Cap. 1.

Blocuri functionale din structurile electronice de prelucrare a

semnalelor si a datelor
Simboluri grafice folosite
microstructurilor
Tranzistoare bipolare:

pentru

reprezentarea

tranzistoarelor

din

schemele

a. TB standard (PNP i NPN)

b. TB superbeta (N = 1.000)
c. TB multicolector

Tranzistoare MOS (canal N):

a. MOSFET canal indus N (4 terminale; B se conecteaz la cel mai sczut potenial din
circuit)
b. MOSFET canal indus N (3 terminale ; B conectat la S)
c. MOSFET canal iniial N (B conectat la S)
d. MOSFET canal indus N (reprezentare simplificat n structurile CI numerice)

Tranzistoare MOS (canal P):

a. MOSFET canal indus P (4 terminale; B se conecteaz la cel mai ridicat potenial din
circuit)
b. MOSFET canal indus P (3 terminale ; B conectat la S)
c. MOSFET canal iniial P (B conectat la S)
d. MOSFET canal indus P (reprezentare simplificat n structurile CI numerice)

Clasificarea tehnologiilor CI din siliciu

1. Bipolar:
-

componente izolate prin jonciuni PN

componente izolate prin dielectric

2. MOS:
2.1. CMOS:
-

grile din Al

grile din Si (policristalin sau amorf)

2.2. PMOS (grile din Al)

2.3. NMOS:
- grile din Al
- grile din Si (policristalin sau amorf)
3. Bipolar-MOS (BiFET, BiMOS, BiCMOS).
Frecvena semnalelor
Tehnologia
BiCMOS

1 Hz 100 MHz

MOS (CI numerice)

1 Hz 100 MHz

Bipolar (CI numerice)

1 kHz 100 MHz

MOS (CI analogice)

1 Hz 10 MHz

Bipolar (CI analogice)

1 kHz 100 MHz

GaAs

1 MHz 10 GHz

1.1. Referinte de curent si de tensiune

TB. Conexiune tip dioda
Polarizare directa

Semnal mare
RAN: iE = IES exp(uBE/UT)
uBE = UT ln(iE/IES)
Semnal mic (frecvente joase)

u = ube = uce
Ro = u/i = rbe // (1/gm)//rce 1/gm = UT/IE

Polarizare inversa

Semnal mare: Uz = (57) V

Semnal mic: rz
MOSFET. Conexiune tip dioda

Semnal mare
Regim activ (RA): MOSFET cu G D RA: uDS = uGS
uDS uGS - UP
uDG > - UP, cu UP > 0 pt. NMOS si UP < 0 pt. PMOS.
i = iD = (/2)(uGS-UP)2(1+uDS) (/2)(uGS-UP)2
cu

= Cox(W/L) =K(W/L),

sau
u=uDS=uGS=UP+(2iD/)1/2.
Semnal mic

gm 10 gmb 100 gd
Cu uBS = 0 sau uBS 0,
Ro = u/i =1/(gm + gmb + gd) 1/gm
Divizoare de tensiune cu rezistoare active
Obtinerea unei tensiuni uO din VSS si VDD

uGS1 = uDS1, uGS2 = uDS2, iD1 = iD2

uDS1= (2/1)1/2 (uSD2-UP2)+UP1
uDS1+uSD2 = VDD+VSS
Exemplu : VDD = - VSS = 5 V.
M1: 1=4 A/V2, UP1= -UP2= 0,5 V, (W/L)1 = 1/4,25, K1= 17 A/V2
M2: 2=11,1 A/V2, (W/L)2 = 1,34, K2= 8 A/V2
ID1 = ID2 = 50 A.
UO = 1,75 V.

1 TB
c.c. U = UBE 0,6 V
c.a. u/i = 1/gm
Definitie. Un circuit referinta de tensiune sau de curent este o sursa independenta
de tensiune sau de curent cu un inalt grad de precizie si stabilitate.
Principalele cerinte:
1) Tensiunea/curentul de iesire ar trebui sa fie independenta de tensiunea de alimentare.
2) Tensiunea/curentul de iesire ar trebui sa fie independenta de sarcina conectata la iesire.
3) Tensiunea/curentul de iesire ar trebui sa fie independenta de temperatura.
4) Tensiunea/curentul de iesire ar trebui sa fie independenta de variatiile din procesul de
fabricatie.
Caracteristica unei referinte ideale de tensiune/curent

Fig. Ref-1

Sensibilitate
Def. Sensibilitatea este o masura a dependentei Uref sau Iref de un parametru sau de o
variabila x care influenteaza Uref sau Iref.
U ref

S x ref =
U

x
U ref
=
U ref
x

U ref

cu x = tensiune de alimentare (VCC , VEE sau VDD, VSS), temperatura, curentul prin sarcina
etc.
U ref
U ref

U x
= S x ref
x

Exemplu: daca S x ref = 1 , o modificare cu 10% a parametrului x va produce o modificare a

Uref cu 10%. Ideal, S 0.
U

U ref
SVCCref =
U

V
U ref
= CC
VCC U ref

VCC

U ref

VCC

Coeficient relativ de temperatura

TC R = TC =

1 U ref max U ref min

U ref
Tmax Tmin

U.M. %/oC sau ppm/oC. Ideal, TC 0.

