezg 2
R1
.
R1 R2
(1.54b)
he1
2
Ezge
1
4 Re
2
zg 1
2
R1 R2 Ezg1
R
2
2
R1 R2
4 R1 R1 R2
4 R1 R2
R22
(1.55a)
Dar puterea de zgomot a primei surse n absena celei de-a doua este :
h1
Ezg2 1
4 R1
(1.55b)
_______________
1)
28
he1 h1
R2
.
R1 R2
(1.55c)
he 2 h2
R1
.
R1 R2
(1.56)
he he1 he 2
h1 R2 h2 R1
.
R1 R2
(1.57)
RinL
hein h
.
RinL Rin
(1.58a)
RinL
0, 67 4.
Rin
(1.58b)
hT hD
Rin
RD
hein
,
Rin RD
Rin RD
(1.59)
Rge
Rin RD
.
Rin RD
(1.60)
29
PSA
2
ESAech
,
4 RAech
(1.61)
Esg ESAech
Rge
RAech Rge
(1.62)
Rg
RAech Rge
RAech Rge
(1.63)
Esg ESAech
Rg
RAech
(1.64)
Puterea de semnal maxim P' SA, ce se poate obine la intrarea amplificatorului, are valoarea:
P
'
SA
30
Esg2
4 Rg
2
ESAech
Rg
2
4 RAech
(1.65a)
heT hT
RAech
.
RAech Rge
(1.65b)
heT hT
Rg
Rge
(1.65c)
Rg
Rge
KT0 .
(1.66)
nlocuind valorile lui PSA , P'SA i p`zgc n relaia (1.51 a), se obine :
Hi
2
ESAech
4 RAech
KT0
2
2
ESAech
Rg 4 RAech
R
hT Aech
R
Rge .
hT g KT0
Rge
(1.67)
ES' Esg
(1.68)
PS'
Es'2
,
4 Ri
(1.69a)
Ri fiind rezistena intern a tubului, sau, innd seam de relaiile (1.64) i
(1.68) se obine:
R2
2
PS' SESAech
2g .
4 RAech
(1.69b)
Puterea de zgomot specific p'zg te din circuitul anodic al triodei este dat
de relaia:
31
'
zgte
2
Ezga
4 Ri B
(1.70a)
i avnd n vedere relaia (1.23) se obine:
'
pzgte
hi KT0 .
(1.70b)
Introducnd valorile lui PSA, P'S i p'zg te n relaia (1.47), rezult :
2
2
Rg
ESAech
2
SESAech
2
4 RAech
RAech
H te
KT0
hi KT0
h R
i Aech
.
S Rg2
(1.71a)
RAech Rge .
R
H te Rzg Aech
Rzg
2
Rg
RAech Rge2
2
(1.71b)
RAech Rge ,
R
F hA hT Aech Rzg
Rge
RAech Rge2
2
(1.72)
RAechoptim
32
Rge
R ,
1 hT ge
Rzg
(1.73)
Fmin hA 2
Rzg
Rge
Rzg2
R
2
ge
hT
Rzg
Rge
(1.74)
Din relaia (1.74) rezult c pentru a obine un zgomot minim este necesar
ca Rzg / Rge s fie ct mai mic posibil, ceea ce nseamn o valoare mic pentru
rezistena echivalent de zgomot a tubului i o valoare ct mai mare pentru Rge.
Rezult de aici c la un tub cu o valoare pentru rezistena de intrare Rin
determinat, creterea lui Rge se poate face prin mrirea rezistenei RD astfel
nct Rin s fie ct mai puin suntat si deci s creasc valoarea lui Rge (v. rel.
1.60).
n mod similar, innd seam de schema echivalent din fig. 1.5, se poate
determina factorul de zgomot al amplificatorului de UUS cu tranzistoare i
condiiile care trebuie s fie ndeplinite n circuitul de la intrare pentru a se
obine un factor de zgomot minim.
Considernd c la intrarea tranzistorului admitana echivalent yge este
constituit din admitana unui circuit oscilant y c l i admitana generatorului
de semnal yg, valoarea conductanei G, care determin mrimea factorului de
zgomot F, este definit de relaia [13]:
unde:
g zg
1
este conductana echivalent de zgomot a tranzistorului;
rzg
rs - impedana de sarcin la rezonan a amplificatorului;
innd seam de condiiile de adaptare n putere la intrarea etajului amplificator, trebuie s avem ndeplinit condiia:
Bg Bc1 0 .
(1.76)
Din relaia (1.75) rezult c minimum de zgomot se obine atunci cnd:
bco r Bg Bc1 0 .
(1.77)
Rezult din cele dou relaii c adaptarea n putere nu corespunde cu adaptarea la zgomot (zgomot minim).
33
CAPITOLUL
2
34
CU TUBURI ELECTRONICE
pozitive de intrare, chiar dac grila rmne n timpul funcionrii la un potenial negativ fa de catod.
Totodat la aceste frecvene timpul de trecere al electronilor ntre catod i
anod devine comparabil ca mrime cu perioada tensiunii de comand U1
35
Fig. 2.1. Schema de principiu a unui amplificator de frecven foarte nalt cu triod cu
catodul la mas.
yin
1
jCin
Rin
(2.1a)
unde:
1
1
1
.
Rin RinL Rin
Cum:
RinL ;
1
1
i Rin 2
,
LK CgK S
K S
(2.1b)
Rin ;
L C
K
gK
1
;
K 4 2 2 S
(2.1c)
36
relaie n care:
K este o constant ce depinde de dimensiunile electrozilor tubului;
timpul de trecere a electronilor de la catod la anod;
frecvena de lucru;
S panta tubului.
Capacitatea de intrare Cin are practic valoarea:
Cin CgK ,
unde CgK este capacitatea gril catod a triodei.
Relaia (2.1 c) poate fi pus i sub forma :
Rin a 2
b
2
(2.1d)
(2.1e)
unde:
L C
K
gK
L C
K
gK
1
;
K 4 2C 2 S
1
;
K 4 2 S
37
1
1
1
S
R
Rin Rg
1 a ,
Ri
(2.2)
unde:
Rg este rezistena de intrare n montajul cu catodul la mas;
Ra impedana de sarcin conectat la ieirea amplificatorului;
Rt rezistena intern a tubului.
Din relaia (2.2) rezult c rezistena Rin are o valoare cu mult mai mic
dect n montajele cu catodul la mas.
Amplificatorul cu punctul mediu al circuitului de intrare la mas.
Schema n care se combin avantajele celor dou montaje, cu catodul la mas
i cu grila la mas este cea cu punctul mediu al circuitului de intrare la mas
(fig. 2.3, a). Acest punct este comun att pentru circuitul de intrare ct i
pentru cel anodic.
Notnd cu m raportul
U 0k
(fig. 2.3, b), se observ c pentru m = 0 se
U1
38
C ga
L1'
''
L1 CaK Cn
L1 C ga CaK Cn
,
L1''
CaK Cn
(2.3b)
Cn
L1'' L1 C ga
1 L1'' L1
CaK .
(2.3c)
1 U2
Pin 1 I kU 0 k ,
2 Rg
U 0 k L1'' M
U1
L1
(2.4)
punte.
L1'
alegerea convenabil a raportului '' .
L1
(2.3a)
rezult:
Ct1
Qe
1 U2
Pin 1 mI kU1 .
Rin
2 Rg
(2.5)
39
m U1 I k ( Ri Ra ) ,
de unde:
Ik
m U1 ;
Ri Ra
SU1
R ,
1 a
Ri
(2.6)
(2.7)
1 1
mS
U12 .
Pin
R
2 Rg 1 a
Ri
Aceast putere este consumat pe rezistena echivalent Rin paralel cu
circuitul de intrare, adic:
de unde rezult:
1 U12 1 1
mS
2
U1
2 Rin 2 Rg 1 Ra Ri
(2.9)
1
1
mS
.
