Explorați Cărți electronice
Categorii
Explorați Cărți audio
Categorii
Explorați Reviste
Categorii
Explorați Documente
Categorii
Diode semiconductoare
2.1. Notiuni de fizica semiconductoarelor
2.1.1. Introducere
2.1.2. Teoria benzilor energetice pentru corpul solid
2.1.3. Semiconductorul intrinsec
2.1.4. Semiconductoare cu impuritati
2.1.5. Statistica purtatorilor de sarcina
2.1.6. Transportul purtatorilor de sarcina
2.1.7. Generarea si recombinarea purtatorilor de sarcina
2.2. Jonctiunea pn
2.2.1. Introducere
2.2.2. Jonctiunea pn la echilibru termic
2.2.3. Analiza electrostatica
2.2.4. Jonctiunea pn in regim static
2.2.5. Abateri de la caracteristica teoretica idealizata
2.2.6. Jonctiunea pn in regim dinamic
2.3. Diode semiconductoare
2.3.1. Diode redresoare
2.3.2. Diode detectoare
2.3.3. Diode de comutatie (de impulsuri)
2.3.4. Diode varicap (varactoare)
2.3.5. Diode stabilizatoare
2.3.6. Diode Schottky
2.3.7. Diode tunel
2.4. Aplicatii ale diodelor semiconductoare
2.4.1. Redresarea curentului alternativ
2.4.2. Detectia
2.4.3. Circuite de limitare
2.1. Notiuni de fizica semiconductoarelor
2.1.1. Introducere
Principalele materiale semiconductoare folosite la fabricarea dispozitivelor electronice cu corp
solid sunt cristalele elementelor tetravalente de siliciu (Si) si germaniu (Ge), precum si ale unor
compusi binari, cum sunt: galiu-arsen (GaAs), indiu-stibiu (InSb), indiu-fosfor (InP), etc.
Rezistivitatea semiconductoarelor este cuprinsa intre 10-6 si 1012 m, ceea ce le incadreaza
intre metale si dielectrici. Rezistivitatea semiconductoarelor depinde de tipul si concentratia
impuritatilor, de structura si de conditiile fizice exterioare (temperatura, iluminare, cmpuri
electrice si magnetice, etc). proprietatile electrice ale semiconductoarelor se obtin numai printro ordonare apropiata de perfectiune a atomilor in tot volumul materialului, ordine cunoscuta sub
numele de monocristal. Defectele retelei cristaline acceptate de monocristale sunt intr-un numar
foarte redus.
Reteaua cristalina a principalelor materiale semiconductoare (Si, Ge) este de tip diamant, in
care fiecare atom se invecineaza in imediata apropiere cu alti patru atomi uniform distribuiti in
spatiu. O reprezentare in plan a acestei retele este data in figura 2.1.
Pentru ca un material sa prezinte conductivitate electrica trebuie sa posede particule mobile
purtatoare de sarcina electrica. In semiconductoare acestea sunt electronii de conductie si
golurile, niste particule fictive care permit descrierea fenomenelor macroscopice de conductie cu
ajutorul legilor clasice.
-1-
-2-
Semiconductorul la T 0 K
EG este un parametru al semiconductoarelor (EG (Si)= = 1,1 eV, EG (Ge)=0,67 eV) si este legata de EV
si EC prin relatia:
(2.1)
Pentru ca un electron de valenta sa treaca in banda de conductie trebuie sa i se cedeze energie de
catre cmpul electric cel putin egala cu EG, ceea ce acesta nu o poate face. In aceste conditii, la
T=0 K nu poate exista conductie in semiconductor, deci acesta se comporta ca un izolator.
b.
Semiconductorul la T 0 K
-4-
pot creste energia cu o componenta cinetica. Cresterea energiei unui gol inseamna de fapt
cresterea energiei unui electron din banda de valenta si care ramne in banda de valenta, ceea ce
este acum posibil, pentru ca electronii au la dispozitie nivelurile superioare eliberate. Prin
urmare, la T 0 K, practic la temperaturi uzuale si inalte, in semiconductorul fara impuritati apar
purtatori mobili de sarcina, electroni de conductie si goluri. EC corespunde energiei potentiale a
electronului de conductie, iar EV corespunde energiei potentiale a golului. La aplicarea unui
cmp electric , purtatorii isi pot creste energia pe seama cmpului, asigurnd conductia
electrica. Cu ct temperatura semiconductorului este mai mare, numarul legaturilor covalente
rupte este din ce in ce mai mare si semiconductorul conduce mai bine curentul electric.
