Curs nr.3 E.P.

TEHNICI DE COMAND I CIRCUITE DE PROTECIE A TBP

Tranzistoarele bipolare de putere (TBP) trebuie sa fie lucreze in AFS (Aria de
Functionare Sigura) asftel incat sa fie protejate contra distrugerii prin depasire a valorilor
maxime admisibile si a curbelor date in catalog pentru I CM admisibil, VCEM admisibil, PdM admisibil si
fenomenul de strapungere secundara.
In acest curs veti vedea ca TBJ mai trebuie, in plus, protejat si contra depasirii vitezei
de variatie maxime a curentului de colector (numit efect di/dt), a vitezei de variatie
maxime a tensiunii colector-emitor (numit efect du/dt) etc.
In plus, energia medie disipata pe TBP pe durata unei perioade de comutatie T
trebuie micsorata, fapt realizat prin micsorarea timpilor de comutatie directa tON=td+tr,
respectiv inversa tOFF=ts+tf, numiti parametri de impuls ai TBP si definiti in cursul anterior.
Toate aceste deziderate sunt realizate folosind tehnicile de comanda si circuitele de
protectie numite snubbere, care din punct de vedere practic reprezinta grupuri de
componente pasive (rezistente, condensatoare si bobine) si/sau diode introduse suplimentar
in circuitele de comutatie pe sarcina rezistiva R, respectiv sarcina RL puternic inductiva
(L>>R) prezentate tot in cursul anterior.
Principalele circuite de comanda si protectie ale TBP sunt prezentate in fig.1 si vor fi
analizate in continuare. Mentionam ca nu este studiat efectul tuturor circuitelor de comanda
si protectie functionand simultan, ci doar cate unul sau maxim doua functionand in acelasi
timp.

EC

RS

Df
LS

DON
Cb

LON

Das

RB

D1

Rb

D2

u B t

RON

TBP

ROFF

DOFF
COFF

Fig.1. Circuite de comand i protecie a TBP

1. Tehnic de comand pentru controlul comutrii n conducie a TBP
Pentru creterea vitezei de comutare n conducie a TBP, prin micorarea timpului tr de
crestere a curentului de colector la comutatia ON (din blocare in saturatie) a TBP , deci
implicit si a timpului de comutaie direct tON=td+trtr, se introduce n baza tranzistorului grupul

Cb Rb . Condensatorul Cb se ncarc rapid la valoarea I BM , iar apoi se descarc mai lent

1

(exponenial), permind scderea lui

t ON , pentru a suporta curentul iC din regim

cvasistaionar. Formele de unda fara, respectiv cu grupul

Cb Rb sunt prezentate in fig.2.

iC

iC
RB

I Csat

iB
u BE

u B t

iB

I BM

I Bm

u B t

tON

U BM

fara Cb Rb

t
a. Circuit i forme de und fr

CB

iC

iC

RB

Cb Rb

I Csat

iB

Rb

u BE

u B t

I BM

iB

I Bm
t

tON
cu Cb Rb

b. circuit i forme de und pentru

tON
fara Cb Rb

ib i iC cu Cb Rb

Fig.2. Tehnic de comand in conductie a TBP pentru micorarea timpului tON

Dimensionarea (calculul) condensatorului
Curentul de baz minim
de c.c.):

I Bm

Cb (pe fig. 2.b.)

I Bm se afl folosind teorema Kirchhoff II, cu Cb n gol (regim

U BM U BE
RB Rb

Curentul de baz maxim

I BM se afl folosind teorema Kirchhoff II cu Cb n scurtcircuit

(regim de c.a.):

I BM

U BM U BE
.
RB

Condensatorul se ncarc la tensiunea:

uC U BM U BE

Rb
,
RB Rb

avnd constanta de timp

1 Rb RB Cb . Pentru dimensionarea condensatorului Cb se

egaleaz sarcina electric cu care Cs este ncrcat ntre momentele comutaiei

QCb Rb I b Cb cu sarcina electric ce trebuie injectat sau extras din baz Qb I B B (ef ) ,
unde

B (ef ) este timpul de via a purttorilor de sarcin majoritari n baz de la intrarea lor

prin contactul bazei pn la dispariia lor recombinare sau injecie n emitor. Rezult

Cb

B ( ef )
Rb

Obs: Relaia anterioar permite determinarea experimental a timpului de via efectiv al

purttorilor de sarcin majoritari, B (ef ) . Pentru aceasta, se modific valoarea
condensatorului

