Sunteți pe pagina 1din 6

MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

Lucrare de laborator nr.1


Electronica

A efectuat:
A verificat:

Chiinu 2015

Lucrare de laborator nr.1


Tema: Studierea caracteristicilor i a parametrilor diodelor
semiconductoare
1

Scopul lucrrii: n lucrare se face cunotin cu principiile de funcionare,


caracteristicile i parametri diodelor redresoare, diodelor Zener i ale
diodelor luminiscente (LED). Se culeg datele i se construiesc caracterisiticile
voltamperice. Se determin parametrii fundamentali ai dispozitivelor
respective.
Noiuni teoretice: Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic
constituit dintr-ojonciune pn prevzut cu contacte metalice la
regiunile p i n i introdus ntr-o capsul.
Diodele redresoare se folosesc pentru redresare curentului alternativ n
curent continuu pulsant. Fenomenul de redresare a diodei se datoreaz
condiiei unilaterale a curentului, proprie jonciunii p-n.
Dioda Zener (stabilitronul) este o diod semiconductoare, care
funcioneaz n regim de strpungere electric. n acest regim curentul
invers poate varia n limite largi, tensiunea rmnnd practic constant.
Acest fapt face ca dioda Zerer s fie folosit ca stabilizator de tensiune de
curent continuu.
Funcionarea diodei luminiscente (LED) se bazeaz pe procesul de excitare
a purttorilor de sarcin la aplicarea tensiunii directe i recombinarea lor cu
emisia radiaiei luminoase.
Rezultatele obinute:
Polarizarea direct a diodei:
Dioda semiconductoare(Ge):
Udir [V]
Idir[mA VD1
]

0
0

0,05
0,06

0,1
0,33

0,15
1,15

0,2
3,53

0,25
9,98

0,3
25,9

0,35
66

0,39
137

Dioda semiconductoare(Si) i dioda Zener:


Udir [V]
Idir[mA VD2
]
Idir[mA VD3
]

0
0

0,1
0

0,3
0

0,5
0,18

0,6
1,62

0,65
4,59

0,7
12

0,75
27,9

0,8
59,4

0,01

0,11

0,55

3,37

21,6

85,6

1,4
0,1

1,5
1,4

8
16,3
0

9
16,4
0

0,85
111,
3
-

Dioda LED:
Udir [V]
Idir[mA VD4
]

0
0

0,5
0

1
0

1,1
0

1,2
0

1,3
0,01

1,6
14,2
4

Polarizarea invers a diodei:


Dioda semiconductoare(Ge i Si):
Uinv [V]
VD1
I[A]
VD2

0
5,1
0

2
15,5
0

0,005
1
5

0,0
1
7

4
15,9
0

5
16
0

6
16,1
0

7
16,2
0

10
16,5
0

Dioda Zener:
Iz,[mA]
Uz [V]

0
V

10

15

20

25

30

35

8,

8,9

8,9

9,0

9,0

9,1

9,1

9,1

9,2

Caracteristicile voltamperice:

Polarizarea direct a diodei:


160
140
120
100
I[mA]

80
60

VD1

40
20
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
U[V]

120
100
80
I[mA]

60
VD2

40

VD3

20
0
0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9


U[V]

16
14
12
10
I[mA]

8
6

VD4

4
2
0
0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.2 1.4 1.6 1.8

U[V]

Polarizarea invers a diodei:


18
16
14
12
10
I[A]

VD1

VD2

4
2
0
0

6
U[V]

10

12

40
35
30
25
I[mA]

20
15

VD3

10
5
0
0

10

U[V]

Parametri de baz ai diodelor:


Dioda semiconductoare(Ge)
Rezistena diferenial direct a diodei n domeniul de lucru:
U dir (0,380,28)V 0,1V
Rdif .dir . =
=
=
=1
I dir (12020) mA 0,1 A
Rezistena diferenial invers a diodei:
U inv
( 102)V
8V
6
Rdif .inv . =
=
= 6 =8 10 =8 M
6
I inv ( 16,515,5 ) 10 A 10 A
Rezistena didodei n curent continuu:
U
0,35V
R0= =
=5 103 =5 k
I 7 105 A

Coeficientul de redresare a diodei:


I dir 150 103
Kr= =
=18,75 103
6
I inv
8 10
Dioda semiconductoare(Si)
Rezistena diferenial direct a diodei n domeniul de lucru:
U dir (0,80,7) V
0,1V
Rdif .dir . =
=
=
=1,25
I dir (10020) mA 0,08 A
Rezistena didodei n curent continuu:
U 0,75 V
R0= =
=15
I 0,05 A
Dioda Zener
Curentul minim de stabilizare:
5

I zmin =1mA
Curentul maxim de stabilizare:
I zmax=35mA
Tensiunea de stabilizare:
U z=9,2 V
Variaia tensiunii de stabilizare:
U z=U zmax U zmin =9,24 V 8,8 V =0,44 V
Variaia curentului de stabilizare:
I z =I zmaxI zmin=35 mA 1 mA=34 mA =0,034 A
Rezistena poriunii de lucru:
U z 0,44 V
Rdin =
=
13
I z 0,034 A
120
100
80
I[mA]

60

VD1
VD2

40

VD3
20
0
0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9


U[V]