2.1.3. SEMICONDUCTORUL INTRINSEC
Din mecanismul de generare a purtatorilor observam ca electronii de conductie si golurile apar
in perechi, proces denumit generare de perechi electron-gol. Concentratia electronilor se noteaza
cu n, iar a golurilor cu p, unitatea de masura a acestora fiind cm-3. In conditii de echilibru termic
concentratiile se noteaza cu n0 si p0. Avnd in vedere generarea purtatorilor in perechi, in cazul
semiconductorului fara impuritati cele doua concentratii sunt egale, iar valoarea lor comuna se
noteaza cu ni si se numeste concentratie intrinseca de purtatori. Rezulta:
. (2.2)
Daca intr-un semiconductor concentratia electronilor este egala cu concentratia golurilor el se
numeste intrinsec. Deci semiconductorul fara impuritati este un semiconductor intrinsec.
Exista situatii cnd si semiconductoarele cu impuritati pot sa se gaseasca in stare intrinseca.
La T=300 K siliciul are ni=1,45 1010 cm-3, iar germaniul ni=2 1013 cm-3.
2.1.4. SEMICONDUCTOARE CU IMPURITATI
Realizarea dispozitivelor electronice impune obtinerea unor semiconductoare cu exces de
electroni (n p), numit semiconductor de tip n sau cu exces de goluri (p n), numit
semiconductor de tip p. Procedeul folosit este cel al impurificarii controlate. Pentru realizarea
unui semiconductor de tip n se folosesc impuritati pentavalente, numite impuritati donoare (P,
As, Sb). Un atom de impuritate donoare substituie un atom de semiconductor din retea. Patru
dintre electronii de valenta formeaza legaturile covalente cu atomii vecini, iar al cincilea este
slab legat, astfel ca la temperatura camerei el primeste suficienta energie pentru a se desprinde de
atomul donor si a deveni electron de conductie. Existenta acestui electron de conductie nu este
legata de distrugerea unei legaturi covalente, deci de aparitia unui gol. In semiconductorul de tip
n exista insa si goluri care apar prin mecanismul intrinsec de generare, dar ele sunt in
concentratie mica. Diagrama energetica a unui semiconductor de tip n este prezentata in figura
2.6.
-6-
-7-
, (2.3)
unde: EF este energia (nivelul) Fermi;
k- constanta lui Boltzmann.
La echilibru termic acest nivel este constant in tot volumul materialului considerat. Marimea
energiei Fermi depinde de temperatura si de modul de dopare a semiconductorului. Nivelul
Fermi este o marime de calcul si poate fi situat att in interiorul benzilor permise ct si in al celor
interzise. Probabilitatea de ocupare a nivelului EF de catre un electron este:
,
deci este independenta de temperatura.
Calculele mecanicii cuantice indica urmatoarele expresii pentru concentratiile de electroni si
goluri la echilibru termic:
; (2.4)
,
unde NC si NV sunt doua constante care depind de temperatura dupa legea
.
Pentru semiconductorul intrinsec nivelul Fermi se noteaza cu Ei si are valoarea aproximativa:
. (2.5)
-8-
Prin urmare, nivelul Fermi intrinsec Ei este plasat la orice T in mijlocul benzii interzise.
Concentratiile de electroni si goluri se pot exprima prin folosirea marimilor Ei si ni cu relatiile:
; (2.6)
. (2.7)
Conform acestor relatii un semiconductor de tip n are nivelul Fermi situat deasupra mijlocului
benzii interzise, iar un semiconductor de tip p are nivelul Fermi situat sub mijlocul benzii
interzise.
Pentru a stabili concentratiile de purtatori in functie de concentratiile de atomi donori (ND) si
de atomi acceptori (NA) se pleaca de la doua relatii fundamentale. Prima relatie :
p0n0=ni2 (2.8)
se numeste ecuatia sau conditia de echilibru (termic), si este valabila numai la echilibru
termic. Cea de-a doua relatie :
p0-n0=NA-ND (2.9)
reprezinta ecuatia sau conditia de neutralitate. Pentru un semiconductor de tip n rezolvarea
sistemului de ecuatii (2.8) si (2.9) duce la n0ND si p0
.