Cb pn cnd tensiunea uCE are fronturi de comutaie minime, atunci cnd

la intrarea circuitului se aplic impulsuri dreptunghiulare

2. Tehnici de comand pentru controlul antisaturaie al TBP la comutaia OFF
Dac TBP este puternic saturat, la comutarea OFF (din saturaie n blocare) a acestuia
crete mult timpul de evacuare ts a sarcinii stocate n baz, fapt ce conduce la micorarea
frecvenei de comutaie a TBP, indezirabil n aplicaiile la frecvene ridicate. Diodele D1, D2
i Das pot fi introduse pe rnd sau dou sau toate, n funcie de ct de puin/mult e saturat
TBP, micsorand timpul ts de evacuare a sarcinii stocate din baza TBP, deci implicit si a timpului
de comutaie inversa tOFF=ts+tf . Astfel:
- dac saturaia este mic, se introduce doar D 1 pe care cade tensiunea uAK1 de
deschidere a acesteia; pentru reducerea si mai mult a saturatiei TBP, se pot introduce n=2, 3,
... astfel de diode in serie pe care va cadea tensiunea u Ak=nuAK1;
- dac saturaia e medie, se introduce i D2 (pe lng D1)pentru a crea o cale de
curent invers prin care s se elimine sarcina stocat n baz, curentul prin D 2 fiind invers fa
de sensul curentului

iB din baz;

- dac saturaia e profund, se introduce i dioda de antisaturatie notata Das (pe

lng D1 i D2), care este conectat ntre B i C ale TBP, deci permite ramificarea curentului

iB i prin ea, astfel nct nu tot curentul emis de u B (t ) ajunge ca iB n baza TBP.
I S L
Das

iC

iDa s

iB
D1

iB

D2

u BE

TBP

Fig.3. Tehnici de comand pentru controlul antisaturaie al TBP la comutaia OFF

Obs: 1) Pe schema din fig.3, sarcina (grupul format din Rs si Ls) este considerat puternic
inductiv (Ls>>Rs), iar Ls devine o surs de curent constant I S in timp ce Rs este
neglijabila (se aproximeaza cu zero) si de aceea nu se mai figureaza pe circuit.
Demonstratie:

u S LS

not
diS
di
uS
S
0 iS const. I S , deci se inlocuieste bobina ideala cu o
dt
dt LS

sursa de curent constant I s=constant, ca in figura de mai jos:

LS

I S const .

2) n plus, pe schema din fig.3 se pot scrie unele ecuaii, folosind teoremele lui Kirchhoff:
a)

u Das u D1 u BC u D 2 u BC u u u u
Das
D1
BE
Ce
dar : u BC uCE u BE 0

b)

iB' iB iDas i ' i i I i i ' i i I , unde este

B
B
C
S
C
B
B
C
S
I S iDas iC

factorul de amplificare al TBP, la saturaie.

3. Comutarea TBP cu diod de nul Df n paralel cu sarcina (Ls, Rs)
Obs: In fig.4 specifica comutarii TBP cu diod de nul Df n paralel cu sarcina(Ls, Rs), sarcina (Ls,
Rs) puternic inductiv s-a nlocuit cu surs de curent constant I s, aa cum s-a demonstrat la
punctul 2 anterior, att la analiza circuitului la comutaia ON
comutaia OFF

not Ls

t ON ct i la
S
Rs

not Ls

t OFF , unde t On t d t r t r i t OFF t S t f , rezistenta Rs

S
Rs

fiind neglijabila comparativ cu bobina L s. Practic, rezistenta Rs reprezinta rezistenta de pierderi

a bobinei Ls de valoare mare.

