Elecronic Digitala

Comutator electronic cu TECMOS

* exemplu: structura fizic a unui TECMOS cu canal indus:

- funcionare, caracteristici, parametri:

- ecuaiile lui Sah:

iD 0 dac: vGS

Vp

(tranzistor blocat)

vDS
iD k vGS V p vDS

iD

k
vGS Vp 2
2

cu: VDsat

vGS V p

dac: vGS

V p ; vDS VDsat

(tranzistor n regiunea liniar);

dac:

vGS V p ; vDS VDsat ;

(tranzistor n saturaie);

- parametri:
- tensiunea de prag:
- dependent de tensiunea surs substrat;
- dependent de temperatur (mai puin ca la TBIP);

Elecronic Digitala
- se poate controla foarte bine n limite largi prin concentraia de
impuriti din izolator;
- valori tipice: 1,5 3V ;
- importan: micorarea tensiunii de prag micorarea tensiunii de
alimentare i a puterii disipate;
- factorul de conducie:

k Cox
-

Z
L

mobilitatea purttorilor de sarcin din canal (electroni);

Cox capacitatea specific a izolatorului, pF / mm2 ;

- L, Z - discuie: limitri sus i jos;
Z
geometria tranzistorului: poate fi >1 sau <1, n raport de funcia
L
-

pe care o ndeplinete tranzistorul;

- TEC MOS blocat:
- I rez foarte mic ( nA ), neglijabil;
- conductan foarte mic, neglijabil;
- TEC MOS n conducie:
- generator de curent comandat de tensiunea de la intrare;
- tensiunea rezidual este nul;
- rezistena serie pentru tensiuni dren surs de valori mici (n jurul
originii) este mic, sute de ;
- caracteristica de intrare:
- curent foarte mic, I int
- rezistena de intrare:

10 12 A ;

Rint 1012 ;

- N max - nelimitat.
- regim tranzitoriu:
a) comutarea tranzistorului intrinsec apariia/dispariia canalului
la aplicarea unui cmp electric foarte rapid timp de comutare neglijabil fa
de ali timpi de comutare, viteza de deplasare a purttorilor n semiconductor;
b) comutarea elementelor extrinseci:
- capacitatea poart surs;
- capacitatea poart dren;
- capacitatea de barier surs-substrat i dren-substrat;
- capacitile parazite;
- toate neliniare, distribuite i dependente i de sarcin.
Inversor nMOS cu sarcin rezistiv:

Elecronic Digitala
* schema:

* caracteristica de transfer:
- vi V pa , vo VoH VDD ;
- vi

V pa ; T n saturaie: iRd iDa :

vi V pa
VDD vo
ka
Rd
2
2

vo VDD k a Rd
- pentru: vi

Vi1 ,

vi V pa 2
2

TMOS trece n zona liniar: vo

ka Rd
Vi1 Vpa 2
2
- vi V pa , T n regiunea liniar: iR iDa :
d
Vi1 V pa VDD

Vi1 V pa Vo1 ;

se deduce Vi1 i apoi i Vo1 .

VDD vo
vo2
ka vi V pa vo
Rd
2

vo vi V pa

2
2

vi V pa
ka Rd
ka Rd

* nivelele logice:

2VDD

ka Rd

Elecronic Digitala
- VoH

VDD ;

VoL vo (VoH ) VDD

2
2
V pa
VDD V pa
ka Rd
ka Rd

2VDD

ka Rd

- prin dezvoltare n serie:

VDD
ka Rd VDD V pa
- este necesar ca: Rd ct mai mare i k a
VoL

ct mai mare;

* marginile de zgomot:

MZL Vi ' (1) VoL ; MZH VoH Vi '' (1)

2
8 VDD
1

; Vi ' ' ( 1) V pa
Vi ' (1) V pa
ka Rd
3 ka Rd
ka Rd
- tensiunea de transfer logic rezult din relaia: vo (V prL ) V prL ;
- caracteristici de alimentare:

I DDL

VDD VoL VDD

; I DDH 0;

Rd
Rd

2
VDD
Pd
; comentarii.
2 Rd

* regimul tranzitoriu:

- P1-P2: timp de comutare neglijabil;