La neechilibru termic nici una dintre relatiile prezentate in acest subcapitol nu mai este
valabila. Pentru a pastra totusi formalismul relatiilor (2.6) si (2.7) se introduc doua nivele
energetice de calcul, fictive, numite cvasinivele Fermi. Aceste cvasinivele au valori diferite
pentru electroni ( EFn) si pentru goluri (EFp) si variaza in interiorul semiconductorului. In felul
acesta, concentratiile de electroni si de goluri la neechilibru sunt date de relatiile:
; (2.10)
, (2.11)
unde Ei semnifica mijlocul benzii interzise.
2.1.6. TRANSPORTUL PURTATORILOR DE SARCINA
In semiconductoare, transportul dirijat al purtatorilor de sarcina, deci curentul electric, se
produce, in principal, prin urmatoarele doua mecanisme:
a.
prin drift, adica prin antrenarea purtatorilor de catre un cmp electric, rezultnd un curent
electric numit curent de drift sau de cmp;
b.
prin difuzie, adica prin deplasarea purtatorilor dintr-o regiune a semiconductorului unde
concentratia lor este mai mare catre regiuni in care concentratia purtatorilor respectivi este mai
mica, rezultnd un curent electric numit curent de difuzie.
a) Curentii de drift (de cmp)
-9-
Aplicarea unui cmp electric asupra unui semiconductor face ca purtatorii de sarcina sa capete
o viteza medie pe directia cmpului electric proportionala cu intensitatea cmpului:
; (2.12)
, (2.13)
unde:
; (2.14)
, (2.15)
unde n si p sunt concentratiile electronilor si golurilor.
Mobilitatea purtatorilor de sarcina este un rezultat al ciocnirilor acestora cu reteaua atomilor
de semiconductor si cu ionii de impuritate, depinznd, pe lnga concentratia de impuritati, si de
temperatura. Vitezele de drift depind de intensitatea cmpului electric. Astfel, la cmpuri
electrice de intensitate mica viteza de drift este nesemnificativa in raport cu viteza de agitatie
termica, iar la cmpuri electrice intense viteza de drift este comparabila cu cea datorata agitatiei
termice.
b) Curentii de difuzie
Prezenta unor concentratii neuniforme de electroni sau de goluri determina transportul
acestora cu tendinta de uniformizare a distributiei lor. In consecinta, rezulta curenti de difuzie ale
caror densitati sunt urmatoarele:
; (2.16)
, (2.17)
unde:
n concentratia de electroni;
p concentratia de goluri.
Semnul () din (2.17) provine de la faptul ca curentul de difuzie are sens opus gradientului
concentratiei.
- 10 -
, (2.18)
iar
; (2.19)
. (2.20)
In cazul unor cmpuri electrice variabile in timp, relatia (2.18) va cuprinde si un termen
corespunzator densitatiide curent de deplasare:
2.1.7. GENERAREA SI RECOMBINAREA PURTATORILOR DE SARCINA
Generarea reprezinta fie fenomenul de trecere a unui electron al retelei cristaline in banda de
conductie fie de parasire a benzii de valenta.
Primul fenomen duce la generarea de electroni de conductie, iar al doilea la generarea de
goluri.
Recombinarea reprezinta procesul prin care un electron al retelei cristaline paraseste banda de
conductie sau trece in banda de valenta. In primul caz dispare un electron de conductie, iar in al
doilea un gol.
Ratele de desfasurare a celor patru mecanisme, in sensul numarului de particule care se
genereaza/recombina in unitatea de volum si in unitatea de timp, se numesc viteze de
generare/recombinare.
2.2. JONCTIUNEA pn
2.2.1. INTRODUCERE
Jonctiunea pn reprezinta o structura fizica realizata intr-un monocristal care are doua regiuni
vecine, una de tip p si alta de tip n.
Limita de demarcatie dintre cele doua regiuni se numeste jonctiune metalurgica de interfata.
In figura 2.8 se prezinta un model unidimensional ale jonctiunii n, unde N=NA-ND este
concentratia neta de impuritati.
- 11 -
- 12 -
echilibru termic si, in consecinta curentii de difuzie si cei de drift nu se mai compenseaza
reciproc. Prin jonctiune si prin circuitul exterior va circula un curent net IA.