EC

RS
IS

Df

LS

iC

iB

iDf
uCE

Fig.4. Comutarea TBP cu diod de nul Df n paralel cu sarcina(Ls, Rs)

Rolul diodei de nul Df in functiorea circuitului:
Cnd TBP conduce, polaritatea tensiunii pe bobina L s este cu semnul + in sus i cu
semnul jos (vezi fig.4, semnele fara paranteze), deci Df va fi polarizat invers i este blocat
si astfel nu intervine in functionarea circuitului. Cnd TBP comut OFF (n blocare), curentul i C
prin Ls scade, apare fenomenul de autoinductie propriu bobinei datorita scaderii curentului
prin ea, deci bobina va reactiona la aceasta scadere prin aparitia tensiunii de autoinducie
pe bobina Ls ce are drept efect inversarea polaritatii pe bobina, cu (-) in sus i cu (+) in jos
(vezi fig.4, semnele din paranteze), iar dioda Df va fi acum polarizat direct, va conduce,
scurtcircuitnd astfel sarcina (Ls, Rs). Astfel, dioda Df n comutaie invers mpiedic creterea
tensiunii u CE EC u Ls U CEM admisibil , dat n cataloage, limitand-o la valoarea u CE EC prin
scurtcircuitarea sarcinii (L s, Rs).
In concluzie, rolul diodei de nul Df este de protectie a TBP contra depasirii tensiunii
colector-emitor maxime admisibile UCEM admisibil data in catalog, participand astfel la
mentinerea punctului de functionare al TBP in AFS.
Calculul puterii medii disipate pe TBP la comutaia ON cu diod de nul Df :
Formele de und sunt cele din fig.5, n care curenii i Df i iC sunt complementari
deoarece

I S iDf iC , in urma aplicarii teoremei Kirchhoff I pe schema din fig.4. Tensiunea

uCE EC ct timp Df conduce. Aproximnd iC cu un segment de dreapt pe intervalul de

comutaie ON, anume pe t ON t r , puterea medie disipat pe TBP n comutaie ON este :
PTBP ON

1 tr
1 tr
t
Aria E C IS t r

i C t u CE t dt IS E Cdt
T0
T0
tr
T
2T

Calculul puterii medii disipate pe TBP la comutaia OFF a TBP cu diod de nul Df :

Formele de und sunt cele din fig.6, n care curenii

deoarece

iDf i iC sunt tot complementari

I S iDf iC , in urma aplicarii teoremei Kirchhoff I pe schema din fig.4. Plecnd de

uCE EC . Inseamn c uCE a

nceput s comute de la 0 (TBP saturat) la EC (TBP blocat) nainte de intervalul t f de
la observaia c atunci cnd Df ncepe s conduc, avem
comutaie OFF a TBP. Presupunnd c durata comutrii lui
calculelor), puterea medie disipat pe intervalul

PTBPOFF

t t f

iC t uCE t dt
0

iDf

IS

TBPbl

tr

t t f t f t f 2t f este :

Aria EC I S 2t f EC I S t f

T
2T
T

iC

IS

TBP sat t
uCE

TBP comut ON

uCE

uCE este t t f , (pentru uurina

iC

iDf

t
TBPbl
TBPsat t f
TBP comut OFF

ideal
real

EC

EC
t

pTBP

pideal iC uCE

pTBP

Pmax I S EC

Pmax I S EC

tf

t t f

Fig.5. Comutaia ON a TBP cu Df

Fig.6 Comutaia OFF a TBP cu diod de nul Df

Calculul puterii medii disipate pe TBP pe o perioada de comutatie cu diod de nul Df :

Sintetiznd rezultatele obtinute la comutatiile ON si OFF de mai sus, obinem puterea
medie disipata pe TBP pe durata unei periade de comutatie T, cu dioda de nul D f, avand
expresia:

E I
1
iC t uCE t dt PON Psat POFF Pbl C S t r 2t f

T0
2T
T

PTBP

Obs: Se poate calcula si energia media disipata pe TBP pe o perioada de comutatie T cu

relatia : WTBP=TPTBP
4. Circuit de protecie a TBP cu Df i snubber ON (grupul LON, DON, RON)
Rolul snubberului ON (LON, DON, RON) :
Intotdeauna o bobina (in fig.7a, este bobina LON) are ca efect prelungirea duratei
curentului ce circula prin ea (in fig.7a, curentul iC ce circula prin LON). Pentru simplificarea
calculului, se va presupune o bobina LON de o asemenea valoare incat prelungete durata
comutatiei ON a TBP(deci conducia curentului iC ) de la durata t r la o durata dubla,
notata t rr

2t r . Acest fapt are ca efect scaderea pantei (vitezei de variatie a curentului iC a

