Jonciunea pn.

Diode semiconductoare
2.1. Notiuni de fizica semiconductoarelor
2.1.1. Introducere
2.1.2. Teoria benzilor energetice pentru corpul solid
2.1.3. Semiconductorul intrinsec
2.1.4. Semiconductoare cu impuritati
2.1.5. Statistica purtatorilor de sarcina
2.1.6. Transportul purtatorilor de sarcina
2.1.7. Generarea si recombinarea purtatorilor de sarcina
2.2. Jonctiunea pn
2.2.1. Introducere
2.2.2. Jonctiunea pn la echilibru termic
2.2.3. Analiza electrostatica
2.2.4. Jonctiunea pn in regim static
2.2.5. Abateri de la caracteristica teoretica idealizata
2.2.6. Jonctiunea pn in regim dinamic
2.3. Diode semiconductoare
2.3.1. Diode redresoare
2.3.2. Diode detectoare
2.3.3. Diode de comutatie (de impulsuri)
2.3.4. Diode varicap (varactoare)
2.3.5. Diode stabilizatoare
2.3.6. Diode Schottky
2.3.7. Diode tunel
2.4. Aplicatii ale diodelor semiconductoare
2.4.1. Redresarea curentului alternativ
2.4.2. Detectia
2.4.3. Circuite de limitare
2.1. Notiuni de fizica semiconductoarelor
2.1.1. Introducere
Principalele materiale semiconductoare folosite la fabricarea dispozitivelor electronice cu corp
solid sunt cristalele elementelor tetravalente de siliciu (Si) si germaniu (Ge), precum si ale unor
compusi binari, cum sunt: galiu-arsen (GaAs), indiu-stibiu (InSb), indiu-fosfor (InP), etc.
Rezistivitatea semiconductoarelor este cuprinsa intre 10-6 si 1012 m, ceea ce le incadreaza
intre metale si dielectrici. Rezistivitatea semiconductoarelor depinde de tipul si concentratia
impuritatilor, de structura si de conditiile fizice exterioare (temperatura, iluminare, cmpuri
electrice si magnetice, etc). proprietatile electrice ale semiconductoarelor se obtin numai printro ordonare apropiata de perfectiune a atomilor in tot volumul materialului, ordine cunoscuta sub
numele de monocristal. Defectele retelei cristaline acceptate de monocristale sunt intr-un numar
foarte redus.
Reteaua cristalina a principalelor materiale semiconductoare (Si, Ge) este de tip diamant, in
care fiecare atom se invecineaza in imediata apropiere cu alti patru atomi uniform distribuiti in
spatiu. O reprezentare in plan a acestei retele este data in figura 2.1.
Pentru ca un material sa prezinte conductivitate electrica trebuie sa posede particule mobile
purtatoare de sarcina electrica. In semiconductoare acestea sunt electronii de conductie si
golurile, niste particule fictive care permit descrierea fenomenelor macroscopice de conductie cu
ajutorul legilor clasice.
-1-

Fig.2.1. Reprezentarea in plan a retelei cristaline

semiconductoare tetravalente
In realitate, comportarea electrica a semiconductoarelor este determinata de evolutia cu
caracter cuantic a electronilor de valenta din corpul solid si care se studiaza cu ajutorul
metodelor fizicii cuantice.
Electronul de conductie folosit in modelare are aceeasi sarcina ca si electronul real (-q -1,6
10-19 C) si o masa efectiva mn diferita de masa electronului. Golul are sarcina +q si masa efectiva
mp. Pentru Si mn1,1m0 si mp0,59m0, iar pentru Ge mn0,55m0 si mp0,36m0, unde m03,1 10-31kg
reprezinta masa electronului liber. Concentratiile purtatorilor de sarcina se noteaza: cu n cea a
electronilor si cu p cea a golurilor.
2.1.2. TEORIA BENZILOR ENERGETICE PENTRU CORPUL SOLID
Aplicarea mecanicii cuantice la studiul miscarii electronilor in cmpul periodic al ionilor
retelei monocristaline arata ca nivelele de energie permise sunt foarte apropiate. Ele formeaza
benzi energetice permise separate intre ele de benzi energetice interzise asa cum se prezinta in
diagrama energetica di figura 2.2. Conventia de semne cu privire la energia electronului (E)
este: E 0 pentru electronii din interiorul materialului (electroni legati) si E 0 pentru electronii
liberi (extrasi din material). In studiul conductiei electrice intereseaza doar spectrul energiilor
negative. Ocuparea nivelelor energetice de catre electroni se face de jos in sus si pe masura
ocuparii tuturor nivelelor unei benzi se trece la banda de deasupra.

-2-

Fig.2.2.Diagrama energetica calitativa

Electronii de valenta sunt cei mai slabi legati de atomi datorita pozitiei lor periferice si, ca
urmare, ocupa ultimele benzi permise, adica cele mai apropiate de energia zero. In anumite
conditii electronii au posibilitatea sa-si modifice energia, adica sa treaca de pe un nivel energetic
pe altul. Astfel, daca electronului i se furnizeaza energie el poate trece pe un nivel energetic
superior cu conditia ca acest nivel sa fie neocupat de alt electron, iar energia primita sa fie
suficient de mare pentru a se realiza saltul. Saltul energetic in sens invers este un proces natural,
spontan si este conditionat de existenta unui nivel energetic inferior neocupat. Salturile
energetice se pot face si intre nivele apartinnd unor benzi permise diferite. Electronii pot primi
energie de la retea care are o energie de vibratie proportionala cu temperatura materialului sau de
la agenti fizici externi (de exemplu, un cmp electric).
Existenta fenomenului de conductie electrica in cadrul semiconductorului este conditionata de
existenta a cel putin unei benzi permise incomplet ocupate de electroni, in caz contrar conductia
fiind imposibila.
a.

Semiconductorul la T 0 K

Se presupune ca un cristal se afla la o temperatura foarte joasa, teoretic la T 0 K. Reteaua

cristalina are reprezentarea simbolica bidimensionala din figura 2.1. In jurul fiecarui atom octetul
electronic realizeaza cele patru legaturi covalente cu ceilalti patru atomi vecini. Daca se aplica
din exterior un cmp electric de intensitate ,uzuala (mai mica dect valoarea de strapungere a
semiconductorului), aceasta nu poate furniza electronilor din banda de valenta, numiti electroni
de valenta (figura 2.3) energia necesara pentru desprinderea de atomii proprii si trecerea lor in
banda de conductie. In banda de valenta toate nivelele energetice sunt ocupate de electroni
conform principiului lui Pauli, adica intr-o astfel de stare se pot afla cel mult doi electroni cu
spini opusi. In figura 2.3 banda de valenta este hasurata pentru a simboliza ca toate nivelele ei
sunt ocupate, iar cu EV s-a notat nivelul superior al acesteia. In banda de conductie toate nivelele
sunt libere. Nivelul inferior al benzii de conductie este notat EC. Largimea benzii interzise, notata
-3-

EG este un parametru al semiconductoarelor (EG (Si)= = 1,1 eV, EG (Ge)=0,67 eV) si este legata de EV
si EC prin relatia:
(2.1)
Pentru ca un electron de valenta sa treaca in banda de conductie trebuie sa i se cedeze energie de
catre cmpul electric cel putin egala cu EG, ceea ce acesta nu o poate face. In aceste conditii, la
T=0 K nu poate exista conductie in semiconductor, deci acesta se comporta ca un izolator.

b.

