Joncliunea pn

33. Comportarea dinamici a jonc{iunii pn

Si considerim ci unei jonc{iuni pn i se aplici la borne o tensiune variabili in timp. Penhu a putea
estima curentul prin structura pn trebuie sn g6sim un model cu c:ue si o tnlocuim. Un model posibil este
prezentat ?n fig. 3.8, in care caracteristica joncfunii pn este aproximat5 eu rezistenli infinitn (contact
deschis) pentru Va < 0 gi cu rezistenta Rd pntru Ve > 0 (rezistenfa de curent eontinuu in punehrl IvIs).

R, -v t o
"

(3.2r)

Ino

V.c,> 0

Va
a)

n
r\d

G-

Va<0

c)

Fig. 3.8.Modelarea;oncpuniipn in regimdinamic;a) circuitul electric;

b) aproximarealiniari pe po4iuni a caracteristiciijoncfiunii pn; c) circuitul
echivalental joncliunii pn corespunzitoraproximafieicaracteristicii.

Modelarea jonc{iunii pn la semnal mic, joasi frecvenfi

in aceastiisee$unese va studia funcfionareajoncfunii pn in cazul aplicirii la borne a unei tensiuni

de componenticontinui (Va), pestecaresesuprapuneo componentdvariabili (v"(t)), ca in fig. 3.9.
vt -- Vt + vo(t), undevo(r)=Yo.sin@.t

(3.22)

In relafia anterioar5"semnificaliamlrimilor esteurmitoarea:

v6 - tensiuneala bornelejoncfiunii pn, componentacontinui plus ceavariabili;
Va - oomponentacontinui a tensiunii la bornelejonefiunii pn;
v"(t) - componentavariabilda tensiunii la bornelejoncfiunii pn;
Vo- anrplitudineac.omponentei
variabile la bornelejoncliunii pn.

t-__

veft)
--+

ie(t)

va

v"(t)

Fig. 3.9. R[spunsuljoncliunii pn la semnalmic, joas[ frecven$ a) circuitul

electric;b) deterrrinareagrafici a componenteivariabile i".

Dispozitive electnonice
Cele patru modalitiili de notale de mai sussunt folosite in circuiteleelectrice,at6t pentrutensiuni c6t
qi pentm curenti. De exemplu,I" reprezinti amplitudineacomponenteivariabile a curentuluiprin jonc{iunea
pn.
Condilir de semnal de joasi frecvenfi presuprmeci valorile instantaneeale curentului ia(t)
urrniresctensiuneavn(t) dupi aceeagilegeca gi m5rimile statice.Rezulti ei:

(t)=ro
",,9]-rl
-\r'k'r)
" l-"*[g,
L

e.23)

Astfel, regimul variabil esteconsideratca fiind o succesiunede regimuri statice(regm cvasistalionar).

Condifia de semnalmic seexprimdprin relafia:

v" < <I:k' l

(3.24)

in care

k.T

V7,Yr fiind tensiuneatermici. La T: 300 K, Yr = 26 mV. Considerdndy unitar, condilia de

{I
semnal mic se exprimi de obicei astfel amplitudinea comlxlnentei variabile la bornele joncfiunii pn este
mult mai mici deeit tensiunea termici

(V*<.V;
Dln(3.22) qi (3,23)rezulti:

=',l"-4fid".,tfr#)']
ing)

(3.2s)

Daci relafia (3.24) esterespectati,atunci a doua exponen{alI din refufia precedenti se poateaproximacu
primii doi termeni(exp x + I + x daci x --' 0):
exp

Q.26)

Inlocuind(3.26)?n(3.25),rezulti:

=',l"-(fit)-']..L""4fidl
iAe)
W

(3.27)

tn care, primul termen din membrul drept reprezinti componentacontinui, iar cel de al doilea reprezinti
componentavariabill a curentuluiprin joncliunea pn. Confonn legii lui Ohm, intre i"(0 li v"(t) exist[ relafia:

i,@=T

(3.28)

in careRi este rezisten{ainterni a diodei, la semnalmic.

Din identificarea relaliei (3.28) cu termenul al doilea din membrul drept al rela$ei (3.27) re
determini expresiapentm R;:

4 = T ' kq' r .

