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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO

POSGRADO EN CIENCIAS DE LA TIERRA


INSTITUTO DE GEOFISICA

MODELACION DE LA RESPUESTA MAGNETOTELURICA


EMPLEANDO APROXIMACION DE BORN CON
CONDUCTIVIDAD DE REFERENCIA
VARIABLE

TESIS QUE PARA OBTENER


EL TITULO DE
DOCTOR EN CIENCIAS
(EXPLORACION GEOFISICA)

PRESENTA

ANDRES TEJERO ANDRADE


DIRECTOR: DR. RENE E. CHAVEZ SEGURA

Cd. UNIVERSITARIA
2002

DEDICATORIA

A ti, mi angelito maravilloso, mi hija Andrea Isaura, quin con tu alegra y


armoniosa alma has iluminado mi existencia

A la Memoria de Mis Padres

AGRADECIMIENTOS

Deseo expresar las ms sinceras gracias a las personas que amablemente


han ledo y sugerido valiosos comentarios que han enriquecido al presente
trabajo de Tesis, a los Doctores que forman el jurado:
Dr. Carlos Torres Verdn
Dr. Oscar Campos Enriquez
Dr. Jorge Arzate Flores
Dr. Enrique Brambila
Dr. Ren E. Chvez Segura

Dr. Enrique Gmez Trevio


Dr. Guillermo Prez Cruz

Tambin, quiero agradecer a ti, Ren por todos esos aos de amistad. A ti,
Enrique por considerarte un amigo y aquellos fabulosos aos en Toronto. A
ti, Rafael porque tu amistad me ha ayudado a crecer como ser humano. A ti,
Juan Marcos por tantas aventuras juntos vividas, a ti Mario por esas
fructferas charlas de caf. Edgar, Javier, Lul por su compaa, amistad y
por formar un equipo de trabajo.
Un agradecimiento muy especial a mis queridos hermanos Amadeo, Jos
Manuel, Ricardo y Griselda; por tantas plticas fructferas que han
despertado en mi el amor a la ciencia y a tratar de entenderla.
Por ltimo, a todas aquellas personas que han enriquecido mi vida, pero he
olvidado nombrarlos en el momento de escribir estos agradecimientos, a
ellos, tambin, mi ms sinceras gracias.

RESUMEN

En el presente trabajo se proponen dos mtodos alternos para modelar la


respuesta electromagntica. El primero consiste en aplicar la funcin de
Green generalizada para determinar la expresin del potencial en una
tierra heterognea bajo la condicin que el campo elctrico es estacionario.
En el segundo procedimiento se propone una tcnica que en este trabajo se ha denominado
Aproximacin de Born empleando conductividades de referencia variable (ABCV). El
mtodo se fundamenta en aplicar una aproximacin de Born de orden cero a la ecuacin
diferencial que satisface la funcin de Green, de tal manera que la conductividad de
referencia o de fondo es un parmetro libre que se selecciona de acuerdo a la frecuencia de
trabajo y el punto de observacin donde se desea determinar el campo.
La tcnica ABCV se ha aplicado para modelar la respuesta magnetotelrica de estructuras
geolgicas simples as como a un ejemplo de campo. Los resultados muestran que la
tcnica propuesta proporciona resultados satisfactorios para cambios mximos en el
contraste de conductividades del orden del 80% y con un error del orden del 30%, cuando
se compara con mtodos tradicionales.

INDICE
RESUMEN

INDICE

II

INDICE DE FIGURAS

INTRODUCCION

CAPITULO 1

METODOS ELECTRICOS

1.1 Introduccin
1.2 Solucin de la Funcin Potencial en un Semiespacio Heterogneo
1.2.1 Planteamiento del Problema
1.2.2 Funcin de Green Generalizada
1.2.3 La Funcin Potencial para un Semiespacio Heterogneo
1.3 La Funcin Potencial Considerando Contrastes Pequeos
r
1.4 Fuente Puntual Desacansando en Z=0 (r ) 0
1.5 Modelacin de la Respuesta del Potencial
CAPITULO 2

6
8
8
12
15
16
16
18

ECUACIONES DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA PARA UNA TIERRA 2-D

2.1 Introduccin
2.2 Ecuaciones de Maxwell Empleando Didicas
2.3 Respuesta Electromagntica de una Tierra 3-D Heterognea
2.4 Respuesta Magnetotelrica para una Tierra 3-D
2.4.1 Condiciones Impuestas
2.4.2 Aproximacin de Born
2.4.2.1 Aplicacin al Campo Elctrico
2.4.2.2 Aplicacin a la Funcin de Green
2.4.3 Ecuaciones del Campo Elctrico y Magntico
para una Tierra 3-D
2.5 Respuesta Magnetotelrica para una Tierra 2-D
2.5.1 Condiciones Impuestas
2.5.2 Ecuaciones para el campo Elctrico y Magntico
para una tierra 2-D
r
2.5.2.1 En Funcin del Contraste de Conductividad (r )
r
2.5.2.2 En Funcin de la Conductividad (r )
r
2.5.2.3 En funcin de la resistividad (r )
2.5.3 La Funcin de Resistividad Aparente y de Fase

20
21
23
33
33
34
34
36
38
41
41
44
44
46
48
51

CAPITULO 3

MODELACION DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA EN UNA TIERRA 2-D

3.1 Introduccin
3.2 Modelacin de Estructuras Simples
3.2.1 Medio Estratificado
3.2.2 Contacto Vertical
3.3 Modelacin de una Tierra 2-D
3.3.1 Modo de Propagacin TM
3.3.2 Modo de Propagacin TE
3.3.3 Respuesta de una Tierra 2-D
3.4 La Aproximacin de Born Empleando Conductividad Variable del
Medio de Referencia
3.4.1 El problema de la Conductividad del Medio Homogneo
3.4.2 Fundamento de la Aproximacin de Born empleando
Conductividad Variable
3.5 Respuesta de Estructuras Geolgicas Bajo la Condicin
de Conductividad Variable
3.5.1 Tierra 1-D
3.5.2 Tierra 2-D
CAPITULO 4

53
54
54
60
69
69
75
78
79
79
86
91
91
98

ALGORITMO NUMERICO DE LA RESPUESTA


DE MT EMPLEANDO ABCV

4.1 Introduccin
4.2 Restricciones
4.3 Determinacin de las Constantes Cx y Cz
4.4 Filtro de Promediacin
4.5 Clculo de la Conductividad de Referencia
4.6 Procedimientos adicionales
4.7 Respuesta de Modelos Sintticos
4.7.1 Medio Estratificado
4.7.2 Contacto Vertical
4.7.3 Dique Conductor
4.7.4 Efecto de un Estrato Superficial Conductor
4.8 Campo Geotrmico de Ahuachapn-Chipilapa, El Salvador
4.8.1 Introduccin
4.8.2 Levantamiento Magnetotelrico
4.8.3 Modelacin de la Respuesta de MT Empleando ABCV

104
105
106
106
110
118
125
125
132
132
140
146
146
146
147

CAPITULO 5
BIBILOGRAFIA

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

156
159

ANEXO A SOLUCION DE UN DIPOLO ELECTRICO HORIZONTAL


SUMERGIDO EN UN SEMIESPACIO CONDUCTOR
HOMOGENEO
164

INDICE DE FIGURAS
Figura 1.1

Heterogeneidades en un semiespacio Homogneo

Figura 1.2

Heterogeneidades en un semiespacio Homogneo

11

Figura 2.1

Onda Electromagntica Desplazndose en un Semiespacio

24

Figura 3.1

Medio Estratificado de N capas

55

Figura 3.2

Medio Estratificado de 4 Capas

58

Figura 3.3

Respuesta de MT para el medio estratificado de la Fig. 3.2

59

Figura 3.4

Modelo del Contacto Vertical

64

Figura 3.5.a

Respuesta de MT para la Fig. 3.4

65

Figura 3.5.b

Respuesta del Contacto Vertical para una Resistividad

66

Figura 3.6.a

Respuesta de MT para el Modelo de la Fig. 3.4

67

Figura 3.6.b

Respuesta del Contacto Vertical para una Resistividad

68

Figura 3.7

El Semiespacio Z> 0 es dividido en MxN prismas

70

Figura 3.8

Las Tres Clases de Prismas que se pueden presentar

71

Figura 3.9

Medio Estratificado de 4 capas y contacto

80

Figura 3.10

Respuesta Magnetotelrica para el modelo de la Fig. 3.9

81

Figura 3.11

Respuesta Magnetotelrica para el sitio 2 del modelo

82

Figura 3.12

Respuesta de MT para el medio estratificado de la Fig. 3.2

85

Figura 3.13a Respuesta de MT para el modelo de la Fig. 3.4

87

Figura 3.13b Respuesta de MT para el modelo de la Fig. 3.5

88

Figura 3.14

Modelo de dos capas empleado para estudiar el error

92

Figura 3.15

Muestra la definicin de la diferencia mxima

94

Figura 3.16

Grfica del error para un medio resistivo-conductor

95

Figura 3.17

Muestra la definicin de la diferencia mxima

96

Figura 3.18

Grfica del error para un medio conductor-resistivo

97

Figura 3.19

Grfica del error para cambios laterales de conductividad

101

Figura 3.20

Cambio de un 90% en las conductividades en la respuesta

102

Figura 3.21

Grfica del error para cambios laterales de conductividad

103

Figura 4.1

Modelo de 2 capas empleado para estudiar el efecto

107

Figura 4.2

Efecto de la seleccin de la constante en el clculo

108

Figura 4.3

Efecto de la constante Cx en el clculo de la curva

109

Figura 4.4

Modelo estratificado de 3 capas empleado para mostrar

111

Figura 4.5

Comparacin entre la curva exacta y la calculad con ABCV

112

Figura 4.6

El filtro de promediacin produce una curva de cambios

113

Figura 4.7

El mismo ejemplo de la Fig. 4.4 solo el espesor de las dos

114

Figura 4.8

Modelo estratificado con una inclusin en la primera capa

115

Figura 4.9

Comparacin entre una curva que no ha sido filtrada y cuando

116

Figura 4.10

Funcin de conductividad del medio de referencia para el

117

Figura 4.11a Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.79)

119

Figura 4.11b Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.79)

120

Figura 4.12a Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.78)

121

Figura 4.12b Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.78)

122

Figura 4.13a Clculo de la respuesta de MT empleando ambas ecuaciones

123

Figura 4.13b Clculo de la respuesta de MT empleando ambas ecuaciones

124

Figura 4.14

127

Modelo estratificado de cuatro capas

Figura 4.15a Respuesta del medio estratificado de la Fig. 4.14

128

Figura 4.15b Grfica del ngulo de fase entre la curva exacta y las modeladas 129
Figura 4.15.c Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14 en donde
130
Figura 4.15.D Angulo de fase del modelo de la figura 4.14 en donde

131

Figura 4.16.a Respuesta de un contacto vertical modo TM

133

Figura 4.16.b Grfica del ngulo de dase para el modelo del contacto vertical

134

Figura 4.17

135

Modelo de Dique conductor

Figura 4.18.a Respuesta del Dique para el modo de propagacin TM

136

Figura 4.18.b Respuesta del Dique para el modo de propagacin TE

137

Figura 4.19.a Curva de resistividad aparente para el dique de la figura 4.17

138

Figura 4.19.b Curva de resistividad aparente para el dique de la figura 4.17

139

Figura 4.20

141

Seccin del modelo 2-D con un estrato conductor superficial

Figura 4.21.a Efecto de un contacto superficial en la respuesta de MT

142

Figura 4.21.b Grfica del ngulo de fase para el sitio 1 del modelo de la

143

Figura 4.22.a Efecto de un contacto superficial en la respuesta de MT

144

Figura 4.22.b Grfica del ngulo de fase para el sitio 2 de l modelo de la

145

Figura 4.23

Localizacin de centros de sondeos del proyecto geotrmico

149

Figura 4.24

Modelo propuesto para la lnea E3 del campo geotrmico

150

Figura 4.25

Seudoseccin de Resistividad Aparente y de Impedancia de

151

Figura 4.26

(a) Resistividad aparente. (b) Impedancia de Fase para el modelo 152

Figura 4.27

Curva de resistividad Aparente en el intervalo 600 a 1300 m

153

Figura 4.28

Seccin de resistividad aparente y de impedancia de fase

154

Figura 4.29

(a) Resistividad Aparente. (b) Impedancia de Fase para

155

Figura A.1

Dipolos elctricos orientados en la direccin X y Y

170

10

INTRODUCCION

Las tcnicas de interpretacin automatizada desarrolladas en geofsica en los ltimos aos


involucran dos procesos que estn ntimamente ligados. El primero es el proceso de la
modelacin, donde se conocen los parmetros fsicos y la estructura y se desea determinar
su respuesta; esto es lo que se conoce como el problema directo. El segundo es el de
inversin donde se conoce la respuesta y se desea determinar los parmetros fsicos y la
estructura y lo que en la literatura cientfica se ha denominado el problema inverso. La
solucin del problema inverso depende, en gran medida, de que se tenga una tcnica
confiable y rpida de modelacin.
En los ltimos 30 aos, la modelacin de la respuesta esperada, para una estructura
geolgica en los diferentes mtodos electromagnticos empleados en la exploracin
geofsica, ha recorrido un largo camino y el cual ha estado ligado al desarrollo de la
capacidad y rapidez de clculo de las computadoras actuales y en particular cabe destacar
la contribucin de las computadoras personales en la adquisicin y tratamiento de los datos
geofsicos; as como el desarrollo de nuevos equipos y tcnicas de campo.
Esto ltimo ha hecho que el Departamento de Geofsica de la Facultad de Ingeniera de la
UNAM est incursionando en nuevas tcnicas de exploracin y ha adquirido nuevo equipo
geofsico como es el Sting/Swing de Advanced Gephysical Instruments (AGI) que es un
equipo para prospeccin elctrica que permite hacer estudios detallados del subsuelo y
obtener una imagen de la distribucin de la conductividad elctrica. Tambin, ha adquirido
un equipo Stratagem EH-4 manufacturado por Emi-Geometrics que realiza estudios de
magnetotelricos de investigacin somera hasta un 1 km. de profundidad y en la banda de
0.01 hasta 100000 hertz.
El presente trabajo de tesis es una respuesta a la necesidad del departamento de geofsica
por desarrollar sus propios programas de modelacin e inversin. Una de las
contribuciones del presenta trabajo es proponer procedimientos alternos en la modelacin
de la respuesta electromagntica para campos estacionarios o variables con el tiempo.
Los mtodos elctricos de campo estacionario, en sus diferentes modalidades, son quizs
las tcnicas mayormente empleadas en la exploracin geofsica debido, principalmente, a
su sencillez en la teora, su poder de resolucin para exploracin somera y la vasta
experiencia acumulada en su aplicacin e interpretacin alrededor del mundo. Estos
mtodos experimentaron una revolucin profunda a partir de la dcada de los aos setenta
con el trabajo fundamental de Ghosh (1971), quin introduce la teora de filtros digitales
para calcular la curva de resistividades aparente dado los espesores y resistividades de una
tierra 1-D. El mtodo propuesto por Ghosh permiti el desarrollo de los mtodos de
inversin como el propuesto por Inman et al (1975). En un principio las tcnicas de
interpretacin automatizadas necesitaban de un modelo inicial, pero con el avance de la
teora de inversin esta restriccin fue eliminada.

11

Uno de los primeros mtodos desarrollados que no necesitaba de modelo inicial es el de


Zhody (1975); posteriormente con la introduccin de la teora de Backus y Gilbert (1968)
fue posible determinar la funcin de resistividad verdadera ( z ) como lo muestra el
trabajo de Oldenburg (1978) y de Esparza y Gmez-Trevio (1997). En forma paralela y
con el avance de las computadoras se pudieron tratar modelos ms complejos para la tierra.
Entre los primeros trabajos estn el de Mufti (1976) y Dey y Morrison (1979) que permitan
determinar la curva de resistividades aparente para una tierra 2-D empleando la tcnica de
diferencias finitas. De igual forma como sucedi para una tierra 1-D se desarrollaron
tcnicas de interpretacin automatizadas.
En aos recientes se ha desarrollado la tcnica de imagen elctrica, que permite mostrar la
distribucin de la resistividad verdadera en el subsuelo, como se discute en los trabajos de
Shima y Saito (1988) y Barker (1992), Locke y Barker (1995), Lesur et al (1999), Esparza
(1991), Prez (1995), por citar algunos. En forma paralela nuevas tcnicas en la toma de
datos se desarrollaron como lo muestra el trabajo de Griffiiths y Turnbull (1985).
Uno de los mtodos electromagnticos que la comunidad geofsica le ha dedicado mucho
esfuerzo en desarrollar es el mtodo magnetotelrico, ya que es una de las tcnicas que
permite alcanzar profundidades de investigacin del orden de kilmetros en la corteza
terrestre, sin embargo, su desarrollo ha recorrido un largo camino.
El mtodo magnetotelrico, debido a la sencillez del modelo de una tierra 1-D y la
complejidad de las estructuras geolgicas, ha creado la necesidad de proponer modelos de
mayor complejidad, sin embargo, en un principio slo modelos sencillos, en que la
solucin analtica se poda encontrar, eran tratados. Un primer trabajo es el de la respuesta
de un contacto vertical (dErceville y Kunetz, 1962) o el de un dique (Rankin, 1962) que
mostraban el comportamiento de la respuesta magnetotelrica para una tierra 2-D sencilla,
pero que sin duda proporcion el ncleo de las ideas intuitivas que permiti el desarrollo de
las tcnicas interpretativas.
El trabajo de Swift (1971) es uno de los primeros trabajos publicado en modelacin
numrica para una tierra 2-D en donde, tambin, se muestra el primer clculo del modo TE
y la introduccin del concepto del tipper. Swift emple la tcnica de anlisis de mallas
(Network Method) en su contribucin a la comprensin de la respuesta del mtodo MT.
Trabajos como el de Jones y Price (1970) en diferencias finitas brindaron nuevo
conocimiento sobre las diferencias de respuesta entre los modos de propagacin TM y TE.
Raiche (1975) aplic el mtodo de ecuaciones integrales al problema de modelacin de un
cuerpo 3-D, Weidelt (1975) emple el mismo mtodo y mostr la comparacin entre la
respuesta para modelos 3-D y 2-D. Reddy et al (1977) emple el mtodo de elemento finito
y Best et al (1985) utiliz una tcnica hbrida, elemento finito y ecuaciones integrales, para
determinar la respuesta de un cuerpo 3-D en un medio husped estratificado.

12

El trabajo de Ting y Hohmann (1981) en ecuaciones integrales mostraron el efecto sobre la


respuesta en el modo de propagacin TE cuando el cuerpo causativo es 3-D y est
sumergido en un medio husped 2-D. La diferencia en la respuesta, cuando se le compara
con la respuesta para un cuerpo causativo 2-D, se deba a la acumulacin de carga en las
paredes del cuerpo. Por ltimo es digno de mencionar el trabajo de Wannamaker et al
(1984) en modelar la respuesta 3-D de un cuerpo. De igual forma, la teora desarrollada por
Gmez-Trevio (1987) permite la modelacin de la respuesta electromagntica de
estructuras geolgicas.
Bsicamente las tcnicas numricas empleadas
pueden clasificar en tres categoras

para resolver la ecuacin de onda se

Diferencias Finitas
Elemento Finito
Ecuaciones Integrales
En el presente trabajo se ha empleado el mtodo de ecuaciones integrales en la solucin de
la ecuacin de onda en un medio heterogneo, sin embargo, uno de los inconvenientes de
este esquema es que para determinar el campo secundario es necesario conocer el campo
total. Este hecho impone buscar alternativas de solucin para tener un algoritmo de clculo
que sea rpido y confiable.
Del sinnmero de tcnicas que existen, uno de ellos es el mtodo de Born que bsicamente
consiste en perturbar la ecuacin diferencial para encontrar la solucin del campo
secundario a travs de una sumatoria. El nmero de trminos empleados de la sumatoria
determina el orden de la aproximacin; por ejemplo, de orden cero, uno o dos.
El mtodo perturbativo de Born ha sido empleado en la modelacin de la respuesta
electromagntica de los diferentes mtodos electromagnticos, bajo la condicin que
0 . Esta condicin ha motivado a buscar diferentes alternativas para mejorar el rango
de variacin de la conductividad elctrica y de esta manera poder resolver problemas ms
complejos.
Siguiendo una clasificacin presentada por Chew (1995), el mtodo de Born se puede
dividir en dos categoras:
Mtodo de Born Iterativo ( Born iterative Method, BIM)
Mtodo de Born Iterativo distorsionado (Distorted Born Iterative Method,
DBIM)

En el mtodo de Born Iterativo (BIM) la funcin de Green permanece inalterable.


Habbashy et al (1993) y Torres Verdn y Habbashy (1994), basado en la tcnica BIM,
desarrollaron el mtodo por ellos denominados Aproximacin de Born Extendida

13

(Extended Born Aproximation, EBA) y Zhadov y Fang (1996) crearon la tcnica


Aproximacin Cuasi lineal (Quasi linear Aproximation, QLA).
En el mtodo de Born iterativo distorsionado (DBIM) se comienza, por ejemplo, con una
funcin de Green para un espacio homogneo. Entonces se itera para determinar una nueva
distribucin de las conductividades en la regin que permita actualizar la funcin de Green
para un espacio heterogneo y la cual se calcula numricamente.
Aunque las dos tcnicas arriba mencionadas mejoran la aproximacin original de Born, en
el presente trabajo se propone una nueva alternativa para la solucin de la ecuacin de
onda y que se le ha denominado Aproximacin de Born empleando conductividades de
referencia variables (ABCV), que se puede considerar relacionado con la tcnica DBIM.
En la tcnica ABCV, el principio bsico consiste en aplicar la aproximacin de Born a la
ecuacin de onda que satisface la funcin de Green en vez de la ecuacin que satisface, por
ejemplo, el campo elctrico. Esto implica que hay que buscar la funcin de Green para al
medio heterogneo y al aplicar el mtodo de Born se encuentra una aproximacin a dicha
funcin. Esto ltimo, deja libre la seleccin de la conductividad de referencia y ella misma
es seleccionada de acuerdo a que se obtenga
la mejor solucin del campo
electromagntico.
La conductividad de referencia se selecciona de acuerdo al punto de observacin y la
frecuencia de trabajo donde se desea determinar el campo electromagntico. Esto implica
que para cada frecuencia y punto de observacin hay que encontrar la aproximacin de la
funcin de Green del medio heterogneo.
Con base en lo anterior, en el capitulo1 se desarrolla la teora para la modelacin de la
respuesta para mtodos elctricos en corriente continua, expresando el potencial como una
integral de volumen y empleando funciones de Green generalizadas. Esta teora permitir
desarrollar al departamento de geofsica sus propios programas de cmputo en esta tcnica
prospectiva.
En el captulo dos se desarrolla la teora general para encontrar los campos
electromagnticos secundarios para un semiespacio heterogneo, expresado en forma
integral y para una fuente arbitraria. Basado en esta teora se desarrollan las ecuaciones
para la modelacin de la respuesta magnetotelrica en una tierra 2-D heterognea,
empleando el mtodo perturbativo de Born. De igual forma se aplica, tambin, el mtodo
de Born a la solucin de la funcin de Green en un medio heterogneo como una
aproximacin de orden cero.
En el captulo tres se desarrollan las ecuaciones del algortmo numrico para el clculo de
la respuesta de MT, bajo la condicin que el semiespacio 2-D heterogneo es dividido por
paraleppedos de rumbo infinito y homogneos. Tambin, se desarrollan los principios del
mtodo propuesto de Aproximacin de Born empleando conductividades de referencia
variable (ABCV).

14

Por ltimo, en el captulo cuatro se desarrollan las restricciones y condiciones para el


empleo de la tcnica de Aproximacin de Born empleando conductividades de referencia
variable (ABCV) y dicha tcnica es aplicada a diferentes estructuras geolgicas para
mostrar la bondad de la tcnica propuesta en la modelacin de la respuesta magnetotelrica

15

CAPITULO 1

METODOS ELECTRICOS

1.1 INTRODUCCIN

Los mtodos elctricos en sus diferentes modalidades son quizs las tcnicas mayormente
empleadas en la exploracin geofsica debido, principalmente, a su sencillez en la teora, su
poder de resolucin para exploracin somera y la vasta experiencia acumulada en su
aplicacin e interpretacin alrededor del mundo.
Como toda tcnica prospectiva tuvo, en un principio, una etapa emprica y con el transcurso
del tiempo sus bases tericas fueran establecidas. En esta etapa destacan tres personas C.
Schlumberger, Sabba S. Stefanescco y Raymond Maillet (Orellana, 1972) quienes
establecieron las ecuaciones y resolvieron el modelo bsico de la prospeccin elctrica en
corriente continua, es decir la Tierra estratificada o Tierra 1-D.
Despus de esta etapa se desarrollaron tcnicas para determinar las resistividades y
espesores de los diferentes estratos de una Tierra 1-D. En este periodo el nfasis fue puesto
en el desarrollo de tablas maestras que consista en una coleccin de curvas de
resistividades aparente para una Tierra de 2, 3 4 o 5 capas y diferentes parmetros de
resistividad y espesor de los estratos; entre esta coleccin se encuentra las tablas de
Mooney y Orellana (Orellana, 1972). La interpretacin se haca encontrando la curva
maestra que ms se ajustara a la curva de campo. Una tcnica que se empleaba en
combinacin con las curvas maestras era el mtodo de punto auxiliar que permita
interpretar modelos de varias capas. La filosofa del mtodo era simple y consista en que el
nmero de capas se iba reduciendo de dos en dos, proponiendo un estrato equivalente para
las dos capas que se sustituan.
Sin embargo, las tcnicas interpretativas iban ha experimentar una revolucin profunda a
partir de la dcada de los aos setenta con el trabajo fundamental de Ghosh (1971) quin
introduce la teora de filtros digitales para calcular la curva de resistividades aparente dada
los espesores y resistividades de una Tierra 1-D. El mtodo propuesto por Ghosh permiti
el desarrollo de las tcnicas de inversin como la propuesta por Inman et al (1975). En un
principio las tcnicas de interpretacin automatizadas necesitaban de un modelo inicial,
pero con el avance de la teora de inversin aplicada a la interpretacin de datos geofsicos,
esta restriccin fue eliminada.
Unos de los primeros mtodos desarrollados que no necesitaba de modelo inicial es el de
Zhody (1975); posteriormente con la introduccin de la teora de Backus y Gilbert (1968)
se poda determinar la funcin de resistividad verdadera ( z ) como lo muestra el trabajo
de Oldenburg (1978) o Esparza y Gmez-Trevio (1997). En forma paralela y con el
avance de las computadoras se pudieron resolver modelos para la Tierra ms complejos.
Entre los primeros trabajos estn el de Mufti (1976) y Dey y Morrison (1979) que permita
determinar la curva de resistividades aparente para una Tierra 2-D empleando la tcnica de

16

diferencias finitas. De igual forma que sucedi para una Tierra 1-D se desarroll tcnicas
de interpretacin automatizados.
En aos recientes, con el avance de las tcnicas de inversin, se ha desarrollado la tcnica
de imagen elctrica, pudiendo citar los trabajos, por ejemplo, de Shima y Saito (1988) o
Barker (1992). En forma paralela nuevas tcnicas en la toma de datos se desarrollaron
como lo muestra el trabajo de Griffiiths y Turnbull (1985).
En la ltima dcada se ha experimentado un rpido crecimiento en las tcnicas de
inversin para obtener imgenes elctricas que muestran la distribucin de la resistividad
verdadera en el subsuelo, como lo muestra los trabajos de Gmez-Trevio (1987), Cavazos
y Gmez-Trevio (1988), Esparza (1991), Locke y Barker (1995), Prez-Flores (1995),
Lesur, et al (1999), por citar algunos.

La tcnica para tomar los datos que permiten construir una imagen elctrica bien se podra
nombrar Tomografa. El trmino Tomografa ha causado confusin en la comunidad
geofsica internacional y nacional, ya que el trmino se asocia ms a una distribucin de las
fuentes y receptores en puntos distintos, por ejemplo tomografa elctrica de pozo a pozo;
sin embargo, cuando la fuentes y receptores se encuentran en una misma lnea, como
puede ser en los arreglos multielectrodos (Locke y Barker, 1995, Griffiths y Turnbull,
1985), no se considera que sea una tcnica tomogrfica sino ms bien se trata de una
tcnica de perfilaje o calicateo elctrico. El trmino tomografa implica que un fenmeno
fsico se est observando o describiendo por secciones (tomografa mdica) y no se refiere a
un arreglo particular de fuentes y receptores. Aunque el arreglo de fuente y receptores
colineales para una cierta tcnica tomogrfica y perfilaje elctrico en el plano Z=0 sea
similar, el objetivo es totalmente distinto. El perfilaje elctrico busca interpretar cada una
de las curvas de campos para poder determinar contactos o ubicacin y profundidad de un
cuerpo causativo (Orellana, 1972), mientras que en la tomografa el objetivo principal es
poder determinar una imagen elctrica que muestre la distribucin de la resistividad
verdadera en el subsuelo. Una descripcin ms amplia de este concepto se puede encontrar
en Gmez-Trevio (1996, 1997 y 1998).
La obtencin de una imagen elctrica se hace mediante tcnicas de inversin y un paso
necesario es resolver el problema directo; para tal fin un modelo del subsuelo debe ser
propuesto. Para el caso de la Tomografa elctrica el modelo propuesto debe ser, debido a
que la naturaleza es ms compleja de lo que podemos modelarla, lo bastante simple para un
clculo rpido y lo suficientemente complejo que permita una representacin bastante real
de las estructuras del subsuelo. Un primer acercamiento a este problema consiste en
proponer que la resistividad permanece constante para un determinado volumen de terreno,
entonces el semiespacio inhomogneo es construido al combinar varios de estos volmenes
de terreno, sin embargo, la geometra del volumen debe ser sencilla para un clculo rpido,
por ejemplo, paraleloppedos para un medio 3-D y prismas de rumbo infinito para un
medio 2-D. Este procedimiento consiste en proponer un mallado sobre el semiespacio, el
cual permanece constante en el proceso de inversin y donde el nico parmetro a
determinar es la resistividad de cada prisma. Entre ms fino es el mallado, mejor
representacin del subsuelo se puede obtener. Sin embargo, esto queda limitado por la
17

densidad, calidad e informacin de los datos observados que limitan el nmero de prismas
que se pueden emplear.
Bsicamente los mtodos para resolver el problema directo se pueden clasificar en tres:
a) Mtodo de Diferencias finitas.
b) Mtodo de Elemento Finito.
c) Mtodo de Ecuaciones Integrales
Los mtodos (a) y (b) han sido ampliamente empleados, por ejemplo, Locke y Barker
(1995). La tcnica (c) ha sido menos utilizada. Sin embargo, trabajos excelentes en este
campo se han realizados como el de Snyder (1976), Gmez-Trevio (1988), EsparzaHernandez (1991), Prez-Flores (1995), Lesur (1999). Los trabajos de Snyder y Lesur
modelan la respuesta elctrica mediante integrales de superficie y Gmez-Trevio,
Esparza-Hernandez y Prez-Flores (1995) emplean integral de volumen.
En el presente captulo se deduce una expresin del potencial como una integral de
volumen realizada en un semiespacio heterogneo y se dan las bases para su aplicacin en
el desarrollo de algoritmo para el clculo de la respuesta elctrica para cualquier arreglo de
electrodos.