- P2-P3: T saturat:

Elecronic Digitala

VDD V pa
1
i

k
iD t ; D
a
2
Cs

vo (t ) VDD

- se termin faza cnd TMOS intr n zona liniar:

V1 VDsat VDD V pa ; rezult:

t1

CsV pa
ka
VDD Vpa 2
2

- constanta de timp:

V pa
V pa
2Cs

a
ka VDD V pa VDD V pa
VDD V pa

2Cs
k a VDD V pa

- P3-P4: TMOS n zona liniar:

vo2
iD ka VDD V pa vo
2

se neglijeaz iR :
d

dvo
vo2
Cs
ka VDD V pa vo
dt
2

ka
dvo
dt
se integreaz:
2
2Cs
2VDD V pa vo vo

Elecronic Digitala
vo
1

ka
1
1
t

dvo
2Cs
V DD V pa 2VDD V pa )
vo 2VDD V pa vo

ka
1
vo
t
ln
2Cs
2VDD V pa ) 2VDD V pa vo
2VDD V pa vo

t a ln
;
2
vo
- se deduce simplu:

vo (t ) 2VDD V pa

VDD V pa 1 th

1
2t

1 e
- timpul de comutare t 2 se deduce:

vo (t2 ) 0,1VDD V pa

t2

a
2

ln 19 1,45 a .

- comparaie pentru diferite posibiliti de descrcare a unei capaciti;

* comutarea invers:
- ncrcare prin rezisten fix (de valoare mare) la sursa de tensiune:
- fenomenele fizice: compararea curenilor de descrcare a capacitii cu
curentul de ncrcare a capacitii: tinc tdesc .

vo (t ) VDD VoL VDD e

t f 2,3Cs Rd - foarte mare

t
Rd C s

Inversorul NMOS cu sarcin TMOS n zona liniar

Elecronic Digitala

- apar astfel de scheme n structuri nMOS dinamice;

- se folosesc dou surse de tensiune de alimentare;
- tranzistoarele sunt ambele cu canal indus;
- se obine o rezisten dinamic mai mic pentru ncrcarea capacitii de
sarcin;
- tranzistorul de sarcin ocup o suprafa mult mai mic dect rezistena de
dren;
- nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de alimentare VDD ;
- nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor dou tranzistoare;
- parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul precedent;
- s-a folosit ca circuit logic n cazul tranzistoarelor MOS cu canal P la care
tensiunea de prag nu putea fi bine controlat, tensiunile de alimentare fiind
relativ mari pentru a putea acoperi dispersiile acesteia;
- timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai schemei precedente, cu avantajul
c, la integrare, suprafaa ocupat de acest circuit este mult mai mic dect a
celui precedent i, deci, i capacitile parazite sunt mult mai mici.

Inversorul NMOS cu sarcin TMOS saturat

* o schem mai mult folosit, n special pentru circuite de memorare static;

Elecronic Digitala

- elimin sursa suplimentar;

- tranzistor amplificator; tranzistor de sarcin;
* caracteristica de transfer:

V pa V p - Ta blocat, Ts n zona liniar:

1
2
- iDs VDD V p VoH 0
2
- VoH VDD V ps VDD V p
- vi V pa V p , Ta deschis la saturaie; Ts n saturaie:
- vi

- egalitatea curenilor:

ka

vi V p 2 k VDD vo V p 2
2

ka
; rezult:
ks
vo VDD V p avi V p

cu notaia:

a2

- caracteristic liniar, cu panta ce reprezint i amplificarea de tensiune pe care

o realizeaz acest montaj;

Elecronic Digitala
- vi

V pa V p , Ta n zona liniar, Ts n saturaie:

ks
vo2
2
VDD V p vo ka vi V p vo
2
2

2
- se amplific cu
i se ordoneaz dup puterile lui vo ;
ks

vo2 (1 a 2 ) 2vo vi V p a 2 VDD V p VDD V p 0

- de aici se deduce simplu vo (vi ) ;
- trecerea ntre cele dou zone:

Vi1 V pa Vi1 V p Vo1 ; se obine:

VDD V p VDD aVp
;
Vi1 V p

1 a
1 a

* tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:

