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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA


SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

EFECTO DE LAS SOBRETENSIONES POR DESCARGAS


ATMOSFRICAS Y LA CONEXIN A TIERRA EN
EQUIPOS DE BAJA TENSIN

TESIS
Que para obtener el grado de:
Maestro en Ciencias en Ingeniera Elctrica
Presenta:
Ernesto Melndez Melndez

Mxico D.F., Noviembre del 2005

LACOMISIONREVISORA

MAESTROENCIENCIASENINGENIERAELCTRICADespusdeintercambiaropinioneslosmiembrosdelaComisinmanifestaronSUAPROBACIONDELATESIS,envirtuddequesatisfacelosrequisitossealadosporlas

porelColegiodeProfesoresdeEstudiosdePosgradoeInvestigacindelaESIMEZAC.

Diciembre
INSTITUTOPOLITECNICONACIONALSECRETARiADEINVESTIGACIONyPOSGRADOACTADEREVISIONDETESISEnlaCiudaddeMxico,D.F.siendolas17:30horasdelda6delmesde

"EFE
DE
LAS
SOB
PO
DE
AT
Y
L
CA
TIER
EN
EQU
DE
BAJ
TEN
Presentada

disposiciones

del

para examinar

2005

la tesis

se reunieron

de grado

MELNDEZ

Apellido paterno

reglamentarias

los miembros

materno

MELNDEZ

de la Comisin

Revisora

de Tesis

designada

titulada:

por el alumno:

nombre(s)

ERNESTO

aspirante al grado de:

vigentes.

DR.
RICA

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

COORDINACION GENERAL DE POSGRADO E INVESTIGACION


CARTA CESION DE DERECHOS
En la Ciudad de Mxico, Distrito Federal, el da 10 del mes de febrero del ao 2006 , el (la) que
suscribe Ernesto Melndez Melndez alumno(a) del Programa de Sistemas Elctricos de
Potencia con nmero de registro B001200, adscrito a la Seccin de Estudios de Posgrado e
Investigacin de la ESIME Unidad Zacatenco, manifiesta que es autor(a) intelectual del presente
Trabajo de Tesis bajo la direccin del M. En C. Gilberto Enrquez Harper y cede los derechos
del trabajo intitulado: EFECTO DE LAS SOBRETENSIONES POR DESCARGAS
ATMOSFRICAS Y LA CONEXIN A TIERRA EN EQUIPOS DE BAJA TENSIN, al Instituto
Politcnico Nacional para su difusin, con fines acadmicos y de investigacin.
Los usuarios de la informacin no deben reproducir el contenido textual, graficas o datos del
trabajo sin el permiso expreso del autor y/o director del trabajo. Este puede ser obtenido
escribiendo a la siguiente direccin: angenspien@yahoo.com.
Si el permiso se otorga, el usuario deber dar el agradecimiento correspondiente y citar la fuente
del mismo.

Ernesto Melndez Melndez


Nombre y firma

AGRADECIMIENTO

Mi ms sincero agradecimiento al M. en C. Gilberto Enrquez Harper por el


apoyo brindado durante el presente trabajo, as como al Ing. Jos Francisco
Corza Plancarte, de la Gerencia de Informacin Tecnolgica del Instituto de
Investigaciones Elctricas y al grupo de profesores que forman parte de la
comisin revisora.

A los compaeros y amigos que me apoyaron en la realizacin de esta tesis


.....Gracias.

DEDICATORIA

A MIS PADRES:

NGEL Y MARINA

RESUMEN

RESUMEN

La proteccin contra transitorios en instalaciones de baja tensin es de vital


importancia ya que la mayora de las actividades en nuestra sociedad dependen
del comportamiento adecuado de estas instalaciones as como de los sistemas
electrnicos. Esta tesis concentra una investigacin sobre el efecto de las
sobretensiones transitorias, la conexin a tierra y los dispositivos de
proteccin en instalaciones de baja tensin.

Los dispositivos de proteccin contra sobretensiones transitorias, como el


varistor y el protector de descarga en gas en circuitos de proteccin son
investigados. La respuesta de los dispositivos de proteccin son simulados, el
modelo en el dominio del tiempo del varistor, del protector de descarga en gas
y del cable de la instalacin son implementados en el programa Alternative

Transients Program Electromagnetic Transients Program (ATP EMTP). Los


resultados obtenidos son comparados con los del autor [52] en la literatura
afn.

El efecto de la sobretensin transitoria tipo impulso aplicada en el punto de


instalacin del equipo sensible es inspeccionado de manera visual sobreponiendo
la magnitud y duracin del disturbio sobre la curva ITIC [35].

i
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

RESUMEN

ABSTRACT
The protection against transitory in facilities of low tension is of vital
importance since most of the activities in our society they depend on the
suitable behavior of these facilities as well as on the electronic systems. This
thesis concentrates an investigation on the effect of the transitory surges,
the Earth return and the protective devices in facilities of low tension.

The protective devices against transitory surges, as the varistor and the
protector of gas unloading in circuits of protection are investigated.

The

answer of the protective devices is simulated, the model in the dominion of


the time of the varistor, of the protector of gas unloading and of the cable of
the installation they are implemented in the program Alternative Transients

Program Electromagnetic Transients Program (ATP EMTP). The obtained


results are compared with those of author [52] in compatible Literature.

The effect of the transitory surge type impulse applied in the point of
installation of the sensible equipment is inspected of visual way superposing
the magnitude and duration of the disturbance on the ITIC curve [35].

ii
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

Contenido

Pgina

ndice de tablas

viii

ndice de figuras

viii

CAPTULO 1 INTRODUCCIN
1.1.

Estado del arte

1.3. Objetivos de la tesis

1.4. Justificacin

1.5. Estructura de la tesis

1.6. Alcances

10

CAPTULO 2 CONCEPTOS GENERALES DE LAS SOBRETENSIONES EN LOS


SISTEMAS

(PRINCIPALMENTE

POR

DESCARGA

ATMOSFRICA)

SU

EFECTO SOBRE LOS EQUIPOS ELCTRICOS


2.1. Introduccin

11

2.2. La descarga atmosfrica

12

2.3. Rutas de conduccin para las descargas atmosfricas

13

2.4. Fuentes de transitorios

16

2.4.1.

Disturbios

17

2.4.2.

Tipos de transitorios

18

2.5. La simulacin de los sistemas de distribucin

18

2.6. Efecto sobre los sistemas y equipos elctricos

22
iii

SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

CAPTULO

LA

FUNCIN

DE

LOS

APARTARRAYOS

LAS

ONDAS

CORTADAS AL RESTO DEL EQUIPO


3.1.

Introduccin

23

3.2.

La funcin del varistor

24

3.3.

Clasificacin de los dispositivos de proteccin

25

3.3.1.

Dispositivos de arco

26

3.3.2.

Dispositivos sujetadores de voltaje

27

3.4.

Principio de proteccin contra sobretensiones transitorias

30

3.5.

Dispositivos hbridos dispositivos de proteccin mltiple

30

3.6.

Representacin de los modelos

32

3.7.

Retardo de tiempo

33

3.7.1

33

3.8.

Modelo de la resistencia de arco elctrico

Mdulo del varistor

34

3.8.1.

35

Lmites del modelo del varistor

3.9.

El cable de la instalacin

37

3.10.

El modelo en ATP

38

3.11.

Simulacin del comportamiento de los dispositivos de Proteccin

41

3.12.

Cable de la instalacin

43

CAPTULO

EL

IMPACTO

DE

LAS

SOBRETENSIONES

EN

LAS

INSTALACIONES DE BAJA TENSIN


4.1

Introduccin

44

4.2.

Representacin de las sobretensiones producidas por descargas

45

atmosfricas

iv
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

4.3.

4.4.

La curva CBEMA

45

4.3.1.

46

La curva ITIC

Esquema de proteccin

50

4.4.1.

51

Simplificacin de los circuitos para su modelado

CAPTULO 5 LA FORMA DE PROTECCIN CONTRA LAS SOBRETENSIONES


EN BAJA TENSIN Y EL EFECTO DE LA CONEXIN A TIERRA
5.1.

Introduccin

57

5.2.

La necesidad de instalar dispositivos de supresin

58

5.2.1.

59

5.3.

Circuitos combinados y la proteccin en cascada

La proteccin mediante varistores de xidos metlicos y protectores

59

de descarga en gas
5.4.

Seleccin de los dispositivos de proteccin contra sobretensiones

71

transitorias
5.5.

Estndares UL 1449 y ANSI/IEEE C62.41

71

5.6.

La aplicacin de los dispositivos de proteccin contra sobretensiones

72

transitorias
5.7.

Impedancia de aterrizamiento en funcin del tiempo y de la corriente

79

5.8.

El rol del aterrizamiento

79

CAPTULO 6. CONCLUSIONES Y TRABAJOS FUTUROS


6.1.

Conclusiones

86

6.2.

Trabajos futuros

89

v
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

REFERENCIAS

90

APNDICE A. BREVE DESCRIPCIN DEL LENGUAJE DE PROGRAMACIN


MODELS
A.1.

Introduccin

96

A.2.

Simulacin en el EMTP.

97

A.3.

Simulacin en el EMTP con MODELS

98

A.4.

Instrucciones principales en MODELS

99

A.5.

Composicin

99

A.6.

Representacin

100

A.7.

Instrucciones del grupo MODELS

100

A.8.

Autodiagnstico

101

A.9.

Herramientas

101

A.10.

Arreglos

100

A.11.

Reglas de formato

102

A.12.

Uso de MODELS en el EMTP

102

A.13.

Estructura del lenguaje MODELS

103

A.14.

Principales grupos en MODELS

103

A.15.

Definicin de MODEL

104

A.16.

Declaraciones

105

A.17.

Directivas de simulacin

106

vi
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

APNDICE B. PARMETROS DE VARISTORES DE XIDOS METLICOS


MARCA SIEMENS SERIE STANDARD

B.1.

Parmetros de la serie s10k75, 95, 115, 130, 140, 150 y 175

107

B.2.

Parmetros de la serie s14k140, 150 y 175

108

B.3.

Parmetros de la serie s18k140, 150 y 175

108

B.4.

Parmetros de la serie s20k140, 150 y 175

109

APNDICE C. LISTADO DE LOS PROGRAMAS REALIZADOS EN EMTP


110

C.2.

Programa que simula el comportamiento del protector de descarga en


gas CGZ/230 VL
Programa que simula el comportamiento del supresor SIOV

C.3.

Programa que simula el comportamiento del tubo de descarga en gas y

117

C.1.

114

del supresor de sobretensiones transitorias TVSS en un arreglo en


cascada

vii
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

ndice de tablas
2.1. Parmetros tpicos de la descarga de nube a tierra

13

2.2. Caractersticas de los disturbios

17

4.1. Valores proporcionados por la curva ITIC [31].

47

4.2. Sobretensiones transitorias

49

4.3. Sobretensiones transitorias en diferentes puntos del arreglo

56

5.1. Comparacin entre los SVR de la referencia [70] y los de esta

68

investigacin
5.2. Voltajes de supresin UL 1449

71

5.3. Voltajes de paso ANSI/IEEE C62.41

72

5.4. Sobretensiones transitorias obtenidas en la simulacin, para una onda de

77

corriente de 6 kV, 1.2/50 us., utilizando la configuracin de la figura


5.23.
5.5. Comparacin entre las sobretensiones transitorias obtenidas en [sesin]
y las de esta investigacin, para una onda de corriente de 10 kA, 8/100
us.
5.6. Tabla comparativa de los varistores instalados en la configuracin en
[52] y la de esta investigacin.

77

78

ndice de figuras
2.1.

Mltiples flameos en los postes

13

2.2.

Acoplamiento capacitivo en los devanados del transformador

14

2.3.

Ruta de conduccin a otra tierra

15

2.4.

Sobretensin aplicada al aislamiento

21

3.1.

Curva caracterstica V-I del varistor

24

3.2.

Funcin del varistor

25
viii

SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

3.3.

Filtro equivalente con dispositivos de supresin

30

3.4.

Representacin del varistor para la simulacin en EMTP-ATP

32

3.5.

Representacin del GDP para la simulacin en EMTP-ATP

32

3.6.

Representacin del cable de la instalacin para la simulacin en EMTP-

32

ATP
3.7.

Curva V-I, del varistor SIOV S20K275, Parmetros del fabricante: B1

36

= 2.7233755, B2 = 0.0258453, B3 = -0.0005746, B4 = 0.0046033 [12].


3.8.

Diagrama de flujo que representa la caracterstica del supresor

37

3.9.

Modelo del tubo de descarga en gas

38

3.10.

Diagrama de flujo para el retardo de tiempo

39

3.11.

Diagrama de flujo de la resistencia de arco

40

3.12.

Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 800

41

V, S=600 V/ms
3.13.

Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 1200

41

V, S=900 V/ms
3.14.

Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 1200

42

V, S=1200
3.15.

Curva V-I, del varistor SIOV S20K275 simulada en ATP DRAW

42

3.16.

Curva R-I, del varistor SIOV S20K275 simulada en ATP DRAW

42

3.17.

Voltaje de sujecin del varistor SIOV S10K95, durante un voltaje

43

aplicado de 2.0 kV, 10/700 us [70].


3.18.

Efecto piel presente en el conductor [2]

43

4.1.

Information Technology Industry Councilm (ITIC) [20]

47

4.2.

Ejemplo de aplicacin de la curva ITIC

48

ix
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

4.3.

Arreglo utilizado para determinar las sobretensiones transitorias en

51

diferentes puntos de impacto.


4.4.

Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto A del

52

arreglo de la figura 4.3.


4.5.

Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto B del

52

arreglo de la figura 4.3.


4.6.

Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto B del

53

arreglo de la figura 4.3.


4.7.

Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto D del

53

arreglo de la figura 4.3.


4.8.

Perfil de voltajes debido a un impacto de voltaje en el punto A del

54

arreglo de la figura 4.3.


4.9.

Perfil de voltajes debido a un impacto de voltaje en el punto B del

54

arreglo de la figura 4.3.


4.10.

Perfil de voltajes debido a un impacto de voltaje en el punto C del

55

arreglo de la figura 4.3.


4.11.

Perfil de voltajes debido a un impacto de voltaje en el punto D del

55

arreglo de la figura 4.3.


5.1.

Principio de proteccin mediante varistores de xidos metlicos y

59

protectores de descarga en gas


5.2.

Forma de onda de 10/700 us, 2 kV de circuito abierto aplicado al

60

varistor
5.3.

Operacin del SIOV- S10K75 durante una sobretensin de 2kV,

60

10/700 us.

x
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

5.4.

Operacin del SIOV- S10K95 durante una sobretensin de 2kV,

61

10/700 us.
5.5.

Operacin del SIOV- S10K115 durante una sobretensin de 2kV,

61

10/700 us.
5.6.

Operacin del SIOV- S10K130 durante una sobretensin de 2kV,

62

10/700 us.
5.7.

Operacin del SIOV- S10K140 durante una sobretensin de 2kV,

62

10/700 us.
5.8.

Operacin del SIOV- S10K150 durante una sobretensin de 2kV,

63

10/700 us.
5.9.

Operacin del SIOV- S10K175 durante una sobretensin de 2kV,

63

10/700 us.
5.10.

Operacin del SIOV- S14K140 durante una sobretensin de 2kV,

64

10/700 us.
5.11.

Operacin del SIOV- S14K150 durante una sobretensin de 2kV,

64

10/700 us.
5.12.

Operacin del SIOV- S14K175 durante una sobretensin de 2kV,

65

10/700 us.
5.13.

Operacin del SIOV- S18K140 durante una sobretensin de 2kV,

65

10/700 us.
5.14.

Operacin del SIOV- S18K150 durante una sobretensin de 2kV,

66

10/700 us.
5.15.

Operacin del SIOV- S18K175 durante una sobretensin de 2kV,

66

10/700 us.

xi
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

5.16.

Operacin del SIOV- S20K140 durante una sobretensin de 2kV,

67

10/700 us.
5.17.

Operacin del SIOV- S20K150 durante una sobretensin de 2kV,

67

10/700 us.
5.18.

Operacin del SIOV- S20K175 durante una sobretensin de 2kV,

68

10/700 us.
5.19

Arreglo completo de la proteccin, simulado en ATPDRAW

5.20. Perfil de voltajes obtenidos durante la operacin del tubo de descarga

69
69

en gas CGZ/230 VL (GDP) y el varistor SIOV S10K95 obtenido con


ATP/EMTP.
5.21.

Algunos esquemas de proteccin.

70

5.22. Ejemplo de aplicacin de los dispositivos de proteccin en cascada

70

5.23. Configuracin utilizando un supresor en cada punto de la instalacin

73

[61].
5.24

Supresores en los tres puntos

73

5.25. Sin supresor en el tablero

74

5.26. Sin supresor en la carga

74

5.27. Sin supresores

75

5.28. Supresor solo en la acometida

75

5.29. Supresor solo en el tablero

76

5.30. Supresor slo en la carga

76

5.31.

78

Superposicin del porciento de voltaje sobre la curva ITIC, para cada


una de las configuraciones indicadas en la tabla 5.3.