1.2 SOLUCION DE LA FUNCION


SEMIESPACIO HETEROGENEO
1.2.1

POTENCIAL

EN

UN

PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

Supongamos una Tierra 3D formada por un semiespacio homogneo de resistividad o en


donde existe un conjunto de inhomogeneidades como se muestra en la figura 1.1. Si se
inyecta corriente dentro del semiespacio se establece un campo elctrico primario que crea
corrientes de conduccin anmalas en las inhomogeneidades en el subsuelo.
La ecuacin del potencial que satisface una fuente localizada en un semiespacio
inhomogneo de resistividad (rr ) es:
U (rr )
r

r = f (r )

(
)
r

z>0

r
U (r )
=0
z

z=0

1.1

r
Donde f (r ) es la intensidad de la fuente primaria; por ejemplo para un electrodo puntual
r
r
r
descansando en z=0, f (r ) = I (r ) y (r ) es la funcin impulso e I es la intensidad de
corriente.

18

A (0,0,0)

M (x,0,0)

Figura 1.1 Heterogeneidades en un semiespacio homogneo.


A es electrodo de corriente y M es de potencial.

r
El potencial U (r ) se puede encontrar resolviendo la ecuacin (1.1), sin embargo, una
r
solucin para U (r ) se puede, tambin, determinar por aplicar la primera identidad de

19

Green. Para tal fin supongamos que la regin donde se desea encontrar la solucin es como
la que se muestra en la figura 1.2.
r
La solucin del potencial U (r ) a partir de la primera identidad de Green se puede escribir:

U(r') (r') dv='U(r) '(r') dv+ U(r')'(r') ds


r

r r

1.2

La integral de superficie en la ecuacin (1.2) se vuelve a escribir como:

r' r

r' r

U (r ) (r )ds = U (r ) (r )ds
S

'

S0

r' r

U (r ) (r )ds
'

1.3

Sr

r
El potencial U (r ) 0, si r y por lo tanto la integral sobre la superficie S r es igual
con cero. El potencial se puede escribir, al sustituir la ecuacin (1.3) en la ecuacin (1.2),
como:

r 2 r
r
r
r
r r
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(

U
r
'

r
'
dv
'
U
r
'

r
'
dv
U
r
'
'

r
') ds0

1.4

S0

r
La ecuacin (1.4) se puede resolver al seleccionar (r ) como la funcin de Green para el
problema de Neumann (segundo problema de contorno), es decir:

r r
r r
2 G (r , r ' ) = (r , r ' )

z>0
1.5

r r
G (r , r ' )
=0

z=0

Una funcin de Green que satisfaga la ecuacin (1.5) no puede existir, pues viola el
teorema de Green en su segunda identidad (Roach, 1982), es decir:

[G

v v 2 G dv =

G
S

dS

1.6

20

Figura 1.2 Heterogeneidades en un semiespacio homogneo.

Si en la ecuacin (1.6) v es una funcin unitaria constante, se obtiene que:


G

(r , r ') dv =
r r

ds

1.7

Lo anterior conduce a modificar la funcin de Green; lo cual se conoce como funciones de


Green Generalizadas, que para ciertos tipos de frontera es fcil poder determinar (ejemplo,
plano infinito).

21

1.2.2

FUNCION DE GREEN GENERALIZADA PARA EL SEMIESPACIO

Para determinar la funcin de Green Generalizada se modifica la ecuacin (1.5) de tal


manera que:

r r
r r
2G (r , r ') = (r , r ')

z>0
1.8

r r
G (r , r ')
= k

z=0

Donde k es una constante apropiadamente seleccionada para satisfacer la ecuacin (1.7), de


tal manera que al sustituir la ecuacin (1.8) en (1.7), se obtiene que:

k=

1.9

ds

Se propone que la funcin de Green generalizada para el plano infinito se puede expresar
como:

r r
r r
r r
G (r , r ') = N (r , r ') + W (r , r ')

1.10

r r

Donde N (r , r ') es la funcin de Green para el plano infinito en el primer problema de


r r
contorno (problema de Dirchlet ) y W (r , r ') es una funcin armnica en z > 0 tal que, al
sustituir la ecuacin (1.10) en (1.5), se tiene que:

2W = 0
W
N
= k

en V
1.11

en S

Si la funcin de Green para el problema de Dirchlet es (Roach,1972):


1
1
1
r r

N (r , r ') =

2
2
2
2
4 r + ( z z ')
r + ( z z ' ')

1.12

donde z ' ' = z ' y r 2 = ( x x ' ) 2 + ( y y ' ) 2

22

N
N
r r r
= ' N (r , r ') =

z '
1.13

z
N
=

2 r 2 + z 2

r
Donde es el vector normal exterior a la regin y de acuerdo a la figura 1.2 va en la
direccin z negativa y la derivada normal est evaluada en z=0
Al sustituir la ecuacin (1.13) en la ecuacin (1.11) se tiene que:

W
z
= k +

2 r 2 + z 2

1.14
2

r r

Para satisfacer la ecuacin (1.14), se propone, para W (r , r ') , una solucin del tipo

r r
W (r , r ') =

A
4 r 2 + ( z z ' ')

kz ' '

1.15

r r

La derivada normal para W (r , r ') se expresa como:

W
W
r
= 'W =

z '

1.16

Al sustituir la ecuacin (1.15) en la ecuacin (1.16) se tiene que:

W
Az
=

4 r 2 + z 2

Az
+ k =
4 r 2 + z 2

1.17

23

La ecuacin (1.17) se sustituye en la ecuacin (1.14) se obtiene que:

Az

4(r 2 + z 2 )

k = k +
2

2(r 2 + z 2 )

1.18
2

Al resolver para la constante A, el valor de la constante es:


A=2

1.19

r r

Al sustituir la ecuacin (1.19) en la ecuacin (1.15) se obtiene para la funcin W (r , r ') :

r r
W (r , r ') =

2
4 r 2 + ( z z ' ')

kz ' '

1.20

Si la ecuacin (1.20) y la funcin de Green para el problema de Dirchlet, ecuacin (1.12),


se sustituyen ambas en la definicin de la funcin de Green generalizada (ecuacin (1.10))
se obtiene la funcin de Neumann para el plano infinito como:

1
1
1
r r

kz ' '
G (r , r ') =
+
2
2
4 r 2 + ( z z ')2

(
)
'
'
r
+
z

1.21

donde
z' ' = z' ; r 2 = ( x x ' ) 2 + ( y y ' ) 2 ; k =

ds

= Inverso de la Superficie

1.2.3 LA FUNCION POTENCIAL PARA UN SEMIESPACIO HETEROGENEO


Despus de haber determinado la funcin de Green generalizada, la solucin de la funcin
r
potencial U (r ) se puede determinar de la primera identidad de Green (ecuacin (1.2)), que
al hacerlo da por resultado la expresin:
r
r
r r
r
r r r
U (r ) = + 'U (r ) ' G (r , r ') dv U (r ')' G (r , r ') ds
V

1.22

De la ecuacin (1.21), el gradiente de la funcin de Green se expresa como:

24

' G =

r
r
r
r
r
r
1 (x x')i + ( y y') j + ( z z')k ( x x') i + ( y y') j (z + z ') k r

+ kk '
+
3
2
2
2 2
4 ( x x')2 + ( y y')2 ( z z')2 32
(
)
(
)
(
)
x

x
'
+
y

y
'
+
z
+
z
'

1.23

De igual manera, el valor normal del gradiente evaluada en la frontera z=0 da como
resultado:

r
' G = k

1.24

Al sustituir

rlar ecuacin (1.24) y (1.23) en la ecuacin (1.22) y recordando que


r
'U (r ') = E (r ') (campo elctrico), la funcin potencial se expresa como:

r
r
r
r
r
r
1
1 r r (x x')i + ( y y') j +(z z')k (x x')i + ( y y') j (z + z')k
r
r
r
dv
+
U(r) =- E(r')
Ez (r') dv k + k U(r') ds

4 V
4

(x x')2 +( y y')2(z z')2 32 (x x')2 + ( y y')2 +(z + z')2 32


S
V

] [

1.25

En la ecuacin (1.25) las dos ltimas integrales, la de volumen y la de superficie, dan


resultados finitos, pero al estar ambas multiplicadas por k que es igual a cero (ecuacin
(1.21)) implica que la contribucin de estas integrales es cero y por lo tanto el potencial se
expresa como:
r
r
r
r
r
r
1 r r (x x')i + ( y y') j + (z z')k (x x')i + ( y y') j (z + z')k
r
dv
U (r ) =
E(r ')
+
3
3
4 V
( x x')2 + ( y y')2 ( z z')2 2 ( x x')2 + ( y y')2 + (z + z')2 2

] [

1.26

Para expresar a la ecuacin (1.26) en funcin de la resistividad del medio se emplea la ley
r r
r r r
de Ohms; de tal manera que el campo elctrico se puede expresar E (r ) = (r ) J (r ) . Si se
sustituye esta expresin en la ecuacin (1.26) se obtiene la expresin general del potencial
para el semiespacio heterogneo como:
r
r
r
r
r
r

(
1
x x')i + ( y y') j ( z + z')k
r
r r r (x x')i + ( y y') j + (z z')k
dv
U (r ) = (r ) J (r )
+
3
3
4 V
(x x')2 + ( y y')2 (z z')2 2 ( x x')2 + ( y y')2 + ( z + z')2 2

] [

1.27

Una expresin similar a la ecuacin (1.27) se encuentra en Prez-Flores (1995). Tambin,


la expresin del potencial que se ha deducido no necesita de un medio de referencia.

25

1.3

LA FUNCION POTENCIAL CONSIDERANDO CONTRASTES PEQUEOS

Una expresin ms sencilla para el potencial (ecuacin (1.27)) se logra si consideramos que
las corrientes secundarias son despreciables con respecto a las corrientes primarias, es
r r
r r
decir: J S (r ) << J P (r ) ; lo que Eskola (1992) llama un problema de dispersin dbil (weak
scattering problem).
r
r
r
r
r
r

(
1
x x')i + ( y y') j (z + z')k
r
r r r (x x')i + ( y y') j + (z z')k
dv
+
U (r ) = (r ' ) J P (r ' )
3
3
4 V
( x x')2 + ( y y')2 ( z z')2 2 ( x x')2 + ( y y')2 + (z + z')2 2

] [

1.28

La ecuacin (1.28) se puede emplear para determinar el potencial para diferentes tipos de
arreglo de fuentes monopolares, ya sea que stas estn descansando en Z=0 o sumergidas
en el semiespacio. Esto se estudiar con ms detalle en el prximo subtema.
r
FUENTE PUNTUAL DESCANSANDO EN Z=0 Y (r ) 0
EN UNA TIERRA 2-D

1.4

La ecuacin (1.28) es vlida para una Tierra 3-D y cuando las corrientes de conduccin
r
secundarias son despreciables; sin embargo, si se desea determinar U (r ) para una Tierra
2-D, en puntos de la superficie con coordenadas (x,0,0), se tiene que determinar al vector
v r
J p (r ) ; as se tiene que de la ecuacin (1.28) :
r
r
r
1
r
r r r ' ( x x')i y ' j z ' k
U (r ) =
dv
(r ')J p (r )
3
2 V
( x x')2 + y ' 2 + z ' 2 2

1.29

Para determinar al vector de corrientes de la fuente para un electrodo puntual con


coordenadas (xs,0,0), de la ecuacin de continuidad para campos estacionarios se tiene
r
que J P (r )dV = 0 ; entonces si la corriente total entra por el punto de coordenadas de la
V

fuente y el balance de las corrientes que entran y salen de una superficie semiesfrica con
centro en la fuente se mantiene igual con cero, entonces se tiene que:

Sr

r
r r
(r )dV = J p (r )dS r = I

1.30

Sr

26

De ecuacin (1.30) fcilmente se deduce que:


r
r r
r r
I ( x x S )i + yj + zk

J P (r ) =
2 ( x x ) 2 + y 2 + z 2 3 2
S

1.31

Al sustituir la ecuacin (1.31) en la ecuacin (1.29), el potencial, por lo tanto, se expresa


para puntos (x,0,0) y coordenadas de fuente en (xs,0,0) como:
I
r
U (r ) = 2
4

( x' x s )(x x') y ' 2 z ' 2

[( x'

x s ) + y' + z'
2

] [(x x')
3

+ y' + z'
2

(x' , y ' , z ') dv

1.32

Una consecuencia de la ecuacin (1.32) es que no se necesita un medio de referencia para


determinar la funcin potencial.
Basndonos en Locke (1995), la ecuacin (1.32) se puede resolver para una fuente
descansando en el origen de coordenadas (0,0,0) .
I
r
U (r ) = s 2
4

Fy ( x ' , z ') ) ( x ' , z ' )dx ' dz ' .

1.33

donde:

Fy ( x , z ) =
'

'

(x

x' x' x + y' + z'


'2

'2

+y +z

'2

) [(x ' x ) + y
3

'2

+z

'2

dy '

1.34

Locke y Barker (1995) encuentran una solucin analtica para ecuacin (1.34), cuando x >
0.5x, cuya expresin es:

FY ( x' , z ' ) =

[(

2 2 E ( k ) 2 K ( k ) x ' x 2 + 2 E ( k ) 2 2 K ( k )

2 ( 2 2 )
( 2 2 ) 2

Donde :

1.35

2 = x' 2 + z ' 2 , 2 = ( x' x) 2 + z ' 2 , k = ( 2 + 2 ) 0.5 / con : > > 0


El valor de FY ( x' , z ' ) para x < 0.5x

27

[(

2 2 E ( k ) 2 K ( k ) x ( x x ' ) 2 + 2 E ( k ) 2 2 K ( k )
FY ( x' , z ' ) =
+

2 ( 2 2 )
( 2 2 ) 2

Donde :

1.36

2 = ( x' x) 2 + z ' 2 , 2 = x' 2 + z ' 2 , k = ( 2 + 2 ) 0.5 / con : > > 0


Cuando x es igual con 0.5x, FY ( x' , z ' ) est dado por:
1
3x 2
FY ( x' , z ' ) = 3

16 5
2

1.5

1.37

MODELACION DE LA RESPUESTA DEL POTENCIAL

La ecuacin (1.32) resuelve el potencial para una fuente puntual, entonces para un arreglo,
por ejemplo, tetrapolar la solucin del potencial se puede encontrar por superposicin
i=2
r
r
U (r ) = U (ri )

1.38

i =1

Adems si el semiespacio heterogneo se divide en un nmero finito de prismas


homogneos, entonces la expresin del potencial para una fuente monopolar se puede
expresar, a partir de la ecuacin (1.32), como:

I
r
U (r ) = 2
4

i=M

i
i =1

[( x'

( x' x s )(x x') y ' 2 z ' 2


x s ) 2 + y' 2 + z' 2

] [(x x')
3

+ y' 2 + z' 2

dv i

1.39

La ecuacin (1.39) se puede resolver de la misma manera que se discuti en la seccin 1.3.
S se sustituye la ecuacin (1.39) en (1.38) se puede determinar el potencial total para
cualquier tipo de arreglo.
La teora discutida en el presente captulo est centrada en demostrar que la funcin
potencial se puede expresar como una integral de volumen, apartndose del tratamiento
ms empleado para el potencial de expresarlo como una integral de superficie. La
aplicacin prctica y las ventajas de las ecuaciones aqu deducidas no se tratarn en la
presente tesis, ya que este tema queda abierto para futuras investigaciones.

28

En la literatura cientfica se han publicado diferentes procedimientos para modelar o


resolver el problema directo para los mtodos de corriente continua. Sin embargo, el inters
principal en estudiar las ventajas o desventajas y la rapidez o lentitud de los clculos de los
diferentes esquemas es que stos tienen un impacto directo en la solucin del problema
inverso y por lo tanto en la determinacin de las resistividades verdaderas del subsuelo que
es el objetivo de cualquier trabajo geoelctrico en la geofsica aplicada.

29

CAPITULO 2
ECUACIONES DE LA RESPUESTA MAGNETOTELURICA
PARA UNA TIERRA 2-D

2.1 INTRODUCCION

La modelacin de la respuesta esperada en el mtodo magnetotelrico ha recorrido un


largo camino en los ltimos 30 aos, el cual ha estado ligado al desarrollo de la capacidad
y rapidez de clculo de las computadoras actuales, en particular cabe destacar la
contribucin de las computadoras personales en la adquisicin y tratamiento de los datos
geofsicos
El clculo de la respuesta para un modelo propuesto es un primer paso que debe satisfacer
cualquier mtodo prospectivo. Para el mtodo magnetotelrico este primer modelo sera
una Tierra 1-D o medio estratificado que nos remonta al trabajo de Thickonov (1950) y
Cagniard (1953) en la que propone la solucin analtica para el clculo de las curvas
maestras que permitan deducir, en principio, la resistividad y espesor de los diferentes
estratos por ajuste con una curva de campo observada.

La sencillez del modelo 1-D y la complejidad de las estructuras geolgicas ha creado la


necesidad de proponer modelos de mayor complejidad. En un principio slo modelos
sencillos podran tratarse, en que la solucin analtica existe. Un primer trabajo es el de la
respuesta de un contacto vertical (dErceville y Kunetz, 1962) o el de un dique (Rankin,
1962) que mostraban el comportamiento de la respuesta magnetotelrica para una Tierra 2D sencilla, pero que sin duda proporcion el ncleo de las ideas intuitivas que permiti el
desarrollo de las tcnicas interpretativas.
El trabajo de Swift (1971) es uno de los primeros trabajos publicado en modelacin
numrica para una Tierra 2-D en donde, tambin, se muestra el primer clculo del modo TE
y la introduccin del concepto del tipper. Swift emple la tcnica de anlisis de mallas
(Network Method) en su contribucin a la comprensin de la respuesta del mtodo MT.

Trabajos como el de Jones y Price (1970) en diferencias finitas brindaron nuevo


conocimiento sobre las diferencias de respuesta entre los modos TM y TE. Raiche (1974)
aplic el mtodo de ecuaciones integrales al problema de modelacin de un cuerpo 3-D,
Weidelt (1975) emple el mismo mtodo y mostr la comparacin entre la respuesta para
modelos 3-D y 2-D. Reddy et al (1977) emple el mtodo de elemento finito y Best (1985)
utiliz una tcnica hbrida, elemento finito y ecuaciones integrales, para determinar la
respuesta de un cuerpo 3-D en un medio husped estratificado.

30

El trabajo de Ting y Hohmann (1981) en ecuaciones integrales mostraron el efecto sobre la


respuesta en el modo de propagacin TE cuando el cuerpo causativo es 3-D y est
sumergido en un medio husped 2-D. La diferencia en la respuesta, cuando se le compara
con la respuesta para un cuerpo causativo 2-D, se deba a la acumulacin de carga en las
paredes del cuerpo. Por ltimo es digno de mencionar el trabajo de Wannamaker (1984) en
modelar la respuesta 3-D de un cuerpo. De igual forma, la teora desarrollada por GmezTrevio (1987) permite la modelacin de la respuesta electromagntica de las estructuras
geolgicas.
En aos recientes han aparecido diferentes artculos sobre modelacin de la respuesta
electromagntica para diferentes mtodos; un buen compendio del estado del arte de la
modelacin en geofsica se puede encontrar en Oristaglio y Spies (1999).
En el presente captulo se tratar la solucin del campo electromagntico para un
semiespacio heterogneo (Tierra 3-D) y de la cual, posteriormente, se deducirn las
ecuaciones para encontrar la respuesta magnetotelrica en una Tierra 2-D. Se asume en la
deduccin aproximacin cuasiesttica, permeabilidad magntica constante y un trmino
temporal e it .

2.2 ECUACIONES DE MAXWELL EMPLEANDO DIADICAS

Las ecuaciones de Maxwell expresadas en el dominio de la frecuencia y despreciando las


corrientes de desplazamiento elctrico son:
r r
r r
xE (r ) = i H (r )

2.1.a

r r
r r
r r
xH (r ) = J (r ) + E (r )

2-1.b

r r
r
J (r ) = i (r )

2.1.c

r r
r
(E (r )) = (r )

2.1.d

r r
( H (r )) = 0

2.1.e

Consideremos, ahora, que en el medio tenemos tres distribuciones de corriente distintas


r r
( J j (r ), j = 1,2,3 ), cada una de estas corrientes dar origen a un campo armnico oscilante.

31

Cada uno de estos campos satisface las ecuaciones de Maxwell y se propagan en cierta
direccin, que identificamos con un vector unitario. Si ahora multiplicamos al conjunto de
ecuaciones (2.1) por cada uno de los vectores, unitarios, por el lado derecho, y sumamos el
resultado (ya que los operadores de campo son lineales), se obtendra:
r r
r r
xE (r ) = i H (r )

2.2.a

r r
r r
r r
xH (r ) = J (r ) + E (r )

2-2b

r r
r r
J (r ) = i (r )

2.2.c

r r
r r
(E (r )) = (r )

2.2.d

r r
( H (r )) = 0

2.2.e

Donde:
3 r
r r
r
E (r ) = E j (r ) xv j
j =1

3 r
r r
r r
H (r ) = H j (r ) x j
j =1

r r
r r r
J (r ) = J j (r ) x j
3

j =1

3
r r
r r
(r ) = j (r ) x j
j =1

Las componentes de una didica son vectores. El vector densidad de carga contiene tres
r r
distintas distribuciones de carga elctrica y por lo tanto (r ) no tiene un significado
vectorial fsico y es solamente un procedimiento formal matemtico (Tai, 1|993).
De igual forma, se puede definir la funcin de Green didica y cuyas componentes seran
funciones vectoriales de Green. Para visualizar este concepto se puede imaginar tres
distribuciones de corriente que corresponden a tres dipolos elctricos infinitesimales y
r r
r r r
orientados en la direccin de los ejes coordenados ( x , y, zr ) o ( x1 , x 2 , x3 ) . Entonces dichas
distribuciones de corriente se pueden expresar como:
r
r r
J j = c j (r r ' ) xv j

j = 1,2,3

2.3

32

r
r
Donde c j x j = J j dV denota el momento dipolar. Si ahora

se normaliza el momento

dipolar de tal manera que ic j = 1 , la ecuacin (2.3) se podra expresar como


r
r r
r
r r r
iJ j = (r r ' ) x j y que implicara que E = Ge , donde Ge indica didica de Green
elctrica. Es decir que los vectores de Green son los campos elctricos generados por
dipolos elementales orientados, para este caso, en la direccin de los ejes coordenados y
r r r
r r
r
localizados en r = r ' , es decir Ge (r , r ' ) y donde r indica el vector de posicin para un
r
punto de campo y r ' indica un punto de la fuente.
r r
De igual forma se puede definir la didica de Green magntica como iH = G M . En
general ambos tipos de didicas estn relacionadas entre s como (Tai, 1993)
r
r
xGe = Gm
r r r
r
r
xG = I (r r ' ) + k 2 Ge
2.4

r
1
r
r
Ge = 2 2 ( r r ' )
k
r
Gm = 0

Ambas didicas satisfacen la misma forma de ecuacin de onda (Tai, 1993):


r
r
r r
r
xxGe k 2 Ge = I (r r ' )
r
r
r r
r
xxGm k 2 Gm = xI (r r ' )

2.5

En el fondo la idea intuitiva que est detrs del empleo de las funciones didicas es que si
conocemos el campo electromagntico generado por tres dipolos elctricos elementales, es
posible que el campo debido a cualquier distribucin de corriente puede encontrarse.

2.3 RESPUESTA
ELECTROMAGNTICA
HETEROGENEA

DE

UNA

TIERRA

3-D

Supongamos que una onda incidente se desplaza en un semiespacio homogneo e istropo,


de conductividad o constante y permeabilidad magntica constante y donde existen

33

varios cuerpos inhomogneos, como se muestra en la figura 2.1. Esto implica un medio
inhomogneo caracterizado por una funcin de conductividad (r ) = 0 + (r ) .

+iwt

Figura 2.1 Onda electromagntica desplazandose en un semiespacio


homogneo con heterogeneidades.

34

El campo primario cuando incide sobre las diferentes estructuras es dispersado de tal
manera que el campo elctrico o magntico en un punto del semiespacio inhomogneo se
expresa como:
r r
r r r r
E (r ) = E0 (r ) + e (r )

2.6.a

r r
r r r r
H ( r ) = H 0 (r ) + h ( r )

2.6.b

r r
r r
Donde E0 y H0 forman el campo primario, mientras e (r ) y h (r ) es el campo producido por
las diferentes estructuras. Si las ecuaciones (2.6.a) y (2.6b) se substituyen en ecuaciones
(2.1.a.) y (2.1.b), se puede demostrar, al aplicar el principio de superposicin, que los
campos electromagnticos satisfacen las siguientes ecuaciones de Maxwell.
r r
r r
xE0 (r ) = iH 0 (r )

2.7.a

r r
r r
r r
xH 0 (r ) = J (r ) + 0 E 0 (r )

2.8.b

Para los campos dispersados o secundario se tiene:

rr
rr
xe(r ) = i h(r )

2.9.a

r r
r r
r r r
xh (r ) = 0 e (r ) + (r ) E (r )

2.9.b

En la ecuacin (2.9.b) el campo elctrico total E induce corrientes anmalas de conduccin


en el medio donde la conductividad cambia ms una corriente anmala producida por el
campo secundario que se debe a la presencia del medio homogneo de conductividad
constante 0.
Si en la ecuacin (2.9.a) se toma el rotacional y la ecuacin (2.9.b) se sustituye en la
r r
ecuacin resultante, el campo anmalo e (r ) satisface la ecuacin de onda.
r r
r r
r r r
xxe (r ) = i 0 e (r ) i (r ) E (r )

2.10.a

r
Si se define k 02 = i 0 y k 2 (r ) = i (r ) como las constantes de propagacin para el
semiespacio homogneo y el inhomogneo, respectivamente. Se puede definir una
constante de propagacin anmala k 2 (r ) = k 2 k 02 = i (r ) de tal manera que la
ecuacin de onda (2.10.a) se expresa como:
r r
r r r
r r r
xxe (r ) k 2 (r )e (r ) = k 2 (r ) E0 (r )

2.10.b

35

Siguiendo un razonamiento similar, el campo magntico satisface la ecuacin de onda


r r
r r r
r r r
r r r
xxh (r ) k 2 (r )h (r ) = (r ) xe (r ) + x( (r ) E 0 (r ))

2.10.c

r r
Para resolver ambas ecuaciones slo se necesita determinar el campo e (r ) de la ecuacin
r r
(2.10.b) y h (r ) se determina a partir de la ecuacin (2.9.a).
La funcin de Green didica del tipo elctrico satisface el mismo tipo de ecuacin de onda
(2.10.b) y se expresa como:
r r r
r r r
r r r
xxGe (r , r ' ) k 2 (rv )Ge (r , r ' ) = I (r r ' )

2.11

r r
La solucin de e (r ) se puede determinar en forma integral a partir del teorema de Green
para didicas (Tai, 1993)

[ Pr xxQr - xxPr Qr ]dV = nr [PrxxQr + xPrxQrv ]dS

2.12

r r
r r
Si en la ecuacin (2.12) P = e y Q = Ge ; adems de tomar en cuenta las ecuaciones (2.11)
y (2.10.b) se obtiene:
r r r
r r r r r
r r r r r
r r
{
e
(r ) [I (r r ) + k G (r , r )] [k e (r ) + k E (r )] G (r , r )}dV =
r r r
r r r r r
r r r
n (e (r ) xxG (r , r ) + [ ih (r ) xG (r , r )])dS
'

'

'

'

2.13

'

r r
En las deducciones que siguen en ocasiones se omitirn los vectores de posicin r y r '
para hacer la escritura ms gil; se entiende que las funciones didicas son funciones de
ambos vectores de posicin. Sin embargo, el campo elctrico puede ser, en ocasiones,
funcin de coordenadas de campo o de cuerpo.
Trabajando con la integral de volumen en la ecuacin (2.13) y de la propiedad de la delta de
Dirac.

r r r r
r r
e (r ) (r r ' )dV = e (r ' )

2.14

Al sustituir la ecuacin (2.14) en (2.13) y reduciendo trminos se encuentra que.

