Sunteți pe pagina 1din 18

5.

TEHNICI DE DEPUNERI DE STRATURI


Depunerile sunt necesare la realizarea de straturi semiconductoare cu aceeai
structur sau diferit de cea a substratului, straturi conductoare sau izolante. Tehnicile
de depunere folosite pentru realizarea de straturi izolante sau de oxid permit realizarea
i a depunerilor de alte materiale, cum ar fi metale sau pelicule semiconductoare.
n producia industrial a dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate
sunt utilizate mai multe tehnici de depunere: evaporare termic, pulverizare catodic,
depunere chimic n faz de vapori, depuneri la joas presiune, depunere asistat de
plasm. n acest scop se folosesc instalaii speciale (Anexa 1) care funcioneaz n
medii cu condiii controlate (grad de curenie, temperatura de lucru, etc.).
a) Evaporarea termic

Tehnica evaporrii termice const n nclzirea n vid, pn la vaporizare, a


materialului care urmeaz a fi depus. n aceste condiii, vaporii vor migra n incint i
se vor condensa pe substrat, realiznd depunerea. arja cu materialul de vaporizat se
plaseaz ntr-un creuzet (din wolfram).
Controlul grosimii straturilor depuse se realizeaz cu ajutorul balanei cu cuar.
Principiul acestei balane const n msurarea deviaiei frecvenei de oscilaie a unui
cristal de cuar, variaie aprut odat cu modificarea masei acestuia. n timpul
depunerii de material, depunerea se face i pe cuar, n acelai timp cu cea de pe
substrat. Acest proces de msurare presupune o etalonare, care se face la nceputul
fiecrui proces de depunere, stabilindu-se valoarea frecvenei de referin. Prin
msurarea abaterii de frecven n timp, se poate determina viteza de cretere a
grosimii stratului depus.
Depunerea chimic n faza de vapori. Tehnicile de depunere chimic n faz de
vapori sunt folosite pentru depunerea de siliciu policristalin sau pentru depunerea de
straturi izolante. Procedeul de depunere are loc, n general, n cuptoare n care se
introduc substanele reactive. Calitatea depunerii (proprietile structurale i electrice)
este influenat de temperatura i presiunea din cuptor.
Depunerea chimic n faz de vapori asistat de plasm. n tehnica aceasta
substanele sau elementele ce urmeaz a fi depuse sunt produse la temperatur joas
printr-un aport de energie electromagnetic (furnizat de o surs de radiofrecven).
Prin acest procedeu se evit nclzirea la temperaturi ridicate, care poate avea uneori
consecine nedorite (spre exemplu: redistribuirea dopanilor). Pentru a se obine o
calitate bun a straturilor depuse, este necesar o prenclzire a substraturilor pe care
se realizeaz depunerea.
Depunerea chimic n faz de vapori la joas presiune. Depunerea chimic, n acest
caz, se realizeaz ntr-un cuptor cu "perei calzi", la temperaturi de 500...600C i la
joas presiune. n incinta cuptorului se injecteaz gazele active care vor reaciona,
sintetiznd materialul ce urmeaz a fi depus.

52

Tehnologie electronic

b) Depunerea prin pulverizare catodic sau cu tun de electroni


Acest procedeu const n bombardarea materialului care urmeaz a fi depus
(inta) cu ioni accelerai ntr-un cmp electric. De pe suprafaa intei se desprind
particule de dimensiuni atomice, care sunt proiectate pe suprafaa substratului, unde se
depun.

5.1. Epitaxia
Prin epitaxie se nelege procesul de cretere a unui strat monocristalin pe un
suport orientat. Semnificaia cuvntului, provenind din limba greac, este: epi=pe i
taxis=aranjare. Procesul const n transportul atomilor dintr-o faz: solid, lichid sau
gazoas la suprafaa unui suport monocristalin pe care s continue creterea cristalin a
substratului. Aceasta tehnic folosete un substrat cu rol de germene cristalin pe care
crete un nou strat (pe monocristalul de baz), prin aport de atomi din exterior. Noul
strat obinut n acest fel poate fi dopat sau nedopat.
Creterea epitaxial a constituit un pas important n tehnologia planar i n
primul rnd n tehnologia circuitelor integrate. Creterea straturilor epitaxiale a permis
n cadrul tehnologiei planare eliminarea unor procese de difuzie care necesitau un
interval de timp mare. Calitatea straturilor epitaxiale este mai bun dect cea a
straturilor difuzate.

