Elemente de electronic analogic

constantin.ilas@cs.pub.ro
Notare:
-laborator 25%
-proiect 25%
-examen 50%
Prezenta lab obligatorie
Examen: min 25 pct./ 50
Programa :
Introducere in semiconductoare
Dispozitive electronice: Procese electronice n dispozitive semiconductoare de
circuit. Jonciunea pn. Circuite elementare cu diode. Tranzistoare bipolare
TBIP). Principii de realizare a circuitelor integrate liniare.
Circuite de polarizare n curent continuu.Circuite cu tranzistoare.
Amplificatoare: Parametrii amplificatoarelor. Amplificatoare elementare cu
TBIP. Scheme echivalente i tranzistoare compuse.
Transmisia diferentiala si amplificatoare difereniale.
Reacia negativ: Cazul general. Reacia negativ serie de tensiune. Reacia
negativ paralel de tensiune. Aplicaii.
Amplificatoare operaionale: Parametrii unui AO real. AO ideal. Structuri
inversoare cu AO. Structuri neinversoare cu AO. Amplificatoare difereniale cu
AO. Filtre active cu AO. Circuite neliniare cu AO.
Oscilatoare electronice.

Bibliografie :
1. Nicolae Cupcea, Costin Stefanescu, Adrian Surpateanu: Elemente de
Electronica Analogica - Dispozitive electronice, Amplificatoare
electronice, Amplificatoare operationale, Editura AGIR, ISBN 978-973720-229-1,p. 500;
2. Adrian Surpateanu, ELEMENTE de ELECTRONICA ANALOGICA,
Surse de tensiune continua, Oscilatoare armonice, Editura
POLITEHNICA PRESS, Bucuresti 2010, ISBN 978-606-515-076-8
3. Horowitz, Paul, and Winfield Hill. The art of electronics. Cambridge
Univ. Press, 1989.
http://iate.oac.uncor.edu/~manuel/libros/ElectroMagnetism/The%20Art%
20of%20Electronics%20-%20Horowitz%20&%20Hill.pdf

Elemente de electronic analogic

Elemente de electronica corpului solid

Purttori de sarcin n semiconductoare
Dup conductibilitatea electric corpurile solide sunt:
conductoare
`

- 10 / cm la t amb
3

- ne 10 22 / cm 3 (electroni liberi)
- neutre electric local i general
- conductibilitatea scade cu temperatura
( j qnv qn n E E

E)

(n jurul ionilor pozitivi care nu particip la conducie se mic electroni

mobili)
10

semiconductoare - 10 10 / cm (la temperatura ambiant)

10
0
- pentru T 100 K rezult 10 / cm
- depinde pronunat de temperatur
izolante

- nici la temperaturi foarte mari nu prezint o

conductibilitate electric important

Aceast comportare este determinat de natura legturilor dintre atomi:

la metale (conductoare) exist legtura metalic, foarte slab n care
electronii formeaz un nor electronic i pot participa uor la conducie;
la izolatoare (materiale izolante) este specific legtura ionic, foarte
stabil pn la temperaturi foatrte mari; poate s apar, eventual, o
conducie ionic;
semiconductoarele pot fi constituite:
- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si)
- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupele
III, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs);
ntre aceste tipuri de atomi se pot stabili legturi covalente care
constau din punerea n comun a unuia dintre electronii de valen.

Elemente de electronic analogic

Pentru a se elibera un electron din legtura covalent este necesar

un surplus de energie.
La temperaturi mai mari de 1000K, datorit agitaiei termice,
electronii din stratul de valen devin electroni liberi i formeaz o sarcin
electronic real mobil.
n aceste condiii, la aplicarea unui cmp electric, electronii liberi
se deplaseaz ordonat i formeaz un curent electric de natur electronic;
Dar, un electron de valen vecin, de pe alt legtur covalent,
poate efectua o tranziie (tot datorit agitaiei termice) i ocup locul rmas
liber; sub influena cmpului electric, se constat c are loc o deplasare de
sarcin pozitiv n sensul cmpului electric, adic un electron devenit liber
determin efectuarea mai multor tranziii ca i cnd locurile libere s-ar
deplasa. Se asociaz acestei deplasri a unei sarcini pozitive noiunea de gol,
adic un purttor de sarcin pozitiv care determina o component a
curentului electric. De remarcat c golul nu este o particul elementar ci este
un concept care simuleaz deplasarea locurilor goale din structura
semiconductorului prin ocuparea lor de ctre electroni care se afl deja pe
alte nivele energetice.

Ge (Si)

O alt explicaie a celor dou componente ale curentului electric

dintr-un semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintrun corp solid.

