Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
CIRCUITE ELECTRONICE
CURS_01
titular: Alexandru Lazar
alazar@etti.tuiasi.ro
OBIECTIVELE DISCIPLINEI
ETTI IASI
BIBLIOGRAFIE
[1] M. Florea, Dispozitive i circuite electronice,
Ed. Gh. Asachi, 1999
ETTI IASI
CONVENTII DE NOTARE A
SEMNALELOR
vBE
vbe
vbe(t1)
VBE
Vbe
vBE(t1)
t1
v BE ( t1 ) = VBE + v be ( t1 )
v be ( t ) = Vbe sin(t )
ETTI IASI
CONVENTII PENTRU
ELEMENTELE DE CIRCUIT
ETTI IASI
ETTI IASI
DIVIZOR DE TENSIUNE
ETTI IASI
DIVIZOR DE CURENT
ETTI IASI
V0 = V01 + V02 = 5, 7V
R2
V01 =
VS = 13, 2V
R1 + R2
ETTI IASI
R1 R2
V02 =
I S = 7,5V
R1 + R2
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
ETTI IASI
ETTI IASI
ETTI IASI
ETTI IASI
ISTORIC
Termenul de atom apare pentru prima dat ctre anul 450 .e.n.
Filozoful grec Leucip dezvolt teoria conform creia materia nu
este infinit divizibil i introduce noiunea de atomos, ceea ce nu
poate fi divizat. Civa ani mai trziu, Democrit, un discipol al lui
Leucip, definete materia ca fiind un ansamblu de particule
indivizibile, invizibile i eterne: atomul. Aceast nou concepie
nu a fost rezultatul unor observaii sau experiene, ci mai
degrab al unor intuiii. Teoria a fost dezvoltat ulterior de Epicur,
apoi de poetul latin Lucreiu. Au trecut ns 2000 de ani pn
cnd teoria atomic a fost formulat tiinific.
n anul 1803, fizicianul i chimistul englez John Dalton a elaborat
o teorie atomic proprie care explic Legea proporiilor multiple,
afirmnd c din moment ce substanele se combin numai n
proporii integrale, atomii trebuie s existe la baza materiei.
ETTI IASI
MODELUL PLANETAR-BOHR
ETTI IASI
Ne = 2n
ETTI IASI
ETTI IASI
SEMICONDUCTOARE,CONDUCTOARE
SI IZOLATOARE
ETTI IASI
SILICIU SI GERMANIU
(STRUCTURA & LEGATURI COVALENTE)
Structura atomica
Forma cristalizare
Reprezentare
conventionala
ETTI IASI
SARCINI ELECTRICE
IN SEMICONDUCTOARELE INTRINSECI
T=0K el in BV
T>0K apar perechi
electron-gol
ETTI IASI
CONDUCTIA ELECTRICA IN
SEMICONDUCTOARE
Curenti de drift E
Curenti de difuzie ~
ETTI IASI
SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP N
ETTI IASI
Dopare
Extrinseci n
Extrinseci p
Nd -donori
Na -acceptori
SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP P
ETTI IASI
JONCTIUNEA PN
NEPOLARIZATA
ETTI IASI
MARIMI ELECTRICE IN
JONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA
PN abrupta si regiunea de trecere complet saracita
ETTI IASI
JONCTIUNEA PN
POLARIZATA INVERS
ETTI IASI
pn (W2)
CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE DIRECTA
pn0
Lp
np0
p-region
-W 1 0
W2
n-region
diffusion
ETTI IASI
CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE INVERSA
pn0
np0
p-region
-W1 0
W2
x
n-region
diffusion
ETTI IASI
JONCTIUNEA PN
POLARIZATA DIRECT
ETTI IASI