SIMION RADU ALEXANDRU

MATERIALE DIELECTRICE SOLIDE

GAFIA IULIANA
GUDAN DANIELA CTLINA
PASCU GABRIEL
SENCIUC ANCA
GRUPA 422 A

Scopul lucrrii
Lucrarea permite determinarea permitivitii relative complexe i analiza comportrii
acesteia n frecven (100Mhz- 1Ghz), pentru materiale dielectrice cu polarizare temporar,
folosite frecvent n industria electronic, fie ca material dielectric pentru condensatoare, fie ca
suport de cablaj imprimat.

Noiuni teoretice
Dielectricii sunt materiale izolatoare, care se caracterizeaz prin stri de polarizaie
cu funcii de utilizare. Starea de polarizaie electric reprezinta starea materiei caracterizat
prin momentul electric al unitii de volum diferit de zero.
TEMPORAR : depinde de intensitatea local a
cmpului electric n care este situat dielectricul
Starea de polarizaie

DE DEPLASARE ( electronica sau ionic)

DE ORIENTARE DIPOLAR

Interaciunea unui dielectric izotrop cu cmpul electric este caracterizat de permitivitatea

relativ complex:

D
j r
0 E r

unde: D = inducia electric,

E = intensitatea cmpului electric, iar

1
10 9 F / m
36

, permitivitatea vidului.

Din

schema

echivalent

condensatorului

cu

material

dielectric i diagrama fazorial se

observ

permitivitii

partea
complexe

caracterizeaz

real

relative

dielectricul

din

punct de vedere al proprietilor sale de a se polariza (indiferent de mecanismul de

polarizare) i are ca efect creterea de 'r ori a capacitii condensatorului la aceleai
dimensiuni geometrice, capacitatea condensatorului obinut fiind Ce = ' r Co
Partea imaginar a permitivitii complexe relative ''r, caracterizeaz dielectricul din
punct de vedere al pierderilor de energie n material, pierderi modelate
Re

prin rezistena :

1
rC0

Unghiul este unghiul dintre tensiunea U aplicat condensatorului i curentul I care l

strbate. Unghiul de pierderi este complementarul unghiului de fazaj.
Tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric :
tg

Pa
U I R
I
C
1

R
r 0 r
Pr
U I C
I C Ce Re rC0 r

Pa = puterea activ la bornele condensatorului,

Pr = puterea reactiv la bornele condensatorului.
Factorul de calitate este inversul tangentei unghiului de pierderi :
Q

CR r
tg
r

Permitivitatea complex relativ poate fi pus i sub forma:

"
r r' 1 j r' r' 1 j tg
r

Datorit structurii fizice i fenomenelor complexe ce se petrec n dielectric, cnd

asupra acestuia se aplic un cmp electric, permitivitatea dielectric real 'r i tangenta
unghiului de pierderi tg sunt dependente puternic de frecven i temperatur.

n Tabelul urmtor gsim caracteristicile tipice ale ctorva materiale studiate n

lucrare (msurate la = 20 C si f = 50 Hz):

Material

Tip de polarizare

'r

tg

Polietilentereftalat (mylar)

polarizare de orientare

(45)10-3

3,5

0,020,08

Polimetacrilat
(plexiglas)

de

metil "

Policarbonat (pertinax)

"

(812)10-4

Hrtie de conden-sator

"

6,6

(67)10-3

Politetrafluretilen

polarizare de deplasare
electronic

1,92,2

(14)10-4

(teflon)

factor

Dependena de frecven a lui r'

Dependena de frecven a lui r'

i tg pentru polietilentereftalat

i tg pentru policarbonat la

la temperatura de 200C.

Temperatura de200C.

