Senzor de cmp magnetic cu amplificare diferenial

Eugen tefan LAKATO, Irinel Gabriel ERBAN

Abstract
In this paper we present bipolar magnetic field sensors (bipolar magnetotransistor), as a semiconductor device
used for measurement and detection of magnetic fields. We presents the structure and functioning of bipolar
magnetotransistor. The paper presents examples of SPICE simulation of bipolar magnetotransistor operation.
Starting from equivalent electric circuit of the sensor, we considering the sensors sensitivity dependence
according geometric, technological and material parameters. The SPICE model of bipolar transistor is created
based on the main model parameters: saturation current, forward Early voltage, forward transit time, zero-bias
depletion capacitance. For calculating the bipolar transistor model parameters are used data from specialized
literature.
Keywords: Hall effect, bipolar magnetotransistor, differential amplification magnetic sensor, SPICE simulation

1. Introducere
Din categoria fenomenelor fizice
determinate de micarea purttorilor de
sarcin sub aciunea cmpurilor exterioare i
interioare, fac
parte
i fenomenele
galvanomagnetice. Aceste fenomene apar n
substane conductoare sau semiconductoare
aflate sub aciunea simultan a cmpului
electric si magnetic.
Primul, n ordine cronologic, este
efectul magnetorezistiv evideniat pentru
prima oar de W. Thompson n 1856 [1].
Efectul const n creterea rezistenei
corpului introdus n cmp magnetic. Acest
efect are o aplicaie foarte rspndit, cea a
msurrii cmpului magnetic prin variaia
rezistenei spiralei de bismut.
Un alt efect galvanomagnetic cu
aplicaie practic este cel evideniat de E. H.
Hall n 1879 i care i poart numele: efectul
Hall. Efectul a fost observat la o plac
conductoare parcurs de un curent electric,
aflat ntr-un cmp magnetic avnd inducia
magnetic normal pe suprafaa ei i const
n stabilirea unei tensiuni (diferene de
potenial) ntre feele opuse ale plcii,
suprafee echipoteniale n absena cmpului
magnetic. Dac placa conductoare are
dimensiuni finite pe direcia z, atunci, datorit
faptului c jz 0 (densitatea curentului pe

Eugen tefan LAKATO, prof. dr. fiz.: Universitatea

VALAHIA din Trgovite, Facultatea de Inginerie Electric;
Irinel Gabriel ERBAN, ing.: Infineon Technologies
Romania & CO.

direcia z), se produce o acumulare de

purttori de sarcin pe faa superioar, sub
aciunea forei Lorentz, FL (aprnd un deficit
al sarcinii de acelai tip, pe faa inferioar).
Deoarece purttorii de sarcin n cazul unui
conductor (metal) sunt electronii, pe faa
superioar a plcii se acumuleaz sarcin
negativ, n timp ce pe cea inferioar
rmne un exces de sarcin pozitiv. n
acest fel apare un cmp electric, numit cmp
Hall, EH, pe direcia i n acelai sens cu
fora Lorentz, cmp care se opune deviaiei
lorentziene a purttorilor de sarcin (fig. 1).
z

- - - - - - F- - - - EH

vd

Fe

+++++++++++

I
Ee x

+
l

Figura 1. Apariia cmpului transversal Hall ntr-o

plac conductoare

Valoarea maxim a intensitii cmpului

Hall se atinge n starea de echilibru, cnd:

FL = Fe ,

(1)

adic, n cazul egalitii n modul a celor

dou fore (fora Lorentz i fora electric):

| q | vd B =| q | EH ,

(2)

unde |q| reprezint modulul sarcinii

electronului.
Dac
materialul
plcii
este
un
semiconductor, se produce o acumulare de
purttori de sarcin (pozitiv sau negativ, n
funcie de tipul semiconductorului) pe faa

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 1

superioar (n direcia forei Lorentz),

aprnd un deficit de sarcin pe faa
inferioar. Purttorii de sarcin electroni i
goluri sunt deviai n acelai sens al axei
Oz (n cazul fig. 2 fora Lorentz este
orientat n sensul pozitiv al axei Oz). n
acest fel, feele opuse ale probei se ncarc
astfel nct apare cmpul Hall, paralel cu
direcia forei FL, orientarea lui depinznd de
semnul purttorilor de sarcin (fig. 2).
z

