Capitolul 5

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

1
2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp cu jonciune este

prezentat n figura notat cu:
b)
a)
S

G
SiO2
n

p++

G
SiO2

n++

++

++

canal

canal

B
S

c)
n

B
S

d)

jonciune
p-n

jonciune
p-n

n++

SiO2
n

n++
canal

canal
p

B
S

G
S

2.
1p

Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp cu jonciune. Cu S a fost notat electrodul numit:
G

jonciune
p-n
n

D
canal
p

G
S

a) surs;
b) dren;
c) gril;

jonciune
p-n

Figura 5.1

75

Elemente de electronic analogic - teste

d) substrat
3.
1p

Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp cu jonciune. Cu G a fost notat electrodul numit:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

4.
1p

Figura 5.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp cu jonciune. Cu D a fost notat electrodul numit:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

5.
1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal p este

prezentat n figura notat:
a)
b)
D

D
B

d)

c)
D

G
S

6.
1p

Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp cu jonciune cu canal n este

prezentat n figura notat:

76

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

b)

a)
D

D
B

c)

d)
D

G
S

7.
2p

Curentul principal din TECJ se stabilete ntre:

a)
b)
c)
d)

gril i dren;
surs i dren;
surs i gril;
gril i dren.

8.
2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i

dren. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

9.
2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabilete ntre surs i

dren. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

10.
2p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i

dren. El este constituit din electroni. n parcursul lor, aceti electroni
trec printr-o regiune numit canal. Rezistena canalului este comandat
de potenialul grilei. Pentru a se realiza aceast comand este necesar ca
77

Elemente de electronic analogic - teste

n principiu:
a) jonciunea gril-canal s fie polarizat invers;
b) jonciunea gril-canal s fie polarizat direct;
c) jonciunea drena-surs s fie polarizat invers;
d) jonciunea drena-surs s fie polarizat direct.
11.
3p

Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabilete ntre surs i

dren. El este constituit din electroni. n parcursul lor, aceti electroni
trec printr-o regiune numit canal. Rezistena canalului este comandat
de potenialul grilei. Pentru a se realiza aceast comand este necesar ca
n principiu ca jonciunea gril-canal s fie polarizat invers. Mecanismul
de comanda este:
a) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de neutr de tip
p ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca
efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei
canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la
comand a curentului dintre dren i surs.
b) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de neutr de tip
n ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca
efect modificarea rezistenei canalui; modificarea rezistenei
canalui duce n final la efectul dorit i anume la modificarea -la
comand a curentului dintre dren i surs.
c) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de sarcin
spatial ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor
regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la
modificarea concentratiei de purttori; modificarea geometriei
canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea
rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la
modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.
d) potenialul grilei modific dimensiunile regiunii de sarcin
spatial ale jonciunii gril canal; modificarea dimensiunilor
regiunii de sarcin spatial ale jonciunii gril canal conduc la
modificarea geometriei canalului; modificarea geometriei
canalului are ca efect modificarea rezistenei canalui; modificarea
rezistenei canalui duce n final la efectul dorit i anume la
modificarea -la comand a curentului dintre dren i surs.

78

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

12.
1p

Conexiunea surs comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

a)

b)
D iO

iO

iIN
iIN

vIN S

vO
G

vIN

vO

G
S

c)

d)
S

iO

iIN

iIN
vIN

vO

vIN

iO

vO

G
D

13.
1p

Conexiunea dren comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

b)

a)
D iO

iIN
iIN

vIN S

vO
G

vIN

iO
D

vO

G
S

c)

d)
S

iO

iIN

iIN
vIN

vO

vIN

iO

vO

G
D

14.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECJ este prezentat n figura notat:

79

Elemente de electronic analogic - teste

a)

b)
D iO

iO

iIN
iIN

vIN S

vO

vO

vIN

G
S

c)

d)
S

iO

iIN

iIN
vIN

iO
vO

vIN
vO

15.
3p

Conexiunea surs comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren;
b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de
surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de
dren;
c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de
surs;
d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren.

16.
3p

Conexiunea gril comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren;
b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de
surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de
dren;
c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de
surs;

80

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de

gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren.
17.
3p

Conexiunea dren comun a unui tranzistor cu efect de cmp:

a) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren;
b) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de
surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de
dren;
c) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de
surs;
d) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de
dren.