5.32. Onda de corriente aplicada 8/20 us, 10 kA aplicada a la conexin a

80

tierra

xii
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

NDICE

5.33. Resistencia a baja frecuencia , resistividad del terreno 30.0000 m,

81

gradiente de ionizacin 300.0000 kV/m, corriente umbral de ionizacin


14323.9400 A.
5.34. Tensin en funcin de la corriente, resistividad del terreno 30.0000

81

m, gradiente de ionizacin 300.0000 kV/m, corriente umbral de


ionizacin 14323.9400 A.
5.35. Comportamiento en el tiempo de la resistencia del electrodo de tierra,

82

resistividad del terreno 30 ohms-m, ro=10 ohms, 300 kV/m., 10 kA,


8/20 us. Comportamiento resistivo del: 0-Primer elemento, - Segundo
elemento, - Tercer elemento.
5.36. Arreglo de la conexin a tierra en ATPDRAW

83

5.37. Perfil de voltaje para diferentes valores de conexin a tierra,


resistividad de 30 ohms-m, ro=10 - 0, 157 y 20 - ohms, 300

84

kV/m., 500 A, 8/20 us.


5.38. Perfil de la onda de corriente en el tiempo por el electrodo de tierra,
resistividad de 30 ohms-m, ro=10 - 0, 157 -

84

y 20 - ohms, 300

kV/m., 500 A, 8/20 us.

xiii
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

SIMBOLOGA

SIMBOLOGA

aij

Distancia entre el conductor i y la imagen del conductor j

bij

Distancia entre el conductor i y el conductor j

Capacitancia, Farads

Cp

Capacitancia del varistor

Eo

Gradiente de campo elctrico

Conductancia

Altura de los conductores

Corriente

Ii

Corriente de ionizacin

Inductancia

Ls

Inductancia del varistor

Potencia

Resistencia

Radio del conductor

Resistividad del terreno

Rs

Resistencia del varistor

Razn de elevacin
Capacidad de supresin de voltaje
xiv

SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

SIMBOLOGA

SVR
t

Tiempo

Constante de tiempo del arco elctrico

td

Tiempo de retardo

Velocidad de propagacin

Voltaje

VBD

Umbral de voltaje de disparo

VI

Voltaje incidente

Vin

Voltaje de entrada

Vout

Voltaje de salida

Vp

Voltaje pico de la onda de voltaje a frecuencia del sistema

VR

Voltaje reflejado

VT

Voltaje transmitido

V(t)

Seal de voltaje en funcin del tiempo, en algn punto del sistema

Impedancia caracterstica

Zc

Impedancia del dispositivo de sujecin

Zij

Impedancia mutua entre el conductor i y el conductor j

Zs

Impedancia de la fuente

xv
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

SIMBOLOGA

GLOSARIO
ATP

Aleternative Transient Program

CEBEMA

Computer Business Manufacturers Association

EMTP

Electro Magnetic Tranient Program

Estreamer

Plasma altamente ionizado que se propaga desde tierra hacia la nube

Gap

Distancia de separacin en aire o en gas

GDP

Protector de descarga en gas

Hbrido

Combinacin de dos o ms dispositivos de supresin

ITIC

Information Technology Industry Council

MODELS

Lenguaje de programacin

MOV

Varistor de xidos metlicos

PSpice

Paquete de simulacin de circuitos elctricos

PLC

Controlador lgico programable

RCC

Resistencia controlada por corriente

SCV

Switch controlado por voltaje

SiC

Apartarrayos de carburo de silicio

SIOV

Varistor de xidos metlicos del fabricante SIEMENS

Stepped leader Plasma altemente ionizado que se propaga de la nube hacia tierra

xvi
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

SIMBOLOGA

TVSS

Supresor de transitorios de voltaje

Varistor

Resistencia variable

ZnO

Varistor de xido de zinc

xvii
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

INTRODUCCIN

La calidad de la energa elctrica es una variable crtica en la operacin de


cargas electrnicas. Comprender este punto es bsico cuando se involucra en el
diseo, instalacin, mantenimiento y funcionamiento de las instalaciones
elctricas actuales, las que soportan equipos tan sofisticados. Se debe conocer
las soluciones disponibles para los problemas generados por la mala calidad de
la energa elctrica; provocada por transitorios de corta y larga duracin, pero
principalmente por las descargas atmosfricas.

Conforme la tecnologa avanza, las empresas dependen cada vez ms de los


equipos electrnicos e informticos, las lneas de produccin son controladas
por circuitos digitales, la informacin se maneja va electrnica desde el correo
hasta el control total de la organizacin, los registros de nuestras operaciones
diarias quedan guardados en su mayora de forma digital en grandes servidores
de datos, las comunicaciones se vuelven vitales desde un conmutador hasta
videoconferencia o comunicacin va satlite.

1
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

Toda esta informacin digital se procesa y almacena en equipos electrnicos y


de cmputo, los cuales son cada vez ms rpidos, sin embargo, tambin son ms
sensibles a los disturbios en el sistema elctrico. Por esto se ha desarrollado el
trmino Calidad de la Energa, el cual engloba todas las acciones necesarias
para desarrollar una instalacin que alimente a los equipos sensibles con
energa continua y de calidad [67].

Los equipos de cmputo estn sujetos a dao, o bien, producen errores en los
datos a causa de las sobretensiones transitorias debido a la ausencia de
dispositivos de proteccin. Equipos electrnicos como controladores de
velocidad y equipo de comunicacin estn sujetos al mismo disturbio [36].

El dao por transitorios es inmediato donde el voltaje transitorio causa la falla


de aislamiento entre los dispositivos de estado slido del equipo debido a la
energa del transitorio. El dao es latente si el aislamiento o los componentes
son severamente estresados por uno o por repetidos transitorios, de manera
que no ocurre una falla inmediata. Si despus de un tiempo, ocurre un
transitorio, que generalmente no causara problema alguno, el equipo falla sin
una causa aparente [43]. La primera lnea de defensa debe estar en el punto
mas lejano del equipo a proteger. Esto es, en el poste de la lnea, si la
instalacin es alimentada por medio de una lnea area. Esta lnea de defensa,
debe ser reforzada mediante un supresor localizado cerca del equipo a
proteger para interceptar al transitorio que logra cruzar la primera lnea de
defensa [42].

2
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

1.1. Estado del arte.

La calidad de la energa es un tema que necesita atencin continua y es cada


vez ms crtica debido al incremento en el nmero dispositivos electrnicos, en
equipos de cmputo, controles de proceso y equipo de comunicaciones, ya que
son sensibles a los disturbios en el sistema de potencia [1], [21].
Los efectos de los disturbios en el sistema sobre el equipo son vistos en
trminos de vulnerabilidad y susceptibilidad [18],[39].

Actualmente existe en el mercado una tecnologa llamada discriminatoria, que


permite identificar las sobretensiones temporales y las sobretensiones
transitorias en el sistema. Esta tecnologa no slo asegura el funcionamiento
correcto, sino que tambin prolonga la vida til del dispositivo de proteccin.

La tecnologa de los dispositivos de supresin utiliza varistores de xido


metlico para limitar los eventos transitorios. Sin embargo, esos dispositivos
son susceptibles a los sobrevoltajes temporales de 60 Hz. Tales eventos
representan un riesgo cuando los dispositivos de supresin intentan sujetar
cada medio ciclo, el pico de la sobretensin temporal. Esta condicin causa que
el dispositivo acumule calor rpidamente, con posibilidad de incendiarse.
La tecnologa discriminatoria cuenta con un circuito que permite diferenciar la
frecuencia de las sobretensiones consideradas como temporales y la
frecuencia de las sobretensiones transitorias. Con el fin de que el dispositivo
de supresin sea inmune a las sobretensiones temporales a 60 Hz. [73].

3
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

En sistemas de alta tensin, los apartarrayos de xidos metlicos (ZnO) han


reemplazado a los apartarrayos de carburo de silicio (SiC) para la proteccin
contra

sobretensiones

transitorias.

Los

apartarrayos

de

ZnO

tienen

caractersticas no lineales cuando operan, dejan pasar menos corriente a


frecuencia del sistema que los apartarrayos de SiC. Un apartarrayos de ZnO
deja pasar slo el impulso de corriente causado por el sobrevoltaje y no tiene
corriente a frecuencia del sistema. Esto permite que los apartarrayos con
menos capacidad de energa reemplacen a los apartarrayos de SiC [24], [33].

Por el lado de baja tensin, para hacer frente a los problemas asociados con los
transitorios, se usan los dispositivos supresores de transitorios de voltaje
(TVSS) [8]. Los dispositivos ms recientes son los varistores de xidos
metlicos (MOV) [72].

Existe un gran nmero de herramientas disponibles para el anlisis de


transitorios. En los mtodos en el dominio del tiempo, la solucin matemtica
viene de la solucin directa de las ecuaciones diferenciales. Existe software
comercial designado para analizar transitorios en forma numrica tales como el
Electro Magnetic Transient Program (EMTP), Alternative Transient Program
(ATP), y varias versiones de PSpice [16], [31], [64], [65], [66].

4
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

1.2. Objetivos de la tesis

1.-

Identificar y seleccionar dispositivos de proteccin que protegen a los

equipos sensibles contra transitorios de voltaje, as como cuantificar la


magnitud y duracin de los mismos.
Analizar y dar solucin al efecto de los transitorios de sobrevoltaje por rayo
que se transmiten a los equipos sensibles en baja tensin.

2.-

Con la aparicin de los equipos sensibles que contienen electrnica digital

y componentes de estado slido, se observ un comportamiento anormal y un


elevado ndice de fallas cuando se presentan transitorios, principalmente por
rayo, debido a esto, es necesario hacer una revisin de los estudios que se
hacen relacionados con el efecto de las ondas transitorias de sobrevoltaje en
los equipos.

1.3. Justificacin

Los voltajes transitorios son breves e impredecibles. Esas dos caractersticas


los hacen difciles de detectar y de medir [27].
Hoy en da los sistemas elctricos usan componentes de estado slido y son
vulnerables a dao y susceptibles a mal funcionamiento debido a los
transitorios [9],[39].

5
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

Continuamente los circuitos sensibles analgicos y digitales son daados por


sobretensiones transitorias, es por ello que estas ltimas deben ser mitigadas
mediante la aplicacin de dispositivos supresores. Sin embargo, el problema es
cuantificar la magnitud y duracin del transitorio para la correcta seleccin de
los dispositivos supresores de transitorios [27].

Por otra parte cuando se discute el tema de la calidad de la energa, se asume


errneamente que el tpico trata nicamente con equipos de cmputo. Esto se
debe a que las computadoras son las cargas que dejan de operar
adecuadamente con la energa recibida por la empresa suministradora. Con la
llegada del microprocesador, hay una multitud de equipos que operan a niveles
de voltaje similares al de los equipos de cmputo. As que la calidad de energa
que estos equipos reciben es tan importante como la que reciben estos ltimos
[38]. La categora que cubre a tales equipos, incluyendo las computadoras
personales, y equipos de cmputo para el control de procesos, es referido en
esta tesis como equipos que contienen dispositivos electrnicos de estado

slido por lo que en adelante nos referimos como equipo electrnico sensible
[36], o bien, aquel que requiere de un suministro elctrico de alta calidad, esto
es, libre de disturbios [55].

El problema principal es que, mientras el lmite de la velocidad de los


dispositivos digitales actuales incrementa continuamente, la lgica de voltajes
se reduce simultneamente. Esta relacin no es accidental. Conforme ms
transistores y otros dispositivos son empaquetados juntos sobre la misma
superficie, el espacio entre ellos se reduce. Esta distancia reducida entre

6
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

componentes ayuda a reducir el tiempo que requieren los circuitos para operar.
De otra manera, si el voltaje en el circuito permaneciera sin cambio, el propio
empacamiento (encapsulado) incrementara la posibilidad de que la corriente
viaje por una ruta ms corta hacia tierra debido a una falla de aislamiento
entre dos componentes adyacentes. Estas fallas se previenen reduciendo los
voltajes en el circuito, pero hacen vulnerable al equipo ante un disturbio [23],
[29], [38].

7
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

1.4. Estructura de la tesis

El captulo 2, CONCEPTOS GENERALES DE LAS SOBRETENSIONES EN LOS


SISTEMAS (PRINCIPALMENTE POR DESCARGA ATMOSFRICA) Y SU
EFECTO SOBRE LOS EQUIPOS ELCTRICOS, menciona una de las principales
causas de falla en los sistemas elctricos, los parmetros de una descarga
atmosfrica y de las rutas por donde alcanza a los equipos. Se da la definicin
de transitorio, y de los tipos de transitorios que existen en los sistemas
elctricos. Finalmente se menciona como una descarga atmosfrica produce
una sobretensin transitoria cuando impacta sobre una lnea area, y cuyo
efecto se ve reflejado en los equipos elctricos.

En el captulo 3 LA FUNCIN DE LOS APARTARRAYOS Y LAS ONDAS


CORTADAS AL RESTO DEL EQUIPO se menciona la interpretacin que debe
darse a los varistores, respecto a la manera en como manejan la energa del
transitorio, as como su caracterstica no lineal durante su operacin. Se
presenta la clasificacin de los dispositivos de supresin y del principio de
proteccin con dispositivos hbridos. El modelo del cable de la instalacin, del
protector de descarga en gas, del supresor y de sus caractersticas, tambin
son mencionados en este captulo.

El captulo 4

EL IMPACTO DE LAS SOBRETENSIONES EN LAS

INSTALACIONES DE BAJA TENSIN comenta sobre tres de los efectos


que se hacen presentes

sobre el equipo cuando se ve expuesto a un

transitorio, la representacin de la descarga atmosfrica sobre las lneas

8
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

areas y de las curvas establecidas por fabricantes de computo y de equipos


que contienen dispositivos de estado slido, que muestran los lmites de
operacin correcta de tales equipos.

En el captulo 5

LA

FORMA

DE

PROTECCIN

CONTRA

LAS

SOBRETENSIONES EN BAJA TENSIN Y EL EFECTO DE LA CONEXIN A


TIERRA, se comenta una de las herramientas utilizadas de simulacin para
transitorios, de la necesidad de instalar dispositivos de supresin, tambin de
la proteccin en cascada utilizando los dispositivos modelados en el captulo
tres; varios dispositivos son modelados en funcin de su dimetro, y de su
voltaje mximo de operacin. Se presenta un arreglo completo de una
proteccin hbrida simulada en ATP-DRAW; se muestra a modo de ejemplo,
otros esquemas de proteccin. La aplicacin y seleccin de los dispositivos de
proteccin de acuerdo a UL 1449 y C62.41. Finalmente se presenta el
comportamiento en el del sistema de aterrizamiento, en funcin del tiempo y
de la corriente aplicada por una descarga atmosfrica.

El captulo 6

CONCLUSIONES

TRABAJOS

FUTUROS,

como

su

nombre lo indica, se concluye partiendo sobre la base de las simulaciones


obtenidas en esta tesis y trabajos futuros en la aplicacin de los dispositivos
de proteccin en instalaciones de baja tensin.

9
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 1

1.5. Alcances

El tema sobre transitorios de voltaje es muy amplio, la investigacin es


enfocada hacia el modelado de dos de los dispositivos de proteccin que se
aplican actualmente en la supresin de sobretensiones transitorias, utilizando
el lenguaje de programacin MODELS [34], [76] en el paquete de simulacin
ATP EMTP. Esta investigacin muestra bsicamente el perfil de voltaje
durante la operacin de los dispositivos y el comportamiento de la resistencia a
tierra ante una descarga atmosfrica. Los transitorios aplicados son de tipo
impulso y no exceden en duracin la mitad del periodo de la forma de onda
principal a 60 Hz., [18], [27].

10
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

CONCEPTOS GENERALES DE LAS SOBRETENSIONES EN LOS


SISTEMAS (PRINCIPALMENTE POR DESCARGA
ATMOSFRICA) Y SU EFECTO SOBRE LOS EQUIPOS
ELCTRICOS
2.1

Introduccin.

Las sobretensiones de origen atmosfrico son una de las principales causas de


fallas en redes de energa elctrica. Las sobretensiones en redes de distribucin
de bajo voltaje son clasificadas en sobretensiones temporales y sobretensiones
transitorias. Las sobretensiones temporales con una frecuencia de 60 Hz., con
duracin de varios milisegundos. Las sobretensiones transitorias con frecuencias
mayores a 60 Hz., con duracin de algunos milisegundos. Dentro de sta ltima
se encuentran las originadas por descargas atmosfricas, que tienen una
duracin menor a medio ciclo [18]. [27].
Las descargas atmosfricas son una potente fuente de impulsos transitorios y es
la fuente ms severa. Esta es causada por la atraccin de cargas positivas y
negativas en la atmsfera dando como resultado la construccin de una descarga
de energa elctrica [60]. Nos concretaremos en como las descargas
atmosfricas causan sobretensiones transitorias que aparecen sobre los
sistemas de distribucin de energa elctrica.
11
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

2.2. La descarga atmosfrica

Existen dos formas en que se producen las descargas atmosfricas: nube a


tierra y entre nubes.
La descarga de nube a tierra comienza con un plasma altamente ionizado,
llamado stepped leader, el cual se propaga de la nube hacia tierra. Cuando el
leader se encuentra a unos 50 m de alcanzar tierra, otra descarga elctrica,
llamada estremer, se propaga desde tierra hacia arriba estableciendo un canal
de conduccin entre la tierra y el stepped leader. En este momento un arco de
corriente, llamado descarga de retorno, fluye de tierra por el canal ionizado
hacia la nube. La descarga de retorno produce una luminosidad intensa. Al final
de la descarga de retorno, fluye en el canal una corriente del orden de 100 A
[36], [60].
Esta corriente tiene una duracin de algunos milisegundos. Despus de algunas
decenas de milisegundos o ms, otro leader viaja por el canal de descarga hacia
tierra produciendo una segunda descarga, repitindose este proceso varias
veces. El evento completo es llamado rayo. Un rayo contiene entre tres y cinco
retornos del leader [60]. Los parmetros de la descarga de nube a tierra se
resumen en la tabla 2.1.

