Capitolul 6

Tranzistoare cu efect de cmp

metal oxid semiconductor
1.
2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp metal oxid

semiconductor cu canal initial este prezentat n figura notat cu:
a)
b)
S

G
SiO2
n

p++

G
SiO2

n++

++

++

canal

canal

B
S

c)

jonciune
p-n
n

B
S

d)
S

jonciune
p-n
n

++

SiO2
n

++

n
canal

canal
p

B
S

G
S

2.
2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp de cmp metal oxid

semiconductor cu canal indus este prezentat n figura notat cu:
a)
b)
S

p++

G
SiO2
n

n++

n++

SiO2
n++

canal

canal

B
S

B
S

99

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
G

jonciune
p-n
n

jonciune
p-n

G
SiO2
n

++

n
D

++

canal

canal
p

B
S

G
S

3.
1p

Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se
numete:
S

SiO 2
n

++

++

canal
p

a)
b)
c)
d)

surs;
dren;
gril;
substrat

S
Figura
6.1

4.
1p

Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

5.
1p

Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se
numete:

6.
1p

Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se
numete:

100

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat
Rspuns corect d)
7.
1p

Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se
numete:
S

SiO2
++

++

n
canal
p

a)
b)
c)
d)

surs;
dren;
gril;
substrat

S
Figura
6.2

8.
1p

Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

9.
1p

Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

10.
1p

Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se
numete:

101

Elemente de electronic analogic - teste

a)
b)
c)
d)
11
1p

surs;
dren;
gril;
substrat

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

a.)

b.)

c.)

D
B

12
1p

B
S

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

b.)

c.)

d.)

B
S

Simbolul unui TECMOS cu canal inial tip n este:

a.)

b.)

c.)

d.)

14
1p

D
B

a.)

13
1p

d.)
D

B
S

Simbolul unui TECMOS cu canal iniial tip p este:

102

B
S

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

a.)

b.)

c.)

15.
2p

d.)

B
S

n cazul unui TECMOS canalul este situat:

a) la suprafaa structurii (interfaa Si-SiO2 ), fcnd legatura dintre
drena i surs;
b) n volumul structurii, fcnd legatura dintre drena i surs;
c) la suprafaa structurii (interfaa Si-SiO2 ), dar numai n partea
dinspre dren;
d) n volumul structurii, dar numai n partea dinspre dren;

16.
1p

Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de

cmp:
a) numai cu canal n:
b) numai cu canal p;
c) att cu canal n ct i cu canal p;
d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau
TECMOS).

17.
2p

Curentul principal din TECMOS se stabilete ntre:

a)
b)
c)
d)

gril i dren;
surs i dren;
surs i gril;
gril i dren.

18.
2p

Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabilete ntre surs

i dren. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

19.

Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabilete ntre surs

103

Elemente de electronic analogic - teste

2p

i dren. El este constituit din:

a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

20
3p

Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circul ntre surs i

dren - circul printr-un canal, a crui conductan este modificat
electric de potenialul de pe gril. n cazul TECMOS cu canal iniial:
a) potenialul grilei modific lungimea canalului i prin aceasta
rezistena canalului;
b) potenialul grilei modific seciunea canalului i prin aceasta
rezistena canalului;
c) potenialul grilei modific limea canalului i prin aceasta
rezistena canalului;
d) potenialul grilei modific concentraia purttorilor din canal i
prin aceasta rezistena canalului.

21.
1p

Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

iO

vIN

vIN

vO

d)

c)
iO

iO

iIN
iIN

vO

vIN

vO

vIN

22
1p

Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iO
iIN

iIN
vO

vIN

vIN

104

iO
vO

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

c)

d)
iO

iO

iIN
iIN

vO

vIN

vO

vIN

23.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

prezentat n figura notat:
b)
a)
iO

iIN

iIN

vO

iO

vIN

vIN

c)

vO

d)
iO

iO

iIN
iIN

vO

vIN

vO

vIN

24.
1p

Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

iO

vIN

vIN

c)

vO

d)
iO

iIN
iIN

vO

vIN

iO
vO

vIN

25.
1p

Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

prezentat n figura notat:
105

Elemente de electronic analogic - teste

a)

b)
iO

iIN

iIN

vO

iO

vIN

vIN

c)

vO

d)
iO

iO

iIN
iIN

vO

vIN

vO

vIN

26.
1p

Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iO

iIN

iIN

vO

iO

vIN

vIN

vO

d)

c)
iO

iIN
iIN

vO

vIN

iO
vO

vIN

27.
2p

ntruct grila unui TECMOS este izolat de canal printr-un strat de

bioxid de siliciu curentul de gril este:
a) iG = iG (vDS )
U GS = const .

b) iG = iG (vGS )
U GS =const .

c) iG 0
d) iG =

vDS
rDS

106

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

28.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

iniial de tip n. Cu I a fost notat:
iD

vGS-vT

III.

