Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Curs 05 Tranzistoare
Curs 05 Tranzistoare
Tranzistoare
1. Prezentare general
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite n general din
MATERIALE SEMICONDUCTOARE din Siliciu, ntrebuinate n general n diverse
tipuri de circuite electronice, care au drept drept principal scop prelucrarea sau
generarea unor informaii, att de tip analogic ct i digital. Cteva din cele mai
importante clase de circuite electronice analogice n care tranzistoarele sunt utilizate
sunt:
amplificatoare de semnal
generatoare de semnal (oscilatoare)
stabilizatoare de tensiune
Tranzistorul bipolar
EMITOR
BAZ
COLECTOR.
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt dispuse pe capsul n ordinea
specificat mai sus. La tranzistoarele utilizate n aplicaiile studiate n cadrul
lucrrilor de laborator, cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt indicate ca
n Figura 2.
5.1
NPN
PNP
5.2
5.3
aceast
regiune
tranzistorul
bipolar
poate
fi
utilizat
pentru
analogic
semnalelor
(informaiilor),
dar,
datorit
5.4.a
unde este unul din cei mai importani parametrii ai tranzistorului bipolar,
reprezentnd factorul (coeficientul) de amplificare n curent al tranzistorului.
Parametrul este o constant adimensional, valoarea sa variind ntre anumite
limite, chiar pentru aceeai familie de tranzistoare bipolare, fiind de ordinul sutelor
pentru tranzistoare de tip NPN, respectiv de ordinul zecilor, pentru tranzistoare de
tip PNP. De exemplu, pentru tranzistorul bipolar de tip NPN BC107, parametrul
are valoarea cuprins n intervalul [125500].
Din relaia 5.4.a se poate deduce c tranzistorul bipolar genereaz n colector un
curent iC a crui valoare depinde de curentul de baz iB. Acest comportament poate
fi modelat prin intermediul unui generator de curent comandat n curent.
Din relaiile 5.3 i 5.4.a rezult c iB depinde exponenial de tensiunea vBE, n mod
asemntor cu modul n care depinde curentul printr-o diod de tensiunea pe
aceasta. Din acest motiv, ntre BAZ i EMITOR, un tranzistor bipolar se comport
ca o diod semiconductoare i n consecin poate fi modelat prin intermediul
modelelor diodei. Astfel, n prim faz, circuitul echivalent care modeleaz
comportamentul tranzistorului bipolar n RAN este prezentat n Figura 5.a, iar
circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat n analiza circuitelor care conin
tranzistoare bipolare funcionnd n RAN este cel prezentat n Figura 5.b.
n circuitul echivalent 5.b valoarea VD este de aproximativ 0,6V. Aadar, dac
tranzisotrul bipolar funcioneaz n RAN devine valabil relaia:
v BE 0 ,6V
5.4.b
diC
dv BE i I
C C
I
gm C
VT
g m Siemens
Amper
Volt
5.5
V
r T
IB
gm
5.6
unde VT este tensiunea termic, iar IB este curentul CONTINUU prin BAZA
tranzistorului.
Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene joase i
medii.
10
Figura 7. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene nalte.
Tranzistorul MOS
1. Prezentare general
Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei
terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), un exemplu
fiind prezentat n Figura 1.
Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DREN, GRIL, respectiv
SURS.
11
12
13
i curentul din grila tranzistorului notat iG. Trebuie reinut ns c valoarea acestui
curent este ntotdeauna nul.
REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiia de funcionare: vGS < VTH (canal N)
unde VTH reprezint un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de
prag; valoarea acestei tensiuni este:
pozitiv pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativ pentru
tranzistorul MOS cu canal indus de tip P;
negativ pentru tranzistorul MOS cu canal iniial de tip N, pozitiv pentru
un tranzistor MOS cu canal iniial de tip P;
o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de
ecuaia de funcionare:
14
iD 0
5.7
i D 2 k vGS VTH DS v DS
2
5.8
mA
V2
5.9
este dificil. Din acest motiv, ntotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de
circuit neliniare, s se dezvolte MODELE LINIARE, valabile n anumite condiii
precis specificate de funcionare. La fel se pune problema i n cazul tranzistoarelor
MOS.
Modelarea funcionrii tranzistorului MOS n variabil de semnal mic.
Deoarece tranzistorul MOS poate amplifica liniar numai n regiunea de
saturaie, este util s se dezvolte un model, care s descrie comportamentul
tranzistorului n aceast regiune de funcionare.
Modelul prezentat n continuare se poate aplica numai n cazul n care
tranzistorul MOS funcioneaz n regim variabil de semnal mic (mrimile electrice
ale tranzistorului sunt variabile n timp, iar variaia tensiunii GRIL-SURS este
mai mic dect o valoare estimativ de aproximativ 12,5mV). n aceste condiii,
comportamentul tranzistorului MOS poate fi considerat ca fiind LINIAR i n
consecin poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.
Din relaia 5.9 se remarc faptul c dac un tranzistor MOS funcioneaz n
regiunea de saturaie, iD variaz n funcie de vGS. Modul n care are loc aceast
variaie se poate determina calculnd derivata curentului iD n funcie de tensiunea
vGS pentru cazul n care valoarea curentului de DREN este meninut la o valoare
constant ID. Valoarea derivatei respective se noteaz cu gm i se numete PANTA
tranzistorului MOS:
gm
di D
dvGS i I
D D
gm 2 k I D
g m Siemens
16
Amper
Volt
5.10
Figura 5. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene joase i
medii.
Modelul depinde de frecvena la care este utilizat tranzistorul MOS. Pentru frecvene
mai mici dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor joase i medii), modelul
este caracterizat de circuitul echivalent prezentat n Figura 5. n acest circuit,
mrimile electrice Ig, Is i Id reprezint amplitudinile curenilor de gril, surs,
respectiv dren, iar Vgs reprezint amplitudinea tensiunii gril-surs.
Pentru frecvene mai mari dect aproximativ 1MHz (domeniul frecvenelor nalte),
funcionarea tranzistorului MOS este afectat de anumite fenomene dinamice, de
natur capacitiv, care pot fi modelate prin intermediul unor CAPACITI
PARAZITE, reunite n parametrii notai cgs, respectiv cds. Circuitul echivalent valabil
n acest caz este prezentat n Figura 6.
17
Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului n regim variabil de semnal mic, pentru frecvene nalte.
18