Sunteți pe pagina 1din 207

Universitatea Titu Maiorescu

Facultatea de Informatic

Prof. univ. dr. Creu Emil


Conf. univ. dr. Apostolescu Tudor Ctlin

Complemente de fizic
i material utilizate n
sistemele IT

Curs pentru nvmntul la distan

Bucureti 2013

CUPRINS
Unitatea de nvare 1 Noiuni introductive. Sisteme de coordonate.
Mrimi cinematice fundamentale. Principiile termodinamice. Legile
gazelor ........................................................................................................... 6
1.1 Mrimi fizice. Uniti de msur. Dimensiuni ..................................... 6
1.2 Definiiile unitilor de msur n sistemul internaional ..................... 8
1.3 Alte uniti de msur. Ordine de mrime ......................................... 10
1.4 Sisteme de coordonate ........................................................................ 12
1.5 Definirea mrimilor cinetice fundamentale........................................ 14
1.6 Micarea rectilinie uniform normal .................................................. 17
1.7 Dinamica punctului material i a corpului rigid ................................. 18
1.8 Principiile mecanicii (dinamicii newtoniene) ..................................... 19
1.9 Lucru mecanic. Energia. Puterea ........................................................ 21
1.10 Legile ciocnirii ................................................................................. 25
1.11 Legile gazelor ................................................................................... 26
1.12 Principiul nti al termodinamicii..................................................... 27
1.13 Principiul al doilea al termodinamicii .............................................. 28
1.14 Principiul al treilea al termodinamicii .............................................. 29
Unitatea de nvare 2 Electricitate. Optic ......................................... 31
2.1 Cmpul electromagnetic. Cmpul electrostatic .................................. 31
2.2 Intensitatea cmpului electric. Teorema lui Gauss............................. 32
2.3 Potentialul cmpului electrostatic ...................................................... 34
2.4 Conductori n cmp electric. Condensatori ........................................ 35
2.5 Curentul electric continuu .................................................................. 39
2.6 Teoremele lui Kirchhoff ..................................................................... 40
2.7 Cmpul magnetic................................................................................ 41
2.7.1 Cmpul magnetic generat de curentul magnetic continuu .............. 41
2.7.2 Fluxul magnetic ............................................................................... 44
2.8 Legile fundamentale ale opticii geometrice ....................................... 45
2.9 Aspecte fundamentale ale fenomenului de dispersie ......................... 61
2.10 Aspecte fundamentale ale fenomenului de polarizare...................... 65
2.11 Aspecte fundamentale ale fenomenului de interferen a luminii .... 67
2.12 Aspecte fundamentale ale fenomenului de difracie Fraunhofer ..... 69
Unitatea de nvare 3 - Tipuri de materiale. Materiale conductoare .. 74
3.1 Strile structurale ale substanei ......................................................... 75
3.2 Proprietile materialelor .................................................................... 80
3.3 Proprieti magnetice ale materialelor................................................ 83
3.4 Materiale solide cristaline .................................................................. 85
3.5 Caracterizarea materialelor conductoare ............................................ 90
3.6 Funciile conductoarelor ..................................................................... 93
3.7 Materiale supraconductoare ............................................................... 96
3.8 Emisia termoelectronic i alte fenomene .......................................... 97

Unitatea de nvare 4 Materiale magnetice. Materiale dielectrice.. 101


4.1 Definiie, clasificare ......................................................................... 101
4.2 Funciile materialelor magnetice ...................................................... 103
4.3 Feromagnetismul .............................................................................. 104
4.4 Anizotropia magnetic ..................................................................... 106
4.5 Curba de magnetizare ....................................................................... 107
4.6 Ferimagnetismul ............................................................................... 109
4.7 Pierderi n materiale fero i ferimagnetice ....................................... 109
4.8 Tipuri de materiale magnetice .......................................................... 111
4.9 Materiale dielectrice ......................................................................... 112
4.10 Funciile dielectricilor .................................................................... 112
4.11 Mecanismul de polarizare .............................................................. 113
4.12 Pierderi n dielectrici ...................................................................... 115
4.12.1 Modelul dielectricului ideal fr pierderi prin conducie ............ 115
4.12.2 Pierderile prin conducie ............................................................. 116
4.13 Exemple de dielectrici i caracteristicile lor .................................. 119
4.14 Materiale piezoelectrice ................................................................. 122
4.15 Cristale lichide................................................................................ 125
4.15.1 Efecte electrooptice n CLN ........................................................ 127
4.15.2 Matrice de afiaj .......................................................................... 129
Unitatea de nvare 5 Materiale semiconductoare ........................... 132
5.1 Clasificarea materialelor semiconductoare ...................................... 133
5.2 Calculul concentraiei de purttori ................................................... 134
5.3 Conductivitatea semiconductoarelor ................................................ 136
5.4 Curentul de difuzie ........................................................................... 138
5.5 Funciile materialelor semiconductoare ........................................... 140
5.7. Jonciuni semiconductoare .............................................................. 143
6. Tehnici de laborator............................................................................. 150
CP

CV al aerului utiliznd
6.1 Determinarea coeficientului adiabatic
metoda .................................................................................................... 150
Clement-Desormes ................................................................................. 150
A. Scopul lucrrii ................................................................................... 150
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 150
C. Metoda lucrrii .................................................................................. 151
D. Dispozitivul experimental ................................................................. 153
6.2 Determinarea Constantei Boltzmann prin masurarea curentului de
difuzie ntr-un tranzistor ......................................................................... 153
A. Scopul lucrrii ................................................................................ 153
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 154
C. Descrierea instalaiei experimentale .................................................. 156
D. Modul de lucru .................................................................................. 157

E. Indicaii pentru prelucrarea datelor experimentale ............................ 158


6.3 Determinarea constantei Rydberg .................................................... 158
A. Scopul lucrrii ................................................................................... 158
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 158
C. Dispozitivul experimental.................................................................. 162
D. Modul de lucru .................................................................................. 163
E. Prelucrarea datelor experimentale ..................................................... 164
F. ntrebri .............................................................................................. 165
6.4 Determinarea lungimii de und a unei radiaii luminoase cu reeaua de
difracie................................................................................................... 165
A. Scopul lucrrii ................................................................................... 165
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 165
C. Descrierea dispozitivului experimental ............................................. 170
D. Modul de lucru .................................................................................. 171
E. ntrebri:............................................................................................. 173
6.5 Dioda tunel ....................................................................................... 174
A. Scopul lucrrii ................................................................................... 174
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 174
C. Caracteristica curent - tensiune a unei diode tunel ............................ 177
D. Descrierea montajului experimental .................................................. 177
E. Modul de lucru i prelucrarea datelor experimentale ........................ 178
F. Intrebri .............................................................................................. 180
7. Probleme rezolvate ............................................................................... 181
8. Probleme propuse ................................................................................ 183
9. Teste Gril ............................................................................................ 185
Bibliografie ............................................................................................... 208

Unitatea de nvare 1 Noiuni introductive. Sisteme de


coordonate. Mrimi cinematice fundamentale. Principiile
termodinamice. Legile gazelor
Obiective:

Definirea i nelegerea conceptelor de mrimi fizice, uniti de


msur i sisteme de coordonate;
Micarea rectilinie uniform, principiile mecanicii;
Legile gazelor.

1.1 Mrimi fizice. Uniti de msur. Dimensiuni

Pentru a msura o mrime trebuie s stabilim de cte ori se cuprinde


ea n o alt mrime de aceeai natur, bine definit i aleas prin convenie
drept unitate. Orice msurare fizic este ntotdeauna un proces de interaciune
ntre obiectul msurat i dispozitivul de msur, proces ce modific i starea
obiectului msurat.
Efectuarea unei operaii de msurare a oricrei mrimi fizice M
implic stabilirea unei uniti de msur corespunztoare. Subliniem c
alegerea unitii de msur nu rezult din nici o lege a fizicii, ci este
determinat de factori ca: cerinele impuse de practic, reproductibi-litate,
consens general etc. Orice mrime fizic M trebuie exprimat prin
produsul dintre valoarea numeric {-M} i unitatea de msur M
M ={M } M

(1.1)

Deoarece, pentru o mrime fizic M se pot utiliza mai multe uniti de


msur, se obine:
M={M1,} M1, ={M2} M2 =...
(1.2)
de unde:
{M1}/{M2}= M1 / M2

(1.3)

Adic, raportul valorilor numerice ale unei mrimi fizice este egal cu
inversul raportului unitilor de msur.
Exprimarea mrimilor fizice sub forma unui produs de forma (1.1),
conduce la o deosebire dintre formulele fizice i cele matematice. De
exemplu, dac avem un ptrat cu latura X, atunci din punctul de vedere al
matematicii, aria ptratului este A = X2, iar din punctul de vedere al fizicii,
trebuie s scriem:
{ A1} A1 { X 2 } X 2
(1.4)

sau

X 2
{ X } K{ X 2 }.
A
Aadar, n formulele fizice poate aprea un coeficient parazit K,
exprimat prin raportul unitilor de msur. Aceasta a condus la necesitatea
practic de elaborare a unui sistem de uniti coerent, astfel nct n
formulele fizice coeficientul parazit s fie K = 1.
n sistemul coerent de uniti de msura, Sistemul Internaional (SI),
se disting trei clase de mrimi fizice i uniti de msur corespunztoare:
1. Mrimi fizice i uniti de msur fundamentalei
2. Mrimi fizice i uniti de msur suplimentare
3. Mrimi fizice i uniti de msur derivate.
{ A}

Tabelul 1.1 Mrimi fizice i uniti de msur fundamentale


Mrimea fizic

Simbolul
mrimii
fizice

Unitatea de msur

Simbolul
unitii
de
msur

1
2
3
4
5
6
7

L
T
M

metrul
secunda
kilogram
grad Kelvin
Amper
mol
candela

M
S
Kg
K
A
Mol
Cd

Lungimea
Timpul
Masa
Temperatura
termodinamic curentului
Intensitatea
electric de substan
Cantitatea
Intensitatea luminoas

Tabelul 1.2. Mrimi fizice i uniti de msur suplimentare


Mrimea fizic

Unghiul plan

Simbolul
mrimii
fizice

Unitatea
msur
radian

de Simbolul
unitii
msur
Rad

de

Unghiul solid

steradian

Sr

Coerena sistemului internaional const n faptul c unitile de


msur pentru mrimile fizice derivate se exprim numai i numai sub
forma unor combinaii ale unitilor de msur fundamentale sau
suplimentare. Ilustrm aceast afirmaie prin cteva exemple - viteza liniar
v =m/s, acceleraia a =m/s2, viteza unghiular = rad/s i
acceleraia unghiular = rad/s2.
n afar de valoarea numeric {M}, respectiv unitatea de msur M
, orice mrime fizic se caracterizeaz i prin dimensiunea [M], care
reprezint un monom algebric de puteri - pozitive, negative, ntregi sau
fracionare-ale simbolurilor mrimilor fizice fundamentale sau suplimentare:
[M ] L T M ...

(1.5)

Dimensiunea [M] are un rol fundamental n verificarea corectitudinii


formulelor fizice. n Sistemul Internaional (SI), unitatea de msur pentru
for este Newtonul:

F kg m s 2 N

(1.6)

Dac unitile de msur pentru mas, lungime i timp se exprim in


sistemul de uniti GCS (centimetru, gram, secund), avem:

F g cm s 2 dyn, N 105 dyn

(1.7)

1.2 Definiiile unitilor de msur n sistemul internaional


Unitile de msur pentru mrimile fizice fundamentale i
suplimentare pot fi stabilite n dou moduri diferite:
a) Pe baza unor considerente de ordin practic, se fixeaz uniti de
msur arbitrare prin elaborarea de etaloane corespunztoare.
b) Se alege ca unitate de msur valoarea unei mrimi fizice
existente n natur. De exemplu, se poate stabili ca unitate de lungime
distana dintre atomii vecini ai unui cristal, ca unitate de mas cea a
atomilor de hidrogen etc. Avantajul unor astfel de uniti naturale const n
reproductibilitatea lor.

La nceputul elaborrii unitilor de msur s-a mers pe prima


variant, dar pe msura dezvoltrii fizicii atomice i nucleare au fost
stabilite uniti de msur naturale pentru mrimile fizice.
n continuare sunt redate definiiile actuale pentru unitile de msur
ale mrimilor fizice fundamentale i suplimentare:
1. Unitatea de lungime (metrul). Metrul este lungimea egal cu
1.650.763,73 lungimi de und n vid a radiaiei care corespunde tranziiei
ntre nivelele de energie 2pl{) i 5d5 ale atomului de kripton 86 (3686 Kr).
2. Unitatea de timp (secunda). Secunda este durata a
9.192.631.770 perioade ale radiaiei care corespunde tranziiei ntre
cele dou nivele hiperfine de energie ale strii fundamentale a atomului
de cesiu 133 ( 36Cs).
3. Unitatea de mas (kilogramul). Prototipul internaional al
kilogramului rmne cel confecionat cu prilejul primei conferine generale
de msuri i greuti, din anul 1889. Acest prototip internaional din
platin iradiat se pstreaz la Biroul Internaional de Msuri i Greuti
n condiiile stabilite n anul 1889.
4. Unitatea de intensitate a curentului electric (amperul). Amperul
este intensitatea unui curent electric continuu care, meninut n dou
conductoare paralele rectilinii cu lungime infinit i cu seciunea circular
neglijabil, aezate n vid la o distan de 1 m unul de altul, produce ntre
aceste conductoare o for egal cu 2-10" N, pe o lungime de 1 m.
5. Unitatea de temperatur termodinamic (gradul Kelvin). Gradul
Kelvin, ca unitate de temperatur termodinamic, este fraciunea
1/273,16 din temperatura termodinamic a punctului triplu al apei.
6. Unitatea cantitii de substan (molul). Aceast unitate de
msur fundamental a fost adoptat la A 14-a Conferin Internaional
de Msuri i Greuti din anul 1971. Prin rezoluia 3 a acestei conferine se
specific:
Molul este cantitatea de substan a unui sistem care conine attea
entiti elementare, ci atomi exist n 0,012 kilograme de carbon 12 ('6C).
Masa de 0,012 kg de carbon 12 conine un numr de atomi egal cu numrul
lui Avogadro (N = 6,022-IO23 mol"1 ).
De cte ori se utilizeaz molul, entitile elementare trebuie specificate,
ele putnd fi atomi, molecule, ioni. alte particule sau grupuri de particule.
7. Unitatea de intensitate luminoas (candela). Candela este
intensitatea luminoas, n direcia normalei, a unei suprafee cu aria
1/600.000 metri ptrai a unui corp negru la temperatura de solidificare a
platinei i presiunea de 101325 Newton pe metru ptrat.
Subliniem c unitile de msur pentru mrimile fizice
fundamentale, precum i numrul acestor mrimi, nu se consider stabilite
definitiv prin definiiile enunate mai sus. Unitile de msur suplimentare
se definesc n felul urmtor:

1. Unitatea de unghi plan (radianul). Radianul este unghiul plan


cuprins ntre dou raze care delimiteaz pe circumferina unui cerc un arc
de lungime egal cu cea a razei (fig. 1.1). Unghiul de un radian este egal cu
I8O/71 grade sexagesimale, adic 1 rad = 5717'45".
2. Unitatea de unghi solid (steradianul). Steradianul este unghiul
solid care, avnd vrful n centrul unei sfere, delimiteaz pe suprafaa
acestei sfere o arie egal cu aria unui ptrat de latur egal cu raza sferei.

Figura 1.1 Unghiul solid


Dac din centrul unei sfere de raz r se traseaz o suprafa conic
(fig.1.1), atunci aceast suprafa intersecteaz o parte din sfer, aria acestei
pri fiind proporional cu valoarea unghiului solid AQ. Astfel:
/ r 2

(1.8)
Este evident c acest raport nu depinde de raza sferei. Unghiul solid
total sub care se vede suprafaa sferic, din centrul sferei, este:

4 r 2
4 sr
r2

(1.9)

Att radianul, ct i steradianul sunt uniti de msur adimensionale.

1.3 Alte uniti de msur. Ordine de mrime


S-a constatat necesitatea utilizrii unor uniti de msur care,
dei nu fac parte din SI, joac un rol important i sunt larg

10

rspndite. Unele dintre aceste uniti de msur sunt indicate n


tabelul 1.3.
Se recomand ca astfel de uniti de msur, tolerate de
sistemul internaional s fie folosite ct mai rar posibil.
Sunt admise i unele uniti de msur a cror folosire este util
n diferite domenii de activitate ca, de exemplu:
Electron-volt (eV). Un electron-volt este energia cinetic
ctigat de un electron care traverseaz - n vid - o diferen de
potenial de un volt: 1 eV1,60219*10 -19 J.
Unitatea atomic de mas (u.a.m.). Unitatea atomic de mas este
fraciunea 1/12 din masa unui atom al izotopului carbon 12 ( 6C): 1 u=
1,66057*10-27 kg.
Tabelul 1.3. Unele uniti de msur folosite mpreun cu unitile SI
Denumire
a
An
Zi
Or
Minut
Grad
Minut
Secund
Litru
Ton

Simbol
a
d
h
min
o
"
1
t

Valoarea n SI
la = 3,16-107s
1 d = 24 h = 1440 min = 86400 s
1 h = 60 min = 3600 s
1 min = 60 s
1 = TI/180 rad
1' =(1/60) = (n/10800) rad
1" = (1/60)' = (TI/648000) rad
1 l=l-dm3=10"3m'3
1 t= 103 kg

n fizica atomic i nuclear, lungimile se exprim n uniti ca


Angstrom (A) i Fermi (f): 1 A = 10"l() m; 1 f = 10"i5 m.
Unitile de msur pentru lungimi, utilizate n mod obinuit n
astronomie, sunt:
unitatea astronomic (UA) - egal cu distana medie dintre Soare i
Pmnt: 1UA= 1,495980-10" m;
anul lumin (al), egal cu distana pe care o parcurge lumina n vid, n
decursul unui an: 1 al = 9,4605-l015 m;
unitatea de msur denumit parsec (PS) sau secund paralaxic este
distana de la care raza orbitei de revoluie a Pmntului n jurul
Soarelui apare sub unghiul de paralax egal cu o secund (1"): 1 ps =
206264,8 UA = 3,26169 al = 3,0875-IO16 m.
Multiplele date experimentale au scos n eviden faptul c

11

dimensiunile, duratele i masele pentru sistemele existente n natur au


valori cuprinse n game extrem de largi.

1.4 Sisteme de coordonate


Corpul material este un sistem complex. De aceea se studiaz mai
nti micarea unui corp ale carui dimensiuni i rotaii proprii sunt
neglijabile, acesta fiind denumit punct material. Dat fiiind c n cinematica
masa nu reprezint interes, punctul material devine un mobil respectiv un
punct care se mic. Un punct material poate fi o molecul, o piatr, un
electron, samd.
Traiectoria este reprezentat de linia sau curba descris de un mobil
n timpul micrii sale, respectiv este locul geometric al punctelor prin care
trece mobilul. Traiectoria poate fi rectiline sau curbilinie.
Pentru indicarea univoc a poziiei unui punct material P, se fixeaz
un sistem de coordonate format din trei axe perpendiculare ntre ele, sau
sistemul de coordonate cartezian (figura 1.2). n raport cu un asemenea
sistem de coordonate, poziia punctului material P poate fi dat prin cele trei
coordonate ale sale x, y, z, sau prin indicarea vectorului de poziie r, denumit
i raz vectoare.
r = OP = xex + yey + zez = |r| er = rer

(1.10)

Unde ex sunt vectorii unitate ai celor trei axe de coordonate, cu


modulele I e v l, I ev I, I e. I, iar e,. este vectorul unitate care indic direcia
OP.

12

Figura 1.2 - Sistemul de coordonate cartezian


Direcia OP mai poate fi indicat de unghiurile a, P i y pe care aceast
direcie le face cu axele Ox, Oy i Oz :
x
y
z
cos , cos , cos
r
r
r

(1.11)

,unde modulul razei vectoare r este:


r r 2 z 2 x2 y2 z 2

(1.12)

Cosinuii directori trebuie s satisfac condiia (1.13):

cos 2 cos 2 cos 2

x2 y2 z2
1
z2

(1.13)

Rezult c numai dou dintre cele trei unghiuri sunt independente.


Pentru stabilirea univoc a poziiei punctului material P sunt necesare dou
unghiuri i distana OP = r. Direcia OP mai poate fi indicat de unghiurile
a, P i y pe care aceast direcie le face cu axele Ox, Oy i Oz.Poziia
punctului material P poate fi stabilit i cu ajutorul unui alt sistem de
coordonate, ca de exemplu, sistemul de coordonate sferice (figura 1.3).

Figura 1.3 - Sistemul de coordonate sferice

13

Cunoaterea coordonatelor r, si permite calculul coordonatelor


x, y, z:

x r sin cos cos


y r sin sin sin
z r cos

(1.14)

Rezult mai departe


z
y
r 2 x 2 y 2 z 2 ; cos ; tg
r
r

Este important de reinut c poziia univoc a punctului material n


spaiu este dat fie de un ansamblu de valori (x, y, z), fie de raza vectoare r.
Aceasta este o consecin a faptului c spaiul n care se desfoar
evenimentele fizice este tridimensional. Se mai spune c un punct material n
spaiu este caracterizat de trei grade de libertate.
1.5 Definirea mrimilor cinetice fundamentale

Pentru a compara micrile ntre ele trebuie s comparm deplasrile


mobilelor efectuate n acelai interval de timp, respectiv n unitatea de timpsecund. Viteza medie se definete prin raportul dintre vectorul deplasrii i
intervalul de timp corespunztor (1.15):

Vm

dv vt vt 0

dt
t t0

(1.15)

modulul vitezei medii este:

m vm

(1.16)

,iar unitatea de masur este v m s .Viteza medie coincide cu viteza


constant a unui mobil fictiv care ar parcurge uniform aceeasi deplasare dr
in acelasi interval de timp dt.
Viteza instantanee este limita din viteza medie cnd intervalul de
timp t tinde spre zero:

14

v lim

t 0

r dr

r
t dt

(1.17)

r este derivata de ordinul nti a funciei r r (t ) n raport cu


dt
timpul, rezult c viteza instantanee v este ntotdeauna tangent la traiectorie
n punctul corespunztor poziiei punctului material la momentul respectiv i
indreptat n sensul micrii. Putem scrie:
d r dx
dy
v
e x e y vx e x v y e y
dt dt
dt
(1.18)
,unde

dr

s-a considerat ca vectori unitate ex si ey nu ii schimb directiile. Modulul


vitezei instantanee este:

v2 v v (vx e x v y e y ) (vx e x v y e y ) vx2 v y2


(1.19)

v vx2 v y2

(1.20)

Putem scrie vectorul vitez i sub forma:


r t e r t r t0 e x t0
r t t e r t0 t r t0 e x t0
v lim
lim 0
t t0
t

0
t t0
t t0
(1.21)
dr
r t 0 t r t 0 t
dt t

(1.22)

de
er t0 t er t0 r t
dt t0

(1.23)

de unde rezult mai departe:


de
dr
v t0 er t0 r t0 r
dt t0
dt t0

dar t este ales arbitrar, deci

15

(1.24)

v t

dr t

er t r t

der t

dt
dt
Vectorii er (t ) si der (t t ) sunt perpendiculari ntre ei. Se tie:

e t e t e t 1
2

2e t

de t
dt

(1.25)

(1.26)

(1.27)

Rezult mai departe c produsul scalar dintre un vector unitate i


derivata acestuia n raport cu timpul este egal cu zero, ceea ce reprezint o
dovad a faptului c vectorii respectivi sunt orientai pe direcii
perpendiculare ntre ele.
Acceleraia medie
Vectorul vitez se schimb n timpul micrii att ca modul (n
funcie de rapiditatea deplasrii) ct i ca traiectorie (dac traiectoria este
curbilinie).
n intervalul de timp t= t - t0, variaia v a vitezei este:

v v v0 v t v t0

(1.28)

Aceeai variaie a vectorului vitez se poate produce ntr-un timp


mai lung sau mai scurt. De aceea acceleraia medie n cazul micrii
rectilinii se definete ca fiind raportul dintre variaia vectorului vitez i
intervalul de timp corespunztor, ea putnd fi pozitiv sau negativ, lund
semnul variaiei vitezei:
am

d v v t v t0

dt
t t0

(1.29)
Acceleraia instantanee este limita din acceleraia medie cnd
intervalul de timp t= t- t0 tinde spre zero, rezult:

v dv d dr


t 0 t
dt dt dt

a lim

16

2
d r

2
d t

(1.30)

Acceleraia instantanee este derivata de ordinul nti a funciei


v v (t ) respectiv derivata de ordinul al doilea a funciei r r (t ) n raport
cu timpul. Se mai poate scrie:
dv y
dv dvx

ex
ey ax ex a y ey
dt
dt
dt

(1.31)
2

a a 2 ax2 a y2

(1.32)

a ax2 a y2

(1.33)

d 2 r d 2x
d2y

e y ax e x a y e y
x
dt 2 dt 2
dt 2

(1.34)

ax

dvx d 2 x
2
dt
dt

(1.35)

ay

dv y

d2y
dt

(1.36)

dt

,unitatea de msur pentru vectorul unitate este m/s2. Mai departe innd
seama de ev putem scrie:
a(t )

dv t
dt

dv t
dt

(t ) v(t )

d (t )
dt

(1.37)

,adic acceleraia punctului material, la un moment t, este datorat att


variaiei modulului vitezei ct i variaiei direciei vitezei v.

1.6 Micarea rectilinie uniform normal

Dac viteza pe o traiectorie variaz n cantiti egale, n timpuri egale


micarea se numeste uniform variat pe traiectorie. Deplasarea mobilului n
miscarea rectilinie reprezint variaia coordonatei sale.

17

Dac punctul material se deplaseaz n lungul axei Ox cu o


acceleraie constant, rezult:
a
dv adt ,

dv d dx dx 2

dt dt dt dt 2

v a dt at c1 ,

dx atdt c1dt

(1.38)
dx
dx vdt x v dt
dt

sau

t2
(1.39)
c1t c2
2
Dac la momentul iniial t=t0=0 atunci punctul material are viteza v0
i se afla la punctul de coordinate x0:
x a tdt c1 dt a

v0 v t 0 c2

x0 x t 0 c2
Astfel obtinem legea vitezei si legea spatiului pentru miscarea rectilinei
uniform variata:
v vo
at 2
at 2
; s x x0 vot
; a
2
2
t
(1.40)

v v0 at; x x0 v0 t

Obinem:
v v0
v v0
v 2 v02
; s
s
t vmt ; t
2
a
ca
2
Ecuaia lui Galilei
v v0 2as

(1.41)

1.7 Dinamica punctului material i a corpului rigid

Mecanica clasic se bazeaz pe principiile enunate de Isaac Newton


(1642-1727) n celebra sa lucrare Philosophie naturalis principia
mathematica, publicat n anul 1686. Fora nu este un obiect concret, este
mai mult o idee ce se reduce la diverse tipuri de micri. Exista fore care
acioneaz tot timpul asupra noastr.
Experimentele au dus la urmtoarele concluzii :

18

1) Corpul sub aciunea altui corp i modific viteza adic primeste


acceleraie.
2) Un corp aflat sub aciunea altor corpuri, se deformeaz i modific
forma i dimensiunile.
Fizicianul Robert Hooke a stabilit c alungirea absolut l a unei bare
elastice este proporional cu fora F, cu lungimea l a barei neterminate i
invers proportionala cu seciunea transversal S, depinznd de modulul de
elasticitate (modulul lui Young) al materialului din care este confecionat.
Fl
(1.42)

SE
n bar apar fore elastice a cror rezultant este egal n modul i de
sens contrar forei exterioare F.
l

Fl
kc

SE
l kc l
l

(1.43)

SE
constanta de elasticitate
l

l
alungirea relativ
l

F
efortul unitar, punctual unitar
S

(1.44)

(1.45)

(1.46)

1.8 Principiile mecanicii (dinamicii newtoniene)

Principiul nti al mecanicii:


Poziia de stare, ct timp nu se acioneaz asupra corpului cu o for
extern, nu se modific. Un corp i pstreaz starea de repaus sau de
micare rectilinie uniform atta timp ct asupra lui nu se acioneaza cu
o for extern care s i modifice aceast stare.
Principiul al doilea al mecanicii - Principiul fundamental al dinamicii:
Derivata impulsului p = mv al unui punct material n raport cu timpul,
reprezint rezultanta F a forelor care acioneaz asupra punctului

19

material ca urmare a interaciunilor cu alte corpuri. Fora este direct


proporional cu produsul dintre masa i acceleraia corpului.
Newton a definit masa unui corp ca fiind msura cantitaii de materie
coninute n corp.
Pentru a demonstra acest principiu derivm impulsul n raport cu timpul:
dp d
mv F
dt dt
m ct

(1.47)

d
dv
d 2r
mv

m
ma F

dt
dt
dt 2

(1.48)

sau pe componente:
d 2x
Fx
dt 2
d2y
m 2 Fy
dt
d 2z
m 2 Fz
dt
m

d 2 x dvx Fx

dt 2
dt
m

vx

Fx
F
dt x t c1

m
m

(1.49)

Fx
Fx t 2
d x vx dt x vdt tdt c1 dt
c1t c2
n
m 2
Fy t 2
c3t c4
m 2

(1.51)

Fz
Fz t 2
vz t c5 z
c5t c6
m
m 2

(1.52)

vy

x xt , c1 , c2

y y t , c3 , c4

z z t , c5 , c6

(1.50)

Fy
m

t c3 y

r t , c1 , c2 , c3 , c4 , c5 , c6
t timpul

(1.53)

c1 c6 constanta de integrare
dp Fdt

(1.54)

20

dpx Fx dt
dp y FY dt

dp FZ dt
t

dt px t px t0

(1.55)

t0

aria suprafetei masurate este egala cu variatia componentei impulsului pe


axa Ox ,t= t- t0
Principiul al treilea - se refer la faptul c pentru orice aciune exist o
reaciune egal i de sens contrar. Dac un corp acioneaz asupra altui corp
cu o for (notat F12 ) atunci cel de al doilea va aciona asupra primului cu
for F21 F12
1.9 Lucru mecanic. Energia. Puterea

n activitatea sa fizic omul intrebuinteaz fie propria sa for


musculara, fie aceea a animalelor de munc sau chiar a mainilor, n scopul
de a pune n micare o unealt, un vehicul prin nvingerea unei alte fore
care se opune micrii sau ineriei.
n toate procesele n care se transmite micarea de la un corp la altul,
rolul esenial l joac o mrime fizic numit Lucru Mecanic. Msura
lucrului mecanic este legat de fora i de deplasarea punctului de aplicaie
al forei.
O for efectueaz lucru mecanic cnd aceasta acionnd asupra unui
corp i deplaseaz punctul de aplicaie pe o anumit distan. Un corp ale
crui deplasri n spaiu sunt limitate se numete corp supus la legturi
(tramvai). Un corp ce nu este legat de alte corpuri i care se poate deplasa n
orice direcie din spaiu se numete corp liber (balon).
Lucrul mecanic al unei fore constante al crui punct de aplicaie se
deplaseaz pe distana d, n direcia i n sensul forei este egal cu produsul
dintre mrimea forei i deplasare.
L=F*d

(1.56)

Fora care produce micarea se numete for motoare, iar fora ca se


opune micarii se numeste for rezistent. Un joule este lucrul mecanic
efectuat de o for de 1 newton, al crui punct de aplicaie se deplaseaz cu 1
metru pe suportul forei i n sensul ei.

21

Lucrul mecanic elementar efectuat de fora F pentru deplasarea unui


punct material pe o traiectorie C se definete prin produsul scalar :
dL Fdr Fvdt
r2

L1 2

t2

dr
d 2r
Fdr F dt F m 2
dt
dt
r1
t1

dL F

(1.57)

mv 2
dr
d 2 r dr
dt m 2
dt mvdv ; d
dEc
dt
dt dt
2

mv 2 mv22 mv12
d

Ec2 Ec1 Ec

2
2
2
t1
t2

L12

(1.58)

Lucrul mecanic efectuat de rezultanta forelor reprezint variaia


energiei cinetice a punctului material (teorema variaiei energiei cinetice).
Energia cinetic este energia pe care o au corpurile aflate n micare i este
egal cu semiprodusul dintre masa i ptratul vitezei corpului.
Energia potenial este aceea form de energie caracteristic unui
corp aflat n repaus. De asemenea este energia ce se nmagazineaz la
ridicarea unei greuti, acionarea unui resort, ntinderea unui elastic.
Deasemenea energia poate fi nmagazinat atunci cnd urci, fiind vorba de
energie potenial, ce se poate transforma n energie cinetic n momentul
coborrii.
Fora elastic este direct proporional cu alungirea absolut:

Fx kc x

(1.59)

x alungirea absolut
r2

kc x12 kc x22

2
2
r1
Fora gravitaional este definit ca fiind:
L12 kc xdx

m1m2
r
r2

(1.60)

m1m2
r2

(1.61)

22

dL Fdr

rd r

r2

dr

d m1m2

(1.62)
(1.63)

dr

2
r
r1 r2
r1

r2

L1t

(1.64)

Fora de greutate omogen:


G mg mgc z

(1.65)

dL= Gdr=-mgd z

(1.66)

z2

L12 mg dz mg z1 z2

(1.67)

z1

Lucrul mecanic nu depinde de fora drumului ntre poziiile L1 2 .


Fora de frecare : Ff N , unde coeficient de frecare . N este rezultanta
forelor de apasare pe direcia perpendicular la suprafaa de contact.
Fora conservatoare - este fora pentru care lucrul mecanic efectuat
este independent de forma drumului ntre poziia iniial 1 i poziia final 2.
Fora non conservatoare (disipativ) fora pentru care lucrul
mecanic efectuat depinde nu numai de capetele ci i de forma drumului.

C Fd r 0

(1.68)

, independent de forma drumului i lucrului mecanic efectuat de forele


conservatoare conduce la concluzia c circulaia acestor fore pe un drum
nchis, de orice form este egal cu zero

L Fd r 2rg 0

Produsul scalar Fdr = diferentiata total exact a unor funcii scalare:

23

(1.69)

F E p

x y2 z2
2

(1.70)

2 x2 y 2 z 2

32

2 xe

2 yey 2 xez

r2

Rezult mai departe:


dL dEc dE p ; d Ec E p dE 0; E Ec E p ct

(1.71)

mv12 ke x12 mv22 ke x22 mv 2 ke r 2

ct
2
2
2
2
2
2
ptr. punctul material sub aciunea forei elastice
mv12 mv22 mv 2


ct
2
r1
2
r2
2
r
dL
dr
P
F
F v
dt
dt

Mrimi fizice importante n dinamica punctului material


1. Momentul cinetic:

(1.72)

dl dr
dp

pr
rF M
dt dt
dt

(1.73)

L rx p m r x v

2. Momentul forei:

Dac F = 0 sau dac punctul material se afl sub aciunea unor fore centrale
M = 0:
dl
0 , l = ct
dt

(1.74)

Conservarea momentului cinetic implic pstrarea planului de


micare.

24

1.10

Legile ciocnirii

Pornim de la un sistem ce cuprinde ecuaia de conservare a


impulsului i ecuaia de conservare a energiei cinetice.

m1v1 m2v2 m1v1' m2v2'


m1v12 m2v22 m1v12' m1v22'

Q
2
2
2
2

(1.75)

Q indic o pierdere a energiei cinetice iniiale care urmare a transformrii


acesteia n cldura sau n alte forme de energie
Pentru Q = 0 => ciocnire perfect elastic
Q 0 => ciocnire inelastic
Ciocnirea inelastic (plastic) reprezint ciocnirea a dou corpuri,
care n urma ciocnirii se deformeaz. Iniial corpurile au fiecare viteze
proprii, iar n urma ciocnirii ele vor pleca impreun cu aceeai vitez.
Ciocnirea plastic are loc cu degajare de caldur.
Demonstraia pornete tot de la legile de conservare a impulsului i a
energiei cinetice:

m1v1 m2v2 m1 m2 v
m!v12
2

m2v22 m1 m2 v 2

Q
2
2

m1v1 m2v2
m1 m2

(1.76)
(1.77)

(1.78)

2
m1m2
v1 v2 2 mr vr
2m1 m2
2

(1.79)

Ciocnirea elastic Q=0. Ciocnirea elastic reprezint ciocnirea a


dou corpuri, fr degajare de cldur. Spre deosebire de ciocnirea plastic
n care corpurile se unesc n urma ciocnirii, n cazul ciocnirii elastice,
corpurile vor pleca mai departe cu viteze diferite, pe traiectorii diferite.
Dac avem 2 mingi care se ciocnesc, n urma ciocnirii, ele i
transfer energia cinetic. Demonstraia ca i n cazul ciocnirii plastice
pleac tot de la ecuaiile de conservare a impulsului, respectiv a energiei
cinetice:

25

m1v1 m2 v2 m1v1, m2v , 2


m1v 21 m2v2 2 m1v1,2 m2v ,2 2

2
2
2
2
,
,
m1 v1 v1 m2 v2 v 2

(1.80)

m1 v12 v,21 m2 v2 2 v,2 2


v1 v1, v2 v, 2 ; v , 2 v1, v1 v2 v2 v1

v '1
v, 2

m1 m2 v1 m2v2
m1 m2

m2 m1 v2 2m1v1
m1 m2

m1 m2 m; v1, v2 ; v2 v1

(1.81)

1.11 Legile gazelor

Legea Boyle-Mariotte (transformare izoterm)


T ct , m ct

(1.82)

Presiunea unui gaz aflat la temperatur constant variaz invers


proporional cu volumul gazului
pV = ct

(1.83)

Legea Gay-Lussac (transformare izobar)


p = ct, m = ct

(1.84)

Volumul unui gaz aflat la presiune constant variaz direct


proporional cu temperatura

26

V
ct
T

V Vo
t
V0

(1.85)

V V0 1 t

(1.86)

Legea lui Charles (transformare izocor)


V= ct, m = ct

(1.87)

p p0
t p p0 1 t
p0

(1.88)

Presiunea unui gaz ideal meninut la volum constant variaz liniar cu


temperatura
p p0
p
(1.89)
p p0T

ct
T T0
T

1.12 Principiul nti al termodinamicii

Pentru sisteme inchise: U U 2 U1 Q L

(1.90)

U U 2 U1 variatia energiei interne a sistemului n proces L1-2


Q Cldura primit Q 0
Cldura cedat Q 0
L lucru mecanic - efectuat de sistem L 0
- efectuat asupra sistemului L 0
U U 2 U1 Q L Q L
(1.91)
T - energia de transport primit sau cedat prin schimbul de particule cu
mediul nconjurator.

U Q L T

(1.92)

Lucrul mecanic efectuat pentru polarizarea unitii de volum a unui


dielectric omogen este :

27

Lp Ed P

E = intensitatea cmpului electric


P = vectorul polarizrii

P P E , T D 0 E 0 0 1 e T 0 E

e T 0 T 1

(1.93)

Dac procesele termodinamice sunt ciclice:


dU 0

Q L 0 L Q

(1.94)
Este imposibil de realizat o main termic care ar putea s efectueze
lucru mecanic, ntr-un proces ciclic, far s primeasc caldur din exterior
(perpetuum mobile de spea I ):
pdv 0 i

dU 0

(1.95)

Energia intern caracterizeaz rezerva de energie a unui sistem


termodinamic care poate fi cedat sub forma de caldur prin efectuarea de
lucru mecanic.

1.13 Principiul al doilea al termodinamicii

Dac este satisfacut relaia U1 U 2 Q1 Q2 (conservarea


energiei), nseamn c exist posibilitatea trecerii de la un corp cu
temperatura mai mic la un corp cu temperatura mai mare.
ntr-un proces 1-2, corpul primete caldura Q1 2 efectueaz lucrul mecanic
L1 2
Q1 U 2 U1 L1 2
(1.96)
Pentru procesul 2-1
Q1 U1 U 2 L12 Q1 Q2 L12 L21 L

28

(1.97)

Randamentul:

L Q1 Q2

Q1
Q1

(1.98)

Nu este posibil realizarea unei maini termice care s efectueze un


Q
lucru mecanic far surs rece de caldur : Q2 0 1 1 (practic nu se
Q1
poate realiza acest lucru )
Lucru mecanic poate fi integral transformat n caldur, iar caldura nu
poate fi niciodat transformat integral n lucru mecanic
Q L; L Q
(1.99)
L Q ;Q L
Principiul enunt: este imposibil de realizat o transformare al crui
unic rezultat final s fie transformarea n lucru mecanic a cldurii primite de
la o surs de temperatur uniform.
ntr-o destindere izoterm a gazului ideal, lucru mecanic efectuat
este egal cu cldura primit.
n apropierea oricrei stri termice de echilibru a unui sistem
termodinamic omogen, exist alta stare, care se deosebete puin de prima i
care nu poate fi atins niciodat, plecnd din prima stare ntr-un proces
cvasistatic, reversibil i adiabatic. Orice sistem aflat n echilibru
termodinamic este caracterizat de o nou functie de stare entropie
empiric, care nu variaz n timpul proceselor cvasistatice i adiabatice (
analogie cu Q temperatura empiric, care nu variaz n procesele
cvasistatice i izoterme).

1.14 Principiul al treilea al termodinamicii

La T = 0, entropia sistemelor termodinamice tinde spre o valoare constant.


lim S 0

T ok

(1.100)
Pentru T 0k , S 0 entropia absolut a unui sistem
termodinamic tinde ctre 0, cnd temperatura absolut tinde ctre 0K (Max
Plank)
lim S 0
T ok

(1.101)
Consecinte:

29

1. Indiferent de procesul efectuat de sistemul termodinamic, capacitatea


caloric a sistemului termodinamic se anuleaz o dat cu temperatura
S
S

lim C lim T
lim T

T ok
T ok
T T ok ln T

(1.102)
n particular:

lim Cv lim T
0
T ok
ln T

T ok

(1.103)
S

lim T
C p Cv 0 pentru temperaturi de Ok nu
0 sau Tlim
ok
T 0 k
ln T
este valabil nici ecuaia de stare.
2. Pentru T 0k , coeficientul de dilatare termic i coeficientul termic
al presiunii , tind la zero.
3. Pentru T 0k , entropia nu poate fi modificat prin nici un fel de
aciune; izoterma de zero absolut; coincide cu adiabata.
Semnificaia fizic a anulrii capacitii calorice la T 0k este urmatoarea:
Temperatura de 0k reprezint acea stare n care
sistemul nu mai poate ceda caldur, deoarece este
atins starea de energie minim.
Temperatura 0k este principal inaccesibil.

30

Unitatea de nvare 2 Electricitate. Optic


Obiective:

Noiuni generale legate de electricitate i optic;


Teoremele lui Kirchhoff;
Legile fundamentale ale opticii geometrice.

2.1 Cmpul electromagnetic. Cmpul electrostatic

Cauza atraciei gravitaionale o reprezint masa corpurilor. Analog,


sarcina electric este cauza interaciunilor culombiene. Se noteaz cu q sau
Q i este ireductibil la alte mrimi fizice, adica interaciile electromagnetice
nu pot fi reduse la alte tipuri de interacii. Forele dintre corpurile ncrcate
cu sarcina electric sunt de atracie sau de respingere. Aceasta a condus la
concluzia c exist dou tipuri de sarcini: pozitive i negative. Sarcina
electric este un numr ntreg de sarcini elementare, e 1,61019 C . Sarcina
electric macroscopica a unui corp este suma algebric a sarcinilor electrice
pozitive i negative

q N e eN eN N Ne

(2.1)

Dac N N , corpul nu este ncrcat cu sarcina electric. Din experimente


rezult c sarcina negativ este egal n valoare absolut cu sarcina pozitiv,
eroarea relativ fiind:
e e
e

10 21

(2.2)

Legea conservrii sarcinii electrice: ntr-un sistem izolat de corpuri, suma


algebric a sarcinilor electrice rmne constant.

31

2.2 Intensitatea cmpului electric. Teorema lui Gauss

F21 F12

1 q1q2
1
er
2
4 r
4

permitivitatea absolut a mediului = 0 r


Pentru vid 0 8,8541012 F

q1q2

r2 r1

r2 r1

(2.3)

r permitivitatea relativ
9 109 m

F
4 0
Fora cu care sarcina electric q acioneaza asupra unei sarcini
electrice de prob qi , este dat de formula :

Fi qi

q
4 r 2

(2.4)

er

Intensitatea cmpului electric generat de o sarcin electric


punctiform
E

Fi
q
er

qi 4 r 2

(2.5)

Liniile de cmp electric se definesc prin familia de curbe tangente n


fiecare punct la direcia local a vectorului E . Sensul liniilor de cmp
electric coincide cu sensul forei care ar aciona, n punctul respectiv, asupra
unei sarcini electrice pozitive.
Numrul liniilor de cmp care strpung unitatea de arie a unei
suprafee perpendicular pe aceste linii este numeric egal cu intensitatea
cmpului electric . Liniile de cmp electric pornesc de la sarcinile electrice
pozitive i ajung pe sarcinile electrice negative.
Principiul superpoziiei cmpurilor electrice
Dac ntr-un punct din spaiu, cmpul electric este generat de un
ansamblu de sarcini electrice punctiforme q1 , q2 ,...., qn , atunci intensitatea
cmpului electric generat de sarcina electric qi , v-a fi:
E E1 E 2 .... E n n 1 E i
n

(2.6)

Fluxul printr-o suprafa a unei sfere de raz r , n centrul creia se afl


sarcina electric pozitiv q , va fi:

32

E EdS
S

q
q

2
E
3r

(2.7)

Teorema lui Gauss


Fluxul vectorului intensitate a cmpului electric E , printr-o
suprafa nchisa, de orice form, este egal cu suma algebric a sarcinilor
electrice din interiorul volumului limitat de suprafa imparit la
(permitivitatea absolut).

e EdS

q
n 1

(2.8)

intensitatea volumica de sarcin electric este:


q dq

v 0 V
dV

lim

m3

q pdv
i

n 1

(2.9)
(2.10)

Eds pdv

(2.11)

Formula Gauss Ostrogadsky

Ax Ay Az
dv

y
z
x

Ads

(2.12)

dv dx dy dz

(2.13)

Eds divEdv

(2.14)

divEdv pdv
v

divE dv 0

(2.15)

(2.16)

33

Volumul este arbitrar; divE


mediul omogen ct .

teorema lui Gauss sub forma local pentru

2.3 Potentialul cmpului electrostatic

Lucrul mecanic efectuat pentru deplasarea sarcinii electrice q1 , din


poziia 1 n poziia 2 , n cmpul electric generat de sarcina electric q, aflat
n repaus:
dL Fdl q1 Edl q1Edl cos q1Edr
q1

dr
4 r 2

L1 2 q1

(2.17)

r2

dr

4 r

q1

r1

q 1 1

4 r1 r2

Cmpul electrostatic este un camp de fore conservative, deoarece


lucrul mecanic nu depinde de forma drumului ntre poziiile 1 i 2. Lucru
mecanic efectuat de fore conservative este diferena dintre energia
poteniala a sistemului n starea iniiala i n starea final.

L1 2 Ep1 Ep2
Ep1 q1

Ep2 q1

q
4 r1
q
4 r2

(2.18)

(2.19)

(2.20)

C = constant arbitrar
Dac pt. r , se consider Ep=0 atunci C=0
Potenialul al cmpului electric general de sarcina electric ,
ntr-un punct din spaiu este energia potenial a sistemului format din
sarcina electric q i sarcina q1 , pozitiv i de valoarea unitate q1 C
aflat n punctul respectiv.

34

Ep
q1
E p1

q1
Ep2

q1

(2.21)

(2.22)

4 r1
q

(2.23)

4 r2

L12 q1 1 2
2

1 2 = Ed l

(2.24)

dac pentru r2 , 2 0 , r1 r

Ed l
r

4
r

dr
q

r
4r

(2.25)

deci potenialul ntr-un punct din spaiu reprezint lucrul mecanic necesar
deplasrii sarcinii electrice q1 1C din punctul respectiv la infinit.
Unitatea de msur pentru potenialul electric este voltul (V)

si

V 1J

(2.26)

Legatura dintre potenialul i intensitatea E a cmpului electric : E=grad


Concluzii:
Intensitatea cmpului electric E , pe suprafeele
echipoteniale x, y, z ct

Vectorul E este orientat de la suprafaa echipotenial


cu potenial mai mare spre suprafaa echipoteniala cu
potenial mai mic

2.4 Conductori n cmp electric. Condensatori

Pentru realizarea echilibrului electrostatic trebuie satisfcute urmatoarele


condiii:

35

1. Intensitatea cmpului electric din interiorul conductorului este zero


E int 0
Eint i 0 unde i ct
(2.27)

(2.28)
unde i 0
E int 0

2. Intensitatea cmpului electric n orice punct de pe suprafaa extern a


conductorului este orientat perpendicular pe suprafaa acestuia
Ee En

Etg 0

(2.29)

Suprafaa exterioar a conductorului aflat n cmp electric exterior


este echipotenial. Densitatea superficial de sarcin electric (sarcina
electric pe unitatea de arie).
qs

q
S

c
m2

qS si

(2.30)

Intensitatea conform teoremei Gauss:


E S

qs S

qs

(2.31)

Distribuia sarcinilor electrice pe conductor sub aciunea cmpului


electric exterior se numete inducie electrostatic. Capacitatea electric a
conductorului este :
q
unde este definitit pn la 0 constanta aditiv arbitrar
C

q
(2.32)
C
c s
R , s 0

C si F

(2.33)

(2.34)

1C
V

(2.35)

36

Potenialul unei sfere de raza R, din vid, este:


1

q
1 q
dr
2
R r
4 0 R

4 0
q
C 4 0 R

(2.36)
(2.37)

Capacitatea electric a unui condenstator reprezint raportul dintre


sarcina electric q i diferena de potential dintre armturi:
q
(2.38)
C
1 2
Condensatorul plan, este format din dou armturi plane de arie S
fiecare i aflate la distane d una de alta. Intensitatea dintre armturi este :
E

qs

q
s

(2.39)

Diferena de potenial:

1 2 Ed
C

qd
S

(2.40)

q
S

1 2 d

(2.41)

Cu ajutorul teoremei lui Gauss se poate stabili capacitatea electric


pentru condensatori sferici, cilindrici. Pentru condensatori cu capacitate
Ci c 1 n conectai n paralel:
n

C Ci

(2.42)

n
1
1

Cs i 1 Ci

(2.43)

i 1

n serie:

Energia cmpului electric

37

L1 q11
L2 q2 2

(2.44)

L1 L2
lucru mecanic pentru apropiatele a dou sarcini 1 si 2
We q11 q22

1
q11 q22
2

(2.45)

Energia potenial a sistemului pentru dou sarcini. Pentru N sarcina:


We

1 N
i i sau
2 i 1

We

1 1
2 4

(2.46)

qi q j

i 1

j 1

rij

(2.47)

Energia condensatorului poate fi exprimat funcie de intensitatea


cmpului electric:
CU 2 S 2 U
We

U Sd
2
2d
2 d
2

(2.48)

V Sd - volumul dielectricului dintre armturile condensatorului


2

We 0 r E 2 E D
D
We

V
2
2
2 0 r
DWe r 1

0E2

(2.49)

(2.50)

We E 2
qm 2 2
c
2c

(2.51)

38

2.5 Curentul electric continuu

Viteza medie a micrii ordonate a purtatorilor de sarcin electric,


liberi n conductori, sub aciunea cmpului electric se numete viteza de
diferen sau de antrenare.
Mrimi caracteristice ale curentului electric:
Intensitatea curentului electric I = mrime fizic secundar, egal
cu sarcina electric care trece prin seciunea transversal a conductorului n
unitatea de timp.
I

Q
t

(2.52)

Densitatea curentului electric j = mrime fizic vectorial,


orientat n sensul intensitii curentului electric i avnd modulul egal cu
sarcina electric care trece prin unitatea de timp, prin unitatea de arie a
seciunii transversale a conductorului.
Q
(2.53)
j si A m 2
St
Pentru o poriune de conductor, care conine i purtator de sarcin electric
, n unitatea de volum, n intervalul de timp t trece sarcina:
j J

Q nqSvd t

(2.54)

Q
nqvd
St

(2.55)

j nqvd

(2.56)

Sensul curentului electric se consider sensul deplasrii ordonate a


purttorilor de sarcin electric. n cazul conductorilor metalici, fiecare
atom are un electron de valen care se poate deplasa sub aciunea cmpului
electric, n intregul conductor.
A
Volumul molar = V
unde A= masa atomic , m= densitatea masic
m

Na

NA m
V
A

(2.57)

39

Purttorii de sarcin n metale sunt electronii care au sarcina electric q=e=


1,6 10 19 C i densitatea curentului electric este:
N Aqmcvd S
A
N A m cvd S
sau
I jS
A
IA
viteza de drift : vd
N A m cS
j ne vd

(2.58)
(2.59)
(2.60)

2.6 Teoremele lui Kirchhoff


1.Prima lege = legea conservrii sarcinii electrice afirm c suma algebric
a intensitilor curenilor electrici dintr-un nod al reelei este egal cu zero.
n

I
i 1

(2.61)

Intensitatea curenilor electrici care intra ntr-un nod, se iau cu semnul plus,
iar intensitile curenilor care ies din nod se iau cu semnul minus.
2. A doua teorem a lui Kirchhoff = generalizare a legii lui Ohm, i
afirm c n orice ochi a reelei electrice, suma cderilor de tensiune R i I i ,
este egal cu suma algebric a tensiunilor electromotoare conectate n ochiul
respectiv :
n

i 1

i 1

Ri Ii Ei

(2.62)

Pentru n rezistori , cu rezistenele R1 , R2 ,....Rn , grupai in serie, rezistena


echivalent este:
n

R R1 R2 .... Rn Ri
i 1

Pentru rezistori n paralel, rezistena echivalent:

40

(2.63)

n
1
1

R i 1 Ri

(2.64)

2.7 Cmpul magnetic

Columb a stabilit experimental c fora de interaciune dintre polii


unor magneti permaneni poate fi scris analog cu fora electrostatic
M 1M 2
(2.65)
r2
,unde M1 i M2 sunt sarcinile electrice magnetice ale polilor
n natur nu exist sarcini magnetice, adic nu poate fi separat polul
nord de polul sud prin divizarea magneilor permanenti.
Fm E

2.7.1 Cmpul magnetic generat de curentul magnetic continuu

Intensitatea punctului magnetic generat de elementul de lungime dl,


dintr-un conductor parcurs de curentul electric de intensitate I, este dat de :
dH

I d lr
4 r 3

Formula lui Biot-Savart Laplace

Pentru un conductor liniar avem formula:

dH

I dl sin
4 r 2

(2.66)

dH

1
sin d
4R

(2.67)

R
R

d
sin sin 2

Conductorul liniar va genera ntr-un punct pe mare un camp


magnetic de intensitate:

41

1
1
cos 1 cos 2
H
sind

4R 1
4R

(2.68)

n cazul n care conductorul liniar poate fi considerat de lungime


infinit, avem: 1 0, 2 , iar intensitatea cmpului magnetic n punctul
1
A
P, este H
, unde H .
2r
m
Circulaia vectorului H pe un contur circular de raz R este:
C ' H Hdl
r

1
1
dl
1

r
2R
2R

(2.69)

Dac suprafaa S pe care se sprijin punctul centrului arbitrar este


sinapsa de mai multi cureni atunci:
n

H d l Ii

(2.70)

i 1

Putem considera c prin suprafaa S trece un curent electric de


densitate j , ceea ce ne conduce la :
n

I jd s H d l jd s
i 1

(2.71)

Formula Stokes

H d l rot H d s
S

jd s

rot H j

dH

(2.72)

I d lr 2
s d lr qnvS d l r nsd lq nr
j

3
4 r
4r 3
4r 3
4r 3

(2.73)

Dac dN = ns dl = numrul purttorilor de sarcin electric din elementul de


conductor considerat:

42

dH

q vr
dN
4r 3

(2.74)

dH
1 vr
H

dN 4 r 3

Fora exercitat de cmpul magnetic asupra unui curent electric


Asupra unui purttor de sarcin electric q, care se deplaseaz cu
viteza v ntr-un domeniu din spaiu, n care cmpul electric are intensitatea
E , iar cmpul electric este caracterizat de inductia E , iar cmpul magnetic
este caracterizat de inducia B va aciona o for:

F qE v B - fora Lorentz

(2.75)

Fm qV B

(2.76)

Unitatea de masur B =

-fora magnetic

Ns Nms
Js
Vs
2
2 T
2
mC m C Cm
m

dF ndv qv B j B dV
dl

dF
B
dV

(2.77)
(2.78)

nqV

(2.79)

(2.80)

d F j B Sdl I d l B

d l reprezint un atom de lungime a conduct, orientat n sensul densitii.

I j lB

(2.81)

F BIl sin

(2.82)

ntre conductoarele parcurse de cureni electrici apar forte de interaciune,


denumite fore electrodinamice. Pentru 2 conductoare rectilinii i practic
infinite, fora care actioneaza asupra unei poriuni al unuia dintre
conductoare este :
F21 F12 F

I1 I 2
l
2r

43

(2.83)

permeabilitatea absolut a mediului n care se afla cei 2 conductori


B H o r H

(2.84)

0 4 107 H m

2.7.2 Fluxul magnetic

Liniile de cmp magnetic sunt curbe n spaiu, tangente n fiecare


punct la direcia induciei magnetice B. Definim fluxul magnetic printr-o
suprafa S:

Bd S si si Wb weber

(2.85)

Un Wb este fluxul magnetic al unui cmp magnetic uniform de


inducie B= 1T, printr-o suprafa de arie S=1m2 , perpendicular pe liniile
de cmp magnetic :
1Wb=1Tm2

(2.86)

Liniile de cmp magnetic sunt curbe nchise, ceea ce nseamn c


fluxul magnetic printr-o suprafa nchis de orice form este egal cu zero:

Bd S div Bdv 0

(2.87)

Volumul V este arbitrar,


divB 0 sau divH 0
Din relaiile de cmp electrostatic rezult divD si div E

(2.88)

i liniile de

cmp electric pornesc i se termin pe sarcini electrice.


n natur nu exist sarcini magnetice, adic magnetii microscopici cu
un singur pol, numii monopoli magnetici, de la care s porneasc, sau pe

44

care s se termine liniile de cmp magnetic. Lucrul mecanic n cmp


electrostatic pe un conductor nchis de orice form este egal cu zero:

Ed l rot EdS 0

(2.89)

sau rotS 0, rot D 0 i rot H j si rot B j


Fie un conductor liniar, parcurs de un curent liniar cu intensitatea I,
aflat ntr-un cmp magnetic de inducie B. Pentru deplasarea uniform a
conductorului n cmpul magnetic este necesar s se efectueze lucrul
mecanic:
BI
L F x
IBS
(2.90)
x
L I
Lucrul mecanic efectuat pentru deplasarea unui conductor parcurs n
cmp magnetic, este egal cu produsul dintre intensitatea curentului electric
i fluxul magnetic prin suprafaa maturat de conductor.

2.8 Legile fundamentale ale opticii geometrice


Optica geometric sau optica razelor de lumin este un capitol al
opticii generale, care studiaz propagarea luminii prin medii fizice izotrope
i omogene separate prin suprafee plane sau sferice.Lumina, sub form de
raze,care pornete de la punctele luminoase sau luminate ale unui obiect,
trece prin diferite piese ce constituie un sistem optic urmrind s obin
imaginea acelui obiect, imagine care poate fi real dac este obinut din
intersecia razelor emergente sau virtual dac se obine din prelungirea
razelor emergente.
Obiectul
de studiu al opticii geometrice este reprezentat de studierea legilor de
propagare a luminii i aplicarea acestora pentru a face posibil construirea
instrumentelor optice, astfel nct imaginile obinute s fie ct mai
asemntoare cu obiectele, fr a ine cont de natura luminii. ntre
instrumentele construite cu ajutorul acestor legi se afl aparatul de
fotografiat, proiectorul, etc. Legile opticii geometrice fac abstracie de
caracterul ondulatoriu al luminii, cu toate c, n fotografie, caracterul
ondulatoriu determin o serie important de evenimente (difracia,
interferena i polarizarea luminii).
Legile fundamentale ale opticii geometrice au fost determinate n
urma numeroaselor experimente i observaii. Impactul unei raze de lumin

45

asupra unui obiect determin reflexie, refracie i absorbie, n proporii


diferite, dependente de mediul imergent i de mediul emergent. Au fost
identificate:
1. Legea propagrii rectilinii a luminii n medii omogene - demonstrat
prin fenomenul de umbr. Segmentul de dreapt de-a lungul cruia se
propag lumina poart numele de raz de lumin. Un grup de raze de lumin
formeaz un fascicul de lumin. Dac toate razele de lumin se ntlnesc
ntr-un punct, fasciculul este denumit convergent. Dac, invers, toate razele
de lumin emerg dintr-un punct, fasciculul este divergent. Dac, n schimb,
razele de lumin sunt paralele ntre ele, fasciculul se numete cilindric.
2. Legea independenei mutuale i a inversiunii drumului optic parcursul unei raze de lumin este independent de aciunea altor raze i de
sensul de propagare. Independena mutual se demonstreaz cu ajutorul
camerei obscure (stenopa).
3. Legile reflexiei stabilesc comportamentul unei raze de lumin care ajunge
la limita de separare dintre dou medii de propagare diferite, n timp ce o
parte din lumin se ntoarce n mediul din care a venit (fenomen de reflexie).
Punctul de contact dintre raza luminoas i suprafaa de separare se numete
de punct de inciden, iar punctul n care raza incident vine sub un unghi cu
perpendiculara locului numit unghi de inciden, n timp ce raza ntoars n
mediul din care a venit se numete raza reflectat.

Figura 2.1 - Reflexia luminii


Reflexia se face sub un unghi ce poate fi calculat i care se numete unghi
de reflexie.
Legile reflexiei:
a. raza incident, normala i raza reflectat sunt n acelai plan;

46

b. unghiul de reflexie este egal cu unghiul de inciden. Reflexia la nivelul


unei suprafee perfect plane va face ca un fascicul de raze paralele s fie
reflectat la fel ca un fascicul de reflexie cu raze paralele. Reflexia razelor pe
o suprafa cu mici denivelri determin mprtierea razelor reflectate n
toate direciile (difuzia luminii). Reflexia difuz permite vederea i
fotografierea obiectelor din mediu.
4. Legile refraciei se refer la comportamentul unei raze de lumin care
trece dintr-un mediu omogen i transparent n alt mediu omogen i
transparent, ce are proprieti diferite. Se poate observa c raza incident nu
mai pstreaz direcia din mediul imergent ci pare c se frnge. Aceast
schimbare de direcie poart numele de refracie iar unghiul dintre normal
i raza refractat poart numele de unghi de refracie.
Refracia se supune urmtoarelor legi:
1) raza incident, normala i raza refractat se afla n acelai plan;

Figura 2.2 - Refracia luminii


2) raportul dintre sinusul unghiului de inciden i sinusul unghiului de
refracie, pentru dou medii date, are o valoare constant si poart numele de
indice de refracie al mediului al doilea faa de primul;

47

sin(i)/sin(r) = n
(2.91)
3) indicele de refracie al unui mediu transparent faa de vid se numete
indice de refracie absolut;
4) indicele de refracie al unui mediu n2 fr de un mediu n1 poart numele
de indice de refracie relativ i este egal cu raportul dintre indicii absolui
(n2/n1);
5) indicele de refracie este dependent de lungimea de und (pentru radiaia
vizibil: culoarea) a luminii incidente.
Indicele de refracie
Mediul
(n)
Aer
1,003
Apa
1,33
Alcool etilic
1,36
Sare
1,54
Sulfura
de
1,63
carbon
Sticla crown
1,52
Sticla flint
1,76
Diamant
2,42
Vid
1,000
5. Reflexia total. n cazul n care o raza de lumina se refract dintr-un
mediu mai dens optic ntr-un mediu mai puin dens optic (de exemplu, din
sticl n aer sau din ap n aer), unghiul de refracie este ntotdeauna mai
mare dect unghiul de inciden i deci poate ajunge la valoare de /2 pentru
o valoare i(i mai mic dect /2) a unghiului de inciden.
La valoarea i a unghiului de inciden, raza este reflectat integral n mediul
din care a venit. Unghiul i poart numele de unghi limit i fenomenul care
se petrece n aceste condiii se numete reflexie total. Unghiul limit este
dependent de indicele absolut de refracie al celor dou medii, conform
ecuaiei:
sin(i) = n2/n1
(2.92)
n concluzie, corpurile asupra crora cade lumina determin:
reflexia, refracia i absorbia radiaiei, fenomene ce au loc simultan.
Reflexia poate fi dirijat (ca n cazul oglinzilor, utilizate inclusiv n
aparatele foto reflex), sau difuz (reflexia se face n toate direciile, ceea ce

48

permite vederea lor i nregistrarea n fotografii). Refracia poate fi, de


asemenea dirijat (lentile) sau difuz (geamul mat).
Absorbia poate fi uniform pentru toate lungimile de und ale
radiaiei luminoase (corp gri sau negru) sau selectiv (corpuri colorate).
Aparatele optice permit omului perceperea de detalii invizibile cu ochiul
liber i, prin intermediul aparatelor fotografice, s le poat nregistra. Pentru
obinerea unor imagini de calitate ridicat, imaginile trebuie s fie ct mai
clare.
Pentru formarea imaginii unui obiect este nevoie ca pentru fiecare punct din
spaiul-obiect s existe un punct corespunztor pe imagine. Aceste perechi
de puncte poart numele de puncte conjugate. Dac pentru toate punctele
din spaiul-obiect exista un punct corespunztor pe imagine, imaginea se
numete imagine stigmatic.

Figura 2.3 - Stigmatismul riguros (rou) i aproximativ (negru)


Imaginea stigmatic este imposibil de obinut n practic, deoarece
apariia imperfeciunilor este inerent n construcia lentilelor i a
obiectivelor. Fiecrui punct din spaiul-obiect (sau unei grupe de puncte
nvecinate)ii va corespunde n imagine o pat de difuzie.
Datorit structurii discontinue a ochiului dar i a peliculei fotografice, o
imagine stigmatic are o limit att la observaie ct i la nregistrarea pe
pelicul. Un exemplu pentru acest fenomen este dat de retin care este
format din celule de cca 5 microni diametru, ea nregistreaz dou puncte
luminoase care se proiecteaz la o distana mai mic dect aceasta valoare,
ca un singur punct luminos.
n mod similar i pentru pelicula fotografic: rezoluia maxim
posibil pentru un anumit tip de pelicul este limitat de dimensiunea
granulelor de halogenur de argint.

49

Din aceasta cauz, n practica curent se accept un stigmatism


aproximativ. Studiind acest aspect, fizicianul Gauss a ajuns la concluzia c
imaginile realizate de fascicule relativ nguste, vecine cu axa optic i fa
de care sunt relativ puin inclinate, determin imagini suficient de
stigmatice. Au fost denumite fascicule paraxiale i pentru obinerea lor s-a
utilizat un paravan optic perforat n zona axei optice, denumit diafragm.

Figura 2.4 - Modelul Gauss


Oglinzi
Oglinda plan reprezint o suprafa plan, foarte neted, care
reflect n mod dirijat aproape integral lumina incident. Oglinzile plane
determin formarea de imagini virtuale, n care punctele din spaiul-imagine
sunt localizate simetric fa de planul oglinzii, cu punctele din spaiul-obiect.

50

Figura 2.5 - Construcia imaginii n oglinzi plane


Se poate demonstra c oglinzile plane determin formarea de imagini
drepte i egale cu obiectul. Dac o oglind plan se rotete cu un unghi ,
raza reflectat se va roti cu un unghi 2.
Oglinzile sferice sunt calote de sfer, foarte bine lustruite, de obicei
metalizate, care reflect practic toat lumina ce cade asupra lor. Dac
suprafaa reflectant este interiorul sferei, poart numele de oglind
concav, iar dac este partea exterioar a sferei, poart numele de oglind
convex. Centrul sferei n care se nscrie calota poart numele de centru de
curbur, iar polul calotei ce constituie oglinda, se numete vrful oglinzii.
Axul optic principal este dreapta ce trece prin centrul de curbur i prin
vrful oglinzii spre deosebire de celelalte drepte care trec doar prin centrul
de curbur al oglinzii i care sunt numite axe optice secundare.

51

Figura 2.6 - Reflexia n oglinzi sferice


Focarul principal al unei oglinzi sferice concave, este acel punct de
pe axul optic principal n care converg, dup reflexie, toate razele care au
venit spre oglinda n mod paralel fa de axul optic principal (de la infinit).
Focarul se numete "real" dac razele de lumin converg i se ntlnesc n
punctul respectiv. Focarul virtual apare n cazul oglinzilor convexe, de pe
care razele reflectate pornesc divergent. Focarul se determin prin
prelungirea razelor reflectate n partea opus a suprafeei. ntruct razele de
lumin reflectate nu trec prin acest punct, focarul poart numele de focar
"virtual".
Oglinzile concave au ntotdeauna focar real, n timp ce oglinzile
convexe au ntotdeauna focar virtual. Distana din vrful oglinzii pn la
focar se numete distana focal. innd cont de faptul c normala n
punctul de reflexie al unei raze de lumin pe suprafaa oglinzii este nsi
raza de curbur i aplicnd aproximaia lui Gauss, se demonstreaz c
distana focal:
f = R/2
(2.93)
,unde R = raza de curbur a oglinzii
De asemenea, se poate demonstra c pentru grupe de fascicule
paraxiale, locul geometric al focarelor secundare este reprezentat de un plan
perpendicular pe axul optic principal, denumit plan focal.

52

Figura 2.7 - Formula oglinzilor sferice concave


Se poate demonstra c unui punct aflat la distana p1 de vrful
oglinzii, ii corespunde un punct conjugat (n imagine), aflat la o distana p2
de vrf conform ecuaiei (punctelor conjugate):
1/p1 + 1/p2 = 1/f
(2.94)
,unde f = distana focala a oglinzii
Se observ c pentru un punct aflat la infinit, punctul conjugat va fi
localizat n f, ceea exprim faptul c focarul este punctul de pe axul optic n
care converg toate razele provenite de la un punct situat pe axul optic i
localizat la infinit.
Considerm acum un obiect real O, de nlime i1, aflat n faa unei
oglinzi concave, ntre centru i infinit, la distana p1. Trebuie s aflam la ce
distana se va forma imaginea obiectului O i ct va fi de mare n raport cu
nlimea i1.

53

Figura 2.8 - Mrirea transversal n oglinzile concave

Din figura de mai sus i din aplicarea ecuaiei punctelor conjugate, se poate
demonstra c:
i2/ i1 = p 2/p1
(2.95)
Raportul i2/i1 se numete mrire liniar i este util n
macrofotografie. Raportul este subunitar dac obiectul este situat dincolo de
centrul de curbur, este unitar dac obiectul este situat chiar n centrul de
curbur i supraunitar dac este ntre centrul de curbur i focarul oglinzii.

54

Figura 2.9 - Reflexia n oglinzile convexe


Pentru oglinzile convexe, cele de mai sus rmn valabile, cu
deosebirea ca imaginea obinut este virtual, iar n ecuaia punctelor
conjugate distana de la oglinda la imaginea virtual se introduce cu semnul
minus (-).
Prisma optic
Prisma optic este un mediu transparent mrginit de dou fee plane.
Muchia de intersecie ale celor dou fee ale prismei se numete muchia
prismei, iar unghiul diedru dintre cele dou fee se numete unghi al prismei
sau unghi de refringen, notat cu A. Planul de seciune perpendicular pe
muchie se numete plan principal.

Figura 2.10 - Elementele prismei optice


Considerm cazul n care o raz incident monocromatic, coninut
n planul principal, intr din aer sau vid (caracterizat de un indice de
refracie n1), n masa prismei (al crui indice de refracie n2 este ntotdeauna
mai mare ca n1), ntr-un punct numit punct de incident, I, sub un unghi de
incident i n raport cu normala. n punctul I, raza de lumin va fi deviat,
mai aproape de normal, conform legilor de refracie.

55

Figura 2.11 - Refracii prin prisma optica


La nivelul interfeei de emergen E, dintre a doua fa i aer,
datorit raportului dintre indicii de refracie, raza emergent va suferi o nou
refracie, de aceast dat ns se va ndeprta de normal, sub un unghi de
emergen < Im, rezultnd o raz emergent deviat cu un unghi total .
Reflexia total n prism
innd cont de faptul ca raza emergent iese dintr-un mediu optic mai dens
ntr-un mediu optic mai puin dens, poate aprea n planul de emergen
reflexia total. De exemplu: o prism din sticl ( cu n ~ 1,5) cu seciunea
triunghi dreptunghic isoscel, asupra creia raza incident vine perpendicular
pe una dintre catete.

56

Figura 1.12 - Reflexia total n prism


La nivelul ipotenuzei, unghiul de inciden depete unghiul limit
(pentru sticl, l ~ 42), raza incident va fi complet reflectat spre a doua
catet, unde va cdea tot perpendicular (unghi de inciden va fi nul) i, ca
urmare, va iei deci nedeviat la acest nivel. O astfel de prism deviaz raza
de lumin cu 90 i poart numele de prism cu reflexie total (ca o
oglind).
Folosind sticle cu formule speciale, fenomenul reflexiei totale este
utilizat la aparatele foto reflex monoobiectiv pentru redresarea imaginii n
vizor, printr-o construcie dedicat numit pentaprism.
Lentile
Lentilele sunt medii transparente, din sticl, limitate de dou calote
sferice sau de o calot sferic i un plan. Dac o suprafa de delimitare este
o calot elipsoidal, lentila se numete asferic. Lentilele se mpart n lentile
convergente i divergente n funcie de modul n care sunt deviate razele
luminoase de care sunt traversate.
Lentilele convergente sunt mai groase la mijloc dect la margini, iar
un fascicul de raze paralele ce traverseaz lentila, devine convergent spre un
punct numit punct focal.

57

Figura 2.13 - Lentile convergente: a - biconvexa, b - plan-convexa, c menisc convergent, d - schema lentilelor convergente.
Lentilele divergente sunt mai subiri la centru fa de margini iar un
fascicul de raze paralele care o traverseaz devine divergent.

Figura 2.14 Lentile divergente: a - biconcave, b - plan-concave, c - menisc


divergent, d - schema lentilelor divergente.
Caracteristici lentile:

centre de curbur - centrele C1 i C2 ale celor dou calote sferice;


razele de curbur ale sferelor, R1 i R2;
axa optic principal este dreapta ce unete centrele de curbur ale
celor dou calote sferice;
centrul optic O al unei lentile este punctul situat pe axa optic i care
se caracterizeaz prin faptul c raza de lumin ce trece prin acest
punct nu este deviat de la direcia sa ci doar deplasat;

58

orice dreapt care trece prin centrul optic se numete ax optic


secundar.

Figura 2.15 - Elemente geometrice ale unei lentile


Aproximaiile lui Gauss
Studiul lentilelor se simplific pe baza aproximaiilor lui Gauss, care enun:

lentilele sunt subiri, dac grosimea lor pe axa principal este


neglijabil n raport cu raza de curbur;
unghiul de deschidere al calotei sferice este mic (10 - 15 )
unghiurile formate de razele luminoase cu axa principal sunt mici,
adic razele sunt paraxiale.

Focarul lentilelor
Se poate dovedi experimental c un fascicul de raze paralele cu axa
optic principal ce cade pe o lentil convergent, este deviat convergent i
c toate razele emergente converg ntr-un punct F, situat tot pe axa optic,
punct denumit focar principal.
Deoarece razele de lumin trec efectiv prin acest punct, imaginea
poate fi captat pe un ecran, iar punctul se numete focar real.

59

Figura 2.16 - Locul geometric al focarului unei lentile convergente


Dac razele sosesc din partea opus (din dreapta), ele vor converge
n partea stng, ntr-un punct focal, F' denumit focar secundar, situat la
aceeai distan f, fa de centrul optic al lentilei.
Dac lentila este divergent, razele emergente vor avea traiectorie
divergent la ieirea din lentil, n aa fel nct prelungirile lor se vor ntlni
ntr-un focar F situat n aceeai parte cu cea din care au venit. Deoarece
razele emergente nu trec efectiv prin acest punct F, el nu poate fi captat pe
ecran i de aceea poart numele de focar virtual.

Figura 2.17 - Locul geometric al focarului unei lentile divergente


Aadar lentilele subiri convergente posed 2 focare principale reale
F i F', simetrice i egal distanate fa de centrul optic, dac lentila se afl
ntr-un mediu omogen. De asemenea, o lentil divergent are dou focare
virtuale, simetrice n raport cu centrul optic. Distana de la centrul optic la
focarele principale poart numele de distan focal: f = OF.

60

Dac se modific direcia fascicului incident, adic razele vin pe o


ax optic secundar, n limitele aproximailor lui Gauss, focalizarea se va
realiza ntr-un focar secundar.

Figura 2.18 - Locul geometric al planului focal la lentilele convergente


Se pot obine o infinitate de focare secundare, n funcie de inclinaia
i direcia fascicului incident. n optica geometric, totalitatea focarelor
secundare se afl ntr-un plan, normal pe axa optic principal de care este
nepat la o distan f fa de centrul optic.

2.9 Aspecte fundamentale ale fenomenului de dispersie

Pn n acest moment am analizat comportamentul unei raze


monocromatice. Dac raza incident de lumin este lumina alb (de
exemplu de la Soare sau de la un arc electric), la nivelul feei de inciden,
refracia se va face, n funcie de indicele de refracie al mediului. tim c
indicele de refracie este dependent de lungimea de und, adic mai mare
pentru radiaia albastr i mai mic pentru radiaia roie, pentru sticla
obinuit. De aici rezult c la aceast interfa, lumina alb incident va fi
descompus n raze de lumin monocromatice, fenomen accentuat la
traversarea feei de emergen.

61

Figura 2.19 - Descompunerea luminii albe solare prin prisme


Dac am capta razele emergente pe un ecran alb, vom observa pete
colorate rogvaiv, trecerea de la o culoare la alta fiind continu (spectru
continuu). Pe ecran spectrul va apare rou n partea superioar i albastru n
partea inferioar, adic radiaia roie va fi radiaia cea mai puin deviat, iar
cea albastr va fi radiaia deviat cel mai mult. Acest comportament apare la
marea majoritate a mediilor refractive iar acest tip de dispersie poart
numele de dispersie normal. Acest fenomen st la baza aberaiei cromatice
a lentilelor i obiectivelor.
Atenuarea aberaiilor cromatice se realizeaz prin utilizarea unui
tandem format din lentile convergente + divergente lipite, compuse din
sticl crown i flint.
Indicii de refracie absolui ai sticlei pentru radiaii monocromatice

Indici de refracie (n) pentru radiaia


Sticla
de culoare:
tip
Roie
Galben Violet
Crown 1,504
1,507
1,521
Flint 1,612
1,621
1,671
Exist medii optice (iodul, fuxina, sticle speciale) al cror indice de
refracie scade proporional cu scderea lungimii de und, adic razele roii
se refract mai mult, iar cele albastre mai puin, eveniment denumit
dispersie anormal. Utilizarea de lentile construite din sticl cu dispersie
anormal permite rezolvarea simpl i elegant a aberaiilor cromatice la
obiectivele moderne.

62

Dispersia luminii const n dependena indicelui de refracie n al


unui mediu sau material (substana) de pulsaia (legat de frecvena f prin
relaia = 2f) sau de lungimea de und a luminii care strbate acel
mediu. Relaiile de forma n = n() sau n = n() se numesc relaii de
dispersie.
Aspectele calitative ale relaiei de dispersie pot fi stabilite porninduse de la un model clasic al interaciei radiaiei cu substana. O astfel de
abordare este relativ simpl din punct de vedere matematic, avnd n schimb
dezavantajul de a nu putea explica toate aspectele legate de dispersia i
absorbia luminii n medii dielectrice. Un studiu riguros i complet implic
ns utilizarea unor relaii din fizica cuantic, un capitol care se studiaz
ulterior celui de optic.
Se consider o und electromagnetic de o anumit pulsaie (sau
frecven unghiular) , care interacioneaz cu molecula de substan (n
cazul de fa, reprezentat de un material transparent, respectiv sticla).
Moleculele substanei pot fi reprezentate sub forma unui ansamblu de dipoli
electrici, fiecare dipol fiind format dintr-o pereche de sarcini egale i de
semn contrar (q i q) aflate la distana r una de cealalt. Sarcinile pozitive
pot corespunde nucleului sau nucleelor implicate, iar sarcina negativ poate
corespunde centrelor norului sau norilor electronici ai atomilor din cadrul
moleculei. Sub influena cmpului exterior, sarcinile electrice se deplaseaz,
conform legii lui Coulomb F = qE; ca urmare, sarcinile electrice ce compun
un dipol tind s se deplaseze n direcii contrare (ele avnd semne diferite).
Astfel distana r dintre ele va varia.
Fiecare dipol creeaz la rndul su un anumit cmp electric. Aceasta
nseamn c proprietile electrice ale mediului respectiv sunt influenate,
pentru multe materiale, denumite materiale neliniare (permitivitatea electric
este modificat). Ca urmare, viteza v de propagare a undei, determinat de
proprietile de material ale mediului prin relaia:

v2

(2.96)

Viteza de propagare a undei electromagnetice ntr-un anumit mediu


se mai poate scrie:
v = c/n

(2.97)

, unde c este viteza luminii n vid, iar n este indicele de refracie al mediului,
care poate lua doar valori supraunitare, ntruct viteza luminii ntr-un anumit
mediu nu poate depi viteza considerat maxim posibil n natur, cea a
luminii n vid (egala cu 3.108m/s). Ca urmare, prin egalarea expresiilor (1)

63

i (2), rezult c indicele de refracie va fi influenat direct de modificrile


permitivitii electrice . Aa cum s-a artat, aceast permitivitate este
influenat adeseori de intensitatea undei incidente (pentru medii neliniare),
i astfel vor fi influenate i proprietile de refracie ale materialului
respectiv.
Dar proprietile electrice, prin cmpul creat n interiorul substanei
sub aciunea cmpului undei electromagnetice recepionate, sunt influenate
i de frecvena oscilaiilor cmpului electric E recepionat (respectiv de
frecvena luminii incidente). Dipolii considerai au la rndul lor o anumit
frecven proprie de oscilaie, denumit frecven de rezonan. Dac
frecvena cmpului exterior se apropie n sens cresctor de aceast
frecven, atunci amplitudinea oscilaiilor dipolului crete, ele tinznd s fie
orientate pe direcia cmpului exterior; cmpul creat de dipoli va fi mare i
va tinde s ntreasc acest cmp exterior, influennd corespunztor
proprietile electrice ale mediului (permitivitatea ).
Dac ns frecvena cmpului exterior depete cu puin aceast
frecven de rezonan, atunci amplitudinea oscilaiilor dipolului se va
menine ridicat, ns ele vor tinde acum s fie orientate n sens contrar
cmpului exterior, dup cum rezult din ecuaia de micare:
m d2r/dt2 + k r = F = qE = qE0 sin(t)

(2.98)

ce poate fi scris i sub forma:


d2r / dt2 + (k/m) r = d2r / dt2 + k2 r = q/mE0 sin(t)

(4.16)

, unde k2 = k / m
Se ncearc soluii de forma r = r0 sin(t). Ca urmare, cmpul creat
de dipoli va fi sczut din cmpul exterior, iar proprietile electrice
(permitivitatea ) vor fi influenate n acest sens. Ulterior, pe msur ce
frecvena cmpului exterior crete, tinznd s se deprteze de aceast zon
de rezonan, proprietile electrice vor tinde s se ndeprteze i ele de la
valoarea de minim atins, ncepnd s creasc. Permitivitatea va crete,
viteza de propagare va scdea, ceea ce nseamn c indicele de refracie va
crete pe msur pe crete. Aceasta este zona n care sunt situate
frecvenele din spectrul vizibil al luminii n raport cu frecvena de rezonan
a dipolilor moleculari ai sticlei, fiind denumit zon de dispersie normal (n
crete cu ).
ntruct poriunea pe care indicele de refracie scade este extrem de
mic (fiind situat n imediata vecintate a frecvenei de rezonan, aa cum

64

s-a artat), rezult c, n general se poate considera c pe un interval de


frecvene dat, indicele de refracie crete cu frecvena radiaiei incidente.

2.10 Aspecte fundamentale ale fenomenului de polarizare

Conform teoriei clasice a electromagnetismului, lumina este o und


electromagnetic transversal, n care vectorii E (intensitatea cmpului
electric) i B (inducia magnetic) sunt reciproc perpendiculari i
perpendiculari pe direcia de propagare. Dac aceti vectori E i B i
pstreaz o anumit direcie de oscilaie pe parcursul propagrii (cum este
indicat n figura 2.20), atunci unda se consider a fi liniar polarizat
(existnd direcii privilegiate, similare ca importan cu axa polilor din cazul
rotaiei pmntului).

Figura 2.20 - Directia de oscilatie in timpul propagarii undei


Planul ce conine vectorul E i direcia de propagare a undei,
indicat de obicei prin vectorul k, vector egal n modul cu 2/ i de
orientare identic cu direcia de propagare a undei, este denumit plan de
oscilaie.
n general, lumina emis de sursele clasice obinuite (soarele, becul
cu incandescen) este o lumin nepolarizat. Amndou sursele menionate
sunt surse termice, radiaia fiind emis de atomii aflai n vibraie (pentru
cazul becului) sau n urma unor reacii nucleare (cazul soarelui), neexistnd
direcii privilegiate. Se poate obine ns relativ uor o lumin polarizat prin
fenomenul de dubl refracie ce apare n anumite materiale. Dup cum i
arat i numele, acest fenomen const n existena a doi indici de refracie
diferii (n1, n2), pentru o direcie de propagare dat n interiorul cristalului.
Teoria electromagnetic macroscopic a luminii (relaiile lui Maxwell) arat

65

faptul c n cele dou unde (ce se propag cu vitezele v1 = c/n1 i respectiv


v2 = c/n2) vectorii E1 i E2 oscileaz n direcii reciproc perpendiculare. Ca
urmare, un fascicul de lumin natural (fr o direcie anumit de oscilaie a
vectorului E intensitatea cmpului electric) ce cade pe un astfel de
material va fi mprit n dou fascicule polarizate (cu direcii de oscilaie ale
vectorului E bine-definite i reciproc perpendiculare). Acest aspect poate fi
observat n figura 4, unde apar:
- raza ordinar, avnd viteza constant v0 = c/n0, n0 fiind numit
indice de refracie ordinar sau obinuit;
- raza extraordinar, cu viteza ve = c/ne, dependent de unghiul
fcut de direcia de propagare cu axa optic a cristalului, unde n e este
indicele de refracie extraordinar.
Cristalele cu aceast proprietate se numesc cristale birefringente
(exemplu calcita, cuarul, gheaa).

Figura 2.21 - Model pentru studiul polarizarii


Ulterior este necesar separarea celor dou unde obinute,
caracterizate fiecare prin viteze diferite, deci i prin indici de refracie
diferii. n acest sens pot fi utilizate prisme ce separ componentele n spaiu
dup indicii de refracie caracteristici fiecrei componente.

66

2.11 Aspecte fundamentale ale fenomenului de interferen a


luminii

Interferena demonstreaz caracterul de und al luminii i este


explicat prin fenomenul de compunere a dou unde. Intensitatea de vibraie
a luminii este proporional cu cantitatea de energie, ceea ce se traduce prin
amplitudinea vibraiei.
Dou raze luminoase ce cad asupra unui punct, vor determina o
intensitate de vibraie ce poate fi, suma intensitilor (numit maxim), dac
undele sunt n aceeai faz (sinfazate) sau diferena intensitilor (numit
minim) dac undele se afl n antifraz.
n situaia n care dou izvoare luminoase emit unde cu aceeai
amplitudine (a1 = a2 = a), n cazul n care vor fi sinfazate, suma va fi egal
cu 2a iar n cazul n care vor fi n antifaz, rezultatul va fi 0 (minim nul). n
1802 Young a conceput un model experimental care demonstra interferena,
utiliznd o surs punctual de lumin So, ce trimitea radiaia luminoas ctre
dou fante lungi, paralele i nguste (dou izvoare coerente de lumina), S1 i
respectiv S2, iar rezultatul putea fi observat pe un panou de proiecie, unde
aprea sub forma unor benzi nguste luminoase alternnd cu benzi
ntunecoase.

Figura 2.22 - Schema dispozitivului Young


Benzile luminoase corespund interferenei a dou unde sinfazate, iar
cele ntunecoase interferenei a dou unde n antifaz

67

Fenomenul interferenei apare i n lamele subiri. O raz de lumin


incident va fi parial reflectat pe suprafaa anterioar a lamei i parial
refractat. Raza refractat, va cltori pn la suprafaa posterioar a lamei
unde, din nou, va fi n parte reflectat spre suprafaa anterioar, de unde
(parial) va trece napoi n mediul din care a venit. n acest mod apar dou
raze coerente: prima, reprezentat n schema de mai jos n culoare roie,
rezultat n urma reflexiei i a doua, reprezentat n schema de mai jos n
culoare verde, care a suferit dou refracii i o reflexie. ntre cele dou raze
apare o diferen de drum optic, capabil s determine interferena, cu
apariia de maxime i minime.

Figura 2.23 - Interferena n lame subiri (schema i rezultat)


Se poate calcula, n funcie de lungimea de und a radiaiei incidente,
grosimea lamei pentru a obine un minim. Acest fapt st la baza utilizrii
straturilor antireflex la obiectivele moderne: pe suprafeele lentilelor se
depun lame subiri de fluoruri, a cror grosime este calculat n aa fel nct
diferena de drum optic s determine anularea undelor reflectate pentru o
anumit lungime de und. Productorii depun mai multe straturi (n general
patru) de grosimi calculate s anuleze reflexii pe mai multe lungimi de und
(MultiCoated - MC), mergndu-se pn la 11 straturi (Fuji).

68

2.12 Aspecte
Fraunhofer

fundamentale

ale

fenomenului

de

difracie

n sens general, prin difracie se neleg fenomenele ce apar cnd


undele ntlnesc neomogeniti ce genereaz abateri de la legile opticii
geometrice.
Fenomenul de difracie care apare atunci cnd sursa de lumina este
foarte ndeprtat de o astfel de neomogenitate (obstacol), astfel nct razele
luminoase sunt practic paralele, se numete difracie Fraunhofer. La aceste
unde curbura frontului de und se poate neglija, astfel nct pot fi
considerate plane. O astfel de difracie se poate obine i atunci cnd sursa
optic este plasat n apropierea obstacolului, dar n focarul unui sistem
optic convergent; n aceast situaie undele divergente emise de surs sunt
aliniate de sistemul optic, fiind transformate n fascicul de unde paralele ce
se propag nspre obstacol.
Intuitiv explicarea fenomenului se bazeaz pe principiul HuygensFresnel. Acesta afirm c undele emise de sursa primar de radiaie ce ajung
n zona obstacolului genereaz n fiecare punct al suprafeei din aceast
zon unde secundare care au o amplitudine i faz egale cu amplitudinea i
respectiv faza undei primare (iniiale) sosite n punctul respectiv.
Aceste unde secundare se propag mai departe, n toate direciile.
Intensitatea luminoas din fiecare punct al acestei zone poate fi obinut
innd cont de faptul c vectorii intensitate a cmpului electric Ei
corespunztori fiecrei unde secundare se adun vectorial, rezultnd
vectorul intensitate a cmpului electric E din punctul respectiv, i de faptul
c intensitatea luminoas I este proporional cu E02 (de forma I = cE02),
unde E0 este amplitudinea de oscilaie a vectorului E.
Pentru deducerea principalelor relaii, se consider pentru nceput
cazul unei fante, adic al unei deschideri de form dreptunghiular de
lungime L mult mai mare dect limea a (figura 4.35). Asupra fantei cade o
und plan (o und pentru care suprafaa punctelor ce au aceeai faz
formeaz un plan) cu direcia de propagare perpendicular pe planul fantei.

69

Figura 2.24 - Difractia Fraunhofer


Considernd c undele secundare emise de suprafaa fantei se propag
practic mai departe sub forma unor fascicule paralele de-a lungul diverselor
direcii din spaiu, cmpul electric corespunztor unei direcii aflate la un
unghi n raport cu direcia iniial se obine din nsumarea contribuiilor
aduse de fiecare punct. Deoarece vectorii Ei sunt generai de acelai tren de
und emis de sursa primar, ei vor avea aceeai orientare pentru un fascicul
i astfel se poate calcula suma lor nlocuind mrimea vectorial E cu o
mrime scalar , care oscileaz cu o amplitudine A corespunztoare
mrimii E0. innd cont de faptul c o und armonic de forma:
= A cos (kx - t)

(2.99)

reprezint partea real a expresiei


= A exp[i(kx - t)], i = (-1)
(2.100)
putem folosi aceast ultim notaie n complex pentru expresia undelor. n
aceast situaie intensitatea undelor, exprimat prin relaia I = c E02, va fi
determinat de relaia
I = c A2
(2.101)
(obinut prin nlocuirea lui E0 cu mrimea corespunztoare A), identic
matematic cu expresia *; astfel intensitatea undei va putea fi exprimat,
cu ajutorul notaiei n complex, direct prin relaia
I = *
(2.102)

70

(constanta de proporionalitate c din relaia I = cE2 fiind aleas egal cu 1


pentru simplitate, ntruct n calculul intensitii luminoase dintr-un punct
suntem interesai de obicei nu att de valoarea absolut a intensitii
luminoase ct mai ales de raportul dintre intensitatea luminoas dintr-un
punct al zonei de observaie i intensitatea luminoas maxim din acea zon.
nsumarea pentru un numr infinit de puncte duce la apariia unei
integrale pe lrgimea fantei, fiecare zon de mrime dx contribuind cu o
und de forma:
d = const. exp [i(kx sin - t)] dx
(2.103)
Astfel se obine pentru funcia de und expresia integral:

const ei kx sin t dx const


a

eit
eika sin 1
ik sin

(2.104)
, unde k este modulul vectorului de und determinat prin k = 2/, iar este
frecvena unghiular.
ntruct intensitatea undei difractate se calculeaz, prin definiie, prin
produsul *, se obine:

ka sin
2
2
I * const
2
ka sin

2
ka sin
Notam
2
sin 2
Obtinem: I I 0
2
sin 2

(2.105)
, unde I 0 I 0 I 0

71

Se constat c intensitatea undei difractate prezint valori minime


egale cu zero n situaiile n care sin = 0, ntruct sin2 nu poate fi dect
mai mare sau egal cu zero. Aceasta impune condiia = m (m = 1, 2,
3)
Deoarece:
= ka sin / 2 = (2/) a sin / 2 = a sin / ,
(2.106)
rezult condiia:
a sin = m
(2.107)
Pentru a stabili valorile maxime ale lui I() (n afar de maximul
principal, central, cnd 0 i raportul (sin / )2 1) trebuie impus
condiia de maxim n raport cu variabila al expresiei intensitii I():

d
sin 2
0
d I 0
2

(2.108)
Prin efectuarea derivrii rezult c soluiile sunt rdcinile ecuaiei
tg =
(2.109)
anume: =0; 1,43; 2,46; etc. (n afar de soluia = 0, celelalte soluii
sunt aproximative). Trecnd la variabil independent rezult, pentru
condiia de maxim, expresia a sin=n , cu n = 0 ; 1,43 ; 2,46 Prin
cunoaterea limii fantei a i prin msurarea unghiului corespunztor unei
anumite direcii de maxim (ceea ce presupune i cunoaterea valorii lui n) se
poate determina lungimea de und pe baza relaiei anterioare.
Din relaiile anterioare rezult c primul minim apare atunci cnd
este ndeplinit condiia:

arcsin

(2.110)

72

Atunci cnd a>> , este foarte mic, devenind neglijabil, iar figura de
difracie se va reduce la practic la imaginea fantei.
Atunci cnd a are acelai ordin de mrime cu , figura de difracie
devine din ce n ce mai larg, maximul principal reducndu-se ca lrgime i
accentundu-se maximele secundare. n momentul n care a devine mult mai
mic dect se ajunge n situaia n care sin ar trebui s fie mai mare dect
unitatea, fapt imposibil, prin urmare dispar toate celelalte direcii de maxim
n afar de cea a maximului principal (situat n continuarea direciei de
propagare a undei incidente).
Dac se utilizeaz pentru observare un ecran aflat la distana L de
fanta, atunci unghiul corespunztor unei direcii de maxim poate fi aflat n
mod indirect, studiind distribuia intensitii luminoase pe ecran, i
aproximnd sin cu tg (aproximaie justificat prin faptul ca unghiul are
valori foarte mici), i determinnd tg prin relaia:
tg = h / L
(2.111)
unde h reprezint distana de la poziia de pe ecran corespunztoare
maximului central (situat pe direcia iniial de propagare a luminii) la
maximul corespunztor unghiului .
Fenomenul de difracie mai poate fi utilizat i pentru determinarea
dimensiunilor geometrice ale obstacolului, n cazul n care lungimea de und
a radiaiei i distribuia sa de intensitate n zona unui anumit obstacol sunt
cunoscute cu precizie (atunci cnd este emis de un dispozitiv de tip laser,
de exemplu).

73

Unitatea de nvare 3 - Tipuri de materiale. Materiale


conductoare
Obiective:
Principalele materiale conductoare;
Mecanismul conduciei electronice i principalele mrimi
asociate fenomenului conduciei;
Funciile i aplicaiile materialelor conductoare n industria IT;
Alte fenomene electrice specifice conductoarelor i aplicaiile
acestora.
Proprietile materialelor utilizate n industria electronic i n IT
sunt determinate de structura i compoziia lor intern. Substanele sunt
alctuite din atomi. Acetia conin un nucleu format din protoni i neutroni
i dintr-un nveli electronic. Electronii au energii discrete n interiorul
atomului i sunt plasai pe orbite discrete. Nivelul energetic pe care se poate
afla un electron este determinat de 4 numere cuantice:
- numr cunatic principal, n =1, 2, 3, corespunztor pturilor
electronice
- numrul cuantic orbital, l, care caracterizeaz momentul cinetic
al electronului aflat n micare de rotaie pe orbit, el poate lua
valorile l=0,1,2, i n-1 sau literele s,p,d,f
- numrul cuantic magnetic ml = 0, 1, 2, 3, ... , l care indic
orientarea n spaiu a momentului magnetic
- numrul cunatic de spin cu dou valori posibile 1/2,
corespunztor sensului de relaie proprie a electronului.
Pe baza structurii atomice a fost alctuit tabloul periodic al
elementelor n care acestea sunt plasate n perioade, n ordine cresctoare a
masei atomice.
Valena unei substane este o proprietate important determinat de
numrul de electroni care se gsesc pe nivelele periferice s i p. Ea
caracterizeaz capacitatea unui atom de a intra n combinaie cu alte
elemente (atomi), n scopul formrii unei combinaii stabile de electroni pe
aceste ultime straturi (2 electroni pentru prima perioad care cuprinde He n
grupa a-8-a i 8 electroni pentru celelalte perioade).
Valena elementelor chimice poate avea valori diferite i n funcie
de condiiile de desfurare a reaciei chimice. De exemplu, fosforul are
valena 5 cnd se combin cu oxigenul sau 3 cnd se combin cu hidrogenul.

74

Stabilitatea atomic. Dac un atom are valena nul, nu exist


electroni care s intre n reacie i acesta este inert sau stabil. Astfel sunt
gazele inerte He, Ne, Pr, Kr, Xe, toate din grupa a-8-a.
n general atomii au tendina:
- fie de a-i ocupa ultimele nivele, s i p, pentru ca acestea s fie
complete;
- fie de a-i pierde aceti electroni pentru ca nivelele s fie goale.
Elementele cele mai reactive (agresive) sunt cele din grupa I: Na, K,
Cs care pot ceda foarte uor un electron, precum i cele din grupa a-7-a (Cl,
F, Br) care pot capta uor un electron pentru a-i completa ultimul nveli
electronic.
Pentru aceste substane sunt specifice legturile ionice.
Pentru elementele din centrul tabelului (grupele III, IV i V) sunt
specifice legturile covalente.
3.1 Strile structurale ale substanei
n natur substanele se gsesc n 3 stri de agregare.
Starea gazoas este starea n care atomii (grupai eventual n
molecule) se afl la distane mari, nu manifest fore de atrace (coeziune)
ntre ei, ocup tot spaiul disponibil i au densitate mic. Atomii se afl ntro permanent agitaie termic i exercit presiune asupra pereilor incintei n
care se afl. Un caz particular al strii gazoase este plasma format din
ionizarea gazelor, fie ca urmare a nclzirii la temperaturi foarte mari, fie
prin ionizare n urma bombardrii cu radiaii nucleare. Plasma are proprieti
conductive electrice i se comport diamagnetic.
Starea lichid este starea n care forele intermoleculare sunt
suficient de puternice pentru a menine ineracia dintre atomi (volumul
substanei), dar insuficiente de a pstra i forma proprie.
Starea solid este starea n care interaciile dintre atomi sau
molecule sunt foarte puternice, atomii avnd poziii fixe, iar substaa este
rigid. Strile de agregare se formeaz i se mein n anumite condiii de
temperatur i presiune i se pot schimba la schimbarea acestor condiii.
Structura materialelor solide
Corpurile solide pot fi rigide, elastice sau plastice n funcie de
forele de legtur dintre atomi. Aceste fore determin o anumit ordine n
aezarea atomilor (sau moleculelor) n corpul solid.

75

Starea cristalin reprezint o aezare periodic n spaiu a atomilor,


fie c sunt identici (de exemplu la Fe), fie c sunt diferii (ca la NaCl).
Corpurile cu structur cristalin pot fi :
- monocristaline aezare perfect ordonat a atomilor n tot
volumul materialului
- policristaline n care exist mai multe structuri cristaline
diferite separate prin zone, de obicei, necristaline. Corpurile
policristaline au, n general, o comportare izotrop.
Starea necristalin prezint o dispunere neordonat a atomilor i
are proprieti fizice caracteristice, de exemplu:
- trecerea de la starea solid la cea lichid se face treptat, prin
nmuiere (nu au punct precis de topire);
- volumul unei substane necristaline este mai mare datorit
dezordinii interioare.
Cnd dezordinea este total, vorbim de starea amorf . n aceast
stare substanele sunt izotrope. Starea de izotropie caracterizeaz materialele
din punct de vedere al omogernitii lor. Un material este izotrop dac
proprietile sale fizice i caracteristicile de material nu depind de direcia n
care sunt evaluate n masa de material.
Starea mezomorf (cristal lichid) este o stare intermediar ntre
starea solid i starea lichid pe care o prezint unele substane organice,
cnd se gsesc ntr-o anumit plaj termic. Moleculele acestor substane au
o form alungit i ele pot fi:
- aliniate paralel n ntreaga mas cristale lichide nematice;
- aliniate n straturi (cristale lichide colesterice sau smectice).
Structura acestor materiale este puternic influenat de parametrii
externi (temperatur, presiune, cmp electric) i prezint aplicaii utile
tehnologia informaiei.
Starea monocristalin se datoreaz legturilor din atomi sub aciunea
unor fore de natur electric sau magnetic, de atragere sau de respingere.
Aceste legturi pot fi:
- legturi tari: ionice, covalente, metalice;
- legturi slabe: moleculare, de hidrogen, Van der Waals.
O legtur ionic tipic este la clorura de sodiu (NaCl). n reeaua
cristalin a NaCl, atomii de Cl alterneaz cu cei de Na. Deoarece Na are
valena +1, cedeaz un electron i devine ion Na +, iar clorul are valena -1 i
accept un electron, devenind Cl -. Astfel ntre cei doi ioni apar fore de
atracie electrostatic.
O legtur covalent tipic este la siliciu (Si) sau carbon (C) care au
cte 4 electroni pe ultimul strat. Cte 2 atomi vecini i pun n comun cei 4

76

electroni formnd un octet, care graviteaz n jurul celor 2 atomi pe care i


ine legai.
Legtura metalic apare exclusiv n metale unde elecronii de valen
sunt liberi, aparin ntregului cristal i au rol de ciment comun de
coeziune. Existena electronilor liberi explic conductivitatea electric
ridicat a metalelor. Pe de alt parte, existena atomilor ionizai pozitiv ntre
care apar fore de respingere electrostatic, explic proprietile de
plasticitate, maleablitate i ductubilitate ale metalelor. Metalele sunt opace,
deoarece electronii liberi pot absorbi uor radiaia electromagnetic (
inclusiv optic).
Vibraia atomilor. Fononi
Atomii dintr-o reea a unui corp solid, dei au poziii determinate, nu
sunt staionari. Ei execut micri de oscilaie simple n jurul poziiei de
echilibru, antrennd n micarea lor i atomii vecini. Micarea fiecrui atom
nu este aleatoare. Chiar dac a fost iniiat de un singur atom, ea se propag
n tot volumul sub forma unor oscilaii, dup modelul unui resort elastic.
Vibraiile cristaline pot fi transversale sau longitudinale. Cuantele de
vibraie mecanic se numesc fononi i reprezint un model util pentru
descrierea proprietilor unui solid. Un fonon se poate descrie prin mai muli
parametrii:
- lungimea de und, , unde >a, a fiind distana interatomic
(constanta de structur);
h
- momentul mecanic asociat oscilaiei p= , unde h este constanta

lui Plank;
2
2
- numrul de und p=
(cu valoarea maxim
).

a
Un cristal cu fononi va avea mai mult energie intern (cinetic i
potenial) dect n cazul n care nu exist fononi. Energia unui fonon este
de ordinul fraciuni de eV. Electron-voltul (eV) este o unitate de msur a
energiei, egal numeric cu energia necesar deplasrii unei sarcini electrice
de un electron (1,610 -19C) ntre dou puncte din spaiu ntre care se afl o
diferen de potenia electric de 1volt. Este o unitate de msur uzual
pentru energiile implicate n procese fizice i chimice interatomice.
Teoria fononilor explic unele fenomene ntlnite n corpul solid,
cum ar fi absorbia i generarea radiaiei electromagnetice, inclusiv a
luminii, modulaia optic, modulaia acusto-optic, interaciile electronfonon, interaciunea fonon-fonon, etc.

77

Electroni n corpul solid


Conform teoriei cuantice, energiile electronilor au valori discrete n
interiorul unui atom liber. n cazul solidelor, datorit distanei interatomice
mici i a interaciunii atomice, nivelele energetice degenereaz n benzi
energetice permise, separate prin benzi interzise. Din punct de vedere al
proprietilor de conducie, intereseaz ultimile dou benzi permise: banda
de valen i banda de conducie, separate ntre ele printr-o band interzis.
Gradul de populare cu electroni a celor dou benzi permise precum i
mrimea benzii interzise dintre ele, mpart materiale n conductoare,
semiconductoare sau izolatoare. Primind energii suplimentare prin diverse
procedee (termic, mecanic, bombardare cu radiaii ionizante, cmp electric
intens, etc), electronii pot s-i modifice energia proprie, srind dintr-o
band n alta, inclusiv s prseasc corpul solid. La temperatura obinuit
(300 K), energia termic a electronilor este Eter = KT = eV (K = 1,38*10-23
J/K este constanta lui Boltzman).

Fig. 3.1 Structuri de benzi energetice la diferite materiale


Concentraiile de electroni liberi la temperatura obinuit sunt de
ordinul:
1028 1029 m-3 la metale ;
1012 1016 m-3 la semiconductoare ;
<108 m-3 la izolatoare.
Distribuia energiei electronilor n interiorul corpului solid este dat
de legea Fermi-Dirac. Aceasta spune c probabilitatea ca un electron s
aib energia E (n eV) este:

78

f(E) =

1
E - EF
e
1
kT

(3.1)
unde EF este energia Fermi, k este constanta lui Boltzman i T temperatura
absolut.
Energia Fermi, EF, reprezint acel nivel energetic pentru care
probabilitatea de a fi ocupat de un electron este egal cu probabilitatea de a
nu fi ocupat i anume 0,5.
Din relaia (1.1) se observ c la T = 0K, probabilitatea ca un
electron s aib energia E este nul.
Concentraia de purttori care au energia E este:
n(E) = N(E) f(E)
(3.2)
Analiznd relaia (1.1) se observ c:
E E f
1 f(E+) 0
a) la energii mari E+ >> EF astfel c
KT
(3.3)
adic este prea puin probabil s existe electroni n aceast energie.
E Et
b) la energii mici E- << EF astfel c
<<1 f(E-) 1
KT
(3.4)
adica probabilitatea de ocupare a nivelului energetic este foarte mare.

Fig. 3.2. Distribuia Fermi-Dirac

79

3.2 Proprietile materialelor


Proprieti electrice ale materialelor
1) O proprietate electric foarte important este conductivitatea
electric, reprezentnd capacitatea acestora de a conduce curentul electric.
ntr-un material liniar, omogen i izotrop, conductivitatea electric este o
mrime scalar constant:

(dq / dt )
J
=
sau J E
A(dV / dx) E
(3.5)
unde J este densitatea de curent [ A/m2], [-1 m-1] este
conductivitatea electric i
dV
E este intensitatea cmpului electric [V/m].
dx
n relaia (1.5) A este suprafaa prin care trece sarcina electric dq
n intervalul de timp elementar dt.
Pentru materialele anizotrope, conductivitatea este un tensor de
ordinul 2 ( ).
2) Capacitatea de polarizare a materialelor dielectrice este
caracterizat de permitivitatea dielectric. Un material dielectric aflat ntrun cmp electric sufer un proces de polarizare electric:


P DV 0 e E ; D 0 E P 0 r E
DV
(3.6)

unde V este unitatea de volum, P[c / m 2 ] este polarizaia egal cu suma


momentelor dipolare [C/m] create de cmpul E n unitatea de volum, r este
permitivitatrea
relativ
a
matrerialului, 0 8,856 *10 12 F / m
permitivitatea vidului, iar D[C/m2] este inducia electric n material.
n general, permitivitatea dielectric este un tensor de ordinul 2
deoarece, datorit structurii cristaline i anizotrpiei, polarizarea nu este
coliniar cu cmpul electric.

Proprieti optice ale materialelor


Radiaia electromagnetic din gama optic (aproximativ
0,01100m), sau n frecven 10121016 Hz, poate fi privit i analizat
i ca und magnetic i ca fascicol de fotoni (dualismul und-corpuscul). Ca

80

urmare, se poate defini intensitatea radiaiei optice ca un flux energetic


determinat de fotonii care traverseaz unitatea de arie n unitatea de timp:
dE W
I

dA dt m 2
(3.7)
Energia asociat fiecrui foton este:
eV
hc
/ 0 m
1,24
E f h f sau E (eV )
0
m
(3.8)
Unde:
h 6 63 10 34 Js - constanta lui Planck
c 3 108 m / s - viteza luminii n vid
0 c / f - lungimea de und n vid
Exemple numerice:
Pentru 0 400nm(UV ) , E f 3,10eV

0 800nmIK , E 1,55eV

Un flux de fotoni care transport o putere de 1W la 0 650nm


necesit un numr de 33 1017 fotoni/sec.
Materialele pot absorbi, reflecta sau transmite o radiaie optic
incident.
Interaciunea dintre cmpul optic i material se poate exprima
cantitativ prin 2 mrimi.
- indicele de refracie n
- constanta de absorbie k
Indicele de refracie:
Viteza n vid
c
n

Viteza n material v
(3.9)
El poate fi estimat prin unghiurile de inciden i refracie, conform
legii lui Snell:
sin i
n0 sin i n sin r n
sin r
(3.10)
dac n0 1
Constanta de absorbie (de atenuare) k reprezint rata de scdere a
intensitii optice pe unitatea de lungime:

81

dI

4 I dz
(3.11)
Este o mrime adimensional, dependent de material i de frecvena
cmpului optic.
Pentru majoritatea materialelor, indicele de refracie este o mrime
complex:
n n jk
(3.12)
unde j este unitatea imaginar
Atenuarea radiaiei care ptrunde n material se poate caracteriza i
prin coeficient de absorbie care reprezint atenuarea radiaiei pe unitatea
de lungime:
k

1 dI
I dz
(3.13)
Din (3.10) i (3.11) rezult:

4
k
sau
k2
4

c
(3.14)
Scderea intensitii radiaiei optice pe msura ptrunderii n
material se poate exprima astfel:
k

I ( z ) I 0 e z
(3.15)
Adncimea de ptrundere a luminii sau n material se definete ca
acea distan, msurat de la suprafaa de inciden, la care intensitatea
radiaiei optice scade de e ori. Din (1.15) rezult c:
1

(3.16)
unde e 2,72 este baza legturilor neperieni (naturali).

Proprietile termice ale materialelor


Conductivitatea termic exprim rata de transfer a cantitii de cldur Q
n timpul t i prin aria A ntre 2 puncte situate la distana x, ntre care exist
o diferen de temperatur T2-T1:

82

IQ
Qx
At
T2 T1
dT

dx
(3.17)
unde IQ este fluxul termic, iar dT/dx este gradientul de temperatur.
K

Cldura specific, Cm, a unui material reprezint cantitatea de cldur


necesar pentru a crete cu un grad temperatura unui kg de material:
1 dQ
Cm
m dT
(3.18)
Capacitatea caloric este cldura specific a unei mase m de material:
Cm m Cm
Capacitatea caloric depinde de numrul de atomi ai probei i se exprim
prin Legea Dulong-Petit. Capacitatea caloric molar a solidelor are
valoarea uzual 25I / mol K . Aceasta poate fi estimat considernd c
fiecare atom al unui material are energia KT corespunztoare fiecrui grad
de libertate. Deci:

U 3NkT
unde N 6,023 10 23 molecule / mol este numrul lui Avogadro iar
dU
I
C
C 3NK 25
dT
mol K
Tot n unele materiale solide apar dou efecte cu materiale interesante, cum
ar fi:
Efectul Peltier se refer la producerea unei diferene de temperatur n
urma trecerii unui curent electric printr-o jonciune de dou metale.
Efectul Seebeck, opus efectului Peltier, const n producerea unui curent ca
urmare a unei diferene de temperatur.
Observaie: A nu se confunda efectul Peltier cu efectul Joule care const n
producerea de cldur n urma trecerii curentului, ca urmare a rezistenei
electrice a materialului.

3.3 Proprieti magnetice ale materialelor


Un material magnetic este definit generic ca avnd stare de
magnetizaie. Aceasta este o stare a materiei (o proprietate) caracterizat de
existena momentului magnetic nenul al unitii de volum. Aceasta, la rndul

83

ei, este suma vectorial a momentelor magnetice elementare. Momentul


magnetic elementar poate fi spontan sau indus de un cmp magnetic extern.
Proprietile magnetice ale unui material sunt deschise n primul
rnd de permeabilitatea magnetic, definit ca raportul dintre inducia
magnetic B[T] i cmpul magnetic H[A/m] care a produs-o:

B
0 r sau B 0 r H
H
(3.19)
unde 0 4 10 7 H / m este permeabilitatea vidului (constant universal)
Starea de magnetizaie M apare n urma aplicrii unui cmp magnetic H:
M H
(3.20)
unde se numete susceptibilitatea magnetic, mrime adimensional.
Relaiile dintre inducia magnetic, magnetizaie i cmpul magnetic
sunt:

B 0 ( H M ) 0 (1 ) H
(3.21)
deci r 1 i 0 r 0 (1 )
(3.22)
n medii anizotrope, permeabilitatea i susceptibilitatea sunt mrimi
tensoriale de ordinul II (cu 9 componente).
n funcie de susceptibilitatea magnetic, materialele pot fi:
- diamagnetice m 0 i de ordinul 10 6
- paramagnetice m 0 i de ordinul 10 3 10 4
- feromagnetice m 0 (sute, mii)
Materialele feromagnetice sunt neliniare din punct de vedere al
dependenei induciei magnetice (magnetizaia) de intensitatea
cmpului magnetic. Ele au aa-numitul ciclu de histerezis,
prezentnd o inducie permanent i fenomenul de saturaie la
cmpuri magnetice mari. Ele au multe aplicaii n electronic i
electrotehnic.

84

Fig. 3.3 Ciclul histerezis


Un material feromagnetic poate deveni prin nclzire la o
temperatur numit temperatura Curie material paromagnetic, adic i
pierde capacitatea de magnetizare puternic.
n afara materialelor feromagnetice capabile de magnetizri
puternice, mai exist dou tipuri de materiale, deasemeni capabile de
magnetizare puternic. Ele sunt diferite prin modul de orientare a
magnetizrii pe domenii nvecinate (domenii Weiss) i prin valoarea
momentelor magnetice pe aceste domenii. Ele sunt materiale ferimagnetice
i materiale antiferomagnetice.

Fig. 3.4. Domenii fero, feri i antiferomagnetice


3.4 Materiale solide cristaline
Mare parte dintre materialele simple sau compuse utilizate n
electronic au structur cristalin. Aceasta presupune o aranjare ordonat a
atomilor n volumul substanei. n cele mai multe cazuri este vorba de o
entitate structural elementar denumit baz (format dintre atomi sau un
grup de atomi) care se repet periodic n spaiu. Aceast structur periodic

85

se afl n aa numitele noduri ale reelei. O reea cristalin (monocristal) se


obine prin translatarea (repetarea) periodic a structurii elementare.
Lungimile i direciile (unghiurile) a 3 translaii elementare definesc
complet o reea i cuprind 6 parametrii: 3 distane i 3 unghiuri.

Fig. 3.5. Metrica unei celule elementare


abc;

Vectorii a , b , c sunt factorii fundamentali ai reelei i mrimea lor
reprezint constantele reelei . Nodurile reelei au vectorii de poziie:

rn ma nb pc
(3.23)
unde m, n,i p sunt numere ntregi.
Cea mai mic structur regulat (poliedru regulat) definete celula
elementar (CE) . Prin translaia celulei elementare se obine ntreaga reea
cristalin. O CE nu poate fi definit unic, deoarece pot exista mai multe
variante. Cea mai simpl variant care are atomi doar n vrfurile sale se
numete celul primitiv (CP) .
Simetria spaial este o proprietate fundamental a structurii
cristaline. Ea presupune c n urma unei transformri simetrice (rotaia,
reflexia, translaia), corpul cristalin coincide cu el nsui.
Orice operaie de simetrie aplicat unui cristal are ca rezultat
aducerea sa ntr-o poziie identic cu cea iniial. Elementele de simetrie
punctual sunt: axe, plane de simetrie i centre de simetrie, crora le
corespund operaiile de simetrie rotaia, reflexia (oglindirea) i inversia.

86

n continuare se detaliaz unele aspecte legate de axele de simetrie.


O ax de ordinul n este o dreapt ce trece prin cristal n jurul cruia rotind
2
cristalul cu unghiul n
, acesta se suprapune cu el nsui.Diferitele
n
cristale pot avea una sau mai multe axe de ordine diferite.
Simetria geometric a cristalelor este foarte important deoarece ea
determin simetria proprietilor fizice i comportarea la diferii stimuli sau
perturbaii. Exist 3 categorii de simetrii, fiecare cu unul sau mai multe
sisteme.

Fig.3.6 Axe de simetrie n diferite structuri cristaline


Categoria inferioar cu 3 sisteme: triclinic, monoclinic i ortorombic
Categoria medie cu 3 sisteme: tetragonal, hexagonal i trigonal
Categoria superioar cu un singur sistem, cubic
Parametrii acestor structuri sunt astfel:
- triclinic: a b c i
- monoclinic: a b c i 90 0
- rombic: a b c i 90 0
- tetragonal: a b c i 90 0
- hexagonal: a b c i 90 0 ; 120
- trigonal: a b c i 90 0
- cubic: a b c i 90 0
La rndul lor, aceste clase i categorii se pot prezenta n mai multe
variante. Spre exemplificare, sistemul monoclinic (prisma dreapt) cu
paralelograme la baz, poate avea diferite forme:

87

Fig.3.7 Variante ale sistemului monoclinic


La fel, sistemul cubic poate fi:
- simplu atomi n vrful cubului
- cu fee centrate atomi n vrfuri i n centrele feelor
- cu volum centrat atomi n vrfuri i n centrul cubului
Exemple de structuri cristaline:
- cub cu volum centrat: Li, Na, K, Rb, Cs, Nb, Te, Ta, Mo, W,
- cub cu fee centrate: Cu, Ag, Au, Pb, Fe, Na Cl, Pb S, Mg O, K
Cl
Direcii n cristale
Anumite direcii n celula elementar cu o importan particular
pentru procesele tehnologice sau aplicaiile la care este supus materialul. n
general, aceste proprieti depind de direcia n care au fost msurate.
Defecte n cristale
Toate materialele monocristaline conin imperfeciuni la
aranjamentul atomic, cu consecine negative asupra proprietilor acestuia.
Controlul i meninerea defectelor n limite acceptabile permite obinerea
unor materiale performante.
Exist 4 tipuri de imperfeciuni de baz:
- defecte punctuale
- defecte liniare (dislocaii)
- defecte de suprafa
- defecte de volum (tridimensionale)
n general, defectele de structur pot fi eliminate (reduse) prin
tratamente termice i tehnologii specifice. n plus, mai exist defecte
punctuale: atomi interstiiali, impuriti.
Defectele de suprafa sau defectele tridimensionale apar la limita de
separaie a dou regiuni din cristal cu aceeai structur dar cu orientri
diferite.

88

Determinarea structurii cristalelor se face de regul prin analiz


cu raze X. O radiaie electromagnetic cu lungimea de und compatibil cu
dimensiunile planurilor sau defectelor cristaline este reflectat de aceste
zone. Razele X sunt cele mai potrivite. Razele X trec prin cristal iar cele
ultraviolete sau vizibile sunt reflectate la suprafaa acestuia.
Reprezentarea matematic a proprietilor unui material
n caracterizarea materialelor este foarte important s se poat
studia (determina) rspunsul (efectul) produs ca urmare a unui stimul
(cauz) care acioneaz asupra acestuia.

Fig. 3.8 Relaii posibile cauz efect n materiale.

Mrimile cauz, efect ct i proprietatea de material pot fi:


scalare valoare numeric, pozitiv sau negativ, notat A, de
exemplu densitatea;

vectoriale caracterizate prin modul, direcie, sens, notate A , de


tipul cmp electric, cmp magnetic etc.
tensoriale caracteristicile mediilor anizotrope la care direciile
cauzei i efectului nu corespund. Pentru caracterizaea comportrii
acestor materiale este nevioe de un set mai mare de mrimi.
Un vector n planul tridimensional este caracterizat de trei mrimi
scalare (coordonate). El poate fi considerat un tensor de ordinul unu.
Un tensor de ordinul 2 este caracterizat de un set de 32=9 mrimi.
Un tensor de ordinul 3 este caracterizat de un set de 33=27 mrimi
etc.
n general, o proprietate de material se poate descrie complet de un numr
mare de parametrii care trebuie msurai sau determinai individual. \

89

O relaie de forma:
B U A este o relaie scalar, n care cauza A i efectul B sunt
scalari.
O relaie de forma:
B U A este o relaie vectorial n care B i U sunt vectori cu
cte 3 componente, iar A este scalar.
O relaie de forma:
B U A este o relaie tensorial n care A este un vector, B un
tensor de ordinul 2 i U un tensor de ordinul 3 cu 27 de
componente.

3.5 Caracterizarea materialelor conductoare


Conductoarele sunt materiale la care conductivitatea electric, ,
depete valoarea de 108 (m)-1. Ele se pot clasifica dup mai multe
criterii.
Dup tipul de purttori de sarcin:
- cu conductivitate electronic;
- cu conductivitate ionic.
Din prima categorie fac parte metalele, grafitul etc., iar din a doua
electroliii (soluii ale acizilor, hidrailor i srurilor etc.). Conductivitatea
celor din urm este mult mai mic dect a primelor.
Dup starea de agregare:
- conductoare solide;
- conductoare lichide - metale topite i electrolii;
- conductoare gazoase gaze n stare de plasm.
Dup valoarea conductivitii i dependena ei de temperatur:
- conductoare obinuite;
- supraconductoare.
Modelul clasic al cnduciei n metale se bazeaz pe conceptul de nor
electronic format din electroni liberi care se mic haotic printre atomi n
volumul de material, fr un sens anume. Concentraia de electroni liberi
este de ordinul 1022 cm-3, de acelai ordin cu cea a atomilor. Dac dintr-un
motiv oarecare apare o concentraie local de sarcin electric diferit de cea
din vecintate, atunci n foarte scurt timp, de ordinul 10-1710-18s, ea se
uniformizeaz i concentraia devine constant. Prin urmare, metalele se
caracterizeaz prin neutralitate electric n orice volum de material.
Micarea haotic a electronilor este de natur termic i viteza termic este
de ordinul 105107m/s.

90

Prin aplicarea unui cmp electric E asupra materialului conductor,


apare o micare dirijat a electronilor n sens opus cmpului, numit vitez
de drift:

v n E
(3.24)
unde factorul n se numete mobilitatea electronului.
La nceput micarea electronilor este uniform accelerat, dar n scurt
timp se ajunge la viteza de saturaie egal cu viteza de drift. Limitarea
vitezei dirijate este produs de ciocnirile electronilor mobili cu atomii fici
ai reelei cristaline a metalului. Modelarea matematic a conduciei este
descris n continuare.
Fora electrostatic produs de cmpul E determin o acceleraie a
electronilor:
F
q
a

E
mn
mn
(3.25)
unde mn este masa electronului iar q sarcina sa electric.
Viteza maxim atins n momentul unei ciocniri este:
qt
vmax at max maxn E
mn
(3.26)
Viteza medie (viteza de drift) este:
v
qt
vmed max maxn E
2
2mn
(3.27)
Din (2.1) i din (2.4) se obine mobilitatea electronilor:
q
n
t max
2mn
(3.28)
Densitatea de curent de conducie este:
dQ
qnAdl
J
e
e qnv med qn n E
Adt
Adt
(3.29)
unde e este versorul direciei cmpului electric iar n concentraia de
electroni liberi.
Conductivitaea electric (respectiv rezistivitatea, ) este:

91

qn n

q2
nt max
2mn

(3.30)
Valoarea medie a timpului dintre dou ciocniri se poate considera,
ntr-o prim aproximaie, ca timp de relaxare, ef . Atunci se poate defini
conductivitatea astfel:
q2

n ef
mn
(3.31)
Din cauza agitaiei termice a atomilor, distana medie dintre dou
ciocniri succesive scade, timpul mediu de relaxare scade, viteza de drift i
conductivitatea scad. Creterea rezistivitii cu temperatura se poate exprima
simplu printr-o relaie de forma:
(T ) 0 (1 T )
(3.32)
Unde 0 este rezistivitatea la temperatura T0 iar T T T0
Rezistivitatea ctorva metale la temperatura obinuit (300K) este
dat n tabelul urmtor.

Tabelul 3.1
Metal
Na
[108
m]

4.75

Cu

Ag

Ca

Al

Cr

Fe

Ni

Pt

1.70

1.61

3.60

2.74

12.9

5.3

9.8

7.0

10.4

Dependena rezistivitii de temperatur ese mai complex dect


ecuaia (2.9) i se poate evidenia grafic n fig. 3.8.
Se pot evidenia 5 zone de dependen a rezistivitii cu temperatura.
Zona I este zona de supraconductibilitate specific temperaturilor
foarte coborte. Unele metale au zona de supraconductibilitate continu
pn la 0K (linia punctat) altele, cele supraconductoare au rezistivitate
practic nul ncepnd de la o temperatur TC.

92

Fig. 3.9 Dependena rezistivitii de temperatur


Zona II se caracterizeaz printr-o cretere rapid a rezistivitii cu
temperatura (proporional cu T5), dup care urmeaz o zon liniar
specific temperaturilor obinuite, n care este valabil ecuaia (3.32). Ea
ncepe n punctul TD (temperatura Debye) si reprezint acea temperatur la
care vibraiile mecanice (fononii) au frecvena maxim D . Valoarea sa este
dat de ecuaia:

TD 2h D
k
(3.33)
Unde h este constanta lui Plank iar k constanta lui Boltzman.
n zona a IV-a se constat o dependen mai redus de temperatur,
pentru ca n zona V s apar un salt al rezistivitii corespunztor
temperaturii de topire a metalului.

3.6 Funciile conductoarelor


1. Funcia de conducie a curentului electric
Principala utilizare a materialelor conductoare n electronic este
aceea de conducie a curentului electric. Pentru aceasta sunt necesare a fi
ndeplinite cteva cerine:
- rezistivitate electric volumetric i superficial foarte mic;
- efect pelicular redus;
- densitate de curent mare;
- rigiditate mecanic i resisten mecanic;
- conductivitate termic bun;
- influen termic ct mai redus asupra conductivitii electrice;
- prelucrabilitate mecanic uoar (trefilare, laminare) pn la
dimensiuni micronice.

93

Principalele materiale conductoare sunt: Cu, Ag, Au, Al, Cr i


aliajele lor. Aliajele i impuritile nrutesc proprietile electrice, dar le
mbuntesc pe cele mecanice. Cele mai cunoscute aliaje ale Cu sunt cu Zn
(alam), cu Sn (bronz), cu Al, Cd, Ag, Ti. Aluminiul i aliajele sale cu Cu,
Si, Mg, Zn, Cr se folosesc cu succes ca nlocuitor al cuprului.
2. Funcia de control i limitare a curentului folosete proprietatea
unor materiale simple sau compuse de a se opune trecerii curentului electric,
adic de a prezenta rezisten electric. Pentru aceasta, materialul trebuie s
ndeplineasc unele cerine:
- rezistivitate electric ntr-un domeniu larg de valori;
- coeficient de temperatur al rezistivitii redus;
- potenial electrochimic ct mai apropiat de cel al cuprului pentru
ca tensiunea electromotoare de contact s fie redus;
- maleabilitate i ductibilitate bune;
- coeficient de dilatare termic mic.
Dispozitivele folosite pentru controlul curentului sunt rezistoarele
realizate din aliaje metalice n proporii bine definite.
Tabelul 3.2
Materialul

Manganin
Constantan

Nicrne
Nichelin

compoziie

Cu 84%
Mg 12%
Ni 4%
Cu 55%
Ni 45%
Ni 75%
Cr 20%
Fe 5%
Ni 26%
Cu 54%
Zn 20

10-5
m

Coeficient de
temperatur

4.2

15

400

1.5

8.4

-5-25

700

43

8.9

11.5

130

1300

8.4

4.2

230

-25

8.7

Temperatura Tensiune
maxim, K termoelectromotoare, V/K

Densitate
kg/dm3

3. Funcia de contactare - comutare


Este necesar realizrii de contactoare i comutatoare ale
curentului electric. Materialele care ndeplinesc aceast funcie trebuie s
aib:
- rezisivitate electric foarte mic;
- conductivitate termic foarte bun;
- rezisten mare la ageni corozivi, chimici, atmosferici,
umiditate;
- duritate mare;
- temperatur de topire mare;
- posibilitate de prelucrare uoar.

94

Tabelul 3.3
Metal

Densitate
Kgdm-3

Rezistivitate
10-5 m

Temperatura
de topire, K

Ag
Au
Pt
W
Mo
Cr

10.5
19.3
21.4
19.2
10.2
8.6

16
22.3
105
54
57
76

1234
1336
2043
3653
2893
594

Conductivitate
termic, Wm1 -1
K
414
293
71.2
167
151
92

Duritate

246
181
490
3440
1570
196

Pentru imbuntirea performanelor, se utilizeaz deseori aliaje ale


acestor metale, ca de examplu: Ag-Cu, Ag-Pt, Ag-Cd, Ag-W, Cu-W, AgCu-W etc.
Termenul de contact electric implic realizarea continuitii electrice
pentru un ansamblu de dou sau mai multe conductoare. Contactele se pot
clasifica dup mai multe criterii:
a) dup regimul de lucru
- contacte staionare pentru conectic. Sunt caracterizate de
comutaii rare i uzur mic;
- contacte pentru comutaie care trebuie s reziste unui numr
mare de comutri.
b) dup fora de contact:
- contacte permanente;
- contacte cu for de apsare mare, medie sau mic;
- microcontacte.
c) dup locul unde se face contactul:
- n interiorul componentelor sau echipamentelor;
- ntre componente i echipamente.
La nivelul contactelor apar n mod frecvent pelicule de contact cu
caracter izolator, care deterioreaz proprietile contactului, n special
eroziunea suprafeelor de contact. Aceast deteriorare produce, printre
altele, zgomote de contact de urmtoarele tipuri:
- zgomot de contact imperfect care apare n cazul eroziunii
suprafeelor i creterii rezistenei electrice;
- zgomot de comutaie datorat vibraiei mecanice a materialelor
producnd nchiderea i deschiderea repetat a circuitului
electric;
- zgomot de interferen electromagnetic cu emisie de radiaie
electromagnetic la nchiderea i desciderea acestora.

95

Pentru reducerea uzurii, n nunele cazuri contactele se protejeaz cu


acoperire de pelicule, lubrifieri, introducere n gaze inerte sau vid etc.
Materialele frecvent folosite pentru contacte sunt urmtoarele.
Wolframul este un metal cenuiu foarte greu i foarte dur, cu
temperatura de topire cea mai mare dintre toate metalele. Rezistivitatea sa
crete liniar cu temperatura, cu un ordin de mrime intr-o gam larg de
temperaturi, de la 0oC pn la 3000oC. Firele subiri de wolfram sunt foarte
elastice i se folosesc la realizarea filamentelor becurilor cu incandescen, a
tuburilor electronice etc. Este un material foarte bun pentru contacte
electrice de frecven mare de nchidere i deschidere. Dejavantajele sunt
legate de prelucrarea dificil i oxidarea n condiii atmosferice.
Molibdenul este asemntor cu wolframul, dar are temperatura de
topire mai redus, circa 2200 oC. Se oxideaz uor la temperaturi ridicate.
Wolframul i molibdenul sunt mult utilizate la realizarea microcontactelor n
circuitele integrate.
Platina este un metal nobil avnd rezisten electric mic. Este
stabil la oxidare, se poate prelucra uor. Se folosete rar sub form pur, cel
mai des fiind aliat cu alte metale, reultnd contacte de foarte bun calitate.
n ultimul timp au devenit forte populare combinaiile dintre siliciu i unele
metale, de exemplu PtSi, TiSi2, Wsi2, NiSi2. Ele au conductivitate electric
foarte bun i stabilitate n condiii atmosferice.
Argintul este un metal nobil, cu cea mai mic rezisten electric.
Este stabil la oxidare, se poate prelucra foarte uor, se poate depune sub
form de pelicule foarte subiri pe diferite suporturi, inclusiv pe suprafaa
unor metale pentru reducerea efectului pelicular.
Nichelul este un metal cenuiu deschis cu proprieti feromagnetice
i conductoare. n form pur se folosete pentru depuneri de protecie. n
aplicaii electromagnetice se folosete n aliaje de mare permeabilitate i
rezistivitate.
3.7 Materiale supraconductoare
Fenomenul supraconductibilitii const n reducerea foarte puternic
a rezistivitii la scderea temperaturii, fenomen observat prima dat n anul
1911. Astfel, la 4K unele materiale au rezistivitatea practic nul. Importana
fenomenului const n faptul c asemenea materiale pot conduce densiti
mari de curent fr pierderi prin efect Joule. n condiii de
supraconductibilitate valoarea resistivitii este de ordinul 10-28m-1.

96

Material
Tc[K]

Al
1.18

Zn
0.87

Ga
1.1

In
3.4

Hg
4.1

Pb
7.2

Nb3Al
17.5

Nb3Al0.8Ge0.2
20

Fig. 3.10 Supraconductibilitatea i temperaturile specifice


Explicaia fenomenului supraconductibilitii a fost dat n 1957 de
ctre Bardeen, Cooper i Schrieffer (modelul BCS).
Jonciunea SIS (supraconductor-izolator-supraconductor)
Jonciunea SIS ese format din dou supraconductoare separate
printr-un izolator foarte subire (aproximativ 10nm). La aceste structuri apar
fenomene de conducie prin efect de tunelare, foarte interesante i utile n
unele aplicaii. Efectul de tunelare const n trecerea electronilor dintr-un
conductor n cellalt prin stratul izolator ca urmare a deplasrii benzilor
energetice sub aciunea unui cmp electric exterior. Caracteristica curent
tensiune a unei asemenea structuri este neliniar i permite realizarea unor
dispozitive digitale: funcii de comutaie, memorare, circuite basculante,
oscilatoare etc. Specific acestor dispozitive este zgomotul propriu foarte
redus (putere echivalent de zgomot de ordinul 10-15 W/Hz) i puterea
consumat foarte mic.

3.8 Emisia termoelectronic i alte fenomene


Unele metale sau combinaii de materiale solide nclzite la
temperaturi ridicate emit electroni, care pot fi extrai din metal devenind
liberi i pot nchide un circuit electric n lipsa unui conductor. Pe baza
acestui efect se construiesc catozii care stau la baza funcionrii tuburilor
electronice i a tuburilor catodice.
Densitatea curentului produs de emisia termoelectronic este dat de
legea lui Richardson:

97

J AT e
2

EA
kT

(3.34)
unde A este constanta lui Richardson i depinde de material
EA este energia de activare reprezentnd valoarea necesar a energiei
unui electron pentru a prsi materialul i a deveni electron liber. Se mai
numete i lucru de extracie.

0
EF

EA

Fig. 3.10 Diagrama energetic a unui


metal

EC
EV

Energia de activare este diferena dintre nivelul energetic de referin


(nivelul 0 pe diagrama din figur) al unui electron extras din material avnd
energia cinetic zero i nivelul Fermi, EF, situat n banda de conducie.
Energia de activare i constanta lui Richardson pentru cteva metale sunt
prezentate n tabelul urmtor.
Tabelul 3.4
Materialul
A [Acm-2K-2]
EA [eV]

Pt
32
5.32

W
60
4.2

Cs
162
1.8

LaB6
25
2.6

Cea mai mic energie de activare o are cesiul, dar temperatura sa de


topire este foarte redus i nu se utilizez n stare pur pentru realizarea
catozilor.

Efectul Hall
Efectul Hall const n apariia unei tensiuni electrice (tensiune Hall,
VH) ntr-un material conductor parcurs de un curent electric i aflat ntr-un
cmp magnetic.

98

-VH
x
--------

Fig. 3.11 Efectul Hall

+++++++
+++++++

+VH

Electronii de conducie care formeaz curentul I vor fi deviai de


cmul magnetic H prin fora Lorentz pe direcia y. Prin urmare, suprafaa xz
va fi ncrcat pozitiv iar faa opus pe direcia y va deveni negativ.
Diferena de potenial creat este tensiunea Hall, VH:
R IB
VH H
Acs d
(3.35)
1
unde RH
este costanta Hall, n este concentraia de electroni, q
nq
sarcina electronului, Acs aria n planul xz i d grosimea n direcia y.
Efectul termoelectric
Efectul termoelectric const n apariia unei diferene de potenial
ntre dou conductoare metalice aflate la temperaturi diferite. Dispozitivele
care funcioneaz pe baza acestui efect se numesc termocuple.
Tensiune electric ce apare n cazul unui termocuplu aflat la o
diferen de temperatur T este:
V K s T
(3.36)
unde Ks este coeficientul Seebeck.
Explicaie fenomenului const n energia medie diferit a electronilor
din cele dou metale, energie exprimat prin nivelul Fermi.
Aplicaiile uzuale ale termocuplelor sunt legate de msurarea
temperaturii. Termocuplul const n dou jonciuni A-B i B-A dintre dou
metale diferite, plasate la temperaturi diferite Tf i Tr:
VAA K AB (T f Tr )
(3.37)
unde K BA K sA K sB este diferena coeficienilor Seebeck ai celor dou
metale.

99

VAA
Metal B
Metal A

Metal A

Tf

Fig. 3.12 Temocuplu

Tr

Valorile uzuale ale tensiunilor termoelectrice sunt de ordinul


mV/100oC.
Opus efectului termoelectric este efectul Peltier, care const n
rcirea jonciunii a dou metale parcurse de un curent electric de un anumit
sens. Explicaia fenomenului const tot n diferena energiilor medii ale
electronilor n cele dou metale. Dispozitivele de rcire realizate pe baza
acestui efect se numesc termo-electro-coolere (TEC) i se folosesc la
controlul temperaturii unor circuite electronice, de exemplu diode laser,
amplificatoare de microunde etc.

100

Unitatea de nvare 4 Materiale magnetice. Materiale


dielectrice
Obiective:
fenomenul magnetizaiei;
feromagnetismul i materialele feromagnetice;
ciclul de magnetizare i importana sa practic;
funciile materialelor magnetice i aplicaiile lor n IT;
modelul dielectricului idea i modelul cu pierdrei;
funciile materialelor dielectrice i aplicaiile lor n IT;
cristalele lichide i aplicaiile lor.
4.1 Definiie, clasificare
Materialele magnetice sunt o clas de materiale care se
caracterizeaz prin stri de magnetizaie cu funcii de utilizare. Prin stare
de magnetizaie se nelege starea materiei caracteritzat prin existena
momentului magnetic al unitii de volum. Este de natur atomic, fiind
generat de micarea electronilor pe orbite i n jurul axei proprii, care dau
natere momentelor magnetice orbitale i de spin. Suma vectorial a acestor
momente determin momentul magnetic elementar, moment care, n lipsa
unui cmp magnetic exterior, poate fi nul sau nenul.
Starea de magnetizaie poate fi temporar, atunci cnd exist doar
n prezena cmpului extern, sau permanent, dac nu este condiionat de
acesta.
Vectorul magnetizaie are n general dou componente:

M Mt M p
(4.1)
Magnetizaia temporar depinde de cmpul magnetic care o induce,
conform legii magnetizaiei temporare:
M t m H
(4.2)
unde m se numete susceptivitatea (sau susceptibilitatea)
magnetic. Ea este o mrime scalar la materialele izotrope i una tensorial
la cele anizotrope. Mediile care au susceptibilitatea magnetic independent
de intensitatea cmpului magnetic sunt medii liniare, iar cele care prezint
dependen ntre susceptibilitate i cmp magnetic sunt medii neliniare
magnetic.

101

Cmpul magnetic i magnetizaia dau mpreun inducia magnetic


B:

B 0 (H M )
(4.3)
H
unde 0 4 10 7 este permeabilitatea magnetic a vidului
m
i reprezint o constant universal.
n cazul unui mediu liniar i izotrop, n lipsa pierderilor n material,
legea induciei magnetice n forma scalar se scrie astfel:
B 0 H 0 M t 0 (1 m ) H 0 r H H
(4.4)
unde 0 r este permeabilitatea absolut a materialului iar r
este permeabilitatea relativ a acestuia i este o caracteristic de material.
Din punct de vedere al strii de magnetizaie, materialele magnetice
cu magnetizaie temporar se mpart n diamagnetice i paramagnetice, iar
cele cu magnetizaie permanent n feromagnetice, antiferomagnetice i
ferimagnetice.
Diamagnetismul apare datorit interaciunii dintre cmpul magnetic
aplicat din exterior i electronii atomici. Cmpul magnetic exterior modific
micarea electronilor producnd o micare de precesie peste micarea
orbital. Precesia creaz un cmp magnetic propriu care se opune cauzei,
micorndu-l. Rezult o susceptibilitate magnetic negativ, m 0 i

r 1 . Materialele diamagnetice au caracter liniar.


Paramagnetismul este propriu materialelor care au moment magnetic
propriu dar la care, n lipsa unui cmp extern, aceste momente sunt orientate
aleator i nu se manifest la nivel macroscopic. Sub influena cmpului
magnetic exterior, aceste momente elementare se orienteaz n direcia
cmpului avnd ca rezultat m 0 i r 1 . Materialele paramagnetice
sunt neliniare.
Materiale diamagnetice sunt: Cu, Au, Ag, Zn, Pb, Ge, Si, H2 etc. i
au valori ale lui m n gama (-0.3-3.6) 10-5.
Materiale paramagnetice sunt: Al, Cr, Pb, Mn, Na, K, O2, Fe2O3 etc.
i au susceptibilitatea magnetic cuprins ntre (0.02 14)10-4.
La cmp magnetic constant susceptibilitatea paramagnetic depinde
invers de temperatur conform legii lui Curie-Weiss:
C
m
T
(4.5)
unde C este constanta Curie.

102

Feromagnetismul este propriu materialelor care au momente


magnetice elementare necompensate reciproc, care se orienteaz
omniparalel pe domenii, formnd domenii magnetice cu magnetizaie
spontan. La aceste materiale m i r au valori foarte mari i depind de H
(caracter neliniar), de temperatur, de solicitri mecanice etc.
Ferimagnetismul i antiferomagnetismul sunt proprii materialelor
care prezint momente magnetice spontane orientate antiparalel, manifestate
pe domenii de magnetizaie.

Fig. 4.1 Dependena susceptibilitii magnetice de cmpul magnetic i de


temperatur

4.2 Funciile materialelor magnetice


1) Funcia de miez magnetic folosit la construirea bobinelor,
transformatoarelor etc. Reactana unei bobine n vid, fr miez
magnetic este:
X L jL0
(4.6)
unde L0 este inductivitatea bobinei n vid. n prezena unui miez maagnetic
cu permeabilitatea magnetic relativ r , reactana este:
X L j r L0
(4.7)
adic este proporional cu r i se poate modifica (crete, scdea), poate
avea variaie neliniar, ciclu dreptunghiular etc., ceea ce este foarte util n
unele aplicaii.
2) Funcia de generare a cmpului magnetostatic prin construirea de
magnei permaneni. Magneii permaneni sunt circuite magnetice cu
ntrefier, formate din materiale magnetice magnetizate la saturaie, care i

103

menin aceast stare n lipsa unui cmp magnetic exterior. Cmpul magnetic
se manifest ntre polii magnetici.
3) Funcia de nregistrare magnetic a informaiei se bazez pe
proprietetea materialelor fero i ferimagnetice de a avea magnetizare
remanent dependent de cmpul magnetic de excitaie. Pentru a conserva
ct mai bine starea de magnetizare permanent, materialul trebuie s aib
cmpul coercitiv ct mai mare.
4) Funciile neliniare i parametrice se bazeaz pe caracteristica
neliniar a ciclului de magnetizare a unor materiale neliniare, n special cele
cu histerezis dreptunghiular. Se folosesc la fabricarea bobinelor de
comutaie, a releelor, a amplificatoarelor magnetice etc.
5) Funcia de ecran magnetic este util pentru protejarea unor
dispozitive i circuite electronice contra perturbaiilor electromagnetice.
Efectul de ecranare depinde de adncimea de ptrundere a cmpului
magnetic n material i se poate exprima prin relaia:
1

f
(4.8)
unde f este frecvena cmpului electromagnetic, este conductivitatea
electric a materialului, permeabilitatea magnetic absolut.
6) Funcia de traductor piezomagnetic Materialele fero i
ferimagnetice sufer modificri ale dimensiunilor exterioare dac sunt
supuse magnetizaiei. Fenomenul se numete peizomagnetism i pe baza sa
se construiesc traductoare piezomagnetice. Aceste dispozitive transform
energia electromagnetic n energie mecanic i invers i stau la baza
construirii de generatoare sonore, ultrasonore etc.
7) Funcia de traductor de temperatur se bazeaz pe dependena
permeabilitii de temperatur, n special n apropierea temperaturii Curie.

4.3 Feromagnetismul
Se manifest pregnant la materialele feromagnetice cum ar fi Fe, Ni,
Co i aliajele lor. Materialele feromagnetice sunt caracterizate prin existena
momentelor magnetice elementare spontane i orientarea lor omoparalel pe
domenii de magnetizaie spontan. Alte proprieti sunt anizotropia

104

magnetic, neliniaritarea susceptibilitii i altele. Starea de magnetizaie se


explic prin existena dipolilor magnetici elementari dai de rotirea
electronilor n atom.
O bucl de curent cu aria A prin care circul un curent I este
echivalent cu un dipol magnetic avnd momentul:

m AI m 2 A

(4.9)
Sensul vectorului este dat de sensul de parcurgere al ariei A de ctre curentul
I.
ntr-un cmp de inducie B va aciona asupra dipolului un cuplu de
fore m dat de ecuaia:

m m B
(4.10)
care va roti dipolul magnetic n direcia vectorului B .
Momentul magnetic al unui atom este dat de suma momentelor de
spin a nucleului, de rotaie pe orbit a electronilor i de spin a electronilor.
Elementele care au straturi electronice complet ocupate (numr par pe
fiecare substrat) nu au moment magnetic deoarece numrul par de electroni
presupune c micarea de spin este orientat n sens opus, momentele
compensndu-se reciproc. Fiecare electron are momentul magnetic de spin
egal n modul cu magnetonul lui Bohr, B , deci momentul magnetic
elementar va fi multiplu al magnetonului lui Bohr.
Domeniile de magnetizare spontan n care momentele magnetice
elementare sunt omniparalele se numesc domenii Weiss. Dimensiunile
acestor domenii sunt de ordinul zecilor de microni. Trecerea de la un
domeniu la altul se face prin zone numite perete Bloch, de grosime 50 la 50
000 constante de reea.
Nr. de
ordine
22
23
24
25
26
27
28

Simbol

Orientarea momentelor de spin

m p n B

2B

3B

5B

5B

4B

3B

2 B

Tabelul 4.1 Momentele magnetice spontane ale unor elemente chimice


Ti
V
Cr
Mn
Fe
Co
Ni

105

Fig. 4.2 Formarea domeniilor Weiss


4.4 Anizotropia magnetic
La unele materiale fero i ferimagnetice se constat c proprietaile
lor magnetice depind de direcia n material. Pe anumite direcii
prefereniale se produce o magnetizare mai uoar, cu consum mai mic de
energie de la cmpul de inducie exterior. Originea anizotropiei poate fi n
structura intim a materialuli (aizotropie magnetocristalin) sau poate fi
indus de factori externi.
Momentele magnetice ale diferitelor domenii pot avea orientri
opuse, iar n zona dintre ele (peretele Bloch) momentul magnetic sufer o
rotaie treptat.

Fig. 4.3 Orientarea momentelor magnetice n zona Bloch


n cazul fierului care are o structur cristalin cubic cu fee centrate,
exist 3 direcii n care magnetizarea se face uor (mu), mediu (mm) sau
greu (mg). Aceste direcii sunt urmtoarele:
mu direcie paralel cu muchiile cubului
mm paralel cu diagonalele feelor cubului
mg paralel cu diagonalele principale ale cubului
Anizotropia indus poate aprea prin mai multe procedee tehnologice:
- laminarea la rece (Fe-Si, Fe-Co, Fe-Ni etc.)
- tratament termic
- rcirea materialului.

106

4.5 Curba de magnetizare


La scar macroscopic, materialele feromagnetice au o curb de
magnetizare B f (H ) asemntoare dependenei M f (H ) . La
magnetizarea n curent continuu se obine curba din fig. 3.4, iar n cmp
variabil se obine ciclul de magnetizare numit ciclu histerezis. Principalele
mrimi caracteristice sunt inducia i cmpul maxim (Bm, Hm), inducia i
cmpul de saturaie (Bs, Hs) i inducia remanant (Br) i cmpul coercitiv
(Hc).

Fig. 4.4 Magnetizaia i inducia magnetic funcie de H


Caracterizarea materialului feromagnetic n jurul unei anumite stri
definit prin perechile (B,H) se face prin urmtoarele mrimi ale
permeabilitii magnetice relative:
- permeabilitatea relativ static
B
rst
0 H
(4.11)
care variaz cu H atingnd un maxim i tinznd la 1 la valori mari ale
lui H;
- permeabilitatea relativ diferenial (specific ciclului direct):
B
rdif lim
H 0 ( H )
0
(4.12)
- permeabilitatea relativ reversibil (specific ciclului invers)

107

B '
H 0 ( H ' )
0
(4.13)
- permeabilitatea relativ iniial
B
ri lim
H 0 ( H )
0
H 0, B 0

rrev lim

(4.14)
permeabilitatea relativ efectiv ce caracterizeaz circuitul
magnetic realizat cu bobin, miez i ntrefier:

ref

r
1 r

(4.15)
unde este factorul de demagnetizare.
Proprietile materialelor feromagnetice sunt influenate de mai muli
factori: temperatur, frecven, timp, impuriti etc.
Influena temperaturii scade magnetizaia ca urmare a creterii
agitaiei termice i micorrii domeniilor Weiss. La temperatura Curie (Tc)
agitaia termic depete energia de interaciune de schimb i domeniile de
magnetizare dispar complet. Ca ordine de mrime, TC=770oC la Fe, 362 oC
la Ni, 112 oC la Cr etc.
Influena frecvenei se manifest n special la frecvene mari, peste o
valoare critic dat de relaia:
4
.
f cr
iD 2
(4.16)
unde i este permeabilitatea relativ iniial, este conductivitatea
electric, d grosimea materialului. Pn la f cr , ri este practic constant iar
peste f cr ea ncepe s scad.
Influena timpului duce la mbtrnirea materialului, fenomen
manifestat prin creterea permeabilitii relative iniiale, creterea valorii
necesare a cmpului H pentru a obine o magnetizare dat etc.
Impuritile cresc valorile cmpului coercitiv, remanenei i energiei
de magnetizare. Unele impuriti ca Ni, Co, Cr, Mo existente n Fe,
dimpotriv, mbuntesc caracteristicile magnetice.

108

4.6 Ferimagnetismul
Materialele ferimagnetice au caracteristic faptul c momentele
magnetice au orientare antiparalel. Materialele ferimagnetice se mai
numesc i ferite i au n compoziie elemente bivalente de tipul Mn, Zn, Ni,
Co, Fe, Mg, Ba dup formula general M2+O2 F3+O32-, unde M este unul
dintre metalele specificate mai sus. Feritele au o larg utilizare n industria
electronic i electrotehnic.
Structura feritelor este cristalin de tipul spinelic, hexagonal sau
granat.
Structura spinelic este caracteristic feritelor de tipul
2
2
M O Fe 23 O32 , cu structur cristalin cubic, n care unitatea elementar
denumit spinel este un cub cu latura a/4, a fiind constanta reelei. La rndul
lor, spinelii sunt aezai n structuri cubice cu latura a/2. Ferimagnetismul
structurii este datorat interaciunii de schimb ale cationilor metalici M 2 i
Fe 3 care au momentele magnetice elementare orientate antiparalel.
Structura hexagonal este caracteristic feritelor cu formula
2
2
M O 6Fe 23 O32 , unde M poate fi Ba, Sr, Pb. Este caracterizat prin
existena structurii spinelice S srparat prin zone de trecere notate R.
Molecula feritei conine un bloc S i un bloc R. Dou molecule apropiate au
momentele magnetice elementare orientate n antiparalel.
Structura de tip granat este caracteristic feritelor cu formula
M 3 Fe5 O12 , unde M este un element din categoria pmnturilor rare, Y, Ga,
Tb. Dy, Ho, Lu. Aranjarea atomilor este complicat. Au o mare stabilitate
structural i sunt folosite n domeniul frcvenelor foarte nalte.
Proprietile feritelor Din punct de vedere al conductibilitii
electrice, majoritatea feritelor au caracter semiconductor, cu 108 cm .
Existena domeniilor Weiss de magnetizare spontan determin proprieti
de magnetizare asemntoare materialelor feromagnetice: neliniaritate, ciclu
histerezis, permeabilitate magnetic relativ mare, inducie de saturaie i
remanant de cteva ori mai mici dect la materiale feromagnetice,
temperatur Curie mai mic (60450 oC). Feritele sunt dure, casante, nu pot
fi prelucrate mecanic n afar de lefuire. Se fabric sub form de miezuri
masive prin sinterizare.

4.7 Pierderi n materiale fero i ferimagnetice


Un material fero sau ferimagnetic introdus ntr-un cmp magnetic
exterior consum o parte din energia acestuia ca urmare a unor procese fzice

109

care au loc n acestea. Energia activ consumat se transform, de regul, n


cldur. Principalele tipuri de pierderi sunt: prin cureni turbionari, prin
histerezis, prin magnetizare i prin rezonan magnetic.
Modelarea matematic a bobinei cu inductana L0, n care se
introduce un miez cu circuit nchis, cu pierderi, fr scpri de flux,
alimentat n curent alternativ, se face cu urmtoarele mrimi:
- impedana
Z j r L0 Rm j r L0
(4.17)
unde Rm r"L0 este rezistena echivalent de pierderi;
- puterile activ i reactiv din circuit
Pa UI cos m UI sin m I 2 Rm " L0 I 2
Pr UI sin m UI cos m I 2Lm ' L0 I 2
(4.18)
- tangenta unghiului de pierderi (constant de material)
Pa "
tg m

Pr '
(4.19)
- factorul de calitate (inversa tangentei unghiului de pierderi)
1
Qm
tg m
(4.20)

Pierderile prin cureni turbionari Curenii turbionari apar ca urmare a


aciunii legii induciei electromagnetice conform creia un cmp magnetic
variabil produce n acelai loc i timp un cmp electric variabil i reciproc.
Cmpul electric generat produce cureni de conducie locali, numii cureni
turbionari. La rndul lor, curenii turbionari produc un cmp magnetic
variabil care se opune celui iniial. Existena curenilor turbionari ntr-un
material cu rezistivitate finit genereaz, prin efect Joule, cldur care se
disip n mediul ambiant. Reducerea curenilor turbionari se poate face prin
creterea rezistivitii materialului. O posibilitate eficient de cretere a
rezistivitii este realizarea sa sub form de straturi subiri perpendiculare de
direcia curenilor, izolate ntre ele, numite n literatura de specialitate tole.

110

4.8 Tipuri de materiale magnetice


Materialele fero i ferimagnetice se clasific n funcie de forma i
dimensiunile curbei de histerezis i de panta curbelor de magnetizare,
B
.
k
H
Materialele magnetice moi au ciclu de histerezis ngust, cmp
coercitiv mic, inducie de saturaie mare i permeabilitate magnetic relativ
mare. n funcie de raportul k, materialele au r mic, mediu sau mare i
aplicaii diferite. Cele care au k 0.8 au ciclu histerezis dreptunghiular
(CHD) i sunt folosite pentru fabricarea miezurilor destinate funciilor de
memorare i comutaie.
Materialele magnetice dure au ciclul de histerezis lat, valori mari
pentru inducia remanent i cmpul coercitiv. Cele cu k 0.4 se utilizeaz
pentru nregistrarea magnetic a informaiei iar cele cu k 0.4 pentru
magnei permaneni.
Materiale pentru miezuri magnetice.
Sunt materiale magnetice moi, cu rezistivitate ridicat, care pot fi
prelucrate mecanic (laminare, lefuire). n compunerea lor intr n primul
rnd aliaje ale fierului.
Aliaje Fe-Si laminate la cald au grosimi, de regul, 0.350.5 mm.
Prezena siliciului determin creterea rezistivitii, scderea cmpului
coercitiv, diminuarea fenomenului de mbtrnire. Dac procentul de Si
depete 4.5%, aliajul devine friabil i nu mai poate fi prelucrat prin
tanare pentru a obine diferite profile de tole. Izolarea tolelor n scopul
reducerii curenilor turbionari se face cu depuneri de oxizi, impregnare cu
lacuri sau uleiuri minerale etc.
Aliaje Fe-Si laminate la rece prezint o anumit anizotropie i au
proprieti magnetice superioare pe direcia de laminare. Prelucrrile
ulterioare scad proprietile magnetice. Prin recoacere, proprietile se
restabilesc.
Aliaje Fe-Si-Al (alsifer) conin pn la 12%Al i 14%Si. Au valori
mari ale cmpului de saturaie, se pot turna i lamina la rece.
Aliaje Fe-Ni (permaloy) au proprieti magnetice puternic
dependente de compoziie i de tratamentul termic. n general, au r foarte
mare (>100 000) dar piederi mari prin cureni turbionari. Necesit laminarea
n folii foarte subiri. Sunt folosite la miezuri de transfoarmatoare, bobone
de oc.
Aliaje Fe-Co au inducie de saturaie mare (pn la 2.5 T). Dac
alierea cu cobalt ajunge la 3050%, materialul devine dur i casant.

111

4.9 Materiale dielectrice


Materialele dielectrice sunt materiale care se caracterizeaz prin stri
de polarizaie electric, adic acea stare n care apar momente electrice ale
unitii de volum diferite de zero. Starea de polarizaie electric nseamn
concentrarea de sarcini electrice opuse n zone nvecinate. Starea de
polarizaie poate fi:
- permanent dac nu depinde de intensitatea local a cmpului
electric;
- temporar dac este produs i depinde de un cmp electric local
aplicat din exterior (indus de un cmp exterior);
- cvasipermanent ntlnit la electrei. Acetia sunt creai prin
tratament termic n prezena unui cmp electric (termoelectrei)
sau prin iluminare n prezena cmpului electric (fotoelectrei).
Polarizarea permanent poate fi:
- spontan (piroelectric) atunci cnd apare n lipsa cmpului
electric, n anumite zone de temperatur, n cristale
necentrosimetrice, cum ar cristalele feroelectrice;
- piezoelectric produs n cristale necentrosimetrice n prezena
unei tensiuni mecanice aplicat din exterior.
La rndul ei, polarizarea temporar poate fi:
- polarizare de deplasare (ionic sau electronic);
- polarizare de orientare dipolar.
La majoritatea dielectricilor se manifest mai multe mecanisme de
polarizare, cu ponderi diferite, conducnd la polarizarea total a
materialului.
Dielectricii solizi pot fi cristalini, parial cristalini sau necristalini.
Unele proprieti nu apar dect n starea cristalin, de exemplu
piroelectricitatea, piezoelectricitatea, fenomenele electrooptice.
Dielectricii au caracteristic rezistivitatea foarte mare ( 108 m )
i se pot gsi n stare solid, lichid, gazoas sau mezomorf (cristale
lichide).
4.10 Funciile dielectricilor
1). Funcia de izolaie electric necesit rezistivitate foarte mare i
rigiditate dielectric (rezisten la strpungere) foarte mare. Se folosete
pentru impregnarea, umplerea sau protecia componentelor electronice
discrete sau integrate i ca piese electroizolante discrete.

112

2) Funcia de dielectric pentru condensatoare necesit materiale cu


capacitate de polarizare foarte mare pentru a acumula sarcini electrice mari
pe unitatea de volum.
3) Funcia de traductor electrooptic folosete diverse efecte
electrooptice pentru realizarea de dispozitive de afiare, memorii optice,
deflectoare spaiale pentru fascicole laser, modulatoare optice.
4) Funcia de traductor piroelectric care necesit materiale cu
polarizare dependent de temperatur pentru construirea de detectoare
piroelectrice, detectoare de microunde, detectoare optice.
5) Funcia de electret care permite construirea de generatoare de
cmp electrostatic.
4.11 Mecanismul de polarizare
Starea de polarizare presupune existena unui cmp electric local, EL,
care exercit aciuni directe asupra unei uniti polarizabile (atom, ion,
molecul) i nu coincide cu cmpul macroscopic E. Pe un model simplificat
se poate scrie c:

EL E P
0
(4.21)
unde este o mrime de material care depinde de structura acestuia.
1
De exemplu, pentru materiale cu simetrie sferic sau cristalizate n
3
sistemul cubic.
Polarizabilitatea, , a unei uniti de material se definete n funcie
de cmpul local:

p EL
(4.22)
i este o proprietate a unitii de polarizare (u.p.). La nivel macroscopic,
poprietile dielectricului depind de modul de ordonare al u.p.
Polarizarea unui cristal este definit de ecuaia:
P p i i E Li
V

(4.23)
nsumarea fcndu-se pe unitatea de volum V

a polarizabilitilor

elementare p i .
Pentru un dielectric omogen i izotrop la care ELi EL rezult:

113



P N E p
0

(4.24)
unde N este concentraia de u.p. n dielectricul dat.
Pe de alt parte, relaiile dintre intensitatea cmpului electric E , inducia
electric D i polarizaia P sunt:
D 0 E P 0 r E i P 0 E
(4.25)
Din ultimele dou ecuaii rezult:
1 1
r 1 i r
N
r 2 0
(4.26)
expresie cunoscut ca relaia Clausius-Mosotti. Ea ofer o legtur ntre
polarizabilitatea ca mrime microscopic i permitivitatea reativ ca
mrime macroscopic.
n mediile anizptrope r i e devin mrimi tensoriale de ordinul 2
cu 9 componente.
3

Pi 0 eij E j i ij 1 ij i,j =1,2,3


j 1

(4.27)
Dac ij ji , atunci numrul de componente independente nenule ale
tensorului r se reduce la 6.
Polarizabilitatea total a u.p. a unui dielectric monocristalin, , este format
din 3 componente iar cea a unui material policristalin din 4 componente:
e i d f
(4.28)
unde:
e este polarizabilitatea electric dat de deplasarea relativ a
centrului sarcinilor pozitive n raport cu cele negative ale unui atom;
i este polarizabilitatea ionic dat de deplasarea ionilor n jurul
poziiei de echilibru;
d este polarizabilitatea de orientare care apare n moleculele
bipolare;
f este polarizabilitatea interfacial care apare n zonele
neomogene sau structurate, caracteristice materialelor policristaline
(ceramice, ferite).

114

4.12 Pierderi n dielectrici


Fenomenele de polarizare indus, fie cele de deplasare, fie cele de
orientare, nu apar instantaneu la aplicarea cmpului electric extern.
Defazajul dintre cauz (cmp electric) i efect (inducia electric) conduce la
apariia unui ciclu de histerezis parcurs de material atunci cnd variaia
cmpului este periodic. Cu ct suprafaa acestei curbe nchise este mai
mare, cu att energia preluat de dielectric pentru polarizare este mai mare.
n acelai timp, n orice dielectric chiar cu rezistivitate foarte mare, exist
totui un numr de sarcini electrice libere care determin un slab curent de
conducie.
4.12.1 Modelul dielectricului ideal fr pierderi prin conducie
Pentru explicarea pierderilor prin dielectricul ideal trebuie pornit de
la modelul microscopic al polarizrii conform cruia sarcinile electrice
(electroni sau ioni din reeaua cristalin) sunt legai elastic ntre ele. La
aplicarea cmpului electric exterior aceste sarcini se deplaseaz din poziiile
lor de echilibru i revin n aceste poziii prin micri oscilatorii amortizate,
atunci cnd cauza nceteaz.
Poziia sarcinii este dat de soluia ecuaiei de micare, z(t) de forma:

z (t ) z0 e cos(0t 0 )
(4.29)
unde: z 0 este amplitudinea oscilaiei
1
este timpul de relaxare, adic durata de timp dup care

amplitudinea oscilaiei scade de e2.71 ori ( reprezint factorul de


amortizare)
0 este faza iniial a oscilaiei
Momentul electric elementar este proporional cu deplasarea fa de
poziia de echilibru, deci va avea o expresie similar:

(t ) (0)e

cos(0t 0 )

(4.30)
Cunoscnd dependena de timp a polarizabilitii (t ) se poate
determina dependena de frecven a permitivitii relative complexe:

115

(t )e jt dt
0

(4.31)
nlocuind relaia lui (t ) i efectund integrarea, se obine expresia
permitivitii complexe:
1 jtg 0
(0) 1 jtg 0
' j "

cos 0
2 1 j (0 ) 1 j (0 )
(4.32)

Fig. 4.5 Dependena permitivitii relative complexe de frecven la


dielectrici ideali
Deoarece partea imaginar a permitivitii complexe, " este legat
de pierderile prin deplasare de sarcin, rezult c atenuarea cmpului
electric E va fi mare n jurul frecvenei de rezonan 0 . Valoarea lui 0
depinde de tipul de sarcin care duce la polarizarea prin deplasare:
0 2 1015 rad s 1 pentru electroni atomici

rad s pentru ioni

1
0 2 1013
Prima valoare (rezonana electronic) se plaseaz n domeniul
ultraviolet i n vizibil, iar a doua (rezonana atomic) n infrarou. n afara
acestor domenii de rezonan pierderile n dielectricul ideal sunt neglijabile.

4.12.2 Pierderile prin conducie


Dielectricii reali posed o concentraie, n mod uzual foarte mic, de
sarcini electrice libere care se pot deplasa sub aciunea cmpului electric,
genernd un curent de conducie. Densitatea acestor sarcini este mai mare la
suprafaa materialului (sarcini de suprafa). Prin urmare, se pot evidenia o

116

conductivitate electric de volum ( V ) i una de suprafa ( S ) sau


rezistivitile corespunztoare.
Conductivitatea electric depinde de mobilitatea purttorilor i de
temperatur. Dependena de temperatur este de forma:

Ae

a
T

(4.33)
unde a i A sunt constante de material.
Dependena curentului de conducie de cmpul electric exterior care
l produce este funcie de tipul de dielectric, starea sa de agregare i de alte
proprieti ale sale. Dou caracteristici tipice pentru dielectrici gazoi i
solizi sunt prezentate n figura 4.6.
Forma caracteristicilor difer destul de mult. n ambele cazuri ele
ncep cu o zon liniar i se termin cu o zon de strpungere. Strpungerea
este net n cazul gazelor i treptat n cazul solidelor. Existena curentului
de conducie n zona dinaintea strpungerii determin pierderi suplimentare
n dielectric. Densitatea de curent de conducie este:
J E
Notnd cu I intensitatea curentului de conducie pe o suprafa
nchis care intersecteaz totalitatea liniilor de cmp electric i cu Q
sarcina electric acumulat pe suprafaa , se poate scrie raportul:

Fig. 4.6 Caracteristicile curent cmp electric la dielectrici

DdA

JdA

0 st EdA

dA

0 st

(4.34)
Acest raport se mai poate scrie i sub forma:

117

Q CU

Crp
U
I
rp
(4.35)
unde C st C0 este capacitatea condensatorului cu suprafaa
armturilor i dielectric ntre ele, iar rp este rezistena de pierderi prin
conducie.
Admitana echivalent a condensatorului cu pierderi este:
1
Y j st C0
rp
(4.36)
Prin identificare cu relaia general a admitanei complexe:
Y j ( ' j ")
(4.37)
se obin prile real i imaginar ale permitivitii relative
complexe:
' st

0
(4.38)
Cu ajutorul lor se definete tangenta unghiului de pierderi:

tg
0 st
(4.39)
"

Fig. 4.7 Definirea tangentei unghiului


de pierderi la dielectrici cu pierderi prin
polarizare i conducie

/ 0

st

0 st
are semnificaia unei constante de timp i

reprezint frecvena de tiere a circuitului de tip filtru trece jos a schemei


echivalente din fig. 4.8.
Este de reinut c tangenta unghiului de pierderi scade cu creterea
frecvenei ntruct partea imaginar " scade cu frecvena , iar partea
real este aproximativ constant.
Mrimea p Crp

118

Fig. 4.8 a) Dielectric cu pierderi prin polarizare b) Dielectric cu pierderi


prin conducie
c) Schema echivalent a condensatorului cu ambele tipuri de pierderi
4.13 Exemple de dielectrici i caracteristicile lor
Mica i materialele pe baz de mic
Mica este un silicat de aluminiu, coninnd n principal SiO2 i
Al2O3, oxizi de metale grele i grupe OH- (hidroxid). Cele mai cunoscute
sunt
mica
muscovit
{K[Si3Al3O10](OH)2}
i
mica
flogopit
{K[Mg3Al3O10](OH)2}. Mica prezint structur cristalin stratificat,
straturile elementare avnd grosimi de aproximativ 1nm. Legtura dintre
straturile elementare este destul de slab, asigurat prin ioni de K+ i OH- i
ca urmare, se poate desface uor n planuri paralele prin clivaj.
Pentru un cmp perpendicular pe planurile de clivaj, mica prezint
polarizare de deplasare electronic i ionic i o rigiditate dielectric foarte
bun, de ordunul 7108 V/m. De-a lungul planurilor de clivaj proprietile
dielectrice scad mult datorit mobilitii pe aceast direcie a ionilor de K+ i
OH-, rezistivitatea volumic scade la 108109 cm i pierderile n dielectric
cresc, tg210-3. Mica muscovit este foarte bun pentru condensatoare,
singurul dezavantaj mai mare fiind faptul c este higroscopic, necesitnd o
bun etanare a componentelor. Mica flogopit este un foarte bun izolator
electric.
Tabelul 4.2 Caracteristicile ctorva tipuri de mic
Materialul

tg

o
T=0 C , f=1MHz
[cm]
Mica muscovit
6.77
310-4
10151016
Mica flogopit
56
1,510-3
10131015
Mica
7.6
210-4
10171018
fluor/flogopit
Micalex
6.58.5
(310)
10121014
-3
10

119

Tmax
[oC]
500600
800900
800900
300350

Sticlele silicat fac parte din categoria compuilor oxidici avnd la


baz SiO2 n amestec cu:
- oxizi ai metalelor alcaline Na2O, K2O;
- oxizi ai metalelor alcalino-pmntoase CaO, BaO;
- ali oxizi Al2O3, PbO, ZnO etc.
Bioxidul de siliciu pur este un dielectric remarcabil prezentnd
polarizare de deplasare electronic i ionic. Are cel mai mic coeficient de
dilatare termic cunoscut. Prezena oxizilor de Na i K mbuntete
proprietile de dielectric (crete r) dar scade rezistivitatea. Prezena oxizilor
metalelor alcalino-pmntoase determin o cretere a prmitivitii relative
dar i a pierderilor n dielectric. Pentru toate tipurile de sticl tehnic
permitivitatea relativ crete cu temperatura, cu un coeficient
30 106 500 106 K 1 . Pierderile (tg) cresc substanial cu
frecvena, cu excepia sticlei de cuar, iar rigiditatea electric este n gama
1020 MV/m.
Principalele utilizri ale sticlelor sunt de izolatori electrici.
Tabelul 4.3 Caracteristicile ctorva tipuri de sticle
Materialul

tg

T=20oC , f=1MHz
[cm]
Sticl silicat cu
5.77.5 (310)10-3
108109
Na2O
Sticl silicat cu
56
(15)10-3
10111013
Na2O i K2O2
Sticl cu oxixi de
7.6
(412)10-4 10111013
metale grele

Estr
[MV/m]
1020
1020
1020

Dielectrici ceramici
Dielectricii ceramici constituie o familie divers de compui oxidici
avnd n comun procesul tehnologic de obinere de tip ceramic.
Dielectricii de tipul BaO-Al2O3-SiO2 sunt utilizai n special ca
materiale sau piese electroizolante (au pierderi mici i sunt nehigroscopice).
Proporiile celor 3 oxizi modific caracteristicile dielectrice n moduri
variate. Dielectricii din oxizi de Ti i Zr sunt utilizai pentru condensatoare
de nalt frecven i au permitivitatea relativ mare.
Hrtia pentru condensator este un polimer natural liniar cu proprieti
dielectrice modeste. Pentru mbuntirea proprietilor ei se impregneaz cu
dielectrici nepolari (ulei, parafin).

120

Materialele sintetice termoplastice fac parte din categoria


dielectricilor cu polarizare de orientare. Sunt polimeri cu molecul liniar,
ceea ce le confer flexibilitate, elasticitate, solubilitate n solveni organici.
Principalele utilizri sunt:
- izolaie pentru cabluri (policlorura de vinil);
- dielectric pentru condensatoare;
- piese electroizolante;
- lacuri i rini electroizolante.
Materialele sintetice termorigide sunt polimeri cu molecul spaial,
cu consisten dur, care se nmoaie greu i la temperaturi nalte. Cei mai
muli se ard (carbonizeaz) nainte de nmuiere.
Materiale dielectrice neliniare
Materialele feroelectrice sunt materiale cu polarizare spontan
organizat pe domenii. n fiecare domeniu polarizarea este unic, dar aceast
direcie variaz de la un domeniu la altul. Ca urmare, la nivel macroscopic,
n absena unui cmp exterior, materialul apare ca nepolarizat. n prezena
unui cmp electric exterior, domeniile se orienteaz dup acest cmp i
apare polarizarea macroscopic. Dup dispariia cmpului materialul nu
revine n totalitate la starea iniial, ci pstreaz o remanen.
Structura materialelor feroelectrice este ionic sau parial ionic.
Polarizarea spontan variaz cu temperatura. Creterea temperaturii
favorizeaz procesul de dezorganizare a domeniilor de polarizare pn cnd,
la o anumit temperatur, materialul i perde polarizarea spontan, devenind
paraelectric. Toate materialele feroelectrice se caracterizeaz prin una sau
mai multe temperaturi de tranziie.

Fig. 4.9 Ciclul histerezis al unui dielectric feroelectric


Cea mai nalt la care ordinea dispare complet se numete
temperatura Curie. Dispariia polarizrii spontane este nsoit de o

121

schimbare a structurii cristaline, numit tranziie de faz. n zonele tranziiei


de faz toate proprietile (optice, mecanice, electrice) ale corpului se
modific brusc. Toate materialele feroelectrice sunt i piezoelectrice dar nu i
reciproc.
Materialele feroelectrice cunoscute (sunt peste 100) se pot clasifica
n grupe pe baza structurii lor chimice i proprietilor fizice.
a) Materiale uniax Din aceast categorie fac parte:
Sarea Rochelle (sau sarea Seignette dup numele celui care a preparat-o
n 1921) este un tartrat dublu de K i Na (NaKC4H4O64H2O), cristalizat
monoclinic ntre +18 i +23 0C. n afara acestui interval este paraelectric
cristalizat ortorombic. Polarizarea spontan apare de-a lungul axei
ortorombice i are dou direcii posibile, paralel i antiparalel cu axa
polar. Permitivitarea dielectric relativ depinde puternic de temperatur i
de cmpul electric.
Monofosfatul de potasiu i hidrogen (KDP) are temperatura Curie
TC=123 0C i structur romboedric n domeniul feroelectric.
b) Materiale multiax Perovschit este format din grupul BaTiO3 i
sruri izomorfe (Ba1-xSnx)TiO3, Ba(Ti1-xSnx)O3, PbTiO3 etc. Sunt
avantajoase prin domeniul larg de temperatur n care sunt feroelectrice,
rezistente mecanic, rezistente la umiditate. Materialele feroelectrice sunt
utilizate n principal pentru prepararea ceramicii de condensatoare,
dispozitive optoelectronice de tipul modulatoare, traductoare, deflectoare
spaiale etc.
4.14 Materiale piezoelectrice
Piezoelectricitatea este proprietatea de modificare a strii de
polarizare sub aciunea unor tensiuni mecanice (efect piezoelectric direct,
EPD). Ca urmare a polarizrii apar tensiuni electrice pe suprafeele laterale
ale materialului. Exist i fenomenul invers, de deformare a reelei cristaline
sub aciunea unui cmp electric (EPI). Cristalele piezoelectrice se deosebesc
de cele electrostrictive care i modific dimensiunile dar nu i polarizarea
sub aciunea cmpului electric.
Cel mai cunoscut material piezoelectric este cuarul (SiO2). La
temperatura normal (cuar ) cristalizeaz n sistemul trigonal-trapezoidic
(clasa de simetrie 32) cu urmtoarele elemente de simetrie:
- o ax de ordinul 3 numit ax optic;
- trei axe de ordinul 2 perpendiculare pe prima, formnd ntre ele
1200, numite axe electrice.

122

Structura sa este o reea de tetraedrii SiO4 cu Si distribuit n


interstiiul format din anionii de oxigen, reea aranjat elicoidal n jurul axei
optice. O lumin polarizat liniar care strbate cristalul de-a lungul axei
optice poate fi rotit ca plan de polarizare:
- spre stnga (cristal levogir);
- spre dreapta (cristal dextrogir).
Proprietile electrice, mecanice i optice depind de direciile din
cristal pe care se analizeaz (cuarul este puternic anizotrop). Axele de
coordonate se aleg n mod uzual:
Oz pe direcia axei optice;
Ox pe una din axele electrice;
Oy perpendicular pe planul celorlalte dou.
Evident c datorit simetriei, exist 3 sisteme de coordonate perfect
echivalente, funcie de alegerea axei Ox pe una dintre cele trei axe electrice.
Pentru aplicaiile practice, cristalul de cuar este tiat cu precizie dup
direcii bine definite n raport cu axele cristalografice. Seciunile uzuale
sunt:
X n planul yox
Y n planul xoy
-5X n planul yox rotit cu -50 fa de axa Oz.
n afar de piezoelectricitate i anizotropie, cuarul se mai
caracterizeaz i prin:
- pierderi interne reduse, factor de calitate ridicat;
- stabilitate termic ridicat a parametrilor elastici (frecvena de
rezonan aproape c nu depinde de temparatur);
- disponibilitate natural a unor cristale de dimensiuni mari,
prelucrabile relativ uor;
- posibilitatea cresterii de cristale sintetice;
- posibilitatea de a funciona pe frecvena fundamental sau pe
armonica 3 sau 5;
- frecvana fundamental dat de dimensiunile i de orientrile
plcuelor fa de axele cristalografice.

Fig. 4.10 Seciuni uzuale n cuar

123

Aplicaia cea mai cunoscut a cuarului este oscilatorul electric. Un


cristal de cuar prins n schema unui oscilator electronic duce la generarea
unei frecvene electrice foarte precise, cu o stabilitate relativ de ordinul 105
. Dac circuitul electric este, n plus, termostabilizat i termocompensat,
stabilitatea sa relativ poate atinge 10-610-7.

Fig. 4.11 Scheme de orcilatoare cu cuar


Cristalele de cuar folosite n construirea oscilatoarelor electrice au o
schem echivalent de tipul R,C,L (rezistor, capacitor, inductan) de tipul
celele din fig. 4.9 cu dou frecvene de rezonan foarte apropiate:
1
frecvena serie
i
frecvena paralel
fs
2 L1C1
1

fp
2 L1

C1C

(4.40)

C1 C0
n funcie de modul de conectare n circuit, cristalul poate funciona
pe oricare din cele dou frecvene.
Factorul de calitate definit ca inversul tangentei unghiului de pierderi
n dielectric este de ordinul 105106, ceea ce nu se poate obine cu
componente R, L, C obinuite.

Fig. 4.12 Schema echivalent a cuarului

124

4.15 Cristale lichide

Cristalele lichide (CL) sunt o categorie de materiale dielectrice avnd


o stare intermediar (mezomorf) ntre starea solid cristalin i starea
lichid. Aplicaiile lor principale sunt n sistemele de afiare a caracterelor
-numerice i a imaginilor alb-negru sau color, ca urmare a consumului
redus de energie, a dimensiunilor i greutii reduse. Starea de CL este
prezent la puine substane organice i se manifest ntre dou temperaturi
T1 i T2. Prima este temperatura de topire a solidului i de trecere spre starea
mezomorf, cnd materialul devine vscos i tulbure, iar T2 este temperatura
de limpezire a CL.
Pentru ca un CL s poat fi aplicat n electronic se impun cteva
cerine:
-interval larg de stare metafaz n gama temperatturilor uzuale;
-stabilitate electrochimic i fotochimic foarte bune;
-vscozitate redus i timp de rspuns mic;
-incolor i transparent n straturi subiri;
-rezistivitate ridicat, 1010 m ;
-anizotropie electric ridicat;
-ordine cristalin i elasticitate.
Un asemenea material aflat n stare cristalin are moleculele
orientate pe o direcie precis, n stare mezomorf (CL) parial orientate dar
orientabile n cmp electric i neorientate n starea lichid.
Starea de orientare a moleculelor se poate aprecia printr-un
parametru de ordine definit n starea mezomorf:
3 cos 2 1
S
2
(4.41)
unde este unghiul dintre direcia preferenial a moleculelor i axa
lung a lor, notaia semnificnd medierea pe eantionul studiat. Valori
uzuale ale lui S sunt 0.30.9 i depinde de temperatur.

125

Fig. 4.13 Trecerea cristalelor prin starea mezomorf


Clasificarea cristalelor lichide
Dup modul de obinere:
- termotrope prin rcire sub T1 sau nclzire peste T2;
- liotrope din soluiile lichide prin mrirea concentraiei sau
evaporarea solventului.
Dup ordine:
- nematice (CLN) caracterizate prin orientarea aproximativ
paralel a moleculelor pe o singur direcie n tot volumul, fr
stratificare;
- smectice (CLS) n care moleculele sunt orientate pe o direcie i
stratificate (depuse n straturi). Distana dintre dou straturi
(plane) este mai mare dect lungimea moleculei. Ordinea n
aceste cristale este mai mare dect n cazul cristalelor nematice,
avnd dou elemente de ordine.
- Colesterice (CLC) care au ordinea cea mai ridicat, pe trei
direcii. Structura este stratificat n planuri, iar moleculele
dipolare orientate elicoidal. Distana dintre 2 plane cu acceai
orientare a momentelor dipolare reprezint pasul structurii.

Fig. 4.14 Modurile de orientare a moleculelor dipolare la CL

126

Pasul structurii CLC depinde de mai muli factori: compoziie, cmp


electric, temperatur etc. Acestea au o proprietate foarte important, accea de
a reflecta selectiv lumina incident dac lungimea de und este egal cu
pasul p al structurii.
Dup modul de lucru i aranjarea electrozilor:
- CL care funcioneaz prin transparen; n acest caz cei doi
electrozi trebuie s fie transpareni;
- CL care lucreaz prin reflexie, caz n care un electrod este
transparent i cellalt opac (reflector).
Electrozii sunt realizai prin depunere de oxizi conductori
transpareni (SnO2) mpreun cu un stabilizator (In2O2) i un element de
aderen (SbCl3) pe sticle optice. Electrodul opac se face din aluminiu.

Fig. 4.15 Principiul de realizare a celulei de afiaj cu CL


Dup modul de orientare a moleculelor ntre eelctrozi, cristalul nematic sau
smectic poate fi:
- homotrop, moleculele sunt paralele cu electrozii;
- homeotrop, moleculele sunt pependiculare pe electrozi;
- rotit cu 90o i se numete nematic rsucit (TN twiseed nematic)
sau cu 270o si se numete superrotit nematic (STN C).
4.15.1 Efecte electrooptice n CLN
1) Efecte de cmp
Sub aciunea cmpului electric n CLN se pot produce diverse efecte
utile n aplicaiile de afiare a informaiei:
- de rotire nematic (TN/STN LCD- twiseed nematic/super
twiseed nematic Liquid Cristal Display)
- efect de culoare gazd-oaspete (GH)
- efect de culoare prin birefringen controlat electric (ECBelectricaly controlled birefringence)
- efectul schimbrii de faz (PC- phase change)
Efectele menionate mai sus se produc prin aplicarea unui cmp
electric exterior, constant sau variabil, si care schimb orientarea
moleculelor bipolare. Dac CL are aizotropie dielectric negativ (ADN)

127

atunci moleculele se orienteaz cu axa lung pe direcia cmpului. La cele


cu anizotropie dielectric pozitiv (ADP), orientarea n cmp se face
perpendicular pe acesta.
Timpul de rspuns al unui CL este un parametru important de care
depind frecvena maxim de lucru. Ca n orice sistem fizic ntre cauz i
efect (aplicarea cmpului i orientarea moleculelor) apare o ntrziere.
Funcionarea CL implic n majoritatea cazurilor lumin polarizat.
Un CL este transparent dac planul de polarizare este paralel cu orientarea
moleculelor i este opac dac planul de polarizare este perpenicular pe axa
mare a moleculelor.
2)Efectul de culoare gazd oaspete (GH)
Moleculele oaspete sunt molecule dicroice dizolvate ntr-un cristal
lichid (gazd). Un mediu dicroic este un mediu capabil s absoarb o
component spectral a luminii polarizate. Moleculele dicroice oaspete se
orienteaz paralel cu cele gazd i urmresc orientatea acestora funcie de
cmpul electric.
Efectul GH const n absorbia sau transmiterea selectiv a unei
lungimi de und (culoare) de ctre oaspete (lichidul dizolvat n CL gazd).
Dac anizotropia este pozitiv, atunci n stare neactivat este absorbit o
anumit culoare i se transmite spectrul complementar; n stare activ se
transmite tot spectrul. Dac anizotropia este negativ n stare activat se
transmite o singur culoare iar n stare neactivat se transmite tot spectrul. n
felul acesta se pot obine culori pure, n particular RGB (rou, verde,
albastru) din care, prin combinare adecvat se poate abine orice culoare a
spectrului vizibil.

Fig. 4.16 Absorbia unei culori (0) de ctre dopani dicroici


3)Birefringena controlat electric (ECB)
Acest efect electro-optic este foarte important pentru obinerea
culorilor cu ajutorul CLN. Spre deosebire de efectul G-H care permite

128

obinerea unui numr finit de culori prin folosirea mai multor straturi de
cristal comandate separat n care erau dizolvate substane dicroice, n cazul
ECB se poate obine un spectru mult mai larg. Exist mai multe variante de
ECB funcie de modul de orientare a moleculelor de CL n cmp:
DPA(dielectric cu anizotropie pozitiv), omogen, HNA( hybrid aligned
nematic). Varianta cea mai folosit este DPA i este ilustrat n fig. 4.14
pentru un cristal nematic.

Fig. 4.17 Birefringena controlat electric n CLN


n stare neactivat CL este opac deoarece axele polarizorului (P) i
cele ale analizorului (A) sunt reciproc perpendiculare. n stare acrtivat
apare fenomenul de birefringen indus de tensiunea U, cnd raza de
lumin se desparte n dou raze, ordinar i extraordinar, parcurg drumuri
diferite i la ieirea din CL vor avea un defazaj:
2

dn

unde d este grosimea CL iar n no ne este diferena indicilor de


refracie dintre raza ordinar i cea extraordinar. n funcie de valoarea
acestui defazaj, compunerea undelor la intrarea n analizor se poate face n
faz, n antifaz sau intermediar. Undele n antifaz se anuleaz. Practic,
diferitele componente spectrale vor fi atenuate n mod diferit, rezultnd o
lumin colorat, contorlat prin cmp electric.
4.15.2 Matrice de afiaj
Pentru afiarea unei imagini 2D este nevoie de o matrice de puncte
(elemente punctuale de afiaj numite pixeli) i care pot fi activai individual.
O asemenea matrice conine n linii i m coloane, la intersecia fiecruia
gsindu-se un pixel. Adresarea unui pixel i,j se face prin activarea

129

liniei i i a coloanej j cu tensiuni electrice.


1

1
2

Fig. 4.18 Matrice de afiaj cu i


linii i j coloane

Activarea pixelilor se face prin scanare n timp linie cu linie i


coloan cu coloan. Pentru a activa pixelii de prima linie se aplic un
potenial (de exemplu V+) pe linia 1 i apoi o tensiune V- pe rnd, pe fiecare
coloan. Activarea pixelilor pentru o matrice cu multe puncte, s zicem
200200 este o problem dificil. Fiecare pixel se comport ca o rezisten
electric. Activarea unei linii i a unei coloane determin aplicarea unor
poteniale parazite diferite pe toi pixelii matricei, nu numai pe cel dorit.
Acest lucru se poate vedea pe fig.4.19 unde pe o matrice 22 pixelul adresat
are tensiunea U iar ceilali pixeli au tensiunile parazite U/3.

Fig. 4.19 Tensiunile parazite U/3 care apar la activarea unui pixel ntr-o
matrice 22
Pentru a nu activa pixelii neadresai, tensiunile parazite trebuie s fie
mai mici dect o valoare de prag Up.
Se definete rezoluia n tensiune a materialului:
U
S cdt
U us
(4.42)
unde U cdt este tensiunea de comand a unui pixel oarecare.
Se poate demonstra c alegnd pe linie tensiunea V0 i pe coloan
V0
, unde a este un parametru, atunci:
a

130

V0 a 2 2a n
V0 a 2 2a n
i U us
U cdt
a
n
a
n
(4.43)
iar n este numrul de linii. Valoarea constantei a se poate determina
maximiznd raportul S i se obine a n . Aceasta nseamn c dac
V
tensiunea pe linie este V0, atunci tensiunea de scanare pe coloan va fi 0 ,
n

U cdt
S 2 1
n 1
iar S
i nmax 2
.
(4.44)

U us
S 1
n 1
Ultimele relaii arat c dac n (numrul de linii) crete, este necesar
un material care poate produce un contrast suficient la o diferen de
tensiune U cdt U us mic, adic s aib un rspuns optic abrupt n jurul
tesiunii de prag, Up. Tabelul urmtor arat raportul dintre tensiunea de
comand i cea parazit pentru diferite valori ale lui n. Se observ c pentru
n=200 acest raport este doar 7%, ceea ce impune alegerea atent a
materialului optic.
Tabelul 4.4
n
2
4
8
16
32
64
100
128
200
S
2.41 1.73 1.43 1.29 1.20 1.13 1.11 1.09 1.07

131

Unitatea de nvare 5 Materiale semiconductoare


Obiective:

Ce sunt materialele semiconductoare i cum se obin;


Modelul conduciei curentului electric n semiconductoare;
Jonciunea semiconductoare p-n i caracteristicile sale;
Funciile materialelor semiconductoare i aplicaiile lor n IT.

Materialele semiconductoare sunt materiale a cror conductivitate


electric este cuprins aproximativ ntre (10-10...103 1cm 1 ) i se situeaz din
acest punct de vedere ntre conductoare (104...106 1cm 1 ) i izolatoare (1012
...10-18 1cm 1 ). Proprietile lor electrice legate de conductivitate sunt
puternic influenate de prezena dorit a anumitor impuriti.
Semiconductoarele se deosebesc fundamental de conductoare nu
numai prin valoarea conductivitii dar i prin modul n care aceasta variaz
cu temperatura (valoarea conductivitii crete cu temperatura n timp ce n
conductoare aceasta scade).
De asemenea, valoarea conductivitii semiconductoarelor este
puternic influenat de defectele existente n structura cristalin a
materialului i de factori externi, n timp ce la conductoare acestea n-au
practic, nicio influen.
n anii 50 dup apariia tranzistorului, germaniul era principalul
material semiconductor, dar era de nefolosibil n multe aplicaii datorit
curentului rezidual ridicat la temperaturi nu prea mari.
n plus, proprietile modeste ale oxidului de germaniu nu permiteau
dezvoltarea unor tehnologii performante. Prin anii 60 siliciul devine
nlocuitorul practic al germaniului datorit curenilor reziduali mult mai
mici i proprietilor remarcabile ale oxidului su, care au permis
dezvoltarea tehnologiei planare i apoi a celei monolitice. Ali factori care
au contribuit la dezvoltarea extraordinar i rspndirea larg a tehnologiei
dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate au fost
considerentele economice legate de costul siliciului monocristalin
utilizabil pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor
integrate i disponibilitatea mare de materie prim. Reducerea continu a
dimensiunilor fizice ale componentelor integrate, paralel cu reducerea puterii
disipate pe component, au permis creterea continu a gradului de integrare,
ajungndu-se la milioane de componente pe chip. n prezent se dezvolt
tehnologiile submicrometrice i cele nanometrice, concomitent cu integrarea
mai multor tipuri de semiconductoare pe acelai suport.

132

n prezent siliciul (Si) este unul dintre cele mai cunoscute


materiale din tabelul periodic, iar tehnologia siliciului este pe departe cea
mai avansat dintre toate tehnologiile cte sunt aplicate n
microelectronic.
Cu toate avantajele legate de Si, acest material rmne nc modest
din punct de vedere al performanelor sale la frecvene foarte nalte, n
domeniul optic, etc. n ultimii ani au fost dezvoltate i alte materiale care
s poat acoperi aplicaiile n care Si a devenit inutilizabil. Acestea sunt,
n principal, materiale semiconductoare compuse (compui intermetalici)
din grupele III- V i II- VI. Notnd cu A i B materialele (elementare sau
compuse) ce aparin grupei a ///-a i respectiv a V-a a tabelului periodic al
elementelor, astfel, n mod uzual, compuii A III -B V sunt constituii din:
A= In, Ga, Al (sau combinaii echivalente cum ar fi, de ex. Ga x Al1-x) iar
B= N, Sb, As, P (sau combinaii echivalente, de ex. Sby P1-y). Aceste
materiale, n special GaAs, sunt utilizate n aplicaii optice sau de microunde.
Tehnologia acestor materiale s-a dezvoltat
pornind de la metodele
cunoscute din tehnologia Si, dar implic procedee particulare mai complexe
i deci, mai scumpe.
5.1 Clasificarea materialelor semiconductoare
Materialele semiconductoare pot fi:
materiale elementare : Ge, Si etc.;
materiale compuse:
Compui IV IV
SiC, SiGe;
Compui III - V
binari: din care: AlSb, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb...
ternari: AlxGa1-xAs, GaxIn1-x As, ....
cuaternari: GaxIn1-x Py As1-y, Inx Al1-xSbyP1-y, Inx Al1-xAsyP1-y
..
Compui II VI: CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe,
CdSSe, CdyZn1-yTe etc.
Compui compleci:
I-IV-V CuAsS2, AgSbTe2, AgBiSe, ....
II-IV-V CdSnAs2, ZnSbAs2, MgGeP2, ...
Materialele semiconductoare cum ar fi siliciul i germaniul au
structur cristalin de tip diamant care aparine familiei cubice.
Funcionarea dispozitivelor semiconductoare se bazeaz pe
deplasarea purttorilor de sarcin (electroni i goluri) n material. Nivelele
energetice pe care electronii le pot ocupa n corpul solid sunt dispuse n

133

interiorul unor benzi energetice permise, separate de benzi interzise, n care


electronii nu pot avea energie i nu pot exista. La temperaturi mai mari dect
zero absolut, exist ntotdeauna un numr de electroni liberi i de goluri, ca
urmare a ruperii unor legturi covalente (fenomenul de generare de perechi
electron-gol). Aceti purttori sunt cvasi liberi, ei nu aparin unui anume
atom i se pot deplasa prin reeaua cristalin, participnd la conductivitatea
materialului. Uneori ei pot intra ntr-o legtur covalent i dispar ca
purttori liberi (fenomenul recombinrii electron-gol). Pentru a crete
conductivitatea unui semiconductor se introduc prin dopare controlat
impuriti (atomi de materiale strine) care au numr diferit de electroni de
valen dect semiconductorul. De exemplu, dac n siliciu care este
tetravalent se substituie unii atomi de baz cu atomi din grupa a III-a (Al, Ga
etc.), va rezulta un deficit de electroni pentru legturile covalente. Ca
urmare, va exista o concentraie mai mare de goluri (locuri libere) dect de
electroni liberi. Semiconductorul se numete de tip p i conducia este dat
n principal de goluri. ntr-o alt situaie, cnd unii atomi de baz sunt
substituii cu atomi din grupa a V-a (P, As etc.), vor exista electroni liberi,
nefixai n legturile covalente care vor participa la conducie. n acest caz
semiconductorul este de tip n, iar conducia este n principal electronic.
Materialele din grupa a III-a se numesc acceptoare, iar cele din grupa a V-a,
donoare. Semiconductoarele nedopate se numesc intrinseci, iar conducia
acestora este dat deopotriv de electroni i de goluri.

5.2 Calculul concentraiei de purttori


Conductivitatea electric a semiconductoarelor este puternic
influenat de existena purttorilor mobili de sarcin electric (electroni i
goluri).
Concentraiile de purttori liberi definite ca fiind numrul de
electroni, n, respectiv de goluri, p din unitatea de volum, care particip la
conducie, depind de tipul de material semiconductor, de mrimea benzii
interzise, de temperatur i se determin cu relaiile:
3
W WF
n AT 2 exp C

kT
(5.1)
3
W WV
n BT 2 exp F

kT
(5.2)
unde T- este temperatura absolut, k - constanta lui Boltzman, Wc i
Wv limitele benzilor de conducie i respectiv de valen iar F energia

134

corespuztoare nivelului Fermi. A i B sunt dou constante care depind de


material i ntr-o prim aproximaie se pot considera egale. n aceast ipotez,
produsul concentraiilor de purttori devine:

W Wv
Wi
2 3
2
pn A2T 3 exp c
A T exp
ni
kT

kT
(5.3)
unde ni reprezint concentraia intrinsec de electroni liberi din
materialul nedopt.
Relaia (5.3) arat c produsul concentraiilor de purttori nu depinde
de poziia nivelului Fermi n diagrama energetic, ci numai de temperatur i
de mrimea benzii interzise a semiconductorului i este egal cu ptratul
concentraiei intrinseci. Deoarece produsul concentraiilor de purttori este
constant la o temperatur dat, rezult c prin dopare cu un tip de impuriti se
obine o cretere a numrului de purttori de un tip i scade corespunztor
numrul purttorilor de cellalt tip.
Semiconductoarele dopate cu atomi donori au ca purttori de sarcin
majoritari electronii i ca purttori minoitari golurile. Ele se numesc
semiconductoare de tip n. Cele dopate cu atomi acceptori au ca purttori de
sarcin majoritari golurile i ca purttori minoritari electronii. Ele se numesc
semiconductoare de tip p.
Din relaiile (5.1) (5.3) se poate exprima legtura dintre
concentraiile de purttori majoritari, concentraiile intrinseci i nivelul Fermi:

W Wm
W WF
n ni exp F
si p ni exp m

kT
kT
(5.4)
unde Wm este nivelul mediu, reprezentnd jumtatea benzii interzise a
semiconductorului.
La tempratur normal concentraiile intrinseci sunt de ordinul 1013
-3
cm la germaniu, 1011 cm-3 la siliciu i 107 cm-3 la arseniur de galiu. Aceste
valori determin o conductivitate intrinsec redus la GaAs, ceva mai mare la
Si i cea mai mare la Ge. Concentraiile intrinseci au importan redus n
determinarea conductibilitii electrice la semiconductoarele dopate. Doprile
uzuale care se folosesc la dispozitivele semiconductoare sunt de ordinul 1015
cm-3 pn la 1017 cm-3, iar n unle cazuri particulare pot ajunge la 1018 cm-3.
La un semiconductor intrinsec, nivelul Fermi este la jumtatea benzii
interzise i se poate arta c probabilitile de existen a electronilor liberi
sunt egale cu cele ale golurilor. Pe msur ce doparea crete, nivelul Fermi se
deplaseaz spre banda de conducie n cazul dopri cu donori, sau spre banda
de valen, n cazul doprii cu acceptori. Dac doparea depete 1019 cm-3,

135

nivelul Fermi iese din banda interzis i ptrunde n banda de conducie (la
semiconductoare de tip n) sau n banda de valen (la semiconductoare de tip
p). n acest caz se spune c semiconductorul a degenerat n semimetal i
comportarea sa se apropie de cea a metalelor din punct de vedere al
conductivitii electrice. Doparea la degenerare se folosete n unele aplicaii
particulare, cum ar fi la realizarea contactelor electrice a dispozitivelor
electronice semiconductoare sau la realizarea unor dispozitive speciale, cum
ar fi diodele Zenner, diodele laser, diodele tunel i altele.
Relaiile (5.1) (5.3) arat o dependen exponenial de temperatur
a concentaiei purttorilor de sarcin. Acesta este un dezavantaj major al
dispozitivelor semiconductoare fa de alte dispozitive electronice i anume c
parametrii i caracterisicile lor sunt puternic influenate de temparatur.
Dependena de temperatur este mai redus n cazul semicondutoarelor dopate
la care concentraiile purttorilor majoritari le depesc cu multe ordine de
mrime pe cele minoritare.
Banda interzis a semiconductoarelor este de ordinul fraciuni de eV
pn la civa eV (0.7eV la Ge, 1.1eV la Si, 1.4eV la GaAs etc.). Cu ct banda
interzis este mai mare, cu att influena temperaturii asupra concentraiilor de
purttori intrinseci este mai mic. Distribuia Frmi-Dirac ce se aplic statisticii
purttorilor de sarcin este valabil la temperaturi obinuite. La temperaturi
mari, atunci cnd energia termic, kT, se apropie de valoarea energiei Fermi,
statistica purttorilor nu se mai supune legii Fermi Dirac, ci statisticii
Boltzman.

5.3 Conductivitatea semiconductoarelor


La temperatura obinuit semiconductoarele au un numr oarecare de
purttori liberi (electroni i goluri), care se mic haotic n reeaua cristalin
datorit agitaiei termice. Aplicnd un cmp electric asupra
semiconductorului, peste micarea haotic se suprapune o micare dirijat
ntr-un anumit sens, cu o vitez dirijat vd, mic n comparaie cu cea termic.
Se numete mobilitate raportul dintre viteza suplimentar dirijat a
masei de purttori i intensitatea cmpului electric E care a produs-o:

vd cm 2
E Vs

(5.5)

136

Mobilitatea este diferit pentru electroni i goluri i depinde de masa


efectiv a purttorilor i temperatura materialului prin parcursul liber mijlociu
dintre dou ciocniri. Ea se mai poate scrie i astfel:

q
tm
2mn

si

q
tm
2m p

(5.6)
Pentru majoritatea semiconductoarelor

n p , ceea ce nseamn c

mobilitatea electronilor este mai mic dect cea a golurilor.


Deplasarea dirijat a purttorilor n cristal produce un curent de
conducie a crui densitate este:

J c J cn J cp q(n n p p ) E E

(5.7)
Ecuaia (5.7) stabilete proporionalitatea dintre densitatea de curent
de conducie i intensitatea cmpului electric.
Conductivitatea i respectiv rezistivitatea semiconductorului se pot
exprima astfel:

q(n n p p ) 1m 1

(5.8)
Ecuaia (5.8) arat c, spre deosebire de conductoare, la
semiconductoare conductivitatea este dat i de electroni i de goluri. Acestea
sunt semiconductoarele bipolare. Dac un singur tip de purttori predomin,
conductivitatea este unipolar i este de forma:
J cp qp p E p E si J cn qpn E n E
(5.9)
Conductivitatea electric a semiconductoarelor poate crete mult prin
dopare corespunztoare. Ea depinde i de temperatur att prin concentraiile
de purttori, ct i prin mobilitatea purttorilor. La concentraii egale de
purttori, semiconductoarele de dip n au conductivitate mai bun dect cele de
tip p.

137

5.4 Curentul de difuzie


n multe cazuri, din motive bine determinate, doparea
semiconductoarelor nu este omogen n tot volumul acestora. Ca urmare, din
zonele cu densitate mare de purttori are loc o difuzie a acestora spre zonele
cu densitate mai mic, ca urmare a unei tendine fireti de uniformizare a
concentraiei purttorilor liberi. Fenomenul este asemntor cu difuzia la
gaze, cu deosebirea c aici se deplaseaz sarcini electrice i nu particule
neutre. Sensul de deplasare este spre scderea concentraiei, adic opus
gradientului acesteia. Deplasarea purttorilor ca urmare a gradientului de
concentraie d natere unui curent de difuzie, proporional cu sarcina
electric i cu acest gradient, i are dou componente:
dn curent de difuzie de electroni i
J dn qDn
dx
J dp qD p

dp curent de difuzie de goluri.


dx

Curentul total de difuzie este:

dp
dn
J d J dn J dp q Dn
Dp
dx
dx
(5.10)
Coeficienii de difuzie pentru electroni i goluri, Dn i Dp, se pot
exprima n funcie de mobilitile purttorilor prin relaiile lui Einstein:
Dn

kT
kT
n , respectiv D p p
q
q

(5.11)
Deplasarea purttorilor de sarcin dintr-un loc n altul determin i
acumularea lor n zone diferite din semiconductor i conduc la apariia un
cmp electric i a unui curent de conducie care se opun cauzei care le-au
produs. Curentul total de deplasare va fi suma celor doi cureni, de difuzie i
de conducie. ntr-un semiconductor de tip n se poate scrie:
dn

J n J cn J dn q n n E Dn

dx

(5.12)
n condiii staionare de echilibru termic curentul de difuzie este egal i
de sens opus cu cel de conducie aprut n urma acumulrii de sarcini electrice
ca urmare a tendinei de uniformizare a concentraiilor de purttori. Prin
umare, curentul total este nul i nu se manifest la terminalele
semiconductorului:

138

J n 0 J cn J dn

dn
nq
sau q
E
Dn 0
dx
kT

(5.13)
O relaie asemntoare se poate scrie i pentru un semiconductor de tip p aflat
la echilibru termic:

J p 0 J cp J dp

dp
pq
sau q
E Dp 0
dx
kT

(5.14)
Mrimea cmpului electric creat prin difuzie n semiconductoare dopate
neuniform se poate calcula integrnd una din ecuaiile (5.13) sau (5.14) n
care se ine seama c n, p i E sunt funcii de distana x, adic n=n(x) etc.:

E ( x)

Dn 1 dn( x)
kT 1 dn( x)

n n( x) dx
q n( x) dx

5.(15)
n cazul doprilor uzuale n care concentraia de purttotri liberi este
practic egal cu cea a impuritilor dopante, de exemplu n(x) N(x), ecuaia
(5.15) se mai poate scrie:
kT 1 dN ( x)
E ( x)
q N ( x) dx
(5.16)
Aceast ecuaie permite determinarea legii de dopare a unui
semiconductor n ipoteza c se dorete realizarea unui cmp intern
uniform. Considernd E(x) =E0=const i integrnd ecuaia (5.16) rezult:

qE
N ( x) exp 0 x
kT
(5.17)
adic este necesar o dopare exponenial.
Dispozitivele cu dopare neuniform care au un cmp electric propriu se
numesc dispozitive cu cmp intern i au aplicaii utile n circuitele
electronice.

139

5.5 Funciile materialelor semiconductoare


Funcia de conducie controlat n tensiune
Pentru ndeplinirea funciei de conducie electric comandat n
tensiune, materialele semiconductoare trebuie s ndeplineasc cteva
condiii:
- conductivitate electric bun, stabil, reproductibil i uor de
controlat prin cmp electric;
- conductivitate volumetric si/sau pelicular variabil n limite
largi;
- dependena de temperatur ct mai mic a conductivitii;
- dependena de frecven ct mai mic a conductivitii;
- permitivitate electric mic, puin dependent de cmpul electric
sau de curentul de conducie.
Un parametru important care caracterizeaz proprietile de conducie
de volum ale unui semicoductor este rezistena pe ptrat. Ea reprezint
valoarea n ohmi a rezistenei unui ptrat de material semiconductor de
grosime dat, indiferent de dimensiunea laturii acestuia. Mrimea rezistenei
pe ptrat depinde de tipul de semiconductor (prin mobilitile purttorilor) i
de gradul de dopare.
Cele mai utilizate semiconductoare de acest tip sunt siliciul, germaniul
i arseniura de galiu avnd, la dopri uzuale, rezistena pe ptrat de ordinul 10
- 60, respectiv 2 50 i 100 - 1000 (ohmi/ptrat). Pe baza acestei funcii se
construiesc dispozitive semiconductoare de tipul rezistoarelor, diodelor,
tranzistoarelor etc.
Funcia de conversie opto-electronic
Materialele semiconductoare pot interaciona cu radiaia optic
producnd fenomene opto-electronice deosebit de utile n tehnologia IT.
Aceste fenomene opto-electronice sunt de trei tipuri: de generare a radiaiei
optice, de detecie a radiaiei optice i de modificare (modulare) a
parametrilor radiaiei optice.
Generarea radiaiei optice se bazeaz pe fenomenul recombinrilor
radiative a perechilor de purttori de sarcin: electroni i goluri. Proprietatea
se manifest numai n unele semiconductoare i anume n cele cu band
interzis direct. Semiconductoarele cu band direct au o diagram
energetic la care un minim din banda de conducie corespunde unui maxim
din banda de valen. La aceste semiconductoare recombinrile purttorilor
se fac prin tranziii pe vertical fr schimbarea momentului mecanic al
atomului. Energia eliberat prin recombinare este transformat n fotoni i are

140

mrimea egal cu diferena dintre nivelele energetice ale electronului i


golului care se recombin.

hf W1 W2 Wc Wv Wi
(5.18)

unde W1 i W2 sunt nivelele energetice pe care le au electronul n banda


de conducie i, respectiv, golul n banda de valen, ele fiind apropiate de
limitele acestor benzi.
Lungimea de und a radiaiei optice emis este:

1,24
1,24

W1 W2 Wi eV

(5.19)
Un exemplu de semiconductor cu band interzis direct este GaAs care
are Wi 1,4eV i prin urmare, emite pe lungimea de und central de 885
nm.
Detecia radiaiei optice este fenomenul opus generrii i are loc atunci
cnd semiconductorul absoarbe energie optic recepionat sub form de
cuante de energie i produce ruperea legturilor covalente elibernd perechi
de purttori electron-gol. Fenomenul are loc n orice tip de semiconductor, cu
band interzis direct sau indirect, dar numai dac energia fotonului este cel
puin egal cu banda interzis a semiconductorului. Absorbia radiaiei optice
modific concentraia de purttori liberi i, prin aceasta, modific
conductivitatea electric a semiconductorului (efect fotoconductiv). Este
metoda cea mai folosit de detecie a radiaiei optice, dar nu este singura. Alte
efecte care permit detecia radiaiei optice sunt efectul fotovoltaic, efectul
fotoemisiv, efectul termic, efectul Dember i altele.
Efectul fotovoltaic const n apariia unei diferene de potenial ntr-o
jonciune semiconductoare p-n asupra creia cade o radiaie optic. Pe baza
acestui efect se construiesc celule fotovoltaice. Celulele solare sunt celule
fotovoltaice optimizate pentru conversia energiei optice radiat de spectrul
solar n energie electric.
Efectul fotoemisiv const n emisia de electroni liberi de ctre un
semiconductor asupra cruia cade o radiaie optic. Acesta este un efect
extern, spre deosebire de efectul fotoconductiv care este un efect intern, n
sensul c purttorii generai nu prsesc semiconductorul.
Modulaia radiaiei optice are loc atunci cnd un flux optic traverseaz
un semiconductor ale crui proprieti se modific ntr-un mod oarecare i
care, acionnd asupra radiaiei optice, i modific unii parametrii. Un caz
tipic de modulator optic este cel electro-optic cnd un cmp electric aplicat

141

semiconductorului i modific indicele de refracie. Fascicolul optic care


traverseaz semiconductorul cu indicele de refracie variabil, va fi modulat n
faz.
Funcia de detecie a radiaiilor nucleare
Radiaiile nucleare sunt puternic absorbite de materialele
semiconductoare i avnd energie mare, acestea provoac ruperea legturilor
covalente i apariia de perechi de purttori liberi. Modificarea concentraiei
de purttori fa de echilibrul termic modific conductivitatea electric a
semiconductorului, lucru ce se poate pune uor n eviden prin curentul de
conducie. Prin radiaie nuclear se neleg diverse particule atomice grele
(protoni, neutroni, deutroni, particule , fragmente de nucleu, mezoni etc),
radiaii i radiaii . Absorbia radiaiei nucleare se poate caracteriza printr-o
mrime numit adncime de ptrundere sau printr-o alt mrime numit
putere de stopare. Adncimea de ptrundere este distana msurat de la
suprafaa semiconductorului pn la care intensitatea radiaiei scade de e ori
( e este baza logaritmilor naturali). Puterea de stopare este definit ca
pierderea de energie a particulei pe unitatea de lungime a traiectoriei. Mai este
de remarcat c energiile radiaiilor nucleare sunt mult mai mari dect energia
benzii interzise a semiconductoarelor (zeci de keV sau MeV fa de cva eV).
Ca urmare i mecanismele de interaciune dintre radiaia nuclear i
semiconductor sunt mai complicate. Mecanismele de absorbie a radiaiilor
nucleare sunt diferite funcie de tipul de radiaie. Astfel, particulele atomice cu
mas mare i fr sarcin electric (neurtoni) ca i radiaiile produc mai nti
sarcini electrice atomice care apoi genereaz perechi de purttori electron-gol.
Radiaiile atomice ncrcate electric (protoni, radiaii etc.) produc direct
perechi de purttori. Interaciile elastice i neelastice ale radiaiei cu nuclele
i electronii materialului semiconductor conduc la pierderi de energie
importante i duc la schimbarea direciei de deplasare a particulelor. Ca
urmare, intensitatea fascicolului de radiaii scade exponenial cu distana, iar
traiectoria electronilor are o curb complicat, de tip aleatoriu. Radiaiile
(cuante de energie electromagnetic foarte mare) interacioneaz puternic cu
nucleul atomilor de material i produc efecte de tipul Compton, fotoelectric,
generare de perechi electron-pozitron. Radiaiile sunt puternic absorbite de
material astfel nct se pot folosi pelicule semiconductoare subiri pentru
detecia acestora.
Funcia de conversie termo-electric
Temperatura influeneaz direct proprietile i caracteristicile
materialelor semiconductoare. n primul rnd ea acioneaz direct asupra

142

structurii benzii interzise a semiconductorului. Mrime benzii interzise scade


cu creterea temperaturii. Cu ct banda interzis a unui semiconductor este
mai mare, cu att concentraiile intrinseci de electroni i goluri sunt mai mici.
Poziia nivelului Fermi n diagrama energetic se modific i mobilitile
purttorilor liberi (electroni i goluri) de asemenea se modific. Toate acestea
determin modificarea conductivitii electrice a materialului semiconductor,
lucru ce poate fi uor pus n eviden cu ajutorul unui cmp electric aplicat
acestuia. Mai mult chiar, dependena de temperatur a rezistivitii este
fenomenul care st la baza construirii i funcionrii termistoarelor utilizate ca
senzor termic sau traductor termic n gama temperaturilor obinuite i medii
(pn la cteva sute de grade Celsius).
Funcia de conversie mecano-electric
Unele proprieti electrice ale materialelor semiconductoare sunt
dependente de aciunile meacanice care se exercit asupra acestora. Aceste
aciuni se mpart n dou categorii: aciuni datorate potenialului de deformaie
i aciuni piezoelectrice. Deformarea mecanic aprut n urma unor
exercitrii unor sarcini mecanice modific energia electronilor din banda de
conducie i aceasta, la rndul ei produce un cmp electric proporionl cu
deformaia. Dac deformaia are o variaie sinusoidal n timp:
S S 0 e j ( kxt )
(5.20)
apare un cmp electric E determinat de deformaia S:
dU d

Ed
j d S
dx

vf

(5.21)
unde d este o constant caracteristic materialului.
Interacia prin efect piezoelectric apare n materiale semiconductoare a
cror structur cristalin nu posed centru de simetrie. n acest caz o
deformaie constant sau variabil n timp produce o polarizaie i un cmp
electric descrise de un set de ecuaii tensoriale [2].

5.7. Jonciuni semiconductoare


Jonciunea p-n nepolarizat
Construcia i funcionarea majoritii dispozitivelor semiconductoare
se bazeaz pe jonciuni semiconductoare. Acestea sunt realizate prin
alturarea a dou poriuni de semiconductor diferite sau semiconductor i

143

metal i pot fi de tipul: p-n, p+-n, p+-n+, p-i-n, metal-semiconductor (jonciune


Shotky), metal-oxid-semiconductor (MOS) etc. Notaiile p i n semnific
materiale semiconductoare de tip p i n cu dopri normale (1015-1017 cm-3),
p+ i n+ dopri puternice (1018-1019 cm-3), i semiconductor intrinsec (nedopat).
Jonciunile semiconductoare sunt caracterizate de proprieti electrice
specifice care stau la baza funcionrii dispozitivelor semiconductoare discrete
sau integrate.
O jonciune tipic este format prin alipirea a dou semiconductoare
dopate cu impuriti de tip opus, care au concentraii mari de purttori liberi
(electroni n zona n i goluri n zona p). Zonele p i n sunt neutre din punct de
vedere electric, adic sarcinile electrice pozitive sunt egale cu cele negative.
n regiunea de trecere dintre cele dou semiconductoare are loc o difuzie de
purttori, electronii din semiconductorul n difuzeaz n semiconductorul p i
reciproc. Ca urmare, n aceast zon foarte subire, apare o sarcin electric
spaial dat de ionii fici ai reelei, care creaz o diferen de potenial numit
barier de potenial i un cmp electric al barierei de potenial. Zona este
srcit de purttori, deci conductivitatea electric este foarte redus.
Bariera de potenial U0 care se creaz n regiunea de sarcin spaial este:
Wcp Wcn Wvp Wvn
U0

q
q
(5.22)
unde Wcp , Wcn , Wvp , Wvn sunt nivelele de conducie i de valen din zonele p
i n.
Nivelul energetic Fermi este unic n tot cristalul semiconductor cnd
jonciunea este la echilibrul termic. Poziia nivelului Fermi depinde de
gradul de dopare al celor dou regiuni. El coboar spre banda de valen la
semionductorul p i urc spre banda de conducie la semiconductorul n.

Fig. 5.1 Jonciunea p-n la echilibru termic

144

F Wmp ln

pp
ni

Wmp ln

NA
ni

(5.23)

F Wmn ln

nn
N
Wmn ln D
ni
ni

(5.24)
i N A sunt concentraiile de

unde N D
impuriti donoare i respectiv
acceptoare.
Produsul concentraiilor de purttori este constant ntr-un semiconductor:
p p n p nn pn ni2
(5.25)
Ca urmare, valoarea barierei de potenial se mai poate scrie:
kT nn kT p p
U0
ln

ln
q
np
q
pn
5.(26)
Lrgimea regiunii de trecere a jonciunii p-n la echilibru termic este:

l0

2
q

1
1

U 0

ND NA

2
q

1 U 0
n

n pp

(5.27)
unde este permitivitatea absolut a semiconductorului.
Regiunea de sarcin spaial se ntinde n cele dou semiconductoare invers
proporional cu doprile, adic:
lp ND

ln
NA
(5.28)
Relaia (5.28) arat c regiunea de sarcin spaial se ntinde mai mult n
semiconductorul mai puin dopat. Cu ct doparea este mai puternic, cu att
regiunea de sarcin spaial este mai ngust.
Pentru dopri uzuale, bariera de potenial este de ordinul a 0.2V pn la 0.3
V la jonciuni de germaniu i de 0.6 la 0.8 V la siliciu.
Printr-o jonciune p-n aflat la echilibru termic circul permanent
cureni locali de difuzie datorai gradientului de concentraie de purttori i
cureni de conducie produi de cmpul barierei de potenial. Ei sunt egali i
de sens opus, astfel nct prin zonele neutre i prin conductoarele exterioare
ale jonciunii curenii sunt nuli.

145

J d J dp J dn qD p

dp
dn
qDn
dx
dx

(5.29)
J c J cp J cn q(nn n p p p ) E0
(5.30)
J d J c i
J Jc Jd 0
(5.31)
Jonciunea p-n polarizat
n marea majoritate a cazurilor, jonciunile semiconductoare
funcioneaz n condiii de polarizare electric extern. Aceasta nseamn c
la terminalele sale se aplic o tensiune electric care creaz un cmp
suplimentar suprapus peste cel al barierei de potenial. Polarizarea extern
poate fi direct sau invers. Conectarea la o surs de tensiune extern
produce urmtoarele efecte:
- modific starea de echilibru termic;
- modific mrimea barierei de potenial;
- modific cmpul electric din jonciune;
- modific valoarea curenilor elementari.
La polarizare invers, tensiunea pozitiv se aplic la zona n i cea
negativ la zona p. Tensiunea electric extern i cmpul electric extern sunt
n acelai sens cu cele proprii ale barierei de potenial.
Deoarece cmpul total din regiunea de trecere este mai mare dect la
echilibru termic, curentul de difuzie scade, cel de conducie crete i
curentul total este diferit de zero ( J c J d ). Valoarea sa este ns foarte
mic deoarece este dat de purttorii minoritari ale cror concentraii sunt
mici. El reprezint curentul de saturaie sau curentul invers al jonciunii, are
dou componente, un curent de saturaie de volum i o component de
suprafa , fiind dat de ecuaia:
p n D p n p Dn
Aq ni l
I s I sV I sS Aq

L
Ln
2
p
(5.32)
n aceast ecuaie A reprezint aria jonciunii, Lp i Ln sunt lungimile
de difuzie ale golurilor i respectiv eletronilor, iar este timpul de via al
purttorilor. Lungimile de difuzie reprezint distana dup care concentraia
de purttoi scade de e ori (e este baza logaritmilor naturali) fa de
concentraia maxim, iar timpul de via semnific durata de timp dup care
concentraia purttorilor scade de e ori.

146

La polarizare direct, tensiunea extern pozitiv se aplic pe zona p


a semiconductorului iar cea negativ pe zona n. Cmpul extern este de sens
opus cmpului propriu al barierei de potenial, astfel nct, cmpul rezultant
este mai mic. Prin urmare, curentul de difuzie crete, iar cel de conducie
scade i curentul total este diferit de zero. La creterea tensiunii de
polarizare externe curentul de difuzie crete semnificativ deoarece este dat
de purttorii majoritari a cror concentraie este mare.
Caracteristica static a jonciunii semiconductoare arat
dependena curentului stabilit prin circuitul exterior n funcie de tensiunea
de polazizare aplicat.

qU

I I s e kT 1

(5.33)
Particularizri:

kT
0.026V la T=300K, exponeniala din ecuaia
q
5.33 este comparabil cu unitatea i nu se poate neglija nici un
termen. Ca urmare, ecuaia se folosete ca atare. Aceast situaie este
ntlnete rar n practic.
kT
2. La polarizri directe mari, U
, exponeniala este mult mai
q
mare dect unitatea i ecuaia se poate scrie:
1. Pentru 0 U

I e

qU
kT

(5.34)
3. La polarizri inverse mari, U

kT
se poate neglija exponeniala i
q

ecuaia devine:
I I s consant
(5.35)
Curentul de saturaie al unei jonciuni semiconductoare depinde mult
de temperatur i anume crete cu creterea temperaturii:
3
2

Is T e

Wi
kT

(5.36)
Cauza acestei modificri este creterea concentraiei de purttori
intrinseci. Consecina acestei dependene este creterea puternic a
curentului direct i mai ales a celui invers, la creterea temperaturii. Prin
umare, dispozitivele semiconductoare sunt puternic influenate de variaiile
de temperatur, ceea ce constituie un dezavantaj important al acestora.

147

Reducerea acestei influene se poate face prin msuri de stabilizare termic


sau de compensare termic.
Strpungerea jonciunii p-n la tensiuni inverse mari
Mrind mult tensiunea invers se constat c de la o anumit valoare
critic, numit tensiune de strpungere, Ust, se produce strpungerea
jonciunii. Curentul invers crete brusc i foarte mult, i dac nu se iau
msuri de limitare a acestuia, se poate ajunge la distrugerea joncuinii.
Strpungerea se poate produce prin trei mecanisme diferite, dou datorate
creterii cmpului electric n jonciune i altul datorit nclzirii i ambalrii
termice.
Primul mod este strpungerea prin efect Zener sau efect de cmp i
se datoreaz creterii energiei proprii a electronilor din legturile covalente
datorit intensitii mari a cmpului electric din regiunea de trecere. La o
valoare critic a cmpului numit cmp de stpungere, legturile covalente
se rup elibernd perechi de purttori liberi i curentul crete brusc. Valoarea
cmpului critic depinde de materialul semiconductor i este de ordinul
V
.
10 6
cm
Al doilea mod de strpungere este strpungerea prin avalan,
numit i ionizarea prin avalan. Mecanismul este urmtorul: cmpul
electric mare din regiunea de trecere accelereaz purttorii mobili din zon
(elctroni i goluri) care acumuleaz energie cinetic suficient de mare
pentru ca prin ciocnire cu atomii reelei cristaline s produc noi generri de
purttori. Acetia la rndul lor accelerai de cmp produc alte ionizri i
fenomenul se multiplic n avalan. Fenomenul poate fi modelat printr-o
relaie empiric:
1
I MI s unde M
n
U

1
U st
(5.37)
Factorul M se numete factor de multiplicare n avalan iar exponentul n
are valori supraunitare care depind de materialul semiconductor i de tipul
de purttori (electroni sau goluri). Valori uzuale ale lui n sunt ntre 2 i 5.
Al treilea mod de strpungere este prin ambalare termic. Puterea
electric produs n jonciune se transform n cldur care, dac nu este
disipat rapid n mediul extern, produce creterea temperaturii i creterea
curentului. Aceasta duce la ceterea suplimentar a puterii disipate i
fenomenul poate se autontreine.
n general, cele trei fenomene nu apar simultan, dei se pot
condiiona reciproc. n majoritatea cazurilor strpungerea invers este un

148

fenomen nedorit care trebuie evitat, innd jonciunea departe de tensiunea


de strpungere. O jonciune ajuns la strpungere nu se distruge
instantaneu, mai ales dac se limiteaz curentul invers. Distrugerea se
produce numai dac starea de stpungere se menie un anumit timp i mai
ales dac se depete puterea disipat admisibil. Aplicaiile utile ale
fenomenului strpungerii sunt la diodele Zener, diodele cu avalan i
tranzistoarele cu avalan.

Fig. 5.2 Caracteristica static a jonciunii semiconductoare

149

6. Tehnici de laborator

6.1 Determinarea coeficientului adiabatic


utiliznd metoda

CP
CV al aerului

Clement-Desormes

A. Scopul lucrrii
Lucrarea are drept scop determinarea coeficientului adiabatic al
aerului, presupus gaz ideal i supus unor transormri termodinamice simple.
B. Teoria lucrrii
Capacitatea caloric molar a unei substane reprezint cantitatea de
cldur schimbat cu exteriorul de un mol din acea substan pentru a-i
varia temperatura cu un grad
C=

dQ
dT

(1.1)

Dac schimbul de cldur ntre substan i mediul exterior are loc la


presiunea constant sau la volum constant, capacitile calorice molare
corespunztoare vor fi C p , respectiv C v , iar raportul:

Cp

(1.2)

Cv

se numete coeficient adiabatic.


Diferena dintre cele dou capaciti calorice molare depinde de
substana considerat,iar pentru gazele ideale:
Cp Cv R
(relaia Robert-Mayer)

(1.3)

150

Tot n cazul gazelor ideale,cele dou capaciti calorice molare


depind de numrul i de grade de libertate a particulelor din care e compus
gazul:
Cv

i
R
2

(1.4)
Cp =

i+2
R
2

unde R este constanta universal a gazelor ideale (R = 8,310 J/mol K)


n acest caz:

i+2
i

(1.5)

Pentru gazele ideale monoatomice i=3,pentru cele cu molecule


liniare i = 5, etc.
In cazul gazelor reale, expresia coeficientului e mai complicat i e
legat de ecuaia termic de stare a gazului respectiv.
Determinarea coeficientului adiabatic este foarte important
deoarece intervine n probleme legate de propagarea sunetului n gaze, de
curgerea gazelor la viteze supersonice, etc.
Pentru gazele ideale,acest coeficient intervine n descrierea
proceselor adiabatice, conform ecuaiei lui Poisson:

pV const

(9.6)

C. Metoda lucrrii
Exist mai multe metode de determinare a raportului : metoda
calorimetric de determinare a capacitilor calorice, metoda acustic-bazat
pe dependena de a vitezei sunetului n gaze,etc.
Pentru gazele ideale,vom descrie metoda propus de Clment i
Desormes.
S presupunem c avem un recipient cu aer - presupus gaz ideal - la
o presiune p 1 =(H-h) g unde gH e presiunea atmosferic msurat cu un
manometru cu lichid de densitate iar gh e diferena dintre presiunea
atmosferic i cea din recipient, msurat cu acelai manometru.

151

Gazul ocup volumul V1 al recipientului i are temperatura T1 a


mediului ambiant.
Dac acest gaz sufer o comprimare adiabatic, n urma creia
volumul se micoreaz, presiunea crete la p2 g H , iar temperatura
crete i ea la T2 ,ecuaia Poisson care descrie procesul se va scrie:

T1 p1

T2 p2

(1.7)

nlocuind valorile presiunilor p1 si p 2 , relaia 1.7 devine:

1
H

T T1
1 2

T2

(1.8)

Dac h <<H, variaia de temperatur T2 T1 e foarte mic:


T2 T1 T2 , deci fraciile din parantezele expresiei 9.8 vor fi foarte mici;
parantezele se pot dezvolta n serie de puteri i se pot pstra numai termenii
de ordinul nti:

1 ( 1)

T T1
h
1 2
H
T2

(1.9)

de unde:
H

T2 T1 1

h
T2

(1.10)

Dac n continuare gazul sufer o rcire izocor, de la T2 la


temperatura T1 a camerei, presiunea lui va scdea la p 3 , mai mic cu gh,

dect presiunea atmosferic p3 g H h' , astfel nct:

p2 p3

T2
T1

(1.11)

H H h'

T2
T1

(1.12)

sau :

152

de unde:

T2 T1 h'

T2
H

(1.13)

care nlocuit n 1.10 duce la:

h
h h'

(1.14)
Deci, dac experimental se pot msura valorile h i h, se va putea calcula
coeficientul adiabatic .
D. Dispozitivul experimental
Const dintr-un balon de sticl B cu capacitatea de aprox. 20 l,
prevzut la partea superioar cu un robinet R cu deschidere mare,prin care
comunic cu atmosfera i cu tubul lateral T care face legtura pe deoparte cu
un manometru cu lichid M i pe de alt parte cu pompa aspiratoare P prin
intermediul robinetului r i a tubului de cauciuc C.

Figura 1.1 Dispozitiv experimental


6.2 Determinarea Constantei Boltzmann prin masurarea
curentului de difuzie ntr-un tranzistor
A. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este determinarea mrimii constantei
Boltzmann. Pentru determinare, se folosete dependena caracteristicii

153

curent-tensiune din circuitul de colector al unui tranzistor, de anumii


parametri (printre care i constanta Boltzmann).
B. Teoria lucrrii
Pentru a ntelege funcionarea unui tranzistor, vom examina iniial
jonciunea p-n. O jonciune semiconductoare p-n, este un ansamblu format
din alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n1 (vezi figura 2.1):

Figura 2.1 Tipuri de jonciuni


ntre cele dou regiuni n i p, exist o diferen de concentraii de
electroni respectiv de goluri; corespunztor acestui gradient de concentraii
va apare tendina de egalare a concentraiilor prin difuzie de electroni ctre
regiunea Sp, respectiv de goluri ctre regiunea Sn (vezi figura 2.1). Simultan
cu acest proces, au loc fenomene de recombinare, adic de anihilare a
perechilor electron-gol. n acest fel, la contactul celor dou regiuni
semiconductoare, apare pe o lungime l 10-4 cm, un cmp electric de
baraj care mpiedic difuzia ulterioar de purttori. Zona de lungime l se
numete strat (sau zon) de baraj. Electronii difuzai din Sn ctre Sp, vor
fi minoritari n noua regiune fa de goluri; corepunztor, n regiunea Sp,
golurile vor reprezenta purttorii majoritari iar electronii, purttorii
minoritari. Invers, n regiunea Sn, electronii vor fi purttori majoritari iar
golurile, purttori minoritari.
O jonciune poate fi polarizat n sens direct (polul pozitiv al sursei
este aplicat pe regiunea Sp iar cel negativ pe regiunea Sn) sau n sens invers

154

dac polaritatea sursei este schimbat (vezi figura 2.2). n primul caz apare
un cmp electric exterior opus cmpului Eb; corespunztor, cmpul electric
total va scdea uurnd deplasarea purttorilor. Similar, la polarizarea
invers cmpul electric total (de acelai sens cu cel de baraj) va crete,
mpiedicnd deplasarea purttorilor.
Se poate arta c n anumite condiii indeplinite la majoritatea
semiconductorilor, intensitatea curentului prin jonciune va crete
exponenial cu tensiunea direct aplicat. La polarizarea invers curentul va
scdea n prim faz exponenial, atingnd o valoare de saturaie extrem de
redus.

Figura 2.2 - Jonciune

Figura 2.3 Tranzistor


Prin montarea a dou jonciuni semiconductoare n opoziie, se
obine un tranzistor (figura 2.3). Dac cele trei regiuni semiconductoare
sunt succesiv de tip n-p-n, tranzistorul este de tip npn (secvena p-n-p
genereaz un tranzistor de tip pnp). Cele trei regiuni se numesc
corespunztor emitor,baz, colector. Prima jonciune (realizat la contactul
baz-emitor) este polarizat n sens direct i se numete jonciune bazemitor. A doua jonciune (la contactul baz-colector) este polarizat invers
i se numete jonciune baz-colector.

155

n urma polarizrii directe a emitorului, n circuit apare un curent


proporional cu tensiunea U aplicat. Purttorii generai vor trece prin baz,
din emitor n colector (fr pierderi substaniale, deoarece baza este foarte
subire i deci recombinarea n ea este neglijabil). Electronii injectai din
emitor, vor genera deci n colector un curent de difuzie dat de:
I I0 e

e 0 U
k T

(2.1)

unde e0 = 1,610-19 C este sarcina electronului, I0 valoarea curentului de


saturaie la polarizare invers, T temperatura absolut(n Kelvin) iar k este
constanta Boltzmann. Logaritmnd relaia de mai sus, obinem:

ln I ln I0

e0 U
kT

(2.2)

e0
.
kT
Rezult c determinnd panta m, putem calcula imediat constanta
Boltzmann pe baza relaiei:
Se observ c dependena dintre lnI i U este o dreapt de pant m

e0
mT

(2.3)

C. Descrierea instalaiei experimentale


Dispozitivul experimental cuprinde un tranzistor de tip npn (model
BC171) introdus ntr-un cuptor electric C (figura 2.4). Cuptorul este
alimentat de la sursa de tensiune continu S1 prin intermediul
poteniometrului P1.

Figura 2.4 Instalaia experimental

156

Figura 2.5 - Montaj experimental


Temperatura este nregistrat de un termometru Tm, introdus n cuptorul C.
Sursa de curent continuu S2, polarizeaz direct jonciunea emitorbaz a tranzistorului T prin intermediul rezistenei R = 1,1k (figura 2.5).
Tensiunea U dintre emitor i baz, este msurat de un voltmetru V de
curent continuu (UNIMET) iar curentul de colector este msurat de un
miliampermetru mA de curent continuu (MAVO-35) .
D. Modul de lucru
a) Pentru nceput se fac determinri la temperatura camerei (sursa S1
deconectat). Cu poteniometrul P1 fixat la minim, se alimenteaz sursa S2
de la reeaua de 220V c.a.Pornirea sursei se face prin rotirea comutatorului
notat cu <Up.
b) Se fixeaz domeniile de msurare ale voltmetrului (scala de 1V
c.c.) i ale miliampermetrului (scala 5mA c.c.).Se citete temperatura
camerei T0 la termometrul Tm.
c) Se variaz tensiunea U cu ajutorul poteniometrului sursei (notat
cu U), n trepte de cte 0,02V, ncepnd cu tensiunea de deschidere a
jonciunii (aproximativ 0,5V), pn la 0,66V. (Citirea tensiunii U se va face
pe voltmetrul UNIMET i nu pe voltmetrul sursei S2).
d) Simultan cu valorile tensiunii se citesc valorile corespunztoare
ale curentului de colector; datele obinute se trec n tabelul de mai jos:
U(V)

I(A)

lnI

e) Se pune n funciune redresorul S1 i se fixeaz poteniometrul P1


pe o poziie oarecare. Se ateapt stabilizarea temperaturii un interval de
cteva minute. Se repet determinrile de la punctele c) i d) pentru nc
dou valori diferite ale temperaturii T1 i T2, citite la termometrul Tm.

157

E. Indicaii pentru prelucrarea datelor experimentale


a) Se traseaz printre puncte, dreptele lnI = f(U); dreptele vor fi
trasate cu simboluri diferite, pentru cele trei temperaturi T0, T1,i T2, pe
acelai grafic.
b) Se calculeaz pantele celor trei drepte.
c) Din relaia (2.3) se determin valorile constantei Boltzmann
pentru cele trei temperaturi; se face media valorilor obinute.

6.3 Determinarea constantei Rydberg

A. Scopul lucrrii
Determinarea constantei implicate n seriile spectrale ale atomilor
hidrogenoizi

B. Teoria lucrrii
Atomii fiecrui element emit, atunci cnd sunt excitai (de exemplu
ntr-o descrcare n gaz), un spectru optic caracteristic de radiaii, dup care
poate fi identificat acel element. Spectrele elementelor chimice sunt cu att
mai complicate, cu ct numrul lor de ordine Z este mai mare. Spectrele
optice ale atomilor sunt datorate electronilor optici, adic electronilor ce se
gsesc pe orbita periferic.
Spectroscopitii experimentali au stabilit c toate liniile din diferitele
serii spectrale ale atomului de hidrogen pot fi descrise printr-o relaie
general care d lungimea de und a liniilor spectrale:

~mn

mn

T m T n

1
RH
1

H
m2 n 2
m2 n 2

RH

158

(3.1)

n aceast relaie n i m sunt numere ntregi, T(m) i T(n) sunt termeni


spectrali, iar R H este constanta Rydberg.
Explicarea liniilor spectrale ale atomului de hidrogen a constituit o
verificare de succes a teoriei atomului de hidrogen dat de Niels Bohr. Bohr
afirm c nu exist dect anumite orbite permise pentru electron,
corespunztoare unor stri staionare.
El emite urmtoarele postulate:
I. Atomul se poate afla ntr-un ir discret de stri staionare,
determinate de irul discret E1 , E 2 , , E n ale energiei totale. n aceste stri
atomul nici nu emite, nici nu absoarbe energia.
II. Energia atomului poate varia discontinuu, prin trecerea de la o
stare staionar de energie total E mo la alt stare staionar de energie total

E m . Frecvena fotonului absorbit sau emis este dat de relaia:

mn

E mo E m
h

(3.2)

procesul de absorbie avnd loc n cazul n care electronul trece de pe o


orbit mai apropiat de nucleu pe una mai deprtat, iar emisia atunci cnd
parcurge drumul invers.
Specificarea orbitelor permise se obine prin introducerea condiiei
de cuantificare enunat de Bohr care precizeaz c mrimea momentului
cinetic al electronului pe orbitele permise trebuie s fie egal cu un numr
ntreg de :

M mvr n

unde

(3.3)

h
i n = 1, 2, 3,....
2

159

Energia total En pe orbita n este cuantificat:

En

e4 m
8 02 h 2

1
2
n

(3.4)

, unde m este masa electronului, e este sarcina electronului, 0 este


permitivitatea electric a vidului, h este constanta lui Planck, iar n este
numrul cuantic principal.
n mecanica cuantic energia electronului din atomul de hidrogen,
expresia (3.4), se afl prin integrarea ecuaiei Schrdinger, fr a se mai
introduce condiia (3.3).
Energia total a electronului este negativ, ceea ce exprim faptul c
electronul se afl legat n cmpul electromagnetic al nucleului.
Folosind relaiile (3.2) i (3.4) se obine:

mn

1
1

8 02 h3c m2 n 2
me 4

(3.5)

care comparat cu (3.2), rezult:

RH

me 4
8 02 h 3c

(3.6)

expresie obinut n cazul modelului n care s-a considerat protonul imobil.


Din relaia 3.3 pot fi gsite toate lungimile de und ale liniilor
diferitelor serii spectrale ale hidrogenului. O serie spectral reprezint
totalitatea liniilor spectrale care au un nivel energetic de baz comun (figura
3.1), nivelul pe care se introduc electronii.

160

Astfel exist seria Lyman la care nivelul energetic comun este


corespunztor lui m=1 (n relaia 3.5), iar m 2, i are liniile n domeniul
ultraviolet; seria Balmer (vizibil) la care m=2 i n=3, 4, 5; seria Paschen la
care m=3 i n=4, 5, iar liniile spectrale au lungimile de und
corespunztoare radiaiilor din infrarou etc.

Figura 3.1 Serii spectrale


n aceast lucrare se va studia seria spectral Balmer, determinnduse lungimile de und pentru liniile H , H , H , H prezentate n figura
3.2.

161

Figura 3.2 Determinarea lungimilor de und


n cazul seriei Balmer, relaia 3.2 devine:

~n

1
1
RH 2 2 n 3,4,5,6,
n
n
2
1

(3.7)

de unde rezult constanta Rydberg:

RH

4 n2

n n 2 4

(3.8)

C. Dispozitivul experimental
Spectrul hidrogenului n vizibil este nregistrat pe o plac fotografic
(spectrogram) care se afl montat ntre dou plcue de plexiglas. Pe
aceeai plac fotografic, alturi de spectrul hidrogenului, apare i spectrul
mercurului, ca spectru de comparaie, fiind nregistrat la acelai spectroscop
i n condiii identice.

162

Spectrul mercurului prezint un numr mai mic de linii, configuraia


lor putnd fi recunoscut conform figurii 3.2, pe care sunt indicate i
lungimile de und corespunztoare fiecrei linii spectrale. Spectrul
hidrogenului conine mai multe linii, deoarece pe un film au fost nregistrate
i linii ale hidrogenului molecular, dar liniile hidrogenului atomic H , H
... care ne intereseaz i a cror lungime de und o vom determina, au fost
nsemnate la capete cu cerneal.
Spectrul mercurului prezint un numr de 17 linii, configuraia lor
putnd fi recunoscut conform figurii 3.2. Pentru 9 linii ale mercurului sunt
date lungimile de und corespunztoare. Liniile hidrogenului atomic
aparinnd seriei Balmer ( H , H , H , H ) a cror lungime de und o vom
determina apar n figura 2 n poziiile lor relative fa de liniile spectrului
mercurului.
Studierea spectrogramei se face cu un microscop. Msua
microscopului poate fi deplasat n plan orizontal, pe dou direcii
perpendiculare, cu ajutorul a dou uruburi. Deplasarea n lungul spectrului
permite msurarea poziiei unei linii spectrale pe o rigl gradat n mm, i un
vernier cu precizie de 0,1 mm. Pentru fixarea poziiei liniei dorite, ocularul
microscopului este prevzut cu un fir reticular.
Pentru efectuarea lucrrii sunt necesare: spectrograma cu spectrul
hidrogenului atomic vizibil (seria Balmer), cu spectrul mercurului i un
microscop.

D. Modul de lucru
Privind prin ocular, se potrivete oglinda microscopului pentru a
avea o bun iluminare. Pentru a nu se sparge spectrograma, poziia iniial a
microscopului trebuie s fie cu obiectivul lipit de spectrogram ca apoi s se

163

ridice treptat tubul microscopului, pn cnd liniile spectrale apar clare. Se


verific paralelismul ntre liniile spectrale i firul reticular, aezarea paralel
a firului reticular fcndu-se prin rotirea ocularului.
Se identific spectrul mercurului i al hidrogenului privind nti
spectrograma cu ochiul liber i apoi la microscop. Se citesc pe rigla gradat
(prin suprapunerea firului reticular pe fiecare linie) poziiile xi ale celor 9
linii ale mercurului, pentru fiecare sunt date lungimile de und. Se citesc, de
asemenea, pe rigla gradat poziiile x j ale celor 4 linii din seria hidrogenului
( H , H , H , H ). Se traseaz pe hrtie milimetric curba de etalonare

f xi pentru mercur.
Avnd poziiile x j ale celor 4 linii ale hidrogenului se scot din curba
de etalonare lungimile de und ale liniilor H , H , H necesare pentru
calcularea constantei lui Rydberg.

E. Prelucrarea datelor experimentale


Datele msurate pentru liniile H , H , H , H se trec ntr-un tabel
de forma (a).
Se calculeaz constanta Rydberg conform relaiei 3.8; valorile
obinute se trec n tabelul (a).
Tabel a
Linia

x (mm)

()

164

RH

RH

Se calculeaz valoarea medie RH

i 1

F. ntrebri
1. Ce este o linie spectral?
2. Ce este un termen spectral?
3.Ce postulate au stat la baza stabilirii de ctre Bohr a formulei
energiei corespunztoare electronilor n atomul de hidrogen?

6.4 Determinarea lungimii de und a unei radiaii luminoase cu


reeaua de difracie
A. Scopul lucrrii
Scopul teoretic al acestei lucrri de laborator este acela de a studia
fenomenul de difracie Fraunhofer, fenomen care se manifest la trecerea
unui fascicul paralel de lumin printr-o reea unidimensional plan.
Scopul practic al acestei lucrri este acela de a stabili valoarea
explicit a lungimilor de und pentru principalele componente spectrale
(linii spectrale) ale radiaiei luminoase utilizate in desfurarea acestui
experiment.
B. Teoria lucrrii
Noiuni generale despre difracie.
Interesul general al termenului de difracie a undelor circumscrie
ntreaga varietate a fenomenelor ce au loc atunci cnd undele ntlnesc - n
propagarea lor - neomogeniti ale mediului. Prin urmare difracia
desemneaz nu numai particulariti ale propagrii undelor n dreptul

165

fantelor, orificiilor, ecranelor sau n prezena altor obstacole (difracie n


sens restrns) ci i totalitatea fenomenelor de reflexie, refracie sau difuzie (
sensul general al acestei noiuni)
Propagarea undelor n medii neomogene prezint particulariti
determinate de faptul c neomogenitile provoac ntreruperea parial sau
deformarea suprafeelor de und, ceea ce poate avea drept consecina
abaterea de la propagarea rectilinie. Din acest motiv, putem defini difracia
drept fenomen care const n modificarea direciei de propagare a undei atunci cnd aceasta ntlnete o neomogenitate (de exemplu: un obstacol)
nsoit (eventual, nu obligatoriu) de o redistribuire pariala a intensitii
acesteia, [1].
Explicarea fenomenului se poate face cu ajutorul principiului
Huygens-Fresnel. Principiul lui Huygens are - el nsui - un caracter mai
mult calitativ.

Figura 4.1 - Principiul Huygens-Fresnel


El afirm c sursa primar (vezi figura 4.1) poate fi nlocuit printr-o
distribuie continua, pe suprafaa I, de surse secundare punctuale convenabil
alese, astfel nct n punctul M funcia de und produs prin suprapunerea
tuturor undelor secundare s se identifice cu cea produs de unda primar.
Formularea original a acestui principiu impunea condiia ca
suprafaa nfurtoare a suprafeelor undelor secundare sferice sa fie o
suprafaa de und a undei primare, aceast cerina fiind - aa cum se vede de natura geometrica.
Principala deficient a aplicrii stricte a acestui principiu rezid n
absena oricror informaii referitoare la intensitile i fazele undelor
secundare, termenul de "surse punctiforme secundare convenabil alese"
nefiind, n aceasta privina, ctui de puin explicit.
Un procedeu mai perfecionat de stabilire a caracteristicilor surselor
secundare a fost formulat de ctre Fresnel, sub forma unui postulat care-i

166

poarta numele. Astfel, postulatul lui Fresnel afirma: amplitudinea i faza


fiecrei surse secundare sunt egale, n fiecare punct al suprafeei auxiliare E,
cu amplitudinea i faza produse n acel punct de ctre unda primar.
Principiul Huygens-Fresnel (care reprezint o completare i o
dezvoltare a principiului lui Huygens, prin asimilarea postulatului lui
Fresnel) admite ca undele secundare sunt coerente i au amplitudini care pot
fi calculate, funcie de condiiile date (geometria problemei). Prin aceasta
devine posibil calculul interferenei produse prin suprapunerea undelor
secundare, iar suprafaa de und nfurtoare rezult automat n urma
acestei suprapuneri.
Atunci cnd fasciculul difractat este intersectat cu un ecran se obine,
ca urmare a difraciei, o figur de difracie al crui aspect depinde n mod
esenial de caracteristicile neomogenitii . Att experimental ct i teoretic
se constat c fenomenul este observat fr dificultate atta timp ct
dimensiunea neomogenitii care ntrerupe suprafaa de unda are acelai
ordin de mrime cu lungimea de und a radiaiei difractate.
Principiul Huygens-Fresnel nu d rezultate corecte pentru faza undei
rezultante, dar permite calcularea amplitudinii i implicit stabilirea figurii de
difracie.
Atunci cnd sursa luminoas punctiform este apropiat de obstacol,
difracia corespunztoare a luminii poart numele de difracie Fresnel, Acest
tip de difracie presupune un fascicul luminos divergent (modelul undei
sferice) care - n urma interactivei cu obstacolul - conduce la apariia de
franje vizibile direct pe un ecran, fr a fi necesara utilizarea vreunui sistem
optic special.
Fenomenul de difracie ce apare atunci cnd sursa de lumina este
foarte ndeprtat de obstacol, astfel nct razele luminoase sunt - practic paralele, se numete difracie Fraunhofer (n lumina paralela sau a undelor
plane).
Acest din urma tip de difracie poate fi obinut i cu ajutorul unei
surse punctiforme apropiate de obstacol, dar care este plasat n focarul unui
sistem optic convergent.
Difracia Fraunhofer printr-o fant.
Se consider o fant, adic o deschidere dreptunghiular a crei
lungime L este considerat practic infinita n raport cu lrgimea (vezi figura
4.2).
Asupra fantei cade o und plan a crei direcie de propagare este
situat ntr-un plan normal pe fanta i paralel cu latura a, care face un unghi
nul cu normala la fant.

167

Figura 4.2 - Difracia Fraunhofer printr-o fant


Unda va suferi difracia sub toate unghiurile formate n raport cu

normala la fant, cuprinse ntre .


2
2
Expresia undei rezultante provenit de la ntreaga fant se obine
nsumnd (integrnd) contribuia tuturor surselor secundare, aflate n planul
fantei. Aceasta este, [3]:
a

const e j ( ka sin t ) dx const


0

e jt
(e jt 1) (4.1)
jk sin

, unde este expresia matematic a undei armonice plane rezultante, k este


modulul vectorului de unda iar este frecvena unghiular.
ntruct intensitatea undei difractate se calculeaz, prin definiie, prin
nmulirea lui * cu , calculele conduc la urmtorul rezultat:

ka sin
2
(const )
2
sin 2
ka sin
I

I I0
2
2

ka sin

sin 2

, unde I0+I(50000)I()

168

(4.2)

Curba I=I() este artat n figura 4.2. Se constat c intensitatea undei


difractate prezint minime (nule) ori de cte ori este ndeplinita condiia sin
= 0 ( 0), adic atunci cnd este ndeplinita condiia:
= m (m=l,2, 3-.) sau: a*sin = m*

(4.3)

Pentru a stabili celelalte valorile maxime ale lui I() (nafara de maximul
principal corespunztor condiiei = 0) trebuie impus condiia matematic:
d sin 2
I0
0 ale crei soluii sunt rdcinile ecuaiei transcendente
d
2
tg = , anume: =0; 1,43, 2.46, etc.
Trecnd la variabila independenta a rezult, pentru condiia de maxim
expresia:
asin=n, cu n=0; 1.43; 2.46......

(4.4)

Figura 4.3 - Curba I=I()


Din ecuaia (4.4) rezult c primul minim apare atunci cnd este

ndeplinit condiia: arcsin


a
Prin urmare, atunci cnd a>>, este foarte mic (neglijabil) i - n
consecina - figura de difracie se reduce la imaginea fantei.
Atunci cnd a are acelai ordin de mrime cu , figura de difracie se
etaleaz din ce n ce mai mult, maximul principal devenind din ce n ce mai
puin ascuit (deoarece aria cuprins sub curb trebuie s-i pstreze
valoarea constant, egal cu intensitatea undei incidente pe reea,

169

Cnd a = se observa ca =/2, adic maximul central se extinde n tot


cmpul.
Cazul n care a<< nu mai are sens (matematic vorbind sin > 1 nu
exista) i prin urmare efectul corespunztor const n faptul c nu se mai
obine difracie
Important. Aa cum s-a mai afirmat deja, efectele de difracie
trebuie luate n calcul i avute n vedere numai atunci cnd dimensiunea
fantei este comparabil cu lungimea de und, pn la aproximativ doua
ordine de mrime
Atunci cnd unda difractat nu este monocromatic, fiecare
component spectral i formeaz maximele i minimele proprii. Figura de
difracie observat apare ca o suprapunere de figuri de difracie
monocromatice, cu un maxim central comun i cu poziii diferite
(dependente de lungimile de und corespunztoare) ale maximelor i
minimelor secundare. Primul minim ntlnit (plecnd de la maximul central)
va aparine lungimii de und minime:

arcsin 1
arcsin 2
; 2
1 2 , implica
a
a

1 2 .

C. Descrierea dispozitivului experimental

Dispozitivul experimental este un goniometru prevzut cu un


colimator C i o luneta L. In centrul goniometrului, pe o msu rotund, se
gsete fixat reeaua de difracie R (figura 4.4).
Sursa de lumin este o lamp cu vapori de mercur care - aa cum se
tie - reprezint o sursa de radiaie cu spectru discret (vezi lucrarea
"Spectroscop").
Lumina intr n colimator printr-o fanta F de forma dreptunghiular,
vertical, paralela cu micile fante ale reelei. Observaia se face n planul
focal al lentilei ocular a lunetei, unde maximele principale de interferena
apar ca nite linii luminoase (imagini ale fantei F). Intensitatea maximelor
secundare situate ntre cele principale este aa de mic, nct practic nu se
observ.

170

Figura 4.4 Dispozitivul experimental


D. Modul de lucru
Se alimenteaz lampa cu vapori de mercur i se ateapt cteva
minute pentru a se asigura "nclzirea" acesteia (lucrul n regim de
funcionare normal).
Se verific - ntre timp - dac reeaua de difracie este aezat
perpendicular pe direcia fasciculului luminos care iese din colimator.
Se fac observaii calitative cu luneta (aliniat pe direcia fasciculului
luminos), reglndu-se fanta (de pe colimator) astfel nct maximele
observate s fie ct mai nguste i s aib o poziie vertical, paralel cu
poziia pe care o are firul reticular cu care este prevzut luneta (un fir
negru, care se observ uor n cmpul vizual, mai ales dac imaginea
acestuia este suprapus pe un fond luminos, eventual pe o franja de
difracie). Claritatea imaginii observate se asigur deplasndu-se ocularul
lunetei L
Deoarece sursa luminoas folosit (lampa cu vapori de mercur)
emite mai multe radiaii monocromatice, maximul cel mai intens, de ordinul
0, este de culoare alba; maximele de ordin superior (n=1, 2, 3..) - pentru
fiecare culoare - sunt dispuse simetric fata de cel de ordinul zero.
Estimrile cantitative care sunt urmrite n cadrul acestei lucrri
experimentale constau n msurri de unghiuri. Maniera i precizia de citire
a unghiurilor pe vernierul V al cercului gradat al goniometrului va fi
explicat de ctre cadrul didactic.
Msurarea unghiului n const ntr-o succesiune de operaii de citire
a poziiilor n care se afl un anumit maxim, n stnga i n dreapta
maximului de ordinul zero. Astfel, se rotete luneta la dreapta maximului
central i se aeaz firul su reticular pe centrul liniei a n-a (faa de maximul
central) de o anumit culoare (i deci avnd o anumit lungime de unda X);
se citete unghiul corespunztor de pe discul goniometrului, unghi care se

171

noteaz cu
. Se deplaseaz apoi luneta la stnga maximului central i se
aeaz firul reticular pe centrul liniei simetrice, care reprezint maximul de
acelai ordin n al aceleiai lungimi de und; valoarea citit a unghiului
corespunztor se noteaz cu nst .
Diferena

nd nst

reprezint

dublul

unghiului

n.

Rezultatele se trec n urmtorul tabel (Tabelul 1)


Prelucrarea datelor experimentale
Deoarece sursa este o lamp cu vapori de mercur, se vor face citiri
pentru diferite linii spectrale (n fapt trei dintre acestea, mai uor de
vizualizat) care au ordinul n= 1 , 2 i 3.
Tabelul 1.

Linie
spectral
(culoare)

nd

nst

nd nst
2

sin n

n
(nm)

Violet
Verde
Portocaliu
Violet
Verde
Portocaliu
Violet
Verde
Portocaliu

Observaie: A nu se uita ca unghiurile se citesc n grade, minute i


secunde. Adunrile, scderile, mpririle acestor unghiuri sunt guvernate de
regulile invitate n cursul primar . (Este interzis a se folosi scrierea zecimal
!)
Pentru a calcula valorile lui n se indica pentru constanta reelei 1
valoarea d mm .
50
ntruct citirea unghiurilor de ctre fiecare membru al subgrupei este
o operaie care poate introduce erori, experimentul necesita i o etap de
estimare a acestora. In acest scop, fiecare dintre membrii subgrupei va alege

172

n cea de-a doua etapa a experimentului o anume linie spectral,


corespunztoare ordinului 2 de difracie, linie spectral pentru care va face
10 citiri de unghiuri. Astfel, fiecare student va completa Tabelul 2 (tabel cu
valori personale, de aceasta data !).
Tabelul 2 , n=2, Linie spectral (culoare)

( 2d )i ( 2st )i

( 2 )i

( 2d )i ( 2st )i
2

i
(sin 2 )i

(nm)

i
(nm)

(nm)

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

E. ntrebri:
1 Ce se nelege prin difracie si ce principiu sta la baza nelegerii
fenomenului de difracie ?
2 Exista vreo legtur ntre fenomenul de difracie si cel de interferena ?
3 Constanta reelei, d , este de ordinul de mrime al sutimii de mm. Nu
se pot utiliza si reele (mai uor de confecionat) , a cror constanta sa fie de
ordinul milimetrului ?
4 Prin ce difer difracia Fraunhofer (aplicata n acest caz) de difracia
Fresnel (ntlnit si studiata n cadrul experimentului care-i poarta numele) ?

173

6.5 Dioda tunel


A. Scopul lucrrii

Aceast lucrare de laborator are urmtoarele scopuri :


cunoaterea i nelegegea funcionrii unei diode tunel;
efectuarea de msurtori pentru ridicarea caracteristicii
(experimentale) curent - tensiune a acestui dispozitiv;
efectuarea de calcule pentru stabilirea valorii unor constante
specifice;
reprezentarea (utiliznd valorile constantelor calculate mai nainte)
unei caracteristici teoretice curent - tensiune pentru dioda tunel
msurat anterior;
compararea (vizualizarea diferenelor) ntre caracteristica
experimental i cea teoretic;
calculul rezistenei difereniale negative a diodei tunel utilizate n
experiment.

B. Teoria lucrrii
Dioda tunel este un dispozitiv electronic, cu proprieti diferite de
cele ale unei diode obinuite.
Primul pas n realizarea ei a fost reprezentat de descoperirea - n
1957, de ctre fizicianul japonez Leo Esaki - a "efectului tunel" al
electronilor, manifestat ntr-o jonciune semiconductoare p - n, n cazul n
care cele dou regiuni au fost puternic dopate (concentraia atomilor donori
n regiunea n i a celor acceptori n regiunea p fiind de ordinul 1019 1020
atomi/cm3, aproape de concentraia purttorilor de sarcin din metale). Pe
baza acestui efect el a realizat (n 1958) dispozitivul cu semiconductori,
cunoscut astzi sub numele de dioda Esaki sau dioda tunel 2. In aceast
diod banda interzis joac rolul barierei de potenial (studiat n mecanic
cuantic).
Despre etapele descoperirii sale autorul ei povestete (n articolul
"Cltorie lung n tunelare", aprut la 12 decembrie 1973 n revista
"Physics Today") :

174

"...Astfel, nainte de toate, am ncercat s preparm jonciuni p - n de Ge


puternic dopat. Ambele concentraii, a dono3rilor i a acceptorilor, erau
suficient de mari astfel ca partea respectiv a jonciunilor s fie degenerat,
adic energiile Fermi s fie localizate destul de adnc n banda de conducie
sau de valen... Limea calculat a jonciunii la polarizare nul era de
aproximativ 200 , fapt confirmat prin msurtorile de capacitate.
Prin ngustarea mai departe a jonciunii (adic descreterea drumului
de tunelare), prin creterea nivelului de dopare, rezistena negativ a fost
observat clar la orice temperatur. Caracteristica a fost analizat n
termenii tunelrii interband. n procesul de tunelare, dac acesta este
elastic, energia electronului se conserv. Figura 5.1 arat diagramele de
energie ale diodei tunel pentru polarizare zero i cu tensiunile aplicate U 1 ,
U 2 i respectiv U3.
Pe msur ce polarizarea crete pn la tensiunea Up curentul de
tunelare interband continu s cresc, cum se arat n figura 5.1 b. Totui,
crescnd mai departe tensiunea aplicat, cum se arat n figura 5.1 c, pe
msur ce banda de conducie din domeniul de tip n nu se mai ncrucieaz
cu banda de valen din domeniul de tip p, curentul descrete datorit lipsei
strilor permise de energie corespunztoare pentru tunelare. Cnd tensiunea
atinge Uv sau mai mult, va domina curentul normal de difuzie (sau termic)
ca n cazul diodelor p - n obinuite."
Caracteristica curent - tensiune a unei diode tunel este indicat n
figura 5.2. Se pot observa cele trei zone distincte de funcionare : A-B
(normal), B-D (n care creterea tensiunii produce o scdere a curentului)
i D-E (normal).
Existena zonei B-D, n care o variaie pozitiv a tensiunii (U > 0)
produce o variaie negativ a curentului (i < 0) permite s se spun c
dioda tunel este un dispozitiv electronic cu rezisten dinamic negativ.

a) Polarizare nul
Up

b) Polarizare pan la tensiunea

175

c) Polarizare cu tensiunea U2
Cu Up < U2 Uv

d) Polarizare cu tensiunea
U3 > Uv

Figura 5.1 Diagramele de energie ale diodei tunel


n figura 5.2 notaiile ip i Up desemneaz curentul i respectiv
tensiunea de pic (de vrf, maxim) iar notaiile iv i Uv corespund
curentului, respectiv tensiunii de vale (minime).
Deoarece efectul de tunelare este un efect cuantic, dioda tunel i
pstreaz proprietile (caracteristica) pn la frecvene foarte nalte (de
ordinul GHz), ceea ce o face extrem de util n aplicaii din domeniul
microundelor sau n construcia circuitelor rapide de impulsuri (inclusiv n
tehnica de calcul) ca generatoare de semnal.

Figura 5.2 Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel


n literatura de specialitate se poate citi despre utilizarea diodei tunel
n circuite de amplificare, oscilaie i comutaie. Ea se realizeaz - la ora
actual - folosind i alte materiale semiconductoare (n plus fa de Ge,
utilizat iniial) : Si, InSb, GaAs, PbTe, GaSb, SiC, etc.

176

C. Caracteristica curent - tensiune a unei diode tunel


n figura 5.2 se observa c este extrem de complicat de formulat o
relaie matematic, care s descrie simultan dependena dintre curent i
tensiune n toate cele trei zone mai sus menionate. Din acest motiv - n
practic - se folosete o relaie empiric, avnd forma :
i = CUeU + B(eU 1)

(5.1)

unde notaiile C, , B i desemneaz constante de material pozitive.


Valoarea acestora se calculeaz prin intermediul valorilor experimentale ip,
Up, iv i Uv , folosindu-se urmtorul set de relaii:

ip
1
; C e
unde e2,72
Up
Up

Uv

1 iv C U v e U p

2 ; 2 e U v , unde
Uv
Uv
1

Uv Up
Up
e C e
2 C
Up

(5.2)

Prin urmare algoritmul care permite stabilirea caracteristicii teoretice


a unei diode tunel implic urmtoarele etape :
- efectuarea de msurtori pentru reprezentarea grafic a
caracteristicii experimentale curent - tensiune (curent n funcie de
tensiunea aplicat) ;
- citirea (de pe grafic) a valorilor experimentale iv , Uv , ip i Up;
- calcularea constantelor de material , C, i B;
- folosind aceste constante n relaia (1) se trece la calcularea
curentului teoretic pentru diferite valori ale tensiunii (aceleai valori care au
fost utilizate n msurtori pentru caracteristica experimental) ;
- - reprezentarea grafic iteoretic = f(U)
D. Descrierea montajului experimental
Pentru determinarea caracteristicii experimentale curent - tensiune
se folosete montajul din figura 5.3, cu urmtoarele precizri:

177

Figura 5.3 Montajul experimental


U - reprezint o surs de tensiune stabilizat (n domeniul 0 24 V) ;
P - este poteniometrul sursei (cu dou reglaje de selecie : BRUT i FIN)
care permite reglarea (impus) a tensiunii de polarizare a diodei ;
V - este un voltmetru care nregistreaz valorile tensiunii de polarizare (este
deja fixat pe scala de 25 V / se recomand a nu se umbla la comutatorul de
scal !) ;
A este un miliampermetru care - pentru efectuarea
msurtorilor - a fost deja fixat pe scala de 24 mA.

E. Modul de lucru i prelucrarea datelor experimentale


Deoarece trebuie parcurse toate etapele specificate de algoritmul
precizat mai sus, primul lucru care trebuie fcut const n efectuarea
experimentului.
I. Se modific tensiunea de polarizare aplicat pe dioda tunel i se
citesc valorile corespunztoare ale curentului. Datele se trec n primele dou
coloane ale Tabelului 1. Deoarece pe miliampermetru se citesc - atunci
cnd se efectueaz experimentul - valori exprimate n diviziuni, trecerea la
valorile din cea de-a treia coloan a tabelului se face inndu- se cont de
factorul de scal.
In principiu orice factor de scal se calculeaz prin aplicarea
regulii de trei simpl (bazat pe directa proporionalitate dintre mrimile
implicate) : "dac la N diviziuni care corespund capului de scal al
aparatului corespunde valoarea maxim A a capului de scal, la o singur
diviziune ct corespunde ?"
N ( = 150 div) .................. A (n cazul nostru 24 mA)
1 div .................................x (mA)
A 24mA
mA
x
0,16
N 150div
div

178

Prin urmare, toate valorile exprimate n diviziuni trebuie nmulite cu x, care


reprezint aa- numitul factor de scal. Ca exemplu : o valoare de 30 div pe
scala de 24 mA nseamn :
mA
30div x 30div 0,16
4,8mA
div
Tabelul 1

U (V)

Date experimentale
i (div)

i (mA)

Valori
calculate
(teoretice)
iteoretic
(mA)

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
.................................
21
21,5

II. Se reprezint grafic dependena experimental i = f(U) / Atenie :


valorile tensiunii U se distribuie pe axa Ox (pe abscis) n timp ce valorile
curentului i se distribuie pe axa Oy (pe ordonat).
III. Se identific punctul B (unde se citesc valorile lui Up i ip) i
punctul D (unde se citesc valorile Uv , iv). Se efectueaz calculele necesare,
utiliznd setul de relaii (3). Datele se completeaz n referat sub forma :

i p ...
.....

U p ...

C .....
iv ...
... ....
1
U v ...
... B ....

2

Atenie : a nu se uita precizarea


unitilor de msur i a ordinelor de
mrime pentru fiecare dintre mrimile
fizice i respectiv constantele
care intervin n calcule.

179

IV. Se calculeaz (folosind datele de la punctul 3 i relaia (5.1))


valorile curentului teoretic pentru aceleai valori ale tensiunii (utilizate
experimental), care sunt deja trecute n prima coloan a tabelului
Rezultatele calculelor se trec n tabel n cea de-a treia coloan, desemnat
iteoretic.
V. Pe un alt grafic se reprezint caracteristica teoretic Se fac
aprecieri calitative n ceea ce privete aspectul comparativ al celor dou
curbe.
VI. In zona B-D a caracteristicii teoretice (zona corespunztoare
rezistenei negative), pe poriunea relativ liniar - se alege un punct C (vezi
figura 5.2). n acest punct se calculeaz :
U
Rd
i

Se compar aceast valoare cu cea obinut - procednd asemnator de pe caracteristica experimental.


Se compar toate rezultatele obinute teoretic i experimental
(cureni, tensiuni, constante de material, aspectul curbelor, etc)
VII.

F. Intrebri
1. Cum se comport o diod "normal" (cum arat caracteristica ei la

polarizare direct
i invers) ? Care sunt elementele comune i diferenele dintre o diod
"normal" i
dioda tunel ?
2. Cum credei c se modific caracteristica diodei tunel la creterea
temperaturii ? Dar
n cazul unei diode "normale" ?
3. O aplicaie important n cazul diodelor "normale" este redresarea
curentului n
regim alternativ. Credei c o diod tunel poate fi folosit n acest scop ?
4. Ce credei c nseamn - prin prisma bilanului de putere ntr-un circuit
electronic rezistena dinamic negativ ?

180

Teme de cas

1.
2.
3.
4.
5.

Caracretizai structura i proprietile substanelor cristaline


Funciile materialelor conductoare
Caracterizai principalele materiale feromagnetice i aplicatiile lor.
Descriei funcionarea unui display cu cristal lichid
Descriei principalele tipuri de materiale semiconductoare folosite in
industria IT

7. Probleme rezolvate
1. Pentru ca ncaperile unei case sa fie inute tot timpul la temperatura
de 20C este necesar o cantitate de crbune de 50 Kg pe o perioad
dat. Casa este construit astfel ncat prin tavan se pierde 30% din
cldur iar prin perei 70%. Mediul exterior este meninut la 5C. Ce
cantitate de crbune poate fi economisit daca se dubleaz grosimea
pereilor i ce cantitate de crbune se va consuma n plus dac
temperatura mediului exterior se reduce la 2 C.
Rezolvare:
a) Din 50kg crbune, 15 Kg(30%) se consum pentru a acoperi
pierderile de cldura prin tavan, iar restul de 35 Kg (70%) pentru a acoperi
pierderile prin perete. Dac se dublez grosimea pereilor, pierderea se
reduce la jumtate, ecomonisindu-se 17,5 Kg de crbune
b) Diferena de temperatur crete de la 15C la 18C, deci consumul
de carbune creste i el in raportul 18/15: n primul caz cu 10 Kg, iar n cazul
doi cu 7,5 Kg.
2. Dou camioane pleac n acelai moment din Bucureti din dreptul
bornei kilometrice zero, pe oseaua Bucureti Craiova. Unul are
viteza v1=60km/h i celalalt are v2=25km/h. S se determine: a)
dupa ct timp punctul n care se afl borna kilometric 66 se gasete
la mijlocul distanei dintre cele 2 camioane? b) care este borna

181

kilometric prin faa creia al doilea camion trece la o or dup


primul.
Rezolvare:
a) Dac se noteaz cu x distana autocamioanelor fa de borna kilometric
66, atunci:
v1t 66 x,
v2t 66 x
si de aici :
t

132
2h24 min .
v1 v2

b) S v1t ' v2 (t ' 1). Re zulta S 150 km


3. Doua sfere identice, electrizate cu electricitate de acelai semn, se
aeaz la o distan oarecare una fata de alta a., ntre ele s se
exercite o for de respingere F1=1N. Dupa aceasta se aproprie cele
dou sfere pn se ating apoi se ndeparteaz la o distan egal cu
jumatate din prima. ntre sfere se exercit acum o for de respingere
F2=4,5N. S se calculeze raportul sarcinilor electrice iniiale ale
celor dou sfere.

Rezolvare:
n primul caz:
F1

Rezult

Q 2.5 Q1Q2 Q 0 .
2
1

2
2

Q1Q2
4 r 2

Notnd

cu

Q1
x
Q2
,

se

obine

1
x 2.5x 1 0 , ecuaie ce admite soluiile 2 si 2 , soluii ce formeaz n
realitate una singur.
2

182

8. Probleme propuse
1. Dou mici sfere de cupru A i C fixe i egale se afl pe o plac izolant la
o distan d una fa de alta. Sfera A este electrizat, iar C neutr. Se atinge
A cu o sfer de cupru egal i neutr B apoi se atinge C i B. n ce punct al
dreptei AC trebuie aezat sfera B pentru ca s stea n echilibru?
2. Doua pendule electrice avnd lungimile de 20 de cm sunt suspendate n
acelai punct. Masa fiecrui pendul este de 0.1g, iar unghiul dintre firele de
suspensie este de 90. Determinai sarcina electric de pe fiecare pendul,
sferele avnd aceeai sarcin.
3. O sfer cu raza r= 25cm se afl la potenialul V1=10V. Un conductor
adus la potenial V2=6 V este pus n contact de la distan cu sfera i i
modific potenialul care devine V3 =7V. Calculai capacitatea C a
conductorului.
4. Un condensator plan prezint distana d ntre armaturi. Cum variaz
capacitatea electric a condensatorului, dac el se aeaz ntr-o cutie
metalic ai crei perei se afl la distana d fa de placi?
5. Un condensator plan cu aer, este ncrcat la o surs cu tensiunea de 12kV,
dupa care se deconecteaz de la surs. Introducnd o plac de portelan de
grosime ct jumatatea distanei dintre plci, tensiunea la bornele
conectorului scade la 7kV. S se afle permitivitatea porelanului.
6. Un condensator plan cu aer are capacitatea C=10pF. Grosimea stratului de
aer este d=1cm,se introduce ntre cele 2 armturi la distan egal de fiecare
o tabl cu grosimea e=1mm. Care va fi capaciatea condensatorului n acest
caz?
7.
Din Giurgiu pleac la ora 8 un avion. La ora 8, dou minute i 8
secunde pleac din Bucureti spre Giurgiu un alt avion cu viteza v2=
360km/h. Se ntalnesc la distana d=23km de Bucureti. tiind c distana in
linie dreapt, este D=69km, calculai viteza primului avion i ora de ntalnire
a celor 2 avioane.
8.
Dou automobile pleac simultan din oraele A i B mergnd unul
spre cellalt. Automobilele se ntlnesc dupa o or i far a se opri i
continu drumul fiecare cu viteza anterioar. Primul automobil ajunge n
oraul B cu 27 de minute mai trziu dect ajunge al-II-lea n A. Ce viteze au
avut cele doua automobile dac distana A-B este de 90 Km.
9.
Ecuaia unei micri este de forma S=a+bt+ct2+dt3 ce reprezint
a,b,c,d?
10.
Un mobil de masa m=132g cade liber pe o distan h=100m. Dupa ce
a strbtut acel spaiu I se aplic o for F=0.5N, n sens invers greutii P a
corpului. Calculai viteza pe care o are mobilul n momentul aplicrii forei

183

F, viteza pe care o va avea dup t=5s de la aplicarea acestei fore i valoarea


pe care ar trebui s o aib fora F pentru ca dup t=5s de aciune mobilul s
fie oprit.
11.
O rachet care la momentul t are masa m(t) i viteza v(t), se
deplaseaz sub aciunea unei fore F. Viteza relativ a gazelor de eapament
fa de rachet este vrel . Scriei ecuaia de micare a rachetei.b)
Considernd c la momentul iniial t=0 viteza rachetei este zero i masa sa
este m0 stabilii legatura dintre mas i viteza n cazul n care fora
rezultant ce acioneaz asupra rachetei este nul.
12.
Un corp punctiform de mas m intr ntr-un fluid cu o viteza iniial.
Considernd c fora de rezisten ce se opune micrii este de forma Fr=kmv, k este o constant, s se determine a) Dependena de timp a vitezei
corpului b) Viteza de variaie a energiei corpului in timp.
13.
Dou termometre gradate unul n scara Celsius i cellalt n scara
Fahrenheit, sunt aezate n aer unul lng altul. La ce temperatur a aerului
cele doua termometre indic acelai numr de grade i au acelai semn?
14.
Aerul aflat ntr-un vas de volum V=0,2m3 la presiunea
p1=2*105N/m2 este rcit izocor, pierznd prin rcire caldura Q=50kJ. Aflai
presiunea final, lucrul mecanic efectuat i variaia energiei interne. Se
cunoate caldura molar izocor a aerului Cv=5/2R.
15.
O mas m=10g de oxigen se afl la presiunea p=2*105N/m2 i la
temperatura t=10C. Dup incalzirea izobar, gazul ocup volumul V2= 10l.
Aflai: cldura absorbit de gaz, lucrul mecanic efectuat de gaz, prin
destindere, i variaia energiei interne. Cunoatem caldura molar izobar
Cp=7/2R, i =32kg/kmol.
16.
O mas m=2kg, de oxigen ocup volumul V1=1 m3 la presiunea
p1=2*105N/m2 Gazul este ncalzit izobar i se destinde pn la volumul
V2=3 m3, apoi izocor pn presiunea devine p3=5*105N/m2. Aflai:
variaia energiei interne, lucrul mecanic efectuat de gaze, cldura absorbit
de gaz. Se cunoate caldura molar izocor a aerului Cv=5/2R.
17.
Un pahar de ap fierbinte trebuie rcit ct mai mult n timp de 10
min. Cum este mai convenabil s se procedeze: s se puna n pahar o lingur
de zapad i apoi s fie lsat paharul 10 min, sau mai nti s fie lasat
paharul 10 min i apoi s se pun n zpad?
18.
S se determine cantitatea de cldura necesar pentru a ridica
temperatura unei camere cu dimensiunile 7m, 5m, 3m, de la 16 C la 21 C

184

dac se pierde prin perei 10% din cldur. Pentru aer c=1kj/kg*grd i
=1.28kg/m3
19.
S se calculeze variaia entropiei unui corp care se dilat la presiune
i temperatur constant de la volumul V1 la volumul V2 =nV1. Se cunosc
capacitatea caloric la presiune constant Cp i coeficientul de dilatare n
volum .
20.
S se arate ca ntr-o main termic de mrimea T2Sex reprezint
energia ce nu se poate transforma n lucru mecanic.
21.
Ecuaia unui proces parcurs de 1Kmol de gaz ideal este dat n
coordonatele (P, V), de ecuaia p=p0+aV, unde p0 i a sunt constante
pozitive. Scriei ecuaia procesului n planul (T, S).
22.
Ecuaia transformrii parcurse de un gaz ideal cu indicele adiabatic
este T=S, n planul (T, S), unde este o constant pozitiv. S se scrie
ecuaia procesului n planul (p, V).
23.
S se calculeze variaia entropiei n cazul amestecrii a cte unui mol
din dou gaze ideale diferite, aflate la aceeai temperatur i presiune.

9. Teste Gril
Grilele propuse pot avea unul sau mai multe rspunsuri corecte:
1.
Care dintre urmatoarele mrimi fizice reprezint mrimi fizice
fundamentale?
a) Lungimea
b) Timpul
c) Masa
d) Intensitatea curentului
e) Intensitatea luminoas
f) Sarcina electric
g) Intensitatea cmpului electric
2.
a)
b)
c)
d)

Ce este Newtonul?
Fora care acioneaz asupra unui corp cu masa de 1 kg i i imprim
o vitez de 1m/s
Fora care acioneaz asupra unui corp cu masa de 1 kg i i imprim
o acceleraie de 1m/s2
Unitatea de masur a lucrului mecanic
Unitatea de masur a forei

185

3.
a)
b)
c)
d)

Ce este Joulul?
Unitatea de masur a lucrului mecanic
Lucrul mecanic efectuat de un corp cu masa de 1 Kg pentru a fi
deplasat pe o distan de 1 m
Lucrul mecanic efectuat de o forta de 1 N, pentru a deplasa pe o
distan de 1 m un corp cu masa de 1 kg
Unitatea de masur a forei

4.

Ce reprezint fora?
a) O mrime fizic fundamental
b) O aciune
c) O micare

5.

Ce reprezint lucrul mecanic?


a) O aciune
b) O micare fcut pentru a deplasa un corp
c) O aciune imprimat unui corp pentru a fi deplasat pe o anumit
distan

6.

Ce este acceleraia?
a) O for
b) O variaie a distanei n unitatea de timp
c) O variaie a vitezei n unitatea de timp

7.

Ce reprezint viteza?
a) O micare
b) O variaie a distanei n unitatea de timp
c) O variaie a acceleraiei n unitatea de timp

8.

Care este unitatea de msur a acceleraiei n sistem internaional?


a) Metrul
b) m/s2
c) m/s

9.
a)
b)
c)
d)

Care este unitatea de msur a forei?


N
m/s2
kg/m*s2
kg/m

186

10.
a)
b)
c)
d)

Care este unitatea de msur a vitezei?


m/s
m/s2
kg/s
km/h

11.
Care este unitatea de msur a lucrului mecanic n sistem
internaional?
a) N/m
b) J
c) N*m
d) Kg/s2
12.
a)
b)
c)
d)
e)

Ce reprezint energia cinetic?


produsul dintre masa unui corp i viteza lui ridicat la ptrat
semiprodusul dintre masa unui corp i viteza lui ridicat la ptrat
o degajare de caldur
un lucru mecanic
energia pe care o au corpurile aflate n micare

13.
Care este varianta corect a enunului teoremei de variaie a energiei
cinetice?
a) Lucrul mecanic efectuat de rezultanta forelor ce acioneaz asupra
unui punct material este egal cu variaia energiei cinetice pentru acel
punct material
b) Lucrul mecanic efectuat de o for asupra unui punct material este
egal cu energia cinetic a acelui punct material
c) Lucrul mecanic efectuat de o for asupra unui punct material este
egal cu variaia energiei cinetice pentru acel punct material
14.

Ce reprezint energia potenial?


a) Un lucru mecanic
b) O degajare de cldur
c) O energie caracteristic unui corp ce se inmagazineaz la ridicarea
unei greuti

15.

Care este enuntul principiului 1 al mecanicii?


a) Poziia de stare, ct timp nu se acioneaz asupra corpului cu o
for extern, nu se modific. Un corp i pstreaz starea de
repaus sau de micare rectilinie uniform atta timp ct asupra lui

187

nu se acioneaza cu o for extern care s i modifice aceast


stare.
b) Un corp n micare i pstreaz starea de micare rectilinie
uniform i n cazul n care asupra lui se acioneaz cu o for
c) Un corp aflat n repaus, rmne n repaus chiar dac asupra lui
acionm cu o for exterioar
16.

Care este enunul principiului al 2-lea al mecanicii?


a) Fora este invers proporional cu produsul dintre masa i
acceleraia corpului
b) Derivata impulsului unui punct material, n raport cu timpul,
reprezina rezultanta tuturor forelor care acioneaza asupra
punctului material ca urmare a tuturor interaciunilor cu alte
corpuri
c) Fora este direct proporional cu produsul dintre masa i
acceleraia corpului
d) Fora este direct proporionala cu produsul dintre masa i viteza
corpului

17.

Care este enunul principiului al 3-lea al mecanicii?


a) Dac un corp acioneaza asupra altui corp cu o anumit for, cel
de-al doilea corp nu va reaciona n nici un fel
b) Dac un corp acioneaza asupra altui corp cu o anumit for
aciune, cel de-al doilea corp va aciona asupra primului cu o
for egal i de sens contrar numit reaciune
c) Dac un corp acioneaza asupra altui corp cu o anumit for
aciune, cel de-al doilea corp va aciona asupra primului cu o
for egal numit reaciune

18.

Ce spune legea lui Hooke?


a) alungirea absolut l a unei bare elastice este invers
proporional cu fora F, i cu seciunea transversal S,
depinznd de modulul de elasticitate (a lui Young ) al
materialului din care este confecionat i direct proporional cu
lungimea l a barei neterminate.
b) alungirea absolut l a unei bare elastice este invers
proporional cu fora F, cu lungimea l a barei neterminate i
invers proporional cu seciunea transversal S, depinznd de
modulul de elasticitate ( a lui Young ) al materialului din care
este confecionat.
c) alungirea absolut l a unei bare elastice este proporional cu
fora F, cu lungimea l a barei neterminate i invers proporional

188

cu seciunea transversal S, depinznd de modulul de elasticitate


( a lui Young ) al materialului din care este confecionat.
19.

Fora elastic este:


a) Direct proporional cu constanta de elasticitate
b) Direct proporional cu alungirea absolut
c) Indirect proporional cu lucrul mecanic efectuat de ea

20.

Fora de greutate este:


a) direct proporional cu acceleraia gravitaional
b) invers proporional cu acceleraia gravitaional
c) depinde de masa corpului i de acceleraia lui

21.

Fora conservatoare este


a) fora pentru care lucrul mecanic depinde de forma drumului
dintre poziia iniial i poziia final a corpului
b) fora pentru care lucrul mecanic efectuat este independent de
forma drumului ntre poziia iniial 1 i poziia final 2
c) fora pentru care lucrul mecanic efectuat depinde nu numai de
capetele drumului ci i de forma drumului

22.

Fora non conservatoare este:


a) fora pentru care lucrul mecanic depinde de forma drumului
dintre poziia iniial i poziia final a corpului
b) fora pentru care lucrul mecanic efectuat este independent de
forma drumului ntre poziia iniial 1 i poziia final 2
c) fora pentru care lucrul mecanic efectuat depinde nu numai de
capetele drumului ci i de forma drumului

23.

Ciocnirea plastic reprezint:


a) Ciocnirea a 2 corpuri fr degajare de cldur
b) Ciocnirea a 2 corpuri cu degajare de cldur
c) Ciocnirea a dou corpuri, care n urma ciocnirii se deformeaz i
pleac mai departe mpreun cu aceeai vitez

24.

Ciocnirea elastic reprezint:


a) Ciocnirea a 2 corpuri fr degajare de cldur
b) Ciocnirea a 2 corpuri cu degajare de cldur
c) Ciocnirea a dou corpuri, care n urma ciocnirii se deformeaz i
pleac mai departe mpreuna cu aceeai vitez

189

d) Ciocnirea a dou corpuri care n urma ciocnirii pleac cu viteze


diferite pe direcii diferite
25.

n cazul ciocnirilor Q reprezint:


a) Degajarea de cldur n urma ciocnirii elastice
b) Energia degajat n urma ciocnirii
c) Cldura schimbat de cele 2 corpuri
d) Cldura degajat n urma ciocnirii plastice

26.

Primul postulat al termodinamicii spune:


a) Un sistem termodinamic izolat ajunge ntotdeauna, dup un
interval de timp oarecare, ntr-o stare de echilibru termodinamic,
din care nu poate iei niciodat de la sine.
b) Un sistem termodinamic izolat ajunge ntotdeauna, dupa un
interval de timp oarecare, ntr-o stare de echilibru termodinamic,
din care poate iei oricnd de la sine.
c) Un sistem termodinamic ajunge ntotdeauna, dupa un interval de
timp oarecare, ntr-o stare de echilibru mecanic, din care nu poate
iei niciodat de la sine.
d) procesele termodinamice se desfaoar ntotdeauna de la stri de
neechilibru spre stri de echilibru termodinamic.

27.

Al doilea postulat al termodinamicii spune:


a) Un sistem termodinamic izolat ajunge ntotdeauna, dup un
interval de timp oarecare, ntr-o stare de echilibru termodinamic,
din care nu poate iei niciodat de la sine.
b) Dou sisteme termodinamice A si B care pot schimba caldur
ntre ele se afl n contact termic. Dac 2 sisteme sunt aduse n
contact termic i nu schimb caldur ntre ele, se spune c ele
sunt n stare de echilibru termic.
c) Echilibru termic este tranzitiv.
d) Dou sisteme termodinamice A i B care pot schimba caldur
ntre ele se afl n contact termic. Dac 2 sisteme nu sunt aduse
n contact termic i nu schimb caldur ntre ele, se spune c ele
sunt n stare de echilibru termic.

28.

Care este cea mai utilizat scal de msurare a temperaturii


a) Celsius
b) Kelvin
c) Fahrenheit
d) Reaumar

190

29.
Msurarea temperaturii se bazeaz pe proprietile reductibile ale
substanei. Acestea sunt:
a) Dilatarea termic a corpurilor solide, lichide, gazoase;
b) Dependena de temperatur a tensiunii electrice de contact dintre
doi conductori (termocuple);
c) Dependena de temperatur a rezisentei electrice pentru
conductori i semiconductori;
d) Emisia luminii de ctre corpurile solide la temperaturi nalte
(pirometre).
30.

Ecuaia termic de stare spune c:


a) Produsul dintre presiune i volum variaz direct proporional cu
temperatura.
b) Produsul dintre presiune i volum variaz invers proporional cu
temperatura.
c) Produsul dintre presiune i temperatur variaz invers
proporional cu volumul.
d) Produsul dintre temperatur i volum variaz invers proporional
cu presiunea.

31.
Enunul: Presiunea unui gaz aflat la temperatur constant variaz
invers proporional cu volumul gazului pV = ct este al legii:
a) Boyle Mariotte
b) Gay Lussac
c) Charles
Enunul: Volumul unui gaz aflat la presiune constant variaz direct
V
proporional cu temperatura ct este al transformrii:
T
a) Izoterme
b) Izobare
c) Izocor
d) Adiabat
32.

33.
Enuntul: Presiunea unui gaz ideal meninut la volum constant
variaz liniar cu temperatura este al legii:
a) Boyle Mariotte
b) Gay Lussac
c) Charles
34.

Principiul 1 al termodinamicii spune c:


a) U U 2 U1 Q L

191

b) Este imposibil de realizat o main termic care ar putea s


efectueze lucru mecanic, ntr-un proces ciclic, fr s primeasc
caldur din exterior
c) Este imposibil de realizat o main termic care ar putea s
efectueze lucru mecanic, ntr-un proces ciclic, fr s primeasc
caldur din interior
d) Este imposibil de realizat o main termic care ar putea s
efectueze lucru mecanic, ntr-un proces ciclic, primind caldur
din exterior
35.

Procesele ciclice sunt procesele n care:


a) Variaia energiei interne este diferit de zero
b) Variaia energiei interne este zero
c) Variaia de caldur este egal cu variaia lucrului mecanic
d) Produsul dintre presiune i volum este nul

36.

Principiul 2 al termodinamicii spune c:


a) Este imposibil de realizat o transformare al crui unic rezultat
final s fie transformarea n lucru mecanic a cldurii primite de la
o surs de temperatur uniform.
b) ntr-o destindere izoterm a gazului ideal, lucru mecanic efectuat
este egal cu caldura primit.
c) n apropierea oricrei stri termice de echilibru a unui sistem
termodinamic omogen, exist alt stare, care se deosebete puin
de prima i care nu poate fi atins niciodat, plecnd din prima
stare ntr-un proces cvasistatic, reversibil i adiabatic.
d) Lucru mecanic poate fi integral transformat n caldur, iar
caldura nu poate fi niciodat transformat integral n lucru
mecanic

37.

Care este legatura dintre cldura elementar i variaia de entropie


a) Nu exist legatur
b) Cldura depinde de temperatur
c) Variaia cldurii este direct proporional cu variaia entalpiei
d) Variaia cldurii este direct proporional cu variaia entropiei

38.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul adiabatic:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T

192

b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0

c) QT RT

dT
T
dV
dST R
V

dSV cv

39.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izoterm:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0

c) QT RT

dT
T
dV
dST R
V

dSV cv

40.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izobar:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0

c) QT RT

dT
T
dV
dST R
V

dSV cv

41.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izocor:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT

dSV cv

193

dT
T

dV
V
d) Q 0 dS 0

c) QT RT

42.

dST R

dV
V

Care dintre enunurile de mai jos reprezint proprieti ale entropiei:


a) S - functie de stare, dS difereniala total exact rezultnd
dS 0 - indiferent de tipul procesului ciclic
b) n procesele cvasistatice
S ct. d 0

adiabatice

se

conserv

c) Entropia absolut este o funcie de stare adiabatic S S k


k 1

d) Entropia este definit numai pn la o constasnt arbritrar


aditiv S 0 , care nu poate fi determinat din pr II , dar variaia de
2

entropie este bine definit S2 S1

T
Principiul al 3-lea al termodinamicii spune c:
a) Din datele experimentale, concluzionm c la T = 0 , entropia
sistemelor termodinamice tinde spre o valoare constant
lim S 0
1

43.

T ok

b) Pentru T Ok , S 0 entropia absolut a unui sistem


termodinamic tinde catre 0, cnd temperatura absolut tinde catre
Ok
c) Indiferent de procesul efectuat, capacitatea caloric a sistemului
termodinamic se anuleaz o dat cu temperatura
44.
Care dintre enunurile de mai jos reprezint consecine ale
principiului al 3-lea?
a) Indiferent de procesul efectuat, capacitatea caloric a sistemului
termodinamic se anuleaz o dat cu temperatura.
b) Pentru T Ok , coeficientul de dilatare termic i
coeficientul termic al presiunii , tind la zero.
c) Pentru T Ok , entropia nu poate fi modificat prin nici un fel
de aciune izoterm de zero absolut; coincide cu adiabata.
45.

Care este semnificaia fizic a anulrii capacitii calorice:


a) Temperatura de 0k reprezint acea stare n care sistemul nu mai
poate ceda caldur, deoarece este atins starea de energie minim

194

b) Temperatura de 0k reprezint acea stare n care sistemul poate


ceda caldur, deoarece este atins starea de energie minim
c) Temperatura 0k este principial inaccesibil
d) Temperatura 0k este principial accesibil
46.

Care sunt potenialele termodinamice?


a) Energia intern
b) Temperatura
c) Energia liber
d) Presiunea
e) Lucru mecanic
f) Entalpia liber
g) Entalpia

47.

Care sunt parametrii n funcie de care se definete energia intern:


a) Presiunea i temperatura
b) Presiunea i volumul
c) Entropia i volumul
d) Entropia i temperatura

48.

Care sunt parametrii n funcie de care se definete energia liber?


a) Presiunea i temperatura
b) Entropia i volumul
c) Temperatura i volumul
d) Entropia i temperatura

49.

Care sunt parametrii n funcie de care se definete entalpia?


a) Presiunea i temperatura
b) Presiunea i volumul
c) Entropia i temperatura
d) Entropia i presiunea

50.

Care sunt parametrii n funcie de care se definete entalpia liber?


a) Presiunea i temperatura
b) Presiunea i volumul
c) Entropia i volumul
d) Entropia i temperature

51.

Care este cauza atraciei gravitaionale?


a) Interaciunea sarcinilor
b) Masa corpurilor
c) Interaciunile culombiene

195

52.

Care este cauza interaciunii culombiene?


a) Atracia gravitaional
b) Atracia sarcinilor electrice
c) Atracia sau respingerea sarcinilor electrice

53.

Legea conservrii sarcinii electrice spune c:


a) ntr-un sistem de corpuri, suma algebric a sarcinilor electrice
rmne constant
b) ntr-un sistem izolat de corpuri, suma algebric a sarcinilor
electrice nu rmne constant
c) ntr-un sistem izolat de corpuri, suma algebric a sarcinilor
electrice ramane constant

54.
Fora cu care sarcina electric q acioneaz asupra unei sarcini
electrice de prob este:
q1q2
1 q1q2
1
F21 F12
er
r2 r1
2
4 r
4 r2 r 3
a)
1

b) Fi qi

er
4 r 2
c) Direct proporional cu produsul dintre sarcina respectiv i
sarcina de prob i invers proporional cu patratul distanei
dintre ele

55.
Intensitatea cmpului electric generat de o sarcin electric
punctiform este:
a) Fora aplicat produsului dintre sarcina elementar i sarcina de
prob
b) E=F/qi
c) I=Q/s
d) Sarcina transportat n unitatea de timp
56.

Care este sensul liniilor de cmp?


a) Dinspre sarcinile negative spre sarcinile pozitive
b) Dinspre sarcinile pozitive spre cele negative
c) Sensul liniilor de cmp coincide cu sensul forei care ar aciona
n punctul respectiv asupra unei sarcini electrice negative
d) Sensul liniilor de camp coincide cu sensul forei care ar aciona
n punctul respectiv asupra unei sarcini electrice pozitive

57.

Care este enunul pentru principiul superpoziiei cmpurilor electrice

196

a) Sensul liniilor de cmp coincide cu sensul forei care ar aciona


n punctul respectiv asupra unei sarcini electrice pozitive
b) Dac ntr-un punct din spaiu, cmpul electric este generat de un
ansamblu de sarcini electrice punctiforme q1 , q2 ,...., qn , atunci
intensitatea cmpului electric generat de sarcina electric qi , va
fi egal cu suma tuturor intensitilor generate de curentul
electric n acel cmp
c) Dac ntr-un punct din spaiu, cmpul electric este generat de un
ansamblu de sarcini electrice punctiforme q1 , q2 ,...., qn , atunci
intensitatea cmpului electric generat de sarcina electric qi , va
fi egal cu suma intensitilor cmpurilor electrice generate de
fiecare sarcina
58.

Teorema lui Gauss spune c:


a) Fluxul vectorului intensitate a cmpului electric E , printr-o
suprafa nchis, de orice form, este egal cu suma algebric a
sarcinilor electrice din interiorul volumului limitat de suprafa
mparit la
b) Fluxul vectorului intensitate a cmpului electric E , printr-o
suprafa nchis, de orice form, este egal cu suma algebric a
sarcinilor electrice din interiorul volumului limitat de o suprafa
c) Fluxul vectorului intensitate a curentului electric E , printr-o
suprafa nchis, de orice form, este egal cu suma algebric a
sarcinilor electrice din interiorul volumului limitat de suprafaa
mprit la

59.

Unitatea de msur pentru intensitatea cmpului electric este:


a) Farad
b) Coulomb
c) Volt/metru
d) Volt
e) Weber

60.

Unitatea de msur pentru potenialul electric este:


a) Farad
b) Coulomb
c) Volt
d) Volt/metru
e) Weber
Mrimile specifice curentului electric sunt:

61.

197

62.

63.

a) Intensitatea curentului electric


b) Intensitatea cmpului electric
c) Potenialul cmpului electric
d) Densitatea de sarcin
e) Sarcina
Intensitatea curentului electric este:
a) Variaia intensitii cmpului electric n unitate de timp
b) Variaia potenialului cmpului electric n unitatatea de timp
c) Variaia sarcinii n unitatea de timp
d) Sarcina care trece printr-o seciune transversal n unitatea de
timp
Intensitatea curentului electric se masoar n:
a) Farad
b) Coulomb
c) Volt/metru
d) Volt
e) Weber
f) Amper

64.

Amperul este:
a) sarcina electric ce parcurge o seciune transversal n timp
de o secund
b) intensitatea curentului electric ce parcurge o seciune
transversal n timp de o secund
c) potenialul curentului electric ce parcurge o seciune
transversal n timp de o secund
d) unitatea de msur a intensitii curentului electric

65.

Densitatea curentului electric este:


a) mrime fizic scalar, orientat n sensul intensitii
curentului electric i avnd modulul egal cu sarcina electric
care trece prin unitatea de timp, prin unitatea de arie a
seciunii transversale a conductorului
b) mrime fizic vectorial, orientat n sensul intensitii
cmpului electric i avnd modulul egal cu sarcina electric
care trece prin unitatea de timp, prin unitatea de arie a
seciunii transversale a conductorului
c) mrime fizic vectorial, orientat n sensul intensitii
curentului electric i avnd modulul egal cu sarcina electric
care trece prin unitatea de timp, prin unitatea de arie a
seciunii transversale a conductorului

66.

Volumul molar este direct proporional cu:

198

a)
b)
c)
d)

Masa atomic
Densitatea masic
Potenialul cmpului electric
Intensitatea cmpului electric

67.

Volumul molar este invers proporional cu:


a) Masa atomic
b) Densitatea masic
c) Potenialul cmpului electric
d) Intensitatea cmpului electric

68.

Valoarea sarcinii electrice elementare este:


a) 1,6*10-19C
b) 2,71*10-19C
c) 2,71*10-19A
d) 1,6*10-19A

69.

Legea lui Ohm pentru o poriune de circuit spune c:


a) I=U/R
b) E=U/R
c) Intensitatea curentului electric printr-un circuit este invers
proporional cu tensiunea electromotoare din circuit i
invers proporional cu rezistena total a circuitului
d) Intensitatea curentului electric printr-un circuit este direct
proporionala cu tensiunea electromotoare din circuit i
invers proporional cu rezistena total a circuitului

70.

Rezistena interioar pentru o poriune de circuit este:


a) Nul
b) Direct proporional cu rezistena total a circuitului
c) Invers proporional cu rezistena total a circuitului
d) Egal cu rezistena exterioar a circuitului

71.

Legea lui Ohm pentru un circuit electric simplu este:


a) Intensitatea curentului electric printr-un circuit este direct
proporional cu tensiunea electromotoare din circuit i direct
proporional cu rezistena total a circuitului
b) Intensitatea curentului electric printr-un circuit este direct
proporional cu tensiunea electromotoare din circuit i
invers proporional cu rezistena total a circuitului
c) I=U/(R+r)
d) I=E/(R+r)

199

72.

Prima lege a lui Kirchhoff este:


a) legea conservrii sarcinii electrice afirm ca suma algebric a
intensitilor curenilor electrici dintr-un nod al reelei este
egal cu zero
b) legea conservrii sarcinii electrice afirm c suma algebric a
intensitilor curenilor electrici dintr-un ochi al reelei este
egal cu zero
c) n orice nod al reelei electrice, suma cderilor de tensiune
R i I i , este egal cu suma algebric a tensiunilor
electromotoare conectate n nodul respectiv
d) n orice ochi a reelei electrice, suma cderilor de tensiune
R i I i , este egal cu suma algebric a tensiunilor
electromotoare conectate n ochiul respectiv

73.

A doua lege a lui Kirchhoff este:


a) legea conservrii sarcinii electrice afirm c suma algebric a
intensitilor curenilor electrici dintr-un nod al reelei este
egal cu zero
b) legea conservrii sarcinii electrice afirm c suma algebric a
intensitilor curenilor electrici dintr-un ochi al reelei este
egal cu zero
c) n orice nod al reelei electrice, suma cderilor de tensiune
R i I i , este egal cu suma algebric a tensiunilor
electromotoare conectate n nodul respectiv
d) n orice ochi a reelei electrice, suma cderilor de tensiune
R i I i , este egal cu suma algebric a tensiunilor
electromotoare conectate n ochiul respectiv

74.

Dispersia depinde de
a) Indicele de refracie
b) pulsaie
c) dependena indicelui de refracie de pulsaie sau de lungimea
de und ce strbate acel mediu
d) lungimea de und

75.

Formula pentru viteza de propagare a undei este


a) c = v/n
b) v = c/n
c) v = n/c
d) c = n/v

200

76.

Viteza luminii n vid este:


a) c = v/n
b) c = n/v
c) v = n/c
d) c = n*v

77.

Ce este difracia?
a) fenomenele ce apar cnd undele nu ntlnesc neomogeniti
si nu se genereaz abateri de la legile opticii geometrice
b) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc neomogeniti ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice
c) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc obiecte ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice
d) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc omogeniti ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice

78.

Ce reprezinta difracia Fraunhofer?


a) Fenomenul de difracie care apare atunci cnd sursa de
lumina este foarte ndeprtat de o neomogenitate (obstacol),
astfel nct razele luminoase sunt practic paralele
b) Fenomenul de difracie care apare atunci cnd sursa de
lumina este foarte ndeprtat de o astfel de neomogenitate
(obstacol), astfel nct razele luminoase sunt practic
perpendiculare
c) Fenomenul de difracie care apare atunci cnd sursa de
lumina este foarte apropiata de o neomogenitate (obstacol),
astfel nct razele luminoase sunt practic paralele
d) Fenomenul de difracie care apare atunci cnd sursa de
lumina este foarte apropiata de o neomogenitate (obstacol),
astfel nct razele luminoase sunt practic perpendiculare

79.

Pe ce se bazeaz principiul Huygens Fresnel ?


a) afirm c undele emise de sursa secundar de radiaie ce
ajung n zona obstacolului genereaz n fiecare punct al
suprafeei din aceasta zon alte unde secundare care au o
amplitudine i faz egale cu amplitudinea i respectiv faza
undei secundare (iniiale) sosite n punctul respectiv
b) afirm c undele emise de sursa primar de radiaie ce ajung
n zona obstacolului genereaz n fiecare punct al suprafeei
din aceasta zona unde secundare care au o amplitudine i
faz egale intre ele
c) afirm c undele emise de sursa primar de radiaie ce ajung
n zona obstacolului genereaz n fiecare punct al suprafeei

201

din aceasta zon unde secundare care au o amplitudine i


faz egale cu amplitudinea i respectiv faza undei primare
(iniiale) sosite n punctul respectiv
80.

Care dintre urmtoarele relaii, este formula lui Galilei?


2
a) v 2 v0 2ax
b) v 2 2ax
c) v 2 2ax x0

d) v 2 v0 2ax x0
2

e) v 2 v0 2ax x 0
2

f) v 2 v0 2ax0
2

81.

Care este unitatea de msur n sistemul internaional pentru energia


cinetic ?
a) A
b) J
c) V
d) W
e) N
f) s

82.

n ct timp parcurge un automobil, cu vitey constant v=90 km/h


distana dintre dou borne kilometrice succesive?
a) 38 s
b) 35 s
c) 60 s
d) 48 s
e) 40 s
f) 50 s

83.

Un corp cade liber de la nlimea h=20 m. Considernd g=10m/s 2 ,


care este timpul de cdere?
a) 6 s
b) 1 s
c) 4 s
d) 2 s
e) 5 s
f) 1,5 s

84.

Care dintre mrimile fizice de mai jos are caracter vectorial?

202

a)
b)
c)
d)
e)
f)
85.

energia
masa
rezistena electric
impulsul mecanic
tensiunea electromotoare
densitatea

Un corp este aruncat de jos n sus cu viteza iniial v 0 =20 m/s.


Considernd g=10m/s 2 , care este distana parcurs n ultima secund
n timpul urcrii?
a) 5 m
b) 2,8 m
c) 4,5 m
d) 1,5 m
e) 0,8 m
f) 3,5 m

86.

S se indice afirmaia adevrat despre fora de frecare de alunecare,


F f ntre dou corpuri n micare relativ:
a) nu depinde de fora de apsare normal N
b) depinde de aria suprafeei de contact
c) este dat de relaia Fc / N
d) nu depinde de aria suprafeei de contact
e) verific expresia Fc N
f) depinde de viteza relativ a corpurilor

87.

Un motociclist pornete cu acceleratia a 0,40m / s 2 . Ct timp i


trebuie cxa sa-i mreasc viteza de la v1 12m / s la v2 20m / s ?
a) 1 min
b) 10 s
c) 20 s
d) 25 s
e) 30
f) 15 s

88.

O for F acionez asupra unui corp de mas m deplasndu-l cu


distana d. Fora este paralel cu suprafaa pe care se mic corpul.
S se scrie expresia lucrului mecanic efectuat asupra corpului
a) L Fd cos
b) L Fm
c) L Fm / d

203

d) L Fd
e) L mdF 1
f) L Fdm
89.

Se d enunul: Dac un corp acioneaz asupra altui corp cu o for,


numit aciune, cel de-al doilea corp acioneaz aupra primului cu o
for egal n modul i opus ca sens, numit reaciune. Cum se
numete acest principiu n mecanic?
a) Principiul fundamental al dinamicii
b) Principiul ineriei
c) Principiul conservrii energiei
d) Principiul suprapunerii forelor
e) Principiul aciunii i reaciuii
f) Principiul conservrii impulsului

90.

S se arate care dintre urmtoarele afirmaii este corect:


a) Energia potenial i energia cinetic nu depind de poziie i
de vitez
b) Energia potenial i energia cinetic sunt dependente de
vitez
c) Energia potenial i energia cinetic sunt dependente de
poziie
d) Energia potenial i energia cinetic nu depind de vitez
e) Energia potenial este o funcie de poziie iar energia
cinetic este o funcie de vitez
f) Energia potenial este o funcie de vitez iar energia cinetic
este o funcie de poziie

91.

Care este expresia spaiului parcurs de un corp n micare uniform


accelerat fr vitez iniial?
a) s vt 2 / 2
b) s at 2 / 2
c) s at 2
d) s at / 2
e) s vt 2
f) s vt / 2

92.

Care sunt unitile de msur n sistemul internaional pentru mas,


impuls i energie?
a) kg, kgm, J
b) g , kgms1 , Js

204

c)
d)
e)
f)

kg, kgms1 , Js
tona, kgms1 , J
kg, kgms1 , J

kg, kgms1 , kJ

93.

Un tramvai cu masa m=20 tone ciocnete un ostacol cu viteza v=20


cm/s. Resortul tamponului se comprim cu x=4cm. S se calculeze
fora maxim care acioneaz asupra resortului.
a) 5 10 4 N
b) 9 10 3 N
c) 10 4 N
d) 3 10 3 N
e) 10 3 N
f) 2 10 4 N

94.

Un corp cade liber de la nlimea h=20m. n acelai moment un alt


corp este aruncat vertical n jos de la nlimea H=40 m. S se afle
viteza iniial a celui de-al doilea corp, dac ambele corpuri cad
simultan pe pmnt (g=10m/s 2 )
a) 9m / s 1
b) 9m / s 2
c) 10m / s 2
d) 15m
e) 10m / s 1
f) 10m

95.

Care dintre urmtoarele expresii nu reprezint legea lui Hooke?


1 Fl 0
a) l
E S0
l 1
b) F E
l0 S 0
F
l
c)
E
S0
l0
Fl
d) El 0
S0
e) lES 0 Fl 0
f) E

205

96.

Impulsul mecanic se msoar n sistemul internaional n:


a) N / s
b) N / s 2
c) kg m / s 2
d) N s
e) N m / s
f) kg s / m

97.

Un corp este aruncat vertical n sus de la nivelul solului cu viteza


iniial v0 35m / s i revine la sol. Se consider g=10m/s 2 . Spaiul
parcurs n cursul celei de-a patra secunde de miscare este:
a) 5 m
b) 4 m
c) 10 m
d) 6 m
e) 2,5 m
f) 3,5 m

98.

Termenul v 2 / 2 din legea lui Bernoulli reprezint:


a) presiunea de poziie
b) principiul ineriei
c) energia cinetic a unitii de mas
d) presiunea static
e) presiunea dinamic
f) debitul de fluid

99.

Relaia F m p / t sau F p / t reprezint:


a) legea atraciei universale
b) principiul fundamental al dinamicii
c) transformarea Galileo Galilei
d) principiul ineriei
e) principiul suprapunerii forelor
f) principiul aciunii i reaciunii

100.

Dup ce parcurge distana orizontal de 300 m, viteza unui vagon


scade la jumtate. n acel moment, vagonul se ciocnete plastic cu un
vagon identic aflat n repaus. Ansamblul celor dou vagoane
parcurge pn la oprire distana:
a) 30 m
b) 25 m
c) 50 m

206

d) 22,5 m
e) 24 m
f) 37,5 m

207

Bibliografie

1. Creu Emil, Apostolescu Tudor Ctlin, Ursu Alexandra Fizic, Ed.


Titu Maiorescu, 2010
2. T. Creu, Fizic, Ed. Tehnic, 1996
3. E. Creu, Optic tehnic Teorie i calcul, Ed. ATM, 1994
4. E. Creu, Lucrri practice de fizic, Colectiv fizic, Ed. T.
Maiorescu, 2003.
5. Drgulinescu M, Manea A. Materiale pentru electronic Vol.1 i 2,
Editura MATRIX ROM, Bucureti, 2002
6. Praoveanu I, Jipa D. Simion . Dispozitive i circuite electronice.
Partea a 2-a, Editura Academiei Tehnice Militare, Bucureti, 2000

208