Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a cror
funcionare se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin
n diferite medii (gaz, solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces,
prin intermediul crora se realizeaz controlul purttorilor de
sarcin. n condiiile n care are 2 borne de acces se numete dipol
(figura 1.1, a), iar dac are 4 borne de acces se numete cuadripol
(figura 1.1, b).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre
exemplu tranzistorul) se trateaz ca i un cuadripol, una din borne
fiind comun intrrii i ieirii. n figura 1.1,b borna 3 este notat cu
1 - born de intrare i cu 2 care este born de ieire.
a)
b)
Fig. 1.1
I=
U
R
U1 U2 U
neliniar
a)
b)
U
liniar
c)
Fig. 1.2.
Dac relaia ntre intrare i ieire este liniar caracteristica
static poate fi exprimat grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamn
c dioda poate fi definit prin rezistena intern R. Caracteristica
static se exprim analitic prin relaia de definiie a rezistenei
electrice
RI =
U
= GU ,
R
I=
U1
U
I=
roff
U
ron
U2
Fig. 1.3.
0 <U <U2
U <0
I=
1
U,
ron
I=
1
U,
roff
IN
V1
I1
I2 2
Fig. 1.4.
OUT
V2
I 2 = f 2 (V1 , I1 )
sau poate fi
V1 = g1 (I1 , I 2 )
.
V2 = g 2 (I1 , I 2 )
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2
I 2 = Y21V1 + Y22V2
2Vef
t
Fig. 1.5
10
VM =
1 T 2
v (t )dt ,
T 0
1
T
0 v(t )dt .
T
11
}BC
} BI = W = 10,12,67eVeV(Si(Ge) )
}BV
Wc
Wv
Fig. 1.6.
n cazul metalelor, conducia curentului electric se face prin
electroni.
n cazul semiconductorilor, conducia curentului electric se
face att prin electroni ct i prin goluri.
nelegem prin conducie a curentului electric transferul de
sarcin electric printr-o suprafa .
Curentul electric este o micare ordonat a unor purttori de
sarcin printr-o suprafa , caracterizat prin intensitatea curentului
electric de conducie.
Intensitatea curentului electric i de conducie este definit
prin variaia a sarcinii electrice care trece prin suprafaa n
unitatea de timp.
i=
dq
dt
12
Fig.1.7.
Conducia curentului este realizat de goluri (legturi
covalente nesatisfcute) prin intermediul electronilor prini n
legturi covalente ale atomilor nvecinai golului. Un electron dintro legtur covalent, datorit unei fore (spre exemplu datorit
forei determinate de un cmp electric), pleac din legtur i se
poziioneaz la atomul cu legtur covalent nesatisfcut. Golul
din poziia veche nu mai exist - legtura a fost refcut de
electronul sosit, dar apare un gol n poziia din care aplecat
electronul. Aceast deplasare este echivalent cu deplasarea golului
n sens invers micrii electronilor. Electronul care s-a deplasat i a
ocupat legtura covalent nesatisfcut are o energie aflat n BV.
n condiiile n care legtura covalent nesatisfcut (golul)
este ocupat de un electron a crui energie este n banda de
conducie BC procesul se cheam de recombinare. Electronul nu a
plecat dintr-o legtur covalent, ca s determine formarea unui nou
gol. Dispare, pentru procesul de conducie, att electronul ct i
golul, pentru c electronul liber a fost prins n legtura covalent
nesatisfcut numit gol.
La temperatura camerei, numrul de electroni liberi este egal
cu numrul de goluri, pentru c fiecare electron devenit liber a
plecat dintr-o legtur covalent care a devenit nesatisfcut (gol).
Concentraia de electroni liberi n 0 egal cu concentraia de
goluri p 0 se numete concentraie intrinsec ni.
3
n0 = p0 = ni [numr de purttori/cm ].
13
ni = AT 2 e
W
2 kT
14
Fig. 1.8.
Notm cu N D = 1014 K1018 [atomi/cm3] concentraia de
impuriti introdus. Impuritile fiind ionizate (au pierdut un
electron) vor modifica numai concentraia de electroni liberi
n = n0 + N D = ni + N D N D
p = p0 = ni
15
p=
ni2
n2
= i .
n
ND
Fig. 1.9.
Notnd cu NA concentraia de impuritate introdus, obinem
concentraiile de purttori n semiconductorul de tip P
ni2
n =
NA
p = p + N N
0
a
A
16
n0 = AT 2 exp(
Wc WF
),
kT
3
2
p0 = AT exp(
WF Wv
),
kT
Wc + Wv
,
2
W WF
p0 = ni exp( i
).
kT
r
F
r
Fe
a)
qp
q
b)
Fig. 1.10
17
r
Fe
r r
i = j dA .
i
,
SI
18
r
= q e ( p p + n n ) E .
q e ( p p + n n )
19
r
j pd = qe D p grad p
,
r
jnd = qe Dn grad n
KT
p;
qe
Dn =
KT
n .
qe
20
recombinare cu
centru de captur
(1 e-)
Wc
recombinare
band-band
(2 purttori)
Wv
W
Wc
Ion pozitiv
(1 purttor
generat)
Wv
gol
(2 purttori)
b)
a)
Fig. 1.11.
Generarea purttorilor de sarcin se poate face n perechi (un
electron i un gol) dac electronul provine dintr-o legtur
covalent.
Se genereaz numai un purttor dac electronul provine de la
un atom de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui
purttor se ionizeaz. Semiconductorul rmne neutru pentru c
sarcina purttorului generat este egal i de semn opus sarcinii
ionului format, vezi figura 1.11.
Viteza net de recombinare a purttorilor U este definit drept
variaia excesului de sarcin n unitatea de timp fa de sarcina
stabilit de echilibrul termodinamic
U=
pn ni2
,
n ( n + nt ) + p ( p + p t )
U= 0,
21
N
n = N D + n0 N D electroni
n i2
p =
ND
p = N A + p 0 N A goluri
n i2
=
n
NA
goluri - majoritare
electroni - minoritari
electroni - majoritari
goluri - minoritare
-lp +ln
r
E dp
Fig. 1.12
n zona de jonciune, datorit plecrii purttorilor de sarcin,
rmn numai ionii de impuritate.