5.1.1. Descrierea procesului. Caracteristici


n funcie de modul n care se realizeaz transportul de la surs la stratul pe care
crete substratul semiconductor monocristalin, procesele de cretere epitaxial se
mpart n directe i indirecte.
Straturile epitaxiale pot fi de acelai fel, n cazul homoepitaxiei, cnd materialele
sunt identice (de exemplu: creterea prin epitaxie a unui strat de siliciu n- peste un strat
de siliciu n+, pentru obinerea jonciunii colector-baz a unui tranzistor bipolar,
permind creterea tensiunii de strpungere) sau materialele diferite n cazul
heteroepitaxiei. n acest ultim caz, creterea nu va fi posibil dect dac exist
compatibilitate ntre reelele cristaline ale celor dou materiale (aceeai geometrie a
reelei cristaline i diferene mai mici de 1...2 % ntre distanele dintre atomi).
Pe baza mecanismelor fizice ale creterii epitaxiale se pot analiza posibilitile de
fixare n reeaua cristalin a atomilor singulari care ajung la suprafaa substratului.
Pentru ca atomii s se poat deplasa la nivelul suprafeei cristalului este necesar
gsirea unei poziii n care acesta s se poat fixa. n funcie de poziia n care atomii
ating suprafaa substratului, nainte de formarea legaturilor chimice cu cristalul de baz
pot s apar urmtoarele situaii:
- atomul ajunge pe suprafa ntr-o poziie n care, legtura din punctul respectiv
fiind prea slab, nu poate fi reinut (fig. 5.1-cazul A);
- atomul cade ntr-o "gaur" a reelei cristaline i stabilete imediat legturi suficient
de puternice pentru a rmne definitiv fixat n reea (fig. 5.1-cazul B);
- atomul se aga de o "treapt" a reelei i se fixeaz n reea (fig. 5.1-cazul C).

53

Tehnici de depunere de straturi

Analiza acestor mecanisme (prezentate ntr-o form simplificat) arat c, n


primul rnd, se vor umple "gurile" reelei i procesul de cretere a cristalului se va
face strat cu strat. Acest proces are loc, n cazul n care aportul de atomi din exterior
este bine dozat, iar aceti atomi au energie suficient pentru a se deplasa la suprafaa
cristalului, pentru a ajunge n puncte n care se pot "aga". ndeplinirea acestor
condiii va depinde de respectarea parametrilor procesului tehnologic.

Fig. 5.1 Mecanismele elementare


ale creterii epitaxiale

Procesele directe de cretere epitaxial se caracterizeaz prin transportul de atomi de


la surs la suportul de cristalizare fr a mai trece prin reacii chimice intermediare.
Din aceast grup fac parte creterile epitaxiale prin evaporare termic, pulverizare
catodic i sublimare. Prin aceste procedee atomii semiconductorului vin la suprafaa
suportului monocristalin unde n anumite condiii se pot reuni i forma germeni
bidimensionali stabili. Probabilitatea Rn de formare a germenilor bidimensionali este
dat de relaia:
Wg
Rn = N exp
kT

(5.1)

unde s-au folosit notaiile:


N - concentraia atomilor de semiconductor n faz
gazoas;
Wg - energia liber de formare a germenilor stabili;
T - temperatura substratului.
Dac Rn este mare, atunci la suprafaa substratului se formeaz muli germeni
bidimensionali, formndu-se un strat epitaxial cu o structur cristalin bun.
Probabilitatea de formare a germenilor este cu att mai mare cu ct concentraia
atomilor de semiconductor n faz gazoas N i temperatura T a substratului este mai
mare.
Creterea epitaxial indirect se caracterizeaz printr-un transport de compui
chimici care disociaz pe substratul de material semiconductor ce constituie suportul.
Analiza creterii epitaxiale indirecte se face n mai multe etape.
- transportul compuilor la suprafaa substratului;

54

Tehnologie electronic

- absorbia la suprafa,
- reaciile chimice la suprafaa suportului,
- evacuarea produselor secundare rezultate;
- disiparea cldurii rezultate.
La realizarea straturilor epitaxiale, care s corespund parametrilor de utilizare a
dispozitivelor semiconductoare, este necesar ca structura suportului i cea a stratului
crescut s fie ct mai apropiate. Se impune ca la cele dou structuri constantele de
reea s nu difere cu mai mult de 1%.