+++++++++++
FL

d
E

vd

- - - - - - F- - - - EH

B
Ee x

vd

Fe

+++++++++++

F=q(vd x B), q>0

L

Ee x

F=|q|(B x vd), q<0

L

Lucrarea prezint exemple de simulare

SPICE a funcionrii senzorului de cmp
magnetic cu structur de tranzistor bipolar
(magnetotranzistor bipolar). Pornind de la
circuitul electric echivalent al senzorului, se
analizeaz
dependena
sensibilitii
senzorului funcie de parametrii geometrici,
tehnologici i de material. Modelul SPICE al
tranzistorului bipolar este creat pe baza
principalilor parametrii de model: curentul de
saturaie, tensiunea Early direct, timpul de
tranzit direct, capacitile jonciunilor la
polarizare zero. Pentru calculul parametrilor
de model ai tranzistorului bipolar se folosesc
date din literatura de specialitate.
2. Efectul Hall
Se consider sistemul de coordonate, din
fig. 1, ataat unui material conductor
omogen i izotrop. Cmpul exterior, notat cu
Ee, este orientat dup axa x. Inducia
magnetic a cmpului magnetic aplicat,
notat cu B, este orientat dup direcia y.
Prin aplicarea cmpului electric apare un
curent electric. Purttorii de sarcin
(electronii) primesc o vitez a micrii dirijate
viteza de drift n sens contrar cmpului.
Tensiunea Hall echivalent cmpului Hall
are expresia [2]:
(3)

n relaia (3), tensiunea UH, limea plcii

d i inducia magnetic B, sunt valori
msurabile. Cu ajutorul relaiei (3) se poate
determina viteza de drift a electronilor:

(4)

Viteza de drift a electronilor se poate

exprima funcie de intensitatea cmpului
electric exterior i mobilitatea a
electronilor:
(5)

vd = Ee .

Dac l este lungimea plcii, atunci (fig.1):

Ee =

Figura 2. Apariia cmpului transversal Hall ntr-o

plac semiconductoare de tip p, respectiv n.

U H = E H d = vd Bd .

UH
.
Bd

- - H- - - - -e - - - -

vd =

67

Ue
.
l

(6)

Tensiunea exterioar aplicat se poate

exprima funcie de intensitatea I a curentului
electric i rezistena plcii:

U e = IR = I

l
l
= I ,
S
bd

(7)

unde este rezistivitatea materialului din

care este confecionat placa iar b reprezint
grosimea plcii. n final, se obine pentru
tensiunea Hall expresia:

U H = vd Bd = Ee Bd =
IB
= RH .
b

Ue
IB
Bd =
l
b

(8)

Mrimea RH = , dependent de tipul

materialului plcii i de temperatur, se
numete constant Hall.
Pentru = 1/n0q, constanta Hall pentru
materialele avnd conducie electronic se
exprim:

RH =

1
,
no q

(9)

unde no reprezint numrul de electroni liberi

din unitatea de volum a conductorului
(densitatea electronilor).
Unitatea de msur a constantei Hall
este:

[ RH ]SI =

m3
.
C

(10)

Placa conductoare din fig. 1 se numete

sond Hall. Relaia de proporionalitate
direct (8), dintre tensiunea Hall i inducia
magnetic B, este foarte important. Dac
se etaloneaz sonda Hall ntr-un cmp
magnetic de inducie cunoscut, atunci se
obine un instrument simplu pentru

68

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr.

msurarea induciei magnetice B. Un avantaj

deosebit al acestui instrument const n
faptul c sensibilitatea lui se poate controla
prin potrivirea corespunztoare a intensitii
curentului de comand. Etalonarea sondei
Hall se poate face cu ajutorul montajului
prezentat schematic n fig. 3, unde voltmetrul
V msoar diferite valori ale tensiunii Hall,
pentru diverse valori ale intensitii curentului
electric care strbate placa pe lungimea ei
(cmpul magnetic se aplic perpendicular pe
suprafaa plcii).