22
pe intervalul 0,..., ln ,
dE
dx
NA
E ( x) = q e (l n x)
ND
pentru l p x 0
,
pentru 0 x l n
ca n figura 1.13.
Din condiia de continuitate a cmpului n origine
E(-0) = E(+0),
se obine o relaie ntre limile zonelor de golire in cele dou zone
semiconductoare
NA lp = ND ln .
23
Zona P
Zona N
x[m]
U
U0
E0
x
-lp
ln
Fig. 1.13.
Considernd drept referin a tensiunii zona neutr a
semiconductorului P (V(-lp) = 0) i plecnd de la definiia cderii de
tensiune
p r r
U = 1 Edr ,
p
0
Ip
In
r r
Edr ,
r
Fd
Fig. 1.14.
La conectarea celor dou zone ncepe procesul de difuzie a
purttorilor, zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a
jonciunii crete, cmpul electric crete i fora electric crete aa
nct
24
me a = Fd Fe
2 1
1
U0 .
+
q e N A N D
SJ
l
Wc(+l n)
qe U0
-lp
WF
+ln
Fig. 1.15
Energiile benzilor de conducie se expliciteaz din expresia
purttorilor majoritari din zona semiconductoare N
W (l ) W F
)
n = N D = A exp( c n
kT
25
Wc (l p ) W F
ni2
)
= A exp(
NA
kT
N N
kT
In( A D )
qe
ni2
ni = AT 2 e
W
2 KT
26
nn0 ND
Pp 0
-ln r +lp
E0
r
EA
-ln
n
+lp
p
E AA
Fig. 1.16.
Concentraia de goluri, pe distana p, va diferi de concentraia
impus de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcin
suplimentar numit sarcin n exces.
Aceleai considerente se fac pentru electronii provenii din
zona N i injectai n zona P.
Acumulrile de sarcin excedentar determin definirea unei
capaciti numit capacitate de difuzie
Cd =
E AA
27
P0
-ln r +lp
E0
r
EA
E AA
Fig. 1.17.
n acest caz, cmpul electric este favorabil micrii
purttorilor minoritari, micarea purttorilor majoritari fiind blocat
att de bariera de potenial ct i de cmpul stabilit n materialul
semiconductor de sursa extern.
Constatm c avem de-a face cu un transfer de goluri din
zona N n zona P care determin un curent electric de conducie de
valoare mic (pentru c exist puini purttori de sarcin goluri n
zona N).
La polarizarea invers curenii prin dispozitiv sunt determinai
de fenomenul de generare de purttori n zona de trecere sau n
zonele neutre.
n figura 1.18 se prezint densitile curenilor care circul
prin jonciunea P-N a)la polarizarea direct i separat b) la
polarizarea invers.
La polarizarea direct intervin densitile de curent datorate
difuziei purttorilor, care pot fi exprimate n funcie de tensiunea VA
de pe jonciune (la nivele mici de injecie VA = EAA)
28
qV A
jd = j0 e KT 1 .
qVA
j r = j 0 r e 2 KT 1 .
jpd
r
J
jnd
jr
Ln ln
jr
lp
r
J
r
J
r
J
lp Lp
Lp
a)
b)
Fig. 1.18.
I = I 0 e mKT 1
29
2000A
V
VP
Polarizare
direct
Polarizare
invers
Fig. 1.19
n figura 1.20 este prezentat jonciunea P-N n coresponden
cu dispozitivul semiconductor numit diod semiconductoare
realizat pe baza unei jonciuni P-N. Anodul diodei A este pe zona P
a jonciunii iar catodul K este pe zona semiconductoare N a
jonciunii.
A
IA
K
VAK
Fig. 1.20
Aplicarea tensiunii de polarizare pe jonciunii se face prin
intermediul unor electrozi metalici.
30
I A = f (V AK )
qV j
e mKT 1
=
I
I
A0
A
IA
RN
V1
P N
Vj
real
RN
I1L
V1
VAK
VAK
IA 0
b)
a)
Fig. 1.21.
B: Efectul creterii temperaturii
Temperatura determin concentraia intrinsec de purttori de
unde rezult c va crete numrul de purttori (minoritari i
majoritari) i curentul rezidual I A - se dubleaz curentul rezidual
la fiecare cretere cu 10C a temperaturii jonciunii.
Tensiunea pe jonciune VAK =Vj scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la
fiecare cretere de 1C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este V AK = 0,65V = 650mV .
Efectul temperaturii asupra cderii de tensiune pe jonciune
este utilizat la realizarea traductoarelor de temperatur, pentru o
gam de temperaturi din domeniul 10,..,+1000C.
0
31
Fig. 1.22.
32
33
IA
P N
A
I0
IA
K
VAK
VAK
qVAK
I A = I A 0 e mKT 1
(IR)
a)
b)
Fig. 1.23.
Rd
VP
Rinv
VAK
Fig. 1.24.
Se definesc :
- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n
conducie (circul un curent semnificativ)
0,3V Ge
Vp =
;
0,7V Si
Rd =
V AK
IA
V AK = R d I A + V p ;
V AK >V p
34
Rinv =
VAK < VP ,
V AK
IA
.
V AK <V p
Rd
Vp
+ -
IA
K
Rinv
VAK <Vp
Fig. 1.25.
Circuitul din figura 1.25 conine dou comutatoare care
lucreaz n opoziie cnd este unul nchis cellalt este deschis.
Deasupra fiecrui comutator este nscris condiia care dac este
ndeplinit determin nchiderea comutatorului. Dac ntre cele
dou tensiuni exist relaia VAK < VP numai comutatorul de jos este
nchis i
VAK = Rinv IA.
Pentru VAK > VP numai comutatorul de sus este nchis i
VAK = Rd IA + VP .
VAK>Vp
VAK>Vp
Rd
IA
IA
Rinv
VAK>Vp
a)
b)
Fig. 1.26.
35
Rd
1
T
f=
1
[Hz ] , a crei valoare medie
T
T
0 va (t )dt = 0 este nul.
f(t)
Fig. 1.27.
36
va
iA
VA
Vmax
vA(t)
t
a)
b)
Fig. 1.28.
mkT
i A (t ) = I A0 e
1 .
qV A
v A = V A (c.c.) I A = I A0 e mkT 1 I A0 e mkT .