5.1.2. Modelul epitaxiei


La creterea straturilor epitaxiale obinute prin evaporarea i condensarea n vid
se analizeaz cele trei etape: evaporarea, transportul substanei evaporate pn la
substrat i condensarea.
a) Evaporarea
Materialul stratului care urmeaz a se depune este nclzit ntr-un vaporizator
care se afl ntr-o incint vidat. Atomii sau moleculele, care au energie cinetic
suficient, nving energia de legtur i prsesc suprafaa fazei lichide sau solide (n
cazul sublimrii). Viteza de evaporare ve, care reprezint numrul de molecule ce se
evapor n unitatea de timp, se poate scrie n funcie de concentraia moleculelor
gazului n i viteza medie v :
ve =

1
nv .
4

(5.2)

Concentraia moleculelor gazului n i viteza medie v se exprim n funcie de


presiune i temperatur cu relaiile din fizica molecular (legea gazelor perfecte):
p = nkT

(5.3)

i
v=

8kT
m

(5.4)

unde m este masa moleculei.


Prin nlocuirea mrimilor n i v din (5.3) i (5.4) n relaia (5.2), pentru viteza de
evaporare se obine:
p
(5.5)
ve =
(2mkT )1 2
n cazul n care vaporizarea are loc n sistem nchis, se stabilete un echilibru
ntre vaporizare i condensare la care corespunde o presiune p de echilibru a vaporilor.

55

Tehnici de depunere de straturi

Valoarea presiunii se poate exprima n funcie de cantitatea de cldur Qm necesar


evaporrii unui mol de substan [3]:
Q
p = A exp m
RT

(5.6)

unde A este o constant care depinde de temperatur.


Introducnd (5.6) n relaia (5.5), pentru viteza de evaporare se obine expresia:
ve =

A
Q
exp m
12
(2mkT )
RT

(5.7)

Pentru a obine viteza de evaporare vem n uniti de mas (kg/m2.s) se multiplic relaia
(5.7) cu masa unei molecule:
v em = m v e =

M
ve
NA

(5.8)

unde:
M este masa molar, iar NA numrul lui Avogadro N A = 6,023 10 23 molecule / mol .
De obicei, se consider c evaporarea are loc la o temperatur pentru care se
obine o presiune a vaporilor p = 10 2 mmHg . Prin nlocuire n relaia (5.8) i dup
introducerea constantelor, rezult:
v em

M
= 5,8 10
T
3

(5.9)

unde M este n kmoli, iar T n K.


b) Transportul ntre evaporator i condensor
Moleculele care se evapor prsesc suprafaa evaporatorului cu viteza medie
dat de relaia (5.5). Drumul liber mijlociu se poate exprima ca raportul ntre viteza
medie v i numrul mediu de ciocniri Z ( Z = 2 n m2 v ) cu celelalte molecule:
=

1
kT
v
=
=
2
Z
2 n m
2 m2 p

(5.10)

unde, mrimile introduse au urmtoarea semnificaie:


p presiunea gazului,
m - diametrul efectiv al moleculei.
Dac se introduc date numerice uzuale:
m=3,7 10-10m la aer i p=10-4 mmHg rezult: = 47cm ;

56

Tehnologie electronic

m=3,7 10-10m la aer i p=10-6 mmHg rezult: = 47m .


Valorile drumului liber mijlociu obinut anterior arat c ntr-o incint cu vid
naintat (p=10-410-6 mmHg) fascicolul molecular este liniar (micarea se face practic
fr ciocniri). Pentru aceste fascicole sunt satisfcute legile lui Knudsen:
- intensitatea fascicolului este proporional cu cos, unde reprezint
unghiul fa de direcia normalei;
- numrul de atomi care ajung la suprafaa substratului n unitatea de timp
este invers proporional cu ptratul distanei de la surs la substrat.
De aceste legi se ine seama la stabilirea formei evaporatorului i a poziiei
substratului pentru o distribuie eficient a materialului de condensare pe suprafaa
suportului.
b) Condensarea
Formarea stratului pe suport prin procesul de condensare constituie o faz
important a creterii epitaxiale. Atomii ce ajung la suprafaa suportului vor difuza pe
suprafa. Pentru ca un atom sau o molecul s treac ntr-o poziie nvecinat trebuie
s depeasc o barier de potenial Ws, iar pentru a prsi suprafaa trebuie s trac
peste o barier de potenial We> Ws.
Mobilitatea atomilor la suprafa depinde de:
- energia de activare a difuziei Ws;
- temperatura suportului,
- natura suprafeei;
- gradul de curenie al suprafeei.
Atomii pot primi suficient energie de la oscilaiile termice ale suportului, fie
pentru a suferi fenomenul de reevaporare, fie pentru a ntlni un nou atom cu care
formeaz un complex bidimensional.
Pentru cele dou stri se introduc timpii de via: 1 ct atomul st absorbit pe
suprafaa suportului i 2 timpul ct coexist complexul bidimensional. La un
germene bidimensional se pot altura i ali atomi realizndu-se n acest caz un
complex care se evapor mai greu. Prin creterea dimensiunilor complexului atomic
mobilitatea lui la suprafa scade i timpul de via 2 crete.
Procesele fizice care au loc la suprafaa substratului se pot scrie compact sub
forma:
- condensarea:
nG n S ;
(5.10)
- formarea germenilor:
2n S n 2 S ;
(5.11)
- creterea i disocierea germenilor:
n S + n 2 S n3 S nG + n 2 S ;
n S + n xS n( x +1) S .

