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PRESENTA
Cd. UNIVERSITARIA
2002
DEDICATORIA
AGRADECIMIENTOS
Tambin, quiero agradecer a ti, Ren por todos esos aos de amistad. A ti,
Enrique por considerarte un amigo y aquellos fabulosos aos en Toronto. A
ti, Rafael porque tu amistad me ha ayudado a crecer como ser humano. A ti,
Juan Marcos por tantas aventuras juntos vividas, a ti Mario por esas
fructferas charlas de caf. Edgar, Javier, Lul por su compaa, amistad y
por formar un equipo de trabajo.
Un agradecimiento muy especial a mis queridos hermanos Amadeo, Jos
Manuel, Ricardo y Griselda; por tantas plticas fructferas que han
despertado en mi el amor a la ciencia y a tratar de entenderla.
Por ltimo, a todas aquellas personas que han enriquecido mi vida, pero he
olvidado nombrarlos en el momento de escribir estos agradecimientos, a
ellos, tambin, mi ms sinceras gracias.
RESUMEN
INDICE
RESUMEN
INDICE
II
INDICE DE FIGURAS
INTRODUCCION
CAPITULO 1
METODOS ELECTRICOS
1.1 Introduccin
1.2 Solucin de la Funcin Potencial en un Semiespacio Heterogneo
1.2.1 Planteamiento del Problema
1.2.2 Funcin de Green Generalizada
1.2.3 La Funcin Potencial para un Semiespacio Heterogneo
1.3 La Funcin Potencial Considerando Contrastes Pequeos
r
1.4 Fuente Puntual Desacansando en Z=0 (r ) 0
1.5 Modelacin de la Respuesta del Potencial
CAPITULO 2
6
8
8
12
15
16
16
18
ECUACIONES DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA PARA UNA TIERRA 2-D
2.1 Introduccin
2.2 Ecuaciones de Maxwell Empleando Didicas
2.3 Respuesta Electromagntica de una Tierra 3-D Heterognea
2.4 Respuesta Magnetotelrica para una Tierra 3-D
2.4.1 Condiciones Impuestas
2.4.2 Aproximacin de Born
2.4.2.1 Aplicacin al Campo Elctrico
2.4.2.2 Aplicacin a la Funcin de Green
2.4.3 Ecuaciones del Campo Elctrico y Magntico
para una Tierra 3-D
2.5 Respuesta Magnetotelrica para una Tierra 2-D
2.5.1 Condiciones Impuestas
2.5.2 Ecuaciones para el campo Elctrico y Magntico
para una tierra 2-D
r
2.5.2.1 En Funcin del Contraste de Conductividad (r )
r
2.5.2.2 En Funcin de la Conductividad (r )
r
2.5.2.3 En funcin de la resistividad (r )
2.5.3 La Funcin de Resistividad Aparente y de Fase
20
21
23
33
33
34
34
36
38
41
41
44
44
46
48
51
CAPITULO 3
MODELACION DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA EN UNA TIERRA 2-D
3.1 Introduccin
3.2 Modelacin de Estructuras Simples
3.2.1 Medio Estratificado
3.2.2 Contacto Vertical
3.3 Modelacin de una Tierra 2-D
3.3.1 Modo de Propagacin TM
3.3.2 Modo de Propagacin TE
3.3.3 Respuesta de una Tierra 2-D
3.4 La Aproximacin de Born Empleando Conductividad Variable del
Medio de Referencia
3.4.1 El problema de la Conductividad del Medio Homogneo
3.4.2 Fundamento de la Aproximacin de Born empleando
Conductividad Variable
3.5 Respuesta de Estructuras Geolgicas Bajo la Condicin
de Conductividad Variable
3.5.1 Tierra 1-D
3.5.2 Tierra 2-D
CAPITULO 4
53
54
54
60
69
69
75
78
79
79
86
91
91
98
4.1 Introduccin
4.2 Restricciones
4.3 Determinacin de las Constantes Cx y Cz
4.4 Filtro de Promediacin
4.5 Clculo de la Conductividad de Referencia
4.6 Procedimientos adicionales
4.7 Respuesta de Modelos Sintticos
4.7.1 Medio Estratificado
4.7.2 Contacto Vertical
4.7.3 Dique Conductor
4.7.4 Efecto de un Estrato Superficial Conductor
4.8 Campo Geotrmico de Ahuachapn-Chipilapa, El Salvador
4.8.1 Introduccin
4.8.2 Levantamiento Magnetotelrico
4.8.3 Modelacin de la Respuesta de MT Empleando ABCV
104
105
106
106
110
118
125
125
132
132
140
146
146
146
147
CAPITULO 5
BIBILOGRAFIA
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
156
159
INDICE DE FIGURAS
Figura 1.1
Figura 1.2
11
Figura 2.1
24
Figura 3.1
55
Figura 3.2
58
Figura 3.3
59
Figura 3.4
64
Figura 3.5.a
65
Figura 3.5.b
66
Figura 3.6.a
67
Figura 3.6.b
68
Figura 3.7
70
Figura 3.8
71
Figura 3.9
80
Figura 3.10
81
Figura 3.11
82
Figura 3.12
85
87
88
Figura 3.14
92
Figura 3.15
94
Figura 3.16
95
Figura 3.17
96
Figura 3.18
97
Figura 3.19
101
Figura 3.20
102
Figura 3.21
103
Figura 4.1
107
Figura 4.2
108
Figura 4.3
109
Figura 4.4
111
Figura 4.5
112
Figura 4.6
113
Figura 4.7
114
Figura 4.8
115
Figura 4.9
116
Figura 4.10
117
119
120
121
122
123
124
Figura 4.14
127
128
Figura 4.15b Grfica del ngulo de fase entre la curva exacta y las modeladas 129
Figura 4.15.c Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14 en donde
130
Figura 4.15.D Angulo de fase del modelo de la figura 4.14 en donde
131
133
Figura 4.16.b Grfica del ngulo de dase para el modelo del contacto vertical
134
Figura 4.17
135
136
137
138
139
Figura 4.20
141
142
Figura 4.21.b Grfica del ngulo de fase para el sitio 1 del modelo de la
143
144
145
Figura 4.23
149
Figura 4.24
150
Figura 4.25
151
Figura 4.26
Figura 4.27
153
Figura 4.28
154
Figura 4.29
155
Figura A.1
170
10
INTRODUCCION
11
12
Diferencias Finitas
Elemento Finito
Ecuaciones Integrales
En el presente trabajo se ha empleado el mtodo de ecuaciones integrales en la solucin de
la ecuacin de onda en un medio heterogneo, sin embargo, uno de los inconvenientes de
este esquema es que para determinar el campo secundario es necesario conocer el campo
total. Este hecho impone buscar alternativas de solucin para tener un algoritmo de clculo
que sea rpido y confiable.
Del sinnmero de tcnicas que existen, uno de ellos es el mtodo de Born que bsicamente
consiste en perturbar la ecuacin diferencial para encontrar la solucin del campo
secundario a travs de una sumatoria. El nmero de trminos empleados de la sumatoria
determina el orden de la aproximacin; por ejemplo, de orden cero, uno o dos.
El mtodo perturbativo de Born ha sido empleado en la modelacin de la respuesta
electromagntica de los diferentes mtodos electromagnticos, bajo la condicin que
0 . Esta condicin ha motivado a buscar diferentes alternativas para mejorar el rango
de variacin de la conductividad elctrica y de esta manera poder resolver problemas ms
complejos.
Siguiendo una clasificacin presentada por Chew (1995), el mtodo de Born se puede
dividir en dos categoras:
Mtodo de Born Iterativo ( Born iterative Method, BIM)
Mtodo de Born Iterativo distorsionado (Distorted Born Iterative Method,
DBIM)
13
14
15
CAPITULO 1
METODOS ELECTRICOS
1.1 INTRODUCCIN
Los mtodos elctricos en sus diferentes modalidades son quizs las tcnicas mayormente
empleadas en la exploracin geofsica debido, principalmente, a su sencillez en la teora, su
poder de resolucin para exploracin somera y la vasta experiencia acumulada en su
aplicacin e interpretacin alrededor del mundo.
Como toda tcnica prospectiva tuvo, en un principio, una etapa emprica y con el transcurso
del tiempo sus bases tericas fueran establecidas. En esta etapa destacan tres personas C.
Schlumberger, Sabba S. Stefanescco y Raymond Maillet (Orellana, 1972) quienes
establecieron las ecuaciones y resolvieron el modelo bsico de la prospeccin elctrica en
corriente continua, es decir la Tierra estratificada o Tierra 1-D.
Despus de esta etapa se desarrollaron tcnicas para determinar las resistividades y
espesores de los diferentes estratos de una Tierra 1-D. En este periodo el nfasis fue puesto
en el desarrollo de tablas maestras que consista en una coleccin de curvas de
resistividades aparente para una Tierra de 2, 3 4 o 5 capas y diferentes parmetros de
resistividad y espesor de los estratos; entre esta coleccin se encuentra las tablas de
Mooney y Orellana (Orellana, 1972). La interpretacin se haca encontrando la curva
maestra que ms se ajustara a la curva de campo. Una tcnica que se empleaba en
combinacin con las curvas maestras era el mtodo de punto auxiliar que permita
interpretar modelos de varias capas. La filosofa del mtodo era simple y consista en que el
nmero de capas se iba reduciendo de dos en dos, proponiendo un estrato equivalente para
las dos capas que se sustituan.
Sin embargo, las tcnicas interpretativas iban ha experimentar una revolucin profunda a
partir de la dcada de los aos setenta con el trabajo fundamental de Ghosh (1971) quin
introduce la teora de filtros digitales para calcular la curva de resistividades aparente dada
los espesores y resistividades de una Tierra 1-D. El mtodo propuesto por Ghosh permiti
el desarrollo de las tcnicas de inversin como la propuesta por Inman et al (1975). En un
principio las tcnicas de interpretacin automatizadas necesitaban de un modelo inicial,
pero con el avance de la teora de inversin aplicada a la interpretacin de datos geofsicos,
esta restriccin fue eliminada.
Unos de los primeros mtodos desarrollados que no necesitaba de modelo inicial es el de
Zhody (1975); posteriormente con la introduccin de la teora de Backus y Gilbert (1968)
se poda determinar la funcin de resistividad verdadera ( z ) como lo muestra el trabajo
de Oldenburg (1978) o Esparza y Gmez-Trevio (1997). En forma paralela y con el
avance de las computadoras se pudieron resolver modelos para la Tierra ms complejos.
Entre los primeros trabajos estn el de Mufti (1976) y Dey y Morrison (1979) que permita
determinar la curva de resistividades aparente para una Tierra 2-D empleando la tcnica de
16
diferencias finitas. De igual forma que sucedi para una Tierra 1-D se desarroll tcnicas
de interpretacin automatizados.
En aos recientes, con el avance de las tcnicas de inversin, se ha desarrollado la tcnica
de imagen elctrica, pudiendo citar los trabajos, por ejemplo, de Shima y Saito (1988) o
Barker (1992). En forma paralela nuevas tcnicas en la toma de datos se desarrollaron
como lo muestra el trabajo de Griffiiths y Turnbull (1985).
En la ltima dcada se ha experimentado un rpido crecimiento en las tcnicas de
inversin para obtener imgenes elctricas que muestran la distribucin de la resistividad
verdadera en el subsuelo, como lo muestra los trabajos de Gmez-Trevio (1987), Cavazos
y Gmez-Trevio (1988), Esparza (1991), Locke y Barker (1995), Prez-Flores (1995),
Lesur, et al (1999), por citar algunos.
La tcnica para tomar los datos que permiten construir una imagen elctrica bien se podra
nombrar Tomografa. El trmino Tomografa ha causado confusin en la comunidad
geofsica internacional y nacional, ya que el trmino se asocia ms a una distribucin de las
fuentes y receptores en puntos distintos, por ejemplo tomografa elctrica de pozo a pozo;
sin embargo, cuando la fuentes y receptores se encuentran en una misma lnea, como
puede ser en los arreglos multielectrodos (Locke y Barker, 1995, Griffiths y Turnbull,
1985), no se considera que sea una tcnica tomogrfica sino ms bien se trata de una
tcnica de perfilaje o calicateo elctrico. El trmino tomografa implica que un fenmeno
fsico se est observando o describiendo por secciones (tomografa mdica) y no se refiere a
un arreglo particular de fuentes y receptores. Aunque el arreglo de fuente y receptores
colineales para una cierta tcnica tomogrfica y perfilaje elctrico en el plano Z=0 sea
similar, el objetivo es totalmente distinto. El perfilaje elctrico busca interpretar cada una
de las curvas de campos para poder determinar contactos o ubicacin y profundidad de un
cuerpo causativo (Orellana, 1972), mientras que en la tomografa el objetivo principal es
poder determinar una imagen elctrica que muestre la distribucin de la resistividad
verdadera en el subsuelo. Una descripcin ms amplia de este concepto se puede encontrar
en Gmez-Trevio (1996, 1997 y 1998).
La obtencin de una imagen elctrica se hace mediante tcnicas de inversin y un paso
necesario es resolver el problema directo; para tal fin un modelo del subsuelo debe ser
propuesto. Para el caso de la Tomografa elctrica el modelo propuesto debe ser, debido a
que la naturaleza es ms compleja de lo que podemos modelarla, lo bastante simple para un
clculo rpido y lo suficientemente complejo que permita una representacin bastante real
de las estructuras del subsuelo. Un primer acercamiento a este problema consiste en
proponer que la resistividad permanece constante para un determinado volumen de terreno,
entonces el semiespacio inhomogneo es construido al combinar varios de estos volmenes
de terreno, sin embargo, la geometra del volumen debe ser sencilla para un clculo rpido,
por ejemplo, paraleloppedos para un medio 3-D y prismas de rumbo infinito para un
medio 2-D. Este procedimiento consiste en proponer un mallado sobre el semiespacio, el
cual permanece constante en el proceso de inversin y donde el nico parmetro a
determinar es la resistividad de cada prisma. Entre ms fino es el mallado, mejor
representacin del subsuelo se puede obtener. Sin embargo, esto queda limitado por la
17
densidad, calidad e informacin de los datos observados que limitan el nmero de prismas
que se pueden emplear.
Bsicamente los mtodos para resolver el problema directo se pueden clasificar en tres:
a) Mtodo de Diferencias finitas.
b) Mtodo de Elemento Finito.
c) Mtodo de Ecuaciones Integrales
Los mtodos (a) y (b) han sido ampliamente empleados, por ejemplo, Locke y Barker
(1995). La tcnica (c) ha sido menos utilizada. Sin embargo, trabajos excelentes en este
campo se han realizados como el de Snyder (1976), Gmez-Trevio (1988), EsparzaHernandez (1991), Prez-Flores (1995), Lesur (1999). Los trabajos de Snyder y Lesur
modelan la respuesta elctrica mediante integrales de superficie y Gmez-Trevio,
Esparza-Hernandez y Prez-Flores (1995) emplean integral de volumen.
En el presente captulo se deduce una expresin del potencial como una integral de
volumen realizada en un semiespacio heterogneo y se dan las bases para su aplicacin en
el desarrollo de algoritmo para el clculo de la respuesta elctrica para cualquier arreglo de
electrodos.
POTENCIAL
EN
UN
r = f (r )
(
)
r
z>0
r
U (r )
=0
z
z=0
1.1
r
Donde f (r ) es la intensidad de la fuente primaria; por ejemplo para un electrodo puntual
r
r
r
descansando en z=0, f (r ) = I (r ) y (r ) es la funcin impulso e I es la intensidad de
corriente.