Elemente de electronic analogic

conductoare: la temperatura absolut 00 K toate nivelele din BV

sunt ocupate i cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separ cele
dou benzi; dac T crete, apar electroni de conducie care pot
participa la conducie.
semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolut 00
Kelvin toate nivelele din BV sunt ocupate i cele din BC sunt
libere; poziia nivelului Fermi nu este precizat; electronii nu pot
ocupa nivele din BI; la energie termic suficient de mare (foarte
mare) este posibil ca unii electroni s treac din BV n BC.
Numrul acestora depinde de W:
- la germaniu: W = 0,67 eV
- la siliciu:
W = 1,1 eV
- diamant:
W = 6-7 eV
Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietile electrice ale
semiconductoarelor se modific foarte mult fiind dou posibiliti:
n cazul n care se introduc impuriti ale cror nivele energetice permise
n BV sunt foarte aproape de BC (elemente pentavalente, Bi, Sb, As, P) n care
al cincilea electron trece uor n banda de conducie, se obin electroni de
conducie chiar la temperaturi sczute dei nu au aprut goluri n banda de
valen adic procesul de generare de perechi de purttori nu este semnificativ.
Se spune c impuritile sunt de tip donor i c, la temperatura camerei, sunt
ionizate complet. Rezult c, n semiconductor, numrul de purttori mobili
electroni este mai mare dect cel de goluri.
a) impurificare cu substane pentavalente (Bi, Sb, As, P) - donoare
- al 5-lea electron trece uor n BC apar electroni de conducie
- la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc)
semiconductor extrinsec
- purttorii majoritari electronii semic de tip N
- purttorii minoritari golurile
n >> p

Elemente de electronic analogic

b) impurificare cu substane trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

- apare uor un gol n BV pot participa la conducie
- la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc)
semiconductor extrinsec
- purttorii majoritari golurile semic. de tip P
- purttorii minoritari electronii
n << p

c) fr impurificare semiconductor intrinsec

- numrul golurilor egal cu al electronilor

n p ni

n fizica corpului solid se calculeaz concentraiile de electroni i de

goluri n funcie de poziia nivelului Fermi:
5

Elemente de electronic analogic

n0 n e

W W F
c
kT

p0 p e

3
2

2 m p kT

2 m n kT

h2

n 2
cu n0 p0 ni

W Wv
F
kT

p 2

h2

3
2

(independent de WF)

Semiconductor intrinsec:

n0 p 0 n e

W W F
c
kT

p e

W Wv
F
kT

rezult:
WF

mp
Wc Wv 3
kT ln
2
4
mn

WF

la 0 K

T crete W F scade

Wc Wv
;
2

m p mn

concentraia intrinsec de purttori ni :

n n0 p0 n p e
2
i

n const . T e
2
i

W
kT

Consecine:
ni ( Si ) 1.5 10 10 / cm 3
*
*
*
6

ni ( Si ) ni (Ge )
dependena de temperatur

W WF
c
kT

n p e

W
kT
3
2

ni const . T e

ni (Ge ) 2.5 10 13 / cm 3

W
kT

Elemente de electronic analogic

Se mai pot scrie i sub forma:

n0 n e

kT

p0 p e

W
kT

Semiconductor extrinsec:

de tip N : n0 p0 N d
- provenii prin generare de perechi
- provenii prin ionizarea impuritilor donoare

la temperatur ambiant:

la temperatur mare:

n0 N d

n0 p 0

Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P

Observaie: poziia nivelului Fermi depinde de concentraiile de
impuriti. Dac semiconductorul este dotat neuniform cu impuriti, la
echilibru termic poziia nivelului Fermi rmne fix i se modific fundul BC
i vrful BV.

Conductibilitatea electric a semiconductoarelor

T mic numr mic de purttori nu este curent electric
T ambiant numrul de purttori mobili de sarcin crete prin
ionizarea impuritilor obinui datorit agitaiei termice
Se aplic i cmp electric peste micarea de agitaie termic dezordonat
se suprapune o micare dirijat a purttorilor mobili de sarcin creia i
corespunde o vitez medie de deplasare. Se constat proporionalitatea cu
cmpul electric:

v E

v - viteza medie;
E - cmp electric aplicat;

Elemente de electronic analogic

- mobilitate

depinde de:

m2
mrime de material:
V s
1
1
n p Ge ; n p Si
2
2

- temperatur (scade)
- defectele structurii cristaline (scade)
- concentraia purttorilor liberi

Din vitezele medii curentul de cmp:

j n camp qn n E ;

j p camp qp p E

j qn n E qp p E q n n p p E E

qn n qp p
semiconductor intrinsec:
semiconductor de tip N:
semiconductor de tip P:

i qni n p
qn n qN d n
qp p qN a p

impuriti de ambele tipuri se compenseaz

Variaia cu temperatura a conductibilitii electrice:

a1-a2 temp. joas ionizare imp.

