15.10.

2009 Curs 2 CCP

Rezistoare peliculare chip

Atât rezistoarele cu peliculă groasă, cât şi cele cu peliculă metalică

se realizează sub formă de chip, care în ultimul timp au cunoscut o mare
diversitate constructivă.
Tehnologia SMD este preponderent utilizată actualmente în
electronică, datorită avantajelor pe care le are faţă de tehnologia plantării
componentelor:
– Simplificarea procesului tehnologic de realizare al modulelor
electronice;
– Permite o automatizare mai uşoară;
– Dimensiune mult mai mică a componentelor;
– Elemente parazite reduse, deci frecvenţă de lucru mare.
Varianta chip a rezistoarelor SMD, prezintă faţă de varianta
cilindrică (melf) câteva avantaje, fiind preferată:
– O plasare mai uşoară şi mai exactă pe cablajul imprimat;
– O conectare mai uşoară şi precisă;
– O stabilitate mecanică mai bună;
– O evacuare mai bună a căldurii.
Varietatea constructivă a rezistoarelor chip se datorează pe de o
parte tipului suportului dielectric şi pe de altă parte modului de realizare a
terminalelor.
Ca suport se poate utiliza:
– Alumina 96% pentru peliculă groasă;
– Alumina 99,6% pentru peliculă subţire;
– Berilia 99,6%, pentru peliculă groasă şi subţire;
– Siliciu, pentru peliculă subţire.
 Structura constructivă ale rezistoarelor peliculare chip

Terminalele SMD diferă atât prin tipul materialelor utilizate, cât şi

prin amplasarea acestora.

Moduri de amplasare a terminalelor SMD specifice

rezistoarelor peliculare chip.

2 6 3

5
4

1
Structura constructivă clasică a unui rezistor chip.
1-suport dielectric de alumină 96; 2-peliculă rezistivă; 3-strat de AgPd; 4-
strat de Ni;
5-strat de SnPb; 6-lac de protecţie.
 Caracteristicile rezistoarelor

