Composants

p
de
lllectronique
lectronique de
puissance

Plan

I. Introduction

V. Transistor MOS et MOSFET

IV.1 Types/Fonctionnement

II. La diode
II.1 Diode relle et modle parfait
f

IV.2
IV 2 Limites et protections

II.2 Critres de choix

IV.3 Interfaces de commande

II.3 Protections

III. Le thyristor
III.1 Thyristor rel et modle parfait

VI. Transistor bipolaire

grille isole (IGBT)
VII. Complment

III.2
III 2 Modes de blocage

VI.1 Caractristique par segments

III.3 Critres de choix

VI.2 Segments dans le cas de la diode,

du thyristor et des transistors

III.4 Commande du thyristor

Principes
Pi i
ett solutions
l ti
iindustrielles
d t i ll

IV. Transistor bipolaire

VI.3
VI 3 Recherche de la rversibilit en
courant

IV.1 Types/Fonctionnement
IV.2 Limites et protections
IV.3 Pertes
IV.4
IV 4 Interfaces de commande
YvanYvan
Crvits
Crvits
Septembre
Sept.-Oct.
2005
2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

2 / 37
18

Introduction (1/3)

lectronique de puissance
tude des convertisseurs statiques
d
dnergie
i l
lectrique
ti
nergie
entrante

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Convertir lnergie
l nergie
lectrique

nergie
sortante

Convertisseur statique

Constitution des convertisseurs (rappel)

( pp )
Composants ractifs (inductances couples ou non, condensateurs)
lments non dissipatifs (ne consomment pas de puissance active)

Composants semi
semi-conducteurs
conducteurs
Fonctionnement en commutation de type tout ou rien
Ils se comportent comme des interrupteurs ouverts ou ferms

YvanYvan
Crvits
Crvits
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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

3 / 37
18

Introduction (2/3)

Interrupteur
Un diple comme les autres

Symbole - Notations

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Caractristique statique
i

i(t)
v(t)
tats
Ouvert

Rsistance trs faible (R 0),

0)
Tension trs faible (v 0)

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Crvits
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2005

Rsistance trs leve (R ),

)
Courant trs faible (i 0)

Ferm

v
<0
i

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

v
<0
i

4 / 37
18

Introduction (3/3)

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Deux types de composants

Non commandables
Ltat est spontan

Commandables
la fermeture
louverture
l ouverture

Commande

u
Composant

Composant

u
M d d
Mode
dtude
d
Fonctionnement : Composants parfaits (sans pertes)
Dimensionnement : Composant rel tenant compte des imperfections
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Crvits
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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

5 / 37
18

La diode

Composantt non
C
command

La diode : Prsentation

I. Introduction
II. La diode
II.1 Diode relle et modle parfait
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Symbole - Notations
iAK

Anode (A)

Deux tats

vAK

Diode passante (ON)

Cathode (K)

vAK 0 et positive

Doc
.1

iAK existe
Interrupteur ferm

Caractristique statique
En inverse,
inverse le
courant iAK est
faible
Tension inverse
maximale
Avalanche
Quelques
centaines de
volts

Diode bloque (OFF)

iAK

vAK < 0
iAK 0
Interrupteur ouvert

Courantt direct
C
di t
maximal
En direct,
VAK est faible
vAK
Quelques
volts
T
Tension
i d
de seuilil

YvanYvan
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Crvits
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2005
2005

Ch
Changements
t dt
dtats
t
Mise en conduction : Transition OFF-ON
Ou amorage
Spontan : iAK ou vAK deviennent positifs

Blocage : Transition ON-OFF

Spontan : iAK annule

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

7 / 37
18

La diode : Composant idalis

I. Introduction
II. La diode
II.1 Diode relle et modle parfait
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Diode parfaite
iAK
Caractristique
inverse

tat ON
Caractristique
directe

tat OFF

vAK

Modle utilis pour les tudes de fonctionnement des convertisseurs

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Crvits
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