])

r r r
r r r r r
r r r r r
r r
r r r
e (r ' ) = k 2 E 0 (r ) Ge (r , r ' )dV n e (r ) xxGe (r , r ' ) + ih (r ) xGe (r , r ' ) dS 2.15
v

36

Para resolver la integral de superficie se puede dividir en dos:

r
n [*]dS =

r
n [*]dS 0 +

S0

r
n [*]dS

2.16

Donde la integral S0 se evala en el plano Z0 (superficie de separacin Tierra-aire) y la


segunda integral S se evala para una superficie semiesfrica cuyo radio r y de
acuerdo a la condicin de radiacin.
lim ( r [ xe (r ) ik ru xe (r )] ) = 0
r

2.17

La ecuacin (2.17) implica que la integral sobre S es cero y la integral sobre S se reduce
simplemente a:
r r r
r r r r r
r
r r r
n [*]dS = n (e (r ) xxGe (r , r ' ) + [ ih (r ) xGe (r , r ' )])dS
S

2.18

S0

La integral sobre el plano Z=0 se puede expresar en una forma ms conveniente. Se


r
considera que en la regin Z<0 los campos electromagnticos, expresados como: e2 (r ) ,
r r
h2 (r ) y la funcin de Green didica elctrica satisfacen la ecuacin de onda
r r
r r
xxe2 (r ) k 22 e2 (r ) = 0

2.19.a

r r
r r
xxh2 (r ) k 22 h2 (r ) = 0

2.19.b

r r r
r r r
xxG2 (r , r ' ) k 22 G2 (r , r ' ) = 0

2.19.c

En la ecuacin (2.19) la fuente impulsiva se encuentra en la regin Z>0. Los campos


electromagnticos y la funcin didica cumplen con las siguientes condiciones de frontera:
r r r r r
n x[e (r ) e2 (r )] = 0

2.20.a

r r r r r
nx[h (r ) h2 (r )] = 0

2.20b

r r r
r r r r
n x Ge ( r , r ' ) G 2 ( r , r ' ) = 0

2.20.c

r r r'
r r r'
r xGe (r , r ) xG2 (r , r )
nx

=0

2.20.d

37

Al aplicar el teorema de Green (ecuacin 2.12) y teniendo en cuenta las ecuaciones (2.19) y
(2.20) se puede demostrar que la integral de volumen en la regin Z<0 es igual con cero y
por lo tanto se obtiene que:

])

r r r
r r r
r r r r r
0 = n2 e2 (r ) xxG2 (r , r ' ) + xe2 (r ) xGe (r , r ' ) dS

2.21

S0

Donde

r
n2 [*]dS =

r
n2 x[*]dS +

r
n2 x[*]dS

y debido a la condicin de radiacin

S0

(ecuacin 2.17) la integral en la superficie S es cero y queda exclusivamente la integral S0


que se efecta sobre el plano Z=0 (ecuacin 2.21)
r
r
Si n2 = n ; adems, al sumar la ecuacin (2.21) con la ecuacin (2.15) y teniendo en
cuenta la ecuacin (2.18) se obtiene que:
r r r' r r
r r r'
r r
r

e
(
r
)
x

x
G
(
r
,
r
)

e
(
r
)
x

x
G
r
r r
r r
r
2
2
e (r , r ) +

e (r ' ) = k 2 E 0 (r ) Ge (r , r ' )dV n


r
r
r
r r
r r'
r
r r ' dS

V
S0
+ xe2 (r ) xG2 (r , r ) ih (r ) xGe (r , r )
2.22

Al trabajar exclusivamente con la primera integral de superficie de la ecuacin (2.22) y de


la igualdad para funciones didicas (Tai, 1993)
r r r
r r r
r r r
a (b xc ) = b (axc ) = (axb ) c

2.23

se puede expresar:
r
r
r
r r
r r
r r
n e2 xxG2 = e n xxG2 = nxe2 xG2

2.24.a

r
r
r r
r r
r r
n e xxGe = e n xxG e = nxe xGe

2.24.b

Al tomar en cuenta la ecuacin (2.24), adems de la condicin de frontera (ecuacin


2.19.a), se encuentra que la primera integral de superficie de la ecuacin (2.22) se puede
expresar como:

r
r
r r
r
n e2 xxG2 e xxGe ]dS =

S0

r
r
r r
n xe xG2 xGe ]dS

2.25

S0

La ecuacin (2.25) se reduce, al aplicar la ecuacin (2.24) y al tener en cuenta la ecuacin


(2.20.d), a la expresin:

38

S0

r
r
r
r
r r
r r
r
nxe xG2 xGe ]dS = e n xxG2 n xxGe ]dS =
S0

S0

r
r
r
e 2 1 n xxGe

2.26

r r
Por otro lado, de la ecuacin (2.9.a) de Maxwell aplicada al campo e2 (r ) , la integral
segunda de superficie de la ecuacin (2.22) se puede expresar como:

r r
r r
n xe2 xG2 ih xGe

S0

] ]dS = nr [

r r
r r
i 2 h2 xG2 + ih xGe ]dS

2.27

S0

Al aplicar la ecuacin (2.23) al integrando de la ecuacin (2.27) se obtiene que:


r r r
r r r
r r r
n h2 xG2 = n xh2 G2 = h2 (n xG2 )

2.28.a

r r r
r r r
r r r
n h xGe = nxh Ge = h (n xGe )

2.28.b

La ecuacin (2.27) se puede expresar, despus de sustituir la ecuacin (2.28), como:

r r
r r
r
n [ i 2 h2 xG2 + ih xGe ]dS =

S0

r r r
r r r
i ( 2 n xh2 G2 + n xh Ge )dS

2.29

S0

La ecuacin (2.29) se puede escribir, al tener en cuenta la condicin de frontera (ecuacin


(2.20)), como:

r r r
r r r
i [ 2 n xh2 G2 + n xh Ge ]dS =

S0

r r r
r r r
i [ 2 n xh G2 + n xh Ge ]dS

2.30

S0

Si en la ecuacin (2.30) se aplica la identidad de la ecuacin (2.28), dicha ecuacin se


puede volver escribir como:

S0

r r r
r r r
i [ 2 nxh G2 + nxh Ge ]dS =

r r r
r r r
i [ 2 h n xG2 h n xGe ]dS

2.31

S0

Por ltimo, al tener en cuenta la condicin de frontera (2.20.c), la ecuacin (2.31) se


reduce a la siguiente expresin:

39

r r r
r r r
i [ 2 h nxG2 h n xGe ]dS =

S0

r r r
i [ 2 ]h n xGe dS

2.32

S0

Al sustituir las ecuaciones (2.32) y (2.26) en la ecuacin (2.22), se encuentra que el campo
elctrico secundario se puede expresar como:
r r r r r
r r
e (r ' ) = k 2 E 0 (r ) Ge (r , r ' )dV +
V

S0

r r r
r
r r
e (r ) 2 1 n xxGe (r , r ' )dS +

r r r r r r'
i [ 2 ]h (r ) n xGe (r , r )dS

2.33

S0

La ecuacin (2.33) es la solucin para el campo elctrico secundario en un semiespacio


heterogneo considerando slo corrientes de conduccin (aunque la ecuacin 2.33 es
todava vlida para ambos tipos de corrientes) y considerando diferentes caractersticas
magnticas constantes para los semiespacios: Z<0 y Z>0.
La ecuacin (2.33) se ha deducido para el semiespacio Z>0. Tambin, es bueno hacer notar
r r
que el campo e (r ' ) est expresado en coordenadas de fuente, mientras que las integrales
se calculan en coordenadas de campo, sin embargo, es ms comn expresarlo en forma
contraria. Para llegar a una expresin del campo secundario en coordenadas de campo slo
intercambiamos las variables de integracin, es decir:
r r r
r r r r r
r
r r
r r
e (r ) = k 2 E 0 (r ' ) Ge (r ' , r )dV '+ e (r ' ) 2 1 n x' xGe (r ' , r )dS '+

V
S0
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '

2.34

S0

Si se vuelve a trabajar el integrando en la integral de volumen de la ecuacin (2.34) se


obtiene, al recordar que el producto punto entre didicas no es conmutativo (Tai, 1993):

r r r T r r
r r r r r
E 0 ( r ' ) G e ( r ' , r ) = Ge ( r ' , r ) E 0 ( r ' )

2.35

Donde T indica didica transpuesta y de la condicin de reciprocidad para la funcin de


Green (Tai, 1993).
r

[ Ge (rr ' , rr) ]T

r r r
= Ge (r , r ' )

2.36

40

Al tomar en cuenta las ecuaciones (2.36) y (2.35) en la ecuacin (2.34), el campo elctrico
secundario se puede expresar en una forma ms familiar.
r r r r r
r r r
r
r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E 0 (r ' )dV '+ e (r ' ) 2 1 n x' xGe (r ' , r )dS '+

V
S0
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '

2.37

S0

Para determinar el campo magntico secundario se aplica el rotacional a la ecuacin (2.37)


y de la ecuacin de Maxwell (2.9.a) se obtiene:

v r
h (r ) =

1
x[
i

r r r r r
r r r
r
r r
k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '+ e (r ' ) 2 1 n x' xGe (r ' , r )dS '+

S0
2.38
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS ' ]
S0

El operador Nabla puede entrar bajo el signo de la integral de la ecuacin (2.38), es decir:
r r r
r
r
r
r r
x ( G e ( r , r ' ) k 2 E 0 ( r ' )) = x (G X k 2 E 0 X + G Y k 2 E 0 Y + G Z k 2 E 0 Z ) =
r
r
r
= x (G X k 2 E 0 X ) + x (G Y k 2 E 0 Y ) + x (G Z k 2 E 0 Z

2.39

En la ecuacin (2.39) hay que recordar que el producto de una didica con un vector es un
vector.
Del clculo vectorial se obtiene que:

(
(
(

) (
) (
) (

r
r
r
x G X k 2 E 0 X = k 2 E0 X xG X + x(G X ) k 2 E0 X
r
r
r
x GY k 2 E0Y = k 2 E 0Y xGY + x(GY ) k 2 E0Y
r
r
r
x GZ k 2 E 0 Z = k 2 E0 Z xG Z + x(G Z ) k 2 E 0 Z

)
)

(
(

)
)

)
2.40

Sin embargo, el gradiente es con respecto a coordenadas de campo; adems k 2 y


E 0 X , E 0Y , E0 Z estn definidas en coordenadas de cuerpo, por lo tanto son cero en la
ecuacin (2.40) y sustituyendo este ltimo resultado en ecuacin (2.39) se obtiene que:
r r r
r
r
r
r r
x(Ge (r , r ' ) k 2 E0 (r ' )) = x(G X ) k 2 E0 X + x(GY ) k 2 E 0Y + x(G Z ) k 2 E0 Z

2.41

41

En la ecuacin (2.41), al tomar el rotacional de los vectores de Green elctricos se obtiene


el correspondiente vectores de Green magnticos, es decir
r r r
r
r
r
r r
x(Ge (r , r ' ) k 2 E0 (r ' )) = G XM k 2 E 0 X + GYM k 2 E 0Y + G ZM k 2 E0 Z

2.42

r r r r
r r r
Recordando que: G XM (r , r ' ) = G M (r , r ' ) i ;y con un razonamiento similar para los otros
vectores de Green magnticos fcilmente se puede demostrar que la ecuacin (2.39) se
puede escribir como:
r r r
r r r
r r
r r
x(Ge (r , r ' ) k 2 E 0 (r ' )) = Gm (r , r ' ) k 2 E 0 (r ' )

2.43

Si se sustituye la ecuacin (2.43) en la ecuacin (2.38), el campo magntico secundario


tiene una expresin final como:

v r
h (r ) =

r r r r r
r r r
1
1
r r 2 r
2
k
G
(
r
,
r
'
)
E
(
r
'
)
dV
'
x
e
(
r
'
)
1
n
x
'
x
G

M
0
e ( r ' , r )dS '+

i V
i S0

r r r r r r
1
+
x i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '
i S 0
2.44

42

2.4 RESPUESTA MAGNETOTELURICA PARA UNA TIERRA 3-D


2.4.1

CONDICIONES IMPUESTAS

Antes de hablar sobre cmo calcular la respuesta MT es necesario mencionar las


condiciones que se toman en cuenta en la propagacin de las ondas electromagnticas en el
mtodo Magnetotelrico.
Tickhonov (1950) y Cagniard (1953) consideraron que:

Las caractersticas magnticas son similares a las del espacio vaco


Las corrientes de desplazamiento elctrico son despreciables
La fuente del campo primario no se considera
El frente de onda es plano
La componente normal del campo elctrico se considera cero y por ende la onda incide
normalmente a la superficie de la Tierra
La superficie esfrica de la Tierra es despreciable

Con las consideraciones arriba mencionadas, ambos autores postulaban que al determinar la
impedancia de onda en Z=0 era factible encontrar la conductividad del subsuelo o de los
diferentes estratos si se asume un modelo 1-D.
Wait (1954) critic dichas consideraciones como no vlidas para explicar
satisfactoriamente la propagacin de los campos elctricos y magnticos, puesto que no se
cumpla en la realidad que los campos elctricos y magnticos fueran perpendiculares y
por lo tanto no se desplaza un frente de onda plana que implica que la impedancia de onda
no existe. Adems, si existiera, sta debera estar influida por la fuente.
Lo anterior dio origen a una fructfera discusin entre Cagniard y Wait que involucr a
muchos otros investigadores para establecer si las bases consideradas eran vlidas o no en
la descripcin de los campos electromagnticos para el mtodo MT. Los trabajos de
Madden y Nelson (1986), Dmitirev y Berdichevsky (1978), entre otros, dejaron en claro
que las consideraciones hechas por Tickhonov (1950) y Cagniard (1953) para el mtodo s
eran vlidas.

43

2.4.2

APROXIMACION DE BORN

2.4.2.1 APLICACION AL CAMPO ELCTRICO

La aproximacin de Born est comprendido dentro de las tcnicas perturbativas para


resolver ecuaciones diferenciales. El mtodo se debe al fsico Max Born , quin lo propuso
en 1926 ( Nayfeh, 1973); la tcnica da buenos resultados cuando el trmino perturbativo se
desva ligeramente de un cierto valor base constante. Para explicar el mtodo se parte de la
ecuacin (2.10.b), que por comodidad se vuelve a escribir.
r r
r r
r r r
xxe (r ) k 2 e (r ) = k 2 (r ) E 0 (r )

2.10.b

La solucin a la ecuacin (2.10.b), cuando se tienen permeabilidades magnticas constantes


e iguales a la del vaco, se encuentra de la ecuacin(2.37) como:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '

2.45

Ahora bien, si recordamos que:

r
r
k 2 (r ) = k 2 k 02 = i (r ) , k 2 = i (r )

k 0 = i 0 ; la ecuacin (2.10.b) se puede volver a escribir en la forma:


2

r
r
k 2 (r ) r r
r r
2
)e (r ) = k 2 (rr ) E0 (rr )
xxe (r ) k 0 ( 1 +
2
ko

2.46

De acuerdo al mtodo perturbativo, la ecuacin (2.46) es ligeramente perturbada por un


r r m= r r
parmetro entre 0<1, de tal manera que la solucin e (r ) = m em (r ) es la
m=0

r r
combinacin de varias soluciones elementales em (r ) que satisfacen la misma ecuacin
diferencial no perturbada, es decir
r
k 2 (r )
r r
r
2
mr r
2 r r
)
xx e (r ) k 0 ( 1 +

e
(
r
)
=

k
(r ) E 0 (r )

2
ko
Expandiendo la sumatoria se obtiene:
m

2.47

r r
r r
r r
r
r
r r
xxe0 (r ) + xxe1 (r ) + xx 2 e2 (r ) + ... + xx m 1 em 1 (r ) + xx m em (r ) +
r r
r r
r r
r
r
r r
k 02 e0 (r ) k 02 1e1 (r ) k 02 2 e2 (r ) ... k 02 m 1em 1 (r ) k 02 m em (r )
2.48
r r r
r r r
r r r
r r
r
k 2 (r )e0 (r ) 2 k 2 (r )e1 (r ) 3 k 2 (r )e2 (r ) ... m k 2 (r )em 1 (r )
r r r
r r r
m +1k 2 (r )em (r ) ..... = k 2 (r ) E0 (r )

44

Si se juntan trminos de igual potencia, se forma un sistema de ecuaciones como:


r r
r
r r r
xxe0 (r ) k 02 e0 (r ) = k 2 (r ) E0 (r )
r r
r r
r r r
xxe1 (r ) k 02 e1 (r ) = k 2 (r )e0 (r )
r r
r r
r r r
xxe2 (r ) k 02 e2 (r ) = k 2 (r )e1 (r )
..........................................................
..........................................................
r r
r
r
r
xxem (r ) k 02 em (r ) = k 2 (r )em 1 (r )

2.49

Cada una de las ecuaciones en (2.49) satisface las mismas condiciones de frontera que el
r r
campo e (r ) . De acuerdo a lo que hemos discutido en las secciones (2.3) y (2.4.2), la
solucin para cada una de las ecuaciones en el sistema de ecuaciones de (2.49) se puede
expresar como:
r r
r r r r r r
e0 (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) E 0 (r ' )dV '
V

r r
r r r r r r
e1 (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) e0 (r ' )dV '
V

........................................................
........................................................
r r
r r r r r
r
em (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) em 1 (r ' )dV '

2.50

r r
El sistema de ecuaciones (2.49) implica que cada uno de los campos em (r ) se estn
propagando en un medio homogneo, por lo tanto la funcin de Green que se emplea para
resolver el sistema de ecuaciones (2.50) es la que corresponde a un semiespacio
homogneo.
El valor de m determina el orden de la aproximacin de Born. As se tiene que se nombra
r r r r
r
aproximacin de orden cero, uno si e = e0 , e = e0 + e1 , respectivamente.
Para el caso del mtodo de MT, de la manera en la que se ha deducido en el presente
trabajo, la solucin para el campo elctrico secundario es una aproximacin de orden cero
la que se emplear, pues el campo incidente se conoce para cualquier punto del
semiespacio. Sin embargo, si se hubiese planteado desde el principio la solucin de la
ecuacin
de onda para el campo elctrico total y se hubiese expresado la
r r r
solucin E = E 0 + e0 se hablara de una aproximacin de Born de primer orden. Esta
aproximacin fue la que emple Torres-Verdn (1992) o la que discute Chew (1995). Para
el campo elctrico total la ecuacin de onda se expresa como:

45

r
r
k 2 (r ) r
2
xxE (r ) k 0 ( 1 +
)E (r ) = 0
k o2
r
r
E = m Em

2.51

m =0

Siguiendo el mismo procedimiento como el arriba mencionado, la aproximacin de Born de


orden cero acepta una solucin de una onda plana (campo primario incidente) y la primera
aproximacin de Born (E1) sera una aproximacin al campo elctrico total secundario.
Para el orden de aproximacin que se est empleando, se tiene que establecer bajo qu
condiciones produce resultados aceptables. De acuerdo a Chew (1995), la aproximacin de
Born es un problema de dispersin de onda simple donde el campo incidente entra a la
inhomogeneidad sin alteracin e induce una corriente de conduccin proporcional a
r
k 2 (r ) . Sin embargo, cuando la inhomogeneidad se encuentra en un medio aislante dicha
aproximacin produce fuertes errores para las bajas frecuencias, ya que las corrientes de
conduccin abruptamente decaen a cero en la frontera.

2.4.2.2 APLICACION A LA FUNCION DE GREEN

En el inciso anterior la solucin al campo elctrico se ha encontrado perturbando la


ecuacin diferencial, sin embargo, el problema tambin se podra plantear de otra manera al
decir que la ecuacin diferencial para el campo elctrico se deja inalterable, esto implica
que se debe determinar la funcin de Green para el medio heterogneo, es decir:
r r
r r
r r r
xxe (r ) k 2 e (r ) = k 2 (r ) E 0 (r )

2.52.a

r
r
r
xxGe k 2 Ge = I (r r ' )

2.52.b

La solucin Integral para el campo se expresa por la ecuacin (2.45), que por comodidad
se vuelve a escribir:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '

2.45

46


r
r
Por un procedimiento similar al anterior la ecuacin (2.52.b), al considerar Ge = m Gm ,
m=0

se expresa como:
r
r
k 2 (r )
2
xx Gm (r ) k 0 ( 1 +
k o2
m

) m Gm (r ) = I (rr rr ' )

2.53

Al expandir la sumatoria se obtiene:


r r
r r
r
r r
r r
r
xxG0 (r ) + xxG1 (r ) + xx 2 G2 (r ) + ... + xx m 1Gm 1 (r ) + xx m Gm (r ) +
r r
r r
r
r r
r
r
k 02 G0 (r ) k 02 1G1 (r ) k 02 2 G2 (r ) ... k 02 m 1Gm 1 (r ) k 02 m Gm (r )
r r r
r r r
r r r
r r
r
k 2 (r )G0 (r ) 2 k 2 (r )G1 (r ) 3 k 2 (r )G2 (r ) ... m k 2 (r )Gm 1 (r )
r r r
r r r
m +1 k 2 (r )Gm (r ) ..... = I (r r ' )
2.54
Si se unen los trminos de igual potencia, se forma un sistema de ecuaciones como:
r r
r r
r r r
xxG0 (r ) k 02 G0 (r ) = I (r r ' )
r r
r r
r r r
xxG1 (r ) k 02 G1 (r ) = k 2 (r )G0 (r )
r r
r r
r r r
xxG2 (r ) k 02 G2 (r ) = k 2 (r )G1 (r )
..........................................................
..........................................................
r r
r
r r
r
xxGm (r ) k 02 em (r ) = k 2 (r )Gm 1 (r )

2.55

La primera ecuacin en el sistema de ecuaciones (2.55) es la funcin de Green Didica para


un semiespacio homogneo. Las otras funciones de Green Didicas se pueden encontrar si
se considera que necesitamos resolver una ecuacin diferencial cuya solucin est dada por
una expresin similar a la ecuacin (2.45), es decir:

r r r
r r r r r r
G1 (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) G0 (r ' , r0 )dV '
V

r r r
r r r r r r r
G2 (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) G1 (r ' , r0 )dV '
V

........................................................
........................................................
r r r
r r r r r
r r
Gm (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) Gm 1 (r ' , r0 )dV '

2.56

47

Si para la funcin de Green para el semiespacio heterogneo slo nos quedamos con una
aproximacin de orden cero, la funcin de Green se puede expresar como
r r r
r r r
Ge ( r , r ' ) G0 ( r , r ' ) .
Ambos procedimientos perturbativos proporcionan la misma solucin para el campo
elctrico secundario, sin embargo, cuando se perturba la funcin de Green la ecuacin
diferencial que satisface el campo se deja inalterable. La funcin de Green, mientras
satisfaga la ecuacin diferencial y las condiciones de frontera, puede elejirse de tal manera
r r
que proporcione la mejor solucin posible para el campo e (r ) .

2.4.3

ECUACIONES DEL CAMPO ELECTRICO Y MAGNETICO PARA UNA


TIERRA 3-D

De acuerdo a las consideraciones hechas en la seccin (2.4.1), las expresiones para los
campos se deducen, primeramente, para = 2 = 0 ; entonces de la ecuacin (2.37) el
campo elctrico se expresa como:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '

2.57

Por un procedimiento similar el campo magntico se puede deducir, a partir de la ecuacin


(2.44), como:
v r
h (r ) =

r r r r r
1
2

k
G
M (r , r ' ) E 0 ( r ' ) dV '
i V

2.58

Para el mtodo magnetotelrico slo se observan las componentes horizontales del campo
elctrico y las tres para el campo magntico, por lo que en la discusin de las ecuaciones
solamente se tratarn dichas componentes. Tambin, hay que recordar que los campos se
observan para Z=0 y las ecuaciones se evaluarn para dicha coordenada.
El campo elctrico primario se puede describir por dos componentes horizontales:
r r
r r
r r
E 0 (r ) = E0 X (r )i + E0Y (r ) j ; al sustituir esta expresin en las ecuaciones (2.57) y (2.58) se
obtiene para el campo elctrico y magntico secundario:
r
r r
r
e X , j (r ) = k 2 G Xe , j (r , r ' ) E 0 X (r ' )dV '
V

2.59

j = x, y

48

r
h X ,l ( r ) =

1
r r
r
k 2 G XM,l (r , r ' ) E0 X (r ' )dV '

i V

2.60

l = x, y , z
r
De igual forma, la componente E 0Y (r ) proporciona las siguientes expresiones para los
campos secundarios:
r
r r
r
eY , j (r ) = k 2 GYe , j (r , r ' ) E 0Y (r ' )dV '

2.61

j = x, y
r
hY ,l (r ) =

1
r r
r
k 2 GYM,l (r , r ' ) E 0Y (r ' )dV

i V

2.62

l = x, y, z
En las ecuaciones (2.59) a (2.62), el subndice X,j indica la j-sima componente del campo
elctrico secundario producido por la componente X del campo primario; de igual forma,
X,l indica la l-sima componente del campo magntico producido por la componente X del
campo primario.
De la misma manera, Y,j indica la j-sima componente del campo elctrico secundario
producido por la componente Y del campo elctrico primario; Y,l indica la l-esima
componente del campo magntico secundario producido por la componente Y del campo
elctrico primario.
r
r r r
r
r
Ge (r , r ' ) = Gie, j i + Gie, j j + Gie, j k Indica el vector de Green elctrico; el ndice i=X,Y indica
la orientacin del dipolo; j=X,Y,Z indica la componente cartesiana.
r
r r r
r
r
G M (r , r ' ) = GiM, j i + GiM, j j + GiM, j k Indica el vector de Green magntico el ndice i=X,Y
indica la orientacin del dipolo; j=X,Y,Z indica la componente cartesiana.
Fx1 , Fy1 , Fz1 son elemento del potencial vectorial de tipo magntico, del cual se deducen los
correspondientes vectores de Green (Anexo A). Las diferentes componentes de los vectores
de Green, calculadas para Z=0, se expresan como:
Dipolo orientado en la direccin X
G

e
X ,X

1 FX1 FZ1 1

=
=F + 2
+
z 2
k 0 x x

G Xe ,Y =

1
X

nz
2
(
)
e
J
r
d

+
0
0 n +
x 2

1 FX1 FZ1 1 2 1

=
+
z k 02 xy 2
k 02 y x

e nz J 0 (r )d

1 nz

2k 2 e J 0 (r )d
0 0

2.63.a
2.63.b

49

G XM, X =

G XM,Y =

M
X ,Z

1
=
xy 4

n + e

nZ '

J 0 (r )d

2.63.c

FX1 FZ1
1

=
z
x
2

2
2 nz
+
e
J
(
r
)
d

0
0 n +
x 2

FX1
1
=
=
y
y 2

n+ e

nZ '

n+e
0

J 0 (r )d

nz

J 0 (r )d 2.63.d

2.63.e

Dipolo orientado en la direccin Y:


GYe , X =

e
Y ,Y

1 FY1 FZ1 1 2 1

=
+
z k 02 yx 2
k 02 x y

1 FY1 FZ1 1

=
=F + 2
+
z 2
k 0 y y
1
y

F 1 F 1
1
GYM, X = Z Y =
z
2
y

e nz J 0 (r )d

2.64.a

nz
2
0 n + e J 0 (r )d + y 2

2
2 nz
e
J
(
r
)
d
2
0
0 n +
y

1 nz

e
J
(
r
)
d

0
2k 2

0 0

2.64.b

1
nz

e
J
(
r
)
d

0
0 n +

2.64.c
GYM,Y =

M
Y ,Z

FZ1
2 1

=
x
xy 4

Fy1 1
=
=
x x 2

n + e
0

n + e
0

nZ '

nZ '

J 0 (r )d

J 0 (r )d

2.64.d

2.64.e

50

2.5

RESPUESTA MAGNETOTELURICA PARA UNA TIERRA 2-D

2.5.1

CONDICIONES IMPUESTAS

Cuando se trata el problema de MT para una Tierra 2-D se considera que las estructuras son
infinitas en la direccin del rumbo. Generalmente, los ejes coordenados se orientan con
respecto a una direccin preferencial, por ejemplo, el eje X es aquella perpendicular al
rumbo de la estructura y el eje Y es paralelo al rumbo. En el campo primario
r r
r
r
E 0 (r ) = E 0 e ik 0 Z i + E 0 e ik 0 Z j las componentes coinciden con la orientacin de los ejes
coordenados.
En el mtodo de MT, para una Tierra 2-D, se estudian dos modos de propagacin. El modo
TM (campo magntico paralelo al rumbo) considera que el campo elctrico incidente es
perpendicular al rumbo de las estructuras y en el modo TE (campo magntico perpendicular
al rumbo) el campo elctrico incidente es paralelo al rumbo.
Este modo particular de propagacin trae como consecuencia que no todas las componentes
de los campos elctricos y secundarios existan. De acuerdo a dErceville y Kuntez (1962)
en el modo TM no se genera campo magntico en la direccin Z y X; y en la direccin Y
el campo magntico es constante. Esto implica que slo el campo magntico incidente
existe en la direccin Y. Las observaciones de dErceville y Kunetz implica que
h X , X = h X , Z = h X ,Y = 0 (ecuacin (2.60)).
Para h X ,Y se sustituye la ecuacin (2.63.d) en la ecuacin (2.60), de tal manera que:
E0
h XY (r ) =
i 0
1

ik 0 Z '

r
dz k 2 (r ' )dx

1
nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy + 2
2

1 nz
2

e
d
J
(
r
)
d
y
0
0 n +
x 2

2.65

Hoffman (1971) muestra que:

(J

(r ) )dy =

2
cos( ( x x ))

2.66

De la ecuacin (2.66) se demuestra que:

2
2 J 0 (r )dy = 2 cos( ( x x ))
x

2.67

51

Al sustituir las ecuaciones (2.67) y (2.66) en la ecuacin (2.65) se puede demostrar que las
integrales dentro del parntesis se expresan como:
1
2

1
2 nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy + 2
1

1 nz
2
e
d

0 n +
2 J 0 (r )dy =
x

cos( ( x x ))
cos( ( x x )) e nz d = 0

n+
n+

2.68

Al sustituir la ecuacin (2.68) en la ecuacin (2.65) se demuestra que el campo


magntico h X ,Y = 0 .
De igual forma, para la componente h X , X , al sustituir la ecuacin (2.63.c) en la ecuacin
(2.60), se tiene:
r
h X , X (r ) =

E0
i 0

2 1
'
r

e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
xy 4

1 nz
e
d

0 n +
(J 0 (r ) )dy 2.69

En la ecuacin (2.69), la integral con respecto a y se puede expresar como:

2
(J 0 (r ))dy = (J 0 (r ) )dy = J 0 (r ) + = 0

xy
x y '
x

2.70

Al sustituir la ecuacin (2.70) en la ecuacin (2.69) se obtiene que h X , X = 0 .