Figura 3. Etalonarea sondei Hall

Studiul efectului Hall a furnizat multe

informaii privind procesul de conducie.
Astfel, pentru metale s-a justificat faptul c
purttorii de sarcin sunt electronii. De
asemenea, curnd dup descoperirea
efectului Hall, s-a observat c o categorie de
materiale prezentau o tensiune Hall opus
celei a metalelor, ca i cum purttorii de
sarcin ar fi pozitivi. Astzi se tie c aceste
materiale sunt semiconductorii de tip p al
cror mecanism de conducie este cunoscut
sub numele de conducie prin goluri.
Msurarea constantei Hall permite
determinarea att a mobilitii purttorilor de
sarcin ct i a densitii purttorilor de
sarcin respectivi.
3. Magnetotranzistorul vertical
Structura de tranzistor bipolar poate fi
folosit ca structur de baz pentru
microsenzorii magnetici (magnetotranzistori
bipolari). Semnalul de ieire al unui
magnetotranzistor este reprezentat de o
diferen de cureni. ntr-o astfel de structur
sunt combinate efectul de tranzistor cu
efectul Hall. n principiu, o structur de
magnetotranzistor bipolar const ntr-o surs
de curent (jonciunea emitorului, polarizat
direct), care injecteaz purttori de sarcin
minoritari n regiunea bazei i una sau mai
multe jonciuni polarizate invers (colectorii),
de pe care se culege semnalul de ieire.

Exist dou fenomene fizice care explic

funcionarea acestui tip de dispozitiv, ambele
avnd la baz aciunea forei Lorentz asupra
purttorilor de sarcin. Primul, const n
devierea purttorilor de sarcin n regiunea
bazei, la fel ca n sonda Hall, rezultnd un
dezechilibru ntre curenii de colector. Al
doilea fenomen const n modularea injeciei
emitorului. Geometria structurii determin
care din cele dou mecanisme este
predominant. n plus, geometria structurii
determin care component a vectorului
cmp magnetic este detectat: cea paralel
cu planul structurii sau cea perpendicular
pe aceasta.
n funcie de direcia de micare a
purttorilor de sarcin minoritari n baza
magnetotranzistorului n absena cmpului
magnetic, se disting magnetotranzistorul
bipolar lateral i vertical.
Alctuirea
structurii
dispozitivului
determin
cele
dou
tipuri
de
magnetotranzistori
verticali:
magnetotranzistorul bipolar cu colector dublu
(cu strat ngropat despicat) i senzorul
magnetic
cu
amplificare
diferenial
(fig. 4) [3].

Figura 4. Seciune vertical prin structura de senzor

magnetic cu amplificare diferenial

Senzorul
magnetic
cu
amplificare
diferenial
este
alctuit
din
dou
tranzistoare bipolare la care regiunea bazei
este comun. Prin aplicarea unui cmp
magnetic perpendicular pe
seciunea
structurii, se genereaz o tensiune Hall n
regiunea bazei, care moduleaz tensiunea
emitor-baz, rezultnd astfel un dezechilibru
ntre curenii de emitor (unul scade, altul
crete), respectiv ntre curenii de colector
(modularea injeciei purttorilor). Dac cele
dou emitoare sunt pstrate la acelai
potenial,
tensiunea
Hall
generat
ndeplinete funcia de tensiune diferenial
emitor-baz a celor doi tranzistori.
Sensibilitatea magnetic relativ a
magnetotranzistorului bipolar este definit
ca:

69

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 1

SI =

1 I C
,
IC 0 B

(11)

unde IC0 este curentul de colector n

absena cmpului magnetic iar IC este
diferena dintre cei doi cureni de colector
datorit aplicrii cmpului magnetic de
inducie B:

I C = I C 1 I C 2 .

(12)

Avantajul acestui tip de senzor magnetic

este dat de posibilitatea de amplificare a
semnalului, chiar la tensiuni Hall mici.
4. Calculul parametrilor de model ai
tranzistorului bipolar
Pentru alctuirea unui model SPICE al
tranzistorului bipolar (tip npn), se calculeaz
principalii parametrii de model: curentul de
saturaie, capacitatea jonciunii colector-baz
la polarizare zero, capacitatea jonciunii
colector-substrat
la
polarizare
zero,
capacitatea
jonciunii
emitor-baz
la
polarizare zero.
Curentul de saturaie pentru un tranzistor
bipolar cu baz gradat (neuniform) este
dat de relaia:
IS =

qADn ni2
,
WB N A

(13)

unde: A aria jonciunii emitorului, Dn valoarea medie a coeficientului de difuzie a

electronilor n baz (coeficientul de difuzie
depinde de concentraia de impuriti din
baz), ni concentraia intrinsec a
purttorilor de sarcin, WB limea efectiv
a bazei tranzistorului, msurat de la
marginea regiunii golite emitor-baz pn la
marginea regiunii golite colector-baz, NA
concentraia de impuriti din baz.
Pentru valorile: Dn = 13 cm2/s, ni =
1,451010 cm-3, A = 25 x 20 m2, se
calculeaz curentul de saturaie pentru trei
valori ale concentraiei de impuriti
acceptoare din baz. Astfel, pentru grosimea
bazei WB = 2 m i NA = 1016 at/cm3, 1017
at/cm3, 1018 at/cm3, curentul de saturaie are
valorile:
IS1 = 1,1 fA,
IS2 = 0,11 fA,

(14)

IS3 = 0,011 fA.

Jonciunea colector-baz (C0) se poate

aproxima cu o jonciune abrupt asimetric,

cu regiunea de sarcin spaial extins
numai n regiunea colectorului. Deoarece
regiunea colectorului (stratul epitaxial) are o
concentraie de dopare mult mai mic (1015
at/cm3, corespunztor rezistivitii de 5
cm) dect cea a bazei, aproximaia
enunat este justificat. Astfel, expresia
capacitii
jonciunii
colector-baz
la
polarizare zero, raportat la unitatea de arie,
este:

C 0
A

q N D
,
2 B

(15)

unde: ND concentraia de impuriti n

stratul colectorului, B diferena intern de
potenial a jonciunii colector-baz, permitivitatea
absolut
a
stratului
semiconductor, siliciu n acest caz ( 10-12
F/cm).
Capacitatea pe unitatea de arie, la
polarizare zero a jonciunii colector-baz,
pentru B avnd valoarea aproximativ de
0,55 V, este egal cu 10-4 pF/m2.
Aria total a jonciunii colector-baz este
dat de suma dintre aria poriunii plane a
jonciunii i aria lateral a jonciunii bazcolector. Aria poriunii plane este dat de
aria mtii bazei (fig. 5) [4]:
A plan = Lb Wb = 60 45 m 2 = 2700 m 2 . (16)

Aria lateral este dat de aria a patru

sferturi de cilindrii, cu razele egale cu
adncimea jonciunii baz-colector (3 m, n
cazul exemplului de fa) i nlimile egale
cu laturile regiunii bazei:

Alateral =

(2 Lb + 2Wb )x j = 989 m 2 .
2

(17)

Prin urmare, capacitatea total la

polarizare zero a jonciunii colector-baz are
valoarea:

C 0 = (Aplan + Alateral )

C 0
A

= 0,37 pF.

(18)

Capacitatea jonciunii colector-substrat

(Ccs0) este dat de suma a trei capaciti:
capacitatea
jonciunii
colector-substrat,
capacitatea lateral a difuziei de izolare i
capacitatea jonciunii strat ngropat-substrat.
Deoarece substratul are o concentraie de
dopare mai mare dect a stratului colector
(aproximativ 1016 cm-3), jonciunile laterale de

70

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr.

izolare i jonciunea colector-substrat se

consider jonciuni abrupte asimetrice.
Stratul ngropat are dimensiunile date de
masc, 41 m, respectiv 85 m, la care se
adaug 8 m pentru fiecare latur, datorit
difuziei laterale (laturile zidului de izolare
sunt egale cu 140 m, respectiv 95 m, fig.
5). Aria jonciunii colector-substrat este dat
de:

Acs = Azidizolare As = (140 m 95 m )

(57 m 101 m ) = 7543 m 2 .

(19)

Similar cu relaia (17), aria lateral a

jonciunii colector-substrat este dat de
(adncimea regiunii colectorului este 17 m,
fig. 5):

Distanta ( m)
110

Zid de izolare

Strat ingropat

100
90

Baza

L si = 85 m

Emitor

Lb= 60 m

80

Fereastra de contact

70

Metalizare contact

Wb = 45 m
Wsi= 41 m
W = 20 m

60
50
40
30
20

L = 25 m

L = 14 m

10

140 m

17 m

Strat epitaxial (n)

Strat ingropat
Substrat p

Figura 5. Seciune prin tranzistorul npn de circuit integrat. Sunt evideniate principalele mti folosite n procesul de
fabricaie. Legenda mtilor este indicat n partea din dreapta sus a figurii

(2 140 m + 2 95 m )17 m (20)

2
= 12544 m 2 .
Alateral =

Capacitile
jonciunilor
laterale
i
colector-substrat sunt (se utilizeaz o
capacitate pe unitatea de arie, la polarizare
zero, de 10-4 pF/m2):
Ccs 0( lateral ) = Alateral

Ccs 0
= 1,25 pF,
A

Ccs 0( colector substrat ) = Acs

(21)

Ccs 0
= 0,75 pF. (22)
A

Partea cea mai slab dopat a jonciunii

strat ngropat-substrat este substratul
(concentraie 1016 atomi/cm3). Conform
relaiei (15), pentru o diferen intern de
potenial de 0,52 V, valoarea capacitii

jonciunii strat ngropat-substrat la polarizare

zero, raportat la unitatea de arie, este de
3,310-4 pF/m2.
Aria stratului ngropat este:

As = 57 m 101 m = 5757 m 2 .

(23)

Deoarece concentraiile de impuriti ale

celor dou regiuni ale jonciunii variaz cu
distana, concentraia regiunii mai slab
dopat se consider egal cu concentraia
regiunii bazei la marginea dinspre emitor.
Pentru o valoare a concentraiei de
impuriti n regiunea mai slab dopat, egal
cu 1017at/cm3 i o diferen intern de
potenial de 0,7 V, capacitatea regiunii plane
pe unitatea de arie la polarizare nul este
egal cu 10-3 pF/m2 (conform relaiei 15).
Aria poriunii plane a jonciunii emitor-baz
fiind 25 m 20 m, capacitatea respectiv

71

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 59 (2011), nr. 1

este egal cu:

VCC=10V

C je0( plan ) = Aplan

C je 0
A

= 0,5 pF.

C( si s ) 0 = Asi

R1

10K

V(3)

V(4)

VH
6

= 1,89 pF.

(24)
R3

Ccs 0 = 1,25 pF + 0,75 pF + 1,89 pF = 3,89 pF. (25)

O evaluare exact a capacitii jonciunii
emitor-baz (Cje0) se poate realiza numai
numeric. Pentru o estimare de prim ordin se
consider jonciunea ca fiind abrupt
(adncime 2,5 m).

(2 25 m + 2 20 m )
2
2,5 m = 353 m 2 .
Alateral =

(27)

Capacitatea lateral pe unitatea de arie

se neglijeaz sau se consider egal cu
capacitatea poriunii plane pe unitatea de
arie. Rezult pentru capacitatea lateral:

C je 0
A

= 0,35 pF.

(28)

Prin urmare, pentru capacitatea total

emitor-baz rezult valoarea:

C je 0 = 0,5 pF + 0,35 pF = 0,85 pF.

(29)

5. Circuitul echivalent al
magnetotranzistorului bipolar.
Simulare SPICE
Circuitul echivalent al structurii prezentat
n fig. 4 este prezentat n fig. 6. Se consider
regimul de funcionare a celor doi tranzistori
n regiunea activ direct (RAD), baza celor
doi tranzistori este conectat la mas, iar
tensiunea Hall generat n regiunea bazei
ndeplinete funcia de tensiune diferenial
emitor-baz a celor doi tranzistori, simulnd
aplicarea cmpului magnetic. Semnalul de
ieire este reprezentat de variaia tensiunii
pe cele dou rezistene de sarcin R1 i R2,
fiind direct proporional cu tensiunea
diferenial emitor-baz.

Q2

Q1

5mVac
50mVdc

1K

Pentru capacitatea total colectorsubstrat la polarizare zero rezult valoarea:

C je 0 ( lateral ) = Alateral

R2

10K

Similar cu relaia (17) aria lateral este

dat de:
Capacitatea jonciunii strat ngropatsubstrat la polarizare zero, are valoarea:
C( si s ) 0

(26)

R4

1K
2

VEE=-1V

Figura 6. Circuitul echivalent al senzorului magnetic

cu amplificare diferenial

Pentru simularea unor caracteristici reale,

n linia de model a tranzistorului bipolar,
trebuie specificat tensiunea Early. Relaia
de calcul a tensiunii Early este:

dWB
V A = WB
dVCE

(30)

Pentru o variaie a limii bazei

tranzistorului datorit aplicrii tensiunii VCE,
egal cu 0,08 m/V, conform relaiei (30),
tensiunea Early, pentru WB = 2 m, are
valoarea de 25 V.
Deoarece programul de simulare SPICE
este
un
program
pentru
simularea
comportrii circuitelor electrice, parametrul
electric funcie de care se consider
simulrile este tensiunea Hall. Tensiunea
Hall fiind direct proprional cu inducia
cmpului magnetic aplicat (relaia 3),
rspunsul senzorului funcie de tensiunea
Hall este echivalent cu rspunsul funcie de
cmpul magnetic aplicat.
ntr-o prim simulare SPICE, se introduc
n modelul SPICE al tranzistorului, cele trei
valori calculate ale curentului de saturaie,
pentru a observa efectul asupra sensibilitii
senzorului. Fiierul de intrare SPICE este
urmtorul:
MAGNETOTRANZISTORUL BIPOLAR
VCC 1 0 DC 10
VEE 0 2 DC 1
VH 5 6 DC 0
R1 1 3 10K
R2 1 4 10K
R3 5 2 1K
R4 6 2 1K

72

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 59 (2011), nr. 1

Q1 3 0 5 TB
Q2 4 0 6 TB
.MODEL TB NPN IS={IS} BF=100
VAF=25 +TF=1.54N CJE=0.85P CJC=0.37P
CJS=3.89P
.PARAM IS=1.1F
.STEP PARAM IS LIST 1.1F 0.11F
0.011F
.DC VH 0 50M 1M
.OP
.PROBE
.END
n fig. 7, este reprezentat tensiunea de
ieire a senzorului (V(3)-V(4)), pentru cele
trei valori ale curentului de saturaie. Se
observ c rspunsul senzorului este liniar
pn la tensiuni Hall echivalente de
aproximativ 20 mV.

0,11fA, - 0,011 fA

sensibilitatea calculat n intervalul (2 mV, 8

mV), pentru cele trei valori ale curentului de
saturaie (1,1 fA, 0,11 fA, 0,011 fA), are
valorile:
896,773 mV 225,317 mV
= 111,909,
8 mV 2 mV
758,682 mV 190,645 mV
= 94,672,
=
8 mV 2 mV
618,065 mV 155,321 mV
= 77,124.
=
8 mV 2 mV

SV 1 =
SV 2
SV 3

(31)

Se observ c sensibilitatea este direct

proporional cu mrimea curentului de
saturaie sau invers proporional cu
concentraia de impuriti din baza
tranzistorului.
Sensibilitatea
senzorului
se
poate
controla cu ajutorul circuitului exterior de
polarizare, modificnd rezistenele de
sarcin (innd cont ca tensiunea VCE s nu
fie mai mic de 0,5 V, pentru evitarea
funcionrii tranzistorilor n regiunea de
saturaie). Dac se micoreaz rezistenele
de sarcin la jumtate (R1 = R2 = 5 k),
sensibilitatea se reduce la jumtate. Pentru
curentul de saturaie cu valoarea IS = 1,1 fA,
sensibilitatea are valoarea (fig. 9):

Figura 7. Sensibilitatea senzorului magnetic bipolar

pentru trei valori ale curentului de saturaie
IS (VA= 25V): 1,1 fA, - 0,11fA,
- 0,011 fA

Conform
circuitului
echivalent
al
magnetotranzistorului bipolar, sensibilitatea
senzorului poate fi definit ca raportul dintre
tensiunea diferenial de ieire a senzorului
i tensiunea generat de cmpul magnetic n
regiunea bazei. Conform fig. 8,
Figura 9. Sensibilitatea senzorului magnetic bipolar
pentru R1 = R2 = 5 k (IS = 1,1 fA, VA=
25V)

SV =

Figura 8. Sensibilitatea senzorului magnetic bipolar

calculat pentru trei valori ale curentului de
saturaie IS (VA= 25V): 1,1 fA, -

472,418 mV 118,786 mV
= 58,938. (32)
8 mV 2 mV

Conform relaiei (30), mrirea tensiunii

Early este posibil prin mrirea grosimii
bazei WB. Pentru o grosime a bazei de 10
m, valoarea parametrului VA este 125 V (n
condiiile n care se presupune c dWB/dVCE
= ct.) iar curentul de saturaie, pentru
concentraia bazei NA = 1016 at/cm3, are
valoarea 0,22 fA. n acest caz, sensibilitatea

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 59 (2011), nr. 1

este egal cu (fig. 10):

S 'V 1 =

837,015 mV 210,536 mV
= 104,413. (33)
8 mV 2 mV

Se observ c la aceeai concentraie de

impuriti n baz, NA = 1016 at/cm3,
sensibilitatea scade odat cu creterea
tensiunii Early (VA1 = 25 V, SV1 = 111,909,
respectiv, VA1 = 125 V, SV1 = 104,413).
Prin introducerea n modelul SPICE a
capacitilor parazite la polarizare zero,
calculate n paragraful anterior, se realizeaz
o simulare a senzorului magnetic expus la un
cmp magnetic variabil n timp, determinnd
banda de frecven n care rspunsul
senzorului este constant (max, fig. 11).

73

este constant, este invers proporional cu

valoarea curentului de saturaie.

Figura 11. Rspunsul n frecven al senzorului

magnetic bipolar: IS = 1,1 fA, max =
177,828 kHz; - IS = 0,11 fA, max =
354,813 kHz; - IS = 0,011 fA, max =
446,684 kHz

6. CONCLUZII

Figura 10. Sensibilitatea senzorului funcie de

tensiunea Early VA: - 25 V, - 125 V

Fiierul de intrare SPICE este urmtorul:

MAGNETOTRANZISTORUL BIPOLAR
VCC 1 0 DC 10
VEE 0 2 DC 1
VH 5 6 AC 5M
R1 1 3 10K
R2 1 4 10K
R3 5 2 1K
R4 6 2 1K
Q1 3 0 5 TB
Q2 4 0 6 TB
.PARAM IS=1.1F
.STEP PARAM IS LIST 1.1F 0.11F
0.011F
.MODEL TB NPN IS={IS} BF=100
VAF=25 +TF=1.54N CJE=0.85P CJC=0.37P
CJS=3.89P
.OP
.AC DEC 10 1 100MEG
.PROBE
.END
Conform graficului din fig. 11, frecvena
maxim pn la care rspunsul senzorului

Pe baza circuitului electric echivalent al

magnetotranzistorului bipolar, s-a studiat, cu
ajutorul programului de simulare SPICE,
dependena
sensibilitii
magnetotranzistorului bipolar funcie de
parametrii geometrici, tehnologici i de
material, obinndu-se dou concluzii
importante: sensibilitatea senzorului este
invers proporional cu concentraia de
impuriti din baza tranzistorului; la aceeai
de
impuriti
n
baz,
concentraie
sensibilitatea scade odat cu creterea
tensiunii Early, respectiv a grosimii bazei
tranzistorului (parametru care poate fi
modificat prin tehnologie).
Sensibilitatea
senzorului
se
poate
controla cu ajutorul circuitului exterior de
polarizare, prin modificarea rezistenelor de
sarcin,
observndu-se
o
direct
proporionalitate
ntre
sensibilitate
i
valoarea rezistenelor de sarcin.
Prin introducerea n fiierul SPICE a
capacitilor parazite, s-a realizat o analiz n
a
circuitului
echivalent,
frecven
determinnd intervalul de frecven n care
senzorului
este
constant
rspunsul
(frecvena maxim pn la care rspunsul
senzorului este constant, este invers
proporional cu valoarea curentului de
saturaie).
Programul de simulare SPICE, ca
program destinat simulrii funcionrii
oricrui tip de circuit electric sau electronic,
i arat utilitatea i n acest caz. Astfel, prin
exemplele de simulare coninute n lucrare,

74

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 59 (2011), nr. 1

se arat posibilitatea folosirii acestui program

de simulare i n cazul studiului i proiectrii
unor dispozitive electronice de tipul
senzorilor, pe baza unor circuite electric
echivalente.

Bibliografie
[1] KIREEV, P.S., Fizica semiconductorilor,
Editura tiintific i Enciclopedic, Bucureti,
1977, 791 p.
[2] BRENNEKE, R., SCHUSTER, G., Fizic.
Manual pentru cursul superior al liceului,
Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti,
1973, 558 p.

[3] GARDNER, J.W., Microsensors. Principles

and applications, John Wiley & Sons Ltd,
1994, 331 p.
[4] GRAY, P.R., MEYER, R.G., Circuite integrate
analogice. Analiz i proiectare, Editura
Tehnic, Bucureti, 1997, 776 p.
[5] LAKATO,
E.t.,
Dispozitive
semiconductoare
fundamentale,
Editura
AGIR, Bucureti, 2008, 155 p.
[6] LAKATO, E.t., OLARIU, N., PUCHIANU,
D.Ct., Dispozitive i circuite electronice.
Modelare i simulare, Editura AGIR, Bucureti,
2010, 222 p.