18.
3p

n mod uzual, un tranzistor cu efect de cmp este descris de dou ecuaii

de forma:
a) iG=iG(vGS,vDS) i
iD=iD(vGS,vDS)
iD=iD(vGS,vDS)
b) iG=iG(vGD,vDS) i
c) iG=iG(vGS,vDS) i
iD=iD(vGD,vDS)
d) iG=iG(vGD,vDS) i
iD=iD(vGD,vDS)

9.
2p

ntruct n funcionarea normal jonciunea grilei a unui TECJ este

polarizat invers curentul de gril este:
a) iG = iG (vDS )
U GS = const .

b) iG = iG (vGS )
U GS =const .

c) iG 0
d) iG =
20.
1p

vDS
rDS

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu I a fost

notat:

81

Elemente de electronic analogic - teste

iD

vGS-vT

III.

IV.
vGS=0.1V

II.

vGS=0V
I.

vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

a)
b)
c)
d)

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Figura 5.2

21.
1p

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu II a fost

notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

22.
1p

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu III a fost

notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

23.
1p

Figura 5.2 prezint caracteristica de ieire a unui TECJ. Cu IV a fost

notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

24.
2p

Un TECJ care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca

a)
b)
c)
d)

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.
82

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

25.
2p

Un TECJ care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca

a)
b)
c)
d)

26.
2p

Un TECJ care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca

a)
b)
c)
d)

27.
3p

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Caracteristica de ieire a unui TECJ este prezentat n figura notat:

a)

b)
Regiune
de cot

iD

iD

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=4V

vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT

vDS

c)

vDS

d)
Regiune
de cot

iD

iC

vGS-vT

v CB=0

Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=0.1V

vGS=VT

Regiunea activ normal

Regiunea de
saturatie

vGS=0V
vGS=2V
vGS=-4V

Regiune de
blocare

28.
3p

vGS=8V
vGS=6V

Regiune de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=2V
vGS=0V

Regiune de
blocare

vGS-vT

Regiune
de cot

iB3
iB2

Regiunea de
blocare

iB1

vDS

vCE

Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentat n figura notat:

a)

b)
iD

iD

IDSS

VT

1V

vGS

83

iB4

VT

v GS

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

29.
3p

1V vGS

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea

de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
i
iD=0
a) iG=0
b) iG=0

v
i D = I DSS 1 GS
VT

c) iG=0

v
iD = Go 1 GS
VT

iB =

v
exp BE
eT

d) iC = I S exp v BE
e
T

30.
3p

IS

v DS

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea

de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0
i
iD=0
b) iG=0

v
i D = I DSS 1 GS
VT

v
i D = G o 1 GS
VT

c) iG=0

iB =

v
exp BE
eT

d) iC = I S exp v BE
e
T

31.
3p

vBE

IS

u DS

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucreaz n regiunea

liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0
i
iD=0
b) iG=0

84

v
i D = I DSS 1 GS
VT

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

c) iG=0

d) iC = I S exp v BE
e
T

32.
3p

v
i D = G o 1 GS
VT

iB =

v
exp BE
F
eT

IS

iB

u DS

vBE

D
v GS

Fi B

R
S

c)

d)
G

D
vGS

IDSS1 vGS

vGS

VT

vDS

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de saturaie regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
b)
B

iB

vBE

D
v GS

Fi B

R
S

c)

d)
G

D
vGS

IDSS1 vGS

34.
3p

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea liniar - regim

cvasistatic de semnal mare - este:
a)
b)
B

33.
3p

vGS

VT

vDS

Schema echivalent a unui TECJ care lucreaz n regiunea de blocare regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
b)
B
vBE

iB

D
v GS

FiB

R
S

85

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
G
vGS

IDSS1 vGS

35.
3p

vGS

VT

vDS

Caracteristicile statice din figura 5.3 pun n evidena fenomenul de

strpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de cmp.
iD
IDmax

UDS(BR)

uDS

Figura 5.3

a) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat

strpungerii prin multiplicare n avalan care apare la captul
dinspre surs al canalului.
b) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat
strpungerii prin multiplicare n avalan care apare la captul
dinspre dren al canalului.
c) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat
strpungerii prin efect tunel care apare la captul dinspre dren al
canalului.
d) Fenomenul apare la tensiuni mari dren surs i este datorat
strpungerii prin efect tunel care apare la captul dinspre surs al
canalului.
36.
3p

Caracteristicile statice din figura 5.3 pun n evidena fenomenul de

strpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de cmp.
Exist, de asemenea strpungere la nivelul jonciunii de poart. Evitarea
acestui fenomen se face prin:
a) limitarea tensiunilor inverse pe poart;
b) limitarea tensiunilor directe pe poart;
c) limitarea tensiunilor inverse pe dren;
d) limitarea tensiunilor directe pe dren.