12
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

Tabla 2.1. Parmetros tpicos de la descarga de nube a tierra [36].

Parmetro

Valor tpico

Valor mximo

Magnitud pico

20 kA

2000 kA

20 C

30 C

0.2 us

Total de carga
transferida
ndice de tiempo de la
descarga de retorno
Mxima di/dt de la
descarga de retorno

10

11

A/s

2.3. Rutas de conduccin para las descargas atmosfricas.

La ruta ms obvia de conduccin es por impacto directo al cable de fase, ya sea


en el lado primario o en el secundario produciendo grandes sobretensiones.
Esta no es la nica manera en que las descargas entran a las instalaciones y
causan dao [42].
El transitorio es conducido varios kilmetros a lo largo de la lnea (alimentador)
y causa mltiples flameos en los postes cuando este pasa por ellos, figura 2.1.

figura 2.1. Mltiples flameos en los postes.

13
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

Sin embargo, la descarga no tiene que impactar a un conductor para inyectar un


impulso de voltaje sobre el sistema de potencia. Si la descarga atmosfrica
impacta cerca de la lnea se inducir una sobretensin sobre ella [42].

Algunos de los transitorio causado por la descarga atmosfrica entran a la


carga a travs de la capacitancia que existe entre los devanados del
transformador de servicio y son de corta duracin, como se muestra en la
figura 2.2.
El grado de acoplamiento capacitivo depende del diseo del transformador. Es
posible que la capacitancia entre devanado y tierra sea mayor que la
capacitancia de devanado a devanado y muchos de los transitorios son
acoplados a tierra ms que al devanado secundario [42].

figura 2.2. Acoplamiento capacitivo en los devanados del transformador.

Cuando se observa un impulso de larga duracin en el lado secundario debido a


un impacto en el lado primario del sistema, la descarga es conducida hacia otro

14
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

punto a travs del apartarrayos instalado en el transformador dirigindose


hacia el sistema de aterrizamiento, figura 2.3. Un problema en particular se
presenta si la carga ofrece un mejor aterrizamiento, as muchos de los
transitorios de corriente fluirn de esta manera a travs de los conductores a
tierra en las instalaciones del usuario [42].

APARTARAYOS
PRIMARIO

RUTA HACIA OTRA


TIERRA

TIERRA DEL TRANSFORMADOR

figura 2.3. Ruta de conduccin a otra tierra.

Los problemas principales de calidad de la energa debido a impactos de


descargas atmosfricas que entran al sistema de tierra son:

1. Elevacin del potencial de la tierra local de varios kV. por encima de


otras en la vecindad. El equipo electrnico sensible que es conectado
entre dos tierras de referencia, llega a fallar cuando est sujeta a
ste tipo de descargas.
2. Se inducen altos voltajes en los conductores de fase cuando los
transitorios de voltaje pasan a travs de los conductores de tierra.

15
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

2.4. Fuentes de transitorios

La definicin de calidad de la energa o especficamente, de un disturbio de


calidad de la energa se establece como cualquier cambio en la potencia,
voltaje, corriente, o frecuencia que interfiere con la operacin correcta del
equipo [31].
Un transitorio es un cambio rpido en el voltaje o en la corriente del sistema
sobre un intervalo corto. Los transitorios considerados en esta investigacin no
exceden en duracin la mitad del periodo de la forma de onda principal a 60
Hz. [18], [27].
Un transitorio elctrico es la manifestacin externa de un cambio rpido en
las condicibones del circuito [44].
Los transitorios de voltaje son incrementos de voltaje con una duracin de
microsegundos a milisegundos [39].

Si V( t ) >1.25*Vp, entonces V(t) es un sobrevoltaje. Una sobretensin es una


condicin sostenida de alto voltaje fuera de los lmites de normales de
tolerancia [39], [56]. Una sobretensin transitoria tiene una duracin menor a
medio ciclo de la forma de onda de voltaje a frecuencia del sistema. Una
sobretensin transitoria de alto voltaje es definida como una forma de onda
que satisface V( t ) >2.0*Vp con una duracin menor a medio ciclo de la forma
de onda de voltaje a frecuencia del sistema. Esta definicin de sobretensin
transitoria de alto voltaje es definida en ANSI C62.41-1991 [47].

16
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

2.4.1. Disturbios

Una sobretensin de corta duracin conocida como transitorio alcanza un valor


tan alto como el 250% del voltaje nominal y es muy rpido (menor a medio
ciclo) [38].

Tabla 2.2. Caractersticas de los disturbios [38].

Definicin

Tipo I

Tipo II

Sobretensin transitoria

Sobretensiones y

tipo impulso y oscilatoria

supresiones momentneas

Descargas atmosfricas,
switcheo de bancos de

Causas

capacitores o inductores,

Fallas en sistema de

potencia; cambios grandes

potencia; cambios

de carga.

grandes de carga.

Abajo del 80 al 85% y

200 a 400 % o ms del

arriba del 110% del voltaje

voltaje rms.

rms respectivamente.

Menor a 0.5 ciclos para

Duracin

tipo impulso y hasta 16.7

De 4 a 60 ciclos,

ms., o mas, con

dependiendo del tipo del

frecuencias de 0.2 a 5

sistema de potencia y de

kHz., y mayores para tipo

distribucin.

0.5

Abajo del 80 al 85%


del voltaje rms

De 2 a 60 segundos si
la correccin es
automtica; tiempos
mayores si la
correccin es manual.

oscilatorio.
0

Desenergizaciones

Fallas en sistema de

operacin de las cargas.

Umbrales*

Tipo III

120

Duracin (ciclos a 60 Hz.)

* mas all de los lmites, el disturbio causa dao al equipo electrnico.

17
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

2.4.2. Tipos de transitorios

Los transitorios se caracterizan en tipo impulso y tipo oscilatorio. Un


transitorio tipo impulso tiene un tiempo de elevacin rpido y su magnitud
decrece rpidamente, y un alto contenido de energa. Con una duracin menor a
medio ciclo.
Un transitorio oscilatorio tiene un tiempo de elevacin rpido y su magnitud
decrece exponencialmente, contiene menor cantidad de energa comparado con
un impulso de tipo impulso. Con una duracin de un ciclo o ms y con frecuencias
de cientos de Hz. a varios MHz. [31].
Seis seales diferentes desarrolladas por IEEE Std. C62.41-1991 [47], ayudan
a entender las caractersticas de las formas de onda que se aproximan a la
mayora de los disturbios.

2.5. La simulacin de los sistemas de distribucin.

La simulacin de los sistemas de distribucin es difcil debido a la variedad de


configuraciones y componentes.
Por otra parte, debido a la naturaleza aleatoria de los disturbios y de las
caractersticas variables del medio de transmisin, los transitorios exhiben
amplias variaciones en su forma de onda. Sin embargo, mediciones de
laboratorio y de campo, confirmados por clculos tericos, han llevado a la
seleccin de un pequeo nmero de formas de onda que son representativas de
la mayora de los transitorios encontrados en la prctica [26].
18
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

La descarga atmosfrica causa el mayor dao cuando alcanza al conductor de


fase de una lnea area, ya que inyecta un transitorio enorme de corriente que
genera una sobretensin muy alta.
Se utiliza el trmino sobretensin para referirse a la sobretensin transitoria,
a menos que se indique otra cosa.

Cuando una descarga atmosfrica inyecta corriente sobre una lnea de


potencia, se generan a ambos lados del punto de impacto las llamadas ondas
viajeras [54], [57] [82]. El estudio determina los niveles de voltaje y corriente
que ocurren en un sistema elctrico durante una descarga atmosfrica. Los
parmetros uniformemente distribuidos de la inductancia L y la capacitancia C
a lo largo de la lnea determinan la velocidad y la relacin entre el voltaje y la
corriente. La velocidad por unidad de longitud en un tiempo de un segundo, con

L y C por unidad de longitud es:

v=

1
LC

... (2.1.)

El voltaje y la corriente estn relacionados por la impedancia caracterstica Z


como:
V = ZI

... (2.2.)

Z toma un valor tpico entre 300 a 400 ohms. La inductancia y capacitancia


distribuida determina la impedancia caracterstica:

19
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

Z = 60

L
2h
= 60 ln
C
r

... (2.3.)

donde:
h es la altura promedio de los conductores
r es el radio del conductor

Para una onda viajera, un capacitor se comporta inicialmente como una


impedancia muy pequea, tal como un cortocircuito. Conforme el capacitor se
carga por completo, la impedancia crece de manera que el capacitor se
comporta como un circuito abierto. Para una onda que viaja sobre una seccin
que termina en un capacitor, el voltaje se comporta como:

ZC

VT = 2VI 1 e

... (2.4.)

Para una onda viajera, una inductancia se comporta inicialmente como un


circuito abierto. Conforme el inductor permite ms flujo de corriente, su
impedancia disminuye al grado de comportarse como un cortocircuito. Para una
onda viajera que termina en un inductor el voltaje se comporta como:

Z
t

VT = 2VI 1 e L

... (2.5.)

20
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

Cumplindose en los cambios de impedancia la siguiente relacin:

... (2.6.)

VT = VI + VR

Para circuitos con varios conductores, el acoplamiento entre circuitos es


importante. La impedancia caracterstica mutua determina el voltaje sobre eun
conductor cuando una corriente fluye en otro conductor con la relacin
V2=Z12I1. La impedancia caracterstica mutua es:

Z ij = 60 ln

aij

... (2.7.)

bij

donde:

aij es la distancia entre el conductor i y la imagen del conductor j


bij es la distancia entre el conductor i y el conductor j

La figura 2.4. muestra el comportamiento de un aislador instalado en un poste


de madera, durante una sobretensin.
10
[kV]
8

e0

ei

ew

-2
0.00

0.02

0.06

0.04

(file POLES.pl4; x-var t) v:XX0001-XX0009

v:XX0009-

0.08

[m s ]

0.10

v:XX0001

figura 2.4. e0-Sobretensin aplicada al arreglo, ei- Sobretensin impresa al aislador,


ew- Sobretensin impresa al poste de madera.

21
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 2

El voltaje impreso al poste de madera alcanza un valor cresta de 7.22 kV., a 1.2
us., y alcanza la mitad de este valor en 16.5 us., El voltaje impreso al aislador
alcanza un valor inicial de 28.0 kV., en 1.2 us., y debido a que la sobretensin
aplicada e0 contina, el voltaje pico en el aislador alcanza un valor de 52.6 kV.,
en 37 us. Los parmetros para su simulacin son obtenidos de [54].

2.6.- Efecto sobre los sistemas y equipos elctricos

El estrs de voltaje en los sistemas y en los equipos presenta dos tipos de


adversidades: dao mal funcionamiento (upset). Un sistema daado falla por
completo o parcialmente. La nica manera de recobrarse del dao es
reemplazando los componentes afectados. La recuperacin de un upset no
requiere alguna reparacin o reemplazo.

La falla en los equipos elctricos es causado por el rompimiento de su


aislamiento. El parmetro ms importante en el rompimiento del aislamiento es
la magnitud pico del voltaje y de su ndice de elevacin. Equipos como
transformadores y motores soportan voltajes que son mucho mayores a esos
que causan falla en los dispositivos de estado slido.
La magnitud de voltaje, corriente, o potencia necesaria para causar el dao
permanente es conocido como el umbral de dao o de falla. En general, el valor
del umbral est en funcin de la duracin de la tensin aplicada [20], [36],
[38].

22
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

LA FUNCIN DE LOS APARTARRAYOS Y LAS ONDAS


CORTADAS AL RESTO DEL EQUIPO

3.1. Introduccin.

La funcin principal de un apartarrayos y de un supresor de transitorios


(TVSS) es limitar el voltaje que aparece entre dos puntos del circuito. Este es
un concepto importante de entender. Una de las interpretaciones errneas ms
comunes a cerca de los varistores, y componentes similares, es que ellos de
alguna manera son capaces de absorber la energa del transitorio [62].
Los apartarrayos de xidos metlicos protegen al aislamiento del equipo en los
sistemas elctricos contra las sobretensiones transitorias. Los apartarrayos
estn sometidos a dos tensiones: la tensin de operacin del sistema y las
sobretensiones que producen las descargas atmosfricas. Su caracterstica
extremadamente no lineal exhibe una resistencia alta durante la operacin
normal y una resistencia muy baja durante las sobretensiones transitorias [2].

Una resistencia no lineal no tiene la misma forma de voltaje y corriente cuando


opera en la regin no lineal. El modelo del apartarrayos disponible en el EMTP
es el dispositivo type 92 [8], [75], [77].

23
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.2. Los dispositivos de supresin.

El supresor de sobretensiones transitorias y el apartarrayos tienen el


mismo principio de operacin; cuando el voltaje es sus terminales aumenta, la
resistencia del dispositivo de proteccin disminuye, dejando pasar ms

Corriente

corriente [27], [28], [36], [37].

Voltaje

figura 3.1. Curva caracterstica V-I del varistor

Apartarrayos y TVSS son dispositivos que protegen a los equipos contra las
sobretensiones transitorias por la accin de la limitacin de voltaje. El trmino
apartarrayos se usa con frecuencia para referirse al dispositivo instalado en la
entrada del servicio, mientras que el trmino TVSS es usado para referirse al
dispositivo conectado en el punto de instalacin del equipo sensible.

24
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

Transitorio
incidente

Voltaje

Voltaje

Transitorio modificado
por el varistor

Tiempo

Voltaje de
sujecin del
varistor

Tiempo

Zs
Vin

Zc

Vout

Equipo
protegido

Varistor

figura 3.2. Funcin del varistor

La barrera contra los transitorios que intentan alcanzar al equipo sensible se


lleva a cabo con la instalacin de los supresores de voltaje transitorio (TVSS).
Una proteccin contra sobretensiones transitorias debe ser instalada cerca
del equipo sensible para protegerlo contra el voltaje residual que alcanza
entrar a la instalacin cuando un apartarrayos opera [39].

3.3. Clasificacin de los dispositivos de proteccin [28], [39]:

Dispositivos de arco (crowbar devices).

Dispositivos sujetadores de voltaje (voltaje clamping devices).

25
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.3.1.

Dispositivos de arco. Incluyen air-gaps, tubos de descarga en gas,

apartarrayos y dispositivos de switcheo. Son dispositivos inactivos hasta que el


voltaje aplicado excede un valor establecido. En ese momento, empiezan a
conducir, creando un cortocircuito a tierra desviando de esta manera las
sobretensin que se dirige hacia la carga.

3.3.1.1. Dispositivos tipo gap. Requieren entre 300 a 700 V para iniciar
el arco a travs de del gap. Los dispositivos de switcheo, como los thyristores,
son disparados por un circuito de control. Ambos tipos, durante el tiempo que
estn conduciendo, deben transportar no slo la energa del transitorio sino
tambin la corriente de corto circuito del sistema que es enviada a tierra con
una duracin de hasta medio ciclo o ms. El arco en el gap cesa al pasar la
corriente por cero. En ese primer cruce o en uno subsecuente del transitorio
se disipa y el voltaje del sistema no es lo suficientemente alto para producir un
reencendido; el gap vuelve a su estado de no conduccin.

3.3.1.2. Dispositivos de switcheo. Dejan de conducir al cruce de la


corriente por cero, y no hay sobretensin que cause el disparo nuevamente. Si
el flujo de corriente excede la capacidad del dispositivo, la interrupcin no
toma lugar en el primer cruce de la corriente por cero, por ello una proteccin
de respaldo es necesaria.

3.3.1.3. Tubo de descarga en gas. Son los de mayor aplicacin en los


sistemas de computo y otros equipos sensibles. Consisten de dos o tres
electrodos dentro de un tubo hermtico con una mezcla de gases a baja

26
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

presin. Los electrodos forman uno o dos gaps. Tienen una vida relativamente
larga y una capacidad de manejo de corriente.

3.3.1.4. Carbon-block spark gaps. Son comunes en lneas telefnicas.


Consisten de dos bloques o electrodos de carbn separados por un entrehierro.

Los dispositivos de arco son relativamente lentos, ya que les toma varios
microsegundos para operar, protegiendo al sistema de una elevacin de voltaje
muy rpida, que llega a alcanzar miles de volts por microsegundo. Es por ello
que un dispositivo adicional debe adicionarse para proteger al equipo contra un
transitorio.