Consideram jonctiunea in trei situatii (fig. 2.10): nepolarizata, polarizata si polarizata invers.
a) b) c)
Fig. 2.10. Jonctiunea pn:
a) nepolarizata; b) polarizata direct; c) polarizata invers
In cazul in care jonctiunea este nepolarizata (fig. 2.10, a), ea se gaseste la echilibru termic,
sarcinile spatiale sunt q0, + q0, cmpul electric intern
, iar bariera de potential V0. Curentul
prin jonctiune are expresia:
IA = (IpM Ipm) + (InM Inm), (2.32)
IpM Ipm reprezinta curentul net de goluri, iar InM Inm pe cel de electroni. La echilibru termic
acesti doi curenti sunt nuli, rezultnd IA = 0.
In cazul polarizarii directe (stare de echilibru), deci la VA > 0 (fig. 2.10, b), cmpul intern
devine mai mic dect
datorita suprapunerii cmpului
de sens opus creat de VA. Scaderea
cmpului avantajeaza difuzia sau, in termeni energetici, scade inaltimea barierei de energie
potentiala de la qV0 la q(V0 VA), corespunzatoare scaderii barierei de potential de la V0 la V0
VA. In acest fel creste mult probabilitatea purtatorilor majoritari distribuiti conform repartitiei
Boltzmann sa o escaladeze prin difuzie. In consecinta, cresc apreciabil curentii IpM si InM.
Numarul purtatorilor minoritari ce trec bariera (trecerea se face de la energie mare la energie
mica) nu se modifica, astfel inct Ipm si Inm se conserva. Cum IpM >> Ipm si InM >> Inm, rezulta din
relatia (2.32) ca IA > 0 este un curent direct de valoare apreciabila.
In cazul polarizariii inverse (stare de neechilibru), deci la VA < 0 (fig. 2.10, c), cmpul
intern
devine mai mare dect
, deoarece cmpul
creat de VA are acelasi sens cu
.
Cresterea cmpului defavorizeaza difuzia. Altfel spus, bariera de energie potentiala crescnd de
la qV0 la q(V0 + VA) scade probabilitatea purtatorilor majoritari de a o escalada prin difuzie. Prin
- 14 -
urmare, scad IpM si InM sub valorile corespunzatoare lui VA = 0, iar Ipm si Inm isi pastreaza practic
valorile de la echilibru termic. Avnd IpM < Ipm si InM < Inm, conform relatiei (2.32) rezulta IA < 0,
adica jonctiunea va fi strabatuta de un curent invers mic .
Raportul dintre curentul direct si cel invers, chiar pentru valori mici ale tensiunii directe fata
de ale celor inverse, este foarte mare. Astfel pentru jonctiunile din Si acest raport este de 108, iar
pentru cele din Ge este de 106. Se poate spune deci, ca o jonctiune pn prezinta o conductie
unidirectionala, adica de la regiunea p la regiunea n, cnd este polarizata direct.
Pentru jonctiunea pn ideala se poate stabili o expresie analitica a curentului IA in functie de VA.
Aceasta expresie, cunoscuta sub numele de ecuatia jonctiunii pn ideale, este:
IA = I 0
, (2.33)
unde: I0 este curentul de saturatie (curent rezidual) al jonctiunii, reprezentnd valoarea constanta
catre care tinde curentul IA pentru tensiuni VA negative;
VT =
Fig. 2.11. Caracteristica statica teoretica a jonctiunii pn ideale (caracteristica teoretica idealizata)
Ecuatia jonctiunii pn ideale este o relatie fundamentala pentru dispozitivele electronice cu
jonctiuni semiconductoare. Ea si caracteristica din figura 2.11 reflecta doua proprietati specifice
dispozitivelor electronice:
1) dependenta neliniara dintre variabilele electrice de la terminale (IA si VA), ceea ce arata ca
jonctiunea pn nu asculta de legea lui Ohm;
2) conductia unidirectionala (intr-un singur sens): prin jonctiune trece un curent mare (de la p
la n) cnd este polarizata direct (VA>0) si un curent foarte mic (practic nul) cnd este polarizata
invers (VA<0).
Pe aceste doua proprietati se bazeaza functionarea diodelor cu jonctiune pn in aplicatii ca:
redresarea curentului alternativ, detectia semnalelor modulate, conversia frecventei etc.