Rin Rg 1 Ra Ri
(2.10)
40
max
,
min
(2.12)
L2 H
2
min
25330
MHz Ct max pF
(2.13)
Considernd frecvena medie n band:
min max
(2.14)
i Q0 factorul de calitate al bobinei L2, impedana la rezonan R0 a
circuitului oscilant se determin din relaia:
R0 L2Q0 .
(2.15)
41
Ra
R0 Rsh
.
R0 Rsh'
(2.16)
innd seam i de untarea produs de rezistena intern Rid a tubului
amplificator, impedana n sarcin a circuitului anodic trebuie calculat cu
formula:
Rae
Ra Rid
,
Ra Rid
(2.17)
Rc 0 m 2 Rin .
(2.19)
Au SRae S L2Qae ,
(2.20a)
Qae
Rae
Q0 .
R0
(2.20b)
Cu valoarea obinut pentru Qae se verific dac n gama de lucru amplificatorul de frecven foarte nalt asigur la valoarea impus atenuarea semnalelor de frecven intermediar (fi) i imagine (fim), utilizndu-se n acest
scop relaia [4]:
s
dB 10 log 1
Qae2 ,
s
unde f se nlocuiete fie cu fi fie cu fim.
42
(2.21)
Qe
.
B
(2.23)
Pentru calculul circuitului de intrare se va folosi schema din fig. 2.5 unde
s-a considerat cazul general al montajului cu punct mediu la mas n
circuitul de intrare.
Se noteaz:
43
R0
E0
Rin
Ql
Qe
fmax, fmin
Ct1 Cin C1 CL Cm .
Pentru lrgirea benzii de trecere pn la valoarea necesar, circuitul oscilant LlCn este
uneori amortizat cu o rezisten suplimentar de
amortizare atunci cnd rezistena proprie a
circuitului i rezistena de intrare a tubului nu
snt suficiente. n general, ns, la frecvenele de
lucru din banda de UUS rezistena de intrare Rin
este destul de mic, nct poate s asigure
amortizarea necesar circuitului oscilant i n
acest caz rezistena suplimentar nu se mai
utilizeaz.
Energia electric de la fider se transfer n
circuitul secundar prin intermediul bobinei L1,
cuplat cu acesta. Din motivele amintite cuplajul
este indicat s fie ales pentru transfer maxim al
tensiunii n circuitul de intrare. Soluia este
avantajoas pentru situaia n care zgomotele
tubului electronic snt mai mari dect cele produse de anten-fider, circuit de intrare. n acest
caz, zgomotul ce apare la intrarea amplificatorului, fiind practic independent de cuplajul
ntre bobine, se va alege cuplajul critic pentru
care factorul de transfer al tensiunii este maxim.
Dac ns zgomotele produse de anten-fider,circuitul de intrare snt de
acelai ordin de mrime
44
KV max
1 Rin
.
2 R0
(2.24)
R0' Rin ,
(2.25)
unde R'0 este impedana caracteristic a fiderului raportat la bornele circuitului de intrare, iar Rin , rezistena de intrare a amplificatorului (determinat
cu rel. 2.10).
Valoarea factorului de calitate echivalent al circuitului oscilant L1 Ct1 este
determinat de amortizrile date de rezistenele Rin i R0', adic:
Qe
1
RinCt1 .
2
(2.26a)
Ct1
Qe
,
Rin
(2.26b)
valoarea lui Qe fiind dat de relaia (2.23).
45
L1 H
25330
.
MHz Ct1 pF
2
(2.27)
L1
R0
Rin
(2.28)
C5 C2 in
C6
C8
M k L0 L1 ,
(2.29)
valoarea coeficientului de cuplaj k ntre L0 i L1 este dat de expresia:
R0
Rin
L1
.
L0
(2.30)
Lund pentru k o valoare cuprins ntre 0,3 i 0,7, se poate determina valoarea lui L0, Rin fiind dat de relaia (2.10), iar L1 de relaia (2.28):
L0
1 R0
L1 .
k 2 Rin
(2.31)
1
1
1
.
Re Rin Rd
(2.33)
46
C5 C2in
,
C6 C8
(2.34)
47
Fig. 2.7. Schema echivalent in punte a reelei de cuplaj intre etajul amplificator de frecvent foarte nalt i
intrare in etajul schimbtor-oscilator.
48
C10
.
C10 C11
(2.35)
satisfcut relaia:
49
C2 ga
C8
Ct
,
C9
(2.36)
U g K rU a , ,
Fig. 2.9.Schema echivalent
n punte a circuitului
pentru eliminarea reaciei
negative n FI.
(2.37)
unde Kr este coeficientul de reacie i
are valoarea [3]:
Kr
C8Ct C9C2 ga
C8C9
(2.38)
Valoarea condensatorului C9, n funcie de coeficientul de reacie Kr, este:
C9
C8Ct
.
C8 K r C2 ga
(2.39a)
n cazul n care puntea este la echilibru (Kr = 0), relaia (2.39 a) devine:
C9 ech
C8Ct
.
C2 ga
(2.39b)
50
Admind c valoarea coeficientului de amplificare al tubului este constant i avnd n vedere c panta de conversiune, n cazul regimului optim de
oscilaie, are valoarea [4]:
1
1
Sc
S,
3,5 2,5
(2.40)
Rid
Rih
KRih
kr
1
,
Ra
1
Rih
(2.42)
unde:
este coeficientul de amplificare al
triodei;
Ra rezistena de intrare a filtrului
de frecven intermediar;
K coeficientul de cretere al re
zistenei interne a schimbto
rului datorit aciunii reaciei.
n fig. 2.10, n conformitate cu relaia
(2.42), este reprezentat grafic variaia lui
Rid
n funcie de coeficientul K'r, unde :
Rih
1
K r' kr
. (2.43)
1 Ra Rih
Analiznd acest grafic, se observ c dac Fig. 2.10. Dependena rezistenei Rid
exist o reacie negativ n FI, rezistena in funcie de valoarea coeficientului
Rid este mai mic dect rezistena Rid ,K'r de reacie K'r.
51
kr
2 1 Ra / Rih
.
3
(2.45)
Rdin 1, 2 Rhin ,
(2.46a)
unde Rh in este rezistena de intrare a etajului schimbtor de frecven cores
punztoare cazului cnd nu exist reacie n FI.
Avnd n vedere c n regim de schimbtor panta de conversiune Sc se
micoreaz (v. rel. 2.40) i innd seam de relaia (2.1 c) se obine pentru
rezistena de intrare Rh in, n absena tensiunii de reacie n FI pe grila tubului
schimbtor de frecven, expresia:
(2.46b)
Rhin 2,5 3,5 Rin ,
52
Kg
Ug
Ua
C5
.
C2in C5
(2.47)
Csh
C6C8
CC
5 2in .
C6 C8 C5 C2in
(2.48)
53
Csh C .
Folosind expresia factorului de transfer Kg, rezistena de intrare a schimbtorului de frecven Rd in, raportat la bornele circuitului de semnal, capt
valoarea:
C C5
1
Rsh 2 Rdin 2in
Kg
C5
Rdin .
(2.49)
Fig. 2.12. Schema echivalent pentru frecvena oscilatorului, obinut din schema dat
n fig.. 2.6, a.
Ceh
54
C5C6
CC
C7 8 2 in .
C5 C6
C8 C2in
(2.51)
L4max H
2
h min
25330
MHz Ceh pF ,
Kh
h max
h min
L4max
,
L4 min
(2.52)
i anume:
L4min
L4 max
.
K h2
K sd
d
s
(2.53)
este mai mare dect coeficientul de acoperire al gamei dat de relaia (2.52).
Impunnd condiia ca banda de lucru a oscilatorului s fie situat simetric
fa de frecvenele fs i fd, rezult c ntre frecvena de rezonan derivaie fd i
frecvena maxim fhmax a oscilatorului exist relaia:
K h 1 K sd
(k sd 1)kh
h max
(2.54a)
Notnd cu raportul:
K h 1 K sd
(k sd 1) K h
(2.54b)
valoarea inductanei de reacie corespunztoare frecvenei de rezonan fd
rezult din relaia:
L5 H
25330
C C
2 2h max MHz 10 11 pF .