8 / 37
18

La diode : Choix du composant

I. Introduction
II. La diode
II.2 Critres de choix
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Caractristique statique (rappel)

iAK
Tension
inverse
maximale :
VRRM

Tension
d
davalanche
l
h

Critres courant
Courant
direct
maximal : IFM

Courant direct moyen

IFMoy (F pour forward=Direct)

Courant direct efficace (et/ou)

IRMS (RMS pour Root mean Square)

vAK

Courant direct maximal rptitif

IFRM (R pour repetitive)

Critre tension
Tension inverse maximale rptitive
VRRM

Doc
.1
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Crvits
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

9 / 37
18

La diode : Protections contre les surintensits

et les surtensions (1/2)
Contre les surintensits
Par fusible

I. Introduction
II. La diode
II.3 Protections
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Contre les variations de tension (dv/dt)

Condensateur et/ou circuit RC

Contre les surtensions

Contre les variations de courant (di/dt) :

Circuit RC
C

Inductance
R

Exemples

KD

lment non linaire (diode transil)

D2

itransil

itransil

vtransil

D1

R1
L

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Crvits
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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

R2

10 / 37
18

La diode : Protections thermiques (2/3)

I. Introduction
II. La diode
II.3 Protections
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Pertes de puissance : 2 origines

tat fix : En conduction
Changement
Ch
t dt
dtatt : E
En commutation
t ti

Pertes en conduction

Pertes en commutation

Modle du composant
A

VD0

rD

Expression de la puissance

iD

Expression de la puissance

Pcond = p (t ) = V D 0 i (t ) + rD i 2 (t )

Pcom = POFF ON + PON OFF

Pcom =

1
1
I D V t mi f + I D V t di f
2
2

2
Pcond = V D 0 I moyy + rD I eff
ff

Pertes totale Pd = Pcond+Pcom : chauffement

Un dissipateur thermique limite la temprature
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

11 / 37
18

La diode : Dissipateurs thermiques (3/3)

Analogie thermique - lectrocintique

Chane thermique

I. Introduction
II. La diode
II.3 Protections
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

RthJB : Rsistance thermique jonction-botier

Dpend du contact jonction-composant
Valeur donne par le constructeur

RthBR : Rsistance botier-radiateur

Dpend du moyen de fixation
f
+ : Serrage et graisse de silicone
: Isolants lectriques (mica)

TJ

TB

TR

TA

Pd
RthJB

RthBR

RthRA

( RthJB + RthBR + RthRA ) Pd = TJ TA = T

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2005

RthRA : Rsistance thermique radiateur-ambiant

+ : Surface de dissipation importante
+ : Radiateurs de faible encombrement /
grande surface dchange
+ : La convection est favorable (ventilation)

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

12 / 37
18

Le thyristor : Prsentation

Symbole

iAK

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.1 Thyristor rel et modle parfait
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Anode (A)

vAK
Gachette (G)
IG

Cathode (K)

Trois tats

Thyristor amorable

Caractristique statique

vAK > 0 et iAK 0

Doc
.2

Interrupteur ouvert

Thyristor bloqu (OFF)

iAK

Comme une diode : iAK 0 et vAK < 0

Thyristor
passant

Thyristor
amorable

Interrupteur ouvert

Thyristor
y
p
passant ((ON))
Comme une diode : iAK existe et vAK 0
Interrupteur ferm

Changements dtats
d tats

Ih

vAK

Avalanche

Amorage (A) : Transition OFF-ON

Courant de gchette iG quand vAK positive

Thyristor
y
bloqu
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2005

Blocage : Transition ON-OFF

Spontan quand iAK annule

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

13 / 37
18

Le thyristor : Composant idalis

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.1 Thyristor rel et modle parfait
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Thyristor parfait
iAK

tat ON

A
vAK

tat OFF

tat OFF

Modle utilis pour les tudes de fonctionnement des convertisseurs

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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