Semiconductorul la T 0 K

Sa presupunem ca semiconductorul se afla la T 0 K, de exemplu la temperatura camerei (300

K). Datorita energiei termice a retelei creste energia de vibratie a electronilor din retea, astfel ca
unii electroni de valenta pot primi energie egala sau mai mare dect EG, astfel inct ei sa poata
trece din banda de valenta in banda de conductie, devenind astfel electroni de conductie si
putndu-se misca liberi prin retea. Electronii de conductie sunt purtatori de sarcina negativa. Un
astfel de purtator lasa un loc liber in retea, care poate fi la rndul sau ocupat de un alt electron
din alta legatura covalenta s.a.m.d. Deplasarea electronului de conductie intr-un anumit sens
pentru a ocupa un loc liber poate fi substituita de deplasarea in sens invers a locului liber. Locul
liber mobil se numeste gol si are sarcina electrica pozitiva. La aplicarea unui cmp electric el se
va misca in sens opus electronului cu care isi schimba pozitia. Deplasarile electronului si a
golului sunt reprezentate in figura 2.4.

-4-

Fig.2.4. Deplasarea electronilor si a golurilor

Fig.2.5. Diagrama energetica pentru semiconductorul la T 0 K

In modelul benzilor de energie, la T 0 K (fig.2.5), unii electroni din banda de valenta, datorita
distributiei statistice a energiei termice, primesc o energie egala sau mai mare dect EG si trec in
banda de conductie ca electroni de conductie. Ei au devenit purtatori mobili, intruct isi pot
creste energia cu o componenta cinetica, avnd in vedere ca in banda de conductie exista stari
energetice libere pe care le pot ocupa. Dar electronii care au trecut in banda de conductie au lasat
in banda de valenta locuri neocupate. Aceste locuri sunt mobile, deci reprezinta goluri, fiindca isi
-5-

pot creste energia cu o componenta cinetica. Cresterea energiei unui gol inseamna de fapt
cresterea energiei unui electron din banda de valenta si care ramne in banda de valenta, ceea ce
este acum posibil, pentru ca electronii au la dispozitie nivelurile superioare eliberate. Prin
urmare, la T 0 K, practic la temperaturi uzuale si inalte, in semiconductorul fara impuritati apar
purtatori mobili de sarcina, electroni de conductie si goluri. EC corespunde energiei potentiale a
electronului de conductie, iar EV corespunde energiei potentiale a golului. La aplicarea unui
cmp electric , purtatorii isi pot creste energia pe seama cmpului, asigurnd conductia
electrica. Cu ct temperatura semiconductorului este mai mare, numarul legaturilor covalente
rupte este din ce in ce mai mare si semiconductorul conduce mai bine curentul electric.
2.1.3. SEMICONDUCTORUL INTRINSEC
Din mecanismul de generare a purtatorilor observam ca electronii de conductie si golurile apar
in perechi, proces denumit generare de perechi electron-gol. Concentratia electronilor se noteaza
cu n, iar a golurilor cu p, unitatea de masura a acestora fiind cm-3. In conditii de echilibru termic
concentratiile se noteaza cu n0 si p0. Avnd in vedere generarea purtatorilor in perechi, in cazul
semiconductorului fara impuritati cele doua concentratii sunt egale, iar valoarea lor comuna se
noteaza cu ni si se numeste concentratie intrinseca de purtatori. Rezulta:
. (2.2)
Daca intr-un semiconductor concentratia electronilor este egala cu concentratia golurilor el se
numeste intrinsec. Deci semiconductorul fara impuritati este un semiconductor intrinsec.
Exista situatii cnd si semiconductoarele cu impuritati pot sa se gaseasca in stare intrinseca.
La T=300 K siliciul are ni=1,45 1010 cm-3, iar germaniul ni=2 1013 cm-3.
2.1.4. SEMICONDUCTOARE CU IMPURITATI
Realizarea dispozitivelor electronice impune obtinerea unor semiconductoare cu exces de
electroni (n p), numit semiconductor de tip n sau cu exces de goluri (p n), numit
semiconductor de tip p. Procedeul folosit este cel al impurificarii controlate. Pentru realizarea
unui semiconductor de tip n se folosesc impuritati pentavalente, numite impuritati donoare (P,
As, Sb). Un atom de impuritate donoare substituie un atom de semiconductor din retea. Patru
dintre electronii de valenta formeaza legaturile covalente cu atomii vecini, iar al cincilea este
slab legat, astfel ca la temperatura camerei el primeste suficienta energie pentru a se desprinde de
atomul donor si a deveni electron de conductie. Existenta acestui electron de conductie nu este
legata de distrugerea unei legaturi covalente, deci de aparitia unui gol. In semiconductorul de tip
n exista insa si goluri care apar prin mecanismul intrinsec de generare, dar ele sunt in
concentratie mica. Diagrama energetica a unui semiconductor de tip n este prezentata in figura
2.6.

-6-

Fig.2.6. Diagrama energetica a unui semiconductor de tip n

Electronul suplimentar al atomului de impuritate ocupa in banda interzisa un nivel energetic
ED foarte apropiat de banda de conductie. Acest nivel energetic nu apartine intregului cristal, ci
este localizat doar in vecinatatea atomilor de impuritate, de aceea a fost reprezentat cu linie
intrerupta. La temperatura camerei electronii de pe nivelul ED trec, practic in totalitate, in banda
de conductie.
Pentru realizarea unui semiconductor de tip p se folosesc impuritati trivalente, numite
impuritati acceptoare (Br, In, Ga, Al). Atomul de impuritate trivalenta satisface numai trei
legaturi covalente cu atomii vecini, ramnnd o legatura covalenta nesatisfacuta. Aceasta
legatura se poate completa cu un electron dintr-o legatura covalenta vecina, lasnd in urma sa un
gol. Acest mecanism de formare a unui gol nu a fost insotit de aparitia unui electron de
conductie. Electronii de conductie apar prin mecanismul intrinsec de generare si sunt mult mai
putini dect golurile. Diagrama energetica este prezentata in figura 2.7.

-7-

Fig.2.7. Diagrama energetica a unui semiconductor de tip p

Dupa cum se observa in figura 2.7, legatura covalenta nesatisfacuta a atomului acceptor
introduce un nivel energetic EA in banda interzisa foarte aproape de banda de valenta. Acest nivel
energetic este localizat numai in vecinatatea atomilor de impuritate. La temperatura camerei
nivelele acceptoare ale tuturor atomilor acceptori sunt practic ocupate de electroni din banda de
valenta. In banda de valenta pe nivelele superioare vor aparea goluri in locul electronilor care au
ocupat nivelele acceptoare. In semiconductorul de tip n electronii de conductie sunt purtatori de
sarcina (negativa) majoritari, iar golurile sunt purtatori de sarcina (pozitiva) minoritari.
In semiconductorul de tip p golurile devin purtatori de sarcina (pozitiva) majoritari si
electronii de conductie sunt purtatori de sarcina (negativa) minoritari.
2.1.5. STATISTICA PURTATORILOR DE SARCINA
Purtatorii de sarcina din semiconductoare se supun statisticii Fermi- Dirac. Conform acestei
statistici, probabilitatea ca un electron sa ocupe un nivel energetic E este:

, (2.3)
unde: EF este energia (nivelul) Fermi;
k- constanta lui Boltzmann.
La echilibru termic acest nivel este constant in tot volumul materialului considerat. Marimea
energiei Fermi depinde de temperatura si de modul de dopare a semiconductorului. Nivelul
Fermi este o marime de calcul si poate fi situat att in interiorul benzilor permise ct si in al celor
interzise. Probabilitatea de ocupare a nivelului EF de catre un electron este:

,
deci este independenta de temperatura.
Calculele mecanicii cuantice indica urmatoarele expresii pentru concentratiile de electroni si
goluri la echilibru termic:

; (2.4)

,
unde NC si NV sunt doua constante care depind de temperatura dupa legea
.
Pentru semiconductorul intrinsec nivelul Fermi se noteaza cu Ei si are valoarea aproximativa:

. (2.5)
-8-

Prin urmare, nivelul Fermi intrinsec Ei este plasat la orice T in mijlocul benzii interzise.
Concentratiile de electroni si goluri se pot exprima prin folosirea marimilor Ei si ni cu relatiile:

; (2.6)

. (2.7)
Conform acestor relatii un semiconductor de tip n are nivelul Fermi situat deasupra mijlocului
benzii interzise, iar un semiconductor de tip p are nivelul Fermi situat sub mijlocul benzii
interzise.
Pentru a stabili concentratiile de purtatori in functie de concentratiile de atomi donori (ND) si
de atomi acceptori (NA) se pleaca de la doua relatii fundamentale. Prima relatie :
p0n0=ni2 (2.8)
se numeste ecuatia sau conditia de echilibru (termic), si este valabila numai la echilibru
termic. Cea de-a doua relatie :
p0-n0=NA-ND (2.9)
reprezinta ecuatia sau conditia de neutralitate. Pentru un semiconductor de tip n rezolvarea
sistemului de ecuatii (2.8) si (2.9) duce la n0ND si p0
.
La neechilibru termic nici una dintre relatiile prezentate in acest subcapitol nu mai este
valabila. Pentru a pastra totusi formalismul relatiilor (2.6) si (2.7) se introduc doua nivele
energetice de calcul, fictive, numite cvasinivele Fermi. Aceste cvasinivele au valori diferite
pentru electroni ( EFn) si pentru goluri (EFp) si variaza in interiorul semiconductorului. In felul
acesta, concentratiile de electroni si de goluri la neechilibru sunt date de relatiile:

; (2.10)

, (2.11)
unde Ei semnifica mijlocul benzii interzise.
2.1.6. TRANSPORTUL PURTATORILOR DE SARCINA
In semiconductoare, transportul dirijat al purtatorilor de sarcina, deci curentul electric, se
produce, in principal, prin urmatoarele doua mecanisme:
a.
prin drift, adica prin antrenarea purtatorilor de catre un cmp electric, rezultnd un curent
electric numit curent de drift sau de cmp;
b.
prin difuzie, adica prin deplasarea purtatorilor dintr-o regiune a semiconductorului unde
concentratia lor este mai mare catre regiuni in care concentratia purtatorilor respectivi este mai
mica, rezultnd un curent electric numit curent de difuzie.
a) Curentii de drift (de cmp)
-9-

Aplicarea unui cmp electric asupra unui semiconductor face ca purtatorii de sarcina sa capete
o viteza medie pe directia cmpului electric proportionala cu intensitatea cmpului:
; (2.12)
, (2.13)
unde:

este viteza de drift a electronului (golului);

n(p) mobilitatea electronului (golului);

- intensitatea cmpului electric.
In consecinta, densitatile curentilor de drift sunt:

; (2.14)
, (2.15)
unde n si p sunt concentratiile electronilor si golurilor.
Mobilitatea purtatorilor de sarcina este un rezultat al ciocnirilor acestora cu reteaua atomilor
de semiconductor si cu ionii de impuritate, depinznd, pe lnga concentratia de impuritati, si de
temperatura. Vitezele de drift depind de intensitatea cmpului electric. Astfel, la cmpuri
electrice de intensitate mica viteza de drift este nesemnificativa in raport cu viteza de agitatie
termica, iar la cmpuri electrice intense viteza de drift este comparabila cu cea datorata agitatiei
termice.
b) Curentii de difuzie
Prezenta unor concentratii neuniforme de electroni sau de goluri determina transportul
acestora cu tendinta de uniformizare a distributiei lor. In consecinta, rezulta curenti de difuzie ale
caror densitati sunt urmatoarele:
; (2.16)
, (2.17)
unde:

este coeficientul de difuzie pentru electroni;

- coeficientul de difuzie pentru goluri;

n concentratia de electroni;
p concentratia de goluri.
Semnul () din (2.17) provine de la faptul ca curentul de difuzie are sens opus gradientului
concentratiei.
- 10 -

Densitatea totala de curent,

intr-un semiconductor este:

, (2.18)
iar
; (2.19)
. (2.20)
In cazul unor cmpuri electrice variabile in timp, relatia (2.18) va cuprinde si un termen
corespunzator densitatiide curent de deplasare:
2.1.7. GENERAREA SI RECOMBINAREA PURTATORILOR DE SARCINA
Generarea reprezinta fie fenomenul de trecere a unui electron al retelei cristaline in banda de
conductie fie de parasire a benzii de valenta.
Primul fenomen duce la generarea de electroni de conductie, iar al doilea la generarea de
goluri.
Recombinarea reprezinta procesul prin care un electron al retelei cristaline paraseste banda de
conductie sau trece in banda de valenta. In primul caz dispare un electron de conductie, iar in al
doilea un gol.
Ratele de desfasurare a celor patru mecanisme, in sensul numarului de particule care se
genereaza/recombina in unitatea de volum si in unitatea de timp, se numesc viteze de
generare/recombinare.

2.2. JONCTIUNEA pn
2.2.1. INTRODUCERE
Jonctiunea pn reprezinta o structura fizica realizata intr-un monocristal care are doua regiuni
vecine, una de tip p si alta de tip n.
Limita de demarcatie dintre cele doua regiuni se numeste jonctiune metalurgica de interfata.
In figura 2.8 se prezinta un model unidimensional ale jonctiunii n, unde N=NA-ND este
concentratia neta de impuritati.

- 11 -

Fig. 2.8. Model unidimensional al jonctiunii pn

Conform acestui model se observa ca pentru x 0 NAND, ceea ce corespunde zonei de tip p,
iar pentru x 0 NAND, ceea ce corespunde zonei de tip n. Jonctiunea metalurgica se realizeaza la
x=0, pentru care N=0.
2.2.2. JONCTIUNEA PN LA ECHILIBRU TERMIC