37
mkT
q (VmkT
mKT
mkT
i A = I A0 e
1 = I A0 e e 1 .
1 = I A0 e
VT =
mkT
,
q
vA
VT
v
1 v
1 + a + a
VT 2 VT
+ K
va
VA
v
1+ a .
VT
VVA
v a VT
v
T
e 1 = IA 0 e 1 + I A 0 e VT a = IA + i a ,
i A = IA 0 1 +
VT
VT
43
142
c .c .
I A0 e VT
ia =
VT
v = 1 v ,
a R a
ca
VA
VT
IA
qI A
=
mkT mkT
q
38
mkT
,
Rca =
qI A
VAK >0
Rca
Rca
K
Rinv=
CB
a)
b)
Fig. 1.29.
39
Notaii:
- curentul la polarizare direct;
IF
V F - cderea de tensiune la polarizarea direct;
VR - tensiunea invers maxim (VBR ) ;
I R - curentul la polarizare invers.
max
max
max
max
max
max
max
max
VZ = VZ 0 + rZ I Z ,
rZ =
VZ
.
IZ
40
Tensiunea de stabilizare VZ
conform ecuaiei:
se modific cu temperatura
VZ0 = VZ 0T (1 + Z T ) ,
IA
NU
VZ
VBR VZ 0
I min
I max
VAK
Zona de
strpungere
reversibil
IZ
Fig. 1.30
Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n
domeniul 1,5...,200V. L0 cu tensiunea < 5V avem z negativ pentru
c predomin fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V z
este pozitiv pentru c predomin fenomenul de avalan.
Vmed =
1
T
v a (t )dt = V A .
41
f = [ Hz ] .
va(t)
,
Vmax
VA
t
t
Fig. 1.31.
= 2f [rad / s]
= t[rad ]
Se definesc mrimile
Vef =
1
T
v A2 (t )dt
unde
BK
; Vak = AK2 + BK2 ,
AK
2
v a (t ) sin ktdt ,
T
B K=
2
v a (t ) cos ktdt .
T
Vef =
2
ak
Vmed =
k =1
42
1
T
v A dt = V A
Vef
VA
Vaef
VA
2
pulsatia
T
D
VI
VA
VAK
R
Fig. 1.32.
43
Metoda grafic
Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determin ecuaia
dreptei de sarcin.
Dreapta de sarcin se reprezint prin interseciile cu axele de
coordonate
IA=0, VAK=VA
pentru
VA
,
R
VA
0
,
R
VA
R
P.S.F.
IAo
VAo
VA
VAK
Fig. 1.33.
Metoda analitic
Ecuaiile din care se determin PSF sunt
(dreapta de sarcin)
1. V1+VAK=RIA+ VAK
2. IA= Io(e
qV AK
mKT
-1)
;
R + Rinv
v AK > 0
v AK < 0
44
D
VAK
vi
VL
RS
Fig. 1.34.
Dioda semiconductoare este modelat prin rezistena intern
V AK > 0
Rd ,
.
Rinv , V AK < 0
Rint =
vi
R + R ,
S
d
=
vi
0,
RS + Rinv
45
1 T
1 2
0
=
I 0 = i (t ) =
i
t
d
t
(
)
(
)
0
0
T
2
I0 =
1
2
2Vi sin(t )
, t 2
Rs + Rinv
2
2Vi sin(t )
2Vi sin(t )
d(t ) +
d (t ) =
Rs + Rd
Rs + Rinv
2Vi
1
2 Rs + Rd
2Vi sin(t )
, 0 t
Rs + Rd
sin(t )d (t ) +
2Vi
1
2 Rs + Rinv
sin(t )d (t ) =
2Vi
2Vi 2
2Vi
cos(t ) 0 =
=
2 ( Rs + Rd )
2 ( Rs + Rd ) ( Rs + Rd )
I0 =
I max
Vi
t
t
iL
I0
t
t
vL
t
V0
Fig. 1.35.
S-a notat cu Imax valoarea maxim a curentului n decursul
unei perioade a tensiunii de alimentare.
46
2Vi
2Vi
Rs
.
( Rs + Rd )
1
2Vi 2
2 Rs + Rd
Vi 2
( Rs + Rd ) 2
=
1
i (t ) d (t ) =
2
2
2Vi sin(t )
d (t ) =
R +R
s
d
sin(t ) 2 td (t ) =
Vi 2
1 cos 2t
d (t ) =
2
2 ( Rs + Rd ) 2
sin 2t
2t 2 0 =
Vi 2
Vi 2
=
2 ( Rs + Rd ) 2 2( Rs + Rd ) 2
I ef =
2 ( Rs + Rd )
I0 .
I0 .
47
PCC = V0 I 0 =
Vi I 0 .
Pcc
= ( 40%) .
Pca
V0
IL
Fig. 1.36.
Pentru a exprima continuitatea tensiunii altfel spus ct de
aproape de o linie paralel cu axa timpului este tensiunea - se
folosete factorul de form [13, 14 ]
D
I ef
V Act RS I ef
=
=
= ,
2
VA
RS I 0
I0
I max i
valoarea maxima a
48
I A = I AB e mKT 1 ,
t
VL
VL
Fig. 1.37.
Orice form de und nesinusoidal (exponenial) poate fi
descompus ntr-o sum de sinusoide numite armonici ale
49
i1
TR
Vi
D2
RS
i2
VL
iL
Fig. 1.38.
Transformatorul TR n fiecare alternan a tensiunii din primar
induce n fiecare seciune a secundarului o tensiune de aceeai
polaritate cu tensiunea de intrare.
Tensiunea din primar Vi= 2Vi sint n alternana pozitiv
polarizeaz n conducie, prin tensiunea din secundar, dioda D1, iar
n alternana negativ polarizeaz n conducie dioda D2.
nseamn c n intervalul (0, ) conduce curent prin sarcin D1
iar n intervalul t 2 conduce curent prin sarcin D2.
D1 este n conductie
D 2 blocat
iL=iD1; 0 t
50
VL
t
t
iL
UL
D1
D2
D1
D2
Fig. 1.39.