Daca jonctiunii i se aplica o tensiune continua specificata, VAM, rezultnd un curent IAM
spunem ca jonctiunea lucreaza in punctul de functionare static (de repaus sau mediu) M(VAM,
- 15 -
IAM) (vezi fig. 2.11). De exemplu, daca spunem ca jonctiunea pn lucreaza in punctul M1(0,3 V; 10
mA), se subintelege ca jonctiunea este polarizata direct cu VA = 0,3 V si este strabatuta de
curentul IA = 10 mA. In cazul punctului static M2( 10 V, 2 A), jonctiunea este polarizata
invers. Ecuatia jonctiunii pn ideale este utilizata adesea sub forma simplificata, daca punctul
static este plasat departe de origine. Astfel:
pentru polarizari directe cu VA > 3VT (aproximativ VA 0,1 V, la temperatura camerei) se
IA = I S
, (2.33)
unde constantele IS si m sunt deduse experimental. Valorile tipice ale lui m sunt cuprinse intre 1
si 2.
b) Odata cu cresterea curentului prin jonctiunea polarizata direct se trece la regimul de nivel
mare de injectie. In aceste conditii, cresterea curentului IA cu VA nu mai este exponentiala, ci cu
panta mai mica, iar la curenti deosebiti de mari, cnd largimea regiunii de trecere tinde catre
zero, caracteristica VA IA devine cvasiliniara, comportarea jonctiunii apropiindu-se de cea a
unei rezistente.
c) Strapungerea jonctiunii pn
Fenomenul electric de strapungere a jonctiunii pn consta din cresterea puternica a curentului in
cazul polarizarii inverse cu o anumita tensiune dupa cum rezulta din figura 2.12.
- 16 -
M=
, (2.36)
- 17 -
cVF =
, (2.37)
unde indicele F provine de la forward" care inseamna inainte" folosit in sens de direct".
O valoare medie folosita in practica pentru acest coeficient este 2 mV/oC.
Temperatura T trebuie masurata la jonctiune (TJ), care este, de regula, mai mare dect
temperatura ambianta (TA) datorita disiparii de putere electrica (PD = VAIA):
TJ = TA + Rthja PD (2.38)
Rthja se numeste rezistenta termica si inglobeaza proprietatile de conductie a caldurii de la
jonctiune la mediul ambiant.
2.2.6. JONCTIUNEA PN IN REGIM DINAMIC
Un dispozitiv electronic, in cazul de fata jonctiunea pn, functioneaza in regim dinamic daca
tensiunile si curentii la terminale au variatie continua in timp. Obtinem un astfel de regim pentru
jonctiunea pn polarizata direct daca peste tensiunea continua VA (de polarizare) se aplica si una
variabila in timp va = va(t), numita semnal (tensiune de semnal), ca in figura 2.13.
- 18 -
i A = I0
. (2.40)
- 19 -
este mult mai mic dect cel liniar, deci daca este indeplinita conditia
, (2.42)
numita conditie de semnal mic. Prin urmare conditia de semnal mic cere ca modulul maxim al
tensiunii de semnal sa fie cel putin cu un ordin de marime inferior tensiunii termice. Deoarece VT
26 mV la temperatura camerei, iar caracteristica experimentala vA iA este mai putin neliniara
dect cea data de ecuatia (2.40), in practica se considera ca semnalul va este mic daca
10
mV. Daca aceasta conditie este indeplinita, spunem ca jonctiunea pn functioneaza in regim
dinamic de semnal mic.
Daca semnalul este sinusoidal, adica va = Va sin t, el este considerat ca fiind mic daca Va
10 mV. Cu un asemenea semnal aplicat pe jonctiune, aceasta functioneaza in regim dinamic
armonic, unde att va ct si ia au variatie armonica (sinusoidala) (vezi fig. 2.14).
In figura 2.14 s-au reprezentat marimile va si ia corespunzatoare functionarii jonctiunii pn in
regim static (t < 0) si dinamic armonic (t > 0) folosind conventia de notare recomandata de CEI
(Comisia Electrotehnica Internationala). Astfel, pentru:
componenta continua (medie, de repaus), simbolul si indicele sunt litere mari (VA, IA);
componenta variabila, simbolul si indicele sunt litere mici (va, ia);
amplitudinea componentei variabile, simbolul este litera mare, iar indicele litera mica
(Va, Ia);
variabila totala, simbolul este litera mica, iar indicele este litera mare (vA, iA).
- 20 -
. (2.43)
Daca consideram punctul static de functionare al jonctiunii ca fiind M0(VA0, IA0) (vezi fig. 2.15),
atunci pentru rezistenta interna rezulta definitia echivalenta:
. (2.44)
- 21 -
Ri
= tg , (2.45)
unde VA si IA sunt variatiile finite ale lui VA si IA in jurul punctului static de functionare cu
limitele M1 si M2.