C10 C11
(2.55)
55
Kh
h max 73 10, 7
1,12 .
h min 64 10, 7
(2.56a)
TKk
TKL C TKa Ca
i 1, 2 h max ,
Ck
(2.56b)
n ceea ce privete amplificarea etajului schimbtor de frecven, aceasta
este relativ redus, ntruct panta de conversiune i impedana circuitului de
sarcin snt mici. Valoarea amplificrii, n condiiile cuplajului critic, este
dat de relaia:
ASh
1
Sc Rae ,
2
(2.57a)
Rae Ra1e Ra 2e ,
(2.57b)
unde Ra1e i Ra2e reprezint impedanele de sarcin n frecven intermediar
ale celor dou circuite cuplate (v. fig. 2.6).
Banda de trecere B a filtrului de FI rezult din relaia:
i
,
Qe
(2.57c)
unde fi este frecvena intermediar, iar Qe factorul de calitate n sarcin i
egal cu:
Qe Q1eQ2 e ,
n care:
(2.57d)
Q1e 2 i C p Ra1e ;
Q2 e 2 i Cs Ra 2 e ,
56
57
0 1 e kt .
1
2 LC
(2.58)
Sub aciunea cldurii se produce o
modificare
a
inductanei
i
capacitilor, avnd loc din aceast
cauz o alunecare a frecvenei de
rezonan fr. ntr-adevr, comportarea
la nclzire a unui element de circuit
este dat de o funcie exponenial, aa
cum se arat n fig. 2.13, i a crei
expresie matematic este:
(2.59)
58
i h s ,
(2.60)
C
L
i inductana total cu
, atunci pentru
, se obine
r
C
L
valoarea :
1 C L
.
(2.61)
r
2 C
L
C
L
La o egalitate de forma
=
avem o compensare termic i practic
C
L
nu exista alunecare de frecven.
Considernd
C L
5 103 , se obine :
C
L
2,5 103 .
r
59
UUS.
innd seam c elementele circuitului acordat al oscilatorului i
modific valorile datorit nclzirii, se poate ataa fiecruia dintre aceste
TKL
(2.62)
L
;
L
TKC
C
.
C
60
A
,
d
(2.63)
h
1 C L
1
TKC TKL ,
h
2 C
L
2
(2.64a)
sau:
61
TKC
2 h
TKL .
h
(2.64b)
(2.65)
TKe
TK 1C1 TK 2C2
,
C1 C2
(2.66a)
62
TKa
TKC C TKk Ck
.
Ca
(2.66c)
TKK '
TKL C TKa Ca
.
Ck
(2.67)
TKk
10 106 22 200 10
6 14
320 1061/ o C.
8
Dac TKC' i TKa snt determinai cu anumite erori, atunci pentru amndou
vom avea expresia:
TKk '
(2.68)
(2.69a)
(2.69b)
TKk 'max
1 5 10
6 22
30
106 14
57 106 1/
oC
8
(2.70)
63
TKk 'max
17, 2% .
TKk '
(2.70b)
TKC '
Ck TKk '
.
C k Ca
(2.71a)
(2.71b)
1
TKC ' h
2
(2.72)
h max
1
25 20, 6 10
6 80
106
2
20,
6 kHz
(2.73)
TKe
64
TK 1C2 TK 2C1
.
C1 C2
(2.74)
n condiiile n care se cunosc coeficienii de temperatur ai tuturor elementelor circuitului acordat al oscilatorului, se poate determina prin calcul
valoarea lui TKk, fr a fi necesar msurarea derivei de frecven pe radio-
TKg
Cgk
C gk
(2.75a)
Ca1
Ca 2
C1 C2
.
C1 C2
Cgk C3
Cgk C3
(2.76a)
(2.76b)
65
TKe TKL
(2.77)
TKk
TKLC TKa Ca
.
Ck
(2.78)
Calculele prezentate au fost fcute pentru cazul cnd blocul de UUS are
prevzut sistem de acord inductiv.
n cazul n care se lucreaz cu acord capacitiv se are n vedere faptul c
capacitatea variabil reprezint numai o parte din capacitatea total a
circuitului. n aceste condiii, o dat cu acordul circuitului se modific i
TKC , n timp ce TKL rmne constant. Din aceast cauz nu este posibil
obinerea compensrii dect ntr-un singur punct al gamei de frecvene.
66
CAPITOLUL
3
CALCULUL BLOCULUI DE UUS
CU TUBURI ELECTRONICE
3.1 Generaliti
n cele ce urmeaz se vor calcula parametrii unui bloc de UUS avnd
schema de principiu prezentat n fig. 2.6, condiiile tehnice fixate acestui
ansamblu funcional fiind urmtoarele:
- gama de frecvene: 64 73 Hz;
- amplificarea n tensiune: 600 (55,6 dB) 1;
- impedana de intrare: 300 ;
- banda la 3 dB: 300 kHz;
- selectivitatea la 300 kHz : 10 dB;
- atenuarea frecvenei imagine: 30 dB;
- atenuarea frecvenei intermediare (fi = 10,7 MHz) : 70 dB;
- factorul de zgomot F : 5;
- deriva frecvenei oscilatorului [msurat dup dou minute de la
punerea n funciune a ansamblului, pn la 60 minute] = 40 kHZ.
n tabelul 3.1 snt distribuite pe etaje performanele indicate mai sus,
innd seam de rolul pe care-1 ndeplinete fiecare etaj component al
blocului de UUS.
Tubul utilizat n montajul din fig. 2.6 este dubla triod ECC85, ai crei
principali parametri snt trecui n tabelul 3.2. [8].
3.2 Calculul circuitului anodic al schimbtorului-oscilator
1
Ctigul este msurat n condiiile n care ieirea blocului de UUS este terminat
pe o rezisten de 180 k n paralel cu 20 pF care simuleaz impedana de intrare a
primului amplificator FI al radioreceptorului.
67
Pentru obinerea unei stabiliti suficiente a benzii de trecere la schimbarea tuburilor, este necesar ca pentru capacitatea total Cp a circuitului primar de frecven intermediar s se ia o valoare ridicat. Se alege Cp = 35 pF.
68
unde C0 este capacitatea cablului coaxial ce face legtura ntre blocul UUS i
grila primului tub amplificator de FI (C0 = 15 pF) i Cg capacitatea de
2
, trebuie ca :
3
C10=2C11
Din relaiile de mai sus rezult:
C10 = 20pF;
C11 = l0pF.
Valoarea inductanei bobinelor filtrului de FI este:
L6 L7
25330
6, 4 H ,
i2 C
69
unde C = Cp = Cs = 35 pF.
Considernd pentru bobinele L6 i L7 un factor de calitate Q0 = 70, valorile
impedantelor la rezonant ale circuitelor filtrului de FI snt:
Q0
30k .
2 i C
R06 R07
R7
R07 Re
,
R07 Re
unde:
Rg Rin
Re
Rg Rin
Rezult:
R7
152k
30 152
25k .
30 152
Ra
1
R06 R07 13, 7 k .
2
R
1 a
Rih ,
2
Kr
3
70
Ra
0, 66, se obine
Rih
kr
2 1 0, 66
0, 023.
3 48,3
Pentru acest coeficient de reacie valoarea lui Rid este (v. rel. 2.44):
R6
R06 Rid
30 63
20, 7 k .
R06 Rid 30 63
Regimul oscilatorului este astfel ales nct Uosc= 3 V, iar Sc= 2,3 mA/V
(tabelul 3.2).
n aceste condiii, amplificarea etajului schimbtor de frecven (v. relaia
2.57, a) este:
Ash
1
1
Sc R6 R7 2
3 20, 7 25 26.
2
2
1
1
0, 019 1,9%.
Qech 53
2
i
de unde se obine:
i 1,5 10, 7 10
6
150kHz.