În afara mărimilor caracteristice tuturor componentelor pasive

prezentate în capitolul 1, rezistoarele mai prezintă şi alţi parametrii
specifici. Cu cât fabricantul de componente pune la dispoziţia
utilizatorului informaţii mai ample privitoare la comportarea electrică şi
neelectrică a componentelor pasive, cu atât este posibil ca din
multitudinea de componente existente să se adopte rezistorul cu
performanţele optime realizării unui anumit circuit de preţ minim şi
competitiv.
Rezistenţa nominală, RN [], reprezintă valoarea rezistenţei ce se
doreşte a se obţine în procesul de fabricaţie şi este marcată în general pe
corpul rezistorului. Se măsoară în curent continuu, la temperatura de
referinţă θ 0, (20°C sau 25°C). Valorile nominale sunt conform seriilor de
valori En.
Domeniul valorilor nominale, [RNm, RNM] reprezintă intervalul
maxim în care sunt incluse valorile nominale pentru un anumit tip de
rezistor produs de o anumită firmă. Valorile uzuale sunt cuprinse în
intervalul 0,11Ω ... 10MΩ ; sunt realizate însă şi rezistoare de valoare
foarte mică, până la 3mΩ , precum şi de rezistenţă foarte mare, până la
100TΩ .
Toleranţa t ( de fabricaţie ), este abaterea relativă maximă a valorii
reale a rezistenţei faţă de valoarea nominală. Rezistoarele au toleranţe
simetrice, fiind în mod frecvent de la ± 0.1% la ± 20 valoarea minimă
poate fi de ± 0.0005%.
Toleranţe datorate diverşilor factori, tj, exprimă abaterea
rezistenţei la acţiunea diverşilor factori electrici şi neelectrici.
Toleranţa globală, tg, reprezintă abaterea maximă totală a valorii
reale a rezistenţei faţă de cea nominală ce poate să apară în timpul
funcţionării rezistorului în anumite condiţii reale de funcţionare.
Clasa de stabilitate, exprimă abaterea maximă ale valorii
rezistenţei rezultată în urma unor încercări specifice de lungă şi scurtă
durată la diferiţi factori electrici şi neelectrici. Este de altfel un alt mod de
a prezenta abaterile tj .
Domeniul temperaturilor de utilizare, [θ m,θ M], reprezintă
intervalul maxim de temperatură în care poate fi utilizat rezistorul.
Temperatura punctului fierbinte (hot spot), θ pf, reprezintă
temperatura maximă la care poate ajunge cel mai fierbinte punct din
intervalul rezistorului. Puterea este de fapt disipată de elementul rezistiv,
iar de la acesta se transmite prin conducţie termică la suprafaţa
rezistorului de unde mai ales componentele din tehnologia THT ( Through
Hole Tehnology) prin convecţie se transmite către mediul ambiant. Deci
temperatura cea mai ridicată o are elementul rezistiv, iar maximul
temperaturii elementului rezistiv este de cele mai multe ori în centrul lui,
aceasta constituind θ pf.
Categoria climatică, N1/N2/N3, exprimă condiţiile climatice la care
trebuie verificat un rezistor de către producător.
Domeniul temperaturilor de depozitare, [θ dm,θ dM], reprezintă
intervalul maxim de temperatură în care poate fi depozitat o vreme
îndelungată un rezistor.
Coeficientul de variaţie cu temperatura α  [ppm/°C] exprimă
abaterea valorii rezistenţei la variaţia corpului său cu 1 °C.
În funcţie de tipul elementului, rezistiv, rezistoarele pot avea
coeficienţi pozitivi, negativi sau o anumită abatere în jurul lui zero, deci
de forma α . Din acest punct de vedere, rezistoarele au evaluat foarte
mult, ajungându-se la un coeficient de 1ppm/°C.
Coeficientul de variaţie cu tensiunea, α U [ppm/V], exprimă
abaterea rezistenţei la variaţia tensiunii de la bornele rezistorului cu 1V.
Tensiunea termoelectrică, Uk, reprezintă tensiunea continuă ce
apare la bornele rezistorului datorită diferenţei de temperatură ale
terminalelor.
Rezistenţa de izolaţie, Riz, este rezistenţa dintre terminalele
rezistorului şi corpul acestuia.
Temperatura nominală, θ N, este temperatura mediului ambiant
la care se determină (defineşte) puterea nominală.
Puterea nominală PN [W] reprezintă puterea maximă pe care
poate să o disipe rezistorul la o funcţionare continuă într-un mediu
ambiant cu temperatura egală cu cea nominală. Puterile nominale nu
sunt în general standardizate internaţional, întâlnindu-se diverse valori,
ce pot diferi de la o formă la alta pentru acelaşi tip de rezistor. Câteva
valori sunt 0,1W; 0,125W; 0,2W; 0,25W; 0,33W; 0,4W; 0,5W; 0,6W;
0,75W; 1W; 2W; 3W; etc.
Coeficientul de disipaţie D, reprezintă puterea evacuată de
rezistor la scăderea temperaturii corpului cu 1°C sau K.
Rezistenţa termică Rth, [K/W sau C/W] este inversul
coeficientului de disipare, exprimând variaţia temperaturii componentei la
evacuarea către mediul a unei puteri de 1W.
Puterea termică maxim admisibilă, PAθ , este puterea maximă
pe care poate să o disipe un anumit tip de rezistor în funcţie de
temperatura mediului ambiant în care funcţionează.
Puterea maxim admisibilă PA, reprezintă puterea maximă la care
poate fi solicitat (încărcat) un anumit tip de rezistor în timpul funcţionării.
Tensiunea nominală UN, reprezintă valoarea maximă a tensiunii
continue ce poate fi aplicată la bornele unui rezistor, indiferent de
valoarea rezistorului, la o funcţionare îndelungată. Este limitată din
motive de străpungere dielectrică a părţilor constituente izolatoare.
Tensiunea maxim admisibilă UA, este valoarea maximă a
tensiunii la care poate fi solicitat un rezistor în timpul funcţionării.
 Rezistenţa critică, Rcr, reprezintă valoarea rezistenţei pentru un
anumit tip de rezistor cu o anumită tipodimensiune, ce poate fi utilizată
simultan la puterea nominală şi tensiunea nominală.
Factorul de zgomot, F [µ v/V sau dB], reprezintă raportul dintre
tensiunea de zgomot a rezistorului şi tensiunea continuă de 1V ce este
aplicată la bornele sale.
Inductanţa parazită, Lp, constituie inductanţa nedorită a
rezistorului, ce depinde în mod deosebit de structura constitutivă.
Capacitatea parazită, Cp, este capacitatea nedorită a rezistorului,
depinzând de soluţia constitutivă şi de tipul materialelor izolatoare
utilizate.
Condiţii de lipire, specifică temperatura maximă şi timpul maxim
pentru lipirea rezistorului pe cablajul imprimat. Pentru terminalele pentru
inserţie se specifică şi lungimea minimă a terminalelor.