IV.
vGS=0.1V

II.

vGS=0V
I.

vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 6.3

a)
b)
c)
d)

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

29.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

iniial de tip n. Cu II a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

30.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

iniial de tip n.Cu III a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

31.
1p

Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

iniial de tip n. Cu IV a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

32.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

indus de tip n. Cu I a fost notat:

107

Elemente de electronic analogic - teste

iD

vGS-vT

III.

IV.
vGS=8V

II.

vGS=6V
I.

vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT
vDS

a)
b)
c)
d)

regiunea de blocare;
regiunea liniar;
regiunea de cot;
regiunea de saturaie.

Figura 6.4

33.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

indus de tip n. Cu II a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

34.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

indus de tip n.Cu III a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

35.
1p

Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

indus de tip n. Cu IV a fost notat:
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

36.
2p

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca

a)
b)
c)
d)

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

108

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

37.
2p

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca

a)
b)
c)
d)

38.
2p

Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca

a)
b)
c)
d)

39.
3p

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

rezisten comandat;
un generator de curent comandat;
un circuit ntrerupt;
un generator de tensiune comandat.

Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
Regiune
de cot

iD

iD

vGS-vT
Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=4V

vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT

vDS

c)

vDS

d)
Regiune
de cot

iD

iC

vGS-vT

v CB=0

Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=0.1V
vGS=0V
vGS=2V
vGS=-4V

Regiune de
blocare

vGS=VT

40.
3p

vGS=8V
vGS=6V

Regiune de
blocare

vGS=-4V
vGS=VT

Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=2V
vGS=0V

Regiune de
blocare

vGS-vT

Regiune
de cot

iB4

Regiunea activ normal

Regiunea de
saturatie

iB3
iB2

Regiunea de
blocare

iB1

vDS

vCE

Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
Regiune
de cot
Regiune
liniara
Regiune de
blocare

iD

iD

vGS-vT

Regiune
de cot

Regiune de saturatie
vGS=4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=-4V
vGS=VT

Regiune
liniara
Regiune de
blocare

vDS

109

vGS-vT
Regiune de saturatie
vGS=8V
vGS=6V
vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT
vDS

Elemente de electronic analogic - teste

c)

d)
Regiune
de cot

iD

iC

vGS-vT
v CB=0

Regiune de saturatie

Regiune
liniara

vGS=0.1V
vGS=0V
vGS=2V
vGS=-4V

Regiune de
blocare

vGS=VT

41.
3p

Regiunea activ normal

Regiunea de
saturatie

iB3
iB2

Regiunea de
blocare

iB1

vDS

vC E

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniial n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iD

iD

IDSS

VT

1V

VT

vGS

v GS

d)

c)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

42.
3p

1V vGS

vBE

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este

prezentat n figura notat:
a)
b)
iD

iD

IDSS

VT

1V

VT

vGS

v GS

d)

c)
iD

iB
vCE1
vCE2>vCE1

IDSS
VT

43.
3p

1V vGS

vBE

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n

regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
110

iB4

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

a) iG=0

iD=0

b) iG=0

iD =

c) iG=0

v
i D = G o 1 GS
VT

iB =

v
exp BE
F
eT

d) iC = I S exp v BE
e
T

44.
3p

iD =

c) iG=0

d) iC = I S exp v BE
e
T

(vGS VT )2

IS

u DS

(vGS VT )

v
i D = G o 1 GS
VT

iB =

v
exp BE
eT

IS

u DS

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n

regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0
i
iD=0

2
b) i =0
i
iD =

c) iG=0

d) iC = I S exp v BE
e
T

46.
3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n

regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0
i
iD=0

2
b) i =0
i
G

45.
3p

(vGS VT )

v
i D = G o 1 GS
VT

iB =

v
exp BE
eT

IS

u DS

Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea liniar regim cvasistatic de semnal mare - este:

111

Elemente de electronic analogic - teste

a)

b)
B

iB

vBE

D
v GS

Fi B

c)

d)
G

D
vGS

47.
3p

(vGS VT )2

vGS

iB

vDS

vBE

D
v GS

Fi B

R
S

c)

d)
G

D
vGS

(vGS VT )2

vGS

vDS

Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea de

blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
b)
B

iB

vBE

D
v GS

FiB

R
S

c)

d)
G
S

D
vGS

49.
3p

Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea de

saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
b)
B

48.
3p

(vGS VT )2

D
vGS

Pentru un TECMOS, o dat cu creterea temperaturii:

112

vDS

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

iD
T2>T1

T1

IDSS1
IDSS2

T2

Z
IZ
VT2 VT1

a) IDSS scade iar VT crete;

b) IDSS crete iar VT scade;
c) IDSS i cresc;
d) IDSS i VT scad.
Pentru notaii vezi figura 6.4
50.
3p

VGZ

vGS

Figura 6.5

Pentru un TECMOS, o dat cu creterea temperaturii:

a) iD scade dac iD>IZ;
b) iD crete dac i D>IZ;
c) iD scade dac iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
Pentru notaii vezi figura 6.4

51.
3p

O dat cu variaia temperaturii caracteristicile de ieire ale unui

TECMOS se modific ca n figura notat (urmrii relaia dintre T1 i
T2):
a)
b)
iD

iD
T1

T2<T1

T1

IDSS1

T2>T1

IDSS2

IDSS1
IDSS2

T2

T2

Z
IZ

VT2 VT1

IZ

VGZ

VT2 VT1

vGS

VGZ

d)

c)
iD

T1 T2

iD

T1 T2

T1

IDSS1
IDSS2

IDSS2

T2

T2

Z
IZ

VT2 VT1

T1

IDSS1

52.

vGS

VGZ

IZ
VT2 VT1

vGS

VGZ

vGS

Un posibil model matematic pentru un TECMOS pentru regimul

113

Elemente de electronic analogic - teste

3p

cvasistatic de semnal mic este:

a) id=0
i
id=gmvds
b) ig=0
i
id=gmvgs
c) id=0
i
id=gmvds
d) ig=0
i
id=gmvgs
unde
ig
id
vgs
vds

curent de gril (valoare instantanee de semnal)

curent de dren (valoare instantanee de semnal)
tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal)
tensiune de dren-sursa (valoare instantanee de semnal)

gm =

53.
3p

2I D
VGS VT

Tranconductan mutual a unui TECMOS are expresia:

a) g m = (vGS VT )2 ;
b) g m =

2I D ;
Vgs VT

c) g m = (vGS VT ) ;
d) g m = 2 I d .
Vgs VT
54.
3p

Schema echivalent ce corespunde modelului matematic

ig=0
id=gmvgs
al unui TECMOS pentru regimul cvasistatic de semnal mic este
prezentat n figura:
a)
b)
G

vgs

vgs

gmvgs

gmvgs

c)

d)
G

vgs

gmvgs

gmvgs

114

vgs

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

55.
2p

Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

a) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
b) polarizarea direct a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
c) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
precum i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;

56.
3p

Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

TECMOS cu canal indus de tip n:
a) este ntotdeauna pozitiv;
b) este ntotdeauna negativ;
c) poate fi att pozitiv ct i negativ;
d) este ntotdeauna zero.

57.
3p

Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

TECMOS cu canal indus de tip p:
a) este ntotdeauna pozitiv;
b) este ntotdeauna negativ;
c) poate fi att pozitiv ct i negativ;
d) este ntotdeauna zero.
Rspuns corect b)

58.
3p

Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

TECMOS cu canal iniial de tip n:
a) este ntotdeauna pozitiv;
b) este ntotdeauna negativ;
c) poate fi att pozitiv ct i negativ;
d) este ntotdeauna zero.

59.
3p

Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

TECMOS cu canal iniial de tip p:

115

Elemente de electronic analogic - teste

a)
b)
c)
d)
60.
3p

este ntotdeauna pozitiv;

este ntotdeauna negativ;
poate fi att pozitiv ct i negativ;
este ntotdeauna zero.

Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notat:
a)
b)
+ED

+ED
R1

R1

RC

R2

R2

c)

RC

RS

d)
-ED

-ED
R1

R1

RC

R2

R2

61.
3p

RC

RS

Pentru un TECMOS cu canal inial de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notat:
a)

b)
+ED

+ED
R1

R1

RC

R2

R2

116

RC

RS

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

c)

d)
-ED

-ED
R1

R1

RC

R2

62.
2p

R2

RC

RS

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este
blocat dac:
ED
iD

RD

vIN

a)
b)
c)
d)

vIN<VT
vIN>VT :
vIN>VT :
vIN>VT :

vO

Figura 6.6

i
i
sau

vDS>vDSsat
vDS<vDSsat
vDS<vDSsat

63.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este n
regiunea de saturaie dac:
a) vIN<VT
b) vIN>VT :
i
vDS>vDSsat
c) vIN>VT :
i
vDS<vDSsat
d) vIN<VT :
sau
vDS<vDSsat

64.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este n
regiunea liniar dac:
a) vIN<VT
b) vIN>VT :
i
vDS>vDSsat
c) vIN>VT :
i
vDS<vDSsat
d) vIN>VT :
sau
vDS<vDSsat
117

