NOIUNI DE FIZICA DETECTORILOR NUCLEARI

Procesul fundamental al interaciunii radiaiilor nuclere cu material, este dat de

faptul c energia implicat n procesul de interaciune este mai mare dect energia
de legtur a electronilor din atom i poate genera schimbri sau transformri n
structura atomilor componeni ai substanei.
mecanismele de interaciune a radiaiilor nucleare cu materia care stau la baza
deteciei acestora, sunt ionizarea i emisia/conversia luminii

Mecanismul de
interaciune

Tip de detector

Mediul

Nr.electroni/fotoni
liberi per cm

Ionizare

Gazoi

gaze nobile,
hidrocarburi

<10

Solizi

siliciu, germaniu

<10

Camere cu bule

hidrogen lichid

urme de bule

Scintilatori

sticl, plastic

~102

Fotomultiplicatori

cadmium, pamnturi
rare

~103

Detectori Cerenkov

gaz, plastic

~102

Emisie/conversie
de lumin

Parametrii unui detector de radiaii

Sensibilitatea -numrul minim de cuante/particule detectate pentru un anumit

cmp de radiaie (capacitatea acestuia de a detecta i msura radiaiile de interes n

prezena zgomotelor i a semnalelor cauzate de alte radiaii).
Rezoluie energetic -precizia cu care detectorul poate msura energia radiaiei i
capacitatea de discernere ntre diferite tipuri de radiaii observate, pentru un fascicul
monoenergetic dat.
Funcia de rspuns - relaia dintre energia iniial a cuantei/particulei i
intensitatea impulsului de ieire. Dac nimea impulsului sau aria acestuia crete
liniar cu energia depozitat n materialul detectorului - detectori spectrometrici. Dac
dau acelai impuls pentru oricare particul detectat (numrtori).
Eficiena-fraciunea de radiaii din numrul incident, care este nregistrat de
detector. Aceast caracteristic are dou componente: eficiena intrinsec (fraciune
de particule/cuante care interacioneaz cu volumul detectorului i este detectat) i
eficiena geometric (unghiul solid sub care este observat sursa)
Timpul de rspuns- durata dup care detectorul genereaz un impuls n urma
interaciunii unei cuante de radiaie cu materialul sensibil al acestuia.
Timpul mort- intervalul de timp dintre nregistrarea a dou cuante/particule (timpul
n care detectorul nu nregistreaz). Acest caracteristic este dat printr-o valoare
medie.

Scintilaie

Ionizare
Tip detector

G-M

Proporional

Semicon.

NaI:Tl

Plastic

Rspuns

fixat

liniar

liniar

liniar

liniar

Rezoluie

nu

10-15%

0.2-0.3%

5-10%

15-20%

Timp de rspuns

100s

30-50ns

100ns

100ns

1-2ns

Timp mort

300s

100ns

1-10s

1s

10ns

Eficien ,

>90%

>90%

~100%

~100%

~100%

MeV

1-2%

1-2%

20-80%

30-100%

5-15%

keV

~10%

~10%

100%

joas

joas

Detectori de ionizare

detectori cu gaz
detectori solizi (cu semiconductori)

Proces de generare de sarcini (ioni pozitivi i negativi, electroni i goluri)

sarcin electric generata

Q = 1.60 10 19 E p w 1

Ep -energia total pierdut n detector

-eficacitatea de colectare
w-energia formrii unei perechi de
sarcin
(depinde de tipul i natura materialului
detectorului)

curentul generat - puls de sarcin

i=

Q
t

printr-o rezisten (rezisten de sarcin) - produce un puls de tensiune

V = R

Q
t

constituie un semnal pentru preamplificator

Detectori cu gaz - generare de perechi de ioni - energia efectiv de formare a

unei perechi de ioni 35.5 eV
Micarea electronilor liberi i a ionilor din gaz sub influena unui cmp electric (E)
[viteza de drift (v)], induce pe electrozii detectorului, un semnal de curent electric.

qe 1
E
E=
v=
m p
p

- mobilitatea electronilor la presiune (p) dat

Ionii formai, se vor deplasa ctre anod (ionii negativi) respectiv ctre catod (ionii
pozitivi), conducnd la formarea unor pulsuri de sarcin.