TBP), notata diC/dt sub valoarea (di/dt)maxim admisibila dat n catalog i numit efect di/dt.
Acest fenomen conduce implicit si la micsorarea puterii medii disipate pe TBP in comutatie
ON de 6 ori, asa cum se a demonstra in continuare.
La comutaia OFF, datorit fenomenului de autoinducie pe L ON aprut datorit
scderii curentului iC de la valoarea maxim I S la valoarea 0, polaritatea pe LS se modific
cu semnul (-) sus i semnul (+) jos (invers dect n conducie cnd polaritatea fara paranteze

+ e sus i - e jos vezi in fig.7a) i face ca DON s fie polarizat invers i s fie blocat. Acum
DON se deschide fiind polarizat direct i energia acumulat pe bobina L ON n comutaia ON
se disip prin efect Joule (cldur) pe rezistena R ON aleasa practic in acest scop. De
asemenea snubberul ON i dioda D f limiteaz u CE EC n comutaia OFF, Df i DON
conducnd.

EC

Df

IS

uCE , iC

EC

DON

LON

I S TBPsat

TBPbl

RON

t rr 2t r

iC

iB

iC

uCE

PTBP ON iC uCE

TBP

tr
PTBP max

EC I S
8

iB

t
a. Circuit de protecie a TBP
b. Forme de und ale curentului i c, tensiunii uCE si puterii
cu Df i snubber ON contra
instantanee pTBP-ON pe TBP la comutatia ON cu Df i snubber ON
efectului di/dt
Fig.7. Circuit de protecie a TBP cu D f i snubber ON contra efectului di/dt

Puterea medie disipat pe TBP la comutaie ON devine:

E I tr
1 tr
t
t
t
PTBPON IS E C 1 dt C S t 1
T0
t rr
T 2t r 0 t r
tr

E C IS t 2 t r
t 3 t r
dt

T 2 t r 2 t 0 3t r t 0

E C IS t 2r t 3r E C IS

tr
T 2 t r 2 3t r
12T

Deci

PTBPON

EC I S
t r , adic de 6(ase) ori mai mic dect la comutaia ON a TBP
12T

cu diod de nul Df, dar fr snubber ON.

Obs:

1) Energia medie disipat n comutaia ON a TBP este:

tr

WTBPON iC t uCE t dt T PTBPON

0

EC I S
tr
12

2) Puterea instantanee maxim disipat pe TBP n comutaia ON se obine anulnd

derivata puterii instantanee n raport cu timpul t:

p TBPON i C t u CE t IS

dp TBPON

E I 2t
t
t
E C 1
0 C S 1 t r ,
t rr
dt
t rr t r
2
tr
6
t

unde apare maximul de putere

pTBPON max

tr
tr

tr
2
pTBPON t I S
E C 1 2
2
2 tr
tr

EC I S
.

5. Circuit de protecie a TBP cu Df i snubber OFF (grupul DOFF, COFF, ROFF)

Rolul snubberului OFF:
Intotdeauna un condensator (in fig. 8a este condensatorul CON) are ca efect
prelungirea duratei tensiunii la bornele sale (in fig.8a la bornele lui CON este tensiunea notata
uC). Pentru simplificarea calculului, se va presupune un condensatorul CON de o asemenea
valoare care prelungete durata comutatiei OFF (deci a tensiunii uCE a TBP) de la tf la o
durata dubla, notata t ff 2t f . Acest fapt are ca efect scaderea pantei (vitezei de variatie a
tensiunii uCE a TBP), notata du/dt sub valoarea dui/dt)maxim admisibila dat n catalog i numit
efect du/dt. Acest fenomen conduce implicit si la micsorarea puterii medii disipate pe TBP
in comutatie OFF de 12 ori, asa cum se a demonstra in continuare.
Condensatorul COFF se ncarc prin DOFF polarizat direct n comutaia OFF cnd,
datorit fenomenului de autoinducie pe bobina de sarcin LS , echivalent cu sursa
de curent constant I S, polaritatea pe I S este cu semnul (-) sus i semnul (+) jos (vezi fig.7a).
Astfel, tensiunea u CE i prelungete durata la t ff 2t f datorit condensatorului COFF .
Rezult c viteza de variaie duCE/dt scade sub valoarea admisibil maxim (du/dt)max
admisibila dat n catalog. n concluzie, snubberul OFF protejeaz TBP contra efectului du/dt,
cum este numit aceast vitez de variaie a lui u CE . La comutaia ON, polaritatea pe I S
devine cu semnul + sus i semnul jos (vezi fig.7.a), ceea ce face ca dioda
blocheze fiind polarizat invers iar energia acumulat pe
disip prin efect Joule (cldur) pe