Para la componente h X , Z se sustituye la ecuacin (2.63.e) en la ecuacin (2.60), es decir:
r
h X ,Z (r ) =

E0
i 0

1
'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
y 2

nz
e
d

0 n +
(J 0 (r ))dy 2.71

La integral de la funcin de Bessel se puede expresar como:

(J 0 (r ))dy = (J 0 (r ))dy = J 0 (r ) + = 0

y
y '

2.72

Al sustituir la ecuacin (2.72) en la ecuacin (2.71) se demuestra que el campo magntico


secundario vertical es cero.

52

Tambin, el campo elctrico e X ,Y = 0 , para el modo de propagacin TM. Para probar esta
aseveracin se sustituye la ecuacin (2.63.b) en la ecuacin (2.59).

+
1 2

r
ik 0 Z '
2 r'
nz

e )d J 0 (r )dy '
e XY (r ) = E 0 e
dz k (r )dx 2

k xy
0

2.73

La integral de la funcin de Bessel se puede resolver como:


+

(J 0 (r ))+ = 0
J 0 (r )dy ' = ( J 0 (r ) )dy ' =

xy
x y '
x

2.74

Al sustituir la ecuacin (2.74) en la ecuacin (2.73) da como resultado que el campo


elctrico secundario e XY = 0
Para el modo de propagacin TE tambin se tienen que ciertas componentes de los campos
secundarios son cero, por ejemplo, el campo elctrico eYX = 0 . Para probar esta aseveracin
se sustituye la ecuacin (2.64.a) en la ecuacin (2.61), esto es:

1 2

'
r
r
e nz )d J 0 (r )dy ' = 0
eYX (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx 2

k xy
0

2.75

El resultado se sigue de la ecuacin (2.74).


De igual forma, el campo magntico secundario en la direccin Y, tambin, es igual con
cero. Para probarlo se sustituye la ecuacin (2.64.d) en la ecuacin (2.62), es decir:

r
hY ,Y (r ) =

E0
i 0

ik 0 Z '

dz

2
r ' 1
k (r )dx
xy 4

1 nz
= 0

(
)
(
)
e
d

r
d
y
0
0 n +

2.76
El resultado de la ecuacin (2.76) se sigue de la ecuacin (2.70).

53

2.5.2

ECUACIONES PARA EL CAMPO ELCTRICO Y MAGNTICO EN UNA


TIERRA 2-D

2.5.2.1 EN FUNCIN DEL CONTRASTE DE CONDUCTIVIDADES (rv )


En la seccin (2.5.1) se demostr, para el modo de propagacin TM, cuales componentes
r
son igual con cero. La nica que se conserva es la componente e XX (r ) y dicha componente
se puede expresar, al sustituir la ecuacin (2.63.a) en la ecuacin (2.59), como:

'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

1
nz
0 n + e d (J 0 (r ))dy + 2k 02

nz

2
d 2 J 0 (r )dy
x

2.77

De las ecuaciones (2.66) y (2.67), la ecuacin (2.77) se puede expresar como:

'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

1
1 nz
1

))d 2

cos(
(
e

x
x
n +
k 0
0

e nz cos( ( x x )d

2.78

Sin embargo, para el modo de propagacin TE , al sustituir la ecuacin (2.64b) en la


r r
ecuacin (2.61), el campo elctrico eYY (r ) se puede expresar como:

'
r
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

nz
1
0 n + e d (J 0 (r ))dy + 2k 02
+

nz

2
d 2 J 0 (r )dy
y

2.79

La integral 2 J 0 (r )dy =
(J 0 (r ) )dy ' = J 0 (r ) + = 0 . La integracin

y
y y '
y
de la funcin de Bessel de menos a mas infinito se resuelve aplicando la ecuacin (2.66) y
se obtiene para el campo elctrico secundario la expresin:

1 1 nz

'
r
r
eYY (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d
0

0 n +

2.80

54

El campo magntico secundario, en el modo TE, se puede expresar, al sustituir la ecuacin


(2.64.c) en la ecuacin (2.62), como:

r
hYX (r ) =

E0
i 0

'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy 2
2

1 nz
2
e
d

0 n +
y 2 J 0 (r )dy

2.81

La primera integral de menos a mas infinito de la funcin Bessel se resuelve al aplicar el


resultado de la ecuacin (2.66) y la integral de la segunda derivada con respecto a Y de la
funcin de Bessel es igual con cero, por la misma razn que se discuti en la ecuacin
(2.79). Entonces, el resultado para el campo magntico secundario se expresa como:
r
hYX (r ) =

E0
i 0

'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz cos( ( x x ))d

0 n+

2.82

Por ltimo, la componente para el campo magntico vertical se expresa, al sustituir la


ecuacin (2.64.e) en la ecuacin (2.62), como:
r
hYZ (r ) =

E0
i 0

1
'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
2

nz

e
d
J 0 (r )dy '

0 n +

2.83

= cos( ( x x' )) = 2 sen( ( x x' )) , al aplicar el


J
(
r
)
dy
'

La integral
0

x
x

resultado de la ecuacin (2.66) y por lo tanto el campo magntico secundario vertical se


expresa como:

r
hYZ (r ) =

E0
i 0

'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz sen( ( x x' ))d

0 n+

2.84

55

r
2.5.2.2 EN FUNCION DE LA CONDUCTIVIDAD (r )

Las ecuaciones deducidas en la seccin (2.5.2.1) se expresan, tambin, en funcin de la


conductividad. Por ejemplo, para el campo elctrico secundario en el modo TM se tiene, al
r
r
r
r
sustituir k 2 (r ) = k 2 (r ) k 02 (r ) , siendo k 02 (r ) = i 0 0 la constante de propagacin del
medio homogneo, la expresin:

'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

1 1 nz
1

n + e cos( ( x x ))d k 2
0
0

e nz cos( ( x x )d 2.85
0

ik0 Z ' 1 nz ' +

e
dz '
e d cos( ( x x' ))dx'
n+

1 0

0
2
k 0 E0

1
ik 0 Z '
nz '
e
dz ' e d cos( ( x x' ))dx'
2

k0 0

La ecuacin (2.85) se puede expresar en una forma ms conveniente. Se resuelven


inicialmente las integrales en el parntesis cuadrado.
La integral del coseno se puede expresar como (Brigham,1974):
+

cos( ( x x' ))dx' = cos(u )du = 2 cos(u )du = 2 ( )

2.86

Al sustituir la ecuacin (2.86) en la ecuacin (2.85) se obtiene que:

2 ik 0 Z '
e
dz ' e nz ' ( )d = 0
2
k0 0
0

2.87

De igual forma se obtiene que:

2 e
0

ik 0 Z '

1 nz '

dz '
e ( )d =
n+
ik 0
0

i 2 k0 Z '

dz ' =

i 2k 02
2

2.88

1
Donde : n = 2 k 02 ; y se considera : ( x) ( x)dx = (0)
2
0

56

Al sustituir las ecuaciones (2.88) y (2.87) en la ecuacin (2.85) se obtiene para el campo
elctrico secundario:

'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx

1
1 nz
1

))d 2

e
cos(
(
x
x
n +
k 0
0

E
e nz cos( ( x x )d + 0
2

2.89

De igual forma, el campo elctrico secundario para el modo TE, se puede expresar en
primera instancia, como:

1 1 nz

'
r
r
eYY (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d
0

0 n +

'
1 nz
E 0 k 02 e ik0 Z dz
e d cos( ( x x ))dx

0
0 n +

2.90

Al sustituir los resultados de las ecuaciones (2.86) y (2.87) en la ecuacin (2.90), por un
procedimiento similar al anterior, se obtiene para el campo elctrico secundario:

1 1 nz
E
'
r
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d + 0
0

0 n +
2

2.91

Para el campo magntico secundario horizontal del modo TE se puede expresar, de la


ecuacin (2.82), como:

E k2
0 0
i 0

r
'
nz
0 e dz k (r )dx 0 n + e cos( ( x x ))d

ik 0 Z '
nz
e
dz
e d cos( ( x x ))dx

0 n+

E0
i 0

r
hYX (r ) =

ik 0 Z '

2.92

Nuevamente, al sustituir los resultados de las ecuaciones (2.86) y (2.87) en la ecuacin


(2.92) se obtiene que:
r
hYX (r ) =

E0
i 0

ik 0 Z '

r
'
dz k (r )dx
e nz cos( ( x x ))d

0 n+

2.93

57

Por ltimo, para el campo magntico secundario vertical del modo TE se puede expresar
de la ecuacin (2.84) como:
hYZ (r ) =
E k
0
i 0
2
0

E0
i 0

e ik0 Z

'

'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz sen( ( x x' ))d

0 n+

dz
e nz d sen( ( x x' ))dx

0 n+

2.94

En la ecuacin (2.94) se tiene que la integral del seno se puede expresar como:

sen( ( x x' ))dx = sen( (u )du = 0

2.95

Al sustituir la ecuacin (2.95) en la ecuacin (2.94) se obtiene para el campo magntico


secundario vertical.
E0
hYZ (r ) =
i 0

ik 0 Z '

r
'
dz k (r )dx
e nz sen( ( x x' ))d

0 n+

2.96

r
2.5.2.3 EN FUNCION DE LA RESISTIVIDAD (r )
Las ecuaciones de los campos electromagnticos para ambos modos de propagacin se
puede expresar en funcin de la resistividad. Para tal fin, Torres-Verdn (1992) demuestra
que:
r
r
(r )
(r )
=
0
0

2.97

El campo elctrico secundario para el modo TM se puede expresar, al sustituir la ecuacin


k2
(2.97) en la ecuacin (2.78) multiplicada por el factor 02 como:
k0

r
'
(r )
r
e XX (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
dx'
0
0

1 1 nz
1

n + e cos( ( x x ))d k 2
0
0

nz

cos( ( x x )d

2.98

58

r
r
Al expresar (r ) = (r ) 0 se obtiene que:

r
(r )
r
ik 0 Z '
2

e XX (r ) = E 0 k 0 e
dz
dx'
0

1 1 nz
1

))d 2
e
x
x
cos(
(

n +
k 0
0

e nz cos( ( x x )d +

+ E0 k 02 e ik0 Z dz
'

1 1 nz
1

n + e d ' cos( ( x x ))dx' k 2


0

e nz d ' cos( ( x x ))dx

2.99

Al sustituir las ecuaciones (2.86) y (2.88) en la ecuacin (2.99) se obtiene que:

'
(r )
r
e XX (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
dx'

0
0

1 1 nz
1

))d 2
cos(
(
e
x

n +
k 0
0

E
e nz cos( ( x x )d 0 2.100
2

De igual forma, para el campo elctrico del modo TE se obtiene, de la ecuacin (2.80), la
expresin:

'
(r ) 1
1 nz
r

eYY (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
e cos( ( x x ))d

0 0 n +
0

2.101

r
Por un procedimiento similar al aplicado al campo e XX (r ) se obtiene la expresin:
r

E
'
1 nz
(r ) 1
r

))d 0
eYY (r ) = E 0 k 02 e ik0 Z dz
e
cos(
(
x
x

2
0 0 n +
0

2.102

Para el campo magntico secundario horizontal se obtiene, de la ecuacin (2.98) en la


ecuacin (2.83), la expresin:
E k2
r
hYX (r ) = 0 0
i 0

(r ) 1

e nz cos( ( x x ))d

0 0 n +

e ik 0 Z dz
'

2.103

59

De igual forma, se obtiene para el campo magntico:


E 0 k 02
r
hYX (r ) =
i 0
E k2
+ 0 0
i 0

ik 0 Z '

ik 0 Z '

(r ) 1

dz
dx'
e nz cos( ( x x ))d +
0

0 n+

2.104

nz
dz
e d cos( ( x x ))dx'

0 n+

De la ecuacin (2.86) y (2.87) en la ecuacin (2.104) se obtiene la expresin:

E 0 k 02
r
hYX (r ) =
i 0

ik 0 Z '

(r ) 1

dx'
e nz cos( ( x x ))d
0

0 n +

dz

2.105

Al sustituir la ecuacin (2.97) en la ecuacin (2.84), el campo magntico secundario


vertical se puede expresar como:

'
E k2

(r ) 1
r
dx'
e nz sen( ( x x' ))d 2.106
hYZ (r ) = 0 0 e ik 0 Z dz
i 0 0
0

0 n+

De igual forma al expresar = 0 en la ecuacin (2.106) se obtiene que:


E k2
r
hYZ (r ) = 0 0
i 0
E k
+ 0
i 0
2
0

e ik0 Z

'

(r ) 1

dx'
e nz sen( ( x x' ))d +
0

0 n+

e ik0 Z dz
'

+
1

dz
e nz d sen( ( x x' ))dx'

0 n+

2.107

De la ecuacin (2.95) en la ecuacin (2.107) se obtiene para hYZ :


E 0 k 02
r
hYZ (r ) =
i 0

ik 0 Z '

(r ) 1

dx'
e nz sen( ( x x' ))d
0

0 n +

dz

2.108

60

2.5.3 LA FUNCION DE RESISTIVIDAD APARENTE Y DE FASE


En el mtodo magnetotelrico los campos electromagnticos estn relacionados por la
expresin:
E X = Z XX H X + Z XY H Y
EY = Z YX H X + Z YY H Y

2.109

Donde Z ij indica elemento del tensor de impedancia; Ei y H i indica campo elctrico y


campo magntico, respectivamente.

La ecuacin (2.109) indica la relacin ms general entre los campos, sin embargo, para una
Tierra 2-D o 1-D se pueden obtener relaciones ms sencillas. Por ejemplo, para una Tierra
1-D se tiene que Z XX = Z YY = 0 y Z XY = Z YX (Swift, 1971) y para una Tierra 2-D se
tiene que: Z XX = Z YY = 0 y Z XY Z YX .
Por otro lado, el parmetro empleado para representar la informacin observada es la
funcin de resistividades aparente, cuya definicin clsica es y de acuerdo con Cagniard
(1953):
a =

1
ZZ *
0

2.110

Donde * indica conjugado complejo


La ecuacin (2.110) se basa en la relacin de los campos para un semiespacio homogneo
y para una Tierra 1-D se obtiene el mismo resultado por emplear en forma indistinta
Z XY o Z YX . Sin embargo, para una Tierra 2-D se distingue dos funciones de resistividades
aparente debido a que los elementos del tensor de impedancia fuera de la diagonal principal
no son iguales en la ecuacin (2.109) y por lo tanto se tiene para el modo TM:
a
XY
=

1
Z XY Z *XY
0

2.111

De igual forma, para el modo TE, la resistividad aparente se define como:


a
YX
=

1
*
Z YX Z YX
0

2.112

61

Por ltimo, se define la funcin del ngulo de fase como el ngulo tangente de la relacin
entre la parte imaginaria dividida entre la parte real de los elementos del tensor de
impedancia, es decir para una Tierra 1-D se tiene que:
Im(Z )

= tan 1
Re( Z )

2.113

Sin embargo, para una Tierra 2-D se definen dos funciones de fase, cada una
correspondiente a los modos de propagacin TM y TE, respectivamente.
Im(Z XY )

XY = tan 1
Re( Z XY )
Im(Z YX )

YX = tan 1
Re( Z YX )

Modo TM
2.114
Modo TE

Las ecuaciones arriba presentadas son las empleadas para representar los datos observados.
Sin embargo, Spies y Eggers (1986) proponen que se pueden definir diferentes ecuaciones
para definir la resistividad aparente. Spies y Eggers (1986) concluyen que la frmula que
emplea la parte real de la impedancia para definir la resistividad aparente:
a =

2
[Re( Z )]2
0

2.115

es la de mejor comportamiento en la mayora de las situaciones. Sin embargo, GmezTrevio y Momdragn (1995) concluyen que la definicin de la resistividad aparente que
emplea la amplitud de la impedancia es menos sensitiva al ruido aleatorio que las
definiciones alternas propuestas por Spies y Eggers.

62

CAPITULO 3
MODELACION DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA EN UNA TIERRA 2-D

3.1

INTRODUCCION

El clculo de la respuesta para un modelo propuesto es un primer paso que debe satisfacer
cualquier mtodo prospectivo y con el avance, en los ltimos aos, de las computadoras ha
habido un desarrollo acelerado en las tcnicas de modelacin.
La modelacin en los mtodos electromagnticos ha experimentado un rpido desarrollo;
ya que de esto depende, en gran medida, la evolucin de las tcnicas de inversin. Sin
embargo, mucho de nuestro conocimiento de la respuesta electromagntica se fundamenta
en algoritmos numricos que no estn exentos de errores. Este ltimo argumento est ms
claramente expresado en las palabras de Hohmann (en Oristaglio y Spies, 1999):
The numerous possibilities for theoretical and programming errors
it necessary to compare results computed by different methods before
a numerical solution can be considered valid
Sin embargo, los retos y problemas que surjan para resolver el problema directo se tendrn
que enfrentar y todava queda un largo camino por recorrer en esta rama de la geofsica
aplicada.
Entre estos problemas se encuentra el tipo de modelo que se puede proponer para una
Tierra heterognea. El modelo propuesto debe ser, debido a que la naturaleza es ms
compleja de lo que podemos modelarla, lo bastante simple para un clculo rpido y lo
suficientemente complejo que permita una representacin bastante real de las estructuras
del subsuelo. Un primer acercamiento a este problema consiste en proponer una
resistividad constante para un determinado volumen de terreno, entonces el semiespacio
inhomogneo se construye al combinar varios de estos volmenes de terreno. La geometra
del volumen debe ser sencilla para un clculo rpido, por ejemplo, paraleloppedos para
un medio 3-D y prismas de rumbo infinito para un medio 2-D. Este procedimiento consiste
en proponer un mallado sobre el semiespacio, el cual permanece constante en el proceso de
clculo y entre ms fino es el mallado, mejor representacin del subsuelo se puede obtener.
Sin embargo, en problemas de inversin lo fino del mallado queda limitado por la
densidad, calidad e informacin de los datos observados que limitan el nmero de prismas
que pueden ser empleados.
En aos recientes una gran cantidad de artculos tcnicos sobre modelacin han aparecido
en las revistas especializadas de geofsica que sera casi imposible de enumerarlos a todos.
Sin embargo, una buena recopilacin sobre el estado del arte en este campo se encuentra en
Oristaglio y Spies ( 1999) o en Prez et al (2001).

63

3.2

3.2.1

MODELACION DE ESTRUCTURAS SIMPLES

MEDIO ESTRATIFICADO

Un medio estratificado (figura 3.1) se puede definir como el formado de estratos de


diferentes espesores y la resistividad de cada estrato se mantiene constante. Tambin, el
medio estratificado se le conoce como una Tierra 1-D, esto quiere decir que la funcin de
resistividad es funcin de la profundidad.
En realidad una tierra 1-D est ms cercano a la realidad que el estratificado, ya que ste
ltimo es un caso particular del primero. Sin embargo, el estratificado es fcil de visualizar
para cuestiones de aplicacin.
En una Tierra 1-D es indiferente hacer referencia a un modo particular de propagacin de
las ondas electromagnticas, ya que bsicamente dan el mismo resultado, sin embargo, para
hacer la demostracin nos vamos a referir al modo TM de propagacin.
En una Tierra estratificada la funcin de conductividades vara slo en funcin de la
r
profundidad y por lo tanto k 2 (r ) se expresa en funcin de z. Con estas consideraciones,
la ecuacin (2.78) se expresa como:

1 1 nz
'
1
r
e XX (r ) = E0 k 2 ( z ' )e ik0 Z dz
e d 2
k 0
0
0 n +

e nz d cos( ( x x ))dx

3.1

La integral del coseno en la ecuacin (3.1) es igual a 2 ( ) ; el resultado se sigue de la


ecuacin (2.87). La integral 1 1 e n z (2 ( ) )d = 1 e ik z ' y al aplicar las

n+

ik 0

consideraciones hechas en la ecuacin (2.88). Al sustituir estos resultados en la ecuacin


(3.1), el campo elctrico secundario se puede expresar como:

E 0 2 ' i 2 k 0 Z '
( z ' ) i 2 k0 Z '
r

e XX (r ) =

k
(
z
)
e
d
z
=

E
ik
e
dz
0 0
ik 0 0
0
0

3.2

Torres-Verdn (1992) encuentra una solucin para la Tierra estratificada, aplicando la


aproximacin de Born, en funcin del contraste de resistividad. El resultado de TorresVerdn se puede obtener a partir de la ecuacin (2.98), la cual se puede expresar como:

64

Figura 3.1 Medio estratificado de n capas. Las conductividades son


constantes en cada estrato de espesor h.

( z ' ) ik0 Z ' 1


1 nz
1
r
e XX (r ) = E 0 k 02
e
dz
e d 2
0
k 0
0
0 n +

nz
cos( ( x x ))dx'

e
)
d

3.3
Por las mismas consideraciones hechas en la deduccin de la ecuacin (3.1), la ecuacin
(3.3) se reduce a:

65

E0 k 02
r
e XX (r ) =
ik 0

( z ' ) i 2 k 0 Z '
( z ' ) i 2 k0 Z '

e
d
z
=
E
ik
0
0
0 0
0 0 e dz =

E0

( z ' ) 2
0 / 0
e
0
0

0 / 0 Z

'

3.4

dz '

Sin embargo, para el presente trabajo, la deduccin de la respuesta de MT para el medio


estratificado se emplear la ecuacin (3.2). Al integrar esta ecuacin y de acuerdo a la
figura (3.1) el resultado se expresa como:

N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N
=1
j
Donde : N = Numeros de estratos

e XX =

E0
2 0

3.5

La resistividad aparente est definida por la ecuacin (2.110) y la impedancia Z XY se define


como la relacin de campo elctrico total sobre campo magntico total y por las
condiciones discutidas en la seccin (2.5.1) se tiene que la impedancia se expresa como:

Z XY =

E0
2 0

N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N

j =1
H0

Donde : H 0 =

+ E0

3.6

E0 k 0

Al sustituir la ecuacin (3.6) en la ecuacin (2.110) se obtiene que la resistividad aparente


se expresa como:
E0

1 2 0
a =

+ E0

+ E0

N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k 0 Z N

j =1
H0

E 0 N 1

j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N
2 0 j =1

H0

Donde : * indica conjugado complejo


El ngulo o impedancia de fase se escribe como:

3.7

66

Im(Z XY )

= tan 1
Re( Z XY )

3.8

Sin embargo, para discernir sobre la calidad de la modelacin de la respuesta para una
Tierra estratificada, consideremos un medio de 4 estratos. Los parmetros se muestran en la
figura (3.2). En la figura (3.3) se observa la respuesta encontrada y comparada con la
respuesta exacta para el mismo modelo.
De la figura (3.3) se observa, primeramente, que el comportamiento de la curva de
resistividad aparente se reproduce conforme a una curva tipo KQ, que es lo esperado. Sin
embargo, al compararla con la curva de resistividad aparente exacta se observa que la curva
modelada difiere de tal manera que sugiere que se est modelando otro medio distinto al
propuesto.
Para agravar todava ms el problema, en la misma figura (3.3) se observa que la curva
modelada depende enormemente de la resistividad de fondo (referencia) seleccionada. Por
ejemplo, la curva para una 0=100 -m difiere enormemente de la curva exacta y slo en el
rango entre 1.0 y 10.0 hertz reproduce en forma aceptable los valores esperados. La 0 de
100 -m se encontr como:
1
1
1
1
+
+
+
1
0 =
= 150 300 100 50
0
4

67

h= 600 m.

= 150 ohms-m

h = 600 m.

= 300 ohms-m

h = 800 m.

= 100 ohms-m

= 50 ohms- m

Figura 3.2 Medio estratificado de 4 capas. Modelo empleado para mostrar


la exactitud de la aproximacin de Born.

68

200.00

EXACTA
RHO=150

160.00

RHO APARENTE

RHO=100

120.00

80.00

40.00

0.00
1.0E+4

1.0E+3

1.0E+2

1.0E+1

1.0E+0

FRECUENCIA

1.0E-1

1.0E-2

1.0E-3

Figura 3.3 Respuesta de MT para el medio estratificado de la figura 3.2


la respuesta modelada por la aproximacin de Born depede
de la resistividad de fondo que se utilize. La rho de 150 ohms-m
es la media aritmtica de la resistividad de los estratos del
modelo y la de 100 ohms-m es el valor inverso de la media de
1/150 + 1/300 +1/100 + 1/ 50 ohms-m.

69

Para el caso cuando 0=150 -m la curva modelada reproduce en forma aceptable a la


curva exacta para el rango de frecuencias de 10 a 104 hertz, sin embargo, para las bajas
frecuencias la respuesta modelada difiere enormemente de la exacta. La resistividad de
fondo se encontr, para esta caso, como el promedio aritmtico de las resistividades de los
diferentes estratos.
Se podran analizar otras propiedades, por ejemplo, Qu pasara si se intentara interpretar
algunas de las curvas modeladas?, sin embargo, se puede dejar de lado y hacer hincapi
sobre dos puntos de mayor importancia:
Es vlido emplear la aproximacin de Born en la modelacin de la respuesta
electromagntica, para este caso en el Mtodo Magnetotelrico?.
Con qu criterio se selecciona la resistividad o la conductividad de fondo
(background)?
La respuesta a estas dos preguntas se discutir ms adelante. Por el momento se tratar un
modelo ms: el contacto vertical.