Studiul jonctiunii pn se face pe un caz particular de impurificare si anume pe profilul abrupt al

concentratiei de impuritati, conform caruia in zona p se gasesc numai impuritati acceptoare cu
concentratia constanta NA, iar in zona n se gasesc numai impuritati donoare cu concentratia
constanta ND. O asemenea jonctiune este o jonctiune pn ideala.
Presupunem ca jonctiunea pn ideala se afla la echilibru termic, adica la terminalele sale nu se
aplica tensiune electrica si nici nu se afla sub actiunea unui factor care sa-i perturbe starea de
echilibru. Principalele procese fizice care au loc la echilibru pot fi examinate calitativ cu ajutorul
figurii 2.9.
Sa urmarim principalele procese care conduc in final la distributiile de echilibru din figura 2.9.
Din regiunea p difuzeaza goluri (incepnd cu cele de lnga x=0) in regiunea n, recombinndu-se
treptat cu electroni de acolo. In consecinta, in zona apropiata de interfata prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcina negativa datorita ionilor negativi proveniti din atomii de impuritati
acceptoare. Din zona n difuzeaza electroni in regiunea p, recombinndu-se treptat cu golurile de
acolo. In zona apropiata de interfata prin plecarea electronilor apare un exces de sarcina pozitiva
datorita ionilor pozitivi proveniti din atomii de impuritati donoare. Aceste sarcini (fig.2.9, d) se
numesc sarcini spatiale sau de volum.
Sarcinile spatiale produc un cmp electric

orientat de la sarcina pozitiva catre cea negativa,

adica in sens opus versorului x. Prin orientarea sa

se opune difuziei purtatorilor majoritari
care au amorsat procesul, dar antreneaza purtatorii minoritari genernd curentii de drift cu
circulatie opusa curentilor de difuzie ai purtatorilor majoritari de acelasi fel.
Existenta cmpului
implica o variatie a potentialului V de-a lungul axei x, mai precis o
crestere de la sarcina negativa la cea pozitiva. Altfel spus se ridica o bariera de potential in calea
purtatorilor care difuzeaza. Procesele descrise inceteaza in momentul cnd, pentru fiecare tip de
purtator curentul de drift care se opune celui de difuzie, il egaleaza in marime pe acesta din
urma. Starea atinsa reprezinta echilibrul termic si toate marimile analizate au acum distributii
stationare care mentin echilibrul. Aceste distributii sunt reprezentate in figura 2.9.
Regiunea de trecere este zona de largime l, aflata in jurul interfetei, zona in care sarcina
ionilor este necompensata, de unde si denumirea de regiune de sarcina spatiala. Ea este cuprinsa
intre limitele lp si + ln. Datorita cmpului din regiunea de trecere, purtatorii mobili din interiorul
ei sunt evacuati in totalitate, de unde si denumirea de regiune golita. Evacuarea purtatorilor se
produce incontinuu, pe masura ce ei sunt generati.
Dincolo de regiunea golita domeniile semiconductoare si-au pastrat neutralitatea.

- 12 -

Fig.2.9. Reprezentari explicative pentru interpretarea calitativa a fenomenelor ce se petrec in

jonctiunea pn la echilibru termic
Densitatea de sarcina spatiala va avea distributia din figura 2.9, d, iar cmpul electric pe cea
din figura 2.9,e.
are valori tipice de ordinul 104 V/m. La echilibru bariera de potential atinge o
inaltime V0, denumita diferenta interna de potential. Daca se alege ca potential de referinta
(potential zero) potentialul regiunii p neutre, atunci potentialul regiunii n neutre va fi +V0
(fig.2.9,f). Valorile tipice ale lui V0 sunt de ordinul zecimilor de volt.
2.2.4. JONCTIUNEA pn IN REGIM STATIC
Jonctiunea pn functioneaza in regim static (stationar) cnd i se aplica la terminale o tensiune
continua (stationara) de la o sursa exterioara. Ca urmare, jonctiunea nu se mai gaseste la
- 13 -

echilibru termic si, in consecinta curentii de difuzie si cei de drift nu se mai compenseaza
reciproc. Prin jonctiune si prin circuitul exterior va circula un curent net IA.
Consideram jonctiunea in trei situatii (fig. 2.10): nepolarizata, polarizata si polarizata invers.

a) b) c)
Fig. 2.10. Jonctiunea pn:
a) nepolarizata; b) polarizata direct; c) polarizata invers
In cazul in care jonctiunea este nepolarizata (fig. 2.10, a), ea se gaseste la echilibru termic,
sarcinile spatiale sunt q0, + q0, cmpul electric intern
, iar bariera de potential V0. Curentul
prin jonctiune are expresia:
IA = (IpM Ipm) + (InM Inm), (2.32)
IpM Ipm reprezinta curentul net de goluri, iar InM Inm pe cel de electroni. La echilibru termic
acesti doi curenti sunt nuli, rezultnd IA = 0.
In cazul polarizarii directe (stare de echilibru), deci la VA > 0 (fig. 2.10, b), cmpul intern
devine mai mic dect
datorita suprapunerii cmpului
de sens opus creat de VA. Scaderea
cmpului avantajeaza difuzia sau, in termeni energetici, scade inaltimea barierei de energie
potentiala de la qV0 la q(V0 VA), corespunzatoare scaderii barierei de potential de la V0 la V0
VA. In acest fel creste mult probabilitatea purtatorilor majoritari distribuiti conform repartitiei
Boltzmann sa o escaladeze prin difuzie. In consecinta, cresc apreciabil curentii IpM si InM.
Numarul purtatorilor minoritari ce trec bariera (trecerea se face de la energie mare la energie
mica) nu se modifica, astfel inct Ipm si Inm se conserva. Cum IpM >> Ipm si InM >> Inm, rezulta din
relatia (2.32) ca IA > 0 este un curent direct de valoare apreciabila.
In cazul polarizariii inverse (stare de neechilibru), deci la VA < 0 (fig. 2.10, c), cmpul
intern
devine mai mare dect
, deoarece cmpul
creat de VA are acelasi sens cu
.
Cresterea cmpului defavorizeaza difuzia. Altfel spus, bariera de energie potentiala crescnd de
la qV0 la q(V0 + VA) scade probabilitatea purtatorilor majoritari de a o escalada prin difuzie. Prin
- 14 -

urmare, scad IpM si InM sub valorile corespunzatoare lui VA = 0, iar Ipm si Inm isi pastreaza practic
valorile de la echilibru termic. Avnd IpM < Ipm si InM < Inm, conform relatiei (2.32) rezulta IA < 0,
adica jonctiunea va fi strabatuta de un curent invers mic .
Raportul dintre curentul direct si cel invers, chiar pentru valori mici ale tensiunii directe fata
de ale celor inverse, este foarte mare. Astfel pentru jonctiunile din Si acest raport este de 108, iar
pentru cele din Ge este de 106. Se poate spune deci, ca o jonctiune pn prezinta o conductie
unidirectionala, adica de la regiunea p la regiunea n, cnd este polarizata direct.
Pentru jonctiunea pn ideala se poate stabili o expresie analitica a curentului IA in functie de VA.
Aceasta expresie, cunoscuta sub numele de ecuatia jonctiunii pn ideale, este:

IA = I 0

, (2.33)

unde: I0 este curentul de saturatie (curent rezidual) al jonctiunii, reprezentnd valoarea constanta
catre care tinde curentul IA pentru tensiuni VA negative;
VT =

26 mV (la T = 300 K) tensiunea termica.

In figura 2.11 este reprezentata caracteristica statica teoretica a jonctiunii pn ideale.