18
A (0,0,0)
M (x,0,0)
r
El potencial U (r ) se puede encontrar resolviendo la ecuacin (1.1), sin embargo, una
r
solucin para U (r ) se puede, tambin, determinar por aplicar la primera identidad de
19
Green. Para tal fin supongamos que la regin donde se desea encontrar la solucin es como
la que se muestra en la figura 1.2.
r
La solucin del potencial U (r ) a partir de la primera identidad de Green se puede escribir:
r r
1.2
r' r
r' r
U (r ) (r )ds = U (r ) (r )ds
S
'
S0
r' r
U (r ) (r )ds
'
1.3
Sr
r
El potencial U (r ) 0, si r y por lo tanto la integral sobre la superficie S r es igual
con cero. El potencial se puede escribir, al sustituir la ecuacin (1.3) en la ecuacin (1.2),
como:
r 2 r
r
r
r
r r
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
U
r
'
r
'
dv
'
U
r
'
r
'
dv
U
r
'
'
r
') ds0
1.4
S0
r
La ecuacin (1.4) se puede resolver al seleccionar (r ) como la funcin de Green para el
problema de Neumann (segundo problema de contorno), es decir:
r r
r r
2 G (r , r ' ) = (r , r ' )
z>0
1.5
r r
G (r , r ' )
=0
z=0
Una funcin de Green que satisfaga la ecuacin (1.5) no puede existir, pues viola el
teorema de Green en su segunda identidad (Roach, 1982), es decir:
[G
v v 2 G dv =
G
S
dS
1.6
20
(r , r ') dv =
r r
ds
1.7
21
1.2.2
r r
r r
2G (r , r ') = (r , r ')
z>0
1.8
r r
G (r , r ')
= k
z=0
k=
1.9
ds
Se propone que la funcin de Green generalizada para el plano infinito se puede expresar
como:
r r
r r
r r
G (r , r ') = N (r , r ') + W (r , r ')
1.10
r r
2W = 0
W
N
= k
en V
1.11
en S
N (r , r ') =
2
2
2
2
4 r + ( z z ')
r + ( z z ' ')
1.12
22
N
N
r r r
= ' N (r , r ') =
z '
1.13
z
N
=
2 r 2 + z 2
r
Donde es el vector normal exterior a la regin y de acuerdo a la figura 1.2 va en la
direccin z negativa y la derivada normal est evaluada en z=0
Al sustituir la ecuacin (1.13) en la ecuacin (1.11) se tiene que:
W
z
= k +
2 r 2 + z 2
1.14
2
r r
Para satisfacer la ecuacin (1.14), se propone, para W (r , r ') , una solucin del tipo
r r
W (r , r ') =
A
4 r 2 + ( z z ' ')
kz ' '
1.15
r r
W
W
r
= 'W =
z '
1.16
W
Az
=
4 r 2 + z 2
Az
+ k =
4 r 2 + z 2
1.17
23
Az
4(r 2 + z 2 )
k = k +
2
2(r 2 + z 2 )
1.18
2
1.19
r r
r r
W (r , r ') =
2
4 r 2 + ( z z ' ')
kz ' '
1.20
1
1
1
r r
kz ' '
G (r , r ') =
+
2
2
4 r 2 + ( z z ')2
(
)
'
'
r
+
z
1.21
donde
z' ' = z' ; r 2 = ( x x ' ) 2 + ( y y ' ) 2 ; k =
ds
= Inverso de la Superficie
1.22
24
' G =
r
r
r
r
r
r
1 (x x')i + ( y y') j + ( z z')k ( x x') i + ( y y') j (z + z ') k r
+ kk '
+
3
2
2
2 2
4 ( x x')2 + ( y y')2 ( z z')2 32
(
)
(
)
(
)
x
x
'
+
y
y
'
+
z
+
z
'
1.23
De igual manera, el valor normal del gradiente evaluada en la frontera z=0 da como
resultado:
r
' G = k
1.24
Al sustituir
r
r
r
r
r
r
1
1 r r (x x')i + ( y y') j +(z z')k (x x')i + ( y y') j (z + z')k
r
r
r
dv
+
U(r) =- E(r')
Ez (r') dv k + k U(r') ds
4 V
4
] [
1.25
] [
1.26
Para expresar a la ecuacin (1.26) en funcin de la resistividad del medio se emplea la ley
r r
r r r
de Ohms; de tal manera que el campo elctrico se puede expresar E (r ) = (r ) J (r ) . Si se
sustituye esta expresin en la ecuacin (1.26) se obtiene la expresin general del potencial
para el semiespacio heterogneo como:
r
r
r
r
r
r
(
1
x x')i + ( y y') j ( z + z')k
r
r r r (x x')i + ( y y') j + (z z')k
dv
U (r ) = (r ) J (r )
+
3
3
4 V
(x x')2 + ( y y')2 (z z')2 2 ( x x')2 + ( y y')2 + ( z + z')2 2
] [
1.27
25
1.3
Una expresin ms sencilla para el potencial (ecuacin (1.27)) se logra si consideramos que
las corrientes secundarias son despreciables con respecto a las corrientes primarias, es
r r
r r
decir: J S (r ) << J P (r ) ; lo que Eskola (1992) llama un problema de dispersin dbil (weak
scattering problem).
r
r
r
r
r
r
(
1
x x')i + ( y y') j (z + z')k
r
r r r (x x')i + ( y y') j + (z z')k
dv
+
U (r ) = (r ' ) J P (r ' )
3
3
4 V
( x x')2 + ( y y')2 ( z z')2 2 ( x x')2 + ( y y')2 + (z + z')2 2
] [
1.28
La ecuacin (1.28) se puede emplear para determinar el potencial para diferentes tipos de
arreglo de fuentes monopolares, ya sea que stas estn descansando en Z=0 o sumergidas
en el semiespacio. Esto se estudiar con ms detalle en el prximo subtema.
r
FUENTE PUNTUAL DESCANSANDO EN Z=0 Y (r ) 0
EN UNA TIERRA 2-D
1.4
La ecuacin (1.28) es vlida para una Tierra 3-D y cuando las corrientes de conduccin
r
secundarias son despreciables; sin embargo, si se desea determinar U (r ) para una Tierra
2-D, en puntos de la superficie con coordenadas (x,0,0), se tiene que determinar al vector
v r
J p (r ) ; as se tiene que de la ecuacin (1.28) :
r
r
r
1
r
r r r ' ( x x')i y ' j z ' k
U (r ) =
dv
(r ')J p (r )
3
2 V
( x x')2 + y ' 2 + z ' 2 2
1.29
fuente y el balance de las corrientes que entran y salen de una superficie semiesfrica con
centro en la fuente se mantiene igual con cero, entonces se tiene que:
Sr
r
r r
(r )dV = J p (r )dS r = I
1.30
Sr
26
J P (r ) =
2 ( x x ) 2 + y 2 + z 2 3 2
S
1.31
[( x'
x s ) + y' + z'
2
] [(x x')
3
+ y' + z'
2
1.32
1.33
donde:
Fy ( x , z ) =
'
'
(x
'2
+y +z
'2
) [(x ' x ) + y
3
'2
+z
'2
dy '
1.34
Locke y Barker (1995) encuentran una solucin analtica para ecuacin (1.34), cuando x >
0.5x, cuya expresin es:
FY ( x' , z ' ) =
[(
2 2 E ( k ) 2 K ( k ) x ' x 2 + 2 E ( k ) 2 2 K ( k )
2 ( 2 2 )
( 2 2 ) 2
Donde :
1.35
27
[(
2 2 E ( k ) 2 K ( k ) x ( x x ' ) 2 + 2 E ( k ) 2 2 K ( k )
FY ( x' , z ' ) =
+
2 ( 2 2 )
( 2 2 ) 2
Donde :
1.36
16 5
2
1.5
1.37
La ecuacin (1.32) resuelve el potencial para una fuente puntual, entonces para un arreglo,
por ejemplo, tetrapolar la solucin del potencial se puede encontrar por superposicin
i=2
r
r
U (r ) = U (ri )
1.38
i =1
I
r
U (r ) = 2
4
i=M
i
i =1
[( x'
] [(x x')
3
+ y' 2 + z' 2
dv i
1.39
La ecuacin (1.39) se puede resolver de la misma manera que se discuti en la seccin 1.3.
S se sustituye la ecuacin (1.39) en (1.38) se puede determinar el potencial total para
cualquier tipo de arreglo.
La teora discutida en el presente captulo est centrada en demostrar que la funcin
potencial se puede expresar como una integral de volumen, apartndose del tratamiento
ms empleado para el potencial de expresarlo como una integral de superficie. La
aplicacin prctica y las ventajas de las ecuaciones aqu deducidas no se tratarn en la
presente tesis, ya que este tema queda abierto para futuras investigaciones.
28
29
CAPITULO 2
ECUACIONES DE LA RESPUESTA MAGNETOTELURICA
PARA UNA TIERRA 2-D
2.1 INTRODUCCION
30
2.1.a
r r
r r
r r
xH (r ) = J (r ) + E (r )
2-1.b
r r
r
J (r ) = i (r )
2.1.c
r r
r
(E (r )) = (r )
2.1.d
r r
( H (r )) = 0
2.1.e
31
Cada uno de estos campos satisface las ecuaciones de Maxwell y se propagan en cierta
direccin, que identificamos con un vector unitario. Si ahora multiplicamos al conjunto de
ecuaciones (2.1) por cada uno de los vectores, unitarios, por el lado derecho, y sumamos el
resultado (ya que los operadores de campo son lineales), se obtendra:
r r
r r
xE (r ) = i H (r )
2.2.a
r r
r r
r r
xH (r ) = J (r ) + E (r )
2-2b
r r
r r
J (r ) = i (r )
2.2.c
r r
r r
(E (r )) = (r )
2.2.d
r r
( H (r )) = 0
2.2.e
Donde:
3 r
r r
r
E (r ) = E j (r ) xv j
j =1
3 r
r r
r r
H (r ) = H j (r ) x j
j =1
r r
r r r
J (r ) = J j (r ) x j
3
j =1
3
r r
r r
(r ) = j (r ) x j
j =1
Las componentes de una didica son vectores. El vector densidad de carga contiene tres
r r
distintas distribuciones de carga elctrica y por lo tanto (r ) no tiene un significado
vectorial fsico y es solamente un procedimiento formal matemtico (Tai, 1|993).
De igual forma, se puede definir la funcin de Green didica y cuyas componentes seran
funciones vectoriales de Green. Para visualizar este concepto se puede imaginar tres
distribuciones de corriente que corresponden a tres dipolos elctricos infinitesimales y
r r
r r r
orientados en la direccin de los ejes coordenados ( x , y, zr ) o ( x1 , x 2 , x3 ) . Entonces dichas
distribuciones de corriente se pueden expresar como:
r
r r
J j = c j (r r ' ) xv j
j = 1,2,3
2.3
32
r
r
Donde c j x j = J j dV denota el momento dipolar. Si ahora
se normaliza el momento
r
1
r
r
Ge = 2 2 ( r r ' )
k
r
Gm = 0
2.5
En el fondo la idea intuitiva que est detrs del empleo de las funciones didicas es que si
conocemos el campo electromagntico generado por tres dipolos elctricos elementales, es
posible que el campo debido a cualquier distribucin de corriente puede encontrarse.
2.3 RESPUESTA
ELECTROMAGNTICA
HETEROGENEA
DE
UNA
TIERRA
3-D
33
varios cuerpos inhomogneos, como se muestra en la figura 2.1. Esto implica un medio
inhomogneo caracterizado por una funcin de conductividad (r ) = 0 + (r ) .
+iwt
34
El campo primario cuando incide sobre las diferentes estructuras es dispersado de tal
manera que el campo elctrico o magntico en un punto del semiespacio inhomogneo se
expresa como:
r r
r r r r
E (r ) = E0 (r ) + e (r )
2.6.a
r r
r r r r
H ( r ) = H 0 (r ) + h ( r )
2.6.b
r r
r r
Donde E0 y H0 forman el campo primario, mientras e (r ) y h (r ) es el campo producido por
las diferentes estructuras. Si las ecuaciones (2.6.a) y (2.6b) se substituyen en ecuaciones
(2.1.a.) y (2.1.b), se puede demostrar, al aplicar el principio de superposicin, que los
campos electromagnticos satisfacen las siguientes ecuaciones de Maxwell.
r r
r r
xE0 (r ) = iH 0 (r )
2.7.a
r r
r r
r r
xH 0 (r ) = J (r ) + 0 E 0 (r )
2.8.b
rr
rr
xe(r ) = i h(r )
2.9.a
r r
r r
r r r
xh (r ) = 0 e (r ) + (r ) E (r )
2.9.b
2.10.a
r
Si se define k 02 = i 0 y k 2 (r ) = i (r ) como las constantes de propagacin para el
semiespacio homogneo y el inhomogneo, respectivamente. Se puede definir una
constante de propagacin anmala k 2 (r ) = k 2 k 02 = i (r ) de tal manera que la
ecuacin de onda (2.10.a) se expresa como:
r r
r r r
r r r
xxe (r ) k 2 (r )e (r ) = k 2 (r ) E0 (r )
2.10.b
35
2.10.c
r r
Para resolver ambas ecuaciones slo se necesita determinar el campo e (r ) de la ecuacin
r r
(2.10.b) y h (r ) se determina a partir de la ecuacin (2.9.a).
La funcin de Green didica del tipo elctrico satisface el mismo tipo de ecuacin de onda
(2.10.b) y se expresa como:
r r r
r r r
r r r
xxGe (r , r ' ) k 2 (rv )Ge (r , r ' ) = I (r r ' )
2.11
r r
La solucin de e (r ) se puede determinar en forma integral a partir del teorema de Green
para didicas (Tai, 1993)
2.12
r r
r r
Si en la ecuacin (2.12) P = e y Q = Ge ; adems de tomar en cuenta las ecuaciones (2.11)
y (2.10.b) se obtiene:
r r r
r r r r r
r r r r r
r r
{
e
(r ) [I (r r ) + k G (r , r )] [k e (r ) + k E (r )] G (r , r )}dV =
r r r
r r r r r
r r r
n (e (r ) xxG (r , r ) + [ ih (r ) xG (r , r )])dS
'
'
'
'
2.13
'
r r
En las deducciones que siguen en ocasiones se omitirn los vectores de posicin r y r '
para hacer la escritura ms gil; se entiende que las funciones didicas son funciones de
ambos vectores de posicin. Sin embargo, el campo elctrico puede ser, en ocasiones,
funcin de coordenadas de campo o de cuerpo.
