Sunteți pe pagina 1din 4

FUNCIONAREA TRANZISTORULUI MOS

3.2.1 OBIECTIVE
Caracteristicile tranzistorului MOS;
Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven;
Amplificarea tranzistorului MOS.

3.2.2 ASPECTE TEORETICE


3.2.2.1 Caracteristicile statice
Se consider un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structura
simplificat, simbolul i mrimile asociate din fig. 3.3 care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` VG VT .

tensiune de poart` VG VT .
Ca urmare a aplic`rii pe poart` a unei tensiuni pozitive, [n cazul unui
tranzistor cu canal n, electronii din substrat sunt atra]i c`tre suprafa\a
semiconductorului. Pentru VG VT la suprafa\a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se [ntinde de la surs` la dren`.
Drena, canalul ]i sursa sunt izolate fa\` de substrat prin regiunea golit` ce
apare sub acestea. {n aceste condi\ii, curentul de dren` ( I D ) va circula de la surs`
la dren` numai prin canal.
Tensiunea de prag (V T ) este parametrul MOS ce marcheaz` limita
[ntre blocare ]i conduc\ie. La tranzistorul MOS cu dou` por\i tensiunea de prag
este controlat` de tensiunea aplicat` pe substrat:
VT 0

VT V )
BS
(

(3.1)

unde, V T0 este tensiunea de prag [n absen\a polariz`rii substratului (V BS =0), este


poten\ialul la suprafa\a semiconductorului [n inversie puternic` iar este factorul
de substrat (cu valori pozitve la n-MOS, n 0 ]i negative la p-MOS, p 0 ).
C@nd tranzistorul are substratul legat la surs`, evident VT VT 0 . V T0 depinde de ,
de oxidul de poart` ]i de natura metalului ce constituie electrodul G.
Tabelul 3.1 prezint` domeniul de varia\ie al tensiunii de poart` (V GS )
pentru func\ionarea [n conduc\ie a tranzistorului MOS cu canal indus.
Tabelul 3.1
n -MOS

p-MOS

VGS VT 0

VGS VT 0

{n fig. 3.3, pentru simplitate, sursa s-a considerat legat` la substrat


( VS 0 ) ceea ce implic` VD VDS . {n func\ie de valoarea tensiunii VDS se
disting pe caracteristicile de ie]ire prezentate [n fig. 3.4 dou` zone:
Zona cvasiliniar` (sau de triod`), caracteristic` tensiunilor VDS mici
(p@n` la sute de mV) unde canalul poate fi considerat echipoten\ial ]i
caracteristica I D ( VDS ) poate fi considarat` liniar` (
VGS VT ).
V DS

Regimul este caracterizat de o rezisten\` a canalului (R ch ) controlat`


prin tensiunea de poart` ( VGS VG ). Cre]terea tensiunii
duce la o
VGS

[mbog`\ire a concentra\iei de electroni din canal ]i, deci, la o sc`dere a


rezisten\ei canalului (vezi fig. 3.4).
Zona de satura\ie (sau activ`), caracteristic` tensiunilor VDS mari
unde dependen\a curentului de dren` de tensiunea VDS este
aproximativ constant`

( V DS V DS ,sat VGS VT ). Aici, curentul

depinde numai de tensiunea VGS .


{n func\ie de regimul de lucru, curentul de dren` este dat de expresiile din
tabelul 3.2. {n fig. 3.5, sunt precizate, [n planul V DS V GS , domeniile pentru
blocare ]i conduc\ie, [n zona de satura\ie, respectiv cvasiliniar` pentru tranzistorul
MOS cu canal n.
Tabelul 3.2
Regiunea
Tranzistorul
TEC-MOS

Cvasiliniar` (Triod`)

Activ` (Satura\ie)

V DS VGS VT
2

V DS
I D k VGS VT V DS

V DS VGS VT
ID

k
VGS VT
2

2 1 VDS

Parametrii statici ai tranzistorului MOS sunt V T , k ]i . Parametrul k la


MOS depinde de mobilitatea purt`torilor majoritari din canal ( ) ]i dimensiunile
canalului. De exemplu, pentru k este valabil` rela\ia:

W
L

k'

W
L

(3.2)
Cox

unde, W ]i L sunt l`\imea respectiv lungimea canalului, iar C ox capacitatea (pe


unitatea de arie) a oxidului de poart` (fig. 3.1). Raportul W este factorul de
L

geometrie al tranzistorului MOS.

(a)

(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile MOS: (a) de ieire; (b) de transfer iD ( vGS ) .

Fig. 3.5 Domeniile pentru blocare ]i conduc\ie pentru tranzistorul n-MOS.

Parametrul modeleaz` efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de dren` [n


satura\ie (efectul Early pentru MOS).
Punctul static de func\ionare este definit de m`rimile I D , V GS , V DS ]i eventual
V BS (dac` substratul este activ nu este legat la surs`).