(5.12)

57

Tehnici de depunere de straturi

unde, indicii G i S se refer la faza gazoas, respectiv, la faza solid de la suprafaa


suportului.
Viteza de variaie a concentraiei atomilor la suprafa se poate scrie:
n
n
dn
= vc S 2S
dt
1 2

(5.13)

unde: vc reprezint viteza de condensare.


Neglijnd procesele de tip (5.13) se poate scrie:
n = nS + n2 S

(5.14)

Prin introducerea relaiei (5.14) n (5.13) se obine:


1
1
dn
= v c + n 2 s
dt
1 2

(5.15)

Considernd c la formarea germenului n2S, la ntlnirea lui nS cu nS, concentraia


crete proporional cu n S2 rezult:
n 2 S = k S n S2

(5.16)

unde kS este un coeficient de proporionalitate.


Dac se consider c n S >> n 2 S , din (5.16) i (5.14) rezult:
n2S = k S n 2

(5.17)

Introducnd (5.17) n (5.15) se obine:


dn
= v c an + bn 2
dt

(5.18)

unde:
a=

i b = k S

(5.19)

Ecuaia (5.19) se poate scrie sub forma:


2

dn
a
a2

= b n + v c
dt
2b
4b

iniial , cnd n=0, viteza de cretere a stratului este dat de relaia:

(5.20)

58

Tehnologie electronic

dn
= vc
dt t = 0

Cnd n

(5.21)

a
, viteza de cretere este dat de:
2b
a2
dn
= vc
4b
dt

(5.22)

Din relaia (5.22) se observ c stratul poate crete numai dac:


vc >

a2
4b

(5.23)

Deoarece v c v e depinde de temperatura sursei de evaporare (relaia 5.23) rezult


c se pot obine straturi groase pe un suport numai ncepnd cu o anumit temperatur
critic a evaporatorului, adic peste o anumit vitez critic de evaporare, dat de:
v ec =

1
a2
=

4b 4k S 1

1 1
2

(5.24)

Deoarece 1<2, rezult:


a2
1
v ec =

4b 4k S 1

(5.25)

Durata de via n starea de absorbie la suprafa a atomilor n ipoteza lui


Frenkel se poate scrie:
1 = a1 exp

Ue
kTS

(5.26)

unde: TS - temperatura suportului condensor,


a - frecvena de oscilaie n jurul poziiei de echilibru a atomului absorbit.
Din (5.25) i (5.26) se obine:
v ec =

U
exp e
4k S
kTS

(5.27)

din compararea relaiilor (5.26) i (5.27) rezult c formarea stratului ncepe numai
dup ce este stabilit un anumit raport ntre temperatura evaporatorului i cea a
suportului de condensare.

Tehnici de depunere de straturi

59

5.1.3. Tehnologia depunerii straturilor epitaxiale


Exist n principal trei tipuri de procedee :
- epitaxia prin jet molecular - MBE (Molecular Beam Epitaxy),
- epitaxia n faz lichid - LPE (Liquid Phase Epitaxy),
- epitaxia n faz de vapori - VPE (Vapor Phase Epitaxy).
a) Epitaxia prin jet molecular (MBE)
Aceasta tehnic const n aducerea i proiectarea moleculelor pe suprafaa
substratului. Procesul are loc n vid naintat (10-10 Torr), pentru a preveni orice ciocnire
sau contaminare pe parcurs. Atomii care se depun se obin n urma evaporrii n vid.
Sursele de vapori pot fi de mai multe feluri diferite dopaje. Prin reglajul temperaturii
celulelor de vaporizare se creeaz un jet de molecule n direcia substratului. Prin acest
procedeu se pot realiza, strat cu strat, structuri foarte complexe cum ar fi super - reele,
diode laser, tranzistoare speciale. n instalaia de epitaxie (fig. 5.2) se obine o cretere
epitaxial cu mare precizie, putndu-se realiza jonciuni foarte abrupte. n timpul
creterii epitaxiale poate fi verificat continuu calitatea reelei cristaline n formare.
Tun de
ioni