a2-a3 temp. ambiant toate imp.
sunt ionizate
a3-c temp. mare crete conc. de
purttori intrinseci
b
conc. imp. mai mare
8

rezistivitatea scade la temp.

ambiant deoarece mobilitatea
scade cu temperatura

Elemente de electronic analogic

Difuzia purttorilor de sarcin

Semiconductor dopat neuniform cu impuriti, fr cmp electric din
exterior

a) tendina de uniformizare (ca la gaze) prin proces de difuzie curent

de difuzie;
b) apare cmp electric sarcini electrice pozitive fixe (stnga) i sarcini
electrice negative mobile (dreapta) care are tendina de a aduce napoi electronii
spre stnga curent de cmp.
c) rezult un proces de uniformizare dinamic
d) regim staionar (de echilibru) cnd transportul de purttori prin difuzie
= transportul de purttori prin cmp.
Curentul de difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de
purttori:

j n dif qDn n;

j p dif qD p p

cm 2
Dn , D p constante de difuzie,
(depind de material)
s

Ecuaiile de transport

j n j n camp j n dif qn n E qDn n

j p j p camp j p dif qp p E qD p p
j jn j p
La echilibru termic: j n j p 0
Legtura dintre constanta de difuzie i mobilitate
Ambele sunt mrimi care caracterizez acelai proces fizic cu caracter
statistic al micrii dezordonate a purttorilor de sarcin.
9

Elemente de electronic analogic

energia potenial: W p ct . x
potenialul intern: U

Wp
q

Dar: W p qU

deci: U x ct .

cmpul intern:

E grad U

x
q

'x
q

curentul de electroni la echilibru termic:

dn
qn n E 0
dx
x

( x)
n n e kT se deduce: ln n ln n
i apoi:
kT
dn
n
dn
' x

dx sau:

' x
n
kT
dx
kT
jn qDn n qn n E qDn

din:

curentul de electroni devine:

n
'x
' x qn n
0,
kT
q
' x 0, rezult:

qDn
de unde, pentru:

Dn
; la fel:
kT

Dp

(relaii Einstein)

kT

Ecuaiile de transport se pot scrie sub forma:

10

Elemente de electronic analogic

jn qDn n
E n
kT

j p qD p p
E p
kT

echilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de constanta de difuzie

Ecuaiile de continuitate
Variaia n timp a concentraiei de purttori:
- generare de purttori (termic, iradiere, etc.) Gn, Gp
- recombinare de purttori (gol + electron dispar + foton) Rp, Rn
- deplasare de purttori (div j 0)

div j p
div j p
p
Gp Rp
Sp
t
q
q
div j n
div j n
n
G n Rn
Sn
t
q
q
S p G p R p viteza efectiv de cretere
Recombinare:

- direct
- indirect: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire

Fie o generare de purttori care, la un moment dat, se oprete. Exist

p1 p0 (concentraia la echilibru)

Sp va fi proporional cu concentraia de purttori n exces, p p0 , de

forma:

Sp

p p0

p este durata efectiv de via a purttorilor n exces

Dac: div j p 0 , se obine ecuaia diferential:

p p0
dp

cu condiia iniial: p 0 p1
dt
p
11

Elemente de electronic analogic

Soluia este: p (t ) p0 ( p1 p0 )e

- semnificaia lui p

Recombinarea depinde de concentraiile de purttori:

R p pn, este coeficient de proporionalitate
Generarea se face pe cale termic i viteza de generare depinde doar de
temp.:

G p p 0 n0

Rezult:
Fie:

S p G p R p pn p0 n0

p p p0 , n n n0
S p n 0 p p 0 n n p
n 0 p p 0 n

Semic. de tip N:

n0 p0 S p n0 p n0 p p0

Dar: S p

p p0

1
1

n0 N d

Forma general a ecuaiilor de continuitate:

p p 0 div j p
p

t
p
q
n n0 div j n
n

t
n
q
Aplicaie:
- regim staionar
- semic. de tip N
- model unidimensional
- cmp electric slab
12

Elemente de electronic analogic

dp n
dp
qD p n
dx
dx
1 dj p

j p qp n p E qD p
0

pn pn 0

pn pn 0

q dx

dp n
1 d
qD p
0
q dx
dx

d 2 pn pn pn 0

0
p
dx 2
Se noteaz: L p

D p p

lungimea de difuzie a golurilor

pn ( x ) pno pn (0) pn 0 e

13

x
Lp