- pentru vi VoH VDD V p , rezult aproximativ:
2

VDD V p
VoL 2
2a VDD 2V p

- comentarii:

a , VDD V p ;

- semnificaia lui

ka
Z a Ls

ks
Z s La

- margini de zgomot statice:

Vi ' (1) V p ;

Vi '' (1) V p

VDD V p 2a
1 ;

2
a
3

- tensiunea de prag logic:

V prL

VDD V p aVp
1 a

* caracteristici de alimentare:

I DDH 0;
I DDL

ks
VDD V p 2 ka2 VDD V p 2
2
2a

Elecronic Digitala

Pd

ka
2

V
V

V
DD
DD
p
4a 2

* regim tranzitoriu

- comutarea direct: dac se neglijeaz curentul tranzistorului de sarcin,

descrcarea capacitii de sarcin se face prin tranzistorul amplificator, ca la
inversorul cu sarcin rezistiv:
- P2-P3, zona de saturaie:

Elecronic Digitala

1
k
2
iDat VDD V p a VDD 2V p t ;
Cs
2Cs
vo (t P 2 P3 ) VDsat a VGSa V p VoH V p VDD 2V p ;
Vp
Vp
2Cs
;
tP 2 P3
a
ka VDD 2V p VDD 2V p
VDD 2V p
vo (t ) vo (0)

- P3-P4, zona liniar:

t
vo (t ) VDD 2V p 1 th ;
a

t P 3 P 4 1,45 a
- comutarea invers: tranzistorul amplificator se blocheaz i capacitatea
de sarcin se ncarc prin tranzistorul de sarcin ce funcioneaz n
zona de saturaie:

dvo k s
2
VDD V p vo
dt
2
2Cs vo
dvo
=
t

2
k s VoL VDD V p vo
Cs

2Cs vo
dvo
sau:
t

2
k s 0 VDD V p vo
2Cs
vo
vo
t
s
;
k s VDD V p VDD V p vo
VDD V p vo

Elecronic Digitala

2Cs
k s VDD V p
t
;
vo (t ) VDD V p
t s

t P 4 P1 9 s ;

s aa2 ;

vo (t P 4 P1 ) 0,9VDD V p
t P 4 P1 t P 2 P 4 .

- comentarii:
- nMOS nlocuit cu nMOS cu canal iniial;
- tranzistoare complementare CMOS;
- scheme dinamice.
* structuri logice elementare cu inversoare nMOS:

SAU-NU
- circuite de tip buffer:

inversor

- poarta de transmisie:

I-NU

I-SAU-NU

neinversor

Elecronic Digitala

- circuit basculant bistabil:

Structuri numerice cu inversoare CMOS

schema de principiu inversor CMOS standard

Elecronic Digitala

- parametrii tranzistoarelor:
n

- tensiunile de prag: V p

V pp 1,5V ;

- factorul de conducie intrinsec:

- 16 A / V pentru canal N i 6 A / V pentru canal P;
- factorii geometrici alei n aa fel nct factorii de conducie s fie ct
mai apropiai:
2

kn k p

Zn Z p

Ln L p

nivelele logice ale inversorului CMOS:

- cele dou tranzistoare funcioneaz n contratimp;
- nivelele logice nu depind de raportul dintre cei doi factori de conducie;

- din grafice: VoH

- analitic:

VDD ; VoL 0

VDD VoH
p
k p VDD V p VDD VoH
0;
2

deci: VoH 0;

iDp

Elecronic Digitala

iDn

VoL
n
kn VDD V p VoL
; deci: VoL 0.
2

Concluzie:
- nivele logice bine precizate, independente de condiiile reale de
funcionare (inversor ideal);
- utilizarea integral a tensiunii de alimentare (inversor ideal).
* influena rezistenei de sarcin:
- pentru Rs cuplat la mas, VoH scade (la valori peste 20k) ;
- pentru

Rs

cuplat la VDD , VoL crete (la valori peste

20k) ;

caracteristica de transfer:

* 5 zone ale caracteristicii:

* zona I, pentru

0 Vi V pn , Tn blocat, Tp n zona liniar:

VDD VoH
p
k p VDD VoH V p VDD VoH
0;
2

vo VDD VoH ;