Tun de
electroni

Surse de
vapori

Ecran

Substrat
nclzire

Fig. 5.2 Instalaia de epitaxie


prin jet molecular

Procesul este ns foarte lent i nu poate fi aplicat dect unui singur substrat de
fiecare dat. Viteza de cretere este de ordinul a 1 nm/minut. Deoarece procedeul
MBE este foarte costisitor, acesta nu se aplic dect pentru realizarea de dispozitive
electronice speciale i cu valoare adugat mare [7].
b) Epitaxia n faza lichid (LPE)
Aceast tehnic const n creterea cristalului prin punerea sa n contact cu o
surs lichid de atomi. Principiul este asemntor cu cel al tragerii lingourilor de
siliciu prin metoda Czochralski. n acest caz, este necesar controlul schimburilor de
caldur din timpul procesului, pentru a evita lichefierea cristalului de baz. Metoda
prezint avantajul de a fi foarte rapid, viteza de crestere putnd ajunge la ordinul unui
micron pe minut, dar nu are precizia metodei MBE. Principiul epitaxiei cu mai multe

60

Tehnologie electronic

soluii (bi multiple) n faza lichid este prezentat n figura 5.3. Soluiile lichide sunt
aduse succesiv la suprafaa substratului prin intermediul glisierei de grafit.

Soluii
lichide
Grafit

Fig. 5.3 Principiul epitaxiei n


faza lichid cu mai multe soluii
Substrat

Glisiera de
grafit

Bile pot conine material de baz sau dopani diferii, pentru a realiza
heteroepitaxie (spre exemplu pentru realizarea unui hetereotranzistor bipolar).
c) Epitaxia n faz de vapori (VPE)
Acest procedeu const n creterea cristalului semiconductor prin aportul
atomilor coninui ntr-un gaz (fig. 5.4). n reactor gazul se disociaz, furniznd atomi
(de siliciu, spre exemplu), care se depun pe suprafaa plachetelor. Plachetele sunt
nclzite, pentru a asigura condiii bune de cretere. n funcie de temperatur, reaciile
ce se produc pot fi foarte diferite. n cursul procesului se impune un control al
echilibrului chimic, care se obine prin injecia de gaz rezultat din descompunerea
sursei de atomi. Gazele injectate conin: triclorsilan, acid clorhidric i hidrogen.
gaz

plachete

nclzire

Fig. 5.4 Instalaie pentru epitaxie in


faza de vapori (VPE)
pompare

Procedee de epitaxie a siliciului, n faz de vapori


Exist diverse procedee pentru epitaxia siliciului, n funcie de sursa de siliciu
folosit, aceasta putnd fi : SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 sau SiH4.
c1) pentru sursa SiCl4, reacia este:

61

Tehnici de depunere de straturi

SiCl4gaz + 2H2gaz

Si solid + 4HCl gaz

(5.28)

Reacia se efectueaz, la aproximativ 1250C, ceea ce antreneaz o redistribuire


important a dopantilor n timpul epitaxiei.
c2) pentru sursa triclorsilan, SiHCl3, reacia este:
SiHCl3gaz + H2gaz

Si solid + 3HCl gaz

(5.29)

Reacia se efectueaz la aproximativ 1100C; aceasta este metoda industrial,


care actualmente este cea mai utilizat.
c3) la piroliza diclorsilanului, SiH2Cl2, reacia este:
SiH2Cl2gaz

Si solid + 2HCl gaz

(5.30)

Aceasta reacie permite obinerea unei bune caliti a cristalului, la o vitez de


cretere relativ ridicat. In ansamblu, cele trei metode prezentate mai sus au
inconvenientul de a genera acid clorhidric, care poate ataca siliciul n curs de cretere.
Pe de alt parte prezint avantajul ca, prin reglarea presiunii pariale a acestui produs,
se poate controla viteza de cretere.
c4) folosind silanul, SiH4; piroliza silanului este o reacie ireversibil:
SiH4gaz > Si solid + 2H2 gaz

(5.31)