Trabajando con la integral de volumen en la ecuacin (2.13) y de la propiedad de la delta de
Dirac.
r r r r
r r
e (r ) (r r ' )dV = e (r ' )
2.14
])
r r r
r r r r r
r r r r r
r r
r r r
e (r ' ) = k 2 E 0 (r ) Ge (r , r ' )dV n e (r ) xxGe (r , r ' ) + ih (r ) xGe (r , r ' ) dS 2.15
v
36
r
n [*]dS =
r
n [*]dS 0 +
S0
r
n [*]dS
2.16
2.17
La ecuacin (2.17) implica que la integral sobre S es cero y la integral sobre S se reduce
simplemente a:
r r r
r r r r r
r
r r r
n [*]dS = n (e (r ) xxGe (r , r ' ) + [ ih (r ) xGe (r , r ' )])dS
S
2.18
S0
2.19.a
r r
r r
xxh2 (r ) k 22 h2 (r ) = 0
2.19.b
r r r
r r r
xxG2 (r , r ' ) k 22 G2 (r , r ' ) = 0
2.19.c
2.20.a
r r r r r
nx[h (r ) h2 (r )] = 0
2.20b
r r r
r r r r
n x Ge ( r , r ' ) G 2 ( r , r ' ) = 0
2.20.c
r r r'
r r r'
r xGe (r , r ) xG2 (r , r )
nx
=0
2.20.d
37
Al aplicar el teorema de Green (ecuacin 2.12) y teniendo en cuenta las ecuaciones (2.19) y
(2.20) se puede demostrar que la integral de volumen en la regin Z<0 es igual con cero y
por lo tanto se obtiene que:
])
r r r
r r r
r r r r r
0 = n2 e2 (r ) xxG2 (r , r ' ) + xe2 (r ) xGe (r , r ' ) dS
2.21
S0
Donde
r
n2 [*]dS =
r
n2 x[*]dS +
r
n2 x[*]dS
S0
e
(
r
)
x
x
G
(
r
,
r
)
e
(
r
)
x
x
G
r
r r
r r
r
2
2
e (r , r ) +
V
S0
+ xe2 (r ) xG2 (r , r ) ih (r ) xGe (r , r )
2.22
2.23
se puede expresar:
r
r
r
r r
r r
r r
n e2 xxG2 = e n xxG2 = nxe2 xG2
2.24.a
r
r
r r
r r
r r
n e xxGe = e n xxG e = nxe xGe
2.24.b
r
r
r r
r
n e2 xxG2 e xxGe ]dS =
S0
r
r
r r
n xe xG2 xGe ]dS
2.25
S0
38
S0
r
r
r
r
r r
r r
r
nxe xG2 xGe ]dS = e n xxG2 n xxGe ]dS =
S0
S0
r
r
r
e 2 1 n xxGe
2.26
r r
Por otro lado, de la ecuacin (2.9.a) de Maxwell aplicada al campo e2 (r ) , la integral
segunda de superficie de la ecuacin (2.22) se puede expresar como:
r r
r r
n xe2 xG2 ih xGe
S0
] ]dS = nr [
r r
r r
i 2 h2 xG2 + ih xGe ]dS
2.27
S0
2.28.a
r r r
r r r
r r r
n h xGe = nxh Ge = h (n xGe )
2.28.b
r r
r r
r
n [ i 2 h2 xG2 + ih xGe ]dS =
S0
r r r
r r r
i ( 2 n xh2 G2 + n xh Ge )dS
2.29
S0
r r r
r r r
i [ 2 n xh2 G2 + n xh Ge ]dS =
S0
r r r
r r r
i [ 2 n xh G2 + n xh Ge ]dS
2.30
S0
S0
r r r
r r r
i [ 2 nxh G2 + nxh Ge ]dS =
r r r
r r r
i [ 2 h n xG2 h n xGe ]dS
2.31
S0
39
r r r
r r r
i [ 2 h nxG2 h n xGe ]dS =
S0
r r r
i [ 2 ]h n xGe dS
2.32
S0
Al sustituir las ecuaciones (2.32) y (2.26) en la ecuacin (2.22), se encuentra que el campo
elctrico secundario se puede expresar como:
r r r r r
r r
e (r ' ) = k 2 E 0 (r ) Ge (r , r ' )dV +
V
S0
r r r
r
r r
e (r ) 2 1 n xxGe (r , r ' )dS +
r r r r r r'
i [ 2 ]h (r ) n xGe (r , r )dS
2.33
S0
V
S0
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '
2.34
S0
r r r T r r
r r r r r
E 0 ( r ' ) G e ( r ' , r ) = Ge ( r ' , r ) E 0 ( r ' )
2.35
r r r
= Ge (r , r ' )
2.36
40
Al tomar en cuenta las ecuaciones (2.36) y (2.35) en la ecuacin (2.34), el campo elctrico
secundario se puede expresar en una forma ms familiar.
r r r r r
r r r
r
r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E 0 (r ' )dV '+ e (r ' ) 2 1 n x' xGe (r ' , r )dS '+
V
S0
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '
2.37
S0
v r
h (r ) =
1
x[
i
r r r r r
r r r
r
r r
k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '+ e (r ' ) 2 1 n x' xGe (r ' , r )dS '+
S0
2.38
r r r r r r
+ i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS ' ]
S0
El operador Nabla puede entrar bajo el signo de la integral de la ecuacin (2.38), es decir:
r r r
r
r
r
r r
x ( G e ( r , r ' ) k 2 E 0 ( r ' )) = x (G X k 2 E 0 X + G Y k 2 E 0 Y + G Z k 2 E 0 Z ) =
r
r
r
= x (G X k 2 E 0 X ) + x (G Y k 2 E 0 Y ) + x (G Z k 2 E 0 Z
2.39
En la ecuacin (2.39) hay que recordar que el producto de una didica con un vector es un
vector.
Del clculo vectorial se obtiene que:
(
(
(
) (
) (
) (
r
r
r
x G X k 2 E 0 X = k 2 E0 X xG X + x(G X ) k 2 E0 X
r
r
r
x GY k 2 E0Y = k 2 E 0Y xGY + x(GY ) k 2 E0Y
r
r
r
x GZ k 2 E 0 Z = k 2 E0 Z xG Z + x(G Z ) k 2 E 0 Z
)
)
(
(
)
)
)
2.40
2.41
41
2.42
r r r r
r r r
Recordando que: G XM (r , r ' ) = G M (r , r ' ) i ;y con un razonamiento similar para los otros
vectores de Green magnticos fcilmente se puede demostrar que la ecuacin (2.39) se
puede escribir como:
r r r
r r r
r r
r r
x(Ge (r , r ' ) k 2 E 0 (r ' )) = Gm (r , r ' ) k 2 E 0 (r ' )
2.43
v r
h (r ) =
r r r r r
r r r
1
1
r r 2 r
2
k
G
(
r
,
r
'
)
E
(
r
'
)
dV
'
x
e
(
r
'
)
1
n
x
'
x
G
M
0
e ( r ' , r )dS '+
i V
i S0
r r r r r r
1
+
x i [ 2 ]h (r ' ) n xGe (r ' , r )dS '
i S 0
2.44
42
CONDICIONES IMPUESTAS
Con las consideraciones arriba mencionadas, ambos autores postulaban que al determinar la
impedancia de onda en Z=0 era factible encontrar la conductividad del subsuelo o de los
diferentes estratos si se asume un modelo 1-D.
Wait (1954) critic dichas consideraciones como no vlidas para explicar
satisfactoriamente la propagacin de los campos elctricos y magnticos, puesto que no se
cumpla en la realidad que los campos elctricos y magnticos fueran perpendiculares y
por lo tanto no se desplaza un frente de onda plana que implica que la impedancia de onda
no existe. Adems, si existiera, sta debera estar influida por la fuente.
Lo anterior dio origen a una fructfera discusin entre Cagniard y Wait que involucr a
muchos otros investigadores para establecer si las bases consideradas eran vlidas o no en
la descripcin de los campos electromagnticos para el mtodo MT. Los trabajos de
Madden y Nelson (1986), Dmitirev y Berdichevsky (1978), entre otros, dejaron en claro
que las consideraciones hechas por Tickhonov (1950) y Cagniard (1953) para el mtodo s
eran vlidas.
43
2.4.2
APROXIMACION DE BORN
2.10.b
2.45
r
r
k 2 (r ) = k 2 k 02 = i (r ) , k 2 = i (r )
r
r
k 2 (r ) r r
r r
2
)e (r ) = k 2 (rr ) E0 (rr )
xxe (r ) k 0 ( 1 +
2
ko
2.46
r r
combinacin de varias soluciones elementales em (r ) que satisfacen la misma ecuacin
diferencial no perturbada, es decir
r
k 2 (r )
r r
r
2
mr r
2 r r
)
xx e (r ) k 0 ( 1 +
e
(
r
)
=
k
(r ) E 0 (r )
2
ko
Expandiendo la sumatoria se obtiene:
m
2.47
r r
r r
r r
r
r
r r
xxe0 (r ) + xxe1 (r ) + xx 2 e2 (r ) + ... + xx m 1 em 1 (r ) + xx m em (r ) +
r r
r r
r r
r
r
r r
k 02 e0 (r ) k 02 1e1 (r ) k 02 2 e2 (r ) ... k 02 m 1em 1 (r ) k 02 m em (r )
2.48
r r r
r r r
r r r
r r
r
k 2 (r )e0 (r ) 2 k 2 (r )e1 (r ) 3 k 2 (r )e2 (r ) ... m k 2 (r )em 1 (r )
r r r
r r r
m +1k 2 (r )em (r ) ..... = k 2 (r ) E0 (r )
44
2.49
Cada una de las ecuaciones en (2.49) satisface las mismas condiciones de frontera que el
r r
campo e (r ) . De acuerdo a lo que hemos discutido en las secciones (2.3) y (2.4.2), la
solucin para cada una de las ecuaciones en el sistema de ecuaciones de (2.49) se puede
expresar como:
r r
r r r r r r
e0 (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) E 0 (r ' )dV '
V
r r
r r r r r r
e1 (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) e0 (r ' )dV '
V
........................................................
........................................................
r r
r r r r r
r
em (r ) = k 2 (r ' )Ge (r , r ' ) em 1 (r ' )dV '
2.50
r r
El sistema de ecuaciones (2.49) implica que cada uno de los campos em (r ) se estn
propagando en un medio homogneo, por lo tanto la funcin de Green que se emplea para
resolver el sistema de ecuaciones (2.50) es la que corresponde a un semiespacio
homogneo.
El valor de m determina el orden de la aproximacin de Born. As se tiene que se nombra
r r r r
r
aproximacin de orden cero, uno si e = e0 , e = e0 + e1 , respectivamente.
Para el caso del mtodo de MT, de la manera en la que se ha deducido en el presente
trabajo, la solucin para el campo elctrico secundario es una aproximacin de orden cero
la que se emplear, pues el campo incidente se conoce para cualquier punto del
semiespacio. Sin embargo, si se hubiese planteado desde el principio la solucin de la
ecuacin
de onda para el campo elctrico total y se hubiese expresado la
r r r
solucin E = E 0 + e0 se hablara de una aproximacin de Born de primer orden. Esta
aproximacin fue la que emple Torres-Verdn (1992) o la que discute Chew (1995). Para
el campo elctrico total la ecuacin de onda se expresa como:
45
r
r
k 2 (r ) r
2
xxE (r ) k 0 ( 1 +
)E (r ) = 0
k o2
r
r
E = m Em
2.51
m =0
2.52.a
r
r
r
xxGe k 2 Ge = I (r r ' )
2.52.b
La solucin Integral para el campo se expresa por la ecuacin (2.45), que por comodidad
se vuelve a escribir:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '
2.45
46
r
r
Por un procedimiento similar al anterior la ecuacin (2.52.b), al considerar Ge = m Gm ,
m=0
se expresa como:
r
r
k 2 (r )
2
xx Gm (r ) k 0 ( 1 +
k o2
m
) m Gm (r ) = I (rr rr ' )
2.53
2.55
r r r
r r r r r r
G1 (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) G0 (r ' , r0 )dV '
V
r r r
r r r r r r r
G2 (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) G1 (r ' , r0 )dV '
V
........................................................
........................................................
r r r
r r r r r
r r
Gm (r , r0 ) = k 2 (r ' )G0 (r , r ' ) Gm 1 (r ' , r0 )dV '
2.56
47
Si para la funcin de Green para el semiespacio heterogneo slo nos quedamos con una
aproximacin de orden cero, la funcin de Green se puede expresar como
r r r
r r r
Ge ( r , r ' ) G0 ( r , r ' ) .
Ambos procedimientos perturbativos proporcionan la misma solucin para el campo
elctrico secundario, sin embargo, cuando se perturba la funcin de Green la ecuacin
diferencial que satisface el campo se deja inalterable. La funcin de Green, mientras
satisfaga la ecuacin diferencial y las condiciones de frontera, puede elejirse de tal manera
r r
que proporcione la mejor solucin posible para el campo e (r ) .
2.4.3
De acuerdo a las consideraciones hechas en la seccin (2.4.1), las expresiones para los
campos se deducen, primeramente, para = 2 = 0 ; entonces de la ecuacin (2.37) el
campo elctrico se expresa como:
r r r r r
r r
e (r ) = k 2 Ge (r , r ' ) E0 (r ' )dV '
2.57
r r r r r
1
2
k
G
M (r , r ' ) E 0 ( r ' ) dV '
i V
2.58
Para el mtodo magnetotelrico slo se observan las componentes horizontales del campo
elctrico y las tres para el campo magntico, por lo que en la discusin de las ecuaciones
solamente se tratarn dichas componentes. Tambin, hay que recordar que los campos se
observan para Z=0 y las ecuaciones se evaluarn para dicha coordenada.
El campo elctrico primario se puede describir por dos componentes horizontales:
r r
r r
r r
E 0 (r ) = E0 X (r )i + E0Y (r ) j ; al sustituir esta expresin en las ecuaciones (2.57) y (2.58) se
obtiene para el campo elctrico y magntico secundario:
r
r r
r
e X , j (r ) = k 2 G Xe , j (r , r ' ) E 0 X (r ' )dV '
V
2.59
j = x, y
48
r
h X ,l ( r ) =
1
r r
r
k 2 G XM,l (r , r ' ) E0 X (r ' )dV '
i V
2.60
l = x, y , z
r
De igual forma, la componente E 0Y (r ) proporciona las siguientes expresiones para los
campos secundarios:
r
r r
r
eY , j (r ) = k 2 GYe , j (r , r ' ) E 0Y (r ' )dV '
2.61
j = x, y
r
hY ,l (r ) =
1
r r
r
k 2 GYM,l (r , r ' ) E 0Y (r ' )dV
i V
2.62
l = x, y, z
En las ecuaciones (2.59) a (2.62), el subndice X,j indica la j-sima componente del campo
elctrico secundario producido por la componente X del campo primario; de igual forma,
X,l indica la l-sima componente del campo magntico producido por la componente X del
campo primario.
De la misma manera, Y,j indica la j-sima componente del campo elctrico secundario
producido por la componente Y del campo elctrico primario; Y,l indica la l-esima
componente del campo magntico secundario producido por la componente Y del campo
elctrico primario.
r
r r r
r
r
Ge (r , r ' ) = Gie, j i + Gie, j j + Gie, j k Indica el vector de Green elctrico; el ndice i=X,Y indica
la orientacin del dipolo; j=X,Y,Z indica la componente cartesiana.
r
r r r
r
r
G M (r , r ' ) = GiM, j i + GiM, j j + GiM, j k Indica el vector de Green magntico el ndice i=X,Y
indica la orientacin del dipolo; j=X,Y,Z indica la componente cartesiana.