* zona II: vi

V pn , Tn saturat; Tp liniar;

V v
k p VDD vi V pp VDD vo DD o kn
2

p 2
vi V p

Elecronic Digitala
- se noteaz:

kn
a2
kp

vo vi V pp

i rezult:

DD

vi V pp

a 2 vi V pn

;
2

V pn vi V prL :
rezult tensiunea de prag logic, V prL ;

* zona III: ambele tranzistoare n saturaie,

- panta infinit;

kn

- panta real;
n
prL V p

V prL

kp
2
VDD V pp aV pn

DD

V pp V prL
2

1 a
n
p
- dac: V p V p V p i kn k p k a 1 :
V
V prL DD ; avantaj pentru CMOS (inversor ideal);
2
V
- marginile de zgomot ideale sunt egale cu DD (maxime) (inversor ideal);
2
- tensiunea Vo1 , la care se face treceea Tp n saturaie:
VDD a V pp V pn
Vo1
0,5VDD V p sau:
1 a
p
p
VDS
VDD Vo1 vGS
V pp VDD V prL V pp , adic:

Vo1 V prL V pp .
* zona IV, pentru: V prL
saturat:

kp

DD

vi V pp
2

vo vi V pn

vo2
n
kn vi V p vo de unde:
2

2
2
1
vi V pn 2 VDD vi V pp i:
a

Vo 2 V prL V pn .

vi VDD V pp : Tn n zona liniar, Tp

Elecronic Digitala
* zona V, pentru: VDD

V pp vi VDD

vo2
n
kn vi V p vo 0 , de unde: vo VoL 0 .
2

marginile de zgomot statice:

- definite n raport cu tensiunea de prag logic:

MZL V prL VoL

VDD V pp aV pn

;
1 a
aVDD V pp aV pn

MZH VDD V prL

1 a

- pentru un circuit simetric:

MZL MZH 0,5VDD (egale, maxime); (se apropie de inversorul

ideal);
- conform definiiei:
- se determin Vi
simetrici:

'

( 1)

i Vi

''

(1)

pentru tranzistoare cu parametri

2 VDD Vi ' (1) V p 2 Vi ' (1) V p

dvo
1
1
2
2
'
'
dvi
2 V V (1) V V (1) V
- se noteaz:

x 1
x2 1

DD

VDD Vi ' ( 1) V p
Vi ( 1) V p
'

Vi ' ( 1) V p

x0

x 2 2 x 1 4( x 2 1)

3x 2 2 x 5 0
VDD Vi ' (1) V p

x1 1; x2
5
Vi ' (1)
3

5
3
3VDD 2V p
8

Elecronic Digitala

2 Vi '' (1) V p 2 VDD Vi '' (1) V p

dvo
1
2
dvi
2 Vi '' (1) V p VDD Vi '' (1) V p

Vi" ( 1) V p

y0
VDD Vi" ( 1) V p
y 1
5
- se obine ecuaia: 2
cu soluia: y ;
3
y2 1
- se noteaz:

Vi" (1) V p
VDD Vi" (1) V p

5VDD 2V p
5
Vi" (1)
3
8

- se calculeaz marginile de zgomot:

MZL Vi (1) VoL

'

3VDD 2V p

MZH VoH Vi'' (1) VDD

8
5VDD 2V p
8

3VDD 2V p
8

MZL

- egale i mari;
Concluzie: marginile de zgomot statice sunt garantate la valori de:

0,3 0,45VDD .

* importana tensiunii de alimentare asupra caracteristicii de transfer:

VDD 2V p

VDD 2V p

VDD 2V p
- nu

caracteristici de intrare
* circuit de protecie la intrare:
- poarta este izolat i poate acumula sarcini electrice;
- deoarece suprafaa este foarte mic, se poate strpunge poarta chiar la
sarcini mici (cmpul electric este foarte mare);
- diodele D1 i D2 limiteaz tensiunea de la intrare;
- rezistena distribuit limiteaz curentul prin D1 i D2 dac se deschid;
- apar diode parazite asociate rezistenei.
- diod Zener de protecie pentru supracreteri ale tensiunii de alimentare.