D1 este blocat
D2 este n conductie
iL=iD2; t 2
Tensiunea de pe sarcin
VL=RsiL
2V
i
VL= VL (t )dt 2
,
T
51
I2
(1)
Vi
D2
iL
R
VL
(2)
D4
D3
Fig. 1.40.
Nici n acest caz nu avem o tensiune continu ci o tensiune
pulsatore, numai c pulsaiile tensiunii n jurul valorii medii sunt
mai mici dect n cazul redresorului monoalternan.
Valoarea tensiunii pe sarcin VL are aceeai expresie la
redresorul cu transformator i la redresorul n punte
VL=2
2Vi
Vinv =
2Vi
2
Filtre de netezire
Pentru micorarea ondulaiilor tensiunii pe sarcin se
utilizeaz filtre sau , ca n figura 1.41,a sau b.
52
a)
b)
Fig. 1.41.
vi
RS
Fig. 1.42.
Calitatea de filtrare se bazeaz pe proprietatea capacitii C de
a nmagazina energia n timp ce prin dioda D trece curent i de a
ceda energia ctre sarcin ct timp dioda nu conduce.
n intervalul a- b dioda conduce, determin ncrcarea
condensatorului i asigur curentul prin sarcin. Condensatorul se
ncarc ctre valoarea maxim a tensiunii de intrare.
Dup ce tensiunea vi ajunge la valoarea maxim 2Vi ,
tensiunea vi ncepe sa scad.
La b tensiunea de alimentare a
sczut sub valoarea la care s-a ncrcat condensatorul.
Dioda se blocheaz i circuitul va fi format dintr-o capacitate care
se descarc prin sarcin cu un curent scztor exponenial.
n cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va
ncrca pan la 2Vi dup care se va descrca cu o constanta de
timp = RS C .
Plecnd de la definiia capacitii electrice i de la definiia
curentului electric de conducie se obine ecuaia diferenial a
circuitului.
53
VL
t
t
iL
t
a
Fig. 1.43.
C=
ic = C
du
,
dt
q
,
uc
i=
dq
dt
VL = Rs C L
ic = C
dv c
di
d
= C ( Rs i L ) = Rs C L
dt
dt
dt
t
dic =
k+
iC
1
dt ln ic =
t + k ic = e RS C = (e k )e RS C = k 2 e RS C .
RS C
RS C
RS C
54
ST
RL V L
Fig. 1.44
Putem diferenia funcia care exprim tensiunea de pe sarcin
VL =
f
f
f
Vi +
I L +
T .
Vi I ,T =ct
I L V , T =ct
T Vi , I L =ct
L 43
14243
142
142i43
1
SV
R0
ST
Vi
VL
R0 =
ST =
I L ,T =ct
VL
Vi
VL
I L
VL
T
55
SV mare
Vi
VL =
+ R0 I L + ST T R0 mic ]
S
S
T mic
VZ
Fig. 1.45.
IL
Vi
DZ
VZ
RL
VL
Fig. 1.46
56
VR Vi VL
=
.
R
R
Ii - IZ - IL=0.
V Z V Zo V L V Zo
=
,
rZ
rZ
VZ = V L
Vi VL VL VZo
IL = 0
R
rZ
1 1 Vi VZo
= +
V L +
IL
R R0 R V Z
RrZ
se nmulete cu
R + rZ
V L = Vi
rZ
RrZ
R
+ VZo
IL
R + rZ
VZ ( R + rZ )
R + rZ
rZ
RrZ
R
V I
I 2 +
VZo ,
rZ + R
R + rZ
R + rZ
Vi
vL
Ri =
R rz
,
R + rz
ST =
R
Vz 0 z .
R + rz
I LT =CT
R + rZ
R
= 1+ ,
rZ
rZ
57
58
2
TRANZISTORI
Tranzistorii sunt elemente de circuit cu trei electrozi avnd
posibilitatea de modificare a puterii de la ieire printr-un consum
energetic mic.
n funcie de principiul de funcionare pot fi tranzistori bipolari
sau tranzistori cu efect de cmp.
Fig. 2.1.
S-au notat cu E zona semiconductoare a emitorului, B zona
semiconductoare a bazei, C zona semiconductoare a colectorului.
La fel se noteaz i terminalele, prin intermediul crora avem acces
la zonele semiconductoare asociate.
Pentru ca dispozitivul s poat funciona corespunztor se iau
urmtoarele msuri constructive:
- zona semiconductoare a emitorului se dopeaz mai puternic
dect celelalte zone (indicat n figur prin puterea +);
59
Fig. 2.2.
Se constat c simbolul tranzistorului conine o sgeat care
indic sensul curentului prin terminalul emitorului i tipul
tranzistorului. Dac sgeata este orientat ctre simbol tranzistorul
este PNP.
Sensurile celorlali doi cureni sunt invers dect sensul
curentului de emitor, aa nct s avem relaia
I E =I C +I B .
Tensiunile se noteaz cu indici n ordinea primul indice de
unde pleac iar al doilea unde ajunge ( s.ex. VCE = VEC ) aa nct
avem relaia pentru tensiuni
V EB +V BC +V CE = 0.
Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie s avem
relaiile dinte mrimile (3 cureni i 3 tensiuni) asociate
tranzistorului. Cele dou relaii elimin dou din variabile aa nct
rmn numai 4 mrimi.
De regul att modelele ct i caracteristicile statice consider
dou din mrimi independente (urmnd a fi impuse din exterior) iar
celelalte dou se exprim analitic sau grafic n funcie de mrimile
independente.
Teoria elementar a tranzistorului consider structura
tranzistorului din figura 2.3 cu jonciunile polarizate de cele dou
60
Fig. 2.3.
Golurile, provenind din zona emitorului, ajunse n zona bazei
vor intra sub influena cmpului electric E 0 (datorat polarizrii
inverse a jonciunii colector baz J CB de ctre sursa V CC ).
Cmpul electric E 0 este favorabil tranzitului golurilor din zona
bazei n zona colectorului pentru c cmpul electric al jonciunii
J CB polarizate invers se opune transferului de electroni din zona N
n zona P.
Efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de
goluri (care pleac de la emitor i ajunge la colector) prin
modificarea tensiunii de polarizare a unei jonciuni polarizate
direct i anume tensiunea de polarizare a jonciunii emitor baz.