A.
-

Referinte de curent (cu o iesire sau mai multe iesiri)

oglinzi de curent (TB, CMOS)
surse Wilson
surse cascoda
surse standard de curent
alte topologii

A1. Oglinda de curent

O sursa de curent = amplificator de curent

Oglinzile de curent sunt caracterizate de:

- liniaritatea amplificarii
- uImin
- uOmin
- RI
- RO
Ideal: iO = AI iI, RI = 0, RO = .
Caracteristicile unui amplificator ideal de curent: de intrare, de transfer si de iesire

Oglinda cu TB

i = ni , AI = n, n (0,01 100)
O
I

II = Iref, n = 1, in sursele de curent constant (amplificatoare de curent continuu)

RI = 1/gm1
RO = rce2.
n =1 pentru T1 T2 (AE1=AE2, IS1= IS2)
Daca AE1AE2,
I

=I

exp U
/U
S1
BE
T
I
= I exp U
/U
C2
S2
BE
T
I C 2 I S 2 AE 2
=
=
=n.
I C1 I S 1 AE1
C1

uImin=uBEmin; uOmin = uCE(s.i.)=uBE.

Oglinda cu NMOS

iD1=(1/2)(uGS-UP1)2
iD2=(2/2)(uGS-UP2)2
Daca 1=2 si UP1=UP2 iO/iI = iD2/iD1= 1
Daca 12 si UP1=UP2 iO/iI = iD2/iD1= 2/1= n.
RI = 1/gm1
RO = rd2
uImin = uGSmin > UP; uOmin = uDS1min uGS-UP
9

A2. Surse Wilson

TB

MOS

10

A3. Surse cascoda

A4. Surse de curent cu iesiri multiple

B. Referine de tensiune
Criterii de alegere a referintelor de tensiune pentru sisteme analogice performante
Toleranta mica imbunatateste acuratetea si reduce costurile sistemului (%).
Deriva termica afecteaza acuratetea (ppm/C).
Domeniul tensiunii de alimentare.
Sensibilitatea in raport cu sarcina sau impedanta de iesire (V/mA sau ppm/mA).
Sensibilitatea in raport cu tensiunea de alimentare (V/V sau ppm/V).
Stabilitatea pe termen lung (ppm/C/1000 h), histerezisul mic asigura repetabilitatea.
Zgomotul limiteaza rezolutia sistemului (nV/ Hz ).
Sarcinile dinamice pot produce erori.
Puterea consumata este critica pentru sistemele alimentate de la baterii.
Capsule de mici dimensiuni cresc densitatea circuitului.

11

Tipuri de referinte de tensiune

Dupa modul de conectare in sistem:
- referinte cu 3 terminale (serie)
- referinte cu 2 terminale (paralel/dioda).
Referinte cu 3 terminale:
- tensiune pozitiva de iesire
- tensiuni de iesire cu valori standard, preajustate, si un curent de iesire relativ mare
- curent consumat in gol: mic si stabil.
Referinte cu 2 terminale:
- tensiuni de iesire cu ambele polaritati, cu valori nestandard
- curent consumat in gol - mare
- curent de iesire - mic
- puterea consumata mare, la tensiuni de alimentare cu domeniu mare

Exemple de referinte simple de tensiune

-

inversare simpla a polaritatii tensiunii de iesire

curent mic de iesire

(a) Uref = UBE

(a)
Uref 0,6 V

(b)
(b) Uref = UZ Uref (5 -7) V

Coeficient de temperatura:
(a)

U ref
T

U BE
o
- 2,5 mV/ C
T

(b)

U ref
T

U Z
o
+ 3 mV/ C
T

Combinarea celor doua componente (dioda Zener termocompensata) reducerea TCR.