14 / 37
18

Le thyristor : Blocage (1/2)

Blocage par commutation naturelle

Schma dtude
Th

ue

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.2 Modes de blocage
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

iAK

tude

iG

us

Chronogrammes
g

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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

15 / 37
18

Le thyristor : Blocage (2/2)

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.2 Modes de blocage
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Blocage par commutation force

Schma dtude
ThP

IP

IE

iAK

Chronogrammes

ThE
R

us

+
Uc

tude

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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

16 / 37
18

Le thyristor : Choix du composant

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.3 Critres de choix
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Caractristique statique (rappel)

iAK
Tension
inverse
maximale :
VRRM

Tension
d
davalanche
l
h

Critres courant
Courant
direct
maximal : IFM
Ih

Les mmes que la diode : Thyristor en

conduction
d ti permanente
t
Courant direct moyen (IFMoy)
Courant direct efficace (IRMS )

vAK

Courant
C
t di
directt maximal
i l rptitif
titif (IFRM)

Critres tension
Mmes contraintes que la diode :
Tension inverse maximale rptitive
(VRRM)

Protection du thyristor
Les mmes protections que la diode

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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

Doc
.2

17 / 37
18

Le thyristor : Principes de commande (1/2)

Schma quivalent du circuit de gchette

A

iG
vGK

RGK

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.4 Commande du thyristor - Principes
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

VGK0

Illustration/Exemple
Quand commander lamorage ?
En accord avec le rseau sinusodal ((en
redressement) : Synchronisation
Attendre le passage zro du rseau
Cet instant sert de rfrence (le zro ))
Lamorage du thyristor est retard par
rapport cet instant

Rfrences de
tension
diffrentes

Sparation lectrique :
Isolement galvanique
Interface
iG
Rseau
(ex 220 V 50 Hz)

Charge

Interface
iG

Commande
(lectronique)

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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

Passage zro
Consigne : retard par rapport zro

18 / 37
18

Le thyristor : Principes de commande (2/2)

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.4 Commande du thyristor - Principes

Sparer la commande et la puissance

Pour la scurit des personnes
Pour la scurit du matriel
Isolement galvanique

Doc.
D
5a/b

i1

iG

Dz
N N

u1(t)

u2(t)

Isolement magntique par transformateur

dimpulsion (TI)
Cmde

Li t
Lintermdiaire
di i estt magntique
ti

Transformateur
+E1

Se rfrer la commande dun TI

Le signal de commande permet au

transistor T dtre alternativement
passant puis bloqu pendant chaque
demi-priode.

R1

+E2
+

Isolement optique par opto-coupleur

R2

Lintermdiaire
L intermdiaire est optique (infra-rouge)
(infra rouge)
Opto-coupleur
Circuit dmission
Circuit
Circ it de rception
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Th

Doc.
6

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

19 / 37
18

Le thyristor : Commande industrielle

Circuit intgr de synchronisation

avec le rseau dalimentation

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
III.4 Commande du thyristor Commande industrielle
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Circuit TCA 785 (Siemens)

Assure la dtection du zro secteur
Broche de VSYNC

Dlivre lenveloppe des impulsions de gchette

2 groupes de thyristors commandables
Associer lisolement galvanique (magn., optique)

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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

20 / 37
18

Le transistor

Composant
command

Transistor bipolaire : Prsentation (1/2)

2 types de transistors
Symboles
Type NPN

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.1 Types/Fonctionnement
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Type PNP
iC

iC

iB

VCE
VBE

NPN : Courants et
tensions positifs

iB

iE

VCE
VBE

PNP : Courants et
tensions ngatifs

iE

Le seul transistor utilis en EnPu

Proprits principales du transistor NPN (seul dcrit)
Command la fermeture (OFF-ON) louverture (ON-OFF)
Non rversible en courant
Seul un courant de collecteur positif

Non rversible en tension

Seule une tension vCE p
positive est supporte
pp
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