;Fffi

Grafic, condiSade semnalmic permite

static de funclionareOdodin fig. 3.8) cu tangentala grafic.

l0

v- k- T

;F"n;

Q.2e)

-caracteristiciijonc{iunii pn jurul
in
punctului

Joncfiunea pn

| =i o = 94
- Q' Io.- ."*{ n' ' n\
' \r .k.r
va
&nlr
^
r .k.T
4
)

(3.30)

Expresia rezistenfei interne se mai poate serie:

(331)
Q'I r

in sonsluzie, cirpuitul echivalent al jonc{iunii pn pentru semnal mic qi regim cvasista{iouar

(frecven{emici) esteconstituitdin rezistenlainterni Ri.
Circuitul eehivalent al joncfiunii pn la semnal mie, in regim neste{ionrr (la freevenfe mari)
Cregterea frecven{ei de lueru face ca influenp capacitii,tilor jenelirmii pn si nu mai poati fi neglijatii.
Astfel, eircuitul echivalent in regim nesta{ionar euprinde rezistenp interni" & definitn anterior, capacitatea
de difuzie, C6 gi capaeitateade barieri" C6. Relaliile de calcul pentru eele doui eapacitEfi sunt 16]:
r:

\-r

To

(3.32)

" 2 .&
-

C to

C t=

(3.33)

h-Io

1l vu,

a)

b)

Fig. 3.10.a) Cireuituleehivalentaljoncfiunii pn la semnalmic;

b) dependenfade polarizarea rezistenfeiinternegi a capacitililor C6gi C6.
in careCtoestecapcitatea de barieri ?nlipsa pclarizirii joncfiunii pn (Ve: 0).
Circuihrl echivalental diodei la semnalmic, in regim neshSonaresteprezentatin fig. 3.10a in earc
r, este rezistenp serie a regiunilor neutre. VariaSile &, Co li Cu in func$e de tensiuneade polarizare a
joncfunii pn sunt ilushate ?n fig. 3.10b. Impedan{adiodei este determinatS"in polarizae direct5" de
rezistenp intemi gi capacitateade difisie, iar in polarizareinvers4 de capacitateade barieri. Daci C6poate
fi considerati o capacitateparazrtiain schimb, capacitateade barier[ este paxametrulde bazn al diodelor
varicap.

il

Dispozitire electronice
l.4.Parametrii de catalog ai diodclor
Parametrii pentru polarizarea directil
Ip - (Farwwd Cwrent) curentuldireetprin diode.
hnv - (AverageForwqrd Cwrenl) curentuldirect mediu. Seealculeazipe o perioadi.
Irawr - Qu{mimamAverageForwwd Current} curenfuldireet mediumaxim.
Is;y- (Mmimum Forwwd Cwrent) valoareainstantaneemaximi a curentuluidirect.
Imr*rsr.a
- (IuImimumRMSForwwd Cwrent) curentuldirect eficacemaxim.
Irnr,a- (RepetitivePeakForwwd Cwrent) curentuldirect de virf repetitiv.
Ir(ou - (Mmimum Short Term Overload Forward Current) curentul direct de suprasarcinlmaxim. Este
valoareade v6rfa surentuluidirect carepoatefi aplicatdinteruritent in condilii specificate.
Irsu - (Swge Forwsd Current) curentul direct de vArf de suprasarcindaccidentali- Este sea mai mare
valoarede vdrf a curentuluidirect, carepoatefi poatefi suportatitimp de 10ms.
Ia- (MmimumAverageRectifiedForward Current) curentuldireetmediu redresatmaxim.
{Cwrent Integral) integralade curent.Estevaloareamaxim[ a integraleide timp a pitratului curenhrlui
direct folositii pentrualegereasiguranpi.
Yp - (Forwmd Vakage)tensiuneadirecti.
Vro - (ThreshaldYakage)tensiuneadireeti de prag.
ft-

Vnr - (Mmimum Farwwd Yaltage)tensiuneadkeoti maximi.

Parametrii pentru polarizarea invensi
Vnnrra- (Repetitive Peak ReverseYottage)tensiunea inversi de vflrf repetitivd.
Vn51r- (Non-repetittve Peak Reverse Yoltage) tensiunea inversi de v6rf nerepetitivi.
lply

(Muimum Reverse Current) curentul invers manim.

Vpq - (Breakdawt Yoltage) tensiunea de stripungere (avalang[).

Parametrii specifici diodelor 7*ner
Y n - (Nominal Zener Vakage)tensiunea de stabilizare nominali.
lzr,Izx,lm-

(Zener Cwrent) curen$i de stabilizare nominal, minim respectiv maxim.

r,- (7*ner Resistanee\rezistenla de stabilizare.

o,yy- (Temperatwe Coefficient of Zener Yokage) eosfisienhrl de varia$e cu temperatura a tensiunii 7,enrer.