Fx1 , Fy1 , Fz1 son elemento del potencial vectorial de tipo magntico, del cual se deducen los
correspondientes vectores de Green (Anexo A). Las diferentes componentes de los vectores
de Green, calculadas para Z=0, se expresan como:
Dipolo orientado en la direccin X
G
e
X ,X
1 FX1 FZ1 1
=
=F + 2
+
z 2
k 0 x x
G Xe ,Y =
1
X
nz
2
(
)
e
J
r
d
+
0
0 n +
x 2
1 FX1 FZ1 1 2 1
=
+
z k 02 xy 2
k 02 y x
e nz J 0 (r )d
1 nz
2k 2 e J 0 (r )d
0 0
2.63.a
2.63.b
49
G XM, X =
G XM,Y =
M
X ,Z
1
=
xy 4
n + e
nZ '
J 0 (r )d
2.63.c
FX1 FZ1
1
=
z
x
2
2
2 nz
+
e
J
(
r
)
d
0
0 n +
x 2
FX1
1
=
=
y
y 2
n+ e
nZ '
n+e
0
J 0 (r )d
nz
J 0 (r )d 2.63.d
2.63.e
e
Y ,Y
1 FY1 FZ1 1 2 1
=
+
z k 02 yx 2
k 02 x y
1 FY1 FZ1 1
=
=F + 2
+
z 2
k 0 y y
1
y
F 1 F 1
1
GYM, X = Z Y =
z
2
y
e nz J 0 (r )d
2.64.a
nz
2
0 n + e J 0 (r )d + y 2
2
2 nz
e
J
(
r
)
d
2
0
0 n +
y
1 nz
e
J
(
r
)
d
0
2k 2
0 0
2.64.b
1
nz
e
J
(
r
)
d
0
0 n +
2.64.c
GYM,Y =
M
Y ,Z
FZ1
2 1
=
x
xy 4
Fy1 1
=
=
x x 2
n + e
0
n + e
0
nZ '
nZ '
J 0 (r )d
J 0 (r )d
2.64.d
2.64.e
50
2.5
2.5.1
CONDICIONES IMPUESTAS
Cuando se trata el problema de MT para una Tierra 2-D se considera que las estructuras son
infinitas en la direccin del rumbo. Generalmente, los ejes coordenados se orientan con
respecto a una direccin preferencial, por ejemplo, el eje X es aquella perpendicular al
rumbo de la estructura y el eje Y es paralelo al rumbo. En el campo primario
r r
r
r
E 0 (r ) = E 0 e ik 0 Z i + E 0 e ik 0 Z j las componentes coinciden con la orientacin de los ejes
coordenados.
En el mtodo de MT, para una Tierra 2-D, se estudian dos modos de propagacin. El modo
TM (campo magntico paralelo al rumbo) considera que el campo elctrico incidente es
perpendicular al rumbo de las estructuras y en el modo TE (campo magntico perpendicular
al rumbo) el campo elctrico incidente es paralelo al rumbo.
Este modo particular de propagacin trae como consecuencia que no todas las componentes
de los campos elctricos y secundarios existan. De acuerdo a dErceville y Kuntez (1962)
en el modo TM no se genera campo magntico en la direccin Z y X; y en la direccin Y
el campo magntico es constante. Esto implica que slo el campo magntico incidente
existe en la direccin Y. Las observaciones de dErceville y Kunetz implica que
h X , X = h X , Z = h X ,Y = 0 (ecuacin (2.60)).
Para h X ,Y se sustituye la ecuacin (2.63.d) en la ecuacin (2.60), de tal manera que:
E0
h XY (r ) =
i 0
1
ik 0 Z '
r
dz k 2 (r ' )dx
1
nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy + 2
2
1 nz
2
e
d
J
(
r
)
d
y
0
0 n +
x 2
2.65
(J
(r ) )dy =
2
cos( ( x x ))
2.66
2
2 J 0 (r )dy = 2 cos( ( x x ))
x
2.67
51
Al sustituir las ecuaciones (2.67) y (2.66) en la ecuacin (2.65) se puede demostrar que las
integrales dentro del parntesis se expresan como:
1
2
1
2 nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy + 2
1
1 nz
2
e
d
0 n +
2 J 0 (r )dy =
x
cos( ( x x ))
cos( ( x x )) e nz d = 0
n+
n+
2.68
E0
i 0
2 1
'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
xy 4
1 nz
e
d
0 n +
(J 0 (r ) )dy 2.69
2
(J 0 (r ))dy = (J 0 (r ) )dy = J 0 (r ) + = 0
xy
x y '
x
2.70
E0
i 0
1
'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
y 2
nz
e
d
0 n +
(J 0 (r ))dy 2.71
(J 0 (r ))dy = (J 0 (r ))dy = J 0 (r ) + = 0
y
y '
2.72
52
Tambin, el campo elctrico e X ,Y = 0 , para el modo de propagacin TM. Para probar esta
aseveracin se sustituye la ecuacin (2.63.b) en la ecuacin (2.59).
+
1 2
r
ik 0 Z '
2 r'
nz
e )d J 0 (r )dy '
e XY (r ) = E 0 e
dz k (r )dx 2
k xy
0
2.73
(J 0 (r ))+ = 0
J 0 (r )dy ' = ( J 0 (r ) )dy ' =
xy
x y '
x
2.74
1 2
'
r
r
e nz )d J 0 (r )dy ' = 0
eYX (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx 2
k xy
0
2.75
r
hY ,Y (r ) =
E0
i 0
ik 0 Z '
dz
2
r ' 1
k (r )dx
xy 4
1 nz
= 0
(
)
(
)
e
d
r
d
y
0
0 n +
2.76
El resultado de la ecuacin (2.76) se sigue de la ecuacin (2.70).
53
2.5.2
'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
1
nz
0 n + e d (J 0 (r ))dy + 2k 02
nz
2
d 2 J 0 (r )dy
x
2.77
'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
1
1 nz
1
))d 2
cos(
(
e
x
x
n +
k 0
0
e nz cos( ( x x )d
2.78
'
r
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
nz
1
0 n + e d (J 0 (r ))dy + 2k 02
+
nz
2
d 2 J 0 (r )dy
y
2.79
La integral 2 J 0 (r )dy =
(J 0 (r ) )dy ' = J 0 (r ) + = 0 . La integracin
y
y y '
y
de la funcin de Bessel de menos a mas infinito se resuelve aplicando la ecuacin (2.66) y
se obtiene para el campo elctrico secundario la expresin:
1 1 nz
'
r
r
eYY (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d
0
0 n +
2.80
54
r
hYX (r ) =
E0
i 0
'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
nz
0 n + e d (J 0 (r ) )dy 2
2
1 nz
2
e
d
0 n +
y 2 J 0 (r )dy
2.81
E0
i 0
'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz cos( ( x x ))d
0 n+
2.82
E0
i 0
1
'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
2
nz
e
d
J 0 (r )dy '
0 n +
2.83
La integral
0
x
x
r
hYZ (r ) =
E0
i 0
'
r
e ik0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz sen( ( x x' ))d
0 n+
2.84
55
r
2.5.2.2 EN FUNCION DE LA CONDUCTIVIDAD (r )
'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
1 1 nz
1
n + e cos( ( x x ))d k 2
0
0
e nz cos( ( x x )d 2.85
0
e
dz '
e d cos( ( x x' ))dx'
n+
1 0
0
2
k 0 E0
1
ik 0 Z '
nz '
e
dz ' e d cos( ( x x' ))dx'
2
k0 0
2.86
2 ik 0 Z '
e
dz ' e nz ' ( )d = 0
2
k0 0
0
2.87
2 e
0
ik 0 Z '
1 nz '
dz '
e ( )d =
n+
ik 0
0
i 2 k0 Z '
dz ' =
i 2k 02
2
2.88
1
Donde : n = 2 k 02 ; y se considera : ( x) ( x)dx = (0)
2
0
56
Al sustituir las ecuaciones (2.88) y (2.87) en la ecuacin (2.85) se obtiene para el campo
elctrico secundario:
'
r
r
e XX (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
1
1 nz
1
))d 2
e
cos(
(
x
x
n +
k 0
0
E
e nz cos( ( x x )d + 0
2
2.89
De igual forma, el campo elctrico secundario para el modo TE, se puede expresar en
primera instancia, como:
1 1 nz
'
r
r
eYY (r ) = E0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d
0
0 n +
'
1 nz
E 0 k 02 e ik0 Z dz
e d cos( ( x x ))dx
0
0 n +
2.90
Al sustituir los resultados de las ecuaciones (2.86) y (2.87) en la ecuacin (2.90), por un
procedimiento similar al anterior, se obtiene para el campo elctrico secundario:
1 1 nz
E
'
r
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e cos( ( x x ))d + 0
0
0 n +
2
2.91
E k2
0 0
i 0
r
'
nz
0 e dz k (r )dx 0 n + e cos( ( x x ))d
ik 0 Z '
nz
e
dz
e d cos( ( x x ))dx
0 n+
E0
i 0
r
hYX (r ) =
ik 0 Z '
2.92
E0
i 0
ik 0 Z '
r
'
dz k (r )dx
e nz cos( ( x x ))d
0 n+
2.93
57
Por ltimo, para el campo magntico secundario vertical del modo TE se puede expresar
de la ecuacin (2.84) como:
hYZ (r ) =
E k
0
i 0
2
0
E0
i 0
e ik0 Z
'
'
r
e ik 0 Z dz k 2 (r ' )dx
e nz sen( ( x x' ))d
0 n+
dz
e nz d sen( ( x x' ))dx
0 n+
2.94
En la ecuacin (2.94) se tiene que la integral del seno se puede expresar como:
2.95
ik 0 Z '
r
'
dz k (r )dx
e nz sen( ( x x' ))d
0 n+
2.96
r
2.5.2.3 EN FUNCION DE LA RESISTIVIDAD (r )
Las ecuaciones de los campos electromagnticos para ambos modos de propagacin se
puede expresar en funcin de la resistividad. Para tal fin, Torres-Verdn (1992) demuestra
que:
r
r
(r )
(r )
=
0
0
2.97
r
'
(r )
r
e XX (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
dx'
0
0
1 1 nz
1
n + e cos( ( x x ))d k 2
0
0
nz
cos( ( x x )d
2.98
58
r
r
Al expresar (r ) = (r ) 0 se obtiene que:
r
(r )
r
ik 0 Z '
2
e XX (r ) = E 0 k 0 e
dz
dx'
0
1 1 nz
1
))d 2
e
x
x
cos(
(
n +
k 0
0
e nz cos( ( x x )d +
+ E0 k 02 e ik0 Z dz
'
1 1 nz
1
2.99
'
(r )
r
e XX (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
dx'
0
0
1 1 nz
1
))d 2
cos(
(
e
x
n +
k 0
0
E
e nz cos( ( x x )d 0 2.100
2
De igual forma, para el campo elctrico del modo TE se obtiene, de la ecuacin (2.80), la
expresin:
'
(r ) 1
1 nz
r
eYY (r ) = E 0 k 02 e ik 0 Z dz
e cos( ( x x ))d
0 0 n +
0
2.101
r
Por un procedimiento similar al aplicado al campo e XX (r ) se obtiene la expresin:
r
E
'
1 nz
(r ) 1
r
))d 0
eYY (r ) = E 0 k 02 e ik0 Z dz
e
cos(
(
x
x
2
0 0 n +
0
2.102
(r ) 1
e nz cos( ( x x ))d
0 0 n +
e ik 0 Z dz
'
2.103
59
ik 0 Z '
ik 0 Z '
(r ) 1
dz
dx'
e nz cos( ( x x ))d +
0
0 n+
2.104
nz
dz
e d cos( ( x x ))dx'
0 n+
E 0 k 02
r
hYX (r ) =
i 0
ik 0 Z '
(r ) 1
dx'
e nz cos( ( x x ))d
0
0 n +
dz
2.105
'
E k2
(r ) 1
r
dx'
e nz sen( ( x x' ))d 2.106
hYZ (r ) = 0 0 e ik 0 Z dz
i 0 0
0
0 n+
e ik0 Z
'
(r ) 1
dx'
e nz sen( ( x x' ))d +
0
0 n+
e ik0 Z dz
'
+
1
dz
e nz d sen( ( x x' ))dx'
0 n+
2.107
ik 0 Z '
(r ) 1
dx'
e nz sen( ( x x' ))d
0
0 n +
dz
2.108
60
2.109
La ecuacin (2.109) indica la relacin ms general entre los campos, sin embargo, para una
Tierra 2-D o 1-D se pueden obtener relaciones ms sencillas. Por ejemplo, para una Tierra
1-D se tiene que Z XX = Z YY = 0 y Z XY = Z YX (Swift, 1971) y para una Tierra 2-D se
tiene que: Z XX = Z YY = 0 y Z XY Z YX .
Por otro lado, el parmetro empleado para representar la informacin observada es la
funcin de resistividades aparente, cuya definicin clsica es y de acuerdo con Cagniard
(1953):
a =
1
ZZ *
0
2.110
1
Z XY Z *XY
0
2.111
1
*
Z YX Z YX
0
2.112
61
Por ltimo, se define la funcin del ngulo de fase como el ngulo tangente de la relacin
entre la parte imaginaria dividida entre la parte real de los elementos del tensor de
impedancia, es decir para una Tierra 1-D se tiene que:
Im(Z )
= tan 1
Re( Z )
2.113
Sin embargo, para una Tierra 2-D se definen dos funciones de fase, cada una
correspondiente a los modos de propagacin TM y TE, respectivamente.
Im(Z XY )
XY = tan 1
Re( Z XY )
Im(Z YX )
YX = tan 1
Re( Z YX )
Modo TM
2.114
Modo TE
Las ecuaciones arriba presentadas son las empleadas para representar los datos observados.
Sin embargo, Spies y Eggers (1986) proponen que se pueden definir diferentes ecuaciones
para definir la resistividad aparente. Spies y Eggers (1986) concluyen que la frmula que
emplea la parte real de la impedancia para definir la resistividad aparente:
a =
2
[Re( Z )]2
0
2.115
es la de mejor comportamiento en la mayora de las situaciones. Sin embargo, GmezTrevio y Momdragn (1995) concluyen que la definicin de la resistividad aparente que
emplea la amplitud de la impedancia es menos sensitiva al ruido aleatorio que las
definiciones alternas propuestas por Spies y Eggers.
62
CAPITULO 3
MODELACION DE LA RESPUESTA
MAGNETOTELURICA EN UNA TIERRA 2-D
3.1
INTRODUCCION
El clculo de la respuesta para un modelo propuesto es un primer paso que debe satisfacer
cualquier mtodo prospectivo y con el avance, en los ltimos aos, de las computadoras ha
habido un desarrollo acelerado en las tcnicas de modelacin.
La modelacin en los mtodos electromagnticos ha experimentado un rpido desarrollo;
ya que de esto depende, en gran medida, la evolucin de las tcnicas de inversin. Sin
embargo, mucho de nuestro conocimiento de la respuesta electromagntica se fundamenta
en algoritmos numricos que no estn exentos de errores. Este ltimo argumento est ms
claramente expresado en las palabras de Hohmann (en Oristaglio y Spies, 1999):
The numerous possibilities for theoretical and programming errors
it necessary to compare results computed by different methods before
a numerical solution can be considered valid
Sin embargo, los retos y problemas que surjan para resolver el problema directo se tendrn
que enfrentar y todava queda un largo camino por recorrer en esta rama de la geofsica
aplicada.
Entre estos problemas se encuentra el tipo de modelo que se puede proponer para una
Tierra heterognea. El modelo propuesto debe ser, debido a que la naturaleza es ms
compleja de lo que podemos modelarla, lo bastante simple para un clculo rpido y lo
suficientemente complejo que permita una representacin bastante real de las estructuras
del subsuelo. Un primer acercamiento a este problema consiste en proponer una
resistividad constante para un determinado volumen de terreno, entonces el semiespacio
inhomogneo se construye al combinar varios de estos volmenes de terreno. La geometra
del volumen debe ser sencilla para un clculo rpido, por ejemplo, paraleloppedos para
un medio 3-D y prismas de rumbo infinito para un medio 2-D. Este procedimiento consiste
en proponer un mallado sobre el semiespacio, el cual permanece constante en el proceso de
clculo y entre ms fino es el mallado, mejor representacin del subsuelo se puede obtener.
Sin embargo, en problemas de inversin lo fino del mallado queda limitado por la
densidad, calidad e informacin de los datos observados que limitan el nmero de prismas
que pueden ser empleados.