Curentul de emitor nu este format numai din golurile iEP ci i
din electronii care traverseaz jonciunea iEn din baz ctre emitor
61
I E = i Ep + i En .
i Ep
IE
i Ep
i Ep + i En
<1.
iCp
iEp
iCp
iCp + ir
< 1.
Se definete
F = T E
; F ( 0.9;0.999 )
62
i = I 0 (e kT 1) .
q VCB
q V EB
KT
i E = a11 e
1 a12 e KT 1
q VCB
q V EB
KT
KT
1
iC = a 21 e
1 a 22 e
63
q V CB
KT
<< 1 .
i a12
KT
1 + a12 e KT 1 = E
i E = a11 e
a11
q V EB
iC = a 21 e KT 1 + a 22
I E a21
a
a a a a
+ a22 = 21 iE + 11 22 12 21
a11
a11
a11
F =
a21
a11
a
, F = 21 ,
a11
a11
64
unde:
= a11 a22 a12 a21 = a11 a22 a12 2 .
VCB > 0
qVCB
i E = a11 a12 (e kT 1)
.
qVCB
iC = a 21 a 22 (e kT 1)
a12
, I EB 0 =
.
a 22
a 22
q V EB
i F = e KT 1 I ES
,
V EC
q KT
1I CS
i R = e
65
Fig. 2.4.
O parte din curentul iF se pierde n circuitul bazei aa nct la
colector ajunge o fraciune a acestuia F i F , din care se mai pierde
o parte prin dioda DR n polarizare invers.
ICB0
IC= ICB0
iE = 0
iB
Fig. 2.5.
Polarizarea in zona de blocare RB se face cu surse care s
polarizate invers ambele jonciuni V CB < 0, V EB < 0 apare o
bariera de potenial si la jonciunea EB nu avem transfer de goluri
din emitor n baz i E = 0 , i B = I CB 0 , ca n figura 2.5.
Starea de blocare este caracterizat prin
iE = 0 ,
i B = I CB 0 , iC = I CB 0 .
66
VBE
Fig. 2.6
67
IB
VCE=0
VCE>0
IC
IB=100
IB= 10
IB=0
VBE
VCE
a)
b)
Fig. 2.7
F
1F
68
I CB 0
1F
0,5
0,8
VBE[V]
Fig. 2.8.
Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt modificate de valorile
parametrilor sau de condiiile de funcionare.
Efectul creterii tensiunii inverse aplicate jonciunii CB
determin multiplicarea n avalan a purttorilor, ceea ce poate
conduce la strpungerea jonciunii. Se limiteaz valoarea tensiunii
de polarizare invers a jonciunii VCB < VCB 0( BR) , sub valoarea
tensiunii de strpungere VCB 0( BR) .
n cazul conexiunii EC, pe lng aceast tensiune de
strpungere V CB 0( BR ) se mai definete o tensiune numita tensiune de
susinere, cu
referitoare la spaiul C-E care are valoarea
VCE 0( BR ) = VCE | sust = (0.1.....0.3)VCB 0( BR ) .
Depirea acestei tensiuni duce la creterea tensiunii de
colector dar fr s conduc la strpungerea vreunei jonciuni a
tranzistorului.
69
T = F 1 + T ,K P =50C.
KP
IC
ICmax
hiperbola
VCEmax
VCE
Fig. 2.9.
Relaia definete n planul caracteristicilor de ieire o curb
numit hiperbol de disipaie, marcat n figura 2.9.
n concluzie punctul static de funcionare al tranzistorului
trebuie s nu depeasc hiperbola de disipaie.
70
IC
IB
RB
V CE
+
V BB
-
V BE
+
V CC
-
IE
Fig. 2.10.
IB =
71
RB
RB
RC
IC
IB
RB
V CE
+
V BB
-
V BE
+
V CC
-
RE
Fig. 2.11.
Valoarea tensiunii VCE i valoarea curentului IC stabilesc
punctul static de funcionare al tranzistorului PSF de coordonate
(VCE, IC) n planul caracteristicilor statice de ieire.
72
V BB
,
R B + ( F + 1) R E
RC
RB2
RC
VCC
VCC
T
RB1
a)
b)
Fig 2.12
V V BE
I B = CC
,
RB
73
ID =
VCC
,
R B1 + R B 2
V BE = VCC RB1 I D .
R B1
R B1 + R B 2
VCC .
Fig. 2.13.
n condiiile n care se cere ca impedana de intrare a
tranzistorului (cu circuitul de polarizare) s aib o valoare impus
s.ex. s fie ct mai mare calculele circuitului de polarizare se vor
face lund n considerare curentul care este absorbit de baza
tranzistorului.
n cele mai multe aplicaii schema de polarizare din figura
2.12b, va conine i o rezisten pentru stabilizare termic n
emitorul tranzistorului, ca n figura 2.13.
Polarizarea TBP n conexiune BC i CC
n figura 2.14 sunt prezentate circuitele de polarizare pentru
conexiunile a) colector comun CC i b) baz comun BC.
Constatm c modul de polarizare este identic tuturor
conexiunilor ( BC, EC, CC) ceea ce nseamn c metodologia de
74
a)
b)
Fig. 2.14.
75
VCC
, alternana pozitiv a
RC
Fig. 2.15.
Tensiunea de intrare este periodic dar de o form oarecare.
Pe baza dezvoltrii n serie Fourier orice tensiune periodic
poate fi scris sub forma
vi = 2
Vik sin(kt ) + VI
= vi a + Vi
vi a Vik ( f )
76
I0
Ii
V0
2`
1`
Fig. 2.16.
Dac se iau ca mrimi independente tensiunile Vi
ecuaiile care descriu cuadripolul sunt:
i V0
I i = yiVi + yrV0
I 0 = y0Vi + y0V0
Ii
Vi
admitana de intrare i y f =
V0
I0
Vi
admitana de
V0
77
Ii
1
Vi
Yi
2
Y r V0
Y0
Y f Vi
1`
V0
2`
Fig. 2.17.
Corespunztor descrierii cuadripolului prin parametrii y n
figura 2.17 avem schema echivalent.