22 / 37
18

Transistor bipolaire : Prsentation (2/2)

Modes de fonctionnement
iB = iC = 0

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.1 Types/Fonctionnement
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Transistor bloqu
Interrupteur ouvert

iC proportionnel iB : iC = iB
Transistor en rgime linaire

iB
iBsat
iB > iCsat/
0
iC

iC ne change pas : iC = iCsat

Transistor satur
Interrupteur
p
ferm

iCsat

iC = iB

ic constant
t

0
vCE

Conclusion
Satisfaire la condition de non dissipation
iC = 0 quand vCE existe : p = 0
vCE = 0 quand iC existe : p = 0

t
0

Mode de fonctionnement utilis en EnPu

Fonctionnement tout ou rien : En commutation
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

23 / 37
18

Transistor bipolaire :
Fonctionnement parfait
Fonctionnement en commutation : 2 tats
Transistor bloqu (OFF)

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.1 Types/Fonctionnement
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

iC = 0 et vCE existe
Interrupteur ouvert

Transistor passant (ON)

iC = iCsat et vCE = 0

Caractristique tension-courant

iC

Interrupteur ferm

Transistor
passant (ON)
S

Changements dtats : Transitions

OFF-ON : Mise en conduction
iB > iBsat

ON-OFF : Blocage
iB = 0

B
vCE

Transistor
bloqu (OFF)
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2005

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

24 / 37
18

Transistor bipolaire :
Limites de fonctionnement relles
ltat ON
Limite en puissance

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.2 Limites et protections
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

p = vCE.iC < Pmax

Courant de collecteur moyen maximal

ICmoymax

Tension
T
i C
C-E
E de
d saturation
t ti
vCEsat de quelques volts

A ltat OFF

Protections
En courant : Action rapide
Commande de base

Tension collecteur-metteur maximale

ltat OFF : vCEmax

Courant de collecteur rsiduel ( fuite )

IC0 trs petit (souvent nglig)

+
Rglage du
seuil de
courant

&

Mesure de iE

iE

Choix dun transistor

Courant de collecteur moyen : ICmoy
C
Tension maximale collecteur-metteur
VCEmax
Doc
.3
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Thermique

Dissipateur comme diodes et thyristors

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

25 / 37
18

Transistor bipolaire rel :

Pertes en fonctionnement

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.3 Pertes
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Chronogrammes des courants et tension

iB
IBsat

t
0
Saturation

iC

Quatre dures typiques

td : Temps de retard du courant

ICsat
IC0

t
0
vCE

td

tr

ts

tf
t

vCEsat
0

tr : Temps de monte du
courant
ts : Temps
T
de
d stockage
t k
(prolongement du courant)

pT

tf : Temps de descente du
courant

Deux types de pertes

Quand les grandeurs sont tablies : Pertes en conduction
Quand les grandeurs changent : Pertes en commutation
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

26 / 37
18

Transistor bipolaire :
Interfaces de commande

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.4 Interfaces de commande
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Fonctions ralises par

linterface de commande
Fonction
F
ti amplifier
lifi
Courant de base du transistor

Fonction isoler
Isolement galvanique
entre la commande-puissance

Fonction adapter

M entrante

Dmagntisation rapide du circuit magntique

Interface

Alimenter

Interface

Distribuer

Convertir

transmettre

Action

Chane dnergie

nergie
dentre
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M sortante

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

27 / 37
18

Transistor MOS et MOSFET :

Prsentation

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
IV.1 Types/Fonctionnement
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

2 types de transistors
Symboles
Canal N

Canal P
iD

Grille (G)

Drain (D)
Substrat
Source ((S))

vGS

vDS

Canall N :
C
Courants et
tensions
positifs
p

iD
Grille (G)

Drain (D)
Substrat

vGS

Source ((S))

vDS

Canall P :
C
Courants et
tensions
ngatifs
g

Le seul transistor MOS utilis en EnPu

Proprits (transistor canal N, seul dcrit)