2Qech
2 53
n tabelul 3.3 snt date valorile atenurilor filtrului de FI pentru diferite
71
Kh
h max 84, 2
1,13.
h min 74, 2
72
C5 10 pF.
Considernd c C6 = C5, din condiia de echilibru a punii:
C5 C2in
,
C6
C8
rezult C8 = 10 pF.
Valoarea capacitii de acord Ceh a circuitului oscilant al oscilatorului (v.
rel. 2.51) este:
Ceh
C5C6
CC
C7 8 2in .
C5 C6
C8 C2in
Ceh
C5C6
C C
C7 Ck 2 in 8 .
C5 C6
C2in C8
10 10
4
10 10
10 10
8
22 pF.
10 10
Ceh
73
L4max
25330
25330
0, 21 H .
L4min
L4 max
0, 21
0,165 H .
2
(Kh )
(1,13) 2
L5
25330
25330
0,35 H .
2 20 10
2 C10 C11
1, 2 84, 2
1, 2 max
20 10
C10 C11
C9
C8C p
C8 K r Cgae
10 35
160 pF.
10 0, 023 2
74
100
Rin
80
6 9, 4k .
Pentru capacitatea C2gK a tubului electronic se ia Tkg = 320 10-6 1/C (v.
rel. 2.75 b).
Avnd n vedere c C2in(C2 = Cm + C2 gk) s-a considerat egal cu 10 pF i c
Cgk 4 pF, rezult c Tk2 in (v. rel. 2.66 a) are valoarea:
TK 2in
C gk
C2in
Tke1
C5Tk C6Tk
Tk .
C5 C6
Tke 2
C8 C2in
2
30 106 128 10
6
49 106 1/
o C.
2
75
C5C6
C5 C6
i de valoare 5pF
C8C2in
C8 C2in
Ca Ce1 Ce 2 C7
avem:
Ca 5 5 4 14 pF.
TKa
Ca
30 106
5 49 10
6 5 100
106 4
35 106 1/
o C.
14
TKK
TKL C TKa
Ca 40 106 22 35 10
6 14
CK
8
172 106 1/
o C.
76
Aceast valoare poate rezulta din combinarea potrivit a unor condensatoare cu coeficientul TK standardizat, sau se poate proceda la modificarea
valorii lui CK pentru a se ajunge la un coeficient TKK de valoarea dorit.
Pentru determinarea alunecrii maxime de frecven fhmax se utilizeaz
relaia (2.72).
innd seam de relaiile (2.70 b) i (2.71 a), se determin nti TKc
Ca Ck
Ca C k
14 8
10, 7 106 1/
o C.
Considernd = 25 i fh = 80 MHz, se obine pentru fh max urmtoarea
valoare:
h max
1
1
TKc h 25 10, 7 10
6 80
106 ; ~ 11 KHz.
2
2
max 73,5
1,17.
min 63,5
L3max
25330
25330
0,3 H .
2
( min ) Ce (63,5) 2 21
L3min
L3max
0,34
0, 22 H .
2
(K )
(1,17) 2
77
R0
1
Q0 ,
2 m Ce
R0
100
11, 2k .
6, 28 68 10
6 2 1012
C C5
Rsh 2in
Rdin
10 10
28, 2 112,8k .
10
Ra
R0 Rsh
11, 2 112,8
10, 2k .
R0 Rsh 11, 2 112,8
1
1
1
mS
R
Rin Rg
1 a ,
Ri
unde Rg este rezistena de intrare a amplificatorului n montaj cu catodul la
mas. n tabelul 3.2 este dat rezistena de intrare pentru frecvena de 100
MHz. Utiliznd relaia (2.1 e), se gsete o valoarea aproximativ pentru
rezistena de intrare Rg la frecvena medie din band (fm = 68 MHz).
2
100
Rg
6 13k .
68
Lund pentru m o valoare de 0,3, se obine pentru rezistena Rin (v. tabelul
3.2) valoarea:
78
1
1
6
0,3
10, 2 .
Rin 13
1
9
Rin = 1,1 k.
Din relaia (2.19) se determin rezistena total a circuitului raportat la
bornele catod-mas:
Rco = m2 Rin = (0,3)2 1,1= 0,099 k.
innd seam de prezena acestei rezistene n circuitul catodului tubului
amplificator, rezistena intern Rid capt valoarea [v. rel. 2.18]:
Rid =R I + Rco = 9 + 54 0,099 = 14 k.
Dac se ine seam de Rid, rezistena circuitului anodic al
amplificatorului Rae devine (v. rel. 2.17):
Rae
Ra Rid
10, 2 14
5,9k .
Ra Rid 10, 2 14
Qae
Rae
5,9
Q0
100 54,5 .
R0
11, 2
dB 10 log 1 im max Qae2 ;
max im
'
im
79
94, 4 73 2
; 10 log
73 94, 4
min
2
i
dB 10 log1
Qae ;
i
min
10, 7 64 2
; 10 log
(54,5) 2 49,8dB .
64 10, 7
'
i
Qe
m 68
7, 6 .
B
9
Cs
Qe
7, 6
16, 2 pF.
m Rin 3,14 68 10
6 1,1
103
L2
80
25330
Cs
25330
68
17
0,317 H .
Q02
R02
10 1,1 10
3
84 ,
2 m L2 6, 28 68 10
6 0,317
106
care este o valoare realizabil n construciile radio (valori uzuale pentru Q02
= 70 - 120).
Prin condiiile de proiectare impedana antenei a fost considerat de 300
. innd seam de relaia (2.31) i impunnd pentru k o valoare de 0,7,
rezult pentru inductana L1 din anten:
L1
1 R0
1
0,3
L2
0,317 0,173 H .
2
2
k Rin
0, 7 1,1
Factorul de calitate realizat pentru bobina L1 este de acelai ordin de mrime cu cel al bobinei L2.
Folosind relaia (2.24), rezult valoarea ctigului n tensiune al circuitului
de intrare:
KV
1 Rin 1 1,1
0,95 .
2 R0 2 0,3
dB 10 log 1 im max Qe2
max im
''
im
81
94, 4 73 2
10 log
(7 6) 2
73 94, 4
11, 6dB .
''
idB
10, 7 73
; 10 log
(7 6) 2 33, 6dB .
13 10, 7
Cn
L''2 L2 Cga
1 L L2
''
2
Cak
0,3 1,5
0, 2 4,8 pF ,
1 0,3
L''2
0,3.
L2
82
RAech Rge 2
RAech
F hA hT
Rzg
,
Rge
RAech Rge2
m
2
relaia (2.4). Cum m, se poate aproxima
; 1, de unde rezult,
m
c, aa dup cum s-a afirmat, pentru toate cele trei tipuri de scheme factorul
de zgomot are practic aceiai valoare.
Considerm c participarea circuitului de anten la factorul de zgomot
este mai mic dect zgomotele amplificatorului; se ia pentru hA o valoare
egal cu o unitate KT, adic hA = 1.
Factorul echivalent de zgomot al rezistenei de intrare hein (v. rel. 1.58 a)
este:
hein h
Considernd raportul
RinL
RinL Rin
RinL
1 i lund h = 3,5, se obine :
Rin
Rin
hein 3,5
1, 75.
RinL Rin
hT hD
Rin
RD
hein
.
Rin RD
Rin RD
hT 1
1,1
11
1, 75
1, 67.
1,1 11
11 1,1
Rge
iar a rezistenei RA ech:
Rin RD
1,1 11
1k ,
Rin RD 11 1,1
83
1,1 1
1,1
F 1 1, 67 0,5
1
1,1 1
4,8.
n cazul n care se realizeaz la circuitul de intrare adaptarea pentru zgomot, din relaia (1.74) se obine:
Fmin
R
R
hA 2
2 zg hT zg
R
Rge
Rge
ge
Rzg
0,5
0,5
1 2
2
1
1
0,5
1, 67
4,1.
1
PSA FKTA B
PS
.
Pzg
4V .
84
3,
4 mV.