Fig. 2.11. Caracteristica statica teoretica a jonctiunii pn ideale (caracteristica teoretica idealizata)
Ecuatia jonctiunii pn ideale este o relatie fundamentala pentru dispozitivele electronice cu
jonctiuni semiconductoare. Ea si caracteristica din figura 2.11 reflecta doua proprietati specifice
dispozitivelor electronice:
1) dependenta neliniara dintre variabilele electrice de la terminale (IA si VA), ceea ce arata ca
jonctiunea pn nu asculta de legea lui Ohm;
2) conductia unidirectionala (intr-un singur sens): prin jonctiune trece un curent mare (de la p
la n) cnd este polarizata direct (VA>0) si un curent foarte mic (practic nul) cnd este polarizata
invers (VA<0).
Pe aceste doua proprietati se bazeaza functionarea diodelor cu jonctiune pn in aplicatii ca:
redresarea curentului alternativ, detectia semnalelor modulate, conversia frecventei etc.
Daca jonctiunii i se aplica o tensiune continua specificata, VAM, rezultnd un curent IAM
spunem ca jonctiunea lucreaza in punctul de functionare static (de repaus sau mediu) M(VAM,
- 15 -

IAM) (vezi fig. 2.11). De exemplu, daca spunem ca jonctiunea pn lucreaza in punctul M1(0,3 V; 10
mA), se subintelege ca jonctiunea este polarizata direct cu VA = 0,3 V si este strabatuta de
curentul IA = 10 mA. In cazul punctului static M2( 10 V, 2 A), jonctiunea este polarizata
invers. Ecuatia jonctiunii pn ideale este utilizata adesea sub forma simplificata, daca punctul
static este plasat departe de origine. Astfel:
pentru polarizari directe cu VA > 3VT (aproximativ VA 0,1 V, la temperatura camerei) se

foloseste aproximarea IA I0 exp

;
pentru polarizari inverse cu VA 3VT (VA 0,1 V) se foloseste aproximarea IA I0.
2.2.5. ABATERI DE LA CARACTERISTICA TEORETICA IDEALIZATA
Caracteristica IA = IA(VA) a jonctiunii pn reale se abate de la idealitate datorita ipotezelor
simplificatoare facute la deducerea ecuatiei (1.33), precum si datorita unor fenomene specifice
functionarii jonctiunii pn in conditii extreme si care n-au fost luate in discutie.
a) Astfel, ca urmare a fenomenelor de generare recombinare in regiunea golita, se obtine
pentru tensiuni inverse mult mai mari ca VT, o crestere a valorii curentului rezidual la valoarea IS,
respectiv reducerea curentului la polarizarea directa si, ca urmare, jonctiunile pn (diodele) reale
sunt descrise mai bine de ecuatia:

IA = I S

, (2.33)

unde constantele IS si m sunt deduse experimental. Valorile tipice ale lui m sunt cuprinse intre 1
si 2.
b) Odata cu cresterea curentului prin jonctiunea polarizata direct se trece la regimul de nivel
mare de injectie. In aceste conditii, cresterea curentului IA cu VA nu mai este exponentiala, ci cu
panta mai mica, iar la curenti deosebiti de mari, cnd largimea regiunii de trecere tinde catre
zero, caracteristica VA IA devine cvasiliniara, comportarea jonctiunii apropiindu-se de cea a
unei rezistente.
c) Strapungerea jonctiunii pn
Fenomenul electric de strapungere a jonctiunii pn consta din cresterea puternica a curentului in
cazul polarizarii inverse cu o anumita tensiune dupa cum rezulta din figura 2.12.

- 16 -

Fig. 2.12. Caracteristica de strapungere a unei jonctiuni pn

In dreptul tensiunii VBR, numita tensiune de strapungere, curentul IR tinde catre .
Observatie. Daca circuitul exterior limiteaza curentul prin jonctiune la o valoare care nu duce la
distrugerea structurii prin incalzire excesiva, fenomenul de strapungere este reversibil.
Strapungerea jonctiunii poate fi explicata prin doua efecte:
multiplicarea in avalansa a purtatorilor de sarcina;
efectul Zener.
Multiplicarea in avalansa apare la aplicarea unor tensiuni inverse ridicate, cnd cmpul electric
din regiunea de sarcina spatiala atinge valori mari si imprima purtatorilor de sarcina care o
strabat o energie crescuta. In urma ciocnirii cu atomii retelei cristaline, un purtator de sarcina
poate avea energie suficienta pentru a forma o pereche electron-gol prin ruperea unei legaturi
covalente. Acesti purtatori suplimentari sunt antrenati la rndul lor de cmpul electric si pot
forma noi perechi electron-gol s.a.m.d., ducnd la cresterea curentului. La tensiunea de
strapungere, VBR, multiplicarea purtatorilor de sarcina este practic infinita, ducnd la cresterea
nelimitata a curentului.
Cantitativ, curentul rezultat prin multiplicare in avalansa este dat de relatia:
IR = MI0, (2.35)
unde M este coeficientul de multiplicare in avalansa. Coeficientul M poate fi calculat cu o relatie
empirica:

M=

, (2.36)
- 17 -

unde n = 4 7, valoarea sa depinznd de semiconductor si de gradul de impurificare.

Pentru valori ale tensiunii inverse mai mici de 0,7 VBR, coeficientul M este aproximativ unitar si
relatia IR = I0 isi pastreaza valabilitatea.
Pentru concentratii mari de impuritati (> 1018 cm-3) strapungerea jonctiunii nu se mai face prin
multiplicare in avalansa, ci prin efect Zener. Acesta consta in aparitia unui numar crescut de
purtatori de sarcina prin ruperea unor legaturi covalente sub actiunea directa a cmpului electric.
Efectul Zener apare la jonctiunile cu tensiuni mici de strapungere (< 5 V).
Regiunea de strapungere a caracteristicii electrice inverse, unde tensiunea este practic
independenta de valoarea curentului se numeste si regiune de stabilizare.
d) Dependenta de temperatura a caracteristicii statice
Caracteristica statica a jonctiunii pn depinde puternic de temperatura, dependenta ce se manifesta
prin cresteri ale curentilor att in cazul polarizarii directe, ct si in cazul polarizarii inverse.
In practica nu intereseaza insa cresterea curentului la tensiune data, ci scaderea tensiunii directe
la curent constant, fenomen masurat printr-un coeficient:

cVF =

, (2.37)

unde indicele F provine de la forward" care inseamna inainte" folosit in sens de direct".
O valoare medie folosita in practica pentru acest coeficient este 2 mV/oC.
Temperatura T trebuie masurata la jonctiune (TJ), care este, de regula, mai mare dect
temperatura ambianta (TA) datorita disiparii de putere electrica (PD = VAIA):
TJ = TA + Rthja PD (2.38)
Rthja se numeste rezistenta termica si inglobeaza proprietatile de conductie a caldurii de la
jonctiune la mediul ambiant.
2.2.6. JONCTIUNEA PN IN REGIM DINAMIC
Un dispozitiv electronic, in cazul de fata jonctiunea pn, functioneaza in regim dinamic daca
tensiunile si curentii la terminale au variatie continua in timp. Obtinem un astfel de regim pentru
jonctiunea pn polarizata direct daca peste tensiunea continua VA (de polarizare) se aplica si una
variabila in timp va = va(t), numita semnal (tensiune de semnal), ca in figura 2.13.