Reacia se produce la 1000C, fr a rezulta compui clorai. Aceasta tehnic


permite realizarea de jonciuni abrupte, ntruct temperatura de lucru nu este foarte
ridicat, deci difuzia dopanilor n timpul creterii epitaxiale este mult diminuat. Pe de
alt parte, silanul este un produs scump i periculos (se aprinde instantaneu n contact
cu aerul), iar viteza de cretere realizat este relativ mic.
n toate variantele reacia de depunere se desfoar n condiii bune, dac
temperatura se menine n limitele indicate i compoziia combinaiei de gaze este
adecvat. O vitez bun de cretere a monocristalelor de siliciu (1m/min - 5m/min)
s-a obinut pentru temperaturi cuprinse ntre 930C i 1400C. Creterea cu viteze mai
mari duce la depunerea de pelicule din ce n ce mai imperfecte i, n cele din urm la
depuneri policristaline.

5.1.4. Analiza straturilor epitaxiale


a) Msurarea grosimii prin:
- metoda cntririi la care variaia de mas m care se determin cu balane
foarte sensibile permite stabilirea valorii grosimii stratului epitaxial conform
relaiei:
x =

m
S e

(5.32)

62

Tehnologie electronic

metoda generatorului cu cuar la care variaia de mas m care se determin


n funcie de variaia de frecven f a unui cristal de cuar situat n
interiorul instalaiei de epitaxie:
f
1
=
mo f 0
m
f

(5.33)

Prin msurarea variaiei relative a frecvenei (5.33) se determin masa i n funcie


de aceasta grosimea stratului depus.
b) Analiza calitii
Calitatea straturilor epitaxiale se evalueaz pe baza urmtorilor parametrii:
- defecte de structur.
- distribuia concentraiei de impuriti;
- rezistivitate;
- grosime.
b1) Analiza structurii se realizeaz optic cu ajutorul microscopului electronic sau
cu ajutorul razelor X
b2) Determinarea coninutului de impuriti
Determinarea profilului de impuriti se face prin msurarea rezistivitii n
diferite zone prin metoda celor 4 sonde.
Profilul concentraiei de impuriti n regiunea de interfa substrat strat
epitaxial depinde de urmtorii parametri ai tehnologiei:
- temperatura procesului;
- natura i concentraia impuritilor n substrat;
- coeficienii de difuzie a impuritilor n substrat i n stratul epitaxial, etc.
Pentru reducerea redistribuirii impuritilor trebuie luate urmtoarele msuri:
- alegerea materialelor de dopare cu coeficieni de difuzie mici;
- mrirea vitezei de cretere epitaxial.
Procesul de redistribuire al impuritilor la interfaa substrat strat epitaxial este
prezentat n figura 5.5.
N

Strat
epitaxial

Substrat
Nsub

N1(x,t)

N2(x,t)

x=0

Fig. 5.5 Distribuia impuritilor n


procesul creterii epitaxiale

Ne

x=xe

Se poate observa descreterea uoar a concentraiei a substratului N1(x,t) pn la


suprafaa acestuia x=0 i foarte puternic n stratul epitaxial. n acelai fel, are loc

Tehnici de depunere de straturi

63

modificarea concentraiei stratului epitaxial N2(x,t) pe grosimea acestuia x=xe, urmat


de o descretere foarte puternic n interiorul substratului.

5.2. Oxidarea
Prin oxidare se nelege reacia chimic ntre un metal sau un semiconductor cu
un agent oxidant (oxigen, ozon, ap, bioxid de carbon, acid azotic, etc.). Procesul de
oxidare la siliciu are drept scop obinerea unui strat de SiO2 caracterizat prin
proprieti dielectrice i de ecranare n procesele de impurificare controlat (mascare).
S-a observat c stratul de oxid de siliciu (SiO2) se comport ca o barier la ptrunderea
impuritilor n substratul de siliciu (Si). Aceast observaie a constituit o invenie
deosebit de important i cu numeroase aplicaii n construcia structurilor
semiconductoare (dispozitive semiconductoare i circuite integrate) n tehnologia
planar. Un strat de o fraciune de micron de SiO2, uor de depus pe cale termic,
mpiedic ptrunderea n siliciu a atomilor strini: P, As, Sb, B. Sintetiznd rolurile pe
care le poate ndeplini stratul de SiO2 se pot meniona:
- masc pentru implantare sau difuzie de dopant;
- strat pasivizant (de protecie) la suprafaa siliciului;
- zon de izolare electric ntre diferitele componente ale unei structuri
integrate;
- strat activ n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp (oxid de gril);
- izolant electric ntre straturile adiacente, pentru a crete gradul de
integrare i a reduce dimensiunile;
- izolant electric ntre diferitele nivele ce conin trasee conductoare,
metalice sau din polisiliciu puternic dopat;
- straturi de sacrificiu permind ameliorarea performanelor sau
creterea gradului de integrare al circuitelor.