C AP ITOLU L
4
BLOCUL DE UNDE ULTRASCURTE
CU TRANZISTOARE
4.1.1 Generaliti
Ca i la blocurile UUS cu tuburi electronice snt ntlnite i aici cele patru
tipuri de scheme corespondente: cu conexiune BC (baz comun), cu conexiune EC (emitor comun), schem cu punct mediu la mas, montaj cascod.
85
YS GS jBS .
(4.1b)
I1 y11U1 y12U 2 ;
(4.2a)
I 2 y21U1 y22U 2 ,
(4.2b)
y12 y21
;
y22 yS
y y
yes Ges jBes y22 12 21 ,
y11 y ge
yin Gin jBin y11
86
(4.3)
(4.4)
unde y11, y12, y21, y22 semnificaiile cunoscute de la cuadripoli i cu meniunea c n cazul montajului cascod (v. fig. 4.2) admitana ys a primului
tranzistor este reprezentat prin admitana de intrare a celui de-al doilea tran zistor, iar yge al celui de-al doilea
tranzistor este reprezentat prin
admitana de ieire a primului
tranzistor.
Mrimile yin i yes prezint o
foarte mare importan, prin intermediul acestora putnd fi staFig. 4.2. Schema echivalent a unui
bilite caracteristicile tehnice de
montaj cascod cu folosirea unui
transformator.
unde:
(4.7)
iar:
yin y11
y12 y21
G11 jB11
y22 ys
(4.8)
G1
unde:
(4.9)
G1 G11 Gge ;
(4.10a)
G2 G22 Gs ;
(4.10b)
87
B2 B22 Bs ,
(4.10c)
G1 S
(4.11)
G1 G22 B22
(4.12)
innd seam c:
tg 2
B2
,
G2
(4.13)
y12
G1G2
,
y21 cos(12 21 2 ) cos 2
(4.14)
care arat c stabilitatea este cu att mai bun, cu ct admitana y12 este mai
mic, iar produsul ambilor factori de unghi este mai mare. Condiia ultim
are loc atunci cnd produsul:
y cos 2 cos 12 21 2
(4.15)
prezint un maxim.
ntr-un domeniu de frecven restrns 12 i 21 pot fi considerate
constante. Anulnd derivata funciei y n raport cu 2, din relaia (4.15) se
obine:
0 sin 2 cos 12 21 2 cos 2 sin 12 21 2 (4.16a)
sau:
sin(12 21 2 2 ) 0.
(4.16b)
de unde rezult valoarea lui 2 :
12 21
.
2
88
(4.16c)
G1G2
21
y21 cos 2 12
2
S
y12
(4.17)
yc1 = y11
i
ys = y22 ,
relaia(4.17) devine:
S'
y12
G11G22
,
2 12 21
y21 cos
2
(4.18)
care arat c n aceste condiii se produce o scdere a stabilitii montajului.
Pentru o bun stabilitate se cere ca factorul S s rmn mai mare dect
unitatea. n practic stabilitatea este suficient de bun dac S = 2 3.
Pentru montajul cascod din fig. 4.2, considernd c ambele tranzistoare
snt utilizate n acelai punct de funcionare i c raportul de transformare
G22
S
y12 k y21k
21
cos 12
2
(4.19)
4G22
S
y12 k y21k
21
cos 12
2
(4.20)
unde:
y12 k
y12
;
n
y21k
y21
,
n
89
ys ; yes .
(4.22)
90
U OE
,
U BE
(4.23)
unde UOE este tensiunea ntre emitor i mas, iar UBE este tensiunea ntre baz
i emitor. Din relaia (4.23) se vede c pentru m = 0 se obine schema EC, iar
pentru m = 1, schema BC. Admitana de intrare y11, ca i n schemele cu
tuburi electronice, crete cu creterea raportului de cuplare, montajul
apropiindu-se ca proprieti de cel cu baz comun. Dac raportul de cuplare
scade, admitana de intrare se reduce i montajul se apropie de proprietile
celui cu emitor comun.
La o astfel de schem, baza nefiind conectat la mas, apare o reacie ntre
intrare i ieire prin admitana de cuplaj y12, din care cauz, pentru asigurarea
stabilitii n funcionare, montajul trebuie neutrodinat.
Avnd n vedere c conexiunea cu punct mediu la mas d o amplificare
mai mare dect montajul cu baza comun i un zgomot mai mic, ea este indicat n special n cazurile n care frecvena de lucru se apropie de frecvena de
91
92
montaj cascod.
Pentru a se obine o mai mare rejecie a rspunsurilor parazite este necesar obinerea pentru filtrul de nalt frecven a unui factor de calitate ct mai
mare. Aceasta prezint i avantajul c se asigur o rejecie mbuntit a
frecvenei imagine i o radiaie mai redus a blocului de UUS, datorit cuplajului slab al oscilatorului cu circuitul de anten al amplificatorului. O cretere
prea mare a impedanei circuitului de sarcin duce ns, de obicei, la neadaptare, rezultnd din aceast cauz o pierdere de amplificare n putere, care
poate fi acceptat atta vreme ct raportul semnal/zgomot nu este afectat peste
limitele valorii admise ansamblului de proiectat (scznd ctigul amplificatorului, crete importana zgomotului etajului schimbtor la zgomotul total).
93
94
95
yin ; y11b .
Se noteaz:
Z A = R A + jX A impedana antenei;
96
Ea
Rin=R11
Cin = C11
Q2
Ct2
Qe
fmax, fmin
C1'C2
Ct 2 '
,
C1 C2
(4.24a)
C1' C1 Cin .
(4.24b)
Considernd aleas valoarea pentru Ct2, din condiia de rezonan rezult
valoarea inductanei L2:
L2 H
25330
.
MHz Ct 2 pF
2
(4.25)
Impunnd ca amplificarea la capetele benzii de lucru s nu scad sub un
anumit nivel (de ex. 1 dB) fa de cea de la frecvena medie din band,
rezult c banda la 3 dB trebuie s aib valoarea:
B 2 max min .
(4.26)
Re
2Qe
,
Ct 2
(4.27)
97
Re
(4.28a)
iar Qe:
Qe
.
B
(4.28b)
L1
R02 Rin'
,
R02 Rin'
L2
,
n2
apropiat de
(4.29a)
Kv
1 Rin
.n
2 RA
Re
.
Ra
(4.29b)
Rezistena de intrare Rin a etajului amplificator, raportat la bornele 1
1 ale circuitului de intrare, are valoarea:
C ' C2
R 1
C2
'
in
Rin ,
(4.30a)
de unde rezult c:
Ci' C2
C2
Rin'
k.
Rin
(4.30b)
Kv
1 Rin
.
2 RA
(4.31)
98
n aceste etaje valoarea factorului de zgomot depinde de adaptarea la zgomot a generatorului la intrarea tranzistorului i de punctul de funcionare al
tranzistorului [11].
Din analizele efectuate asupra comportrii la zgomot a tranzistorului s-a
stabilit c factorul de zgomot al etajului amplificator din blocul de UUS
ajunge la o valoare minim dac impedana generatorului (Zge) ce apare la
intrarea tranzistorului, pentru frecvena de recepie, este inductiv, aceasta
independent de sistemul de conectare al tranzistorului [13].
Dac n aceste condiii se studiaz variaia factorului de zgomot al unui
etaj amplificator de UUS, n funcie de adaptarea generatorului i de curentul
de emitor, se constat c exist valori optime atit pentru admitan ct i
pentru punctul de funcionare al tranzistorului la care F capt cea mai mic
valoare.
n fig. 4.10 este prezentat aceast dependen la circuitul de intrare al
unui amplificator n conexiune BC, echipat cu tranzistorul BF115. Din analiza
celor dou reprezentri grafice se observ, pe de o parte c pentru
99
1
y ge Gge jBge .