3.2.2

CONTACTO VERTICAL

Un contacto vertical es una de las estructuras ms simples cuya solucin analtica fue
obtenida por dErceville y Kunetz (1962). Bajo las consideraciones de la aproximacin de
Born se puede deducir su expresin, para el modo de propagacin TM, a partir de la
ecuacin (2.89) y al considerar que la constante de propagacin se expresa como:
k 12 = i 1

r
k 2 (r ) = 2
k 2 = i 2

x 0 0 z +

3.9

0 x + 0 z +

El campo elctrico secundario se escribe como (modo TM):

1 1
+ r
E
1
r
e XX (r ) = E 0 e ik 0 Z dz
e nz d 2 e nz d k 2 (r ) cos( ( x x ))dx + 0
2
k 0 0
0

0 n +
3.10

La integral en la direccin X de la ecuacin (3.10) se puede escribir como:


+

2 r
2
2
k (r ) cos( ( x x))dx = k1 cos( ( x x))dx + k 2 cos( ( x x ))dx

3.11

70

La integral con el coseno como integrando se puede resolver como:


+

cos( ( x x))dx = cos(u )du = lim

sin(u ) sin(x)
sin(x)

= ( )

3.12

sin(u )
= ( ) .
u

De acuerdo a Hsu (1970): lim

De igual forma se puede demostrar que:


+

sin(u ) sin(x)
sin(x)
+
= ( ) +
3.13
u

cos( ( x x ))dx = cos(u )du = lim

Al sustituir las ecuaciones (3.13) y (3.12) en la ecuacin (3.11), la integral del coseno se
puede expresar como:
+

sen(x)
r
(r ' ) cos( ( x x' ))dx' = (k12 + k 22 ) ( ) + (k 22 k12 )

3.14

Si el resultado de la ecuacin (3.14) se sustituye en la ecuacin (3.10) se encuentra que:


e XX =

(k 22 k12 ) E 0
k12 + k 22
1
sen(x)
d
E
+
0
2

(n + ik 0 )(n + )

4k 0
0
(k 22 k12 ) E0

k 02

E0
1
0 (n + ik 0 ) sen(x)d + 2

3.15

Al reducir la ecuacin (3.15) y considerando que n 2 = 2 k 02 , la expresin del campo


elctrico secundario, en el modo TM, se puede expresar finalmente como:
k2 + k2 k2 k2
e XX = 1 2 2 2 2 1
4k 0
k0

n + ik
0

sen(x)
1
d + E0
2

3.16

De igual forma, para el modo TE, el campo elctrico se puede deducir a partir de la
ecuacin (2.91), es decir:

1 1
+ r
E
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz
e nz d k 2 (r ) cos( ( x x ))dx + 0
2
0
0 n +

3.17

Al sustituir la ecuacin (3.14) en la ecuacin (3.17), el campo elctrico se expresa como:

71

k2 + k2 k2 k2
eYY = 1 2 2 2 2 1
k0
4k 0

n sen(x)
1
d + E0

2
0

n + ik
0

3.18

Para el campo magntico secundario del modo TE, su deduccin se puede hacer a partir de
la ecuacin (2.93) y que se puede escribir como:
E0
hYX (r ) =
i 0

ik 0 Z '

1
2 r'
nz

dz
e d k (r ) cos( ( x x ))dx

n
0

3.19

Al sustituir la ecuacin (3.14) en la ecuacin (3.19) se obtiene que, para el modo TE, el
campo magntico tiene una expresin para el contacto vertical de:

h XY

E0 k 22 k12

=
i k 02

+ n sen(x)

d

0 n + ik 0

3.20

La expresin de la impedancia para el modelo del contacto vertical se puede expresar, para
el modo de propagacin TM, como:

Z XY

k12 + k 22 k 22 k12

4k 02
k 02
e XX + E 0
=
=
H0

n + ik
0

sen(x)
d E 0 + 1.5 E0

H0

3.20.a

Para el modo de propagacin TE la expresin es:

Z YX

k12 + k 22 k 22 k12 + n sen(x)

0 n + ik 0 d E0 + 1.5E0
4k 02
k 02
eYY + E 0
=
=
hYX H 0
E 0 k 22 k12 + n sen(x)

d H 0
i k 02 0 n + ik 0

3.20.b

Las expresiones para la resistividad aparente y ngulo o impedancia de fase son:

72

Modo TM
XY =

1
Z XY Z *XY

Im(Z XY )

XY = tan 1
Re( Z XY )
Modo TE
YX =

3.20.c

1
*
Z YX Z YX

Im(Z YX )

YX = tan 1
Re( Z YX )

Para estudiar la calidad de la modelacin empleando la aproximacin de Born, se puede


calcular la respuesta para el modelo mostrado en la figura (3.4), para centros de sondeos
1
1
localizados en x=-700 m y x=700 m y conductividad de fondo 0 = (
+ )/2.
100 50
La respuesta tpica para un contacto vertical cuando el centro de sondeo se encuentra en la
parte resistiva es que la respuesta para el modo TM se encuentra por encima de la del modo
TE. Cuando el centro de sondeo se encuentra en el lado conductor la respuesta del modo
TE es la que est por encima de la del modo TM.
En la figura (3.5.a) se muestra la respuesta para el sondeo localizado en x=-700 m que se
encuentra en el lado resistivo. La respuesta modelada, aunque presenta el comportamiento
esperado, se encuentra desplazada con respecto a la respuesta considerada correcta; para
este caso la modelada con el programa Geotools . Si para el mismo sondeo ahora se
emplea una conductividad de fondo de 1/100 siemens-m., el efecto es reproducido y una
buena aproximacin es obtenida en el rango de las altas frecuencias, sin embargo, en las
bajas frecuencias el error aumenta (3.5.b).
Para el sondeo en x=700 m se obtiene un comportamiento similar al caso anterior en que la
respuesta esperada es reproducida, pero desplazada con respecto a la encontrada con
Geotools (figura 3.6.a). Si ahora se emplea una conductividad de fondo 1/50 siemens-m,
se observa una buena concordancia en las altas frecuencia y una discrepancia mayor para
las bajas frecuencias (figura 3.6.b).
De igual forma como ocurri para el caso de la Tierra estratificada se dejar para ms
adelante la manera de mejorar la respuesta modelada bajo la aplicacin de la aproximacin
de Born.

73

SITIO 1

= 100 ohms-m

SITIO 2

= 50 ohms-m.

Figura 3.4 Modelo del contacto vertical empleando para calcular la respuesta
magnetotelrica aplicando la aproximacin de Born Sitio 1 = -700 m.
Sitio 2 = + 700 m.

74

140.00
GEOTOOLS

RHO = 75 ohms-m.
MODO TM

RHO APARENTE

120.00

100.00

80.00
MODO TE

60.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.5.a Respuesta de MT para el modelo de la figura 3.4. Se observa
el mismo comportamiento de dependencia de la resistividad
de fondo. La resistividad constante es la media aritmetica de
las resistividades. El centro de sondeo se encuentra 700 m
del contacto del lado resistivo

75

160.00
GEOTOOLS

RHO = 100 Ohns-m.

140.00

RHO APARENTE

MODO TM

120.00

100.00

80.00

MODO TE

60.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.5.b Respuesta del contacto vertical para una resistividad de
fondo de 100 ohms-m. La aproximacin de Born reproduce
la curva de resistividades aparente para las altas frecuencias
y en las bajas frecuencias la respuesta se separa bastante
de la de Geotools

76

70.00
GEOTOOLS

RHO=75

60.00

RHO APARENTE

MODO TE

50.00

MODO TM

40.00

30.00

20.00
1000.00

100.00

10.00

FRECUENCIA

1.00

0.10

Figura 3.6.a Respuesta de MT del modelo de la figura 3.4. El centro de sondeo


se encuentra a 700 m del contacto del lado conductor. La
respuesta con la aproximacin de Born se encuentra desplazada
con respecto a la de Geotools , la cual diverge hacia las
altas frecuencias.

77

70.00
GEOTOOLS

RHO = 50 Ohms-m

RHO APARENTE

60.00

50.00

40.00

30.00
1000.00

100.00

10.00

FRECUENCIA

1.00

0.10

Figura 3.6.b Respuesta del contacto vertical para una resistividad de


fondo de 50 Ohms-m. La aproximacin de Born reproduce
la curva de resistividades aparentes para las altas frecuencias
y en las bajas frecuencias la respuesta se separa mucho ms
de la de Geotools

78

3.3

MODELACION DE UNA TIERRA 2-D

La modelacin de la respuesta en una Tierra 2-D se basa, primeramente, en proponer una


serie de prismas que se consideran homogneos y de conductividad constante, dando como
resultado un mallado como el que se muestra en la figura (3.7). Sin embargo, para
determinar la respuesta se considerarn tres tipos de prismas (figura (3.8).
El campo elctrico en la direccin X, por ejemplo para el modo TM, se puede expresar
como:
M N
E
E
r e r r
r r
e
e XX = E0 e ik 0 Z ' k 2 (r ' )G XX
(r , r ' )dV + 0 = k 2jl E0 e ik0 Z ' G XX
(r , r ' )dV jl + 0
2
2
j =1 l =1
V
V jl

3.21

En general, el campo elctrico o magntico para cualquiera de los modos de propagacin se


puede escribir con una expresin similar a la ecuacin (3.21).
La deduccin, entonces, se dividir para cada uno de los campos secundarios que se
generan para cada uno de los modos de propagacin.

3.3.1

MODO DE PROPAGACION TM

Consideremos tres tipos de prismas (figura 3.8) y tomando en cuenta lo discutido para la
ecuacin (3.21) la contribucin de un prisma se puede expresar, a partir de la ecuacin
(2.89), como:
e
= k 2jl G XX
e XX
, jl
jl

Donde :
Z j +1

e
XX , jl

= E0

1 1
X l +1
1
ik 0 Z
nz
nz

cos( ( x x ))dx 3.22

e
d
z
e
d

e
d

2
Z
n +

k 0 0
0
Xl
j

0 Z j Z j +1

X l X l +1

79

Figura 3.7 El semiespacio Z > 0 es dividido en MxN prismas que definen


un mallado. Cada prisma es homogneo y caracterizado por
una conductividad constante.

80

8.a

8.b

8.c

Figura 3.8 Las tres clases de prismas que se pueden presentar. Para el caso
del prisma ltimo en la direccin Z, la variable Z j+1 es infinta.

81

Para un prisma de anchura W comprendido en la regin -< W < x1 y espesor D entre


zj< D < zj+1 (figura 3.8.a), la integral del coseno de la ecuacin (3.22) se puede expresar
como:
Xl

x x1

x x'

sin(u ) sin( ( x x1 ))

cos( ( x x' ))dx' = cos(u)du = cos(u)du = lim


sin( ( x x1 ))
= ( )

3.23

Al sustituir la ecuacin (3.23) en la ecuacin (3.22), la segunda integral se puede resolver


como:

1
k 02
1
k 02

Z j +1

X l +1

Zj

Xl

ik Z '
nz
e 0 dz ' e d

cos( ( x x ))dx =

Z j +1

l +1
sin( ( x x1 ))
1
ik 0 Z '
nz
'
(
)
sen(
(
))

e
dz
e

d
x
x
d
e ( n +ik 0 ) Z ' dz '

1
2
Z
0

k 0 0

Zl
j

1
k 02

e ( n +ik0 ) Z l +1 e ( n + ik0 ) Z l
sen( ( x x1 ))d
0
n + ik 0
3.24

La primera integral de la ecuacin (3.22) se puede expresar como:


1

Z j +1

ik 0 Z

Zj
Z j +1

Zj

ik 0 Z '

sin( ( x x1 ))
1

dz
e nz ( )
d =

n+

dz '
0

sin( ( x x1 ))
1
1
e nz
d =
n+

2ik 0

Z j +1

Z j +1

Zj

( ) nz
e
n+

e ik 0 Z dz
0

e i 2 k0 Z dz +

Zj

1
1
1 i 2 k Z
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin( ( x x1 ))
i 2 k Z
e
d = 2 e 0 j +1 e 0 j +
e

0 (n + )(n + ik 0 )

4k 0

1
1
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin( ( x x1 ))
e
e
d

0 (n + )(n + ik 0 )

3.25

82

e
Al sumar las ecuaciones (3.24) y (3.25) se encuentra que G XX
, jl se expresa como:

E
= 02
k 0

e
XX , jl

E
+ 0

( n + ik 0 ) Z j +1

e
n + ik 0

( n + ik 0 ) Z j

sen( ( x x1 ))d +

E 0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j +
2
4k 0

1
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
d
e

(n + )(n + ik 0 )

3.26

La ecuacin (3.26) se puede escribir en una forma ms compacta al trabajar con ambas
integrales y recordando que parte del integrando de la segunda integral de la ecuacin
(3.26) se puede expresar como:
1
n
n
=
=
2
(n + )(n + ik 0 ) (n + )(n )(n + ik 0 ) k 0 (n + ik 0 )
Donde :

n = k
2

3.27

2
0

e
Al sustituir la ecuacin (3.27) en la ecuacin (3.26) la expresin para G XX
, jl sera:

e
G XX
, jl =

E 0 i 2 k 0 Z j +1
i 2 k Z
e 0 j
e
2
4k 0

E
02
k 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
e
d

(n + ik 0 )

3.28

Para el caso en que el prisma es interior (figura 3.8.b) con xl W xl +1 y z j D z j +1 la


e
expresin para G XX
, jl (ecuacin 3.22), en principio se puede expresar como:
Z j +1

e
XX , jl

= E0

ik 0 Z

Zj

1
1
dz
e nz d
0 n+

E0
k 02

Z j +1

ik 0 Z

Zj

X l +1

cos( ( x x))dx

Xl

X l +1

Xl

dz e nz d

3.29

cos( ( x x))dx

La integral del coseno en la ecuacin (3.29) se resuelve como:


X l +1

Xl

cos( ( x x' ))dx' =

X X l +1

X Xl

cos(u )du =

1
(sen( ( x xl +1 )) sen( ( x xl )))

3.31

83

La segunda integral se expresa finalmente, al tener en cuenta la ecuacin (3.21), como:

E
02
k 0

Z j +1

ik 0 Z

Zj

dz e

nz

cos( ( x x ))dx =

Xl

X l +1

E0
k 02

(e

n + ik
0

( n + ik 0 ) Z j +1

( n + ik 0 ) Z j

) sen( ( x x

l +1

))

sen( ( x xl ))

3.32

De igual forma, la primera integral se puede expresar, al tomar en cuenta la ecuacin (3.27)
y (3.31), como:
Z j +1

E0

Zj

ik 0 Z

1
1
dz
e n z d
0 n+

E0
k 02

X l +1

cos( ( x x ))dx =

Xl

n + ik
0

(e

( n + ik 0 ) Z j +1

( n + ik 0 ) Z j

) sen( ( x x

l +1

))

sen( ( x xl ))

3.33

e
Al combinar las ecuaciones (3.32) y (3.33), la expresin final para G XX
, jl queda como:

e
XX , jl

E
= 02
k 0

sen( ( x xl ))
n
( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sen( ( x x l +1 ))
e

d
n + ik 0

3.34

Por ltimo, la contribucin de un prisma como el de la figura (3.8.c) para el rango


x n 1 y z j z j +1 , al aplicar, de nuevo el mismo procedimiento para la obtencin de
la ecuacin (3.28) y teniendo en cuenta que:
+

x xN

xN

x xN

sin(u ) sin( ( x x N 1 ))
+
u

cos( ( x x' ))dx' = cos(u)du = cos(u )du = lim


= ( )

sin( ( x x N 1 ))

3.35

84

La expresin final para la contribucin de un prisma en dicha regin ser:


e
G XX
, jl =

E 0 i 2 k 0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j +
2
4k 0
E
+ 02
k 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x N 1 ))
e
e
d

(n + ik 0 )

3.36

Las ecuaciones (3.28), (3.34) y (3.36) aplicadas en forma correcta permiten calcular la
contribucin de cada prisma al campo elctrico secundario e XX
, de tal manera que dicho
jl
campo se puede expresa como:

( )

e XX = e XX
jl +
j =1 l =1

M N
E0
E0
e
= k 2jl G XX
, jl +
2
2
j =1 l =1

3.37

3.3.2 MODO DE PROPAGACION TE


La manera para deducir las expresiones para el campo elctrico secundario (eYY ) y campo
magntico secundario (hYX ) es muy similar al aplicado para los campos en el modo de
propagacin TM, de tal manera que no se har tan detallado como en el inciso (3.3.1).

La contribucin de un prisma, al campo elctrico secundario, se puede escribir como:


2
e
e YY
jl = k jl GYY , jl

3.38

e
De la ecuacin (2.91) GYY
, jl se expresa como:

Z j +1
e
YY , jl

= E0

Zj

Donde :

ik 0 Z '

1 1 nz X l +1

dz
e d cos( ( x x ))dx
0 n +

Xl

Z j Z j +1

3.39

X l X l +1

La contribucin de un prisma para la regin -< W < x1 y zj< D < zj+1 se puede expresar,
al tener en cuenta la ecuacin (3.23), como:
Z j +1
e
GYY
, jl = E 0

Zj

1 1 nz
'
sin( ( x x' ))
e ik0 Z dz
e ( )
d

n
+

3.40

85

La ecuacin (3.40) se puede escribir con una expresin muy similar a la de la ecuacin
(3.28), siguiendo un procedimiento parecido y teniendo en cuenta la ecuacin (3.27).

e
GYY
, jl =

E0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j
2
4k 0
E
02
k 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
d
e

(n + ik 0 )

3.41

e
De igual forma, para un prisma para el rango xl < x< xl+1 zj < z < zj+1 la expresin de GYY
, jl
se puede escribir, a partir de la ecuacin (3.39) y al tomar en cuenta las ecuaciones (3.27) y
(3.31), como:

e
GYY
, jl =

E0
2
k0

sen( ( x xl ))
n ( n + ik0 ) Z j 1
( n + ik 0 ) Z j sen( ( x x l + 1 ))
(e
)
e

3.42

n + ik 0

e
Por ltimo, para un prisma con xn-1 < W < zj < D < zj+1, la expresin para GYY
, jl se
escribe como:

e
GYY
, jl =

E 0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e 0 j +
e
2
4k 0
E
+ 02
k 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x n 1 ))
e
e
d

(n + ik 0 )

3.43

Entonces, la expresin final para el campo elctrico secundario expresado por la ecuacin
(2.91) se puede expresar de la siguiente manera:
M

eYY = e YY
jl +
j =1 l =1

M N
E0
E0
e
= k 2jl GYY
, jl +
2
2
j =1 l =1

3.44

e
Donde GYY
, jl es calculada por las ecuaciones (3.41),(3.42) y (3.43).

86

El campo magntico secundario, para el modo de propagacin TE, se puede expresar en


una forma similar al campo elctrico, es decir:
2
M
h YX
jl = k jl GYX , jl

3.45

M
La expresin de GYX
, jl se obtiene de la ecuacin (2.93); es decir:

M
YX , jl

Z j +1

E0
=
i 0

Donde :

Zj

X l +1
1

'
e ik 0 Z dz
e nz d dx cos( ( x x ))
0 n+

Xl

Z j Z j +1

3.45

X l X l +1

Como se ha estudiado para cada uno de los casos anteriores se deben considerar tres
prismas, como los mostrados en la figura (3.8). La contribucin de un prisma con anchura
W comprendida en -< W < x1 y espesor D en el rango zj < D < zj+1 se puede expresar,
al tener en cuenta la ecuacin (3.23), como:

M
YX , jl

E0
=
ik 02 0

Z j +1

Zj

1 nz
'
sin( ( x x1 ))
e ik0 Z dz
e ( )
d


0 n +

3.46

Al trabajar con la ecuacin (3.46), la expresin final para dicho prisma queda como:

M
YX , jl

E0
=
ik 02 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
e
e
sin( ( x x1 ))d
(n + ik 0 )

3.47

Para un prisma interior como el de la figura (3.8.b), con dimensiones xl < W< xl+1 y
M
espesor zj < D< zj+1 , la expresin de GYX
, jl queda, al considerar la ecuacin (3.31), como:
M
YX , jl

E0
=
ik 02 0

n + ik
0

(e

( n + ik 0 ) Z j +1

( n + ik 0 ) Z j

)(sen( ( x x

l +1

)) sen( ( x xl )) )d

3.48
Por ltimo, un prisma como el de la figura (3.8.c) con X N-1 < W < y espesor
Zj < D < Z j+1 , su contribucin se expresa como:
M
GYX
, jl =

E0
ik 02 0

n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
e
e
sin( ( x x n 1 ))d
(n + ik 0 )

3.49

87

El campo magntico secundario se puede expresar en una ecuacin similar al campo


elctrico secundario, de tal manera que:
M

2
M
hYX = h YX
jl = k jl GYX , jl
j =1 l =1

3.50

j =1 l =1

M
La funcin GYX
, jl se determina de las ecuaciones (3.47), (3.48) y (3.49).

3.3.3

RESPUESTA DE UNA TIERRA 2-D

Las ecuaciones para el clculo de la resistividad aparente y el ngulo de fase no difieren en


cuanto a su expresin conceptual a las discutidas anteriormente para la Tierra estratificada
y el contacto vertical. La impedancia Z XY para el modo TM se expresa como:
M

e + E0
=
Z XY = XX
H0

j =1 l =1

XX
jl

+ 1.5E 0
=

H0

k
j =1 l =1

2
jl

e
G XX
, jl + 1.5 E 0

3.51

H0

Las expresiones para la resistividad aparente y ngulo de fase simplemente se expresan


como:
XY =
XY

1
*
Z XY Z XY

3.52

Im( Z XY )

= tan
Re( Z XY )

Para el modo de propagacin TE expresiones similares se pueden encontrar, es decir:


M

Z YX =

eYY + E 0
=
hYX H 0

e YYjl + 1.5E0
j =1 l =1
M

h
j =1 l =1

YX
jl

H0

k
j =1 l =1
M

2
jl

e
GYY
, jl + 1.5 E 0

3.53

k
j =1 l =1

2
jl

M
YX , jl

H0

88

Las expresiones para la resistividad aparente y fase se expresan como:


YX =
YX

1
*
Z YX Z YX

3.54

Im(Z YX )

= tan
Re( Z YX )
1

En las expresiones de arriba el campo magntico primario es H 0 =

E0 k 0

Para conocer la calidad de la respuesta modelada con el algoritmo propuesto, la respuesta,


para los sitios 1 y 2 del modelo mostrado en la figura (3.9), se muestra en las figuras (3.10)
y (3.11) respectivamente. Las respuestas modeladas se comparan con la respuesta
encontrada con el programa Geotools .
La conductividad de fondo es de 1/112 Simens/m y como se puede observar en las figuras
(3.10) y (3.11) problemas similares a las encontradas en las respuestas modeladas para el
medio estratificado y contacto vertical vuelven a ocurrir. Para el presente caso, el
comportamiento general de la respuesta se reproduce con bastante aproximacin y las
mismas preguntas hechas anteriormente son tambin vlidas Es posible mejorar la
respuesta obtenida con la aproximacin de Born?. La respuesta a dicha pregunta se
responder ms adelante.
3.4 LA APROXIMACION DE BORN EMPLEANDO
VARIABLE DEL MEDIO DE REFERENCIA
3.4.1

CONDUCTIVIDAD

EL PROBLEMA DE LA CONDUCTIVIDAD DEL MEDIO HOMOGENEO

La aplicacin de la aproximacin de Born necesita una conductividad de fondo o referencia


( 0 ) que sirva de referencia para determinar los diferentes contrastes de conductividades
de los cuerpos heterogneos. Si se considera un medio como el mostrado en la figura ( 2.1)
es claro cul es la conductividad de fondo, sin embargo, para el problema del medio
estratificado o del contacto vertical no es claro el cmo seleccionar 0 . Como se discuti
en la seccin (3.2.1), la respuesta para el medio estratificado depende de la conductividad
de fondo seleccionada (figura 3.3). Para el contacto vertical la respuesta variar de acuerdo
a la 0 seleccionada (figuras 3.5 y 3.6), de igual forma como ocurre con el medio
estratificado
El problema de la exactitud en la aproximacin de Born es funcin del nmero de trminos
que se tomen de la expansin. En principio si la serie es convergente, al emplear un mayor
nmero de trminos de la expansin el error disminuye. Sin embargo, ms all de una
aproximacin de segundo orden el clculo de los trminos llega a ser complicado y tedioso.
Para sobrellevar este problema diferentes tcnicas alternativas han sido desarrolladas como

89

SITIO 1

SITIO 2

= 150 ohm-m
h= 600 m
= 200 ohm-m
h= 600 m
= 100 Ohm-m
= 130 ohm-m
h= 800 m

=70 ohm-m.

Figura 3.9 Medio estratificado de 4 capas y contacto. La respuesta de MT


se encuentra por la aproximacin de Born. El sitio 1 est a -400 m.
y el sitio 2 a + 400 m.

90

120.00

RHO APARENTE

100.00

MODO TE

80.00
MODO TM

GEOTOOLS

60.00
RHO = 112 Ohms-m.

40.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.10

Respuesta Magnetotelrica para el modelo de la figura 3.9


para el sitio 1. La respuesta modelada con la aproximacin de
Born es bastante aceptable.

91

180.00

RHO APARENTE

160.00

MODO TM

140.00

GEOTOOLS

120.00

RHO = 112 Ohms-m.


MODO TE

100.00

80.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.11

Respuesta Magnetotelrica para el sitio 2 del modelo de la


figura 3.9. La respuesta modela con la aproximacin de
Born reproduce la forma esperada, aunque presenta una
Mayor discrepancia con la respuesta de Geotools .

92

la Aproximacin de Born Extendida (EBA) (Habbashy et al, 1993 y Torres-Verdn y


Habashy, 1994) o Aproximacin Cuasi lineal (QLA) propuesta por Zhadov y Fang ( 1996).
Para comprender mejor las ideas del mtodo EBA se parte de la ecuacin (2.44) y teniendo
en cuenta que k 2 = k 2 k 02 , la ecuacin de onda se puede volver a escribir en la forma
r r
r r
r r r
xxe (r ) k 02 e (r ) = k 2 (r ) E (r )

3.55

La solucin a la ecuacin (3.55) tiene una expresin similar a la encontrada en la ecuacin


(2.58), es decir:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E (r ' )dV '

3.56

r r
r r r r
En las ecuaciones (3.55) y (3.56) E (r ) = E0 (r ) + e (r ) , es decir que representa el campo
elctrico total. Para el caso de la aproximacin de Born de primer orden, el campo total se
sustituye simplemente por el campo primario.
En la propuesta de Torres-Verdn y Habashy se define que el campo elctrico total est
r
relacionado al campo primario por un tensor T (r ) de dispersin (Scattering Tensor), es
decir
r r
r r r
E (r ) = T (r ) E 0 (r )

3.57

Por otro lado, el campo elctrico total se puede expresar, al considerar la ecuacin (3.56), y
calculado para un punto j-simo en la regin como:
r r r
r r
r
r r
E (r j ) = E 0 (r ) + E (r j ) k 2 Ge (r j , r ' ) dV '

3.58

Despejando para el campo total de la ecuacin (3.58) y al sustituir el resultado en la


ecuacin (3.57) fcilmente se demuestra que el tensor de dispersin se expresa como:
1

r r r

r
T (r ) = I k 2 Ge (r j , r ' ) dV
3.59
V

Dado entonces el modelo se determina el tensor de dispersin por la ecuacin (3.59) que a
su vez se emplea para determinar el campo elctrico total (ecuacin (3.57)). El resultado
para el campo total se sustituye en la ecuacin (3.56) y as se determina el campo elctrico
secundario.

93

En el mtodo QLA es muy similar al mtodo EBA y se puede considerar como una
continuacin de este ltimo.
Zhadov y Fang parten de la propuesta que el campo elctrico secundario se puede expresar
como:
r r
r r r
e (r ) (r ) E 0 (r )
Donde es el tensor de reflectividad elctrica

3.60

Si la ecuacin (3.60) se sustituye en la ecuacin (3.56), entonces el campo secundario se


expresa como:
r r r
r r
r r r
eQL (r ) k 2 Ge (r , r ' ) (I (r ) )E 0 (r ' )dV '

3.61

Donde I es el Tensor Identidad.


r
El tensor (r ) es determinado por un proceso de mnimos cuadrados de la funcional
r r r
r r r
r r r
(r j ) E 0 (r j ) k 2 Ge (r j , r ' ) (I (r ) )E 0 (r ' )dV ' = ( ) = min

3.62

Las tcnicas QLA y EBA que se han discutido son modificaciones de la tcnica original de
la aproximacin de Born en que el medio de referencia o de fondo permanece homogneo.
Sin embargo, otra alternativa es la que se plante en la seccin (2.4.2.2) en que la tcnica
perturbativa de Born se aplica a la funcin de Green en vez de la ecuacin diferencial que
satisface el campo, como son las tcnicas anteriormente tratadas.
Esta idea ha sido poco discutida en la literatura cientfica, aunque Habashy, et al (1993) y
Chew (1995) discuten una idea similar que ellos denominan Mtodo de Born Iterativo
Distorsionado (DBIM). La tcnica DBIM, originalmente propuesta para problemas de
inversin, en ocasiones no converge en forma rpida para el caso de las altas frecuencias y
objetos de grandes dimensiones (Habashy et al 1993).
En el presente trabajo se plantea la tcnica Aproximacin de Born empleando
conductividad variable de fondo (ABCV), la cual se puede considerar como una extensin
de la tcnica DBIM. La idea principal para desarrollar ABCV se fundamenta en aproximar
la funcin de Green para un medio complejo, por una aproximacin de Born de orden cero.
Entonces, la conductividad de fondo 0 es un parmetro que se selecciona, de acuerdo al
punto de observacin y frecuencia de trabajo.
Los ejemplos mostrados en las figuras (3.3) (3.4), 3.5), (3.6) y (3.11) muestran que una
conductividad de fondo constante no permite una respuesta aceptable. Si para el ejemplo
del medio estratificado (figura (3.2)) se permite que la conductividad de fondo vare, el
ajuste que se obtiene entre la curva modelada y la terica es bastante aceptable y slo para
94

240.00

200.00

EXACTA

RHO APARENTE

RHO DE FONDO
VARIABLE

160.00

120.00

80.00

40.00
1.00E+4 1.00E+3 1.00E+2 1.00E+1 1.00E+0 1.00E-1

1.00E-2

1.00E-3

FRECUENCIA
Figura 3.12 Respuesta de MT para el medio estratificado de la figura 3.2
permitiendo que la resistividad de fondo sea variable. El mximo
error es del 10% en el rango de frecuencia donde se manifiesta
el segundo estrato.

95

el rango donde se manifiesta el segundo estrato hay una discrepancia mayor, como se puede
observar en la figura (3.12).
De igual forma, para el caso del contacto vertical, si se permite que la conductividad de
fondo vare, para los mismos centros de sondeos presentados en la figura (3.4), se obtiene
que la respuesta obtenida se ajusta bastante bien a la calculada con el paquete Geotools
que se considera la respuesta correcta (figuras 3.13.a y 3.13.b).

3.4.2

FUNDAMENTOS DE LA APROXIMACION DE BORN EMPLEANDO


CONDUCTIVIDAD VARIABLE

Para entender las bases del porqu se puede proponer que la conductividad de referencia
sea un parmetro variable en la aproximacin de Born, es necesario analizar la respuesta
electromagntica bajo diferentes situaciones.
En el caso del mtodo magnetotelrico es interesante analizar la respuesta electromagntica
del contacto vertical (figura 3.4). El campo elctrico secundario en el modo de propagacin
TM, est dado por la ecuacin (3.16), que por comodidad se vuelve a escribir.
e XX

k12 + k 22 k 22 k12
=

4k 02
k 02

n sen(x)
1
E0
d
+

0 n + ik 0
2

3.16

El campo total sera E XX = e XX + E 0 . Si en la ecuacin (3.16) se propone que x -, el


campo secundario e XX 0 para que se satisfaga la condicin de radiacin y el campo
elctrico total tiende al campo primario que se desplaza en un medio homogneo de
conductividad constante 1 (figura (3.4)). Al sustituir estas condiciones en la ecuacin
(3.16) se puede expresar, de acuerdo a Hsu (1973) que:
sen(x)
= ( )
x

lim

3.63

Al sustituir la ecuacin (3.63) en la ecuacin (3.16), el campo elctrico secundario se


expresa como:

e XX

k12 + k 22 k 22 k12
=
+
4k 02
k 02

n
1
E0
(
)
d

+
0 n + ik 0
2

3.64

Al resolver para la integral se obtiene el resultado:

2 k 02
n
1 ik 0 1

)
d

=
0 n + ik 0
0 2 k 2 + ik ( )d = 2 2ik 0 = 4
0
0

3.65

96

140.00
GEOTOOLS

MODO TM

RHO VARIABLE

RHO APARENTE

120.00

100.00

80.00
MODO TE

60.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.13.a Respuesta de MT para el modelo de la figura 3.4 cuando
se deja variar la resistividad de fondo. El centro de sondeo
se encuentra 700 m del contacto del lado resistivo.