EC

IS

Df

iB

COFF pe durata comutaiei OFF se

ROFF .

uCE , iC
iC

real

uCE

ideal

IS

iC
TBP

DOFF
iCC
COFF

DOFF s se

EC

t ff 2t f

ROFF

tf
pTBP OFF
PTBP OFF max

iB

t
t

a. Circuit de protecie a TBP cu Df i

b. Forme de und ale curentului i c, tensiunii uCE si
snubber OFF contra efectului
puterii instantanee pTBP-ON pe TBP la comutatia OFF cu
du/dt
Df i snubber OFF
Fig.8. Circuit de protecie a TBP cu D f i snubber FF contra efectului du/dt

Puterea medie disipat pe TBP n comutaie OFF este:

PTBPOFF

tf

1
t
I S 1

T 0 tf

EC t dt EC I S t f , unde t ff 2t f ,

t ff
12T

adic de 12 (douasprezece) ori mai mic dect la comutaia OFF a TBP cu diod de nul Df,
dar fr snubber OFF

Obs: 1) Puterea instantanee maxim disipat pe TBP n comutaie OFF, notat

pTBPOFF se

determin similar ca la punctul 4, obinndu-se:

tf E I
pTBPOFF Max pTBPOFF t C S ;
2
8

Dac se consider c u CE nu variaz liniar (ideal) ci dup parabola:

uCE

t
t
t
IS t2
1
1
1
t
U C iCC t dt I s iC dt I S dt
C0
C0
C 0 tf
2Ct f

uCE t f U f
not

iC t 2f

2Ct f

parabol. Rezult din

Energia

2)

IS t f
2C

, atunci expresia lui

uCE t

WTBP OFF PTBP OFF T

disipat

pe

TBP

notm

IS t f t2
t2
2 U f 2 , deci este o
2C t f
tf

duCE
2 4
0 pTBP OFF max pTBP OFF t t f U f I s .
dt
3 27
medie

EC I S
t f , similar cu punctul 4.
12

comutaie

OFF

este:

Not: Comutarea TBP a fost analizat separat cu snubber ON i OFF, dar cnd cele dou
tipuri de snubbere sunt puse mpreun n circuitul cu TBP ele se influieneaz reciproc n
funcionare. De aceea, componentele celor dou snubbere trebuie redimensionate i
ajustate astfel nct interdependenele ntre componentele din circuitul complet din fig.1 s
fie minime.
SINTEZA CURSULUI:
1) grupul

Cb Rb are rol de micorare a timpului tr, deci implicit a timpului t ON ;

Completare: Grupul

Cb Rb se adaug pentru ca iB s prezinte front abrupt i supracretere,

saturnd TBP nc de la nceput la curentul

iC mai mare dect ulterior, n conducie. Astfel,

iC crete rapid, deci scade t r , deci implicit scade t ON t d t r t r .

2) grupul

D1 D2 Das are rolul de a micora timpul t s , deci implicit a timpului t OFF t s t f ;

3) dioda

D f protejeaz sarcina Rs Ls contra depirii U CEM la comutaia OFF a TBP;

Funcionare: La comutaia ON, n saturaie i n blocare Df e blocat; La comutaia OFF,

curentul prin Ls scade, tensiunea de autoinducie pe Ls devine cu - sus i cu + josi Df se
deschide scurtcircuitnd sarcina Rs-Ls. Astfel TBP e protejat prin u CE EC U Ls U CE max adm. .
4) grupul snubber ON format din LONII(DON serie RON) protejeaz TBP contra efectului di/dt.
Bobina LON n comutaie ON prelungete curentul iC , deci micoreaz panta

diC diC

dt
dt

max,adm

Obs: La comutaia OFF, prin apariia tensiunii de autoinducie pe

energia acumulat pe

LON

LON , se deschide DON i

n comutaia ON e disipat prin efect Joule pe RON .

5) grupul snubber OFF format din DOFFII(ROFF serie COFF) protejeaz TBP contra efectului du/dt.
Condensatorul COFF n comutaie OFF prelungete tensiunea u CE , deci micoreaz panta

duCE duCE

dt
dt

max . adm

Obs: La comutaia ON, condensatorul

COFF , care s-a ncrcat prin DOFF n timpul comutaiei

ON, i descarc energia prin efect Joule pe ROFF .
8