En aos recientes una gran cantidad de artculos tcnicos sobre modelacin han aparecido
en las revistas especializadas de geofsica que sera casi imposible de enumerarlos a todos.
Sin embargo, una buena recopilacin sobre el estado del arte en este campo se encuentra en
Oristaglio y Spies ( 1999) o en Prez et al (2001).
63
3.2
3.2.1
MEDIO ESTRATIFICADO
1 1 nz
'
1
r
e XX (r ) = E0 k 2 ( z ' )e ik0 Z dz
e d 2
k 0
0
0 n +
e nz d cos( ( x x ))dx
3.1
n+
ik 0
E 0 2 ' i 2 k 0 Z '
( z ' ) i 2 k0 Z '
r
e XX (r ) =
k
(
z
)
e
d
z
=
E
ik
e
dz
0 0
ik 0 0
0
0
3.2
64
nz
cos( ( x x ))dx'
e
)
d
3.3
Por las mismas consideraciones hechas en la deduccin de la ecuacin (3.1), la ecuacin
(3.3) se reduce a:
65
E0 k 02
r
e XX (r ) =
ik 0
( z ' ) i 2 k 0 Z '
( z ' ) i 2 k0 Z '
e
d
z
=
E
ik
0
0
0 0
0 0 e dz =
E0
( z ' ) 2
0 / 0
e
0
0
0 / 0 Z
'
3.4
dz '
N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N
=1
j
Donde : N = Numeros de estratos
e XX =
E0
2 0
3.5
Z XY =
E0
2 0
N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N
j =1
H0
Donde : H 0 =
+ E0
3.6
E0 k 0
1 2 0
a =
+ E0
+ E0
N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k 0 Z N
j =1
H0
E 0 N 1
j e i 2 ko Z j +1 e i 2 k0 Z j N e i 2 k0 Z N
2 0 j =1
H0
3.7
66
Im(Z XY )
= tan 1
Re( Z XY )
3.8
Sin embargo, para discernir sobre la calidad de la modelacin de la respuesta para una
Tierra estratificada, consideremos un medio de 4 estratos. Los parmetros se muestran en la
figura (3.2). En la figura (3.3) se observa la respuesta encontrada y comparada con la
respuesta exacta para el mismo modelo.
De la figura (3.3) se observa, primeramente, que el comportamiento de la curva de
resistividad aparente se reproduce conforme a una curva tipo KQ, que es lo esperado. Sin
embargo, al compararla con la curva de resistividad aparente exacta se observa que la curva
modelada difiere de tal manera que sugiere que se est modelando otro medio distinto al
propuesto.
Para agravar todava ms el problema, en la misma figura (3.3) se observa que la curva
modelada depende enormemente de la resistividad de fondo (referencia) seleccionada. Por
ejemplo, la curva para una 0=100 -m difiere enormemente de la curva exacta y slo en el
rango entre 1.0 y 10.0 hertz reproduce en forma aceptable los valores esperados. La 0 de
100 -m se encontr como:
1
1
1
1
+
+
+
1
0 =
= 150 300 100 50
0
4
67
h= 600 m.
= 150 ohms-m
h = 600 m.
= 300 ohms-m
h = 800 m.
= 100 ohms-m
= 50 ohms- m
68
200.00
EXACTA
RHO=150
160.00
RHO APARENTE
RHO=100
120.00
80.00
40.00
0.00
1.0E+4
1.0E+3
1.0E+2
1.0E+1
1.0E+0
FRECUENCIA
1.0E-1
1.0E-2
1.0E-3
69
3.2.2
CONTACTO VERTICAL
Un contacto vertical es una de las estructuras ms simples cuya solucin analtica fue
obtenida por dErceville y Kunetz (1962). Bajo las consideraciones de la aproximacin de
Born se puede deducir su expresin, para el modo de propagacin TM, a partir de la
ecuacin (2.89) y al considerar que la constante de propagacin se expresa como:
k 12 = i 1
r
k 2 (r ) = 2
k 2 = i 2
x 0 0 z +
3.9
0 x + 0 z +
1 1
+ r
E
1
r
e XX (r ) = E 0 e ik 0 Z dz
e nz d 2 e nz d k 2 (r ) cos( ( x x ))dx + 0
2
k 0 0
0
0 n +
3.10
2 r
2
2
k (r ) cos( ( x x))dx = k1 cos( ( x x))dx + k 2 cos( ( x x ))dx
3.11
70
sin(u ) sin(x)
sin(x)
= ( )
3.12
sin(u )
= ( ) .
u
sin(u ) sin(x)
sin(x)
+
= ( ) +
3.13
u
Al sustituir las ecuaciones (3.13) y (3.12) en la ecuacin (3.11), la integral del coseno se
puede expresar como:
+
sen(x)
r
(r ' ) cos( ( x x' ))dx' = (k12 + k 22 ) ( ) + (k 22 k12 )
3.14
(k 22 k12 ) E 0
k12 + k 22
1
sen(x)
d
E
+
0
2
(n + ik 0 )(n + )
4k 0
0
(k 22 k12 ) E0
k 02
E0
1
0 (n + ik 0 ) sen(x)d + 2
3.15
n + ik
0
sen(x)
1
d + E0
2
3.16
De igual forma, para el modo TE, el campo elctrico se puede deducir a partir de la
ecuacin (2.91), es decir:
1 1
+ r
E
r
eYY (r ) = E 0 e ik 0 Z dz
e nz d k 2 (r ) cos( ( x x ))dx + 0
2
0
0 n +
3.17
71
k2 + k2 k2 k2
eYY = 1 2 2 2 2 1
k0
4k 0
n sen(x)
1
d + E0
2
0
n + ik
0
3.18
Para el campo magntico secundario del modo TE, su deduccin se puede hacer a partir de
la ecuacin (2.93) y que se puede escribir como:
E0
hYX (r ) =
i 0
ik 0 Z '
1
2 r'
nz
dz
e d k (r ) cos( ( x x ))dx
n
0
3.19
Al sustituir la ecuacin (3.14) en la ecuacin (3.19) se obtiene que, para el modo TE, el
campo magntico tiene una expresin para el contacto vertical de:
h XY
E0 k 22 k12
=
i k 02
+ n sen(x)
d
0 n + ik 0
3.20
La expresin de la impedancia para el modelo del contacto vertical se puede expresar, para
el modo de propagacin TM, como:
Z XY
k12 + k 22 k 22 k12
4k 02
k 02
e XX + E 0
=
=
H0
n + ik
0
sen(x)
d E 0 + 1.5 E0
H0
3.20.a
Z YX
0 n + ik 0 d E0 + 1.5E0
4k 02
k 02
eYY + E 0
=
=
hYX H 0
E 0 k 22 k12 + n sen(x)
d H 0
i k 02 0 n + ik 0
3.20.b
72
Modo TM
XY =
1
Z XY Z *XY
Im(Z XY )
XY = tan 1
Re( Z XY )
Modo TE
YX =
3.20.c
1
*
Z YX Z YX
Im(Z YX )
YX = tan 1
Re( Z YX )
73
SITIO 1
= 100 ohms-m
SITIO 2
= 50 ohms-m.
Figura 3.4 Modelo del contacto vertical empleando para calcular la respuesta
magnetotelrica aplicando la aproximacin de Born Sitio 1 = -700 m.
Sitio 2 = + 700 m.
74
140.00
GEOTOOLS
RHO = 75 ohms-m.
MODO TM
RHO APARENTE
120.00
100.00
80.00
MODO TE
60.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.5.a Respuesta de MT para el modelo de la figura 3.4. Se observa
el mismo comportamiento de dependencia de la resistividad
de fondo. La resistividad constante es la media aritmetica de
las resistividades. El centro de sondeo se encuentra 700 m
del contacto del lado resistivo
75
160.00
GEOTOOLS
140.00
RHO APARENTE
MODO TM
120.00
100.00
80.00
MODO TE
60.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.5.b Respuesta del contacto vertical para una resistividad de
fondo de 100 ohms-m. La aproximacin de Born reproduce
la curva de resistividades aparente para las altas frecuencias
y en las bajas frecuencias la respuesta se separa bastante
de la de Geotools
76
70.00
GEOTOOLS
RHO=75
60.00
RHO APARENTE
MODO TE
50.00
MODO TM
40.00
30.00
20.00
1000.00
100.00
10.00
FRECUENCIA
1.00
0.10
77
70.00
GEOTOOLS
RHO = 50 Ohms-m
RHO APARENTE
60.00
50.00
40.00
30.00
1000.00
100.00
10.00
FRECUENCIA
1.00
0.10
78
3.3
3.21
3.3.1
MODO DE PROPAGACION TM
Consideremos tres tipos de prismas (figura 3.8) y tomando en cuenta lo discutido para la
ecuacin (3.21) la contribucin de un prisma se puede expresar, a partir de la ecuacin
(2.89), como:
e
= k 2jl G XX
e XX
, jl
jl
Donde :
Z j +1
e
XX , jl
= E0
1 1
X l +1
1
ik 0 Z
nz
nz
e
d
z
e
d
e
d
2
Z
n +
k 0 0
0
Xl
j
0 Z j Z j +1
X l X l +1
79
80
8.a
8.b
8.c
Figura 3.8 Las tres clases de prismas que se pueden presentar. Para el caso
del prisma ltimo en la direccin Z, la variable Z j+1 es infinta.
81
x x1
x x'
sin(u ) sin( ( x x1 ))
3.23
1
k 02
1
k 02
Z j +1
X l +1
Zj
Xl
ik Z '
nz
e 0 dz ' e d
cos( ( x x ))dx =
Z j +1
l +1
sin( ( x x1 ))
1
ik 0 Z '
nz
'
(
)
sen(
(
))
e
dz
e
d
x
x
d
e ( n +ik 0 ) Z ' dz '
1
2
Z
0
k 0 0
Zl
j
1
k 02
e ( n +ik0 ) Z l +1 e ( n + ik0 ) Z l
sen( ( x x1 ))d
0
n + ik 0
3.24
Z j +1
ik 0 Z
Zj
Z j +1
Zj
ik 0 Z '
sin( ( x x1 ))
1
dz
e nz ( )
d =
n+
dz '
0
sin( ( x x1 ))
1
1
e nz
d =
n+
2ik 0
Z j +1
Z j +1
Zj
( ) nz
e
n+
e ik 0 Z dz
0
e i 2 k0 Z dz +
Zj
1
1
1 i 2 k Z
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin( ( x x1 ))
i 2 k Z
e
d = 2 e 0 j +1 e 0 j +
e
0 (n + )(n + ik 0 )
4k 0
1
1
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin( ( x x1 ))
e
e
d
0 (n + )(n + ik 0 )
3.25
82
e
Al sumar las ecuaciones (3.24) y (3.25) se encuentra que G XX
, jl se expresa como:
E
= 02
k 0
e
XX , jl
E
+ 0
( n + ik 0 ) Z j +1
e
n + ik 0
( n + ik 0 ) Z j
sen( ( x x1 ))d +
E 0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j +
2
4k 0
1
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
d
e
(n + )(n + ik 0 )
3.26
La ecuacin (3.26) se puede escribir en una forma ms compacta al trabajar con ambas
integrales y recordando que parte del integrando de la segunda integral de la ecuacin
(3.26) se puede expresar como:
1
n
n
=
=
2
(n + )(n + ik 0 ) (n + )(n )(n + ik 0 ) k 0 (n + ik 0 )
Donde :
n = k
2
3.27
2
0
e
Al sustituir la ecuacin (3.27) en la ecuacin (3.26) la expresin para G XX
, jl sera:
e
G XX
, jl =
E 0 i 2 k 0 Z j +1
i 2 k Z
e 0 j
e
2
4k 0
E
02
k 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
e
d
(n + ik 0 )
3.28
e
XX , jl
= E0
ik 0 Z
Zj
1
1
dz
e nz d
0 n+
E0
k 02
Z j +1
ik 0 Z
Zj
X l +1
cos( ( x x))dx
Xl
X l +1
Xl
dz e nz d
3.29
cos( ( x x))dx
Xl
X X l +1
X Xl
cos(u )du =
1
(sen( ( x xl +1 )) sen( ( x xl )))
3.31
83
E
02
k 0
Z j +1
ik 0 Z
Zj
dz e
nz
cos( ( x x ))dx =
Xl
X l +1
E0
k 02
(e
n + ik
0
( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
) sen( ( x x
l +1
))
sen( ( x xl ))
3.32
De igual forma, la primera integral se puede expresar, al tomar en cuenta la ecuacin (3.27)
y (3.31), como:
Z j +1
E0
Zj
ik 0 Z
1
1
dz
e n z d
0 n+
E0
k 02
X l +1
cos( ( x x ))dx =
Xl
n + ik
0
(e
( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
) sen( ( x x
l +1
))
sen( ( x xl ))
3.33
e
Al combinar las ecuaciones (3.32) y (3.33), la expresin final para G XX
, jl queda como:
e
XX , jl
E
= 02
k 0
sen( ( x xl ))
n
( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sen( ( x x l +1 ))
e
d
n + ik 0
3.34
x xN
xN
x xN
sin(u ) sin( ( x x N 1 ))
+
u
sin( ( x x N 1 ))
3.35
84
E 0 i 2 k 0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j +
2
4k 0
E
+ 02
k 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x N 1 ))
e
e
d
(n + ik 0 )
3.36
Las ecuaciones (3.28), (3.34) y (3.36) aplicadas en forma correcta permiten calcular la
contribucin de cada prisma al campo elctrico secundario e XX
, de tal manera que dicho
jl
campo se puede expresa como:
( )
e XX = e XX
jl +
j =1 l =1
M N
E0
E0
e
= k 2jl G XX
, jl +
2
2
j =1 l =1
3.37
3.38
e
De la ecuacin (2.91) GYY
, jl se expresa como:
Z j +1
e
YY , jl
= E0
Zj
Donde :
ik 0 Z '
1 1 nz X l +1
dz
e d cos( ( x x ))dx
0 n +
Xl
Z j Z j +1
3.39
X l X l +1
La contribucin de un prisma para la regin -< W < x1 y zj< D < zj+1 se puede expresar,
al tener en cuenta la ecuacin (3.23), como:
Z j +1
e
GYY
, jl = E 0
Zj
1 1 nz
'
sin( ( x x' ))
e ik0 Z dz
e ( )
d
n
+
3.40
85
La ecuacin (3.40) se puede escribir con una expresin muy similar a la de la ecuacin
(3.28), siguiendo un procedimiento parecido y teniendo en cuenta la ecuacin (3.27).
e
GYY
, jl =
E0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e
e 0 j
2
4k 0
E
02
k 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x1 ))
e
d
e
(n + ik 0 )
3.41
e
De igual forma, para un prisma para el rango xl < x< xl+1 zj < z < zj+1 la expresin de GYY
, jl
se puede escribir, a partir de la ecuacin (3.39) y al tomar en cuenta las ecuaciones (3.27) y
(3.31), como:
e
GYY
, jl =
E0
2
k0
sen( ( x xl ))
n ( n + ik0 ) Z j 1
( n + ik 0 ) Z j sen( ( x x l + 1 ))
(e
)
e
3.42
n + ik 0
e
Por ltimo, para un prisma con xn-1 < W < zj < D < zj+1, la expresin para GYY
, jl se
escribe como:
e
GYY
, jl =
E 0 i 2 k0 Z j +1
i 2 k Z
e 0 j +
e
2
4k 0
E
+ 02
k 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j sin ( ( x x n 1 ))
e
e
d
(n + ik 0 )
3.43
Entonces, la expresin final para el campo elctrico secundario expresado por la ecuacin
(2.91) se puede expresar de la siguiente manera:
M
eYY = e YY
jl +
j =1 l =1
M N
E0
E0
e
= k 2jl GYY
, jl +
2
2
j =1 l =1
3.44
e
Donde GYY
, jl es calculada por las ecuaciones (3.41),(3.42) y (3.43).