97

70.00
GEOTOOLS

RHO=VARIABLE

MODO TE

RHO APARENTE

60.00

50.00
MODO TM

40.00

30.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.13.B Respuesta de MT del modelo de la figura 3.4 cuando se
permite que la resistividad de fondo sea variable. El centro
de sondeo se encuentra a 700 m del contacto del lado
conductor.

98

Al sustituir la ecuacin (3.65) en la ecuacin (3.64), se obtiene una expresin para el


campo elctrico secundario valuada en x = -, al expresar k12 , k 22 , k 02 en funcin de las
conductividades 1,2,0, frecuencia angular y permeabilidad magntica 0:
+ 2 2 1 1

1
+
+ E0 = 1 + E 0
e XX () = 1
2
4 0
4 0
2 0 2

3.66

De acuerdo a la ecuacin (3.66), el campo elctrico secundario en el infinito no es igual con


cero, lo que viola la condicin de radiacin y la nica manera de satisfacerla es permitir que
0 1 . De igual forma, si ahora se permite que x + y siguiendo un razonamiento
similar al anterior se obtendra que el campo elctrico secundario se expresa, finalmente,
como:

1
e XX () = 2 + E 0
2 0 2

3.67

Para cumplir con la condicin de radiacin se debe permitir que 0 2 . De acuerdo al


anlisis de las ecuaciones (3.66) y (3.67), la conductividad de fondo debe variar, de acuerdo
a la posicin x, para obtener una respuesta que este ms acorde a la realidad de la respuesta
que se espera para dicha estructura.
Analizaremos ahora la respuesta del contacto vertical cuando la posicin x se mantiene
invariable, pero la frecuencia se le permite variar. Supongamos, para nuestro anlisis, que
la posicin x est en el medio de conductividad 1 y la frecuencia f . Para este caso, el
campo elctrico total tendera al campo elctrico primario que se desplaza en un medio
homogneo de conductividad 1, ya que la frecuencia es tan alta que no logra inducir
corrientes de conduccin en el medio de conductividad 2. Esto implica que no se tenga un
campo elctrico secundario. Al tomar en cuenta estas consideraciones y recordando que si
f 0, parte del integrando de la ecuacin (3.16) se puede expresar como:
2

2i
2

k
2i
n
1
= lim
= lim
= lim
=
2
2
0 n + ik
0
k 0 + ik 0 0 2 2i + 2i 0 2 2i 2
0
2
2
2

lim

2
0

3.68

Al sustituir la ecuacin (3.68) en el integrando de la ecuacin (3.62) se obtiene que:


+

n sen(x)
1 sen(x)
11 1
0 n + ik 0 d = 2 0 d = 2 2 = 4

3.69

99

Al sustituir la ecuacin (3.69) en la ecuacin (3.16) se obtiene, para el campo elctrico


secundario, una expresin similar a la ecuacin (3.66) y para obtener una respuesta
semejante a la que se espera para dicha estructura, bajo las condiciones impuestas, la
conductividad de fondo debera ser 0 = 1.
De acuerdo al anlisis realizado se deduce que la conductividad de fondo es funcin tanto
de la posicin como de la frecuencia de trabajo, es decir que 0 = 0 ( x, f ) .Si esta nueva
definicin para la conductividad de fondo se sustituye en la ecuacin de Helmholtz se
tendra, de lo discutido en la seccin (2.4.2.2).
r r
r r r
r r r
xxe (r ) k 2 (r )e (r ) = k 2 (r ) E0 (r )
r
r
r
r
xxGe k 02 ( p, f )Ge = I (r r ' )

3.70.a
3.70.b

r
r
r
En la ecuacin (3.70.b) la constante de propagacin k 02 ( p, f ) = i 0 0 ( p, f ) , p es el
vector de posicin del punto donde se desea determinar el campo elctrico y no se ha
r
empleado r , pues esta variable se ha reservado para la ecuacin de Helmholtz.
r
La idea que subyace en la solucin de la ecuacin (3.71.b) es que k 02 ( p, f ) debe
permanecer fijo en la solucin de las ecuaciones (3.70.a) y (3.70.b), sin embargo, el medio
homogneo se puede seleccionar libremente y de la manera ms conveniente. Entonces
dado el punto del espacio y la frecuencia de trabajo para la que se desea determinar el
r
campo, se define el valor de la constante de propagacin k 02 ( p, f ) . Esto implica que cada
vez que se especifica la posicin y la frecuencia es volver a resolver la ecuacin diferencial
(3.70.b).
Esta propuesta de una conductividad variable mejora la solucin de la ecuacin (3.70.a), sin
embargo, se tiene lmites de aplicacin debido a que slo se est empleando una
aproximacin de Born de orden cero en la funcin de Green. Esto ltimo deja abierto
nuevas lneas de investigacin, ya que la propuesta se puede extender a emplear una
aproximacin de Born de orden uno o proponer un esquema similar al QLA o EBA.

100

3.5 RESPUESTAS DE ESTRUCTURAS GEOLOGICAS BAJO LA CONDICION


DE UNA CONDUCTIVIDAD VARIABLE
3.5.1

TIERRA 1-D

Un medio estratificado es el ejemplo ms sencillo de un modelo 1-D y donde la


conductividad vara con la profundidad. En la seccin (3.2.1) se discuti su deduccin, de
acuerdo a la aproximacin de Born. En la presente seccin se estudiar los alcances de la
propuesta de conductividad variable, bajo la condicin de una aproximacin de Born de
orden cero para la funcin de Green.
Para tal fin, se propone un modelo de dos capas (figura (3.14)) en donde el contraste de
conductividad se hace variar de conductor a resistivo y viceversa con el propsito de
analizar el error que se produce con la tcnica propuesta y de esta manera obtener criterios
de aplicabilidad de la misma.
Sin embargo, un problema que est sin resolver es la manera de cmo estimar la
conductividad de fondo, que para el caso de la Tierra estratificada es slo funcin de la
frecuencia de trabajo, es decir 0 ( f ) . Se puede suponer que dada una frecuencia de trabajo
existe una regin que mayormente contribuye con la respuesta electromagntica, entonces
0 ( f ) se define como la conductividad promedio en dicha regin:
c

z
1
0( f ) =
( z )dz
c z ( f ) 0

3.71

Donde Cz es una constante que se determina por ensayo y error.


Del anlisis de la conductividad aparente y de la ecuacin de Niblett-Wittgenstein (GmezTrevio,1996a) se define que la conductividad aparente es igual con la conductividad
promedio hasta una profundidad de Bostick, es decir

a( f ) =

1
( z )dz
D( f ) 0

3.72

Si en las ecuaciones (3.71) y (3.72) ( f ) = D( f ) y Cz=1, entonces se concluye que la


conductividad de fondo es igual a la conductividad aparente, es decir
0( f ) =a( f )

3.73

101

h = 100 m.

Figura 3.14 Modelo de dos capas empleado para estudiar el error cometido
al emplear la aproximacin de Born. Para medio resistivo-conductor
la conductividad de la primera capa se mantiene = 0.01 siemens/m y
la de la segunda capa se hace variar. Para el caso conductor-resistivo
la conductividad de la segunda capa se mantiene = 0.01 siemens/m

102

En la ecuacin (3.72), D(f)), la profundidad de Bostick, est definida como:

1
D( f ) =
2 0 a f

3.74

La conductividad de fondo se puede determinar por la ecuacin (3.71), sin embargo, si se


emplea la ecuacin (3.73), el problema es conocer la conductividad aparente, que en la
solucin del problema directo es exactamente lo que se desea determinar. Para resolver el
problema se puede emplear un esquema iterativo de punto fijo, es decir existe una funcional
F tal que
r
r
r
r
r
a ( f ) = F ( 0 ( f )) h( 0 ( f )) = a ( f ) F ( 0 ( f )) = 0

3.75

Dada la ecuacin (3.75), entonces se puede definir una funcional g tal que:
r
r
0 ( f ) = g ( 0 ( f ))

3.76

Partiendo del hecho de que las ecuaciones (3.75) y (3.76) son equivalentes, se sigue que
cualquier solucin de la ecuacin original (3.75) es un punto fijo de la funcional g
(Buchanan y Turner,1992); esto significa que ste es un punto que permanece invariable
cuando se aplica la funcional g.
El esquema es muy simple de implantar, dado un valor inicial se genera una secuencia de
estimaciones del punto fijo mediante la solucin de la ecuacin (3.76), es decir
r
r
0n +1 ( f ) = g ( 0n ( f ))

n = 0,1,2,...

3.77

Para que el esquema propuesto por la ecuacin (3.77) de resultado, debe existir un lmite.
La secuencia presenta una convergencia en el sentido de Cauchy, sin embargo, para que la
solucin de punto fijo sea nica la convergencia de Cauchy tiende a un lmite de
convergencia. Esto es lo que se conoce como un espacio mtrico completo y es
indispensable que as sea para que el procedimiento de punto fijo converja, de acuerdo al
Teorema de punto fijo (Jerri, 1985).
Para mostrar la bondad de la tcnica propuesta, en la figura (3.16) se muestra la grfica de
la diferencia de la conductividad expresada en por ciento contra error en por ciento de la
diferencia mxima para un medio resistivo-conductor. La diferencia mxima est definida
en la figura (3.15) y sta ocurre cuando en la curva de resistividades aparente el efecto de la
segunda capa se hace presente. De igual forma, en la figura (3.18) se muestra la grfica de
error para un medio conductor-resistivo; la diferencia mxima est definida, en forma
similar al caso anterior en la figura (3.17).

103

120.00

RHO APARENTE

100.00

Curva Exacta
Curva con la Aproximacin de Born

80.00

60.00

40.00
1.0E+4

1.0E+3

1.0E+2

1.0E+1

1.0E+0

1.0E-1

1.0E-2

1.0E-3

FRECUENCIA
Figura 3.15 Muestra la definicin de la diferencia Mxima en por ciento
para mostrar la bondad de la aproximaxin de Born para un
medio de dos capas resistivo-conductor.

104

10000.00

Error en % de la diferencia Mxima

1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

0.01
0.00

20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

Diferencia de conductividades en %
Figura 3.16 Grfica del error para un medio resistivo-conductor al variar
el contraste de conductividades entre los estratos. La respuesta
es calculada empleando ABCV.

105

100.00

80.00

RHO APARENTE

Curva Exacta

Curva con la Aproximacin de Born

60.00

40.00

20.00
1.0E+4

1.0E+3

1.0E+2

1.0E+1

1.0E+0

1.0E-1

1.0E-2

1.0E-3

FRECUENCIA
Figura 3.17 Muestra la definicin de la diferencia Mxima en por ciento
para mostrar la bondad de la aproximacin de Born para un
medio de dos capas conductor-resistivo

106

Error en % de la Diferencia Mxima

100.00

10.00

1.00

0.10

0.01
0.00

20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

Diferencia de Conductividades en %

Figura 3.18 Grfica del error para un medio conductor-resistivo al variar


el constraste de conductividades entre los estratos y la respuesta
se calcula empleando ABCV.

107

Lo que se observa del anlisis de las figuras (3.16) y (3.18) es que la tcnica propuesta de
aproximacin de Born con conductividades variables (ABCV) es ms sensible cuando se
presenta un cambio en la conductividad de un medio resistivo a conductor, sin embargo, un
cambio del 70% en la conductividad producir un error del orden del 10%.
La tcnica ABCV muestra un mejor comportamiento del error cuando un medio conductorresistivo est involucrado, pues un cambio del 100% en la conductividad apenas muestra un
error del orden del 20%; esto significa que contrastes ms fuertes en la conductividad puede
ser empleados y obtener resultados aceptables.

3.5.2

TIERRA 2-D

r
La conductividad de fondo 0 (r , f ) es funcin de las coordenadas espaciales y de la
frecuencia de trabajo. De igual forma que se hizo para una Tierra 1-D, existe una regin
c x ( f ) xc z ( f ) que define una regin del espacio [x, z ] que mayormente contribuye con la
respuesta electromagntica. Basado en estas consideraciones la conductividad de fondo se
puede definir como:

1
0 ( x, f ) =
S
Donde : S =

c z ( f )

x + c x ( f )

x c x ( f )

( x' , z ' )dx' dz'

c z ( f )

x + c x ( f )

x c x ( f )

3.78

dx' dz'

Tambin, la conductividad de fondo se puede determinar como el valor promedio de la raz


cuadrada del inverso de la funcin de conductividad, como queda expresado por la
ecuacin (3.79).

1
1
=
0 ( x, f ) =
0 ( x, f ) S
Donde : S =

c z ( f )

x + c x ( f )

x c x ( f )

c z ( f )

x + c x ( f )

x c x ( f )

1
dx' dz '
( x' , z ' )

3.79

dx' dz '

En ambas ecuaciones (3.78) y (3.79) (f ) es la skin-depth; c x y c z son constantes que se


determinan por ensayo y error.

108

El empleo de alguna de las dos ecuaciones para determinar la conductividad del medio de
referencia (conductividad de fondo) depende de las caractersticas del problema. Para
problemas donde el punto de observacin presenta caractersticas ms resistivas con
respecto al medio que le rodea, la ecuacin (3.79) proporciona mejores resultados; para el
caso contrario, la ecuacin (3.78) es una mejor seleccin.
Las ecuaciones (3.78) y (3.79) implican que las conductividades verdaderas del medio
heterogneo son conocidas, sin embargo, la conductividad de fondo se puede determinar,
tambin, a partir de la ecuacin discutida por Torres-Verdn (1992) que expresada para la
conductividad se escribe como:
ln 0 = ln a ( x, f )

3.80

En la ecuacin (3.80) la conductividad de fondo es el valor promedio de las resistividades


aparentes observadas. Locke y Barker (1996) discuten un esquema similar a la ecuacin
(3.80) para determinar la conductividad inicial e invertir datos de resistividad aparente en
mtodos de corriente.
Para el caso del mtodo propuesto, ABCV, la conductividad de fondo se puede determinar,
a partir de la ecuacin (3.80), como el valor promedio de las conductividades aparente
contenidas en la regin [x, f ] que principalmente contribuye a la respuesta de MT.
Sin embargo, al encontrar 0 como el valor promedio de las conductividades aparentes
implica que se deben conocer dichos valores, pero es exactamente estos valores los que se
desean encontrar. El problema se resuelve en forma similar al mtodo propuesto para la
Tierra 1-D en donde se emplea un esquema iterativo de punto fijo.
Para mostrar la bondad de la propuesta de conductividad variable de fondo, en la
figura(3.19) se muestra la grfica, para un medio resistivo, de la diferencia de la
conductividad en por ciento contra diferencia mxima relativa en por ciento, definida con
respecto a la curva calculada con Geotools.
El modelo empleado es un contacto vertical con centro de sondeo en x = 100 m. La
grfica del error muestra un porcentaje de error de un 40 %, por ejemplo, para un cambio
del 90 % en las conductividades; sin embargo, este resultado es ambiguo porque si
comparamos las grficas de resistividad aparente correspondientes para dichos valores
(figura 3.20), la discrepancia es tal que no se puede considerar una respuesta aceptable la
del mtodo ABCV. En general, para un cambio del orden del 80 % en las conductividades,
existe un error mximo del orden del 30 % y las discrepancias entre la curva modelada con
ABCV y la calculada con el paquete Geotools son aceptables.
Para el caso en que el centro de sondeo se encuentren en la parte conductora (x = 100 m),
el comportamiento de la curva de error es muy parecida en los porcentajes de error a la
obtenida para el caso resistivo (figura 3.21). Un cambio del 80% en las conductividades

109

conduce a un error relativo mximo del orden del 20 %, sin embargo, un cambio en las
conductividades del orden del 90 % la curva modelada es incorrecta.
De acuerdo a lo discutido en los prrafos anteriores se pueden modelar cambios laterales en
la conductividad del orden del 80% y obtener resultados aceptables con la tcnica propuesta
de Aproximacion de Born empleando conductividades de fondo variable (ABCV).

110

DIFERENCIA MAXIMA RELATIVA EN %

100.00

10.00

1.00

0.10
0.00

20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

DIFERENCIA EN CONDUCTIVIDAD EN %
Figura 3.19 Grfica del error para cambios laterales de conductividad.
El contraste entre las conductividades se va incrementando
para determinar el porcentaje de error. El centro de sondeo
se encuentra en el lado resistivo del contacto.

111

MODO TM

160.00

RHO APARENTE

120.00

Geotool

80.00

ABCV

40.00

MODO TE

0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 3.20

Cambio de un 90 % en las conductividades en la respuesta


del contacto vertical y centro de sondeo en el lado resistivo.
La curva de resistividades aparente se encuentra al aplicaar
la ecuacin (3.80) y tres iteraciones de punto fijo.

112

DIFERENCIA MAXIMA RELATIVA EN %

1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10
0.00

20.00

40.00

60.00

80.00

100.00

DIFERENCIA DE CONDUCTIVIDAD EN %

Figura 3.21 Grfica de error para cambios laterales de conductividad.


El centro de sondeo se encuentra en lado conductor a 100 m
del contacto.

113

CAPITULO 4

4.1

ALGORITMO NUMERICO DE LA RESPUESTA DE MT


EMPLEANDO ABCV

INTRODUCCION

En los captulos anteriores se ha discutido ampliamente la obtencin de la solucin de la


ecuacin de onda en un semiespacio heterogneo empleando el mtodo perturbativo de
Born. En especial se ha aplicado en la obtencin de la solucin de la funcin de Green
como una peturbacin de orden cero.
Una limitacin en el mtodo de Born, en su forma clsica, es que la variacin del parmetro
fsico con respecto al medio de referencia homogneo debe presentar variaciones
r
r
r
pequeas. Para nuestro caso significa que n[*]dS=nx[*]dS+nx[*]dS. Esta condicin ha motivado a buscar
diferentes alternativas que permitan incrementar el valor de y de esta manera poder
resolver problemas ms complejos.
2

S0

Siguiendo una clasificacin presentada por Chew (1995), el mtodo de Born


se puede dividir en dos categoras:
Mtodo de Born Iterativo ( Born iterative Method, BIM)
Mtodo de Born Iterativo distorsionado (Distorted Born Iterative Method,
DBIM)
En el mtodo de Born Iterativo (BIM) la funcin de Green permanece inalterable.
Habbashy et al (1993) y Torres Verdn y Habbashy (1994), basado en la tcnica BIM,
desarrollaron el mtodo por ellos denominados Aproximacin de Born Extendida
(Extended Born Aproximation, EBA) y Zhadov y Fang (1996) crearon la tcnica
Aproximacin Cuasi lineal (Quasi linear Aproximation, QLA).
En el mtodo de Born iterativo distorsionado (DBIM) se comienza, por ejemplo, con una
funcin de Green para un espacio homogneo. Entonces se itera para determinar una nueva
distribucin de las conductividades en la regin que permita actualizar la funcin de Green
para un espacio heterogneo y la cual se calcula numricamente.
En la tcnica ABCV, el principio bsico consiste en aplicar la aproximacin de Born a la
ecuacin de onda que satisface la funcin de Green. Esto implica que hay que buscar la
funcin de Green para el medio heterogneo y al aplicar el mtodo de Born se encuentra
una aproximacin a dicha funcin. Esto ltimo, deja libre la seleccin de la conductividad
de referencia.

114

La conductividad de referencia se selecciona en funcin de la frecuencia del trabajo y del


punto de observacin donde se desea determinar el campo electromagntico. Esto implica
que para cada frecuencia y punto de observacin hay que encontrar la aproximacin de la
funcin de Green del medio heterogneo.
La aplicacin de la aproximacin de Born en la modelacin ssmica, con un concepto
similar a la tcnica propuesta ABCV, se puede encontrar en Bleistein et al (2001).
En el captulo 3 se defini la ecuacin para encontrar la conductividad de fondo, sin
embargo, no se discuti el cmo determinar las constantes Cx y Cz. En el presente captulo
este problema ser abordado, as como otros problemas relacionados con el clculo
numrico de la respuesta de MT y por ltimo se presentarn las respuestas de modelos
sintticos y un ejemplo de campo para mostrar la bondad de la tcnica.
4.2 RESTRICCIONES

La restriccin ms fuerte es con respecto al mximo contraste de conductividades que se


puede emplear entre los prismas que forman el mallado del medio heterogneo (figura 3.7).
Se recomienda que la diferencia no sea mayor al 80%.
En el caso particular del medio estratificado se pueden emplear contrastes mayores a los
reportados en la seccin (3.51), sin alterar drsticamente la forma de la curva modelada. Sin
embargo, se recomienda una diferencia no mayor del 90%.
En segundo plano de importancia est el rango de frecuencia en que el algoritmo es
eficiente. El mtodo propuesto de aproximacin de Born con conductividades variables de
referencia se ha probado para un rango 0.0001 f 100000 Hertz que es el dominio
recomendable para usar.
El ancho de los prismas siempre es igual al espaciamiento entre centros de sondeos y los
centros se consideran en el punto medio del prisma. El espesor de los prismas es
arbitrariamente definido por el usuario por niveles como se muestra en la figura (3.7).
Para una mejor eficiencia en los clculos se sugiere que las frecuencias de trabajo estn en
orden descendente, de frecuencia alta a baja, distribuidas uniformemente por ciclo
logartmico.

115

4.3 DETERMINACION DE LAS CONSTANTES CX Y CZ

En teora, todo el espacio contribuye a la respuesta electromagntica, sin


embargo, para fines de clculo numrico es slo una regin finita la que
proporciona la mayor contribucin. Es esta regin la que define nuestro medio
de referencia para un punto y frecuencia dada. Para determinar los valores de
Cx y Cz se har en forma experimental comparando las respuestas calculadas
con la exacta.
Para el caso de la constante Cz se utilizar un medio estratificado como el mostrado en la
figura (4.1) y la skin depth es 2 0 , donde la conductividad es la de la primera capa.
En la figura (4.2) se muestra la respuesta para diferentes valores de Cz. Se observa que
conforme el valor de la constante aumenta la distorsin de la curva se acenta Esto sugiere
que la constante puede variar en el rango

1
2

].

La experiencia ha mostrado que

cuando se va de un medio resistivo a conductor, el valor de la constante est ms cerca del


valor inferior del rango. Para el caso contrario, cuando el cambio es de medio conductor a
resistivo, la constante est ms cerca de la frontera superior del rango. Sin embargo, una
buena seleccin para la mayora de los problemas es un valor de 1.0 para dicha constante.
Para determinar el valor de la constante Cx se emplear un procedimiento similar al anterior
en que el modelo propuesto es un contacto vertical como el de la figura (3.4). La respuesta
exacta se tomar como aquella calculada con el paquete comercial Geotools .
En la figura (4.3) se muestra la respuesta del contacto vertical para diferentes valores de la
constante. Se puede observar un comportamiento similar al caso anterior, es decir conforme
el valor de la constante aumenta la discrepancia entre la curva exacta y calculada se
incrementa. En general, el rango de variacin para la constante es similar que el anterior

2
1
,
2

] , sin embargo, un valor de 1.1 es aceptable para la mayora de los casos.

4.4 FILTRO DE PROMEDIACION

El filtro de promediacin se aplica para obtener una respuesta de cambios suave y en


principio se aplica exclusivamente a la funcin de conductividad de referencia o fondo. La
razn para su aplicacin puede ser debida a varias causas entre las que se pueden citar:

Determinacin de la conductividad de fondo que puede comportarse como una


funcin con cambios abruptos.

116

h = 500 m.

= 100 Ohm-m

= 50 Ohm-m

Figura 4.1 Modelo de dos capas empleado para estudiarr el efecto del
valor de Cz en el clculo de la respuesta en un medio estratificado
al aplicar la tcnica ABCV.

117

120.00
EXACTA
0.7071 VECES LA SKIN DEPTH
1.0 VECES LA SKIN DEPTH

100.00

1.5 VECES LA SKIN DEPTH

RHO APARENTE

2.0 VECES LA SKIN DEPTH

80.00

60.00

40.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

FRECUENCIA

Figura 4.2 Efecto de la seleccin de la constante en el clculo de la curva


El valor de la constante puede variar en el intervalo 0.7071 a 1
y obtener una resolucin aceptable en el clculo. El modelo es
el de la figura 4.1 y el valor de la conductividad empleada en la
skin depth es la de la primera capa.

118

140.00
EXACTA

0.7071 VECES LA SKIN DEPTH

120.00

1.0 VECES LA SKIN DEPTH

RHO APARENTE

MODO TM

100.00

80.00

1.2 VECES LA SKIN DEPTH

MODO TE

2.5 VECES LA SKIN DEPTH

60.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.3 Efecto de la seleccin de la constante Cx en el clculo de la curva


Un valor de 1.1 es adecuado para la mayora de los casos. El anlisis
se realiz sobre el lado resistivo del contacto a 700 m. del contacto.

Efecto del cuerpo sobre el punto de observacin. Por ejemplo, un estrato de cierto
espesor puede causar que una curva no presente un comportamiento suave, pero el
mismo modelo con un espesor mayor da como resultado una curva suave.

119

Errores de clculo o redondeo numrico.


El empleo del filtro de promediacin es opcional y la experiencia ha mostrado que un filtro
simtrico no mayor a 7 puntos es ms que suficiente en la mayora de los casos. Para
mostrar el efecto del filtro en el modelo de la figura (4.4) se muestra un medio estratificado
y su respuesta sin aplicar el filtro se presenta en la figura (4.5). En la regin donde se
enfatiza la segunda capa se observa un salto en la frecuencia de 20 Hz.. Al aplicar un filtro
de promediacin de 3 puntos se obtiene una curva de comportamiento suave como se
muestra en la figura (4.6).
El mismo modelo empleado en el anterior caso es utilizado slo que ahora el espesor de las
dos primeras capas se aumenta a 600 m La respuesta modelada presenta un
comportamiento suave sin necesidad de emplear el filtro de promediacin (figura 4.7).
La figura (4.8) muestra un modelo ms complejo. Este modelo ha sido tomado de Zhadov
y Fang (1996) cambiando sus dimensiones y valores de resistividad para que est acorde
con las condiciones impuestas por la tcnica ABCV. Como se puede observar en la figura (
4.9) el filtro de promediacin ha mejorado la respuesta al obtener una curva de
comportamiento suave.
Para mostrar cmo se modifica la funcin de conductividad, en la figura (4.10) se grafca
dicha funcin para el sitio de sondeo a 400 m. del contacto del modelo de la figura (4.8).
Como se puede observar, la funcin de conductividad determinada con la ecuacin (3.78)
presenta cambios muy abruptos y cuando se aplica el filtro de promediacin, la funcin de
conductividad se suaviza mejorando notablemente el clculo de la curva de resistividades
aparentes.
4.5

CALCULO DE LA CONDUCTIVIDAD DE REFERENCIA

En la seccin (3.5.2) se especificaron dos ecuaciones distintas para determinar la


conductividad de referencia o de fondo, ecuaciones (3.78) y (3.79). El empleo de una u otra
se justifica simplemente cuando hay un cambio fuerte de conductividades entre prismas
contiguos y la experiencia ha mostrado que si el centro de sondeo es ms resistivo con
respecto al medio que le rodea, la ecuacin (3.80) es mejor opcin. En el caso contrario la
ecuacin (3.78) proporciona mejores resultados. Cuando el contraste de conductividades
entre prismas contiguos no es mayor a un 20%, donde se encuentran los centros de sondeos,
ambas ecuaciones producen resultados similares.

120

= 30 ohm-m

= 100 ohm-m

= 200 m

= 400 m

= 20 ohm-m

Figura 4.4 Modelo estratificado de 3 capas empleado para mostrar la aplicacin


del filtro de promediacin.

121

50.00

EXACTA

SIN EMPLEAR FILTRO DE


PROMEDIACION

RHO APARENTE

40.00

30.00

20.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.5 Comparacin entre la curva exacta y la calculada con ABCV


Oscilaciones en la curva se puede presentar debido al clculo
numrico del mtodo.

122

50.00

EXACTA

CON FILTRO DE PROMEDIACION


DE 3 PUNTOS

RHO APARENTE

40.00

30.00

20.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 4.6 El filtro de promediacin produce una curva de cambios suave.
El filtro empleado es de tres puntos.

123

40.00
EXACTA

RHO APARENTE

36.00

Sin Filtro de promediacin

32.00

28.00

24.00

20.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 4.7 El mismo ejemplo de la figura 4.4 solo el espesor de las dos
primeras capas se ha cambiado a 600 m. En el clculo de
curva con ABCV no se ha empleado filtro de promediacin.

124

= 40 ohm-m

400 m
200 m
600 m
=20 ohm-m

=100 ohm-m

= 100 ohm-m

800 m

= 20 ohm-m

Figura 4.8 Modelo estratificado con una inclusin en la primera capa


El centro de sondeo se encuentra a 400 m del contacto de
100 ohms-m. El modelo se tom de Zhadov y Fang (1996).

125

50.00

RHO APARENTE

40.00

MODO TE

30.00

20.00

APLICACION DE UN FILTRO DE 7 PUNTOS


MODO TM
SIN FILTRAR

10.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.9 Comparacin entre una curva que no ha sido filtrada y cuando
ha sido filtrada. La aplicacin del filtro de promediacin produce
una curva de cambios suave mostrando claramente la ventaja de
dicho procedimiento. La curva modelada corresponde al modelo
de la Figura 4.8.