Z ge
(4.32)
(4.33)
Pentru analiza propus s considerm mai nti schema din fig. 4.3, a, la
care partea reactiv a admitanei de intrare a tranzistorului are un caracter
inductiv. Dac circuitul de intrare este acordat pe o frecven din banda de recepionat, atunci componenta inductiv a admitanei de intrare a tranzistorului
va fi compensat i deci reactana generatorului de la bornele 1 1 ar fi de
natur capacitiv i n aceste condiii factorul de zgomot ar fi mare (F = 6...7).
Pentru a se obine o cifr de zgomot mai mic ar trebui ca circuitul oscilant
L1C1 s aib o frecven de rezonan mai mare dect cea mai mare frecven
din banda de recepionat, n acest fel comportndu-se inductiv n ntreaga
gam de lucru.
n schema din fig. 4.3, b, pentru a se obine o comportare inductiv a circuitului oscilant L1 C1 , este necesar ca acesta s aib o frecven de rezonan
mai mic dect frecvena minim din gama de recepionat.
Din cauz c aceste circuite trebuie s lucreze dezacordate n banda de
lucru, ambele scheme snt utilizate mai rar n montajele practice.
n fig. 4.11, a este prezentat o schem cu un circuit de intrare acordat, RA
reprezentnd rezistena echivalent a antenei. Curba de variaie n planul
complex a admitanei generatorului yge, ce apare la intrarea tranzistorului ntre
bornele 1 1, fr bobina suplimentar Ls, este reprezentat n fig. 4.11, b
(curba 1).
Considernd c etajul amplificator de frecven foarte nalt lucreaz n
gama 88 100 MHz, n domeniul 9194 MHz, factorul de zgomot este
deja minim, partea de reactan din yge avnd un caracter inductiv. n restul
domeniului, innd seam de faptul c admitana yge are un caracter capacitiv
100
seaz rmne inductiv (curba 2 din fig. 4.11, b). n aceste condiii se
realizeaz adaptarea la zgomot, dar nu mai este ndeplinit condiia de
adaptare n putere. Aceast dificultate se poate nltura prin utilizarea unui
circuit de intrare de band foarte larg. O astfel de soluie prezint ns
dezavantajul c este sczut sigurana n funcionare a blocului de USS fa
de rspunsurile parazite datorit faptului c n acest caz este mult redus
selectivitatea circuitului de intrare. n acelai timp, creterea limii de band
la intrare reduce sigurana privind stabilitatea schemei mpotriva oscilaiilor.
Spre deosebire de conexiunea BC, n cazul montajului n conexiune EC
adaptrile de zgomot i putere pot fi mult apropiate [15]. ntr- adevr se arat
c la o astfel de schem, n condiiile n care montajul este neutrodinat i este
compensat faza admitanei de reacie prin legtura serie a capacitii de
colector Ccb i inductana de la intrarea tranzistorului (fig. 4.12), impedanele
i admitanele zgomotoase se modific. Faptul cel mai important const n
aceea c partea activ gcor a admitanei ycor capt o valoare negativ i n
relaia (1.75) este micorat termenul n care
101
particip g cor , deci este redus factorul de zgomot [13] [18]. Admind un
factor de zgomot de valoarea celui din cazul unui montaj n conexiune BC,
termenul:
bcor Bg Bc1 ,
(4.34)
(v. relaia 1.75) poate fi modificat n sensul avantajos realizrii adaptrii de
putere, pin cnd se obine i pentru montajul n conexiune EC o aceeai
Introducerea reaciei prin bobina L2 prezint ns dezavantajul c amplificarea etajului scade. Trebuie avut grij ca aceast scdere s nu fie prea
mare, pentru ca n acest fel contribuia factorului de zgomot al etajului de
amestec, care particip micorat cu amplificarea etajului de frecven foarte
nalt, s rmn nc practic neglijabil fa de zgomotul total al blocului
de UUS.
Prezena neutrodinrii sau chiar a unei reacii pozitive reduse, ntr-un
astfel de montaj, compenseaz o parte din pierderea de amplificare prin
realizarea unei reduceri a valorilor admitanelor de la intrarea i ieirea
amplificatorului. Totodat n acest fel este crescut selectivitatea circuitelor
acordate i deci mbuntit atenuarea rspunsurilor la semnale parazite.
Trebuie observat aici faptul c reacia prin condensatorul CN nu este n
opoziie cu cea introdus prin bobina L2 care este de fapt selectiv, ea
acionnd numai asupra tensiunii utile a postului pe care este acordat
radioreceptorul.
Dac ne referim la montajele n conexiune cu punct mediu la mas (v. fig.
4.6), n acest caz exist o valoare a lui m pentru care cuplarea antenei
coincide pentru un minim de zgomot.
Pentru a arta acest lucru se consider schema echivalent simplificat a
etajului amplificator din fig. 4.6 (v. fig. 4.13).
innd seam de notaiile anterioare i de parametrii y ai schemei n
cone-
xiune EC, parametrii y' ai cuadripolului echivalent snt dai de relaiile [13]:
Ye Ycb '
(1 m) 2 jCcb
1 rbb ' (Yeb Ycb ' )
Y21Y11
jC my21 ;
Y12
(4.35)
103
Y21Y11
jC ;
Y12
Y12' (1 m) jCcb m
Y21Y11
jC ;
Y12
Y Y
Y22' Ys jCcb 21 11 jC ,
Y12
Y21' (1 m) jCcb m
(4.36)
(4.37)
(4.38)
unde prin C s-a notat legtura paralel a capacitii de colector Cce i a capaci
tii de neutrodinare CN. Valoarea condensatorului CN rezult din relaia:
CN
1 m
Ccb Cce .
m
(4.39)
Y
mY21 1 m 11 .
Y12
(4.40a)
Y
mY21 1 m 11 sin( s )
Y12
104
(4.40b)
sche-
1
.
RAGge
(4.42a)
LA
L1
.
n2
(4.42b)
105
Qe
2 'r C1
,
Gge GC1 Gin
(4.43b)
unde:
Gge este conductana generatorului echivalent;
GC1 conductana proprie a circuitului;
Gin conductana de intrare a tranzistorului.
Se verific apoi care este valoarea atenurii semnalelor cu frecvena fmin,
respectiv fmax (v. rel. 4.62). Ea nu trebuie s fie mai mare de 2 3 dB.
Proiectarea circuitului de sarcin al amplificatorului. n circuitul de
colector al amplificatorului de UUS se gsete circuitul acordat de frecven
foarte nalt. Acesta este conectat la etajul schimbtor de frecven prin
intermediul unui condensator de cuplaj.
n fig. 4.9 este prezentat schema de principiu a unui amplificator n
conexiune BC, cel mai utilizat montaj n blocurile de UUS, iar n fig. 4.14 se
prezint schema echivalent a acestui amplificator.
Avnd n vedere banda de lucru a amplificatorului ( fmax - fmin), se determin coeficientul de acoperire al gamei:
2
C
k max t max ,
Ct min
min
unde Ct
circuit.
106
max
i Ct
min
(4.44)
L3 H
25330
,
MHz C pF
2
(4.45a)
unde:
max min ;
(4.45b)
C Ct min Ct max ,
(4.45c)
rsh2 ( X C 6 xsh ) 2
1
.
Gsh'
rsh
(4.48a)
X sh'
rsh ( X c 6 xsh ) 2
,
X c 6 xsh
(4.48b)
X C 6 xsh
(4.49a)
rsh
rsh2 .
Gsh'
107
C6
1
2 X C 6
(4.49b)
Avnd cunoscut pe C6, valoarea componentei reactive X'sh se determin
din relaia (4.48 b), iar capacitatea C'sh din relaia:
Csh'
1
.
2 X sh'
(4.50)
(4.51a)
unde:
Y12Y21
B1 cos(12 21 ) G1 sin 12 21
G12 B12
G1 G11 Gge ,
(4.51b)
B1 B11 Bge .
(4.51c)
innd seam de participarea la capacitatea total de acord a capacitilor susceptanelor date de relaiile (4.50) i (4.51 a), i considernd o
capacitate parazit de montaj Cp (este de ordinul a 2 3 pF), valoarea
capacitii maxime de acord este:
Ct max CV max C5
Bies
Csh' C p ,
(4.52a)
unde CV max este capacitatea maxim a condensatorului variabil C4.
