Sunteți pe pagina 1din 10

Tranzistorul bipolar

1. Introducere
Semiconductor eterogen dotat cu impuriti astfel nct se formeaz
dou jonciuni pn.
- regiunea din mijloc foarte ngust d << L p , ordin de mrime: 0,1 .
- regiuni laterale emitor, colector
- mult mai dotate
- de acelai tip
- au proprieti electrice i fizice diferite (prin dotri
diferite i prin dimensiuni diferite).
Procedee de fabricare:

- aliere
- difuzie profilul i adncimea zonei difuzate pot
fi controlate prin concentraia de impuriti, prin temperatura de difuzie i
prin durata procesului de difuzie.
Regimurile de lucru se stabilesc dup modul de polarizare a celor 2
jonciuni:
jonciunea EB jonciunea CB
- regiunea activ normal (RAN)
direct
invers
- regiunea de saturaie (SAT)
direct
direct
- regiunea de blocare
(BL)
invers
invers
- regiunea activ invers (RAI)
invers
direct
Simboluri pentru tranzistorul bipolar

2. Procese fizice

Tranzistorul este de tip P+NP+, funcionnd n RAN.


Fenomene fizice:
a) jonciunea EB este polarizat direct: golurile din emitor trec n
baz, dar d << L p , puine goluri se recombin, cele mai multe ajung la
colector; acesta este polarizat invers, este un cmp electric puternic care
favorizeaz trecerea golurilor n colector.
- goluri injectate de emitor colectate de colector

iP ( w) + ir = iP (0)

- w este grosimea efectiv a bazei, w < d


Se definete: factorul de transport n baz:

t =

iP ( w)
i
= 1 r 1
iP (0)
iP (0)

b) jonciunea EB este polarizat direct: circul un curent de electroni


local datorat difuziei electronilor din baz n emitor. Deoarece baza este
mult mai puin dopat cu impuriti dect emitorul, curentul de electroni va
fi mult mai mic dect curentul de goluri:

i E = i P ( 0 ) + in

Se definete: eficiena emitorului:

i
iP (0)
= 1 n 1
iE
iE

c) jonciunea CB este polarizat invers: exist un curent local al


jonciunii (ca la dioda polarizat invers), iinv .
2

3. Ecuaii de funcionare
Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraii constante de impuriti;
- grosimile zonelor neutre ale E i C >> lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecie (conc. purttori injectai << conc. maj.);
- se neglijeaz fenomenele de generare-recombinare n regiunile de
trecere;
- se presupune absena altor ageni externi;
- tranzistor PNP n RAN;
'
- d << L p , p p , p p >> nn se neglijeaz regiunea de trecere EB.

Condiii la limit (de tip Shokley):

n(l1 ) = n p e
n(l4 ) =

qu E
kT

qu C
'
n p e kT

p(l2 ) = pn e
p(l3 ) = pn e

qu E
kT

qu C
kT

p(0)

p( w)

Etapa I:
Se neglijeaz curentul de recombinare din baz curentul de goluri
din baz este constant

j p ( x) = qD p

dp
= j p (0) = ct.
dx

Se integreaz:

p ( x) = C

j p (0)
qD p

x cu condiiile:

sau:

j p ( 0)
dp
=
dx
qD p

x = 0 p( x) = p (0) = C
x = w p( x) = p( w)
3

p( x) = p (0)

j p (0)
qD p

x (variaie liniar);

Se calculeaz: p ( w) = p (0)

j p (0)
qD p

w i rezult:

qu C

qD p pn qukTE
e
[ p(0) p( w)] sau: j p (0) =
j p (0) =
e kT

w
w

qD p pn qukTE
kT
Pentru RAN:
j p ( 0) =
e
uC < 0, uC >>
w
q

qD p

Dac uC w efect de modulaie a grosimii bazei (ceea ce duce la


ideea de reacie intern n tranzistor).
Etapa II:
Se calculeaz curentul de recombinare pornind de la ecuaia de
continuitate, n regim staionar:

p pn 1 dj p ( x)
p
=

= 0 sau:
t
q dx
p
dj ( x)
q
[ p( x) pn ] + p = 0 Se integreaz pe toat lungimea bazei:
dx
p