- 18 -

Fig. 2.13. Jonctiunea pn in regim dinamic

Tensiunea totala pe jonctiune este
vA = VA + va (2.39)
Un caz particular important este acela in care semnalul are variatie armonica in timp: va = Va
sin t, unde Va reprezinta amplitudinea semnalului aplicat.
Daca semnalul variaza lent in timp, astfel inct, cu o buna aproximatie, valoarea lui iA din
orice moment este determinata de valoarea lui vA din acel moment, ca in regim static (ca si cum
iA este curentul continuu determinat de tensiunea continua vA) spunem ca jonctiunea pn
functioneaza in regim cvasistationar. Pentru semnalele de audiofrecventa (f < 20 kHz),
jonctiunea pn functioneaza in regim cvasistationar.
Cnd semnalul variaza rapid in timp, respectiv cnd semnalul este de inalta frecventa,
variatiile lui iA nu le mai urmaresc pe cele ale lui vA. Daca, de exemplu vA scade brusc, iA scade
mai lent deoarece, recombinarea purtatorilor necesitnd un anumit timp, gradientul concentratiei
lor (care determina pe iA) nu poate scadea in ritmul lui vA. Fenomenul poate fi comparat cu cel
care se petrece cnd un condensator, conectat in paralel cu o rezistenta a unui divizor de
tensiune, intretine curentul tranzitoriu prin acea rezistenta la scaderea brusca a tensiunii aplicate
divizorului. Regimul jonctiunii pn, in care se tine seama ca distributia concentratiei purtatorilor
minoritari in exces variaza in timp si cu distanta de-a lungul regiunii neutre respective se
numeste regim nestationar.
a) Regimul dinamic de semnal mic
Presupunem ca jonctiunea functioneaza in regim cvasistationar. Inlocuim in (2.33) pe VA cu vA
dat de relatia (2.39). Rezulta:

i A = I0

. (2.40)

- 19 -

Presupunnd ca va/VT < 1, atunci:

(2.41)
Daca am inlocui (2.41) in (2.40) ar rezulta pentru iA o componenta constanta si un sir de
componente variabile proportionale cu va, va2, Suma componentelor variabile constituie
raspunsul la semnalul va. Este clar ca relatia semnal de intrare raspuns este neliniara. Aceasta
este consecinta caracterului neliniar al caracteristicii VA IA, respectiv al ecuatiei jonctiunii
ideale (2.33). In particular, daca semnalul va este sinusoidal, raspunsul ia va rezulta distorsionat
(deformat), deci nesinusiodal.
Intr-o serie de aplicatii ale dispozitivelor electronice (in special ale celor active, caracterizate
de faptul ca pot amplifica semnalele), se urmareste obtinerea unui raspuns proportional cu
semnalul, adica a unei relatii liniare intre semnalul de intrare si raspuns. Se spune in acest caz ca
dispozitivul are o comportare liniara.
Examinnd relatia (2.41), rezulta ca jonctiunea pn se comporta liniar pentru semnalul de
intrare va, daca dintre termenii dezvoltarii in serie dependenti de va, doar cel liniar (va/VT) este
important, ceilalti putnd fi neglijati. Neglijarea celorlalti se poate face daca cel mai mare dintre
ei, adica

este mult mai mic dect cel liniar, deci daca este indeplinita conditia

, (2.42)
numita conditie de semnal mic. Prin urmare conditia de semnal mic cere ca modulul maxim al
tensiunii de semnal sa fie cel putin cu un ordin de marime inferior tensiunii termice. Deoarece VT
26 mV la temperatura camerei, iar caracteristica experimentala vA iA este mai putin neliniara
dect cea data de ecuatia (2.40), in practica se considera ca semnalul va este mic daca
10
mV. Daca aceasta conditie este indeplinita, spunem ca jonctiunea pn functioneaza in regim
dinamic de semnal mic.
Daca semnalul este sinusoidal, adica va = Va sin t, el este considerat ca fiind mic daca Va
10 mV. Cu un asemenea semnal aplicat pe jonctiune, aceasta functioneaza in regim dinamic
armonic, unde att va ct si ia au variatie armonica (sinusoidala) (vezi fig. 2.14).
In figura 2.14 s-au reprezentat marimile va si ia corespunzatoare functionarii jonctiunii pn in
regim static (t < 0) si dinamic armonic (t > 0) folosind conventia de notare recomandata de CEI
(Comisia Electrotehnica Internationala). Astfel, pentru:
componenta continua (medie, de repaus), simbolul si indicele sunt litere mari (VA, IA);
componenta variabila, simbolul si indicele sunt litere mici (va, ia);
amplitudinea componentei variabile, simbolul este litera mare, iar indicele litera mica
(Va, Ia);

variabila totala, simbolul este litera mica, iar indicele este litera mare (vA, iA).

- 20 -

Fig. 2.14. Ilustrarea regimului dinamic de semnal mic (armonic)

pentru o jonctiune pn
b) Parametrii de semnal mic
Rezistenta interna (dinamica, diferentiala) se defineste ca

. (2.43)
Daca consideram punctul static de functionare al jonctiunii ca fiind M0(VA0, IA0) (vezi fig. 2.15),
atunci pentru rezistenta interna rezulta definitia echivalenta:

. (2.44)

- 21 -

Fig. 2.15. Definirea rezistentei interne a jonctiunii pn

Semnalul fiind mic, punctul dinamic M(vA, iA) exploreaza pe caracteristica statica o portiune
M1M2, practic liniara, apartinnd tangentei in punctul M0 la caracteristica statica. Se poate da
urmatoarea interpretare grafica lui Ri:

Ri

= tg , (2.45)

unde VA si IA sunt variatiile finite ale lui VA si IA in jurul punctului static de functionare cu
limitele M1 si M2.
Aplicnd definitia (2.44) ecuatiei jonctiunii pn ideale se obtine:

. (2.46)
Retinem ca in regim dinamic cvasistationar de semnal mic, jonctiunea pn poate fi modelata
(echivalata) pentru componentele de semnal va si ia printr-un rezistor avnd valoarea rezistentei
interne (vezi fig. 2.16).

- 22 -

Fig. 2.16. Circuitul echivalent de semnal mic al jonctiunii pn

in regim cvasistationar
Circuitul din figura 2.16 se numeste circuitul (modelul) echivalent de semnal mic al jonctiunii
pn in regim cvasistationar (pentru frecvente joase la care elementele reactive ale jonctiunilor si
terminalelor se pot neglija). Acestui circuit i se aplica legea lui Ohm, care insa este valabila
numai in punctul de functionare M0 in care a fost evaluata Ri pentru semnal va mic. Ri reprezinta
cel mai important parametru de semnal mic al jonctiunii pn.
Urmatorii parametri de semnal mic sunt caracteristici regimului nestationar al jonctiunii pn.
Acestia sunt:
Capacitatea de difuzie, Cd, se datoreaza excesului de purtatori minoritari introdusi prin
injectie in regiunile neutre. Cd va exista in special in conductie directa cnd are loc injectia
puternica de purtatori minoritari in regiunile neutre. Pentru capacitatea de difuzie se obtine:

Cd = Cd0 exp

, (2.47)

unde Cd0 reprezinta capacitatea de difuzie la VA = 0.

Cd depinde de punctul static de functionare al jonctiunii si este mare la polarizari directe. Pna la
frecvente de 105 Hz Cd se poate determina cu relatia (2.47), iar pentru frecvente mai mari trebuie
luata in considerare admitanta jonctiunii.
Capacitatea de bariera, Cb, se datoreaza sarcinilor spatiale din regiunea de trecere. Ea este data
de relatia:

, (2.48)
unde V0 este bariera de potential a jonctiunii pn.
c) Circuitul echivalent de semnal mic
Circuitul echivalent de semnal mic al jonctiunii pn este cel reprezentat in figura 2.17.