126

50.00
SIN APLICAR FILTRADO

RHO DE REFERENCIA

CON APLICACI0N DEL FILTRO


DE 7 PUNTOS

40.00

30.00

20.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 4.10 Funcin de la conductividad del medio de referencia para el
sondeo en x= 400 m del contacto del modelo de la figura 4.8.
Al suavizar la funcin de conductividad se obtiene una curva
de resistividad aparente suavizada. Cx = 1.2 y Cz = 1.0

El usuario del algoritmo es libre de seleccionar la ecuacin que calcula la conductividad de


referencia en cada sondeo. Para visualizar el efecto en la seleccin de alguna de las
127

ecuaciones se estudiar la respuesta del contacto vertical con resistividades de 100 y 20


Ohms-m (figura 3.4).
En las figuras (4.11.a) y (4.11.b) se puede observar el efecto que se tiene al emplear la
ecuacin (3.79). Si el centro de sondeo se encuentra en el lado resistivo, la respuesta de MT
es bastante aceptable cuando se compara con la respuesta de Geotools . Para el caso
cuando el sondeo se encuentra en el lado conductor, el empleo de la ecuacin (3.79)
proporciona una respuesta bastante pobre cuando se compara con la respuesta modelada
con Geotools .
El efecto de la ecuacin (3.78) se puede observar en las figuras (4.12.a) y (4.12.b). La
respuesta de MT, para el centro de sondeo en el lado resistivo, es pobremente modelada
cuando se compara con la respuesta de Geotools . Si el centro de sondeo se encuentra en
lado conductivo, la respuesta modelada es aceptable al compararla con la modelada con el
paquete Geotools.
Si el contraste de conductividades es del orden del 20% no hay gran diferencia en la
respuestas modeladas al emplear las ecuaciones (3.78) y (3.79). En las figuras (4.13.a) y
(4.13.b) se observa la respuesta calculada cuando el centro de sondeo est en el lado
resistivo y conductor, respectivamente.
Para el caso de un medio estratificado, en la gran mayora de los casos la ecuacin (3.78) es
la mejor opcin para modelar la respuesta de MT. Tambin, el empleo de la conductividad
aparente, como conductividad de referencia y emplear un esquema iterativo de punto fijo,
proporciona resultados adecuados.

4.6

PROCEDIMIENTOS ADICIONALES

El algoritmo de clculo tiene incorporado dos procedimientos alternos para determinar la


conductividad variable de fondo. El primer procedimiento emplea la ecuacin (3.80) que se
puede volver a escribir como:
i+m j = N

ln 0 =

ln
i m j =1

2M + N

aij

4.1

M = C x / L , L = distancia entre centro de sondeo y N es el nmero de las frecuencias


donde se desea determinar la conductividad de fondo. El ndice i indica el centro de sondeo
y el ndice j la frecuencia.

128

160.00
MODO TM

RHO APARENTE

120.00

80.00

GEOTOOLS

40.00

MODO TE

ABCV

0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA
Figura 4.11.a Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.79)
para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado resistivo.

129

40.00
GEOTOOLS

ABCV

30.00

RHO APARENTE

MODO TE

20.00

10.00

MODO TM

0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.11.b Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.79)


para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado conductor.

130

160.00
GEOTOOLS

ABCV

120.00

RHO APARENTE

MODO TM

80.00

40.00
MODO TE

0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.12.a Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.78)


para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado resistivo.

131

40.00
GEOTOOLS

ABCV
MODO TE

RHO APARENTE

30.00

20.00

10.00

MODO TM

0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.12.b Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.78)


para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado conductor.

132

108.00
ECUACION 3.79

ECUACION 3.78
MODO TM

RHO APARENTE

104.00

100.00

96.00

92.00

MODO TE

88.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.13.a Clculo de la respuesta de MT empleando ambas ecuaciones


para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado resistivo.

133

88.00
ECUACION 3.79

ECUACION 3.78
MODO TE

RHO APARENTE

84.00

80.00

76.00

MODO TM

72.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

FRECUENCIA

Figura 4.13.b Clculo de la respuesta de MT empleando ambas ecuaciones


para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado conductor.

134

El proceso se inicia con una conductividad de fondo inicial y posteriormente, se aplica una
tcnica de iteracin de punto fijo. El algoritmo converge a la conductividad de referencia
para el sitio de sondeo y frecuencia dada. El proceso no toma ms de tres iteraciones para
alcanzar un resultado aceptable, sin embargo, la discrepancia entre la curva calculada y la
exacta se incrementa en las bajas frecuencias. Este efecto no se observa al calcular la
conductividad de referencia inicial (ecuacin 3.78) y aplicar, si se necesita, el filtro de
promediacin.
Un segundo procedimiento es interpretar cada sondeo considerando un modelo 1-D y
aplicar una ecuacin similar a la ecuacin (4.1), en donde la conudctividad aparente se
sustituye por la conductividad interpretada bajo un modelo 1-D. Posteriormente, se aplica el
filtro de promediacin del inciso (4.2), si es necesario, para determinar la conductividad de
referencia que le corresponde al sitio de sondeo y frecuencia requerida. En general, este
procedimiento produce resultados semejantes a los obtenidos con el procedimiento
propuesto de conductividad inicial y aplicacin del filtro de promediacin. De igual forma,
de 2 a 3 iteraciones es ms que suficiente.

4.7

RESPUESTA DE MODELOS SINTETICOS

4.7.1

MEDIO ESTRATIFICADO

En la figura (4.14) se presenta un medio estratificado de cuatro capas. Este modelo presenta
cambios de conductividades o de resistividad en los lmites recomendados de eficiencia del
algoritmo propuesto, en especial entre la segunda y tercera capa.
En la figura (4.15.a) se presenta la curva de resistividad aparente calculada con ABCV
utilizando un filtro de promediacin de 5 puntos y la ecuacin (3.78) con Cz=0.85 y Cx=1.
La comparacin con la curva exacta es bastante aceptable y como era de esperarse la curva
modelada presenta una mayor discrepancia cuando el estrato de 20 Ohms-m se manifiesta.
La curva modelada con ABCV empleando las ecuaciones (3.73) y (3.77) con tres
iteraciones, proporciona resultados aceptables con un ligero incremento en la discrepancia
en la regin donde se est manifestando la segunda capa. Tambin, se ha calculado la
respuesta de MT con ABCV, empleando la conductividad aparente de la curva exacta como
conductividad de referencia y el comportamiento de la respuesta es muy parecida a la
encontrada con ABCV, cuando un proceso de iteracin de punto fijo fue aplicado.
La discrepancia mayor entre ambos procedimientos se presenta en la grfica de la
impedancia o ngulo de fase. En la figura (4.15.b) se presenta la grfica del ngulo de fase
calculado con los dos procedimientos y comparada contra la respuesta exacta. La mayor
discrepancia se observa en la curva calculada con la ecuacin (3.77) y a pesar de una
diferencia tan grande su efecto sobre la curva de resistividades aparentes no es de gran
consecuencia.

135

En la figura (4.15.c) se muestra la respuesta de MT para el mismo modelo de la figura


(4.14), sin embargo, se han invertido el valor de las resistividades a 50-200-20-100 ohm-m.
La discrepancia mayor se presenta en la frecuencia de 1 Hertz, que cuando se compara con
la respuesta exacta, se encuentra que las curvas calculadas con el procedimiento de emplear
la conductividad aparente como conductividad de referencia y combinado con un
procedimiento de iteracin de punto fijo, produce mayor error.
Como en el caso anterior, la mayor discrepancia se encuentra en la grfica de la
impedancia de fase (figura (4.15.d)), cuando se ha calculado empleando la conductividad
aparente como conductividad de referencia.
Como consecuencia de lo anteriormente expuesto, la modelacin de la respuesta de MT
para una Tierra estratificada, al emplear la conductividad aparente como conductividad de
referencia del medio, produce mayores errores en el clculo de la fase. Este ltimo hecho
podra tener consecuencia en un esquema de inversin, si el ngulo de fase fuese la funcin
objetivo.
Para el caso de la funcin de resistividad aparente, el efecto es de menor consecuencia y un
esquema de inversin basado en la resistividad aparente como funcin objetivo tendra
mayores oportunidades de xito.

136

= 100 ohms-m

= 20 ohms-m

= 200 ohms-m

= 500 m

= 1500 m

= 2000 m

= 50 ohms-m

Figura 4.14 Modelo estratificado de cuatro capas.

137

1000.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO

RHO APARENTE

ABCV DE REFERENCIA IGUAL 1/


DE LA CURVA EXACTA

100.00

10.00
1E+5

1E+4

1E+3

1E+2

1E+1

1E+0

1E-1

1E-2

1E-3

FRECUENCIA
Figura 4.15.a Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14
En las respuestas obtenidas con ABCV se emple
la ecuacin (3.78), con filtro de promediacin y
parmetros Cx = 1.0 y Cz = 0.85; la ecuacin (3.77)
con tres iteraciones de punto fijo.

138

90.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS

80.00

70.00

ANGULO DE FASE

60.00

50.00

40.00

30.00
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO

20.00

ABCV DE REFERENCIA IGUAL 1/


DE LA CURVA EXACTA

10.00

0.00
1E+5

1E+4

1E+3

1E+2

1E+1

1E+0

1E-1

1E-2

1E-3

FRECUENCIA
Figura 4.15.b Grfica del ngulo de fase. Comparacin entre la curva
exacta y las modeladas con ABCV para el modelo de la
figura 4.14

139

1000.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO

RHO APARENTE

ABCV DE REFERENCIA IGUAL 1/


DE LA CURVA EXACTA

100.00

10.00
1E+5

1E+4

1E+3

1E+2

1E+1

1E+0

1E-1

1E-2

1E-3

FRECUENCIA
Figura 4.15.c Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14 en donde
se han invertido las resistividades (50-200-20-100 ohm-m)
Las respuestas calculadas con ABCV satisfacen las mismas
condiciones empleadas en la figura 4.14.

140

90.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS

80.00

70.00

ANGULO DE FASE

60.00

50.00

40.00

30.00
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO

20.00

ABCV DE REFERENCIA IGUAL 1/


DE LA CURVA EXACTA

10.00

0.00
1E+5

1E+4

1E+3

1E+2

1E+1

1E+0

1E-1

1E-2

1E-3

FRECUENCIA
Figura 4.15.d Grfica del ngulo de fase del modelo de la figura 4.14 en
donde se han invertido las resistividades (50-200-20-100 ohm-m)
Las respuestas calculadas con ABCV satisfacen las mismas
condiciones empleadas en la figura 4.15.a.

141

4.7.2 CONTACTO VERTICAL

El modelo del contacto vertical se ha utilizado ampliamente en todo el desarrollo del


presente trabajo y ha permitido estudiar diferentes aspectos del mtodo propuesto de
aproximacin de Born con conductividades variables de referencia (ABCV).
En la presente seccin la respuesta del contacto vertical se estudiar en su modalidad de
perfilaje. El modelo empleado es el de la figura (3.4) con resistividades de 100 y 20
Ohms-m. La figura (4.16.a) muestra la grfica de resistividad aparente para la frecuencia
de 1 hertz. La respuesta modelada presenta el comportamiento esperado para este tipo de
estructura, con el cambio abrupto en el comportamiento de la resistividad aparente al cruzar
el contacto en x=0. En la figura (4.16.b) se presenta la grfica del ngulo de fase para la
misma frecuencia de trabajo. El comportamiento de la grfica es el esperado para este tipo
de estructura.
La respuesta del contacto vertical se model con las siguientes parmetros: Cx=1, Cz=1 y
sin empleo de filtro de promediacin. La conductividad de fondo, para los sondeos
localizados en la parte resistiva del contacto, se calcul con la ecuacin (3.79). De igual
forma, para los sondeos localizados en la parte conductiva se calcul con la ecuacin
(3.78).

4.7.3

DIQUE CONDUCTOR

La estructura del dique en un semiespacio es uno de los modelos comnmente empleado


para estudiar la calidad de la respuesta de las diferentes tcnicas empleadas en modelacin.
En la figura (4.17) se presenta el modelo de dique utilizado; las resistividades empleadas
estn de acuerdo a las restricciones impuestas por la tcnica de ABCV.
En la figura (4.18.a) se muestra la respuesta para la modalidad de perfilaje a dos
frecuencias de trabajo, 1.0 y 0.1 hertz, y modo TM de propagacin. El comportamiento de
la curva de resistividad aparente es el esperado para este tipo de estructura.
En la figura (4.18.b) se presenta, tambin, la respuesta para la modalidad de perfilaje y
mismas frecuencias para el modo de propagacin TE. De igual forma que en el caso
anterior, la respuesta modelada corresponde a la esperada a este tipo de estructura.
En las figuras (4.19.a) y (4.19.b) se presentan las curvas de resistividad aparente en la
modalidad de sondeo para los modos de propagacin TM y TE respectivamente.

142

RHO APARENTE

1000.00

100.00

10.00
-8000

-4000

4000

8000

DISTANCIA
Figura 4.16.a Respuesta de un contacto vertical modo TM. El contacto se
encuentra en X=0 con resistividades de 100 y 20 Ohms-m.
Parmetros Cx=1, Cz=1 y ecuaciones (3.78) para el lado
conductor y (3.79) para el lado resistivo.

143

ANGULO DE FASE

80.00

40.00

0.00
-8000

-4000

4000

8000

DISTANCIA
Figura 4.16.b Grfica del ngulo de Fase para el modelo del contacto
vertical (figura 4.16.a). Parmetros Cx=1 Cz=1, sin filtro
de promediacin y empleando las ecuaciones (3.78) para el
lado conductor y ecuacin (3.79) para el lado resistivo.

144

-4000

-2000

2000

4000

1000
= 100 ohms-m
= 20 ohms-m

2000

3000
Figura 4.17 Modelo de Dique coductor

145

160.00
10 HERTZ

0.1 HERTZ

RHO APARENTE

120.00

80.00

40.00

0.00
-4000

-3000

-2000

-1000

1000

2000

3000

4000

DISTANCIA
Figura 4.18a Respuesta del dique para el modo de propagacin TM para
dos frecuencia de trabajo. El modelo empleado se muestra en
la figura 4.17.

146

120.00

10 HERTZ

0.1 HERTZ

RHO APARENTE

100.00

80.00

60.00

40.00
-4000

-3000

-2000

-1000

1000

2000

3000

4000

DISTANCIA

Figura 4.18b Respuesta del dique para el modo de propagacin TE para


dos frecuencias de trabajo. El modelo empleado es el mostrado
en la figura 4.17.

147

160.00

Centro de Sondeo
-4000

MODO TM

-3000
-2000
-1000

120.00

RHO APARENTE

0.0

80.00

40.00

0.00
100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

0.00

FRECUENCIA
Figura 4.19.a Curvas de resistividad aparente para el dique de la figura 4.17
para el modo de propagacin TM. Parmetros Cx = 1, Cz = 1,
filtro de 5 puntos y conductividad de referencia calculada con
la ecuacin (3.78)

148

120.00

MODO TE

RHO APARENTE

100.00

80.00
CENTRO DE SONDEO
-4000
-3000

60.00

-2000
-1000
0.0

40.00
100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

0.00

FRECUENCIA
Figura 4.19.b Curvas deresistividad aparente para el dique de la figura 4.17
para el modo TE. Parmetros Cx = 1, Cz = 1, filtro de 5 puntos
y conductividad de referencia calculada con la ecuacin (3.78)

149

4.7.4

EFECTO DE UN ESTRATO SUPERFICIAL CONDUCTOR

Este modelo es un ejemplo muy ilustrativo de lo que sucede sobre la respuesta


magnetotelrica, cuando existe un estrato conductor delgado. Por ejemplo, si en un medio
estratificado existe un estrato, de anchura y espesor finitos, distorsiona de tal manera la
curva de resistividad aparente que cuando se interpreta dicha curva asumiendo un modelo
de Tierra 1-D, el resultado sera incorrecto. Ejemplo de dicho efecto se puede encontrar en
Ting y Hohmman (1981) o Park, et al (1983).
El modelo mostrado en la figura (4.20) se ha tomado del trabajo de Torres-verdn (1992),
quin lo utiliz para mostrar el efecto de un estrato superficial en la respuesta de MT y de
esta manera establecer un procedimiento de eliminacin o disminucin del efecto de dicho
estrato. Sin embargo, Torres-Verdn emple bipolos de diferente longitud y en la utilizacin
de la tcnica ABCV se asume que son dipolos los que observan el campo elctrico, por lo
tanto ambas respuestas sern ms semejantes cuando la longitud del bipolo tienda a cero.
En la presenta seccin la respuesta de la misma estructura se va a modelar con la tcnica de
aproximacin de Born empleando conductividades de referencia variable (ABCV). Las
conductividades se han tenido que adaptar acorde a las restricciones de ABCV. As se tiene
que la resistividad de 0.5 en el ejemplo de Torres-Verdn, en este ejemplo es de 5 Ohms-m;
de igual forma la de 1 se ha modificado a 7 Ohms-m. Se ha intentado dejar la misma
secuencia de valores conductor -menos conductor conductor, respetando las dimensiones
geomtricas de los cuerpos, de tal manera que se espera un comportamiento similar de las
curvas de resistividad aparente y de fase modeladas con ABCV con aquellas reportadas por
Torres-Verdn (1992).
En la figura (4.21.a) se muestra la respuesta modelada para el sitio 1 de la figura (4.20).
Como puede observarse la curva de resistividades aparente para el modo TE est menos
distorsionada cuando se le compara con la respuesta del modelo 1-D. En cambio, la
respuesta del Modo TM est ms distorsionada. Este tipo de comportamiento en ambas
respuestas es la que se espera para una Tierra 2-D.
De igual forma, si se analiza la grfica del ngulo de fase para el modo TM y una Tierra 1D (figura (4.21.b)), la fase est poco alterada, con mayor discrepancia para el rango entre
0.1 y 1.0 hertz. Esto es lo que se conoce como efecto esttico en sondeos de MT, donde la
curva de resistividades aparente puede ser modificada por una estructura superficial y la
fase no ser fuertemente alterada.
En la figura (4.22.a) se muestra la curva de resistividad aparente para el sitio 2 de la figura
(4.20). Se observa un comportamiento similar al sondeo anterior en que la curva del modo
TM es fuertemente alterada y la del modo TE cambia ligeramente, cuando se comparan con
la respuesta para una Tierra 1-D. De igual forma, en la grfica de la fase se observa un
comportamiento similar de una discrepancia ligera con respecto a la de una Tierra 1-D.

150

Sitio 1

Sitio 2

= 20 ohms-m

4 Km.

= 7 ohms-m

250 m.

40 m.

= 5 ohms-m

400 m.

Figura 4.20 Seccin del modelo 2-D con un estrato conductor


superficial.

151

100.00
1-D

MODO TM

RHO APARENTE

MODO TE

10.00

1.00
1.0E+3

1.0E+2

1.0E+1

1.0E+0

1.0E-1

1.0E-2

1.0E-3

FRECUENCIA
Figura 4.21.a Efecto de un estrato superficial en la respuesta de MT. El modelo
es el de la figura (4.20) y sitio 1. La respuesta 1-D se muestra para
comparacin y donde se observa que la respuesta TE es menos
alterada por el estrato superficial que la del modo TM.

152

90.00
80.00

ANGULO DE FASE

70.00
60.00

1-D

MODO TM

50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

0.00

FRECUENCIA
Figura 4.21.b Grfica del ngulo de Fase para el sitio 1 del modelo de la
figura (4.19). La discrepancia mayor est entre 0.1 y 1.0
Hertz. Cx = 1.2, Cz = 1.1 y filtro de 5 puntos.

153

RHO APARENTE

100.00

10.00
1-D

MODO TM

MODO TE

1.00
1E+3

1E+2

1E+1

1E+0

1E-1

1E-2

1E-3

FRECUENCIA
Figura 4.22.a Efecto de un estrato superficial en la respuesta de MT para el sitio 2
de la Figura (4.20). La respuesta 1-D se muestra para comparacin
donde se muestra que la respuesta del mode TE se altera menos.
Cx1.2, Cz1.1, filtro de 5 puntos.

154

90.00
80.00

ANGULO DE FASE

70.00
60.00

1-D
MODO TM

50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
1000.00

100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

0.00

FRECUENCIA
Figura 4.22.b Grfica del ngulo de Fase para el sitio 2 del modelo de la
figura (4.20 ). Cx=1.2, Cz=1.1, filtro de 5 puntos.

155

4.8 CAMPO GEOTERMICO DE AHUACHAPAN-CHIPILAPA


4.8.1 INTRODUCCION
El campo geotrmico de Ahuachapan es uno de los varios campos geotrmicos que existen
en el Salvador. Estas reas estn ligadas a la cadena volcnica asociada con la subduccin
de la Placa de Cocos debajo de la Placa del Caribe (Romo et al, 1997)
La evolucin volcnica de la zona se remonta al evento magmtico ocurrido hace un milln
de aos que produjeron los volcanes Empalizada y Cuyanausul. Un gran evento explosivo
origin la caldera de concepcin de Ataco hace 0.3 Ma y finalmente un periodo volcnico
reciente (hace 0.1 Ma) cre los volcanes de Laguna Verde y las Ninfas, junto con la
inyeccin de diques andesticos (Romo et al, 1996).
La geologa superficial es resultado de los ltimos eventos volcnicos y est afectado por
cuatro sistemas estructurales. El evento ms antiguo es un sistema tensional NE-SW
denominado el sistema Mesas del Llano, tambin, el sistema el Molino con direccin NWSE y que afecta al basamento. Por ltimo, un sistema ms joven con direccin N-S que
est relacionado a estructuras ms regionales. Los eventos caldricos han producido rasgos
semi-circulares que son tambin evidentes en la superficie.
Diferentes estudios geofsicos fueron llevados a cabo como gravimetra, geolectricos,
ssmicos y magnetotelricos (Romo et al, 1886). Sin embargo, en esta seccin los estudios
magnetotelricos se volvern a interpretar para mostrar la bondad de la tcnica propuesta
ABCV.

4.8.2 LEVANTAMIENTO MAGNETOTELURICO


Los sondeos de MT fueron realizados por el CICESE (Centro de Investigacin Cientfica y
de Estudios Superiores de Ensenada) durante la primavera de 1990. Se emple la tcnica de
referencia remota, con objeto de reducir el ruido en la obtencin del tensor de impedancia.
El tensor de impedancia fue primero determinado en las direcciones principales de los ejes
coordenados y para posteriormente ser rotados a un sistema coordenado independiente de la
frecuencia. Esto dio como resultados una direccin N15W-N30W para la mayora de los
sitios. El rango de frecuencia de trabajo es 100 0.01 Hertz (periodo de 0.01 100 s.)
(Romo, 1997).
Los sondeos de MT fueron corregidos por el efecto esttico, empleando la informacin de
los sondeos elctricos verticales (SEV) llevados a cabo en la misma rea de estudio (Romo
et al, 1997). En la figura (4.23) se muestra la disposicin de las diferentes lneas levantadas.

156

4.8.3 MODELACION DE LA RESPUESTA MT EMPELANDO ABCV


Romo et al (1997) discuten la modelacin 2-D de la lnea E3 del campo geotrmico de
Ahuachapn empleando el algoritmo 2-D de elemento finito de Wannamaker implantado en
el paquete Geotools . El resultado final fue obtenido a partir de ensayo y error hasta
alcanzar un ajuste aceptable visual entre la respuesta modelada y la observada.
En la figura (4.24) se muestra el modelo interpretado para la lnea E3. De acuerdo a Romo
et al (1997) las partes someras, central y oriental, estn caracterizadas por un estrato del
orden de 50 m de espesor con una resistividad entre 15 y 25 -m., seguido por una zona
resistiva de 65 a 100 -m entre 150 a 400 m de profundidad. En estas profundidades un
conductor de conductividad variable aparece. Esta secuencia somera baja-alta-baja
concuerda con los sondeos de SEV. La secuencia es interrumpida en dos zonas; la primera
en la parte central donde la zona resistiva no est presente (sondeos 73,74 y 79) y la
segunda debajo de la manifestacin del playn, donde un conductor profundo emerge hasta
profundidades someras. Los rasgos geotrmicos ms importantes son la presencia de tres
conductores separados con resistividades iguales o inferior a 2.5 -m, en el intervalo 0.4- 1
km de profundidad. El primero denominado A se encuentra entre los sondeos 81-82 y se
encuentra asociado al yacimiento geotrmico de Ahuachapn; el segundo conductor
denominado B aparece en los sondeos 75-76 y se encuentra 100 m por debajo del conductor
A; por ltimo el C en la parte oriental del modelo y es importante debido a sus dimensiones
grandes y baja resistividad. Sin embargo, el extremo oriental no est bien definido, puesto
que se encuentra fuera de la lnea de trabajo.
En la figura (4.25) se muestran las seudosecciones de Yx y yx observadas y modeladas
para el modo TM por Romo et al (1997). La concordancia entre la seudoseccin de
resistividades aparente observada y modelada es adecuada tanto en geometra como en
intensidad. La respuesta modelada se comporta como una versin suavizada de los datos
observados. El mnimo cercano al periodo de un segundo est producido por los
conductores arriba mencionados. Sin embargo,
los datos observados muestran
resistividades inferiores a las modeladas y de acuerdo a Romo et al (1997) estas
resistividades aparentes tan bajas no podan ser reproducidas slo por disminuir las
resistividades de los conductores, debido a que un modelo 2-D no es capaz de reproducir
los efectos de un medio 3-D.
Para mostrar la bondad de la tcnica propuesta en este trabajo, la respuesta MT, para el
modelo propuesto por Romo et al (1997) para la lnea E3 (figura (4.24)), fue nuevamente
modelada mediante la aproximacin de Born empleando conductividades variables
(ABCV). Para el caso de ABCV se propuso una serie de 47 sondeos con separacin entre
sondeos de 200 m, cubriendo una longitud de 9200 m. Los parmetros empleados son
Cx=Cz=1 y la conductividad de referencia o de fondo se clculo con la ecuacin (3.78). En
la figura (4.26) se muestra las seudosecciones de resistividad aparente y de fase modeladas
con ABCV para el modo de propagacin TM
Si se compara la seudoseccin de resistividad aparente observada (figura 4.26) con la
modelada por ABCV (figura 4.25), se distingue que la respuesta modelada con ABCV
157

reproduce con bastante exactitud la seudoseccin observada. Por ejemplo, la respuesta con
ABCV, para el periodo de 10 s., reproduce bastante bien las ondulaciones que se observan
en la seudoseccin de resistividad aparente observada. En general, el ajuste que se obtiene
entre ambas seudosecciones es bastante satisfactorio y proporciona una prueba fehaciente
del mtodo propuesto. Sin embargo, para la regin donde se manifiesta el conductor A,
sondeos 82-81 de la seudoseccin observada y entre la distancia de 0.4 a 1.4 km para
ABCV, los valores tan bajos que se observan para ABCV no deberan de ser ( X = 800 m).
En la figura (4.27) se presentan las curvas de resistividades aparentes para el conductor A
(modo TM ) y la nica explicacin para la respuesta obtenidas es que el cambio entre la
resistividad del conductor y del basamento propuesto de 150 -m es superior al
recomendado para el mtodo ABCV. La explicacin para el conductor A es, tambin,
aplicable para los otros dos.
Para el caso de la seudoseccin de la impedancia de fase modelada por Romo et al (1997),
con el paquete Geotools , proporciona una versin suavizada de la seudoseccin
observada (figura 4.25).La seudoseccin de la impedancia de fase modelada con ABCV
(figura 4.26), marca con mayor nfasis la zona de los conductores que la presentada por
Romo et al (1997). Probablemente hubo un intercambio con la respuesta entre el modo TM
por el TE.
Si se analizan las seudosecciones observadas para la lnea E4 (figura 4.28), que es ms o
menos paralela a la lnea E3, se observa que donde se manifiesta una zona conductora
(sondeo 14) la fase presenta rasgos abruptos, como es de esperarse para estructuras de tipo
tabular. Si la seudoseccin de resistividades aparente, para el modo de propagacin TE
modelada con ABCV (figura 4.29), se compara con la proporcionada para el modo TM por
Romo et al (1997), la concordancia entre ambas es admirable. Entonces, se puede suponer
el hecho de un posible cambio de los modos de propagacin en el momento de la
interpretacin del estudio magnetotelrico del rea geotrmica de Ahuachapn, el Salvador.
Para el ejemplo discutido se puede concluir que el mtodo Aproximacin de Born con
conductividades de referencia variable (ABCV) es una tcnica que proporciona resultados
confiables en la modelacin de la respuesta magnetotelrica.

158

Figura 4.23 Localizacin de Centros de Sondeos del proyecto geotrmico de


Ahuachapn-Chipilapa, El Salvador (de acuerdo a Romo, et al 1997)

159

Figura 4.24 Modelo propuesto para la Lnea E3 del Campo Geotrmico


De Ahuachapn-Chipilapa (de acuerdo a Romo, et al 1997)

160

500
100
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

0.01

0.01

70
40
25

PERIODO

0.1

0.1

20
16.5

13
10

10

10

7
5
3

100

100
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

2
1.5

DISTANCIA

1
0

20

40 x 100

(a)
-95
-105
0

10

20

30

40

50

60

70

80

-115

90
0.01

0.01

-125
-135
-145

0.1

0.1

-155

PERIODO

-165
-175
1

-185
-195
-205

10

10

-215
-225
-235

100

100
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

DISTANCIA

-245
-255
-265
-275

20

40 x 100

(b)
Figura 4.26 (a) Resistividad Aparente. (b) Impedancia de Fase para el modelo de la
figura 4.24, lnea E3 para el modo de propagacin TM. Las respuestas se
modelaron con la tcnica ABCV.