Cel mai folosit model cuadripolar al tranzistorului este modelul
cu parametri h pentru care mrimile independente sunt curentul
de intrare I i i tensiunea de ieire U 0 (s-a folosit sublinierea pentru a
specifica faptul c sunt mrimi vectoriale n complex, transformate
ale mrimilor variabile n timp).
n continuare toate mrimile cuadripolare i mrimile de la
bornele cuadripolului cu toate c sunt mrimi n complex nu vor fi
notate cu subliniere! Motiv - pentru a nu ngreuna scrierea.
Ecuaiile modelului cu parametri h sunt:
V i = h f I i + h r V 0
I 0 = h f I i + h 0 V 0
I0
V0
=> r0 =
I i =0
1 V0
=
h0 I 0
;
I i =0
I0
Ii V
0 =0
78
hr =
Vi
V0
.
I i =0
Ii
hfIi
hi
Vi
r0 =
V0
h0
hrV0
Fig. 2.18.
Parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului iar
n cataloage se indic valorile pentru tranzistorul n conexiune
emitor comun EC.
Datorit faptului c, n cazul conexiunii EC, factorul de reacie
hr are valori mici influena lui poate fi neglijat i modelul se
rescrie,
V i = h f I i
I 0 = h f I i + h 0 V 0
I0
Ii
1
Vi
hfIi
hi
1
h0
V0
2`
1`
Fig. 2.19.
Parametrii de cuadripol ai tranzistorului depind de conexiunea
n care au fost definii. n cataloage sunt indicai parametri de
cuadripol pentru tranzistorul aflat n conexiunea emitor comun EC.
79
f
,
4
c
rbb '
B`
C
r
R
g mVb'e
Vbe
E
Fig. 2.20.
80
r0
C CE
gm
.
C + C
F
gm
VbE
C
r
r0
g mVBE
VCe
Fig. 2.21.
Circuitul natural din figura 2.21 este echivalent cu circuitul
cuadripolar cu parametri h pentru relaiile de echivalen
r = hi
, r0 =
1
,
h0
h f I i g mVi .
81
U
= GU , iar rezistena canalului este
R
l
, unde l este lungimea canalului, S seciunea canalului.)
S
82
D
n+
n+
p+
golire
P
canal
Ss
Fig. 2.22.
Zona P din figura 2.22 se numete substrat.
Grila este legat la electrodul substratului SS ,aa nct
seciunea canalului s se modifice i prin intermediul acestei
jonciuni aflat n polarizare invers.
n figura 2.23 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N
precum i polaritatea tensiunilor care se aplic electrozilor pentru ca
s poat fi modificat curentul prin canal curentul care se nchide
de la dren la surs (electronii avnd sarcin negativ circul invers
dect curentul pe care l determin).
ID D
G
VDS>0
VGS < 0
Fig. 2.23.
83
n+
n+
Ss
Fig. 2.24.
Grila este n contact cu semiconductorul de tipul P, fiind
separat de acesta printr-un izolator, care n cazul tranzistorului
MOS este un strat de oxid de siliciu ca n figura 2.24.
n condiiile aplicrii unei tensiuni pe gril pozitiv n raport
cu substratul, aceast tensiune, prin cmpul electric orientat de al
gril ctre SS mpinge golurile majoritare din zona P i atrage la
suprafaa de separaie a metalului grilei electronii minoritari. n
zona P, ntre cele dou zone N+ apare un strat de electroni
minoritari care formeaz un strat de inversie a conduciei.
Creterea potenialului grilei determin creterea limii
stratului de inversie. Aplicnd o diferen de potenial ntre dren i
surs electronii din stratul de inversie se vor deplasa pe calea N+
(surs) canal format din stratul de inversie - N+ (dren),
determinnd curentul important al tranzistorului.
Tranzistorul descris mai sus se numete TEC-MOS cu canal n
- indus.
84
VDS
VGS < 0
Fig. 2.25.
Tensiunea de polarizare a grilei este VGS pozitiv ca s formeze
canalul materializat prin stratul de inversie iar tensiunea VDS
este pozitiv ca s antreneze electronii de la surs ctre dren pentru ca n circuit s se stabileasc curentul ID orientat de la D spre
S.
Not: Se construiesc tranzistori de tip MOS cu canal iniial
pentru care, (datorit doprii zonei P) exist un strat de inversie a
conduciei la suprafaa semiconductorului fr aplicarea unui
potenial pe gril (la VGS =0 ) .
Caracteristici de transfer
Funcia tranzistorului este s modifice curentul care circul de
la dren la surs, curent notat ID n figura 2.26, prin modificarea
potenialului VGS a grilei fa de surs. Caracteristicile de transfer
ilustreaz modul de variaie al curentului de ieire cnd se modific
tensiunea de comand.
Se noteaz VT tensiunea de tiere, care are semnificaii diferite n
funcie de tipul tranzistorului TEC:
n cazul TEC-MOS tensiunea VT este tensiunea VGS de la
care ncepe s circule curentul IDS, (vezi caracteristica din figura
2.27,a) reprezentnd potenialul grilei de la care s-a format stratul
de inversie;
- n cazul TEC-J tensiunea VT este tensiunea VGS la care
curentul IDS se anuleaz, (vezi caracteristica din figura
2.27 ,b) reprezentnd potenialul grilei pentru care zona de
golire s-a extins n ntreg canalul (purttorii de sarcin
provenind de la surs ntlnesc n calea ctre dren o zon
de nalt rezisten).
85
ID
ID
IDS
VT = - 5
VGS [V ]
VT = 2 V
VGS
b)
a)
Fig. 2.26.
Principiile de modificare a curentului I D, n cazul TEC-J prin
modificarea tensiunii unei jonciuni polarizate invers iar n cazul
TEC-MOS prin modificarea tensiunii aplicate unui condensator,
determin valoarea foarte mic a curentului absorbit de electrodul
de comand (grila), rezultnd un consum foarte mic de putere
pentru comand (specific acestui tip de tranzistor).
Caracteristici de ieire
Caracteristicile de ieire sunt familii de curbe care prezint
dependena curentului de dren ID de tensiunea aplicat canalului
VDS , pentru diferite valori ale potenialului aplicat grilei VGS , ca n
figura 2.27.