12

acuratete initiala limitata

- VCC > Uref

- zgomot mare
- TCR de 100 ppm/C sau mai mic
Tensiuni mai mari la iesire Multiplicatoare de UBE sau de (UBE+UZ)

Uref = (1+R1/R2)UBE = mUBE

13

Uref = (1+R1/R2)(UBE+UZ) = m(UBE+UZ)

Tensiuni standard folosite in referintele de tensiune:
UBE sau UEB (polarizare directa a jBE): UBE 0,6 V; TC -2,5 mV/oC
UZ (jBE polarizata invers): UZ =(5 - 7) V; TC + 3 mV/oC
UT (tensiunea termica): UT 26 mV (la T = 300K); TC + 0,085 mV/oC.
Pentru TCR 0, tensiunea de referinta se obtine ca o combinatie liniara de
tensiuni standard cu TCR opuse ca semn:

Uref =aUBE+bUZ
Uref =cUBE+dUT
Tehnologii folosite la realizarea referintelor de tensiune performante (interne /
externe):
- tip banda interzisa, BI (cu TB)

- XFET (cu JFET)

- cu dioda Zener, DZ (Buried Zener)

14

B1. Referinte tip banda interzisa, BI (bandgap reference)

Fig. Ref-2
Uref = cUBE+dUT = 1,205 V

Ipoteze: T1T2 (IS1 IS2) si U BE1

U BE 3

(1) I ref R1 + U BE1 I O R2 + U BE 3

(2) I ref / I O R2 / R1
(3) U BE1 U BE 2 + I O R3 si U BE1 U BE 2 = U T ln
(4) I O =

I ref
I C1
U T ln
IC2
IO

U T I ref U T R2
ln

ln
R3
IO
R3
R1

R
(5) U ref = U BE 3 + I O R2 = U BE 3 + U T 2
R3

R2
ln
R1

c=1, d = (R2 /R3 )ln (R2 /R1 );

R1 = 600 , R2 = 6 k si R3 = 600 , se obine Uref = 1,205 V si TCR < 10 ppm/oC).
UG0 = WG0/q = 1,205 V este tensiunea corespunzatoare largimii benzii interzise a siliciului la
T=0K .
Caracteristici:

tehnica relativ simpla

structura sensibila la curentul de iesire si la cel de alimentare

15

Uref mica; pentru niveluri utile de 2,5 V, 5 V, 10 V etc., necesita multiplicare

cu precizie.
Reducerea sensibilitatii la curentul de iesire folosirea unui buffer.
-

Exemplu

16

 Uref : 2,5 V; 3 V; 4,096 V; 5 V

tensiuni de alimentare: 2,7 V - 12V
curent de alimentare (maxim): 65 A
acuratete initiala (maxima): 0,1%
coeficient de temperatura (maxim): 50 ppm/C
zgomot: 70 Vp-p (0,1Hz - 10Hz)
deriva pe termen lung: 100 ppm/1000 h
curent de iesire (minim): 5mA
domeniul temperaturii de functionare: 40C +85C
B2. Referinte tip XFET
Structura similara referintei tip BI cu TB. XFET foloseste o pereche de JFET-uri cu tensiuni de
prag diferite, UP = 500 mV.
I1=I2

UP = UP1 - UP2 = 500 mV.

Fig. Ref-3
Uref = UP (1+(R2+R3)/R1) + IR3
UP: TC < 0; I: TC > 0; Uref: TC = (3 8) ppm/C.
Uref: 2,048 V; 2,5 V; 4,096 V; 5 V
tensiuni de alimentare: 2,7 V - 15V
curent de alimentare (maxim): 12 A
acuratete initiala (maxima): 0,1%
coeficient de temperatura (maxim): 8 ppm/C
zgomot la frecvente joase: 6Vp-p (0,1 - 10Hz)

17

 zgomot de banda larga: 420nV/ Hz la 1 kHz

deriva pe termen lung: 50 ppm/1000 h
current de iesire (minim): 5mA
domeniul temperaturii de functionare: 40C +125C

B3. Referinte tip dioda Zener (Buried Zener)

Diodele Zener ingropate (realizate in volumul substratului de siliciu): nivel de zgomot mai mic si
sunt mai stabile, in comparatie cu diodele de suprafata.
- deriva termica foarte mica (1-2 ppm/C)
- zgomot mic (100 nV/Hz sau mai mic)
- curentul de functionare este relativ mare (x mA).
Principiul de realizare al unei referinte de tensiune cu DZ ingropata este ilustrat in fig. Schemele
electronice sunt mult mai complicate (vezi AD588).

Fig. Ref-4
BI
Uref < 5 V
Zgomot mare la putere
mare
Deriva si stabilitate pe
termen lung - moderate

XFET
Uref < 5 V
Zgomot mic la putere
mica
Deriva si stabilitate pe
termen lung - foarte bune

18

Dioda Zener
Uref > 5 V
Zgomot mic la putere mare
Deriva si stabilitate
termen lung bune

pe

Exemplu. Schema interna a referintei AD588

deriva termica: 1,5 ppm/C

eroare initiala: 1 mV
iesiri programabile: +10 V, +5 V, 5 V (cu urmarire), 5 V, 10 V

19

Iesiri: 5V (alimentare 15 V).

Iesiri: +5 V si +10 V (alimentare 15 V).

20

Iesiri: -5 V si -10 V (alimentare 15 V).

21

22