86
3.45
M
La expresin de GYX
, jl se obtiene de la ecuacin (2.93); es decir:
M
YX , jl
Z j +1
E0
=
i 0
Donde :
Zj
X l +1
1
'
e ik 0 Z dz
e nz d dx cos( ( x x ))
0 n+
Xl
Z j Z j +1
3.45
X l X l +1
Como se ha estudiado para cada uno de los casos anteriores se deben considerar tres
prismas, como los mostrados en la figura (3.8). La contribucin de un prisma con anchura
W comprendida en -< W < x1 y espesor D en el rango zj < D < zj+1 se puede expresar,
al tener en cuenta la ecuacin (3.23), como:
M
YX , jl
E0
=
ik 02 0
Z j +1
Zj
1 nz
'
sin( ( x x1 ))
e ik0 Z dz
e ( )
d
0 n +
3.46
Al trabajar con la ecuacin (3.46), la expresin final para dicho prisma queda como:
M
YX , jl
E0
=
ik 02 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
e
e
sin( ( x x1 ))d
(n + ik 0 )
3.47
Para un prisma interior como el de la figura (3.8.b), con dimensiones xl < W< xl+1 y
M
espesor zj < D< zj+1 , la expresin de GYX
, jl queda, al considerar la ecuacin (3.31), como:
M
YX , jl
E0
=
ik 02 0
n + ik
0
(e
( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
)(sen( ( x x
l +1
)) sen( ( x xl )) )d
3.48
Por ltimo, un prisma como el de la figura (3.8.c) con X N-1 < W < y espesor
Zj < D < Z j+1 , su contribucin se expresa como:
M
GYX
, jl =
E0
ik 02 0
n
.( n + ik 0 ) Z j +1
( n + ik 0 ) Z j
e
e
sin( ( x x n 1 ))d
(n + ik 0 )
3.49
87
2
M
hYX = h YX
jl = k jl GYX , jl
j =1 l =1
3.50
j =1 l =1
M
La funcin GYX
, jl se determina de las ecuaciones (3.47), (3.48) y (3.49).
3.3.3
e + E0
=
Z XY = XX
H0
j =1 l =1
XX
jl
+ 1.5E 0
=
H0
k
j =1 l =1
2
jl
e
G XX
, jl + 1.5 E 0
3.51
H0
1
*
Z XY Z XY
3.52
Im( Z XY )
= tan
Re( Z XY )
Z YX =
eYY + E 0
=
hYX H 0
e YYjl + 1.5E0
j =1 l =1
M
h
j =1 l =1
YX
jl
H0
k
j =1 l =1
M
2
jl
e
GYY
, jl + 1.5 E 0
3.53
k
j =1 l =1
2
jl
M
YX , jl
H0
88
1
*
Z YX Z YX
3.54
Im(Z YX )
= tan
Re( Z YX )
1
E0 k 0
CONDUCTIVIDAD
89
SITIO 1
SITIO 2
= 150 ohm-m
h= 600 m
= 200 ohm-m
h= 600 m
= 100 Ohm-m
= 130 ohm-m
h= 800 m
=70 ohm-m.
90
120.00
RHO APARENTE
100.00
MODO TE
80.00
MODO TM
GEOTOOLS
60.00
RHO = 112 Ohms-m.
40.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.10
91
180.00
RHO APARENTE
160.00
MODO TM
140.00
GEOTOOLS
120.00
100.00
80.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.11
92
3.55
3.56
r r
r r r r
En las ecuaciones (3.55) y (3.56) E (r ) = E0 (r ) + e (r ) , es decir que representa el campo
elctrico total. Para el caso de la aproximacin de Born de primer orden, el campo total se
sustituye simplemente por el campo primario.
En la propuesta de Torres-Verdn y Habashy se define que el campo elctrico total est
r
relacionado al campo primario por un tensor T (r ) de dispersin (Scattering Tensor), es
decir
r r
r r r
E (r ) = T (r ) E 0 (r )
3.57
Por otro lado, el campo elctrico total se puede expresar, al considerar la ecuacin (3.56), y
calculado para un punto j-simo en la regin como:
r r r
r r
r
r r
E (r j ) = E 0 (r ) + E (r j ) k 2 Ge (r j , r ' ) dV '
3.58
r r r
r
T (r ) = I k 2 Ge (r j , r ' ) dV
3.59
V
Dado entonces el modelo se determina el tensor de dispersin por la ecuacin (3.59) que a
su vez se emplea para determinar el campo elctrico total (ecuacin (3.57)). El resultado
para el campo total se sustituye en la ecuacin (3.56) y as se determina el campo elctrico
secundario.
93
En el mtodo QLA es muy similar al mtodo EBA y se puede considerar como una
continuacin de este ltimo.
Zhadov y Fang parten de la propuesta que el campo elctrico secundario se puede expresar
como:
r r
r r r
e (r ) (r ) E 0 (r )
Donde es el tensor de reflectividad elctrica
3.60
3.61
3.62
Las tcnicas QLA y EBA que se han discutido son modificaciones de la tcnica original de
la aproximacin de Born en que el medio de referencia o de fondo permanece homogneo.
Sin embargo, otra alternativa es la que se plante en la seccin (2.4.2.2) en que la tcnica
perturbativa de Born se aplica a la funcin de Green en vez de la ecuacin diferencial que
satisface el campo, como son las tcnicas anteriormente tratadas.
Esta idea ha sido poco discutida en la literatura cientfica, aunque Habashy, et al (1993) y
Chew (1995) discuten una idea similar que ellos denominan Mtodo de Born Iterativo
Distorsionado (DBIM). La tcnica DBIM, originalmente propuesta para problemas de
inversin, en ocasiones no converge en forma rpida para el caso de las altas frecuencias y
objetos de grandes dimensiones (Habashy et al 1993).
En el presente trabajo se plantea la tcnica Aproximacin de Born empleando
conductividad variable de fondo (ABCV), la cual se puede considerar como una extensin
de la tcnica DBIM. La idea principal para desarrollar ABCV se fundamenta en aproximar
la funcin de Green para un medio complejo, por una aproximacin de Born de orden cero.
Entonces, la conductividad de fondo 0 es un parmetro que se selecciona, de acuerdo al
punto de observacin y frecuencia de trabajo.
Los ejemplos mostrados en las figuras (3.3) (3.4), 3.5), (3.6) y (3.11) muestran que una
conductividad de fondo constante no permite una respuesta aceptable. Si para el ejemplo
del medio estratificado (figura (3.2)) se permite que la conductividad de fondo vare, el
ajuste que se obtiene entre la curva modelada y la terica es bastante aceptable y slo para
94
240.00
200.00
EXACTA
RHO APARENTE
RHO DE FONDO
VARIABLE
160.00
120.00
80.00
40.00
1.00E+4 1.00E+3 1.00E+2 1.00E+1 1.00E+0 1.00E-1
1.00E-2
1.00E-3
FRECUENCIA
Figura 3.12 Respuesta de MT para el medio estratificado de la figura 3.2
permitiendo que la resistividad de fondo sea variable. El mximo
error es del 10% en el rango de frecuencia donde se manifiesta
el segundo estrato.
95
el rango donde se manifiesta el segundo estrato hay una discrepancia mayor, como se puede
observar en la figura (3.12).
De igual forma, para el caso del contacto vertical, si se permite que la conductividad de
fondo vare, para los mismos centros de sondeos presentados en la figura (3.4), se obtiene
que la respuesta obtenida se ajusta bastante bien a la calculada con el paquete Geotools
que se considera la respuesta correcta (figuras 3.13.a y 3.13.b).
3.4.2
Para entender las bases del porqu se puede proponer que la conductividad de referencia
sea un parmetro variable en la aproximacin de Born, es necesario analizar la respuesta
electromagntica bajo diferentes situaciones.
En el caso del mtodo magnetotelrico es interesante analizar la respuesta electromagntica
del contacto vertical (figura 3.4). El campo elctrico secundario en el modo de propagacin
TM, est dado por la ecuacin (3.16), que por comodidad se vuelve a escribir.
e XX
k12 + k 22 k 22 k12
=
4k 02
k 02
n sen(x)
1
E0
d
+
0 n + ik 0
2
3.16
lim
3.63
e XX
k12 + k 22 k 22 k12
=
+
4k 02
k 02
n
1
E0
(
)
d
+
0 n + ik 0
2
3.64
2 k 02
n
1 ik 0 1
)
d
=
0 n + ik 0
0 2 k 2 + ik ( )d = 2 2ik 0 = 4
0
0
3.65
96
140.00
GEOTOOLS
MODO TM
RHO VARIABLE
RHO APARENTE
120.00
100.00
80.00
MODO TE
60.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.13.a Respuesta de MT para el modelo de la figura 3.4 cuando
se deja variar la resistividad de fondo. El centro de sondeo
se encuentra 700 m del contacto del lado resistivo.
97
70.00
GEOTOOLS
RHO=VARIABLE
MODO TE
RHO APARENTE
60.00
50.00
MODO TM
40.00
30.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.13.B Respuesta de MT del modelo de la figura 3.4 cuando se
permite que la resistividad de fondo sea variable. El centro
de sondeo se encuentra a 700 m del contacto del lado
conductor.
98
3.66
3.67
2i
2
k
2i
n
1
= lim
= lim
= lim
=
2
2
0 n + ik
0
k 0 + ik 0 0 2 2i + 2i 0 2 2i 2
0
2
2
2
lim
2
0
3.68
n sen(x)
1 sen(x)
11 1
0 n + ik 0 d = 2 0 d = 2 2 = 4
3.69
99
3.70.a
3.70.b
r
r
r
En la ecuacin (3.70.b) la constante de propagacin k 02 ( p, f ) = i 0 0 ( p, f ) , p es el
vector de posicin del punto donde se desea determinar el campo elctrico y no se ha
r
empleado r , pues esta variable se ha reservado para la ecuacin de Helmholtz.
r
La idea que subyace en la solucin de la ecuacin (3.71.b) es que k 02 ( p, f ) debe
permanecer fijo en la solucin de las ecuaciones (3.70.a) y (3.70.b), sin embargo, el medio
homogneo se puede seleccionar libremente y de la manera ms conveniente. Entonces
dado el punto del espacio y la frecuencia de trabajo para la que se desea determinar el
r
campo, se define el valor de la constante de propagacin k 02 ( p, f ) . Esto implica que cada
vez que se especifica la posicin y la frecuencia es volver a resolver la ecuacin diferencial
(3.70.b).
Esta propuesta de una conductividad variable mejora la solucin de la ecuacin (3.70.a), sin
embargo, se tiene lmites de aplicacin debido a que slo se est empleando una
aproximacin de Born de orden cero en la funcin de Green. Esto ltimo deja abierto
nuevas lneas de investigacin, ya que la propuesta se puede extender a emplear una
aproximacin de Born de orden uno o proponer un esquema similar al QLA o EBA.
100
TIERRA 1-D
z
1
0( f ) =
( z )dz
c z ( f ) 0
3.71
a( f ) =
1
( z )dz
D( f ) 0
3.72
3.73
101
h = 100 m.
Figura 3.14 Modelo de dos capas empleado para estudiar el error cometido
al emplear la aproximacin de Born. Para medio resistivo-conductor
la conductividad de la primera capa se mantiene = 0.01 siemens/m y
la de la segunda capa se hace variar. Para el caso conductor-resistivo
la conductividad de la segunda capa se mantiene = 0.01 siemens/m
102
1
D( f ) =
2 0 a f
3.74
3.75
Dada la ecuacin (3.75), entonces se puede definir una funcional g tal que:
r
r
0 ( f ) = g ( 0 ( f ))
3.76
Partiendo del hecho de que las ecuaciones (3.75) y (3.76) son equivalentes, se sigue que
cualquier solucin de la ecuacin original (3.75) es un punto fijo de la funcional g
(Buchanan y Turner,1992); esto significa que ste es un punto que permanece invariable
cuando se aplica la funcional g.
El esquema es muy simple de implantar, dado un valor inicial se genera una secuencia de
estimaciones del punto fijo mediante la solucin de la ecuacin (3.76), es decir
r
r
0n +1 ( f ) = g ( 0n ( f ))
n = 0,1,2,...
3.77
Para que el esquema propuesto por la ecuacin (3.77) de resultado, debe existir un lmite.
La secuencia presenta una convergencia en el sentido de Cauchy, sin embargo, para que la
solucin de punto fijo sea nica la convergencia de Cauchy tiende a un lmite de
convergencia. Esto es lo que se conoce como un espacio mtrico completo y es
indispensable que as sea para que el procedimiento de punto fijo converja, de acuerdo al
Teorema de punto fijo (Jerri, 1985).
Para mostrar la bondad de la tcnica propuesta, en la figura (3.16) se muestra la grfica de
la diferencia de la conductividad expresada en por ciento contra error en por ciento de la
diferencia mxima para un medio resistivo-conductor. La diferencia mxima est definida
en la figura (3.15) y sta ocurre cuando en la curva de resistividades aparente el efecto de la
segunda capa se hace presente. De igual forma, en la figura (3.18) se muestra la grfica de
error para un medio conductor-resistivo; la diferencia mxima est definida, en forma
similar al caso anterior en la figura (3.17).
103
120.00
RHO APARENTE
100.00
Curva Exacta
Curva con la Aproximacin de Born
80.00
60.00
40.00
1.0E+4
1.0E+3
1.0E+2
1.0E+1
1.0E+0
1.0E-1
1.0E-2
1.0E-3
FRECUENCIA
Figura 3.15 Muestra la definicin de la diferencia Mxima en por ciento
para mostrar la bondad de la aproximaxin de Born para un
medio de dos capas resistivo-conductor.
104
10000.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00
100.00
Diferencia de conductividades en %
Figura 3.16 Grfica del error para un medio resistivo-conductor al variar
el contraste de conductividades entre los estratos. La respuesta
es calculada empleando ABCV.
105
100.00
80.00
RHO APARENTE
Curva Exacta
60.00
40.00
20.00
1.0E+4
1.0E+3
1.0E+2
1.0E+1
1.0E+0
1.0E-1
1.0E-2
1.0E-3
FRECUENCIA
Figura 3.17 Muestra la definicin de la diferencia Mxima en por ciento
para mostrar la bondad de la aproximacin de Born para un
medio de dos capas conductor-resistivo
106
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00
100.00
Diferencia de Conductividades en %
107
Lo que se observa del anlisis de las figuras (3.16) y (3.18) es que la tcnica propuesta de
aproximacin de Born con conductividades variables (ABCV) es ms sensible cuando se
presenta un cambio en la conductividad de un medio resistivo a conductor, sin embargo, un
cambio del 70% en la conductividad producir un error del orden del 10%.
La tcnica ABCV muestra un mejor comportamiento del error cuando un medio conductorresistivo est involucrado, pues un cambio del 100% en la conductividad apenas muestra un
error del orden del 20%; esto significa que contrastes ms fuertes en la conductividad puede
ser empleados y obtener resultados aceptables.