Colectarea sarcinilor generate ntr-un detector cu gaz, este puternic dependent

de cmpul electric (tensiunea) aplicat

Camera de ionizare
Incint umplut cu gaz n care se gsesc doi electrozi

Tensiune continu cu valori cuprins ntre 100-500 V

condensator de capacitate C, care stocheaz o sarcin: Q=CV
2
2
V
Q
Energia stocat W = C
=
2
2C

Curentul colectat

q0V
( + + )
i= 2
d P

Intensitatea curentului - invers

proporional de ptratul distanei dintre
electrozi i de presiunea gazului colectarea sarcinii se face prin
integrare sau adunare iar curentul total
este msurat n funcie de timp

Contorul proporional
Tensiune aplicat mai mare (300-600 V) - multiplicare a sarcinilor M=exp(r)
- coeficient Townsend - depinde de natura gazului i de energia ionilor
pentru un raport E/p dat, depinde liniar de presiune

E
p

= f ( ) p

semnalul este obinut prin colectarea sarcinilor ionilor

pozitivi.

i=

q0
q
E +2 + + E 2 = 0 E +2 +
V P
V P

sarcina total colectat n unitatea de timp

t

Q(t ) =
0

q0
q 0 +V
dt '
1 + 2 +V
ln
=
2
r2
r2
2
r2 r 2 + 2 +V
2
ln
ln
r
p

1
p ln 1
r2
r
r1
1

p ln
r1
r1

Contorul Geiger- Mller

Regimul de funcionare - zona superioar a contorilor proporionali

Gazul constituent al tuburilor Geiger-Mller - un gaz nobil cu potenial de

ionizare mare (n special, argon sau heliu), aflat la presiune mai joas
dect presiunea atmosferic
gaze de stingere (molecule organice -alcooli) - stoprea efectului Tanwsend prin
absorbia radiaiilor X caracteristice produse n procesul de ciocnire a ionilor
pozitivi cu peretele catodului si previne generarea de noi ionizri ca urmare a
mprtierii ionilor pozitivi pe perii catodului.

Detectorii cu semiconductori
Semiconductorii - materiale cu rezistivitatea cuprins ntre cea a conductorilor (de
exemplu cupru 10-8 m ) i cea a izolatorilor (rezistivitatea cuarului: 1012 m). Valorile
tipice ale acestora sunt de 103 m pentru siliciu i de 0.6 m pentru germaniu

Donor de tip n - atom pentavalent (de exemplu fosforul) - formeaz patru legturi
rmnnd un electron slab legat plasat pe un nivel energetic aproape de banda de
valen
Acceptor tip p - atom trivalent (de exemplu borul) - o legatur rmne nesatisfcut,
obinndu-se un gol (impuritate de tip p) anihilat de un electron
Unirea suprafeelor celor dou tipuri de structuri se obtine o jonciune p-n

Nivele energetice n semiconductori de tip n i

(a) separai

(b) n contact (jonciune)

Gradul de ocupare a nivelelor energetice - este dat de distribuia Fermi-Dirac

f D (E) =

1
E EF
1 + exp

kT

EF este nivelul Fermi

Rezistivitatea - depinde de concentraia electronilor liberi (nn) i a gourilor(np)

i de mobilitatea acestora

EC E f

nn = N C exp
kT

E f EC

n p = N V exp
kT

1
=
e(nn n + n p p )

NC,V i EC,V -densitile de stri i energiile din banda de conducie si valen

grosimea barierei depinde de rezistivitate, tensiunea aplicat i mobilitatea
purttorilor de sarcin,

d = (2 s V )