ID
ID
0.
20
VGS = 0
V
VGS = -2V
VGS = 5
V
VGS = - 4V
VGS = 2
V
VDS
0.
a)TEC-J
20
b)TEC-MOS
Fig. 2.27
86
VDS
VGS 2
)
VT
I D = (VGS VT )m , m [1,2]
pentru TEC-J ,
pentru TEC-MOS,
VDS
= GVDS ,
Rcanal
87
V
G = G0 1 GS
VT
VGS = 0 V
ID
VGS = - 2V
VGS = - 4V
0,1V
VDS
Fig. 2.28.
unde G0 este o dat de catalog, specific modului de realizare a
tranzistorului TEC-J.
RG 2
RD
RG
RS
VDD
RS
RG1
CS
RS
CS
Fig. 2.29.
Structurile de polarizare, constatm c sunt aceleai indiferent
de tipul tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de cmp.
88
RG1
VDD .
RG1 + RG 2
f
VGS
VGS +
VDS =ct
f
VDS
VDS ,
VGS =ct
I D = g mVGS + g dVDS .
89
g mVGS
rd =
VGS
1
gd
VDS
Fig. 2.30.
Schema echivalent a TEC la nalt frecven
Cnd frecvena tensiunii de intrare este mare ncep s conteze
capacitile dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalent
de la frecvene medii se completeaz cu capacitile CGS, CGD, CDS
ca n figura 2.31.
ID
CGD
CGS
rd
g mVGS
C DS
VDS
VGS
Fig. 2.31
Exist ntre gril i dren o legtur (ntre ieire i intrare) motiv
pentru care nu se utilizeaz aceast schem echivalent, ci se
transform, pe baza teoremei lui Miller, ntr-o alt schem
echivalent fr transfer de la ieire la intrare.
90
3
DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE
Dispozitivele multijonciune sunt dispozitive semiconductoare
cu mai mult de dou jonciuni.
Tehnologia actual permite realizarea unor dispozitive
compuse avnd mai multe jonciuni (spre exemplu tranzistori
Darlington, sau tranzistori cu efect de cmp cuplai cu tranzistori
bipolari sau cu tiristori, .a.). n cadrul capitolului vor fi prezentate
dispozitivele clasice care pot constitui structuri de sine stttoare i
anume:
- dioda PNPN;
- tiristorul;
- triacul;
- tranzistorul unijonciune realizat aa cum spune numele cu
structuri unijonciune.
91
J1
p+
J3
n+
IA
V AK
V AA
V AA
a)
b)
Fig. 3.1.
IA
J1/2/3 dir
Im
V BR
O
V AB0
J1, J3 dir,J2 inv
Fig. 3.2.
92
V AK
m0
amorsare)
OD zon de blocare la polarizarea invers a dispozitivului
(se obine pentru tensiuni negative < VBR (tensiunea de
strpungere).
n ambele zone, OA i OD curenii sunt mici.
DE zona de multiplicare n avalane a purttorilor
BC zona de conducie a dispozitivului .
Funcionarea dispozitivului mai poate fi explicat pe baza
teoriei tranzistorului, constatnd c structura semiconductoare poate
fi descompus ca n figura 3.3.
E1
IA
B1
C1
p
n+
p+
A
C2
B2
E2
Fig. 3.3.
Se constat c dioda PNPN este format din doi tranzistori
diferii Unul PNP i cellalt NPN interconectai.
n figura 3.4 sunt prezentate conexiunile celor doi tranzistori.
93
I C1 = I B2
E1
A
C1
I A = iE1
B2
E2
C2
B1
K
I E2 = I A
I B1 = I C 2
Fig. 3.4.
n figura 3.5 este prezentat variaia factorului static de
amplificare n conexiunea baz comun F la modificarea
curentului de emitor (de fapt curentul anodic al diodei PNPN).
F1 se refer la tranzistorul PNP
F2 se refer la tranzistorul NPN
F +F
1
1
iE
i E 0 V Am 0
Fig. 3.5.
Curenii de colector se exprim n funcie de curenii de emitor.
iC1 =
F1 i E 1
iC 2 =
F2 i E 2
+ I CB 01
+ I CB 02 .
i A = i E1 = i C 1 + i B1
F1 i E 1
+ I CB 01 +
94
F2 i E 2
+ I CB 02
I CB 01 + I CB 02
F1
F2
).
IA
V AK
V AA
Fig. 3.6.
Spre exemplu dac circuitul arat ca n figura 3.6 se poate scrie
teorema K II pe ochiul de circuit V AK + RS I A = V AA , relaie numit
dreapt de sarcin. Ecuaia dreptei de sarcin mpreun cu ecuaia
caracteristicii statice determin punctual static de funcionare (PSF),
determin de fapt valoarea la care se stabilete curentul n circuit
PSF (I A0 ,V AK ) .
n figura 3.7 este rezolvat grafic sistemul. Prin intersecia
dreptei de sarcin cu graficul caracteristicii statice se determin
poziia punctului static de funcionare, notat pe figur PSF.
Ieirea din conducia dispozitivului se face numai prin
scderea curentului prin dispozitiv sub valoarea curentului de
meninere Im.
Intrarea n conducie a dispozitivului poate avea loc:
95
IA =
1
(V AK ) + V AA
RS
RS
Im
VAK 0
V Am 0
V AA
VAK
Fig. 3.7.
Ultimele dou moduri de intrare n conducie a dispozitivului
nu sunt dorite i se iau msuri pentru a fi prevenite.
Dispozitivul este utilizat la protecia mpotriva
supratensiunilor accidentale aplicate circuitelor, montndu-se n
paralel cu circuitul protejat. n condiiile n care tensiunea de
alimentare a circuitului protejat depete V Am0 , dispozitivul intr
n conducie i tensiunea scade la valoarea tensiunii de
amorsare V Am (n jur de 2V).
0
96
IA
p+
n+
IG
G
VAK
Fig. 3.8 a
IA
K
VGK
G
VAK
Fig. 3.8 b
De aici ideea care a condus la aplicaiile tiristorului folosind
tensiuni de alimentare VAA< VAm0 tiristorul nu va intra n conducie
dect dac se aplic un semnal de comand pe grila tiristorului,
altfel tiristorul rmne blocat.