3.5.2
TIERRA 2-D
r
La conductividad de fondo 0 (r , f ) es funcin de las coordenadas espaciales y de la
frecuencia de trabajo. De igual forma que se hizo para una Tierra 1-D, existe una regin
c x ( f ) xc z ( f ) que define una regin del espacio [x, z ] que mayormente contribuye con la
respuesta electromagntica. Basado en estas consideraciones la conductividad de fondo se
puede definir como:
1
0 ( x, f ) =
S
Donde : S =
c z ( f )
x + c x ( f )
x c x ( f )
c z ( f )
x + c x ( f )
x c x ( f )
3.78
dx' dz'
1
1
=
0 ( x, f ) =
0 ( x, f ) S
Donde : S =
c z ( f )
x + c x ( f )
x c x ( f )
c z ( f )
x + c x ( f )
x c x ( f )
1
dx' dz '
( x' , z ' )
3.79
dx' dz '
108
El empleo de alguna de las dos ecuaciones para determinar la conductividad del medio de
referencia (conductividad de fondo) depende de las caractersticas del problema. Para
problemas donde el punto de observacin presenta caractersticas ms resistivas con
respecto al medio que le rodea, la ecuacin (3.79) proporciona mejores resultados; para el
caso contrario, la ecuacin (3.78) es una mejor seleccin.
Las ecuaciones (3.78) y (3.79) implican que las conductividades verdaderas del medio
heterogneo son conocidas, sin embargo, la conductividad de fondo se puede determinar,
tambin, a partir de la ecuacin discutida por Torres-Verdn (1992) que expresada para la
conductividad se escribe como:
ln 0 = ln a ( x, f )
3.80
109
conduce a un error relativo mximo del orden del 20 %, sin embargo, un cambio en las
conductividades del orden del 90 % la curva modelada es incorrecta.
De acuerdo a lo discutido en los prrafos anteriores se pueden modelar cambios laterales en
la conductividad del orden del 80% y obtener resultados aceptables con la tcnica propuesta
de Aproximacion de Born empleando conductividades de fondo variable (ABCV).
110
100.00
10.00
1.00
0.10
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00
100.00
DIFERENCIA EN CONDUCTIVIDAD EN %
Figura 3.19 Grfica del error para cambios laterales de conductividad.
El contraste entre las conductividades se va incrementando
para determinar el porcentaje de error. El centro de sondeo
se encuentra en el lado resistivo del contacto.
111
MODO TM
160.00
RHO APARENTE
120.00
Geotool
80.00
ABCV
40.00
MODO TE
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 3.20
112
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00
100.00
DIFERENCIA DE CONDUCTIVIDAD EN %
113
CAPITULO 4
4.1
INTRODUCCION
S0
114
115
1
2
].
2
1
,
2
116
h = 500 m.
= 100 Ohm-m
= 50 Ohm-m
Figura 4.1 Modelo de dos capas empleado para estudiarr el efecto del
valor de Cz en el clculo de la respuesta en un medio estratificado
al aplicar la tcnica ABCV.
117
120.00
EXACTA
0.7071 VECES LA SKIN DEPTH
1.0 VECES LA SKIN DEPTH
100.00
RHO APARENTE
80.00
60.00
40.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
FRECUENCIA
118
140.00
EXACTA
120.00
RHO APARENTE
MODO TM
100.00
80.00
MODO TE
60.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Efecto del cuerpo sobre el punto de observacin. Por ejemplo, un estrato de cierto
espesor puede causar que una curva no presente un comportamiento suave, pero el
mismo modelo con un espesor mayor da como resultado una curva suave.
119
120
= 30 ohm-m
= 100 ohm-m
= 200 m
= 400 m
= 20 ohm-m
121
50.00
EXACTA
RHO APARENTE
40.00
30.00
20.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
122
50.00
EXACTA
RHO APARENTE
40.00
30.00
20.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 4.6 El filtro de promediacin produce una curva de cambios suave.
El filtro empleado es de tres puntos.
123
40.00
EXACTA
RHO APARENTE
36.00
32.00
28.00
24.00
20.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 4.7 El mismo ejemplo de la figura 4.4 solo el espesor de las dos
primeras capas se ha cambiado a 600 m. En el clculo de
curva con ABCV no se ha empleado filtro de promediacin.
124
= 40 ohm-m
400 m
200 m
600 m
=20 ohm-m
=100 ohm-m
= 100 ohm-m
800 m
= 20 ohm-m
125
50.00
RHO APARENTE
40.00
MODO TE
30.00
20.00
10.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 4.9 Comparacin entre una curva que no ha sido filtrada y cuando
ha sido filtrada. La aplicacin del filtro de promediacin produce
una curva de cambios suave mostrando claramente la ventaja de
dicho procedimiento. La curva modelada corresponde al modelo
de la Figura 4.8.
126
50.00
SIN APLICAR FILTRADO
RHO DE REFERENCIA
40.00
30.00
20.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 4.10 Funcin de la conductividad del medio de referencia para el
sondeo en x= 400 m del contacto del modelo de la figura 4.8.
Al suavizar la funcin de conductividad se obtiene una curva
de resistividad aparente suavizada. Cx = 1.2 y Cz = 1.0
4.6
PROCEDIMIENTOS ADICIONALES
ln 0 =
ln
i m j =1
2M + N
aij
4.1
128
160.00
MODO TM
RHO APARENTE
120.00
80.00
GEOTOOLS
40.00
MODO TE
ABCV
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
Figura 4.11.a Clculo de la respuesta de MT empleando la ecuacin (3.79)
para la conductividad de referencia. El centro de sondeo est
a 700 metros del contacto en el lado resistivo.
129
40.00
GEOTOOLS
ABCV
30.00
RHO APARENTE
MODO TE
20.00
10.00
MODO TM
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
130
160.00
GEOTOOLS
ABCV
120.00
RHO APARENTE
MODO TM
80.00
40.00
MODO TE
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
131
40.00
GEOTOOLS
ABCV
MODO TE
RHO APARENTE
30.00
20.00
10.00
MODO TM
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
132
108.00
ECUACION 3.79
ECUACION 3.78
MODO TM
RHO APARENTE
104.00
100.00
96.00
92.00
MODO TE
88.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
133
88.00
ECUACION 3.79
ECUACION 3.78
MODO TE
RHO APARENTE
84.00
80.00
76.00
MODO TM
72.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
FRECUENCIA
134
El proceso se inicia con una conductividad de fondo inicial y posteriormente, se aplica una
tcnica de iteracin de punto fijo. El algoritmo converge a la conductividad de referencia
para el sitio de sondeo y frecuencia dada. El proceso no toma ms de tres iteraciones para
alcanzar un resultado aceptable, sin embargo, la discrepancia entre la curva calculada y la
exacta se incrementa en las bajas frecuencias. Este efecto no se observa al calcular la
conductividad de referencia inicial (ecuacin 3.78) y aplicar, si se necesita, el filtro de
promediacin.
Un segundo procedimiento es interpretar cada sondeo considerando un modelo 1-D y
aplicar una ecuacin similar a la ecuacin (4.1), en donde la conudctividad aparente se
sustituye por la conductividad interpretada bajo un modelo 1-D. Posteriormente, se aplica el
filtro de promediacin del inciso (4.2), si es necesario, para determinar la conductividad de
referencia que le corresponde al sitio de sondeo y frecuencia requerida. En general, este
procedimiento produce resultados semejantes a los obtenidos con el procedimiento
propuesto de conductividad inicial y aplicacin del filtro de promediacin. De igual forma,
de 2 a 3 iteraciones es ms que suficiente.
4.7
4.7.1
MEDIO ESTRATIFICADO
En la figura (4.14) se presenta un medio estratificado de cuatro capas. Este modelo presenta
cambios de conductividades o de resistividad en los lmites recomendados de eficiencia del
algoritmo propuesto, en especial entre la segunda y tercera capa.
En la figura (4.15.a) se presenta la curva de resistividad aparente calculada con ABCV
utilizando un filtro de promediacin de 5 puntos y la ecuacin (3.78) con Cz=0.85 y Cx=1.
La comparacin con la curva exacta es bastante aceptable y como era de esperarse la curva
modelada presenta una mayor discrepancia cuando el estrato de 20 Ohms-m se manifiesta.
La curva modelada con ABCV empleando las ecuaciones (3.73) y (3.77) con tres
iteraciones, proporciona resultados aceptables con un ligero incremento en la discrepancia
en la regin donde se est manifestando la segunda capa. Tambin, se ha calculado la
respuesta de MT con ABCV, empleando la conductividad aparente de la curva exacta como
conductividad de referencia y el comportamiento de la respuesta es muy parecida a la
encontrada con ABCV, cuando un proceso de iteracin de punto fijo fue aplicado.
La discrepancia mayor entre ambos procedimientos se presenta en la grfica de la
impedancia o ngulo de fase. En la figura (4.15.b) se presenta la grfica del ngulo de fase
calculado con los dos procedimientos y comparada contra la respuesta exacta. La mayor
discrepancia se observa en la curva calculada con la ecuacin (3.77) y a pesar de una
diferencia tan grande su efecto sobre la curva de resistividades aparentes no es de gran
consecuencia.
135
136
= 100 ohms-m
= 20 ohms-m
= 200 ohms-m
= 500 m
= 1500 m
= 2000 m
= 50 ohms-m
137
1000.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO
RHO APARENTE
100.00
10.00
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
FRECUENCIA
Figura 4.15.a Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14
En las respuestas obtenidas con ABCV se emple
la ecuacin (3.78), con filtro de promediacin y
parmetros Cx = 1.0 y Cz = 0.85; la ecuacin (3.77)
con tres iteraciones de punto fijo.
138
90.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
80.00
70.00
ANGULO DE FASE
60.00
50.00
40.00
30.00
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO
20.00
10.00
0.00
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
FRECUENCIA
Figura 4.15.b Grfica del ngulo de fase. Comparacin entre la curva
exacta y las modeladas con ABCV para el modelo de la
figura 4.14
139
1000.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO
RHO APARENTE
100.00
10.00
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
FRECUENCIA
Figura 4.15.c Respuesta del medio estratificado de la figura 4.14 en donde
se han invertido las resistividades (50-200-20-100 ohm-m)
Las respuestas calculadas con ABCV satisfacen las mismas
condiciones empleadas en la figura 4.14.
140
90.00
EXACTA
ABCV APLICANDO
FILTRO DE 5 PUNTOS
80.00
70.00
ANGULO DE FASE
60.00
50.00
40.00
30.00
ABCV CON TRES ITERACIONES
DE PUNTO FIJO
20.00
10.00
0.00
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
FRECUENCIA
Figura 4.15.d Grfica del ngulo de fase del modelo de la figura 4.14 en
donde se han invertido las resistividades (50-200-20-100 ohm-m)
Las respuestas calculadas con ABCV satisfacen las mismas
condiciones empleadas en la figura 4.15.a.
141
4.7.3
DIQUE CONDUCTOR
142
RHO APARENTE
1000.00
100.00
10.00
-8000
-4000
4000
8000
DISTANCIA
Figura 4.16.a Respuesta de un contacto vertical modo TM. El contacto se
encuentra en X=0 con resistividades de 100 y 20 Ohms-m.
Parmetros Cx=1, Cz=1 y ecuaciones (3.78) para el lado
conductor y (3.79) para el lado resistivo.
143
ANGULO DE FASE
80.00
40.00
0.00
-8000
-4000
4000
8000
DISTANCIA
Figura 4.16.b Grfica del ngulo de Fase para el modelo del contacto
vertical (figura 4.16.a). Parmetros Cx=1 Cz=1, sin filtro
de promediacin y empleando las ecuaciones (3.78) para el
lado conductor y ecuacin (3.79) para el lado resistivo.
144
-4000
-2000
2000
4000
1000
= 100 ohms-m
= 20 ohms-m
2000
3000
Figura 4.17 Modelo de Dique coductor
145
160.00
10 HERTZ
0.1 HERTZ
RHO APARENTE
120.00
80.00
40.00
0.00
-4000
-3000
-2000
-1000
1000
2000
3000
4000
DISTANCIA
Figura 4.18a Respuesta del dique para el modo de propagacin TM para
dos frecuencia de trabajo. El modelo empleado se muestra en
la figura 4.17.
146
120.00
10 HERTZ
0.1 HERTZ
RHO APARENTE
100.00
80.00
60.00
40.00
-4000
-3000
-2000
-1000
1000
2000
3000
4000
DISTANCIA
147
160.00
Centro de Sondeo
-4000
MODO TM
-3000
-2000
-1000
120.00
RHO APARENTE
0.0
80.00
40.00
0.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
FRECUENCIA
Figura 4.19.a Curvas de resistividad aparente para el dique de la figura 4.17
para el modo de propagacin TM. Parmetros Cx = 1, Cz = 1,
filtro de 5 puntos y conductividad de referencia calculada con
la ecuacin (3.78)
148
120.00
MODO TE
RHO APARENTE
100.00
80.00
CENTRO DE SONDEO
-4000
-3000
60.00
-2000
-1000
0.0
40.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
FRECUENCIA
Figura 4.19.b Curvas deresistividad aparente para el dique de la figura 4.17
para el modo TE. Parmetros Cx = 1, Cz = 1, filtro de 5 puntos
y conductividad de referencia calculada con la ecuacin (3.78)
149
4.7.4
150
Sitio 1
Sitio 2
= 20 ohms-m
4 Km.
= 7 ohms-m
250 m.
40 m.
= 5 ohms-m
400 m.
151
100.00
1-D
MODO TM
RHO APARENTE
MODO TE
10.00
1.00
1.0E+3
1.0E+2
1.0E+1
1.0E+0
1.0E-1
1.0E-2
1.0E-3
FRECUENCIA
Figura 4.21.a Efecto de un estrato superficial en la respuesta de MT. El modelo
es el de la figura (4.20) y sitio 1. La respuesta 1-D se muestra para
comparacin y donde se observa que la respuesta TE es menos
alterada por el estrato superficial que la del modo TM.
152
90.00
80.00
ANGULO DE FASE
70.00
60.00
1-D
MODO TM
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
FRECUENCIA
Figura 4.21.b Grfica del ngulo de Fase para el sitio 1 del modelo de la
figura (4.19). La discrepancia mayor est entre 0.1 y 1.0
Hertz. Cx = 1.2, Cz = 1.1 y filtro de 5 puntos.
153
RHO APARENTE
100.00
10.00
1-D
MODO TM
MODO TE
1.00
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
FRECUENCIA
Figura 4.22.a Efecto de un estrato superficial en la respuesta de MT para el sitio 2
de la Figura (4.20). La respuesta 1-D se muestra para comparacin
donde se muestra que la respuesta del mode TE se altera menos.
Cx1.2, Cz1.1, filtro de 5 puntos.
154
90.00
80.00
ANGULO DE FASE
70.00
60.00
1-D
MODO TM
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00
FRECUENCIA
Figura 4.22.b Grfica del ngulo de Fase para el sitio 2 del modelo de la
figura (4.20 ). Cx=1.2, Cz=1.1, filtro de 5 puntos.
155
156
reproduce con bastante exactitud la seudoseccin observada. Por ejemplo, la respuesta con
ABCV, para el periodo de 10 s., reproduce bastante bien las ondulaciones que se observan
en la seudoseccin de resistividad aparente observada. En general, el ajuste que se obtiene
entre ambas seudosecciones es bastante satisfactorio y proporciona una prueba fehaciente
del mtodo propuesto. Sin embargo, para la regin donde se manifiesta el conductor A,
sondeos 82-81 de la seudoseccin observada y entre la distancia de 0.4 a 1.4 km para
ABCV, los valores tan bajos que se observan para ABCV no deberan de ser ( X = 800 m).