5.2.1. Descrierea procesului. Caracteristici


Siliciul se oxideaz i la temperatura ambiant, n atmosfer cu coninut de
oxigen, dar atunci cnd stratul de oxid atinge adncimea de 2..3 straturi atomice,
fenomenul se blocheaz. Se spune c stratul astfel format este pasivizat, protejnd
siliciul mpotriva oxidrii sale n continuare. Pentru a obine oxidarea straturilor la
grosimea necesar se cere activarea fenomenului prin creterea temperaturii.
Pentru obinerea stratului de SiO2 se folosesc urmtoarele variante:
- oxidarea termic n prezena oxigenului, numit oxidare uscat;
- oxidarea termic n prezena oxigenului i a vaporilor de ap, numit
oxidare umed;
- oxidarea termic n prezena numai a vaporilor de ap, numit
oxidare n vapori;
- oxidarea pe cale electrochimic, numit oxidare anodic;
- oxidarea cu ajutorul plasmei de oxigen, numit oxidare n plasm.
Reaciile care au loc sunt urmtoarele:

64

Tehnologie electronic

Si solid + O2 > SiO2 solid

(5.34)

Si solid + 2 H2O > SiO2 solid+ 2H2

(5.35 )

Pentru a obine un oxid cu calitate electronic satisfctoare se prefer oxidarea


termic, fie cu oxigen, fie n prezena vaporilor de ap.
Stratul iniial al substratului de siliciu reacioneaz cu elementul oxidant pentru a
forma SiO2. Fraciunea din grosimea stratului ce se situeaz "dedesubtul" suprafeei
iniiale reprezint 46% din grosimea total a stratului de oxid; fraciunea situat
"deasupra" reprezint deci 54% [7] (fig. 5.6). Creterea de volum va avea consecine
asupra planeitii suprafeei plachetei, mai ales atunci cnd se realizeaz oxidri
localizate.
SiO2
Substrat de siliciu

Fig. 5.6 Creterea de volum la


oxidarea localizat a siliciului

5.2.2. Tehnologia oxidrii


Operaiile de oxidare se realizeaz n cuptoare similare celor folosite pentru
difuzie, n care se introduc oxigen, uscat sau umed, sau vapori de ap. (fig. 5.7). Se pot
crea vapori de ap n interiorul cuptorului pornind de la un flux de hidrogen i un flux
de oxigen. Aceasta reacie este puternic exotermic, deci poate fi periculoas, dac nu
se au sub control parametrii de proces. Instalaia pentru oxidare prezentat n figura
5.7 trebuie s conin elemente de siguran (detector de flacr, reglaje de debit, etc.),
astfel nct s evite explozia. Acest tip de reactor este utilizat n producia industrial
de serie.
Incinta

Rezistena de nclzire

Fig. 5.7 Instalaia pentru oxidare


uscat i/sau umed

Instalaia de oxidare umed folosete ca surs de vapori apa deionizat care este
supranclzit (102C) pentru a avea un flux continuu de vapori. Vaporii obinui sunt

65

Tehnici de depunere de straturi

condui prin tubul de legtur, nclzit astfel nct s nu aib loc condensarea vaporilor
de ap i ajung n camera de reacie (fig. 5.8). n camera de reacie a instalaiei se
introduc plachetele de Si supuse procesului de oxidare.
Camer de reacie

Fig. 5.8 Schema instalaiei de


oxidare a Si cu vapori de ap

nclzitor
Ap deionizat

Grosimea stratului de oxid este n funcie de temperatur i de timpul de


meninere. Parametrii procesului se indic n documentaiile de specialitate tabelar sau
sub form de diagrame.
5.2.3. Modelul oxidrii
Modelul fenomenologic al oxidrii cuprinde trei etape:
- transportul agentului oxidant din gaz la interfaa oxid-gaz;
- difuzia agentului oxidant prin stratul de oxid deja format;
- reacia chimic de formare a oxidului la interfaa oxid - siliciu.
Celor trei etape ale oxidrii, conform legii conservrii maselor, le corespund trei
fluxuri, care n condiii staionare, trebuie s fie egale: 1= 2=3.
Fluxul de oxigen 1 la inerfaa gaz-oxid (fig. 5.9) se poate scrie:
1 = hG (C G C S )