Anularea curentului IA i ieirea dispozitivului din conducie se
face numai prin scderea, pe o cale oarecare, a valorii curentului IA
97
3.3. Triacul
Triacul este un dispozitiv semiconductor realizat ca s
ndeplineasc funcia a doi tiristori conectai antiparalel [19, 22,
23].
A1
p
A1
A
n
p
n
G
n
A2
A2
Fig. 3.9 a
Fig. 3.9 b
A2
A1
G
Fig. 3.10
Pentru c circulaia curentului poate avea loc n ambele sensuri
electrozii principali sunt numii anozi A1 i A2 , iar electrodul de
98
V
= GV ).
R
IB
IV
A
IP
VP
VV
Fig. 3.11.
99
VE
VE +
B2
I0
Rs
VCC
IE
J2
p
B1
VE
p
J1
J3
n
B1
a)
b)
Fig. 3.12
VD
B2
RS
VCC
r
B1
Fig. 3.13
Ct timp tensiunea de alimentare a emitorului VE este mic dioda,
constituita din jonctiunea PN, este blocata, ceea ce nseamna ca
100
rB1
rB1
VCC
VCC
rB1 + rB 2 + RS
rB1 + rB 2
rB1
.
rB1 + rB 2
a)
b)
Fig. 3.14
101
R2
.
R1 + R2
R
E
+
B2
B1
VCC
n2
n1
TR
V0
VCC
VCB
VCI
T0
T0
T = T0 + TB
Fig. 3. 15
n figura 3.15 se prezint schema i formele de und asociate
unui oscilator de relaxare cu TUJ [21, 30].
La conectarea sursei de alimentare, dispozitivul este blocat i
condensatorul C se ncarc, de la Vcc cu o tensiune, care tinde ctre
valoarea tensiunii de alimentare ntr-un timp notat cu T0.
Momentrul T0 reprezint momentul de timp cnd tensiunea pe
condensator este suficient de mare pentru ca doda din schema
echivalent s intre n conducie, determinind scaderea rezistenei
de sub emitor.
Tensiunea pe condensator are valoarea:
102
VC(T0)=Vs+VCC= VCC .
La T0 ncepe procesul rapid de descrcare a sarcinii de pe
condensator prin rezistena de valoare mic de sub zona emitorului
i primarul transformatorului TR.
Din condiia de mai sus se deduce valoarea timpului de
cretere a
impulsului
1
T0 = ln(
),
1
Q2
G2
Q3
Fig. 3.16.
103
a)
b)
Fig. 3.17.
3.6.
104
a)
b)
c)
Fig. 3.18.
Procesul de intrare n conducie este regenerativ i se face ntrun timp foarte scurt (curentul injectat este amplificat de tranzistorul
NPN, care aplicat n baza tranzistorului PNP este amplificat din nou
i curentul de colector rezultat este adunat la intrare, rezult astfel o
reacie pozitiv sau altfel spus un proces regenerativ).
Blocarea structurii se face ntr-un timp relativ lung, dup
eliminarea sarcinii stocate, ceea ce stabilete frecvena maxim de
lucru la 1,.., 2 kHz.
Pentru blocarea tiristorului convenional SCR se recurge la
anularea curentului anodic sau la inversarea polaritii tensiunii
anodice VAK< 0 (ceea ce conduce, de fapt, tot la anularea curentului
anodic).
Pentru blocarea tiristorului GTO se aplic un impuls negativ pe
gril, la un curent de gril de 10,...,20% IAK din valoarea curentului
anodic.
105
GTO
VAK
Circuit de
accelerare a
blocrii
+
-
Fig. 3.19.
Dac n serie cu tiristorul se afl o inductivitate L atunci
blocarea acestuia este lent. Cu toate c s-a aplicat o comand de
blocare, curentul anodic nu se anuleaz pn nu s-a epuizat toat
energia acumulat n cmpul magnetic al inductivitii.
Pentru a creste viteza de blocare, n paralel cu tiristorul se
conecteaz o reea Snubber un circuit de accelerare a blocrii
prezentat n figura 3.19.
n timpul conduciei tiristorului condensatorul C este ncrcat
cu polaritatea din figur i prin circuitul derivaie nu circul curent
(aste mic).
Comanda de blocare determin creterea VAK IL va ncrca
condensatorul C prin dioda D, ca n figura 3.20.
Inductivitatea, prin energia nmagazinat n cmpul magnetic pe
perioada cnd tiristorul este n conducie, are tendina de a menine
sensul curentului chiar dup ce se d comand de blocare a
tiristorului.
Se constat c circuitul de accelerare a blocrii formeaz o cale
pentru descrcarea energiei inductivitii L, pentru ca s se poat
anula curentul prin tiristor nainte de anularea curentului prin
inductivitate.
106
VAK IA
IA
UAK = Vc
blocat
Comanda blocare prin IG respectiv (VGK < 0)
Fig. 3.20.
107
C
B
Q1
D
Q2
Fig. 3.21.
VCE
G
VG
a)
b)
Fig. 3.22.
108
a)
b)
Fig. 3.23.
109
110
111
112
CUPRINS
Modulul A
1. Dioda semiconductoare
1.1. Caracteristici statice
1.2. Semiconductori intrinseci
1.3. Semiconductori extrinseci
1.4. Densiti de curent n semiconductori
1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic
1.6. Polarizarea jonciunii P-N
1.7. Fenomene care modific caracteristica static
1.8. Circuite echivalente n regim static
1.9. Circuite echivalente n regim cvasistaionar
1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune
1.11. Principiul superpoziiei
1.12. Circuite de redresare
1.13. Stabilizatorul parametric
2. Tranzistori
2.1. Teoria elementar a TBP
2.2. Modele n regim static
2.3. Caracteristici statice ale TBP
2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare
2.5. Regimul variabil al TBP
2.6. Caracteristici statice ale TEC
2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp
2.8. Circuite echivalente ale TEC
3. Dispozitive multijonciune
7
7
11
15
17
22
26
30
33
36
39
41
45
54
59
59
63
67
71
76
81
88
89
91
91
97
98
99
103
105
107
108
109
Teste de autoevaluare A
111
113
114