Command la fermeture (OFF-ON) louverture (ON-OFF)
Non rversible en courant
Courant de drain positif exclusivement

Non rversible en tension

Tension vDS positive seulement supporte
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

28 / 37
18

Transistor MOSMOSFET parfait :

Fonctionnement
Fonctionnement en commutation : 2 tats
Transistor ouvert (OFF)

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
IV.1 Types/Fonctionnement
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

iC = 0 et vDS existe
Interrupteur ouvert

Caractristique tension-courant

Transistor ferm (ON)

iD = iDmax et vDS = 0

iD

Interrupteur ferm

Transistor
ferm

Changements dtats : Transitions

OFF-ON : Mise en conduction
vGS > 0

ON-OFF : Ouverture
vGS = 0

F
vDS

Transistor
ouvert
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Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

29 / 37
18

Transistor MOSMOSFET rel :

Interfaces de commande

Imperfections
Moins contraignantes quen bipolaire

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
V.3 Interfaces de commande
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Le contrle en tension rend la commande plus simple

Contrainte majeure : Faire transiter les charges dans la grille
Modle quivalent : Une capacit entre la grille et la source
Effet dynamique : Appel de courant la fermeture (vGS passe de 0 VGSmax)
Doc
.4

Fonctions ralises par linterface de commande

Adaptation en tension
Directement en sortie dun
d un circuit numrique

Fourniture du courant de grille

Circuit spcialis dinterface

Isolement galvanique entre commande-puissance

Opto-coupleur

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2005
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Doc
.6

Composants
Introduction de
llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

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Transistor bipolaire grille isole (IGBT) :

Hybride bipolaire-MOS

Constitution
Commande en tension des MOS

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments

Facilit de commande

S b l
Symbole

Partie de puissance des bipolaires

Faible chute de tension en conduction

Insulated Gate Bipolar Transistor

Consquence

B
Substrat

Prendre les avantages de chaque transistor

Pour obtenir de meilleures p
performances
C

Mmes proprits que les bipolaires et MOS

Commandes : Fermeture (OFF-ON) et Ouverture (ON-OFF)

Non rversible en courant

Non rversible en tension

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Complments :
Caractristique par segments

Mode de description des tats

Reprsentation dune portion
de la caractristique tension
tension-courant
courant
Consquence pour un composant parfait

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments
VII.1 Caractristique par segments

Soit le courant, soit la tension est nul

Un segment concide avec un axe

Suivant le nombre dtats, on distingue le nombre de segments

Deux tats au minimum
Quatre tats au maximum

Avantages de cette reprsentation

Permet de dcrire la rversibilit en tension et en courant
Fournit une indication claire de la fonction ralise par le composant
Permet une classification des composants
Aide la recherche du composant hybride obtenu par assemblage de composant
lmentaires

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Complments : Segments dans le cas de la

diode, du thyristors et des transistors

Diode

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments
VII.2 Segments : diode, thyristor et transistors

Thyristor

Transistors

Interrupteur
2 segments

Interrupteur
3 segments

Signe unique (positif)

de la tension et courant :
Aucune rversibilit

La tension change de signe :

Rversible en tension
Non rversible en
courant (unidirectionnel)

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llectronique
llectroniquede
depuissance
puissance

Interrupteur
2 segments
Signe unique (positif)
de la tension et courant :
Aucune rversibilit

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Complments :
Recherche de la rversibilit en courant

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments
VII.3 Recherche de la rversibilit en courant

Constat
Transistors unidirectionnels en courant

Pas de conduction du courant dans les deux sens

Consquence : Obtenir un lment bidirectionnel en courant par association

IT

vT

icom

Transistor

Association

icom (dans les 2 sens)

Rsultat

iC > 0

ID > 0

vcom

icom (dans les 2 sens)

icom

iDr > 0

ID > 0

iB
VCE
VBE

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vcom

vDS
vGS

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Complments :
Recherche de la rversibilit en courant