Aplicnd definitia (2.44) ecuatiei jonctiunii pn ideale se obtine:
. (2.46)
Retinem ca in regim dinamic cvasistationar de semnal mic, jonctiunea pn poate fi modelata
(echivalata) pentru componentele de semnal va si ia printr-un rezistor avnd valoarea rezistentei
interne (vezi fig. 2.16).
- 22 -
Cd = Cd0 exp
, (2.47)
, (2.48)
unde V0 este bariera de potential a jonctiunii pn.
c) Circuitul echivalent de semnal mic
Circuitul echivalent de semnal mic al jonctiunii pn este cel reprezentat in figura 2.17.
- 23 -
- 24 -
mic diodele redresoare cu Si functioneaza pna la temperaturi sensibil mai mari (150 200oC)
dect cele la care functioneaza diodele redresoare cu Ge (80 90oC). Din Si se pot realiza diode
care sa functioneze la tensiuni vR mult mai mari dect cele cu Ge. Principalii parametri de
catalog ai diodelor redresoare sunt: curentul direct (forward) admisibil ID (sau IF), curentul de
vrf maxim IDM (IFM) si tensiunea inversa maxima VINVM (VRM).
De mentionat ca valorile ID si IDM din catalog sunt valorile pentru temperatura ambianta
indicata, adesea 25oC.
Pentru o temperatura ambianta oarecare TA trebuie inti calculata puterea disipata maxim
admisibila PDM si apoi curentii ID si IDM. PDM se calculeaza cu relatia:
PDM =
, (2.49)
unde Tjmax este temperatura maxima a jonctiunii, iar Rthja este rezistenta termica (vezi relatia
(2.38)).
2.3.2. DIODE DETECTOARE
Diodele detectoare se folosesc pentru demodularea semnalelor radio, video etc. Functia lor este
asemanatoare redresarii, dar semnalele prelucrate au, de regula, frecvente mari (sute de kHz
MHz GHz) si puteri nesemnificative. De aceea, structurile au arii mici in vederea micsorarii
capacitatilor jonctiunii pn.
2.3.3. DIODE DE COMUTATIE (DE IMPULSURI)
Diodele de comutatie sunt folosite in circuitele de impulsuri, principalii parametri fiind timpii de
comutatie din polarizare directa in polarizare inversa si in sens contrar. Pentru marirea vitezei de
comutatie trebuie redus timpul de viata al purtatorilor mobili de sarcina, care se realizeaza
tehnologic prin impurificarea structurii cu diverse materiale (de ex. in cazul Si se foloseste Au).
Diodele de comutatie au timpii minimi de comutatie de circa 5 ns.
2.3.4. DIODE VARICAP (VARACTOARE)
Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabila realizata pe cale electrica,
avnd utilizari in circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. Pentru a fi folosita in acest scop, dioda
trebuie polarizata invers, iar schema echivalenta a jonctiunii va cuprinde doar capacitatea de
bariera. Marimea capacitatii de bariera se controleaza prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
Simbolul diodei varactor este cea din figura 2.21.
constanta o tensiune (de valoare uzuala) cnd curentul variaza in limite relativ largi. In figura
2.22. sunt date caracteristica tipica si simbolurile diodei Zener.
Dupa cum se observa, forma caracteristicii statice este cea a unei diode obisnuite. Aplicnd o
tensiune inversa, la o valoare VZ, numita tensiune Zener, apare fenomenul de strapungere,
curentul invers prin dioda crescnd brusc. Strapungerea este insa nedistructiva, pentru ca,
datorita rezistentei din circuitul exterior curentului nu i se permite sa depaseasca valoarea
maxima admisibila IZM, corespunzatoare puterii disipate maxime PDM. Dioda Zener este astfel
construita ca pna la aceasta putere disipata sa nu apara efecte termice care ar conduce la
strapungerea distructiva.
a) b)
Fig. 2.22. Caracteristica statica (a) si simbolul diodei Zener (b)
Se observa ca, daca punctul de functionare al diodei Zener ramne in zona delimitata de un punct
initial M1, care marcheaza instalarea strapungerii si punctul MM de intersectie a caracteristicii
statice cu hiperbola de disipatie maxima, tensiunea pe dioda Zener nu se modifica practic, desi
curentul poate sa se modifice in limite largi. Aceasta zona unde se mentine tensiunea pe dioda
aproape constanta si egala cu VZ poarta numele de regiune Zener sau regiune de stabilizare sau
regiune normala de functionare.