Parametrii specifrci diodelor de comutafie

Innr"r- (PeakReverseRecaveryCwrent) curentmaxim de comuta$einversi.
t*-(Rev*se Recwery Timeltimpul de comutareinvers5.
ta- (Forward Recwery ftme) timpul de comutaredirstn.
Cw - (Diode Total Capacitutce)capaeitatea
totali a diodei.

12

Joncliunea pn

3,5. Diode semiconductoare realizate pe baza joncfiunii pn

lo ng. 3.11 esteilushatn structuraunei diode reahzateprin difiuie (diode difrrzafi). Znnan* are rolul
de a miegorarezistenp serie a jonc$unii pn. Stratul de oxid de siliciu (SiOr) este un foa*e bun izolator
sunt dispozitive electronicecu doui tenninale (A - anod ti C - catod) a
electric. Diodele semieonductoare
ciror func{ionarese bazeazdpe proprietiifilejoncliunii pn. Terminalelesunt fixate pe contaeteleohmiceale
celor doui zonep qi n. Prin procesetehnologiceadecvatese pot realizajoneliuni ale ciror proprietifi difern
cel mai des utiliz.ate.
foarte mult. in continuarevor fi prezentateciteva din tipurile de diode semiconductoare
a) Diode redresoare
Acestediode sebazeazApeproprietateade conduclieunilaterald
joncfiunii
pn. Ele au ca rol in circuit transformareaputerii de curent
a
alternativin puterede curent continuu.Utrlizarealor va fi prezentatiiin
capitolul ,,Redresoaremonofazate". O diod[ redresoareideal[ are
rezistenli zero in polarizaredirecti gi rezisten{i infiniti in polarizare
inversd. Pentru exemplificare am ales dioda redresoarelN400l, care
areurmdtorii parametriide catalog[3]:
Fig. 3.11.Structura
uneidiode
: 1 A; Vnnrra:50V; Irruu: l0 A; Ipss: 30 A;
: 1,15A; Irev1,,r
difuzate.
Irnr1asr1,a
mA; ft:4,5 *s.
Vp = 1,1V; Inr1a:0,05
de sute de amperi gi tensiuni inverse
Unele diodele redresoarepot luera la curenti medii Qpnyl,a)
de mii de vol$. Un astfelde exempluestediodaD355N200 82000 careare [3JIs6yy:355
maxime(Vnnr.,J
gi
A Vnru,r: 2000V.
b) Diode stabilizatoare de tensiune (T*ner)
Efectul stripungerii uneijonctiuni pn la o anumiti tensiuneinversS,caracterizatde o cregeremajori
a curentului pentru o varia$e foarte mici a tensiunii, stii la baza realizErii diodelor stabilizatoare.Diodele
stabilizatoarede tensiunese mai numescai diode Zerer. Utilizarea lor va fi prezentatdin capitolul rezfrrvat
stabilizatoarelorelectronicede tensiune.
DacI se nateazi: I2 : -In gi Vz = -Va, atunci
varia{iile tensiunii qi curentului in zona de stabilizare a
caracteristicii diodei Zenet sunt date de relafile:
LV7 =V^ *V^

qi

Nz=I^-1r..
Vzru gi Vzm sunt tensiunile de pe caracteristica diodei Zener
corespunzltoare curenlilor lan respectiv I2.. Se poate
definii acum rezistenfa de stabilizare, r,:
f- = *

"

AV,
Nz

(3.34)

Fig. 3.12.Caracteristica
unei diodeZener

3.tL
in frg. ?*Peste prezentatiicaracteristicaunei diode Z,enetde tip PL3Y3Z,la care tensiuneade
stripungereesteVen - -Yz = - 3,3V. Paramehiide catalogai acestuitip de diodi stabilizrtoarede tensiune
sunt[3]: Yn:3,3 V; I21: 100mA; r"y: 10f,l; avz: -6'104/nC;Ian: 285mA; Pz: I W.