1
2

Interaciunea unei radiaii nucleare cu semiconductorul, genereaz electroni n

banda de conducie i goluri n banda de valen care vor fi colectai i transformai
n semnal ca urmare a scderii rezistivitaii jonciunii.

n funcie de numrul de perechi de sarcin formate (care sunt dependente de

energia radiaiei), avem intensiti diferite ale impulsurilor nregistrate. Identificarea
tipului de paricule se face conform relaiei Bethe( pierderea de energie)

dE
E = const . M Z 2
dx

Dou tipuri de materiale semiconductoare: Siliciu si Germaniu

Tipuri :
Barier de suprafa (SSB) - monocristale subiri din siliciu pur de tip n cu
rezistivitate mare (103cm), pe feele cruia care sunt depuse dou contacte de aur
i aluminiu
Diode PIN - suprapunerea a trei straturi semiconductoare, respectiv tip p, intrinsec i
i tip n (PIN).
Detectori Si(Li) prin driftarea atomilor de litiu n structura cristalin a
semiconductorului de tip p, atomii de litiu cedeaz un electron in banda de conducie
i devin ioni. Detectori pe baz de drift de atomi de litiu sunt de tip Si(Li) si Ge(Li).
puriti nalte - (detectori hiper-puri tip HPGe sau HPSi) nu necesit rcire permanent.

Geometria tipic a unui detector cu semiconductor

Detectori cu scintilaie
Fundamentul detectorilor cu scintilaie - fenomenul de generare de lumin vizibil
sau ultraviolet (scintilaie) ca urmare a ineraciunii radiaiei ionizante cu unele
substane
Procesul const n tranziiile dintre strile excitate a nivelelor electronice n starea
fundamental
Materialele scintilatoare - substante organice sau anorganice aflate n stare solid,
lichid sau gazoas
Scintilatori organici
Detectori
Scintilatori anorganici

Scintilatori organici
nivele de interes sunt cele ale moleculelor individuale

n funcie de nivele ntre care are loc tranziia

fluorescen
fosforescen

S 01 S 0 n

T01 S 0 n

fluorescen ntrziat -

S1n T1n

Caracteristici ale scintilatorilor organici

Material

Densitatea
(g/cm2)

max (nm)

Constanta de
dezexcitare (ns)

Intensitatea
relativ

Antracen

1.25

440

32

100

Stilben

1.16

410

60

Plastic

1.06

350-450

3-5

28-48

Lichid

0.86

355-450

2-8

27-49

Organic

Plastic

Lichid

Scintilatori anorganici
monocristale ionice (de obicei sruri alkaline)
structura elctronic format din banda de valen i banda de conducie.
intermediar - banda interzis cu o valoare destul de mare (de circa 5 eV).
defecte sau impuriti controlate (activatori) n structura cristalului (n mod obinuit
taliu) conduce la formarea unor nivele energetice n banda interzis

La trecerea unei radiaii prin materialul cristalin, se creaz excitoni (perechi electrongol) cu propria structur de benzi, care se pot mica liber n cristal. Interaciunea
acestora perechi electron-gol cu atomii activatori (Tl) duce la excitarea nivelelor
electronice ale acestora din urm. Prin dezexcitare se emite o scintilaie

Principalele cristale de scintilatori anorganici

Material

Densitatea
(g/cm2)

max (nm) Timp dezexcitare

(ns)

Fotoni per
MeV

NaI(Tl) (20C)

3.67

415

230

38000

NaI pur (-196C)

3.67

303

60

76000

CsI(Na)

4.51

420

630

39000

CsI(Tl)

4.51

540

800

60000

CsI pur

4.51

315

16

2300

BaF2

4.9

310

630

10000

CsF

4.64

390

2500

CeF3

6.16

340

27

4400

Lu2SiO5(Ce)

7.4

420

40

30000

Fotomultiplicatorul
conversie a luminii emise de scintilator n impuls electric
principale componente - tub vidat

fotocatod
electrozi de focalizare
multiplicator de electroni (sistem de dinode)
anod colector