Elecronic Digitala

- se obin:
- Z int foarte mare,

100 M ;

- cureni de intrare foarte mici (inversor ideal) dependeni de

i de temperatur

20 C 100 C :
o

VDD

0,03 nA 1,6 nA la vi 0;
0,036 nA 0,7nA la vi 15V ;

caracteristici de ieire
- rezistenele de ieire date de rezistenele celor dou TMOS n conducie
valori de ordinul sutelor de ;
- numrul de circuite identice ce poate fi comandat este, practic, nelimitat
(inversor ideal);
- limitarea fan-out este dat numai de regimul tranzitoriu;
- pentru comanda unor circuite discrete se admit rezistene echivalente
mai mari de 50 k pentru a nu se micora marginile de zgomot;
caracteristici de alimentare

3V VDD 15V ;
* curenii de alimentare: I DDL 0; I DDH 0; Pd 0. (inversor ideal);
- totui se disip putere datorit curenilor reziduali de ordinul W .
* caracteristica de alimentare iDD (vi ) :
* tensiunea de alimentare:

Elecronic Digitala

0 vi V pn
n

- Vp

iDD 0;

- V prL

vi VDD V pp

- VDD

V pp vi VDD

2
kn
vi V pn ;
2
kp
iDD
VDD vi V pp
2
iDD 0 ;

vi V prL iDD

;
2

- I DD max

p
n

kn VDD V p aV p
n
iDD (V prL )
Vp

2
1 a

- I DD max

p
n
VDD V pp V pn
kn VDD V p V p

kn k p
2

2
1 a
2
k

n
p

- pentru parametri simetrici:

I DD max

k
VDD 2Vp 2 ;
8

- exemplu numeric:

VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 I DD max 100 A .

- importana lui I DD max pentru creterea puterii disipate cu frecvena;
- influena tensiunii de alimentare; pentru VDD 2V p , I DD max 0 .
regimul tranzitoriu
- sarcin capacitiv, C s ;
- fenomene fizice la ambele comut:

Elecronic Digitala

- forma de und complet:

a) comutarea direct
- P1-P2: se deschide Tn, se nchide Tp; t P P
1 2

0;
- P2-P3: Tn deschis n saturaie (se descarc C s ), Tp blocat:
1 k
VDD V p 2 t ;
vo (t ) VDD
Cs 2
- condiia de trecere a lui Tn n regiunea liniar (VDS VGS V p ):

Elecronic Digitala

vo (t P2 P3 ) VDD V p ; rezult:
Vp
Vp
2C
t P2 P3 s

k VDD V p 2
VDD V p

cu:

2Cs
.
k VDD V p

- P3-P4: Tn deschis n regiunea liniar, Tp blocat:

dvo
vo2
Cs
k VDD V p vo
dt
2

2C
dvo
dt s 2
;
k vo 2VDD V p vo

cu:

vo (0) VDD V p ;

2Cs
1
1 vo
1
1
dt

dvo
k VDD V p 2 VDD V p vo 2VDD V p vo
0
1
t ln vo 2(VDD V p ln vo VvoDD V p sau:
2
vo
vo 2(VDD V p )
2(VDD V p ) vo
t ln
ln
2
vo
2
vo
V V
t

DD

- se poate explicita tensiunea funcie de timp:

2VDD V p vo
vo

vo VDD V p
vo VDD

2t

e
2
2t

VDD

e 1
t
t

e e
V p 1 t
t

e e

V p 1 1 2t

e 1

sau:

VDD V p 1 th .

- timpul t P P se definete ca fiind intervalul de timp dup care s-a parcurs

3 4

0,9V 0,9VDD V p , adic pentru vo (t P3 P4 ) 0,1(VDD V p ) :

2VDD V p 0,1VDD V p
t P3 P4 ln
ln 19 1,45 .
2
0,1VDD V p
2

Elecronic Digitala
- durata frontului descresctor:

t fHL t P2 P3 t P3 P4

Vp
VDD V p

1,45 ;

- timpul de propagare la frontul descresctor:

Vp
2(VDD V p ) V prL
3VDD 4V p
t pHL t P2 P3 ln

ln
2
V prL
VDD V p 2
VDD
- influena prametrilor circuitului asupra timpilor de comutaie;
b) comutarea invers:
- P4-P5: se deschide Tp, se nchide Tn; t P P
4 5
- P5-P6: Tp deschis n saturaie (se ncarc

vo (t )

1 k
VDD V p 2 t
Cs 2

0;

C s ), Tn blocat:

(deoarece vo (0)

0 );

- condiia ca Tp s ias din saturaie:

VDD V p VDsat VDD vo (t P5 P6 ) vo (t P5 P6 ) V p

- rezult:

t P5 P6

Vp
Vp
2Cs

t P2 P3 ;
2
k VDD V p
VDD V p

- P6-P1: Tp deschis n regiunea liniar, Tn blocat:

2

dvo
VDD vo
Cs
k VDD V p VDD vo

dt
2

- condiia iniial: vo (0) V p .

- se noteaz: VDD vo u cu: u (0) VDD V p i dvo du ;

- se obine:

du
u2
Cs
k VDD V p u adic aceeai ecuaie ca
dt
2

comutarea direct, cu variabila u :

2(VDD V p ) u 2(VDD V p ) (VDD vo )
t ln
ln
2
u
2
VDD vo

la

Elecronic Digitala

vo VDD VDD V p 1 th

- se obin urmtorii timpi de comutaie, la fel ca la comutarea direct:

t P6 P1 ln 19 1,45 ;
2
Vp
t fLH
1,45 t fHL ;
VDD V p
Vp
2VDD V p VDD V prL
t pLH
ln
t pHL .
VDD V p 2
VDD V prL
- pentru Vp=VDD/3, se obin : tfLH=tfHL=1.95 i tp=0.75.
Deoarece regimul dinamic depinde de o constant de timp (n care unul din
termeni este chiar Cs), rezult c avem un regim dinamic similar cu al circuitului
RC serie. n consecin, putem echiva, din punct de vedere al regimului dinamic,
un tranzistor MOS cu o rezisten echivalent Re. Conceptual, putem aproxima
Re chiar cu expresia:

Re / Cs

k VDD V p

(n practic se pot folosi alte valori, a.. rezultatele calcului simplificat s fie ct
mai aproape de cele msurate efectiv).
Aceast proprietate simplific analiza regimului dinamic al schemelor cu
tranzistoare MOS. Pentru a putea ine cont uor de factorul de form, se poate
scrie:

Re
k'

Z
VDD V p

R 'e

L
Z,

cu

R 'e

k ' VDD V p

care depinde exclusiv de parametrii procesului i de VDD. Astfel, pentru a

impune o anumit Re, se calculeaz uor raportul Z/L necesar.
- concluzii:
- comportare simetric la cele dou tranziii;
- influena puternic a tensiunii de alimentare.
- exemplu numeric:

Elecronic Digitala

VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 ;

Zn
5 C s 2 pF
Ln

6ns; t fHL t fLH 1,1 8,7 9,8 ns;

t pHL t pLH 1,1 2,8 3,9 ns.
(pentru un proces in care L=3 um aprox, cu Cox=0.6fF/um2).
Idem, dac alimentm la VDD=5V i considerm Z/L=1, =21.4 ns. Pentru a
vedea evoluia cu tehnologia:
-pentru un proces in care L=1 m, Cox=1.75 fF/um2, k=47 A/V2, VDD=2.4V,
=4.63 ns
-pentru un proces in care L=0.1 um, Cox=16 fF/um2, k=432 A/V2, VDD=1.2V,
=0.09 ns=90ps
-pentru un proces in care L=0.05 um, Cox=25 fF/um2, k=675 A/V2, VDD=1V,
=0.026 ns=26ps
puterea disipat n regim tranzitoriu
- componenta determinat de regimul tranzitoriu al capacitilor de sarcin;
* suma puterilor disipate la cele dou tranziii:

To

To
1 2
Pdis
iDn vo dt iDp (VDD vo )dt

To o
To

2
To
2

dvo
1
Cs VDD
Cs 2
iDn Cs
;
i
v
dt

v
dv

VDD ;
Dn o
o o
dt
To o
To o
2To
C 2
2
Pdis s VDD
CsVDD
fo ;
To
- dependena de frecven;
- dependena de ptratul tensiunii de alimentare.
- componenta determinat de fronturile neideale ale impulsurilor de comand
se poate aproxima cu 0.2*CsV2DDf0;
Puterea total disipat n regimul dinamic de inversor va fi deci 1.2*CsV2DDf0;
Aceast formul se pstreaz i pentru blocuri mai complexe. n consecin,
putem determina puterea disipat n regimul dinamic de o schem cu N pori ca
fiind:
2
Pdis 1.2 NCsmedVDD
fo ,

Elecronic Digitala

unde Csmed este capacitatea de sarcin medie pentru o poart.

n consecin, pentru orice cip logic, puterea disipat n regimul dinamic este de
forma K V2DDf0.
Puterea disipat n regim staionar (de obicei aceasta se calculeaz pentru starea
de sleep), este VDDIleak, unde Ileak este curentul absorbit de la surs n respectiva
stare (dat de catalog).

- comparaie cu circuite TTL:

Elecronic Digitala
Pori logice CMOS
Inversor three-state:
Dac OE=1 funcionare normal de inversor
OE=0 starea de mare impedan (poarta nu este afectat de valoarea lui
Vo, care poate fi modificat de alt bloc permite interconectarea la o
magistral)

(este nevoie de un inversor suplimentar, pentru negarea lui OE)

Poarta NAND (I-NU):
Tabela de adevr i schema corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
1
1
1
0

Elecronic Digitala

Poarta NOR (SAU-NU):

Tabela de adevr
corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
1
0
0
0

T1
on
on
-

(cu

T2
on
?
-

T3
on
on

evidenierea

strii

tranzistoarelor)

schema

T4
on
on

- se obs. c pentru a avea ieirea

conectat la VDD trebuie ca T1 i T2 s
primeasc pe poart comand (altfel
cel puin unul din ele va fi blocat i
legtura la VDD nu se realizeaz)
- n ce stare e T2 cand A=1 i B=0 ?
Poarta AND
Tabela de adevr:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
0
0
0
1

ATENIE: tranzistoarele P-MOS se leag numai la VDD, N-MOS numai

la GND pt a avea garania c vor conduce.
Dou soluii:
- poart NAND i apoi inversor;
- poart NOR, cu intrri A\, B\ (negate);
A doua soluie: din tabel, sau pt. c:

Elecronic Digitala

Prima soluie: arie mai mic (1 inversor). Preferat i pt. c permite uor
adugarea de funcionare three-state:

Poarta XOR (SAU Exclusiv):

Tabela de adevr (cu evidenierea ramurilor
de circuit aflate n conducie) i schema
corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
0
1
1
0

R1
on
-

R2
on
-

R3
on

R4
on
-

Elecronic Digitala
Dimensionarea tranzistoarelor n porile logice
Pt. inversor: Zp=2Zn
(pt simetria regimurilor de comutaie, dat fiind c kn =2-3kp)
Se poate nota Z (pt tranzistorul NMOS), 2Z (pt tranzistorul PMOS)
Dimensionarea unei ramuri de 2 tranzistoare n serie:
- fie o ramur cu cele dou tranzistoare de tip n, identice

- regimurile de funcionare, a.i. iD1=iD2 i VDS1+VDS2=Vo, cu Vo variind

ntre 1 i 0 (pentru descrcarea lui Cs):
- dac pe cele dou pori se aplic VDD:
VGS1=VDD, VGS2=VDD-VDS1 ;
conform figurii, pct de funcionare n care se deschid tranzistoarele:
iDS
VGS1=VDD