t3

7
I

Dispozitive electnonice

c) Diode de comuta{ie
Acestediode se folosescin circuite de eomutaf,e.in procesulde fabrica{ie se urmiregte ca raporhrl
inhe rezistenp interni ?npolarizareinversi pi rezistenlainterni in polarizaredirecti sI fie edt mai mare.De
asemenea,timpii de comuta{ie tr,ebuiesi fie eit mai mici. O diodn de comutatie uzrlald este 1N4148
(consideratiultrarapidi),cu urm[torii parametriide catalog[3]: Vnnu: 100Vi t.,:4 ns; Irev1,,r:150mA;
I6 y:2 A.
d) Diode varicap
capacitiifii de bmieri de tensiuneape joncfiunea pn. Se observi
in fig. 3.10b sa ilustrat
din figura respectiv6cI, ?n polarizare invers5"in regim dinamic, joncSunea pn poate fi considerati un
condensatora c6rui capacitateestecontrolatii ?ntensiune.Aceastii facilitate este utilizatii penfiu realizara
diodelor varicap,utilizate in circuite acordate,ce luereazi la fucvenle din domeniulradio. O aplicalio tipicn
o constituieselectoarelede eanaledin televizoare,aeordulpe un post fic6ndu-seprin aplicareaunei tensiuni
de o anumiti valoarepe diodele varicapdin selector.Parametriipentru dioda varicapBBl39 sunt urmitorii
totali la Vn:25 V este C61: 4,3...6pF; pentruVn: 3 Vo C* :26...32 pF;
[3]: Vnu: 30 Vi capacitatea
Iruu: 0,05pA pentruVp:28 V.
e) Diode tunel
Acestediode,descoperitein anul 1958dejaponenrl Esaki, sunt fprmatedintr-ojonc{iunepn abruptd"
puternic impurificat5" rwlizatb inh-un monoeristalde silicir4 germaniusau galiu - arsen.Concentraliade
impuritiifi estede 10re- 102rcm'3.Caracteristicadiodei trnel estein formd de n, avind s znndin polarizarea
directii ?ncare prezintii rezistenp negativi. Marele avantajal acestordiode estec5" la tensiuni directe mici
ele nu prezinti fenomenulde stocaxea sarcinilor electrice(fenomenprezentla diodele obignuite)seeace
face ca frecvenp de lucru si fre foarte mare (gigahe4i). Timpi de somutarcal diodelortunel sunt de ordinul
nanoseeundelor.Rezisten{a diferen{iali negativd a diodei tunel permite utilizarea sa in oscilatoare,
compensindpierderilein circuitul oscilant.
Alte tipuri de diode: diode Gunn, fotodiode (la care curentul prin shueturi depindede iluminare),
LED - wr (Light Emitting Diode - diodaelectrolt'miniscentii).

l4

Joncfiunea pn

--fl-

-+f+lF
--fl-

+F
aD,Fq --+t-

diodi semiconductoareosimbol standardizat

diodi semiconductoare, simbol nestandardizat
diodi varicap, simbol standardizat
diod6 tunel, simbol standardizat
diodd Zetrer, simbol standardizat
diodd Zener, simboluri nestandardizate

-+F

-+F-

fotodiodA, simbol standardizat

diodn electroluminiscentii (LED),
simbol standardizat

Fig. 3.13.Simbolur.ilediodelor
io ng. 3.13suntilustrate
diodeloruzuale[3J.
simbolurile
Aplicafia 3J
PentrudiodaD din fig. 3.14secunoagtecurentulde saturalieIs: I pA gi coeficientulT = 1.
Secere:
a) SdsedeterminecurentulIa qi tensiuneaV6;
b) Snsedeterminerezistenp intemi a diodei in punchrlstatiede func$onare.
Rezolvane
a) Pe circuitul din fig. 3.14 sepoatescrieurmitoareaecuafle(de
circuiQ:
E = R. In +V n .

10v

Ecuaf;ade dispozitiv este:

Ie=Io
l"-bfift)-')

Fig. 3.14. Aplicalia3.2.

Solutiile sistemuluiformat din cele doui ecua$i se glsesc prin itera{ii succesive.Se atribuie uneia
din necunoscute(Vj o valoareestimatE"apoi se calculeazdeealaltiinecunoscutJi
(Ij. ValoareapentruIn se
tnlocuiege in prima ecualie gi se calculeazeVA. Iterafiile se continui p6nn cfurd diferen{aintre solufile
ultimilor doi pagiestesufieientde mici.
Dioda D estepolarizati direct (catodulestela cel'mai sclzut poten{ialdin circuiQ.Ca urmare,putem
estimac[ Vn: 0.
Iterafia I

to=+=19# =romA
15