Ministerul Educaiei i Tineretului

al Republicii Moldova
Colegiul Politehnic Bli
Catedra Tehnic de Calcul
Laboratorul Dispozitive i circuite electronice

Lucrare de laborator nr. 2

Tranzistorii bipolari

n conexiunea cu emitor comun (EC)

Bli - 2007

Scopurile:

Studiul caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar.

Consideraii teoretice
Tranzistorul bipolar are o structur alctuit din trei zone semiconductoare adiacente
(npn sau pnp). El este un element activ de circuit comandat n curent, care realizeaz funcia
de amplificare n circuitele analogice sau este folosit ca element de comutaie n circuitele
digitale. Simbolurile tranzistorului bipolar sunt prezentate mai jos:
E

C
B

E emitor

C colector

E npn

C pnp

B baz

De regul, atunci cnd este folosit pentru ndeplinirea funciei de amplificare,

jonciunea emitor baz este polarizat direct, iar jonciunea baz colector este polarizat
invers. Polarizarea jonciunilor se face folosind o singur surs de tensiune continu, prin
intermediul unor rezistori.
Relaii de baz ntre cureni:

IC IB

ICB 0
1

I
C
I
B

IE IB IC

n care este fraciunea din curentul de emitor care contribuie la

curentul de colector ( 0,99), iar = /(1) este factorul static de

UCE
U
BE
I
E

amplificare n curent.
Caracteristici statice.Parametrii hibrizi (comportarea n regim dinamic, conexiunea emitor
comun)
ic

I C0
i
b

UCE = const.

IB0
UCE0

u
be

U
BE0

I
C

I = const.
B

uce

I
B

I
B

UCE

UCE0, IC0, UBE0, IB0 sunt tensiunile i curenii

care definesc punctul static de funcionare.

I
B

UCE

O variaie, de exemplu a tensiunii pe

jonciunea

emitor

baz

(ube),

va

determina variaia i a celorlalte mrimi

I = const.
B

UCE = const.
U
BE

(simbol ).
3

Se

definesc

urmtorii

parametri

ai

tranzistorului n regim dinamic (regim de

variaii mici n jurul punctului static de
funcionare):
u be
h11
u 0 impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit
ib
u be
h12
i 0 factor de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol
u ce
i
h 21 c u 0 factor de amplificare dinamic cu ieirea n scurtcircuit
ib
i c
h 22
i 0 admitana de ieire cu intrarea n gol
u ce
ce

ce

Schema de lucru (montajul experimental)

Schema de lucru folosit la construirea caracteristicii de intrare a tranzistorului bipolar:

Schema de lucru folosit la construirea caracteristicii de transfer n curent i a caracteristicii

de ieire a tranzistorului bipolar:

Metodologia efecturii lucrrii

a)

Se construete schema n mediul de modelare. Tranyistorul se allege

conform variantului.
Tipul tranzistorului
Tipul tranzistorului
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.

b)
c)

2N2222A
2N2712
2N2714
2N2923
2N2924
2N2925
2N3390
2N3391
2N3391A
2N3392
2N3393

12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.

2N3394
2N3414
2N3415
2N3416
2N3417
2N3707
2N3711
2N3858A
2N3859
2N3859A
2N3860

Se d la eire o tensiune de ECE=0 V.

Se modific tensiunea de la intrare de la 0 la 15 V cu pasul 0,2 (0-1), 1 (1,10)

i 5 (10-15).

d)

e)

Complectm tabelul.
Repetm msurrile pentru pentru Ece =5 V

Ece [V]

Ib [A]

Ube [mV]

0V

...

...

5V

...

...

f)

Ebe [V]
0
...
15
0
...
15

Se construete schema a doua.

Se d la eire o tensiune de ECE=3 V.

h)

Se modific intensitatea curentului de la intrare de la 0 la 50A cu pasul 5 A

i)

g)

j)

Ece [V]

Complectm tabelul.
Repetm msurrile pentru pentru Ece =5 V
IC [mA]

3
5

UCE [mV]

IB [A]
0
...
50
0
...
50

l)

Dm la intrare 0 A.

m)

Se modific tensiunea de la ieire de la 0 la 15 V cu pasul 0,2 (0-1), 1 (1,10)

i 5 (10-15).

n)
o)

Complectm tabelul.
Repetm msurrile pentru pentru IB =30 A i IB=60 A.
5

IB [A]

IC [mA]

UCE [V]

0
30
60
p)

Ebe [V]
0
...
15
0
...
15
0
...
15

Se reprezint grafic IB= f(UBE) cnd UCE=const, IC=f(IB) cnd UCE=const i

IC=f(UCE) cnd IB=const.

Tem

Pentru schema de lucru concret trasai pe grafic dreapta de sarcin pentru E C = 12 V

i determinai coordonatele punctului static de funcionare pentru una din valorile
curentului de baz alese la punctul d2).

Bibliografie
1. Gabriel Vasilescu, erban Lungu Electronica
2. . . .
3. . . .
4. . . .
5. . . .