Avnd n vedere relaia (4.44), rezult pentru capacitatea minim
valoarea:
Ct min
Ct max
.
k
(4.52b)
108
Au
U sh U sh U 2
kh Au1.
U1 U 2 U1
(4.53)
Au1
U2
S
' ,
U1 GS
(4.54a)
Gies G22
Kh
U sh
Rsh Gsh' .
U2
(4.55)
Au
S
GS'
(4.56)
Gies Gc 2 Gsh'
2 C
(4.57a)
i c lrgimea de band proprie a circuitului acordat L3 C este:
b0
GC 2
,
2 C
(4.57b)
atunci valoarea amplificrii din relaia (4.56) poate fi exprimat astfel:
Au
2 C ( B b0 ) Gies Rsh
2 CB
(4.58)
109
Ap Au2
1
,
RshGin
(4.59)
unde Au are semnificaia dat de relaia (4.58); Rsh este rezistena de intrare a
etajului schimbtor de frecven, iar Gin conductana de intrare a etajului
amplificator, reprezentat prin partea real din relaia (4.8):
Gin G11
unde:
(4.46)
G2 G22 GS ;
B2 B22 BS .
Qe
(4.61)
dB 10 log 1
s Qe2 ,
s p
110
(4.62)
unde:
fs este frecvena semnalului util;
fp frecvena semnalului perturbator.
p1 i ;
p2 s i 1 .
n
(4.63a)
(4.63b)
'p 2 s 2 i ;
(4.64a)
''p 2 s i 2,
(4.64b)
unde:
f'p2 este frecvena semnalului imagine;
f''p2 frecvena semnalului pentru care are loc primul rspuns repetat;
fi
frecvena intermediar.
Relaia (4.62) este valabil i pentru calculul atenurii introduse de circuitul de intrare asupra semnalelor nedorite.
4.2. Schimbtorul de frecvent i oscilatorul local
din blocul de UUS
4.2.1. Generaliti
Pentru schimbarea de frecven se folosesc, ca i n cazul tuburilor, dou
tipuri de montaje:
111
112
113
114
zistorului schimbtor de frecven, obinndu-se astfel o mbuntire a atenurii rspunsurilor parazite (circa 3 dB), dar i o scdere a amplificrii de
conversie (circa 2 dB), din care cauz este necesar realizarea unui
compromis corespunztor. Metoda este utilizat pentru tranzistoarele cu
frecvene de tiere foarte ridicate.
S-a artat c suprancrcarea etajului schimbtor-autooscilant, cauzat de
semnale mari ale antenei, schimb parametrii tranzistorului i prin aceasta
frecvena oscilatorului. Pentru mbuntirea funcionrii n aceast privin a
blocului de UUS, n unele montaje se introduce o diod limitatoare n circuitul de sarcin al amplificatorului de frecven foarte nalt. Soluia este
bun din punctul de vedere al limitrii nivelului semnalului din anten,dar nu
i n privina atenurii rspunsurilor parazite.
ntr-adevr, din cauza diodei de limitare se produce o amortizare suplimentar a circuitului de sarcin, care duce la scderea selectivitii acestuia.
Pentru a pstra proprietile selective iniiale ale circuitului de sarcin al
amplificatorului i a realiza totodat i o limitare a semnalelor puternice, n
unele montaje se utilizeaz o diod limitatoare n paralel cu circuitul acordat
de FI.
n fig. 4.17 este prezentat schema de principiu a unui etaj schimbtor
autooscilant utiliznd o diod de limitare (D1), conectat n paralel cu circuitul
acordat de FI (C2 L2). Tensiunea de polarizare invers a diodei este obinut
I 2 U1Sc e j 21b ,
care este defazat deci n urma tensiunii U1 cu 21 b. Acest curent de colector
creeaz pe circuitul rezonant din colector o tensiune de aceeai faz U2, circuitul L2 Ce fiind la rezonan. Tensiunea U2 creeaz, la rndul su, prin legtura de reacie CR(CR = C3 +Cce), un curent I1 prin admitana de intrare Yin.
Dac tensiunea de reacie UR ce apare la intrare este n faz cu U1 i de
valoare corespunztoare, atunci sistemul oscileaz. Aceasta corespunde de
fapt condiiei ca unghiul de faz al pantei tranzistorului (21 b) s fie
115
Yin' Y11'
Y12' Y21'
,
Y22' YS
(4.65b)
n care:
(4.66a)
(4.66b)
Y Y12 Y2 YR ;
(4.66c)
(4.66d)
'
12
'
21
unde Yr = j C3 (v. fig. 4.15). Y11, Y12, Y21, Y22 snt parametrii admitan ai
tranzistorului, iar Ys este admitana de sarcin a etajului oscilator. Admitana
Y'ge a generatorului echivalent are valoarea:
Yge' Gge j ( Bge Bcp ),
(4.66e)
unde Yge = Gge + jBge reprezint admitana generatorului echivalent al amplificatorului de UUS, iar Bcp reprezint susceptana de compensare necesar
la intrarea oscilatorului pentru aducerea n faz a tensiunii de reacie cu tensiunea de intrare.
Introducnd relaiile (4.65 b) i (4.66) n relaia (4.65 a) se obine:
ge
(4.67)
Considernd cazul unui schimbtor-oscilator, n relaia (4.67) se pot face
unele simplificri avnd n vedere c circuitul de sarcin se afl la rezonan
i c la montajele n conexiune BC este ndeplinit condiia G22 < GS. De
asemenea, innd seam de faptul c n general i etajul amplificator de
frecven este realizat tot n conexiune BC rezult c Gge < G11 i deci
admitana Yge a acestuia se reduce la o susceptan.
Cu aceste observaii i introducnd valorile de cuadripol n form
complex, relaia (4.67) devine:
jB
'
ge
(4.68a)
unde:
116
(4.68b)
Dac n relaia (4.68 a) se face separaia dup modul i faz se obine:
Y1 e j1
(4.69a)
adic:
C3
Y21 e j 21b ;
GS
2
1 21b ;
2
(4.69b)
Y1
(4.69c)
unde:
tg1
Bge' B11 C3
G11'
C ' C3
G11
C3
Y21 ,
GS
(4.70a)
tg 21b
G11
,
C ' C3
(4.71)
unde:
tg 21b
B21
.
G21
Ce
G11
,
tg 21b
(4.72a)
n care:
Ce C3 C ' .
(4.72b)
Avnd fixat valoarea capacitii de reacie C3, din relaia (4.72 b) rezult
valoarea capacitii C'. Capacitatea C3 se alege de valoare ct mai redus
117
C'
(4.73b)
C11
B11
.
(4.73c)
C ge
Bge
(4.73d)
C1 B2'
,
C1 B2'
(4.73e)
unde:
Bge
118
1
,
L
(4.73f)
unde L i Csh au semnificaiile date n relaiile (4.45 a) i (4.50), iar C'2 reprezint capacitatea total de acord a circuitului oscilant al amplificatorului
corespunztoare frecvenei f a oscilatorului, la care se face determinarea elementelor din lanul de reacie al acestuia.
Avnd cunoscute mrimile C', C11 i Cge, din relaia (4.73 b) se poate
determina valoarea capacitii Ccp corespunztoare susceptanei de compensare Bcp.
n cazul unui cuplaj slab ntre amplificator i schimbtorul autooscilant,
sau n cazul unui etaj oscilator care nu ndeplinete i funcia de schimbtor
C'
B11 Bcp
Ce C3
B11 Bcp
C11 Ccp ,
(4.74)
relaie care arat, avnd n vedere valoarea redus a lui C3, c pentru compensarea ntre 1 i 21b, este necesar la intrare o capacitate de compensare,
atunci cnd admitana de intrare a tranzistorului schimbtor are un caracter
inductiv. Este evident c n cazul n care susceptana B11 are un caracter
capacitiv, pentru a se obine valoarea dorit pentru Ce , este necesar ca
susceptana de compensare s fie de natur inductiv.
n ceea ce privete relaia ntre module, din expresia (4.69 c) se obine:
GS
C3G21
,
G11
(4.75)
G 11, C21 fiind mrimi caracteristice tranzistorului ales, iar C3 fiind determinat
de relaia (4.72 b). Rezult c din relaia (4.75) se poate stabili care este
valoarea maxim pentru conductana de sarcin GS pentru ca sistemul s
oscileze.