I. Introduction
II. La diode
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
VII. Complments
VII.3 Recherche de la rversibilit en courant

Cas du thyristor
Unidirectionnel en courant
Une diode peut complter la fonction

Schma de lassociation thyristor-diode

icom
icom
vAK

vD

vcom

IG
iAK

Analyse

iAK

iD

vAK

Thyristor
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ID

icom

vD

Diode antiparallle

Conclusion
vcom

Association

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Rfrences

Frieux J.-P., Forest P, Alimentations dcoupage Convertisseurs rsonance Principes-Composantsmodlisation. 2me dition. Masson. 1994.
Sguier Guy, Bausire Robert, Labrique Francis. lectronique de puissance Structures, fonctions de base,
principale applications. 8me dition. Dunod. 2004.

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Annexes

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Complment sur Les composants de llectronique de puissance

LE TRIAC
1. Dfinition Symbole
Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur trois lectrodes (anode 1 A1, anode 2 A2,
gchette G) pouvant passer de l'tat bloqu l'tat de conduction dans ses deux sens de
polarisation. En d'autres termes, il s'agit d'un composant de la mme famille que le thyristor,
mais qui est BIDIRECTIONNEL (le thyristor tant unidirectionnel). La structure du TRIAC intgre
dans un mme cristal, deux thyristors disposs tte-bche.

A2

A2
i A 21

V A 21
G

G
A1

A1
Equivalent du TRIAC

Symbole du TRIAC
2. Caractristiques Statiques

i A21

Etat passant

Point de retournement

Point de retournement
Etat
bloqu

IH

V A 21

IH

Etat passant

Etat direct bloqu

Caractristiques statiques du

Complment sur les composants dlectronique de puissance

TRIAC

Le triac peut passer d'un tat bloqu un tat conducteur dans les deux sens de polarisation
(directe et inverse) et repasser l'tat bloqu par inversion de tension ou par diminution du
courant au-dessous dune valeur minimum critique

IH

appele courant de maintien.

En l'absence de signal sur la gchette, aucun courant ne circule dans le triac, sauf un
trs lger courant de fuite ngligeable.
La mise en conduction du triac sobtient par application dun impulsion (de courant ou
de tension) positive ou ngative sur la gchette, quelque soit la polarit (polarisation directe ou
inverse).
Ds que le triac conduit, pour le bloquer, il est ncessaire de rduire l'intensit du courant,
une valeur en dessous du courant de maintient

IH

, ou bien par inversion de la polarisation.

LE THYRISTOR GTO (Gate Turned OFF)

Le thyristor GTO, ouvrable par la gchette, est capable de commuter de ltat passant
ltat direct bloqu par application dun courant de gchette, sans quil soit ncessaire
dinverser la polarit de la tension anode cathode. Comme le thyristor, le GTO peut tre
command de ltat bloqu (direct) ltat passant par une impulsion de courant brve
applique sur la gchette. Le GTO peu en plus tre command de ltat passant ltat
bloqu par application dune tension gchette - cathode ngative.
La chute de tension ltat passant est (2 3 V) aux bornes du GTO est suprieur
celui dun thyristor classique ( 1.1V).
Le symbole du GTO et sa caractristique statique relle et idalise sont reprsents
la figure ci - aprs.
Grce leur capacit supporter des tensions importantes (> 4.5 kV) et de forts
courants (1 kA), les GTOs sont utilis dans les applications de trs forte puissance des
frquences allant de quelques centaine de Hz 10 kHz.

iA

VAK

VAK

V AK
G

iA

iG

iA

iG
K

Caractristique statique idalise

Symbole
iA

Etat passant
Point de retournement

iH

VR

iR

Etat inverse

VRT

Etat direct bloqu

Caractristique statique relle du GTO

Complment sur les composants dlectronique de puissance

V AK