VGS2=VDD-VDS1

iDS1=iDS2

VDS
VDS1

VDD

Elecronic Digitala
- deci comutaia ncepe la un curent sensibil mai mic dect cel al ramurii
cu un singur tranzistor (ca la inversor), comandat cu VGS1=VDD i
conectat cu sursa la mas aprox. jumtate (i deci timpul de comutare
va fi aprox. dublu) OBS - in figura, Vdd= 1V, Vp= 0.3 V
- soluia: creterea factorului de form la ambele tranzistoare T1 i T2
(de ce nu e suficient s cretem doar pentru T2 ?)
- adic limea fiecruia din cele dou tranzistoare trebuie s fie dubl
fa de situaia cnd ramura are un singur tranzistor (ca la inversor) pt
a asigura acelai timp de comutaie: 2Z
Dimensionarea unei ramuri de n tranzistoare n serie:
- dac sunt NMOS, limea lor este nZ
- dac sunt PMOS, limea lor este de n ori cea de la inversor, adic 2nZ
OBSERVAII
1) Dac am crete factorul de form doar pentru T2, curentul ar tinde s
creasc (spre curentul maxim), dar i Vds1 va crete, deci Vgs2 va
scdea! Echilibrul se atinge la ids1=ids2=66% din curentul maxim
(corespunztor schemei cu un singur tranzistor). Acest lucru se poate
verifica rezolvnd ecuaia ids1=ids2, cu ids1 n regiune ohmic i ids2 n
saturaie, rezultnd Vds1 i apoi valoarea curentului. n figur este
reprezentat raportul ntre curentul rezultat i cel maxim, cnd factorul de
form al lui T1 e constant i cel al lui T2 ia valori ntre 1 i 9.
ids2/imax

Z2/L2
2) Acelai lucru se poate verifica dac modelm fiecare tranzistor printr-o
rezisten echivalent (corespunztoare factorului lui de form). n acest
caz, pentru schema cu un tranzistor Rtot=Re1, pentru schema cu dou

Elecronic Digitala
tranzistoare nseriate Rtot=Re1+Re2 i pentru a obine valoarea ce mai sus,
trebuie scazute (la jumtate) ambele rezistene, nu doar Re2!
Dimensionarea unei pori logice:
- considerm Z limea de referin (a tranzistorului N din inversor)
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare NMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la nZ
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare PMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la 2nZ
Ex : poarta XOR

Evident, aceasta duce la structuri ineficiente pentru numr mare de intrri. De

aceea, pentru mai mult de 3-4 intrri se prefer (n proiectarea respectivului
bloc) s se foloseasc circuite echivalente cu mai puine intrri (precum i alte
tehnici)
De ex., o poart NOR cu 6 intrri se poate implementa cu dou scheme NOR de
3 intrri i o poart AND cu 2 intrri
Circuite combinaionale mai complexe ex unui circuit de adunare/ scdere pe n
bii
- se adun bit cu bit An+Bn
- trebuie inut cont de transportul de la bitul precedent
- trebuie generat eventualul transport pentru bitul urmtor

Elecronic Digitala
- scderea a dou numere = adunarea numrului A cu complementul n
raport cu 2 al numrului B
Tabela de adevr pentru suma a doi bii An + Bn:
An Bn Cn-1 Sn Cn
0
0 0
0
0
0
1 0
1
0
1
0 0
1
0
1
1 0
0
1
0
0 1
1
0
0
1 1
0
1
1
0 1
0
1
1
1 1
1
1
Schema pentru sumatorul pe 1 bit:

Prin conectare, se obine sumatorul pe n bii

Se observ c S0 este prima ieire care ajunge la valoarea corect (dup 2tpXOR),
iar Sn-1 ultima, deoarece trebuie ateptat ca C0, C1Cn-2 s ajung la valorile

Elecronic Digitala
corecte (aproximativ 3(n-1)tp, dac timpii de propagare prin porile XOR i
NAND sunt egali).
Impulsuri eronate pe ieirile porilor
Fie o poart NOR, la care intrrile A i B variaz astfel:

B
Vo

B
Vo

Dac semnalele nu variaz perfect sincronizat, i A este ntrziat fa de B, este

posibil ca la un moment dat A=0, B=0 i ieirea s nceap s comute spre 1 (i
chiar s ajung la nivelul 1 logic).
A
B
T1
T2
T3
T4
Vo
0
1
1
X
X
1
0
0
0
1
1
X
X
1
1
0
X
1
1
X
0
Efecte negative:
- consum de putere
- posibil propagare a semnalului eronat
Evitarea:
- comutarea unei intrri se face cnd cealalt este stabil (adic, dac A
comut, B stabil pt tp)
- A i B comut sincronizat (v. Circuite secveniale)