37.
3p

Pentru un TECJ, o dat cu creterea temperaturii:

86

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

a) IDSS scade iar VT crete;

b) IDSS crete iar VT scade;
c) IDSS i cresc;
d) IDSS i VT scad.
Pentru notaii vezi figura 5.4
38.
3p

Pentru un TECJ, o dat cu creterea temperaturii:

a) iD scade dac iD>IZ;
b) iD crete dac i D>IZ;
c) iD scade dac iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
pentru notaii vezi figura 5.4

39.
4p

Pentru un tranzistor cu efect de cmp:

iD
T1
T2>T1

IDSS1
IDSS2

T2

Z
IZ
VT2 VT1

VGZ

vGS

Figura 5.4

a) problema ambalrii termice se rezolv ca i n cazul

tranzistoarelor bipolare;
b) problema ambalrii termice nu se pune;
c) problema ambalrii termice nu se pune dac ID<IZ;
d) problema ambalrii termice nu se pune dac ID>IZ.
unde ID curentul de dren din punctul static de funcionare, iar pentru IZ
vezi figura 5.4.
40.
3p

O dat cu variaia temperaturii caracteristicile de ieire ale unui TECJ se

modific ca n figura notat (urmrii relaia dintre T1 i T2):
a)

b)
iD

iD
T1

T2<T1

T1

IDSS1

T2>T1

IDSS2

IDSS1
IDSS2

T2

Z
IZ
VT2 VT1

T2

VGZ

IZ
VT2 VT1

vGS

87

VGZ

vGS

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
iD

T1 T2

iD

T1 T2

T1

IDSS1
IDSS2

IDSS2

T2

T2

Z
IZ

VT2 VT1

41.
3p

T1

IDSS1

VGZ

IZ
VT2 VT1

vGS

VGZ

vGS

Un posibil model matematic pentru un TECJ pentru regimul cvasistatic

de semnal mic este:
a) id=0
i
id=gmvds
b) ig=0
i
id=gmvgs
c) id=0
i
id=gmvds
d) ig=0
i
id=gmvgs
unde
ig
id
vgs
vds
gm =

42
3p

curent de gril (valoare instantanee de semnal)

curent de dren (valoare instantanee de semnal)
tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal)
tensiune de dren-sursa (valoare instantanee de semnal)
2I D
VGS vT

Tranconductan mutual a unui TECJ are expresia:

2I d ;
VGS VT
b) g m = 2 I D ;
Vgs VT

a) g m =

2I D ;
VGS VT
d) g m = 2 I d .
Vgs VT

c) g m =

43
3p

Schema echivalent ce corespunde modelului matematic

ig=0
id=gmvgs
al unui TECJ pentru regimul cvasistatic de semnal mic este
prezentat n figura:

88

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

a)

b)
G

vgs

gmvgs

vgs

gmvgs

c)

d)
G

vgs

gmvgs

gmvgs

44.
2p

vgs

Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:

a) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
b) polarizarea direct a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
c) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
precum i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

45.
3p

Aa numitul circuit cu negativare automat utilizat pentru polarizarea

unui TECJ este prezentat n figura notat:
a)

b)
ED

ED

RG

RS

89

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
ED

RG

46.
3p

ED

RS

RS

Figura 5.5 prezint aa numitul circuit cu negativare automat utilizat

pentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalent de semnal mare ce i
corespunde este:
ED

RG

RS

Figura 5.5

a)

b)
G

ID
VDS

VGS

S
ED

RS

RG

ED

RS

d)

c)
G

ID
VGS

D
ID

VDS

VGS

S
RG

47
4p

VDS

VGS

S
RG

D
ID

VDS

S
RS

ED

RG

RS

ED

Figura 5.6 prezint schema echivalent de semnal mare a circuitului din

figura 5.5. Cderea de tensiune VGS are expresia:

90

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

D
ID

VGS

VDS

a)
b)
c)
d)
48.
2p

ED

RS

RG

Figura 5.6

VGS=RSID
VGS=-RGID
VGS=-RSID
VGS=-RGIG

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dac:
ED
RD
iD

iO

iIN
vO

vIN

a)
b)
c)
d)

vIN<VT
vIN>VT :
vIN>VT :
vIN>VT :

Figura 5.7

i
i
sau

vDS>vDSsat
vDS<vDSsat
vDS<vDSsat

49.
2p

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun.

Tranzistorul este n regiunea de saturaie dac:
a) vIN<VT
b) vIN>VT :
i
vDS>vDSsat
c) vIN>VT :
i
vDS<vDSsat
d) vIN>VT :
sau
vDS<vDSsat

50.
2p

Figura 5.8 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun.