[ p( x) pn ]dx + dj p ( x) = 0

Dar:

dj p ( x) = j p ( w) j p (0) = jr

Rezult:

j p ( 0)
q w
[
]
jr =
p
x
p
dx
p
p
x dx =
(
)
(
0
)

n
n
qD p
p 0
p 0
=

[ p(0) pn ]w 1

qw
p e
p n

q j p (0) 2
w =
2 p qD p

qu E
kT

qu C
qu
1 w qD p pn kTE
e kT
pn
e
2 qD p w

qu
qu
qu
qwpn kTE
1 kTE 1 kTC
e
=
1 e
+ e
p
2
2
qu C
qu

qpn w kTE
kT
jr =
+e
2
e
2 p

qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr
e .
2Dp

Rezult:

Etapa III:
- curentul local de electroni la jonciunea emitor-baz:

qDn n p qukTE
e
jn (0) =
1

Ln

Etapa IV:
- curentul propriu la jonciunea colector-baz (ca la o jonciune PN
polarizat invers, dar cu zona P subirew):

qD p pn qDn' n 'p qu C
kT

e
1
jco =
+
'
w

Ln

(colectorul este dopat

diferit cu impuriti n comparaie cu emitorul);

qD p pn qDn' n 'p

pentru RAN
jco =
+
'

w
L
n

(pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).


Dac A este aria seciunilor transversale ale jonciunilor, curenii vor
fi:

iE = A j p (0) + jn (0)
iC = A j p ( w) + jco = A j p (0) jr + jco
iB = A [ jn (0) + jr jco ] = iE iC
Se observ:

iC = i p ( w) + ico = t i p (0) + ico = t iE + ico = oiE + ico

- relaia fundamental a tranzistorului.


2
2

1
1 w
w n 1 w
1 1
0

w n 2 Lp
L

2 L p
n
p

1+

Ln p

0 este factorul de curent al tranzistorului n conexiunea BC. Valorile tipice


sunt apropiate de 1 dar mai mici dect 1.

4. Caracteristicile statice ale TBIP


a) caracteristicile statice (n general)

caracteristica de transfer o mrime de ieire n funcie de o


mrime de intrare: - v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii sau
- v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ;
caracteristica de ieire o mrime de ieire n funcie de
cealalt mrime de ieire cu parametru o mrime de intrare:
- io (vo ) cu parametru ii sau vi sau - vo (io ) cu parametru vo sau ii ;
caracteristica de intrare o mrime de intrare n funcie de
cealalt mrime de intrare cu parametru o mrime de ieire:
6

- ii (vi ) cu parametru vo sau io ; - vi (ii ) cu parametru vo sau io .

b) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea BC

caracteristica de ieire iC = iC (uC ) i

iC = oiE + ico

= ct .

Observaii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaia lui
ico i a lui 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ;
- caracteristici aproape echidistante la creteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaia lui 0 cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici i foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.
Regimuri de funcionare:
- regiunea de blocare (tiere), pentru iE 0 ;
- regiunea activ normal;
- regiunea de saturaie.
7

caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u

= ct .

Relaii:
qu C
qD p pn qukTE
e
iE = A
e kT

qD p pn qukTE
A
e
(pentru RAN)

Observaii:
- caracteristica exponenial;
- pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine;
- influena lui uC este mic, prin intermediul lui w;
Model PNP

- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o


tensiune de prag, VBE , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru
Si; curentul de baz este stabilit de circuitul exterior;
- n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din baz; de cele mai multe ori se folosete egalitatea
iC iE , care presupune c relaia pentru curentul de colector devine:

iC = 0iB prin neglijarea curentului rezidual, ico .

c) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea EC

) caracteristica de ieEire
Relaii:

iC = iC (u 'C ) i

= ct .

iC = oiE + ico
iE = iC + iB

Se elimin iE i rezult:

iC = 0iB + iceo

cu

0 =

tranzistorului n conexiune EC) i iceo =

0
(factorul de curent al
1 0

ico
.
1 0

Observaii:
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependena de curentul
de colector a factorului de curent n conexiune EC este mai mare dect n
cazul conexiunii BC.
Caracteristica de intrare iB = i ' B (u ' B ) u '

= ct .

Relaii:

iB = iE iC = iE 0iE ico = (1 0 )iE ico

Observaii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea u'C are o influen mic.

10