161

100.00

X = 400 M
X = 600 M
X = 800 m

RHO APARENTE

10.00

1.00

X = 1000 m

0.10

X = 1200 m
X = 1400 m

0.01
100.00

10.00

1.00

0.10

0.01

FRECUENCIA
Figura 4.27 Curvas de resistividad aparente en el intervalo 400 a 1400 m, que
corresponde a la zona de soneos 81-75 del proyecto AhuachapnChipilapa. La forma de las curvas es la esperada, sin embargo, los
valores para la frecuencia de 1.5 Hz son muy bajos ( X = 800 m ),
debido a que el cambio en las conductividades es ns del 80%
recomendado como mximo, con respecto al basamento.

162

Figura 4.28 Secciones de resistividad aparente y de impedancia de fase para


ambos modos TM (yx) y TE (xy) de la lnea E4 que es paralela a
la lnea E3 (de acuerdo a Romo, et al 1997).

163

500
0

10

20

30

40

50

60

70

80

200

90
0.01

0.01

140
100
70

PERIODO

0.1

0.1

40
25
20

15
10

10

10

7
5
3

100

100
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

2
1.5

DISTANCIA

1
0

20

40

(a)

10

20

30

40

50

60

70

80

90
0.01

0.1

0.1

PERIODO

0
0.01

10

10

100

100
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

DISTANCIA

20

200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
46.25
40
30
20
10
0

40

(b)
Figura 4.29 (a) Resistividad Aparente. (b) Impedancia de Fase para el modo TE
de la lnea E3 (figura 4.24). La respuesta se calcul con ABCV

164

CAPITULO 5

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

En el primer captulo se ha estudiado la ecuacin del potencial para campos bajo rgimen
estacionario; ecuacin que ha sido deducida al considerar la funcin de Green generalizada.
La modelacin del potencial para cualquier arreglo de electrodos se encuentra por
superposicin.
Locke y Barcker (1995) han deducido una expresin similar para el potencial, bajo la
condicin de dispersin dbil (Eskola, 1992) y clculo de variaciones. El vector de
corriente de conduccin total se sustituye por el vector de corrientes de conduccin
primaria, bajo la condicin de que el contraste de resistividad es cercano a cero. Sin
embargo, la expresin del potencial, vlida para una tierra heterognea (ecuacin (1.27)) y
la propuesta por Locke y Barker, no necesitan de un medio de referencia como sucede
cuando tcnicas aproximadas se emplean para campos electromagnticos alternos.
Recientemente, Prez et al ( 2001) present un artculo en donde resume varias tcnicas de
aproximacin para la modelacin de la respuesta elctrica en diferentes mtodos
prospectivos elctricos. Estas tcnicas se basan en la teora desarrollada por GmezTrevio (1987) y donde Prez et al (2001) concluye en que no se necesita un medio de
referencia, al menos para los mtodos de corriente continua.
En la presente tesis se ha propuesto la tcnica de Aproximacin de Born empleando
conductividades de referencia variable (ABCV). ABCV proporciona resultados excelentes
en la modelacin de la respuesta magnetotelrica, bajo la condicin de que el cambio en el
contraste de conductividad no sea mayor al 80%. Esta condicin est relacionada con el
orden de la aproximacin de Born empleada.
Para sobrellevar la condicin de contraste pequeo se sugiere en la literatura diferentes
procedimientos alternativos, fundamentados en el mtodo de Born. Entre ests tcnicas est
la Aproximacin de Born extendida (EBA) propuesta por Habhasy y Torres Verdn y la
desarrollada por Zhadov y Fang (1996), quienes la denominaron Aproximacin Cuasi
Lineal (QLA). Ambas tcnicas proponen la misma idea fundamental: utilizar el campo total
en lugar del primario en la solucin integral de la ecuacin Helmholtz. La diferencia entre
ambas tcnicas es la manera de encontrar una aproximacin al campo total, que
bsicamente se reduce a un procedimiento iterativo.
Sin embargo, los fundamentos de ABCV son distintos a los procedimientos arriba
mencionados, ya que en vez de perturbar a la ecuacin diferencial que satisface el campo
electromagntico se busca una aproximacin a la funcin de Green para el medio
heterogneo. Esta es una aproximacin de Born de orden cero para la funcin de Green.

165

Esto conduce a la limitante de un mximo de variacin recomendado del 80% en el


contraste de conductividades, para obtener resultados con un error aproximado del 30%.
En la tcnica ABCV la ecuacin diferencial que satisface el campo se deja inalterable y se
perturba la que satisface la funcin de Green. Esto permite que la conductividad de
referencia o de fondo sea un parmetro libre de seleccionar para mejorar la respuesta
electromagntica. Para el presente trabajo, la funcin de Green es aproximada por una
perturbacin de Born de orden cero y la conductividad de fondo es seleccionada de acuerdo
al punto de observacin y frecuencia de trabajo. Esto implica que para cada punto y
frecuencia, la ecuacin diferencial que satisface la funcin de Green tiene que ser resuelta
de nuevo. Este ltimo hecho no limita el emplear una aproximacin de Born de orden
superior.
En el captulo 2 se presentaron ejemplos en que la conductividad de fondo o referencia fue
una constante y como se observ en dichos ejemplos, el error, entre los ejemplos
calculados con la tcnica original de Born (conductividad de fomdo constante) y aquellos
considerados como exactos, se incrementa notablemente. Sin embargo, cuando los
ejemplos fueron calculados con ABCV (conductividad de fondo variable), el error entre la
curva modelada y la considerada exacta disminuy notablemente. De este hecho se puede
concluir que la tcnica ABCV, cuando se le comparar con la tcnica original de Born, es
muy superior.
Lo anterior conduce hacia nuevas lneas de investigacin para encontrar una mejor
aproximacin a la funcin de Green, que, en principio, podran ser tcnicas similares a las
empleadas en los mtodos EBA y QLA.
Unos de los problemas coyunturales en el mtodo ABCV es sin lugar a duda la manera de
seleccionar la conductividad de referencia o de fondo. En principio se debe considerar todo
el espacio para determinar la conductividad de referencia, sin embargo, slo contribuye,
mayormente, una regin limitada del espacio en la determinacin del campo. Esta regin
est definida por: [x C x , x + C x ] y [0, C z ] , donde Cx y Cz varan entre 1/2 a 2 y
es la skin depth. Un valor de uno para ambos parmetros es ms que suficientes para
obtener un resultado adecuado en la mayora de los problemas.
Para el caso de una Tierra 1-D, la conductividad de fondo est relacionada con la
conductividad aparente. Esto permite establecer un esquema iterativo de punto fijo hasta
lograr una convergencia con la respuesta deseada. No ms de 3 4 iteraciones es ms que
suficiente. Por otro lado, la conductividad de referencia tambin se puede expresar por la
ecuacin (3.71) y donde no hay necesidad de iterar. En principio, ambos procedimientos
proporcionan resultados muy semejantes a la curva de resistividades aparentes, sin
embargo, ABCV muestra un menor error. En la grfica de la impedancia de fase las
diferencias entre ambos procedimientos son ms marcadas, como se mostr en los ejemplos
del captulo 4. Sin embargo, la conductividad de referencia como se defini en esta tesis
(ecuacin (3.71)) es una mejor opcin, que cuando se emplea la conductividad aparente. Si
este hecho se traslada a un esquema de inversin, aquel que se fundamente en la

166

resistividad aparente, como funcin objetivo, tendr mayor probabilidad de xito que la
basada en el ngulo de fase.
Para definir la conductividad de fondo, en el caso de una Tierra 2-D, se puede emplear un
esquema de punto fijo. El esquema de punto fijo se emple al promediar las
conductividades aparentes para una regin: [x C x , x + C x ] y [0, C z ] . La experiencia
con este esquema es que para las bajas frecuencia hay mayor distorsin en la respuesta
modelada. Probablemente la conductividad de fondo no est relacionada en forma directa
con el promedio de la conductividad aparente, como en un principio se sugiere en el
presente trabajo.
Por otro lado, la conductividad de fondo para una Tierra 2-D, tambin, se define por las
ecuaciones (3.78) y (3.79). Para la mayora de los casos la ecuacin (3.78) proporciona
resultados adecuados y slo en casos muy particulares donde el sondeo se puede considerar
que est en una zona muy resistiva la ecuacin (3.79) es aplicable. Como se mostr en el
captulo 4, un cambio en el contraste de conductividades del 20% para ambas ecuaciones
proporcionan resultados muy similares.
Lo recomendable sera, tambin, tener una funcin de conductividad de fondo que se
comportar en forma suave. Sin embargo, la manera como se ha dividido el espacio en
prismas homogneos se obtiene una funcin de conductividad de fondo, en ocasiones, con
cambios muy abruptos que distorsionan la respuesta electromagntica. Para sobrellevar este
problema, se aplica un filtro de promediacin a la funcin de conductividad de fondo para
obtener una funcin de comportamiento suave, que mejora el clculo de la respuesta del
mtodo magnetotelrico.
El filtro de promediacin se aplica sobre el rango de frecuencia, para un centro de sondeo
dado. La experiencia ha mostrado que el filtro se aplica simtrico sobre el valor de la
conductividad de fondo que se desea suavizar para una frecuencia dada. Un filtro no mayor
de 7 puntos es ms que suficiente en la mayora de los casos.
En la presente tesis se ha dado ha conocer una tcnica aqu denominada como
Aproximacin de Born empleando conductividades de referencia variable (ABCV) para
modelar la respuesta magnetotelrica para una tierra 2-D; este hecho no limita su aplicacin
a otros campos.
La tcnica ABCV se puede emplear en la solucin del problema inverso. Chew (1995)
propone dos esquemas de inversin (BIM) y (DBIM). En el mtodo BIM el medio de
referencia permanece fijo, mientras se determinan los parmetros del medio y en procesos
de inversin es un mtodo robusto en la contaminacin de ruido. Por otro lado, DBIM
presenta una convergencia ms rpida.
Un primer esquema que se puede proponer para ABCV y problemas de inversin es una
combinacin de las dos tcnicas propuestas por Chew (1995) o un esquema similar al
propuesto por Esparza (1991), sin embargo, estas propuestas son temas de una
investigacin futura.

167

BIBLIOGRAFIA
Backus, G. and Gilbert, F. (1968). The resolving Power of Gross Earth Data. Geophysical
Journal of Royal Astronomical Society. Pags. 169-205
Barker, R. 1992: A simple algorithm for electrical imaging of the subsurface. First Break
Vol. 10, No. 2. Pags. 53-62.
Best, M.E., Duncan, P. Jacobs, F.J. and Scheen, W.L., 1985. Numerical Modeling of The
Electromagnetic response of Three-Dimensional conductors in a layered earth. Geophysics,
Vol. 50. Pags. 665-676.
Bleistein, N. , Cohen, J.K. and Stockwell, J.W. Jr., 2001. Mathematics of Multidimensional
Seismic Imaging, Migration and Inversion. Springer-Verlag
Brigham, E. O.,1974. The Fast Fourier Transform. Prentice-Hall Inc.
Buchanan, I.J. y Turner R. P.,1992. Numerical Method and Analysis. McGraw-Hill
International Editions
Cagniard, L., 1953. Basic Theory of the Magneto-telluric Method of Geophysical
Prospecting. Geophysics, Vol. 18. Ppags. 605-635.
Cavazos-Garza, R. y Gmez-Trevio, E. 1989. Hacia la Inversin Tridimensional de
Anomalas de resistividad y Polarizacin Inducida. Geofsica Internacional Vol. 28, No. 3.
Pags. 481-505.
Chew, W.,C., 1995. Waves and Fields in Inhomogeneous Media. IEEE Press.
dErcceville , I. And Kunetz, K., 1962. The Effect of a Fault on The Earths Natural
Electromagnetic Field. Geophysics, Vol. 27. Pags. 666-676.
Dey, A. y Morrison, H. F., 1979: Resistivity modelling for arbitrarily shaped threedimensional structures: Geophysics, Vol. 44, pags. 753-780.
Dmitriev, V.,I. and Berdichevsky, M.N., 1978. The fundamental Model of Magnetotelluric
Sounding. En Magnetotelluric Methodd, 1986, Vozoff, K. SEG.

Eskola, L.1992: Geophysical Interpretation Using Integral Equations. Chapman and Hall
New York.
Esparza-Hernandez, J.F. 1991. Suficiencia de las Ecuaciones de Maxwell en relacin con
los problemas electromagnticos Inversos. Tesis Doctoral, CICESE.

168

Esparza, J.F: y Gmez-Trevio, E., 1997: 1-D Inversion of resistivity and induced
polarization data for the least number of layers. Geophysics, Vol. 62, No. 6. Pags. 17241729.
Ghosh, D.P., 1971: The Application of linear filter theory to the direct interpretation of
Geolectric Sounding Measurment. Geophysical Prospecting, Vol. 19 pag. 192-217
Gmez-Trevio, E., 1987: Nonlinear Integral Equations for Electromagnetic Inverse
Problems. Geophysics, Vol. 52, No. 9. Pags. 1297-1302.
Gmez-Trevio, E, and Mondragn, M. 1995. Uneven effect of Random noise in
Magnetotelluric Apparente Resistivity Definitions. Geophysics, Vol. 60 No. 4. Pag. 12381242
Gmez-Trevio, E. 1996 Approximate depth averages of electrical conductivity from
surface magnetotelluric data. Geophysical Journal International Vol. 127. Pags. 662-772
Gmez-Trevio, E., 1996. Imgenes Electromagnticas del Interior de la Tierra: Parte I.
Geos 1996, Unin Geofsica Mexicana. Pags. 152-153.
Gmez-Trevio, E., 1997. Imgenes Electromagnticas del Interior de la Tierra: Parte II.
Geos 1997, Unin Geofsica Mexicana. Pags. 104-106.
Gmez-Trevio, E., 1997. Imgenes Electromagnticas del Interior de la Tierra: Parte III.
Geos 1997, Unin Geofsica Mexicana. Pags. 172-176.
Gmez-Trevio, E., 1998. Imgenes Electromagnticas del Interior de la Tierra: Parte IV.
Geos 1998, Unin Geofsica Mexicana. Pags. 24-30.
Griffiths, D.H. y Turnbullo, J., 1985. A Multi-electrode array for resistivity surveying. First
Break Vol. 3 No. 7. Pags. 16-20
Habashy, T.M., Groom, R.W. and Spies, B.R., 1993. Beyond The Born and Rytov
approximations: a nonlinear approach to electromagnetic scattering. Journal of Geophysical
research, Vol. 98, B2. Pags. 1759-1775.
Hohmann, G.,W., 1971. Electromagnetic Scattering by Conductors in The Earth near a line
Source of Current. Gephysics, Vol. 36, No. 1. Pags. 101-131.
Hsu P. H., 1970.Fourier Analysis. Simon and Shuster, Inc., New York.
Inman, J.R., 1975. Resistivity inversion with ridge regression. Geophysics, Vol. 40 pags.
798-817.
Jones, W. F. And Price T. A., 1970. The perturbations of Alternating Geomagnetic Fields
by Conductivity Anomalies. En Magnetotelluric Methodd, 1986, Vozoff, K. SEG

169

Jerry, j., A., 1985. Introduction to Integral Equations with Applications. Marcel Dekker Inc,
Newy York.
Lesur, V., Cuer, M. and Straub, A., 1999. 2-D and 3-D interpretation of electrical
tomograpghy measurments, Part 1: The forward problem. Geophysics, Vol. 64, No. 2
Lesur, V., Cuer, M. and Straub, A., 1999. 2-D and 3-D iinterpretation of electrical
tomograpghy measurments, Part 2: The inverse problem. Geophysics, Vol. 64, No. 2
Loke M.H. y Barker, D.H., 1995: Least-Squares deconvolution of apparent resistivity
pseudosections. Geophysics, Vol 60, No. 6. Pags. 1682-1690.
Madden, T.R. and Nelson., P. 1986. A defense of Cagniards Magnetotelluric Method. En
Magnetotelluric Methodd, 1986, Vozoff, K. SEG.
Mufty, I.R., 1976: Finite-Difference resistivity modelling for arbitrarily shaped twodimensional structures. Geophysics, Vol. 41, pags. 62-78
Nayfeh, A., 1973. Perturbation Methods. John Wiley & Sons, Inc
Oldenburg, W.D., 1978. The Interpretation of Direct Currente Resistivity Measurements.
Gephysics Vol. 43 No. 3.Pags. 610-625.
Orellana, E. y Mooney, H.M., 1966. Master Tables and Curves for vertical electrical
sounding over layered structures, Madrid, Interciencia.
Orellana, E.,1972 Prospeccin Geoelctrica por Corriente Continua, Editorial Paraninfo
Espaa.
Oristaglio, M y Spies, B. (1999) Three-Dimensional Electromagnetics. Society of
Exploration Geophysicists
Prez-Flores, M.A. (1995). Inversin rpida en 2.D de datos de Resistividad,
Magmetotelricos y Electromagnticos de fuente controlada a bajo nmero de induccin,
Tesis Doctoral, CICESE.
Prez-Flores, M.A, Mndez-Delgado, S. y Gomez-Trevio, E. (2001). Imaging low
frequency and dc electromagnetic fields using a simpler linear. Geophysics Vol 66 No. 4
Raichie, A.P., 1973. An Integral Equation Aproach to Three-Dimensional Modelling.
Geophysics Journal of the Royal Astronomical Society, Vol. 36. Pags. 363-376.
Rankin, D., 1962. The Magnetotelluric Effect on Dike. Geophysics, Vol. 27. Pags. 651665.

170

Reddy, I.K., Rankin, D. and Phillips, R. J., 1977. Three Dimensional Modeling in
Magnetotelluric and Magnetic variational Sounding. Geophysics Journal of the Royal
Astronomical Society, Vol. 51. Pags. 313-325.
Roach, G.F., 1982. Greens Function. Segunda Edicin, Cambridge University Press,
Londres Ingleaterra
Romo. J, Flores C., Vega R., Vazquez R., Prez M. Gmez-Trevio E, Esparza F., Quijano
E., Graca V. 1997. A Closely-Sapced Magnetotelluric Study of The Ahuachapn-Chipilapa
Geothermal Field, El Salvador. Geothermics Vol. 26 No. 5/6 . Pgs. 657-680.
Shima, H. and Saito, H. 1988. Application of Resistivity Tomography for Detection of
Faults and evaluation of their Hidraulic Continuity: Some Numerical Experoments. 58th
SEG Meeting , Anaheim, Expanded Abstracts. Pags. 204-207
Sommmerfeld, A. 1952. Electrodynamic, Academic Press
Spies, B.R. and Eggers, D.E. (1986). The use and misuse of apparent
electromagnetic method. Geophysics Vol. 51, pags. 1462-1471.

resistivity in

Snyder, D.D., 1976: A Method for Modelling the Resistivity and IP Respnse od TwoDimensional Body. Geophysics, Vol. 41, No.5. Pags.997-1015.
Swift, M. C., 1971. Theoretical Magnetotelluric and Turam Response from TwoDimensional Inhomogeneities. Gephysics, Vol. 36. Pags. 38-52.
Tai, C.,T., 1993. Dydic Green Functions in Electromagnetic Theory. IEEE Press.
Torres Verdn, C., 1992. Continuous Profiling of Magnetotelluric Fields. Phd. Thesis
University of California, Berckeley
Torres-Verdn, C. and Habbashy, T.M. 1994. Rapid 2.5 dimensional forward modeling and
inversion via a new scattering approximation- Radio Science Vol 29 No. 4
Tikhonov, A.N., 1950. On Determining Electrical Characteristics of The Deep Layers of
The Earths Crust. En Magnetotelluric Method, 1986, Vozoff, K. SEG
Ting, C.,S., and Hofmann W.G., 1981. Integral Equation Modeling of Three-Dimensional
Magnetote,,uric Response. Geophysics Vol. 46. Pags. 182-197.

Wait, R.J., 1954. On the Relation Between Telluric Currets and the Earths Magnetic
Fields. Geophysic, Vol. 19. Pags. 281-289.
Wannamaiker, P.E., Hohmann G. W., and Ward, S.H., 1984. Electromagnetic Modeling of
three-dimensional bodies in Layered Earths using Integral Equations. Geophysics, Vol. 49.
Pags. 1517-1533.
171

Ward, H.,S. and Hohmann W.G., 1987. Electromagnetic Theory for Geophysical
Applications. En Electromagnetic Methods in Applied Gephysics, Vol 1, Theory,
Nabighian N. M., SEG
Weidelt, P. 1975. Electromagnetic Induction in Three-Dimensional Structures. Journal of
Geophysics, Vol. 41. Pags. 85-109.
Zhadov, M.S. and Fang, S. 1996 Quasi-lineara Approximation in 3-D Electromagnetic
Modeling. Geophysics Vo. 61, No.3
Zhody, A.A.R., 1975. Automatic Interpretation of Schlumberger sounding curves, using
modified Dar Zarrouk function. Geological Survey Bulletin, 1313-E

172

ANEXO A

Solucin a un Dipolo Elctrico Horizontal Enterrado


en un Semiespacio Conductor Homogneo

La solucin de un dipolo elctrico en presencia de un semiespacio ha sido resuelta por


varios autores como han sido Sommerfeld (1952), quin consider a la tierra como un
conductor perfecto; Ward y Hohmann (1987), quines presentan la solucin para una tierra
conductora y dipolo dejado sobre la superficie de la tierra. En los ltimos aos el inters
por encontrar la respuesta para un dipolo elctrico en un medio estratificado ha sido amplio,
debido principalmente a la necesidad de modelar la respuesta electromagntica de
estructuras ms complejas, como son los trabajos de Raichie (1973), Weidelt (1975) o
Ward y Hohmann (1987), entre otros.
Para nuestro objetivo es suficiente con encontrar la respuesta de un dipolo elctrico
enterrado en un semiespacio, para Z>0, homogneo con conductividad constante 1 y
permeabilidad =0; la regin Z<0 se considera el aire con 0=0 y 0. El dipolo se
encuentra en el punto de coordenadas (X1,Y1,Z1), como se muestra en la figura (a.1).
La respuesta elctrica encontrada para las direcciones X,Y y Z son las componentes del
r r
vector de Green. As se tiene que para determinar G X (r ) se considera que el dipolo
r r
elemental est orientado en la direccin X. Para el caso de GY (r ) est dirigido en la
direccin Y.
La funcin de Green es una herramienta matemtica para resolver una ecuacin diferencial
que satisface, para este caso, la ecuacin
r
r
2 G (r ) + k o2 G (r ) = ( X X 1 , Y Y1 , Z Z 1 )
Donde :

A.0.a

k 02 = i 0 1
Sin embargo, debido a que el campo elctrico que produce un dipolo orientado en una
direccin seleccionada (direccin X, por ejemplo), satisface una ecuacin diferencial
expresada como:
r
r
2 E (r ) + k o2 E (r ) = (iI ) ( X X 1 , Y Y1 , Z Z 1 )
Donde :
I = Intensidad de la corriente

A.0.b

La ecuacin (A.0.b) es muy similar a (A.0.a), entonces se puede emplear todo lo que se
conoce para la solucin de un dipolo enterrado, con intensidad de corriente unitaria y el
correspondiente vector de Green se determina como:
r r
r r
E (r )
G (r ) =
i

A.0.c

173

De las ecuaciones de Maxwell:


xE (r ) = iH (r )

A.1.a

xH (r ) = J (r ) + E (r )

A.1.b

De acuerdo a Weidelt (1975) y Ward y Hoffman (1987) los campos electromagnticos se


pueden expresar, mediante el potencial de Schelkunoff, de la manera:
r r
r r
r r
1
E (r ) = iF (r ) + F (r )

A.2.a

r r
r r
H (r ) = xF (r )

A.2.b

El correspondiente vector de Green, de ecuacin (A.0.c), se expresa como:


r r r
r r
1
r
Ge (r , r ' ) = F (r ) + 2 F (r )
k0

A.2.c

El potencial de Schelkunoff satisface, para una fuente impulsiva, la ecuacin de onda:


2 F (r ) + k o2 F (r ) = ( X X 1 , Y Y1 , Z Z 1 )
Donde :

A.3

k 02 = i 0 1
El procedimiento para determinar los dos vectores de Green que se necesitan es similar, por
r r
lo que slo se discutir la manera para encontrar G X (r ) , ya que el otro se determina con
ligeros cambios de la solucin encontrada.
El vector de Schelkunoff, el cual satisface la ecuacin (A.3) igualada a cero para el medio
r r
r r
r r
Z<0, se designar como: F 0 (r ) = FX0 (r )i + FZ0 (r )k , para poder satisfacer las condiciones
de frontera en el plano Z=0. Sin embargo, para el medio conductor (Z>0) el vector
potencial satisface la ecuacin (A.3) y es la suma del potencial primario ms el secundario.
La solucin del potencial primario slo tiene la componente en la direccin X y se expresa
como (Ward y Hohmann,1987):
ik R
r r
r r e 0 r
FP (r ) = FXP (r )i =
i
4R
Donde :

R=

( X X 1 )2 + (Y Y1 )2 + ( Z Z1 ) 2
174

El
potencial,
para
la
primera
regin,
se
expresa
como:
r1 r
r
r v
r r
1
1
F (r ) = ( FXX (r ) + FXP (r ))i + FXZ (r )k . Las condiciones de frontera que deben satisfacerse
son:
H X0 = H x1

FZ0 = FZ1

1
Y

FX0 FX1
=
z
z

E X0 = E 1X

FX0 = FX0

E y0 = EY1

r
r
1
1
F0 =
F1
0
1

H =H
0
Y

A.5

El potencial secundario de la regin uno satisface la ecuacin (A.3) igualada a cero,


entonces la solucin para ambos potenciales es, expresadas en coordenadas cilndricas y
siguiendo a Weidelt (1975):
FX0 = PX0 ( )e +0 Z J 0 (r )d
1
FXX
= q 0X ( )e 1Z J 0 (r )d

A.6

Donde :
r=

( X X 1 )2 + (Y Y1 )2

j = 2 k 2j

j = 0,1

k 2j = i 0 j
La ecuacin A.4 se puede expresar en una transformada de Hankel mediante la integral de
Sommerfeld como:
e 1 ( Z Z1 )
J 0 ( r ) d

e ik1ZR
1 0 1
=

4R
4 e +1 ( Z Z1 )
J 0 (r )d

1
0

Z1 < Z <
A.7
0 < Z < Z1

De ecuaciones A.5 A.6 y A.7 se deduce que:

175

FX0 =
1
FXX

1
4

1
=
4

1 21
1 1 + 0

1 1 0
1 1 + 0

Z + Z
e 1 1 e 0 J 0 (r )d

0 < Z <

( Z + Z )
e 1 1 J 0 (r )d

0 < Z < +

A.8

Para las componentes Fz y debido a las condiciones de frontera, las soluciones propuestas
son:

FZ0 = PX0 ( )e +0 Z J 1 (r ) cos( )d


0

A.9

1
XZ

= q ( )e
0
X

1Z

J 1 (r ) cos( )d

Donde: se mide desde el eje X


( x x1 )
cos( ) =
r
La solucin para las componentes expresadas en A.8 se encuentra de las condiciones de
frontera y son:
Z + Z
e 1 1 e 0 J 1 (r ) cos( )d 0 < Z <
0

1 1 21 1 ( Z + Z1 )
=
e
J 1 (r ) cos( )d 0 < Z < +
4 0 1 1 + 0

FZ0 =
1
FXZ

1
4

1 21
1 1 + 0

A.10

r r
Los elementos del vector de Green elctrico G X (r ) se determinan de la ecuacin A.2.a y
A.0.c; slo se necesita para el medio Z>0, en el intervalo 0<Z<Z1(Tai, 1993):
G

e
XX

e
G XY

1 FX1 FZ1

=F + 2
+
z
k 0 x x
1 FX1 FZ1

= 2
+
z
k 0 y x
1
X

e
G XZ
= FZ1 +

1 FX1 FZ1

+
z
k 02 z x

A.11

Donde :
1
FX1 = FXX
+ FXP
1
FZ1 = FXZ

176

Los elementos del vector de Green magntico son, para un trmino temporal e + iwt
(Tai, 1993):
FZ1
y

M
=(
G XX

M
XY

FX1 FZ1

z
x
1
F
X )
y

=(

M
=(
G XZ

A.12

r r
Para determinar los elementos del vector elctrico GY (r ) slo se considera al dipolo
elctrico orientado en la direccin Y, es decir:
1 FY1 FZ1

+
z
k 02 y y
1 FY1 FZ1

= 2
+
z
k 0 x y

e
GYY
= 0 FY1 +

e
GYX

1 FY1 FZ1

G =F + 2
+
z
k 0 z y
Donde :
e
YZ

1
Z

A.13

FY1 = FYY1 + FYP


FZ1 = FYZ1

El vector magntico es
FZ1
)
x
FZ1 FY1

y
z

M
GYY
=(
M
GYX
=(

M
YZ

=(

Fy1
x

A.14

Las expresiones integrales para las diferentes Fy son:

177

FY0 =
FYY1

1
4

1
=
4

1 21
1 1 + 0

Z + Z
e 1 1 e 0 J 0 (r )d

1 1 0
1 1 + 0

( Z + Z )
e 1 1 J 0 (r )d

0 < Z <
A.15
0 < Z < +

Para las Fz son


FZ0 =
FYZ1

1
4

1
=
4

1 21
1 1 + 0

Z + Z
e 1 1 e 0 J 1 (r ) sen( )d

1 21
1 1 + 0

( Z + Z )
e 1 1 J 1 (r ) sen( )d

0 < Z <
A.16
0 < Z < +

Donde : se mide con respecto al eje X


(Y Y1 )
sen( ) =
r
Fyp tiene la misma expresin de la ecuacin A.7

178

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