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NDICE
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Red de contenidos
Sesiones de aprendizaje
SEMANA 1
SEMANA 2
21
SEMANA 3
37
SEMANA 4
47
SEMANA 5
63
SEMANA 6
: Sesin integradora
75
SEMANA 7
: Examen parcial
SEMANA 8
81
SEMANA 9
: Tiristores
91
103
111
123
129
139
149
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PRESENTACIN
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RED DE CONTENIDOS
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
1
SEMANA
TEMARIO
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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El ncleo en el centro
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Cuerpo
negativo
(-)
>>>> Los electrones van de izquierda a derecha >>>>
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El borne positivo de la pila est a mayor potencial que su borne negativo, por lo
que se genera una intensidad de corriente I, la cual siempre mantiene el mismo
sentido, o sea se genera una corriente directa. Tngase en cuenta que la
corriente I est considerada como un movimiento de cargas positivas, aunque
realmente se genera una corriente de electrones en sentido contrario.
Si queremos graficar la evolucin, en el tiempo, de esta corriente I, la grfica
sera la siguiente:
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V=I.R
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V=IxR
I=V/R
R=V/I
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En R1 la cada de tensin es V1 = I x R1
En R2 la cada de tensin es V2 = I x R2
En R3 la cada de tensin es V3 = I x R3
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Autoevaluacin
Indica el cdigo de colores que tienen las resistencias con los siguientes
valores: 37K, 45, 12M.
En un circuito con tres resistencias en serie, cuyos valores son 12K, 25K y
48K, determine los voltajes en serie si es que se utiliza una batera de 12
voltios. Adems, determine el voltaje en cada resistencia y su potencia.
Sobre la base de los datos del problema anterior, considere que las
resistencias estn en paralelo y determine, para cada resistencia, su voltaje, su
corriente y su potencia.
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Resumen
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Aqu, hallar informacin sobre circuitos elctricos.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
1
SEMANA
TEMARIO
Semiconductores N y P
La unin P N: el diodo
Tipos de diodos
ACTIVIDADES PROPUESTAS
Los alumnos realizan una dinmica para comparar los tipos de diodos.
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en la zona P, una carga negativa (debido a los electrones que ha recibido). Al salir
electrones de N para llenar los huecos de P, aparece una carga elctrica en los
lmites de la unin.
En la unin, aparece una carga elctrica, que para el caso del Silicio tendr 0.6
voltios.
Se puede decir que, en esta primera fase del contacto, se completan enlaces
covalentes (parte de electrones sobrantes de la zona N pasan a llenar parte de
huecos de la zona P). En dicho estado, pues, aparece una diferencia de potencial
entre los extremos de la unin que se denomina barrera de potencial.
Conforme van saliendo electrones de la zona N, atrados por los huecos de la
zona P, se va ampliando la barrera de potencial, de manera que llega un momento
en el que los electrones se ven frenados por la fuerza de repulsin de la carga
negativa que se forma en la zona P (que tienen que atravesar para seguir la
recombinacin) y, entonces, culmina la recombinacin. Esta acumulacin de
cargas acta, por consiguiente, como una especie de barrera (elctrica) que
impide que las cargas atraviesen la unin para seguir recombinndose; de ah la
denominacin de barrera de potencial.
La barrera de potencial alcanza un valor de tensin elctrica que est alrededor
de 0,65 voltios (en el Silicio). Este valor puede variar entre un componente y otro,
y tambin por la temperatura; asimismo, est directamente relacionado con el
valor de 0,7 voltios tpico que tanto aparece en los diodos. Esta tensin tpica,
como se ha dicho, vara con la temperatura y lo hace disminuyendo unos 2,5 mili
voltios por cada C de aumento de la temperatura. Es por ello que los diodos, a
veces, tambin son utilizados como sensores de temperatura en algunas
aplicaciones.
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Zener ideal mantiene una tensin fija predeterminada a su salida sin importar
las variaciones de tensin en la fuente de alimentacin y en la carga.
1.5.3 Diodos Schottky
Estos diodos estn diseados para cumplir la misma funcin que los de uso
general, pero a altas frecuencias. Se utilizan, por ejemplo, en fuentes de
alimentacin de computadoras, donde la frecuencia de la corriente alterna
puede llegar a los 100KHz (100000 ciclos por segundo).
