Capacitores de acoplamiento

Contenido
INTRODUCCIN...........................................................................................................3
TEORA PREVIA............................................................................................................3
EFECTO DE LOS CAPACITORES DE ACOPLAMIENTO............................................7
EFECTO DE LOS CAPACITORES DE PUENTEO........................................................8
EFECTO DE LAS CAPACITANCIAS INTERNAS DE UN TRANSISTOR.....................8
BIBLIOGRAFA............................................................................................................11

INTRODUCCIN
Ejemplo de aplicacin:
En el caso de nuestro bio-amplificador, queremos "amplificar"
las pequeas seales elctricas en los nervios de la cucaracha.
Vamos a buscar una ganancia de 150 o, en otras palabras,
aumentar en 150 veces la amplitud de la seal. Tambin
queremos limitar lo que amplificaremos, para garantizar que
slo estemos escuchando spikes (potenciales de accin) y no
otras seales elctricas, como los latidos del corazn, actividad
muscular, o el ruido elctrico de tu casa. As que, como con el
SpikerBox real, slo queremos medir seales con componentes
por encima de 300 Hz (ciclos por segundo). Esto tambin se
conoce

como

filtro

paso

alto

de

la

seal.

(http://www.backyardbrains.cl/experiments/transistorDesign)

TEORA PREVIA
Supngase el circuito que se muestra a continuacin:

Donde vS es una fuente de voltaje alterno esto es

vS Vm sen t

y VCC es

una fuente de voltaje directo.

Si el acoplamiento es ideal, significa que el potencial del extremo derecho
de R1 es idntico al potencial en el terminal superior de R2. Cuando esto

se cumple, se dice que el capacitor est actuando con un acoplamiento

ideal. Para que se cumpla un acoplamiento ideal se requiere que la
reactancia del capacitor sea cero. En otras palabras, la capacitancia de C
debe ser idealmente infinita para que sin importar la frecuencia este tenga
XC

siempre XC = 0 (recordar que

1
2 fC

).

Otra de las funciones que realiza el capacitor en este circuito es que no

permite el paso de la seal de CD entre R1 y R2. Pues cabe recordar que el
capacitor tiene como modelo para CD un circuito abierto, mientras que
para CA el capacitor presenta una impedancia en funcin de la frecuencia
del voltaje que se le aplica.
La forma general de la impedancia en un circuito RC es un nmero
complejo, donde la parte real es el valor de la resistencia y el valor
imaginario es el de la reactancia capacitiva que presenta el capacitor:
Z R jX C

(Impedancia en un circuito RC)

Donde:
XC

1
2 fC

Es la reactancia capacitiva a una frecuencia f y para una

capacitancia C.
La impedancia posee entonces una magnitud y un ngulo:

Z R2 X C 2

R Z tan1
,

XC
R

De esta forma, remitindonos al circuito, la corriente i esta dada por:

Vm
RT X C
2

X
sen t tan 1 C
RT

Observamos que i tiene la forma

i I m sen t

Vm

Im

Donde:

RT 2 X C 2

RT R1 R2

X C

RT

tan 1

Para un acoplamiento ideal el capacitor debera comportarse como un

corto circuito para frecuencias mayores a una que se establece como
referencia , esto es
infinita, es decir

XC 0

, para lograrlo se requiere que la capacitancia sea

, obtenindose con este acoplamiento ideal una

corriente i igual a:
i

Vm
sen t
RT

Dado que no es posible obtener este acoplamiento ideal, se opta por tener
algunos acercamientos:

Tipo

de

Acoplamiento

%
XC

Im

de

respecto
amplitud

error
a

Ideal
A frecuencia de
corte
Aproximacin al
ideal

Vm
RT

RT

0.5
fRTH

0.7071

1
RT
10

5
fRTH

0.995

Vm
RT

Vm
RT

0%

45

29.3 %

5.7 0.5%

En la tabla anterior, RT representa la resistencia total vista por el capacitor

en cuestin, esto es la resistencia equivalente de Thvenin vista por las
terminales del mismo.
De aqu pueden obtenerse dos criterios de diseo.
A) Clculo del capacitor para que la respuesta en frecuencia presente
un determinado valor de frecuencia de corte (XC = RTH)
B) Clculo del capacitor para que la respuesta en frecuencia presente
un acoplamiento aproximado al ideal en 0.5 % de error (XC = 0.1RTH)
De lo anterior, podemos ya definir la funcin realizada por:
Capacitor de acoplo: Aquel que

permite el paso de una seal de un

punto a otro sin que esta sufra atenuacin (acoplamiento ideal).

Capacitor de desacoplo: Aquel que deriva las seales para que no pasen
por algn elemento.
En el siguiente circuito el capacitor C1 es un capacitor de acoplo y el
capacitor C2 es un capacitor de desacoplo.