- 23 -

Fig. 2.17. Circuitul echivalent de semnal

mic al jonctiunii pn
Acest circuit echivalent capata forme particulare in functie de polarizarea de curent continuu a
jonctiunii.
La polarizare directa, la tensiuni normale de lucru (ex. 0,6 0,7 V pentru Si), conteaza
capacitatea de difuzie, cea de bariera putndu-se neglija.
La polarizare inversa (pentru
> 3VT) capacitatea de difuzie este neglijabila, contnd numai
cea de bariera. La acest tip de polarizare Ri se considera infinita.
Circuitul echivalent se poate completa cu rezistenta serie a jonctiunii (de altfel foarte mica), RS,
reprezentnd rezistenta regiunilor neutre (in figura 2.17 reprezentata punctat).
2.3. DIODE SEMICONDUCTOARE
Diodele semiconductoare, in marea lor majoritate, sunt realizate pe baza jonctiunii pn, existnd o
mare varietate de tipuri.
2.3.1. DIODE REDRESOARE

Fig. 2.18. Simbolul diodei redresoare

Simbolul utilizat pentru dioda redresoare este semnul general al diodei semiconductoare (fig.
2.18).
Simbolul sugereaza ca dispozitivul conduce intr-un singur sens, cel direct (de la A la C), care
este indicat de sageata. Aceasta proprietate, de conductie unidirectionala, este fundamentala
pentru dioda redresoare.
O dioda redresoare ideala ar trebui sa posede o caracteristica statica de forma celei din figura
2.19, adica dispozitivul sa se comporte ca un scurtcircuit (rezistenta nula) in sens direct si ca un
intrerupator deschis (rezistenta infinita) in sens invers.

- 24 -

Fig. 2.19. Caracteristica statica a diodei ideale

Caracteristicile diodelor redresoare ideale difera att de forma ideala (fig. 2.19) ct si de
caracteristica jonctiunii pn ideale. In figura 2.20 sunt prezentate caracteristicile statice ale
diodelor redresoare reale cu Si si Ge.
In sens direct, curentul prin dioda apare, practic, numai de la o anumita tensiune aplicata,
numita tensiune de deschidere, VD (sau de prag VP), cu valori de 0,2 0,3 V la Ge si 0,6 0,7 V
la Si. Din acest punct de vedere, dioda redresoare cu Ge este mai avantajoasa, randamentul de
redresare fiind mai bun.

Fig. 2.20. Caracteristicile diodelor redresoare reale cu Si si Ge

In sens invers curentul IR = 1 100 nA pentru Si si IR = 0,1 10 A pentru Ge. (IR este
omologul experimental a lui I0 din caracteristica statica a jonctiunii pn ideale). Din acest punct de
vedere diodele redresoare cu Si sunt mai performante.
Cresterea curentului invers cu VR este foarte lenta, dar in apropierea unei tensiuni VBR, numita
tensiune de strapungere (breakdown), curentul creste rapid si este limitat doar de rezistenta
circuitului exterior. O astfel de rezistenta trebuie asigurata intotdeauna in circuit, altfel existnd
riscul ca strapungerea sa devina termica, deci ireversibila, deteriornd dioda. Datorita lui IR mai
- 25 -

mic diodele redresoare cu Si functioneaza pna la temperaturi sensibil mai mari (150 200oC)
dect cele la care functioneaza diodele redresoare cu Ge (80 90oC). Din Si se pot realiza diode
care sa functioneze la tensiuni vR mult mai mari dect cele cu Ge. Principalii parametri de
catalog ai diodelor redresoare sunt: curentul direct (forward) admisibil ID (sau IF), curentul de
vrf maxim IDM (IFM) si tensiunea inversa maxima VINVM (VRM).
De mentionat ca valorile ID si IDM din catalog sunt valorile pentru temperatura ambianta
indicata, adesea 25oC.
Pentru o temperatura ambianta oarecare TA trebuie inti calculata puterea disipata maxim
admisibila PDM si apoi curentii ID si IDM. PDM se calculeaza cu relatia:

PDM =

, (2.49)

unde Tjmax este temperatura maxima a jonctiunii, iar Rthja este rezistenta termica (vezi relatia
(2.38)).
2.3.2. DIODE DETECTOARE
Diodele detectoare se folosesc pentru demodularea semnalelor radio, video etc. Functia lor este
asemanatoare redresarii, dar semnalele prelucrate au, de regula, frecvente mari (sute de kHz
MHz GHz) si puteri nesemnificative. De aceea, structurile au arii mici in vederea micsorarii
capacitatilor jonctiunii pn.
2.3.3. DIODE DE COMUTATIE (DE IMPULSURI)
Diodele de comutatie sunt folosite in circuitele de impulsuri, principalii parametri fiind timpii de
comutatie din polarizare directa in polarizare inversa si in sens contrar. Pentru marirea vitezei de
comutatie trebuie redus timpul de viata al purtatorilor mobili de sarcina, care se realizeaza
tehnologic prin impurificarea structurii cu diverse materiale (de ex. in cazul Si se foloseste Au).
Diodele de comutatie au timpii minimi de comutatie de circa 5 ns.
2.3.4. DIODE VARICAP (VARACTOARE)
Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabila realizata pe cale electrica,
avnd utilizari in circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. Pentru a fi folosita in acest scop, dioda
trebuie polarizata invers, iar schema echivalenta a jonctiunii va cuprinde doar capacitatea de
bariera. Marimea capacitatii de bariera se controleaza prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
Simbolul diodei varactor este cea din figura 2.21.

Fig. 2.21. Simbolul diodei varactor

2.3.5. DIODE STABILIZATOARE
Diodele stabilizatoare cunoscute si sub numele de diode Zener sunt diode care functioneaza
normal in zona de strapungere, deci polarizata invers. Strapungerea se realizeaza fie prin efect
Zener pentru tensiuni de strapungere mai mici de 5 V fie prin multiplicare in avalansa la tensiuni
de strapungere mai mari. Scopul urmarit este acela ca la terminalele ei sa se mentina practic
- 26 -

constanta o tensiune (de valoare uzuala) cnd curentul variaza in limite relativ largi. In figura
2.22. sunt date caracteristica tipica si simbolurile diodei Zener.
Dupa cum se observa, forma caracteristicii statice este cea a unei diode obisnuite. Aplicnd o
tensiune inversa, la o valoare VZ, numita tensiune Zener, apare fenomenul de strapungere,
curentul invers prin dioda crescnd brusc. Strapungerea este insa nedistructiva, pentru ca,
datorita rezistentei din circuitul exterior curentului nu i se permite sa depaseasca valoarea
maxima admisibila IZM, corespunzatoare puterii disipate maxime PDM. Dioda Zener este astfel
construita ca pna la aceasta putere disipata sa nu apara efecte termice care ar conduce la
strapungerea distructiva.

a) b)
Fig. 2.22. Caracteristica statica (a) si simbolul diodei Zener (b)
Se observa ca, daca punctul de functionare al diodei Zener ramne in zona delimitata de un punct
initial M1, care marcheaza instalarea strapungerii si punctul MM de intersectie a caracteristicii
statice cu hiperbola de disipatie maxima, tensiunea pe dioda Zener nu se modifica practic, desi
curentul poate sa se modifice in limite largi. Aceasta zona unde se mentine tensiunea pe dioda
aproape constanta si egala cu VZ poarta numele de regiune Zener sau regiune de stabilizare sau
regiune normala de functionare.
Principalul parametru de catalog al diodei Zener este tensiunea Zener, VZ cuprinsa intre zecimi
de volt si sute de volti.
Parametrul prin care se apreciaza capacitatea de stabilizare a diodei Zener este rezistenta
dinamica.