(5.36)

unde, mrimile din (5.36) au urmtoarea semnificaie:


hG - coeficientul transferului de mas;
CG- concentraia de oxidant din volumul gazului;
CS- concentraia de oxidant din apropierea oxidului.
CG
C0

Mediu

SiO2
Si

1
3

2
C

Fig. 5.9 Modelul pentru oxidarea


termic a siliciului

C0
Ci
x0

66

Tehnologie electronic

Concentraia de impuriti dintr-un solid, conform legii Henry este proporional


cu presiunea speciei de impuriti n mediul n care se afl solidul. Deci, concentraia
C0 de la suprafa este proporional cu presiunea ps a oxidantului de la suprafaa
stratului de oxid:
C0 = H ps
(5.37)
unde H este constanta lui Henry.
Concentraia unitilor oxidante C* din stratul de oxid se poate scrie n mod
asemntor:
C * = H pG
(5.38)
unde pG reprezint presiunea din interiorul oxidului.
Conform legii gazelor perfecte se poate scrie:
pG
p
C
C*
CG =
=
; CS = S = 0 .
kT HkT
kT HkT

(5.39)

Prin nlocuirea concentraiilor CG i CS din relaia (5.39) n (5.36) rezult:


1 =

unde h =

hG
(C * C 0 ) = h (C * C 0 )
HkT

(5.40)

hG
- reprezint coeficientul de transfer de mas n faza gazoas n funcie de
HkT

concentraia din solid.


Fluxul din stratul de oxid, conform legii lui Fick, dac se consider o variaie
liniar pe grosimea x0, este:
2 = D

Ci C0
C Ci
= D 0
x0
x0

(5.41)

unde: D este coeficientul de difuzie al oxidantului n stratul de oxid,


Ci este concentraia de oxidant la interfaa oxid-siliciu;
x0 este grosimea stratului de oxid.
Pentru zona de interfa oxid-siliciu se poate scrie c viteza reaciei de oxidare
este proporional cu concentraia de oxidant la aceast interfa:
3 = k S Ci

(5.41)

kS constant.
Dac se introduce condiia de regim staionar 1= 2= 3, rezult expresiile
concentraiilor:

67

Tehnici de depunere de straturi

Ci =

C*
k
k x
1+ S + S 0
h
D

; C 0 = (1 +

k S x0
) Ci
D

(5.42)

Din analiza relaiilor (5.42) se desprind, n funcie de valoarea coeficientului de


difuzie, urmtoarele cazuri limit:
- D 0 , (D <<kSx0) situaie cunoscut ca oxidare controlat prin difuzie; se
caracterizeaz prin cretere parabolic a stratului de oxid.
- D , (D >>kSx0) situaie cunoscut ca oxidare controlat prin reacie; se
caracterizeaz prin cretere liniar a stratului de oxid.
dx
Viteza de oxidare 0 este direct proporional cu fluxul unitilor de oxidare i
dt
invers proporional cu numrul N1 al unitilor oxidante pentru a forma o unitate de
volum de oxid:
dx 0 F3 k S C *
=
=

dt
N1
N1

(5.43)

k
k x
1+ S + S 0
h
D

Din rezolvarea ecuaiei (5.43) cu condiia iniial lim x0 = xi , unde xi corespunde


t 0

grosimii iniiale a stratului de oxid, se obine o ecuaie de gradul 2. Coeficienii


ecuaiei obinute se determin pe cale experimental [3].

5.2.

ntrebri recapitulative

1. Care sunt tehnicile


semiconductoare?

de

depunere

folosite

producia

2. Ce se nelege prin epitaxie i prin ce se caracterizeaz?


3. Care sunt principalele etape ale epitaxiei?
4. n ce const epitaxia prin jet molecular?
5. n ce const epitaxia n faz lichid?
6. n ce const epitaxia n fa gazoas?
7. Cum se determin grosimea stratului epitaxial depus?
8. Ce se nelege prin oxidare i care sunt utilizrile straturilor de SiO2 ?
9. Care sunt reaciile care au loc n procesul oxidrii?
10. Care sunt instalaiile care se folosesc pentru oxidarea siliciului?

dispozitivelor

68

Tehnologie electronic

Anexa 5.1 Instalaii folosite pentru tehnologia depunerilor

a)

b)

c)
a) Instalaie de depunere de pelicule (metalice)
b) Instalaie pentru gravare umed i pentru cltire
c) Instalaie de depunere chimic n faz de vapori (LPCVD)