3.3.2. Dispositivos sujetadores de voltaje. Son resistencias no lineales


(varistores) las cuales conducen muy bajas cantidades de corriente hasta que
una sobretensin ocurre. Entonces empiezan a conducir grandes cantidades de
corriente y su impedancia cae rpidamente como el voltaje incrementa. Estos
dispositivos incrementan la cantidad de corriente para limitar la elevacin de
voltaje producido por la sobretensin.
La ventaja que tienen sobre los dispositivos tipo crowbar es que el voltaje no
es reducido por debajo del nivel de voltaje de referencia cuando comienzan a
conducir el transitorio de corriente.

3.3.2.1. Varistores de xidos metlicos (MOVs), diodos zener


(avalancha) y rectificadores de selenio, son conductores unidireccionales hasta
que su voltaje de rompimiento es alcanzado, en ese momento empiezan a

27
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

conducir en reversa. Estn conectados normalmente al circuito en la direccin


de no conductividad, presentando una alta impedancia. Si el voltaje aplicado a
la lnea es mayor al voltaje de sujecin, el voltaje en el dispositivo decrece
rpidamente. Cuanto mas aumenta la corriente la impedancia disminuye,
desviando de esta manera al transitorio que se dirige hacia la carga.
La impedancia del dispositivo sujetador de voltaje, acta como un divisor de
voltaje y mantiene al sistema cerca del voltaje de sujecin. La relacin es:

Zc
Vout = Vin

Zc + Zs

... (3.1.)

Zc
Cuando Vin es normal, Zc es muy alta comparada con Zs y
1; as,
Zc + Zs
Vout Vin

Cuando Vin es alto (transitorio arriba del voltaje de sujecin), Zc es bajo y de


la misma magnitud que Zs. Cuando Vin se incrementa, Zc decrece y la corriente
a travs de Zc incrementa. Como resultado, el voltaje Vout permanece
relativamente constante al voltaje de sujecin, figura 3.2., [36], [38], [59].

Durante el voltaje de sujecin, la impedancia del dispositivos es baja, pero no


cae a cero, como ocurre con los dispositivos de arco. No hay por tanto un flujo
de corriente de cortocircuito esencial. El voltaje de sujecin se mantiene en la
carga.

28
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

Los dispositivos de sujecin operan en el intervalo de los nanosegundos [26],


[36], miles de veces ms rpido que los dispositivos de arco, pero su capacidad
de manejo de energa es menor. Una de las desventajas del MOV es que su
caracterstica se deteriora cada vez que se presenta un transitorio.

3.3.2.2. Los diodos zener son utilizados para proporcionar un voltaje de


sujecin. Son dispositivos que mantienen una alta impedancia hasta que se
alcanza su voltaje de ruptura, entonces cae rpidamente la impedancia para
proporcionar la sujecin. Los diodos zener utilizados para la sujecin tienen
diferentes caractersticas de aquellos utilizados para la regulacin de voltaje.
Bajo la condicin de avalancha, cuando el diodo est limpiando la sobretensin
un flujo de corriente sustancial fluye a travs de la delgada juntura del
semiconductor. La habilidad de disipar calor en la juntura limita la mxima
energa que el diodo zener maneja. Los diodos zener actan ms rpido que los
MOV y proporcionan una sujecin efectiva, un voltaje casi constante, pero con
una limitada capacidad de manejo de energa.

3.3.2.3. Varistores de carburo de silicio. Tienen una alta capacidad para


el manejo de energa y son usados en apartarrayos para altos voltajes. Tienden
a manejar en condiciones normales una cantidad de corriente considerable, es
por ello que utilizan un gap en serie que proporciona un circuito abierto hasta el
momento en que el transitorio ocurre. Esta propiedad lo hace inadecuado para
operar en bajo voltaje. Existen apartarrayos de oxido de zinc que tienen una
mejor caracterstica no lineal y son utilizados sin la adicin de un gap.

29
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

Son esencialmente dispositivos tipo arco pero su comportamiento es como el de


los dispositivos de sujecin [36].

3.4. Principio de proteccin contra sobretensiones transitorias.

El principio fundamental de la proteccin contra sobretensiones en los


equipos es limitar los transitorios a travs de los aislamientos sensibles
desvindolos de la entrada mediante un filtro paso-bajas usando principios de
limitacin y bloqueo [42], [61].

3.5. Dispositivos hbridos dispositivos de proteccin mltiple.

Son supresores de transitorios que combinan dos o ms tecnologas para


proporcionar la supresin en un amplio intervalo de voltajes, ndices de
elevacin, y contenido de energa que un dispositivo por si slo no cubre
satisfactoriamente. Estos dispositivos combinan normalmente un tubo de
descarga en gas de dos o tres electrodos, para un manejo de alta energa, con
un MOV o un diodo zener para una respuesta de operacin rpida [21], [36],
[61].
CORRIENTE TRANSITORIA

SUMINISTRO DE
POTENCIA

FILTRO EQUIVALENTE PASO-BAJAS

V1 IMPEDANCIA
DE LA LNEA

V2

CARGA
SENSIBLE

IMPEDANCIA DE
ATERRIZAMIENTO
= APARTARAYOS

UNIDA A LA TIERRA DE
REFERENCIA LOCAL

CORRIENTE TRANSITORIA
DESVIADA HACIA TIERRA

figura 3.3. Filtro equivalente con dispositivos de supresin.

30
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

El apartarrayos debe ser conectado entre lnea y neutro en el punto de


entrada del servicio, figura 3.3. Este arreglo limita al voltaje de lnea (V1), de
una elevacin muy alta con respecto al neutro. Cuando se lleva a cabo la accin
de limitar el voltaje, ste proporciona una ruta de baja impedancia para el
transitorio de corriente que viaja por el conductor de puesta a tierra. Esto
obliga a que la mayora de la energa del transitorio sea conducida a tierra a
travs de ste.

La limitacin de voltaje es combinada con la funcin de bloqueo para formar un


filtro pasa-bajas. La lnea proporciona la funcin de bloqueo en proporcin a su
longitud. Como la inductancia obliga a que la mayor parte del transitorio viaje
por el primer dispositivo limitador. El segundo dispositivo tiene entonces que
limitar esa pequea sobretensin (V2) que consigue atravesar y proporcionar
proteccin a la carga [22], [42].

31
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.6. Representacin de los modelos.

L1

U-I

C1

Rc

figura 3.4. Representacin del varistor para la simulacin en EMTP-ATP [8], [10], [12].

L1

SC

RC

R1

C1

Rc

figura 3.5. Representacin del GDP para la simulacin en EMTP-ATP [5], [9], [10], [13].

Modelo del efecto piel

L'4
R'4
L'3
R'3
L'2
lnea de
transmisin ideal
Zo, v

R'2

R'1

figura 3.6. Representacin del cable de la instalacin para la simulacin en EMTP-ATP


[10], [22].

32
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.7.

Retardo de tiempo

Se usa la siguiente frmula de retardo de tiempo para un tubo de descarga en


gas de 230 V [5].

log td=1.283-0.82log S

... (3.2.)

Donde td es el retardo de tiempo en segundos y S es la razn de elevacin de


voltaje en volts por mili segundo.

3.7.1.

Modelo de la resistencia de arco elctrico.

La manera de simular la resistencia de arco es mediante el modelo emprico


establecido en [5].
Para este estudio se ha empleado el modelo de conductancia de representada
en la ecc. 3.3. [6], utilizando el lenguaje de programacin MODELS. Los
parmetros son obtenidos de [7] para un caso similar.

g + (dg/dt) = i2/p

... (3.3.)

R=1/g
donde R es la resistencia, g es la conductancia, es la constante de tiempo, i la
corriente y p es la potencia en estado estacionario del arco elctrico [13].

33
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.8. Mdulo del varistor.

El varistor usado como dispositivo de proteccin contra las sobretensiones


transitorias, exhibe una caracterstica no lineal V-I; la impedancia decrece con
el incremento de voltaje proporcionando una ruta de baja impedancia para las
sobretensiones transitorias y una ruta de alta impedancia a voltaje normal del
sistema. La curva V-I del varistor es mostrada en la figura 3.1. La funcin del
varistor es ilustrada en la figura 3.2.
En el modelo, la curva caracterstica es implementada por una fuente
controlada por voltaje V=f(I). Una resistencia en serie Rs = 100 ohms es
insertada para prevenir que una fuente ideal sea conectada en paralelo o que el
modelo del varistor sea conectado directamente a la fuente [12].

El modelo del varistor es representado por su curva caracterstica V-I, una


capacitancia en paralelo y una inductancia en serie. El equivalente es mostrado
en la figura 3.4.

De acuerdo con el circuito equivalente la inductancia y la capacitancia


representan la inductancia L del cable y la capacitancia C paralelo. L y C son
diferentres para cada tipo y son definidos como parmetros en el Apndice B.

V = f (I ) caracterstica V-I
Cp = Capacitancia del varistor
Ls = Inductancia serie
RS = Resistencia serie

34
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

No se permite despreciar la inductancia del varistor en aplicaciones con pulsos


muy escarpados. Por esta razn, se debe insertar una inductancia en serie cuyo
valor es determinado por la inductancia del cable [12].
Los valores de la inductancia en la librera son seleccionados para aplicaciones
tpicas, por ejemplo, 13 nH para el varistor S20K275. Si se usan cables, largos
debe considerarse la adicin de la inductancia. En el caso de varistores de
disco, la inductancia de los cables es de aproximadamente 1 nH/mm. [12].

3.8.1. Lmites del modelo del varistor

Por razones matemticas, las curvas caractersticas se extienden hacia ambas


direcciones mas all del intervalo de corriente (10 A a Imax) especificado en
los datos, y no es limitada por el procedimiento del programa. La validez del
modelo se pierde si estos lmites especificados se exceden. Lmite inferior 10

A, el lmite superior Imax depende de cada tipo de varistor [12].

Se ha desarrollado un mdulo de varistor para bajo voltaje usado en la


coordinacin de la proteccin contra transitorios dentro del ambiente ATPEMTP usando el lenguaje MODELS, para ello se ha utilizado la funcin de
interpolacin sugerida en [8] para la relacin de voltaje-corriente de los
varistores de ZnO:

y = anxn

... (3.4.)

35
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

donde y=log(V) y x=log(I), y V e I son el voltaje y la corriente en el varistor


respectivamente [8]. Un caso especial de la ecc. (3.4.), est dado por la
siguiente expresin [8], [10], [12]:

log(u ) = B1 + B2 log(i ) + B3 e log(i ) + B4 log(i ) con i>0

... (3.5.)

donde los parmetros B1,B2,B3 y B4 son constantes para cada tipo de varistor.
Esta ecuacin muestra el comportamiento ideal del varistor. Incluyendo
tambin la capacitancia C y la inductancia L del cable de conexin de ste, se
consigue la caracterstica completa de voltaje-corriente del varistor.

SIOV - S20K275

V
TOL = +10
1000

TOL = 0
TOL = -10

V
600

400

200

100

10 -5

10 -4

10 -3

10 -2

10 -1

10 0

10 1

10 2

10 3 A

10 4

figura 3.7. Curva V-I, del varistor SIOV S20K275, Parmetros del fabricante:
B1 = 2.7233755, B2 = 0.0258453, B3 = -0.0005746, B4 = 0.0046033 [12].

Esto significa que la curva caracterstica para cada varistor es descrita por los
parmetros B1 a B4. La figura 3.7. muestra la curva caracterstica V-I del
varistor SIOV-S20K275 as como sus parmetros correspondientes B1 a B4.

36
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

La figura 3.4 muestra el mdulo del varistor implementado en ATP-EMTP


usando MODELS. R es una resistencia tipo 91 [74], [77] controlado por TACS y
en la caja V-I es implementada la ecuacin (3.5.) usando MODELS. Rc es la
resistencia de contacto entre el cable de conexin y el circuito externo.

Inicio

I>0?

t=t+t

y
R=f(V-I) ecc.(3.5)

fin
figura 3.8. Diagrama de flujo que representa la caracterstica del supresor.

3.9. El cable de la instalacin.

El cable de la instalacin se modela como una lnea de transmisin considerando


el efecto piel [10].

37
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.10. El modelo en ATP.

El modelo del tubo de descarga en gas se muestra en la figura 3.9. Del lado
izquierdo se muestra el generador de voltaje, la parte media es el equipo de
medicin de voltaje representado por un resistencia y un capacitor en
derivacin. Estos elementos no influyen en los resultados debido a que la
resistencia tiene un valor muy alto comparado con el de la resistencia en
paralelo del generador y la capacitancia es tambin pequea para influir sobre
la razn de voltaje usado. A la derecha est el tubo de descarga en gas. El
retardo de tiempo es representado por un switch controlado por voltaje (SCV)
donde la ecuacin (3.2.) es implementada en MODELS. La resistencia de arco
es representada por una resistencia controlada por corriente (RCC). La caja
RCC es un mdulo de MODELS donde la variacin en la conductancia del arco
(3.3.) durante la operacin del GDP es implementada [5], [10], [21].
El modelo tiene una entrada de voltaje y una de corriente; la corriente es
obtenida de la resistencia de medicin Rm. R1 y C1 son la resistencia y la
capacitancia de fuga, respectivamente. L1 es la inductancia del cable. Rc es la
resistencia de contacto y Rn es una resistencia despreciable introducida para
tener un nodo dentro del mdulo del tubo de descarga en gas para conectar el
SCV.

figura 3.9. Modelo del tubo de descarga en gas.

38
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

Inicio

t=t+t

V>VBD?
n
y
t1=t

td=f(S) ecc.(3.2.)

t=t+t

t-t1>td?
n
y
cerrar interruptor

t=t+t

I<I1?
n
y
abrir interruptor

Fin
figura 3.10. Diagrama de flujo para el retardo de tiempo.

39
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

Inicio

Rg=f(I) (*)

R<R1?

t=t+t

t=t+t

t=t+t

y
R=f(VI) ecc.(3.3.)

I<I1?
y
V=Vg

I<I2?
y
Fin

figura 3.11. Diagrama de flujo de la resistencia de arco.

40
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

3.11. Simulacin del comportamiento de los dispositivos de proteccin.

Como ejemplo usamos un tubo de descarga en gas con un voltaje de disparo de


230 V, GDP CGZ/230VL [10]. El voltaje calculado a travs del tubo de descarga
en gas para diferentes amplitudes del voltaje aplicado es mostrado en las
figuras 3.12. a 3.14. Debido al retraso de tiempo (seccin 3.5.1) se obtienen
diferentes formas de voltaje [6], [7], [10].

400
[V]
350
300
250
200
150
100
50
0
0.00

0.05

0.15

0.10

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

(file tdg.pl4; x-var t) v:XX0007-XX0008

figura 3.12. Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 800 V,
S=600 V/ms
600
[V]
500

400

300

200

100

0
0.00

0.05

0.15

0.10

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

(file tdg.pl4; x-var t) v:XX0007-XX0008

figura 3.13. Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 1200 V,
S=900 V/ms

41
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

1000
[V]
800

600

400

200

0
0.00

0.35 [m s ] 0.40

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

(file tdg.pl4; x-var t) v:XX0007-XX0008

figura 3.14. Voltaje a travs del tubo de descarga para un voltaje aplicado de 1200 V,
S=1200 V/ms.

La figuras 3.15. y 3.16. muestran la caracterstica V-I y R-I respectivamente,


del supresor SIOV S20K275 [6] simulado en ATP.

1100

1000

900

800

700

600

500
8

*10 3

10

(file s iov_vi.pl4; x-var c:XX0009-XX0011) m :U

figura 3.15. Curva V-I, del varistor SIOV S20K275 simulada en ATP DRAW
500

400

300

200

100

0
0

100

200

300

400

500

600

700

800

(file s iov_vi.pl4; x-var c:XX0009-XX0011) m :R_TEMP

figura 3.16. Curva R-I, del varistor SIOV S20K275 simulada en ATP DRAW

42
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 3

400
[V]

350

300

250

200

150

100

50

0
0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0011

figura 3.17. Voltaje de sujecin del varistor SIOV S10K95, durante un voltaje
aplicado de 2 kV, 10/700 us [70].

3.12. Cable de la instalacin

La longitud del cable de la instalacin es de 20 m. Una descripcin del modelos


para el cable de instalacin en el ambiente ATP-EMTP incluye el efecto piel
[10].
10. 0
[ A]
7. 5

5. 0

2. 5

0. 0

-2. 5

-5. 0

-7. 5

-10. 0
0

(f ile LIN ER KK.pl4; x -v ar t) c : XX0001-XX0004


c :XX0001-XX0016
c : XX0341-

12
c : XX0001-XX0008

16

figura 3.18. Efecto piel presente en el conductor,


interior del conductor, y

[m s]

20

c :XX0001-XX0012

y perfil de corriente en el

perfil de corriente el la superficie del conductor [2].