Tranzistorul este n regiunea liniar dac:
a) vIN<VT
b) vIN>VT :
i
vDS>vDSsat
c) vIN>VT :
i
vDS<vDSsat
d) vIN>VT :
sau
vDS<vDSsat

51.
2p

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul este blocat schema se modeleaz ca n figura notat:
91

Elemente de electronic analogic - teste

a)

b)
ED

ED

v IN

RD

iD

iIN

G
vGS

RD

iO

iIN

D
vIN

vO

c)

G
v GS

iD
vO

d)
ED

ED

RD
iIN
vIN

52.
2p

G
v GSE

iIN

R
vO

vIN

vGS

vO
S

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul opereaz n regiunea de saturaie schema se modeleaz ca n
figura notat:
a)
b)
ED

v IN

RD

iD

iIN

G
vGS

ED
RD

iO

iIN

D
vIN

vO

c)

G
v GS

iD
vO

d)
ED

ED

RD
iIN
vIN

53.
2p

G
v GSE

iIN

D
S

R
vO

vIN

vGS

R
vO

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul opereaz n regiunea liniar schema se modeleaz ca n
figura notat:

92

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

a)

b)
ED

ED

v IN

RD

iD

iIN

G
vGS

RD

iO

iIN

D
vIN

vO

c)

G
v GS

iD
vO

d)
ED

ED

RD
iIN
vIN

54.
4p

G
v GSE

iIN

D
S

R
vO

vGS

R
vO

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul opereaz n regiunea liniar tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

v
b) vO=ED- RD I DSS 1 GS
VT

c) vO= ED

R
;
R + RD

v
d) vO=ED+ RD I DSS 1 GS
VT

55.
2p

vIN

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul opereaz n regiunea de saturaie tensiunea de ieire are
expresia:
a) vO=ED;

v
b) vO=ED- RD I DSS 1 GS
VT

c) vO= ED

R
;
R + RD

v
d) vO=ED+ RD I DSS 1 GS
VT

93

Elemente de electronic analogic - teste

56.
2p

Figura 5.7 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun. Dac
tranzistorul este blocat tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

v
b) vO=ED- RD I DSS 1 GS
VT

c) vO= ED

R
;
R + RD

v
d) vO=ED+ RD I DSS 1 GS
VT

57.
2p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura notat:
a)
b)
ED

ED
RD

RD

C1

C1
C2

Vin

C2
V0

RG

V0

Vin

RS

RS

d)

c)
ED

ED
RD

RD

C1

C1
C2

Vin

58.
1p

CS

C2
V0

RG

RS

Vin

CS

V0
RS

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RG:

94

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

ED
RD
C1
C2
Vin

a)
b)
c)
d)

V0
RG

RS

CS

Figura 5.8

face parte din circuitul de negativarea automat;

este rezistor de sarcin;
este rezistor de limitare;
asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

59.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RS
a) face parte din circuitul de negativarea automat;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

60.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistorul RD
a) face parte din circuitul de negativarea automat;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

61.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul C1
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

62.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul C2
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ

95

Elemente de electronic analogic - teste

neavnd nici un efect.

b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.
63.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Condensatorul CS
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

64.
3p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Amplificarea n
tensiune definit prin: AV = Vo este:
Vin
a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS

65.
3p

Schema unui etaj de amplificare n conexiunea surs comun este

prezentat n figura 5.8. Schema echivalent de semnal mic regim
cvasistatic este prezentat n figura notat:

a)

b)
Iin

Vin

G
RG Vgs

D
gVgs

Iin

Io
RD

Vo

Vin

G
RG Vgs

D
gmVgs
S

96

Io
RD

Vo

Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

c)

d)
Iin

Vin

G
RG Vgs

D
gmVgs

Iin

Io
RD

Vo

Vin

G
RG Vgs

D
gmVgs

Io
RD

66.
3p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistena de
intrare este:
a) Rin=RG
b) Rin=RS
c) Rin=RG
d) Rin=RS

67.
3p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 5.8. Rezistena de
ieire este:
a) Ro=RD
b) Ro=RD
c) Ro=RS
d) Ro=RS
Rspuns corect a.)

97

Vo

Elemente de electronic analogic - teste

Rspunsuri
1
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.

Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect d)

35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
48.
49.
50.
51.
52.
53.
54.
55.
56.
57.
58.
59.
60.
61.
62.
63.
64.
65.
66.
67.

98

Rspuns corect b.)

Rspuns corect a.).
Rspuns corect d.)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect d)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d.)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect a.)