Pentru determinarea parametrilor circuitului acordat al oscilatorului principial se procedeaz similar ca la amplificatorul de UUS. innd seam de
banda de lucru a oscilatorului (fh max - fh min), se determin coeficientul de
acoperire al gamei:
2
C
K h h max h max .
Ch min
h min
(4.76)
L2 H
25330
,
MHz Ch pF
2
h
(4.77a)
119
unde:
h h max h min ;
(4.77b)
Ch Ch max Ch min .
(4.77c)
Ch max CV max C7 C p
Bies
,
(4.78)
unde:
Cv max este capacitatea maxim a condensatorului variabil C6 (v. fig.
4.15,a);
C7 capacitatea unui condensator auxiliar;
Bies
capacitatea de ieire a tranzitorului.
Condensatorul C7 poate servi, fie ca un condensator de compensare termic aa cum s-a artat la circuitele de oscilator cu tuburi electronice
fie ca un condensator ajustabil introdus n montaj pentru a asigura un reglaj
iniial mai bun al circuitului de oscilator. La unele montaje exist cte un condensator pentru fiecare din rolurile amintite.
n mod analog cu relaia (4.65 b) i separnd partea imaginar din
admitana Yies, valoarea susceptanei de ieire a tranzistorului amplificator
este dat de expresia:
Y12' Y21
G12 B12
G1 sin(12 21 )].
[ B1 cos 12 21
(4.79)
Y12' jC3 ,
relaia (4.79) devine:
Bies B22 C3
unde:
120
C3Y21
B1 sin 21 G1 cos 21 ) ,
G12 B12
(4.80)
(4.81)
(4.82)
B1 B11 C3 .
(4.83)
121
n cazul sursei de alimentare prin baterie de automobil variaiile de frecven ale oscilatorului local deranjeaz recepia n mod simitor. n acest caz
snt necesare msuri pentru stabilizarea frecvenei oscilatorului, aceasta
122
lator, astfel ca dependena tensiunii de alimentare de variaiile rapide ale nivelului semnalului s nu aib nici o influen asupra frecvenei acestuia.
Foarte discutat este la ora actual problema recepiei emisiunii dorite n
condiiile unei bune stabiliti n funcionare a oscilatorului de UUS. Avnd n
vedere creterea puterii instalate a staiilor de emisie, nivelele ce apar la
antena radioreceptorului pot ajunge la sute de milivoli din care cauz, la
schemele obinuite, funcionarea oscilatorului devine nesatisfctoare, n
123
unele cazuri acesta ncetnd chiar s mai funcioneze. Utilizarea unor diode de
limitare, fie n circuitul de sarcin al amplificatorului de UUS fie n cel al
circuitului de FI este fcut cu oarecare rezerv, aceasta datorit faptului c n
aceste condiii scade capacitatea ansamblului de UUS n privina atenurii
rspunsurilor parazite, datorit scderii factorului de calitate al circuitului n
care se monteaz dioda. Aceast scdere are loc n momentul n care dioda
intr n funciune pentru a efectua limitarea. Din aceast cauz, cea mai bun
soluie n aceast privin rmne utilizarea blocurilor de UUS cu oscilator
separat. n acest fel nu se mai exercit asupra circuitului acordat al
oscilatorului nici influena semnalului din anten i nici influenta modificrii
parametrilor tranzistorului amplificator, datorit nivelelor mari aplicate la
intrarea sa. Se realizeaz astfel o bun selectivitate a circuitului de sarcin al
amplificatorului de frecven foarte nalt i se poate deci obine o bun
atenuare a rspunsurilor parazite.
n fig. 4.20 snt prezentate cu caracter informativ trei diagrame
reprezentnd variaia frecvenei oscilatorului n funcie de semnalul aplicat n
anten, pentru un bloc UUS cu schimbtor-oscilator.
Pentru comparaia performanelor n privina funcionrii la semnale mari
ntre un bloc UUS cu schimbtor-oscilator i unul cu oscilator separat, n fig.
(4.21) snt prezentate dou diagrame.
124
mari.
125
Ct C8 Ccb ,
(4.84)
Yce
1
Yb ' c rbb ' ,
Ye
Yb
unde:
126
(4.85a)
kr
(4.85b)
BT B
2 1,
(4.86)
unde BT este banda total, iar B este banda unui singur circuit. Considernd
cazul a trei circuite de FI i lund banda total egal cu 200 kHz, rezult pen tru B:
BT
3
2 1
200
400 kHz.
0,5
L3 H
25330
,
MHz Ct pF
2
i
(4.87)
127
Gies Gc 2 Gin' 2
Gs'
,
2 Ct
2 Ct
(4.88)
unde:
Gies este conductana de ieire a tranzistorului schimbtor;
Gc2 conductana proprie a circuitului acordat;
G'in2 conductana de intrare a etajului amplificator de FI Gin 2,
raportat la bornele de ieire ale schimbtorului de frecven.
Valoarea conductanei G'in 2 este dat de expresia:
Gin 2 '
Gin 2
,
n2
(4.89a)
Gin 2
.
Gin' 2
(4.89b)
Auc
Sc
Rin 2Gin' 2
,
Gs'
(4.90a)
unde
Rin 2
1
.
Gin 2
(4.90b)
b0
128
Gc 2
,
2 Ct
Auc
SC
2 Ct ( B b0 ) Gies Rin 2
2 Ct B
(4.91)
Apc Auc2
Gin 2
,
Gin1
(4.92)
unde Auc i Gin 2 au semnificaiile date mai sus, iar Gin 1 este admitana de
intrare a etajului schimbtor de frecven (v. relaia 4.60).
C AP ITOLU L
5
CALCULUL BLOCULUI DE UUS
CU TRANZISTOARE
129
5.1. Generaliti
n general, atit proiectarea cit i realizarea constructiv a blocurilor de
UUS cu tranzistoare se supun regulilor cunoscute de la cele cu tuburi electronice. Apar totui unele particulariti la proiectare, avnd n vedere c la montajele cu tranzistoare impedanele de intrare i ieire au valori reduse. Cu
caracter informativ, n tabelul 5.1 snt date valori uzuale pentru parametrii
tranzistoarelor de frecven foarte nalt.
n ceea ce privete realizarea constructiv, se va avea grij i aici s se
urmreasc asigurarea unei bune rigiditi mecanice a montajului, a unei
130 ) Ctigul este msurat in condiiile n care ieirea blocului de UUS este terminal pe o rezisten de 50 .
21
kHz/V;
1)
2) Se presupune c amplificarea primului etaj de UUS este suficient de mare pentru ca zgomotul
etajului schimbtor s fie neglijabil fa de zgomotul total.
BC. innd seam de rolul fiecrui etaj n funcionarea blocului de UUS, s-a
fcut o distribuire pe etaje a performanelor, aa dup cum este prezentat n
tabelul 5.2.
Schema de principiu adoptat pentru blocul de UUS, ce urmeaz s fie
proiectat, este prezentat n fig. 5.1. Amplificatorul de UUS folosete tranzistorul AF121, care este un tranzistor cu larg utilizare pentru etajele de intrare
la care se dorete obinerea unui factor de zgomot redus. Etajul schimbtoroscilator este echipat cu tranzistorul AF106, folosit curent n montajele de
UUS.
Parametrii de cuadripol ai celor dou tranzistoare snt dai n tabelul 5.3
[pentru f = 100 MHz].
131