Principalul parametru de catalog al diodei Zener este tensiunea Zener, VZ cuprinsa intre zecimi
de volt si sute de volti.
Parametrul prin care se apreciaza capacitatea de stabilizare a diodei Zener este rezistenta
dinamica.
- 27 -
(2.50)
Valorile tipice ale lui Riz sunt intre unitati si zeci de .
2.3.6. DIODE SCHOTTKY
Contactul metal semiconductor este o structura fizica care intra in constructia tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa functie este de a contacta diverse regiuni
semiconductoare in vederea conectarii la terminalele dispozitivului. In acest caz contactul trebuie
sa prezinte o rezistenta foarte mica in ambele sensuri de polarizare. Un astfel de contact se
numeste contact ohmic.
Contactul metal semiconductor poate avea si conductie unilaterala, in acest caz purtnd
denumirea de contact redresor. Contactele redresoare stau la baza constructiei diodelor Schottky.
Obtinerea functionarii ohmice sau redresoare a contactului metal semiconductor se face prin
alegerea metalului, a semiconductorului si a gradului de impurificare. S-a constatat ca contactul
metal semiconductor de tip n are caracter redresor, pe cnd cel metal semiconductor de tip p
are caracter ohmic. In figura 2.23, a este prezentata structura unei diode Schottky, iar in figura
2.23, b simbolul acesteia.
a) b)
Principalul avantaj al diodelor Schottky fata de cele cu jonctiune pn este ca pot lucra la frecvente
foarte ridicate, avnd timpi de comutatie ce pot ajunge la 100 ps. i acest tip de diode prezinta
fenomenul de strapungere pentru tensiuni inverse mari.
Dioda Schottky este utilizata in detectoarele de frecvente foarte inalte, in redresoare de putere
care lucreaza la frecvente ridicate, in circuitele integrate (TTL Schottky) pentru cresterea
vitezei de comutare etc.
2.3.7. DIODE TUNEL
Diodele tunel (Esaki) prezinta o caracteristica statica avnd o zona cu rezistenta negativa (vezi
fig. 2.24, a). Simbolul diodei tunel este cel prezentat in figura 2.24, b.
La baza functionarii diodelor tunel se gaseste asa-numitul efect tunel. Efectul tunel consta in
faptul ca un electron cu energie mai mica dect bariera energetica corespunzatoare barierei de
potential reuseste sa treaca dincolo de aceasta nu peste bariera ci prin aceasta (ca printr-un tunel).
a) b)
Fig. 2.24. Dioda tunel: a) caracteristica statica; b) simbol
Diodele tunel au concentratii mari de impuritati att in zona p ct si in zona n (jonctiune de tip
p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ingusta in raport cu diodele obisnuite.
La polarizare directa caracteristica poseda o zona AB de rezistenta negativa. La polarizare
inversa dioda tunel nu are regim de saturatie, ci are o rezistenta interna foarte mica. De aceea o
inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia.
Diodele tunel au o viteza de comutare foarte mare.
Diodele tunel, spre deosebire de celelalte diode au posibilitatea de a amplifica semnalele, fiind
utilizate la constructia de amplificatoare din domeniul microundelor.
Datorita existentei rezistentei negative, diodele tunel sunt folosite la realizarea de oscilatoare
armonice.
2.4. APLICATII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE
2.4.1. REDRESAREA CURENTULUI ALTERNATIV
Redresoarele fac parte din blocurile de alimentare, care asigura transformarea puterii de curent
alternativ in putere de curent continuu.
Redresorul monoalternanta, reprezentat in figura 2.25, a, este cel mai simplu circuit de
- 29 -
redresare. Dioda conduce doar pe durata alternantei pozitive a lui v2, pe durata celei negative
fiind blocata.
Redresorul bialternanta in punte, reprezinta cel mai des intlnit tip de redresor. Schema
redresorului in punte este prezentata in figura 2.26, a.
, (2.51)
unde IM are semnificatia din fig. 2.25, b.
2.4.2. DETECTIA
Demodularea (sau detectia) este procesul prin care se extrage semnalul modulator din
semnalul modulat.
Schema redresorului monoalternanta poate fi folosita ca si detector de vrf (demodulator)
pentru semnale modulate in amplitudine (fig. 2.27).
- 32 -