DISPOZITIVE

CIRCUITE ELECTRONICE

CURS_01
titular: Alexandru Lazar
alazar@etti.tuiasi.ro

DATE DESPRE DISCIPLINA

Tipul disciplinei:
obligatorie
Nr. ore saptamanal: 2C+2L/2C+1L <EL/EN>
(Laboratorul se afla in corpul A Copou, sala I-15)
Forma de verificare :
colocviu
Nr. credite:
4/4 <EL/EN>
Modalitati de examinare:
1. Examinarea final
-prob scris (10 subiecte)
pondere:60%
2. Evaluare periodic
-5 probe scrise la laborator, din 2 in 2 sptmni
(rezolvare de probleme)
pondere:20%
3. Evaluarea activitatii de laborator:
pondere:20%
ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

OBIECTIVELE DISCIPLINEI

Intelegerea structurii, funcionarii i modelarii

dispozitivelor electronice de baz.
Studiul circuitelor electronice analogice fundamentale principii de funcionare, analiz i proiectare.
Cunoaterea unor structuri specifice circuitelor integrate
analogice. nsuirea unor circuite de baza cu
amplificatoare operaionale.
Crearea abilitatilor de utilizare a aparaturii de baz din
laboratorul de electronic i a unor programe de simulare
a dispozitivelor i circuitelor electronice.

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

BIBLIOGRAFIE

[1] M. Florea, Dispozitive i circuite electronice,
Ed. Gh. Asachi, 1999

[2] Thomas L. Floyd, Dispozitive Electronice,

Ed. Teora, 2003; Prentice Hall, 2005

[3] R. Boylestad &L. Nashelsky, Electronic Devices and

Circuit Theory, PRENTICE HALL, 2006

[4] Donald A. Neamen, Electronic Circuit Analysis
and Design, McGraw-Hill, 2001

[5] A. Sedra, K. Smith, Microelectronic Circuits,
Oxford University Press Inc., 2004

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

CONVENTII DE NOTARE A
SEMNALELOR

vBE

vbe
vbe(t1)

VBE

Vbe

vBE(t1)

t1

v BE ( t1 ) = VBE + v be ( t1 )
v be ( t ) = Vbe sin(t )
ETTI IASI

a) litere mari i indici litere mari,

VB, IC, UCE, VBE, ECC, IEE =
mrimi continue i valori medii
ale mrimilor variabile (indice
dublu = sursa de alimentare).
b) litere mici i indici litere mici,
ic, vbe,vb = valori instantanee ale
mrimilor pur variabile
(excluznd componentele
continue).
c) litere mici i indici litere mari,
iC, vBE, vB = mrimi totale,
t componenta continu plus
componenta variabil.
d) litere mari i indici litere mici,
Ve, Ib, Vb = amplitudini sau valori
efective complexe ale mrimilor
alternative.
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

CONVENTII PENTRU
ELEMENTELE DE CIRCUIT

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

RELATII SI TEOREME UTILIZATE

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

DIVIZOR DE TENSIUNE

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

DIVIZOR DE CURENT

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

METODA SUPRAPUNERII EFECTELOR

The current through, or voltage across, an element in a linear
bilateral network is equal to the algebraic sum of the currents
or voltages produced independently by each source.

V0 = V01 + V02 = 5, 7V

R2
V01 =
VS = 13, 2V
R1 + R2

ETTI IASI

R1 R2
V02 =
I S = 7,5V
R1 + R2
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

TEOREMA LUI THEVENIN

(Teorema generatorul echivalent de tensiune)

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

TEOREMA LUI NORTON

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

TEOREMA LUI MILLMAN

(POTENTIALE LA NODURI)

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

1.1 STRUCTURA ATOMULUI

Cea mai mic particul dintr+un element,
care pstreaz proprietile acelui element

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

ISTORIC
Termenul de atom apare pentru prima dat ctre anul 450 .e.n.
Filozoful grec Leucip dezvolt teoria conform creia materia nu
este infinit divizibil i introduce noiunea de atomos, ceea ce nu
poate fi divizat. Civa ani mai trziu, Democrit, un discipol al lui
Leucip, definete materia ca fiind un ansamblu de particule
indivizibile, invizibile i eterne: atomul. Aceast nou concepie
nu a fost rezultatul unor observaii sau experiene, ci mai
degrab al unor intuiii. Teoria a fost dezvoltat ulterior de Epicur,
apoi de poetul latin Lucreiu. Au trecut ns 2000 de ani pn
cnd teoria atomic a fost formulat tiinific.
n anul 1803, fizicianul i chimistul englez John Dalton a elaborat
o teorie atomic proprie care explic Legea proporiilor multiple,
afirmnd c din moment ce substanele se combin numai n
proporii integrale, atomii trebuie s existe la baza materiei.

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

MODELUL PLANETAR-BOHR

Numrul Atomic=numrul de protoni coninut de nucleu

La atomii neutrii electric, numrul de protoni i electroni este
egal

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

PATURI ELECTRONICE SI ORBITE

Ne = 2n

ETTI IASI

Energiile corespunztoare electronilor sunt

mrimi discrete i cresc odat cu distana
fa de nucleu
Electronii graviteaz pe orbite (nivele
energetice) ce sunt grupate in pturi
energetice, notate cu K,L,M,N,etc.
In ficare ptur sunt un numr bine definit
de nivele energetice ce pot fi ocupate (Ne=2;
8; 18; 32; etc)
Electronii din ultima ptur sunt electronii
de valen ce sunt slab legai, sunt implicai
in reaciile chimice i determin
proprietile electrice ale substanelor
Utilizarea modelului echivalent de benzi
energetice
Ionizarea =procesul de captare sau pierdere
a unor electroni din BV datorit micorrii
sau creterii energiei energiei ecestor
electroni. DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

TABELUL LUI MENDELEEV

ETTI IASI

Numrul atomic i numrul electronilor de

valen determin poziia n tabel

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

SEMICONDUCTOARE,CONDUCTOARE
SI IZOLATOARE

Energia electronului este 0 n afara atomului

La conductoare cmpul electric este mai puin
intens n zona Benzii de Valen
ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

CARACTERIZAREA CONDUCTIBILITATII MATERIALELOR

(REZISTIVITATEA SI BANDA INTERZISA)

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

SILICIU SI GERMANIU
(STRUCTURA & LEGATURI COVALENTE)

Structura atomica
Forma cristalizare
Reprezentare
conventionala
ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

SARCINI ELECTRICE
IN SEMICONDUCTOARELE INTRINSECI
T=0K el in BV
T>0K apar perechi
electron-gol

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

CONDUCTIA ELECTRICA IN
SEMICONDUCTOARE
Curenti de drift E
Curenti de difuzie ~

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP N

ETTI IASI

Dopare
Extrinseci n
Extrinseci p
Nd -donori
Na -acceptori

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP P

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

JONCTIUNEA PN
NEPOLARIZATA

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

MARIMI ELECTRICE IN
JONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA
PN abrupta si regiunea de trecere complet saracita

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

JONCTIUNEA PN
POLARIZATA INVERS

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

pn (W2)

CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE DIRECTA

pn0
Lp

np0

p-region

-W 1 0

W2

n-region

diffusion

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE INVERSA

pn0

np0

p-region

-W1 0

W2

x
n-region

diffusion

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

JONCTIUNEA PN
POLARIZATA DIRECT

ETTI IASI

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE