8.

PROCEDEUL LIGA

Pentru obinerea microstructurilor metalice i din polimeri, dezvoltate n spaiu pe 2 1/2

axe i pe 3 axe cu raport mare ntre nlimea i dimensiunea lor n plan, a fost fcut cunoscut, n
anul 1980, procedeul LIGA. Cel care a comunicat apariia acestui nou procedeu de lucru a fost
Wolfgang Ehrfeld, de la Centrul de Cercetri Nucleare din Karlsruhe. Prima realizare a fost o
minicentrifug pentru separarea izotopilor de uraniu, din nichel, a crei dimensiune minim n
plan era de 5 /xm i avea o nlime de 300m [8.1; 8,2; 8.3 ].
Numele procedeului este un acronim al denumirilor n limba german ale metodelor de
lucru pe care se bazeaz procedeul: Lithographie, Galvanoformung, Abformung (litografie,
galvanoplastie, modelare/turnare).
Procedeul i-a gsit numeroase aplicaii: zone Fresnel, elemente fluidice, lentile i prisme
din PMMA, microcontace din nichel, microbobine din cupru, cleme metalice i roi dinate, din
nichel formate pe un substrat separat i asamblate ulterior cu arborii, prisme hexagonale din nichel
- adaosuri metalice pentru materiale compozite, duze pentru tragerea fibrelor din materiale
plastice, microbobine din nichel sau cupru - cu fibr optic integrat pentru msurarea turaiei
turbinei, micromotoare magnetice, micromotoare electrostatice, mti metalice pentru structurarea.
n plasm a suprafeelor asferice nanometrice [8.1; 8.2; 8.3; 8.4; 8.25; 8.26].

8.1. Descrierea procedeului pentru structuri spaiale 2

1/2D i 3D
Procesul tehnologic schematic de. obinere a microstructurilor prin procedeul LIGA
rezult din fig. 8.1.
Spre deosebite de procesele; de mcrostructurare superficial a siliciului, pe care s-au
bazat celelalte prelucrri micromecanice, la aplicarea procedeului LIGA, grosimea stratului de
rezist corespunde cu nlimea dorit a microstructurii, deci va fi de cteva sute de micrometri;
substratul se prefer a fi metalic, iar dac este un dielectric sau semiconductor - el va fi acoperit
nainte cu un strat metalic subire care s-i confere proprieti conductive; rezistul utilizat este
PMMA (denumirea comercial: PLEXIGLAS); masca prin intermediul creia este configurat
stratul de rezist este de o construcie special, astfel nct s aib caliti absorbante sau
transparente pentru radiaia utilizat; radiaia X sincrotronic folosit, de lungime de und 0,1...2
nm are calitatea de a fi foarte puternic - pentru a putea aciona pe ntreaga grosime foarte mare a
rezistului, are o divergen foarte mic apreciat la ~5 mrad (practic, radiaia este paralel) i
aceasta permite obinerea pereilor verticali de mare nlime (de altfel - litografia cu radiaie
sincrotronic poart i numele de "litografie adnc").
Zonele expuse radiaiei X vor deveni uor solubile n developant, deci PMMA lucreaz ca
un rezist pozitiv.

129

Etapele de expunere i developare (fig. 8.1 a ) reprezint faza de LITOGRAFIE.

Utiliznd depunerea galvanic rezult un profil negativ al formei obinute din
rezist; se poate depune cupru, nichel, aur sau orice alt metal; depunerea este selectiv i
se face pe substratul conductiv neacoperit de configuraia din rezist. Dac grosimea
stratului metalic depus este Inferioar grosimii stratului de PMMA, dup ndeprtarea
rezistului se obine microstructura metalic unicat. Dac depunerea galvanic continu
pn la acoperirea complet a modelului de PMMA, se obine o form cu goluri
reprezentnd negativul modelului. Rigiditatea formei depinde de grosimea stratului
metalic care acoper modelul. Aceasta este etapa de GALVANIZARE.
In continuare, prin aplicarea unei plci de injectare prin reeaua creia se poate
injecta material plastic, se pot obine rapid i ieftin, numeroase copii din polimeri; este
faza de
MODELARE/TURNARE/INJECTARE.

Poate urma o a doua GALVANIZARE care va copia - n negativ - profilul

structurilor din polimeri, fixate la placa de injectare. Placa metalic de turnare,
acoperit n prealabil cu un strat de separare, va servi drept electrod, iar depunerea
galvanic va reprezenta copia independent metalic.
Forma din polimeri poate constitui modelul pentru presarea pulberilor
ceramice; se obin astfel piese unicat a cror desprindere! de pe model se va face prin
distrugerea acestuia.
Pentru obinerea microstructurilor 3D exist mai multe variante (fig. 8.1 b, c,
d, e) care se deosebesc ntre ele prin etapa de expunere. Radiaia X poate fi nclinat cu
unghiuri diferite fa de suprafata rezistului, poate fi rotit su expunerea se poate face
secvenial - n fiecare secven folosindu-se cte o masc cu configuraii diferite.

8.2. Masca pentru radiaie X sincrotronic

Masca pentru radiaie X sincrotronic are trei componente distincte .
un suport cu ct mai mare transparen la radiaia X, de grosime ct mal mic i
care s poat ii obinut sub form de membran subire;
- pentru asigurarea contrastului e necesar un material absorbant care, s poat
avea o grosime ct mai mare, fr ca precizia conturului configuraiei s fie afectat;
- o ram care s asigure rigiditatea mecanic necesar poziionrii, centrrii i
schimbrii automate a mtii.
Dintre materialele suport care ndeplinesc condiiile de mai sus se utilizeaz
siliciul i titanul, dar pentru motive de stabilitate dimensional se recomand, de
asemenea, beriliul i nitrura de bor. Grosimile de membran care asigur transparen
de 90% a radiaiei sincrotronice cu lungimea de und landa=0,53 nm sunt urmtoarele:
beriliu - 19 m, nitrur de bor - 6,7m siliciu - 0,55 m, titan - 0,45m.
Ca material absorbant se recomand aur, wolfram sau tantal. Capacitatea
absorbant este apreciat prin raportul ntre densitatea de putere a radiaiei rezultat la
trecerea prin zona transparent i prin zona opac; acest raport trebuie s depeasc

valoarea 1000 pentru ca masca s fie considerat a avea contrast suficient. Grosimile
uzuale sunt de ~17m - pentru aur i ~ 8 m -pentru wolfram.
Structura absorbant poate fi obinut prin procedee substractive sau aditive
(lift-off) acestea din urm asigurnd o rezoluie mai bun; primele asigurnd un traseu
tehnologic mai scurt.

O combinaie ntre cele dou procedee face posibil obinerea structurii absorbante
dintr-un prim strat metalic subire, structurat substrativ, urmnd ca cea mai mare parte din
structura absorbant de aur s fie structurat aditiv.
. Pentru configurarea structurii absorbante de grosime mare.este nevoie de o masc
intermediar.
Principalele etape ale tehnologiei de realizare a mtii pentru procedeul LIGA sunt:
obinerea suportului
structurarea stratului de rezist pentru masca intermediar;
- depunerea galvanic structurii absorbante;
copierea mtii intermediare pe masca de lucru.
Rama, care susine suportul structurii absorbante sau membrana transparent Ia
raze X, poate fi confecionat din INVAR (aliaj, cu 18% Co, 28% Ni, 54% Fe) i este
format odat cu suportul printr-o succesiune de operaii cunoscut (prelucrarea mecanic a
semifabricatului masiv din INVAR pn la obinerea unei rugozitii Ra=0,25 m, aplicarea
stratului-suport,corodare parial a grosimii ramei pentru a menine un perete de ~ 1 mm
cu rol de rigidizare,structurarea stratului de rezist,, depunerea galvanic selectiv a
structurii
absorbante, ndeprtarea rezistului, corodarea complet a peretelui INVAR [8.8; 8.11].
Procedeul este evitat datorit prelucrrilor mecanice
pretenioase; de aceea suportul este aplicat printr-un strat
intermediar de. carbon cu rol de strat de separare, pe o plachet
de siliciu. Prelucrarea mecanic a siliciului este mai lesnicioas
i asigur o foarte bun calitate suprafeei membranei-suport.
Fig. 8.2 arat etapele de realizare a membranei-suport din titan,
prin "transfer". Un strat de carbon de slab aderent la placheta
de siliciu este depus selectiv prin procedeul CVD, astfel nct
marginea plachetei s rmn liber (a); prin pulverizare
catodic se depune un strat de 2-3 m grosime, din titan
materialul suportului mtii avnd o bun aderen la marginea
plachetei de siliciu (b); placheta este lipit cu un adeziv pe ram
(c); printr-o uoar ndoire a plachetei de siliciu se asigur
desprinderea membranei (d); prin corodare uscat n plasm de
oxigen se nltur stratul intermediar de carbon (e).
Realizarea mtii intermediare, care are ca suport al
structurii absorbante o membran de siliciu, este prezentat
schematic n fig. 8.3. Pentru configurarea structurii absorbante
Fig. 8.2. Etapele realizrii prin
se folosete litografia cu fascicul de electroni.
transfer a membranei suport din
Fig. 8.3 a: suportul este o plachet de siliciu corodat
titan:
a-depunerea si configurarea stratului parial n zona viitoarei membrane pn la o grosime de ~2 m.
separator; b-depunerea membranei din Marginea plachetei poate fi aplicat pe o plac de sticl, pentru
titan; c-aplicarea membranei pe rama
a uura manipularea. Se depun straturi de aderen (de exemplu,
mtii; d-fracturarea stratului de titan pe
marginea de contact cu rama; e-nlaturarea
stratului separator

paladiu/staniu coloidal) i de amorsare a depunerii galvanice (de exemplu, nichel/cupru).

Grosimea stratului de rezist de baz nu depete grosimea uzual la litografia optic sau la
litografia electronic ~1500 nm. Stratul metalic intermediar are rolul de a fi purttorul
profilului structurii ide rezist de baz n care se va depune galvanic absorbantul

radiaiei sincrotronice; acesta poate fi, de exemplu nichel i va fi depus autocatalitic. Pentru
configurarea stratului de electronorezist-PMMA se utilizeaz expunerea prin baleiere cu fascicul de
electroni.
Se obine - fig. 8.3 b - o masc de PMMA care va contribui la configurarea stratului metalic intermediar prin
corodare anizotrop n plasm reactiv CHF3.
Stratul intermediar metalic , folosete ca masc pentru
structurarea stratului de rezist de baz, cu grosimea de 1500m,
prin corodare reactiv n plasm de oxigen; el va constitui forma
de
depunere galvanic a structurii absorbante;
F i g u r a 8.3 structura absorbant din aur se depune galvanic ntro
grosime de ~1m.
Figura 8.3 d: prin dizolvarea modelului de rezist se ndeprteaz
i
stratul intermediar metalic iar ceea ce se obine este masca

Intermediar necesar litografiei cu raze X.

Fig.8.3. Etapele realizrii mtii intermediare: a-litografe
electronic; b-corodare anizotrop n plasm reactiv; c-depunere
galvanic; d- ndeprtarea tezistului

Masca de lucru: O structur asemntoare mtii

intermediare are i masca de lucru, cu singura deosebire c
structura absorbant(din aur - de exemplu) are o nlime mult
mai mare (~10.. .20m).
Succesiunea principalelor etape (fig. 8.4) arat modul de
transpunere a profilului mtii intermediare n stratul gros de
PMMA (care poate ajunge i la o grosime de 0,5...1 mm)
radiaie sincrotronic.
Membrana mtii de lucru poate fi obinut prin transfer procedeu descris mai sus.
Structurarea stratului gros de PMMA se face
printr-o succesiune de expuneri l developri repetate.

prin

Grosimea maxim ce poate fi structurat la o expunere este de

~100m;
Principalul factor de imprecizie l constituie, de fiecare dat,
repoziionarea mtii intermediare fa de stratul de PMMA.
anterior expus i developat.
Singura soluie, n acest caz, este utilizarea unor opritoare
ataate ramei mtii intermediare care trebuie s vin de
fiecare dat n contact cu opritoarele ramei mtii de lucru.
Soluia este pur mecanic i garanteaz o precizie de Fig. 8.4. Etapele realizrii mtii de lucru din aur: apoziionare sub 0,2 m, cu condiia ca temperatura din litografie cu radiaie X sincrotronic; b-depunere
galvanic i ndeprtarea modelului din rezist
spaiul de lucru s fie riguros controlat pentru a evita
deformri ale structurii provenite din diferena coeficienilor de dilatare ai materialului structurii i
materialului ramei.

129

Aplicarea unui strat uniform i de grosime mare pn la 1 mm de rezist (PMMA) se face prin turnarea i
uniformizarea prin laminare a unui monomer (metilmetacrilat - MMA), urmat de polimerizarea acestuia la
temperatur nalt, sau la temperatur camerei dac i se adaug un iniiator de polimerizarea; n urma
polimerizrii MMA trece n PMMA.
Plcile destinate aplicrii procedeului LIGA sunt pregtite separat n laboratoare specializate.
Pentru asigurarea aderenei stratului de PMMA la membrana suport de Ti astfel nct modelul s nu
se desprind de suport la meninerea ndelungat in baia de galvanizare, se recomand crearea unor ancoe

mecanice la suprafa stratului de titan prin oxidarea umed superficial a acestuia, pe 30-40 m, prin cufundare ntro soluie de hidroxid de sodiu i peroxid

De asemenea, pentru a fi depit rapid planul de contact dintre stratul de PMMA i suportul de titan,
se recomand ca, nainte de aurire, s se depun un strat de ~ l m de Ni sau Cu, la o densitate mare de curent
(2-4 A/dm2).

8.3. Depunerea galvanic pentru obinerea microstructurilor

Stratul gros de PMMA depus i developat poate constitui el nsui o microstructur din polimer (se
va vedea n continuare, c acesta constituie o aplicaie din optic).
Pentru obinerea microstructurilor metalice este necesar depunerea galvanic folosind ca electrod
suportul metalic al mtii; dar depunerea galvanic este necesar i la obinerea unor forme metalice rigide
pentru injectarea n serie a microstructurilor din polimeri - n acest caz placa metalic a instalaiei de injectat,
fiind utilizat ca electrod.
Oricare ar fi destinaia depunerii dificultatile ridicate de microgalvanizare sunt urmtoarele [8.6
-8.10]
aderen insuficienta care ar putea duce la desprinderea microstructurilor; fenomenul
este cu att mai probabil cu ct la nlimea foarte mare a microstructurii aria de contact cu placa de baz este
foarte mic. Oxidul amorf de titan favorizeaz nu numai aderena stratului de PMMA ci i aderena stratului
de aur depus galvanic. Spre deosebire de oxidul de titan cristalizat care este un bun izolator electric oxidul
amorf de titan are bune caliti conductive;
depunerile metalice de la baza structurii de PMMA sunt favorizate de slaba;ei
aderen de microasperitile de la marginea de contact cu suportul i modific dimensiunile i profilul
microstructurii metalice de obinut;
- tensiunile interne din interiorul stratului depus galvanic duc la deformarea microstructurii pentru a
evita deformarea se recomand ca tensiunile interne s nu depeasc 10-20 N/mm2. Principalii factori care
influeneaz apariia tensiunilor interne sunt: densitatea de curent, grosimea stratului depus i temperatura
Temperatura optima ese de 50-65C. La depunerea unui strat de nichel dintr-o baie de sulfamat de nichel cu
ct densitatea de curent crete, cresc tensiunile de ntindere; lucrnd, ns cu o densitate de curent de 5 A/dm2.
i depunnd o grosime mai mare de 50 m, se poate obine un, strat fr tensiuni interne;
lipsa de uniformitate a stratului depus poate fi evitat sau numai redus prin aplicarea unor mti profilate de
corecie din material dielectric care uniformizeaz densitatea de curent pe suprafaa piesei) i prin
introducerea in compoziia bii de depunere a unui agent

134

de planarizare;

raportul foarte mare ntre nlimea i limea microstructurii face ca depunerile metalice n canalele foarte
nguste s nu fie uniforme; de aceea compoziia bii de microgalvanizare trebuie s asigure "udarea
uniform a ntregii structuri;
degajarea hidrogenului n timpul depunerii favorizeaz formarea structurilor poroase sau chiar structuri
incomplete, numai dac baia de depunere nu este suficient de curat (are particule de praf, reziduuri anodice,
etc.); se recomand filtrarea continu a electrolitului prin
filtre care rein particule de ~0,2 m. Impuritile organice sunt eliminate prin introducerea de crbune activ.
La o baie de depunere la care densitatea de curent a variat ntre 1 i 10 A/dm 2, timp de 14 zile nu s-au
observat pori n structur Apoi rata defectelor a crescut ngrijortor. Prin trecerea electrolitului printr-un filtru
de crbune activ fenomenul a fost ndeprtat i baia a putut fi utilizat n continuare.
Metalul din care se realizeaz cel mai adesea microstructurile prin procedeul LIGA este nichelul.
O compoziie tipic a unei bi de sulfamat de nichel pentru microgalvanizri conine [8.11]: 327 g/l
anhidrid de sulfamat de nichel; 76 g/l Ni2+ - ioni; 40 g/l acid boric; 2 ml/l agent de umectare.
Parametrii tehnologici ai depunerii:
pH-soluie:4,0
temperatura:
52C
- densitatea de curent: 1-2 A/dm2.
Se asigur astfel o rat de depunere de 12-120 m/or.
Rugozitatea stratului depus depinde de rugozitatea suportului de depunere. Pentru straturi cu
nlimea mai mare de 100 m rugozitatea are valori sub 1 m.
Duritatea stratului depus scade cu creterea densitii de curent i este cuprins ntre 350-200
uniti Vickers (la o. ncrcate de 100 g).

8.4. Celula de microgalvanizare

Celula, de microgalvanizare (fig. - 8.5). trebuie s

depunerea metalului n cele mai nguste adncituri;
anodul va fi format din bile de nichel depolarizate
ntr-un co; catodul va fi rotit continuu, iar
continuu filtrat. Diafragma folosete pentru
uniformizarea densitii de curent. Se mai poate
microgalvanizare: aur (mti necesare procedeului
cupru (microbobine), aliaje nichel-cobalt aliaje fier(micromotoare electromagnetice) etc.
Microstructura metalic astfel obinut poate fi
atare (de exemplu: amplificatoarele fluidice) sau
constitui forma n care va fi injectat sau presat
unor viitoare microstructuri dintr-un asemenea
La realizarea formei de presare sau
rigiditate sporit, se va proceda aa cum rezult din
Pe o plac de baz, care ulterior va fi
sacrificat, este realizat microstructura din rezist
prin litografie adnc cu radiaie X sincrotronioca.(fig. 8.6 a).

asigure
de
aceea
introduse
electrolitul depune, prin
LIGA),
nichel
utilizat ca
poate

polimerul,

material.
injectare cu
fig.8.6.
(PMMA)

129

Utilizand placa de baz drept electrod se obine negativul

din nichel al microstructurii
rezist (fig. 8.6 b).
Depunerea continu pentru a forma o plac metalic
groas
de ~5 mm menit s rigidizeze microstructurile metalice.
Intre
etapele b i c regimul de depunere va diferi prin densitatea
de
curent, care ns nu trebuie s duc la inducerea unor
tensiuni
interne; acestea ar putea compromite legtura dintre
microstructura metalic i placa de rigidizare. Prelucrarea
mecanic final trebuie s micoreze abaterile de planitate
ale
plcii de rigidizare (fig. 8.6c).
Rugozitatea i abaterile de planitate ale prii posterioare a
fermei
ar putea afecta dimensiunile i forma microstructurii din
material plastic; aceasta pentru c la contactul cu placa de
oel a
mainii de injectare (fig. 8.6 c), forma se poate deforma.
Exist
i posibilitatea netezirii suprafeei depuse de nichel prin
adugarea in baia de depunere a unui agent de netezire
care
este un produs organic. Dezavantajul acestui procedeu
provine
din faptul c agentul de netezire este reinut la filtrarea
electrolitului prin crbune activ, operaie necesar pentru
evitarea structurii poroase; deci, compoziia electrolitului trebuie refcut dup filtrarea prin crbune activ. Rugozitile obinute pe suprafaa posterioar a formei la depunerea de nichel, fr sau cu
prelucrarea mecanic ulterioar, rezult din tabelul 8.1 [8.11].
metalic
din

Tabelul 8.1

Placa de baz este ndeprtat prin prelucrare mecanic, pentru a elibera micro-structura din rezist
(fig. 8.6 d). ndeprtarea plcii se poate face i fr a o sacrifica, dac naintea procesului de litografiere se
aplic pe placa de baz un strat care s reduc aderena la suprafaa sa i care va fi ndeprtat n faza d prin
dizolvare selectiv dup tehnica

136

"straturilor de sacrificiu". Prelucrarea mecanic (prin frezare i lepuire)ar putea fi necesar ulterior
ndeprtrii plcii de baz numai n msura n care rugozitatea sa iniial nu asigur rugozitatea i planitatea
impus plcii de formare'.
Microstructura din rezist este ndeprtat prin dizolvare sau corodare uscat (fig.8.6e).

8;5. Microinjectarea
-

Polimerii utilizai pentru obinerea microstructurilor pot fi:

termorigizi (Poliuretan - UP);
termoplastici (Policlorur de vinii - PVC, Acrilonitril-butadienstiren - ABS, Polimetilmetacrilat - PMMA).
Parametrii tehnologici caracteristici procesului de formare a microstructurilor din polimeri rezult din
tabelul 8.2 [8.8].

Instalaiile de injectare sau presare folosite pentru etapa de formare a microstructurilor din
polimeri nu se; deosebesc de cele clasice ci numai ciclul de lucru
este
adaptat raportului foarte mare Intre adncimea structurii - h, i
dimensiunea sa minima transversal - dmin.
Dac la discurile compact (unde h=0,1 m, iar
(dmin=0.6m) raportul h/d=0,16, la structurile micromecanice
obinute
prin procedeul LIGA acest raport este cu dou ordine de mrime
mai mare
(de exemplu, pentru o structur de forma unei reele
h=10m,dmin=2m)h/dmin=50.
De aceea, temperatura formei este mai mare dect la
procesele
obinuite de injectare i meninut tot timpul formrii la o
valoare cu
~70C inferioar' temperaturii de topire a polimerului. Aceasta
face
ca
timpul de umplere al formei, s creasc, iar viteza de injectare s
scad.
Ciclul de lucru al mainii de injectat cu melc evolueaz
dup
schema reprezentat n fig. 8.7. Reducerea vitezei de. deplasare a
melcului
In intervalul tn1 itn2 fa de momentul iniial, ca i variaia de
presiune n
aceleai intervale, asigur umplerea complet a formelor celor
mai
complicate i cu raport mare h/dmin.

129