g= 0,95mm

Pertinax

g= 1mm

Sticlotextolit

Teflon g= 3mm

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1,95674

1,95747

1,95911

1,96045

1,96084

1,9617

1,9691

1,9633

1,9656

1,9686

4,06m

736,4

523,1

1,08m

4
-

674,28

1,05 m

tg

2,07m

390

266,8

549,6

343,04

531,6

48309

2564,10

3748,12

1819,5

2915,11

1881,1

4,51917

4,45691

4,44659

4,43545

4,43371

4,44322

4,45868

4,4879

4,52432

4,5719

95,52m

94,11m

93,87m

89,50m

91,32m

92,45m

94,64m

1
92,88

96,38m

102,7m

tg

21,14m

21,11m

21,11m

20,18m

20,6m

20,8 m

21,22m

m
20,7m

21,3m

22,5m

47,30

47,37

47,37

49,55

48,54

48,07

47,12

48,30

46,94

47,44

5,05086

4,86179

4,79154

4,7479

4,73767

4,75501

4,79933

4,8799

4,99974

5,18771

346,7m

332,04

326,83m

321,17m

325,36m

330,36

341,75

2
354,72

378,53

419,3m

tg 68,64m

m
68,3m

68,21m

67,62m

68,68m

m
69,48m

m
71,20m

m
72,69

m
75,71m

80,83m

14,56

14,64

14,66

14,76

14,56

14,39

14,04

m
13,75

13,20

1,37

2,68444

2,67087

2,66837

2,66427

2,66225

2,66426

2,66354

2,6649

2,66942

2,67449

g= 2,1mmPlexiglas
Alumina
g= 1mm

23,68m

19,08m

16,55m

15,27m

15,76m

16m

15,02m

15,0m

14,4m

15,89m

tg 8.82m

7,15m

6,14m

5,73m

9,92m

6m

5,64m

5,64m

5,77m

5,94m

113,37

139,86

162,33

174,52

168,91

166,66

177,30

177,30

173,31

168,35

8,64109

8,63951

8,70466

8,754

8,83447

8,94719

9,0968

9,2968

9,5558

9,55874

6,30m

14,58m

24,84m

27,42m

46,53m

63,62m

88,57m

108,7

151,78

215,3m

tg

729,04m

1,688m

2,85m

3,14m

5,27m

7,11m

9,74m

m
11,7m

m
15,88m

21,62m

1,371

592,41

350,87

38,47

189,75

140,64

102,66

85,47

62,97

46,25

Reprezentarea grafic

Partea real a permitivitii compl exe relative n funcie de frecven

ALUM
TEF
STICLO
PEXIGLA
PERTINAX
LOINA
NTE
SXT
OLIT

r f , r f , tg r f

pentru materialele msurate :

MATERIAL

F[MHz]

100

500

800

5,05086

4,73767

4,87992

r1 r 2 re
,

Pertinax

r1

(g1= 0,95mm)
Sticlotextolit

r 2

4,51917

4,43371

4,48791

(g2 = 1mm)
Sandwich pertinax +

re

4,80489

4,58290

4,56136

4,66507

4,50346

4,31415

0,1398

0,0794

0,2472

Sticlotextolit (g1+2 =
1,95mm)
Sandwich pertinax +
Sticlotextolit
Sandwich pertinax +
Sticlotextolit

re
re
re

msurat

calculat
masurat
calculat=

Se va folosi urmatoarea relaie :

Concluzii : Valoarea msurat e mai mare dect cea calculat, dar odat cu creterea

frecvenei, diferena dintre valoarea msurat i cea calculat a lui

re

se micoreaz

ntrebri i probleme
1

Comentai comportarea materialelor msurate n domeniul de frecven utilizat.

S se deduc formula de calcul a tangentei unghiului de pierderi echivalente a dou

condensatoare legate n paralel i n serie cnd se cunoate capacitatea i tangenta unghiului
de pierderi pentru fiecare condensator.

S se calculeze permitivitatea complex echivalent a unui dielectric format din dou straturi
de materiale diferite, cnd se cunoate permitivitatea complex a fiecruia (vezi Fig. 1-6).

Fig. 1-6.

Dac 1 = 2.1, 2 = 3.5 si g1 = (1/4)g2, s se determine echivalent pentru structura din Fig. 17.

Fig 1-7.

1. Determinai valoarea prii reale a permitivitii complexe relative 'r1 a unei probe de
mic cu grosimea de 0,1mm cu ajutorul unei probe de teflon cu grosime de 0.8mm i 'r2 =
2.1 i 'rechivalent= 2.23.

2.

ntre armturile condensatorului plan - paralel cu capacitatea n vid de

C =

100pF, se introduce un dielectric avnd permitivitatea relativ complex cu termenii

=5 si

=5 10 ; s se calculeze admitana i elementele schemei echivalente paralel pentru

''
r

condensatorul astfel obinut, la frecvena de 1MHz.

3.

Pentru acelai condensator cu dielectricul ntre armturi, s se calculeze factorul de

calitate Q i tangenta unghiului de pierderi tg, la frecvena de 1MHz .

4.

ntre armturile unui condensator plan - paralel cu capacitatea n vid C = 68 pF, se

introduce un dielectric avnd permitivitatea relativ complex cu termenii

=3,5 i ''r =4

10 ;
a) s se calculeze admitana i elementele schemei echivalente paralel pentru
condensatorul astfel obinut, la frecvenele de 500 kHz i 5 MHz; comentai rezultatele.
b) s se calculeze factorul de calitate Q i tangenta unghiului de pierderi tg, la
frecvenele de 500 kHz i 5 MHz; comentai rezultatele.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA, BUCURETI

FACULTATEA DE ELECTRONIC, TELECOMUNICAII I TEHNOLOGIA INFORMAIEI

UNIVERSITATEA POLITEHNICA, BUCURETI

FACULTATEA DE ELECTRONIC, TELECOMUNICAII I TEHNOLOGIA INFORMAIEI