EFECTO DE LOS CAPACITORES DE ACOPLAMIENTO

Recuerde que, de acuerdo con la teora bsica de circuitos, Xc = 1/(2 pfC).
Esta frmula muestra que la reactancia capacitiva vara inversamente con
la frecuencia. En bajas frecuencias, la reactancia es ms grande y se
reduce a medida que la frecuencia incrementa. En bajas frecuencias (por
ejemplo las frecuencias de audio por debajo de 10 Hz), los amplificadores
acoplados capacitivamente tales como los de la figura 10-1, tienen menos
ganancia de voltaje que a frecuencias ms altas. La razn es que en bajas
frecuencias,

ms

voltaje

de

seal

cae

travs

de

C1

C3

porque sus reactancias son ms altas; esta cada de voltaje reduce la

ganancia de voltaje. Adems, los capacitores de acoplamiento provocan un
desfasamiento porque C1 forma un circuito de adelanto de fase con la
Rent del amplificador y C3 hace lo mismo con la RL en paralelo con RC o
RD. Recuerde que un circuito de adelanto de fase es un circuito RC en el
cual el voltaje de salida a travs de R se adelanta al voltaje de entrada en
cuanto a fase.

EFECTO DE LOS CAPACITORES DE PUENTEO

En bajas frecuencias, la reactancia del capacitor de puenteo,
la figura 10-1, llega a ser significativa y el emisor (o terminal
fuente de un FET) ya no est a tierra de ca. La reactancia
capacitiva Xc2 en paralelo con RE (o RS) crea una
impedancia que reduce

la ganancia. Esto se ilustra en la

figura 10.2.
Por ejemplo, cuando la frecuencia es suficientemente alta,
y la ganancia de voltaje del amplificador en
emisor comn es

En bajas frecuencias,

y la ganancia de voltaje es

C2 en

EFECTO DE LAS
TRANSISTOR

CAPACITANCIAS

INTERNAS

DE

UN

En altas frecuencias, los capacitores de acoplamiento y puenteo se vuelven

como cortos efectivos de ca y no afectan la respuesta del amplificador. Las
capacitancias internas en la unin de un transistor, sin embargo, entran en
juego, lo que reduce la ganancia de un amplificador y provoca un
desfasamiento conforme se incrementa la frecuencia de la seal.
La figura 10-3 muestra las capacitancias internas en la unin pn, tanto de
un transistor de unin bipolar como de un JFET. En el caso de un BJT, Cbe
es la capacitancia en la unin base-emisor y Cbc es la capacitancia en la
unin base-colector. En el caso del JFET, Cgs es la capacitancia entre la
compuerta y la fuente y Cgd es la capacitancia entre la compuerta y el
drenaje.

Las hojas de datos a menudo se refieren a la capacitancia de un BJT, Cbc,

como la capacitancia de salida, designada a menudo como Cob. La
capacitancia Cbe a menudo se designa como la capacitancia de entrada
Cib. Las hojas de datos de los FET normalmente especifican la capacitancia
de entrada Ciss y la capacitancia de transferencia en inversa Crss. Con
stas, se pueden calcular Cgs y Cgd, como se ver en la seccin 10-4.
A frecuencias ms bajas, las capacitancias internas tienen una reactancia
muy alta debido a su bajo valor de capacitancia (casi siempre de slo unos

cuantos pico-farads) y el bajo valor de la frecuencia. Por consiguiente, se

ven como circuitos abiertos y no afectan el desempeo del transistor.
Conforme la frecuencia se incrementa, las reactancias capacitivas internas
se reducen y en algn punto comienzan a tener un efecto significativo en
la ganancia del transistor. Cuando la reactancia de Cbe (o Cgs) se vuelve
suficientemente pequea, se pierde una cantidad significativa del voltaje
de seal a causa del efecto de divisor de voltaje de la resistencia de la
fuente de seales y a la reactancia de Cbe, como ilustra la figura 10-4(a).
Cuando la reactancia de Cbc (o Cgd) se vuelve suficientemente pequea,
una cantidad significativa de voltaje de seal de salida se realimenta y
est desfasada con respecto a la entrada (realimentacin negativa), por lo
que efectivamente se reduce la ganancia de voltaje. Esto se ilustra en la
figura 10-4(b) (Floyd, 2008)

BIBLIOGRAFA
Floyd,

T. L. (2008).
Educacin.

DISPOSITIVOS

ELECTRNICOS.

PEARSON

EXPERIMENTO:
DISEO
DEL
CIRCUITO
DEL
TRANSISTOR
(http://www.backyardbrains.cl/experiments/transistorDesign)