En la figura (4.27) se presentan las curvas de resistividades aparentes para el conductor A
(modo TM ) y la nica explicacin para la respuesta obtenidas es que el cambio entre la
resistividad del conductor y del basamento propuesto de 150 -m es superior al
recomendado para el mtodo ABCV. La explicacin para el conductor A es, tambin,
aplicable para los otros dos.
Para el caso de la seudoseccin de la impedancia de fase modelada por Romo et al (1997),
con el paquete Geotools , proporciona una versin suavizada de la seudoseccin
observada (figura 4.25).La seudoseccin de la impedancia de fase modelada con ABCV
(figura 4.26), marca con mayor nfasis la zona de los conductores que la presentada por
Romo et al (1997). Probablemente hubo un intercambio con la respuesta entre el modo TM
por el TE.
Si se analizan las seudosecciones observadas para la lnea E4 (figura 4.28), que es ms o
menos paralela a la lnea E3, se observa que donde se manifiesta una zona conductora
(sondeo 14) la fase presenta rasgos abruptos, como es de esperarse para estructuras de tipo
tabular. Si la seudoseccin de resistividades aparente, para el modo de propagacin TE
modelada con ABCV (figura 4.29), se compara con la proporcionada para el modo TM por
Romo et al (1997), la concordancia entre ambas es admirable. Entonces, se puede suponer
el hecho de un posible cambio de los modos de propagacin en el momento de la
interpretacin del estudio magnetotelrico del rea geotrmica de Ahuachapn, el Salvador.
Para el ejemplo discutido se puede concluir que el mtodo Aproximacin de Born con
conductividades de referencia variable (ABCV) es una tcnica que proporciona resultados
confiables en la modelacin de la respuesta magnetotelrica.
158
159
160
500
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.01
0.01
70
40
25
PERIODO
0.1
0.1
20
16.5
13
10
10
10
7
5
3
100
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
2
1.5
DISTANCIA
1
0
20
40 x 100
(a)
-95
-105
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-115
90
0.01
0.01
-125
-135
-145
0.1
0.1
-155
PERIODO
-165
-175
1
-185
-195
-205
10
10
-215
-225
-235
100
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
DISTANCIA
-245
-255
-265
-275
20
40 x 100
(b)
Figura 4.26 (a) Resistividad Aparente. (b) Impedancia de Fase para el modelo de la
figura 4.24, lnea E3 para el modo de propagacin TM. Las respuestas se
modelaron con la tcnica ABCV.
161
100.00
X = 400 M
X = 600 M
X = 800 m
RHO APARENTE
10.00
1.00
X = 1000 m
0.10
X = 1200 m
X = 1400 m
0.01
100.00
10.00
1.00
0.10
0.01
FRECUENCIA
Figura 4.27 Curvas de resistividad aparente en el intervalo 400 a 1400 m, que
corresponde a la zona de soneos 81-75 del proyecto AhuachapnChipilapa. La forma de las curvas es la esperada, sin embargo, los
valores para la frecuencia de 1.5 Hz son muy bajos ( X = 800 m ),
debido a que el cambio en las conductividades es ns del 80%
recomendado como mximo, con respecto al basamento.
162
163
500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
200
90
0.01
0.01
140
100
70
PERIODO
0.1
0.1
40
25
20
15
10
10
10
7
5
3
100
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
2
1.5
DISTANCIA
1
0
20
40
(a)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.01
0.1
0.1
PERIODO
0
0.01
10
10
100
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
DISTANCIA
20
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
46.25
40
30
20
10
0
40
(b)
Figura 4.29 (a) Resistividad Aparente. (b) Impedancia de Fase para el modo TE
de la lnea E3 (figura 4.24). La respuesta se calcul con ABCV
164
CAPITULO 5
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
En el primer captulo se ha estudiado la ecuacin del potencial para campos bajo rgimen
estacionario; ecuacin que ha sido deducida al considerar la funcin de Green generalizada.
La modelacin del potencial para cualquier arreglo de electrodos se encuentra por
superposicin.
Locke y Barcker (1995) han deducido una expresin similar para el potencial, bajo la
condicin de dispersin dbil (Eskola, 1992) y clculo de variaciones. El vector de
corriente de conduccin total se sustituye por el vector de corrientes de conduccin
primaria, bajo la condicin de que el contraste de resistividad es cercano a cero. Sin
embargo, la expresin del potencial, vlida para una tierra heterognea (ecuacin (1.27)) y
la propuesta por Locke y Barker, no necesitan de un medio de referencia como sucede
cuando tcnicas aproximadas se emplean para campos electromagnticos alternos.
Recientemente, Prez et al ( 2001) present un artculo en donde resume varias tcnicas de
aproximacin para la modelacin de la respuesta elctrica en diferentes mtodos
prospectivos elctricos. Estas tcnicas se basan en la teora desarrollada por GmezTrevio (1987) y donde Prez et al (2001) concluye en que no se necesita un medio de
referencia, al menos para los mtodos de corriente continua.
En la presente tesis se ha propuesto la tcnica de Aproximacin de Born empleando
conductividades de referencia variable (ABCV). ABCV proporciona resultados excelentes
en la modelacin de la respuesta magnetotelrica, bajo la condicin de que el cambio en el
contraste de conductividad no sea mayor al 80%. Esta condicin est relacionada con el
orden de la aproximacin de Born empleada.
Para sobrellevar la condicin de contraste pequeo se sugiere en la literatura diferentes
procedimientos alternativos, fundamentados en el mtodo de Born. Entre ests tcnicas est
la Aproximacin de Born extendida (EBA) propuesta por Habhasy y Torres Verdn y la
desarrollada por Zhadov y Fang (1996), quienes la denominaron Aproximacin Cuasi
Lineal (QLA). Ambas tcnicas proponen la misma idea fundamental: utilizar el campo total
en lugar del primario en la solucin integral de la ecuacin Helmholtz. La diferencia entre
ambas tcnicas es la manera de encontrar una aproximacin al campo total, que
bsicamente se reduce a un procedimiento iterativo.
Sin embargo, los fundamentos de ABCV son distintos a los procedimientos arriba
mencionados, ya que en vez de perturbar a la ecuacin diferencial que satisface el campo
electromagntico se busca una aproximacin a la funcin de Green para el medio
heterogneo. Esta es una aproximacin de Born de orden cero para la funcin de Green.
165
166
resistividad aparente, como funcin objetivo, tendr mayor probabilidad de xito que la
basada en el ngulo de fase.
Para definir la conductividad de fondo, en el caso de una Tierra 2-D, se puede emplear un
esquema de punto fijo. El esquema de punto fijo se emple al promediar las
conductividades aparentes para una regin: [x C x , x + C x ] y [0, C z ] . La experiencia
con este esquema es que para las bajas frecuencia hay mayor distorsin en la respuesta
modelada. Probablemente la conductividad de fondo no est relacionada en forma directa
con el promedio de la conductividad aparente, como en un principio se sugiere en el
presente trabajo.
Por otro lado, la conductividad de fondo para una Tierra 2-D, tambin, se define por las
ecuaciones (3.78) y (3.79). Para la mayora de los casos la ecuacin (3.78) proporciona
resultados adecuados y slo en casos muy particulares donde el sondeo se puede considerar
que est en una zona muy resistiva la ecuacin (3.79) es aplicable. Como se mostr en el
captulo 4, un cambio en el contraste de conductividades del 20% para ambas ecuaciones
proporcionan resultados muy similares.
Lo recomendable sera, tambin, tener una funcin de conductividad de fondo que se
comportar en forma suave. Sin embargo, la manera como se ha dividido el espacio en
prismas homogneos se obtiene una funcin de conductividad de fondo, en ocasiones, con
cambios muy abruptos que distorsionan la respuesta electromagntica. Para sobrellevar este
problema, se aplica un filtro de promediacin a la funcin de conductividad de fondo para
obtener una funcin de comportamiento suave, que mejora el clculo de la respuesta del
mtodo magnetotelrico.
El filtro de promediacin se aplica sobre el rango de frecuencia, para un centro de sondeo
dado. La experiencia ha mostrado que el filtro se aplica simtrico sobre el valor de la
conductividad de fondo que se desea suavizar para una frecuencia dada. Un filtro no mayor
de 7 puntos es ms que suficiente en la mayora de los casos.
En la presente tesis se ha dado ha conocer una tcnica aqu denominada como
Aproximacin de Born empleando conductividades de referencia variable (ABCV) para
modelar la respuesta magnetotelrica para una tierra 2-D; este hecho no limita su aplicacin
a otros campos.
La tcnica ABCV se puede emplear en la solucin del problema inverso. Chew (1995)
propone dos esquemas de inversin (BIM) y (DBIM). En el mtodo BIM el medio de
referencia permanece fijo, mientras se determinan los parmetros del medio y en procesos
de inversin es un mtodo robusto en la contaminacin de ruido. Por otro lado, DBIM
presenta una convergencia ms rpida.
Un primer esquema que se puede proponer para ABCV y problemas de inversin es una
combinacin de las dos tcnicas propuestas por Chew (1995) o un esquema similar al
propuesto por Esparza (1991), sin embargo, estas propuestas son temas de una
investigacin futura.
167
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Wait, R.J., 1954. On the Relation Between Telluric Currets and the Earths Magnetic
Fields. Geophysic, Vol. 19. Pags. 281-289.
Wannamaiker, P.E., Hohmann G. W., and Ward, S.H., 1984. Electromagnetic Modeling of
three-dimensional bodies in Layered Earths using Integral Equations. Geophysics, Vol. 49.
Pags. 1517-1533.
171
Ward, H.,S. and Hohmann W.G., 1987. Electromagnetic Theory for Geophysical
Applications. En Electromagnetic Methods in Applied Gephysics, Vol 1, Theory,
Nabighian N. M., SEG
Weidelt, P. 1975. Electromagnetic Induction in Three-Dimensional Structures. Journal of
Geophysics, Vol. 41. Pags. 85-109.
Zhadov, M.S. and Fang, S. 1996 Quasi-lineara Approximation in 3-D Electromagnetic
Modeling. Geophysics Vo. 61, No.3
Zhody, A.A.R., 1975. Automatic Interpretation of Schlumberger sounding curves, using
modified Dar Zarrouk function. Geological Survey Bulletin, 1313-E
172
ANEXO A
A.0.a
k 02 = i 0 1
Sin embargo, debido a que el campo elctrico que produce un dipolo orientado en una
direccin seleccionada (direccin X, por ejemplo), satisface una ecuacin diferencial
expresada como:
r
r
2 E (r ) + k o2 E (r ) = (iI ) ( X X 1 , Y Y1 , Z Z 1 )
Donde :
I = Intensidad de la corriente
A.0.b
La ecuacin (A.0.b) es muy similar a (A.0.a), entonces se puede emplear todo lo que se
conoce para la solucin de un dipolo enterrado, con intensidad de corriente unitaria y el
correspondiente vector de Green se determina como:
r r
r r
E (r )
G (r ) =
i
A.0.c
173
A.1.a
xH (r ) = J (r ) + E (r )
A.1.b
A.2.a
r r
r r
H (r ) = xF (r )
A.2.b
A.2.c
A.3
k 02 = i 0 1
El procedimiento para determinar los dos vectores de Green que se necesitan es similar, por
r r
lo que slo se discutir la manera para encontrar G X (r ) , ya que el otro se determina con
ligeros cambios de la solucin encontrada.
El vector de Schelkunoff, el cual satisface la ecuacin (A.3) igualada a cero para el medio
r r
r r
r r
Z<0, se designar como: F 0 (r ) = FX0 (r )i + FZ0 (r )k , para poder satisfacer las condiciones
de frontera en el plano Z=0. Sin embargo, para el medio conductor (Z>0) el vector
potencial satisface la ecuacin (A.3) y es la suma del potencial primario ms el secundario.
La solucin del potencial primario slo tiene la componente en la direccin X y se expresa
como (Ward y Hohmann,1987):
ik R
r r
r r e 0 r
FP (r ) = FXP (r )i =
i
4R
Donde :
R=
( X X 1 )2 + (Y Y1 )2 + ( Z Z1 ) 2
174
El
potencial,
para
la
primera
regin,
se
expresa
como:
r1 r
r
r v
r r
1
1
F (r ) = ( FXX (r ) + FXP (r ))i + FXZ (r )k . Las condiciones de frontera que deben satisfacerse
son:
H X0 = H x1
FZ0 = FZ1
1
Y
FX0 FX1
=
z
z
E X0 = E 1X
FX0 = FX0
E y0 = EY1
r
r
1
1
F0 =
F1
0
1
H =H
0
Y
A.5
A.6
Donde :
r=
( X X 1 )2 + (Y Y1 )2
j = 2 k 2j
j = 0,1
k 2j = i 0 j
La ecuacin A.4 se puede expresar en una transformada de Hankel mediante la integral de
Sommerfeld como:
e 1 ( Z Z1 )
J 0 ( r ) d
e ik1ZR
1 0 1
=
4R
4 e +1 ( Z Z1 )
J 0 (r )d
1
0
Z1 < Z <
A.7
0 < Z < Z1
175
FX0 =
1
FXX
1
4
1
=
4
1 21
1 1 + 0
1 1 0
1 1 + 0
Z + Z
e 1 1 e 0 J 0 (r )d
0 < Z <
( Z + Z )
e 1 1 J 0 (r )d
0 < Z < +
A.8
Para las componentes Fz y debido a las condiciones de frontera, las soluciones propuestas
son:
A.9
1
XZ
= q ( )e
0
X
1Z
J 1 (r ) cos( )d
1 1 21 1 ( Z + Z1 )
=
e
J 1 (r ) cos( )d 0 < Z < +
4 0 1 1 + 0
FZ0 =
1
FXZ
1
4
1 21
1 1 + 0
A.10
r r
Los elementos del vector de Green elctrico G X (r ) se determinan de la ecuacin A.2.a y
A.0.c; slo se necesita para el medio Z>0, en el intervalo 0<Z<Z1(Tai, 1993):
G
e
XX
e
G XY
1 FX1 FZ1
=F + 2
+
z
k 0 x x
1 FX1 FZ1
= 2
+
z
k 0 y x
1
X
e
G XZ
= FZ1 +
1 FX1 FZ1
+
z
k 02 z x
A.11
Donde :
1
FX1 = FXX
+ FXP
1
FZ1 = FXZ
176
Los elementos del vector de Green magntico son, para un trmino temporal e + iwt
(Tai, 1993):
FZ1
y
M
=(
G XX
M
XY
FX1 FZ1
z
x
1
F
X )
y
=(
M
=(
G XZ
A.12
r r
Para determinar los elementos del vector elctrico GY (r ) slo se considera al dipolo
elctrico orientado en la direccin Y, es decir:
1 FY1 FZ1
+
z
k 02 y y
1 FY1 FZ1
= 2
+
z
k 0 x y
e
GYY
= 0 FY1 +
e
GYX
1 FY1 FZ1
G =F + 2
+
z
k 0 z y
Donde :
e
YZ
1
Z
A.13
El vector magntico es
FZ1
)
x
FZ1 FY1
y
z
M
GYY
=(
M
GYX
=(
M
YZ
=(
Fy1
x
A.14
177
FY0 =
FYY1
1
4
1
=
4
1 21
1 1 + 0
Z + Z
e 1 1 e 0 J 0 (r )d
1 1 0
1 1 + 0
( Z + Z )
e 1 1 J 0 (r )d
0 < Z <
A.15
0 < Z < +
1
4
1
=
4
1 21
1 1 + 0
Z + Z
e 1 1 e 0 J 1 (r ) sen( )d
1 21
1 1 + 0
( Z + Z )
e 1 1 J 1 (r ) sen( )d
0 < Z <
A.16
0 < Z < +
178