43

SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

EL IMPACTO DE LAS SOBRETENSIONES EN LAS


INSTALACIONES DE BAJA TENSIN

4.1. Introduccin.

Cuando el equipo electrnico es expuesto a un transitorio, tambin lo est a un


dao o a mal funcionamiento. Un primer efecto sobre el equipo es que ste
sufre una interrupcin. Los datos del sistema se mutilan producindose un
bloqueo. Esto es un inconveniente pero, generalmente no hay dao.
Un segundo efecto es la degradacin del equipo. Si la actividad transitoria es
constante, entonces los componentes del sistema tal como el rectificador o los
circuitos integrados se deterioran. Significa que, aunque el equipo no se afecte
en ese momento, est siendo estresado continuamente sin una causa aparente y
se daar mas tarde [63].
El tercero efecto es la destruccin de los componentes. Este es el ms obvio,
hacindose visible el dao cuando el equipo humea al arrancar o hay ruido en l.
Las corrientes transitorias asociadas con las descargas atmosfricas actan
con la impedancia del sistema de distribucin creando sobretensiones
transitorias. De esta manera, los efectos de los impactos por descarga
atmosfrica

son

transmitidos

varios

puntos

del

sistema.

44
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

4.2. Representacin

de

las

sobretensiones

producidas

por

descarga

atmosfrica.

Para instalaciones en baja tensin, en el punto de acometida se consideran


niveles de flameo con formas de onda de 1.2/50 s., 10-20 kV., mientras que en
el interior de la instalacin se consideran niveles de flameo de 6 kV., entre
fases o entre fase y tierra [26], [39].

Las descargas atmosfricas sobre lneas areas son representadas por una
seal de voltaje de 1.2/50 s., y una seal de corriente de 8/20 s., [58]. Estas
seales son una simplificacin apropiada de la representacin del medio
ambiente cercano al punto de acometida conectado al sistema de distribucin
mediante una lnea area. Autores como [52], [40], consideran para fines de
estudio formas de onda de 8/100 us., y 10/100 us., para simular tiempos ms
largos de la corriente de rayo.

4.3. La curva CBEMA

Los fabricantes de equipos elctricos especifican los lmites de las


fluctuaciones de voltaje dentro del cual el equipo opera sin que sufra dao o
produzca errores. La desviacin momentnea del voltaje nominal es definido en
trminos de amplitud y duracin [3], [18].

La curva CBEMA fue diseada por varios fabricante de equipo de cmputo para
establecer los lmites en que el equipo elctrico opera correctamente. La curva

45
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

CBEMA es un perfil de susceptibilidad del equipo. Existen varios tipos de


disturbios que afectan al equipo electrnico. La curva CBEMA ayuda a entender
como cada tipo de disturbio influye sobre la operacin del sistema [38].

4.3.1. La curva ITIC

La organizacin responsable de la curva CBEMA ha cambiado su nombre al de


Information Technology Industry Council (ITIC). Mientras que la la curva
CBEMA es aplicable nicamente a equipo de cmputo, la curva ITIC es aplicable
a equipo de voltaje nominal de 120, 120/208 y 120/240 V, que contiene
dispositivos de estado slido , incluyendo equipo de cmputo [20], [38].

El eje vertical de la grfica indica el porcentaje de voltaje que es aplicado al


circuito, y el eje horizontal indica el tiempo involucrado (en microsegundos o
segundos). El rea dentro de la envolvente es considerada como aceptable,
donde los equipos con dispositivos de estado slido operan adecuadamente, el
rea fuera de ella es considerada no aceptable o de dao para el equipo.

46
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

Porciento del voltaje nominal (RMS pico equivalente)

500

400

Regin de dao

300

200

140
120
110
100
90
80
70

Envoltura de tolerancia
de voltaje , aplicable a equipos
monofsicos de 120 V.

40

Regin de no dao
0
0.001 c

0.01 c

0.1 c

1 us

1 ms

0.5 c
3 ms

1c

10 c
20 ms

100 c
0.5 s

10 s

1000 c

Duracin del disturbio en ciclos (c) y en segundos (s)

figura 4.1. Consejo Industrial de la Tecnologa de Informacin (ITIC) [20], [38].


Tabla 4.1. Valores proporcionados por la curva ITIC [31].

Interrupcin momentnea

0 volts para 20 ms.


70% volts para 0.5 s.

Sag de voltaje

80% volts para 10 s.


90% volts continuos
500 % volts para 0.01 ciclo.

Sobretensiones

200% volts para 1 ms.


120% volts para 0.5 s.
110% volts continuos.

47
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

El intervalo tpico establecido por los fabricantes de equipo de cmputo en la


calidad de la energa para ser considerado como sobretensin transitoria es
mayor a 200% con una duracin menor a 200 s. [38].

Como ejemplo vemos en la figura 4.2., que cuando el voltaje aplicado (punto A)
alcanza el valor del 250% del voltaje normal en menos de 1 ms., ste cae dentro
de la curva y es considerado como tolerable. Pero cuando el mismo voltaje
aplicado (punto B) permanece por un periodo ms largo, causar dao o mal
funcionamiento al equipo.

Porciento del voltaje nominal (RMS pico equivalente)

500

400

300

A
200

140
120
110
100
90
80
70
40

0.001 c

1 us

0.01 c

0.1 c
1 ms

0.17 ms.

0.5 c
3 ms

1c

10 c
20 ms

100 c
0.5 s

10 s

1000 c

Duracin del disturbio en ciclos (c) y en segundos (s)

figura 4.2. Ejemplo de aplicacin de la curva ITIC. - figura 4.8., x- figura 4.9., ofigura 4.10., - figura 4.11., magnitudes pico de las sobretensiones para 0.17 ms.

48
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

Tabla 4.2. Sobretensiones transitorias [39], [78].

Disturbio de
voltaje

Umbrales

Duracin

del

del

disturbio

disturbio

Efectos sobre el

Dispositivo de

equipo sensible

proteccin

Truncamiento de
datos provocando
errores,

Sobretensin
transitoria.

> 100 % del

sealizaciones en

Transformadores

voltaje rms

falso, paro en el

de aislamiento,

(medicin

funcionamiento de

supresores de

equipo y el

transitorios,

procesamiento de

apartarrayos en

informacin.

lnea,

la lnea de

Dao al equipo

mejoramiento en

voltaje

electrnico,

el sistema de

rms.)

rompimiento del

aterrizamiento.

instantnea
arriba o
debajo de

< a medio
ciclo.

aislamiento en
transformadores y
motores.

49
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

4.4. Esquema de proteccin.

Cuando se disea un esquema de proteccin contra descargas atmosfricas


para sistemas de potencia de baja tensin, diversos escenarios deben ser
considerados para el punto de terminacin del impacto de la descarga
atmosfrica. Considerando el siguiente orden de severidad: impacto directo a
la instalacin, impacto directo a la lnea area de baja tensin, impacto directo
a objetos cercanos a la instalacin, descargas atmosfricas de nube a tierra
lejos de la instalacin, y finalmente descargas entre nubes [14].
En esta investigacin se utiliza el EMTP ATP, para la realizacin de las
simulaciones debido a un impacto directo a la lnea area de baja tensin.

Por razones de simplicidad, slo la proteccin en modo diferencial entre el


conductor de fase (L) y tierra es mostrado [22], [53].

La presencia de transformadores de distribucin es incluida en los de la


literatura [69], [71]. Debido a que esos modelos son ms apropiados para el
estudio de fallas internas en el transformador se ha seleccionado en esta
investigacin el modelo postulado en [32].

50
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

4.4.1.

Simplificacin

del

circuito

para

su

modelacin

(CASO

DE

ESTUDIO A).

Los conductores entre las instalaciones A, B, C y D, respectivamente, y el de la


instalacin A al transformador son modelados como una inductancia en serie,
que corresponde a un conductor de aluminio de 34 mm2 de seccin trasversal
(# 2 AWG) con los parmetros dados en [14]. La separacin entre instalaciones
es de 100 m y el de la instalacin A al transformador es de 20 m.
El transformador de distribucin alimenta a tres instalaciones en un arreglo
radial como se muestra en la figura 4.3. La descarga atmosfrica impacta en
cada una de las instalaciones, correspondientes a los puntos de impacto A, B, C
y D respectivamente.
A

figura 4.3. Arreglo utilizado para determinar las sobretensiones transitorias en


diferentes puntos de impacto ( A, B, C, D).

51
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

1600
[V]

1300

1000

700

400

100

-200
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0034

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0182

figura 4.4. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto A del arreglo de la
figura 4.3., 500 A, 8/20 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.
3200
[V]

2520

1840

1160

480

-200
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0034

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0182

figura 4.5. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto B del arreglo de la
figura 4.3., 500 A, 8/20 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.

52
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

7000
[V]

6000

5000

4000

3000

2000

1000

-1000
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0034

0.16

[m s ] 0.20

v:XX0182

figura 4.6. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto C del arreglo de la
figura 4.3., 500 A, 8/20 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.
10
[kV]

-2
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0034

figura 4.7. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto D del arreglo de la
figura 4.3., 500 A, 8/20 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.

53
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

6000
[V]

5000

4000

3000

2000

1000

0
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0013

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0182

figura 4.8. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto A del arreglo de la
figura 4.3., 6000 V, 1.2/50 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.
6000
[V]

5000

4000

3000

2000

1000

0
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0013

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0182

figura 4.9. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto B del arreglo de la
figura 4.3., 6000 V, 1.2/50 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.

54
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

6000
[V]

5000

4000

3000

2000

1000

0
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0013

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0182

figura 4.10. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto C del arreglo de la
figura 4.3., 6000 V, 1.2/50 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.
6000
[V]

5000

4000

3000

2000

1000

0
0.00

0.04

(file arreglo_g.pl4; x-var t) v:XX0242

0.08

v:XX0066

0.12

v:XX0070

0.16

[m s ]

0.20

v:XX0013

figura 4.11. Perfil de voltajes debido a un impacto de corriente en el punto D del arreglo de la
figura 4.3., 6000 V, 1.2/50 US, 5, 10,10, 10 ohms, 30 ohms metro,
0- Punto A, - Punto B, - Punto C, x- Punto D.

55
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 4

tabla 4.3. Sobretensiones transitorias en diferentes puntos del arreglo.

FORMA DE

PUNTO DE MEDICIN

ONDA

PUNTO

APLICADA Y

DE

RESISTIVIDAD IMPACTO Volts/P.U. Volts/P.U. Volts/P.U. Volts/P.U.


DEL TERRENO
500 A, 8/20
US,
30 -m.

6000 V, 1.2/50
US,
30 -m.

1598.9/9.4

1524.5/8.9

1240.9/7.3

1234.3/7.2

1524.7/8.9

3122.7/18.4

1800.7/10.6

1630.6/9.6

1240.9/7.3

1800.7//10.6 6416.5/37.8 4967.4/29.2

1234.0/7.2

1630.3/9.6

4966.1/29.2 9592.5/56.5

5992.4/35.3 5882.6/34.6 4920.3/29.0 5023.4/29.6

4147.6/24.4 5992.4/35.3 4862.4/28.6 4904.4/28.9

2256.9/13.3 2472.7/14.5 5992.4/35.3 5183.6/30.5

1619.9/9.54

1747.9/10.3

3211.6/18.9 5992.4/35.3

1P.U . = 120 2 = 169.705 Vpico.

La resistencia de aterrizamiento en las instalaciones A, B, C y D es 5, 10, 10, 10


ohms respectivamnte.
C62.41-1991 [47], establece cuando, de acuerdo con el nivel de sobretensin
transitoria aplicada, el equipo sufre una upset o una falla.

56
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

LA FORMA DE PROTECCIN CONTRA LAS SOBRETENSIONES


EN BAJA TENSIN Y EL EFECTO DE LA CONEXIN A
TIERRA

5.1. Introduccin.

Actualmente el equipo electrnico es ms vulnerable a los transitorios de


voltaje. Para prevenir daos, se debe instalar dispositivos no lineales que
protejan al equipo electrnico sensible contra las sobretensiones transitorias
[5].

Para que sea adecuada la proteccin, debe estar formada por una combinacin
de dispositivos diferentes, por ejemplo, protectores de descarga en gas y
varistores [31], [36]. La adecuada seleccin de stos dispositivos es
importante para tener un buen comportamiento del sistema de proteccin. El
componente ms difcil de simular es el tubo de descarga en gas debido a que
un mecanismo complejo de descarga debe ser modelado. Son dos las
caractersticas principales del mecanismo de descarga que deben ser
modelados: el tiempo de retardo entre la seal de voltaje y la seal de voltaje
de disparo y la resistencia de arco dependiente del tiempo[5].

57
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

ATP-EMTP, MODELS y ATP-DRAW forman una excelente herramienta para la


simulacin de la proteccin contra transitorios, la cual contiene componentes
extremadamente no lineales.

En esta tesis se presenta un mdulo del varistor y un mdulo de tubo de


descarga en gas para ser usada en simulaciones en ATP-EMTP, utilizando el
lenguaje de programacin MODELS. El mdulo incluye dos cajas MODELS en el
cual el tiempo de retardo entre la seal de voltaje y la seal de voltaje de
disparo y la resistencia de arco dependiente del tiempo son modelados.

5.2. Necesidad de instalar dispositivos de supresin.

La columna vertebral de nuestra sociedad moderna posee grandes


sistemas de informacin. Una avera, la falla de alguno de estos sistemas
tiene consecuencias catastrficas.
Las causas de las averas son mltiples, pero las alteraciones y perturbaciones
electromagnticas juegan un papel importante. En un entorno altamente
tecnificado, no resulta aconsejable esperar a que se produzcan influencias y
perturbaciones en los equipos y sistemas electrnicos y una vez de producidas
las fallas, intentar subsanarlas. Por ello es recomendable adoptar medidas que
eviten o disminuyan considerablemente el riesgo de perturbaciones, averas y
destruccin de equipos [41],[79].

58
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

5.2.1. Circuitos combinados y la proteccin en cascada.

Si los problemas no son resueltos con un solo componente, como un varistor, es


posible combinar diferentes componentes aprovechando sus respectivas
ventajas. La figura 5.1. ilustrar el principio de proteccin [61], [70].

El voltaje de 10 kV es limitado mediante dos barreras


_ burda protector de descarga en gas
_ estandar varistor
una tercer barrera, fina diodo normal, diodo zener (no mostrado).

5.3. Proteccin mediante varistores de xidos metlicos y protectores de


descarga en gas.

kV
12

V
600

V
600

10

500

500

400

400

300

300

200

200

100

100

Surge
voltage wave

20

40

60s

2s

TUBO DE DESCARGA EN GAS

2s

VARISTOR

EQUIPO PROTEGIDO

Figure 5.1. Principio de proteccin mediante varistores de xidos metlicos y


protectores de descarga en gas.

59
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2000
[V]
1600

1200

800

400

0
0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0011

figura 5.2. Forma de onda de 10/700 us., 2 kV de circuito abierto aplicado a


diferentes varistor.

A continuacin se muestra un conjunto de curvas que representan la operacin


de varios dispositivos de supresin, con caractersticas individuales.
2500
[V]
2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0109-

figura 5.3. Operacin del SIOV- S10K75 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 190 V.

60
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0062-

figura 5.4. Operacin del SIOV- S10K95 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 235 V

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0086-

figura 5.5. Operacin del SIOV- S10K115 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 285 V

61
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.6. Operacin del SIOV- S10K130 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 320 V

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.7. Operacin del SIOV- S10K140 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 335 V

62
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.8. Operacin del SIOV- S10K150 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 370 V

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.9. Operacin del SIOV- S10K175 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 420 V

63
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.10. Operacin del SIOV- S14K140 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 320 V

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.11. Operacin del SIOV- S14K150 durante una sobretensin de 2kV, 10/700
us., SVR 355 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

64
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.12. Operacin del SIOV- S14K175 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 400 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.13. Operacin del SIOV- S18K140 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 310 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

65
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.14. Operacin del SIOV- S18K150 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 340 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.15. Operacin del SIOV- S18K175 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 390 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

66
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.16. Operacin del SIOV- S20K140 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 310 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.17. Operacin del SIOV- S20K150 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 337 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.

67
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

2500
[V]

2000

1500

1000

500

0
0.0

0.1

(file epcos .pl4; x-var t) v:XX0001

0.2

0.3

0.4

[m s ]

0.5

v:XX0051-

figura 5.18. Operacin del SIOV- S20K175 durante una sobretensin de 2kV,
10/700 us., SVR 388 V, 0-Sobretensin aplicada, - Operacin del dispositivo.
Tabla 5.1. Comparacin entre los SVR de la referencia [70] y los de esta investigacin.

MODELO

SVR [70]

SVRsimulada

KV.

KV.

S10K75

200

190

S10K95

250

S10K115

MODELO

SVR [70]

SVRsimulada

KV.

KV.

S14K150

395

355

235

S14K175

455

400

300

285

S18K140

360

310

S10K130

340

320

S18K150

395

340

S10K140

360

335

S18K175

455

390

S10K140

395

370

S20K140

360

310

S10K175

455

420

S20K150

395

337

S14K140

360

320

S20K175

455

388

68
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

figura 5.19. Arreglo completo de la proteccin simulada en ATPDRAW.