Elemente de electronic analogic - teste

65.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul este
blocat schema se modeleaz ca n figura notat:
a)
b)
ED

iD

RD
G

(vGS

VT )

ED
RD

v IN

iD

vO

vGS

vIN

vO

c)

d)
ED

ED

RD
G
vIN

iIN

v GS

R vO

vIN

vGS

vO
S

66.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul
opereaz n regiunea de saturaie schema se modeleaz ca n figura
notat:
a)
b)
ED

iD

RD
G

(vGS

VT )

ED
RD

v IN

iD

vO

vIN

vGS

vO

c)

d)
ED

ED

RD
G
vIN

v GS

iIN

vIN

R vO

vGS
S

118

R
vO

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

67.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul
opereaz n regiunea liniar schema se modeleaz ca n figura notat:
b)
a)
ED

iD

RD
G

(vGS

VT )

ED
RD

v IN

iD

vO

vGS

vIN

vO

c)

d)
ED

ED

RD
G
vIN

iIN

v GS

R vO

vIN

vGS

R
vO

68.
4p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul
opereaz n regiunea liniar tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

2
b)
;
RD (vIN VT )
2
R
c) vO= ED
;
R + RD
vO = ED

d) vO = E D RD (vIN + VT )2 .
2

69.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul
opereaz n regiunea de saturaie tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED RD (vIN VT )2 ;
2
c) vO= ED

R
;
R + RD

119

Elemente de electronic analogic - teste

d) vO = E D RD (vIN + VT )2 .
2
70.
2p

Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun

construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul este
blocat tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED RD (vIN VT )2 ;
2
c) vO= ED

R
;
R + RD

d) vO = E D RD (vIN + VT )2 .
2
71.
2p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura notat:
a)
b)
+ED
RG1
Iin

Vin

-ED

RD

C1

Iin

C2
Vo

RG2

Vin

RS

RG1

RD

C1

C2
Vo

RG2

RS

d)

c)
+ED
RG1
Iin

Vin

72.
1p

-ED

RD

C1

Iin

C2
Vo

RG2

RS

Vin

CS

RG1

RD

C1

C2
Vo

RG2

RS

CS

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul RG1
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

120

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

73.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul RG2
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

74.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul RS
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

75.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul RD
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

76.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul C1
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

77.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul C2
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.

121

Elemente de electronic analogic - teste

d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd

componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.
78.
1p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul CS
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

79.
3p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Amplificarea n
tensiune definit prin: AV = Vo este:
Vin
a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS

80.
3p

Schema unui etaj de amplificare n conexiunea surs comun este

prezentat n figura 6.6. Schema echivalent de semnal mic regim
cvasistatic este prezentat n figura notat:
a)
b)
Iin

Vin

G
RG Vgs

D
gVgs

Iin

Io
RD

Vo

Vin

G
RG Vgs

gmVgs

Io
RD

Vo

c)

d)
Iin

Vin

G
RG Vgs

D
gmVgs

Iin

Io
RD

Vo

81.
3p

Vin

G
RG Vgs

D
gmVgs

Io
RD

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistena de
intrare este:
122

Vo

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

a) Rin = RG1 RG 2 =

RG1 RG 2
RG1 + RG 2

b) Rin=RS
c) Rin = RG1 RG 2 =

RG1RG 2
RG1 + RG 2

d) Rin=RS
82.
3p

Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistena de
ieire este:
a) Ro=RD
b) Ro=RD
c) Ro=RS
d) Ro=RS

123

Elemente de electronic analogic - teste

Rspunsuri
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
65.

Rspuns corect d)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect d)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)

33.
34.
35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
48.
49.
50.
51.
52.
53.
54.
55.
56.
57.
58.
59.
60.
61.
62.
63.
64.

124

Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns
Rspuns

corect b)
corect c)
corect d)
corect a)
corect c)
corect b)
corect c)
corect b)
corect c)
corect b)
corect a)
corect b)
corect a)
corect b)
corect c)
corect d)
corect d.)
corect a.)
corect b)
corect d.)
corect c)
corect a)
corect a)
corect a)
corect b)
corect c)
corect c)
corect a)
corect b)
corect a)
corect b)
corect b)

Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor

66.
67.
68.
69.
70.
71.
72.
73.
74.
75.
76.
77.
78.
79.
80.
81.
82.

Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect c)
Rspuns corect b)
Rspuns corect a)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect a)
Rspuns corect b)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect d)
Rspuns corect b)
Rspuns corect c)
Rspuns corect a.)
Rspuns corect a.)

125