1.5.4 Diodos LED (Light Emitting Diode)
Los LED son los diodos emisores de luz. Tienen la propiedad de emitir luz
cuando se le aplica una corriente directa. Existen de muchos tipos. Pueden
ser destellantes y de varios colores. La intensidad luminosa que emite el LED
aumenta en funcin de la intensidad directa que circula por el diodo. Pero, si
se supera cierto lmite, se produce una saturacin: la luz empieza a cambiar
de color y se avera. Se obtienen valores normales de luz con una intensidad
entre unos 5 a 20 mili amperios, siendo la tensin (cada directa) de unos 1,8
voltios.
Este es el componente que se utiliza normalmente (en sustitucin de las
lamparitas de filamento) para indicar la puesta en marcha de los aparatos de
electrnica (radio, TV, amplificadores de sonido, etc.), as como para la
emisin de la luz de control en los mandos a distancia.
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1.5.6 Fotodiodo
Es un tipo de diodo con una especie de ventana-lente que sirve para recibir la
luz. Cuando recibe luz, aparece una corriente (inversa) que aumenta en
funcin de la luminosidad. Estos componentes son especialmente utilizados
para detectar la luz de control de los mandos a distancia en los aparatos de
TV, vdeo, etc.
www.unicrom.com
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Autoevaluacin
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Aqu, hallar informacin sobre diodos.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
1
SEMANA
TEMARIO
Circuitos limitadores
Dobladores de tensin
Regulador de tensin
ACTIVIDADES PROPUESTAS
Los alumnos
alimentacin.
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implementan
circuitos
rectificadores
para
fuentes
de
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Este circuito rectificador est formado por un solo diodo. La tensin de entrada al
circuito es tensin de corriente alterna y, como sabemos, esta tensin viene
representada por una onda senoidal con dos ciclos: uno positivo y otro negativo.
Durante el ciclo positivo el nodo del diodo es ms positivo que el ctodo y la
corriente puede circular a travs del diodo. Pero, cuando estamos en el ciclo
negativo, el nodo va a ser ms negativo que el ctodo y no va a estar permitido
el paso de corriente por el diodo. La tensin de salida va a ser igual que la de
entrada en el primer caso, es decir, un ciclo positivo; mientras que en el segundo
caso, cuando la tensin de entrada es negativa, la de salida va a ser nula. La
onda de salida ha quedado reducida a la mitad y de ah viene el nombre de
rectificador de media onda.
Una tensin de corriente alterna tiene dos "mitades", una positiva y otra negativa.
En el caso anterior, hemos usado el rectificador para anular la parte negativa y
nos hemos "quedado" con la positiva. Sin embargo, tambin, podemos
"quedarnos" con la negativa, simplemente, al cambiar el sentido del diodo dentro
del circuito rectificador.
Como hemos visto, la tensin de salida de un circuito rectificador de media onda
se compone de un ciclo con un valor positivo igual al de la tensin de entrada (en
el caso ms normal) y un ciclo con un valor nulo. Esto es la causa de que este tipo
de rectificadores casi no se usen, ya que, durante un tiempo, no fluye corriente
alguna en la salida. El voltaje que se produce no es muy til para hacer funcionar
nuestros aparatos, de ah la necesidad de filtrarlo primero, aunque no es muy fcil
hacerlo.
1.2 Rectificador de onda completa con transformador de punto medio
Es el rectificador ms usado. La gran diferencia con el rectificador de onda media
es que, en este caso, obtenemos a la salida tensin en todo instante y no tenemos
intervalos de tiempo con una tensin nula como ocurra con el otro rectificador. Es
un poco ms caro, ya que est constituido por un nmero mayor de componentes
pero merece la pena dada su mayor eficacia.
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El rectificador tipo puente est formado por cuatro diodos que forman un puente
entre la entrada y la salida. Estos diodos estn conectados en paralelo con el
transformador y no tienen ninguna toma central, como ocurra en los de onda
completa, segn podemos ver en el dibujo.
Si el ciclo de tensin de la corriente alterna es el positivo, circula corriente por los
diodos 1 y 2, con lo que se obtiene, en la salida, una tensin igual que la de
entrada. Si el ciclo de entrada es negativo circula corriente por los diodos 3 y 4, y
obtenemos, a la salida, una tensin igual en amplitud que la de entrada pero
positiva en vez de negativa. Por tanto, en cada ciclo, estamos obteniendo en la
salida una tensin de corriente continua positiva y de igual amplitud que la de
entrada. Con estos rectificadores, aprovechamos toda la tensin de entrada y
conseguimos una rectificacin de onda completa, aunque su precio es el ms
elevado de todos.
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Autoevaluacin
Dibuje las formas de onda de los dos rectificadores del problema anterior,
considerando una carga resistiva de 10K.
Determine las caractersticas de un diodo Zener para tener una fuente regulada
de 12 voltios DC y de 0.5 amperios.
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APRENDIZAJE
1
SEMANA
TEMARIO
Tipos de transistores
Generadores de corriente
ACTIVIDADES PROPUESTAS
.
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Segn las frmulas anteriores, las corrientes no dependen del voltaje VCE, pero,
en la realidad, s lo hacen y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia
VCE. Estos cambios se pueden apreciar en la siguiente grfica:
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En el grfico, se puede apreciar las tres zonas marcadas con los tres puntos.
Se les puede ubicar en el cruce con la recta llamada recta de carga. Por un
lado, la zona de corte se encuentra en el cruce de la recta de carga con la
recta VCE. Por otro lado, la zona de saturacin est en el cruce de la recta de
carga con la recta IC. Finalmente, la zona activa est entre ambas zonas
anteriores y el punto de trabajo depender del cruce de la recta de carga y la
curva de IC para una determinada IB. En el grfico, hemos elegido el cruce con
IB = 100 micro amperios.
1.3 Polarizacin de transistores bipolares discretos
Generalmente, por polarizar un transistor se entiende el hecho de que queden
fijadas su tensin colector-emisor VCE y su corriente de colector (IC), es decir, lo
que se suele llamar el punto de trabajo. Debido a la dispersin de los valores de
los parmetros que se da para cada tipo de transistor, en general, se trata de que
el punto de trabajo (VCE, IC) quede fijado del modo ms independiente posible del
transistor particular utilizado o de las posibles variaciones de las caractersticas de
dicho transistor con la temperatura o la potencia disipada. Para polarizar al
transistor en la zona activa, la corriente de colector es controlada por la corriente
de base. Para polarizar en la zona de corte, la unin base-emisor debe quedar
polarizada en inverso, o con tensin directa muy baja (tericamente 0 voltios), de
modo que Ic = 0 y VCE =Vcc.
El circuito tpico para establecer la polarizacin es el siguiente, en el se puede
determinar las siguientes relaciones:
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IE = Ic + Ib = Ic (1 + 1/
)
Vcc = Ic. Rc + VCE + IE. Re
Si >> 1, entonces IE = Ic y quedara as la anterior expresin:
VCE = Vcc - Ic. (Rc + Re)
Es decir, si se logra hacer IE independiente del transistor y >> 1, es posible fijar
el punto de trabajo elegido (Vceq, Icq), de forma que no vare frente a cambios de
temperatura, sustitucin de un transistor por otro, etc.
Para hacer que Ie sea fija hay que hacer que Ve sea constante (pues Ve = Ie . Re)
Una forma de hacerlo sera fijar la tensin de base, pues
Vb = Vbe + Ve = Vbe + Ie . Re
Si la variacin de Vbe es pequea frente al valor de Vb conseguiremos que Ve
sea constante. (Las variaciones de Vbe pueden deberse a los efectos
mencionados anteriormente).
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Para un transistor tpico de silicio de pequea potencia, que trabaje con corrientes
de colector habituales, Vbe puede variar entre 0.5 y 0.7 voltios, es decir Vbe = 0,6
0,l voltios.
Por lo tanto: Ve = Vb (0.6 0.1) voltios
Si Vb es mucho mayor que 0,1 voltios (p.e. > 2 voltios) resulta que las posibles
fluctuaciones de Vbe afectarn poco a Ve, o lo que es lo mismo, a Ie. La forma
ms sencilla de fijar Vb es utilizar un divisor resistivo de la tensin de la fuente (R1
y R2).
Se puede comprobar que dicho divisor fija una tensin:
Vb = Vcc . R2 / (R1 + R2)
siempre y cuando la corriente de base Ib sea mucho menor que la que atraviesa
las resistencias R1 y R2, es decir:
Ib = Ie / (
+ 1) << Vb / R2
Cuando el transistor opera en la regin activa, tiene unas caractersticas elctricas
lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de
entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa
realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de
alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos
objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua, que son necesarias
para que el transistor opere en la regin lineal, y suministrar energa al transistor
de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores
de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se
denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating
point).
Veamos cmo se calcula el punto de trabajo en el circuito de la siguiente figura, el
cual est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin VCC:
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El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB,
IC y VCE:
EB = RB . IB + VBE
EC = RC . IC + VCE
De la primera expresin se obtiene IB:
IB = (EB VBE) / RB
Teniendo en cuenta que IC = . IB:
IC = (EB VBE) / RB
Finalmente:
VCE = EC RC. (EB VBE) / RB
VBC = VBE VCE = 0.7 EC + RC. (EB VBE) / RB
En la tabla siguiente, se adjuntan los resultados numricos de los dos casos
requeridos en el enunciado:
IB
IC
IE
VBE
VCE
VBC
EB = 5 V
43 A
4,3 mA
4,343 mA
0,7 V
5,7 V
-5 V
EB = 7 V
63 A
6,3 mA
6,363 mA
0,7 V
3,7 V
-3 V
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Autoevaluacin
Sobre la base del ejemplo anterior, calcule la potencia del transistor para cada
uno de los tres casos.
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Resumen
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/
Aqu, hallar informacin sobre circuitos elctricos.
http://www.alldatasheet.com/
Aqu, hallar informacin sobre datos tcnicos de cada componente, en
particular de transistores.
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TEMARIO
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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:
Como es reflejo de la entrada e
lo es de la salida, este esquema proporciona
una ganancia en corriente. Sin embargo, presenta dos limitaciones muy
importantes:
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Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7
voltios. Por lo tanto, no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura
siguiente representa, aproximadamente, la respuesta que se obtendra al tratar
seales de alterna:
. La corriente que
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INCONVENIENTES:
Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, IB ira a tierra a
travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la
introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica).
Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC ira a tierra a travs
de ella, dandola.
Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua
de polarizacin. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo
amplificador.
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: Resistencias de polarizacin.
).
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en el ltimo
Punto de operacin DC
y la ganancia
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Circuito equivalente AC
La resistencia RB est conectada por un Terminal a la fuente de seales y a la
base y, por el otro, a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no
ofrece ningn obstculo para las seales de alterna. Considerando que su
resistencia interna sea nula, se comporta como un cortocircuito que conecta RB
con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une, por una parte, con el
colector del transistor y, por la otra, con tierra a travs de la fuente de alimentacin.
Es de vital importancia que se tenga en cuenta que, en este esquema, slo se
relacionan las amplitudes de las ondas y no sus valores instantneos.
Los valores de Rin y AV pueden obtenerse a partir del grfico anterior.
Como
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/apuntes/electronbasic/6.htm
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Resumen
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema1.pdf
Aqu, hallar circuitos de amplificadores con transistores.
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/
Aqu, hallar informacin sobre transistores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/apuntes/electronbasic/6.htm
Aqu, hallar informacin sobre cmo trabajar un amplificador con transistores
bipolares.
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TEMARIO
Sesin de integracin
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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1. Sesin Integradora
1.1 Revisin de conceptos:
Se inicia solicitando algunos conceptos que no hayan quedado claros, para luego
en base a los circuitos explicar el funcionamiento de los mismos.
Para el anlisis de los circuitos, se ha elegido algunos de ellos para su explicacin
por parte del profesor.
1.2 Circuitos de diodos:
Circuito rectificador de media onda:
Explicar las etapas necesarias para convertir un voltaje alterno en voltaje continuo,
en las etapas resaltar el uso de los rectificadores, filtros y reguladores.
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TEMARIO
Zonas de trabajo
Transistores MOSFET
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La tensin mnima para crear esa capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS
< VT, la corriente de drenador-fuente es nula. Valores tpicos de esta tensin son
de 0.5 voltios a 3 voltios.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero
sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se
definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la
siguiente figura, se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un
transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas
brevemente a continuacin.
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Regin de corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado
por tensin.
Regin saturacin
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin VGS.
el cual utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS < 0, y el de
auto polarizacin:
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http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema1.pdf
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Autoevaluacin
Determine cmo podemos hacer para que un JFET trabaje en zona de corte y
tambin en la zona de saturacin.
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Resumen
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son de dos
tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de
campo metal-oxido semiconductor (MOSFET).
El JFET de canal n es un elemento de tres terminales los cuales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos
de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de
conduccin.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero
sus ecuaciones analticas son muy similares.
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ACTIVIDADES PROPUESTAS
Los alumnos calculan los voltajes y corrientes usados en los circuitos con
tiristores.
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1.4 El SCR
El Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o ctodo y
G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la
anterior seccin, pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el
dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura siguiente, se muestra el smbolo
del SCR y su modelo mediante transistores. En el modelo a nivel de transistor, se
observa claramente que, al introducir una corriente por la lnea G, se produce la
conduccin de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser
necesario alcanzar la VBO.
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La siguiente figura permite ver claramente cmo las caractersticas del SCR
varan con la corriente de su puerta, cuyos valores son del orden de miliamperios
o inferiores.
Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por
debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF = tq de
10s.
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http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm
Aqu, hallar informacin de circuitos de tiristores, tipos y caractersticas.
http://www.electronica2000.com/temas/tiristor.htm
Aqu, hallar informacin que describe a los tiristores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/
Aqu, hallar informacin de applets que muestran las grficas de tiristores y
TRIACs.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
1
SEMANA
10
TEMARIO
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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Lista de componentes:
Resistencias: 2 de 47 K, (kilohmios), 1 de 100, (ohmios), 1 potencimetro de
100K (1K = 1 Kilohmio)
Condensadores: 3 de 0.1 uF, (uF = microfaradios)
Otros: 1 TRIAC (depende de la carga, uno de 2 Amperios para aplicaciones
comunes como este dimmer), 1 enchufe para la carga, de uso general (110 / 220
voltios).
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Autoevaluacin
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Resumen
El TRIAC es, en esencia, la conexin de dos tiristores en paralelo, pero que estn
conectados en sentido opuesto y que comparten la misma compuerta.
Una de las aplicaciones mas tpicas de los TRIACs, en el uso domestico, es el
regulador de luz.
EL DIAC es un diodo de disparo bidireccional especialmente diseado para
disparar TRIACs y Tiristores.
El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuestas.
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm
Aqu, hallar Informacin sobre circuitos de tiristores, tipos y caractersticas.
http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp
Aqu, hallar informacin que describe a los tiristores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/
Aqu, hallar informacin de applets que muestran las grficas de tiristores y
TRIACs.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
2
SEMANA
11
TEMARIO
El amplificador operacional
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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1. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Referencia: El amplificador operacional de Javier Diaz Ruiz
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Si las corrientes a travs de las lneas de entrada son nulas, se cumple que:
(Vi Vn) / R1 = (Vn Vo) / R2
En el OA ideal, Vn = Vp. Pero, en este caso, Vp = 0; por lo tanto, Vn = 0 y, por
ello, a este nudo se le denomina masa virtual, ya que tiene una tensin igual
a 0.
Al sustituir Vn = 0 en la ecuacin anterior resulta que la ganancia vale:
A = Vo / Vi = R2 / R1
El trmino inversor es debido al signo negativo de esta expresin que indica
un desfase de 180 entre la entrada y salida. La impedancia de entrada de
este circuito es R1.
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1.2.2 Amplificador no-inversor. La ganancia en tensin del amplificador noinversor se resuelve de manera similar al caso anterior a partir de las
siguientes ecuaciones:
Vn / R1 = Vo / (R2 + R1)
Vn = Vp = Vi
A = Vo / Vi = 1 + R2 / R1
La impedancia de entrada es .
1.2.3 Seguidor. Por ltimo, la configuracin del amplificador como seguidor
tiene una ganancia AV=1, pero la impedancia de entrada y salida de este
circuito valen Zi Ad.Ri y Zo Ro/Ad, siendo Ri y Ro las impedencias de
entrada y salida del OA.
Por ejemplo, el 741 tiene las siguientes caractersticas: Ad=200.000, Ri=1M
y Ro=75. Aplicando las anteriores relaciones, se obtiene que las
impedancias de entrada y salida del seguidor valen Zi=2 10e10 y Zo=3.7
10e-4 .
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si Vp < Vn
si Vp > Vn
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si Vp > Vn
(Transistor en corte)
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Vo = VOL VCC
si Vp < Vn
(Transistor en saturacin)
Vo = VOH = VEE
si Vp > Vn
(Transistor en corte)
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Autoevaluacin
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Resumen
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales y comparadores.
http://www.ifent.org/temas/amplificadores_operacionales.asp
Aqu, hallar informacin sobre amplificadores operacionales.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
2
SEMANA
12
TEMARIO
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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....................................................................................................................................
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Resumen
http://focus.ti.com/lit/an/sboa092a/sboa092a.pdf
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales de Texas
Instruments (Handbook).
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Sumador-Inversor.html
Aqu, hallar informacin sobre algunas aplicaciones de los amplificadores
operacionales.
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
2
SEMANA
13
TEMARIO
El circuito temporizador
El temporizador 555
ACTIVIDADES PROPUESTAS
Los alumnos determinan las caractersticas del timer 555 identificando cada
etapa.
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1. EL CIRCUITO TEMPORIZADOR
Referencia: Tcnicas Experimentales en Electrnica Dpto. de Electrnica y Electromagnetismo
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Vcontrol = 2 . VCC / 3
mientras que la tensin threshold ir creciendo con el tiempo. En teora, tal
crecimiento podra llevar esta tensin hasta VCC; sin embargo, cuando la
tensin de threshold cruza el valor de control, la salida del comparador se
hace igual a 1, el transistor entra en su zona de alta conduccin y descarga,
casi de manera inmediata, el condensador.
Si se aplica un pulso, de corta duracin, en la entrada RESET del biestable,
esto provoca un reseteo del mismo, que fuerza la salida Q a 0. El transistor
se apaga y el condensador empieza a cargarse de acuerdo con la expresin:
V threshold = VCC (1 e t / )
= R2 . C
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= R2 . C
Cuando el proceso de carga hace que la tensin threshold suba por encima de
2 . VCC / 3, el comparador Z1 proporcionar un valor alto 1, mientras que Z2 dar
un valor bajo 0. Esto crea una condicin de SET en el flip-flop de manera que
Q = 1, con lo que el condensador ser descargado muy rpidamente debido a
que el transistor T habr entrado en la zona de alta conduccin. El ancho del
pulso de salida puede calcularse tal como hicimos anteriormente y resulta ser:
TD . ln (3) = 1.1
Observe que el terminal de control qued libre, de manera que el umbral de
duracin del pulso queda fijado a 2 VCC / 3. El condensador de 10 nF aadido slo
se incluye para filtrar ruido en la tensin de control.
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= (Ra + Rb) . C
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threshold
= VCC / 3,
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Autoevaluacin
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Resumen
http://focus.ti.com/lit/an/sboa092a/sboa092a.pdf
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales de Texas
Instruments (Handbook).
http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/datasheets/LM555.pdf
Aqu, hallar informacin del 555, su hoja de datos (Data Sheet).
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UNIDAD DE
APRENDIZAJE
2
SEMANA
14
TEMARIO
Oscilador Astable
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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La figura muestra una configuracin como VCO del 555. En ella, se destaca, como
novedad con respecto a la configuracin astable, el hecho de que el terminal de
control aparece conectado a un potencimetro, de manera que la tensin que
pongamos aqu, Vctrl, fijar las entradas a los comparadores Z1 y Z2 a los valores
Vctrl y Vctrl / 2, respectivamente (ver diagrama en bloques de la sesin anterior).
As pues, usando la formula genrica para evoluciones exponenciales,
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141
Uno de los usos ms frecuentes del timer 555 es como oscilador astable. En esta
configuracin, el circuito produce, en su salida, una onda cuadrada, con una
amplitud igual a la tensin de alimentacin. La duracin de los periodos alto y bajo
de la seal de salida pueden ser diferentes. El nombre de astable proviene de la
caracterstica de esta configuracin, en la que la salida no permanece fija en
ninguno de los dos estados lgicos, si no que flucta entre ambos en un tiempo
que llamaremos T.