2500
[V]

2000

1500

1000

500

(file epctdgs iov.pl4; x-var t) v:XX0048

v:XX0074

12

16

[us ]

20

v:XX0033

figura 5.20. Perfil de voltajes obtenidos durante la operacin del tubo de descarga en
gas CGZ/230 VL (GDP) y el varistor SIOV S10K95 obtenido con ATP/EMTP.
o- Sobretensin aplicada, - operacin del tubo de descarga en gas, - operacin del
varistor.

69
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

a) AC/DC proteccin de una fase


(+) L1

Equipo
protegido

SIOV

(-) N

b) AC Proteccin en las tres fases


L1

Equipo
protegido

L2

L3
VARO367-E

figura 5.21. Ejemplos de esquemas de proteccin.

Conductor

Impedancias serie

A la carga

Tierra

Tubo de descarga
Varistor
en gas
a)

Conductor

A la carga

Tierra

Z diode
b)

Figure 5.22 a y b. Ejemplo de aplicacin de los dispositivos de proteccin en cascada.

70
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

5.4. Seleccin de los dispositivos de proteccin contra sobretensiones


transitorias.

La entrada de las lnea debe ser protegidas por mediante un dispositivo de


supresin, un tubo de descarga en gas, o por un apartarrayos de xidos
metlicos [80], [81].

La seleccin del dispositivo de sujecin debe realizarse dependiendo del tipo


de aplicacin. El dispositivo debe tener un voltaje mnimo de operacin continuo
mayor al voltaje del sistema. La capacidad no debe ser menor al 115 % respecto
al voltaje nominal rms. [79].

5.5. Estndares UL 1449 y ANSI/IEEE C62.41

La capacidad de supresin de voltaje (SVR) no debe exceder los siguientes


lmites (UL 1449) [25], [37].:

Tabla 5.1. Voltajes de supresin UL 1449.

Voltaje

L-N

L-G

208Y/120

400 V

400 V

480y/277

800 V

800 V

El voltaje de paso ( let through voltage ) no debe exceder los siguientes lmites
especificados en la tabla 5.2., categora C3, (10 kA/20 kV) [47].

71
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Tabla 5.2. Voltajes de paso ANSI/C62.41.

Voltaje

L-N

L-G

208Y/120

950

950

480y/277

1350

1350

5.6. La aplicacin de los dispositivos de proteccin contra sobretensiones


transitorias, caso de estudio B.

El primer paso en la proteccin de equipo de cmputo y de equipo sensible


contra los transitorios es el de prcticas correctas de instalacin. El cuidado
en el aterrizamiento es necesario. Con un aterrizamiento inadecuado, la accin
del supresor de transitorios, cuya funcin es desviar la energa a tierra,
causar diferencias en los potenciales en los equipos.

Ejemplo de aplicacin de los dispositivos de proteccin, utilizando tres


supresores, en siete configuraciones de prueba. Los supresores son aplicados
en tres puntos del arreglo. A la entrada del servicio un S20K250, en el tablero
un S20K140 y en la carga un S20K130 [12], [70]. La longitud del cable de la
instalacin es de 30 m. [52]., como se muestra en la figura 5.23.

72
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Una descarga atmosfrica de voltaje, tipo impulso de 1.2/50 us., 6 kV, [47] es
aplicado sobre cable de la instalacin, a la entrada del servicio. La respuesta de
cada uno de los supresores es listada en la tabla 5.3.

Entrada del
servicio

Tablero

Carga

figura 5.23. Configuracin utilizando un supresor en cada punto de la instalacin [61].

1800
[V]

1400

1000

600

200

-200
0.00

0.05

0.10

(f ile s es ion2.pl4; x -v ar t) v :XX0001

0.15
v :XX0026

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ]

0.40

v :XX0058

figura 5.24. Supresores en los tres puntos,


0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

73
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

1800
[V]

1400

1000

600

200

-200
0.00

0.05

0.10

(f ile s es ion2.pl4; x -v ar t) v :XX0001

0.15
v :XX0026

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ]

0.40

v :XX0054

figura 5.25. Sin supresor en el tablero, 0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

1800
[V]

1400

1000

600

200

-200
0.00

0.05

0.10

(f ile s es ion2.pl4; x -v ar t) v :XX0001

0.15
v :XX0020

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ]

0.40

v :XX0045

figura 5.26. Sin supresor en la carga, 0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

74
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

7000
[V]
6000

5000

4000

3000

2000

1000

-1000
0.00

0.05

0.10

0.15

(f ile s es ion2.pl4; x -v ar t) v :XX0001

figura 5.27

v :XX0018

0.20

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

v :XX0039

Sin supresores, 0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

1800
[V]

1400

1000

600

200

-200
0.00

0.05

0.10

(file s es ion1.pl4; x-var t) v:XX0001

0.15

0.20

v:XX0020

v:XX0041

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

figura 5.28. Supresor solo en la acometida,


0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

75
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

5000
[V]

4000

3000

2000

1000

-1000
0.00

0.05

0.10

(file s es ion1.pl4; x-var t) v:XX0001

0.15

0.20

v:XX0020

v:XX0041

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

figura 5.29. Supresor solo en el tablero, 0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

6000
[V]

5000

4000

3000

2000

1000

-1000
0.00

0.05

0.10

(file s es ion1.pl4; x-var t) v:XX0001

0.15

0.20

v:XX0020

v:XX0041

0.25

0.30

0.35 [m s ] 0.40

figura 5.30. Supresor slo en la carga, 0- Entrada del servicio, - Tablero, - Carga

76
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Tabla 5.3.
Sobretensiones transitorias obtenidas en la simulacin, para una onda de
corriente de 6 kV, 1.2/50 us., utilizando varias configuracin (base figura 5.23.).

Configuracin

Voltaje en la Voltaje en el Voltaje en


entrada del
tablero
la carga
servicio
[V]/P.U.
[V]/P.U.
[V]/P.U.

1. Supresores en los tres puntos

1088/6.4

465/2.7

340/2.0

2. Sin supresor en el tablero

1108/6.5

750/4.4

414/2.4

3. Sin supresor en la carga

1089/6.4

482/2.8

480/2.8

6000/35.3

6000/35.3

6000/35.3

1129/6.6

6. Supresor slo en el tablero

547/3.2

7. Supresor slo en la carga

468/2.7

4. Sin supresores
5 .Supresor slo en la acometida

1P.U . = 120 2 = 169.705 Vpico.

Tabla 5.4.
Comparacin entre las sobretensiones transitorias obtenidas en [52] y
las de esta investigacin, para una onda de corriente de 10 kA, 8/100 us.

Configuracin:
Supresores en los tres puntos
Voltaje en V.
Corriente en A.

Entrada del
servicio
[V]
972

Tablero

Carga

[V]
451

[V]
359

950*

439*

307*

9602

1110

606

9000*

697*

423*

540

60

92

630*

61*

43*

Energa en J.
* valores obtenidos en [52].
1P.U . = 120 2 = 169.705 Vpico.

77
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

500

Porciento del voltaje nominal (RMS pico equivalente)

4 (>>500%)

400

300

5 (285%)

200

3,6 (190 %)
1,2,7 (170%)

140
120
110
100
90
80
70
40

0.001 c
1 us

0.01 c

0.1 c
1 ms

0.5 c
3 ms

1c

10 c
20 ms

100 c
0.5 s

10 s

1000 c

Duracin del disturbio en ciclos (c) y en segundos (s)

figura 5.31. Superposicin del porciento de voltaje sobre la curva ITIC, para cada una
de las configuraciones indicadas en la tabla 5.3.

Tabla 5.6. Tabla comparativa de los varistores instalados en la configuracin en


[52] y la de esta investigacin.
Punto de instalacin
Configuracin
figura Referencia [52]
5.23.
Entrada del servicio
MOV de 20 mm., de 1 MOV de 40 mm., de
dimetro, 250 V.
dimetro, 250 V.*
Tablero
MOV de 20 mm., de 3 MOVs. de 20 mm., de
dimetro, 140 V.
dimetro, 150 V.**
Carga
MOV de 20 mm., de 3 MOVs. de 20 mm., de
dimetro, 130 V.
dimetro, 130 V.**
* Proteccin slo de fase a tierra.
** Proteccin de fase, neutro y tierra.

78
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

5.7. Impedancia de aterrizamiento en funcin del tiempo y de la


corriente.
Algunos autores mencionan el hecho de que el valor exacto de la impedancia de
aterrizamiento es variable en funcin del tiempo y de la corriente [11], [14].
Por ejemplo, [32] propone un modelo que involucra la resistencia, la
capacitancia y la inductancia.

5.8. El rol del aterrizamiento

Con un aterrizamiento inadecuado, la descarga atmosfrica que impacta sobre


una lnea de distribucin somete al equipo a un posible dao debido a la
elevacin del potencial. Si el conductor de puesta a tierra cercano al punto de
impacto de la descarga tiene un valor de impedancia alto, la mayor parte del
transitorio fluir sobre la lnea, exponiendo a ms equipo a una posible
sobretensin [4], [19], [30].
La resistencia de la puesta a tierra de las varillas electrodos de tierra se
calculan en funcin de la corriente se segn la expresin:
R=

Ro
1+

I
Ii

ecc. (5.1.)

donde
Ro es la resistencia (a 60 Hz.) de la varilla de tierra en Ohms.
R es la resistencia de puesta a tierra en Ohms.
Ii es la intensidad de corriente para la cual se inicia la ionizacin en Amperes.
I es la corriente de descarga a travs de la puesta a tierra en Amperes.

79
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

La corriente lmite para la cual se inicia la ionizacin es funcin de la


resistividad del terreno y se calcula como:

Ii =

1 Eo
2 Ro2

ecc. (5.2.)

donde

es la resistividad del terreno en Ohms-metro [17].


Eo es el gradiente de ionizacin (300 kV/m) [19].

Las figuras 5.32. a 5.35. muestran el comportamiento en el tiempo de la


resistencia del electrodo de tierra, durante una onda de corriente 8/20 us, de
10 kA.

Corriente
10
[kA]

0
0.0

0.2

0.4

0.6

(file RES_HEVIA.pl4; x-var t) c:XX0036-XX0008

0.8

[m s ]

1.0

tiempo

Figura 5.32. Onda de corriente aplicada 8/20 us, 10 kA aplicada a la conexin a tierra

80
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Figura 5.33. Resistencia a baja frecuencia , resistividad del terreno 30.0000 m,


gradiente de ionizacin 300.0000 kV/m, corriente umbral de ionizacin 14323.9400 A.

c
figura 5.34. Tensin en funcin de la corriente, resistividad del terreno 30.0000 m,
gradiente de ionizacin 300.0000 kV/m, corriente umbral de ionizacin 14323.9400 A.

81
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Resistencia
10.0011

9.9810

9.9609

9.9408

9.9207

9.9006

9.8805
0.0

0.2

(file groundgpo_f.pl4; x-var t) m :RTEMP1


m :RTEMP6

0.4

m :RTEMP2

0.6

m :RTEMP3

0.8

m :RTEMP4

[m s ] 1.0
m :RTEMP5

tiempo

figura 5.35. Comportamiento en el tiempo de la resistencia del electrodo de tierra,


resistividad del terreno 30 ohms-m, ro=10 ohms, 300 kV/m., 10 kA, 8/20 us.
Comportamiento resistivo del: 0-Primer elemento,

- Segundo elemento, - Tercer

elemento.

82
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

figura 5.35. Arreglo de la conexin a tierra en ATPDRAW [15].

83
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

70
[V]

60

50

40

30

20

10

0
0.0

0.2

(file groundgpo_e.pl4; x-var t) v:XX0037

0.4

0.6

v:XX0123

0.8

[m s ]

1.0

v:XX0201

figura 5.36. Perfil de la onda de voltaje para diferentes valores de resistencia a


tierra, resistividad del terreno 30 ohms-m, ro=10 - 0, 157 - y 20 - ohms,
300 kV/m., 500 A, 8/20 us.
0.7
[A]

0.5

0.3

0.1

-0.1

-0.3
0.0

0.2

0.4

(file groundgpo_e.pl4; x-var t) c:XX0037-XX0005

0.6

c:XX0123-XX0094

0.8

[m s ]

1.0

c:XX0201-XX0172

Figura 5.37. Perfil de la onda de corriente en el electrodo de tierra, resistividad del


terreno 30 ohms-m, ro=10 - 0, 157 - y 20 - ohms,
300 kV/m., 500 A, 8/20 us.

84
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 5

Cuando

se

instalan

supresores

de

transitorios,

algunos

fabricantes

recomiendan conectarlos a una tierra fsica con una resistencia mxima de 5


ohms. Prcticamente este valor es difcil de lograr, pues la resistencia del
sistema de tierra no depende nicamente del conductor de bajada y la varilla
enterrada, tambin depende de las uniones y de la resistividad del terreno.
Adicionalmente, para un buen desempeo de los supresores de transitorios se
debe cuidar la impedancia del sistema de tierra, que es predominantemente
inductiva, ya que si este parmetro es elevado, la proteccin no ser adecuada.

Paralelamente al desarrollo de los supresores de transitorios, los sistemas de


tierra han sido ms profundamente estudiados y perfeccionados. Actualmente
se logran resistencias del sistema de tierra cercanas a un ohm, valor
perfectamente aceptable para la instalacin de supresores. La Norma Oficial
Mexicana acepta un valor de resistencia de los sistemas de tierra de hasta de
hasta 25 ohms [55], [56].

85
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 6

CONCLUSIONES Y TRABAJOS FUTUROS


6.1. Conclusiones

Actualmente, la calidad de la energa elctrica en los hogares, oficinas,


comercios y en las industrias es un aspecto muy importante que hay que tener
presente. Efectivamente, hasta hace algunos aos no haba que otorgar mayor
atencin al tipo de seal que alimenta a nuestros aparatos y equipos
electrnicos, los cuales eran rudos y escasamente sensibles a variaciones en su
lnea de alimentacin. En la actualidad basta mirar a nuestro alrededor para
darse cuenta de la infinidad de equipos electrnicos complejos con que
contamos. Esta complejidad de equipos trae consigo un sinfn de comodidades,
pero tambin trae la desventaja de que son equipos extremadamente delicados,
con alto grado de integracin en los circuitos actuales. Esto los hace
particularmente vulnerables a problemas elctricos que anteriormente pasaban
desapercibidos.

La descarga atmosfrica tiene diferentes caminos por donde logra entrar a la


instalacin donde se encuentra conectado el equipo sensible, siendo uno de
estos caminos el conductor de fase.

86
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 6

El impulso de voltaje rompe fcilmente el aislamiento del equipo a menos que la


instalacin

est

protegida

con

dispositivos

de

supresin.

Permitiendo

nicamente que el voltaje que llega al punto donde se encuentra instalado el


equipo no adquiera una magnitud ni duracin que provoque la destruccin, o el
mal funcionamiento de dicho equipo.
Por otra parte, la interpretacin correcta que debe darse a la funcin que
desempea un dispositivo de supresin es el de un dispositivo que desva la
corriente del transitorio, evitando que la sobretensin que produce alcance al
equipo instalado.

Existen diferentes dispositivos de supresin, y la combinacin adecuada de su


instalacin en un circuito proporciona una opcin para el manejo de las
sobretensiones transitorias.
El efecto de los transitorios de voltaje es inspeccionado de manera visual,
sobreponiendo la magnitud y duracin del disturbios sobre la curva de
susceptibilidad ITIC, la cual incorpora a los equipos que contienen dispositivos
de estado slido.
La correcta operacin de un dispositivo de proteccin parte de un adecuado
sistema de aterrizamiento, siendo ste la base del sistema de proteccin.

En el caso de estudio A, de la seccin 4.4.1., los valoreres en P.U. de la


magnitud de voltaje, para el sistema de 120 Vrms [20], donde no se tiene

87
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 6

instalado algn dispositivo de supresin, son mayores a 2.0 P.U., como se


muestra en la tabla 4.3., exponiendo al equipo a un posible dao.

En el caso de estudio B, de la seccin 5.5., cuando se instalan varistores de


xido metlico (MOVs.), las sobretensiones alcanzadas rebasan los lmites
permitidos en [20], estos valores son mostradas en la figura 5.31.
Esto ltimo hace visible la necesidad de instalar la combinacin de almenos dos
dispositivos de supresin; por ejemplo, un tubo de descarga en gas y un
varistor de xido metlico; ya que l grupo de MOVs., no es suficiente para
proteger al equipo sensible instalado en el punto de carga, figura 5.23.
Otra opcin es instalar una configuracin como la propuesta en [52].

Los resultados obtenidos mostrados en la tabla 5.4., comparados con [52],


muestran una diferencia en la magnitud de voltaje, corriente y energa; la
diferencia que existe se debe a la configuracin utilizada por el autor en [ 52]
y la utilizada en esta investigacin. Ya que para la configuracin de prueba con
los tres supresores instalados en los tres puntos, el autor en [52], presenta
resultados para un varistor instalado a la entrada del servicio de 40 mm. de
dimetro de 250 V, en el tablero tres varistores de 20 mm. de dimetro de
150 V y finalmente en la carga de tres varistores de 20 mm. de dimetro de
130 V. Es por ello, que la magnitud de voltaje, corriente y de energa es mayor,
ya que aqu se model con slo un supresor en cada punto de la instalacin.

Con la instalacin de supresores en los tres puntos se obtiene la sobretensin


transitoria mnima en el punto de instalacin del equipo, tabla 5.3.

88
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

CAPTULO 6

El lenguaje de programacin MODELS [34], [76], es una herramienta poderosa


en el desarrollo de nuevos modelos, ya que relaciona la descripcin y la
documentacin del modelo as como la verificacin del funcionamiento del
modelo completo.

6.2. Trabajos futuros

Existe una estrecha relacin entre los equipos que se desean proteger y el
costo de los dispositivos de proteccin, por ello es necesario tomar en cuenta
este tipo de estudios como parte complementaria [41].

Es necesario evaluar, el comportamiento del sistema y de los dispositivos de


proteccin mediante un mtodo estadstico, donde se refleje el efecto que
tiene la variacin de la pendiente del frente de la onda aplicada, no slo
aplicada por una descarga atmosfrica, sino tambin por las producidas por el
switcheo de bancos de capacitores y el de las propias cargas dentro de la
instalacin [35], [68].

La aplicacin de formas de onda oscilantes, que representan a los transitorios


dentro de la instalacin.

89
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

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95
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

Apndice A
BREVE DESCRIPCIN DEL LENGUAJE DE PROGRAMACIN

MODELS

A.1. Introduccin

MODELS es un programa de simulacin con una interfase a EMTP. Permite la


descripcin de componentes que no son fcilmente representados usando
nicamente los elementos elctricos de EMTP y el conjunto de bloques
disponibles de control en TACS [34], [76].

El desarrollo del lenguaje de MODELS y su mtodo de solucin asociado fue


establecido en 1985 por Laurent Dub, el autor de TACS. Aunque MODELS ha
sido identificado originalmente como los nuevos TACS, es aparente que no
remplaza a TACS. MODELS, proporciona una alternativa para la representacin
y simulacin de nuevos componentes y de sistemas de control en el EMTP.

96
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.2. Simulacin en el EMTP.

Un sistema elctrico es realizado en EMTP como una red de componentes


individuales (ramas R-L-C, lneas de transmisin, etc.). Cada componente
describe la relacin entre los valores de voltaje y corriente presentes en sus
terminales durante un tiempo de simulacin. Aunque los componentes son
descritos de manera separada uno de otro, los valores de voltaje y corriente
en las terminales de los componentes son determinados simultneamente en
instantes sucesivos de la simulacin.
Las variaciones en la operacin del sistema son representados por la variacin
en la topologa del circuito (usando la apertura y cierre de interruptores y la
activacin o desactivacin de fuentes), o por variaciones en la funcin de
operacin de ciertos componentes (usando fuentes de voltaje y corriente
variables y funciones de impedancia variable). Lo tipos de variaciones con esos
componentes

son

fijos

pre-programados;

slo

sus

parmetros

son

determinados por el usuario.

La adicin del control dinmico al EMTP (usando TACS o MODELS) da al


usuario la posibilidad de especificar variaciones en la operacin de los
componentes elctricos del sistema de acuerdo a reglas arbitrarias. Las
variaciones (apertura/cierre de interruptores, valores de operacin de
fuentes, control de mquinas, y valores de elementos no lineales) son
determinados mediante circuitos de control (en TACS) o algoritmos (en
MODELS), los cuales son hechos dependientes de los valores de voltaje, de
corriente y del estado de interruptores y mquinas observados en el sistema
elctrico durante la simulacin.
97
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.3. Simulacin en el EMTP con MODELS

En MODELS, todos los aspectos de la representacin, solucin, e inicializacin


del componente modelado o del sistema de control son completamente bajo
control del usuario.
El usuario representa de manera explcita cualquier sistema elctrico,
desarrollando el algoritmo que describe su operacin. Esto hace posible
especificar como los componentes o subsistemas estn interrelacionados, y
como la estructura de esta composicin por si misma vara durante la operacin
del sistema.
El sistema se define mediante un conjunto de variables lgicas y numricas,
funciones, sub-models, y algoritmos los cuales adquieren su valor durante la
simulacin de la operacin del sistema, con la posibilidad explcita de
establecer las condiciones que regulan tanto la asignacin de dichos valores y
de la secuencia del procedimiento.
La inicializacin de un sistema y de sus subsistemas tambin se especifica por
medio de algoritmos completos (variables, condiciones, etc.), permitiendo al
usuario construir procedimientos que definen el estado del sistema antes del
comienzo de la simulacin con una historia detallada.

98
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.4.

Instrucciones principales en MODELS

BEGIN NEW DATA CASE


Instrucciones iniciales en ATP
Instrucciones Opcionales
Instrucciones Miscelneas
MODELS
Instrucciones iniciales en MODELS
MODEL
Instrucciones del grupo MODEL
ENDMODEL
USE
Instrucciones del grupo USE
ENDUSE
RECORD
Instrucciones del grupo RECORD
ENDMODELS

A.5.

Composicin

MODELS proporciona un mecanismo de fcil estructuramiento del sistema en


sub-componentes separados. Esto permite desacoplar de cada sub-funcin con
nombramientos locales internos, para fcil construccin, prueba, modificacin,
y uso.

99
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.6.

Representacin

Adicionalmente a la aproximacin del diagrama de bloques de TACS, MODELS


acepta la descripcin de componentes en trminos de procedimiento, funciones
y algoritmos. El usuario no est limitado a un conjunto pre-definido de
componentes, ya que tiene la ventaja de construir libreras de componentes y
sub-models como lo requiera cada aplicacin. Similarmente, el usuario no est
limitado a la representacin de una seal de flujo de entrad y salida, porque
tiene la ventaja de combinar esto con manipulaciones lgicas y numricas de
variables dentro del algoritmo simblico.

A.7.

Instrucciones del grupo MODELS

Una clara distincin es echa en MODELS entre la descripcin de un modelo y su


uso. La descripcin contiene una parte de declaracin (especificacin de
entradas, variables, sub-modelos) y una parte de la ejecucin define como
opera el modelo. Una vez que el modelo ha sido declarado, este es usado tantas
veces como sea requerido, cada simulacin tiene su propio conjunto de
entradas, su propio historial, y an su propio paso de integracin. Adems, se
tiene la opcin de aplicacin del mecanismo use de MODELS para modelos
escritos en un lenguaje diferente (e.g. Fortran, C,...).

100
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.8.

Autodiagnstico

El autodiagnstico es importante especialmente cuando grandes modelos son


establecidos, dibujados, y sintonizados. La deteccin del problema es
construido dentro del modelo por el usuario. Warnings (avisos de advertencia)
y otras observaciones son almacenadas durante la simulacin para posteriores
anlisis.

A.9.

Herramientas

Hay herramientas explcitas para facilitar la construccin de un modelo. El


lenguaje es de alto nivel y describe la operacin de modelos de una manera muy
cercana a la pensada por el usuario. Esto permite al usuario, junto con el
formato de reglas, concentrarse en la lgica del modelo. Hay herramientas
para definir la lgica del flujo de operaciones (IF, WHILE, FOR,...) y para
expresiones

matemticas

no

triviales

usando

ecuaciones

diferenciales

(DIFFEQ), integrales (INTEGRAL), polinomiales y derivativas (DERIVPOL),


funciones de Lapalce (LAPLACE) junto con muchas otras.

A.10. Arreglos

Junto con muchas herramientas disponibles en MODELS, existe la posibilidad


del manejo de variables por arreglos, evitando la repeticin del mismo
procedimiento aplicado a n variables de inters. Un caso tpico es un
componente elctrico fcilmente representado en una forma compacta y fcil
de leer.
101
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.11. Reglas de formato

Opuesto a TACS, MODELS no depende de cdigos de identificacin, formatos


de columnas fijas y reglas de descripcin crpticas para la representacin
individual de los componentes y su interconexin. Lo cual facilita su lectura y
entendimiento. Slo pocas palabras clave y un grupo de funciones (INPUT,
OUTPUT, VAR, DAT,...) son necesarias. El formato libre de la descripcin y de
la posibilidad de usar nombres largos facilita la documentacin. Comentarios e
ilustraciones son introducidos en la descripcin del modelo par una clara
documentacin.

A.12. Uso de MODELS en el EMTP

La interaccin entre MODELS y EMTP es idntico a la interaccin entre TACS


y el sistema elctrico en todos los aspectos. Cualquiera de las cantidades
observadas en el EMTP por TACS, si se requiere, son usadas como entradas a
MODELS (nodos de voltaje, interruptores de corriente, estado de los
interruptores, variables de las mquinas). Cualquier variable de salida de
MODELS si se requiere, son usadas en el EMTP de la misma manera que en
TACS, para el control de las fuentes de voltaje y corriente, la operacin de
interruptores, la operacin de mquinas, y en la versin de ATP, el control de
elementos no lineales. Finalmente, cualquier variable en MODELS es
almacenada e impresa en el EMTP, cuando es declarada en RECORD en
MODELS.

102
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.13. Estructura del lenguaje MODELS

El cdigo del archivo es al mismos tiempo la descripcin del modelo.


MODELS es un lenguaje estructurado, que requiere de un cdigo para ser
preparado de acuerdo a las reglas de grupo en el archivo.

Los archivos MODELS son codificados en un formato libre, lo cual permite al


usuario leer fcilmente el archivo. Palabras clave, declaraciones, directivas,
nombres de funciones, que el usuario identifica fcilmente de su estado.

A.14. Principales grupos en MODELS

La seccin MODELS del archivo de ATP-EMTP debe tener al menos tres


grupos: MODELS, MODEL y USE. La palabra MODELS inicia la parte del
archivo. Los grupos MODELy USE son terminados por las palabras ENDMODEL
y ENDUSE respectivamente. Despus de ENDUSE un grupo encabezado por la
palabra RECORD es insertada con el propsito de graficar las variables. El
archivo MODELS es terminado con la palabra ENDMODELS.

103
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.15. Definicin de MODEL

Un model escrito en el lenguaje MODELS incluye declaraciones, directivas de


simulacin, y procedimientos de operacin. La sintaxis usada para la definicin
de un model es la siguiente:

MODEL (nombre del modelo)


-- comentarios
DATA
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
CONST
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
HISTORY
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
DELAY CELLS
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
VAR
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
INIT
-- definicin de las variables
-- valores de entrada
ENDINIT
-- comentarios
EXEC
-- definicin del algoritmo del componente
ENDEXEC
ENDMODEL
104
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.16. Declaraciones

CONST especifica el nombre, longitud del arreglo, y valor de las constantes


del modelo (valores de las constantes asignadas de manera interna);

DATA especifica el nombre, longitud del arreglo, y el valor opcional default de


los datos de los parmetros del model (valores de las constantes asignadas de
manera externa);

VAR especifica el nombre y longitu de del arreglo de las variables del model
(valores de las variables asignadas de manera interna);

INPUT especifica el nombre, longitud del arreglo, y el valor opcional default de


los valores de entrada del model (valores de las variables asignadas de manera
externa);

OUTPUT especifica cual de los elementos del model son usados como salidas
del model;

FUNCTION especifica la descripcin de las funciones usadas en el model;

MODEL especifica la descripcin del submodel usado en el model.

105
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE A

A.17. Directivas de simulacin

TIMESTEP especifica el valor opcional default de los lmites del mnimo y


mximo paso de simulacin para el model;

INTERPOLATION especifica el grado de interpolacin aplicado a las entradas


del model si el model es utilizado con pasos intermedios al paso de simulacin
externo;

DELAY especifica el tamao default del valor almacenado asociado con el


retardo de tiempo (funcin en el model);

HISTORY especifica el nombre de las variables del model para las cuales una
funcin de historial debe ser definida cuando se est usando el model; son
usadas de manera opcional para asignar funciones de historial a cualquiera de
las variables de entrada del model;

EXEC describe la ejecucin del algoritmo del model;

INIT describe la inicializacin del algoritmo del model.

106
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE B

Apndice B
PARMETROS DE VARISTORES DE XIDOS METLICOS [70]

B.1. PARMETROS DE LA SERIE S10K75, 95, 115, 130, 140, 150 Y


175
S10K75 PARAMS:
C=720pF L=12.0nH B1=2.1710704 B2=0.0281334 B3=-0.0005233
B4=0.0113985
S10K95 PARAMS:
C=530pF L=12.0nH B1=2.2729921 B2=0.0295867 B3=-0.0005049
B4=0.0096611
S10K115 PARAMS:
C=445pF L=12.0nH B1=2.3592175 B2=0.0320133 B3=-0.0005068
B4=0.0083473
S10K130 PARAMS:
C=400pF L=12.0nH B1=2.4114817 B2=0.0305728 B3=-0.0005263
B4=0.0085723
S10K140 PARAMS:
C=370pF L=12.0nH B1=2.4375254 B2=0.0284444 B3=-0.0005790
B4=0.0088050
S10K150 PARAMS:
C=350pF L=12.0nH B1=2.4781404 B2=0.0296020 B3=-0.0005610
B4=0.0086033

107
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE B

S10K175 PARAMS:
C=300pF L=12.0nH B1=2.5357266 B2=0.0313843 B3=-0.0005399
B4=0.0079626
B.2. PARMETROS DE LA SERIE S14K140, 150 Y 175
S14K140 PARAMS:
C=610pF L=12.0nH B1=2.4354614 B2=0.0275140 B3=-0.0005581
B4=0.0061743
S14K150 PARAMS:
C=570pF L=12.0nH B1=2.4765367 B2=0.0288457 B3=-0.0005453
B4=0.0054718
S14K175 PARAMS:
C=490pF L=12.0nH B1=2.5347728 B2=0.0312601 B3=-0.0004695
B4=0.0050557

B.3. PARMETROS DE LA SERIE S18K140, 150 Y 175


S18K140 PARAMS:
C=1210pF L=12.0nH B1=2.4282100 B2=0.0250687 B3=-0.0005805
B4=0.0051624
S18K150 PARAMS: TOL=0
X1 1 2 SIOV PARAMS: T={1+TOL/100} C=1130pF L=12.0nH B1=2.4649784
B2=0.0245109 B3=-0.0005757 B4=0.0053951
S18K175 PARAMS:
C=980pF L=12.0nH B1=2.5240211 B2=0.0268731 B3=-0.0005917
B4=0.0050225

108
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE B

B.4. PARMETROS DE LA SERIE S20K140, 150 Y 175


S20K140 PARAMS:
C=1240pF L=13.0nH B1=2.4280498 B2=0.0250040 B3=-0.0005812
B4=0.0051925
S20K150 PARAMS:
C=1160pF L=13.0nH B1=2.4654363 B2=0.0246959 B3=-0.0005738
B4=0.0053090
S20K175 PARAMS:
C=1000pF L=13.0nH B1=2.5243725 B2=0.0270150 B3=-0.0005903
B4=0.0049564

109
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

Apndice C
LISTADO DE LOS PROGRAMAS REALIZADOS EN EMTP

C.1. Programa que simula el comportamiento del protector de descarga en


gas CGZ/230 VL
BEGIN NEW DATA CASE
C -------------------------------------------------------C Generated by ATPDRAW mayo, lunes 30, 2005
C A Bonneville Power Administration program
C Programmed by H. K. Hidalen at SEfAS - NORWAY 1994-2002
C Programado por Ernesto Melndez Melndez
C -------------------------------------------------------C dT >< Tmax >< Xopt >< Copt >
5.E-8 .0004
500
1
1
1
1
0
0
1
0
MODELS
/MODELS
INPUT
IX0001 {i(XX0008)}
IX0002 {switch(XX0008)}
IX0003 {v(XX0007)}
OUTPUT
XX0003
XX0006
MODEL arco1
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: representa el comportamiento de la conductancia de arco
*
*
del protector de descarga en gas
*
************************************************************* endcomment
INPUT
crrent
status

110
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

OUTPUT
arcres
DATA
power {DFLT:30.}
imax {DFLT:4.8}
tau {DFLT:5.E-6}
CONST
minconduc {VAL:1.E-7}
VAR
conductance
arcres
driving
i
TIMESTEP MAX: tau/8
EXEC
i:=crrent
IF status=closed THEN
write(' status =',status)
driving:=imax**2/power
write(' driving =',driving)
DIFFEQ( 1.0|D0 + tau|D1 )|conductance:=driving
write(' conductance ='conductance)
arcres:=recip(conductance)
else
write(' status = ',status)
conductance:=minconduc
write(' conductance = ',conductance)
arcres:=recip(minconduc)
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
MODEL retime
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: establece el tiempo de retardo para accionar al interruptor
*
*
************************************************************* endcomment
INPUT
UP
UN
OUTPUT
CLOSE
DATA
U0 {DFLT:230.}
S
{DFLT:1.}

111
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

VAR
CLOSE
U
TD
INIT
CLOSE:=0
TD:=10**(1.283-0.82*LOG10(S*1E3))
ENDINIT
EXEC
U:=ABS(UP-UN)
IF (U>U0) AND T>TD THEN
CLOSE:=1
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
USE arco1 AS ARCO1
INPUT
crrent:= IX0001
status:= IX0002
DATA
power:=
30.
imax:=
4.8
tau:= 5.E-7
OUTPUT
XX0003:=arcres
ENDUSE
USE retime AS RETIME
INPUT
UP:= IX0003
UN:= 0.0
DATA
U0:= 230.
S:= 600.
OUTPUT
XX0006:=CLOSE
ENDUSE
RECORD
ARCO1.arcres AS arcres
ARCO1.i AS i
RETIME.TD AS TD
ENDMODELS
C
1
2
3
4
5
6
7
8
C
34567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456
7890

112
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

/BRANCH
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< L >< C >
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< A >< B ><Leng><><>0
91XX0007XX0008TACS XX0003
3
XX0049
1.
2
XX0015XX0028
.66666
0
XX0028XX0015
.005
0
XX0015
2.E-6
0
XX0015
1.E5
0
XX0008
.001
0
XX0049XX0028
100.
0
XX0028
1.
2
XX0010
.001
0
/SWITCH
C < n 1>< n 2>< Tclose ><Top/Tde >< Ie ><Vf/CLOP >< type >
13XX0010XX0008
XX0006 0
XX0015XX0007
-1.
1.
0
/SOURCE
C < n 1><>< Ampl. >< Freq. ><Phase/T0>< A1 >< T1 >< TSTART >< TSTOP >
/INITIAL
2XX0049
2.E3
3XX0049
2.E3
/OUTPUT
BLANK MODELS
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
BLANK INITIAL
BLANK OUTPUT
BLANK PLOT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK

113
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

C.2.

Programa que simula el comportamiento del supresor SIOV

BEGIN NEW DATA CASE


C -------------------------------------------------------C Generated by ATPDRAW mayo, lunes 30, 2005
C A Bonneville Power Administration program
C Programmed by H. K. Hidalen at SEfAS - NORWAY 1994-2002
C Programado por Ernesto Melndez Melndez
C -------------------------------------------------------C dT >< Tmax >< Xopt >< Copt >
1.E-6 .0005
500
1
1
1
1
0
0
1
0
MODELS
/MODELS
INPUT
IX0001 {i(XX0049)}
IX0002 {i(XX0061)}
OUTPUT
XX0053
XX0065
MODEL siov
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: valor de la resistencia variable del elemento no lineal
*
*
************************************************************* endcomment
INPUT
i
OUTPUT rsiov
DATA B1,B2,B3,B4
VAR rsiov,u
history
rsiov
init
rsiov:=0
u:=500
endinit
EXEC
if (i>0) then
u:=10**(B1+B2*log10(i)+B3*exp(-log10(i))+B4*exp(log10(i)))
rsiov:=u*recip(i)
endif
ENDEXEC

114
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

ENDMODEL
USE siov AS siov
INPUT
i:= IX0001
DATA
B1:= 2.272992
B2:= 0.029587
B3:= 5.049E-4
B4:= 0.009661
OUTPUT
XX0053:=rsiov
ENDUSE
USE siov AS siov
INPUT
i:= IX0002
DATA
B1:= 2.272992
B2:= 0.029587
B3:= 5.049E-4
B4:= 0.009661
OUTPUT
XX0065:=rsiov
ENDUSE
RECORD
siov.rsiov AS rsiov
siov.u AS u
ENDMODELS
C
1
2
3
4
5
6
7
8
C
34567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456
7890
/BRANCH
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< L >< C >
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< A >< B ><Leng><><>0
XX0001
20.
0
XX0004
50.
0
XX0007XX0004
15.
0
XX0007
.2
0
XX0011XX0007
25.
0
XX0011
1.E7
0
91XX0049
TACS XX0053
3
XX0011XX0024
.0001
0
XX0024XX0021
1.2E-5
0
XX0049
.00053
0
91XX0061XX0075TACS XX0065
2

115
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

XX0073XX0039
.0001
0
XX0039XX0036
1.2E-5
0
XX0061
.00053
0
/SWITCH
C < n 1>< n 2>< Tclose ><Top/Tde >< Ie ><Vf/CLOP >< type >
XX0001XX0004
1.
0
XX0021XX0049
-1.
1.
1
XX0036XX0061
-1.
1.
1
/SOURCE
C < n 1><>< Ampl. >< Freq. ><Phase/T0>< A1 >< T1 >< TSTART >< TSTOP >
/INITIAL
2XX0001
2050.
3XX0001
2050.
/OUTPUT
XX0011XX0001
BLANK MODELS
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
BLANK INITIAL
BLANK OUTPUT
BLANK PLOT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK

116
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

C.3. Programa que simula el comportamiento del tubo de descarga en gas y


del supresor de sobretensiones transitorias TVSS en un arreglo en cascada

BEGIN NEW DATA CASE


C -------------------------------------------------------C Generated by ATPDRAW mayo, lunes 30, 2005
C A Bonneville Power Administration program
C Programmed by H. K. Hidalen at SEfAS - NORWAY 1994-2002
C. Programado por Ernesto Melndez Melndez
C -------------------------------------------------------C dT >< Tmax >< Xopt >< Copt >
5.E-9 .0004
500
1
1
1
1
0
0
1
0
MODELS
/MODELS
INPUT
IX0001 {i(XX0008)}
IX0002 {switch(XX0008)}
IX0003 {v(XX0007)}
IX0005 {i(XX0105)}
OUTPUT
XX0003
XX0006
XX0109
MODEL arco1
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: representa el comportamiento de la conductancia de arco
*
*
del protector de descarga en gas
*
************************************************************* endcomment
INPUT
crrent
status
OUTPUT
arcres
DATA
power {DFLT:30.}
imax {DFLT:4.8}
tau {DFLT:5.E-6}
CONST
minconduc {VAL:1.E-7}

117
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

VAR
conductance
arcres
driving
i
TIMESTEP MAX: tau/8
EXEC
i:=crrent
IF status=closed THEN
write(' status =',status)
driving:=imax**2/power
write(' driving =',driving)
DIFFEQ( 1.0|D0 + tau|D1 )|conductance:=driving
write(' conductance ='conductance)
arcres:=recip(conductance)
else
write(' status = ',status)
conductance:=minconduc
write(' conductance = ',conductance)
arcres:=recip(minconduc)
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
MODEL retime
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: establece el tiempo de retardo para operar al interruptor
*
*
************************************************************* endcomment
INPUT
UP
UN
OUTPUT
CLOSE
DATA
U0 {DFLT:230.}
S
{DFLT:1.}
VAR
CLOSE
U
TD
INIT
CLOSE:=0
TD:=10**(1.283-0.82*LOG10(S*1E3))
ENDINIT

118
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

EXEC
U:=ABS(UP-UN)
IF (U>U0) AND T>TD THEN
CLOSE:=1
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL
MODEL siov
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: valor de la resistencia variable del elemento no lineal
*
*
************************************************************* endcomment
INPUT
i
OUTPUT rsiov
DATA B1,B2,B3,B4
VAR rsiov,u
history
rsiov
init
rsiov:=0
u:=500
endinit
EXEC
if (i>0) then
u:=10**(B1+B2*log10(i)+B3*exp(-log10(i))+B4*exp(log10(i)))
rsiov:=u*recip(i)
endif
ENDEXEC
ENDMODEL
USE arco1 AS ARCO1
INPUT
crrent:= IX0001
status:= IX0002
DATA
power:=
30.
imax:=
4.8
tau:= 5.E-7
OUTPUT
XX0003:=arcres
ENDUSE
USE retime AS RETIME
INPUT
UP:= IX0003

119
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

UN:= 0.0
DATA
U0:=
10.
S:= 1.2E5
OUTPUT
XX0006:=CLOSE
ENDUSE
USE siov AS siov
INPUT
i:= IX0005
DATA
B1:= 2.272992
B2:= 0.029587
B3:= 5.049E-4
B4:= 0.009661
OUTPUT
XX0109:=rsiov
ENDUSE
RECORD
ARCO1.arcres AS arcres
ARCO1.i AS i
RETIME.TD AS TD
ENDMODELS
C
1
2
3
4
5
6
7
8
C
34567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456
7890
/BRANCH
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< L >< C >
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< A >< B ><Leng><><>0
91XX0007XX0008TACS XX0003
3
XX0013XX0068
.66666
0
XX0068XX0013
.005
0
XX0013
2.E-6
0
XX0013
1.E5
0
XX0008
.001
0
XX0010
.001
0
91XX0105
TACS XX0109
3
XX0027XX0036
.0001
0
XX0036XX0033
1.2E-5
0
XX0105
.00053
0
XX0042
20.
0
XX0068XX0045
.66
1
XX0045XX0049
6.
0
XX0068XX0049
3.8
1

120
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

XX0049XX0053
3.56
0
XX0068XX0053
23.8
1
XX0053XX0057
1.96
0
XX0068XX0057
140.
1
-1XX0057XX0027
100. 2.E8 1. 1 0
0
XX0061
50.
0
XX0064XX0061
15.
0
XX0064
.2
0
XX0068XX0064
25.
0
XX0068
1.E7
0
/SWITCH
C < n 1>< n 2>< Tclose ><Top/Tde >< Ie ><Vf/CLOP >< type >
13XX0010XX0008
XX0006 0
XX0013XX0007
-1.
1.
0
XX0033XX0105
-1.
1.
1
XX0042XX0061
1.
0
/SOURCE
C < n 1><>< Ampl. >< Freq. ><Phase/T0>< A1 >< T1 >< TSTART >< TSTOP >
/INITIAL
2XX0042
2050.
3XX0042
2050.
/OUTPUT
XX0027XX0068XX0042
BLANK MODELS
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
BLANK INITIAL
BLANK OUTPUT
BLANK PLOT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK

121
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

C.4.

Programa que simula el comportamiento de la conexin a tierra.

BEGIN NEW DATA CASE


C -------------------------------------------------------C Generated by ATPDRAW junio, lunes 13, 2005
C A Bonneville Power Administration program
C Programmed by H. K. Hidalen at SEfAS - NORWAY 1994-2002
C Programado por Ernesto Melndez Melndez
C -------------------------------------------------------C dT >< Tmax >< Xopt >< Copt >
1.E-6 .001
500
1
1
1
1
0
0
1
0
MODELS
/MODELS
INPUT
IX0001 {i(XX0210)}
IX0002 {i(XX0214)}
IX0003 {i(XX0216)}
IX0004 {i(XX0252)}
IX0005 {i(XX0244)}
IX0006 {i(XX0236)}
IX0007 {i(XX0330)}
IX0008 {i(XX0334)}
IX0009 {i(XX0336)}
IX0010 {i(XX0372)}
IX0011 {i(XX0364)}
IX0012 {i(XX0356)}
IX0013 {i(XX0452)}
IX0014 {i(XX0456)}
IX0015 {i(XX0458)}
IX0016 {i(XX0494)}
IX0017 {i(XX0486)}
IX0018 {i(XX0478)}
OUTPUT
XX0296
XX0304
XX0322
XX0316
XX0310
XX0286
XX0416
XX0424
XX0442

122
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

XX0436
XX0430
XX0406
XX0538
XX0546
XX0564
XX0558
XX0552
XX0528
MODEL hevgpo
comment ****************************************************************
*
*
* Funcin: establece el valor de la resistencia en funcin de la corriente [ ] *
*
*
************************************************************* endcomment
INPUT
i1
i2
i3
i4
i5
i6
OUTPUT
rtemp1
rtemp2
rtemp3
rtemp4
rtemp5
rtemp6
DATA
Ec
rho
r0
VAR
Ii
rtemp1
rtemp2
rtemp3
rtemp4
rtemp5
rtemp6
INIT
Ii:=(1/(2*PI))*(Ec*rho/(r0**2))
ENDINIT
EXEC

123
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

rtemp1:=(r0)*((1+(i1/Ii))**(-0.5))
rtemp2:=(r0)*((1+(i2/Ii))**(-0.5))
rtemp3:=(r0)*((1+(i3/Ii))**(-0.5))
rtemp4:=(r0)*((1+(i4/Ii))**(-0.5))
rtemp5:=(r0)*((1+(i5/Ii))**(-0.5))
rtemp6:=(r0)*((1+(i6/Ii))**(-0.5))
ENDEXEC
ENDMODEL
USE hevgpo AS hevgpo
INPUT
i1:= IX0001
i2:= IX0002
i3:= IX0003
i4:= IX0004
i5:= IX0005
i6:= IX0006
DATA
Ec:= 3.E4
rho:=
10.
r0:= 157.
OUTPUT
XX0296:=rtemp1
XX0304:=rtemp2
XX0322:=rtemp3
XX0316:=rtemp4
XX0310:=rtemp5
XX0286:=rtemp6
ENDUSE
USE hevgpo AS hevgpo
INPUT
i1:= IX0007
i2:= IX0008
i3:= IX0009
i4:= IX0010
i5:= IX0011
i6:= IX0012
DATA
Ec:= 3.E4
rho:=
10.
r0:=
20.
OUTPUT
XX0416:=rtemp1
XX0424:=rtemp2
XX0442:=rtemp3
XX0436:=rtemp4

124
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

XX0430:=rtemp5
XX0406:=rtemp6
ENDUSE
USE hevgpo AS hevgpo
INPUT
i1:= IX0013
i2:= IX0014
i3:= IX0015
i4:= IX0016
i5:= IX0017
i6:= IX0018
DATA
Ec:= 3.E4
rho:=
10.
r0:=
10.
OUTPUT
XX0538:=rtemp1
XX0546:=rtemp2
XX0564:=rtemp3
XX0558:=rtemp4
XX0552:=rtemp5
XX0528:=rtemp6
ENDUSE
RECORD
hevgpo.rtemp1 AS rtemp1
hevgpo.rtemp2 AS rtemp2
hevgpo.rtemp3 AS rtemp3
hevgpo.rtemp4 AS rtemp4
hevgpo.rtemp5 AS rtemp5
hevgpo.rtemp6 AS rtemp6
ENDMODELS
C
1
2
3
4
5
6
7
8
C
34567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890123456
7890
/BRANCH
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< L >< C >
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< A >< B ><Leng><><>0
XX0017XX0015
50. 10. 3.
0
XX0015
70.
0
91XX0210
TACS XX0296
0
XX0015XX0026
50. 10. 3.
1
XX0026
70.
0
91XX0214
TACS XX0304
0
XX0026XX0033
50. 10. 3.
0

125
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

XX0033
91XX0236
TACS
XX0033XX0040
XX0040
91XX0244
TACS
XX0040XX0047
XX0047
XX0047XX0055
XX0055
91XX0252
TACS
91XX0216
TACS
XX0017XX0084
XX0084
91XX0330
TACS
XX0084XX0095
XX0095
91XX0334
TACS
XX0095XX0102
XX0102
91XX0356
TACS
XX0102XX0109
XX0109
91XX0364
TACS
XX0109XX0116
XX0116
XX0116XX0124
XX0124
91XX0372
TACS
91XX0336
TACS
XX0017XX0151
XX0151
91XX0452
TACS
XX0151XX0162
XX0162
91XX0456
TACS
XX0162XX0169
XX0169
91XX0478
TACS
XX0169XX0176
XX0176
91XX0486
TACS
XX0176XX0183
XX0183
XX0183XX0191
XX0191

70.
XX0286
50. 10.
70.
XX0310
50. 10.
70.
50. 10.
70.
XX0316
XX0322
50. 10.
70.
XX0416
50. 10.
70.
XX0424
50. 10.
70.
XX0406
50. 10.
70.
XX0430
50. 10.
70.
50. 10.
70.
XX0436
XX0442
50. 10.
70.
XX0538
50. 10.
70.
XX0546
50. 10.
70.
XX0528
50. 10.
70.
XX0552
50. 10.
70.
50. 10.
70.

0
3.

0
0

3.
3.

3.

0
0

0
0
0

3.

1
0

3.

3.

3.
3.

0
0

3.

3.

3.

3.
3.

0
0

0
0

0
0

3.

126
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

APNDICE C

91XX0494
TACS XX0558
0
91XX0458
TACS XX0564
0
/SWITCH
C < n 1>< n 2>< Tclose ><Top/Tde >< Ie ><Vf/CLOP >< type >
XX0015XX0210
MEASURING
1
XX0026XX0214
MEASURING
1
XX0033XX0236
MEASURING
1
XX0040XX0244
MEASURING
1
XX0047XX0252
MEASURING
1
XX0055XX0216
MEASURING
1
XX0208XX0017
MEASURING
1
XX0084XX0330
MEASURING
1
XX0095XX0334
MEASURING
1
XX0102XX0356
MEASURING
1
XX0109XX0364
MEASURING
1
XX0116XX0372
MEASURING
1
XX0124XX0336
MEASURING
1
XX0151XX0452
MEASURING
1
XX0162XX0456
MEASURING
1
XX0169XX0478
MEASURING
1
XX0176XX0486
MEASURING
1
XX0183XX0494
MEASURING
1
XX0191XX0458
MEASURING
1
/SOURCE
C < n 1><>< Ampl. >< Freq. ><Phase/T0>< A1 >< T1 >< TSTART >< TSTOP >
15XX0208-1
1.E4 8.E-6 2.E-5
2.
1.
/INITIAL
/OUTPUT
XX0055XX0124XX0191XX0151XX0015XX0084
BLANK MODELS
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
BLANK INITIAL
BLANK OUTPUT
BLANK PLOT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK

127
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN

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