- 27 -

(2.50)
Valorile tipice ale lui Riz sunt intre unitati si zeci de .
2.3.6. DIODE SCHOTTKY
Contactul metal semiconductor este o structura fizica care intra in constructia tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa functie este de a contacta diverse regiuni
semiconductoare in vederea conectarii la terminalele dispozitivului. In acest caz contactul trebuie
sa prezinte o rezistenta foarte mica in ambele sensuri de polarizare. Un astfel de contact se
numeste contact ohmic.
Contactul metal semiconductor poate avea si conductie unilaterala, in acest caz purtnd
denumirea de contact redresor. Contactele redresoare stau la baza constructiei diodelor Schottky.
Obtinerea functionarii ohmice sau redresoare a contactului metal semiconductor se face prin
alegerea metalului, a semiconductorului si a gradului de impurificare. S-a constatat ca contactul
metal semiconductor de tip n are caracter redresor, pe cnd cel metal semiconductor de tip p
are caracter ohmic. In figura 2.23, a este prezentata structura unei diode Schottky, iar in figura
2.23, b simbolul acesteia.
a) b)

Fig. 2.23. Dioda Schottky: a) structura; b) simbol

Metalizarea superioara se realizeaza din aluminiu, iar cea inferioara din aur. Aluminiul impreuna
cu semiconductorul de tip n realizeaza structura metal semiconductor cu caracter redresor. Pe
spatele dispozitivului, contactul dintre aur si semiconductorul n+ (puternic impurificat) realizeaza
un contact ohmic.
- 28 -

Principalul avantaj al diodelor Schottky fata de cele cu jonctiune pn este ca pot lucra la frecvente
foarte ridicate, avnd timpi de comutatie ce pot ajunge la 100 ps. i acest tip de diode prezinta
fenomenul de strapungere pentru tensiuni inverse mari.
Dioda Schottky este utilizata in detectoarele de frecvente foarte inalte, in redresoare de putere
care lucreaza la frecvente ridicate, in circuitele integrate (TTL Schottky) pentru cresterea
vitezei de comutare etc.
2.3.7. DIODE TUNEL
Diodele tunel (Esaki) prezinta o caracteristica statica avnd o zona cu rezistenta negativa (vezi
fig. 2.24, a). Simbolul diodei tunel este cel prezentat in figura 2.24, b.
La baza functionarii diodelor tunel se gaseste asa-numitul efect tunel. Efectul tunel consta in
faptul ca un electron cu energie mai mica dect bariera energetica corespunzatoare barierei de
potential reuseste sa treaca dincolo de aceasta nu peste bariera ci prin aceasta (ca printr-un tunel).

a) b)
Fig. 2.24. Dioda tunel: a) caracteristica statica; b) simbol
Diodele tunel au concentratii mari de impuritati att in zona p ct si in zona n (jonctiune de tip
p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ingusta in raport cu diodele obisnuite.
La polarizare directa caracteristica poseda o zona AB de rezistenta negativa. La polarizare
inversa dioda tunel nu are regim de saturatie, ci are o rezistenta interna foarte mica. De aceea o
inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia.
Diodele tunel au o viteza de comutare foarte mare.
Diodele tunel, spre deosebire de celelalte diode au posibilitatea de a amplifica semnalele, fiind
utilizate la constructia de amplificatoare din domeniul microundelor.
Datorita existentei rezistentei negative, diodele tunel sunt folosite la realizarea de oscilatoare
armonice.
2.4. APLICATII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE
2.4.1. REDRESAREA CURENTULUI ALTERNATIV
Redresoarele fac parte din blocurile de alimentare, care asigura transformarea puterii de curent
alternativ in putere de curent continuu.
Redresorul monoalternanta, reprezentat in figura 2.25, a, este cel mai simplu circuit de
- 29 -

redresare. Dioda conduce doar pe durata alternantei pozitive a lui v2, pe durata celei negative
fiind blocata.

Redresorul bialternanta in punte, reprezinta cel mai des intlnit tip de redresor. Schema
redresorului in punte este prezentata in figura 2.26, a.

Fig. 2.26. Redresorul bialternanta in punte: a) schema redresorului;

- 30 -

b) desen explicativ pentru redresarea bialternanta;

c) influenta condensatorului C (de netezire) introdus in circuit
Conform schemei din figura 2.26, a, pentru alternanta pozitiva v1+, diodele D1 si D3 vor fi
polarizate direct, iar diodele D2 si D4 vor fi polarizate invers. In consecinta, traseul parcurs de
curentul electric ( ) va fi de la borna superioara a transformatorului, prin dioda D1, rezistorul
R, dioda D3 la borna inferioara a acestuia.
Pentru alternanta negativa, v1, diodele D2 si D4 se vor afla in conductie, iar D1 si D2 in stare de
blocare. Traseul parcurs de curentul electric ( ) va fi de la borna inferioara a
transformatorului, prin D2, R, D4 la borna superioara a acestuia.
Curentul mediu redresat (obtinut prin medierea in timp a lui i), se calculeaza cu relatia:

, (2.51)
unde IM are semnificatia din fig. 2.25, b.
2.4.2. DETECTIA
Demodularea (sau detectia) este procesul prin care se extrage semnalul modulator din
semnalul modulat.
Schema redresorului monoalternanta poate fi folosita ca si detector de vrf (demodulator)
pentru semnale modulate in amplitudine (fig. 2.27).

Fig. 2.27. Detector de vrf: a) schema;

b) semnalele ce intervin in procesul de detectie
In figura 2.27, b este ilustrata functionarea detectorului de vrf. Un semnal sinusoidal de
frecventa fp (semnal purtator) este modulat in amplitudine de un semnal, presupus pentru
simplitate ca fiind tot sinusoidal (semnal modulator) de frecventa fm << fp. Constanta de timp a
circuitului, egala cu CR, trebuie aleasa de asa maniera inct semnalul de la iesirea
demodulatorului sa urmareasca infasuratoarea (semnalul modulator). Condensatorul se incarca
atunci cnd dioda conduce si se descarca atunci cnd ea este blocata.
- 31 -

2.4.3. CIRCUITE DE LIMITARE

Circuitele de limitare sunt utilizate pentru a margini domeniul de variatie al semnalelor la
anumite valori precizate. Un astfel de circuit este limitatorul simetric din figura 2.28.

Fig. 2.28. Limitatorul simetric

Pentru tensiuni de intrare cuprinse intre VD si + VD (s-au presupus diodele identice) diodele
D1 si D2 sunt blocate astfel inct vo = vi. Pentru vi < VD dioda D1 va fi deschisa, iar vo = VD,
restul tensiunii vi caznd pe R. Acelasi lucru se intmpla daca vi > VD, cnd dioda D2 va fi
deschisa si vo = + VD.
Circuitul din figura 2.29 este intrebuintat pentru limitarea superioara a tensiunii de iesire.
Limita maxima a tensiunii de iesire este (E + VD).

Un nou portal informaional!

Dac deii informaie interesant si doreti s te impari cu noi atunci
scrie la adresa de e-mail : support@sursa.md

- 32 -