El perodo de tiempo T de la seal de salida es igual a la suma de los tiempos en
estado alto Tm (por Mark time en ingles) y bajo Ts (por Space time). En general,
en lugar de utilizar el tiempo T como parmetro, utilizaremos la frecuencia F de la
seal de salida, igual a 1/T.
En la siguiente figura, podemos ver el esquema del 555 para ser utilizado como
oscilador astable. Solamente tres componentes adicionales bastan para
determinar el periodo T de la seal de salida y la relacin de tiempos Tm y Ts. Un
cuarto componente, el capacitor de 0.01 F, solamente se utiliza para evitar el
ruido en el terminal de control.
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Ts = 0.7 R2 C1
Como se deduce de ellas, en los casos que Tm y Ts necesiten ser iguales (duty
cycle del 50%) R2 deber ser mucho mayor que R1.
Al momento de disear nuestro propio oscilador astable, utilizando NE555,
debemos elegir, primero, el valor de C1, que es el que determinara el rango de
frecuencias a utilizar, tal como vemos en la siguiente tabla, luego, el valor de R2,
considerando que:
R2 = 0.7 / F x C1
Y, por ultimo, R1, generalmente de un 10% del valor de R2, salvo que
necesitemos tiempos Tm y Ts muy diferentes entre s. En aquellos casos en los
que queramos hacer la frecuencia de salida variable, la mejor opcin es
reemplazar a R2 por un potencimetro del valor adecuado y una resistencia de, al
menos, 1000 ohms en serie con l (para evitar que en un extremo del
potencimetro el valor de R2 sea cero).
Duty Cycle
El 555, utilizado como oscilador astable, permite el control de dispositivos como
motores o lmparas mediante una tcnica conocida como Modulacin de ancho
de pulso (PWM: Pulse Wide Modulation). La seal de salida presente en el pin 3
se repite continuamente, a menos que se fuerce la salida a 0 voltios mediante el
terminal RESET (conectndolo a una tensin menor a 0.7 voltios).
Una baja frecuencia de oscilacin puede ser utilizada para hacer destellar un LED
y una frecuencia un poco ms alta (mayor a 20 Hz. aunque menor a los 20KHz.).
Tambin, se puede emplear para hacer sonar un parlante o buzzer conectado al
pin 3 y, de esta manera, construir una alarma audible fcilmente.
Volviendo al control PWM, la relacin entre Tm y Ts, generalmente, se expresa
como un porcentaje. Si este porcentaje debe ser, es igual o mayor al 50%,
utilizamos el circuito de la figura anterior, como vimos antes, y las frmulas de la
siguiente figura nos permiten calcular exactamente su porcentaje.
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En el caso de que la relacin deba ser menor al 50%, se debe agregar un diodo
tipo 1N4148 en paralelo con R2, como se ve en el siguiente grfico, para permitir
la circulacin de corriente durante el periodo Tm. En este caso, el valor de Tm y
Ts dependen nicamente de R1 y C1 como se ve a continuacin:
Tm = 0.7 R1 C1
Ts = 0.7 R2 C1
Duty Cycle (con diodo) = Tm / (Tm + Ts) o R1 / (R1 + R2)
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van desde los 5 a los 30 minutos. Por supuesto, se podr cambiar estos valores
para obtener tiempos mayores o menores, usando las frmulas que hemos visto.
Un transistor BC109C o equivalente se utiliza para comandar un rel, al que
podremos conectar cualquier artefacto elctrico que queramos controlar con este
circuito.
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http://www.neoteo.com/ne555.neo
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Resumen
http://www.neoteo.com/ne555.neo
Aqu, hallar informacin de aplicaciones del 555.
http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/datasheets/LM555.pdf
Aqu, hallar informacin del 555, su hoja de datos (Data Sheet).
http://jorgefloresvergaray.blogspot.com/
Aqu, hallar informacin de aplicaciones del 555.
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TEMARIO
Sesin Integradora
ACTIVIDADES PROPUESTAS
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1. SESIN INTEGRADORA
Los alumnos debern presentar un circuito que han desarrollado en grupo y debern
explicar su funcin. En lo posible, ste debe contener la mayora de los dispositivos
electrnicos que hemos estudiado. Finalmente, sus componentes deben ser discretos
e integrados (transistores, diodos, 741, 555, etc.).
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